KR20210005028A - 내열성 중합금지제를 포함하는 폴리실록산을 함유하는 가접착제 - Google Patents

내열성 중합금지제를 포함하는 폴리실록산을 함유하는 가접착제 Download PDF

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KR20210005028A
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슌스케 모리야
šœ스케 모리야
테츠야 신조
히로시 오기노
타카히사 오쿠노
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닛산 가가쿠 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 지지체와 웨이퍼의 사이에 보이드의 발생이 없는 가접착제를 제공한다.
[해결수단] 지지체와 웨이퍼의 회로면과의 사이에서 박리가능하게 접착하고 웨이퍼의 이면을 가공하기 위한 가접착제이며, 상기 가접착제가 하이드로실릴화반응에 의해 경화되는 성분(A)과 Tg-DTA에 있어서의 5%질량 감소온도가 80℃ 이상인 중합금지제(B)와 용매(C)를 포함한다. 성분(A)이 탄소원자수 1~10의 알킬기와 탄소원자수 2~10의 알케닐기를 포함하는 폴리오가노실록산(a1)과, 탄소원자수 1~10의 알킬기와 수소원자를 포함하는 폴리오가노실록산(a2)을 포함하는 폴리실록산(A1)과, 백금족 금속계 촉매(A2)를 포함한다. 중합금지제(B)가 식(1)로 표시되는 화합물이다.
Figure pct00006
식(1)
식(1) 중, R7 및 R8은, 모두 탄소원자수 6~40의 아릴기이며, 또는 탄소원자수 1~10의 알킬기와 탄소원자수 6~40의 아릴기의 조합이다.

Description

내열성 중합금지제를 포함하는 폴리실록산을 함유하는 가접착제
본 발명은, 웨이퍼 이면의 연마시에 웨이퍼를 지지체에 고정하기 위한 가접착제와 그것을 이용한 적층체에 관한 것이다.
종래 2차원적인 평면방향으로 집적해온 반도체 웨이퍼는, 보다 한층의 집적화를 목적으로 평면을 더욱 3차원방향으로도 집적(적층)하는 반도체 집적기술이 요구되고 있다. 이 3차원적층은 실리콘관통전극(TSV: through silicon via)에 의해 결선하면서 다층으로 집적해가는 기술이다. 다층으로 집적할 때에, 집적되는 각각의 웨이퍼는 형성된 회로면과는 반대측(즉, 이면)을 연마에 의해 박화하고, 박화된 반도체 웨이퍼를 적층한다.
박화 전의 반도체 웨이퍼(여기서는 간단히 웨이퍼라고도 부른다)를, 연마장치로 연마하기 위해 지지체에 접착한다. 그 때의 접착은 연마 후에 용이하게 박리되어야 하므로, 가접착이라 불리운다. 이 가접착은 지지체로부터 용이하게 분리되어야 하고, 분리에 큰 힘을 가하자 박화된 반도체 웨이퍼는, 절단되거나, 변형되는 일이 있거나 하여, 그러한 일이 생기지 않도록, 용이하게 분리된다. 그러나, 반도체 웨이퍼의 이면연마시에 연마응력에 의해 벗어나거나 어긋나거나 하는 일은 바람직하지 않다. 따라서, 가접착에 요구되는 성능은 연마시의 응력에 견디고, 연마 후에 용이하게 분리되는 것이다.
예를 들어 연마시의 평면방향에 대하여 높은 응력(강한 접착력)을 갖고, 분리시의 종방향에 대하여 낮은 응력(약한 접착력)을 갖는 성능이 요구된다.
이러한 접착프로세스로서 접착층과 분리층을 갖고, 분리층이 디메틸실록산의 플라즈마중합에 의해 형성되고, 연마 후에 기계적으로 분리되는 방법(특허문헌 1, 특허문헌 2 참조),
지지기판과 반도체 웨이퍼를 접착성 조성물로 접착하고, 반도체 웨이퍼의 이면을 연마한 후에 접착제를 에칭액으로 제거하는 방법(특허문헌 3 참조), 그리고 지지체와 반도체 웨이퍼를 접착하는 접착층으로는, 알케닐기함유 오가노폴리실록산과 하이드로실릴기함유 오가노폴리실록산을 백금촉매로 중합한 중합층과, 열경화성 폴리실록산으로 이루어지는 중합층과의 조합을 포함하는 웨이퍼 가공체(특허문헌 3, 특허문헌 4 참조, 특허문헌 5 참조, 특허문헌 6 참조)가 개시되어 있다.
하이드로실릴화반응의 억제제로서 장쇄α-아세틸렌알코올과 경화성 실리콘 조성물이 개시되어 있다(특허문헌 7 참조).
일본특허공표 2012-510715 일본특허공표 2012-513684 일본특허공개 2013-179135 일본특허공개 2013-232459 일본특허공개 2006-508540 일본특허공개 2009-528688 일본특허공개 H6-329917호
접착 전의 경화의 진행을 억제하고, 웨이퍼의 회로면이나, 지지체에 대한 스핀코트성이 우수하고, 접착층과의 접합시나 웨이퍼 이면의 가공시에 있어서의 내열성이 우수하고, 웨이퍼 이면의 연마 후에는 용이하게 박리할 수 있으며, 박리 후는 웨이퍼나 지지체에 부착된 접착제를 간단히 제거할 수 있는 가접착제 및 그의 적층체, 그것을 이용한 가공방법을 제공하는 것이다. 특히 지지체와 웨이퍼의 사이에 보이드의 발생이 없이 가접착이 가능한 가접착제를 제공한다.
본 발명은 제1 관점으로서, 지지체와 웨이퍼의 회로면과의 사이에서 박리가능하게 접착되고 웨이퍼의 이면을 가공하기 위한 가접착제이며, 하이드로실릴화반응에 의해 경화되는 성분(A)과, Tg-DTA에 있어서의 5%질량 감소온도가 80℃ 이상인 중합금지제(B)와, 용매(C)를 포함하는 상기 가접착제,
제2 관점으로서, 성분(A)이, SiO2로 표시되는 실록산단위(Q단위), R1R2R3SiO1/2로 표시되는 실록산단위(M단위), R4R5SiO2/2로 표시되는 실록산단위(D단위), 및 R6SiO3/2로 표시되는 실록산단위(T단위)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 폴리실록산(단 R1 내지 R6은 각각 Si-C 결합 또는 Si-H 결합에 의해 규소원자에 결합해 있는 것이다)을 포함하고, R1 내지 R6으로 표시되는 1가 화학기가 각각 탄소원자수 1~10의 알킬기와 탄소원자수 2~10의 알케닐기를 포함하는 폴리오가노실록산(a1)과, 상기 폴리실록산을 포함하고, R1 내지 R6으로 표시되는 1가 화학기가 각각 탄소원자수 1~10의 알킬기와 수소원자를 포함하는 폴리오가노실록산(a2)을 포함하는 폴리실록산(A1)과, 백금족 금속계 촉매(A2)를 포함하는 것인 제1 관점에 기재된 가접착제,
제3 관점으로서, 중합금지제(B)가 식(1):
[화학식 1]
Figure pct00001
식(1)
(단, 식(1) 중, R7 및 R8은, 모두 탄소원자수 6~40의 아릴기이며, 또는 탄소원자수 1~10의 알킬기와 탄소원자수 6~40의 아릴기의 조합이며, R7과 R8은 서로 환을 형성하고 있을 수도 있다)로 표시되는 화합물인 제1 관점 또는 제2 관점에 기재된 가접착제,
제4 관점으로서, 중합금지제(B)가, 1-페닐-2-프로핀-1-올, 2-페닐-3-부틴-2-올, 1,1-디페닐-2-프로핀-1-올, 또는 9-에티닐-9-플루오레놀인 제1 관점 또는 제2 관점에 기재된 가접착제,
제5 관점으로서, 폴리디메틸실록산, 에폭시기함유 폴리디메틸실록산, 페닐기함유 폴리디메틸실록산, 또는 그들의 혼합물을 박리성분(D)으로서 포함하는 제1 관점 내지 제4 관점 중 어느 하나에 기재된 가접착제,
제6 관점으로서, 제1 관점 내지 제5 관점 중 어느 하나에 기재된 가접착제를 이용하여, 지지체와 웨이퍼의 회로면과의 사이에서 박리가능하게 접착한 가접착제층을 포함하는 웨이퍼의 이면을 가공하기 위한 적층체,
제7 관점으로서, 제1 관점 내지 제5 관점 중 어느 하나에 기재된 상기 가접착제에 의해 형성된 가접착제층과, 폴리디메틸실록산, 에폭시기함유 폴리디메틸실록산, 페닐기함유 폴리디메틸실록산, 또는 그들의 혼합물로부터 형성된 박리제층으로 이루어지는, 지지체와 웨이퍼의 회로면과의 사이에서 박리가능하게 접착한 가접착제층과 박리제층을 포함하는 웨이퍼의 이면을 가공하기 위한 적층체,
제8 관점으로서, 제1 기체 상에 제1 관점 내지 제5 관점 중 어느 하나에 기재된 가접착제를 도포하고, 가열에 의해 용매를 제거하여 가접착제층을 형성하고, 그 후, 이 가접착제층에 제2 기체를 접합하고, 상기 제1 기체측으로부터 가열하는 적층체의 접합방법,
제9 관점으로서, 제1 기체 상에 제1 관점 내지 제5 관점 중 어느 하나에 기재된 가접착제를 도포하고, 가열에 의해 용매를 제거하여 가접착제층을 형성하고, 한편, 제2 기체 상에 폴리디메틸실록산, 에폭시기함유 폴리디메틸실록산, 페닐기함유 폴리디메틸실록산, 또는 그들의 혼합물을 포함하는 박리제를 도포하고 가열에 의해 박리제층을 형성한 후, 이어서, 이 가접착제층과 이 박리제층을 대향하도록 상기 제1 기체와 상기 제2 기체를 접합하고, 상기 제1 기체측으로부터 가열하는 적층체의 접합방법,
제10 관점으로서, 상기 제1 기체가 지지체이며, 상기 제2 기체가 웨이퍼이며, 웨이퍼의 회로면이 상기 제1 기체의 표면과 대향하는 것인 제8 관점 또는 제9 관점에 기재된 접합방법,
제11 관점으로서, 상기 제1 기체가 웨이퍼이며, 상기 제2 기체가 지지체이며, 웨이퍼의 회로면이 상기 제2 기체의 표면과 대향하는 것인 제8 관점 또는 제9 관점에 기재된 접합방법,
제12 관점으로서, 제1 기체 상에 제1 관점 내지 제5 관점 중 어느 하나에 기재된 가접착제를 도포하여 가접착제층을 형성하고, 이어서 이것에 제2 기체를 접합하고, 계속해서 상기 제1 기체측으로부터 가열하고 이 가접착제층을 경화시켜, 적층체를 완성하고, 그 후에 이 적층체를 가공하고, 그리고 기체와 가접착제층의 사이에서 박리시키는 박리방법,
제13 관점으로서, 제1 기체 상에 제1 관점 내지 제5 관점 중 어느 하나에 기재된 가접착제를 도포하여 가접착제층을 형성하고, 한편, 제2 기체 상에 폴리디메틸실록산, 에폭시기함유 폴리디메틸실록산, 페닐기함유 폴리디메틸실록산, 또는 그들의 혼합물을 포함하는 박리제를 도포하고 가열에 의해 박리제층을 형성한 후, 이어서, 이 가접착제층과 이 박리제층을 대향하도록 상기 제1 기체와 상기 제2 기체를 접합하고, 상기 제1 기체측으로부터 가열하고 이 가접착제층과 이 박리제층을 경화시켜, 적층체를 완성하고, 그 후에 이 적층체를 가공하고, 그리고 기체와 가접착제층 내지 박리제층의 사이에서 박리시키는 박리방법,
제14 관점으로서, 상기 제1 기체가 지지체이며, 상기 제2 기체가 웨이퍼이며, 웨이퍼의 회로면이 상기 제1 기체의 표면과 대향하는 것인 제12 관점 또는 제13 관점에 기재된 박리방법,
제15 관점으로서, 상기 제1 기체가 웨이퍼이며, 상기 제2 기체가 지지체이며, 웨이퍼의 회로면이 상기 제2 기체의 표면과 대향하는 것인 제12 관점 또는 제13 관점에 기재된 박리방법, 및
제16 관점으로서, 상기 가공이 이면연마인 제12 관점 내지 제15 관점 중 어느 하나에 기재된 박리방법이다.
지지체와 웨이퍼의 회로면과의 사이에 장입(裝入)되는 가접착제로는, 하이드로실릴화반응에 의해 경화되는 성분(A)과, Tg-DTA에 있어서의 5%질량 감소온도가 80℃ 이상인 중합금지제(B)와, 용매(C)를 포함한다.
본 발명의 가접착제가, 웨이퍼의 회로면에 대한 스핀코트성이 우수하고, 특정성분의 중합금지제를 포함함으로써 접착 전의 경화의 진행을 억제하여, 용매제거의 가열 후도 양호한 첩합특성을 유지할 수 있다. 특정성분의 폴리실록산을 조합함으로써, 접착층과의 접합시나 웨이퍼 이면의 가공시에 있어서의 내열성이 우수하다는 효과가 얻어진다. 나아가, 웨이퍼 이면의 연마 후에는 용이하게 박리할 수 있고, 박리 후는 웨이퍼나 지지체에 부착된 본 발명의 가접착제를 간단히 제거할 수 있다.
웨이퍼의 회로면의 반대측의 가공이란, 연마에 의한 웨이퍼의 박화가 행해진다. 그 후, 실리콘관통전극(TSV) 등의 형성을 행하고, 그 후에 지지체로부터 박화웨이퍼를 박리하여 웨이퍼의 적층체를 형성하고, 3차원 실장화된다. 또한, 그것에 전후하여 웨이퍼 이면전극 등의 형성도 행해진다. 웨이퍼의 박화와 TSV프로세스에는 지지체에 접착된 상태로 250~350℃의 열이 부가되는데, 본 발명에 이용되는 가접착제로서의 적층체는 그들의 내열성을 갖고 있다.
지지체 또는 웨이퍼에 가접착제를 도포하는데, 배합되는 성분이나 피복되는 기체(지지체나 웨이퍼)의 형상에 따라 점도조정을 위해 용매를 함유하는 경우가 있다. 이들 가접착제에 이용되는 용매는 고비점의 탄화수소계 용매가 이용되는데, 도포하고 경화하기 전에 용매를 제거시킨다. 도포된 접착제 중의 용매는 그 비점 이하의 온도에서도 증발이 개시되는데, 그 공정에서는 온도가 필요하며, 예를 들어 80℃ 내지 130℃ 정도(특히 110℃ 정도)의 온도가 가해진다. 그 때에 배합되어 있는 중합금지제는 성분에 따라 휘발온도가 낮은 것도 있는데, 그러한 휘발온도가 낮은 중합금지제를 이용하는 경우는, 배합조성 중에서 중합금지제의 휘발에 의해 하이드로실릴화가 보다 진행되어 경화가 예상 이상으로 진행된다. 지지체나 웨이퍼 상에 도포된 접착제가, 지지체와 웨이퍼를 장합(張合)하기 전에 경화가 진행되면 지지체와 웨이퍼의 접착성이 저하되어 보이드(공공(空孔))가 생긴다.
본 발명에서는 5%질량 감소온도가 80℃ 이상인 중합금지제가 용매제거가열시의 이 중합금지제의 휘발방지에 유효한 것에 착안하여 발명을 완성하였다.
본 발명은 중합금지제가 높은 내열성을 가짐으로써, 중합금지제의 휘발을 억제하고, 충분한 경화성능을 유지하여 기판의 가공을 행하는 것이 가능한 가접착제를 제공할 수 있다.
본 발명은 지지체와 웨이퍼의 회로면과의 사이에서 박리가능하게 접착되고 웨이퍼의 이면을 가공하기 위한 가접착제이며, 하이드로실릴화반응에 의해 경화되는 성분(A)과, Tg-DTA에 있어서의 5%질량 감소온도가 80℃ 이상인 중합금지제(B)와, 용매(C)를 포함하는 상기 가접착제이다.
본 발명에서는 접착제에 의해 지지체와 웨이퍼가 가접착되고, 웨이퍼의 회로면과는 반대측의 이면이 연마 등에 의해 가공됨으로써, 웨이퍼의 두께를 박화할 수 있다.
상기 가접착은 웨이퍼 이면의 연마시는 접착되어 있고, 웨이퍼 이면의 연마 후에는 지지체와 박화된 웨이퍼를 분리할 수 있는 것이다.
여기서 박리가능이란 다른 박리개소보다도 박리강도가 낮고, 박리되기 쉬운 것을 나타낸다.
성분(A)이, SiO2로 표시되는 실록산단위(Q단위), R1R2R3SiO1/2로 표시되는 실록산단위(M단위), R4R5SiO2/2로 표시되는 실록산단위(D단위), 및 R6SiO3/2로 표시되는 실록산단위(T단위)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 폴리실록산(단 R1 내지 R6은 각각 Si-C 결합 또는 Si-H 결합에 의해 규소원자에 결합해 있는 것이다)을 포함하고, R1 내지 R6으로 표시되는 1가 화학기가 각각 탄소원자수 1~10의 알킬기와 탄소원자수 2~10의 알케닐기를 포함하는 폴리오가노실록산(a1)과, 상기 폴리실록산을 포함하고, R1 내지 R6으로 표시되는 1가 화학기가 각각 탄소원자수 1~10의 알킬기와 수소원자를 포함하는 폴리오가노실록산(a2)을 포함하는 폴리실록산(A1)과, 백금족 금속계 촉매(A2)를 포함하는 것이다.
폴리실록산(A1)은 폴리오가노실록산(a1)과 폴리오가노실록산(a2)을 포함한다. 폴리오가노실록산(a1)이 탄소원자수 1~10의 알킬기와 탄소원자수 2~10의 알케닐기를 포함하고 있고, 폴리오가노실록산(a2)이 탄소원자수 1~10의 알킬기와 수소원자를 포함하고 있다. 알케닐기와 Si-H기가 백금족 금속계 촉매(A2)에 의해 하이드로실릴화반응에 의해 가교구조를 형성하고 경화한다.
폴리오가노실록산(a1)은 Q단위, M단위, D단위, T단위로부터 선택되는데, 예를 들어 (Q단위와 M단위)와 (D단위와 M단위)의 조합, (T단위와 M단위)와 (D단위와 M단위)의 조합, (Q단위와 T단위와 M단위)와 (T단위와 M단위)의 조합, (T단위와 M단위)의 조합, (Q단위와 M단위)의 조합에 의해 형성할 수 있다.
폴리오가노실록산(a2)은 Q단위, M단위, D단위, T단위로부터 선택되는데, 예를 들어 (M단위와 D단위)의 조합, (Q단위와 M단위)의 조합, (Q단위와 T단위와 M단위)의 조합에 의해 형성할 수 있다.
상기 탄소원자수 2~10의 알케닐기는, 예를 들어 에테닐기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 1-메틸-1-에테닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 2-메틸-1-프로페닐기, 2-메틸-2-프로페닐기, 1-에틸에테닐기, 1-메틸-1-프로페닐기, 1-메틸-2-프로페닐기, 1-펜테닐기, 2-펜테닐기, 3-펜테닐기, 4-펜테닐기, 1-n-프로필에테닐기, 1-메틸-1-부테닐기, 1-메틸-2-부테닐기, 1-메틸-3-부테닐기, 2-에틸-2-프로페닐기, 2-메틸-1-부테닐기, 2-메틸-2-부테닐기, 2-메틸-3-부테닐기, 3-메틸-1-부테닐기, 3-메틸-2-부테닐기, 3-메틸-3-부테닐기, 1,1-디메틸-2-프로페닐기, 1-i-프로필에테닐기, 1,2-디메틸-1-프로페닐기, 1,2-디메틸-2-프로페닐기, 1-헥세닐기, 2-헥세닐기, 3-헥세닐기, 4-헥세닐기, 5-헥세닐기, 1-메틸-1-펜테닐기, 1-메틸-2-펜테닐기, 1-메틸-3-펜테닐기, 1-메틸-4-펜테닐기, 1-n-부틸에테닐기, 2-메틸-1-펜테닐기, 2-메틸-2-펜테닐기, 2-메틸-3-펜테닐기, 2-메틸-4-펜테닐기, 2-n-프로필-2-프로페닐기, 3-메틸-1-펜테닐기, 3-메틸-2-펜테닐기, 3-메틸-3-펜테닐기, 3-메틸-4-펜테닐기, 3-에틸-3-부테닐기, 4-메틸-1-펜테닐기, 4-메틸-2-펜테닐기, 4-메틸-3-펜테닐기, 4-메틸-4-펜테닐기, 1,1-디펜테닐메틸-2-부테닐기, 1,1-디메틸-3-부테닐기, 1,2-디메틸-1-부테닐기, 1,2-디메틸-2-부테닐기, 1,2-디메틸-3-부테닐기, 1-메틸-2-에틸-2-프로페닐기, 1-s-부틸에테닐기, 1,3-디메틸-1-부테닐기, 1,3-디메틸-2-부테닐기, 1,3-디메틸-3-부테닐기, 1-i-부틸에테닐기, 2,2-디메틸-3-부테닐기, 2,3-디메틸-1-부테닐기, 2,3-디메틸-2-부테닐기, 2,3-디메틸-3-부테닐기, 2-i-프로필-2-프로페닐기, 3,3-디메틸-1-부테닐기, 1-에틸-1-부테닐기, 1-에틸-2-부테닐기, 1-에틸-3-부테닐기, 1-n-프로필-1-프로페닐기, 1-n-프로필-2-프로페닐기, 2-에틸-1-부테닐기, 2-에틸-2-부테닐기, 2-에틸-3-부테닐기, 1,1,2-트리메틸-2-프로페닐기, 1-t-부틸에테닐기, 1-메틸-1-에틸-2-프로페닐기, 1-에틸-2-메틸-1-프로페닐기, 1-에틸-2-메틸-2-프로페닐기, 1-i-프로필-1-프로페닐기 및 1-i-프로필-2-프로페닐기 등을 들 수 있다. 특히, 에테닐기, 즉 비닐기, 2-프로페닐기, 즉 알릴기를 바람직하게 이용할 수 있다.
상기 탄소원자수 1~10의 알킬기는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 1-메틸-n-부틸기, 2-메틸-n-부틸기, 3-메틸-n-부틸기, 1,1-디메틸-n-프로필기, 1,2-디메틸-n-프로필기, 2,2-디메틸-n-프로필기, 1-에틸-n-프로필기, n-헥실기, 1-메틸-n-펜틸기, 2-메틸-n-펜틸기, 3-메틸-n-펜틸기, 4-메틸-n-펜틸기, 1,1-디메틸-n-부틸기, 1,2-디메틸-n-부틸기, 1,3-디메틸-n-부틸기, 2,2-디메틸-n-부틸기, 2,3-디메틸-n-부틸기, 3,3-디메틸-n-부틸기, 1-에틸-n-부틸기, 2-에틸-n-부틸기, 1,1,2-트리메틸-n-프로필기, 1,2,2-트리메틸-n-프로필기, 1-에틸-1-메틸-n-프로필기 및 1-에틸-2-메틸-n-프로필기 등을 들 수 있다. 특히 메틸기를 바람직하게 이용할 수 있다.
폴리오가노실록산(a1)은 탄소원자수 1~10의 알킬기와 탄소원자수 2~10의 알케닐기로 구성되고, 탄소원자수 1~10의 알킬기가 메틸기이며, 탄소원자수 2~10의 알케닐기가 에테닐기, 즉 비닐기로서, 알케닐기가 R1 내지 R6으로 표시되는 전체치환기 중에 0.1몰%~50.0몰%, 바람직하게는 0.5몰%~30.0몰%로 할 수 있고, 나머지의 R1 내지 R6은 알킬기로 할 수 있다.
또한, 폴리오가노실록산(a2)은 탄소원자수 1~10의 알킬기와 수소원자로 구성되고, 탄소원자수 1~10의 알킬기가 메틸기이며, 수소원자는 Si-H의 구조를 형성한다. 수소원자, 즉 Si-H기가 R1 내지 R6으로 표시되는 전체치환기 중에 0.1몰%~50.0몰%, 바람직하게는 10.0몰%~40.0몰%로 할 수 있고, 나머지의 R1 내지 R6은 알킬기로 할 수 있다.
폴리오가노실록산(a1)과 폴리오가노실록산(a2)은, 알케닐기와 Si-H기로 표시되는 수소원자가 몰비로, 2.0:1.0, 바람직하게는 1.5:1.0인 범위에 함유할 수 있다.
상기 폴리오가노실록산(a1) 및 폴리오가노실록산(a2)은, 각각 중량평균분자량이 500~1000000, 또는 5000~50000인 범위에서 이용할 수 있다.
성분(A)은 백금족 금속계 촉매(A2)를 함유한다. 백금계의 금속촉매는 알케닐기와 Si-H기의 하이드로실릴화 부가반응을 촉진하기 위한 촉매이며, 백금흑, 염화제2백금, 염화백금산, 염화백금산과 1가알코올의 반응물, 염화백금산과 올레핀류의 착체, 백금비스아세토아세테이트 등의 백금계 촉매가 이용된다. 백금과 올레핀류의 착체로는, 예를 들어 디비닐테트라메틸디실록산과 백금의 착체를 들 수 있다. 백금촉매의 첨가량은 폴리오가노실록산(a1) 및 폴리오가노실록산(a2)의 합계량에 대하여 1.0~50.0ppm의 범위로 첨가할 수 있다.
본 발명은 추가로 하이드로실릴화반응의 진행을 억제하는 중합금지제(억제제)(B)로서 알키닐알코올을 첨가할 수 있다. 중합금지제는 Tg-DTA에 있어서의 5%질량 감소온도가 80℃ 이상인 것이 바람직하다. 이들 중합금지제는 식(1)로 표시할 수 있다. 식(1) 중, R7 및 R8은, 모두 탄소원자수 6~40의 아릴기이며, 또는 탄소원자수 1~10의 알킬기와 탄소원자수 6~40의 아릴기의 조합이며, R7과 R8은 서로 환을 형성하고 있을 수도 있다.
중합금지제(B)는 기타 중합금지제를 함유하고 있을 수도 있다. 기타 중합금지제를 함유하는 경우는, 전체중합금지제 중에서 중합금지제(B)가 25질량% 이상 포함되어 있는 것이 바람직하다. 기타 중합금지제로는 1-에티닐시클로헥사놀을 들 수 있다.
중합금지제(B)가, 1-페닐-2-프로핀-1-올, 2-페닐-3-부틴-2-올, 1,1-디페닐-2-프로핀-1-올, 및 9-에티닐-9-플루오레놀을 들 수 있다.
[화학식 2]
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중합금지제(B)는 폴리오가노실록산(a1) 및 폴리오가노실록산(a2)에 대하여 1000.0~10000.0ppm의 범위로 첨가할 수 있다.
본 발명에서는 용매(C)를 첨가할 수 있다. 지방족 탄화수소, 방향족 탄화수소, 케톤 등을 사용할 수 있다. 그의 용제는 예를 들어, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 데칸, 운데칸, 도데칸, 이소도데칸, 멘탄, 리모넨, 톨루엔, 자일렌, 메티실렌(メチシレン), 쿠멘, MIBK(메틸이소부틸케톤), 아세트산부틸, 디이소부틸케톤, 2-옥탄온, 2-노난온, 5-노난온 등을 사용할 수 있다. 이들 용매는 점도조정을 위해 이용되고, 사용량은 가접착제 중에서 1~40질량%의 범위에서 이용할 수 있다.
본 발명은 박리성분(D)을 함유할 수 있다. 박리성분(D)은 폴리디메틸실록산, 에폭시기함유 폴리디메틸실록산, 페닐기함유 폴리디메틸실록산, 또는 그들의 혼합물을 들 수 있다.
박리성분(D)은 R9R10SiO2/2(단 R9 및 R10은 각각 Si-C 결합에 의해 규소원자에 결합해 있다.)로 표시되는 실록산단위(D단위)를 포함하고, R9 및 R10은 각각 탄소원자수 1~10의 알킬기, 에폭시기함유 유기기, 또는 페닐기함유 유기기이다.
알킬기는, 바람직하게는 메틸기를 들 수 있다. 에폭시기는, 바람직하게는 3-글리시독시프로필이나, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸이며, 에폭시변성 폴리디메틸실록산을 들 수 있다. 0.1~5의 에폭시가인 에폭시변성 폴리디메틸실록산으로 할 수 있다.
또한, 페닐메틸실록산단위구조 또는 디페닐실록산단위구조와, 디메틸실록산단위구조와의 조합을 이용할 수 있다.
박리성분(D)에 이용되는 폴리오가노실록산은, 실록산단위(D단위)를 포함하는데, Q단위, M단위, T단위를 포함하고 있을 수도 있다. 예를 들어, D단위만으로 이루어지는 경우, D단위와 Q단위의 조합인 경우, D단위와 M단위의 조합인 경우, D단위와 T단위의 조합인 경우, D단위와 Q단위와 M단위의 조합인 경우, D단위와 M단위와 T단위의 조합인 경우, D단위와 Q단위와 M단위와 T단위의 조합인 경우 등을 들 수 있다.
박리성분(D)의 중량평균분자량은 1500~500000, 또는 1500~100000의 범위가 바람직하다.
본 발명의 접착제는, 접착제 중의 성분(A)과 성분(D)의 비율은 임의의 비율로 이용할 수 있다.
접착성에 있어서는, 접착제 중의 성분(A)과 성분(D)의 비율은 임의의 비율로 하는 것이 가능하다. 더욱 박리성이 양호하기 위해서는, 성분(D)이 질량%로 0.005 이상 포함되어 있는 것이 바람직하고, 접착제의 역학물성을 유지하기 위해, 성분(D)이 질량%로 70 이하인 것이 바람직하다. 접착제 중의 성분(A)과 성분(D)의 비율이 질량%로 99.995:0.005~30:70으로 할 수 있다. 바람직하게는, 질량%로 99.9:0.1~75:25로 하는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 가접착제를 이용하여, 지지체와 웨이퍼의 회로면과의 사이에서 박리가능하게 접착한 가접착제층을 포함하는 웨이퍼의 이면을 가공하기 위한 적층체이다. 이 적층체는 가접착제 중에 박리성분(D)을 포함하고 있을 수도 있다.
상기와 같이, 박리성분(D)은 폴리디메틸실록산, 에폭시기함유 폴리디메틸실록산, 페닐기함유 폴리디메틸실록산, 또는 그들의 혼합물을 이용할 수 있다.
또한 본 발명은, 상기 가접착제에 의해 형성된 가접착제층과, 폴리디메틸실록산, 에폭시기함유 폴리디메틸실록산, 페닐기함유 폴리디메틸실록산, 또는 그들의 혼합물로부터 형성된 박리제층으로 이루어지는, 지지체와 웨이퍼의 회로면과의 사이에서 박리가능하게 접착한 가접착제층과 박리제층을 포함하는 웨이퍼의 이면을 가공하기 위한 적층체이다.
또한 본 발명은, 제1 기체 상에 상기 가접착제를 도포하고, 가열에 의해 용매를 제거하여 가접착제층을 형성하고, 그 후, 이 가접착제층에 제2 기체를 접합하고, 상기 제1 기체측으로부터 가열하는 적층체의 접합방법이다.
또한 본 발명은, 제1 기체 상에 상기 가접착제를 도포하고, 가열에 의해 용매를 제거하여 가접착제층을 형성하고, 한편, 제2 기체 상에 폴리디메틸실록산, 에폭시기함유 폴리디메틸실록산, 페닐기함유 폴리디메틸실록산, 또는 그들의 혼합물을 포함하는 박리제를 도포하고 가열에 의해 박리제층을 형성한 후, 이어서, 이 가접착제층과 이 박리제층을 대향하도록 제1 기체와 제2 기체를 접합하고, 제1 기체측으로부터 가열하는 적층체의 접합방법이다.
본 발명에 있어서의 접합방법은, 제1 기체가 지지체이며, 제2 기체가 웨이퍼이며, 웨이퍼의 회로면이 제1 기체의 표면과 대향하는 것인 방법과, 제1 기체가 웨이퍼이며, 제2 기체가 지지체이며, 웨이퍼의 회로면이 제2 기체의 표면과 대향하는 것인 방법을 들 수 있다.
본 발명에 있어서의 박리방법은, 제1 기체 상에 상기 가접착제를 도포하여 가접착제층을 형성하고, 이어서 이것에 제2 기체를 접합하고, 계속해서 제1 기체측으로부터 가열하고 이 가접착제층을 경화시켜, 적층체를 완성하고, 그 후에 이 적층체를 가공하고, 그리고 기체와 가접착제층의 사이에서 박리시키는 박리방법이다.
또한, 본 발명에 있어서의 박리방법은, 제1 기체 상에 상기 가접착제를 도포하여 가접착제층을 형성하고, 한편, 제2 기체 상에 폴리디메틸실록산, 에폭시기함유 폴리디메틸실록산, 페닐기함유 폴리디메틸실록산, 또는 그들의 혼합물을 포함하는 박리제를 도포하고 가열에 의해 박리제층을 형성한 후, 이어서, 이 가접착제층과 이 박리제층을 대향하도록 제1 기체와 제2 기체를 접합하고, 제1 기체측으로부터 가열하고 이 가접착제층과 이 박리제층을 경화시키고, 적층체를 완성하고, 그 후에 이 적층체를 가공하고, 그리고 기체와 가접착제층 내지 박리제층의 사이에서 박리시키는 박리방법이다. 박리방법에 있어서, 가공이 이면연마이다.
또한, 본 발명에 있어서의 박리방법은, 제1 기체가 지지체이며, 제2 기체가 웨이퍼이며, 웨이퍼의 회로면이 제1 기체의 표면과 대향하는 것인 박리방법이다.
또한, 본 발명에 있어서의 박리방법은, 제1 기체가 웨이퍼이며, 제2 기체가 지지체이며, 웨이퍼의 회로면이 제2 기체의 표면과 대향하는 것인 박리방법이다.
웨이퍼로는 예를 들어 직경 300mm, 두께 770μm 정도의 실리콘웨이퍼를 들 수 있다.
지지체(캐리어)로는 예를 들어 직경 300mm, 두께 700mm 정도의 유리웨이퍼나 실리콘웨이퍼를 들 수 있다.
접착층의 형성은 접착제를 예를 들어 스핀코터에 의해 지지체 상에 부착시키고, 접착층을 형성하고, 지지체와 웨이퍼의 회로면의 사이에서 접착제를 끼우도록 첩합하고, 120~260℃의 온도에서 가열하여 접착제를 경화시켜 적층체를 형성할 수 있다.
또한, 접착제를 스핀코터에 의해 웨이퍼의 이면을 아래로 하여 회로면에 접착제를 부착시켜 용매를 가열제거하여 접착층을 형성하고, 지지체는 접착제를 끼우도록 첩합하고, 120~260℃의 온도에서 가열하여 접착제를 경화시켜 적층체를 형성할 수 있다. 가열온도는 80℃ 내지 110℃ 정도로부터 접착제의 경화가 시작되고, 260℃ 이상의 온도로 하는 것도 가능하나, 웨이퍼의 회로면(디바이스면)의 내열성의 관점에서 260℃ 이하가 바람직하고, 예를 들어 110℃~220℃ 정도, 특히 200℃ 정도로 할 수 있다. 가열시간은, 경화에 의한 웨이퍼의 접합의 관점에서, 1분간 이상이 바람직하고, 나아가 접착제의 물성안정화의 관점에서 5분간 이상의 가열이 더욱 바람직하다. 예를 들어, 1~180분간, 또는 5~120분간으로 할 수 있다. 장치는, 핫플레이트, 오븐 등을 사용할 수 있다.
접착층을 끼우도록 형성하는 지지체와 웨이퍼는, 이들 물체를 감압하(예를 들어, 10Pa~10000Pa의 감압상태)에 합체시켜 적층체를 형성시킬 수 있다. 지지체와 웨이퍼를 합체시킬 때는 감압하에 가열(예를 들어, 30℃~100℃)하여 행할 수도 있다.
상기의 접착제를 도포하는 접착층의 막두께는 5~500μm, 또는 10~200μm, 또는 20~150μm, 또는 30~120μm, 또는 30~70μm로 할 수 있다.
웨이퍼의 회로면의 반대측의 가공이란, 연마에 의한 웨이퍼의 박화를 들 수 있다. 그 후, 실리콘관통전극(TSV) 등의 형성을 행하고, 그 후에 지지체로부터 박화웨이퍼를 박리하여 웨이퍼의 적층체를 형성하고, 3차원 실장화된다. 또한, 그에 전후하여 웨이퍼 이면전극 등의 형성도 행해진다. 웨이퍼의 박화와 TSV프로세스에는 지지체에 접착된 상태로 250~350℃의 열이 부가되는데, 본 발명에 이용되는 가접착제로서의 적층체는 그들의 내열성을 갖고 있다.
예를 들어 직경 300mm, 두께 770μm 정도의 웨이퍼는, 회로면과는 반대의 이면을 연마하여, 두께 80μm~4μm 정도까지 박화할 수 있다.
접착하고, 이면의 가공(연마)을 행한 후에, 지지체와 웨이퍼를 박리한다. 박리방법은 용제박리, 레이저박리, 예부(銳部)를 갖는 기재(機材)로 기계적으로 박리, 지지체와 웨이퍼의 사이에서 벗겨내는 박리 등을 들 수 있다.
웨이퍼의 표면에 수지가 잔존한 경우, 용제에 의한 세정(용해, 리프트오프), 테이프필링 등에 의해 수지를 제거할 수 있다.
본 발명은 상기 방법으로 접합하고, 웨이퍼의 이면을 연마 후, 상기 방법으로 박리하는 적층체의 가공방법이다.
실시예
(합성예 1)
접착제의 성분(A)의 조정
폴리실록산(a1)으로서 Mw6900의 비닐기함유의 MQ수지로 이루어지는 베이스폴리머(워커케미사제) 10.00g, 폴리실록산(a1)으로서 점도 1000mPa·s의 비닐기함유 직쇄상 폴리디메틸실록산(워커케미사제) 3.90g, 폴리실록산(a2)으로서 점도 70mPa·s의 SiH기함유 직쇄상 폴리디메틸실록산(워커케미사제) 1.168g, 폴리실록산(a2)으로서 점도 40mPa·s의 SiH기함유 직쇄상 폴리디메틸실록산(워커케미사제) 0.77g, 알키닐알코올중합금지제(B)로서 1,1-디페닐-2-프로핀-1-올(TCL사제) 0.042g, 용매(C)로서 5-노난온(TCL사제) 3.90g을 교반기(싱키제, 아와토리렌타로)로 교반하였다.
별도, (A2)로서 백금촉매(워커케미사제) 0.1g과 폴리실록산(a2)으로서 점도1000mPa·s의 비닐기함유 직쇄상 폴리디메틸실록산(워커케미사제) 5.0g을 교반기(싱키제, 상품명 아와토리렌타로)로 5분간 교반하여 얻어진 혼합물 0.850g을, 상기 혼합물에 첨가하고, 다시 5분간 교반하여 접착제의 성분(A)을 얻어 (샘플1)로 하였다.
(합성예 2)
1,1-디페닐-2-프로핀-1-올을 대신하여, 2-페닐-3-부틴-2-올(ALDRICH사제)을 이용한 것 이외는, 합성예 1과 동일하게 조정을 행하여, 샘플2로 하였다.
(합성예 3)
1,1-디페닐-2-프로핀-1-올을 대신하여, 1-에티닐시클로헥사놀(워커케미사제)을 이용한 것 이외는, 합성예 1과 동일하게 조정을 행하여, 샘플3으로 하였다.
(합성예 4)
폴리실록산(a1)으로서 Mw6900의 비닐기함유의 MQ수지로 이루어지는 베이스폴리머(워커케미사제) 60.80g, 폴리실록산(a1)으로서 점도 1000mPa·s의 비닐기함유 직쇄상 폴리디메틸실록산(워커케미사제) 15.20g, 폴리실록산(a1)으로서 점도 200mPa·s의 비닐기함유 직쇄상 폴리디메틸실록산(워커케미사제) 1.95g, 폴리실록산(a2)으로서 점도 70mPa·s의 SiH기함유 직쇄상 폴리디메틸실록산(워커케미사제) 5.21g, 폴리실록산(a2)으로서 점도 40mPa·s의 SiH기함유 직쇄상 폴리디메틸실록산(워커케미사제) 3.26g, 알키닐알코올중합금지제(B)로서 1,1-디페닐-2-프로핀-1-올(TCL사제) 0.109g, 1-에티닐시클로헥사놀(워커케미사제) 0.217g, 용매(C)(C)로서 운데칸(WAKO사제) 11.34g을 교반기(싱키제, 아와토리렌타로)로 교반하였다.
별도, (A2)로서 백금촉매(워커케미사제) 1.0g과 폴리실록산(a2)으로서 점도 1000mPa·s의 비닐기함유 직쇄상 폴리디메틸실록산(워커케미사제) 5.0g을 교반기(싱키제, 아와토리렌타로)로 5분간 교반하여 얻어진 혼합물 0.521g을, 상기 혼합물에 첨가하고, 다시 5분간 교반하여 접착제의 성분(A)을 얻어 (샘플4)로 하였다.
(합성예 5)
1,1-디페닐-2-프로핀-1-올(TCL사제) 0.109g을 대신하여 9-에티닐-9-플루오레놀(TCL사제) 0.043g을 이용한 것 이외는, 합성예 4와 동일하게 조정을 행하여, 샘플5로 하였다.
(Tg-DTA의 측정조건)
중합금지제의 5%질량 감소온도는, TG-DTA200SR(BRUKER사제)을 이용하여, 샘플량 약 5mg, Air하 10℃/min의 승온레이트에 의해 측정하였다.
〔표 1〕
Figure pct00003
(장합시험)
300mm의 실리콘웨이퍼(두께: 775μm)에, 상품명 SILRES604(워커사제, 성분은 폴리디메틸실록산) 3.0g을, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 67.9g 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 29.1g으로 이루어지는 혼합용매에 용해하고, 0.1mm의 막두께로 스핀코트 후, 200℃ 1분간 경화하여, 박리제층을 형성하였다. 박리제층을 형성한 300mm의 실리콘웨이퍼에, 막두께가 50μm 정도가 되도록 스핀코트에 의해, 접착제를 성막하고, 110℃ 1분간 가열하여, 용매를 제거하였다.
이 접착층을 갖는 실리콘웨이퍼와, 300mm 유리웨이퍼로 접착제를 끼우도록 XBS(수스마이크로텍사제, 첩합장치)로 첩합하여, 적층체를 제작하였다.
그 때, 보이드없이 첩합이 된 것을 (○), 첩합이 되지 않고 보이드가 발생한 것을 (×)로 하여 평가를 행하였다.
〔표 2〕
Figure pct00004
Tg-DTA에 있어서의 5%질량 감소온도가 80℃ 이상인 중합금지제를 포함하지 않는 경우는, 가열에 의한 용매제거 후 점도가 증가하여, 첩합이 곤란하였다.
본 발명에 따른 접착제는, 영구 또는 가접합에 사용되는 접착제이며, 그 접착층을 형성하는 접착제는 하이드로실릴화반응에 의해 경화되는 폴리오가노실록산성분과, Tg-DTA에 있어서의 5%질량 감소온도가 80℃ 이상인 중합금지제와 용매를 포함하는 것이다. 용매를 포함함으로써, 수지의 도포성을 향상할 수 있고, Tg-DTA에 있어서의 5%질량 감소온도가 80℃ 이상인 중합금지제를 포함함으로써, 용매제거시의 가열에 의한 급격한 점도증가가 일어나지 않고, 그 후 보이드없이 첩합하는 것이 가능해진다.
산업상 이용가능성
지지체(지지기판)와 웨이퍼의 사이의 가접착제층을 형성하는 가접착제는 하이드로실릴화반응에 의해 경화되는 폴리오가노실록산성분(A)과 Tg-DTA에 있어서의 5%질량 감소온도가 80℃ 이상인 중합금지제(B)와 용매(C)를 포함한다. 내열성이 높은 중합금지제를 이용하므로, 가접착제의 용매를 휘발시키기 위한 가열시에 중합금지제의 휘발이 적으므로, 가접착제의 예정외의 경화가 진행되지 않고, 지지체와 웨이퍼의 사이에 보이드의 발생이 없이 가접착이 가능하다.

Claims (16)

  1. 지지체와 웨이퍼의 회로면과의 사이에서 박리가능하게 접착되고 웨이퍼의 이면을 가공하기 위한 가접착제이며, 하이드로실릴화반응에 의해 경화되는 성분(A)과, Tg-DTA에 있어서의 5%질량 감소온도가 80℃ 이상인 중합금지제(B)와, 용매(C)를 포함하는 상기 가접착제.
  2. 제1항에 있어서,
    성분(A)가, SiO2로 표시되는 실록산단위(Q단위), R1R2R3SiO1/2로 표시되는 실록산단위(M단위), R4R5SiO2/2로 표시되는 실록산단위(D단위), 및 R6SiO3/2로 표시되는 실록산단위(T단위)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 폴리실록산(단 R1 내지 R6은 각각 Si-C 결합 또는 Si-H 결합에 의해 규소원자에 결합해 있는 것이다)을 포함하고, R1 내지 R6으로 표시되는 1가 화학기가 각각 탄소원자수 1~10의 알킬기와 탄소원자수 2~10의 알케닐기를 포함하는 폴리오가노실록산(a1)과, 상기 폴리실록산을 포함하고, R1 내지 R6으로 표시되는 1가 화학기가 각각 탄소원자수 1~10의 알킬기와 수소원자를 포함하는 폴리오가노실록산(a2)을 포함하는 폴리실록산(A1)과, 백금족 금속계 촉매(A2)를 포함하는 것인 가접착제.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    중합금지제(B)가 식(1):
    [화학식 1]
    Figure pct00005
    식(1)
    (단, 식(1) 중, R7 및 R8은, 모두 탄소원자수 6~40의 아릴기이며, 또는 탄소원자수 1~10의 알킬기와 탄소원자수 6~40의 아릴기의 조합이며, R7과 R8은 서로 환을 형성하고 있을 수도 있다)로 표시되는 화합물인 가접착제.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    중합금지제(B)가, 1-페닐-2-프로핀-1-올, 2-페닐-3-부틴-2-올, 1,1-디페닐-2-프로핀-1-올, 또는 9-에티닐-9-플루오레놀인 가접착제.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    폴리디메틸실록산, 에폭시기함유 폴리디메틸실록산, 페닐기함유 폴리디메틸실록산, 또는 그들의 혼합물을 박리성분(D)으로서 포함하는 가접착제.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 가접착제를 이용하여, 지지체와 웨이퍼의 회로면과의 사이에서 박리가능하게 접착한 가접착제층을 포함하는 웨이퍼의 이면을 가공하기 위한 적층체.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 상기 가접착제에 의해 형성된 가접착제층과, 폴리디메틸실록산, 에폭시기함유 폴리디메틸실록산, 페닐기함유 폴리디메틸실록산, 또는 그들의 혼합물로부터 형성된 박리제층으로 이루어지는, 지지체와 웨이퍼의 회로면과의 사이에서 박리가능하게 접착한 가접착제층과 박리제층을 포함하는 웨이퍼의 이면을 가공하기 위한 적층체.
  8. 제1 기체 상에 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 가접착제를 도포하고, 가열에 의해 용매를 제거하여 가접착제층을 형성하고, 그 후, 이 가접착제층에 제2 기체를 접합하고, 상기 제1 기체측으로부터 가열하는 적층체의 접합방법.
  9. 제1 기체 상에 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 가접착제를 도포하고, 가열에 의해 용매를 제거하여 가접착제층을 형성하고, 한편, 제2 기체 상에 폴리디메틸실록산, 에폭시기함유 폴리디메틸실록산, 페닐기함유 폴리디메틸실록산, 또는 그들의 혼합물을 포함하는 박리제를 도포하고 가열에 의해 박리제층을 형성한 후, 이어서, 이 가접착제층과 이 박리제층을 대향하도록 상기 제1 기체와 상기 제2 기체를 접합하고, 상기 제1 기체측으로부터 가열하는 적층체의 접합방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 제1 기체가 지지체이며, 상기 제2 기체가 웨이퍼이며, 웨이퍼의 회로면이 상기 제1 기체의 표면과 대향하는 것인 접합방법.
  11. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 제1 기체가 웨이퍼이며, 상기 제2 기체가 지지체이며, 웨이퍼의 회로면이 상기 제2 기체의 표면과 대향하는 것인 접합방법.
  12. 제1 기체 상에 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 가접착제를 도포하여 가접착제층을 형성하고, 이어서 이것에 제2 기체를 접합하고, 계속해서 상기 제1 기체측으로부터 가열하고 이 가접착제층을 경화시켜, 적층체를 완성하고, 그 후에 이 적층체를 가공하고, 그리고 기체와 가접착제층의 사이에서 박리시키는 박리방법.
  13. 제1 기체 상에 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 가접착제를 도포하여 가접착제층을 형성하고, 한편, 제2 기체 상에 폴리디메틸실록산, 에폭시기함유 폴리디메틸실록산, 페닐기함유 폴리디메틸실록산, 또는 그들의 혼합물을 포함하는 박리제를 도포하고 가열에 의해 박리제층을 형성한 후, 이어서, 이 가접착제층과 이 박리제층을 대향하도록 상기 제1 기체와 상기 제2 기체를 접합하고, 상기 제1 기체측으로부터 가열하고 이 가접착제층과 이 박리제층을 경화시켜, 적층체를 완성하고, 그 후에 이 적층체를 가공하고, 그리고 기체와 가접착제층 내지 박리제층의 사이에서 박리시키는 박리방법.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 제1 기체가 지지체이며, 상기 제2 기체가 웨이퍼이며, 웨이퍼의 회로면이 상기 제1 기체의 표면과 대향하는 것인 박리방법.
  15. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 제1 기체가 웨이퍼이며, 상기 제2 기체가 지지체이며, 웨이퍼의 회로면이 상기 제2 기체의 표면과 대향하는 것인 박리방법.
  16. 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가공이 이면연마인 박리방법.
KR1020207031002A 2018-05-01 2019-04-23 내열성 중합금지제를 포함하는 폴리실록산을 함유하는 가접착제 KR20210005028A (ko)

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11776837B2 (en) * 2018-11-28 2023-10-03 Nissan Chemical Corporation Adhesive agent composition, layered product and production method for layered product, and method for reducing thickness of semiconductor forming substrate
CN113372725A (zh) * 2021-06-03 2021-09-10 广东恒大新材料科技有限公司 一种单组分加成型热固化硅橡胶组合物
KR20240040071A (ko) * 2021-07-26 2024-03-27 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 적층체의 제조 방법, 및 접착제 조성물의 키트
EP4398285A1 (en) 2021-08-30 2024-07-10 Nissan Chemical Corporation Adhesive composition, multilayer body, and method for producing processed semiconductor substrate
WO2024154702A1 (ja) * 2023-01-18 2024-07-25 日産化学株式会社 接着剤組成物、積層体、及び加工された半導体基板の製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06329917A (ja) 1993-04-30 1994-11-29 Rhone Poulenc Chim ヒドロシリル化反応の抑制剤としての長鎖α−アセチレンアルコール及びその、安定な硬化性シリコーン組成物調製での応用
JP2006508540A (ja) 2002-11-29 2006-03-09 フラウンホファー ゲゼルシャフト ツール フェルドルンク デル アンゲヴァントテン フォルシュンク エー ファウ ウェーハ処理プロセス及び装置並びに中間層及びキャリヤー層を有するウェーハ
JP2009528688A (ja) 2006-03-01 2009-08-06 ヤーコプ＋リヒター イーペー−フェルヴェルツングスゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウエハ、ウエハ−キャリヤ構造体の特に薄い背面を処理する方法及び前記タイプのウエハ−キャリヤ構造体を製造する方法
JP2012510715A (ja) 2008-11-28 2012-05-10 シン マテリアルズ アクチェンゲゼルシャフト 接着方法
JP2012513684A (ja) 2008-12-23 2012-06-14 シン マテリアルズ アクチェンゲゼルシャフト ウェーハを含む層システムを分離する方法
JP2013179135A (ja) 2012-02-28 2013-09-09 Shin Etsu Chem Co Ltd ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP2013232459A (ja) 2012-04-27 2013-11-14 Shin Etsu Chem Co Ltd ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1776837A (en) * 1928-10-22 1930-09-30 Florence B Maccarthy Dial-telephone lock
US7541264B2 (en) * 2005-03-01 2009-06-02 Dow Corning Corporation Temporary wafer bonding method for semiconductor processing
US20080014532A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 3M Innovative Properties Company Laminate body, and method for manufacturing thin substrate using the laminate body
KR20120132624A (ko) * 2010-02-12 2012-12-06 다우 코닝 코포레이션 반도체 가공을 위한 임시 웨이퍼 접합 방법
JP2012169573A (ja) * 2011-02-17 2012-09-06 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシングダイボンドシートおよびｌｅｄ用サファイヤ基板の加工方法
JP5409695B2 (ja) * 2011-04-26 2014-02-05 信越化学工業株式会社 オルガノポリシロキサン、オルガノポリシロキサンを含む仮接着剤組成物、及びそれを用いた薄型ウエハの製造方法
KR102003575B1 (ko) * 2011-08-10 2019-07-24 히타치가세이가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 필름, 영구 레지스터 및 영구 레지스터의 제조 방법
WO2016181879A1 (ja) * 2015-05-11 2016-11-17 富士フイルム株式会社 仮止め接着剤、接着フィルム、接着性支持体および積層体
KR102272726B1 (ko) * 2016-06-22 2021-07-05 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 폴리디메틸실록산을 함유하는 접착제
US11776837B2 (en) * 2018-11-28 2023-10-03 Nissan Chemical Corporation Adhesive agent composition, layered product and production method for layered product, and method for reducing thickness of semiconductor forming substrate
EP3907074A4 (en) * 2018-12-27 2022-09-14 Nissan Chemical Corporation ADHESIVE COMPOSITION FOR REMOVING BY OPTICAL RADIATION, LAMINATE BODY, METHOD OF MANUFACTURE AND PEEL PROCESS

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06329917A (ja) 1993-04-30 1994-11-29 Rhone Poulenc Chim ヒドロシリル化反応の抑制剤としての長鎖α−アセチレンアルコール及びその、安定な硬化性シリコーン組成物調製での応用
JP2006508540A (ja) 2002-11-29 2006-03-09 フラウンホファー ゲゼルシャフト ツール フェルドルンク デル アンゲヴァントテン フォルシュンク エー ファウ ウェーハ処理プロセス及び装置並びに中間層及びキャリヤー層を有するウェーハ
JP2009528688A (ja) 2006-03-01 2009-08-06 ヤーコプ＋リヒター イーペー−フェルヴェルツングスゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウエハ、ウエハ−キャリヤ構造体の特に薄い背面を処理する方法及び前記タイプのウエハ−キャリヤ構造体を製造する方法
JP2012510715A (ja) 2008-11-28 2012-05-10 シン マテリアルズ アクチェンゲゼルシャフト 接着方法
JP2012513684A (ja) 2008-12-23 2012-06-14 シン マテリアルズ アクチェンゲゼルシャフト ウェーハを含む層システムを分離する方法
JP2013179135A (ja) 2012-02-28 2013-09-09 Shin Etsu Chem Co Ltd ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
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