TW202021009A - 晶圓清洗裝置及其清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供一種晶圓清洗裝置及其清洗方法。該晶圓清洗裝置包括一槽罐和一晶圓保持器。該槽罐包括一底壁、一側壁以及一分隔壁。該側壁連接到該底壁。該分隔壁可移動地安裝在該底壁的上方，並且該分隔壁將該底壁和該側壁定義的一清洗空間分成一第一隔室和一第二隔室。當該分隔壁遠離該底壁移動時，形成該第一隔室和該第二隔室連通的一通道，並且在一晶圓清洗過程中該通道浸沒在該清洗空間的一清洗液中。該晶圓保持器，適應於浸入清洗液中並且在該第一隔室和該第二隔室之間移動。本揭露更提供一種晶圓的清洗方法。

Description

晶圓清洗裝置及其清洗方法
本申請案主張2018/11/23申請之美國臨時申請案第62/770,932號及2019/2/6申請之美國正式申請案第16/268,832號的優先權及益處，該美國臨時申請案及該美國正式申請案之內容以全文引用之方式併入本文中。
本揭露關於一種清洗裝置及一種清洗方法，特別是關於一種晶圓清洗裝置及一種透過將晶圓浸入清洗液中來清洗晶圓的方法。
在半導體製造中，形成各種絕緣材料層、半導體材料層和導電材料層以製造一多層的半導體元件。這些層被圖案化以產生元件特徵，這些特徵在組合時形成例如電晶體、電容器和電阻器的元件。然後將這些元件互連以實現所需的電性功能，從而產生積體電路(IC)元件。常規的製造技術的使用以實現各種元件層的形成和圖案化，例如氧化、植入、沉積、磊晶、光學微影、蝕刻和平坦化。
半導體製造中的一個關鍵條件是晶圓片處理表面上沒有污染物，因為包括例如顯微微粒在內的污染物可能干擾後續製程步驟，並且對其產生不利的影響，因此導致元件退化，最終導致半導體晶圓報廢。
為了保持晶圓處理表面的清潔並且消除在製程步驟中沉積在晶圓處理表面上的污染物，在每一個製程步驟之後需要一清洗的製程。
上文之「先前技術」說明僅係提供背景技術，並未承認上文之「先前技術」說明揭示本揭露之標的，不構成本揭露之先前技術，且上文之「先前技術」之任何說明均不應作為本案之任一部分。
本揭露提供一種晶圓清洗裝置，包括一槽罐和一晶圓保持器。該槽罐包括一底壁、一側壁以及一分隔壁。該側壁連接到該底壁。該分隔壁安裝在該底壁的上方，並且該分隔壁將該底壁和該側壁定義的一清洗空間分成一第一隔室和一第二隔室。當該分隔壁遠離該底壁移動時，形成該第一隔室和該第二隔室連通的一通道。在一晶圓清洗過程中，該通道浸沒在該清洗空間的一清洗液中。該晶圓保持器適應於浸入該清洗液中並且在該第一隔室和該第二隔室之間移動。
在一些實施例中，該第二隔室與該第一隔室相鄰。
在一些實施例中，該晶圓清洗裝置更包括至少一個控制器電耦合到該晶圓保持器和該分隔壁，其中該晶圓保持器因應於該控制器的控制垂直和水平移動，並且該分隔壁因應於該控制器的控制，相對於該底壁移動。
在一些實施例中，該晶圓清洗裝置更包括一流體供應單元及一流體返回單元。該流體供應單元經設置在該槽罐的上方並且電連接到該控制器，其中該流體供應單元經配置以將該清洗液提供給該槽罐。該流體返回單元設置在該槽罐的上方並且電連接到該控制器，其中該流體返回單元經配置以從該槽罐中排出該清洗液。
在一些實施例中，該晶圓清洗裝置更包括至少一個感測器，該感測器設置在該槽罐的上方並且電耦合到該控制器，其中該感測器經配置以檢測該清洗液的一污染水平和一液位。
在一些實施例中，該晶圓清洗裝置更包括一攪拌產生器，該攪拌產生器附接到該底壁，該攪拌產生器經配置以攪拌該清洗液。
在一些實施例中，該晶圓清洗裝置更包括一氣體供應器，該氣體供應器放置在該清洗空間內並且經配置以對該清洗液提供氣泡。
在一些實施例中，該底壁、該側壁和該分隔壁由一耐腐蝕材料製成。
在一些實施例中，該第一隔室和該第二隔室具有實質上相同的體積。
本揭露另提供一種晶圓的清洗方法，包括供應一清洗液到一槽罐，該槽罐包括用於將該槽罐分成一第一隔室和一第二隔室的一可移動的分隔壁；放置該晶圓在一晶圓保持器中，該晶圓保持器適應於在該第一隔室和該第二隔室之間轉移該晶圓，其中該晶圓保持器最初位於該第一個隔室內；浸入該分隔壁到清洗液中，浸入該晶圓到該第一隔室內的該清洗液中；提升該分隔壁的一部分以連通該第一隔室和該第二隔室；將該晶圓從該第一隔室轉移到該第二隔室；以及從該第二隔室內的該清洗液中移開該晶圓。
在一些實施例中，該清洗方法更包括：在提升該分隔壁的部分之前，將晶圓放置在該清洗液中一預設的時間；以及在晶圓轉移到該第二隔室之後，將該分隔壁的一部分浸入該清洗液中。
在一些實施例中，該清洗方法更包括步驟：在將晶圓放置在清洗液中之前攪拌該清洗液以產生一攪拌的清洗液。
在一些實施例中，該清洗液以一超音波頻率攪拌。
在一些實施例中，該清洗方法更包括步驟：在將該晶圓放置在該清洗液中之前在該清洗液中提供氣泡。
在一些實施例中，該清洗方法更包括步驟：偵測該液體的一污染水平；以及當該污染水平達到一最大水平時，從該槽罐排出該清洗液。
在一些實施例中，該清洗方法更包括步驟：偵測該液體的一液位；以及當該液位低於該分隔壁時，添加新的清洗液到該槽罐，直到部份的該分隔壁浸沒在該清洗液中。
本揭露提供一種晶圓的清洗方法，可以有效地防止殘留在清洗液中的污染微粒重新附著在晶圓上，因此提高晶圓的產量和可靠性。
上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。
本揭露之以下說明伴隨併入且組成說明書之一部分的圖式，說明本揭露實施例，然而本揭露並不受限於該實施例。此外，以下的實施例可適當整合以下實施例以完成另一實施例。
「一實施例」、「實施例」、「例示實施例」、「其他實施例」、「另一實施例」等係指本揭露所描述之實施例可包含特定特徵、結構或是特性，然而並非每一實施例必須包含該特定特徵、結構或是特性。再者，重複使用「在實施例中」一語並非必須指相同實施例，然而可為相同實施例。
為了使得本揭露可被完全理解，以下說明提供詳細的步驟與結構。顯然，本揭露的實施不會限制該技藝中的技術人士已知的特定細節。此外，已知的結構與步驟不再詳述，以免不必要地限制本揭露。本揭露的較佳實施例詳述如下。然而，除了實施方式之外，本揭露亦可廣泛實施於其他實施例中。本揭露的範圍不限於實施方式的內容，而是由申請專利範圍定義。
圖1是例示本揭露一些實施例的一清洗裝置10。參照圖1，清洗裝置10經配置以清洗一個或複數個晶圓20，從而去除附著在晶圓20上的污染微粒22。清洗裝置10包括填充有清洗液120的槽罐110、配置以保持並固定待清洗晶圓20的晶圓保持器130、提供清洗液120的流體供應單元140、經配置以從槽罐110排出清洗液120的流體返回單元150。
在一些實施例中，晶圓20可以由矽或其他半導體材料製成，例如鍺(Ge)。在一些實施例中，晶片20包括一磊晶層，例如，晶圓20具有覆蓋本體(bulk)半導體的一磊晶層。在一些實施例中，晶圓20具有各種元件組成。在晶圖20中形成的元件組成例如包括電晶體、二極體和(與)或其他適用的組成，並且執行各種製程以形成元件組成，例如沉積、蝕刻、植入、光學微影、退火和與或其他合適的製程。
圖2是例示本揭露一些實施例在圖1中的槽罐的頂視圖。參照圖1和圖2，在一些實施例中，槽罐110包括底壁111和側壁112，側壁112與底壁111連接並且延伸遠離底壁111。因此，用於接收清洗液120的清洗空間113由底壁111和側壁112所定義。
在一些實施例中，槽罐110更包括分隔壁114，分隔壁114可滑動地安裝在側壁112的上方並且適應於在晶圓清洗過程中相對於底壁111滑動。在一些實施例中，分隔壁114將清洗空間113分成第一隔室1132和第二隔室1134。在一些實施例中，第二隔室1134與第一隔室1132相鄰。在一些實施例中，第一隔室1132和第一隔室1132具有實質上相同的容積。在一些實施例中，分隔壁114的底端1142浸沒在清洗液120中以阻擋來自第一隔室1132的最頂部的清洗液120流入第二隔室1134內。在一些實施例中，分隔壁114的底端1142放置在不高於清洗液120的液面122的位置。在一些實施例中，槽罐110的底壁111、側壁112和分隔壁114由耐腐蝕材料製成，例如不銹鋼、鋁或石英。在一些實施例中，分隔壁114因應於第一控制器116而垂直地移動。在一些實施例中，分隔壁114被移動以控制第一隔室1132和第二隔室1134之間的通道115的打開或關閉，其中在晶圓清洗過程中，通道115浸沒在清洗液中。在一些實施例中，晶圓保持器130透過通道115在第一隔室1132和第二隔室1134之間移動。在一些實施例中，第一控制器116是個人電腦、筆記型電腦、工業電腦、處理器，或其他能夠計算的裝置。
複次參照圖1，在一些實施例中，晶圓保持器130適應於浸入清洗液120中並且在第一隔室1132和第二隔室1134之間移動。在一些實施例中，晶圓保持器130可以在垂直和水平方向上移動以因應第二控制器160的控制。因此，晶圓20能夠浸沒在清洗液120中並且可以從第一隔室1132轉移到第二隔室1134。在一些實施例中，第二控制器160是個人電腦、筆記型電腦、工業電腦、處理器或其他能夠計算的裝置。在一些實施例中，分隔壁114和晶圓保持器130可以耦合到同一控制器。
在一些實施例中，流體供應單元140連接到遠離底壁111的側壁112並且配置以將清洗液120提供到槽罐110。在一些實施例中，流體供應單元140包括與清洗空間113連通的入口管線142，以及設置在入口管線142上方用於因應第二控制器160的控制，調節來自流體源(未示出)的清洗液120的流動的一入口閥門144。在一些實施例中，清洗液120從第二隔室1134添加到槽罐110內，以阻擋第一隔室1132中的污染微粒22流入第二隔室1134內。
在一些實施例中，流體返回單元150連接到底壁111。在一些實施例中，流體返回單元150包括與清洗空間113連通的出口管線152，以及設置在出口管線上方因應於第二控制器160的控制以調節清洗液120從槽罐110到廢物處理單元(未示出)的流動的出口閥門154。在一些實施例中，包含污染微粒22的清洗液120透過流體返回單元150被排出。
在一些實施例中，連接到入口閥門144和出口閥門154的第二控制器160經配置以根據預定的設置來控制入口閥144和出口閥154。例如，當清洗液120的污染水平高於一最大水平或者清洗液120的液位低於分隔壁114的底端1142時，入口閥門144和出口閥門154藉由第二控制器160啟動。
在一些實施例中，清洗液120的污染水平和液位可以由設置在罐槽罐110上方並且電連接到第二控制器160的至少一個感測器162檢測。在一些實施例中，感測器162經配置以偵測清洗液120的污染水平和液位，並且產生一檢測訊號以在污染水平達到該最大水平或分隔壁114的底端1142尚未浸入在清洗液120中時， 觸發第二控制器160以啟動入口閥門144和與或輸出閥門154。在一些實施例中，感測器162經設置在第一隔室1132中的側壁112的上方，其中最初放置待清洗的晶圓20。在一些實施例中，在執行檢測過程期間，感測器162和分隔壁114的底端1142可以設置在相同的水平高度。
在一些實施例中，當清洗液120的反射水平(或透射水平)不在期望範圍內時，感測器162可以產生檢測訊號以觸發第二控制器160。例如，如果清洗液120的反射率小於期望範圍，指示清洗液120的污染水平高於最大水平，則第二控制器160打開出口閥154從槽罐110開始排出清洗液120，然後第二控制器160關閉出口閥門154並且打開入口閥門144以將清洗液120添加到槽罐110。在一些實施例中，如果清洗液120的反射率大於所需的範圍，表示分隔壁114的底端1142未浸沒在清洗液120中；因此，第二控制器160打開入口閥門144以將清洗液120添加到槽罐110。在一些實施例中，感測器162可以執行該檢測程序，並且在晶圓20遠離清洗液120移動之後可以透過第二控制器160啟動入口閥門144和(與)或出口閥門154。在一些實施例中，分隔壁114的底端1142可以塗覆有反射器1144，以提高檢測精度。在一些實施例中，反射器1144由耐腐蝕材料製成。
在一些實施例中，清洗裝置10更包括至少一個攪拌產生器170，位於槽罐110的外部並且附接到底壁111。在一些實施例中，攪拌產生器170能夠在一預定頻率下攪動清洗液120，該預定頻率可以在約20KHz至約100KHz的範圍內。由於清潔液120的超音波攪動，附著在晶圓20上的污染微粒22被搖動以遠離晶圓20並且分散在由槽罐100保持的清洗液120中。在一些實施例中，攪拌產生器170振動的頻率可以根據污染微粒22的尺寸而變化。例如，如果污染微粒22具有相對較大的尺寸，則清洗液120以一低頻振盪，從而提高了清洗效率。
在一些實施例中，清洗裝置10更包括放置在清洗空間113內的至少一個氣體供應器180。在一些實施例中，氣體供應器180放置在槽罐110的側壁112的上方；但是，氣體供應器180可以放置在清洗空間113中的任何位置，只要體供應器180浸沒在清洗液120中。在一些實施例中，氣體供應器180放置在第一隔室1132內，其中首先放置待清洗的晶圓20。
在一些實施例中，氣體供應器180經配置以提供氣泡182或壓縮空氣流(未示出)，用於將附著到晶圓20上的污染微粒22移除到清洗液120中，並且引導分散在清洗液120中的污染微粒22向上以防止污染微粒22流入第二隔室1134。在一些實施例中，氣體供應器180提供的氣泡182或壓縮空氣流的流速可根據污染微粒22的大小或根據清洗液120的污染程度來調整。例如，當污染程度增加時，氣體供應器180增加氣泡182的流速以提高清洗效率。
在一些實施例中，清洗裝置10包括分別放置在第一隔室1132和第二隔室1134中的兩個或更多個氣體供應器180，並且氣體供應器180的流速是不同的。例如，放置在第一隔室1132中的氣體供應器180的流速被調節成高於放置在第二隔室1134中的氣體供應器的流速，因此提高了第一隔室1132中的清洗效率。
圖3是例示本揭露一些實施例的清洗晶圓20的清洗方法300的流程圖。圖4至圖12是例示說明本揭露一些實施例在晶圓清洗裝置10中清洗晶圓20的處理階段的示意圖。
參照圖4，根據圖3中的步驟302，提供槽罐110和晶圓保持器130。槽罐110包括分隔壁114，分隔壁114可滑動地安裝在槽罐110的清洗空間113內，並且將清洗空間113並排地分成第一隔室1132和第二隔室1134，以及透過分隔壁114的底部部分形成通道115，因此使得第一隔室1132可與第二隔室1134連通。
在一些實施例中，晶圓保持器130可移動地設置在槽罐100中並且適應於在第一隔室1132和第二隔室1134之間傳送晶圓。在一些實施例中，晶圓保持器130最初從第二隔室1134開始移動到第一隔室1132內，然後在晶圓清洗處理中將晶圓20轉移到第二隔室1134。
參照圖5，在一些實施例中，然後將清洗液120供應到槽罐110，直到如根據圖3中的步驟304，將分隔壁114的一部分和通道115浸沒在清洗液120中。在一些實施例中，清洗液120可以是化學液體或沖洗液體。在一些實施例中，清洗液120包括但不限於去離子水、NH4 OH溶液、H2 O2 溶液、HCl溶液或其組合。在一些實施例中，清洗液120由設置在槽罐110的側壁112上方的流體供應單元140供應。
接下來，根據圖3中的步驟306，在晶圓保持器130上提供待清洗的晶圓20。在一些實施例中，晶圓保持器130經配置以保持並固定待清洗的晶圓20。在一些實施例中，金屬雜質(金屬殘餘物)、微小灰塵或自然氧化物膜(下文中稱為污染微粒22)可附著到晶圓20。
參照圖6，在一些實施例中，根據圖6中的步驟308，攪拌清洗液120。在一些實施例中，清洗液120由位於槽罐110外部並且附接到槽罐110的底壁111的攪拌產生器170攪拌，其中側壁112連接到底壁111並且遠離底壁111延伸。在一些實施例中，清洗液120以超音頻率攪動。
接下來，根據圖3中的步驟310，將氣泡182提供到清洗液120中。在一些實施例中，氣泡182由安裝在槽罐110的側表面112上方的氣體供應器180產生。在一些實施例中，氣泡182包括惰性氣體。在一些實施例中，在將晶圓20浸入清洗液120之前，攪動清洗液120並且將氣泡182提供到清洗液120中。在一些實施例中，清洗液120被攪動並且氣泡182是同時提供到清洗液120中。
參照圖7，在一些實施例中，根據圖3中的步驟312，將晶圓20浸入第一隔室1132中的清洗液120中。因此，附著到晶圓20上的污染微粒22被攪動的清洗液120從晶圓20上搖開並且分散在清洗液120中。在一些實施例中，晶圓20以一預定速度垂直移動(在方向D1)。在一些實施例中，當晶圓20垂直移動時，分隔壁114向下滑動，使得污染微粒22被分隔壁114有效地阻擋。在一些實施例中，分隔壁114以該預定速度滑動。在一些實施例中，分隔壁114的底端1142與晶圓保持器130接觸以防止分散在清洗液120中的污染微粒22流到第二隔室1134。在一些實施例中，污染微粒22分散在清洗液120中並且被氣泡182向上引導，使得污染微粒22被分隔壁114阻擋。
參照圖8，在一些實施例中，根據圖8中的步驟313，攪拌產生器170停止攪動清洗液120，並且氣體供應器180停止供應氣泡182以使晶圓20在靜態清洗液120中停留預設的時間，因此當分隔壁112被提升時，防止污染微粒22流入第二隔室1134。在一些實施例中，在預設的時間內，晶片保持器130可以與底壁111接觸。
參照圖9，在一些實施例中，在預設的時間之後分隔壁114向上滑動，並且根據圖3中的步驟314，將晶圓20從第一隔室1132轉移到第二隔室1134。在一些實施例中，晶圓保持器130從底壁111略微抬起，並且晶圓20以預定速度透過通道115從第一隔室1132水平移動(沿方向D2)從第一隔室1132到第二隔室1134。
參照圖10，在一些實施例中，根據圖3中的步驟316，晶圓20從第二隔室1134中的清洗液120移出。因此，晶圓20被清洗。在一些實施例中，晶圓20以預定速度向上移動，直到它在液面122的上方，如圖11所示。在一些實施例中，在將晶圓20轉移到第二隔室1134之後，為了防止分散在第一隔室1132中的污染微粒22在第三方向D3上垂直移動期間進入第二隔室1134，分隔壁114向下滑動並且與底壁114接觸，如圖10所示。在一些實施例中，在晶圖20移出清洗液20之後，分隔壁114向上滑動，如圖11所示。
在一些實施例中，在將晶圓30從槽罐110移除之後，根據圖3中的步驟318，執行一檢測程序以偵測清洗液120的一染水平和一液位。在一些實施例中，當污染水平達到該最大水平時，含有污染微粒22的清洗液120透過流體返回單元150排出，如圖3所示。在一些實施例中，當清洗液120的該液位低於分隔壁114時，將新的清洗液120注入到槽罐110中。在一些實施例中，檢測程序由設置在槽罐110的側壁112的上方的至少一個感測器162執行。
總而言之，本揭露的晶圓清洗方法可以有效地防止留在清洗液120中的污染微粒22重新附著到晶圓20，因此提高晶圓的產量和可靠性。
本揭露提供一種晶圓清洗裝置，包括一槽罐和一晶圓保持器。該槽罐包括一底壁、一側壁以及一分隔壁。該側壁連接到該底壁。該分隔壁可移動地安裝在該底壁的上方，並且該分隔壁將該底壁和該側壁定義的一清洗空間分成一第一隔室和一第二隔室。當該分隔壁遠離該底壁移動時，形成該第一隔室和該第二隔室連通的一通道，並且在一晶圓清洗過程中，該通道浸沒在該清洗空間的一清洗液中。該晶圓保持器，適應於浸入清洗液中並且在該第一隔室和該第二隔室之間移動。
本揭露另提供一種晶圓的清洗方法，包括供應一清洗液到一槽罐，該槽罐包括用於將該槽罐分成一第一隔室和一第二隔室的一可移動的分隔壁；放置該晶圓在一晶圓保持器中，該晶圓保持器適應於在該第一隔室和該第二隔室之間轉移該晶圓，其中該晶圓保持器最初位於該第一個隔室內；浸入該分隔壁到清洗液中，浸入該晶圓到該第一隔室內的該清洗液中；提升該分隔壁的一部分以連通該第一隔室和該第二隔室；將該晶圓從該第一隔室轉移到該第二隔室；以及從該第二隔室內的該清洗液中移開該晶圓。
雖然已詳述本揭露及其優點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多製程，並且以其他製程或其組合替代上述的許多製程。
再者，本申請案的範圍並不受限於說明書中所述之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法與步驟之特定實施例。該技藝之技術人士可自本揭露的揭示內容理解可根據本揭露而使用與本文所述之對應實施例具有相同功能或是達到實質相同結果之現存或是未來發展之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟。據此，此等製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟係包含於本申請案之申請專利範圍內。
10:晶圓清洗裝置 20:晶圓 22:微粒 72:NA 110:槽罐 111:底壁 112:側壁 113:清洗空間 114:分隔壁 115:通道 116:第一控制器 120:清洗液 122:液面 130:晶圓保持器 140:流體供應單元 142:入口管線 144:入口閥門 150:流體返回單元 152:出口管線 154:出口閥門 160:第二控制器 162:感測器 170:攪拌產生器 180:氣體供應器 182:氣泡 300:方法 302:步驟 304:步驟 306:步驟 308:步驟 310:步驟 312:步驟 313:步驟 314:步驟 316:步驟 318:步驟 1132:第一隔室 1134:第二隔室 1142:底端 1144:反射器 D1:方向 D2:方向 D3:方向
參閱實施方式與申請專利範圍合併考量圖式時，可得以更全面了解本申請案之揭示內容，圖式中相同的元件符號係指相同的元件。 圖1是示意圖，例示本揭露一些實施例的清洗裝置。 圖2是頂視圖，例示本揭露一些實施例圖1之清洗裝置的槽罐。 圖3是流程圖，例示本揭露一些實施例的晶圓的清洗方法。 圖4至圖12是示意圖，例示說明本揭露一些實施例在晶圓清洗裝置中清洗晶圓的處理階段。
10:晶圓清洗裝置
20:晶圓
110:槽罐
111:底壁
112:側壁
113:清洗空間
114:分隔壁
115:通道
116:第一控制器
122:液面
130:晶圓保持器
140:流體供應單元
142:入口管線
144:入口閥門
150:流體返回單元
152:出口管線
154:出口閥門
160:第二控制器
162:感測器
180:氣體供應器
1132:第一隔室
1134:第二隔室
1144:反射器

Claims (16)

  1. 一種晶圓清洗裝置，包括： 一槽罐，包括一底壁、連接到該底壁的一側壁、可移動地安裝在該底壁上方的一分隔壁，該分隔壁將該底壁和該側壁定義的一清洗空間分成一第一隔室和一第二隔室，其中當該分隔壁遠離該底壁移動時，形成與該第一隔室和該第二隔室連通的一通道，並且在一晶圓清洗過程，該通道浸沒在該清洗空間的一清洗液中；以及 一晶圓保持器，適應於浸入該清洗液中並且在該第一隔室和該第二隔室之間移動。
  2. 如請求項1所述的晶圓清洗裝置，其中該第二隔室與該第一隔室相鄰。
  3. 如請求項1所述的晶圓清洗裝置，更包括至少一個控制器電耦合到該晶圓保持器和該分隔壁，其中該晶圓保持器因應於該控制器的控制垂直和水平移動，並且該分隔壁因應於該控制器的控制，相對於該底壁移動。
  4. 如請求項3所述的晶圓清洗裝置，更包括： 一流體供應單元，設置在該槽罐的上方並且電連接到該控制器，其中該流體供應單元經配置以將該清洗液提供給該槽罐；以及 一流體返回單元，設置在該槽罐的上方並且電連接到該控制器，其中該流體返回單元經配置以從該槽罐中排出該清洗液。
  5. 如請求項4所述的晶圓清洗裝置，更包括至少一個感測器，該感測器設置在該槽罐的上方並且電耦合到該控制器，其中該感測器經配置以檢測該清洗液的一污染水平和一液位。
  6. 如請求項1所述的晶圓清洗裝置，更包括一攪拌產生器，該攪拌產生器位於該槽罐的外部並且附接到該底壁，其中該攪拌產生器經配置以攪拌該清洗液。
  7. 如請求項1所述的晶圓清洗裝置，更包括一氣體供應器，該氣體供應器放置在該清洗空間內並且經配置以對該清洗液提供氣泡。
  8. 如請求項1所述的晶圓清洗裝置，其中該底壁、該側壁和該分隔壁由一耐腐蝕材料製成。
  9. 如請求項1所述的晶圓清洗裝置，其中該第一隔室和該第二隔室具有實質上相同的容積。
  10. 一種晶圓的清洗方法，包括： 供應一清洗液到一槽罐，該槽罐包括用於將該槽罐分成一第一隔室和一第二隔室的一可移動的分隔壁； 放置該晶圓在一晶圓保持器中，該晶圓保持器適應於在該第一隔室和該第二隔室之間轉移該晶圓，其中該晶圓保持器最初位於該第一個隔室內； 浸入該分隔壁到清洗液中，浸入該晶圓到該第一隔室內的該清洗液中； 提升該分隔壁的一部分以連通該第一隔室和該第二隔室； 將該晶圓從該第一隔室轉移到該第二隔室；以及 從該第二隔室內的該清洗液中移開該晶圓。
  11. 如請求項10所述的清洗方法，更包括： 在提升該分隔壁的部分之前，將晶圓放置在該清洗液中一預設的時間；以及 在晶圓轉移到該第二隔室之後，將該分隔壁的一部分浸入該清洗液中。
  12. 如請求項11所述的清洗方法，更包括在將晶圓放置在清洗液中之前攪拌該清洗液以產生一攪拌的清洗液。
  13. 如請求項12所述的清洗方法，其中該清洗液以一超音波頻率攪拌。
  14. 如請求項11所述的清洗方法，更包括在將該晶圓放置在該清洗液中之前在清洗液中提供氣泡。
  15. 如請求項10所述的清洗方法，更包括： 偵測該液體的一污染水平；以及 當該污染水平達到一最大水平時，從該槽罐排出該清洗液。
  16. 如請求項10所述的清洗方法，更包括： 偵測該液體的一液位；以及 當該液位低於該分隔壁時，添加新的清洗液到該槽罐，直到部份的該分隔壁浸沒在該清洗液中。
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