TW202019255A - 可撓式陣列基板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種可撓式陣列基板，包含第一可撓層、多條第一立體導線設置於第一可撓層上、第一絕緣層設置於第一可撓層上覆蓋第一立體導線、第二可撓層設置於第一絕緣層上、多條第二立體導線位於第二可撓層與第一絕緣層之間、第二絕緣層設置於第二可撓層與第一絕緣層之間、以及主動元件陣列設置於第二可撓層上。主動元件陣列電性連接對應的第一立體導線與第二立體導線。一種可撓式陣列基板的製造方法亦被提出。

Description

可撓式陣列基板及其製造方法

本發明是有關於一種陣列基板，且特別是有關於一種可撓式陣列基板。

隨著顯示科技的發展，顯示面板應用範圍日益廣泛。舉例而言，在早期，顯示面板多用做電子裝置（例如：電視、電腦、手機等）的螢幕，而應用在電子裝置上的顯示面板多為硬質顯示面板。相較於硬質顯示面板，可撓式顯示面板具有可撓曲及耐衝擊等特性。因此，可撓式顯示面板為未來顯示面板領域的發展趨勢。

可撓式顯示面板需具備相當的可彎曲能力。換言之，當可撓式顯示面板彎曲時，可撓基板上的構件（例如：薄膜電晶體、訊號線等）需隨之彎曲並維持正常功能。然而，習知的薄膜金屬導線的耐彎性不佳，因此當可撓式顯示面板大幅度的彎曲時，薄膜金屬製的訊號線往往容易斷裂，導致可撓式顯示面板失效。

本發明之一實施例的可撓式陣列基板的製造方法，包含以下步驟。形成第一可撓層於第一基底。形成多條第一導線材料層於第一可撓層上。分離第一可撓層與第一基底使得這些第一導線材料層分別轉為多條第一立體導線。將第一可撓層以及這些第一立體導線設置於第一載板上。形成第一絕緣層於這些第一立體導線上。於第一絕緣層形成多個第一接觸洞以連接這些第一立體導線。形成第二可撓層於第二基底。形成多條第二導線材料層於第二可撓層上。分離第二可撓層與第二基底使得這些第二導線材料層分別轉為多條第二立體導線。將第二可撓層設置於第二載板。形成第二絕緣層於這些第二立體導線上。於第二絕緣層形成多個第二接觸洞分別連接這些第一接觸洞。接合第一絕緣層及第二絕緣層使得這些第一立體導線與這些第二立體導線相對設置。移除第二載板。於第二可撓層形成多個第三接觸洞以連接這些第二立體導線。形成離形層及主動元件陣列於第三基底上。接合主動元件陣列及第二可撓層。以及，移除第三基底。主動元件陣列電性連接對應的第一立體導線與第二立體導線。

本發明之一實施例的可撓式陣列基板，包含第一可撓層、多條第一立體導線設置於第一可撓層上、第一絕緣層設置於第一可撓層上，覆蓋這些第一立體導線、第二可撓層設置於第一絕緣層上、多條第二立體導線，位於第二可撓層與第一絕緣層之間、第二絕緣層設置於第二可撓層與第一絕緣層之間、以及主動元件陣列設置於第二可撓層上，且主動元件陣列電性連接對應的第一立體導線與第二立體導線。

基於上述，在本發明一實施例的可撓式陣列基板及/或其製造方法中，由於可以分別形成立體導線以及主動元件陣列，再透過簡單的轉移製程進行對組，因此可以簡化可撓式陣列基板的製造工藝、節省可撓式陣列基板的製造成本並提升製造良率。此外，可撓式陣列基板的各第一立體導線與各第二立體導線呈立體波浪形狀。如此一來，可以大幅改善導線的耐拉伸應變量，並於撓曲或拉伸時避免導線斷線，提升可撓式陣列基板的可靠度。此外，還可以提升可撓式陣列基板的耐衝擊的特性，以進一步提升可撓式陣列基板的可靠度。因此，可撓式陣列基板的品質可大幅提升。

本發明之目的之一係為簡化可撓式陣列基板的製造工藝。

本發明之目的之一係為節省可撓式陣列基板的製造成本。

本發明之目的之一係為提升可撓式陣列基板的製造良率。

本發明之目的之一係為改善導線的耐拉伸應變量。

本發明之目的之一係為避免導線斷線。

本發明之目的之一係為提升可撓式陣列基板的可靠度。

本發明之目的之一係為提升可撓式陣列基板的品質。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件”上”或”連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為”直接在另一元件上”或”直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，”連接”可以指物理及/或電性連接。再者，”電性連接”或”耦合”係可為二元件間存在其它元件。

應當理解，儘管術語”第一”、”第二”、”第三”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的”第一元件”、”部件”、”區域”、”層”或”部分”可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。

除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

圖1A至圖1E為本發明一實施例的可撓式陣列基板的製造方法的剖面示意圖，為了方便說明及觀察，僅示意性地繪示部分構件。圖2A至圖2D為本發明一實施例的可撓式陣列基板的製造方法的剖面示意圖，為了方便說明及觀察，僅示意性地繪示部分構件。此外，本案圖示中的各分層或元件的厚度或比例做適度地放大或縮小，並不代表各分層或元件的實際厚度或比例。請先參考圖1A，在本實施例中，可撓式陣列基板10（標示於圖4D）的製造方法包含以下步驟。首先，形成第一可撓層120於第一基底110上。在本實施例中，第一基底110的材質例如為玻璃，但本發明不限於此。在其他實施例中，第一基底110也可以使用其他適當材料，例如：石英、有機聚合物等。

第一可撓層120例如為可撓性基板，材質可選用有機聚合物，例如：聚醯亞胺（polyimide；PI）、聚萘二甲酸乙醇酯（polyethylene naphthalate；PEN）、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate；PET）、聚碳酸酯（polycarbonates；PC）、聚醚碸（polyether sulfone；PES）或聚芳基酸酯（polyarylate），或其它合適的材料、或前述至少二種材料之組合。在本實施例中，第一可撓層120係先透過應力進行預拉伸，再設置於第一基底110上。換句話說，第一可撓層120是處於繃緊的條件下，設置於第一基底110上。

請參考圖1B及圖1C，接著，於形成第一導線材料層130A的步驟前，先對第一可撓層120進行表面處理（未繪示），以形成多個強接合區122以及至少一弱接合區124。舉例而言，可在預拉伸的第一可撓層120上設置一層圖案化光罩（未繪示）。接著，透過光照射製程，例如紫外光照射，照射暴露的第一可撓層120的表面，以在第一可撓層120的表面上形成多個具高表面能量的強接合區122，未受到光照射的表面則形成弱接合區124。

請參考圖1C，接著，形成多條第一導線材料層130A於第一可撓層120上。多條第一導線材料層130A彼此平行，且於垂直第一可撓層120的方向上，重疊多個強接合區122以及弱接合區124。形成第一導線材料層130A之方式包括，透過網版印刷法（screen printing）或噴墨印刷法（ink jet printing，IJP），將第一導線材料層130A設置於第一可撓層120上。在本實施例中，第一導線材料層130A之材料包含鉬或銀，但本發明不以此為限。

在其他實施例中，於形成第一導線材料層130A的步驟後，還包含乾燥或烘烤第一導線材料層130A的製程，但本發明不以此為限。

值得注意的是，請參考圖1C及圖1D，分離第一可撓層120與第一基底110，使得多條第一導線材料層130A分別轉為多條第一立體導線130。具體而言，由於形成第一導線材料層130A時，第一可撓層120係預拉伸的膜層。因此，於第一可撓層120分離第一基底110後，第一可撓層120會釋放預拉伸所提供的應力，而返回拉伸前的狀態。如此，第一可撓層120可從繃緊而擴張的尺寸，返回至小於擴張時的非擴張尺寸。在上述的設置下，第一導線材料層130A可受到推擠的應力，使得重疊弱接合區124的第一導線結構130A之多個部分於垂直第一基底110的方向上彎折並遠離第一可撓層120，如圖1D所示。重疊強接合區122的第一導線結構130A之其他部分仍牢固地接觸第一可撓層120。如此一來，可以簡單地將第一導線結構130A轉為具有立體波浪形狀的第一立體導線130，以簡化製程、節省製造成本並提升製造良率。

在本實施例中，第一立體導線130具有多個第一波峰132及多個第一波谷134。詳細而言，弱接合區124對應這些第一波峰132，且這些強接合區122分別對應這些第一波谷134。換句話說，第一波峰132於垂直第一基底110的方向上彎折且不接觸於第一可撓層120，而第一波谷134接觸第一可撓層120，但本發明不以此為限。在本實施例中，第一立體導線130的厚度為0.1微米至5微米，且第一立體導線130的線寬為1微米至200微米，但本發明不以此為限。在上述的設置下，第一立體導線130於彎折出第一波峰134時，可以避免第一立體導線130斷線，因此可提升第一立體導線130的可靠度、製造良率及品質。

請繼續參考圖1D，然後，將第一可撓層120以及第一立體導線130設置於第一載板110A上。接著，形成第一絕緣層140於第一立體導線130上。在本實施例中，第一載板110A的材質例如為玻璃，但本發明不限於此。在其他實施例中，第一載板110A也可以使用其他適當材料，例如：石英、有機聚合物等。第一絕緣層140的材質例如為可撓性的高分子材料，例如：聚醯亞胺（polyimide；PI）、聚萘二甲酸乙醇酯（polyethylene naphthalate；PEN）、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate；PET）、聚碳酸酯（polycarbonates；PC）、聚醚碸（polyether sulfone；PES）或聚芳基酸酯（polyarylate），或其它合適的材料、或前述至少二種材料之組合。在一些實施例中，第一絕緣層140可以為紫外光膠。

形成第一絕緣層140的方式包括先塗佈液態的可撓性高分子材料於第一可撓層120及第一立體導線130上，再經過固化程序將第一立體導線130包封保護於第一絕緣層140中，但本發明不以此為限。

請參考圖1E，接著，於第一絕緣層140形成多個第一接觸洞152以連接多條第一立體導線130。舉例而言，形成多個第一接觸洞152的方式包括透過黃光微影蝕刻或物理鑽孔的技術，於第一絕緣層140中形成多個第一接觸洞152。這些第一波谷134分別對應這些第一接觸洞152的位置設置。具體而言，第一接觸洞152係在垂直第一載板110A的方向上，重疊第一波谷134。第一接觸洞152中可以填入導電材料152a以作為導電通孔（via）使用，但本發明不以此為限。導電材料一般是使用金屬材料，但本發明不限於此，根據其他實施例，第一接觸洞152中也可以填入其他導電材料，例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物或上述材料的組合，本發明不以此為限。

請參考圖2A，形成第二可撓層220於第二基底210上。在本實施例中，第二基底210的材質例如為玻璃，但本發明不限於此。在其他實施例中，第二基底210也可以使用其他適當材料，例如：石英、有機聚合物等。

第二可撓層220與第一可撓層120相似，例如為可撓性基板，材質可選用有機聚合物，例如：聚醯亞胺（polyimide；PI）、聚萘二甲酸乙醇酯（polyethylene naphthalate；PEN）、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate；PET）、聚碳酸酯（polycarbonates；PC）、聚醚碸（polyether sulfone；PES）或聚芳基酸酯（polyarylate），或其它合適的材料、或前述至少二種材料之組合。在本實施例中，第二可撓層220係先透過應力進行預拉伸，再設置於第二基底210上。換句話說，第二可撓層220是處於繃緊的條件下，設置於第二基底210上。

請參考圖2B，接著，於形成第二導線材料層230A的步驟前，先對第二可撓層220進行表面處理（未繪示），以形成多個強接合區222以及至少一弱接合區224。舉例而言，可在預拉伸的第二可撓層220上設置一層圖案化光罩（未繪示）。接著，透過光照射製程，例如紫外光照射，照射暴露的第二可撓層220的表面，以在第二可撓層220的表面上形成多個具高表面能量的強接合區222。未受到光照射的表面則形成弱接合區224。

請參考圖2B，接著，形成多條第二導線材料層230A於第二可撓層220上。多條第二導線材料層230A彼此平行，且於垂直第二可撓層220的方向上，重疊多個強接合區222以及弱接合區224。形成第二導線材料層230A之方式包括，透過網版印刷法（screen printing）或噴墨印刷法（ink jet printing，IJP），將第二導線材料層230A設置於第二可撓層220上。在本實施例中，第二導線材料層230A之材料包含鉬或銀，但本發明不以此為限。

在其他實施例中，於形成第二導線材料層230A的步驟後，還會包含乾燥或烘烤第二導線材料層230A的製程，但本發明不以此為限。

值得注意的是，請參考圖2B及圖2C，分離第二可撓層220與第二基底210，使得多條第二導線材料層230A分別轉為多條第二立體導線230。具體而言，由於形成第二導線材料層230A時，第二可撓層220係預拉伸的膜層。因此，於第二可撓層220分離第二基底210後，第二可撓層220會釋放預拉伸所提供的應力，而返回拉伸前的狀態。如此，第二可撓層220可從繃緊而擴張的尺寸，返回至小於擴張時的非擴張尺寸。在上述的設置下，第二導線材料層230A可受到推擠的應力，使得重疊弱接合區224的第二導線結構230A之多個部分於垂直第二基底210的方向上彎折並遠離第二可撓層220，如圖2C所示。重疊強接合區222的第二導線結構230A仍牢固地接觸第二可撓層220。如此一來，可以簡單地將第二導線結構230A轉為具有立體波浪形狀的第二立體導線230，以簡化製程、節省製造成本並提升製造良率。

在本實施例中，第二立體導線230具有多個第二波峰232及多個第二波谷234。詳細而言，弱接合區224對應這些第二波峰232，且這些強接合區222分別對應這些第二波谷234。換句話說，第二波峰232於垂直第二基底210的方向上彎折且不接觸於第二可撓層220，而第二波谷234接觸第二可撓層220，但本發明不以此為限。在本實施例中，第二立體導線230的厚度為0.1微米至5微米，且第二立體導線230的線寬為1微米至200微米，但本發明不以此為限。在上述的設置下，第二立體導線230於彎折出第二波峰234時，可以避免第二立體導線230斷線，因此可提升第二立體導線230的可靠度、製造良率及品質。

請繼續參考圖2C，然後，將第二可撓層220以及第二立體導線230設置於第二載板210A上。接著，形成第二絕緣層240於第二立體導線230上。在本實施例中，第二載板210A的材質例如為玻璃，但本發明不限於此。在其他實施例中，第二載板210A也可以使用其他適當材料，例如：石英、有機聚合物等。第二絕緣層240的材質例如為可撓性的高分子材料，例如：聚醯亞胺（polyimide；PI）、聚萘二甲酸乙醇酯（polyethylene naphthalate；PEN）、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate；PET）、聚碳酸酯（polycarbonates；PC）、聚醚碸（polyether sulfone；PES）或聚芳基酸酯（polyarylate），或其它合適的材料、或前述至少二種材料之組合。在一些實施例中，第二絕緣層240可以為紫外光膠。

形成第二絕緣層240的方式包括先塗佈液態的可撓性高分子材料於第二可撓層220及第二立體導線230上，再經過固化程序將第二立體導線230包封保護於第二絕緣層240中，但本發明不以此為限。

請參考圖2D，接著，於第二絕緣層240形成多個第二接觸洞252。這些第二接觸洞252分別對應這些第一接觸洞152，以於後續的製程中，使這些第二接觸洞252分別對應連接這些第一接觸洞152。在本實施例中，形成多個第二接觸洞252的方式包括透過黃光微影蝕刻或物理鑽孔的技術，於第二絕緣層240中形成多個第二接觸洞252。於垂直第二基底210的方向上，第二接觸洞252位於第二立體導線230的輪廓外，且第二接觸洞252與第二立體導線230電性絕緣。第二接觸洞252中可以填入導電材料252a以作為導電通孔（via）使用，但本發明不以此為限。導電材料一般是使用金屬材料，但本發明不限於此，根據其他實施例，第二接觸洞252中也可以填入其他導電材料，例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物或上述材料的組合，本發明不以此為限。

圖3A為本發明一實施例的第一立體導線及第二立體導線的立體透視示意圖，圖3A為了方便說明及觀察，僅示意性地繪示部分構件而省略繪示第一載板110A及第二載板210A。圖3B為圖3A沿剖面線A-A’的第一立體導線及第二立體導線的剖面示意圖。圖3C為圖3A沿剖面線B-B’的第一立體導線及第二立體導線的剖面示意圖。請參考圖3A、圖3B以及圖3C，接著，進行轉移製程，接合第一絕緣層140及第二絕緣層240使得這些第一立體導線130與這些第二立體導線230相對設置。舉例而言，將圖2D的第二可撓層220及第二絕緣層240翻轉後，將第二絕緣層240接合至第一可撓層220上的第一絕緣層240。換句話說，可撓層140、240及對應的立體導線130、230位於第一載板110A與第二載板210A之間（繪示於圖3B及圖3C）。

在本實施例中，第一立體導線130與第二立體導線230分屬不同膜層且彼此相交設置。舉例而言，第一立體導線130延伸的方向垂直於第二立體導線230延伸的方向，但本發明不以此為限。另外，第一波峰132係往第二絕緣層240凸起，而第二波峰232係往第一絕緣層140凸起，但本發明不以此為限。

請參考圖3A及圖3B，在本實施例中，這些第二接觸洞252分別連接這些第一接觸洞152。舉例而言，第二接觸洞252可在垂直第一載板110A的方向上重疊第一接觸洞152以及第一波谷134。各第一波谷134分別與對應之第一接觸洞152具有最短距離d1。詳細而言，最短距離d1例如為第一接觸洞152與第一波谷134輪廓的邊緣之間的距離，其中0微米≦d1≦2000微米。如此，第一接觸洞152在垂直第一載板110A的方向上不會重疊第二立體導線230，而偏離第二立體導線230。因此，於後續的製程中，可以透過第二接觸洞252導通第一立體導線130的訊號，且第二接觸洞252不接觸第二立體導線230。此外，在垂直第一載板110A的方向上，第一波峰132與第二波峰232實質上可以相對設置並重疊，但本發明不以此為限。在其他實施例中，依使用者的需求，第一波峰132也可以不重疊第二波峰232。

請參考圖3A及圖3C，在本實施例中，以入射剖視圖的方向觀察，第二接觸洞252不重疊第二波谷234，且第二接觸洞252部分重疊第二波峰232。如圖3C所示，第二接觸洞252會位於第二波峰232的後方而不接觸第二立體導線230。

在本實施例中，第一立體導線130與第二立體導線230例如為訊號線，包括資料線、掃描線、共用電極線、電源線或其他適合的導線，本發明不以此為限。以下實施例是以第一立體導線130與第二立體導線230分別為資料線或掃描線為例進行說明。

在上述的設置下，本實施利的可撓式陣列基板10（繪示於圖4D），可以先透過分別製作可撓層120、220並在可撓層120、220上形成立體導線130、230，再透過簡單的轉移製程將可撓層120、220對組，以得到交錯設置的立體導線130、230。因此，可以簡化立體導線130、230的製造工藝、節省製造成本並提升製造良率。

圖3D為本發明一實施例的第三接觸洞的剖面示意圖。圖3D所繪示的剖面示意圖為沿著圖3A及圖3C所示的剖面線B-B’所接續進行製程的剖面。請參考圖3D，接著，移除第二載板210A。然後，於第二可撓層220形成多個第三接觸洞254以連接第二立體導線230。舉例而言，形成多個第三接觸洞254的方式包括透過黃光微影蝕刻或物理鑽孔的技術，於第二可撓層220中形成多個第三接觸洞254。這些第二波谷234分別對應這些第三接觸洞254的位置設置。具體而言，第三接觸洞254係在垂直第一載板110A的方向上，重疊第二波谷234。第三接觸洞254中可以填入導電材料254a以作為導電通孔（via）使用，但本發明不以此為限。導電材料一般是使用金屬材料，但本發明不限於此，根據其他實施例，第三接觸洞254中也可以填入其他導電材料，例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物或上述材料的組合，本發明不以此為限。

各第二波谷234分別與對應之第三接觸洞254具有最短距離d2。詳細而言，最短距離d2例如為第三接觸洞254與第二波谷234輪廓的邊緣之間的距離，其中0微米≦d2≦2000微米。如此，第三接觸洞254在垂直第一載板110A的方向上不會重疊第一接觸洞152及第二接觸洞252。因此，於後續的製程中，第三接觸洞254不會接觸第二接觸洞252，以避免短路。如此，於後續的製程中，可以透過第三接觸洞254傳遞第二立體導線230的訊號。

圖4A至圖4D為本發明一實施例的可撓式陣列基板的製造方法的剖面示意圖。圖4A至圖4D所繪示的剖面示意圖為沿著圖3A及圖3B所示的剖面線A-A’所接續進行製程的剖面。請參考圖3D及圖4A，可撓式陣列基板的製造方法更包含，在移除第二載板210A後，於形成這些第三接觸洞254的同時，於第二可撓層220形成多個第四接觸洞256。這些彼此對應的第一接觸洞152、第二接觸洞252以及第四接觸洞256構成多個通孔150。

在本實施例中，形成多個第四接觸洞256的方式包括透過黃光微影蝕刻或物理鑽孔的技術，於第二可撓層220中形成多個第四接觸洞256。第四接觸洞256係在垂直第一載板110A的方向上，重疊第一接觸洞152以及第二接觸洞252。第四接觸洞256中可以填入導電材料256a並與第一接觸洞152及第二接觸洞252電性連接以形成通孔150，但本發明不以此為限。導電材料一般是使用金屬材料，但本發明不限於此，根據其他實施例，第四接觸洞256中也可以填入其他導電材料，例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物或上述材料的組合，本發明不以此為限。

請參考圖4B，接著，形成離形層320及主動元件陣列330於第三基底310上。在本實施例中，離形層320先形成在第三基底310上，接著再形成主動元件陣列330於離形層320上。第三基底310的材質例如為玻璃，但本發明不限於此。在其他實施例中，第三基底310也可以使用其他適當材料，例如：石英、有機聚合物等。離形層320的材質可以是聚合物、有機材料、無機材料或其組合。在其他實施例中，離形層320可包括固態、液態或是凝膠態。

主動元件陣列330包含多個薄膜電晶體T（thin film transistor，TFT）。薄膜電晶體T例如為低溫多晶矽薄膜電晶體（low temperature poly-Si，LTPS）或非晶矽薄膜電晶體（amorphous Si，a-Si），但本發明不以此為限。

舉例而言，各薄膜電晶體T包含半導體通道層（未繪示）、閘極（未標示）以及與半導體通道層電性連接的源極（未繪示）與汲極（未繪示）。半導體通道層可為單層或多層結構，其包含非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料（例如：銦鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或是其它合適的材料、或上述之組合）、或其它合適的材料、或含有摻雜物（dopant）於上述材料中、或上述之組合，但本發明不以此為限。在一些實施例中，以頂閘型薄膜電晶體T為例，但不限於此。於其它實施例中，薄膜電晶體T亦可為底閘型薄膜電晶體T。

如圖4B所繪示的薄膜電晶體T，實際上是薄膜電晶體T的閘極（未標示）。閘極、源極與汲極可使用金屬材料製作，但本發明不限於此，根據其他實施例，閘極也可以使用其他適當的導電材料。例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。

接著，進行轉移製程，將第三基底310、離形層320及主動元件陣列330翻轉後，接合主動元件陣列330及第二可撓層220。在本實施例中，於上述接合的步驟前，可撓式陣列基板的製造方法還包括形成第三絕緣層340於第二可撓層220上，並在第三絕緣層340形成多個第五接觸洞258。從另一個角度來看，第三絕緣層340位於主動元件陣列330與第二可撓層220之間，且主動元件陣列330設置於第二可撓層220以及離形層320之間。第三絕緣層340及第五接觸洞258的材質及形成方法與第一絕緣層140及第一接觸洞152的材質及形成方法相似，於此不再贅述。在一些實施例中，也可以省去第三絕緣層340而將主動元件陣列330直接接觸第二可撓層220，但本發明不以此為限。以下將以可撓式陣列基板包含第三絕緣層340及第五接觸洞258為例進行說明。

在本實施例中，通孔150可更包括第五接觸洞258。第五接觸洞258分別連接這些第四接觸洞256以及薄膜電晶體T的閘極。如此，各閘極可藉由對應之通孔150電性連接對應之第一立體導線130，以使第一立體導線130的訊號可以導通至薄膜電晶體T。此外，在一些未繪示的實施例中，這些第五接觸洞258也可以分別連接這些第三接觸洞254以及薄膜電晶體T的源極。如此，各源極藉由對應之第三接觸洞254電性連接對應之第二立體導線230，以使第二立體導線230的訊號可以傳遞至薄膜電晶體T。

請參考圖4B及圖4C，然後，移除第三基底310。在本實施例中，由於主動元件陣列330的薄膜電晶體T可藉由通孔150分別電性連接第一立體導線130，且主動元件陣列330可透過第三接觸洞254及第五接觸洞258電性連接第二立體導線230。因此，可以達成分別形成立體導線130、230以及主動元件陣列330，再透過簡單的轉移製程進行對組，以簡化可撓式陣列基板的製造工藝、節省可撓式陣列基板的製造成本並提升製造良率。

請參考圖4C及圖4D，可撓式陣列基板10的製造方法更包含形成有機發光二極體陣列400於主動元件陣列330上以及形成保護層460於有機發光二極體陣列400上。在本實施例中，有機發光二極體陣列400包含多個有機發光二極體420（organic light-emitting diode，OLED）。有機發光二極體420可為多層結構，包括電洞注入層（hole injection layer，HIL）、電洞傳輸層（hole transfer layer，HTL）和發光層（emission layer，EL）以及電極。圖4D為了方便說明及清楚表示，僅以一層結構表示。在其他實施例中，有機發光二極體420也可以為微型發光二極體（micro LED）、次毫米發光二極體（mini LED）以及量子點發光二極體（quantum dot），本發明不以此為限。

在本實施例中，該些有機發光二極體420分別透過導電結構440電性連接至對應之薄膜電晶體T。舉例而言，可在形成有機發光二極體陣列400的步驟前，先在離形層320中形成導電結構440。從另一個角度來看，導電結構440設置於有機發光二極體陣列400與第三絕緣層340之間。導電結構440的材料與形成方法與接觸洞152、252、254、256、258相似，於此不再贅述。在一些實施例中，導電結構440可電性連接薄膜電晶體T的汲極，以將第一立體導線130的訊號導通至有機發光二極體陣列400，但本發明不以此為限。

最後，分離第一可撓層120以及第一載板110A，以完成可撓式陣列基板10。

值得注意的是，可撓式陣列基板10的各第一立體導線130與各第二立體導線230呈立體波浪形狀。此外，在上述的設置下，進一步將第一立體導線130及第二立體導線230的厚度設為0.1微米至5微米，且第一立體導線130及第二立體導線230的線寬設為1微米至200微米。因此，各第一立體導線130與各第二立體導線230的耐拉伸應變量大於或等於200%。換句話說，第一立體導線130與第二立體導線230的耐拉伸應變量遠大於立體導線130、230的導線材料的物理斷裂極限。如此一來，可以大幅改善導線的耐拉伸應變量並避免導線斷線，提升可撓式陣列基板10的可靠度。此外，還可以提升可撓式陣列基板10的可撓曲及耐衝擊的特性，以進一步提升可撓式陣列基板10的可靠度及品質。

簡言之，由於本發明一實施例的可撓式陣列基板10的製造方法，可以分別形成立體導線130、230以及主動元件陣列330，再透過簡單的轉移製程進行對組，因此可以簡化可撓式陣列基板10的製造工藝、節省可撓式陣列基板的製造成本並提升製造良率。此外，可撓式陣列基板10的各第一立體導線130與各第二立體導線230呈立體波浪形狀。因此，各第一立體導線130與各第二立體導線230的耐拉伸應變量大於或等於200%。換句話說，第一立體導線130與第二立體導線230的耐拉伸應變量遠大於立體導線130、230的導線材料的物理斷裂極限。如此一來，可以大幅改善導線的耐拉伸應變量，並於撓曲或拉伸時避免導線斷線，提升可撓式陣列基板10的可靠度。此外，還可以提升可撓式陣列基板10的耐衝擊的特性，以進一步提升可撓式陣列基板10的可靠度。因此，可撓式陣列基板10的品質可大幅提升。

於結構上，可撓式陣列基板10包含第一可撓層120、多條第一立體導線130設置於第一可撓層120上、第一絕緣層140設置於第一可撓層120上、第二可撓層220設置於第一絕緣層140上、多條第二立體導線230位於第二可撓層220與第一絕緣層140之間、第二絕緣層240設置於第二可撓層220與第一絕緣層240之間以及主動元件陣列330設置於第二可撓層220上。在本實施例中，第一絕緣層140覆蓋這些第一立體導線130，且主動元件陣列330電性連接對應的第一立體導線130與第二立體導線230。可撓式陣列基板10的第一絕緣層140具有多個第一接觸洞152，第二絕緣240層具有多個第二接觸洞252，且第二可撓層220具有多個第三接觸洞254以及多個第四接觸洞256。第一接觸洞152、第二接觸洞252以及第四接觸洞256構成通孔150。主動元件陣列330包含多個薄膜電晶體T，且這些薄膜電晶體T的閘極藉由對應之這些通孔150電性連接對應之這些第一立體導線130。薄膜電晶體T的源極藉由對應之這些第三接觸洞254電性連接對應之這些第二立體導線230。在本實施例中，可撓式陣列基板10更包含有機發光二極體陣列400設置於主動元件陣列330上。

綜上所述，本發明一實施例的可撓式陣列基板及其製造方法，由於可以分別形成立體導線以及主動元件陣列，再透過簡單的轉移製程進行對組，因此可以簡化可撓式陣列基板的製造工藝、節省可撓式陣列基板的製造成本並提升製造良率。此外，可撓式陣列基板的各第一立體導線與各第二立體導線呈立體波浪形狀。因此，各第一立體導線與各第二立體導線的耐拉伸應變量大於或等於200%。換句話說，第一立體導線與第二立體導線的耐拉伸應變量遠大於立體導線的導線材料的物理斷裂極限。如此一來，可以大幅改善導線的耐拉伸應變量，並於撓曲或拉伸時避免導線斷線，提升可撓式陣列基板的可靠度。此外，還可以提升可撓式陣列基板的耐衝擊的特性，以進一步提升可撓式陣列基板的可靠度。因此，可撓式陣列基板的品質可大幅提升。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10:可撓式陣列基板110:第一基底110A:第一載板120:第一可撓層122、222:強接合區124、224:弱接合區130:第一立體導線130A:第一導線材料層132:第一波峰134:第一波谷140:第一絕緣層150:通孔152:第一接觸洞152a、252a、254a、256a:導電材料210:第二基底210A:第二載板220:第二可撓層230:第二立體導線230A:第二導線材料層232:第二波峰234:第二波谷240:第二絕緣層252:第二接觸洞254:第三接觸洞256:第四接觸洞258:第五接觸洞310:第三基底320:離形層330:主動元件陣列340:第三絕緣層400:有機發光二極體陣列420:有機發光二極體440:導電結構460:保護層A-A’、B-B’:剖面線d1、d2:最短距離T:薄膜電晶體

圖1A至圖1E為本發明一實施例的可撓式陣列基板的製造方法的剖面示意圖。 圖2A至圖2D為本發明一實施例的可撓式陣列基板的製造方法的剖面示意圖。 圖3A為本發明一實施例的第一立體導線及第二立體導線的立體透視示意圖。 圖3B為圖3A沿剖面線A-A’的第一立體導線及第二立體導線的剖面示意圖。 圖3C為圖3A沿剖面線B-B’的第一立體導線及第二立體導線的剖面示意圖。 圖3D為本發明一實施例的第三接觸洞的剖面示意圖。 圖4A至圖4D為本發明一實施例的可撓式陣列基板的製造方法的剖面示意圖。

10:可撓式陣列基板

120:第一可撓層

130:第一立體導線

132:第一波峰

134:第一波谷

140:第一絕緣層

150:通孔

152:第一接觸洞

220:第二可撓層

230:第二立體導線

232:第二波峰

240:第二絕緣層

252:第二接觸洞

256:第四接觸洞

258:第五接觸洞

320:離形層

340:第三絕緣層

400:有機發光二極體陣列

420:有機發光二極體

440:導電結構

460:保護層

A-A’:剖面線

T:薄膜電晶體

Claims (12)

1. 一種可撓式陣列基板的製造方法，包含： 形成一第一可撓層於一第一基底； 形成多條第一導線材料層於該第一可撓層上； 分離該第一可撓層與該第一基底使得該些第一導線材料層分別轉為多條第一立體導線； 將該第一可撓層以及該些第一立體導線設置於一第一載板上； 形成一第一絕緣層於該些第一立體導線上； 於該第一絕緣層形成多個第一接觸洞以連接該些第一立體導線； 形成一第二可撓層於一第二基底； 形成多條第二導線材料層於該第二可撓層上； 分離該第二可撓層與該第二基底使得該些第二導線材料層分別轉為多條第二立體導線； 將該第二可撓層設置於一第二載板； 形成一第二絕緣層於該些第二立體導線上； 於該第二絕緣層形成多個第二接觸洞分別連接該些第一接觸洞； 接合該第一絕緣層及該第二絕緣層使得該些第一立體導線與該些第二立體導線相對設置； 移除該第二載板； 於該第二可撓層形成多個第三接觸洞以連接該些第二立體導線； 形成一離形層及一主動元件陣列於一第三基底上； 接合該主動元件陣列及該第二可撓層；以及 移除該第三基底，其中該主動元件陣列電性連接對應的該第一立體導線與該第二立體導線。
2. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式陣列基板的製造方法，其中各該第一立體導線具有多個第一波峰及多個第一波谷，各該第二立體導線具有多個第二波峰及多個第二波谷，該些第一波谷分別對應該些第一接觸洞的位置，該些第二波谷分別對應該些第三接觸洞的位置。
3. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式陣列基板的製造方法，其中各該第一立體導線與各該第二立體導線的耐拉伸應變量大於或等於200%，各該第一立體導線與各該第二立體導線的厚度 0.1微米至5微米，且各該第一立體導線與各該第二立體導線的線寬為1微米至200微米。
4. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式陣列基板的製造方法，更包含： 於形成該些第三接觸洞的同時，於該第二可撓層形成多個第四接觸洞分別連接對應的第二接觸洞以及對應的第一接觸洞以構成多個通孔，其中該主動元件陣列藉由該些通孔分別電性連接於該些第一立體導線； 形成一有機發光二極體陣列於該主動元件陣列上；以及 分離該第一可撓層以及該第一載板。
5. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式陣列基板的製造方法，其中形成各該第一導線材料層與各該第二導線材料層之方法為噴墨印刷法，且各該第一導線材料層與各該第二導線材料層之材料包含鉬或銀。
6. 如申請專利範圍第2項所述的可撓式陣列基板的製造方法，其中於形成各該第一導線材料層的步驟前，對該第一可撓層進行一表面處理以形成多個強接合區分別對應該些第一波谷，以及至少一弱接合區。
7. 一種可撓式陣列基板，包含： 一第一可撓層； 多條第一立體導線設置於該第一可撓層上； 一第一絕緣層設置於該第一可撓層上，覆蓋該些第一立體導線； 一第二可撓層設置於該第一絕緣層上； 多條第二立體導線，位於該第二可撓層與該第一絕緣層之間； 一第二絕緣層設置於該第二可撓層與該第一絕緣層之間；以及 一主動元件陣列設置於該第二可撓層上，且該主動元件陣列電性連接對應的該第一立體導線與該第二立體導線。
8. 如申請專利範圍第7項所述的可撓式陣列基板，其中該主動元件陣列包含多個薄膜電晶體，各該薄膜電晶體包含一閘極以及一源極，該可撓式陣列基板更包含一離形層，其中該主動元件陣列設置於該第二可撓層以及該離形層之間，該第一絕緣層具有多個第一接觸洞，該第二絕緣層具有多個第二接觸洞，該第二可撓層具有多個第三接觸洞以及多個第四接觸洞，其中彼此對應之該些第一接觸洞、該些第二接觸洞以及該些第四接觸洞構成多個通孔，其中各該閘極藉由對應之該些通孔電性連接對應之該些第一立體導線，各該源極藉由對應之該些第三接觸洞電性連接對應之該些第二立體導線。
9. 如申請專利範圍第8項所述的可撓式陣列基板，其中各該第一立體導線具有多個第一波峰及多個第一波谷，各該第二立體導線具有多個第二波峰及多個第二波谷，各該第一波谷分別與對應之第一接觸洞具有一最短距離d1，各該第二波谷分別與對應之第三接觸洞具有一最短距離d2，0微米＜d1≦2000微米，0微米≦d2≦2000微米。
10. 如申請專利範圍第9項所述的可撓式陣列基板，其中該第一可撓層具有多個強接合區對應各該第一波谷，以及至少一弱接合區。
11. 如申請專利範圍第7項所述的可撓式陣列基板，其中各該第一立體導線與各該第二立體導線的耐拉伸應變量大於或等於200%，各該第一立體導線與各該第二立體導線的厚度為0.1微米至5微米，且各該第一立體導線與各該第二立體導線的線寬為1微米至200微米。
12. 如申請專利範圍第7項所述的可撓式陣列基板，更包含一有機發光二極體陣列設置於該主動元件陣列上。

Images