TW202013098A - 半導體基板的處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的目的在於提供一種半導體基板的處理方法，可促進圖案的微細化，於二次加工製程中可減少對基板的損傷。本發明為一種半導體基板的處理方法，包括：於基板直接或間接地塗敷含有聚碳矽烷及溶媒的含矽膜形成用組成物的步驟；對藉由所述含矽膜形成用組成物塗敷步驟而形成的含矽膜進行選自由放射線的暴露、反應性氣體的暴露、電漿的暴露、離子的暴露、反應性液體的接觸及400℃以上的加熱所組成的群組中的至少一種處理的步驟；以及利用含有酸的去除液或含有鹼的去除液去除所述處理步驟後的含矽膜的步驟。較佳為所述聚碳矽烷具有下述式（1）所表示的結構單元。下述式（1）中，R1 為經取代或未經取代的碳數1～20的二價烴基。X及Y為氫原子、羥基、鹵素原子或者碳數1～20的一價有機基。

Description

半導體基板的處理方法
本發明是有關於一種半導體基板的處理方法。
於半導體基板的製造中的圖案形成中，例如使用半導體微影製程等，所述半導體微影製程是對經由有機下層膜、含矽膜等而積層於基板上的抗蝕劑膜進行曝光及顯影而獲得抗蝕劑圖案，將該抗蝕劑圖案作為遮罩進行蝕刻，藉此形成經圖案化的基板（參照國際公開第2012/039337號）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2012/039337號
[發明所欲解決之課題] 於半導體等的製造步驟中，於在塗敷含矽組成物時產生不良狀況的情況下，有時進行去除所述含矽膜的二次加工（rework）製程。於所述二次加工製程中，作為抑制對基板的損傷且去除所述含矽膜的方法，考慮使用含有酸、鹼等的去除液的方法。
作為含矽組成物，認為與以聚矽氧烷為主成分的含矽組成物相比，含有聚碳矽烷的含矽組成物的耐氧系氣體蝕刻性優異。但是，於塗敷含有聚碳矽烷的含矽組成物而形成的含矽膜中，無法達成促進圖案的微細化且於二次加工製程中減少對基板的損傷。
本發明是基於以上情況而成，其目的在於提供一種半導體基板的處理方法，所述半導體基板的處理方法於塗敷含有聚碳矽烷的含矽組成物而形成的含矽膜的二次加工製程中可減少對基板的損傷。 [解決課題之手段]
為了解決所述課題而成的發明為一種半導體基板的處理方法，包括：於基板直接或間接地塗敷含有聚碳矽烷及溶媒的含矽膜形成用組成物的步驟；對藉由所述含矽膜形成用組成物塗敷步驟而形成的含矽膜進行選自由放射線的暴露、反應性氣體的暴露、電漿的暴露、離子的暴露、反應性液體的接觸及400℃以上的加熱所組成的群組中的至少一種處理的步驟；以及利用含有酸的去除液或含有鹼的去除液去除所述處理步驟後的含矽膜的步驟。 [發明的效果]
根據本發明的半導體基板的處理方法，可藉由提高含矽膜的蝕刻選擇性而促進圖案的微細化，於二次加工製程中可藉由使用含有酸的去除液或含有鹼的去除液而減少對基板的損傷。因此，所述半導體基板的處理方法可較佳地用於料想今後將進一步進行微細化的半導體器件的製造等。
以下，對本發明的半導體基板的處理方法的實施形態進行詳細說明。
＜半導體基板的處理方法＞ 所述半導體基板的處理方法包括：於基板直接或間接地塗敷含有聚碳矽烷（以下，亦稱為「[A]聚碳矽烷」）及溶媒（以下，亦稱為「[B]溶媒」）的含矽膜形成用組成物（以下，亦稱為「組成物（I）」）的步驟（以下，亦稱為「含矽膜形成用組成物塗敷步驟」）；對藉由所述含矽膜形成用組成物塗敷步驟而形成的含矽膜（以下，亦稱為「含矽膜（I）」）進行選自由放射線的暴露、反應性氣體的暴露、電漿的暴露、離子的暴露、反應性液體的接觸及400℃以上的加熱所組成的群組中的至少一種處理的步驟（以下，亦稱為「處理步驟」）；以及利用含有酸的去除液或含有鹼的去除液（以下，亦稱為「去除液（I）」）去除所述處理步驟後的含矽膜（I）的步驟（以下，亦稱為「去除步驟」）。
所述半導體基板的處理方法亦可視需要包括其他步驟，亦可於所述含矽膜形成用組成物塗敷步驟前包括於所述基板直接或間接地形成有機下層膜的步驟（以下，亦稱為「有機下層膜形成步驟」）。另外，所述半導體基板的處理方法亦可於所述含矽膜形成用組成物塗敷步驟後，進一步包括：於所述含矽膜（I）直接或間接地塗敷抗蝕劑膜形成用組成物的步驟（以下，亦稱為「抗蝕劑膜形成用組成物塗敷步驟」）；利用放射線對藉由所述抗蝕劑膜形成用組成物塗敷步驟而形成的抗蝕劑膜進行曝光的步驟（以下，亦稱為「曝光步驟」）；以及對所述曝光步驟後的抗蝕劑膜進行顯影的步驟（以下，亦稱為「顯影步驟」），亦可於所述顯影步驟後進一步包括將藉由所述顯影步驟而形成的抗蝕劑圖案作為遮罩而對所述含矽膜（I）進行蝕刻的步驟（以下，亦稱為「含矽膜蝕刻步驟」）。
根據所述半導體基板的處理方法，可促進圖案的微細化，於二次加工製程中可減少對基板的損傷。關於藉由所述半導體基板的處理方法具備所述構成而起到所述效果的理由，未必明確，但例如可如下所述般推測。即，關於由[A]聚碳矽烷形成的含矽膜，與由相同的矽質量含有率的聚矽氧烷形成的含矽膜相比，耐氧氣蝕刻性提高。藉此，可對含矽膜進行薄膜化，其結果可促進圖案的微細化。另外，認為藉由對由[A]聚碳矽烷形成的含矽膜進行選自由放射線的暴露、反應性氣體的暴露、電漿的暴露、離子的暴露、反應性液體的接觸、400℃以上的加熱所組成的群組中的至少一種處理，於含矽膜中引起氧化、鍵的開裂等，因此溶解於含有酸的去除液或含有鹼的去除液中，因而可去除。其結果，於二次加工製程中可減少對基板的損傷。 以下，對各步驟加以說明。
＜有機下層膜形成步驟＞ 本步驟中，於基板直接或間接地形成有機下層膜。
於所述半導體基板的處理方法中，於進行有機下層膜形成步驟的情況下，於有機下層膜形成步驟後，進行後述的含矽膜形成用組成物塗敷步驟。該情況下，藉由於含矽膜形成用組成物塗敷步驟中於有機下層膜上直接或間接地塗敷組成物（I）而形成含矽膜（I）。
作為所述基板，例如可列舉：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、聚矽氧烷等的絕緣膜、樹脂基板等。作為所述基板，例如可使用藉由應用材料（AMAT）公司的「黑鑽（Black Diamond）」、陶氏化學（Dow Chemical）公司的「斯爾克（Silk）」、捷時雅（JSR）（股）的「LKD5109」等而形成的經低介電質絕緣膜被覆的晶圓等的層間絕緣膜。作為所述基板，亦可使用配線槽（溝槽（trench））、插塞槽（通道（via））等經圖案化的基板。
所述有機下層膜與由組成物（I）所形成的含矽膜（I）不同。其中，所述有機下層膜亦可含有矽原子。有機下層膜為於抗蝕劑圖案形成中進一步彌補含矽膜（I）及/或抗蝕劑膜所具有的功能，或為了獲得該些膜不具有的功能而賦予有所必需的既定功能（例如抗反射性、塗敷膜平坦性、對氟系氣體的高耐蝕刻性）的膜。
作為有機下層膜，例如可列舉抗反射膜等。作為抗反射膜形成組成物，例如可列舉捷時雅（JSR）（股）的「NFC HM8006」等。
有機下層膜可藉由如下方式來形成：藉由旋轉塗敷法等來塗敷有機下層膜形成組成物而形成塗膜後，進行加熱。
＜含矽膜形成用組成物塗敷步驟＞ 本步驟中，於基板直接或間接地塗敷組成物（I）。藉由本步驟，直接或經由有機下層膜等其他層而於基板上形成有組成物（I）的塗膜。組成物（I）的塗敷方法並無特別限定，例如可列舉旋轉塗敷法等公知的方法。
針對將組成物（I）塗敷於基板上等而形成的塗膜，通常藉由進行曝光及/或加熱而使其硬化等，藉此形成有含矽膜（I）。
作為用於所述曝光的放射線，例如可列舉：可見光線、紫外線（包含遠紫外線）、X射線、γ射線等電磁波；電子束、分子束、離子束等粒子束等。
作為對塗膜進行加熱時的溫度的下限，較佳為90℃，更佳為150℃，進而佳為200℃。作為所述溫度的上限，較佳為550℃，更佳為450℃，進而佳為300℃。作為所形成的含矽膜（I）的平均厚度的下限，較佳為1 nm，更佳為3 nm，進而佳為5 nm。作為所述平均厚度的上限，較佳為100 nm，更佳為50 nm，進而佳為30 nm。
＜組成物（I）＞ 組成物（I）含有[A]聚碳矽烷及[B]溶媒。組成物（I）亦可於無損本發明的效果的範圍內含有其他成分。
[[A]聚碳矽烷] [A]聚碳矽烷是於主鏈中具有Si-C鍵的聚合物。
[A]聚碳矽烷具有例如下述式（1）所表示的第1結構單元（以下，亦稱為「結構單元（I）」）。另外，[A]聚碳矽烷亦可具有後述式（2）所表示的第2結構單元（以下，亦稱為「結構單元（II）」）及式（3）所表示的第3結構單元（以下，亦稱為「結構單元（III）」）。組成物（I）可單獨具有一種或組合具有兩種以上的[A]聚碳矽烷。
（結構單元（I）） 結構單元（I）為由下述式（1）所表示。
[化1]
Figure 02_image003
所述式（1）中，R1 為經取代或未經取代的碳數1～20的二價烴基。X及Y分別獨立地為氫原子、羥基、鹵素原子或者碳數1～20的一價有機基。
作為所述式（1）的R1 ，例如可列舉：經取代或未經取代的碳數1～20的二價鏈狀烴基、經取代或未經取代的碳數3～20的二價脂環式烴基、經取代或未經取代的碳數6～20的二價芳香族烴基等。再者，於本說明書中，於鏈狀烴基中包含直鏈狀烴基及支鏈狀烴基兩者。
作為所述未經取代的碳數1～20的二價鏈狀烴基，例如可列舉：甲烷二基、乙烷二基等鏈狀飽和烴基；乙烯二基、丙烯二基等鏈狀不飽和烴基等。
作為所述未經取代的碳數3～20的二價脂環式烴基，例如可列舉：環丁烷二基等單環的脂環式飽和烴基；環丁烯二基等單環的脂環式不飽和烴基；雙環[2.2.1]庚烷二基等多環的脂環式飽和烴基；雙環[2.2.1]庚烯二基等多環的脂環式不飽和烴基等。
作為所述未經取代的碳數6～20的二價芳香族烴基，例如可列舉：伸苯基、伸聯苯基、伸苯基伸乙基、伸萘基等。
作為所述R1 所表示的經取代的碳數1～20的二價烴基中的取代基，例如可列舉鹵素原子、羥基、氰基、硝基、烷氧基、醯基、醯氧基等。
作為R1 ，較佳為未經取代的鏈狀飽和烴基，更佳為甲烷二基或乙烷二基。
作為所述式（1）的X或Y所表示的碳數1～20的一價有機基，例如可列舉：碳數1～20的一價烴基、該烴基的碳-碳間具有二價含雜原子的基的一價基、所述烴基或所述包含二價含雜原子的基的基所具有的氫原子的一部分或全部經一價含雜原子的基取代而成的一價基等。
作為所述碳數1～20的一價烴基，例如可列舉：碳數1～20的一價鏈狀烴基、碳數3～20的一價脂環式烴基、碳數6～20的一價芳香族烴基等。
作為碳數1～20的一價鏈狀烴基，例如可列舉：甲基、乙基等烷基；乙烯基等烯基；乙炔基等炔基等。
作為所述碳數3～20的一價脂環式烴基，例如可列舉：環戊基、環己基等一價單環的脂環式飽和烴基；環戊烯基、環己烯基等一價單環的脂環式不飽和烴基；降冰片基、金剛烷基等一價多環的脂環式飽和烴基；降冰片烯基、三環癸烯基等一價多環的脂環式不飽和烴基等。
作為碳數6～20的一價芳香族烴基，例如可列舉：苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、甲基萘基、蒽基等芳基；苄基、萘基甲基、蒽基甲基等芳烷基等。
作為構成二價或一價含雜原子的基的雜原子，例如可列舉：氧原子、氮原子、硫原子、磷原子、矽原子、鹵素原子等。作為鹵素原子，例如可列舉：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。
作為二價含雜原子的基，例如可列舉：-O-、-CO-、-S-、-CS-、-NR'-、將該些中的兩個以上組合而成的基等。R'為氫原子或一價烴基。
作為一價含雜原子的基，例如可列舉：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等鹵素原子，羥基，羧基，氰基，胺基，巰基（sulfanyl）等。
作為X或Y所表示的碳數1～20的一價有機基，較佳為一價烴基，更佳為一價鏈狀烴基或一價芳香族烴基，進而佳為烷基或芳基。
作為X或Y所表示的一價有機基的碳數，較佳為1～10，更佳為1～6。
作為X或Y所表示的鹵素原子，例如可列舉：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。作為所述鹵素原子，較佳為氯原子或溴原子。
於[A]聚碳矽烷具有結構單元（I）的情況下，作為結構單元（I）相對於構成[A]聚碳矽烷的所有結構單元的含有比例的下限，較佳為5莫耳%，更佳為30莫耳%，進而佳為60莫耳%，尤佳為80莫耳%。結構單元（I）的含有比例的上限亦可為100莫耳%。藉由將結構單元（I）的含有比例設為所述範圍，可利用所述半導體基板的處理方法中的含矽膜（I）的去除液（I）進一步提高去除性。再者，[A]聚碳矽烷的各結構單元的含有比例（莫耳%）通常與提供[A]聚碳矽烷的合成中使用的各結構單元的單量體的莫耳比率相等。
（結構單元（II）） 結構單元（II）為下述式（2）所表示的結構單元。
[化2]
Figure 02_image005
於[A]聚碳矽烷具有結構單元（II）的情況下，作為結構單元（II）相對於構成[A]聚碳矽烷的所有結構單元的含有比例的下限，較佳為0.1莫耳%，更佳為1莫耳%，進而佳為5莫耳%。作為結構單元（II）的含有比例的上限，較佳為50莫耳%，更佳為40莫耳%，進而佳為30莫耳%，尤佳為20莫耳%。
（結構單元（III）） 結構單元（III）為下述式（3）所表示的結構單元。
[化3]
Figure 02_image006
所述式（3）中，R2 為經取代或未經取代的碳數1～20的一價烴基。c為1或2。於c為2的情況下，兩個R2 彼此相同或不同。
作為所述c，較佳為1。
作為R2 所表示的未經取代的碳數1～20的一價烴基，例如可列舉與作為所述式（1）的X及Y所例示的碳數1～20的一價烴基相同的基等。另外，作為所述碳數1～20的一價烴基的取代基，例如可列舉與所述式（1）的X及Y中例示的一價含雜原子的基相同的基等。
作為R2 ，較佳為經取代或未經取代的一價鏈狀烴基或者經取代或未經取代的一價芳香族烴基，更佳為烷基或芳基，進而佳為甲基或苯基。
於[A]聚碳矽烷具有結構單元（III）的情況下，作為結構單元（III）相對於構成[A]聚碳矽烷的所有結構單元的含有比例的下限，較佳為0.1莫耳%，更佳為1莫耳%，進而佳為5莫耳%。作為結構單元（III）的含有比例的上限，較佳為50莫耳%，更佳為40莫耳%，進而佳為30莫耳%，尤佳為20莫耳%。
另外，[A]聚碳矽烷除了所述結構單元以外，亦可包含如下結構單元，所述結構單元包含由所述式（1）中X及/或Y所表示的羥基藉由脫水縮合等而形成的Si-O-Si的結構。
作為[A]聚碳矽烷的聚苯乙烯換算重量平均分子量（Mw）的下限，較佳為500，更佳為700，進而佳為900，尤佳為1,200。作為所述Mw的上限，較佳為50,000，更佳為10,000，進而佳為5,000，尤佳為3,000。
於本說明書中，[A]聚碳矽烷的Mw為使用凝膠滲透層析（Gel Permeation Chromatography，GPC）管柱（東曹（Tosoh）（股）的「G2000HXL」2根、「G3000HXL」1根、「G4000HXL」1根），於流量：1.0 mL/min、溶出溶媒：四氫呋喃、管柱溫度：40℃的分析條件下，藉由以單分散聚苯乙烯作為標準的凝膠滲透層析（檢測器：示差折射計）而測定的值。
作為[A]聚碳矽烷的含有比例的下限，相對於組成物（I）中的[B]溶媒以外的所有成分而較佳為70質量%，更佳為80質量%，進而佳為90質量%。所述含有比例的上限可為100質量%。
作為組成物（I）中的[A]聚碳矽烷的含有比例的下限，較佳為0.01質量%，更佳為0.05質量%，進而佳為0.1質量%，尤佳為0.3質量%。作為所述含有比例的上限，較佳為30質量%，更佳為20質量%，進而佳為10質量%，尤佳為3質量%。
[[B]溶媒] 作為[B]溶媒，只要可溶解或分散[A]聚碳矽烷及視需要含有的其他成分，則可使用。作為[B]溶媒，例如可列舉：醇系溶媒、酮系溶媒、醚系溶媒、酯系溶媒、含氮系溶媒、水等。[B]溶媒可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。
作為醇系溶媒，例如可列舉：甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇等單醇系溶媒；乙二醇、1,2-丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等多元醇系溶媒等。
作為酮系溶媒，例如可列舉：丙酮、甲基乙基酮、甲基-正丙基酮、甲基-異丁基酮、環己酮等。
作為醚系溶媒，例如可列舉：乙醚、異丙醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇二乙醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、四氫呋喃等。
作為酯系溶媒，例如可列舉：乙酸乙酯、γ-丁內酯、乙酸正丁酯、乙酸乙二醇單甲醚、乙酸乙二醇單乙醚、乙酸二乙二醇單甲醚、乙酸二乙二醇單乙醚、乙酸丙二醇單甲醚、乙酸丙二醇單乙醚、乙酸二丙二醇單甲醚、乙酸二丙二醇單乙醚、丙酸乙酯、丙酸正丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯等。
作為含氮系溶媒，例如可列舉：N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等。
該些溶媒中，較佳為醚系溶媒及/或酯系溶媒，更佳為具有二醇結構的醚系溶媒及/或酯系溶媒，其原因在於成膜性優異。
作為具有二醇結構的醚系溶媒及酯系溶媒，例如可列舉：丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、乙酸丙二醇單甲醚、乙酸丙二醇單乙醚、乙酸丙二醇單丙醚等。該些溶媒中，尤佳為乙酸丙二醇單甲醚。
作為[B]溶媒中的具有二醇結構的醚系溶媒及酯系溶媒的含有比例的下限，較佳為20質量%，更佳為60質量%，進而佳為90質量%，尤佳為100質量%。
作為組成物（I）中的[B]溶媒的含有比例的下限，較佳為80質量%，更佳為90質量%，進而佳為95質量%。作為所述含有比例的上限，較佳為99.9質量%。
[其他成分] 組成物（I）亦可含有例如鹼性化合物（包含鹼產生劑）、自由基產生劑、酸產生劑、界面活性劑、膠體狀二氧化矽、膠體狀氧化鋁、有機聚合物等作為其他成分。組成物（I）可分別單獨含有一種或組合含有兩種以上的所述其他成分。
（鹼性化合物） 所述鹼性化合物促進組成物（I）的硬化反應，其結果提高所形成的含矽膜（I）的強度等。作為所述鹼性化合物，例如可列舉具有鹼性胺基的化合物、或藉由酸的作用或熱的作用而產生具有鹼性胺基的化合物的鹼產生劑等。作為所述具有鹼性胺基的化合物，例如可列舉胺化合物等。作為所述鹼產生劑，例如可列舉：含醯胺基化合物、脲化合物、含氮雜環化合物等。作為所述胺化合物、含醯胺基化合物、脲化合物及含氮雜環化合物的具體例，例如可列舉日本專利特開2016-27370號公報的段落[0079]～段落[0082]中所記載的化合物等。
於組成物（I）含有所述鹼性化合物的情況下，作為所述鹼性化合物相對於[A]聚碳矽烷100質量份的含量的上限，較佳為50質量份。作為所述含量的下限，較佳為1質量份。
（酸產生劑） 所述酸產生劑是藉由曝光或加熱而產生酸的成分。所述酸產生劑於較低溫度（包含常溫）下，亦可促進[A]聚碳矽烷的縮合反應。
作為藉由曝光而產生酸的酸產生劑（以下，亦稱為「光酸產生劑」），例如可列舉日本專利特開2004-168748號公報中的段落[0077]～段落[0081]中記載的酸產生劑等。
另外，作為藉由加熱而產生酸的酸產生劑（以下，亦稱為「熱酸產生劑」），可列舉所述專利文獻中作為光酸產生劑而例示的鎓鹽系酸產生劑、2,4,4,6-四溴環己二烯酮、安息香甲苯磺酸酯、2-硝基苄基甲苯磺酸酯、烷基磺酸酯類等。
於組成物（I）含有所述酸產生劑的情況下，作為酸產生劑相對於[A]聚碳矽烷100質量份的含量的上限，較佳為20質量份，更佳為10質量份。作為所述含量的下限，較佳為0.1質量份。
於組成物（I）含有界面活性劑、膠體狀二氧化矽、膠體狀氧化鋁及/或有機聚合物的情況下，作為該些成分的每一種的含量的上限，相對於[A]聚碳矽烷100質量份，較佳為2質量份，更佳為1質量份。
[含矽膜形成用組成物的製備方法] 組成物（I）例如可藉由如下方式來製備：將[A]聚碳矽烷的溶液、[B]溶媒及視需要使用的其他成分以既定比例混合，較佳為利用孔徑0.2 μm以下的過濾器等對所獲得的混合溶液進行過濾。
＜抗蝕劑膜形成用組成物塗敷步驟＞ 本步驟中，於藉由所述含矽膜形成用組成物塗敷步驟而形成的含矽膜（I）直接或間接地塗敷抗蝕劑膜形成用組成物。藉由本步驟，於所述含矽膜形成用組成物塗敷步驟中形成的含矽膜（I）直接或間接地形成有抗蝕劑膜。
作為抗蝕劑膜形成用組成物，例如可列舉：含有具有酸解離性基的聚合物及感放射線性酸產生劑的感放射線性樹脂組成物（化學增幅型抗蝕劑膜形成用組成物）、包含鹼可溶性樹脂與醌二疊氮化物系感光劑的正型抗蝕劑膜形成用組成物、含有鹼可溶性樹脂與交聯劑的負型抗蝕劑膜形成用組成物等。該些中，較佳為感放射線性樹脂組成物。於使用感放射線性樹脂組成物的情況下，藉由利用鹼性顯影液進行顯影，可形成正型圖案，藉由利用有機溶媒顯影液進行顯影，可形成負型圖案。於抗蝕劑圖案的形成中亦可適宜使用作為形成微細圖案的方法的雙重圖案（double patterning）法、雙重曝光（double exposure）法等。
感放射線性樹脂組成物中所含有的聚合物除包含酸解離性基的結構單元以外，亦可具有例如包含內酯結構、環狀碳酸酯結構及/或磺內酯結構的結構單元、包含醇性羥基的結構單元、包含酚性羥基的結構單元、包含氟原子的結構單元等。若所述聚合物具有包含酚性羥基的結構單元及/或包含氟原子的結構單元，則可提高於使用極紫外線或電子束作為曝光中的放射線時的感度。
作為抗蝕劑膜形成用組成物中的溶媒以外的所有成分的含有比例的下限，較佳為0.1質量%，較佳為1質量%。作為所述含有比例的上限，較佳為50質量%，更佳為30質量%。作為抗蝕劑膜形成用組成物，可較佳地使用利用孔徑0.2 μm以下的過濾器進行了過濾者。於所述半導體基板的處理方法中，亦可直接使用市售品的抗蝕劑組成物作為抗蝕劑膜形成用組成物。
作為抗蝕劑膜形成用組成物的塗敷方法，例如可列舉旋轉塗敷法等先前的方法等。於塗敷抗蝕劑膜形成用組成物時，以所得的抗蝕劑膜成為既定膜厚的方式調整所塗敷的抗蝕劑膜形成用組成物的量。
抗蝕劑膜可藉由對抗蝕劑膜形成用組成物的塗膜進行預烘烤來使塗膜中的溶媒揮發而形成。預烘烤的溫度可根據所使用的抗蝕劑膜形成用組成物的種類等而適宜調整，作為預烘烤的溫度的下限，較佳為30℃，更佳為50℃。作為所述溫度的上限，較佳為200℃，更佳為150℃。
＜曝光步驟＞ 本步驟中，利用放射線對藉由所述抗蝕劑膜形成用組成物塗敷步驟而形成的抗蝕劑膜進行曝光。所述曝光例如是藉由光罩而選擇性地照射放射線來進行。作為放射線，例如可列舉：可見光線、紫外線（包含遠紫外線及極紫外線）、X射線、γ射線等電磁波；電子束、α射線等帶電粒子束等。該些中，較佳為遠紫外線、極紫外線或電子束，更佳為極紫外線或電子束。
＜顯影步驟＞ 本步驟中，對所述曝光步驟後的抗蝕劑膜進行顯影。藉由本步驟，於所述含矽膜形成用組成物塗敷步驟中形成的含矽膜（I）直接或間接地形成有抗蝕劑圖案。作為所述顯影方法，可為使用鹼性顯影液的鹼顯影法亦可為使用有機溶媒顯影液的有機溶媒顯影法。本步驟中，於利用各種顯影液進行顯影後，較佳為進行清洗及乾燥，藉此形成與曝光步驟中使用的光罩相對應的既定的抗蝕劑圖案。
＜含矽膜蝕刻步驟＞ 本步驟中，於所述顯影步驟後，將藉由所述顯影步驟而形成的抗蝕劑圖案作為遮罩而對所述含矽膜（I）進行蝕刻。更具體而言，藉由將利用所述顯影步驟而形成的抗蝕劑圖案作為遮罩的一次或多次蝕刻，利用所述含矽膜形成用組成物塗敷步驟而形成的含矽膜（I）經圖案化。
所述蝕刻可為乾式蝕刻，亦可為濕式蝕刻，較佳為乾式蝕刻。
乾式蝕刻例如可使用公知的乾式蝕刻裝置來進行。作為乾式蝕刻中使用的蝕刻氣體，可藉由被蝕刻的含矽膜的元素組成等適宜選擇，例如可使用CHF3 、CF4 、C2 F6 、C3 F8 、SF6 等氟系氣體；Cl2 、BCl3 等氯系氣體；O2 、O3 、H2 O等氧系氣體；H2 、NH3 、CO、CH4 、C2 H2 、C2 H4 、C2 H6 、C3 H4 、C3 H6 、C3 H8 、HF、HI、HBr、HCl、NO、NH3 、BCl3 等還原性氣體；He、N2 、Ar等惰性氣體等。該些氣體亦可混合使用。於含矽膜的乾式蝕刻中通常使用氟系氣體，可較佳地使用於其中混合有氧系氣體及惰性氣體的氣體。
＜處理步驟＞ 本步驟中，對藉由所述含矽膜形成用組成物塗敷步驟而形成的含矽膜（I）進行選自由放射線的暴露、反應性氣體的暴露、電漿的暴露、離子的暴露、反應性液體的接觸及400℃以上的加熱所組成的群組中的至少一種處理。本步驟中，該些處理中，可僅進行一種處理，亦可依次或同時進行該些中的兩種以上的處理。本步驟中，可對含矽膜（I）整體進行各處理中的暴露、接觸及加熱，亦可對含矽膜（I）的一部分進行。各處理中，暴露、接觸及加熱可僅進行一次，亦可進行多次。
本步驟的處理具體而言是對如下基板（以下，亦稱為「基板（P）」）中的含矽膜（I）進行，所述基板直接或間接地具有藉由所述含矽膜形成用組成物塗敷步驟而形成的含矽膜（I）、或者具有藉由所述含矽膜蝕刻步驟進行圖案化的含矽膜（I）。
藉由對含矽膜（I）進行選自由放射線的暴露、反應性氣體的暴露、電漿的暴露、離子的暴露、反應性液體的接觸、400℃以上的加熱所組成的群組中的至少一種處理，於[A]聚碳矽烷氧化時生成-OH、-COOH等，可溶於鹼性液體，於進一步進行氧化時形成有Si-O-Si鍵，可溶於氟化氫水。另外，於[A]聚碳矽烷的共價鍵被切斷時可溶於酸性液體。如此，藉由本步驟中的處理，於後述的去除步驟中，可利用含有酸或鹼的去除液（I）去除含矽膜（I）。 以下，對各處理進行說明。
（放射線的暴露） 作為放射線，例如可列舉：可見光線（波長：超過400 nm且為780 nm以下）、紫外線（波長：10 nm以上且400 nm以下）、X射線（0.001 nm～10 nm）等電磁波；電子束、分子束等粒子束等。該些中，較佳為電磁波或電子束，更佳為紫外線或電子束。作為紫外線的波長的下限，較佳為13 nm，更佳為150 nm。作為所述波長的上限，較佳為370 nm，更佳為255 nm。作為對基板（P）的含矽膜（I）進行紫外線的暴露的方法，例如可列舉將低壓水銀燈（發光中心波長：185 nm、254 nm）等作為照射光源的方法；使用EUV掃描儀（例如ASML公司的「特溫掃描（TWINSCAN）NXE：3300B」（NA 0.3、西格瑪0.9）等）暴露極紫外線（波長：13.5 nm）的方法等。作為對基板（P）的含矽膜（I）進行電子束的暴露的方法，例如可列舉使用電子束描繪裝置（例如日立製作所（股）的「HL800D」等）等的方法等。
作為利用Xe準分子燈或低壓水銀燈的紫外線的暴露強度的下限，較佳為1 mW/cm2 ，更佳為5 mW/cm2 。作為所述暴露強度的上限，較佳為200 mW/cm2 ，更佳為50 mW/cm2 。作為極紫外線的暴露量的下限，較佳為5 mJ/cm2 ，更佳為10 mJ/cm2 。作為所述暴露量的上限，較佳為500 mJ/cm2 ，更佳為400 mJ/cm2 。作為電子束的暴露量的下限，較佳為20 μC/cm2 ，更佳為40 μC/cm2 。作為所述暴露量的上限，較佳為1,000 μC/cm2 ，更佳為800 μC/cm2 。
作為放射線的暴露時間的下限，較佳為10秒，更佳為30秒，進而佳為1分鐘。作為所述時間的上限，較佳為10小時，更佳為2小時，進而佳為30分鐘。
作為放射線的暴露時的基板（P）的溫度，通常為0℃以上且150℃以下，較佳為0℃以上且50℃以下。
作為放射線的暴露下的含矽膜（I）的周圍的環境，並無特別限定，可為空氣中，亦可為氮氣等惰性氣體中，亦可為臭氧、氨等反應性氣體中。
（反應性氣體的暴露） 所謂「反應性氣體」是指可與含矽膜（I）反應的氣體。作為反應性氣體，例如可列舉臭氧、氧、氟、氯、溴、碘、氟化氫、氯化氫、溴化氫、碘化氫、氨、氫等。該些中，較佳為臭氧、氨或氟。
作為進行反應性氣體的暴露的方法，可列舉將基板（P）於封入了反應性氣體的容器中靜置固定時間的方法等。
作為反應性氣體的暴露時使用的氣體，可為僅包含反應性氣體的氣體，亦可為利用氮氣等非反應性氣體將反應性氣體稀釋後的氣體。
作為反應性氣體的暴露時的分壓的下限，較佳為0.01氣壓，更佳為0.1氣壓。作為所述分壓的上限，較佳為5氣壓，更佳為1氣壓。
作為反應性氣體的暴露時間的下限，較佳為10秒，更佳為30秒，進而佳為1分鐘。作為所述時間的上限，較佳為10小時，更佳為2小時，進而佳為30分鐘。
作為反應性氣體的暴露時的基板（P）的溫度，通常為0℃以上且150℃以下，較佳為0℃以上且50℃以下。
（電漿的暴露） 所謂「電漿」是指將各種氣體電漿化而成者。
作為電漿，例如可列舉氧電漿、臭氧電漿、氮電漿、氫電漿、氯電漿、氦電漿、氖電漿、氬電漿、氪電漿、氙電漿、氨電漿等。該些中，較佳為氧電漿、臭氧電漿、氦電漿或氬電漿，更佳為氧電漿、氦電漿或氬電漿。
作為進行電漿的暴露的方法，例如可列舉將基板（P）設置於各氣體環境中，並進行電漿放電的直接法等。作為電漿的暴露條件，通常為氣體流量為50 cc/min以上且100 cc/min以下、供給電力為100 W以上且1,500 W以下。
作為電漿的暴露時間的下限，較佳為10秒，更佳為30秒，進而佳為1分鐘。作為所述時間的上限，較佳為10分鐘，更佳為5分鐘，進而佳為2分鐘。
作為電漿的暴露時的基板（P）的溫度，通常為0℃以上且150℃以下，較佳為0℃以上且50℃以下。
（離子的暴露） 作為離子，例如可列舉氮、氦、氖、氬、氪、氙、氦的離子等。該些中，較佳為氦或氬的離子。
作為進行離子的暴露的方法，例如可列舉使用離子照射裝置的方法等。
作為離子的暴露時間的下限，較佳為10秒，更佳為30秒，進而佳為1分鐘。作為所述時間的上限，較佳為10分鐘，更佳為5分鐘，進而佳為2分鐘。
作為離子的暴露時的基板（P）的溫度，通常為0℃以上且150℃以下，較佳為0℃以上且50℃以下。
（反應性液體的接觸） 所謂「反應性液體」是指可與含矽膜（I）反應的液體。作為反應性液體，例如可列舉過氧化氫等氧化劑、硫酸、硝酸等酸、該些的混合物或使該些溶解於水中而獲得的液體等。
作為使反應性液體與基板（P）的含矽膜（I）接觸的方法，例如可列舉：使基板（P）於充滿反應性液體的槽中浸漬固定時間的方法（浸漬法）；藉由表面張力而使反應性液體堆積至基板（P）的含矽膜（I）的表面並靜止固定時間的方法（覆液（puddle）法）；對基板（P）的含矽膜（I）的表面噴射反應性液體的方法（噴霧法）；一邊以固定速度掃描塗出噴嘴，一邊朝以固定速度旋轉的基板（P）上連續塗出反應性液體的方法（動態分配法）等。
於反應性液體為溶液的情況下，作為反應性液體中的氧化劑及酸的濃度的下限，較佳為0.1質量%，更佳為1質量%，進而佳為10質量%。作為所述濃度的上限，較佳為80質量%，更佳為60質量%，進而佳為40質量%。
作為反應性液體的接觸時間的下限，較佳為10秒，更佳為30秒，進而佳為1分鐘。作為所述時間的上限，較佳為10小時，更佳為2小時，進而佳為30分鐘。
作為反應性液體的接觸時的基板（P）的溫度，通常為0℃以上且150℃以下，較佳為0℃以上且50℃以下。
（400℃以上的加熱） 作為進行加熱的方法，例如可列舉使用加熱板、烘箱等加熱裝置的方法等。
作為加熱溫度的下限，較佳為400℃，更佳為450℃。作為所述溫度的上限，較佳為600℃，更佳為500℃。
作為加熱時間的下限，較佳為10秒，更佳為30秒，進而佳為1分鐘。作為所述時間的上限，較佳為10小時，更佳為2小時，進而佳為30分鐘。
作為加熱下的含矽膜（I）的周圍的環境，並無特別限定，可為空氣中，亦可為氮氣等惰性氣體中。
＜去除步驟＞ 本步驟中，利用含有酸或鹼的去除液（I）去除所述處理步驟後的含矽膜（I）。
作為含有酸的去除液（I），例如可列舉包含酸及水的液體；藉由酸、過氧化氫及水的混合而獲得的液體等。作為酸，例如可列舉：硫酸、氫氟酸、鹽酸等。作為含有酸的去除液（I），更具體而言，例如可列舉藉由氫氟酸及水的混合而獲得的液體；藉由硫酸、過氧化氫及水的混合而獲得的液體；藉由鹽酸、過氧化氫及水的混合而獲得的液體等。
作為含有鹼的去除液（I），例如可列舉包含鹼及水的液體；藉由鹼、過氧化氫及水的混合而獲得的液體等，較佳為藉由鹼、過氧化氫及水的混合而獲得的液體。
作為鹼，例如可列舉：氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨、乙胺、正丙胺、二乙胺、二正丙胺、三乙胺、甲基二乙胺、二甲基乙醇胺、三乙醇胺、四甲基氫氧化銨（tetramethylammonium hydroxide，TMAH）、四乙基氫氧化銨、吡咯、哌啶、膽鹼、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-7-十一烯、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯等。該些中，較佳為氨。
作為去除步驟中的溫度的下限，較佳為20℃，更佳為40℃，進而佳為50℃。作為所述溫度的上限，較佳為300℃，更佳為100℃。
作為去除步驟中的時間的下限，較佳為5秒，更佳為30秒。作為所述時間的上限，較佳為10分鐘，更佳為180秒。 [實施例]
以下，對實施例進行說明。再者，以下所示的實施例表示本發明的具代表性的實施例的一例，並不由此而狹隘地解釋本發明的範圍。
本實施例中的重量平均分子量（Mw）的測定、[A]聚碳矽烷於溶液中的濃度的測定、以及膜的平均厚度的測定是藉由下述方法而進行。
[重量平均分子量（Mw）] 使用GPC管柱（東曹（Tosoh）（股）的「G2000HXL」2根、「G3000HXL」1根、「G4000HXL」1根），於流量：1.0 mL/min、溶出溶媒：四氫呋喃、管柱溫度：40℃的分析條件下，藉由以單分散聚苯乙烯作為標準的凝膠滲透層析（檢測器：示差折射計）而測定。
[[A]聚碳矽烷於溶液中的濃度] 測定將0.5 g的[A]聚碳矽烷的溶液於250℃下煆燒30分鐘後的殘渣的質量，將該殘渣的質量除以[A]聚碳矽烷的溶液的質量，藉此算出[A]聚碳矽烷於溶液中的濃度（質量%）。
[含矽膜的平均厚度] 含矽膜的平均厚度是使用分光橢圓偏振計（J.A.沃蘭姆（J. A. WOOLLAM）公司的「M2000D」）來測定。
＜[A]聚碳矽烷的合成＞ 以下示出本實施例中的合成中所使用的單量體。再者，於以下的合成例1～合成例10中，只要事先無特別說明，則質量份是指將所使用的單量體的合計質量或聚碳矽烷（a）的二異丙醚溶液的質量設為100質量份時的值。莫耳%是指將所使用的單量體中的合計Si的莫耳數設為100莫耳%時的值。
[化4]
Figure 02_image008
（聚碳矽烷（a）的合成） [合成例1]（聚碳矽烷（a-1）的合成） 於進行了氮氣置換的反應容器中加入鎂（120莫耳%）及四氫呋喃（35質量份），於20℃下進行攪拌。其次，將所述式（H-1）所表示的化合物、所述式（S-2）所表示的化合物及所述式（S-3）所表示的化合物以莫耳比率成為50/15/35（莫耳%）的方式溶解於四氫呋喃（355質量份）中，來製備單量體溶液。將反應容器內設為20℃，一邊進行攪拌，一邊歷時1小時滴加所述單量體溶液。將滴加結束設為反應的開始時間，於40℃下實施1小時聚合反應，其後於60℃下實施3小時聚合反應。反應結束後，添加四氫呋喃（213質量份），對聚合溶液進行冰浴冷卻並冷卻至10℃以下。於在冷卻的聚合溶液中加入三乙胺（150莫耳%）後，一邊進行攪拌，一邊歷時10分鐘自滴加漏斗滴加甲醇（150莫耳%）。將滴加結束設為反應的開始時間，於20℃下實施1小時反應。將聚合溶液投入至二異丙醚（700質量份）中，並對所析出的鹽進行過濾分離。其次，使用蒸發器，去除濾液中的四氫呋喃、剩餘的三乙胺及剩餘的甲醇。將所得的殘渣投入至二異丙醚（180質量份）中，對析出的鹽進行過濾分離，於濾液中添加二異丙醚，藉此獲得聚碳矽烷（a-1）的二異丙醚溶液。聚碳矽烷（a-1）於所述二異丙醚溶液中的濃度為10質量%。聚碳矽烷（a-1）的Mw為700。
[合成例2～合成例5]（聚碳矽烷（a-2）～聚碳矽烷（a-5）的合成） 除了使用下述表1所示的種類及使用量的各單量體以外，與合成例1同樣地獲得聚碳矽烷（a-2）～聚碳矽烷（a-5）的二異丙醚溶液。將所得的聚碳矽烷（a）的溶液中的聚碳矽烷（a）的Mw及聚碳矽烷（a）於所述二異丙醚溶液中的濃度（質量%）一併示於表1中。表1中的「-」表示未使用相應的單量體。
[表1]
Figure 108133976-A0304-0001
[合成例6]（聚碳矽烷（A-1）的合成） 於反應容器中，將聚碳矽烷（a-1）的二異丙醚溶液溶解於甲醇90質量份中。將所述反應容器內設為30℃，一邊進行攪拌，一邊歷時20分鐘滴加3.2質量%乙二酸水溶液8質量份。將滴加結束設為反應的開始時間，於40℃下實施4小時反應。反應結束後，將反應容器內冷卻至30℃以下。將198質量份乙酸丙二醇單甲醚加入至進行了冷卻的反應溶液中後，使用蒸發器將水、藉由反應而生成的醇類及剩餘的乙酸丙二醇單甲醚去除，而獲得聚碳矽烷（A-1）的乙酸丙二醇單甲醚溶液。所述聚碳矽烷（A-1）於所述乙酸丙二醇單甲醚溶液中的濃度為5質量%。聚碳矽烷（A-1）的Mw為2,500。
[合成例7～合成例10]（聚碳矽烷（A-2）～聚碳矽烷（A-5）的合成） 除了使用聚碳矽烷（a-2）～聚碳矽烷（a-5）以外，與合成例6同樣地獲得聚碳矽烷（A-2）～聚碳矽烷（A-5）的乙酸丙二醇單甲醚溶液。該些聚碳矽烷（A-2）～聚碳矽烷（A-5）於所述乙酸丙二醇單甲醚溶液中的濃度為5質量%。聚碳矽烷（A-2）的Mw為1,800，聚碳矽烷（A-3）的Mw為2,100，聚碳矽烷（A-4）的Mw為1,300，聚碳矽烷（A-5）的Mw為1,800。
＜組成物（I）的製備＞ 將組成物（I）的製備中使用的[B]溶媒示於以下。
[[B]溶媒] B-1：乙酸丙二醇單甲醚
[製備例1] 將作為[A]聚碳矽烷的（A-1）0.5質量份、作為[B]溶媒的（B-1）99.50質量份（亦包含[A]聚碳矽烷的溶液中所含的作為溶媒的（B-1））混合，利用孔徑0.2 μm的過濾器對所得的溶液進行過濾，而製備組成物（J-1）。
[製備例2～製備例5] 除了將各成分的種類及調配量設為如下述表2所示般以外，與製備例1同樣地進行操作，從而製備組成物（J-1）～組成物（J-5）。
[表2]
Figure 108133976-A0304-0002
＜含矽膜的形成＞ 藉由利用旋塗機的旋轉塗敷法將有機下層膜形成材料（捷時雅（JSR）（股）的「HM8006」）塗敷於8吋矽晶圓上後，於250℃下進行60秒加熱，藉此形成平均厚度100 nm的有機下層膜。藉由利用所述旋塗機的旋轉塗敷法將下述表3～表5所示的組成物（I）塗敷於所述有機下層膜上後，於220℃下進行60秒加熱後，於23℃下冷卻30秒，藉此形成平均厚度10 nm的含矽膜，製作於表面形成有含矽膜的基板。
＜處理的實施及含矽膜的去除＞ 關於所述製作的各基板，藉由下述表3～表5所示的處理條件進行處理。其次，藉由覆液法使下述表3～表5所示的去除液（I）與進行了所述處理的各基板的含矽膜的表面接觸後，藉由利用旋塗機的旋轉使其乾燥。下述表3～表5中的處理條件中的「-」表示未進行處理。
[實施例1-1～實施例1-20及比較例1-1～比較例1-5] （處理條件） P1-1：反應性氣體（臭氧）的暴露 P1-2：電漿（氧電漿）的暴露 P1-3：400℃以上（空氣中400℃）的加熱 P1-4：反應性液體（過氧化氫水）的接觸
以下示出處理條件（P1-1）～處理條件（P1-4）的處理方法。 P1-1：於腔室內載置形成有含矽膜的基板，以流量40 mL/分鐘向腔室內供給60秒15 vol%臭氧氣體（100℃）。臭氧產生裝置使用「OT-020」（臭氧技術（Ozone Technology）公司）。 P1-2：於O2 =400 sccm、PRESS.=25 mT、HF RF=20 W、LF RF=0 W、DCS=0 V、RDC=50%、60 sec的條件下，對形成有含矽膜的基板暴露電漿。裝置使用東京電子（Tokyo Electron）（股）的「塔卡翠絲威格斯（Tactras-Vigus）」。 P1-3：於潔淨空氣中，於400℃下對形成有含矽膜的基板進行60秒加熱。 P1-4：將形成有含矽膜的基板於10質量%過氧化氫水（80℃）中浸漬60秒後，吹附10秒壓縮空氣，藉此使基板乾燥。
（去除條件） 將所述獲得的各基板於加溫為65℃的去除液（R-1）（25質量%氨水溶液/30質量%過氧化氫水/水=1/1/5（體積比）混合水溶液）中浸漬5分鐘。
[實施例2-1～實施例2-15及比較例2-1～比較例2-5] （處理條件） P1-6：反應性氣體（臭氧）的暴露 P1-7：電漿（氧電漿）的暴露 P1-8：400℃以上（空氣中500℃）的加熱
以下示出處理條件（P1-6）～處理條件（P1-9）的處理方法。 P1-6：於腔室內載置形成有含矽膜的基板，以流量40 mL/分鐘向腔室內供給120秒15 vol%臭氧氣體（250℃）。臭氧產生裝置使用「OT-020」（臭氧技術（Ozone Technology）公司）。 P1-7：於O2 =400 sccm、PRESS.=25 mT、HF RF=200 W、LF RF=0 W、DCS=0 V、RDC=50%、60 sec的條件下，對形成有含矽膜的基板暴露電漿。裝置使用東京電子（Tokyo Electron）（股）的「塔卡翠絲威格斯（Tactras-Vigus）」。 P1-8：於潔淨空氣中，於500℃下對形成有含矽膜的基板進行120秒加熱。
（去除條件） 將所述獲得的各基板於加溫為50℃的去除液（R-2）（50質量%氫氟酸/水=1/5（體積比）混合水溶液）中浸漬5分鐘。
[實施例3-1～實施例3-25及比較例3-1～比較例3-5] （處理條件） P1-10：電漿（氬電漿）的暴露 P1-11：離子（氬離子）的暴露 P1-12：400℃以上（氮氣中400℃）的加熱 P1-13：電子束的暴露 P1-14：極紫外線的暴露
以下示出處理條件（P1-10）～處理條件（P1-15）的處理方法。 P1-10：於Ar=800 sccm、PRESS.=80 mT、HF RF=500 W、LF RF=0 W、DCS=0 V、RDC=50%、60 sec的條件下，對形成有含矽膜的基板暴露電漿。裝置使用東京電子（Tokyo Electron）（股）的「塔卡翠絲威格斯（Tactras-Vigus）」。 P1-11：對形成有含矽膜的基板暴露氬離子（劑量1×1015 atms/cm2 ）。裝置使用愛發科（ULVAC）（股）的「IMX-3500RS」。 P1-12：於氮氣中於400℃下對形成有含矽膜的基板進行120秒加熱。 P1-13：於100 μC/cm2 （輸出功率：50 KeV、電流密度：5.0安培/cm2 ）的條件下，對形成有含矽膜的基板暴露電子束。裝置使用日立製作所（股）製造的「HL800D」。 P1-14：於200 mJ/cm2 的條件下對形成有含矽膜的基板暴露極紫外線。裝置使用EUV掃描儀（ASML公司的「特溫掃描（TWINSCAN）NXE：3300B」（NA 0.3、西格瑪0.9）。
（去除條件） 將所述獲得的各基板於加溫為50℃的去除液（R-3）（96質量%硫酸/30質量%過氧化氫水=3/1（體積比）混合水溶液）中浸漬5分鐘。
＜評價＞ 藉由以下方法評價含矽膜的去除中的含矽膜的去除性。將評價結果一併示於下述表3～表5中。
[去除性] 關於所述獲得的各基板的剖面，使用場發射型掃描電子顯微鏡（日立高新技術（Hitachi High-technologies）（股）的「SU8220」）進行觀察，於未殘存含矽膜的情況下評價為「A」（良好），於殘存含矽膜的情況下評價為「B」（不良）。
[表3]
Figure 108133976-A0304-0003
[表4]
Figure 108133976-A0304-0004
[表5]
Figure 108133976-A0304-0005
根據所述表3～表5的結果可知，實施例的半導體基板的處理方法中的含矽膜的去除性良好。因此，根據實施例的半導體基板的處理方法，認為於二次加工製程中可減少對基板的損傷。 [產業上之可利用性]
根據本發明的半導體基板的處理方法，於二次加工製程中可藉由使用含有酸的去除液或含有鹼的去除液而減少對基板的損傷。因此，所述半導體基板的處理方法可較佳地用於料想今後將進一步進行微細化的半導體器件的製造等。
無
無

Claims (6)

  1. 一種半導體基板的處理方法，包括： 含矽膜形成用組成物塗敷步驟，於基板直接或間接地塗敷含有聚碳矽烷及溶媒的含矽膜形成用組成物； 處理步驟，對藉由所述含矽膜形成用組成物塗敷步驟而形成的含矽膜進行選自由放射線的暴露、反應性氣體的暴露、電漿的暴露、離子的暴露、反應性液體的接觸及400℃以上的加熱所組成的群組中的至少一種處理；以及 去除步驟，利用含有酸的去除液或含有鹼的去除液去除所述處理步驟後的所述含矽膜。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體基板的處理方法，其中所述聚碳矽烷具有下述式（1）所表示的結構單元：
    Figure 03_image010
    （式（1）中，R1 為經取代或未經取代的碳數1～20的二價烴基；X及Y分別獨立地為氫原子、羥基、鹵素原子或者碳數1～20的一價有機基）。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體基板的處理方法，其中於所述含矽膜形成用組成物塗敷步驟後，進一步包括： 抗蝕劑膜形成用組成物塗敷步驟，於所述含矽膜直接或間接地塗敷抗蝕劑膜形成用組成物； 曝光步驟，利用放射線對藉由所述抗蝕劑膜形成用組成物塗敷步驟而形成的抗蝕劑膜進行曝光； 顯影步驟，對所述曝光步驟後的所述抗蝕劑膜進行顯影；以及 將藉由所述顯影步驟而形成的抗蝕劑圖案作為遮罩而對所述含矽膜進行蝕刻的步驟。
  4. 如申請專利範圍第1項或第3項所述的半導體基板的處理方法，其中所述含有酸的去除液為包含酸及水的液體或者藉由酸、過氧化氫及水的混合而獲得的液體。
  5. 如申請專利範圍第1項或第3項所述的半導體基板的處理方法，其中所述含有鹼的去除液為包含鹼及水的液體或者藉由鹼、過氧化氫及水的混合而獲得的液體。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體基板的處理方法，其中於50℃以上進行所述去除步驟。
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