TW202014044A - 基板加熱裝置及基板處理系統 - Google Patents

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TW202014044A TW108118332A TW108118332A TW202014044A TW 202014044 A TW202014044 A TW 202014044A TW 108118332 A TW108118332 A TW 108118332A TW 108118332 A TW108118332 A TW 108118332A TW 202014044 A TW202014044 A TW 202014044A
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glass
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小西清孝
末兼大輔
細田浩
加藤茂
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日商東京應化工業股份有限公司
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Abstract

本發明係一種基板加熱裝置及基板處理系統，其課題為不易加以限制基板的加熱溫度之同時，抑制對於處理室內部的昇華物之附著。 解決手段為實施形態之基板加熱裝置係包含：將可收容塗佈溶液的基板之收容空間形成於內部的處理室，和配置於前述收容空間之同時，可加熱前述基板之基板加熱部，和至少配置於在前述基板之前述溶液的塗佈面，和在前述處理室中與前述塗佈面對向之對向面之間的玻璃。

Description

基板加熱裝置及基板處理系統
本發明係有關基板加熱裝置及基板處理系統。
近年，作為電子裝置用的基板，而有取代玻璃基板，具有可撓性之樹脂基板的市場需求。例如，如此之樹脂基板係使用聚醯亞胺膜。例如，聚醯亞胺膜係在塗佈聚醯亞胺的前驅物之溶液於基板之後，歷經加熱基板之工程(加熱工程)而加以形成。例如，作為聚醯亞胺的前驅物之溶液，係有含有聚醯胺酸與溶媒之聚醯胺酸清漆。由使此聚醯胺酸加熱硬化者，可得到聚醯亞胺者(例如，參照專利文獻1等)。
另一方面，有著具備圍繞配置有被處理基板之加熱處理空間的構件，和加熱被處理基板之熱板的熱處理裝置(例如，參照專利文獻2)。 對於專利文獻2係設置自非處理基板產生之不純物的附著防止膜於圍繞構件。例如，附著防止膜係將氟系樹脂作為主成分之構成。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開平5-129774號公報 [專利文獻2] 日本特開2005-19593號公報
[發明欲解決之課題]
如根據專利文獻2之揭示技術，可降低對於在光阻劑加熱時產生之昇華物的單元之附著者。 但，專利文獻2之附著防止膜係為將氟系樹脂作為主成分之構成之故，經由基板的加熱溫度係附著防止膜的適用則成為困難的可能性為高。例如，基板之加熱溫度為300℃以上之情況，作為附著防止膜而使用氟系樹脂的情況係成為困難。因此，作為附著防止膜而使用氟系樹脂之情況，產生有以窄範圍而設定基板之加熱溫度的必要，而容易加以限制基板的加熱溫度。
有鑑於如以上的情事，本發明係其目的為提供：作為不易限制基板之加熱溫度之同時，可抑制對於處理室內部之昇華物的附著之基板加熱裝置及基板處理系統者。 [解決課題之手段]
有關本發明之一形態之基板加熱裝置係其特徵為包含：將可收容塗佈溶液的基板之收容空間形成於內部的處理室，和配置於前述收容空間之同時，可加熱前述基板之基板加熱部，和至少配置於在前述基板之前述溶液的塗佈面，和在前述處理室中與前述塗佈面對向之對向面之間的玻璃。 如根據此構成，由含有至少配置於在基板之溶液的塗佈面，和在處理室中與塗佈面對向之對向面之間的玻璃，可由玻璃遮蔽自基板的塗佈面朝向處理室之對向面的微粒污染物之故，而可抑制對於處理室之對向面(處理室內部)之昇華物的附著者。加上，玻璃之耐熱溫度(連續使用溫度)係較樹脂為高之故，可以更廣的範圍而設定基板之加熱溫度，而不易加以限制基板的加熱溫度。隨之，不易加以限制基板的加熱溫度之同時，可抑制對於處理室內部的昇華物之附著者。
在上述之基板加熱裝置中，前述玻璃係石英的含有率為50%以上亦可。 如根據此構成，與石英的含有率為不足50%之情況做比較，可使玻璃之耐熱溫度提升者。隨之，可以更廣的範圍而設定基板之加熱溫度，更不易加以限制基板的加熱溫度。
在上述之基板加熱裝置中，前述玻璃之紅外線的吸收率係在近紅外線波長範圍(1μm以上，不足2.5μm)為30%以上，在遠紅外線波長範圍(2.5μm以上5μm以下)亦可為90%以上。 如根據此構成，經由玻璃之近紅外線的吸收率為30%以上之時，與玻璃之近紅外線的吸收率為不足30%之情況做比較，可促進經由近紅外線的吸收之玻璃的加熱者。加上，經由玻璃之遠紅外線的吸收率為90%以上之時，與玻璃之遠紅外線的吸收率為不足90%之情況做比較，可促進經由遠紅外線的吸收之玻璃的加熱者。經由促進如此玻璃之加熱之時，可抑制自基板的塗佈面朝向處理室之對向面的微粒污染物則冷卻在玻璃表面而成為昇華物之情況。隨之，可抑制對於玻璃之昇華物的附著者。
在前述之基板加熱裝置中，前述基板係亦可為塗佈為了形成聚醯亞胺之溶液的基板。 如根據此構成，在聚醯亞胺之形成時，不易加以限制基板的加熱溫度之同時，可抑制對於處理室內部的昇華物之附著者。
在前述的基板加熱裝置中，前述處理室係包含：位置於前述基板的上方，形成前述對向面的頂板，和位置於前述基板的下方，與前述頂板對向之底板，和圍繞前述基板的周圍之周壁，前述玻璃係設置於各前述處理室之前述頂板，前述底板及前述周壁亦可。 如根據此構成，可由玻璃遮蔽自基板的塗佈面朝向於各處理室之頂板，底板及周壁之微粒污染物之故，可抑制對於各處理室之頂板，底板及周壁之昇華物的附著者。
在前述基板加熱裝置中，前述玻璃之厚度係亦可為0.5mm以上10mm以下。 如根據此構成，經由玻璃之厚度為0.5mm以上之時，與玻璃厚度為不足0.5mm之情況做比較，以玻璃而容易吸收紅外線之故，而促進玻璃的加熱，容易抑制對於玻璃之昇華物的附著。加上，經由玻璃之厚度為10mm以下之時，與玻璃之厚度為超過10mm之情況做比較，容易傳達熱之故，玻璃則不易破裂。
在上述之基板加熱裝置中，前述玻璃之熱膨脹係數係在0℃以上750℃以下之範圍而為15×10-7 /K以下亦可。 如根據此構成，與玻璃之熱膨脹係數則在0℃以上750℃以下之範圍中，超過15×10-7 /K之情況做比較，玻璃的尺寸變化為小之故，容易支持玻璃。例如，對於經由以支持構件而夾持玻璃而支持之情況，係可抑制經由玻璃與支持構件的摩擦之異物的產生者。
在上述之基板加熱裝置中，前述基板加熱部係包含支持於前述處理室的頂板之紅外線加熱器，前述玻璃係配置於前述頂板與前述紅外線加熱器之間亦可。 如根據此構成，與配置玻璃於基板與紅外線加熱器之間的情況做比較，不易以玻璃而遮蔽自紅外線加熱器朝向基板的紅外線之故(紅外線則容易直接朝向基板之故)，容易促進基板的加熱。但，當以烤爐使熱風循環而加熱基板的方式時，而有經由熱風循環而卷起異物至基板的收容空間之可能性。對於此，如根據如此構成，在減壓基板的收容空間的環境的狀態，可加熱基板之故，可降低異物被卷起至基板的收容空間之風險者。隨之，在抑制異物附著於處理室的內面或基板之情況上而為最佳。
在上述之基板加熱裝置中，對於前述處理室的上部係設置有安裝前述玻璃於前述處理室之安裝部，在平面視，前述安裝部係配置於避開前述基板之位置亦可。 如根據此構成，與以平面視配置安裝部於與基板重疊之位置情況做比較，即使經由玻璃與安裝部的摩擦而產生有異物，亦可抑制異物落下至基板之情況者。
有關本發明之一形態的基板處理系統係其特徵為含有上述之基板加熱裝置者。 如根據此構成，在基板處理系統中，不易加以限制基板的加熱溫度之同時，可抑制對於處理室內部的昇華物之附著者。 發明效果
如根據本發明，可提供：不易限制基板之加熱溫度之同時，可抑制對於處理室內部的昇華物之附著之基板加熱裝置及基板處理系統者。
以下，參照圖面，說明本發明之實施形態。在以下的說明中，設定XYZ正交座標系，參照此XYZ正交座標系之同時，對於各構件的位置關係加以說明。將水平面內的特定方向作為X方向，將在水平面內中，與X方向正交之方向作為Y方向，將與各X方向及Y方向正交之方向(即，垂直方向)作為Z方向。
(第一實施形態) ＜基板加熱裝置＞ 圖1係有關第一實施形態之基板加熱裝置1的斜視圖。 如圖1所示，基板加熱裝置1係具備：處理室2，基板搬出入部24，壓力調整部3，氣體供給部4，氣體擴散部60(參照圖2)，加熱板5，紅外線加熱器6，位置調整部7，搬送部8，溫度檢知部9，壓力檢知部14，氣體液化回收部11，紅外線反射部30，加熱單元80，斷熱構件26，蓋體構件27，玻璃構造體90及控制部15。控制部15係統括控制基板加熱裝置1之構成要素。在圖1中，以二點鎖線而顯示處理室2之一部分(除了頂板21之一部的部分)，基板搬出入部24及氣體供給部4。
＜處理室＞ 處理室2係可收容基板10，加熱板5，紅外線加熱器6及玻璃構造體90。對於處理室2之內部係形成有可收容基板10之收容空間2S。基板10，加熱板5及紅外線加熱器6係收容於共通的處理室2。處理室2係形成於長方體的箱狀。具體而言，處理室2係經由矩形板狀的頂板21，和與頂板21對向之矩形板狀的底板22，和連結於頂板21及底板22之外周緣的矩形框狀的周壁23而加以形成。例如，對於周壁23之-X方向側係對於處理室2而言，設置有為了進行基板10之搬入及搬出之基板搬出入口23a。
處理室2係將基板10在密閉空間可收容地加以構成。例如，由以熔接等，未有間隙而結合頂板21，底板22及周壁23之各連接部者，可提升處理室2內之氣密性。
處理室2之內面係作為反射自紅外線加熱器6之紅外線的處理室側反射面2a(參照圖2)。例如，處理室2之內面係作為經由不鏽鋼等之金屬的鏡面(反射面)。經由此，與作為處理室2之內面可吸收紅外線之情況做比較，可提高處理室2內之溫度均一性者。然而，處理室2之內面係作為經由鋁的鏡面亦可。
處理室側反射面2a係設置於處理室2之內面全體。處理室側反射面2a係施以鏡面拋光。具體而言，處理室側反射面2a之表面粗度(Ra)係作為0.01μm程度、Rma x 0.1μm程度。然而，處理室側反射面2a之表面粗度(Ra)係以日本東京精密株式會社之測定機器(SURFCOM1500SD2)而進行測定。
＜基板搬出入工程＞ 基板搬出入工程24係設置於周壁23之-X方向側。基板搬出入部24係作為可搬入基板10於收容空間2S之同時，可自收容空間2S排出基板10。例如，基板搬出入部24係作為可開閉基板搬出入口23a地可進行移動。例如，基板搬出入部24係為可開閉基板搬出入口23a之開閉器。具體而言，基板搬出入部24係作為可移動於沿著周壁23之方向(Z方向或Y方向)。
＜壓力調整部＞ 壓力調整部3係可調整處理室2內的壓力。壓力調整部3係包含連接於處理室2之真空配管3a。真空配管3a係延伸存在於Z方向的圓筒狀之配管。例如，真空配管3a係拉開間隔而配置複數於X方向。在圖1中，僅顯示1個之真空配管3a。然而，未限定真空配管3a之設置數。
圖1所示之真空配管3a係連接於靠近底板22之-X方向側之基板搬出入口23a的部分。然而，真空配管3a之連接部分係未限定於靠近底板22之-X方向側的基板搬出入口23a之部分。真空配管3a係如連接於處理室2即可。
例如，壓力調整部3係具備：幫浦機構等之壓力調整機構。壓力調整機構係具備真空泵13。真空泵13係連接於在真空配管3a中，自與和處理室2之連接部(上端部)反對側之部分(下端部)延伸的線。
壓力調整部3係可調整塗佈為了形成聚醯亞胺膜(聚醯亞胺)之溶液(以下，稱為「聚醯亞胺形成用液」之基板10的收容空間2S之環境的壓力。例如，聚醯亞胺形成用液係包含聚醯胺酸或聚醯亞胺粉劑。聚醯亞胺形成用液係僅塗佈於構成矩形板狀之基板10之第一面10a(上面)。 然而，對於基板10之塗佈物(被處理物)係未限定於聚醯亞胺形成用液，而如為為了形成特定的膜於基板10者即可。
另外，壓力調整部3係作為可調整收容空間2S之環境的壓力之構成，但另外，對於此壓力調整部3內係設置供給氮(N2 )、氦(He)、氬(Ar)等等之非活性氣體於收容空間2S之機構(以下，亦有稱為「非活性氣體供給機構」)亦可。經由此，可將收容空間2S調整呈所期望的壓力條件者。在後述之基板加熱方法中，收容工程，基板加熱工程，及處理室加熱工程之各工程中，進行如此之壓力條件的調整亦可。 另外，如後述之氣體供給部4，與壓力調整部3另外地設置非活性氣體供給機構亦可。
＜氣體供給部＞ 氣體供給部4係可調整處理室2之內部環境的狀態。氣體供給部4係包含連接於處理室2之氣體供給配管4a。氣體供給配管4a係延伸存在於X方向的圓筒狀之配管。氣體供給配管4a係連接於靠近周壁23之+X方向側之頂板21的部分。然而，氣體供給配管4a之連接部位係未限定於靠近周壁23之+X方向側之頂板21的部分。氣體供給配管4a係如連接於處理室2即可。
氣體供給部4係可經由供給非活性氣體於收容空間2S而調整收容空間2S之狀態。氣體供給部4係將氮(N2 )、氦(He)、氬(Ar)等之非活性氣體，供給至處理室2內。然而，氣體供給部4係由在基板降溫時供給氣體者，將前述氣體使用於基板冷卻亦可。
經由氣體供給部4而可調整處理室2之內部環境的氧濃度者。處理室2之內部環境的氧濃度(質量基準)係越低越為理想。具體而言，將處理室2之內部環境的氧濃度作為100ppm以下者為佳，而作為20ppm以下者更佳。 例如，如後述，在硬化塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液時之環境中，如此經由將氧濃度作為理想的上限以下之時，可容易進行聚醯亞胺形成用液之硬化者。
＜氣體擴散部＞ 如圖2所示，氣體供給配管4a之-X方向側係突出於處理室2內。氣體擴散部60係連接於在處理室2內之氣體供給配管4a的突出端。氣體擴散部60係在處理室2內而配置於靠近頂板21之部分。氣體擴散部60係在處理室2內而配置於紅外線加熱器6與搬送部8之間。氣體擴散部60係將自氣體供給配管4a所供給之非活性氣體朝向於基板10而進行擴散。
氣體擴散部60係具備：延伸存在於X方向之圓筒狀的擴散管61，和閉塞擴散管61之-X方向端的蓋部62，和連結擴散管61之+X方向端與氣體供給配管4a之-X方向端(突出端)之連結部63。擴散管61之外徑係較氣體供給配管4a的外徑為大。對於擴散管61之-Z方向側(下側)係形成有複數之細孔(未圖示)。即，擴散管61之下部係作為滲透狀(多孔質體)。氣體供給配管4a之內部空間係藉由連結部63而連通於擴散管61內。
自氣體供給配管4a所供給之非活性氣體係藉由連結部63而進入至擴散管61內。進入至擴散管61內之非活性氣體係通過形成於擴散管61之下部的複數之細孔而擴散於下方。即，自氣體供給配管4a所供給之非活性氣體係經由通過擴散管61之時，而朝向基板10加以擴散。
＜加熱板(第一加熱部)＞ 如圖1所示，加熱板5係配置於處理室2內的下方。加熱板5係配置於基板10之一方面側的同時，可加熱基板10之基板加熱部。加熱板5係可以第一溫度而加熱基板10。加熱板5係可階段地加熱基板10。例如，包含第一溫度之溫度範圍係為20℃以上且300℃以下之範圍。加熱板5係配置於與基板10之第一面10a相反側的第二面10b(下面)側。加熱板5係配置於處理室2之底板22側。
加熱板5係構成矩形板狀。加熱板5係可自下方支持紅外線反射部30。
圖3係顯示加熱板5及其周邊構造的側面圖。 如圖3所示，加熱板5係具備：加熱源之加熱器5b，和被覆加熱器5b之底板5c。 加熱器5b係平行於XY平面之面狀發熱體。 底板5c係具備：自上方被覆加熱器5b之上板5d，和自下方被覆加熱器5b之下板5e。上板5d及下板5e係構成矩形板狀。上板5d之厚度係成為較下板5e之厚度為厚。
然而，在圖3中，各符號18係顯示可檢知在加熱板5之加熱器的溫度之加熱器溫度檢知部，符號19係可檢知在加熱板5之上板5d之溫度的板溫度檢知部。例如，加熱器溫度檢知部18及板溫度檢知部19係熱電偶等之接觸式溫度感測器。
圖4係加熱板5的上面圖。如圖4所示，加熱板5(即，上板5d)係具備：可載置紅外線反射部30(參照圖3)之載置面5a(上面)。載置面5a係構成沿著紅外線反射部30之背面的平坦面。載置面5a係施以耐酸鋁處理。載置面5a係包含在載置面5a之面內所區劃之複數(例如，在本實施形態中為4個)之載置範圍A1，A2，A3，A4。載置範圍A1，A2，A3，A4係在平面視，構成於X方向具有長度的長方形形狀。然而，載置範圍A1，A2，A3，A4的數量係不限定為4個，而可作適宜變更。
＜紅外線加熱器(第二加熱部)＞ 如圖1所示，紅外線加熱器6係配置於處理室2內的上方。紅外線加熱器6係可經由紅外線而加熱基板10。紅外線加熱器6係配置於基板10之另一方面側的同時，可加熱基板10之基板加熱部。紅外線加熱器6係可以較第一溫度為高之第二溫度而加熱基板10。紅外線加熱器6係與加熱板5個別獨立加以設置。紅外線加熱器6係可階段性地加熱基板10。例如，包含第二溫度之溫度範圍係為200℃以上且600℃以下之範圍。紅外線加熱器6係配置於基板10的第一面10a側。紅外線加熱器6係配置於處理室2之頂板21側。
紅外線加熱器6係支持於頂板21。對於紅外線加熱器6與頂板21之間係設置有紅外線加熱器6之支持構件(未圖示)。紅外線加熱器6係在靠近處理室2內之頂板21而固定於定位置。例如，紅外線加熱器6之峰值波長範圍係1.0μm以上且4μm以下之範圍。然而，紅外線加熱器6之峰值波長範圍係不限於上述範圍，而可因應要求規格而設定為種種之範圍者。
紅外線加熱器6之升溫速率係較加熱板5之升溫速率為大。 例如，加熱板5的升溫速率係為0.2℃/sec程度。 例如，紅外線加熱器6的升溫速率係為4℃/sec程度。
紅外線加熱器6之降溫速率係較加熱板5之降溫速率為大。 例如，加熱板5的降溫速率係為0.05℃/sec程度。 例如，紅外線加熱器6的降溫速率係為2℃/sec程度。
＜位置調整部＞ 位置調整部7係配置於處理室2之下方。位置調整部7係可調整加熱板5及紅外線加熱器6與基板10之相對位置。位置調整部7係具備：移動部7a與驅動部7b。移動部7a係延伸於上下(Z方向)的柱狀之構件。移動部7a之上端係固定於加熱板5之下面。驅動部7b係可將移動部7a移動於上下。移動部7a係可將基板10移動在加熱板5與紅外線加熱器6之間。具體而言，移動部7a係在支持基板10於紅外線反射部30之狀態，經由驅動部7b之驅動，使基板10移動於上下(參照圖12及圖13)。
驅動部7b係配置於處理室2之外部。因此，假設產生伴隨於驅動部7b之驅動的微粒，亦可經由將處理室2內作為密閉空間之時，迴避對於處理室2內之微粒的侵入者。
＜搬送部＞ 搬送部8係在處理室2內中，配置於加熱板5與紅外線加熱器6之間。搬送部8係可搬送基板10。對於搬送部8係形成有可通過移動部7a之通過部8h。搬送部8係具備沿著基板10之搬送方向的X方向而加以配置之複數的搬送滾輪8a。
複數的搬送滾輪8a係背離於周壁23之+Y方向側與-Y方向側而加以配置。即，通過部8h係周壁23之+Y方向側的搬送滾輪8a，和周壁23之-Y方向側的搬送滾輪8a之間的空間。
例如，對於各周壁23之+Y方向側及-Y方向側係延伸於Y方向之複數的軸桿(未圖示)則沿著X方向，拉開間隔而加以配置。各搬送滾輪8a係經由驅動機構(未圖示)，成為呈旋轉驅動於各軸桿周圍。
圖5係為了說明搬送滾輪8a，基板10及加熱板5之配置關係的圖。圖5係相當於基板加熱裝置1(參照圖1)之上面圖。方便上，在圖5中，以二點鎖鍊線而顯示處理室2。 在圖5中，符號L1係周壁23之+Y方向側的搬送滾輪8a，和周壁23之-Y方向側的搬送滾輪8a背離之間隔(以下，稱為「滾輪背離間隔」)。另外，符號L2係基板10之Y方向的長度(以下，稱為「基板長度」)。另外，符號L3係加熱板5之Y方向的長度(以下，稱為「加熱板長度」)。然而，加熱板長度L3係與紅外線反射部30之Y方向的長度實質上相同長度。
如圖5所示，滾輪背離間隔L1係較基板長度L2為小，且較加熱板長度L3為大(L3＜L1＜L2)。經由滾輪背離間隔L1較加熱板長度L3為大之時，移動部7a係成為呈可與加熱板5及紅外線反射部30同時通過通過部8h(參照圖12及圖13)。
＜溫度檢知部＞ 如圖1所示，溫度檢知部9係配置於處理室2外。溫度檢知部9係可檢知基板10之溫度。具體而言，溫度檢知部9係配置於頂板21之上部。對於頂板21係安裝有未圖示的窗。溫度檢知部9係透過頂板21的窗檢知基板10之溫度。例如，溫度檢知部9係放射溫度計等之非接觸溫度感測器。然而，在圖1中，僅圖示1個溫度檢知部9，但溫度檢知部9的數量係不限於1個，而亦可為複數。例如，將複數的溫度檢知部9配置於頂板21之中央部及四角為佳。然而，溫度檢知部9係配置於處理室2內亦可。此情況，溫度檢知部9係亦可為熱電偶等之接觸式溫度感測器。
＜壓力檢知部＞ 壓力檢知部14係可檢知收容空間2S之壓力(以下，亦稱為「處理室內壓力」)。例如，壓力檢知部14之主體部(感測器)係配置於處理室2內。例如，壓力檢知部14之顯示部(壓力顯示器)係配置於處理室2外。例如，壓力檢知部14係為數位壓力感測器。然而，在圖1中，僅圖示1個壓力檢知部14，但壓力檢知部14的數量係不限於1個，而亦可為複數。
＜氣體液化回收部＞ 氣體液化回收部11係連接於壓力調整部3(真空幫浦13)的線路。氣體液化回收部11係在壓力調整部3的線路中，配置於較真空幫浦13為下游側。氣體液化回收部11係將通過真空配管3a之氣體作為液化之同時，可回收自塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液揮發之溶媒。
假設，氣體液化回收部11則在壓力調整部3之線路中，配置於較真空幫浦13為上游側之情況，在上游側作為液化之液體則有在接下來的減壓時而加以氣化情況，而有真空吸引時間產生延遲之可能性。對此，如根據本實施形態，由氣體液化回收部11則在壓力調整部3之線路中，配置於較真空幫浦13為下游側者，在下游側作為液化之液體則未有在接下來的減壓時而加以氣化情況之故，而可迴避真空吸引時間產生延遲者。
＜搖動部＞ 然而，基板加熱裝置1係更具備：可搖動基板10之搖動部(未圖示)亦可。例如，搖動部係在加熱基板10之狀態中，使基板10搖動於沿著XY平面之方向或沿著Z方向之方向。經由此，使基板10搖動之同時可進行加熱之故，可提高基板10之溫度均一性者。 例如，搖動部係亦可設置於位置調整部7。然而，搖動部之配置位置係未被限定。
＜紅外線反射部＞ 紅外線反射部30係具備反射自紅外線加熱器6朝向於加熱板5之紅外線的加熱板側反射面30a。加熱板側反射面30a係配置於加熱板5與紅外線加熱器6之間。
加熱板側反射面30a係施以鏡面拋光。具體而言，加熱板側反射面30a之表面粗鍍(Ra)係作為0.01μm程度、Rma x 0.1μm程度。然而，加熱板側反射面30a之表面粗度(Ra)係以日本東京精密公司之測定機器(SURFCOM1500SD2)而進行測定。
圖6係紅外線反射部30之上面圖。 如圖6所示，對於加熱板側反射面30a係設置有可支持基板10之複數(例如，在本實施形態中為80個)之基板支持凸部35(在圖1中係略圖示)。然而，基板支持凸部35的數量係未限定為80個，而作適宜變更者。
基板支持凸部35係圓柱狀的針腳。然而，基板支持凸部35係未加以限定於圓柱狀。例如，基板支持凸部35係亦可為陶瓷球等之球狀體。另外，基板支持凸部35係亦可為角柱狀，可作適宜變更者。
複數之基板支持凸部35係在加熱板側反射面30a面內中，拉開一定的間隔而加以配置於X方向及Y方向。例如，基板支持凸部35之配置間隔係作為50mm程度。例如，基板支持凸部35之高度係作為0.1mm程度。例如，基板支持凸部35之高度係可在0.05mm～3mm之範圍進行調整。然而，基板支持凸部35之配置間隔，基板支持凸部35之高度係未限定於上述尺寸，而可在形成間隙於加熱板側反射面30a與基板10之間的狀態，在可支持基板10之範圍中作適宜變更者。
紅外線反射部30係具有分割成各複數(例如，在本實施形態中為4個)之載置範圍A1，A2，A3，A4(參照圖3)之複數(例如，在本實施形態中為4個)之紅外線反射板31，32，33，34。然而，紅外線反射板31，32，33，34之數量係未限定於4個，而可作適宜變更。例如，紅外線反射板係僅為1片亦可。
複數之紅外線反射板31，32，33，34係作為相互實質上相同尺寸。經由此，可共用在各載置範圍A1，A2，A3，A4(参照圖3)中所載置之紅外線反射板31，32，33，34。然而，紅外線反射板31，32，33，34之尺寸係相互不同亦可，而可作適宜變更。
紅外線反射板31，32，33，34係構成具有長度於X方向之長方形板狀。對於1個之紅外線反射板31，32，33，34係配置有5行4列(即，於X方向5個且於Y方向4個)之合計20個的基板支持凸部35。
鄰接之2個的紅外線反射板31，32，33，34係拉開間隔S1，S2而加以配置。間隔S1係作為可容許鄰接之2個的紅外線反射板31，32，33，34之熱膨脹的大小。具體而言，鄰接於X方向之2個的紅外線反射板31，32，33，34的間隔S1係作為可吸收對於X方向之紅外線反射板31，32，33，34的膨脹之大小。鄰接於Y方向之2個的紅外線反射板31，32，33，34的間隔S2係作為可吸收對於Y方向之紅外線反射板31，32，33，34的膨脹之大小。
然而，紅外線反射板31，32，33，34的配置構造係不限於上述。例如，將紅外線反射板31，32，33，34，自側面以賦能構件而按壓固定亦可。例如，作為賦能構件，係可使用可吸收紅外線反射板31，32，33，34的膨脹地進行伸縮的彈簧者。 另外，對於將紅外線反射部30做成G6尺寸(長150cm×寬185cm)以上之1片的板構件之情況，係將前述板構件，自側面以彈簧等之賦能構件而按壓固定亦可。但，當前述板構件為G6尺寸以上時，即使為1片前述板構件，仍有相當的重量。但經由將前述板構件，自側面以彈簧等之賦能構件而按壓固定之時，可容易地固定前述板構件。
＜加熱板與紅外線反射部的拆裝構造＞ 圖7係顯示加熱板5與紅外線反射部30之拆裝構造40的斜視圖。圖8係顯示在圖3中去除紅外線反射部30之狀態的側面圖。然而，在圖7中，顯示作為呈於第一載置範圍A1及第二載置範圍A2，各配置有第一紅外線反射板31及第二紅外線反射板32，而於第三載置範圍A3，載置第三紅外線反射板33之狀態。
如圖7所示，對於加熱板5與紅外線反射部30(參照圖6)之間，係設置可拆裝紅外線反射部30於加熱板5之拆裝構造40。 拆裝構造40係具備：自載置面5a突出之突出部41，和形成於紅外線反射部30之同時，插入突出部41之插入部42。
突出部41係配置於在載置範圍A1，A2，A3，A4之Y方向中央。突出部41係具備：第一凸部41a，和在載置面5a之面內，自第一凸部41a背離於X方向之第二凸部41b。
第一凸部41a及第二凸部41b係對於1個之載置範圍A1，A2，A3，A4各1個加以配置。第一凸部41a係配置於在載置範圍A1，A2，A3，A4之-X方向側。第二凸部41b係配置於在載置範圍A1，A2，A3，A4之+X方向側。如圖8所示，第一凸部41a及第二凸部41b係實質上成為相同的高度。
第一凸部41a及第二凸部41b係為圓柱狀的針腳。然而，第一凸部41a及第二凸部41b係未限定於圓柱狀。例如，第一凸部41a及第二凸部41b係亦可為角柱狀，而可作適宜變更者。
如圖7所示，插入部42係配置於在紅外線反射板31，32，33，34之短方向中央(即，將紅外線反射板31，32，33，34載置於載置面5a時之Y方向中央)。插入部42係具備：插入第一凸部41a之第一凹部42a，和呈容許至少對於第一凸部41a與第二凸部41b之背離方向(X方向)的紅外線反射部30之膨脹或收縮地插入第二凸部41b之第二凹部42b。
第一凹部42a及第二凹部42b係對於1個之紅外線反射板31，32，33，34，各1個加以配置。第一凹部42a係配置於在紅外線反射板31，32，33，34之長度方向之一方側(即，將紅外線反射板載置於載置面5a時之-X方向側)。第二凹部42b係配置於在紅外線反射板31，32，33，34之長度方向之另一方側(即，將紅外線反射板31，32，33，34載置於載置面5a時之+X方向側)。
第一凹部42a係呈前述針腳可拆裝地插入地，凹陷於紅外線反射板31，32，33，34之厚度方向的凹部。第一凹部42a係具有與第一凸部41a之外形實質上相同的內形。第一凹部42a係構成平面視圓形狀。然而，第一凹部42a係未限定於平面視圓形狀。例如，第一凹部42a係亦可為平面視矩形狀，而可配合前述針腳的形狀作適宜變更者。
第二凹部42b係呈前述針腳可拆裝地插入地，凹陷於紅外線反射板31，32，33，34之厚度方向的凹部。第二凹部42b係具有較在第二凸部41b之X方向的外形為大的內形，且具有與在第二凸部41b之Y方向的外形實質上相同的內形。第二凹部42b係構成在平面視，於X方向具有長度之長圓形狀。然而，第二凹部42b係未限定於在平面視，於X方向具有長度之形狀。例如，第二凹部42b係亦可為在平面視，於X方向具有長度之長方形形狀，而可配合前述針腳的形狀作適宜變更者。
然而，拆裝構造40係未限定於具備：自載置面5a突出之突出部41，和形成於紅外線反射部30之同時，插入突出部41之插入部42者。例如，拆裝構造係具備：自紅外線反射部30之下面突出之凸部，和形成於載置面5a之同時，插入有前述凸部的凹部亦可。
＜冷卻機構＞ 如圖3所示，基板加熱裝置1係更加具備：可冷卻加熱板5之冷卻機構50。 圖9係顯示冷卻機構50的上面圖。然而，在圖9中，方便上，省略突出部41等之圖示。 如圖9所示，冷卻機構50係具備：配置於加熱板5之內部同時，可通過冷媒之冷媒通過部51。例如，冷媒係為空氣。然而，冷媒係未限定於空氣等之氣體。例如，冷媒係亦可為水等之液體。
冷媒通過部51係具備：延伸於與載置面5a平形之一方向的同時，排列於與載置面5a平行，且與前述一方向交叉的方向之複數(例如，在本實施形態係為7條)之冷卻通路51a，51b。即，冷媒通過部51係具備：延伸於X方向之同時，排列於Y方向之複數的冷卻通路51a，51b。
複數之冷卻通路51a，51b係使冷媒，自加熱板5之一端側通過於另一端側之複數(例如，在本實施形態係4條)之第一冷卻通路51a，和使冷媒，自加熱板5之另一端側通過於一端側之複數(例如，在本實施形態係3條)之第二冷卻通路51b。即，通過第一冷卻通路51a之冷媒係自加熱板5之-X方向側，朝向+X方向側而流動。通過第二冷卻通路51b之冷媒係自加熱板5之+X方向側，朝向-X方向側而流動。
第一冷卻通路51a與第二冷卻通路51b係各1個交互配置於與載置面5a平行，且與前述第一方向交叉的方向。即，第一冷卻通路51a與第二冷卻通路51b係各1個交互配置於Y方向。
冷媒通過部51係更具備：在加熱板5之一端側與另一端側中，連結於複數之冷卻通路51a，51b之冷卻歧管52，53。冷卻歧管52，53係具備：在加熱板5之-X方向側中，連結於複數之冷卻通路51a，51b之第一歧管52，和在加熱板5之+X方向側中，連結於複數之冷卻通路51a，51b之第二歧管53。
第一歧管52係具備：呈連結複數之第一冷卻通路51a的上游端(-X方向端)地，延伸於Y方向之第一上游連結路徑52a，和呈連結複數之第二冷卻通路51b的下游端(-X方向端)地，延伸於Y方向之第二下游連結路徑52b。對於第一歧管52，係設置有具備：連接於第一上游連結路徑52a之第一上游配管54a，和連接於第二下游連結路徑52b之第二下游配管54b的第一配管部54。
第二歧管53係具備：呈連結複數之第一冷卻通路徑51a的下游端地，延伸於Y方向之第一下游連結路徑53a，和呈連結複數之第二冷卻通路51b的上游端地，延伸於Y方向之第二上游連結路53b。對於第二歧管53，係設置有具備：連接於第一下游連結路徑53a之第一下游配管55a，和連接於第二上游連結路徑53b之第二上游配管55b的第二配管部55。
例如，對於第一上游配管54a之內部空間，係成為呈經由未圖示之送風機而導入空氣。經由此，來自送風機的空氣係歷經第一上游配管54a、第一上游連結路徑52a而各朝向+X方向側流動在複數之第一冷卻通路51a之後，成為呈歷經第一下游連結路徑53a、第一下游配管55a而排出於外部。 另一方面，對於第二上游配管55b之內部空間，係成為呈經由未圖示之送風機而導入空氣。經由此，來自送風機的空氣係歷經第二上游配管55b、第二上游連結路徑53b而各朝向-X方向側流動在複數之第二冷卻通路51b之後，成為呈歷經第二下游連結路徑52b、第二下游配管54b而排出於外部。 然而，空氣的導入係不限於送風機，而以經由乾燥空氣機之壓縮空氣而進行亦可。在圖3及圖8中，省略第二下游連結路徑52b及第二上游連結路徑53b等之圖示。
＜補助加熱部＞ 基板加熱裝置1係更加具備：可選擇性地加熱冷卻歧管52，53之補助加熱部。 圖10係為了說明在加熱板5之加熱控制之一例的圖。 如圖10所示，對於加熱板5係加以配置複數(例如，在本實施形態中係3個)之加熱範圍H1，H2，H3。具體而言，對於加熱板5之X方向中央部，係配置有在平面視，構成正方形狀之第一加熱範圍H1。對於在加熱板5之-X方向側，靠近第一歧管52，係配置有在平面視，構成具有長度於Y方向之長方形形狀之第二加熱範圍H2。對於在加熱板5之+X方向側，靠近第二歧管53，係配置有具有實質上與第二加熱範圍H2相同形狀之第三加熱範圍H3。然而，加熱範圍H1，H2，H3之數量係未限定於3個，而可作適宜變更。
加熱板5係成為可選擇性地加熱第一加熱範圍H1，第二加熱範圍H2及第三加熱範圍H3之至少一個。控制部15(參照圖1)係控制加熱板5，選擇性地加熱第一加熱範圍H1，第二加熱範圍H2及第三加熱範圍H3之至少一個。例如，對於冷卻歧管52，53附近呈降溫之情況，控制部15係控制加熱板5，選擇性地加熱第一歧管52及第二歧管53至少一個附近(即，在加熱板5之第二加熱範圍H2及第三加熱範圍H3之至少一個)。在加熱板5之第二加熱範圍H2及第三加熱範圍H3係作為補助加熱部而發揮機能。
然而，作為補助加熱部而發揮機能之範圍係不限於第二加熱範圍H2及第三加熱範圍H3之情況。例如，補助加熱部係亦可為與加熱部5另外個體之加熱器亦可。另外，補助加熱部係亦可為與前述範圍和前述加熱器之組合，而可作適宜變更者。
＜加熱單元＞ 如圖2所示，加熱單元80係具備：處理室加熱部81，真空配管加熱部82，氣體供給配管加熱部83及基板搬出入部加熱部84。例如，加熱單元80係作為各構成要素的加熱構件，包含具有可撓性的面狀發熱體。例如，面狀發熱體係為橡膠加熱器。然而，加熱構件係不限於橡膠加熱器，而亦可為加熱板，而橡膠加熱器與加熱板之組合亦可，而可作適宜變更者。
加熱單元80係成為可選擇性地加熱處理室加熱部81，真空配管加熱部82，氣體供給配管加熱部83及基板搬出入部加熱部84之至少一個。控制部15(參照圖1)係控制加熱單元80，選擇性地加熱處理室加熱部81，真空配管加熱部82，氣體供給配管加熱部83及基板搬出入部加熱部84之至少一個。例如，對於真空配管3a之內面呈降溫的之情況，控制部15係控制加熱單元80，選擇性地加熱真空配管加熱部82。
＜處理室加熱部＞ 處理室加熱部81係可加熱處理室2之內面的至少一部分。在實施形態中，處理室加熱部81係僅配置於處理室2之周壁23。處理室加熱部81係沿著處理室2之周壁23的外面之面狀發熱體。在實施形態中，處理室加熱部81係被覆處理室2之周壁23的外面全體。例如，在使處理室加熱部81被覆於處理室2之周壁23的外面全體之狀態，經由加熱處理室2之周壁23之時，可提高處理室2之周壁23之內面的溫度之面內均一性者。
例如，處理室加熱部81係可加熱呈處理室2之周壁23之內面的溫度成為40℃以上且150℃以下之範圍。在塗佈聚醯亞胺形成用液於基板10之情況，從抑制昇華物附著於處理室2之周壁23之內面的觀點係將處理室2之周壁23的內面溫度設定為75℃以上且105℃以下之範圍者為佳，而設定為90℃者為特別理想。然而，處理室2之周壁23的內面溫度係不限於上述範圍，而如設定在可抑制在處理室2之周壁23的內面，冷卻處理室2之收容空間2S中的微粒污染物而成為昇華物之情況的範圍即可。
＜真空配管加熱部＞ 真空配管加熱部82係可加熱真空配管3a之內面的至少一部分。在實施形態中，真空配管加熱部82係沿著真空配管3a之外面的面狀發熱體。在實施形態中，真空配管加熱部82係被覆真空配管3a之外面全體。例如，經由在使真空配管加熱部82被覆於真空配管3a之外面全體的狀態而加熱真空配管3a之時，可提高真空配管3a之內面的溫度之面內均一性者。
＜氣體供給配管加熱部＞ 氣體供給配管加熱部83係可加熱氣體供給配管4a之內面的至少一部分。在實施形態中，氣體供給配管加熱部83係沿著氣體供給配管4a之外面的面狀發熱體。在實施形態中，氣體供給配管加熱部83係被覆氣體供給配管4a之外面全體。例如，經由在使氣體供給配管加熱部83被覆於氣體供給配管4a之外面全體的狀態而加熱氣體供給配管4a之時，可提高氣體供給配管4a之內面的溫度之面內均一性者。
＜基板搬出入部加熱部＞ 基板搬出入部加熱部84係可加熱基板搬出入部24之至少一部分。在實施形態中，基板搬出入部加熱部84係沿著基板搬出入部24之外面的面狀發熱體。在實施形態中，基板搬出入部加熱部84係被覆基板搬出入部24之外面全體。
＜斷熱構件＞ 斷熱構件26係自處理室2之外方被覆處理室加熱部81之至少一部分。在實施形態中，斷熱構件26係具備：處理室斷熱構件26a，真空配管斷熱構件26b，氣體供給配管斷熱構件26c及基板搬出入部斷熱構件26d。例如，斷熱構件26係包含被覆各構成要素之加熱部的斷熱材。例如，斷熱材係發泡系斷熱材。然而，斷熱材係不限於發泡系斷熱材，而亦可為纖維系斷熱材，使空氣介入存在於複數層的板玻璃之間隙的構造亦可，而可作適宜變更者。
在實施形態中，處理室斷熱構件26a係被覆處理室加熱部81之外面全體。真空配管斷熱構件26b係被覆真空配管加熱部82之外面全體。氣體供給配管斷熱構件26c係被覆氣體供給配管加熱部83之外面全體。基板搬出入部斷熱構件26d係被覆基板搬出入部加熱部84之外面全體。
＜蓋體構件＞ 蓋體構件27係自處理室2之外方被覆斷熱構件26之至少一部分。在實施形態中，蓋體構件27係具備：處理室蓋體構件27a，真空配管蓋體構件27b，氣體供給配管蓋體構件27c及基板搬出入部蓋體構件27d。例如，蓋體構件27係包含被覆各構成要素之斷熱構件的保護材。例如，保護材係為金屬製。然而，保護材係不限於金屬製，而亦可為樹脂製，而可作適宜變更者。
在實施形態中，處理室蓋體構件27a係被覆處理室斷熱構件26a之外面全體。真空配管蓋體構件27b係被覆真空配管斷熱構件26b之外面全體。氣體供給配管蓋體構件27c係被覆氣體供給配管斷熱構件26c之外面全體。基板搬出入部蓋體構件27d係被覆基板搬出入部斷熱構件26d之外面全體。
＜玻璃構造體＞ 如圖2所示，玻璃構造體90(玻璃)係具備：玻璃頂板91，玻璃底板92及玻璃周壁93。玻璃構造體90係呈面對於各處理室2的頂板21，底板22及周壁23地加以設置。例如，玻璃構造體係以NEOCERAM而加以形成。然而，玻璃構造體90係不限於NEOCERAM，而亦可由石英玻璃加以形成。另外，玻璃構造體90係亦可由NEOCERAM與石英玻璃之組合加以形成，而可作適宜變更者。
例如，玻璃構造體90之石英的含有量係50%以上。玻璃係石英的含有量越多(越接近100%)，耐熱溫度則越提升。從提升玻璃構造體90之耐熱溫度的觀點係將石英的含有量作為70%以上者為佳，而作為90%以上者為更理想。然而，玻璃構造體90之石英的含有量係不限於上述範圍，而可以廣泛為設定基板10之加熱溫度，而如呈成為不易限制基板10之加熱溫度地加以設定即可。
例如，玻璃構造體90之紅外線的吸收率係在近紅外線波長範圍(1μm以上，不足2.5μm)為30%以上，在遠紅外線波長範圍(2.5μm以上5μm以下)為90%以上。玻璃係紅外線的吸收率越高(越接近100%)，越促進經由紅外線的吸收之玻璃的加熱。從促進玻璃構造體90之加熱的觀點係將近紅外線的吸收率作為50%以上者為佳，而作為70%以上者為更理想。另外，將遠紅外線的吸收率作為95%以上者為佳。然而，玻璃構造體90之紅外線的吸收率係不限於上述範圍，而如設定在可抑制在玻璃構造體90之表面，冷卻處理室2之收容空間2S中的微粒污染物而成為昇華物之情況的範圍即可。
例如，玻璃構造體90的厚度t1係0.5mm以上10mm以下。在圖2中，作為玻璃構造體90的厚度t1而顯示玻璃頂板91之厚度。構成玻璃構造體90的玻璃頂板91，玻璃底板92及玻璃周壁93係各實質上作為相同的厚度。玻璃係厚度為不足0.5mm之情況，成為不易吸收紅外線而成為不易促進玻璃之加熱。玻璃係當厚度超過10mm時，成為不易傳導熱而容易斷裂。因此，從得到容易促進加熱，且不易斷裂之玻璃構造體90之觀點係將玻璃構造體90之厚度t1設定為1mm以上5mm以下之範圍者為佳，而設定為3mm者則為特別理想。然而，玻璃構造體90的厚度t1係不限於上述範圍，而如設定在可抑制對於玻璃構造體90之昇華物的附著之範圍即可。
例如，玻璃構造體90之熱膨脹係數係在0℃以上750℃以下之範圍而為15×10-7 /K以下。從縮小玻璃構造體90的尺寸變化的觀點，將玻璃構造體90的熱膨脹係數，在0℃以上750℃以下之範圍中，作為10×10-7 /K以下者為佳，而作為5×10-7 /K以下者為更佳。然而，玻璃構造體90的熱膨脹係數係不限於上述範圍，如可設定在可支持玻璃構造體90之範圍即可。
＜玻璃頂板＞ 玻璃頂板91係配置於基板10之第一面10a(溶液的塗佈面)，和在處理室2中與第一面10a對向之對向面21a(頂板21之下面)之間。玻璃頂板91係在處理室2之頂板21與紅外線加熱器6之間。玻璃頂板91係支持於處理室2之頂板21。對於玻璃頂板91與頂板21之間係設置有玻璃頂板91之支持構件(未圖示)。玻璃頂板91係在靠近處理室2內之頂板21而固定於定位置。
玻璃頂板91係構成於X方向具有長度的長方形板狀。玻璃頂板91係拉開處理室2之周壁23與間隔G1而加以配置。間隔G1係作為可容許玻璃頂板91之熱膨脹的尺寸。具體而言，間隔G1係作為可吸收對於X方向之玻璃頂板91的膨脹之尺寸。雖未圖示，但在Y方向的玻璃頂板91與周壁23之間隔係作為可吸收對於Y方向之玻璃頂板91的膨脹之尺寸。
＜玻璃底板＞ 玻璃底板92係配置於處理室2之底板22之上面。玻璃底板92係支持於底板22。玻璃底板92係經由未圖示之支持構件而固定於底板22之上面的定位置。
玻璃底板92係構成於X方向具有長度的長方形板狀。玻璃底板92係拉開處理室2之周壁23與間隔G2而加以配置。間隔G2係作為可容許玻璃底板92之熱膨脹的尺寸。具體而言，間隔G2係作為可吸收對於X方向之玻璃底板92的膨脹之尺寸。雖未圖示，但在Y方向的玻璃底板92與周壁23之間隔係作為可吸收對於Y方向之玻璃底板92的膨脹之尺寸。
＜玻璃周壁＞ 玻璃周壁93係配置於面對於處理室2之周壁23的位置。玻璃周壁93係支持於周壁23。玻璃周壁93係經由未圖示之支持構件，在靠近周壁23而固定於定位置。
玻璃周壁93係拉開周壁23與間隔G2而加以配置。玻璃周壁93之下端係連結於玻璃底板92之外周緣。玻璃周壁93係自玻璃底板92立起於上方。玻璃周壁93係構成沿著玻璃底板92之外形的矩形框狀。玻璃周壁93之上部係作為迴避基板搬出入口23a之外形。
＜基板加熱方法＞ 接著，說明有關本實施形態之基板加熱方法。在本實施形態中，使用上述之基板加熱裝置1而加熱基板10。在基板加熱裝置1之各部所進行之動作係經由控制部15而加以控制。
圖11係為了說明有關第一實施形態之基板加熱裝置1之動作的一例之圖。圖12係持續於圖11，有關第一實施形態之基板加熱裝置1之動作說明圖。圖13係持續於圖12，有關第一實施形態之基板加熱裝置1之動作說明圖。
方便上，在圖11～圖13中，基板加熱裝置1之構成要素之中，省略基板搬出入部24，壓力調整部3，氣體供給部4，氣體擴散部60，溫度檢知部9，壓力檢知部14，氣體液化回收部11，冷卻機構50，加熱單元80，斷熱構件26，蓋體構件27，玻璃構造體90及控制部15之圖示。
有關本實施形態之基板加熱方法係包含收容工程，基板加熱工程，及處理室加熱工程。 如圖11所示，在收容工程中，將塗佈聚醯亞胺形成用液的基板10，收容於處理室2之內部的收容空間2S。
在收容工程中，將基板10配置於搬送滾輪8a。在收容工程中，加熱板5係位置於靠近底板22。在收容工程中，加熱板5及基板10係背離於加熱板5的熱未傳達至基板10之程度。在收容工程中，加熱板5的電源係成為開啟。例如，加熱板5的溫度係成為200℃程度。在收容工程中，紅外線加熱器6的電源係成為關閉。
收容工程之後，前進至基板加熱工程。在基板加熱工程中，適當地控制基板10之收容空間2S的環境壓力同時，以適當的溫度而加熱基板10。在基板加熱工程中，使用配置於基板10之一方側的加熱板5與配置於基板10之另一方側的紅外線加熱器6而加熱基板10。 基板加熱工程係包含：第一加熱工程，第二加熱工程及第三加熱工程。
在第一加熱工程中，將基板10之收容空間2S之環境作為1000Pa以上。例如，在第一加熱工程中，將收容空間2S之環境作為大氣壓(1013hPa)。在第一加熱工程中，呈在聚醯亞胺膜之生成過程抑制昇華物的產生，而使處理室內壓力上升。然而，在第一加熱工程中，亦可將收容空間2S之環境作為1000Pa以上大氣壓以下，而作為較大氣壓為大者亦可。
在第一加熱工程中，使用加熱板5而加熱基板10。 如圖12所示，在第一加熱工程中，使加熱板5移動至上方，使基板10載置於紅外線反射部30之加熱板側反射面30a。
具體而言，使基板10支持於設置在加熱板側反射面30a之基板支持凸部35(參照圖3)。經由此，加熱板側反射面30a係接近於基板10之第二面10b之故，加熱板5的熱則成為呈藉由紅外線反射部30而傳導至基板10。例如，在第一加熱工程中，加熱板5之溫度係維持200℃。因此，基板溫度係作為可上升至200℃。另一方面，在第一加熱工程中，紅外線加熱器6的電源係成為保持關閉。
然而，在第一加熱工程中，加熱板5係位置於通過部8h(參照圖1)內。方便上，在圖12中，以二點鎖鏈線而示移動前(收容工程時之位置)的加熱板5，而以實線而示移動後(第一加熱工程時之位置)的加熱板5。
在第一加熱工程中，在將收容空間2S之環境作為1000Pa以上之狀態，將基板10加熱為25℃以上250℃以下之溫度(第一加熱控制)。經由此，配向塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液的醯亞胺化前的分子鎖。例如，在第一加熱工程中，在將收容空間2S之環境作為大氣壓之狀態，將基板10加熱至200℃。例如，在第一加熱工程中，將基板10之加熱時間作為0.5min以上40min以下。
在第一加熱工程之後，在第二加熱工程中，將收容空間2S之環境作為1Pa以上，不足1000Pa。例如，在第二加熱工程中，將收容空間2S之環境作為1Pa以上20Pa以下。在第二加熱工程中，至塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液揮發為止，使處理室內壓力下降。然而，在第二加熱工程中，亦可將收容空間2S之環境作為500Pa以下，而亦可作為300Pa以下者，而亦可作為100Pa以下者。
在第二加熱工程中，盡可能地降低處理室2之內部環境的氧濃度。例如，在第二加熱工程中，將處理室2內之真空度作為20Pa以下。經由此，可將處理室2內之氧濃度作為100ppm以下者。
在第二加熱工程中，使用與加熱板5個別獨立所設置之紅外線加熱器6而加熱基板10。 如圖13所示，在第二加熱工程中，使加熱板5，移動至較第一加熱工程時之位置更為上方，使基板10接近於紅外線加熱器6。
例如，在第二加熱工程中，加熱板5之溫度係維持200℃。另外，在第二加熱工程中，紅外線加熱器6的電源係作為開啟。例如，紅外線加熱器6係可以600℃而加熱基板10。因此，基板溫度係作為可上升至600℃。在第二加熱工程中，基板10則較第一加熱工程時接近於紅外線加熱器6之故，紅外線加熱器6的熱則成為呈充分地傳導至基板10。
然而，在第二加熱工程中，加熱板5係位置於搬送滾輪8a(圖1所示之通過部8h)之上方且紅外線加熱器6之下方。方便上，在圖13中，以二點鎖鏈線而示移動前(第一加熱工程時之位置)的加熱板5，而以實線而示移動後(第二加熱工程時之位置)的加熱板5。
在第二加熱工程中，在將收容空間2S之環境作為1Pa以上，不足1000Pa之狀態，將基板10加熱至超過在第一加熱工程之最高到達溫度，且550℃以下之溫度(第二加熱控制)。經由此，配向塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液的醯亞胺化前的分子鎖。另外，醯亞胺化聚醯亞胺形成用液。例如，在第二加熱工程中，在將收容空間2S之環境作為1Pa以上20Pa以下之狀態，將基板10加熱至300℃。在第二加熱工程中，使用升溫速率則較在第一加熱工程所使用之加熱板5為大的紅外線加熱器6而加熱基板10。例如，在第二加熱工程中，將紅外線加熱器6的升溫速率作為100℃/min以上。例如，在第二加熱工程中，將基板10之加熱時間作為2min以上40min以下。
在第二加熱工程之後，在第三加熱工程中，在將收容空間2S之環境作為1Pa以上，不足1000Pa之狀態，將基板10加熱至較第二加熱工程之最高到達溫度更高50℃以上之溫度(第三加熱控制)。經由此，再配向(分子鎖再配列)塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液的醯亞胺化時的分子鎖。例如，在第三加熱工程中，在將收容空間2S之環境作為1Pa以上20Pa以下之狀態，將基板10加熱至500℃。在第三加熱工程中，使用紅外線加熱器6而加熱基板10。在第三加熱工程中，將基板10之加熱時間作為2min以上40min以下。
在第二加熱工程及第三加熱工程中，使用配置於加熱板5與紅外線加熱器6之間的加熱板側反射面30a而反射朝向於加熱板5之紅外線。經由此，可迴避由加熱板5吸收紅外線之情況。然而，經由加熱板側反射面30a所反射之紅外線的至少一部分係由基板10所吸收。
加上，在第二加熱工程及第三加熱工程中，在設置於處理室2之內面的處理室側反射面2a中加以反射紅外線。經由此，可提高處理室2內之溫度均一性者。然而，經由處理室側反射面2a所反射之紅外線的至少一部分係由基板10所吸收。
加上，在第二加熱工程及第三加熱工程中，冷卻加熱板5。例如，在第二加熱工程及第三加熱工程中，使冷媒(空氣)通過於配置在加熱部的內部之冷媒通過部51(參照圖9)。
第三加熱工程之後，進行使基板10冷卻之冷卻工程。例如，在冷卻工程中，在保持第三加熱工程之環境，或低氧環境之狀態，基板溫度則自第三加熱工程之溫度，成為至可搬送基板10之溫度為止，冷卻基板10。在冷卻工程中，紅外線加熱器6的電源作為成為關閉。例如，在冷卻工程中，基板溫度則至成為250℃以下為止，冷卻基板10。例如，在冷卻工程中，將冷卻基板10之時間，作為1min以上5min以下。
經由歷經以上之工程，進行塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液的揮發或醯亞胺化之同時，進行塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液的醯亞胺化時之分子鏈的再配列，可形成聚醯亞胺膜。
在本實施形態中，從抑制處理室2之收容空間2S之微粒污染物則在處理室2之內面加以冷卻而成為昇華物之觀點，進行以下的處理室加熱工程。 在處理室加熱工程中，加熱處理室2之內面的至少一部分。在實施形態中，在處理室加熱工程中，使用配置於處理室2之周壁23的處理室加熱部81，加熱處理室2之周壁23的內面(參照圖2)。例如，在處理室加熱工程中，處理室2之周壁23內面的溫度則呈成為40℃以上且150℃以下範圍地進行加熱。例如，處理室加熱工程係至少在基板加熱工程之間，時常進行。
實施形態之基板加熱方法係更包含：真空配管加熱工程，氣體供給配管加熱工程及基板搬出入部加熱工程。 在真空配管加熱工程中，加熱連接於處理室2之真空配管3a之內面的至少一部分。在實施形態中，在真空配管加熱工程中，使用被覆真空配管3a之外面的真空配管加熱部82，加熱真空配管3a之內面(參照圖2)。例如，真空配管加熱工程係至少在基板加熱工程之間，時常進行。
在氣體供給配管加熱工程中，加熱氣體供給配管4a之內面的至少一部分。在實施形態中，在氣體供給配管加熱工程中，使用被覆氣體供給配管4a之外面的氣體供給配管加熱部83，加熱氣體供給配管4a之內面(參照圖2)。例如，氣體供給配管加熱工程係至少在基板加熱工程之間，時常進行。
在基板搬出入部加熱工程中，可加熱基板搬出入部24之至少一部分。在實施形態中，在基板搬出入部加熱工程係使用被覆基板搬出入部24之外面的基板搬出入部加熱部84，加熱基板搬出入部24(參照圖2)。例如，基板搬出入部加熱工程係至少在基板加熱工程之間，時常進行。
＜玻璃頂板的安裝部與基板之配置關係＞ 接著，對於有關本實施形態之玻璃頂板的安裝部與基板之配置關係加以說明。在本實施形態中，玻璃頂板91係經由支持構件(未圖示)而懸掛於處理室2之頂板21(參照圖2)。
圖14係為了說明有關第一實施形態的玻璃頂板91之安裝部95與基板10的配置關係的圖。圖14係自基板10側而視玻璃頂板91之平面圖(下面圖)。 如圖14所示，各玻璃頂板91及基板10係構成於X方向具有長度之長方形板狀。玻璃頂板91之外形係較基板10之外形為大。對於玻璃頂板91之四角係設置有為了懸掛玻璃頂板91之支持構件的安裝部95。安裝部95係經由自上下夾持玻璃頂板91而支持。安裝部95係設置於處理室2(參照圖2)之上部。在平面視，安裝部95係配置於避開基板10之位置。在平面視，安裝部95係配置於基板10之角部的外方。
＜玻璃周壁及玻璃底壁之配置構造＞ 接著，對於有關本實施形態之玻璃周壁及玻璃底壁之配置構造而加以說明。在本實施形態中，玻璃周壁93係與玻璃底壁92一體地加以結合(參照圖2)。
圖15係為了說明有關第一實施形態之玻璃周壁93及玻璃底板92之配置構造的圖。在圖15中，省略處理室2之頂板21等之圖示。 如圖15所示，玻璃周壁93及玻璃底板92係經由相互一體地加以結合而構成開放於上方的箱狀。在圖15中符號90A係顯示一體化玻璃周壁93及玻璃底板92之箱狀體。箱狀體90A係作為可設置於處理室2之底板22上面的尺寸。在箱狀體90A中，對於面對於基板搬出入口23a之部分，係形成有開口93a。
如以上，如根據本實施形態，基板加熱裝置1係由包含：可收容塗佈溶液之基板10的收容空間2S形成於內部之處理室2，和配置於收容空間2S之同時，可加熱基板10之基板加熱部5，6，和至少配置於在基板10之溶液的塗佈面10a，和在處理室2中，與塗佈面10a對向之對向面21a之間的玻璃構造體90者，得到以下的效果。 如根據此構成，由包含至少配置於在基板10之溶液的塗佈面10a，和在處理室2中，與塗佈面10a對向之對向面21a之間的玻璃構造體90者，可以玻璃構造體90而遮蔽自基板10之塗佈面10a朝向於處理室2之對向面21a之微粒污染物(昇華物源)之故，可抑制對於處理室2之對向面21a(處理室內部)之昇華物的附著者。加上，玻璃之耐熱溫度(連續使用溫度)係較樹脂為高之故，可以更廣的範圍而設定基板10之加熱溫度，而不易加以限制基板10的加熱溫度。隨之，不易加以限制基板10的加熱溫度之同時，可抑制對於處理室內部的昇華物之附著者。例如，由NEOCERAM而形成玻璃構造體90者，NEOCERAM之耐熱溫度係為750℃以上之故，可以更廣範圍而設定基板10之加熱溫度者。
另外，玻璃構造體90係由石英的含有率為50%以上者，與石英的含有率不足50%之情況做比較，可使玻璃構造體90之耐熱溫度提升。隨之，可以更廣的範圍而設定基板10之加熱溫度，更不易加以限制基板10的加熱溫度。
另外，玻璃構造體90之紅外線的吸收率係在近紅外線波長範圍(1μm以上，不足2.5μm)為30%以上，在遠紅外線波長範圍(2.5μm以上5μm以下)為90%以上者，得到以下的效果。 如根據此構成，經由玻璃構造體90之近紅外線的吸收率為30%以上之時，與玻璃構造體90之近紅外線的吸收率為不足30%之情況做比較，可促進經由近紅外線的吸收之玻璃構造體90的加熱者。加上，經由玻璃構造體90之遠紅外線的吸收率為90%以上之時，與玻璃構造體90之遠紅外線的吸收率為不足90%之情況做比較，可促進經由遠紅外線的吸收之玻璃構造體90的加熱者。如此，經由促進如此玻璃構造體90之加熱之時，可抑制自基板10的塗佈面10a朝向處理室2之對向面21a的微粒污染物則冷卻在玻璃構造體90之表面而成為昇華物之情況。隨之，可抑制對於玻璃構造體90之昇華物的附著者。
另外，基板10係為塗佈為了形成聚醯亞胺之溶液的基板者，在聚醯亞胺的形成時，不易限制基板10之加熱溫度之同時，可抑制對於處理室內部的昇華物之附著。
另外，處理室2係包含：位置於基板10之上方，形成對向面21a之頂板21，和位置於基板10之下方，與頂板21對向之底板22，和圍繞基板10之周圍的周壁23，玻璃構造體90係由呈面對於處理室2之各頂板21，底板22及周壁23地加以設置者，得到以下的效果。 如根據此構成，可以玻璃構造體90而遮蔽自基板10之塗佈面10a朝向於處理室2之各頂板21，底板22及周壁23之微粒污染物之故，可抑制對於處理室2之各頂板21，底板22及周壁23之昇華物的附著者。
另外，玻璃構造體90的厚度t1係為0.5mm以上10mm以下者，得到以下的效果。 如根據此構成，經由玻璃構造體90之厚度t1為0.5mm以上之時，與玻璃構造體90之厚度t1為不足0.5mm之情況做比較，以玻璃構造體90而容易吸收紅外線之故，而促進玻璃構造體90的加熱，容易抑制對於玻璃構造體90之昇華物的附著。加上，玻璃構造體90之厚度t1為10mm以下之時，與玻璃構造體90之厚度t1為超過10mm之情況做比較，容易傳導熱之故，玻璃構造體90則不易斷裂。
另外，玻璃構造體90之熱膨脹係數係在0℃以上750℃以下之範圍而為15×10-7 /K以下者，得到以下的效果。 與玻璃構造體90之熱膨脹係數則在0℃以上750℃以下之範圍中，超過15×10-7 /K之情況做比較，玻璃構造體90的尺寸變化為小之故，容易支持玻璃構造體90。例如，對於經由以支持構件而夾持玻璃構造體90而支持之情況，係可抑制經由玻璃構造體90與支持構件的摩擦之異物的產生者。
另外，基板加熱部5，6係包含由處理室2之頂板21所支持之紅外線加熱器6，玻璃頂板91係由配置於頂板21與紅外線加熱器6之間者，得到以下的效果。 如根據此構成，與配置玻璃頂板91於基板10與紅外線加熱器6之間的情況做比較，不易以玻璃頂板91而遮蔽自紅外線加熱器6朝向基板10的紅外線之故(紅外線則容易直接朝向於基板10之故)，容易促進基板10的加熱。但，當以烤爐使熱風循環而加熱基板的方式時，而有經由熱風循環而卷起異物至基板的收容空間之可能性。對於此，如根據如此構成，在減壓收容空間2S的環境的狀態，可加熱基板10之故，可降低異物被卷起至收容空間2S之風險者。隨之，在抑制異物附著於處理室2的內面或基板10之情況上而為最佳。
另外，對於處理室2之上部係安裝有將玻璃頂板91安裝於處理室2之安裝部95，在平面視，安裝部95係由配置於避開基板10之位置者，得到以下的效果。 如根據此構成，與以平面視配置安裝部95於與基板10重疊之位置情況做比較，即使經由玻璃頂板91與安裝部95的摩擦而產生有異物，亦可抑制異物落下至基板10之情況者。
另外，基板加熱部5，6係由包含配置於基板10之一方面側的加熱板5，和配置於基板10之另一方面側之同時，可經由紅外線而加熱基板10之紅外線加熱器6者，得到以下的效果。 如根據此構成，由配置紅外線加熱器6於基板10之另一方面側者，自紅外線加熱器6所產生的熱則成為自基板10之另一方面側朝向於一方面側而傳導之故，經由加熱板5之加熱與經由紅外線加熱器6之加熱則相互作用，可更一層效果地加熱基板10。加上，經由配置於基板10之另一方面側之加熱板5，可使基板10之加熱溫度，在基板10之面內作為均一化之故，而可使膜特性提升。例如，經由在使加熱板5之一面與基板10之第二面10b抵接之狀態而加熱基板10之時，可提高基板10之加熱溫度的面內均一性者。
另外，處理室2之內面的至少一部分係由作為反射紅外線之處理室側反射面2a者，得到以下的效果。經由處理室側反射面2a所反射之紅外線的至少一部分係由基板10所吸收之故，而可促進基板10之加熱。另一方面，依據經由處理室側反射面2a所反射之紅外線的基板10之溫度上升部分，可降低紅外線加熱器6之輸出者。
另外，加熱板5則由在20℃以上且300℃以下之範圍可加熱基板10者，可安定進行塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液的溶媒除去或聚醯亞胺形成用液的預備硬化等。加上，紅外線加熱器6則由在200℃以上且600℃以下之範圍，可加熱基板10者，可更一層安定使塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液硬化者。加上，可安定進行聚醯亞胺形成用液的醯亞胺化時之分子鏈的再配列，可提升一段膜特性者。
另外，包含配置於加熱板5與紅外線加熱器6之間之同時，具有反射朝向於加熱板5之紅外線的加熱板側反射面30a之紅外線反射部30，而加熱板5係由包含可載置紅外線反射部30之載置面5a者，得到以下的效果。 如根據此構成，由包含配置於加熱板5與紅外線加熱器6之間之同時，反射朝向於加熱板5之紅外線的加熱板側反射面30a者，可迴避由加熱板5吸收紅外線之情況之故，可抑制經由紅外線之加熱板5的升溫。因此，無需考慮伴隨經由紅外線之加熱板5的升溫之加熱板5之降溫時間。隨之，可縮短化對於加熱板5之降溫需要之間歇時間。加上，經由加熱板側反射面30a所反射之紅外線的至少一部分係由基板10所吸收之故，而可促進基板10之加熱。另一方面，依據經由加熱板側反射面30a所反射之紅外線的基板10之溫度上升部分，可降低紅外線加熱器6之輸出者。加上，加熱板5係由包含可載置紅外線反射部30之載置面5a者，將收容空間2S之環境進行減壓而做成真空狀態的情況，可將在加熱板5之載置面5a與紅外線反射部30之間進行真空斷熱者。即，可將載置面5a與紅外線反射部30之界面的間隙作為斷熱層而使其發揮機能。因此，可抑制經由紅外線之加熱板5的升溫。另一方面，供給氮於收容空間2S(N2 清除)之情況，可解除載置面5a與紅外線反射部30之間的真空斷熱。因此，加熱板5降溫時係可推斷紅外線反射部30亦降溫。
另外，僅於基板10之第一面10a，塗佈聚醯亞胺形成用液，而由配置加熱板5於與基板10之第一面10a相反側的第二面10b側者，得到以下的效果。自加熱板5產生的熱則成為呈自基板10之第二面10b側朝向於第一面10a側而傳導之故，可有效果地加熱基板10。加上，在由加熱板5而加熱基板10之間，可效率佳地進行塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液的溶媒除去，或聚醯亞胺形成用液之預備硬化，成膜時之排氣等。
另外，加熱板5及紅外線加熱器6之雙方則由可階段性地加熱基板10者，得到以下的效果。與加熱板5及紅外線加熱器6則僅以一定的溫度可加熱基板10之情況做比較，呈適合於塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液的硬化條件地，可效率佳地加熱基板10者。例如，階段性地使塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液進行乾燥，而可良好地使其硬化者。
另外，由包含可調整加熱板5及紅外線加熱器6與基板10之相對位置的位置調整部7者，與未具備前述位置調整部7之情況做比較，成為容易調整基板10之加熱溫度。例如，對於加高基板10之加熱溫度之情況，使加熱板5及紅外線加熱器6與基板10接近，對於降低基板10之加熱溫度之情況，可使加熱板5及紅外線加熱器6與基板10背離者。隨之，成為階段性地容易加熱基板10。
另外，位置調整部7係由包含可將基板10移動在加熱板5及紅外線加熱器6之間之移動部7a者，得到以下的效果。經由將基板10移動在加熱板5及紅外線加熱器6之間之時，在將加熱板5及紅外線加熱器6之至少一方配置於定位置之狀態，可調整基板10之加熱溫度者。隨之，無須另外設置將加熱板5及紅外線加熱器6之至少一方作為移動可能之裝置之故，可以簡素之構成而調整基板10之加熱溫度者。
另外，對於加熱板5及紅外線加熱器6之間係設置有可搬送基板10之搬送部8，而對於搬送部8係由形成有可通過移動部7a之通過部8h者，得到以下的效果。對於使基板10移動在加熱板5及紅外線加熱器6之間之情況，可使通過部8h通過之故，而無須迂迴搬送部8而使基板10移動。隨之，無須另外設置為了迂迴搬送部8而使基板10移動之裝置之故，可以簡素的構成而平順地進行基板10之移動者。
另外，由包含可檢知基板10之溫度的溫度檢知部9者，可即時把握基板10之溫度。例如，經由依據溫度檢知部9之檢知結果而加熱基板10之時，可抑制基板10之溫度自目標值脫離之情況者。
另外，基板10及基板加熱部5，6則由收容於共通的處理室2者，可總括在共通的處理室2內，對於基板10之經由基板加熱部5，6之加熱處理者。例如，可總括進行在共通的處理室2內，對於基板10之經由加熱板5之加熱處理與經由紅外線加熱器6之加熱處理者。即，如加熱板及紅外線加熱器則收容於相互不同之處理室之情況地，無須在不同之2個處理室間，為了使基板搬送之時間。隨之，可更一層效率佳地進行基板10之加熱處理者。另外，與具備不同之2個處理室的情況做比較，可將裝置全體作為小型化者。
(第二實施形態) 接著，對於本發明之第二實施形態，使用圖16～圖19而加以說明。 在第二實施形態中，對於第一實施形態而言，位置調整部207之構成則特別不同。在圖16～圖19中，對於與第一實施形態同樣的構成係附上同一符號，其詳細之說明係省略之。 圖16係包含在有關第二實施形態之基板加熱裝置201之加熱單元80，斷熱構件26，蓋體構件27及玻璃構造體90之剖面，相當於圖2的圖。
＜位置調整部＞ 如圖16所示，位置調整部207係具備：收容部270，移動部275及驅動部279。 收容部270係配置於處理室2之下側。收容部270係係可收容移動部275及驅動部279。收容部270係形成為長方體的箱狀。具體而言，收容部270係經由矩形板狀之第一支持板271，和與第一支持板271對向之矩形板狀之第二支持板272，和連結於第一支持板271及第二支持板272之外周緣之同時，呈圍繞移動部275及驅動部279之周圍地被覆之圍繞板273而加以形成。然而，亦可未設置圍繞板273。即，位置調整部207係如至少具備第一支持板271，移動部275及驅動部279即可。例如，設置被覆裝置全體之外裝蓋體亦可。
第一支持板271之外周緣係連接於處理室2之周壁23的下端。第一支持板271係亦作為處理室2之底板而發揮機能。對於第一支持板271係配置有加熱板205。具體而言，加熱板205係在處理室2內由第一支持板271所支持。
圍繞板273與周壁23係連續連結於上下。處理室2係將基板10在密閉空間可收容地加以構成。例如，由以熔接等，未有間隙而結合頂板21，作為底板之第一支持板271，及周壁23之各連接部者，可提升處理室2內之氣密性。
移動部275係具備：針腳276，伸縮管277及基台278。 針腳276係可移動於可支持基板10之第二面10b且第二面10b之法線方向(Z方向)。針腳276係延伸於上下之棒狀的構件。針腳276之前端(上端)係作為可抵接於基板10之第二面10b，且可自基板10之第二面10b背離。
針腳276係拉開間隔而複數設置於與第二面10b平行之方向(X方向及Y方向)。複數之針腳276係各形成為略相同之長度。複數之針腳276的前端係配置於與第二面10b平行的面內(XY平面內)。
伸縮管277係加以設置於第一支持板271與基台278之間。伸縮管277係呈圍繞針腳276之周圍地被覆之同時，延伸於上下之管狀的構件。伸縮管277係作為在第一支持體271與基台278之間自由伸縮於上下。例如，伸縮管277係真空伸縮管。
伸縮管277係係僅與複數之針腳276相同數量加以複數設置。複數之伸縮管277之前端(上端)係固定於第一支持板271。具體而言，對於第一支持板271係形成有將第一支持板271開口於厚度方向之複數的插通孔271h。各插通孔271h之內徑係作為與各伸縮管277之外徑略相同之尺寸。例如，各伸縮管277之前端係嵌合固定於第一支持板271之各插通孔271h。
基台278係與第一支持板271對向之板狀的構件。基台278之上面係構成沿著基板10之第二面10b之平坦面。對於基台278之上面係固定著複數之針腳276之基端(下端)及複數之伸縮管277之基端(下端)。
複數之針腳276之前端係作為可插通加熱板205。對於加熱板205係在以第二面10b之法線方向而重疊於第一支持板271之各插通孔271h(各伸縮管277之內部空間)之位置，形成有將加熱板205開口於第二面10b之法線方向(加熱板205之厚度方向)之複數的插通孔205h。
複數之針腳276之前端係作為可插通紅外線反射部230。對於紅外線反射部230係在以第二面10b之法線方向而重疊於第一支持板271之各插通孔271h(各伸縮管277之內部空間)之位置，形成有將紅外線反射部230開口於第二面10b之法線方向(紅外線反射板之厚度方向)之複數的插通孔230h。
複數之針腳276的前端係作為藉由各伸縮管277之內部空間，加熱板205之各插通孔205h及紅外線反射部230之各插通孔230h，而可接合於基板10之第二面10b。因此，經由複數之針腳276的前端，基板10則成為呈平行地支持於XY平面。複數之針腳276係成為呈支持收容於處理室2內之基板10之同時，移動於處理室2內之Z方向(參照圖17～圖19)。
驅動部279係配置於處理室2之外部的收容部270內。因此，假設產生伴隨於驅動部279之驅動的微粒，亦可經由將處理室2內作為密閉空間之時，迴避對於處理室2內之微粒的侵入者。
＜基板加熱方法＞ 接著，說明有關本實施形態之基板加熱方法。在本實施形態中，使用上述之基板加熱裝置201而加熱基板10。在基板加熱裝置201之各部所進行之動作係經由控制部15而加以控制。然而，對於與第一實施形態同樣的工程，其詳細的說明係省略之。
圖17係為了說明有關第二實施形態之基板加熱裝置201之動作的一例之圖。圖18係持續於圖17，有關第二實施形態之基板加熱裝置201之動作說明圖。圖19係持續於圖18，有關第二實施形態之基板加熱裝置201之動作說明圖。
方便上，在圖17～圖19中，基板加熱裝置201之構成要素之中，省略基板搬出入部24，壓力調整部3，氣體供給部4，氣體擴散部60，溫度檢知部9，壓力檢知部14，氣體液化回收部11，冷卻機構50，加熱單元80，斷熱構件26，蓋體構件27，玻璃構造體90及控制部15之圖示。
有關本實施形態之基板加熱方法係包含收容工程，基板加熱工程，及處理室加熱工程。 如圖17所示，在收容工程中，將塗佈聚醯亞胺形成用液的基板10，收容於處理室2之內部的收容空間2S。
在收容工程中，基板10則自加熱板205背離。具體而言，藉由各伸縮管277之內部空間，加熱板205之各插通孔205h及紅外線反射部230之各插通孔230h而使複數之針腳276之前端接合於基板10之第二面10b之同時，經由使基板10上升之時，使基板10，自加熱板205背離。在收容工程中，加熱板205及基板10係背離於加熱板205的熱未傳達至基板10之程度。在收容工程中，加熱板205的電源係成為開啟。在收容工程中，紅外線加熱器6的電源係成為關閉。
收容工程之後，前進至基板加熱工程。在基板加熱工程中，使用配置於基板10之一方側的加熱板205與配置於基板10之另一方側的紅外線加熱器6而加熱基板10。 基板加熱工程係包含：第一加熱工程，第二加熱工程及第三加熱工程。
在第一加熱工程中，使用加熱板205而加熱基板10。 如圖18所示，在第一加熱工程中，經由使複數之針腳276之前端，自基板10之第二面10b背離之時，使基板10載置於紅外線反射部230之加熱板側反射面230a。具體而言，使基板10支持於設置在加熱板側反射面230a之基板支持凸部(未圖示)。經由此，加熱板側反射面230a係接近於基板10之第二面10b之故，加熱板205的熱則成為呈藉由紅外線反射部230而傳導至基板10。例如，在第一加熱工程中，紅外線加熱器6的電源係成為保持關閉。
在第一加熱工程之後，在第二加熱工程中，使用與加熱板205個別獨立所設置之紅外線加熱器6而加熱基板10。 如圖19所示，在第二加熱工程中，經由使基板10，較第一加熱工程時之位置更上升之時，使基板10接近於紅外線加熱器6。在第二加熱工程中，紅外線加熱器6的電源係作為開啟。在第二加熱工程中，基板10則較第一加熱工程時接近於紅外線加熱器6之故，紅外線加熱器6的熱則成為呈充分地傳導至基板10。
之後，經由歷經與第一實施形態同樣之工程，進行塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液的揮發或醯亞胺化之同時，進行塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液的醯亞胺化時之分子鏈的再配列，可形成聚醯亞胺膜。 另外，從抑制處理室2之收容空間2S中之微粒污染物則在處理室2之內面加以冷卻而成為昇華物之觀點，進行與第一實施形態同樣的處理室加熱工程。
如以上，如根據本實施形態，包含移動部275則可支持基板10之第二面10b且可移動於第二面10b之法線方向之複數的針腳276，由複數的針腳276之前端則配置於與與第二面10b平行之面內者，得到以下的效果。在安定支持基板10之狀態，可加熱基板10之故，可使塗佈於基板10之聚醯亞胺形成用液安定硬化者。
另外，對於加熱板205係形成有將加熱板205開口於第二面10b之法線方向之複數的插通孔205h，而各針腳276之前端則由作為可藉由各插通孔205h而接合於第二面10b者，得到以下的效果。可以短時間而進行在複數的針腳276與加熱板205之間的基板10之收受之故，可效率佳地調整基板10之加熱溫度者。
然而，在上述的例中所示之各構成構件之諸形狀或組合等係為一例，可依據設計要求等而做種種變更。 例如，在上述實施形態中，基板加熱部係具備：配置於基板之一方側的加熱板，和配置於基板之另一方側的同時，經由紅外線而可加熱基板之紅外線加熱器，但並不限於此。例如，基板加熱部係僅具備配置於基板之一方側的加熱板亦可，而亦可僅具備配置於基板之另一方側的紅外線加熱器。即，基板加熱部係如配置於基板之一方側及另一方側之至少一方即可。
另外，在上述實施形態中，玻璃構造體90則呈面對於處理室2之各頂板21，底板22及周壁23地加以設置，但並不限於此。例如，玻璃構造體係呈僅面對於處理室2之頂板21地加以設置亦可。即，基板加熱裝置係如具備：至少配置於在基板10之溶液的塗佈面10a，和在處理室2中與塗佈面10a對向之對向面21a之間的玻璃即可。玻璃係如設置於處理室2之頂板21，底板22及周壁23之至少一部分即可。
另外，在上述實施形態中，玻璃頂板91則與處理室2之頂板21拉開間隔而加以配置，但並不限於此。例如，玻璃頂板91係接合於頂板21亦可。另外，玻璃周壁93則與處理室2之周壁23拉開間隔而加以配置，但並不限於此。例如，玻璃周壁93係接合於周壁23亦可。
另外，在上述實施形態中，玻璃構造體90係以玻璃板之組合而加以形成，但並不限於此。例如，玻璃構造體係亦可為塗層於處理室內面的膜。
另外，在上述實施形態中，基板加熱方法則包含收容工程，基板加熱工程，及處理室加熱工程，但並不限於此。例如，基板加熱方法則更包含預備加熱工程亦可。在預備加熱工程中，在第一加熱工程之前(具體而言係收容工程之前)，將處理室，預先加熱為100℃以上250℃以下之溫度(預備加熱控制)。如根據此方法，可即刻移行至在第一加熱工程之加熱條件之故，可以短時間而安定進行第一加熱工程者。 例如，在預備加熱工程中，亦可將處理室預熱至在第一加熱工程之最高到達溫度(例如200℃)。
另外，在上述實施形態中，處理室加熱部則僅配置於處理室的周壁，但並不限於此。例如，處理室加熱部則加上於處理室的周壁，配置於處理室的頂板及底板亦可。即，處理室加熱部係如可加熱處理室之內面的至少一部分即可。
另外，在上述實施形態中，具備：具有反射面的紅外線反射部，但並不限於此。例如，未具備紅外線反射部，而加熱板的上面則作為反射紅外線之反射面亦可。
另外，在上述實施形態中，將基板，加熱板及紅外線加熱器收容於共通的處理室，但並不限於此。例如，將加熱板及紅外線加熱器收容於相互不同之處理室亦可。
另外，在上述實施形態中，加熱板及紅外線加熱器之雙方則可階段性地加熱基板，但並不限於此。例如，加熱板及紅外線加熱器之至少一方則可階段性地加熱基板亦可。另外，加熱板及紅外線加熱器之雙方則可僅以一定的溫度而加熱基板亦可。
另外，在上述實施形態中，作為搬送部而使用複數之搬送滾輪，但並不限於此。例如，作為搬送部而亦可使用傳送帶，以及使用直線傳動致動器亦可。例如，傳送帶及直線傳動致動器係作為可接上於X方向亦可。經由此，可調整在X方向之基板的搬送距離者。
另外，對於作為搬送部而採用圖5所示之構成(於搬送部形成有通過部之構成)以外之構成的情況，加熱板的平面視尺寸係亦可為與基板之平面視尺寸同等以上。經由此，加熱板的平面視尺寸則與較基板之平面視尺寸為小之情況做比較，可更一層提高基板之加熱溫度的面內均一性者。
另外，在上述實施形態中，在收容工程及第一加熱工程中，加熱板的電源係成為開啟，而紅外線加熱器的電源係成為關閉，但並不限於此。例如，在收容工程及第一加熱工程中，加熱板及紅外線加熱器的電源則成為開啟亦可。
另外，在上述第一實施形態中，基板加熱工程則舉出過包含第一加熱工程，第二加熱工程及第三加熱工程之3個加熱工程的例，但並不限於此。例如，基板加熱工程則僅包含第一加熱工程及第二加熱工程之2個加熱工程亦可，而亦可包含4個以上之加熱工程。
另外，在上述第二實施形態中，複數之針腳的前端則作為可插通紅外線反射部(即，對於紅外線反射部係形成有複數之插通孔)，但並不限於此。例如，複數之針腳的前端則作為無法插通紅外線反射部亦可。即，對於紅外線反射部係未形成有插通孔亦可。此情況，複數之針腳的前端係作為可藉由各伸縮管之內部空間及加熱器之各插通孔，而接合於紅外線反射部的背面。因此，經由複數之針腳的前端，紅外線反射部則成為呈平行地支持於XY平面。複數之針腳係藉由紅外線反射部而支持收容於處理室內之基板同時，移動於處理室內之Z方向。
另外，對於包含上述實施形態之基板加熱裝置之基板處理系統，適用本發明亦可。例如，基板處理系統係組裝使用於工場等之製造線，對於基板之特定範圍形成薄膜之系統。雖未圖示，但例如，基板處理系統係具備：包含上述基板加熱裝置之基板處理單元，和供給收容處理前之基板的搬入用卡匣之同時，回收空的搬入用卡匣之單元的基板搬入單元，和回收收容處理後之基板的搬出用卡匣之同時，供給空的搬出用卡匣之單元的基板搬出單元，和在基板處理單元與基板搬入單元之間，搬送搬入用卡匣之同時，在基板處理單元與基板搬出單元之間，搬送搬出用卡匣的搬送單元，和總括控制各單元之控制單元。 如根據此構成，由含有上述基板加熱裝置者，在基板處理系統中，不易加以限制基板的加熱溫度之同時，可抑制對於處理室內部的昇華物之附著者。
然而，在上述中，作為實施形態或其變形例而記載之各構成要素係可在不脫離本發明之內容的範圍作適宜組合，另外，亦可作為呈所組合之複數之構成要素之中未適宜採用一部分之構成要素者。
1、201:基板加熱裝置 2:處理室 2S:收容空間 5、205:加熱板(基板加熱部) 6:紅外線加熱器(基板加熱部) 10:基板 10a:第一面(塗佈面) 21:頂板 22:底板 23:周壁 21a:對向面 90:玻璃構造體(玻璃) 91:玻璃頂板(玻璃) 92:玻璃底板(玻璃) 93:玻璃周壁(玻璃) 95:安裝部 t1:玻璃構造體的厚度(玻璃的厚度)
圖1係有關第一實施形態之基板加熱裝置之斜視圖。 圖2係包含在有關第一實施形態之基板加熱裝置的加熱單元，斷熱構件，蓋體構件及玻璃構造體的剖面的圖。 圖3係顯示加熱板及其周邊構造的側面圖。 圖4係加熱板的上面圖。 圖5係為了說明搬送滾輪，基板及加熱板的配置關係的圖。 圖6係紅外線反射部的上面圖。 圖7係顯示加熱板與紅外線反射部之拆裝構造的斜視圖。 圖8係顯示在圖3中去除紅外線反射部之狀態的側面圖。 圖9係顯示冷卻機構的上面圖。 圖10係為了說明在加熱板之加熱控制之一例的圖。 圖11係為了說明有關第一實施形態之基板加熱裝置之動作的一例之圖。 圖12係持續於圖11，有關第一實施形態之基板加熱裝置之動作說明圖。 圖13係持續於圖12，有關第一實施形態之基板加熱裝置之動作說明圖。 圖14係為了說明有關第一實施形態的玻璃頂板之安裝部與基板的配置關係的圖。 圖15係為了說明有關第一實施形態之玻璃周壁及玻璃底板之配置構造的圖。 圖16係包含在有關第二實施形態之基板加熱裝置的加熱單元，斷熱構件，蓋體構件及玻璃構造體的剖面的圖。 圖17係為了說明有關第二實施形態之基板加熱裝置之動作的一例之圖。 圖18係持續於圖17，有關第二實施形態之基板加熱裝置之動作說明圖。 圖19係持續於圖18，有關第二實施形態之基板加熱裝置之動作說明圖。
1:基板加熱裝置
2:處理室
2a:處理室側反射面
2S:收容空間
3:壓力調整部
3a:真空配管
4:氣體供給部
4a:氣體供給配管
5:加熱板(基板加熱部)
6:紅外線加熱器(基板加熱部)
7:位置調整部
7a:移動部
8:搬送部
8a:搬送滾輪
10:基板
10a:第一面(塗佈面)
10b:第二面
13:真空泵
21:頂板
21a:對向面
22:底板
23:周壁
23a:基板搬出入口
24:基板搬出入部
26:斷熱構件
26a:處理室斷熱構件
26b:真空配管斷熱構件
26c:氣體供給配管斷熱構件
26d:基板搬出入部斷熱構件
27:蓋體構件
27a:處理室蓋體構件
27b:真空配管蓋體構件
27c:氣體供給配管蓋體構件
27d:基板搬出入部蓋體構件
30:紅外線反射部
30a:加熱板側反射面
60:氣體擴散部
61:擴散管
62:蓋部
63:連結部
80:加熱單元
81:處理室加熱部
82:真空配管加熱部
83:氣體供給配管加熱部
84:基板搬出入部加熱部
90:玻璃構造體(玻璃)
91:玻璃頂板(玻璃)
92:玻璃底板(玻璃)
93:玻璃周壁(玻璃)
t1:玻璃構造體的厚度(玻璃的厚度)

Claims (10)

  1. 一種基板加熱裝置，其特徵為包含：將可收容塗佈溶液的基板之收容空間則形成於內部的處理室，和配置於前述收容空間之同時，可加熱前述基板之基板加熱部， 和至少配置於前述基板之前述溶液的塗佈面，和在前述處理室中與前述塗佈面對向之對向面之間的玻璃者。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之基板加熱裝置，其中，前述玻璃係石英的含有率為50%以上。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項記載之基板加熱裝置，其中，前述玻璃之紅外線的吸收率係在近紅外線波長範圍(1μm以上，不足2.5μm)為30%以上，在遠紅外線波長範圍(2.5μm以上5μm以下)為90%以上。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項任一項記載之基板加熱裝置，其中，前述基板係塗佈為了形成聚醯亞胺之溶液的基板。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項任一項記載之基板加熱裝置，其中，前述處理室係包含： 位置於前述基板的上方，形成前述對向面的頂板， 和位置於前述基板的下方，與前述頂板對向的底板， 和圍繞前述基板的周圍之周壁； 前述玻璃係設置於前述處理室之各前述頂板，前述底板及前述周壁。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項任一項記載之基板加熱裝置，其中，前述玻璃的厚度係0.5mm以上10mm以下。
  7. 如申請專利範圍第1項至第6項任一項記載之基板加熱裝置，其中，前述玻璃之熱膨脹係數係在0℃以上750℃以下之範圍中為15×10-7 /K以下。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項任一項記載之基板加熱裝置，其中，前述基板加熱部係包含：支持於前述處理室的頂板的紅外線加熱器， 前述玻璃係配置於前述頂板與前述紅外線加熱器之間。
  9. 如申請專利範圍第1項至第8項任一項記載之基板加熱裝置，其中，對於前述處理室的上部係設置有將前述玻璃安裝於前述處理室之安裝部， 在平面視，前述安裝部係配置於迴避前述基板的位置。
  10. 一種基板處理系統，其特徵為包含：如申請專利範圍第1項至第9項任一項記載之基板加熱裝置。
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