TW202012307A

TW202012307A - 奈米碳管複合體及使用其的分散液、半導體元件及其製造方法、以及使用半導體元件的無線通訊裝置及商品標籤

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Publication number: TW202012307A
Application number: TW108133870A
Authority: TW
Inventors: 磯貝和生; 村瀬清一郎; 田中龍一; 西野秀和
Original assignee: 日商東麗股份有限公司
Priority date: 2018-09-25
Filing date: 2019-09-19
Publication date: 2020-04-01
Also published as: WO2020066741A1; EP3858787A1; KR102456902B1; EP3858787B1; US20210328011A1; KR20210062006A; CN112672977A; JP6683296B1; JPWO2020066741A1; EP3858787A4; CN112672977B

Abstract

本發明的課題在於提供一種能夠藉由噴墨而高精度地塗佈於所期望的位置的奈米碳管複合體及使用其的分散液，其主旨為一種奈米碳管複合體，所述奈米碳管複合體於奈米碳管表面的至少一部分附著有共軛系聚合體，且所述共軛系聚合體具有通式（1）所表示的側鏈。 [化1]

Description

奈米碳管複合體及使用其的分散液、半導體元件及其製造方法、以及使用半導體元件的無線通訊裝置及商品標籤

本發明是有關於一種奈米碳管複合體及使用其的分散液、半導體元件及其製造方法、以及使用半導體元件的無線通訊裝置及商品標籤。

近年來，作為非接觸型標籤，正在推進開發使用無線射頻識別（Radio Frequency IDentification，RFID）技術的無線通訊系統。於RFID系統中，於稱為讀寫器的無線收發機與RFID標籤之間進行無線通訊。

RFID標籤被期待用於物流管理、商品管理、防止扒竊等多種用途中，於交通卡等積體電路（integrated circuit，IC）卡、商品標籤等一部分用途中導入。RFID標籤具有IC晶片與天線。設置於RFID標籤內的天線接收由讀寫器發送的載波，而使IC晶片內的驅動電路運作。

RFID標籤被期待於所有商品中使用。因此，必須降低RFID標籤的製造成本。因此，於RFID標籤的製造製程中，研究利用自使用真空或高溫的製程中脫離，而使用塗佈、印刷技術的可撓性且廉價的製程。

例如，於IC晶片內的驅動電路中的電晶體中，考慮將可應用噴墨技術或旋塗技術等的有機半導體用作半導體層的材料。因此，積極研究代替先前的無機半導體而使用奈米碳管（carbon nanotube，CNT）或有機半導體的場效型電晶體（以下，稱為FET（field effect transistor））（例如，參照專利文獻1、非專利文獻1及非專利文獻2）。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2009/139339號 [非專利文獻]

[非專利文獻1]「奈米快報（Nano Letters）」. 16, p. 5120-5128（2016） [非專利文獻2]「應用物理學快報（Applied Physics Letters）｣. 112, p. 033103（2018）

[發明所欲解決之課題]

於驅動電路中分別配置有電晶體，需要於各電晶體位置形成半導體層的技術。作為其候補技術，可列舉如下技術：藉由噴墨於所期望的位置塗佈半導體層材料的溶液並使其乾燥，藉此形成半導體層。噴墨法可高精度且高速地進行塗佈物的圖案化。

然而，關於利用專利文獻1、非專利文獻1及非專利文獻2中記載的技術而製作的奈米碳管分散液，存在如下課題：基於噴墨的塗佈性差，引起伴生物（satellite）（噴墨塗敷液的飛散）的發生或塗佈位置精度不充分等現象，電晶體特性的偏差變大。

發明者等人進行了研究，結果發現此種現象是因為使用了甲苯（黏度1.5 cP）或N-甲基吡咯啶酮（黏度1.9 cP）等低黏度的溶媒。

一般而言，作為改善塗敷性的手段，已知有加入各種添加劑欲改善塗敷性的嘗試。但是，於半導體材料的領域中此種添加劑按照半導體特性、特別是導電性而言幾乎不需要，例如若為了處於較佳的黏度範圍而添加增稠劑，則於形成半導體元件的情況下，存在產生由增稠劑引起的導電阻礙而元件特性變得不充分的問題。另外，即便試圖將溶媒種類變更為具有能夠直接應用於噴墨法的黏度的溶媒，先前的CNT複合體亦無法良好地分散於此種黏度的溶媒中。

因此，本發明的目的在於提供一種能夠藉由噴墨而高精度地塗佈於所期望的位置的奈米碳管複合體及使用其的分散液。 [解決課題之手段]

為了解決所述課題，本發明具有以下構成。即，本發明為一種奈米碳管複合體，於奈米碳管表面的至少一部分附著有共軛系聚合體，所述奈米碳管複合體中，所述共軛系聚合體具有通式（1）所表示的側鏈。

[化1]

（通式（1）中，R表示伸烷基或伸環烷基。X表示單鍵、伸烯基、伸炔基、伸芳基或伸雜芳基。A表示烷基羰基、芳基羰基、雜芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、雜芳氧基羰基、烷基羰氧基、芳基羰氧基或雜芳基羰氧基） [發明的效果]

根據本發明，可獲得能夠藉由噴墨而高精度地塗佈於所期望的位置的奈米碳管複合體及使用其的分散液。另外，可提供所述奈米碳管複合體及利用使用其的分散液的半導體元件、無線通訊裝置、商品標籤。

以下，對本發明的奈米碳管複合體及使用其的分散液、半導體元件及其製造方法、以及使用半導體元件的無線通訊裝置及商品標籤的較佳實施形態進行詳細說明。其中，本發明並不限定於以下的實施形態，可根據目的或用途進行各種變更來實施。

＜奈米碳管複合體＞奈米碳管（以下，稱為CNT）複合體是於CNT表面的至少一部分上附著有具有後述的通式（1）所表示的側鏈的共軛系聚合體。

藉由使共軛系聚合體附著於CNT表面的至少一部分，可於不損及CNT所保有的高的電性特性的情況下，將CNT均勻分散於溶液中。若使用均勻分散有CNT的溶液，則可藉由塗佈法來形成均勻分散的CNT膜。藉此，可實現高的半導體特性。

所謂於CNT表面的至少一部分附著有共軛系聚合體的狀態，是指共軛系聚合體包覆CNT表面的一部分、或者全部的狀態。推測共軛系聚合體可包覆CNT的原因在於：藉由源自兩者的共軛系結構的π電子雲重疊，而產生相互作用。

CNT是否由共軛系聚合體所包覆，可根據CNT的反射色來判斷。被包覆的CNT的反射色與未被包覆的CNT的反射色不同，且接近共軛系聚合體的反射色。可以定量的方式，藉由X射線光電子分光（XPS）等元素分析來確認附著物對於CNT的存在或測定CNT與附著物的重量比。共軛系聚合體較佳為包覆CNT表面的5%以上且90%以下，更佳為70%以下，進而佳為50%以下。

作為使共軛系聚合體附著於CNT的方法，可列舉：（I）於熔融的共軛系聚合體中添加CNT而混合的方法；（II）使共軛系聚合體溶解於溶媒中，於其中添加CNT而混合的方法；（III）利用超音波等，使CNT預分散於溶媒中，向其中添加共軛系聚合體而混合的方法；（IV）於溶媒中放入共軛系聚合體與CNT，對該混合體系照射超音波而混合的方法等。本發明中，可使用任一種方法，亦可將多種方法加以組合。

（CNT）作為CNT，可使用：一片碳膜（石墨烯、片）捲繞為圓筒狀的單層CNT，兩片石墨烯、片捲繞為同心圓狀的兩層CNT，多片石墨烯、片捲繞為同心圓狀的多層CNT的任一者。為了獲得高的半導體特性，較佳為使用單層CNT。CNT可利用電弧放電法、化學氣相沈積法（CVD（chemical vapor deposition）法）、雷射-剝蝕法等而獲得。

另外，CNT更佳為包含80重量%以上的半導體型CNT。進而佳為包含90重量%以上的半導體型CNT，特佳為包含95重量%以上的半導體型CNT。作為於CNT中包含80重量%以上的半導體型CNT的方法，可使用已知的方法。例如可列舉：於密度梯度劑的共存下進行超離心的方法；使特定的化合物選擇性地附著於半導體型或金屬型CNT的表面，利用溶解性的差來進行分離的方法；利用電性性質的差，藉由電泳等來進行分離的方法等。作為測定CNT中的半導體型CNT的含有率的方法，可列舉：根據可見-近紅外吸收光譜的吸收面積比來算出的方法、或根據拉曼光譜的強度比來算出的方法等。

本發明中，於將CNT用於半導體元件的半導體層的情況下，CNT的長度較佳為較源極電極與汲極電極之間的距離（以下，為「電極間距離」）更短。CNT的平均長度雖亦取決於電極間距離，但較佳為2 μm以下，更佳為1 μm以下。作為縮短CNT的長度的方法，可列舉酸處理、冷凍粉碎處理等。

所謂CNT的平均長度是指隨機拾取的20根CNT的長度的平均值。作為CNT平均長度的測定方法，可列舉如下方法：自利用原子力顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡等所獲得的圖像中，隨機拾取20根CNT，獲得該些的長度的平均值。

一般市售的CNT於長度上存在分佈，有時包含較電極間距離更長的CNT。因此，較佳為添加使CNT較電極間距離更短的步驟。例如，藉由利用硝酸、硫酸等的酸處理、超音波處理、或冷凍粉碎法等將CNT切割為短纖維狀的方法有效。另外，就提高CNT的純度的方面而言，進而佳為併用利用過濾器的分離。

另外，CNT的直徑並無特別限定，較佳為1 nm以上且100 nm以下，作為上限，更佳為50 nm以下。

本發明中，較佳為設置使CNT均勻分散於溶媒中，利用過濾器對分散液進行過濾的步驟。藉由自濾液中獲得較過濾器孔徑更小的CNT，而效率良好地獲得較電極間距離更短的CNT。該情況下，作為過濾器，可較佳地使用膜濾器。用於過濾的過濾器的孔徑只要較電極間距離更小即可，較佳為0.5 μm～10 μm。

（共軛系聚合體）本發明中，所謂共軛系聚合體是指重複單元取共軛結構且聚合度為2以上的化合物。作為共軛系聚合體，可列舉：聚噻吩系聚合體、聚吡咯系聚合體、聚苯胺系聚合體、聚乙炔系聚合體、聚對苯系聚合體、聚對苯乙炔系聚合體等，但並無特別限定。作為所述聚合體，可較佳地使用單一的單體單元排列而成者，亦可較佳地使用將不同的單體單元進行嵌段共聚而成者、進行無規共聚而成者、及進行接枝聚合而成者。

於所述聚合體中，本發明中就對CNT的附著容易且容易形成CNT複合體的觀點而言，較佳為於重複單元中包含芴單元或噻吩單元的共軛系聚合體。進而，更佳為於重複單元中包含環中具有含氮雙鍵的縮合雜芳基單元者。

作為環中具有含氮雙鍵的縮合雜芳基單元，可列舉：噻吩並吡咯、吡咯並噻唑、吡咯並噠嗪、苯並咪唑、苯並三唑、苯並噁唑、苯並噻唑、苯並噻二唑、喹啉、喹噁啉、苯並三嗪、噻吩並噁唑、噻吩並吡啶、噻吩並噻嗪、噻吩並吡嗪等單元。於該些中，特佳為苯並噻二唑單元或喹噁啉單元。藉由具有該些單元，CNT與共軛系聚合體的密接性增加，可使CNT更良好地分散。

本發明中，共軛系聚合體具有通式（1）所表示的側鏈。

[化2]

通式（1）中，R表示伸烷基或伸環烷基。X表示單鍵、伸烯基、伸炔基、伸芳基或伸雜芳基。A表示烷基羰基、芳基羰基、雜芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、雜芳氧基羰基、烷基羰氧基、芳基羰氧基或雜芳基羰氧基。

附著有具有通式（1）所表示的側鏈的共軛系聚合體的CNT複合體於溶媒中的分散性良好。特別是該CNT複合體良好地分散於噴墨塗佈中作為較佳的黏度的3 cP～20 cP左右的溶媒中。推斷其是因為藉由通式（1）所表示的側鏈，共軛系聚合體於溶媒內的分子運動的情況發生變化，與較佳黏度的溶媒的相容性良好。

就進一步提高所述效果的觀點而言，A較佳為烷基羰基、烷氧基羰基、或烷基羰氧基，進而佳為烷氧基羰基。

所謂伸烷基表示二價（鍵結部位為兩個部位）的飽和脂肪族烴基，例如可列舉：伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸己基等。伸烷基可具有取代基亦可不具有取代基。另外，伸烷基的碳數並無特別限定，就獲取的容易性或成本的方面而言，較佳為1以上且20以下，更佳為1以上且8以下。

所謂伸環烷基表示二價的飽和脂環式烴基，例如可列舉：伸環丙基、伸環丁基、伸環戊基、伸環己基等。伸環烷基可具有取代基亦可不具有取代基。另外，伸環烷基的碳數並無特別限定，就獲取的容易性或成本的方面而言，較佳為3以上且20以下，更佳為3以上且8以下。

所謂伸烯基表示二價的不飽和脂肪族烴基，例如可列舉：伸乙烯基、伸丙烯基、伸丁烯基、伸己烯基等。伸烯基可具有取代基亦可不具有取代基。另外，伸烯基的碳數並無特別限定，就獲取的容易性或成本的方面而言，較佳為2以上且20以下，更佳為2以上且8以下。

所謂伸炔基表示二價的不飽和脂肪族烴基，例如可列舉：伸乙炔基、伸丙炔基、伸丁炔基、伸己炔基等。伸炔基可具有取代基亦可不具有取代基。另外，伸炔基的碳數並無特別限定，就獲取的容易性或成本的方面而言，較佳為2以上且20以下，更佳為2以上且8以下。

所謂伸芳基表示二價的芳香族烴基，例如可列舉：伸苯基、伸萘基、伸聯苯基、伸菲基、伸蒽基、伸三聯苯基、伸芘基、伸芴基、伸苝基等。可未經取代亦可經取代。伸芳基的碳數並無特別限定，較佳為6以上且40以下的範圍。

所謂伸雜芳基表示二價的雜芳香環基，例如除了伸吡啶基、伸吡嗪基、伸喹啉基、伸異喹啉基、伸喹噁啉基、伸吖啶基、伸吲哚基、伸咔唑基等以外，可列舉由苯並呋喃、二苯並呋喃、苯並噻吩、二苯並噻吩、苯並二噻吩、苯並矽羅（benzosilole）及二苯並矽羅等雜芳香環所衍生的二價基等。可未經取代亦可經取代。伸雜芳基的碳數並無特別限定，較佳為2以上且30以下的範圍。

所謂烷基羰基例如表示乙醯基、己醯基等將羰基鍵的一者經脂肪族烴基所取代的官能基。烷基羰基可具有取代基亦可不具有取代基。烷基羰基的碳數並無特別限定，較佳為2以上且20以下的範圍。

所謂芳基羰基例如表示苯甲醯基等將羰基鍵的一者經芳香族烴基所取代的官能基。芳基羰基可具有取代基亦可不具有取代基。芳基羰基的碳數並無特別限定，較佳為6以上且40以下的範圍。

所謂雜芳基羰基表示將羰基鍵的一者經雜芳香環基所取代的官能基。雜芳基羰基可具有取代基亦可不具有取代基。雜芳基羰基的碳數並無特別限定，較佳為2以上且30以下的範圍。

所謂烷氧基羰基例如表示甲氧基羰基等將羰基鍵的一者經烷氧基所取代的官能基。烷氧基羰基可具有取代基亦可不具有取代基。烷氧基羰基的碳數並無特別限定，較佳為2以上且20以下的範圍。

所謂芳氧基羰基例如表示苯氧基羰基等將羰基鍵的一者經芳氧基所取代的官能基。芳氧基羰基可具有取代基亦可不具有取代基。芳氧基羰基的碳數並無特別限定，較佳為6以上且40以下的範圍。

所謂雜芳氧基羰基表示將羰基鍵的一者經雜芳氧基所取代的官能基。雜芳氧基羰基可具有取代基亦可不具有取代基。雜芳氧基羰基的碳數並無特別限定，較佳為2以上且30以下的範圍。

所謂烷基羰氧基例如表示乙醯氧基等將醚鍵的一者經烷基羰基所取代的官能基。烷基羰氧基可具有取代基亦可不具有取代基。烷基羰氧基的碳數並無特別限定，較佳為2以上且20以下的範圍。

所謂芳基羰氧基例如表示苯甲醯氧基等將醚鍵的一者經芳基羰基所取代的官能基。芳基羰氧基可具有取代基亦可不具有取代基。芳基羰氧基的碳數並無特別限定，較佳為6以上且40以下的範圍。

所謂雜芳基羰氧基表示將醚鍵的一者經雜芳基羰基所取代的官能基。雜芳基羰氧基可具有取代基亦可不具有取代基。雜芳基羰氧基的碳數並無特別限定，較佳為2以上且30以下的範圍。

所謂烷基例如表示甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基等飽和脂肪族烴基。烷基可具有取代基亦可不具有取代基。另外，烷基的碳數並無特別限定，就獲取的容易性或成本的方面而言，較佳為1以上且20以下，更佳為1以上且8以下。

所謂芳香族烴基例如可列舉：苯基、萘基、聯苯基、蒽基、菲基、三聯苯基、芘基、芴基等。芳香族烴基可具有取代基亦可不具有取代基。芳香族烴基的碳數並無特別限定，較佳為6以上且40以下的範圍。

所謂雜芳香環基例如表示呋喃基、噻吩基、苯並呋喃基、二苯並呋喃基、吡啶基、喹啉基、苯並矽羅基、二苯並矽羅基等在一個或多個環內具有碳以外的原子的芳香族基。雜芳香環基可具有取代基亦可不具有取代基。雜芳香環基的碳數並無特別限定，較佳為2以上且30以下的範圍。

所謂烷氧基例如表示甲氧基、乙氧基、丙氧基等將醚鍵的一者經烷基所取代的官能基。烷氧基可具有取代基亦可不具有取代基。烷氧基的碳數並無特別限定，較佳為1以上且20以下的範圍。

所謂芳氧基例如表示苯氧基、萘氧基等將醚鍵的一者經芳香族烴基所取代的官能基。芳氧基可具有取代基亦可不具有取代基。芳氧基的碳數並無特別限定，較佳為6以上且40以下的範圍。

所謂雜芳氧基表示將醚鍵的一者經雜芳香環基所取代的官能基。雜芳氧基可具有取代基亦可不具有取代基。雜芳氧基的碳數並無特別限定，較佳為2以上且30以下的範圍。

作為本發明中較佳地使用的共軛系聚合體的具體例，可列舉具有下述結構者。其中並不限於該些。

[化3]

[化4]

[化5]

[化6]

[化7]

[化8]

[化9]

再者，所謂此處所述的側鏈是鍵結於共軛系聚合體的主鏈的基。作為共軛系聚合體的主鏈，（1）共軛結構、（2）藉由將共軛結構彼此鍵結而形成環結構的不飽和基相當於此。作為（2），例如芴單元的9位的碳原子包含於主鏈中。

n表示共軛系聚合體的聚合度，較佳為2～1000的範圍。考慮到對CNT的附著的容易度，n更佳為3～500的範圍。於本發明中，聚合度n是根據重量平均分子量所求出的值。重量平均分子量是使用凝膠滲透層析法（gel permeation chromatography，GPC）進行測定，並使用聚苯乙烯的標準試樣進行換算來求出。另外，就對CNT的附著的容易度而言，共軛系聚合體的重量平均分子量較佳為1000以上。

另外，具有通式（1）所表示的側鏈的單元的數量與共軛系聚合體的所有單元的數量的比率[具有通式（1）所表示的側鏈的單元的數量/共軛系聚合體的所有單元的數量]較佳為1/5～1/1。藉由處於該範圍，可進一步提高與較佳黏度的溶媒的相容性。

所謂此處所述的單元，作為共軛系聚合體的主鏈中所含的二價基，被理解為包含一個選自由伸乙烯基、伸乙炔基、伸芳基及伸雜芳基所組成的群組中的任一種而成的二價基。所謂單元的數量是指將重複單元中的主鏈的伸乙烯基、伸乙炔基、伸芳基或伸雜芳基分別作為一個單元而計數時的數量。「具有通式（1）所表示的側鏈的單元的數量」是指單元中具有通式（1）所表示的側鏈的單元的數量，「共軛系聚合體的所有單元的數量」是指單元的合計數。例如，聚合體[4]中[具有通式（1）所表示的側鏈的單元的數量/共軛系聚合體的所有單元的數量]=1/1，聚合體[10]中[具有通式（1）所表示的側鏈的單元的數量/共軛系聚合體的所有單元的數量]=2/3，聚合體[16]中[具有通式（1）所表示的側鏈的單元的數量/共軛系聚合體的所有單元的數量]=4/5，聚合體[53]中[具有通式（1）所表示的側鏈的單元的數量/共軛系聚合體的所有單元的數量]=1/2。

共軛系聚合體可利用公知的方法來合成。例如，作為將噻吩彼此連結的方法，可列舉：將鹵化噻吩與噻吩硼酸或噻吩硼酸酯於鈀觸媒下進行偶合的方法、將鹵化噻吩與噻吩格任亞試劑（Grignard reagent）於鎳或鈀觸媒下進行偶合的方法。另外，於將其他單元與噻吩單元連結的情況下，亦可利用相同的方法使經鹵化的其他單元與噻吩單元進行偶合。另外，將聚合性官能基導入至以所述方式獲得的單體的末端，並於鈀觸媒或鎳觸媒下進行聚合，藉此可獲得共軛系聚合體。

共軛系聚合體較佳為使用將合成過程中使用的原料或副產物等雜質去除者。作為去除雜質的方法，例如可使用矽膠管柱層析法、索氏萃取法（Soxhlet extraction method）、過濾法、離子交換法、螯合物法等。亦可將該些方法組合兩種以上。

＜CNT分散液＞本發明的CNT分散液至少含有：CNT複合體，於CNT表面的至少一部分上附著有具有通式（1）所表示的側鏈的共軛系聚合體；以及溶媒。藉由使用具有通式（1）所表示的側鏈的共軛系聚合體，可獲得在適於藉由噴墨進行的塗佈的溶媒中CNT分散性良好的CNT分散液。

溶媒的溶解度參數（SP值）較佳為19.5（MPa）^1/2 ～24.0（MPa）^1/2 。藉由處於該範圍，與CNT及CNT複合體的極性的相容性良好，可良好地分散CNT。溶媒的SP值更佳為20.0（MPa）^1/2 ～23.5（MPa）^1/2 。此處，溶解度參數是使用一般所使用的「聚合物工程與科學（Polymer Engineering and Science，Poly. Eng. Sci.）」, vol. 14, No. 2, pp147-154（1974）等中記載的費多爾（Fedors）推算法，根據構成溶媒的材料的種類與比率而算出的值。例如，鄰二氯苯的溶解度參數可算出為20.5（MPa）^1/2 ，苯甲酸乙酯的溶解度參數可算出為21.5（MPa）^1/2 。

另外，於溶媒包含多種溶媒的混合物的情況下，藉由採取使各溶媒的溶解度參數乘以各自的莫耳分率而成者的總和來算出。例如，於溶媒包含溶媒A及溶媒B的情況下，根據下述式來算出；（溶媒的溶解度參數）=（溶媒A的溶解度參數）×（溶媒A的莫耳分率）+（溶媒B的溶解度參數）×（溶媒B的莫耳分率）例如，於為包含50重量%（莫耳分率：48.8%）的萜品醇（溶解度參數20.9（MPa）^1/2 ）、50重量%（莫耳分率：51.2%）的鄰二氯苯（溶解度參數20.5（MPa）^1/2 ）的溶媒的情況下，溶媒的溶解度參數為20.7（MPa）^1/2 。

較佳為溶媒的沸點為150℃～290℃、及/或蒸氣壓為0.9 Pa～500 Pa。藉由處於該範圍，可避免分散液於噴墨頭的塗出口乾燥而引起的噴墨頭堵塞，且可藉由乾燥步驟使噴出至基材上的分散液乾燥。溶媒的沸點更佳為170℃～270℃。溶媒的蒸氣壓更佳為1.1 Pa～400 Pa。另外，所述蒸氣壓為20℃下的值。

作為所述溶媒的具體例，例如可列舉：二苄基醚、3-苯氧基甲苯、苯甲酸苄酯、藜蘆醚（veratrole）、1-甲基萘、α-四氫萘酮、鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二乙酯、1-氯萘、1-甲氧基萘、鄰大茴香酸（anisic acid）甲酯、苄基醇等芳香族溶媒；檸檬烯、異佛爾酮、碳、萜品醇等萜烯系溶媒；乙二醇單苯醚、苯基二甘醇、苯基丙二醇、二乙二醇單丁醚、丁基卡必醇、二丙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二乙二醇甲醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單丁醚等甘醇系溶媒；三乙酸甘油酯（triacetin）等。

其中，溶媒的黏度較佳為3 cP～20 cP。藉由處於該範圍，可達成藉由噴墨進行的塗佈中的伴生物產生的抑制或塗佈位置精度的提高。溶媒的黏度更佳為5 cP～18 cP，進而佳為7 cP～13 cP。再者，CNT分散液的黏度與溶媒的黏度為相同程度。

作為黏度為3 cP～20 cP的溶媒的具體例，可列舉：二苄基醚、3-苯氧基甲苯、苯甲酸苄酯、藜蘆醚、α-四氫萘酮、鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二乙酯、1-氯萘、1-甲氧基萘、鄰大茴香酸甲酯、苄基醇、乙二醇單苯醚、二乙二醇單丁醚、丁基卡必醇、二丙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二乙二醇甲醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單丁醚、三乙酸甘油酯等。其中較佳為α-四氫萘酮、苯甲酸苄酯。

另外，溶媒較佳為含有鹵素系芳香族溶媒的混合溶媒。藉由含有鹵素系芳香族溶媒，容易將溶媒的SP值及黏度調整為適當的範圍。另外，鹵素系芳香族溶媒與CNT的相容性良好，亦可提高CNT分散性。例如可列舉鄰二氯苯/萜品醇=50重量%/50重量%（SP值20.7（MPa）^1/2 、黏度3.7 cP）的混合溶媒等。

＜半導體元件＞本發明的實施形態的半導體元件為包括：基材、源極電極、汲極電極及閘極電極、與所述源極電極及汲極電極相接的半導體層、以及將所述半導體層與所述閘極電極絕緣的閘極絕緣層的半導體元件，所述半導體層含有CNT複合體，所述CNT複合體於CNT表面的至少一部分中附著有具有通式（1）所表示的側鏈的共軛系聚合體。

圖1是表示本發明的實施形態的半導體元件的第一例的示意剖面圖。具有形成於絕緣性的基材1上的閘極電極2、覆蓋閘極電極2的閘極絕緣層3、設置於閘極絕緣層3上的源極電極5及汲極電極6、以及設置於該些電極之間的半導體層4。半導體層4包含CNT複合體7。

該結構為所謂的底部閘極-底部接觸結構，即：閘極電極被配置於半導體層的下側，且於半導體層的下表面配置有源極電極及汲極電極。

圖2是表示本發明的實施形態的半導體元件的第二例的示意剖面圖。具有形成於絕緣性的基材1上的閘極電極2、覆蓋閘極電極2的閘極絕緣層3、設置於閘極絕緣層3上的半導體層4、以及形成於半導體層4上的源極電極5及汲極電極6。半導體層4包含CNT複合體7。

該結構為所謂的底部閘極-頂部接觸結構，即：閘極電極被配置於半導體層的下側，且於半導體層的上表面配置有源極電極及汲極電極。

本發明的實施形態的半導體元件的結構並不限定於該些。另外，關於以下的說明，只要無特別說明，則無論半導體元件的結構如何均共通。

（基材）基材只要為至少配置有電極系統的面具備絕緣性的基材，則可為任意材質者。作為基材，例如較佳為包含矽晶圓、玻璃、藍寶石、氧化鋁燒結體等無機材料的基材；包含聚醯亞胺、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚偏二氟乙烯、聚矽氧烷、聚乙烯基苯酚（polyvinyl phenol，PVP）、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚乙烯、聚苯硫醚、聚對二甲苯等有機材料的基材。

另外，作為基材，例如亦可為於矽晶圓上形成有PVP膜者、或於聚對苯二甲酸乙二酯上形成有聚矽氧烷膜者等積層有多種材料者。

（電極）閘極電極、源極電極及汲極電極中所使用的材料只要是一般可用作電極的導電材料，則可為任意者。例如可列舉：氧化錫、氧化銦、氧化錫銦（indium tin oxide，ITO）等導電性金屬氧化物；鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鋅、鋁、銦、鉻、鋰、鈉、鉀、銫、鈣、鎂、鈀、鉬、非晶矽、多晶矽等金屬或該些的合金；碘化銅、硫化銅等無機導電性物質；聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺；聚乙烯二氧噻吩與聚苯乙烯磺酸的錯合物等；藉由碘等的摻雜而提高了導電率的導電性聚合物等；碳材料等；及含有有機成分與導電體的材料等，但並不限定於該些。

該些電極材料可單獨使用，但亦可將多種材料積層或混合而使用。

其中，電極的柔軟性增加，於彎曲時與基材及閘極絕緣層的密接性亦良好，與配線及半導體層的電性連接變得良好，就所述方面而言，電極較佳為含有有機成分與導電體。

作為有機成分，並無特別限制，可列舉：單體、寡聚物、聚合物、光聚合起始劑、塑化劑、調平劑、界面活性劑、矽烷偶合劑、消泡劑、顏料等。就電極的耐彎折性提高的觀點而言，作為有機成分，較佳為寡聚物或聚合物。

作為導電體，只要是一般可用作電極的導電材料，則可為任意者，較佳為導電性粒子。

作為導電性粒子，可列舉：金、銀、銅、鎳、錫、鉍、鉛、鋅、鈀、鉑、鋁、鎢、鉬或碳等。更佳的導電性粒子為含有選自由金、銀、銅、鎳、錫、鉍、鉛、鋅、鈀、鉑、鋁及碳所組成的群組中的至少一種元素的導電性粒子。該些導電性粒子可單獨使用，亦可以合金的形式使用，抑或可以混合粒子的形式使用。

該些中，就導電性的觀點而言，較佳為金、銀、銅或鉑的粒子。其中，就成本及穩定性的觀點而言，更佳為銀的粒子。

另外，閘極電極、源極電極及汲極電極各自的寬度及厚度、以及源極電極與汲極電極的間隔可設計為任意值。例如，電極寬度較佳為10 μm～10 mm，電極的厚度較佳為0.01 μm～100 μm，源極電極與汲極電極的間隔較佳為1 μm～1 mm，但並不限於該些。

作為電極的形成方法，並無特別限制，可列舉使用電阻加熱蒸鍍、電子束光束、濺鍍、鍍敷、CVD、離子鍍塗佈、噴墨、印刷等公知技術的方法。另外，作為電極的形成方法的另一例，可列舉下述方法等：利用旋塗法、刮塗法、縫模塗佈法、網版印刷法、棒塗機法、鑄模法、印刷轉印法、浸漬提拉法等公知的技術將包含有機成分及導電體的膏塗佈於絕緣基板上，並使用烘箱、加熱板、紅外線等進行乾燥而形成。

另外，作為電極圖案的形成方法，對於利用所述方法而製作的電極薄膜，可以公知的光微影法等而形成為所期望的形狀的圖案，或者亦可於電極物質的蒸鍍或濺鍍時，經由所期望的形狀的遮罩來形成圖案。

（閘極絕緣層）閘極絕緣層中所使用的材料並無特別限定，可列舉：氧化矽、氧化鋁等無機材料；聚醯亞胺、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚偏二氟乙烯、聚矽氧烷、聚乙烯基苯酚（PVP）等有機高分子材料；或者無機材料粉末與有機材料的混合物。其中，較佳為含有包含矽與碳的鍵的有機化合物者。

作為包含矽與碳的鍵的有機化合物，可列舉：矽烷化合物、含環氧基的矽烷化合物、該些的縮合物或將該些作為共聚成分的聚矽氧烷等。該些中，就絕緣性高且可進行低溫硬化的觀點而言，更佳為聚矽氧烷。

閘極絕緣層較佳為進而含有包含金屬原子與氧原子的鍵的金屬化合物。此種金屬化合物並無特別限制，例如可例示金屬氧化物、金屬氫氧化物等。金屬化合物中所含的金屬原子只要為形成金屬螯合物者，則並無特別限定。作為金屬原子，例如可列舉：鎂、鋁、鈦、鉻、錳、鈷、鎳、銅、鋅、鎵、鋯、釕、鈀、銦、鉿、鉑等。其中，就獲取容易性、成本、金屬螯合物的穩定性的方面而言，較佳為鋁。

另外，閘極絕緣層較佳為進而含有鍵結有無機粒子的聚合物。無機粒子只要為包含無機物質的粒子，則並無特別限制，較佳為包含金屬化合物或半金屬化合物的粒子。作為金屬或半金屬，例如可列舉選自由矽、鎂、鈣、鍶、鋇、鑭、鈰、錫、鈦、鋯、鉿、釔、鈮、鉭及鋁所組成的群組中的元素。作為金屬化合物或半金屬化合物，例如可列舉：所述金屬或半金屬的鹵化物、氧化物、氮化物、氫氧化物、碳酸鹽、硫酸鹽、硝酸鹽或偏矽酸鹽。該些中，就提高FET的接通電流的觀點而言，較佳為金屬氧化物。作為較佳的例子，可列舉：氧化錫-氧化鈦複合粒子、氧化矽-氧化鈦複合粒子、氧化鈦粒子、氧化鋯粒子、氧化鉿粒子、氧化釔粒子、氧化鈮粒子、氧化鉭粒子、氧化錫-氧化鋯複合粒子、氧化矽-氧化鋯複合粒子、氧化鋁粒子、鈦酸鋇粒子、鈦酸鍶粒子或鈦酸鋇-鈦酸鍶複合粒子等粒子。

閘極絕緣層的膜厚較佳為0.05 μm～5 μm，更佳為0.1 μm～1 μm。藉由設為該範圍的膜厚，容易形成均勻的薄膜。膜厚可利用原子力顯微鏡或橢圓偏振法等來測定。

閘極絕緣層的相對介電常數較佳為5以上，更佳為7以上，進而佳為8.5以上，特佳為10以上。藉由相對介電常數為以上的範圍，可增大FET的接通電流。另外，相對介電常數較佳為20以下，更佳為15以下，進而佳為13.5以下，特佳為12以下。藉由相對介電常數為所述範圍，可防止閘極絕緣層的過剩的介電損失，特別是於藉由100 MHz以上的高頻範圍的電波進行驅動的FET中可進行準確的運作。

閘極絕緣層的製作方法並無特別限制，例如可列舉如下方法：對於藉由將包含形成絕緣層的材料的組成物塗佈於基板上並進行乾燥而獲得的塗佈膜，視需要進行熱處理。作為塗佈方法，可列舉：旋塗法、刮塗法、縫模塗佈法、網版印刷法、棒塗機法、鑄模法、印刷轉印法、浸漬提拉法、噴墨法等公知的塗佈方法。作為塗佈膜的熱處理的溫度，較佳為處於100℃～300℃的範圍。

閘極絕緣層可為單層亦可為多層。另外，可由多種絕緣性材料來形成一層，亦可將多種絕緣性材料積層而形成多個絕緣層。

（半導體層）半導體層含有本發明的CNT複合體。若為不阻礙電氣特性的範圍，則半導體層亦可進而包含有機半導體或絕緣性材料。

半導體層的膜厚較佳為1 nm以上且100 nm以下。藉由處於該範圍內，容易形成均勻的薄膜。半導體層的膜厚更佳為1 nm以上且50 nm以下，進而佳為1 nm以上且20 nm以下。膜厚可利用原子力顯微鏡或橢圓偏振法等來測定。

作為半導體層的形成方法，亦可使用電阻加熱蒸鍍、電子束光束、濺鍍、CVD等乾式方法，就製造成本或適合於大面積的觀點而言，較佳為使用塗佈法。具體而言，可較佳地使用旋塗法、刮塗法、縫模塗佈法、網版印刷法、棒塗機法、鑄模法、印刷轉印法、浸漬提拉法、噴墨法等。較佳為根據塗膜厚度控制或配向控制等所欲獲得的塗膜特性而自該些中選擇塗佈方法。其中面向電路形成時，如所述理由般，特佳為藉由噴墨進行的塗佈。另外，亦可於大氣下、減壓下或者氮或氬等惰性氣體環境下對所形成的塗膜進行退火處理。

（第2絕緣層）第2絕緣層形成於相對於半導體層而與閘極絕緣層相反的一側。所謂相對於半導體層而與閘極絕緣層相反的一側，例如於在半導體層的下側具有閘極絕緣層的情況下是指半導體層的上側。可藉由形成第2絕緣層來調整半導體元件特性或保護半導體層。

圖3是表示本發明的實施形態的半導體元件的第三例的示意剖面圖。具有形成於絕緣性的基材1上的閘極電極2、覆蓋閘極電極2的閘極絕緣層3、設置於閘極絕緣層3上的源極電極5及汲極電極6、設置於該些電極之間的半導體層4、以及覆蓋半導體層的第2絕緣層8。半導體層4包含CNT複合體7。

作為第2絕緣層中所使用的材料，並無特別限定，具體可列舉：氧化矽、氧化鋁等無機材料；聚醯亞胺或其衍生物、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚偏二氟乙烯、聚丙烯腈、聚矽氧烷或其衍生物、聚乙烯基苯酚或其衍生物、聚降冰片烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯及該些的衍生物、聚丙烯酸衍生物、聚甲基丙烯酸衍生物等有機高分子材料；或者無機材料粉末與有機高分子材料的混合物或有機低分子材料與有機高分子材料的混合物。

另外，第2絕緣層亦可含有供電子性化合物。所謂供電子性，是某一化合物向另一化合物供給電子的能力。供電子性化合物是具有電子供給的能力的化合物。藉由於第2絕緣層中包含此種供電子性化合物，通常可將顯示出p型半導體特性的CNT-FET轉換為顯示出n型半導體特性的半導體元件。作為供電子性化合物，例如可列舉：醯胺系化合物、醯亞胺系化合物、脲系化合物、胺系化合物、亞胺系化合物、苯胺系化合物、腈系化合物、烷基膦系化合物等。其中，較佳為胺系化合物，特別是特佳為脒化合物及胍化合物。作為脒化合物，可列舉DBU、DBN等。作為胍化合物，可列舉TBD、MTBD等。該些化合物由於供電子性特別高，因此進一步提高作為使用CNT的FET的n型半導體元件的性能，故較佳。

第2絕緣層的膜厚較佳為50 nm以上，更佳為100 nm以上，且作為第2絕緣層的膜厚的上限，並無特別限定，較佳為1 mm以下，更佳為100 μm以下。第2絕緣層可為單層亦可為多層，另外，可由多種絕緣性材料來形成一層，亦可將多種絕緣性材料積層來形成。

作為第2絕緣層的形成方法，並無特別限定，亦可使用電阻加熱蒸鍍、電子束光束、濺鍍、CVD等乾式方法，就製造成本或適合於大面積的觀點而言，較佳為使用塗佈法。塗佈法中，至少包括對溶解有用以形成第2絕緣層的材料的組成物進行塗佈的步驟。

另外，亦可於大氣下、減壓下或者氮或氬等惰性氣體環境下對所形成的塗膜進行退火處理或熱風乾燥。

（半導體元件的特性評價）於本發明的實施形態的半導體元件中，可藉由使閘極電壓變化來控制於源極電極與汲極電極之間流經的電流（源極汲極間電流）。而且，半導體元件的遷移率μ（cm² /（V·s））可使用下述的（a）式來算出。

μ=（δId/δVg）L·D/（W·εr·ε·Vsd）×10000 （a）其中，Id表示源極汲極間電流（A），Vsd表示源極汲極間電壓（V），Vg表示閘極電壓（V），D表示閘極絕緣層的厚度（m），L表示通道長（m），W表示通道寬度（m），εr表示閘極絕緣層的相對介電常數，ε表示真空的介電常數（8.85×10^-12 F/m），δ表示相符合的物理量的變化量。

（半導體元件的製造方法）本發明的實施形態的半導體元件的製造方法並無特別限制，較佳為包括使用塗佈法形成半導體層的步驟。半導體層的形成方法如所述般。

＜無線通訊裝置＞其次，對含有本發明的半導體元件的本發明的實施形態的無線通訊裝置進行說明。該無線通訊裝置例如是如RFID般，藉由RFID標籤接收由讀寫器中搭載的天線所發送的載波，來進行電氣通訊的裝置。

具體的運作為：例如RFID標籤的天線接收由讀寫器中搭載的天線所發送的無線訊號。而且，藉由整流電路而將與所述訊號相符地產生的交流電流轉變為直流電流，RFID標籤發電。其次，發電的RFID標籤自無線訊號來接收指令，進行與指令相符的運作。然後，將與指令相符的結果的回答，由RFID標籤的天線向讀寫器的天線發送無線訊號。再者，與指令相符的運作至少由公知的解調電路、運作控制邏輯電路、調變電路來進行。

本發明的實施形態的無線通訊裝置至少具有所述半導體元件與天線。作為本發明的實施形態的無線通訊裝置的更具體的構成，例如可列舉如圖4所示者。其包括：電源生成部，進行由天線50接收的來自外部的調變波訊號的整流，並對各部供給電源；解調電路，將所述調變波訊號加以解調而送出至控制電路；調變電路，將由控制電路送出的資料加以調變而送出至天線；以及控制電路，進行經解調電路解調的資料對於記憶電路的寫入及自記憶電路讀取資料而向調變電路的發送；並且各電路部電性連接。所述解調電路、控制電路、調變電路、記憶電路包含所述n型半導體元件或互補型半導體裝置，亦可進而包含電容器、電阻元件、二極體。再者，所述記憶電路進而具有電子可抹除可程式化唯讀記憶體（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM）、鐵電隨機存取記憶體（Ferroelectric Random Access Memory，FeRAM）等非揮發性的可改寫的記憶部。所述電源生成部包含電容器與二極體。

天線、電容器、電阻元件、二極體、非揮發性的可改寫的記憶部只要為一般所使用者即可，所使用的材料、形狀並無特別限定。另外，將所述各構成要素電性連接的材料亦只要為一般可使用的導電材料，則可為任意者。各構成要素的連接方法亦只要可取得電性導通，則可為任意方法。各構成要素的連接部的寬度或厚度為任意。

＜商品標籤＞其次，對含有本發明的實施形態的無線通訊裝置的商品標籤進行說明。該商品標籤例如具有基體、與由該基體包覆的所述無線通訊裝置。

基體例如藉由呈平板狀形成的紙等非金屬材料而形成。例如，基體設為將兩片平板狀的紙貼合而成的結構，所述無線通訊裝置被配置於該兩片紙之間。於所述無線記憶裝置的記憶電路中，例如預先儲存有對商品進行個體識別的個體識別資訊。

於該商品標籤與讀寫器之間進行無線通訊。所謂讀寫器，為藉由無線而進行資料相對於商品標籤的讀取及寫入的裝置。讀寫器於商品的流通過程或付款時，於與商品標籤之間進行資料的互發。讀寫器例如有可攜式者或設置於現金出納機的固定型者。相對於本發明的實施形態的商品標籤，讀寫器可利用公知者。

本發明的實施形態的商品標籤具備識別資訊回信功能。其為如下功能：於商品標籤自規定的讀寫器收到要求發送個體識別資訊的指令時，藉由無線而回信自身所記憶的個體識別資訊。利用來自讀寫器的一次指令，根據多個商品標籤，發送各標籤的個體識別資訊。藉由該功能，例如於商品的精算現金出納機處，可非接觸地同時識別多個商品。因此，與利用條形碼的識別相比，可實現付款處理的容易化或迅速化。

另外，例如於進行商品結帳時，讀寫器可將根據商品標籤而讀取的商品資訊發送至銷售點系統（POS（Point of sale system），銷售點資訊管理）終端機。藉由該功能，於POS終端機亦可進行由該商品資訊特定的商品的銷售登記，因此可實現庫存管理的容易化或迅速化。 [實施例]

以下，基於實施例對本發明進行更具體的說明。再者，本發明並不由下述實施例限定性地解釋。

＜共軛系聚合體的分子量＞共軛系聚合體的分子量是如以下般測定。利用孔徑0.45 μm膜濾器對樣品進行過濾後，使用凝膠滲透層析法（GEL PERMEATION CHROMATOGRAPHY：GPC，東曹（股）製造的HLC-8220GPC）（展開溶劑：氯仿或四氫呋喃，展開速度：0.4 mL/min），藉由利用聚苯乙烯標準樣品的換算來求出。

＜溶媒的黏度＞溶媒的黏度是使用黏度計（東機產業（股）製造的RE110L型）進行測定。再者，測定溫度為25℃，溶媒的黏度為0.6 cP以上且6 cP以下時設為轉速100 rpm，溶媒的黏度大於6 cP且為12 cP以下時設為轉速50 rpm，溶媒的黏度大於12 cP且為30 cP以下時設為轉速20 rpm，溶媒的黏度大於30 cP且為60 cP以下時設為轉速10 rpm進行測定，將3次測定結果的平均值設為溶媒的黏度。

＜CNT的分散性＞ CNT的分散性是如以下般進行評價。利用孔徑10 μm的膜濾器過濾CNT分散液，將過濾前後的CNT分散液的濃度減少率為0%以上且15%以下設為A，將大於15%且為30%以下設為B，將大於30%且為50%以下設為C，將大於50%且為100%以下設為D。

＜噴墨塗佈性＞噴墨塗佈性是如以下般進行評價。使用噴墨裝置（東麗工程（Toray Engineering）（股）製造）噴出CNT分散液，將伴生物的數量為0個設為A，將一個～三個設為B，將四個以上設為C，將塗佈位置精度為20 μm以內的情況設為A，將大於20 μm且為30 μm以內的情況設為B，將大於30 μm且為50 μm以內的情況設為C，將大於50 μm的情況設為D。再者，例如所謂「塗佈位置精度為20 μm」是指於目標圖案30處分別進行噴墨塗佈，分別測量目標著落位置與實際著落位置的距離，其平均值為20 μm。

＜遷移率＞遷移率是如以下般進行評價。使用CNT分散液製作半導體元件，對於所述半導體元件，測定改變閘極電壓（Vg）時的源極汲極間電流（Id）-源極汲極間電壓（Vsd）特性。於測定中使用半導體特性評價系統4200-SCS型（吉時利儀器（Keithley Instruments）股份有限公司製造），於大氣中進行測定。根據變化為Vg=+30 V～-30 V時的Vsd=+5 V下的Id的值的變化來求出線形區域的遷移率。

＜CNT分散液的製作例＞ CNT分散液的製作例1；CNT分散液A 向化合物[4]（里克金屬（Rieke Metals）製造）為5.0 mg的氯仿10 mL溶液中加入1.0 mg的CNT1（CNI公司製造，單層CNT，純度95%），一邊進行冰浴冷卻，一邊使用超音波均質機（東京理化器械（股）製造的VCX-500），以輸出40%進行2小時超音波攪拌，從而獲得CNT分散液1（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.96 g/L）。其次，使用膜濾器（孔徑10 μm，直徑25 mm，密理博（Millipore）公司製造的歐姆尼珀爾薄膜（omnipore membrane）），進行所述CNT分散液1的過濾。於所獲得的濾液中加入1-氯萘（和光純藥工業（股）製造）5 mL後，使用旋轉蒸發器，將作為低沸點溶媒的氯仿蒸餾去除，從而獲得CNT分散液2。向CNT分散液2的1 mL中加入3 mL的1-氯萘，從而製成CNT分散液A（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/L）。溶媒的黏度為3.1 cP。

CNT分散液的製作例2；CNT分散液B 利用式10所示的方法來合成化合物[10]。

[化10]

將化合物（10-a）（里克金屬（Rieke Metals））1.1 g溶解於二甲基甲醯胺13.3 mL中，並加入N-溴代丁二醯亞胺（和光純藥工業（股）製造）0.98 g，於氮氣環境下、室溫下攪拌24小時。向所獲得的溶液中加入水100 mL、正己烷100 mL及二氯甲烷100 mL，並分取有機層。利用水100 mL對所獲得的有機層進行清洗後，利用硫酸鎂進行乾燥。利用管柱層析法（填充材：矽膠，溶離液：甲苯）對所獲得的溶液進行精製，從而獲得化合物（10-b）1.4 g。

於氮氣環境下，於四氫呋喃（東京化成工業（股）製造）8.0 mL中攪拌雙(三苯基膦)溴化鎳（II）（西格瑪奧德里奇（Sigma Aldrich）製造）0.89 g、鋅（東京化成工業（股）製造）0.39 g、及四乙基碘化銨（東京化成工業（股）製造）1.0 g。向所獲得的溶液中添加化合物（10-b）1.2 g的四氫呋喃溶液4.0 mL，於50℃下攪拌24小時。向所獲得的溶液中加入水100 mL、正己烷100 mL及二氯甲烷100 mL，並分取有機層。利用水100 mL對所獲得的有機層進行清洗後，利用硫酸鎂進行乾燥。利用管柱層析法（填充材：矽膠，溶離液：甲苯/乙酸乙酯）對所獲得的溶液進行精製，從而獲得化合物（10-c）0.541 g。

將化合物（10-c）0.361 g溶解於二甲基甲醯胺5.0 mL中，並加入N-溴代丁二醯亞胺0.30 g，於氮氣環境下、室溫下攪拌24小時。向所獲得的溶液中加入水100 mL、正己烷100 mL及二氯甲烷100 mL，並分取有機層。利用水100 mL對所獲得的有機層進行清洗後，利用硫酸鎂進行乾燥。利用管柱層析法（填充材：矽膠，溶離液：甲苯/乙酸乙酯）對所獲得的溶液進行精製，從而獲得化合物（10-d）0.43 g。

將化合物（10-d）0.37 g與化合物（10-e）0.19 g溶解於甲苯30 mL中。向其中加入水10 mL、碳酸鉀0.65 g、[1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯化鈀(II)二氯甲烷加成物（東京化成工業（股）製造）19 mg及1滴季銨氯化物（Aliquat）（R）336（奧德里奇（Aldrich）公司製造），於氮氣環境下、80℃下攪拌1小時。繼而，加入硼酸苯酯頻哪醇0.83 g，於80℃下攪拌30分鐘。向所獲得的溶液中加入甲醇50 mL，對所生成的固體進行過濾分離，依序使用甲醇、水、甲醇、丙酮進行清洗。將所獲得的固體溶解於氯仿中，通過矽膠短管柱（溶離液：氯仿/乙酸乙酯）後，加以濃縮乾固，從而獲得0.20 g的化合物[10]。利用所述方法對化合物[10]的分子量進行測定，結果重量平均分子量為23560，數量平均分子量為11219。

代替化合物[4]而使用化合物[10]，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液B（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為3.1 cP。

CNT分散液的製作例3；CNT分散液C 利用式13所示的方法來合成化合物[13]。

[化11]

將化合物（13-a）（東京化成工業（股）製造）0.84 g、化合物（10-b）1.3 g溶解於甲苯100 mL中。向其中加入水35 mL、碳酸鉀2.6 g、[1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯化鈀(II)二氯甲烷加成物74 mg及1滴季銨氯化物（R）336，於氮氣環境下、80℃下攪拌1小時。向所獲得的溶液中加入水200 mL、正己烷200 mL及二氯甲烷200 mL，並分取有機層。利用水200 mL對所獲得的有機層進行清洗後，利用硫酸鎂進行乾燥。利用管柱層析法（填充材：矽膠，溶離液：甲苯/乙酸乙酯）對所獲得的溶液進行精製，從而獲得化合物（13-b）0.73 g。

代替化合物（10-c）而使用化合物（13-b）0.49 g，除此以外與化合物（10-d）的合成方法同樣地獲得化合物（13-c）0.56 g。

代替化合物（10-d）而使用化合物（13-c）0.46 g，除此以外與化合物[10]的合成方法同樣地獲得化合物[13] 0.28 g。利用所述方法測定化合物[13]的分子量，結果重量平均分子量為18038，數量平均分子量為10021。

代替化合物[4]而使用化合物[13]，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液C（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為3.1 cP。

CNT分散液的製作例4；CNT分散液D 利用式16所示的方法來合成化合物[16]。

[化12]

代替化合物（10-a）而設為化合物（10-c）1.8 g，將N-溴代丁二醯亞胺的量設為0.78 g，除此以外與化合物（10-b）的合成方法同樣地獲得化合物（16-a）2.0 g。

代替化合物（10-b）而設為化合物（16-a）1.7 g，將雙(三苯基膦)溴化鎳(II)的量設為1.2 g，將鋅的量設為0.16 g，將四乙基碘化銨的量設為0.82 g，除此以外與化合物（10-c）的合成方法同樣地獲得化合物（16-b）0.84 g。

代替化合物（10-c）而使用化合物（16-b）0.72 g，除此以外與化合物（10-d）的合成方法同樣地獲得化合物（16-c）0.76 g。

代替化合物（10-d）而使用化合物（16-c）0.63 g，除此以外與化合物[10]的合成方法同樣地獲得化合物[16] 0.32 g。利用所述方法測定化合物[16]的分子量，結果重量平均分子量為18800，數量平均分子量為11059。

代替化合物[4]而使用化合物[16]，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液D（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為3.1 cP。

CNT分散液的製作例5；CNT分散液E 利用式24所示的方法來合成化合物[24]。

[化13]

將化合物（24-a）（東京化成工業（股）製造）1.6 g、四丁基溴化銨（東京化成工業（股）製造）0.32 g溶解於二甲基亞碸（和光純藥工業（股）製造）10.0 mL中，於氮氣環境下加入氫氧化鉀（和光純藥工業（股）製造）0.76 g的水溶液0.76 mL，於室溫下攪拌30分鐘。向所獲得的溶液中加入6-溴代己酸乙酯，於50℃下攪拌6小時。向所獲得的溶液中加入水100 mL、正己烷100 mL及二氯甲烷100 mL，並分取有機層。利用水100 mL對所獲得的有機層進行清洗後，利用硫酸鎂進行乾燥。利用管柱層析法（填充材：矽膠，溶離液：甲苯）對所獲得的溶液進行精製，從而獲得化合物（24-b）1.5 g。

代替化合物（10-d）而使用化合物（24-b）0.37 g，除此以外與化合物[10]的合成方法同樣地獲得化合物[24] 0.19 g。利用所述方法測定化合物[24]的分子量，結果重量平均分子量為46460，數量平均分子量為23230。

代替化合物[4]而使用化合物[24]，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液E（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為3.1 cP。

CNT分散液的製作例6；CNT分散液F 利用式28所示的方法來合成化合物[28]。

[化14]

將化合物（24-b）1.2 g、雙頻哪醇合二硼（bispinacolato diboron）（東京化成工業（股）製造）1.5 g、乙酸鉀（東京化成工業（股）製造）0.79 g、及[1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯化鈀(II)二氯甲烷加成物74 mg溶解於二甲基甲醯胺15.0 mL中，於氮氣環境下、100℃下攪拌12小時。向所獲得的溶液中加入水200 mL、正己烷200 mL及二氯甲烷200 mL，並分取有機層。利用水200 mL對所獲得的有機層進行清洗後，利用硫酸鎂進行乾燥。利用管柱層析法（填充材：矽膠，溶離液：甲苯/乙酸乙酯）對所獲得的溶液進行精製，從而獲得化合物（28-a）0.84 g。

代替化合物（10-d）而設為化合物（28-a）0.42 g，代替化合物（10-e）而設為化合物（28-b）0.23 g，代替硼酸苯酯頻哪醇而設為溴苯0.64 g，除此以外與化合物[10]的合成方法同樣地獲得化合物[28] 0.27 g。利用所述方法測定化合物[28]的分子量，結果重量平均分子量為20768，數量平均分子量為12980。

代替化合物[4]而使用化合物[28]，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液F（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為3.1 cP。

CNT分散液的製作例7；CNT分散液G 利用式30所示的方法來合成化合物[30]。

[化15]

代替化合物（13-a）而設為化合物（10-e）0.78 g，將化合物（10-b）的量設為0.73 g，除此以外與化合物（13-b）的合成方法同樣地獲得化合物（30-a）0.70 g。

代替化合物（10-c）而使用化合物（30-a）0.47 g，除此以外與化合物（10-d）的合成方法同樣地獲得化合物（30-b）0.50 g。

代替化合物（28-b）而使用化合物（30-b）0.37 g，除此以外與化合物[28]的合成方法同樣地獲得化合物[30] 0.41 g。

代替化合物[4]而使用化合物[30]，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液G（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為3.1 cP。

CNT分散液的製作例8；CNT分散液H 利用式40所示的方法來合成化合物[40]。

[化16]

代替化合物（10-c）而使用化合物（10-a）0.18 g，除此以外與化合物（10-d）的合成方法同樣地獲得化合物（40-a）0.27 g。

代替化合物（10-d）而使用化合物（40-a）0.23 g，除此以外與化合物[10]的合成方法同樣地獲得化合物[40] 0.10 g。利用所述方法測定化合物[40]的分子量，結果重量平均分子量為36343，數量平均分子量為19130。

代替化合物[4]而使用化合物[40]，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液H（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為3.1 cP。

CNT分散液的製作例9；CNT分散液I 利用式43所示的方法來合成化合物[43]。

[化17]

代替化合物（13-a）而設為化合物（43-a）（東京化成工業（股）製造）0.67 g，除此以外與化合物（13-b）的合成方法同樣地獲得化合物（43-b）0.95 g。

代替化合物（10-c）而使用化合物（43-b）0.43 g，除此以外與化合物（10-d）的合成方法同樣地獲得化合物（43-c）0.50 g。

代替化合物（10-d）而使用化合物（43-c）0.41 g，除此以外與化合物[10]的合成方法同樣地獲得化合物[43] 0.25 g。利用所述方法測定化合物[43]的分子量，結果重量平均分子量為16899，數量平均分子量為12230。

代替化合物[4]而使用化合物[43]，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液I（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為3.1 cP。

CNT分散液的製作例10；CNT分散液J 利用式46所示的方法來合成化合物[46]。

[化18]

代替化合物（10-b）而設為化合物（46-a）1.3 g，代替化合物（13-a）而設為化合物（10-d）1.2 g，除此以外與化合物（13-b）的合成方法同樣地獲得化合物（46-b）1.0 g。

代替化合物（10-c）而使用化合物（46-b）0.63 g，除此以外與化合物（10-d）的合成方法同樣地獲得化合物（46-c）0.67 g。

代替化合物（10-d）而使用化合物（46-c）0.56 g，除此以外與化合物[10]的合成方法同樣地獲得化合物[46] 0.25 g。利用所述方法測定化合物[46]的分子量，結果重量平均分子量為14042，數量平均分子量為10030。

代替化合物[4]而使用化合物[46]，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液J（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為3.1 cP。

CNT分散液的製作例11；CNT分散液K 代替1-氯萘而使用α-四氫萘酮，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液K（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為7.2 cP。

CNT分散液的製作例12；CNT分散液L 代替1-氯萘而使用苯甲酸苄酯，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液L（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為8.3 cP。

CNT分散液的製作例13；CNT分散液M 代替1-氯萘而使用1-甲氧基萘，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液M（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為5.8 cP。

CNT分散液的製作例14；CNT分散液N 代替1-氯萘而使用鄰苯二甲酸二甲酯，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液N（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為17.2 cP。

CNT分散液的製作例15；CNT分散液O 代替1-氯萘而使用乙二醇單苯醚，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液O（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為19.1 cP。

CNT分散液的製作例16；CNT分散液P 代替1-氯萘而使用碳，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液P（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為2.4 cP。

CNT分散液的製作例17；CNT分散液Q 代替1-氯萘而使用α-四氫萘酮/鄰二氯苯=75重量%/25重量%的混合溶媒，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液Q（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為4.5 cP。

CNT分散液的製作例18；CNT分散液R 代替1-氯萘而使用苯甲酸苄酯/鄰二氯苯=75重量%/25重量%的混合溶媒，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液R（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為4.9 cP。

CNT分散液的製作例19；CNT分散液S 代替1-氯萘而使用1-甲氧基萘/鄰二氯苯=75重量%/25重量%的混合溶媒，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液S（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為4.0 cP。

CNT分散液的製作例20；CNT分散液T 代替1-氯萘而使用鄰苯二甲酸二甲酯/鄰二氯苯=75重量%/25重量%的混合溶媒，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液T（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為7.8 cP。

CNT分散液的製作例21；CNT分散液U 代替1-氯萘而使用乙二醇單苯醚/鄰二氯苯=75重量%/25重量%的混合溶媒，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液U（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為8.5 cP。

CNT分散液的製作例22；CNT分散液V 代替1-氯萘而使用苯基二甘醇/鄰二氯苯=75重量%/25重量%的混合溶媒，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液V（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為12.8 cP。

CNT分散液的製作例23；CNT分散液W 代替1-氯萘而使用三乙二醇單丁醚/鄰二氯苯=75重量%/25重量%的混合溶媒，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液W（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為6.7 cP。

CNT分散液的製作例24；CNT分散液X 代替1-氯萘而使用萜品醇/鄰二氯苯=75重量%/25重量%的混合溶媒，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液X（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為8.9 cP。

CNT分散液的製作例25；CNT分散液Y 代替化合物[4]而使用聚-3-己基噻吩，除此以外與所述CNT分散液K的製作例同樣地獲得CNT分散液Y（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為7.2 cP。

CNT分散液的製作例26；CNT分散液Z 代替α-四氫萘酮而使用鄰二氯苯，除此以外與所述CNT分散液Y的製作例同樣地獲得CNT分散液Z（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為1.3 cP。

CNT分散液的製作例27；CNT分散液AB 代替α-四氫萘酮而使用苯甲酸乙酯，除此以外與所述CNT分散液Y的製作例同樣地獲得CNT分散液AB（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為2.2 cP。

CNT分散液的製作例28；CNT分散液AC 代替化合物[4]而使用化合物[49]，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液AC（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為3.1 cP。

CNT分散液的製作例29；CNT分散液AD 代替化合物[4]而使用化合物[1]，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液AD（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為3.1 cP。

CNT分散液的製作例30；CNT分散液AE 代替化合物[4]而使用化合物[7]，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液AE（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為3.1 cP。

CNT分散液的製作例31；CNT分散液AF 代替化合物[4]而使用化合物[5]，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液AF（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為3.1 cP。

CNT分散液的製作例32；CNT分散液AG 代替化合物[4]而使用化合物[53]，除此以外與所述CNT分散液A的製作例同樣地獲得CNT分散液AG（相對於溶媒的CNT複合體濃度為0.03 g/l）。溶媒的黏度為3.1 cP。

＜組成物的製作例＞組成物的製作例1；閘極絕緣層溶液A 將甲基三甲氧基矽烷61.29 g（0.45莫耳）、2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷12.31 g（0.05莫耳）、以及苯基三甲氧基矽烷99.15 g（0.5莫耳）溶解於丙二醇單丁醚（沸點170℃）203.36 g中，於其中一邊攪拌一邊加入水54.90 g、磷酸0.864 g。將所獲得的溶液於浴溫105℃下加熱2小時，使內溫上昇至90℃，使主要包含副產生的甲醇的成分餾出。繼而於浴溫130℃下加熱2.0小時，使內溫上昇至118℃，使主要包含水與丙二醇單丁醚的成分餾出。之後，冷卻至室溫，獲得固體成分濃度為26.0重量%的聚矽氧烷溶液A。利用所述方法對所獲得的聚矽氧烷的分子量進行測定，結果重量平均分子量為6000。

將所獲得的聚矽氧烷溶液A 10 g、雙(乙醯乙酸乙酯)單(2,4-戊二酮)鋁（商品名「鋁螯合物（Alumichelate）D」，川研精化（Kawaken Fine Chemicals）（股）製造，以下稱為鋁螯合物（Alumichelate）D）13.0 g、及丙二醇單乙醚乙酸酯（以下，稱為PGMEA（propylene glycol monoethyl ether acetate））42.0 g加以混合，於室溫下攪拌2小時，從而獲得閘極絕緣層溶液A。相對於鋁螯合物（Alumichelate）D 100重量份，本溶液中的所述聚矽氧烷的含量為20重量份。

＜半導體元件的製作例＞半導體元件的製作例1 製作圖1所示的半導體元件。於玻璃製的基板1（膜厚0.7 mm）上，藉由電阻加熱法，通過遮罩來真空蒸鍍厚度為5 nm的鉻及厚度為50 nm的金，形成閘極電極2。其次，將閘極絕緣層溶液A旋塗塗佈（2000 rpm×30秒）於所述基板上，於氮氣流下、200℃下進行1小時熱處理，藉此形成膜厚為600 nm的閘極絕緣層3。其次，藉由電阻加熱法，通過遮罩來真空蒸鍍厚度為50 nm的金，形成源極電極5及汲極電極6。其次，於源極電極5與汲極電極6之間噴墨塗佈CNT分散液，於氮氣流下、180℃下進行30分鐘的熱處理，從而形成半導體層4。如此，獲得半導體元件。該半導體元件的源極-汲極電極的寬度（通道寬度）設為200 μm，源極-汲極電極的間隔（通道長度）設為20 μm。

＜實施例＞實施例1 使用CNT分散液A，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為1.0 cm² /（V·s）。

實施例2 使用CNT分散液B，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為0.70 cm² /（V·s）。

實施例3 使用CNT分散液C，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為0.80 cm² /（V·s）。

實施例4 使用CNT分散液D，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為0.90 cm² /（V·s）。

實施例5 使用CNT分散液E，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為1.1 cm² /（V·s）。

實施例6 使用CNT分散液F，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為1.0 cm² /（V·s）。

實施例7 使用CNT分散液G，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為0.90 cm² /（V·s）。

實施例8 使用CNT分散液H，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為0.90 cm² /（V·s）。

實施例9 使用CNT分散液I，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為0.70 cm² /（V·s）。

實施例10 使用CNT分散液J，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為0.70 cm² /（V·s）。

實施例11 使用CNT分散液K，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物A，塗佈位置精度為A。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為1.0 cm² /（V·s）。

實施例12 使用CNT分散液L，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為B，噴墨塗佈性為伴生物A，塗佈位置精度為A。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為0.80 cm² /（V·s）。

實施例13 使用CNT分散液M，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為B，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為0.90 cm² /（V·s）。

實施例14 使用CNT分散液N，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為B，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為1.0 cm² /（V·s）。

實施例15 使用CNT分散液O，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為B，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為1.0 cm² /（V·s）。

實施例16 使用CNT分散液P，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為B，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為0.70 cm² /（V·s）。

實施例17 使用CNT分散液Q，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為1.3 cm² /（V·s）。

實施例18 使用CNT分散液R，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為1.1 cm² /（V·s）。

實施例19 使用CNT分散液S，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為1.0 cm² /（V·s）。

實施例20 使用CNT分散液T，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物A，塗佈位置精度為A。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為1.4 cm² /（V·s）。

實施例21 使用CNT分散液U，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物A，塗佈位置精度為A。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為1.5 cm² /（V·s）。

實施例22 使用CNT分散液V，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物A，塗佈位置精度為A。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為1.3 cm² /（V·s）。

實施例23 使用CNT分散液W，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為B，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為1.0 cm² /（V·s）。

實施例24 使用CNT分散液X，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物A，塗佈位置精度為A。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為1.1 cm² /（V·s）。

比較例1 使用CNT分散液Y，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為D，噴墨塗佈性為伴生物A，塗佈位置精度為A。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為0.30 cm² /（V·s）。

比較例2 使用CNT分散液Z，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物C，塗佈位置精度為D。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為0.25 cm² /（V·s）。

比較例3 使用CNT分散液AB，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為D，噴墨塗佈性為伴生物C，塗佈位置精度為C。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為0.28 cm² /（V·s）。

實施例25 使用CNT分散液AC，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為A，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為0.66 cm² /（V·s）。

實施例26 使用CNT分散液AD，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為C，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為0.55 cm² /（V·s）。

實施例27 使用CNT分散液AE，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為C，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為0.58 cm² /（V·s）。

實施例28 使用CNT分散液AF，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為C，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為0.50 cm² /（V·s）。

實施例29 使用CNT分散液AG，並進行CNT分散性及噴墨塗佈性的評價。CNT分散性為C，噴墨塗佈性為伴生物B，塗佈位置精度為B。另外，與半導體元件的製作例1同樣地製作半導體元件。遷移率為0.47 cm² /（V·s）。

[表1]

[表2]

[表3]

1:基材 2:閘極電極 3:閘極絕緣層 4:半導體層 5:源極電極 6:汲極電極 7:CNT複合體 8:第2絕緣層 50:天線

圖1是表示作為本發明的實施形態之一的半導體元件的示意剖面圖。圖2是表示作為本發明的實施形態之一的半導體元件的示意剖面圖。圖3是表示作為本發明的實施形態之一的半導體元件的示意剖面圖。圖4是表示使用作為本發明的實施形態之一的半導體元件或者互補型半導體裝置的無線通訊裝置的一例的方塊圖。

Claims

一種奈米碳管複合體，其特徵在於：於奈米碳管表面的至少一部分附著有共軛系聚合體，且所述共軛系聚合體具有通式（1）所表示的側鏈，
（通式（1）中，R表示伸烷基或伸環烷基；X表示單鍵、伸烯基、伸炔基、伸芳基或伸雜芳基；A表示烷基羰基、芳基羰基、雜芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、雜芳氧基羰基、烷基羰氧基、芳基羰氧基或雜芳基羰氧基）。
如申請專利範圍第1項所述的奈米碳管複合體，其中所述A為烷基羰基、烷氧基羰基、或烷基羰氧基。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的奈米碳管複合體，其中所述A為烷氧基羰基。
如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的奈米碳管複合體，其中所述共軛系聚合體於重複單元中包含芴單元或噻吩單元。
如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的奈米碳管複合體，其中於所述共軛系聚合體中，作為其主鏈中所含的二價基，將包含一個選自由伸乙烯基、伸乙炔基、伸芳基及伸雜芳基所組成的群組中的任一種的二價基設為一個單元時，具有所述通式（1）所表示的側鏈的單元的數量與所述共軛系聚合體的所有單元的數量的比率[具有所述通式（1）所表示的側鏈的單元的數量/所述共軛系聚合體的所有單元的數量]為1/5～1/1。
一種奈米碳管分散液，其特徵在於至少含有：奈米碳管複合體，於奈米碳管表面的至少一部分附著有共軛系聚合體；以及溶媒，且所述奈米碳管複合體為如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的奈米碳管複合體。
一種半導體元件，其特徵在於包括：基材；源極電極、汲極電極及閘極電極；半導體層，與所述源極電極及汲極電極相接；以及閘極絕緣層，將所述半導體層與所述閘極電極絕緣，且所述半導體層含有如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的奈米碳管複合體。
一種半導體元件的製造方法，為如申請專利範圍第7項所述的半導體元件的製造方法，所述半導體元件的製造方法包括使用塗佈法形成所述半導體層的步驟。
一種無線通訊裝置，至少具有如申請專利範圍第7項所述的半導體元件、與天線。
一種商品標籤，使用如申請專利範圍第9項所述的無線通訊裝置。