TW202031854A - 接著劑組成物、積層體及積層體之製造方法以及薄化半導體形成基板之方法 - Google Patents

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Abstract

一種接著劑組成物，其用於形成可剝離地接著於由半導體形成基板所構成之第一基體與由支撐基板所構成之第二基體之間之接著層，其特徵係其含有：藉由矽氫化反應而硬化之成分(A)，以及含有含環氧改性聚有機矽氧烷成分之剝離成分(B)；前述成分(A)含有：含有以SiO2表示之矽氧烷單元(Q單元)等之聚矽氧烷(A1)，以及鉑族金屬系觸媒(A2)；前述聚矽氧烷(A1)含有：含有以SiO2表示之矽氧烷單元(Q’單元)等之聚有機矽氧烷(a1)，以及含有以SiO2表示之矽氧烷單元(Q”單元)等且官能基(Si-H)的量為5.0mol/kg以上之聚有機矽氧烷(a2)。

Description

接著劑組成物、積層體及積層體之製造方法以及薄化半導體形成基板之方法
本發明係關於一種接著劑組成物、積層體及積層體之製造方法以及薄化半導體形成基板之方法。
對於一直以來在二維平面方向上集積之半導體晶圓，為了更進一步集積化之目的，追求平面亦進一步於三維方向集積(積層)之半導體集積技術。此三維積層係一種於藉由矽穿孔電極(TSV：through silicon via)接線之同時多層集積之技術。多層集積時，所集積之各個晶圓係藉由研磨與所形成之電路面相反之側(即背面)來薄化，並以被薄化的半導體晶圓進行積層。
薄化前的半導體晶圓(在此亦簡稱晶圓)，為了以研磨裝置進行研磨而接著於支撐體。由於此時的接著必須於研磨後可容易地剝離，因此被稱為暫時接著。
若為了拆除此暫時接著而施加很大的力，則被薄化的半導體晶圓可能會斷裂或變形。為了不使該等情形發生，被暫時接著之支撐體必須能夠容易地拆除。然而，另一方面，並不希望發生於研磨半導體晶圓之背面時，因研 磨應力而使被暫時接著之支撐體脫落或偏移的情形。因此，暫時接著所追求之性能為：能夠承受研磨時的應力，但於研磨後容易拆除。
例如追求對於研磨時的平面方向具有高的應力(強的接著力)，對於拆除時的縱方向有低的應力(弱的接著力)之性能。
由於此等情事，暫時接著須要對研磨時的平面方向之高的應力(強的接著力)、以及對拆除時的縱方向之低的應力(弱的接著力)。與此相關的方法，已報告一種具有接著層與分離層，且分離層係藉由二甲基矽氧烷的電漿聚合而形成，於研磨後機械式分離之方法(例如專利文獻1、2)；及一種以接著劑組成物將支撐基板與半導體晶圓相接著，並於研磨半導體晶圓的背面後以蝕刻液將接著劑除去之方法(例如專利文獻3)。此外，作為與此相關之將支撐體與半導體晶圓相接著之接著層等，已報告一種含有以鉑觸媒將含烯基的有機聚矽氧烷與含矽氫基的有機聚矽氧烷聚合而成之聚合層，與熱硬化性聚矽氧烷所構成之聚合層之組合之晶圓加工體(例如專利文獻4~6)。進一步地，作為矽氫化反應的抑制劑，已報告一種長鏈α-乙炔醇及硬化性矽氧組成物(例如專利文獻7)。然而，伴隨近來半導體領域之急速進展，對於新技術或改良技術的強烈期望一直存在，亦追求有關暫時接著之新技術或改良技術。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特表2012-510715號公報
【專利文獻2】日本特表2012-513684號公報
【專利文獻3】日本特開2013-179135號公報
【專利文獻4】日本特開2013-232459號公報
【專利文獻5】日本特開2006-508540號公報
【專利文獻6】日本特開2009-528688號公報
【專利文獻7】日本特開平6-329917號公報
有鑑於此，本發明之目的在於提供一種接著劑組成物，其可提供支撐體之接合時(硬化時)或晶圓背面之加工時、進一步地於零件安裝過程中之耐熱性優異，且於剝離支撐體時可容易地剝離之接著層；並提供一種使用前述接著劑組成物所獲得之積層體及其製造方法以及薄化半導體形成基板之方法。
本發明人為了解決前述課題而反覆致力探討之結果，發現：藉由將用於形成接著層且含有藉由矽氫化反應而硬化之成分及剝離成分之接著劑組成物中，含SiH基之聚有機矽氧烷的官能基(Si-H)之量設為5.0mol/kg以上，可獲得耐熱性特別優異，且於剝離支撐基板時可容易地剝離之接著層，並完成本發明；其中，前述接著層，係可剝離地接著於由半導體形成基板所構成之第一基體與由支撐基板所構成之第二基體之間；前述 藉由矽氫化反應而硬化之成分，係含有指定之聚矽氧烷及鉑族金屬系觸媒；前述剝離成分，係含有含環氧改性聚有機矽氧烷成分；前述含SiH基之聚有機矽氧烷，係含有指定之聚矽氧烷。
亦即，本發明提供如下：
1.一種接著劑組成物，其用於形成可剝離地接著於由半導體形成基板所構成之第一基體與由支撐基板所構成之第二基體之間之接著層，其特徵係其含有：
藉由矽氫化反應而硬化之成分(A)，以及
含有含環氧改性聚有機矽氧烷成分之剝離成分(B)；
前述成分(A)含有：聚矽氧烷(A1)以及鉑族金屬系觸媒(A2)；前述聚矽氧烷(A1)含有選自以SiO2表示之矽氧烷單元(Q單元)、以R1R2R3SiO1/2表示之矽氧烷單元(M單元)、以R4R5SiO2/2表示之矽氧烷單元(D單元)以及以R6SiO3/2表示之矽氧烷單元(T單元)所成群中一種或二種以上之單元(前述R1至R6，係鍵結於矽原子之基團或原子，其各自獨立表示烷基、烯基或氫原子)；
前述聚矽氧烷(A1)含有：聚有機矽氧烷(a1)以及聚有機矽氧烷(a2)；前述聚有機矽氧烷(a1)在含有選自以SiO2表示之矽氧烷單元(Q’單元)、以R1’R2’R3’SiO1/2表示之矽氧烷單元(M’單元)、以R4’R5’SiO2/2表示之矽氧烷單元(D’單元)以及以R6’SiO3/2表示之矽氧烷單元(T’單元)所成群中一種或二種以上之單元的同時，含有選自前述M’單元、D’單元及T’單元所成群中至少一種(前述R1’至R6’，係鍵結於矽原子之基團，其各自獨立表示烷基或烯基，但前述R1’至R6’的至少一個為前述烯基)；前述聚有機矽氧烷 (a2)在含有選自以SiO2表示之矽氧烷單元(Q”單元)、以R1”R2”R3”SiO1/2表示之矽氧烷單元(M”單元)、以R4”R5”SiO2/2表示之矽氧烷單元(D”單元)以及以R6”SiO3/2表示之矽氧烷單元(T”單元)所成群中一種或二種以上之單元的同時，含有選自前述M”單元、D”單元及T”單元所成群中至少一種，且官能基(Si-H)的量為5.0mol/kg以上(前述R1”至R6”，係鍵結於矽原子之基團或原子，其各自獨立表示烷基或氫原子，但前述R1”至R6”的至少一個為氫原子)；
2.如1之接著劑組成物，其中，前述環氧改性聚有機矽氧烷，係環氧值為0.1~5之環氧改性聚有機矽氧烷；
3.一種積層體，其具備由半導體形成基板所構成之第一基體、由支撐基板所構成之第二基體、以及可剝離地接著於前述第一基體與第二基體之間之接著層，其特徵係：
前述接著層，係使用1或2之接著劑組成物所形成之硬化膜；
4.一種積層體之製造方法，其特徵係其包含：
於由半導體形成基板所構成之第一基體或由支撐基板所構成之第二基體，塗布1或2之接著劑組成物而形成接著劑塗布層之步驟；以及
將前述第一基體與前述第二基體介由前述接著劑塗布層合攏，並藉由於實施加熱處理及減壓處理中的至少一種之同時，施加前述第一基體及前述第二基體的厚度方向之負重，使前述第一基體、前述接著劑塗布層及前述第二基體密著，之後，進行後加熱處理之步驟；
5.一種薄化半導體形成基板之方法，其係薄化半導體形成基板之方法，其特徵係其包含：
於由半導體形成基板所構成之第一基體或由支撐基板所構成之第二基體，塗布1或2之接著劑組成物而形成接著劑塗布層之步驟；
將前述第一基體與前述第二基體介由前述接著劑塗布層合攏，並藉由於實施加熱處理及減壓處理中的至少一種之同時，施加前述第一基體及前述第二基體的厚度方向之負重，使前述第一基體、前述接著劑塗布層及前述第二基體密著，之後，進行後加熱處理，以製造積層體之步驟；以及
對前述積層體的前述第一基體施以薄化處理之步驟。
由本發明之接著劑組成物所獲得之接著層，於晶圓等被加工體進行加工時會在支撐體與被加工體之間發揮適宜之接著能力，並且，於加工後可容易地剝離，因此藉由使用本發明之接著劑組成物，可製造能夠在不需對支撐體或晶圓等被加工體施加用於剝離之過度負荷之情況下剝離之接著層。此外，由本發明之接著劑組成物所獲得之接著層，由於具有優異之耐熱性，故亦能充分承受於晶圓之薄化、TSV製程等半導體製程步驟中所負荷之高溫。具備如此特徵之本發明之接著劑組成物，能夠充分應對近來半導體領域中之進展。
本發明之接著劑組成物，例如為一種用於在支撐體與晶圓的電路面之間將兩者可剝離地相接著以對晶圓的背面進行加工之接著劑，其含有：藉由矽氫化反應而硬化之成分(A)，以及含有環氧改性聚有機矽氧 烷之剝離成分(B)；該成分(A)含有：聚矽氧烷(A1)以及鉑族金屬系觸媒(A2)；前述聚矽氧烷(A1)含有選自以SiO2表示之矽氧烷單元(Q單元)、以R1R2R3SiO1/2表示之矽氧烷單元(M單元)、以R4R5SiO2/2表示之矽氧烷單元(D單元)以及以R6SiO3/2表示之矽氧烷單元(T單元)所成群中一種或二種以上之單元；該聚矽氧烷(A1)含有：聚有機矽氧烷(a1)以及聚有機矽氧烷(a2)；前述聚有機矽氧烷(a1)在含有選自以SiO2表示之矽氧烷單元(Q’單元)、以R1’R2’R3’SiO1/2表示之矽氧烷單元(M’單元)、以R4’R5’SiO2/2表示之矽氧烷單元(D’單元)以及以R6’SiO3/2表示之矽氧烷單元(T’單元)所成群中一種或二種以上之單元的同時，含有選自前述M’單元、D’單元及T’單元所成群中至少一種；前述聚有機矽氧烷(a2)在含有選自以SiO2表示之矽氧烷單元(Q”單元)、以R1”R2”R3”SiO1/2表示之矽氧烷單元(M”單元)、以R4”R5”SiO2/2表示之矽氧烷單元(D”單元)以及以R6”SiO3/2表示之矽氧烷單元(T”單元)所成群中一種或二種以上之單元的同時，含有選自前述M”單元、D”單元及T”單元所成群中至少一種，且官能基(Si-H)的量為5.0mol/kg以上。
於此，使用本發明之接著劑組成物所獲得之接著層，由於可適宜地將晶圓的電路面與支撐體可剝離地相接著，因此，例如可藉由研磨與晶圓的電路面相反側之背面等進行加工，以使晶圓的厚度薄化等，並於加工結束後，藉由將該接著層剝離，可容易地將被施以薄化等之晶圓由支撐體拆除。另外，所謂可剝離係指接著強度比其他剝離處低，亦即剝離性優異、易剝離。
R1~R6，係鍵結於矽原子之基團或原子，其各自獨立表示烷 基、烯基或氫原子。
R1’~R6’，係鍵結於矽原子之基團，其各自獨立表示烷基或烯基，但R1’~R6’的至少一個為烯基。
R1”~R6”，係鍵結於矽原子之基團或原子，其各自獨立表示烷基或氫原子，但R1”~R6”的至少一個為氫原子。
烷基，可為直鏈狀、支鏈狀、環狀中的任一者，其碳原子數並無特別限定，但理想為40以下，更理想為30以下，進一步理想為20以下，更進一步理想為10以下。
直鏈狀或支鏈狀烷基的具體例，可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、1-甲基-正丁基、2-甲基-正丁基、3-甲基-正丁基、1,1-二甲基-正丙基、1,2-二甲基-正丙基、2，2-二甲基-正丙基、1-乙基-正丙基、正己基、1-甲基-正戊基、2-甲基-正戊基、3-甲基-正戊基、4-甲基-正戊基、1,1-二甲基-正丁基、1,2-二甲基-正丁基、1,3-二甲基-正丁基、2,2-二甲基-正丁基、2,3-二甲基-正丁基、3,3-二甲基-正丁基、1-乙基-正丁基、2-乙基-正丁基、1,1,2-三甲基-正丙基、1,2，2-三甲基-正丙基、1-乙基-1-甲基-正丙基、1-乙基-2-甲基-正丙基等，但不限於此等。
其中，以甲基為理想。
環狀烷基的具體例，可列舉：環丙基、環丁基、1-甲基-環丙基、2-甲基-環丙基、環戊基、1-甲基-環丁基、2-甲基-環丁基、3-甲基-環丁基、1,2-二甲基-環丙基、2,3-二甲基-環丙基、1-乙基-環丙基、2-乙基-環丙基、環己基、1-甲基-環戊基、2-甲基-環戊基、3-甲基-環戊基、1-乙基-環丁 基、2-乙基-環丁基、3-乙基-環丁基、1,2-二甲基-環丁基、1,3-二甲基-環丁基、2,2-二甲基-環丁基、2,3-二甲基-環丁基、2,4-二甲基-環丁基、3,3-二甲基-環丁基、1-正丙基-環丙基、2-正丙基-環丙基、1-異丙基-環丙基、2-異丙基-環丙基、1,2,2-三甲基-環丙基、1,2,3-三甲基-環丙基、2,2,3-三甲基-環丙基、1-乙基-2-甲基-環丙基、2-乙基-1-甲基-環丙基、2-乙基-2-甲基-環丙基、2-乙基-3-甲基-環丙基等之環烷基；雙環丁基、雙環戊基、雙環己基、雙環庚基、雙環辛基、雙環壬基、雙環癸基等之雙環烷基等，但不限於此等。
烯基，可為直鏈狀、支鏈狀、環狀中的任一者，其碳原子數並無特別限定，但理想為40以下，更理想為30以下，進一步理想為20以下，更進一步理想為10以下。
烯基的具體例，可列舉：乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-甲基-1-乙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-正丙基乙烯基、1-甲基-1-丁烯基、1-甲基-2-丁烯基、1-甲基-3-丁烯基、2-乙基-2-丙烯基、2-甲基-1-丁烯基、2-甲基-2-丁烯基、2-甲基-3-丁烯基、3-甲基-1-丁烯基、3-甲基-2-丁烯基、3-甲基-3-丁烯基、1,1-二甲基-2-丙烯基、1-異丙基乙烯基、1,2-二甲基-1-丙烯基、1,2-二甲基-2-丙烯基、1-環戊烯基、2-環戊烯基、3-環戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基、5-己烯基、1-甲基-1-戊烯基、1-甲基-2-戊烯基、1-甲基-3-戊烯基、1-甲基-4-戊烯基、1-正丁基乙烯基、2-甲基-1-戊烯基、2-甲基-2-戊烯基、2-甲基-3-戊烯基、2-甲基-4-戊烯基、2-正丙基-2-丙烯基、3-甲基-1-戊烯基、3-甲基-2-戊烯基、3-甲基-3-戊烯基、3-甲基-4-戊烯基、3-乙 基-3-丁烯基、4-甲基-1-戊烯基、4-甲基-2-戊烯基、4-甲基-3-戊烯基、4-甲基-4-戊烯基、1,1-二甲基-2-丁烯基、1,1-二甲基-3-丁烯基、1,2-二甲基-1-丁烯基、1,2-二甲基-2-丁烯基、1,2-二甲基-3-丁烯基、1-甲基-2-乙基-2-丙烯基、1-仲丁基乙烯基、1,3-二甲基-1-丁烯基、1,3-二甲基-2-丁烯基、1,3-二甲基-3-丁烯基、1-異丁基乙烯基、2,2-二甲基-3-丁烯基、2,3-二甲基-1-丁烯基、2,3-二甲基-2-丁烯基、2,3-二甲基-3-丁烯基、2-異丙基-2-丙烯基、3,3-二甲基-1-丁烯基、1-乙基-1-丁烯基、1-乙基-2-丁烯基、1-乙基-3-丁烯基、1-正丙基-1-丙烯基、1-正丙基-2-丙烯基、2-乙基-1-丁烯基、2-乙基-2-丁烯基、2-乙基-3-丁烯基、1,1,2-三甲基-2-丙烯基、1-叔丁基乙烯基、1-甲基-1-乙基-2-丙烯基、1-乙基-2-甲基-1-丙烯基、1-乙基-2-甲基-2-丙烯基、1-異丙基-1-丙烯基、1-異丙基-2-丙烯基、1-甲基-2-環戊烯基、1-甲基-3-環戊烯基、2-甲基-1-環戊烯基、2-甲基-2-環戊烯基、2-甲基-3-環戊烯基、2-甲基-4-環戊烯基、2-甲基-5-環戊烯基、2-亞甲基-環戊基、3-甲基-1-環戊烯基、3-甲基-2-環戊烯基、3-甲基-3-環戊烯基、3-甲基-4-環戊烯基、3-甲基-5-環戊烯基、3-亞甲基-環戊基、1-環己烯基、2-環己烯基、3-環己烯基等，但不限於此等。其中，理想為乙烯基、2-丙烯基。
如前所述，聚矽氧烷(A1)含有聚有機矽氧烷(a1)及聚有機矽氧烷(a2)，而聚有機矽氧烷(a1)所含有的烯基及聚有機矽氧烷(a2)所含有的氫原子(Si-H基)，係藉由鉑族金屬系觸媒(A2)所促成之矽氫化反應而形成交聯結構並硬化。因此其硬化之機制，例如與介由矽烷醇基之反應不同，故本發明中所使用之矽氧烷，不須含有矽烷醇基，或如烷氧基之能夠藉由水解形成矽烷醇基之官能基。
聚有機矽氧烷(a1)，係在含有選自Q’單元、M’單元、D’單元及T’單元所成群中一種或二種以上之單元的同時，含有選自前述M’單元、D’單元及T’單元所成群中至少一種。聚有機矽氧烷(a1)，亦可組合使用二種以上滿足如此條件之聚有機矽氧烷。
選自Q’單元、M’單元、D’單元及T’單元所成群中二種以上之理想組合，可列舉：(Q’單元及M’單元)、(D’單元及M’單元)、(T’單元及M’單元)、(Q’單元、T’單元及M’單元)，但不限於此等。
此外，於含有二種以上之聚有機矽氧烷(a1)所包含之聚有機矽氧烷之情形，以(Q’單元及M’單元)與(D’單元及M’單元)之組合、(T’單元及M’單元)與(D’單元及M’單元)之組合、(Q’單元、T’單元及M’單元)與(T’單元及M’單元)之組合為理想，但不限於此等。
聚有機矽氧烷(a2)，係在含有選自Q”單元、M”單元、D”單元及T”單元所成群中一種或二種以上之單元的同時，含有選自前述M”單元、D”單元及T”單元所成群中至少一種。聚有機矽氧烷(a2)，亦可組合使用二種以上滿足如此條件之聚有機矽氧烷。
選自Q”單元、M”單元、D”單元及T”單元所成群中二種以上之理想組合，可列舉：(M”單元及D”單元)、(Q”單元及M”單元)、(Q”單元、T”單元及M”單元)，但不限於此等。
聚有機矽氧烷(a1)，係由其矽原子鍵結有烷基及/或烯基之矽氧烷單元所構成，而以R1’~R6’表示之所有取代基中的烯基之比例，理想為0.1莫耳%~50.0莫耳%，更理想為0.5莫耳%~30.0莫耳%，剩餘之R1’~R6’可為烷基。
聚有機矽氧烷(a2)，係由其矽原子鍵結有烷基及/或氫原子之矽氧烷單元所構成，而以R1”~R6”表示之所有的取代基及取代原子中的氫原子之比例，理想為0.1莫耳%~50.0莫耳%，更理想為10.0莫耳%~40.0莫耳%，剩餘之R1”~R6”可為烷基。
本發明中所使用之聚有機矽氧烷(a2)的官能基(Si-H)的量為5.0mol/kg以上，但理想為5.5mol/kg以上，更理想為6.0mol/kg以上，進一步理想為6.5mol/kg以上，更進一步理想為7.0mol/kg以上。藉由使用滿足如此條件之聚有機矽氧烷(a2)，可再現性良好地獲得可提供剝離性優異且耐熱性特別優異之接著層之接著劑組成物。
另外，官能基(Si-H)的量，例如可藉由基於官能基的質子之1H-NMR測定而算出。
聚矽氧烷(A1)，係含有聚有機矽氧烷(a1)及聚有機矽氧烷(a2)，而於本發明之理想之一態樣中，聚有機矽氧烷(a1)所含有之烯基與聚有機矽氧烷(a2)所含有之構成Si-H鍵結的氫原子之莫耳比，在1.0：0.5~1.0：0.66之範圍。
聚有機矽氧烷(a1)及聚有機矽氧烷(a2)之重量平均分子量，一般各為500~1,000,000，但理想各為5,000~50,000。
另外，本發明中的重量平均分子量，例如可藉由使用凝膠滲透層析(GPC)裝置(東曹股份有限公司製EcoSEC，HLC-8320GPC)及GPC管柱(昭和電工股份有限公司製Shodex(註冊商標)，KF-803L、KF-802及KF-801)，溫度設為40℃，溶離液(溶出溶劑)使用四氫呋喃，流量(流速)設為1.0mL/分鐘，標準樣品使用聚苯乙烯(Sigma-Aldrich公司製)，以進行 測定。
成分(A)，含有鉑族金屬系觸媒(A2)。如此之鉑系金屬觸媒，係用於促進聚有機矽氧烷(a1)的烯基與聚有機矽氧烷(a2)的Si-H基之矽氫化反應之觸媒。
鉑系金屬觸媒的具體例，可列舉：鉑黑、四氯化鉑、氯鉑酸、氯鉑酸與一元醇之反應物、氯鉑酸與烯烴類之錯合物、雙乙醯乙酸鉑等之鉑系觸媒，但不限於此等。
鉑與烯烴類之錯合物，可列舉例如：二乙烯基四甲基二矽氧烷與鉑之錯合物，但不限於此。
鉑族金屬系觸媒(A2)的量，相對於聚有機矽氧烷(a1)及聚有機矽氧烷(a2)之合計量，一般而言在1.0~50.0ppm之範圍。
成分(A)，以抑制矽氫化反應之進行為目的，亦可含有聚合抑制劑(A3)。藉由使本發明之接著劑組成物含有聚合抑制劑，可適宜地控制貼合時加熱所造成之硬化，且可再現性良好地獲得可提供接著性及剝離性優異之接著層之組成物。
聚合抑制劑，只要係可抑制矽氫化反應之進行則無特別限定，但其具體例可列舉：1-乙炔基-1-環己醇、1,1-二苯基-2-丙炔-1-醇等之炔基烷基醇等，但不限於此等。
聚合抑制劑的量，相對於聚有機矽氧烷(a1)及聚有機矽氧烷(a2)，自獲得其效果之觀點而言一般為1000.0ppm以上，自防止過度抑制矽氫化反應之觀點而言一般為10000.0ppm以下。
本發明中所使用之剝離成分(B)，係含有含環氧改性聚有機 矽氧烷成分。
環氧改性聚有機矽氧烷，可列舉：含有以R11R12SiO2/2表示之矽氧烷單元(D10單元)者。
R11為鍵結於矽原子之基團，表示烷基；R12為鍵結於矽原子之基團，表示環氧基或含有環氧基之有機基；烷基之具體例，可列舉前述之例示。
此外，含有環氧基之有機基中之環氧基，可不與其他的環縮合而為獨立之環氧基，亦可如1,2-環氧環己基般，為與其他的環形成縮合環之環氧基。
含有環氧基之有機基之具體例，可列舉：3-環氧丙氧基丙基、2-(3,4-環氧環己基)乙基，但不限於此等。
本發明中，環氧改性聚有機矽氧烷的理想之一例，可列舉：環氧改性聚二甲基矽氧烷，但不限於此。
環氧改性聚有機矽氧烷，係含有前述之矽氧烷單元(D10單元)者，但除了D10單元以外，亦可含有前述Q單元、M單元及/或T單元。
本發明之理想之一態樣中，環氧改性聚有機矽氧烷之具體例，可列舉：僅由D10單元所構成之聚有機矽氧烷，含有D10單元及Q單元之聚有機矽氧烷，含有D10單元及M單元之聚有機矽氧烷，含有D10單元及T單元之聚有機矽氧烷，含有D10單元、Q單元及M單元之聚有機矽氧烷，含有D10單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷，含有D10單元、Q單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷等。
環氧改性聚有機矽氧烷，以環氧值為0.1~5之環氧改性聚二甲基矽氧烷為理想，其重量平均分子量一般為1,500~500,000，但自抑制組 成物中之析出之觀點而言，理想為100,000以下。
另外，本發明中的環氧值，例如可藉由在欲測定環氧值之環氧改性聚有機矽氧烷0.5mg與測定溶液(二異丁基酮：乙酸：溴化四乙銨=1000：1000：140(v/v/v))50g攪拌30分鐘所獲得之溶液中，使用自動滴定裝置(三菱化學股份有限公司(現三菱化學分析科技(Mitsubishi Chemical Analytech)股份有限公司)製GT-100)加入0.1mol/L過氯酸-乙酸溶液來進行測定。
環氧改性聚有機矽氧烷之具體例，可列舉：以式(B-1)表示之商品名ECMS-227(Gelest公司製，重量平均分子量27,000)、以式(B-2)表示之商品名ECMS-327(Gelest公司製，重量平均分子量28,800)、以式(B-3)表示之商品名KF-101(信越化學工業股份有限公司製，重量平均分子量31,800)、以式(B-4)表示之商品名KF-1001(信越化學工業股份有限公司製，重量平均分子量55,600)、以式(B-5)表示之商品名KF-1005(信越化學工業股份有限公司製，重量平均分子量11,500)、以式(B-6)表示之商品名X-22-343(信越化學工業股份有限公司製，重量平均分子量2,400)、以式(B-7)表示之商品名BY16-839(Dow Corning公司製，重量平均分子量51,700)、以式(B-8)表示之商品名ECMS-327(Gelest公司製，重量平均分子量28,800)等，但不限於此等。
【化1】
Figure 108143259-A0202-12-0016-1
(m及n各為重複單元之數目。)
【化2】
Figure 108143259-A0202-12-0016-2
(m及n各為重複單元之數目。)
【化3】
Figure 108143259-A0202-12-0016-3
(m及n各為重複單元之數目。R為碳原子數1~10之亞烷基。)
【化4】
Figure 108143259-A0202-12-0017-4
(m及n各為重複單元之數目。R為碳原子數1~10之亞烷基。)
【化5】
Figure 108143259-A0202-12-0017-5
(m、n及o各為重複單元之數目。R為碳原子數1~10之亞烷基。)
【化6】
Figure 108143259-A0202-12-0017-6
(m及n各為重複單元之數目。R為碳原子數1~10之亞烷基。)
【化7】
Figure 108143259-A0202-12-0018-7
(m及n各為重複單元之數目。R為碳原子數1~10之亞烷基。)
【化8】
Figure 108143259-A0202-12-0018-8
(m及n各為重複單元之數目。)
本發明之接著劑組成物，在不損及本發明效果之範圍內，可在含有含環氧改性聚有機矽氧烷成分之同時，含有：含有含甲基之聚有機矽氧烷之成分、或含有含苯基之聚有機矽氧烷等顯示剝離性之聚有機矽氧烷之成分。
本發明之接著劑組成物，可以任意比例含有成分(A)與成分(B)，但若考慮接著性與剝離性之平衡，成分(A)與成分(B)之比例，以質量%計，理想為99.995：0.005~30：70，更理想為99.9：0.1~75：25。
本發明之接著劑組成物，為了黏度之調整等目的，亦可含有溶劑，其具體例可列舉：脂肪烴、芳香烴、酮等，但不限於此等。
更具體而言，可列舉：己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、異十二烷、薄荷烷、檸檬烯、甲苯、二甲苯、均三甲苯、異丙苯、MIBK(甲基異丁基酮)、乙酸丁酯、二異丁基酮、2-辛酮、2-壬酮、5-壬酮等，但不限於此等。如此之溶劑，可單獨使用一種或組合使用二種以上。
於本發明之接著劑組成物含有溶劑之情形，其含量雖係斟酌所期望之組成物黏度、採用之塗布方法、製作之薄膜厚度等而受到適當設定，但其相對於組成物整體，在10~90質量%左右之範圍。
本發明之接著劑組成物之黏度，在25℃下，一般為1,000~20,000mPa．s，理想為1,000~5,000mPa．s。本發明之接著劑組成物之黏度，可在考慮使用之塗布方法、所期望之膜厚等各種要素下，藉由變更使用之有機溶劑之種類或其等之比例、膜構成成分濃度等而調整。
本發明之接著劑組成物，可藉由混合膜構成成分及溶劑而製造。但在不含溶劑之情形，藉由混合膜構成成分，可製造本發明之光照射剝離用接著劑組成物。
其混合順序並無特別限定，但可容易且再現性良好地製造本發明之接著劑組成物之方法之一例，可列舉例如：將膜構成成分之全部溶解於溶劑之方法；或將膜構成成分之一部分溶解於溶劑，將剩餘之膜構成成分溶解於溶劑，並將所獲得之溶液混合之方法。於此情形，若有需要，亦可於最後加入一部分的溶劑、或溶解性優異之膜構成成分。進一步地，於調製組成物時，亦可在成分不分解或變質的範圍內，適當地加熱。
於本發明中，為了除去組成物中之異物之目的，亦可於製造組成物之中途階段或混合所有的成分後，使用亞微米級的過濾器等來過濾接著劑組成物。
本發明之積層體，係具備由半導體形成基板所構成之第一基體、由支撐基板所構成之第二基體、以及可剝離地接著於前述第一基體與第二基體之間之接著層，且該接著層係使用前述接著劑組成物所形成之硬化膜，因此本發明之積層體，只要係具有可剝離地接著於二個基體間之接著層之積層體，則無特別限定。因此，例如亦可為了進一步減低剝離時對基體之負荷之目的等，而於基體與接著層之間設置任意的機能層。此時，該機能層，於不損及本發明效果之範圍內，可適當選擇。
本發明之積層體所具備之接著層的交聯密度，一般為0.50mol/kg以上，但理想為0.60mol/kg以上，更理想為0.70mol/kg以上，進一步理想為0.80mol/kg以上，更進一步理想為0.90mol/kg以上。另外，於本發明中，交聯密度可根據交聯密度=[A]×[B]/[C]([A]：聚有機矽氧烷(a2)的官能基(Si-H)之量(mol/kg)；[B]：聚有機矽氧烷(a2)的添加量(kg)；[C]：除去溶劑成分的接著劑組成物之總重量(kg))之式算出。
於本發明之適宜的一態樣中，本發明之積層體，係具備：由半導體形成基板所構成之第一基體、由支撐基板所構成之第二基體、以及於此二個基體間使用前述接著劑組成物所形成之硬化膜所構成之接著層，且前述接著層連接於該二個基體。
作為本發明之適宜的一態樣，本發明之積層體之製造方法係包含：於第一基體或第二基體之表面塗布前述接著劑組成物而形成接著劑 塗布層之步驟；以及將前述第一基體與前述第二基體介由前述接著劑塗布層合攏，並藉由於實施加熱處理及減壓處理中的至少一種之同時，施加前述第一基體及前述第二基體的厚度方向之負重，使前述第一基體、前述接著劑塗布層及前述第二基體密著，之後，進行後加熱處理之步驟。藉由此步驟之後加熱處理，接著劑塗布層最終適宜地硬化而成為接著層。
於此，例如第一基體為晶圓，而第二基體為支撐體。塗布接著劑組成物之對象，可為第一基體與第二基體的任一者或二者，但以第一基體為理想。
晶圓，可列舉例如：直徑300mm、厚度770μm左右之矽晶圓或玻璃晶圓，但不限於此等。
支撐體(載體)，並無特別限定，但可列舉例如：直徑300mm、厚度700μm左右之矽晶圓，但不限於此。
於自第二基體側照射用於剝離之雷射之情形，第二基體係使用雷射可穿透者。此時的雷射之穿透率，一般為80%以上，理想為90%以上。具體而言，可列舉例如：直徑300mm、厚度700μm左右之矽晶圓，但不限於此。
於此，雷射係指於後述之剝離步驟中所使用之雷射，其波長一般為190nm~600nm，但自再現性良好地適宜地剝離之觀點等而言，理想為250nm以上，更理想為300nm以上，且理想為580nm以下，更理想為560nm以下，例如：可藉由308nm、355nm或532nm之雷射，適宜地剝離本發明之積層體。
前述接著劑塗布層的膜厚，一般為5~500μm，但自保持膜強 度之觀點而言，理想為10μm以上，更理想為20μm以上，進一步理想為30μm以上；而自迴避起因於膜厚之不均一性之觀點而言，理想為200μm以下，更理想為150μm以下，進一步理想為120μm以下，更進一步理想為70μm以下。
塗布方法，並無特別限定，但一般為旋轉塗布法。另外，亦可採用另以旋轉塗布法等形成塗布膜，再貼附片狀之塗布膜之方法，此亦稱塗布或塗布膜。
加熱處理的溫度，一般為80℃以上，而自防止過度硬化之觀點而言，理想為150℃以下。加熱處理的時間，自確實發現暫時接著能力之觀點而言，一般為30秒以上，理想為1分鐘以上，但自抑制接著層或其他部件變質之觀點而言，一般為10分鐘以下，理想為5分鐘以下。
減壓處理，只要是使二個基體及其等間之接著劑塗布層暴露在10~10,000Pa之氣壓下即可。減壓處理的時間，一般為1~30分鐘。
於本發明之理想態樣中，二個基體及其等間之層，理想係藉由加熱處理來貼合，更理想係藉由加熱處理及減壓處理之併用來貼合。
前述第一基體及前述第二基體的厚度方向之負重，只要是不會對前述第一基體及前述第二基體與其等間之層造成不良影響，且可使此等牢固地密著之負重，則無特別限定，但一般在10~1,000N之範圍內。
後加熱溫度，自獲得充足的硬化速度之觀點而言，理想為120℃以上，而自防止基板或接著劑變質之觀點而言，理想為260℃以下。加熱時間，自實現硬化所促成之晶圓的適宜之接合之觀點而言，一般為1分鐘以上，而進一步自接著劑之物性安定化之觀點等而言，理想為5分鐘以 上，且自迴避過度加熱對接著層所造成之不良影響等之觀點而言，一般為180分鐘以下，理想為120分鐘以下。加熱，可使用加熱板、烤箱等來進行。另外，後加熱處理的目的之一，例如在於使含有藉由矽氫化反應而硬化之成分(A)之接著劑組成物更適宜地硬化。
於本發明之積層體所施以之加工之一例，可列舉：與由半導體形成基板所構成之第一基體之表面的電路面相反之背面之加工。典型地，可列舉：晶圓背面之研磨所促成之晶圓之薄化。使用如此之被薄化之晶圓，進行矽穿孔電極(TSV)等之形成，接著將薄化晶圓自支撐體剝離，形成晶圓的積層體，並進行三維安裝。此外，於此前後亦進行晶圓背面電極等之形成。雖晶圓之薄化及TSV製程中會在接著於支撐體之狀態下負荷250~350℃的熱，但本發明之積層體所包含之接著層對於該熱具有耐熱性。
例如：直徑300mm、厚度770μm左右之晶圓，可研磨與表面的電路面相反之背面，以薄化至厚度80μm~4μm左右。
本發明之積層體之剝離方法，可列舉：溶劑剝離、雷射剝離、具有銳部之機材之機械式剝離、於支撐體與晶圓間撕揭之剝離等，但不限於此等。一般而言，剝離係於製造本發明之積層體並對其進行指定之加工等後實施。
舉一例而言，例如將剝離處設於本發明之積層體的支撐基板與接著層之間，藉由在該剝離處施加指定之力，可容易地分離第二基體、與第一基體及接著層。
舉另一例而言，可自本發明之積層體之例如雷射可穿透之第二基體側照射雷射，以拆除第二基體。由於本發明之積層體中，第一基體與 雷射可穿透之第二基體係藉由吸收雷射之接著層而可適宜地剝離地暫時接著，因此在從第二基體側照射雷射時，接著層一受到雷射之照射便吸收雷射，使接著層表面分解，藉由在接著層與第二基體之間產生不會對基板造成損害之程度之微量氣體，使其接著力下降，從而介由第二基體與接著層之界面，可容易地分離第二基體、與第一基體及接著層。
另外，雷射之照射，不一定要對接著層的所有區域施行。即使雷射照射之區域與未照射之區域混合存在，只要接著層整體之接著強度充分地下降，便可藉由施加一點外力例如將第二基體拉起，而於接著層與第二基體之界面將第二基體自積層體拆除。照射雷射之區域與不照射雷射之區域之比例及位置關係，雖依所使用之接著劑之種類或其具體之組成、接著層之厚度、照射之雷射強度等而有所不同，但只要是所屬技術領域中具有通常知識者，無須過度之試驗，即可設定出適當條件。例如，亦可用與雷射之描繪線寬相同之寬度，將不照射雷射之區域設置於照射雷射之區域的旁邊。
如此，由於即使於僅對接著層之一部分照射雷射之情形亦可將第二基體分離，因此可縮短每一個積層體之雷射照射時間，其結果，可縮短剝離所需之總時間。
於晶圓表面殘留樹脂(接著層)之情形，可藉由溶劑之洗淨(溶解、剝離(lift-off))、膠帶剝離(tape peeling)等來除去樹脂。
本發明為一種積層體之加工方法，其中，前述積層體係以前述方法接合(接著)，於研磨晶圓之背面後，以前述方法剝離。
【實施例】
以下列舉實施例以更具體地說明本發明，但本發明並不限於下述之實施例。另外，所使用之裝置如下。
(1)NMR：JEOL公司製之NMR ECA500
(2)攪拌機：THINKY股份有限公司製之脫泡練太郎
(3)熱重量分析(TGA)：差動型示差熱天秤，NETZSCH公司製之TG-DTA2020SR
(4)貼合裝置：SUSS MicroTec公司製之XBS300
(5)剝離裝置：SUSS MicroTec公司製之手動剝離器
(6)超音波顯微鏡：Sonoscan公司製之CSAMD9600
(7)真空加熱裝置：Ayumi工業股份有限公司製之VJ-300-S
(8)背面研削裝置(薄化處理)：東京精密股份有限公司製之背磨機SS30
(1)官能基(Si-H)的量之測定
將黏度為100mPa．s之含SiH基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(Wacker Chemie公司製)0.02g溶解於測定溶劑(二甲基碸：氘代氯仿=0.2：99.8)1.0g中，以調製測定溶液。
以NMR裝置(條件：測定方法1HNMR，溫度25℃，積算次數32次)對所獲得之測定溶液進行測定，由測定結果之積分值算出官能基(Si-H)的量。
以同樣方法，亦對黏度為70mPa．s之含SiH基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(Wacker Chemie公司製)以及黏度為30mm/s之含SiH基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(Wacker Chemie公司製)，分別算出官能基(Si-H)的量。
其結果，黏度為100mPa．s之含SiH基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(Wacker Chemie公司製)的官能基(Si-H)之量為4.3mol/kg；黏度為70mPa．s之含SiH基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(Wacker Chemie公司製)的官能基(Si-H)之量為7.4mol/kg；黏度為30mm/s之含SiH基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(Wacker Chemie公司製)的官能基(Si-H)之量為13.1mol/kg。
(2)環氧值之測定
以後述之方法測定環氧改性聚有機矽氧烷的環氧值。結果示於表1。環氧值，係藉由在0.5mg之環氧改性聚有機矽氧烷(環氧化合物)與測定溶液(二異丁基酮：乙酸：四乙基溴化銨=1000：1000：140(v/v/v))50g攪拌30分鐘所獲得之溶液中，使用自動滴定裝置(三菱化學股份有限公司(現三菱化學分析科技股份有限公司)製之GT-100)加入0.1mol/L過氯酸-乙酸溶液，來進行測定。另外，各環氧化合物之結構等資訊如前所述。
【表1】
Figure 108143259-A0202-12-0026-9
(3)接著劑之製造
(參考例1)
將作為聚矽氧烷(a1)之含乙烯基之MQ樹脂之基礎聚合物(Wacker Chemie公司製)50.0g、作為聚矽氧烷(a2)之黏度為100mPa．s且官能基(Si-H)的量為4.3mol/kg之含SiH基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(Wacker Chemie公司製)7.84g、作為聚矽氧烷(a1)之黏度為200mPa．s之含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(Wacker Chemie公司製)17.88g、作為聚合抑制劑(A3)之1-乙炔基-1-環己醇(Wacker Chemie公司製)0.19g、作為聚合抑制劑(A3)之1,1-二苯基-2-丙炔-1-醇(東京化成工業股份有限公司製)0.19g、作為溶劑之對薄荷烷(富士軟片和光純藥股份有限公司製)11.64g、癸烷(東京化成工業股份有限公司製)1.21g以及作為剝離成分(B)之環氧改性聚有機矽氧烷前述商品名X-22-343(信越化學工業股份有限公司製)0.76g以攪拌機攪拌10分鐘。
於所獲得之混合物中，加入以攪拌機攪拌作為鉑族金屬系觸媒(A2)之鉑觸媒(Wacker Chemie公司製)0.15g以及作為聚矽氧烷(a1)之黏度為1000mPa．s之含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(Wacker Chemie公司製)0.76g 10分鐘所另外獲得之混合物中的0.46g，並進一步以攪拌機攪拌10分鐘，獲得組成物。
(實施例1)
將作為聚矽氧烷(a1)之含乙烯基之MQ樹脂之基礎聚合物(Wacker Chemie公司製)50.0g、作為聚矽氧烷(a2)之黏度為70mPa．s且官能基(Si-H)的量為7.4mol/kg之含SiH基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(Wacker Chemie公司製)4.29g、作為聚矽氧烷(a2)之黏度為30mm/s且官能基(Si-H)的量為13.1mol/kg之含SiH基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(Wacker Chemie公司製)2.68g、作為聚矽氧烷(a1)之黏度為200mPa．s之含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(Wacker Chemie公司製)1.61g、作為聚合抑制劑(A3)之1-乙炔基-1-環己醇(Wacker Chemie公司製)0.18g、作為聚合抑制劑(A3) 之1,1-二苯基-2-丙炔-1-醇(東京化成工業股份有限公司製)0.18g、作為溶劑之對薄荷烷(東京化成工業股份有限公司製)10.93g、癸烷(富士軟片和光純藥股份有限公司製)1.21g、作為剝離成分(B)之環氧改性聚有機矽氧烷前述商品名X-22-343(信越化學工業股份有限公司製)0.71g以攪拌機攪拌10分鐘。
於所獲得之混合物中，加入以攪拌機攪拌作為鉑族金屬系觸媒(A2)之鉑觸媒(Wacker Chemie公司製)0.09g以及作為聚矽氧烷(a1)之黏度為1000mPa．s之含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷(Wacker Chemie公司製)15.4g 10分鐘所另外獲得之混合物中的12.9g，並進一步以攪拌機攪拌10分鐘，獲得組成物。
(4)耐熱性試驗(TGA)
(參考例2、實施例2)
用所獲得之組成物進行耐熱性之分析。用自組成物除去溶劑所獲得之固體50.0mg，藉由差動型示差熱天秤算出重量減少1%之溫度。另外，溫度範圍係設為室溫至400℃，升溫速度設為10℃/分鐘。
其結果，關於參考例1中所獲得之組成物，交聯密度為0.44mol/kg，1%重量減少溫度為359.5℃；與之相對地，關於實施例1中所獲得之組成物，交聯密度為0.92mol/kg，1%重量減少溫度為391.0℃。如此地，於本發明之組成物可確認到高的耐熱性。
另外，交聯密度，係根據交聯密度=[A]×[B]/[C]([A]：作為聚有機矽氧烷(a2)之含SiH基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷的官能基(Si-H)之量(mol/kg)；[B]：作為聚有機矽氧烷(a2)之含SiH基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷的添加 量(kg)；[C]：除去溶劑成分的接著劑組成物之總重量(kg))之式算出。
(5)積層體之製作以及剝離性試驗及耐熱性試驗
(實施例3)
將實施例1中所獲得之組成物以旋轉塗布的方式塗布於作為半導體形成基板之300mm的矽晶圓(厚度770μm)，於矽晶圓的電路面獲得厚度約10μm之薄膜(接著劑塗布層)。
將具有薄膜的作為半導體形成基板之矽晶圓、及作為支撐基板之300mm矽晶圓(厚度770μm)，藉由貼合裝置貼合以包夾薄膜，之後，在加熱板上使作為半導體形成基板之矽晶圓朝下，以200℃加熱10分鐘(後加熱處理)，獲得積層體。另外，貼合，係於溫度50℃、減壓度10mBar下施加負重500N來進行。
之後，為了確認剝離性，用所獲得之積層體，藉由剝離裝置測定剝離所需之力。另外，剝離處為作為支撐基板之矽晶圓與接著劑層之間。其結果，以15N的力可良好地剝離。
此外，為了確認耐熱性，將以與前述之方法相同之方法所製造之積層體，藉由真空加熱裝置(條件：減壓度2.1torr，加熱溫度350℃，加熱時間30分鐘)加熱，並藉由超音波顯微鏡確認加熱後之積層體的晶圓上有無空隙等缺陷。其結果，並未發現該等缺陷，確認到良好的耐熱性。
(6)薄化步驟
(實施例4)
用以與實施例3的方法相同之方法所製造之積層體，藉由背面研削裝置，實施作為半導體形成基板之矽晶圓之薄化。其結果，矽晶圓可良好地薄 化，此外，於藉由光學顯微鏡之觀察中，亦未於薄化後之晶圓邊緣發現崩裂(chipping)。

Claims (5)

  1. 一種接著劑組成物，其用於形成可剝離地接著於由半導體形成基板所構成之第一基體與由支撐基板所構成之第二基體之間之接著層，其特徵係其含有：
    藉由矽氫化反應而硬化之成分(A)，以及
    含有含環氧改性聚有機矽氧烷成分之剝離成分(B)；
    前述成分(A)含有：聚矽氧烷(A1)以及鉑族金屬系觸媒(A2)；前述聚矽氧烷(A1)含有選自以SiO2表示之矽氧烷單元(Q單元)、以R1R2R3SiO1/2表示之矽氧烷單元(M單元)、以R4R5SiO2/2表示之矽氧烷單元(D單元)以及以R6SiO3/2表示之矽氧烷單元(T單元)所成群中一種或二種以上之單元(前述R1至R6，係鍵結於矽原子之基團或原子，其各自獨立表示烷基、烯基或氫原子)；
    前述聚矽氧烷(A1)含有：聚有機矽氧烷(a1)以及聚有機矽氧烷(a2)；前述聚有機矽氧烷(a1)在含有選自以SiO2表示之矽氧烷單元(Q’單元)、以R1’R2’R3’SiO1/2表示之矽氧烷單元(M’單元)、以R4’R5’SiO2/2表示之矽氧烷單元(D’單元)以及以R6’SiO3/2表示之矽氧烷單元(T’單元)所成群中一種或二種以上之單元的同時，含有選自前述M’單元、D’單元及T’單元所成群中至少一種(前述R1’至R6’，係鍵結於矽原子之基團，其各自獨立表示烷基或烯基，但前述R1’至R6’的至少一個為前述烯基)；前述聚有機矽氧烷(a2)在含有選自以SiO2表示之矽氧烷單元(Q”單元)、以R1”R2”R3”SiO1/2表示之矽氧烷單元(M”單元)、以R4”R5”SiO2/2表示之矽氧 烷單元(D”單元)以及以R6”SiO3/2表示之矽氧烷單元(T”單元)所成群中一種或二種以上之單元的同時，含有選自前述M”單元、D”單元及T”單元所成群中至少一種，且官能基(Si-H)的量為5.0mol/kg以上(前述R1”至R6”，係鍵結於矽原子之基團或原子，其各自獨立表示烷基或氫原子，但前述R1”至R6”的至少一個為氫原子)。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之接著劑組成物，其中，前述環氧改性聚有機矽氧烷，係環氧值為0.1~5之環氧改性聚有機矽氧烷。
  3. 一種積層體，其具備由半導體形成基板所構成之第一基體、由支撐基板所構成之第二基體、以及可剝離地接著於前述第一基體與第二基體之間之接著層，其特徵係：
    前述接著層，係使用申請專利範圍第1或2項所記載之接著劑組成物所形成之硬化膜。
  4. 一種積層體之製造方法，其特徵係其包含：
    於由半導體形成基板所構成之第一基體或由支撐基板所構成之第二基體，塗布申請專利範圍第1或2項所記載之接著劑組成物而形成接著劑塗布層之步驟；以及
    將前述第一基體與前述第二基體介由前述接著劑塗布層合攏，並藉由於實施加熱處理及減壓處理中的至少一種之同時，施加前述第一基體及前述第二基體的厚度方向之負重，使前述第一基體、前述接著劑塗布層及前述第二基體密著，之後，進行後加熱處理之步驟。
  5. 一種薄化半導體形成基板之方法，其係薄化半導體形成基板之方法，其特徵係其包含：
    於由半導體形成基板所構成之第一基體或由支撐基板所構成之第二基體，塗布申請專利範圍第1或2項所記載之接著劑組成物而形成接著劑塗布層之步驟；
    將前述第一基體與前述第二基體介由前述接著劑塗布層合攏，並藉由於實施加熱處理及減壓處理中的至少一種之同時，施加前述第一基體及前述第二基體的厚度方向之負重，使前述第一基體、前述接著劑塗布層及前述第二基體密著，之後，進行後加熱處理，以製造積層體之步驟；以及
    對前述積層體的前述第一基體施以薄化處理之步驟。
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