TW202013532A - 使用多週期熱處理製程加工工件之方法 - Google Patents

使用多週期熱處理製程加工工件之方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202013532A
TW202013532A TW108117548A TW108117548A TW202013532A TW 202013532 A TW202013532 A TW 202013532A TW 108117548 A TW108117548 A TW 108117548A TW 108117548 A TW108117548 A TW 108117548A TW 202013532 A TW202013532 A TW 202013532A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
workpiece
temperature
processing chamber
heat treatment
item
Prior art date
Application number
TW108117548A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI743482B (zh
Inventor
麥克Ｘ 楊
紹銘 馬
Original Assignee
美商瑪森科技公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商瑪森科技公司 filed Critical 美商瑪森科技公司
Publication of TW202013532A publication Critical patent/TW202013532A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI743482B publication Critical patent/TWI743482B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016—Chamber type furnaces
    • F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
    • F27B5/04—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated adapted for treating the charge in vacuum or special atmosphere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)

Abstract

提供一種加工工件之方法。此方法可包括將工件置於設置在加工室內的基座上。此方法可包括對加工室內的工件實施多週期熱處理製程。此多週期熱處理製程可包括至少兩個熱週期。至少兩個熱週期的各個熱週期可包括在第一溫度對工件執行第一處理；在少於一秒內將工件的裝置側表面加熱至第二溫度；在大約第二溫度對工件執行第二處理；以及在執行第二處理後冷卻工件。

Description

使用多週期熱處理製程加工工件之方法 【優先權之主張】
本申請案有關並主張於2018年6月27日申請之名稱為「使用多週期熱處理製程加工工件之方法(Method for Processing a Workpiece Using a Multi-Cycle Thermal Treatment Process)」的美國專利申請案號16/020,178之優先權，其則主張於2018年6月15日申請之名稱為「使用多週期熱處理製程加工工件之方法(Method for Processing a Workpiece Using a Multi-Cycle Thermal Treatment Process)」的美國臨時專利申請案號62/685,564之優先權，其全部內容出於所有目的以引用方式併於此。
本案主要有關於使用多週期熱處理製程加工工件之方法。
在半導體加工中，可實施先進薄膜沉積或移除製程來加工工件，如半導體晶圓。薄膜沉積或移除製程可包括重複的熱週期。例如，原子層沉積或蝕刻製程可包括多個交替的表面處理及表面活化製程之週期，其中在每一週期期間沉積材 料至工件或從工件移除材料。在某些情況中，可在不同溫度執行表面活化及表面處理製程。例如，表面活化製程可包括在比執行表面處理步驟的溫度更高之溫度下所發生的退火或表面化學反應。當需要多個表面活化及/或表面處理製程來加工工件時，實施這些製程所需的時間量可能會限制半導體製程的產出量(例如所製造的工件數量)。
在於後的說明中部分提供，或可從說明中習得，或可透過實施例之實行習得本案之實施例的態樣及優點。
本案之一示範態樣有關於加工工件之方法。此方法可包括將工件置於設置在加工室內的基座上。此方法可包括對加工室內的工件實施多週期熱處理製程。此多週期熱處理製程可包括至少兩個熱週期。至少兩個熱週期的各個熱週期可包括在第一溫度對工件執行第一處理；將工件的裝置側表面加熱至第二溫度；在大約第二溫度對工件執行第二處理；以及在執行第二處理後冷卻工件。可在相同的加工室內執行這些熱週期而無須從加工室移除工件。
參考下列說明及所附之申請專利範圍將可更佳理解各個實施例之這些和其他特徵、態樣、及優點。併入並構成本說明書的一部分之附圖繪示本案的實施例，且連同說明用來闡明相關的原理。
100‧‧‧工件加工設備
110‧‧‧加工室
120‧‧‧基座
130‧‧‧工件
132‧‧‧非裝置側表面
134‧‧‧裝置側表面
140‧‧‧閃光燈
150‧‧‧介電質窗
160‧‧‧控制裝置
400‧‧‧基座
402‧‧‧第一側
404‧‧‧第二側
406‧‧‧頂部
420‧‧‧入口
422‧‧‧出口
430‧‧‧流體流
450‧‧‧熱交換器
510‧‧‧週期
520‧‧‧第一溫度
530‧‧‧第二溫度
540‧‧‧歷時
600‧‧‧電漿加工設備
610‧‧‧加工室
614‧‧‧工件
616‧‧‧裝置側表面
620‧‧‧電漿室
622‧‧‧介電質側壁
624‧‧‧頂板
625‧‧‧電漿室內部
628‧‧‧接地法拉第屏蔽
630‧‧‧電感線圈
632‧‧‧匹配網路
634‧‧‧RF電力產生器
635‧‧‧電感耦合電漿源
640‧‧‧分離網格組合件
642‧‧‧第一網格板
644‧‧‧第二網格板
650‧‧‧氣體供應
651‧‧‧環形配氣通道
660‧‧‧閃光燈
670‧‧‧控制裝置
在說明書中提出針對本技術領域中具通常知識者之實施例的詳細討論，其參照附圖，其中：
第一圖描繪根據本案的示範實施例之示範工件加工設備的截面圖；
第二圖描繪根據本案的示範實施例之加工工件的方法之流程圖；
第三圖描繪根據本案的示範實施例之示範多週期熱處理製程的流程圖；
第四圖描繪根據本案的示範實施例之一示範基座；
第五圖描繪根據本案的示範實施例之多週期熱處理製程的代表圖式；以及
第六圖描繪根據本案的示範實施例之示範電漿加工設備。
茲詳細參照實施例，並於圖中繪示其之一或多個範例。以解釋實施例之方式來提供每一個範例，此並非對本案之限制。事實上，對熟悉此技術領域者而言顯然可對實施例作出各種修改及變異而不背離本案之範疇或精神。例如，繪示或描述為一個實施例的一部分之特徵可與另一個實施例一起使用來得到又另一個實施例。因此，本案之態樣欲涵蓋這類修改及變異。
本案的示範態樣有關於使用多週期熱處理製程加工工件之方法。該方法可包括將工件置於加工室的基座上。該方法可包括在工件設置於加工室內的同時對工件實施多週期熱處理製程。多週期熱處理製程可包括多個熱週期。可在相同的加工室內執行每一個熱週期而無須從加工室移除工件。在執行了多週期熱處理製程後，該方法可包括從加工室移除工件。
在一些實施例中，多週期熱處理製程的每一個週期可包括在第一溫度對工件執行第一處理。例如，執行第一處理包括將工件暴露於遠端電漿室中所產生的一或多個物種。替代及/或額外地，執行第一處理可包括將工件暴露於一或多個氣體。
在一些實施例中，多週期熱處理製程的每一個週期可包括將工件的裝置側表面加熱至第二溫度。詳言之，設置於加工室內的一或多個閃光燈可組態成加熱工件的裝置側表面。在一些實施例中，這一或多個閃光燈可組態成在少於約一秒內將工件的裝置側表面加熱至第二溫度。例如，這一或多個閃光燈可組態成在約0.5毫秒至約10毫秒內將工件的裝置側表面加熱至第二溫度。在一些實施例中，這一或多個閃光燈可組態成在少於約1.0毫秒內將工件的裝置側表面加熱至第二溫度。
在一些實施例中，多週期熱處理製程的每一個週期可包括在大約第二溫度對工件執行第二處理。第二處理製程 可，在一些實施例中，包括將工件的裝置側表面暴露至一或多個氣體。替代及/或額外地，第二處理製程可包括將工件的裝置側表面暴露於遠端電漿室中所產生的一或多個物種。在一些實施例中，第二處理可包括在工件的裝置側表面上實施化學反應。
在一些實施例中，多週期熱處理製程的每一個週期可包括在執行第二處理後冷卻工件。例如，設置在加工室內並支撐工件的工件塊體及/或基座可組態成在第二溫度下執行第二處理後冷卻工件。在一些實施例中，基座可組態成容納一流體流來冷卻工件。應可理解到此流體流可由任何適當的流體(如液體或氣體)組成。例如，流體流可由氟氯烷(Freon)組成。舉另一個例子，流體可由水組成。舉又一個例子，流體可由乙二醇組成。舉又另一個例子，流體可由乙二醇和水組成。
在一些實施例中，多週期熱處理製程可與原子層沉積製程關聯。替代及/或額外地，多週期熱處理製程可與原子層蝕刻製程關聯。在一些實施例中，可在多週期熱處理製程的每一個週期期間從工件移除一層材料。替代及/或額外地，可在多週期熱處理製程的每一個週期期間沉積一層材料到工件上。
在一些實施例中，加工工件的方法可包括將工件置於設置在加工室內的基座上。此方法可包括實施包括至少兩個熱週期的多週期熱處理製程。此至少兩個熱週期的各個熱週 期可包括在第一溫度對工件執行第一處理；將工件的裝置側表面加熱至第二溫度；在大約第二溫度對工件執行第二處理；以及在執行第二處理後冷卻工件。
在一些實施例中，一或多個閃光燈可用來將工件的裝置側表面加熱至第二溫度。詳言之，此一或多個閃光燈可在少於一秒內將工件的裝置側表面加熱至第二溫度。
在一些實施例中，冷卻工件包括使用基座來冷卻工件。詳言之，基座可組態成容納一流體流來冷卻工件。在一些實施例中，流體可包括氟氯烷(Freon)。然而，應可理解到可使用任何適當的流體(如氣體或液體)來冷卻工件。舉另一個例子，流體可由水組成。舉又一個例子，流體可由乙二醇組成。舉又另一個例子，流體可由乙二醇和水組成。
在一些實施例中，執行第一處理製程包括將工件的裝置側表面暴露至遠端電漿室中所產生的一或多個物種。替代及/或額外地，第二處理製程可包括將工件的裝置側表面暴露於一或多個氣體。
在一些實施例中，執行第二處理製程包括將工件的裝置側表面暴露於一或多個氣體。替代及/或額外地，第二處理製程可包括將工件的裝置側表面暴露至遠端電漿室中所產生的一或多個物種。在一些實施例中，在遠端電漿室與加工室之間設置網格。
在一些實施例中，第二處理包含退火處理。替代 及/或額外地，第二處理包含在工件的裝置側表面上實施化學反應。
在一些實施例中，加工工件的方法包括將工件置於設置在加工室內的基座上。此方法包括在工件於加工室內的同時(例如，且無須從加工室移除工件)，對工件執行多週期熱處理製程。多週期熱處理可包括在第一溫度對工件執行第一處理；將工件的裝置側表面加熱至第二溫度；在第二溫度對工件執行第二處理；以及在執行第二處理後冷卻工件。在冷卻工件之後，多週期熱處理製程包括在第一溫度對工件執行第三處理。在執行第三處理之後，多週期熱處理製程包括加熱工件的裝置側表面至大約第二溫度。在執行第三處理後，在大約第二溫度對工件執行第四處理。在執行第四處理之後，多週期熱處理製程包括冷卻工件。在一些實施例中，可使用一或多個閃光燈來在少於一秒內將工件的裝置側表面加熱到第二溫度。
在一些實施例中，第三處理與第一處理等效。替代及/或額外地，第四處理與第二處理等效。在一些實施例中，第二處理及第四處理兩者都包括退火處理。在一些實施例中，第二處理及第四處理兩者都包括在工件的裝置側表面上實施化學反應。
根據本案之示範態樣的方法提供若干技術效益。例如，以一或多個閃光燈或其他熱源加熱工件的裝置側表面，可減少將裝置側表面的溫度從第一溫度提升到第二溫度所需 的時間量。此外，以基座冷卻工件可減少將該溫度從第二溫度降低至第一溫度所需的時間量。依此方式，可減少多週期熱處理製程的每一個週期所需的時間量。由於可在相同的加工室中實施多個熱週期，可減少循環於多個加工室(例如用於加熱及冷卻)之間的時間，導致較快速的加工時間。
出於闡述及討論的目的，參照「晶圓」或半導體晶圓來討論本案之態樣。本技術領域中具通常知識者，在利用本文所提供於此的揭露內容，應了解本案所揭露的範例態樣可與任何半導體基板或其他適當的基板聯合使用。應可理解到工件可包括裝置側表面，其可包括在能量脈衝期間被退火的一或多個裝置結構、薄膜、或層。工件亦可包括不包含任何裝置結構的一相對非裝置側表面。如本文所用，術語「約」或「大約」連同一數值的使用欲指所述數值的百分之十(10%)之內。
茲參考附圖，第一圖描繪可用來執行根據本案之示範實施例的製程之工件加工設備100。如所示，工件加工設備100界定加工室110。加工室110可包括可操作成把持待加工之工件130(如半導體晶圓)的基座120。在一些實施例中，可將工件130置於基座120上，使工件130的非裝置側表面132接觸基座120。
在一些實施例中，工件加工設備100可包括組態成發射光線到工件130上的一或多個閃光燈140。詳言之，此一或多個閃光燈140可發射光線到工件130的裝置側表面134上。應 可理解到工件130的裝置側表面134與工件130的非裝置側表面132相對。
閃光燈140可例如為弧光燈、鹵素燈、或其他燈熱源(如LED燈熱源)。出於闡述及討論的目的，參照閃光燈140來討論本案之態樣。可使用其他熱源，例如，但不限於，熱板或基座、熱氣流、輻射熱源(如雷射)、產生粒子束的熱源、產生RF的熱源、或產生微波的熱源，而不背離本案之範疇。
在一些實施例中，介電質窗150位在工件加工設備100上方並充當加工室110的頂板。如所示，一或多個閃光燈140可設置在加工室110外面。詳言之，一或多個閃光燈140可組態成發射光線透過介電質窗150並進到加工室110內。依此方式，一或多個閃光燈140可加熱工件130的裝置側表面134。
在一些實施例中，工件加工設備100可包括控制裝置160，其操作性耦合至一或多個閃光燈140。依此方式，控制裝置160可組態成控制一或多個閃光燈140的操作。在一些實施例中，控制裝置160可包括組態成執行多種電腦實施功能之處理器及相關聯記憶體。如在本文內所用，「處理器」一詞不僅指稱涉及本技術領域的電腦內含積體電路，亦指稱控制器、微控制器、微電腦、可編程邏輯控制器(PLC)、特殊應用積體電路(ASIC)、現場可編程閘陣列(FPGA)、及其他可編程電路。此外，記憶體可包括記憶體元件，包括但不限於，電腦可讀取媒體(如隨機存取記憶體(RAM))、電腦可讀取非依電性 媒體(如快閃記憶體)、及/或其他適當的記憶體元件或上述之組合。
另外，控制裝置160可包括通訊介面。在一些實行例中，通訊介面可包括用來發送和接收資料之關聯的電子電路。依此方式，控制裝置160可透過通訊介面發送一或多個命令信號至一或多個閃光燈140及/或加工設備100的其他可控態樣。
第二圖描繪根據本案的示範實施例之加工工件的示範方法200之流程圖。可使用上文參照第一圖討論之工件加工設備100來實施方法200。然而，應可理解到可使用不背離本案之範疇的其他方式來實施方法200。例如，可使用第六圖中所描繪的電漿加工設備600來實施方法200。應理解到出於繪示及討論的目的，第二圖描繪以特定順序執行的步驟。然而，本技術領域中具通常知識者，在利用本文所提供於此的揭露內容，應了解可省略、擴充、同時執行、重新安排、及/或以各種方式修改本文中所述的方法200之各種步驟而不背離本案的範疇。另外，可執行各種額外的步驟(未圖示)而不背離本案之範疇。
在(202)，方法200可包括將工件置於設置在加工室內的基座上。例如，可將工件置於基座上，使得工件的非裝置側表面接觸基座。
在(204)，方法200可包括在工件於加工室內的同 時，對工件執行多週期熱處理製程。例如，可對在加工室內的工件執行多週期熱處理製程。將於下詳述，多週期熱處理製程可包括至少兩個熱週期。可執行這至少兩個熱週期而不需從加工室移除工件。
第三圖描繪根據本案的示範實施例之示範多週期熱處理製程之流程圖。出於闡明及討論的目的，第三圖描繪以特定順序執行的步驟。本技術領域中具通常知識者，在利用本文所提供於此的揭露內容，應了解可省略、擴充、同時執行、重新安排、及/或以各種方式修改本文所述的多週期熱處理製程之各種步驟而不背離本案的範疇。另外，可執行各種額外的步驟(未圖示)而不背離本案之範疇。
在(302)，多週期熱處理製程可包括在大約第一溫度對工件執行第一處理。例如，可在工件在第一溫度的同時對工件執行第一處理。第一處理可為表面處理製程，如用作原子層沉積製程及/或原子層蝕刻製程的一部分之表面處理製程。在一些實施例中，第一處理可包括將工件的裝置側表面暴露於一或多個氣體。在一些實施例中，第一處理可包括將工件的裝置側表面暴露於在電漿加工設備(如第六圖的電漿加工設備)的遠端電漿室中所產生的一或多個物種(如中性基)。
在(304)，多週期熱處理製程可包括將工件加熱到大約第二溫度。第二溫度可大於第一溫度。例如，在一些實施例中，可透過一或多個閃光燈140或其他熱源將工件130加熱 到第二溫度。在示範實施例中，控制裝置可控制這一或多個閃光燈或其他熱源的操作，使這一或多個閃光燈可在少於一秒內(如少於1毫秒內，如介於0.5毫秒及10毫秒之間)將工件的裝置側表面加熱到第二溫度。
可使用其他加熱元件來將工件加熱到第二溫度。例如，可透過基座將工件加熱到第二溫度。在示範實施例中，基座可包括組態成提供熱到工件之一或多個加熱元件。此外，控制裝置可操作性耦合至一或多個加熱元件。依此方式，控制裝置可控制這一或多個閃光燈將工件加熱到第二溫度之操作。
在(306)，多週期熱處理製程可包括在大約第二溫度對工件執行第二處理。第二處理可為表面活化製程，如用作原子層沉積製程及/或原子層蝕刻製程的一部分之表面活化製程。在一些實施例中，第二處理可包括將工件的裝置側表面暴露於一或多個氣體。在一些實施例中，第二處理可包括將工件的裝置側表面暴露於在電漿加工設備(如第六圖的電漿加工設備)的遠端電漿室中所產生的一或多個物種(如中性基)。在一些實施例中，第二處理可包括工件退火。在一些實施例中，第二處理可包括在工件的裝置側表面上實施化學反應。
在(308)，多週期熱處理製程可包括冷卻工件。例如，工件塊體可促進工件的迅速冷卻，因為在將工件從第一溫度加熱到第二溫度期間，工件塊體不會如工件表面那般迅速地加熱。因此，工件塊體促進在第二處理後工件表面的冷卻。 在示範實施例中，基座可組態成冷卻工件。例如，在一些實施例中，基座可組態成容納一流體流來冷卻工件。
第四圖描繪組態成容納根據本案的示範實施例之工件冷卻之示範基座400。基座400沿著橫向方向L延伸於第一側402與第二側404之間，以及沿著垂直方向V延伸於頂部406與底部之間。在一些實施例中，基座400界定入口420及出口422。依此方式，流體流430可進入與離開基座400的內部。如所示，入口420可界定在基座400的第一側402上，且出口422可界定在基座400的第二側404上。然而，應可理解到入口420及出口422可位在基座400的任何適當位置。
在一些實施例中，流體流430可流入及流出熱交換器450。亦應可理解到流體流430可由任何適當的液體或氣體物質組成。例如，在一些實施例中，流體流430可由氟氯烷組成。舉另一個例子，流體流430可由水組成。舉又一個例子，流體流430可由乙二醇組成。舉又另一個例子，流體流430可由乙二醇和水組成。
再次參考第三圖，多週期熱處理製程可包括，在(310)，在大約第一溫度對工件執行第三處理。在示範實施例中，第三處理製程可與在(302)執行的第一處理相同(如等效)。
在(312)，多週期熱處理製程可包括將工件的裝置側表面加熱到大約第二溫度。在示範實施例中，控制裝置可 操控一或多個閃光燈或其他熱源的操作，使這一或多個閃光燈在少於一秒內(如少於1毫秒內，如介於0.5毫秒及10毫秒之間)將工件的裝置側表面加熱到第二溫度。
在(314)，多週期熱處理製程可包括在大約第二溫度對工件執行第四處理。在示範實施例中，第四處理製程可與在(306)執行的第二處理相同(如等效)。在一些實施例中，第二處理及第四處理可包括表面活化製程。例如，第二處理及第四處理兩者皆可包括退火處理。替代及/或額外地，第二處理及第四處理兩者皆可包括在工件的裝置側表面上實施化學反應。
在(316)，多週期熱處理製程可包括冷卻工件。雖第四圖中所示的多週期熱處理製程僅描繪兩個週期，應理解到多週期熱處理製程可包括加工工件所需之任何適當數量的週期。
茲參照第五圖，根據本案的示範實施例，提供多週期熱處理製程的代表圖式。如所示，在多週期熱處理製程期間會發生溫度的改變。詳言之，第五圖描繪複數個週期510，表示晶圓溫度從第一溫度520轉變到第二溫度530，並接著冷卻到第一溫度520。在一些實施例中，約第一溫度520與約第二溫度530之間的差可大於凱氏(Kelvin)100度。
在示範實施例中，可控制熱源在少於一秒內，如少於約1ms，如介於0.5ms及10ms之間，將工件的溫度從第一 溫度520提高到第二溫度530。工件可迅速冷卻到約第一溫度520以完成週期510。在一些實施例中，從第二溫度530冷卻到大約第一溫度520的時間可少於約一秒，如少於約1ms，如介於0.5ms及10ms之間。介於諸週期510之間的時間，可大於每一個週期510的歷時540。
再次參考第二圖，方法200在(206)可包括：在(204)執行多週期熱處理製程之後，從加工室移除工件。依此，可實施多個熱週期而無須從加工室移除工件。
如上述，在一些實施例中，一個熱週期可包括將工件的一表面暴露在使用電漿所產生的物種。例如，此方法可包括將工件的一表面暴露在與加工室以分離網格分離的遠端電漿源中所產生的物種(如中性基)。
茲參照第六圖，提供可用來將工件的一表面暴露於物種(如中性基)之示範電漿加工設備600。如所示，電漿加工設備600包括加工室610及與加工室610隔開的電漿室620。加工室610包括操作成把持待處理之工件614(如半導體晶圓)的基座612。在一些實施例中，基座可組態成容納一流體流來冷卻工件(參見例如第四圖)。應可理解到此流體流可由任何適當的流體(如液體或氣體)組成。例如，流體流可在一些實施例中包括氟氯烷。舉另一個例子，流體可由水組成。舉又一個例子，流體可由乙二醇組成。舉又另一個例子，流體可由乙二醇和水組成。
在此示範繪圖中，在電漿室620(亦即電漿產生區域)中藉由電感耦合電漿源635產生電漿，並透過分離網格組合件640從電漿室620引導希望的物種到工件614的表面。
出於闡述及討論的目的，參照電感耦合電漿源來討論本案之態樣。本技術領域中具通常知識者，在利用本文所提供於此的揭露內容，應了解可使用任何電漿源(如電感耦合電漿源、電容耦合電漿源等等)而不背離本案之範疇。
電漿室620包括介電質側壁622及頂板624。介電質側壁622、頂板624、及分離網格組合件640界定電漿室內部625。介電質側壁622可由介電質材料形成，如石英及/或礬土。電感耦合電漿源635可包括設置在介電質側壁622旁圍繞電漿室620的電感線圈630。電感線圈630透過適當的匹配網路632耦合至RF電力產生器634。可從氣體供應650及環形配氣通道651或其他適當的氣體引入機制提供製程氣體(如惰性氣體)至室內部。當電感線圈630以來自RF電力產生器634的RF電力通電時，可在電漿室620中產生電漿。在一特定的實施例中，電漿加工設備600可包括可選的接地法拉第屏蔽628來減少電感線圈630至電漿的電容耦合。
如第六圖中所示，分離網格組合件640將電漿室620與加工室610隔開。分離網格640可用來從電漿室620中的電漿所產生的混合物執行離子過濾以產生經過濾的混合物。經過濾的混合物可暴露於加工室內的工件614。
在一些實施例中，分離網格640可為多板分離網格。例如，分離網格640可包括第一網格板642及第二網格板644，其彼此平行隔開。第一網格板642及第二網格板644可隔著一距離。
第一網格板642可具有含有複數孔洞的第一網格樣式。第二網格644板可具有含有複數孔洞的第二網格樣式。第一網格板的樣式可與第二網格板的樣式相同或不同。帶電粒子可在其穿過分離網格組合件640中的每一個網格板642及644的孔洞的路徑中於牆壁上再結合。中性物種(如自由基)可相對自由地流動穿過第一網格板642及第二網格板644中的孔洞。每一個網格板642及644的孔洞大小及厚度可能影響帶電及中性物種兩者的穿透性。
在一些實施例中，第一網格板642可以金屬(或鋁)或其他導電材料製成及/或第二網格板644可以導電材料或介電質材料(如石英、陶瓷等等)製成。在一些實施例中，第一網格板642及/或第二網格板644可以其他材料製成，如矽或碳化矽。在網格板以金屬或其他導電材料製成的情況中，網格板可接地。
在一些實施例中，電漿加工設備600可包括設置在加工室610內的一或多個閃光燈660或其他熱源。依此方式，該一或多個閃光燈660可組態成加熱工件614。詳言之，該一或多個閃光燈660可發射光線到工件614的裝置側表面616。應理解 到閃光燈660可相對於加工室610定位在別處而不背離本案的範疇。
在一些實施例中，電漿加工設備600可包括操作性耦合至該一或多個閃光燈660之控制裝置670。依此方式，控制裝置670可組態成控制該一或多個閃光燈660之操作。在一些實施例中，控制裝置670可包括組態成執行多種電腦實施功能之處理器及關聯的記憶體。
此外，控制裝置670可包括通訊介面。在一些實行例中，通訊介面可包括用來發送和接收資料之關聯的電子電路。依此方式，控制裝置670可透過通訊介面發送一或多個命令信號至該一或多個閃光燈660。在一些實施例中，可至少部分依據該一或多個命令信號控制該一或多個閃光燈660之操作。
雖本發明之標的已以其特定示範實施例加以詳細說明，然而在了解前述說明後，應可理解於此技術領域具通常知識者可輕易地產生該等實施方式的修改、變異、及等效者物。據此，本案之範疇為例示性而非限制性，且本揭露並不排除含括對所屬技術領域中具有通常知識者而言為顯而易見之針對本發明標的的此類修飾、變異、及/或增加。
510‧‧‧週期
520‧‧‧第一溫度
530‧‧‧第二溫度
540‧‧‧歷時

Claims (20)

  1. 一種加工一工件的方法，該方法包含：
    將一工件置於設置在一加工室內的一基座上；
    對該加工室內的該工件實施一多週期熱處理製程，該多週期熱處理製程包含至少兩個熱週期，該至少兩個熱週期的各個熱週期包含：
    在一第一溫度對該工件執行一第一處理；
    藉由一或多個閃光燈將該工件的一裝置側表面加熱至一第二溫度；
    在大約該第二溫度對該工件執行一第二處理；以及
    在執行該第二處理後冷卻該工件，
    其中藉由一或多個閃光燈將該工件的一裝置側表面加熱，具有少於約一秒的歷時。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在該至少兩個熱週期的各個熱週期期間從該工件移除一層材料。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在該至少兩個熱週期的各個熱週期期間沉積一層材料到該工件上。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中冷卻該工件包含使用該基座來冷卻該工件。
  5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中該基座組態成容納一流體流以冷卻該工件。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該流體流包含氟氯烷 (Freon)流體。
  7. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該流體流包含水。
  8. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該流體流包含乙二醇。
  9. 如申請專利範圍第5項之方法，其中執行該第一處理包含將該工件的該裝置側表面暴露至一遠端電漿室中所產生的一或多個物種。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中執行該第一處理包含將該工件的該裝置側表面暴露至一或多個氣體。
  11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中執行該第二處理包含將該工件的該裝置側表面暴露至一或多個氣體。
  12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中執行該第二處理包含將該工件的該裝置側表面暴露至一遠端電漿室中所產生的一或多個物種。
  13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中執行該第二處理進一步包含將該工件的該裝置側表面暴露至一或多個氣體。
  14. 如申請專利範圍第9或第12項之方法，其中在該遠端電漿室與該加工室之間設置一網格。
  15. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第二處理包含一退火處理。
  16. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第二處理包含在該工件的該裝置側表面上實施一化學反應。
  17. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含在執行該多週期 熱處理製程之後從該加工室移除該工件。
  18. 一種加工一工件的方法，該方法包含：
    將一工件置於設置在一加工室內的一基座上；
    在該工件處於該加工室內的同時，對該加工室內的該工件實施一多週期熱處理製程，該多週期熱處理製程包含：
    在一第一溫度對該工件執行一第一處理；
    藉由一或多個閃光燈將該工件的一裝置側表面加熱至一第二溫度；
    在大約該第二溫度對該工件執行一第二處理；
    在執行該第二處理之後冷卻該工件；
    在冷卻該工件之後，在大約該第一溫度對該工件執行一第三處理；
    在執行該第三處理之後，藉由該一或多個閃光燈將該工件的該裝置側表面加熱至大約該第二溫度；
    在執行該第三處理之後，在大約該第二溫度對該工件執行一第四處理；
    在執行該第四處理之後冷卻該工件；
    其中該一或多個閃光燈在少於約一秒內將該工件的該裝置側表面加熱至大約該第二溫度。
  19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中冷卻該工件包含使用該基座來冷卻該工件。
  20. 如申請專利範圍第18項之方法，其中該基座組態成容納一 流體流以冷卻該工件。
TW108117548A 2018-06-15 2019-05-21 使用多週期熱處理製程加工工件之方法 TWI743482B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862685564P 2018-06-15 2018-06-15
US62/685,564 2018-06-15
US16/020,178 2018-06-27
US16/020,178 US10573532B2 (en) 2018-06-15 2018-06-27 Method for processing a workpiece using a multi-cycle thermal treatment process

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202013532A true TW202013532A (zh) 2020-04-01
TWI743482B TWI743482B (zh) 2021-10-21

Family

ID=68840250

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108117548A TWI743482B (zh) 2018-06-15 2019-05-21 使用多週期熱處理製程加工工件之方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10573532B2 (zh)
KR (2) KR20200144584A (zh)
CN (1) CN112272864B (zh)
TW (1) TWI743482B (zh)
WO (1) WO2019240907A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10573532B2 (en) * 2018-06-15 2020-02-25 Mattson Technology, Inc. Method for processing a workpiece using a multi-cycle thermal treatment process
US11894240B2 (en) * 2020-04-06 2024-02-06 Tokyo Electron Limited Semiconductor processing systems with in-situ electrical bias

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6303520B1 (en) * 1998-12-15 2001-10-16 Mattson Technology, Inc. Silicon oxynitride film
EP1340247B1 (en) * 2000-09-19 2010-11-24 Mattson Technology Inc. Method of forming dielectric films
US6594446B2 (en) * 2000-12-04 2003-07-15 Vortek Industries Ltd. Heat-treating methods and systems
JP2002176000A (ja) 2000-12-05 2002-06-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 熱処理装置及び半導体装置の製造方法
US7015422B2 (en) * 2000-12-21 2006-03-21 Mattson Technology, Inc. System and process for heating semiconductor wafers by optimizing absorption of electromagnetic energy
JP2002299319A (ja) 2001-03-29 2002-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US6849831B2 (en) * 2002-03-29 2005-02-01 Mattson Technology, Inc. Pulsed processing semiconductor heating methods using combinations of heating sources
US7734439B2 (en) * 2002-06-24 2010-06-08 Mattson Technology, Inc. System and process for calibrating pyrometers in thermal processing chambers
US7062161B2 (en) 2002-11-28 2006-06-13 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Photoirradiation thermal processing apparatus and thermal processing susceptor employed therefor
JP4257576B2 (ja) 2003-03-25 2009-04-22 ローム株式会社 成膜装置
JP4420380B2 (ja) * 2003-09-10 2010-02-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4618705B2 (ja) * 2003-09-18 2011-01-26 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
US7060581B2 (en) 2003-10-09 2006-06-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing a semiconductor device
DE102004039443B4 (de) * 2004-08-13 2023-05-25 Beijing E-Town Semiconductor Technology, Co., Ltd. Verfahren zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Substraten
TWI237857B (en) 2004-10-21 2005-08-11 Nanya Technology Corp Method of fabricating MOS transistor by millisecond anneal
JP2006294750A (ja) 2005-04-07 2006-10-26 Toshiba Corp 薄膜堆積装置及び方法
JP4841873B2 (ja) 2005-06-23 2011-12-21 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理用サセプタおよび熱処理装置
US8012304B2 (en) 2005-10-20 2011-09-06 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with a multiple zone thermal control feed forward control apparatus
US7543981B2 (en) * 2006-06-29 2009-06-09 Mattson Technology, Inc. Methods for determining wafer temperature
JP2008027932A (ja) 2006-07-18 2008-02-07 Sony Corp 半導体装置の製造方法および原子層蒸着装置
DE102006036585B4 (de) * 2006-08-04 2008-04-17 Mattson Thermal Products Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ermitteln von Messwerten
JP2010525581A (ja) 2007-05-01 2010-07-22 マトソン テクノロジー カナダ インコーポレイテッド 照射パルス熱処理方法および装置
JP5221099B2 (ja) * 2007-10-17 2013-06-26 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置および熱処理方法
US20090120924A1 (en) * 2007-11-08 2009-05-14 Stephen Moffatt Pulse train annealing method and apparatus
US20090139657A1 (en) * 2007-12-04 2009-06-04 Applied Materials, Inc. Etch system
US8426763B2 (en) * 2009-04-23 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Rapid thermal processing systems and methods for treating microelectronic substrates
WO2010127156A2 (en) * 2009-04-29 2010-11-04 Applied Materials, Inc. Method of forming in-situ pre-gan deposition layer in hvpe
US20110061810A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
JP5993111B2 (ja) 2010-09-24 2016-09-14 東京エレクトロン株式会社 温度制御システム
JP5819633B2 (ja) * 2011-05-13 2015-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置および熱処理方法
US20150021772A1 (en) * 2013-07-16 2015-01-22 Intermolecular Inc. Mixed-metal barrier films optimized by high-productivity combinatorial PVD
US9418889B2 (en) * 2014-06-30 2016-08-16 Lam Research Corporation Selective formation of dielectric barriers for metal interconnects in semiconductor devices
US10941490B2 (en) * 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP6472247B2 (ja) * 2015-01-07 2019-02-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
WO2016153716A1 (en) 2015-03-20 2016-09-29 Applied Materials, Inc. An atomic layer process chamber for 3d conformal processing
JP6807217B2 (ja) 2016-11-16 2021-01-06 東京エレクトロン株式会社 ステージ及び基板処理装置
US10580661B2 (en) 2016-12-14 2020-03-03 Mattson Technology, Inc. Atomic layer etch process using plasma in conjunction with a rapid thermal activation process
US10224212B2 (en) * 2017-01-27 2019-03-05 Lam Research Corporation Isotropic etching of film with atomic layer control
JP7038558B2 (ja) 2018-02-05 2022-03-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法
US10573532B2 (en) * 2018-06-15 2020-02-25 Mattson Technology, Inc. Method for processing a workpiece using a multi-cycle thermal treatment process

Also Published As

Publication number Publication date
CN112272864A (zh) 2021-01-26
US20200234983A1 (en) 2020-07-23
KR20200144584A (ko) 2020-12-29
TWI743482B (zh) 2021-10-21
CN112272864B (zh) 2024-06-25
US11764072B2 (en) 2023-09-19
KR20230011503A (ko) 2023-01-20
WO2019240907A1 (en) 2019-12-19
US20190385862A1 (en) 2019-12-19
US10573532B2 (en) 2020-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201904357A (zh) 電漿處理裝置
JP5630667B2 (ja) 基板処理装置
KR102363121B1 (ko) 워크피스의 처리를 위한 수소 반응성 종의 생성
TWI743482B (zh) 使用多週期熱處理製程加工工件之方法
TWI752028B (zh) 電漿處理裝置之分離網格及其相關裝置
TW202003799A (zh) 利用以鹵烷生成之反應性物種的工件處理
WO2020106386A1 (en) A cluster processing system for forming a transition metal material
KR102099886B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20230084567A (ko) 입자 제어를 위한 챔버 구성들 및 프로세스들
TWI631642B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
CN107686983A (zh) 部分净形状和部分近净形状的碳化硅化学气相沉积
US20190131112A1 (en) Inductively Coupled Plasma Wafer Bevel Strip Apparatus
KR20220169010A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11495437B2 (en) Surface pretreatment process to improve quality of oxide films produced by remote plasma
JP7422531B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP7315644B2 (ja) プラズマ・熱加工システムを備えたワークピース加工装置
CN112789711B (zh) 氧化硅选择性干式刻蚀工艺
KR102132229B1 (ko) 원자층 식각장치
WO2024143125A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
TW202437439A (zh) 用於在處理裝置中處理工件的方法
TW202324635A (zh) 烘烤後冷卻基板的腔室和方法
TW202433588A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
KR20230015625A (ko) 기판 처리 장치