CN109712932B - 可挠式阵列基板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种可挠式阵列基板，包含第一可挠层、多条第一立体导线设置于第一可挠层上、第一绝缘层设置于第一可挠层上覆盖第一立体导线、第二可挠层设置于第一绝缘层上、多条第二立体导线位于第二可挠层与第一绝缘层之间、第二绝缘层设置于第二可挠层与第一绝缘层之间、以及主动元件阵列设置于第二可挠层上。主动元件阵列电性连接对应的第一立体导线与第二立体导线。一种可挠式阵列基板的制造方法亦被提出。

Description

可挠式阵列基板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种阵列基板，且特别涉及一种可挠式阵列基板。

背景技术

随着显示科技的发展，显示面板应用范围日益广泛。举例而言，在早期，显示面板多用做电子装置(例如：电视、电脑、手机等)的屏幕，而应用在电子装置上的显示面板多为硬质显示面板。相较于硬质显示面板，可挠式显示面板具有可挠曲及耐冲击等特性。因此，可挠式显示面板为未来显示面板领域的发展趋势。

可挠式显示面板需具备相当的可弯曲能力。换言之，当可挠式显示面板弯曲时，可挠基板上的构件(例如：薄膜晶体管、信号线等)需随之弯曲并维持正常功能。然而，现有的薄膜金属导线的耐弯性不佳，因此当可挠式显示面板大幅度的弯曲时，薄膜金属制的信号线往往容易断裂，导致可挠式显示面板失效。

发明内容

本发明的一实施例的可挠式阵列基板的制造方法，包含以下步骤。形成第一可挠层于第一基底。形成多条第一导线材料层于第一可挠层上。分离第一可挠层与第一基底使得这些第一导线材料层分别转为多条第一立体导线。将第一可挠层以及这些第一立体导线设置于第一载板上。形成第一绝缘层于这些第一立体导线上。于第一绝缘层形成多个第一接触洞以连接这些第一立体导线。形成第二可挠层于第二基底。形成多条第二导线材料层于第二可挠层上。分离第二可挠层与第二基底使得这些第二导线材料层分别转为多条第二立体导线。将第二可挠层设置于第二载板。形成第二绝缘层于这些第二立体导线上。于第二绝缘层形成多个第二接触洞分别连接这些第一接触洞。接合第一绝缘层及第二绝缘层使得这些第一立体导线与这些第二立体导线相对设置。移除第二载板。于第二可挠层形成多个第三接触洞以连接这些第二立体导线。形成离形层及主动元件阵列于第三基底上。接合主动元件阵列及第二可挠层。以及，移除第三基底。主动元件阵列电性连接对应的第一立体导线与第二立体导线。

本发明的一实施例的可挠式阵列基板，包含第一可挠层、多条第一立体导线设置于第一可挠层上、第一绝缘层设置于第一可挠层上，覆盖这些第一立体导线、第二可挠层设置于第一绝缘层上、多条第二立体导线，位于第二可挠层与第一绝缘层之间、第二绝缘层设置于第二可挠层与第一绝缘层之间、以及主动元件阵列设置于第二可挠层上，且主动元件阵列电性连接对应的第一立体导线与第二立体导线。

基于上述，在本发明一实施例的可挠式阵列基板及/或其制造方法中，由于可以分别形成立体导线以及主动元件阵列，再通过简单的转移工艺进行对组，因此可以简化可挠式阵列基板的制造工艺、节省可挠式阵列基板的制造成本并提升制造良率。此外，可挠式阵列基板的各第一立体导线与各第二立体导线呈立体波浪形状。如此一来，可以大幅改善导线的耐拉伸应变量，并于挠曲或拉伸时避免导线断线，提升可挠式阵列基板的可靠度。此外，还可以提升可挠式阵列基板的耐冲击的特性，以进一步提升可挠式阵列基板的可靠度。因此，可挠式阵列基板的品质可大幅提升。

本发明的目的之一是简化可挠式阵列基板的制造工艺。

本发明的目的之一是节省可挠式阵列基板的制造成本。

本发明的目的之一是提升可挠式阵列基板的制造良率。

本发明的目的之一是改善导线的耐拉伸应变量。

本发明的目的之一是避免导线断线。

本发明的目的之一是提升可挠式阵列基板的可靠度。

本发明的目的之一是提升可挠式阵列基板的品质。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1E为本发明一实施例的可挠式阵列基板的制造方法的剖面示意图。

图2A至图2D为本发明一实施例的可挠式阵列基板的制造方法的剖面示意图。

图3A为本发明一实施例的第一立体导线及第二立体导线的立体透视示意图。

图3B为图3A沿剖面线A-A’的第一立体导线及第二立体导线的剖面示意图。

图3C为图3A沿剖面线B-B’的第一立体导线及第二立体导线的剖面示意图。

图3D为本发明一实施例的第三接触洞的剖面示意图。

图4A至图4D为本发明一实施例的可挠式阵列基板的制造方法的剖面示意图。

附图标记说明如下：

10：可挠式阵列基板

110：第一基底

110A：第一载板

120：第一可挠层

122、222：强接合区

124、224：弱接合区

130：第一立体导线

130A：第一导线材料层

132：第一波峰

134：第一波谷

140：第一绝缘层

150：通孔

152：第一接触洞

152a、252a、254a、256a：导电材料

210：第二基底

210A：第二载板

220：第二可挠层

230：第二立体导线

230A：第二导线材料层

232：第二波峰

234：第二波谷

240：第二绝缘层

252：第二接触洞

254：第三接触洞

256：第四接触洞

258：第五接触洞

310：第三基底

320：离形层

330：主动元件阵列

340：第三绝缘层

400：有机发光二极管阵列

420：有机发光二极管

440：导电结构

460：保护层

A-A’、B-B’：剖面线

d1、d2：最短距离

T：薄膜晶体管

具体实施方式

在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，“电性连接”或“耦合”是可为二元件间存在其它元件。

应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。

除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。

图1A至图1E为本发明一实施例的可挠式阵列基板的制造方法的剖面示意图，为了方便说明及观察，仅示意性地示出部分构件。图2A至图2D为本发明一实施例的可挠式阵列基板的制造方法的剖面示意图，为了方便说明及观察，仅示意性地示出部分构件。此外，本公开图示中的各分层或元件的厚度或比例做适度地放大或缩小，并不代表各分层或元件的实际厚度或比例。请先参考图1A，在本实施例中，可挠式阵列基板10(标示于图4D)的制造方法包含以下步骤。首先，形成第一可挠层120于第一基底110上。在本实施例中，第一基底110的材质例如为玻璃，但本发明不限于此。在其他实施例中，第一基底110也可以使用其他适当材料，例如：石英、有机聚合物等。

第一可挠层120例如为柔性基板，材质可选用有机聚合物，例如：聚酰亚胺(polyimide；PI)、聚萘二甲酸乙醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚碳酸酯(polycarbonates；PC)、聚醚砜(polyether sulfone；PES)或聚芳基酸酯(polyarylate)，或其它合适的材料、或前述至少二种材料的组合。在本实施例中，第一可挠层120是先通过应力进行预拉伸，再设置于第一基底110上。换句话说，第一可挠层120是处于绷紧的条件下，设置于第一基底110上。

请参考图1B及图1C，接着，于形成第一导线材料层130A的步骤前，先对第一可挠层120进行表面处理(未示出)，以形成多个强接合区122以及至少一弱接合区124。举例而言，可在预拉伸的第一可挠层120上设置一层图案化掩模(未示出)。接着，通过光照射工艺，例如紫外光照射，照射暴露的第一可挠层120的表面，以在第一可挠层120的表面上形成多个具高表面能量的强接合区122，未受到光照射的表面则形成弱接合区124。

请参考图1C，接着，形成多条第一导线材料层130A于第一可挠层120上。多条第一导线材料层130A彼此平行，且于垂直第一可挠层120的方向上，重叠多个强接合区122以及弱接合区124。形成第一导线材料层130A的方式包括，通过网版印刷法(screen printing)或喷墨印刷法(ink jet printing，IJP)，将第一导线材料层130A设置于第一可挠层120上。在本实施例中，第一导线材料层130A的材料包含钼或银，但本发明不以此为限。

在其他实施例中，于形成第一导线材料层130A的步骤后，还包含干燥或烘烤第一导线材料层130A的工艺，但本发明不以此为限。

值得注意的是，请参考图1C及图1D，分离第一可挠层120与第一基底110，使得多条第一导线材料层130A分别转为多条第一立体导线130。具体而言，由于形成第一导线材料层130A时，第一可挠层120是预拉伸的膜层。因此，于第一可挠层120分离第一基底110后，第一可挠层120会释放预拉伸所提供的应力，而返回拉伸前的状态。如此，第一可挠层120可从绷紧而扩张的尺寸，返回至小于扩张时的非扩张尺寸。在上述的设置下，第一导线材料层130A可受到推挤的应力，使得重叠弱接合区124的第一导线结构130A的多个部分于垂直第一基底110的方向上弯折并远离第一可挠层120，如图1D所示。重叠强接合区122的第一导线结构130A的其他部分仍牢固地接触第一可挠层120。如此一来，可以简单地将第一导线结构130A转为具有立体波浪形状的第一立体导线130，以简化工艺、节省制造成本并提升制造良率。

在本实施例中，第一立体导线130具有多个第一波峰132及多个第一波谷134。详细而言，弱接合区124对应这些第一波峰132，且这些强接合区122分别对应这些第一波谷134。换句话说，第一波峰132于垂直第一基底110的方向上弯折且不接触于第一可挠层120，而第一波谷134接触第一可挠层120，但本发明不以此为限。在本实施例中，第一立体导线130的厚度为0.1微米至5微米，且第一立体导线130的线宽为1微米至200微米，但本发明不以此为限。在上述设置下，第一立体导线130于弯折出第一波峰134时，可以避免第一立体导线130断线，因此可提升第一立体导线130的可靠度、制造良率及品质。

请继续参考图1D，然后，将第一可挠层120以及第一立体导线130设置于第一载板110A上。接着，形成第一绝缘层140于第一立体导线130上。在本实施例中，第一载板110A的材质例如为玻璃，但本发明不限于此。在其他实施例中，第一载板110A也可以使用其他适当材料，例如：石英、有机聚合物等。第一绝缘层140的材质例如为柔性的高分子材料，例如：聚酰亚胺(polyimide；PI)、聚萘二甲酸乙醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚碳酸酯(polycarbonates；PC)、聚醚砜(polyether sulfone；PES)或聚芳基酸酯(polyarylate)，或其它合适的材料、或前述至少二种材料的组合。在一些实施例中，第一绝缘层140可以为紫外光胶。

形成第一绝缘层140的方式包括先涂布液态的柔性高分子材料于第一可挠层120及第一立体导线130上，再经过固化程序将第一立体导线130包封保护于第一绝缘层140中，但本发明不以此为限。

请参考图1E，接着，于第一绝缘层140形成多个第一接触洞152以连接多条第一立体导线130。举例而言，形成多个第一接触洞152的方式包括通过黄光刻蚀刻或物理钻孔的技术，于第一绝缘层140中形成多个第一接触洞152。这些第一波谷134分别对应这些第一接触洞152的位置设置。具体而言，第一接触洞152是在垂直第一载板110A的方向上，重叠第一波谷134。第一接触洞152中可以填入导电材料152a以作为导电通孔(via)使用，但本发明不以此为限。导电材料一般是使用金属材料，但本发明不限于此，根据其他实施例，第一接触洞152中也可以填入其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或上述材料的组合，本发明不以此为限。

请参考图2A，形成第二可挠层220于第二基底210上。在本实施例中，第二基底210的材质例如为玻璃，但本发明不限于此。在其他实施例中，第二基底210也可以使用其他适当材料，例如：石英、有机聚合物等。

第二可挠层220与第一可挠层120相似，例如为柔性基板，材质可选用有机聚合物，例如：聚酰亚胺(polyimide；PI)、聚萘二甲酸乙醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚碳酸酯(polycarbonates；PC)、聚醚砜(polyether sulfone；PES)或聚芳基酸酯(polyarylate)，或其它合适的材料、或前述至少二种材料的组合。在本实施例中，第二可挠层220是先通过应力进行预拉伸，再设置于第二基底210上。换句话说，第二可挠层220是处于绷紧的条件下，设置于第二基底210上。

请参考图2B，接着，于形成第二导线材料层230A的步骤前，先对第二可挠层220进行表面处理(未示出)，以形成多个强接合区222以及至少一弱接合区224。举例而言，可在预拉伸的第二可挠层220上设置一层图案化掩模(未示出)。接着，通过光照射工艺，例如紫外光照射，照射暴露的第二可挠层220的表面，以在第二可挠层220的表面上形成多个具高表面能量的强接合区222。未受到光照射的表面则形成弱接合区224。

请参考图2B，接着，形成多条第二导线材料层230A于第二可挠层220上。多条第二导线材料层230A彼此平行，且于垂直第二可挠层220的方向上，重叠多个强接合区222以及弱接合区224。形成第二导线材料层230A的方式包括，通过网版印刷法(screen printing)或喷墨印刷法(ink jet printing，IJP)，将第二导线材料层230A设置于第二可挠层220上。在本实施例中，第二导线材料层230A的材料包含钼或银，但本发明不以此为限。

在其他实施例中，于形成第二导线材料层230A的步骤后，还会包含干燥或烘烤第二导线材料层230A的工艺，但本发明不以此为限。

值得注意的是，请参考图2B及图2C，分离第二可挠层220与第二基底210，使得多条第二导线材料层230A分别转为多条第二立体导线230。具体而言，由于形成第二导线材料层230A时，第二可挠层220是预拉伸的膜层。因此，于第二可挠层220分离第二基底210后，第二可挠层220会释放预拉伸所提供的应力，而返回拉伸前的状态。如此，第二可挠层220可从绷紧而扩张的尺寸，返回至小于扩张时的非扩张尺寸。在上述的设置下，第二导线材料层230A可受到推挤的应力，使得重叠弱接合区224的第二导线结构230A的多个部分于垂直第二基底210的方向上弯折并远离第二可挠层220，如图2C所示。重叠强接合区222的第二导线结构230A仍牢固地接触第二可挠层220。如此一来，可以简单地将第二导线结构230A转为具有立体波浪形状的第二立体导线230，以简化工艺、节省制造成本并提升制造良率。

在本实施例中，第二立体导线230具有多个第二波峰232及多个第二波谷234。详细而言，弱接合区224对应这些第二波峰232，且这些强接合区222分别对应这些第二波谷234。换句话说，第二波峰232于垂直第二基底210的方向上弯折且不接触于第二可挠层220，而第二波谷234接触第二可挠层220，但本发明不以此为限。在本实施例中，第二立体导线230的厚度为0.1微米至5微米，且第二立体导线230的线宽为1微米至200微米，但本发明不以此为限。在上述设置下，第二立体导线230于弯折出第二波峰234时，可以避免第二立体导线230断线，因此可提升第二立体导线230的可靠度、制造良率及品质。

请继续参考图2C，然后，将第二可挠层220以及第二立体导线230设置于第二载板210A上。接着，形成第二绝缘层240于第二立体导线230上。在本实施例中，第二载板210A的材质例如为玻璃，但本发明不限于此。在其他实施例中，第二载板210A也可以使用其他适当材料，例如：石英、有机聚合物等。第二绝缘层240的材质例如为柔性的高分子材料，例如：聚酰亚胺(polyimide；PI)、聚萘二甲酸乙醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚碳酸酯(polycarbonates；PC)、聚醚砜(polyether sulfone；PES)或聚芳基酸酯(polyarylate)，或其它合适的材料、或前述至少二种材料的组合。在一些实施例中，第二绝缘层240可以为紫外光胶。

形成第二绝缘层240的方式包括先涂布液态的柔性高分子材料于第二可挠层220及第二立体导线230上，再经过固化程序将第二立体导线230包封保护于第二绝缘层240中，但本发明不以此为限。

请参考图2D，接着，于第二绝缘层240形成多个第二接触洞252。这些第二接触洞252分别对应这些第一接触洞152，以于后续的工艺中，使这些第二接触洞252分别对应连接这些第一接触洞152。在本实施例中，形成多个第二接触洞252的方式包括通过黄光刻蚀刻或物理钻孔的技术，于第二绝缘层240中形成多个第二接触洞252。于垂直第二基底210的方向上，第二接触洞252位于第二立体导线230的轮廓外，且第二接触洞252与第二立体导线230电性绝缘。第二接触洞252中可以填入导电材料252a以作为导电通孔(via)使用，但本发明不以此为限。导电材料一般是使用金属材料，但本发明不限于此，根据其他实施例，第二接触洞252中也可以填入其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或上述材料的组合，本发明不以此为限。

图3A为本发明一实施例的第一立体导线及第二立体导线的立体透视示意图，图3A为了方便说明及观察，仅示意性地示出部分构件而省略示出第一载板110A及第二载板210A。图3B为图3A沿剖面线A-A’的第一立体导线及第二立体导线的剖面示意图。图3C为图3A沿剖面线B-B’的第一立体导线及第二立体导线的剖面示意图。请参考图3A、图3B以及图3C，接着，进行转移工艺，接合第一绝缘层140及第二绝缘层240使得这些第一立体导线130与这些第二立体导线230相对设置。举例而言，将图2D的第二可挠层220及第二绝缘层240翻转后，将第二绝缘层240接合至第一可挠层220上的第一绝缘层240。换句话说，可挠层140、240及对应的立体导线130、230位于第一载板110A与第二载板210A之间(示出于图3B及图3C)。

在本实施例中，第一立体导线130与第二立体导线230分属不同膜层且彼此相交设置。举例而言，第一立体导线130延伸的方向垂直于第二立体导线230延伸的方向，但本发明不以此为限。另外，第一波峰132是往第二绝缘层240凸起，而第二波峰232是往第一绝缘层140凸起，但本发明不以此为限。

请参考图3A及图3B，在本实施例中，这些第二接触洞252分别连接这些第一接触洞152。举例而言，第二接触洞252可在垂直第一载板110A的方向上重叠第一接触洞152以及第一波谷134。各第一波谷134分别与对应的第一接触洞152具有最短距离d1。详细而言，最短距离d1例如为第一接触洞152与第一波谷134轮廓的边缘之间的距离，其中0微米≤d1≤2000微米。如此，第一接触洞152在垂直第一载板110A的方向上不会重叠第二立体导线230，而偏离第二立体导线230。因此，于后续的工艺中，可以通过第二接触洞252导通第一立体导线130的信号，且第二接触洞252不接触第二立体导线230。此外，在垂直第一载板110A的方向上，第一波峰132与第二波峰232实质上可以相对设置并重叠，但本发明不以此为限。在其他实施例中，依使用者的需求，第一波峰132也可以不重叠第二波峰232。

请参考图3A及图3C，在本实施例中，以入射剖视图的方向观察，第二接触洞252不重叠第二波谷234，且第二接触洞252部分重叠第二波峰232。如图3C所示，第二接触洞252会位于第二波峰232的后方而不接触第二立体导线230。

在本实施例中，第一立体导线130与第二立体导线230例如为信号线，包括数据线、扫描线、共用电极线、电源线或其他适合的导线，本发明不以此为限。以下实施例是以第一立体导线130与第二立体导线230分别为数据线或扫描线为例进行说明。

在上述设置下，本实施利的可挠式阵列基板10(示出于图4D)，可以先通过分别制作可挠层120、220并在可挠层120、220上形成立体导线130、230，再通过简单的转移工艺将可挠层120、220对组，以得到交错设置的立体导线130、230。因此，可以简化立体导线130、230的制造工艺、节省制造成本并提升制造良率。

图3D为本发明一实施例的第三接触洞的剖面示意图。图3D所示出的剖面示意图为沿着图3A及图3C所示的剖面线B-B’所继续进行工艺的剖面。请参考图3D，接着，移除第二载板210A。然后，于第二可挠层220形成多个第三接触洞254以连接第二立体导线230。举例而言，形成多个第三接触洞254的方式包括通过黄光刻蚀刻或物理钻孔的技术，于第二可挠层220中形成多个第三接触洞254。这些第二波谷234分别对应这些第三接触洞254的位置设置。具体而言，第三接触洞254是在垂直第一载板110A的方向上，重叠第二波谷234。第三接触洞254中可以填入导电材料254a以作为导电通孔(via)使用，但本发明不以此为限。导电材料一般是使用金属材料，但本发明不限于此，根据其他实施例，第三接触洞254中也可以填入其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或上述材料的组合，本发明不以此为限。

各第二波谷234分别与对应的第三接触洞254具有最短距离d2。详细而言，最短距离d2例如为第三接触洞254与第二波谷234轮廓的边缘之间的距离，其中0微米≤d2≤2000微米。如此，第三接触洞254在垂直第一载板110A的方向上不会重叠第一接触洞152及第二接触洞252。因此，于后续的工艺中，第三接触洞254不会接触第二接触洞252，以避免短路。如此，于后续的工艺中，可以通过第三接触洞254传递第二立体导线230的信号。

图4A至图4D为本发明一实施例的可挠式阵列基板的制造方法的剖面示意图。图4A至图4D所示出的剖面示意图为沿着图3A及图3B所示的剖面线A-A’所继续进行工艺的剖面。请参考图3D及图4A，可挠式阵列基板的制造方法还包含，在移除第二载板210A后，于形成这些第三接触洞254的同时，于第二可挠层220形成多个第四接触洞256。这些彼此对应的第一接触洞152、第二接触洞252以及第四接触洞256构成多个通孔150。

在本实施例中，形成多个第四接触洞256的方式包括通过黄光刻蚀刻或物理钻孔的技术，于第二可挠层220中形成多个第四接触洞256。第四接触洞256是在垂直第一载板110A的方向上，重叠第一接触洞152以及第二接触洞252。第四接触洞256中可以填入导电材料256a并与第一接触洞152及第二接触洞252电性连接以形成通孔150，但本发明不以此为限。导电材料一般是使用金属材料，但本发明不限于此，根据其他实施例，第四接触洞256中也可以填入其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或上述材料的组合，本发明不以此为限。

请参考图4B，接着，形成离形层320及主动元件阵列330于第三基底310上。在本实施例中，离形层320先形成在第三基底310上，接着再形成主动元件阵列330于离形层320上。第三基底310的材质例如为玻璃，但本发明不限于此。在其他实施例中，第三基底310也可以使用其他适当材料，例如：石英、有机聚合物等。离形层320的材质可以是聚合物、有机材料、无机材料或其组合。在其他实施例中，离形层320可包括固态、液态或凝胶态。

主动元件阵列330包含多个薄膜晶体管T(thin film transistor，TFT)。薄膜晶体管T例如为低温多晶硅薄膜晶体管(low temperature poly-Si，LTPS)或非晶硅薄膜晶体管(amorphous Si，a-Si)，但本发明不以此为限。

举例而言，各薄膜晶体管T包含半导体通道层(未示出)、栅极(未标示)以及与半导体通道层电性连接的源极(未示出)与漏极(未示出)。半导体通道层可为单层或多层结构，其包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的材料、或上述的组合)、或其它合适的材料、或含有掺杂物(dopant)于上述材料中、或上述的组合，但本发明不以此为限。在一些实施例中，以顶闸型薄膜晶体管T为例，但不限于此。于其它实施例中，薄膜晶体管T亦可为底闸型薄膜晶体管T。

如图4B所示出的薄膜晶体管T，实际上是薄膜晶体管T的栅极(未标示)。栅极、源极与漏极可使用金属材料制作，但本发明不限于此，根据其他实施例，栅极也可以使用其他适当的导电材料。例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或金属材料与其它导电材料的堆叠层。

接着，进行转移工艺，将第三基底310、离形层320及主动元件阵列330翻转后，接合主动元件阵列330及第二可挠层220。在本实施例中，于上述接合的步骤前，可挠式阵列基板的制造方法还包括形成第三绝缘层340于第二可挠层220上，并在第三绝缘层340形成多个第五接触洞258。从另一个角度来看，第三绝缘层340位于主动元件阵列330与第二可挠层220之间，且主动元件阵列330设置于第二可挠层220以及离形层320之间。第三绝缘层340及第五接触洞258的材质及形成方法与第一绝缘层140及第一接触洞152的材质及形成方法相似，于此不再赘述。在一些实施例中，也可以省去第三绝缘层340而将主动元件阵列330直接接触第二可挠层220，但本发明不以此为限。以下将以可挠式阵列基板包含第三绝缘层340及第五接触洞258为例进行说明。

在本实施例中，通孔150可还包括第五接触洞258。第五接触洞258分别连接这些第四接触洞256以及薄膜晶体管T的栅极。如此，各栅极可通过对应的通孔150电性连接对应的第一立体导线130，以使第一立体导线130的信号可以导通至薄膜晶体管T。此外，在一些未示出的实施例中，这些第五接触洞258也可以分别连接这些第三接触洞254以及薄膜晶体管T的源极。如此，各源极通过对应的第三接触洞254电性连接对应的第二立体导线230，以使第二立体导线230的信号可以传递至薄膜晶体管T。

请参考图4B及图4C，然后，移除第三基底310。在本实施例中，由于主动元件阵列330的薄膜晶体管T可通过通孔150分别电性连接第一立体导线130，且主动元件阵列330可通过第三接触洞254及第五接触洞258电性连接第二立体导线230。因此，可以实现分别形成立体导线130、230以及主动元件阵列330，再通过简单的转移工艺进行对组，以简化可挠式阵列基板的制造工艺、节省可挠式阵列基板的制造成本并提升制造良率。

请参考图4C及图4D，可挠式阵列基板10的制造方法还包含形成有机发光二极管阵列400于主动元件阵列330上以及形成保护层460于有机发光二极管阵列400上。在本实施例中，有机发光二极管阵列400包含多个有机发光二极管420(organic light-emittingdiode，OLED)。有机发光二极管420可为多层结构，包括空穴注入层(hole injectionlayer，HIL)、空穴传输层(hole transfer layer，HTL)和发光层(emission layer，EL)以及电极。图4D为了方便说明及清楚表示，仅以一层结构表示。在其他实施例中，有机发光二极管420也可以为微型发光二极管(micro LED)、次毫米发光二极管(mini LED)以及量子点发光二极管(quantum dot)，本发明不以此为限。

在本实施例中，该些有机发光二极管420分别通过导电结构440电性连接至对应的薄膜晶体管T。举例而言，可在形成有机发光二极管阵列400的步骤前，先在离形层320中形成导电结构440。从另一个角度来看，导电结构440设置于有机发光二极管阵列400与第三绝缘层340之间。导电结构440的材料与形成方法与接触洞152、252、254、256、258相似，于此不再赘述。在一些实施例中，导电结构440可电性连接薄膜晶体管T的漏极，以将第一立体导线130的信号导通至有机发光二极管阵列400，但本发明不以此为限。

最后，分离第一可挠层120以及第一载板110A，以完成可挠式阵列基板10。

值得注意的是，可挠式阵列基板10的各第一立体导线130与各第二立体导线230呈立体波浪形状。此外，在上述的设置下，进一步将第一立体导线130及第二立体导线230的厚度设为0.1微米至5微米，且第一立体导线130及第二立体导线230的线宽设为1微米至200微米。因此，各第一立体导线130与各第二立体导线230的耐拉伸应变量大于或等于200％。换句话说，第一立体导线130与第二立体导线230的耐拉伸应变量远大于立体导线130、230的导线材料的物理断裂极限。如此一来，可以大幅改善导线的耐拉伸应变量并避免导线断线，提升可挠式阵列基板10的可靠度。此外，还可以提升可挠式阵列基板10的可挠曲及耐冲击的特性，以进一步提升可挠式阵列基板10的可靠度及品质。

简言之，由于本发明一实施例的可挠式阵列基板10的制造方法，可以分别形成立体导线130、230以及主动元件阵列330，再通过简单的转移工艺进行对组，因此可以简化可挠式阵列基板10的制造工艺、节省可挠式阵列基板的制造成本并提升制造良率。此外，可挠式阵列基板10的各第一立体导线130与各第二立体导线230呈立体波浪形状。因此，各第一立体导线130与各第二立体导线230的耐拉伸应变量大于或等于200％。换句话说，第一立体导线130与第二立体导线230的耐拉伸应变量远大于立体导线130、230的导线材料的物理断裂极限。如此一来，可以大幅改善导线的耐拉伸应变量，并于挠曲或拉伸时避免导线断线，提升可挠式阵列基板10的可靠度。此外，还可以提升可挠式阵列基板10的耐冲击的特性，以进一步提升可挠式阵列基板10的可靠度。因此，可挠式阵列基板10的品质可大幅提升。

于结构上，可挠式阵列基板10包含第一可挠层120、多条第一立体导线130设置于第一可挠层120上、第一绝缘层140设置于第一可挠层120上、第二可挠层220设置于第一绝缘层140上、多条第二立体导线230位于第二可挠层220与第一绝缘层140之间、第二绝缘层240设置于第二可挠层220与第一绝缘层240之间以及主动元件阵列330设置于第二可挠层220上。在本实施例中，第一绝缘层140覆盖这些第一立体导线130，且主动元件阵列330电性连接对应的第一立体导线130与第二立体导线230。可挠式阵列基板10的第一绝缘层140具有多个第一接触洞152，第二绝缘240层具有多个第二接触洞252，且第二可挠层220具有多个第三接触洞254以及多个第四接触洞256。第一接触洞152、第二接触洞252以及第四接触洞256构成通孔150。主动元件阵列330包含多个薄膜晶体管T，且这些薄膜晶体管T的栅极通过对应的这些通孔150电性连接对应的这些第一立体导线130。薄膜晶体管T的源极通过对应的这些第三接触洞254电性连接对应的这些第二立体导线230。在本实施例中，可挠式阵列基板10还包含有机发光二极管阵列400设置于主动元件阵列330上。

综上所述，本发明一实施例的可挠式阵列基板及其制造方法，由于可以分别形成立体导线以及主动元件阵列，再通过简单的转移工艺进行对组，因此可以简化可挠式阵列基板的制造工艺、节省可挠式阵列基板的制造成本并提升制造良率。此外，可挠式阵列基板的各第一立体导线与各第二立体导线呈立体波浪形状。因此，各第一立体导线与各第二立体导线的耐拉伸应变量大于或等于200％。换句话说，第一立体导线与第二立体导线的耐拉伸应变量远大于立体导线的导线材料的物理断裂极限。如此一来，可以大幅改善导线的耐拉伸应变量，并于挠曲或拉伸时避免导线断线，提升可挠式阵列基板的可靠度。此外，还可以提升可挠式阵列基板的耐冲击的特性，以进一步提升可挠式阵列基板的可靠度。因此，可挠式阵列基板的品质可大幅提升。

虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (11)

1.一种可挠式阵列基板的制造方法，包含：

形成一第一可挠层于一第一基底；

形成多条第一导线材料层于该第一可挠层上；

分离该第一可挠层与该第一基底使得所述第一导线材料层分别转为多条第一立体导线；

将该第一可挠层以及所述第一立体导线设置于一第一载板上；

形成一第一绝缘层于所述第一立体导线上；

于该第一绝缘层形成多个第一接触洞以连接所述第一立体导线；

形成一第二可挠层于一第二基底；

形成多条第二导线材料层于该第二可挠层上；

分离该第二可挠层与该第二基底使得所述第二导线材料层分别转为多条第二立体导线；

将该第二可挠层设置于一第二载板；

形成一第二绝缘层于所述第二立体导线上；

于该第二绝缘层形成多个第二接触洞分别连接所述第一接触洞；

接合该第一绝缘层及该第二绝缘层使得所述第一立体导线与所述第二立体导线相对设置；

移除该第二载板；

于该第二可挠层形成多个第三接触洞以连接所述第二立体导线；

形成一离形层及一主动元件阵列于一第三基底上；

接合该主动元件阵列及该第二可挠层；以及

移除该第三基底，其中该主动元件阵列电性连接对应的该第一立体导线与该第二立体导线。

2.如权利要求1所述的可挠式阵列基板的制造方法，其中各该第一立体导线具有多个第一波峰及多个第一波谷，各该第二立体导线具有多个第二波峰及多个第二波谷，所述第一波谷分别对应所述第一接触洞的位置，所述第二波谷分别对应所述第三接触洞的位置。

3.如权利要求1所述的可挠式阵列基板的制造方法，其中各该第一立体导线与各该第二立体导线的耐拉伸应变量大于或等于200％，各该第一立体导线与各该第二立体导线的厚度0.1微米至5微米，且各该第一立体导线与各该第二立体导线的线宽为1微米至200微米。

4.如权利要求1所述的可挠式阵列基板的制造方法，还包含：

于形成所述第三接触洞的同时，于该第二可挠层形成多个第四接触洞分别连接对应的第二接触洞以及对应的第一接触洞以构成多个通孔，其中该主动元件阵列通过所述通孔分别电性连接于所述第一立体导线；

形成一有机发光二极管阵列于该主动元件阵列上；以及

分离该第一可挠层以及该第一载板。

5.如权利要求1所述的可挠式阵列基板的制造方法，其中形成各该第一导线材料层与各该第二导线材料层的方法为喷墨印刷法，且各该第一导线材料层与各该第二导线材料层的材料包含钼或银。

6.如权利要求2所述的可挠式阵列基板的制造方法，其中于形成各该第一导线材料层的步骤前，对该第一可挠层进行一表面处理以形成多个强接合区以及至少一弱接合区，各所述强接合区分别对应所述第一波谷。

7.一种可挠式阵列基板，包含：

一第一可挠层；

多条第一立体导线设置于该第一可挠层上；

一第一绝缘层设置于该第一可挠层上，覆盖所述第一立体导线；

一第二可挠层设置于该第一绝缘层上；

多条第二立体导线，位于该第二可挠层与该第一绝缘层之间；

一第二绝缘层设置于该第二可挠层与该第一绝缘层之间；以及

一主动元件阵列设置于该第二可挠层上，且该主动元件阵列电性连接对应的该第一立体导线与该第二立体导线，

其中该主动元件阵列包含多个薄膜晶体管，各该薄膜晶体管包含一栅极以及一源极，该可挠式阵列基板还包含一离形层，其中该主动元件阵列设置于该第二可挠层以及该离形层之间，该第一绝缘层具有多个第一接触洞，该第二绝缘层具有多个第二接触洞，该第二可挠层具有多个第三接触洞以及多个第四接触洞，其中彼此对应的所述第一接触洞、所述第二接触洞以及所述第四接触洞构成多个通孔，其中各该栅极通过对应的所述通孔电性连接对应的所述第一立体导线，各该源极通过对应的所述第三接触洞电性连接对应的所述第二立体导线。

8.如权利要求7所述的可挠式阵列基板，其中各该第一立体导线具有多个第一波峰及多个第一波谷，各该第二立体导线具有多个第二波峰及多个第二波谷，各该第一波谷分别与对应的第一接触洞具有一最短距离d1，各该第二波谷分别与对应的第三接触洞具有一最短距离d2，0微米＜d1≤2000微米，0微米≤d2≤2000微米。

9.如权利要求8所述的可挠式阵列基板，其中该第一可挠层具有多个强接合区对应各该第一波谷，以及至少一弱接合区。

10.如权利要求7所述的可挠式阵列基板，其中各该第一立体导线与各该第二立体导线的耐拉伸应变量大于或等于200％，各该第一立体导线与各该第二立体导线的厚度为0.1微米至5微米，且各该第一立体导线与各该第二立体导线的线宽为1微米至200微米。

11.如权利要求7所述的可挠式阵列基板，还包含一有机发光二极管阵列，设置于该主动元件阵列上。

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