TW202008460A - 電漿處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明實現一種電漿處理裝置，其可使形成於基板的膜的成膜速率及膜厚度均勻。電漿處理裝置（1）包括多個設置於真空容器（10）內的電漿生成用的天線（20）；設置有多個氣體噴出口（30）的多個組群，所述多個氣體噴出口（30）相對於多個天線（20）的各自的長邊方向（D1）而大致垂直，且設置於在多個天線（20）相互排列的方向上延伸的線（L1）的附近；並且更包括氣體流量控制部，其對從多個氣體噴出口（30）的組群的每一個所噴出的氣體的流量加以控制。

Description

電漿處理裝置
本發明是有關於一種電漿處理裝置。
藉由生成感應耦合型的電漿而進行成膜或蝕刻的電漿處理裝置作為現有技術而已知。此種電漿處理裝置例如可列舉專利文獻1中揭示的電漿處理裝置。
專利文獻1中揭示的電漿處理裝置包括高頻天線，其配置於經真空排氣且供導入氣體的真空容器內。該電漿處理裝置中，經由配置於沿著高頻天線的方向上的多個氣體導入口而導入氣體。所述電漿處理裝置對收納於真空容器內的基板進行處理。 [現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2016-149287號公報（2016年8月18日公開）
[發明所欲解決之課題]
然而，專利文獻1中揭示的電漿處理裝置中，由於氣體導入口僅配置於沿著高頻天線的方向，故而存在下述問題。具體而言，該電漿處理裝置中，由於在高頻天線的長邊方向上的各部位流動的電流的大小產生差異，而存在如下問題：於收納於真空容器內的基板上形成的膜的成膜速率或者膜厚度變得不均勻。
本發明的一形態的目的為實現一種可使形成於基板的膜的成膜速率及膜厚度均勻的電漿處理裝置。 [解決課題之手段]
為了解決所述課題，本發明的一形態的電漿處理裝置包括多個於收納基板的真空容器內以與所述基板相向的方式設置的電漿生成用的天線，設置有多個氣體噴出口的多個組群，所述多個氣體噴出口相對於所述多個天線的各自的長邊方向而大致垂直，且設置於在所述多個天線相互排列的方向上延伸的線的附近，並且更包括氣體流量控制部，其對從所述多個氣體噴出口的組群的每一個中噴出的氣體的流量加以控制。
根據所述構成，即便於天線的長邊方向上的各部位流動的電流的大小產生差異，亦藉由進行下述處理而獲得下述效果。具體而言，對從各氣體噴出口所噴出的氣體的流量加以控制以使於基板的各部位生成的電漿變得均勻，藉此可以使形成於基板的膜的成膜速率及膜厚度均勻。
設置於所述真空容器的角部的附近的所述氣體噴出口亦可以如下方式來設置，即，從設置於該角部的附近的所述氣體噴出口所噴出的氣體的流量多於從設置於所述角部的附近以外的部位的所述氣體噴出口所噴出的氣體的流量。
根據所述構成，在與其他部位相比，氣體的流量容易減少的真空容器的角部的附近，可使氣體的流量增多。藉此，可使於基板的各部位生成的電漿更均勻，且可使形成於基板的膜的成膜速率及膜厚度亦更均勻。
所述多個天線包含具有將流動電流的導體部與蓄積電荷的電容元件交替地串聯連接的結構的天線，所述多個氣體噴出口亦可包含設置於所述導體部的附近以及所述電容元件的附近的氣體噴出口。
根據所述構成，由於氣體噴出口是根據天線的規則性結構來設置，故而當對從各氣體噴出口所噴出的氣體的流量加以控制時，可使於基板的各部位生成的電漿更容易均勻。另外，即便是於導體部的附近以及電容元件的附近的電漿的生成產生差異的情況下，亦可使電漿均勻。
從相對於設置有所述多個天線的平面而言的法線方向來看，所述多個氣體噴出口亦可設置於所述多個天線的各自之間。
根據所述構成，例如，藉由對從各氣體噴出口所噴出的氣體的流量加以控制，可使噴出至多個天線的各自之間的氣體的流量均勻。
於所述真空容器內，亦可於所述天線和所述真空容器的壁之間設置電漿生成抑制構件，所述真空容器的壁相對於所述天線而與所述基板為相反的一側。
根據所述構成，可抑制於天線與真空容器的壁之間生成電漿。因此，可抑制流經天線的電流經由天線與真空容器的壁之間的空間而從天線流出至真空容器的壁。藉此，可使於天線的長邊方向上的各部位流動的電流的大小均勻，因此可使於基板的各部位生成的電漿更均勻，且可使形成於基板的膜的成膜速率及膜厚度更均勻。 [發明之效果]
根據本發明的一形態，能夠實現一種可使形成於基板的膜的成膜速率及膜厚度均勻的電漿處理裝置。
〔實施方式1〕 （電漿處理裝置1的構成） 圖1（a）是表示本發明實施方式1的電漿處理裝置1的構成的仰視圖，圖1（b）是表示天線20與氣體噴出口30的配置關係的圖。此外，圖1（a）表示真空容器10的除底面之外的狀態。另外，圖1（a）及圖1（b）中，省略後述的基板40及基板保持器50。
圖2（a）是表示圖1（a）所示的線L1上的電漿處理裝置1的剖面的構成的剖面圖，圖2（b）是表示圖1（a）所示的長邊方向D1的線上的電漿處理裝置1的剖面的構成的剖面圖。此外，電漿處理裝置1中，將設置有氣體噴出口30的一側稱為上方，且將設置有基板保持器50的一側稱為下方。
如圖1（a）、圖1（b）及圖2（a）、圖2（b）所示，電漿處理裝置1包括真空容器10、多個天線20、基板保持器50、平板60、電源70、以及匹配箱（matching box）80。電漿處理裝置1使用感應耦合型的電漿，對配置於真空容器10內的基板40實施處理。電漿處理裝置1於利用電漿輔助化學氣相沈積（plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition，CVD）法來進行膜形成的情況下亦稱為電漿CVD裝置，於進行蝕刻的情況下亦稱為電漿蝕刻裝置，於進行灰化的情況下亦稱為電漿灰化裝置，於進行濺鍍的情況下亦稱為電漿濺鍍裝置。
真空容器10例如為金屬製的容器，其內部是由真空排氣裝置（未圖示）進行真空排氣。真空容器10電性接地。如圖2（a）及圖2（b）所示，於真空容器10內配置有天線20及基板保持器50。
天線20為電漿生成用的直線狀的天線，如圖2（a）及圖2（b）所示，於真空容器10內，以與基板40相向的方式來設置。具體而言，天線20是於真空容器10內的基板40的上方，以沿著基板40的表面的方式（例如與基板40的表面實質上平行地）配置。將多個天線20，以沿著基板40的方式（例如與基板40的表面實質上平行地）並列配置。
若如上所述，則可於更廣的範圍內產生均勻性良好的電漿，可對應於更大型的基板40的處理。圖1（a）中，示出配置有6根天線20的例子，但並不限定於此。
如圖1（a）所示，天線20的兩端部附近分別貫通真空容器10的相互相向的一對側壁11、12。於使天線20的兩端部向真空容器10之外貫通的部分，分別設置有絕緣構件（未圖示）。天線20的兩端部貫通該各絕緣構件，該貫通部是利用例如襯墊（packing）（未圖示）來真空密封。經由該絕緣構件，天線20是以相對於真空容器10的相對向的側壁11、側壁12而電性絕緣的狀態被支持。各絕緣構件與真空容器10之間亦是利用例如襯墊（未圖示）來真空密封。
另外，各天線20的材質例如為銅、鋁、該些的合金、不鏽鋼等，但並不限定於該些材質。此外，亦可藉由將天線20設為中空，於其中流動冷卻水等冷媒，而將天線20冷卻。
如圖1（a）所示，多個天線20於真空容器10內相互平行地配置多個。另外，如圖1（b）所示，多個天線20包含具有將電流所流動的導體部21與蓄積電荷的電容元件22交替地串聯連接的結構的天線。即，多個天線20中，亦可存在不具有該結構的天線。此外，導體部21例如可為銅，電容元件22為電容器。
如圖1（a）所示，多個氣體噴出口30相對於多個天線20的各自的長邊方向D1而大致垂直，且設置於在多個天線20相互排列的方向上延伸的線L1的附近。另外，多個氣體噴出口30的組群設置有多個。所謂多個氣體噴出口30的組群，是指設置於後述各區域A1～區域A7的每一個中的多個氣體噴出口30的組群。
所謂相對於多個天線20的各自的長邊方向D1而大致垂直，是指以可使形成於基板40的膜的成膜速率及膜厚度均勻的程度而大致垂直。另外，所謂氣體噴出口30設置於線L1的附近，是指以可使形成於基板40的膜的成膜速率及膜厚度均勻的程度，氣體噴出口30設置於線L1的附近。
另外，如圖2（a）所示，氣體噴出口30設置於真空容器10的內表面的上方。具體而言，氣體噴出口30設置於相對於天線20而與基板40為相反的一側的真空容器10的壁13。各氣體噴出口30的位置亦可僅錯開由加工精度所引起的誤差的程度。從氣體噴出口30中噴出的氣體例如為SiH4 ，但並不限定於此。
如圖1（b）所示，多個氣體噴出口30包含設置於導體部21的附近以及電容元件22的附近的氣體噴出口。藉此，由於氣體噴出口30是根據天線20的規則性結構來設置，故而當對從各氣體噴出口30中噴出的氣體的流量加以控制時，可使於基板40的各部位生成的電漿更容易均勻。另外，即便在導體部21的附近以及電容元件22的附近的電漿的生成產生差異的情況下，亦可使電漿均勻。
所謂氣體噴出口30設置於導體部21的附近以及電容元件22的附近，是指以可使於基板40的各部位生成的電漿更容易均勻的程度，氣體噴出口30設置於導體部21的附近以及電容元件22的附近。
另外，如圖1（a）所示，從相對於設置有多個天線20的平面而言的法線方向來看，多個氣體噴出口30設置於多個天線20的各自之間。藉此，例如，藉由對從各氣體噴出口30中噴出的氣體的流量加以控制，可使噴出至多個天線20的各自之間的氣體的流量均勻。
基板40收納於真空容器10內，且配置於基板保持器50之上。基板40例如為：液晶顯示器或有機電致發光（electroluminescence，EL）顯示器等平板顯示器（flat panel display，FPD）用的基板、或者可撓性顯示器用的可撓性基板等。另外，對基板40實施的處理例如為利用電漿CVD法的膜形成、蝕刻、灰化、或者濺鍍等。
基板保持器50保持基板40，且設置於真空容器10內。基板保持器50安裝於真空容器10的底面。如圖2（b）所示，平板60於真空容器10的內表面的上方設置有多個。具體而言，多個平板60於真空容器10內，設置於天線20與真空容器10的壁13之間，所述真空容器10的壁13相對於天線20而與基板40為相反的一側。
各平板60亦可為電漿生成抑制構件，其一部分或整體亦可包括電介質。平板60是以與各天線20分別相向的方式來配置的平板狀者。多個平板60可無間隙地鋪滿而配置，亦可相互空開間隙而配置。此外，平板60亦可包括單一的平板構件。
平板60的材質較佳為低介電常數的材質，例如為氧化鋁、碳化矽、氮化矽等陶瓷、石英玻璃、無鹼玻璃、其他的無機材料、或者矽等。藉此，天線20與真空容器10的壁13之間的靜電電容變得更小，穿過平板60而從天線20向真空容器10的壁13流出的高頻電流變得更小。
藉由以上，可抑制於天線20與真空容器10的壁13之間生成電漿。因此，可抑制流經天線20的電流經由天線20與真空容器10的壁13之間的空間，而從天線20流出至真空容器10的壁13。藉此，可使於天線20的長邊方向D1上的各部位流動的電流的大小均勻，因此可使於基板40的各部位生成的電漿更均勻，且可使形成於基板40的膜的成膜速率及膜厚度亦更均勻。
另外，如圖2（a）所示，於真空容器10的壁以及平板60形成孔，氣體噴出口30由形成於真空容器10的壁的孔、以及形成於平板60的孔形成。
電源70是將用以於真空容器10內生成感應耦合型電漿的高頻，經由匹配箱80而對天線20施加的電源。電源70經由匹配箱80而與天線20電性連接。此外，藉由從電源70對天線20施加高頻，則於天線20流動高頻電流，於真空容器10內產生感應電場而生成感應耦合型的電漿。圖2（b）中，示出設置有一個電源70的例子，但並不限定於此。
根據以上，電漿處理裝置1中，相對於多個天線20的各自的長邊方向D1而大致垂直，且於在多個天線20相互排列的方向上延伸的線L1的附近，設置多個氣體噴出口30。
藉此，即便於天線20的長邊方向D1上的各部位流動的電流的大小產生差異，亦藉由進行下述處理而獲得下述效果。具體而言，例如，對從各氣體噴出口30中噴出的氣體的流量加以控制以使於基板40的各部位生成的電漿變得均勻，藉此可以使形成於基板40的膜的成膜速率、膜厚度及膜質均勻。
此外，於天線20的長邊方向D1上的各部位流動的電流的大小產生差異的原因可列舉：經由電漿而於真空容器10的壁、以及鄰接的天線20流動電流。
（電漿處理裝置1的電性連接） 圖3是表示電漿處理裝置1的電性連接的圖。此外，圖3中，省略真空容器10、氣體噴出口30、基板40、基板保持器50、以及平板60。如圖3所示，電漿處理裝置1更包括六個電流檢測部90以及六個阻抗控制部100。電流檢測部90例如為電阻，用以檢測流經天線20的電流。阻抗控制部100是控制阻抗的電路或者元件。
如圖3所示，電源70與匹配箱80電性連接，匹配箱80與六個阻抗控制部100電性連接。六個阻抗控制部100分別與六個電流檢測部90電性連接。即，六個阻抗控制部100與六個電流檢測部90是一對一地對應。六個電流檢測部90分別與六個天線20電性連接。即，六個電流檢測部90與六個天線20是一對一地對應。
此外，圖3中，示出設置有六個電流檢測部90、六個阻抗控制部100的例子，但並不限定於此。天線20的與和電流檢測部90連接的一側為相反的一側是與接地連接。
（電漿處理裝置1a的電性連接） 圖4是表示與圖3所示的電漿處理裝置1不同的另一電漿處理裝置1a的電性連接的圖。如圖4所示，電漿處理裝置1a與電漿處理裝置1相比，不同之處在於鄰接的天線20相互經由電氣配線而連接。具體而言，鄰接的兩個天線20中的其中一個天線20的一端與電流檢測部90電性連接，該天線20的另一端與鄰接的兩個天線20中的另一個天線20的一端電性連接。即，鄰接的兩個天線20串聯連接。
藉由鄰接的兩個天線20串聯連接，可使電流檢測部90及阻抗控制部100的數量減半。即，電流檢測部90及阻抗控制部100的數量分別成為三個。藉此，可削減電漿處理裝置1a的製造成本。
（電漿處理裝置1的控制系統的構成） 圖5是表示電漿處理裝置1的控制系統的構成的方塊圖。此外，圖5中，省略真空容器10、天線20、氣體噴出口30、基板40、基板保持器50、平板60、電源70、匹配箱80、電流檢測部90、以及阻抗控制部100。如圖5所示，電漿處理裝置1更包括氣體流量控制部110以及氣體流量調整部121～氣體流量調整部127。
氣體流量控制部110藉由對氣體流量調整部121～氣體流量調整部127加以控制，來調整穿過氣體流量調整部121～氣體流量調整部127的氣體的流量。具體而言，氣體流量控制部110針對每個氣體流量調整部來決定氣體的流量，對氣體流量調整部121～氣體流量調整部127發送表示氣體的流量的訊號。
氣體流量調整部121～氣體流量調整部127具有對穿過自身的氣體的流量進行調整的機構。具體而言，氣體流量調整部121～氣體流量調整部127分別可為例如質量流量控制器（mass flow controller）或者針閥（needle valve）等。氣體流量調整部121～氣體流量調整部127分別基於從氣體流量控制部110接收的訊號，對從圖1（a）所示的區域A1～區域A7分別所包含的多個氣體噴出口30中噴出的氣體的流量進行調整。
例如，氣體流量調整部121對從區域A1內所包含的多個氣體噴出口30中噴出的氣體的流量進行調整。即，藉由一個氣體流量調整部，對從天線20的長邊方向D1上的位置彼此相等的氣體噴出口30中噴出的氣體的流量進行批次調整。
藉此，可削減氣體流量控制部110所控制的氣體流量調整部的數量，因此可削減氣體流量控制部110的控制參數的數量，可簡化氣體流量控制部110的控制。另外，由於氣體流量調整部的數量削減，故而可削減電漿處理裝置1的製造成本。
另外，氣體流量調整部121～氣體流量調整部127分別藉由氣體的流路而與區域A1～區域A7分別所包含的多個氣體噴出口30連接。例如，氣體流量調整部121藉由氣體的流路而與區域A1內所包含的多個氣體噴出口30連接。
此外，於區域A1～區域A7的每一個區域內，多個氣體噴出口30可噴出彼此等量的氣體，亦可噴出彼此不同的量的氣體。於區域A1內所包含的多個氣體噴出口30噴出彼此不同的量的氣體的情況下，例如，亦可使從位於真空容器10的角部的附近的氣體噴出口30中噴出的氣體的量，多於從位於其他部位的氣體噴出口30中噴出的氣體的量。即，亦可於相對於長邊方向D1而垂直的方向上，使從上下的兩個氣體噴出口30中噴出的氣體的量多於從位於其他部位的氣體噴出口30中噴出的氣體的量。
根據以上，氣體流量控制部110對從多個氣體噴出口30的組群的每一個中噴出的氣體的流量加以控制。藉此，例如，氣體流量控制部110對從各氣體噴出口30中噴出的氣體的流量加以控制以使於基板40的各部位生成的電漿變得均勻，藉此可以使形成於基板40的膜的成膜速率、膜厚度及膜質均勻。
（電漿處理裝置1的氣體的流動） 圖6是表示電漿處理裝置1的氣體的流動的構成的方塊圖。此外，圖6中，與圖5同樣地省略一部分的構成。如圖6所示，電漿處理裝置1更包括氣體供給部130以及氣體噴出口31～氣體噴出口37。
氣體噴出口31～氣體噴出口37分別表示圖1（a）所示的區域A1～區域A7內所包含的所有氣體噴出口30。例如，氣體噴出口31表示區域A1內所包含的所有氣體噴出口30。
氣體供給部130例如為氣體鋼瓶，藉由氣體的流路而與氣體流量調整部121～氣體流量調整部127連接，對氣體流量調整部121～氣體流量調整部127供給氣體。氣體流量調整部121～氣體流量調整部127分別設置於氣體供給部130與氣體噴出口31～氣體噴出口37之間的氣體的流路。氣體噴出口31～氣體噴出口37分別與處理室R1連接。所謂處理室R1，是指真空容器10的內部的空間，且為實施基板40的成膜處理的空間。
（流經天線20的電流與成膜速率的關係） 圖7（a）是表示流經天線20的電流與成膜速率的關係的圖。圖7（a）中，橫軸是利用流經天線20的電流的6點的平均值來加以標準化而得的值Ia，縱軸是利用成膜速率的6點的平均值來加以標準化而得的值ra。
如圖7（a）所示，流經天線20的電流越大，成膜速率亦越大。即，流經天線20的電流與成膜速率之間存在相關性。因此，於在天線20的長邊方向D1上的各部位流動的電流的大小產生差異的情況下，存在基板40的各部位的成膜速率變得不均勻的情況。
（氣體的流量與成膜速率的關係） 圖7（b）是表示氣體的流量與成膜速率的關係的圖。圖7（b）中，橫軸為氣體的流量f（sccm），縱軸為成膜速率r（nm/min）。
如圖7（b）所示，氣體的流量f越大，成膜速率r亦越大。因此，於在天線20的長邊方向D1上的各部位流動的電流的大小產生差異的情況下，若藉由氣體流量控制部110的控制，而於基板40的成膜速率小的部位增大氣體的流量f，則可使基板40的各部位的成膜速率均勻。
（天線20的長邊方向與膜厚度的關係） 圖8是表示天線20的長邊方向與形成於基板40的膜的膜厚度的關係的圖。圖8中，橫軸為天線20的長邊方向D1上的位置LA（mm），縱軸為利用形成於基板40的膜的膜厚度的7點的平均值來加以標準化而得的值Ta。
另外，圖8的上部的箭頭表示氣體噴出口30a～氣體噴出口30j的位置。氣體噴出口30a、氣體噴出口30j位於天線20的兩端的附近（真空容器10的側壁11、側壁12的附近），氣體噴出口30b～氣體噴出口30i位於天線20的中央部分的附近。
圖8中，線T1表示將氣體噴出口30a、氣體噴出口30j的氣體的設定流量設定為氣體噴出口30b～氣體噴出口30i的氣體的設定流量的3.2倍的情況下的結果。線T2表示將氣體噴出口30a、氣體噴出口30j的氣體的設定流量設定為氣體噴出口30b～氣體噴出口30i的氣體的設定流量的2.2倍的情況下的結果。氣體的設定流量是從由氣體流量控制部110所設定的各氣體噴出口30a～氣體噴出口30j中噴出的氣體的流量的設定值。
於線T1的情況下，由極大-極小（MAX-MIN）法所得的膜的膜厚度的均勻性成為11.4%，於線T2的情況下，由極大-極小法所得的膜的膜厚度的均勻性成為6.4%。因此，於線T2的情況下，較線T1的情況而言，膜的膜厚度的均勻性提高。藉此，藉由利用氣體流量控制部110來決定從各氣體噴出口中噴出的氣體的流量的設定值，可使形成於基板40的膜的膜厚度更均勻。
〔實施方式2〕 圖9（a）是表示本發明實施方式2的電漿處理裝置1A的構成的仰視圖，圖9（b）是表示本發明實施方式2的另一電漿處理裝置1B的構成的仰視圖。此外，為了便於說明，對於與所述實施方式中所說明的構件具有相同的功能的構件，標記相同符號，不重覆其說明。另外，圖9（a）及圖9（b）表示真空容器10的除底面之外的狀態。
如圖9（a）所示，電漿處理裝置1A與電漿處理裝置1相比，真空容器10的角部的附近的氣體噴出口30的結構不同。具體而言，電漿處理裝置1A中，設置於真空容器10的角部的附近的氣體噴出口30的數量多於設置於該角部的附近以外的部位的氣體噴出口30的數量。圖9（a）中，設置於真空容器10的角部的附近的氣體噴出口30的數量為兩個，設置於該角部的附近以外的部位的氣體噴出口30的數量為一個。
另外，亦如圖9（b）所示，電漿處理裝置1B與電漿處理裝置1相比，真空容器10的角部的附近的氣體噴出口30的結構不同。具體而言，電漿處理裝置1B中，設置於真空容器10的角部的附近的氣體噴出口30B的直徑的大小大於設置於該角部的附近以外的部位的氣體噴出口30的直徑的大小。
如上所述，電漿處理裝置1A、電漿處理裝置1B中，氣體噴出口30以下述方式設置。具體而言，設置於真空容器10的角部的附近的氣體噴出口30以從設置於該角部的附近的氣體噴出口30中噴出的氣體的流量，多於從設置於所述角部的附近以外的部位的氣體噴出口30中噴出的氣體的流量的方式來設置。
因此，在與其他部位相比，氣體的流量容易減少的真空容器10的角部的附近，可使氣體的流量增多。藉此，可使於基板40的各部位生成的電漿更均勻。可使形成於基板40的膜的成膜速率、膜厚度及膜質亦更均勻。
此外，所謂氣體噴出口30設置於真空容器10的角部的附近，是指以可使形成於基板40的膜的成膜速率及膜厚度亦更均勻的程度，氣體噴出口30設置於真空容器10的角部的附近。
（電漿處理裝置1A的控制系統的構成） 圖10（a）是表示電漿處理裝置1A的控制系統的構成的方塊圖。此外，圖10（a）中，與圖5同樣地省略一部分的構成。如圖10（a）所示，電漿處理裝置1A更包括氣體流量控制部110以及氣體流量調整部121A～氣體流量調整部123A。
氣體流量控制部110藉由對氣體流量調整部121A～氣體流量調整部123A加以控制，來調整穿過氣體流量調整部121A～氣體流量調整部123A的氣體的流量。氣體流量調整部121A～氣體流量調整部123A具有與氣體流量調整部121～氣體流量調整部127相同的結構及功能。
氣體流量調整部121A～氣體流量調整部123A分別對從圖9（a）所示的區域AB1～區域AB3分別所包含的多個氣體噴出口30中噴出的氣體的流量進行調整。例如，氣體流量調整部121A對從區域AB1內所包含的多個氣體噴出口30中噴出的氣體的流量進行調整。此外，圖9（b）所示的電漿處理裝置1B亦可包括與電漿處理裝置1A相同的控制系統的構成。
（電漿處理裝置1A的氣體的流動） 圖10（b）是表示電漿處理裝置1A的氣體的流動的構成的方塊圖。此外，圖10（b）中，與圖5同樣地省略一部分的構成。如圖10（b）所示，電漿處理裝置1A更包括氣體供給部130以及氣體噴出口31A～氣體噴出口33A。
氣體噴出口31A～氣體噴出口33A分別表示圖9（a）所示的區域AB1～區域AB3內所包含的所有氣體噴出口30。例如，氣體噴出口31A表示區域AB1內所包含的所有氣體噴出口30。
氣體供給部130藉由氣體的流路而與氣體流量調整部121A～氣體流量調整部123A連接，對氣體流量調整部121A～氣體流量調整部123A供給氣體。氣體流量調整部121A～氣體流量調整部123A分別設置於氣體供給部130與氣體噴出口31A～氣體噴出口33A之間的氣體的流路。此外，圖9（b）所示的電漿處理裝置1B亦可包括與電漿處理裝置1A相同的氣體的流動的構成。
如上所述，電漿處理裝置1A中，區域AB1～區域AB3的大小可彼此不相同，亦可於小於其他部位的區域，對設置於氣體的流量容易減少的真空容器10的側壁11、側壁12的附近的氣體噴出口30進行控制。即，電漿處理裝置1A中，亦可使區域AB1、區域AB3的大小比區域AB2的大小更小。藉此，可更削減氣體流量控制部110所控制的氣體流量調整部的數量，因此可更削減氣體流量控制部110的控制參數的數量，可更簡化氣體流量控制部110的控制。另外，由於氣體流量調整部的數量更削減，故而可更削減電漿處理裝置1的製造成本。
〔實施方式3〕 圖11（a）是表示本發明實施方式3的電漿處理裝置1C的控制系統的構成的方塊圖，圖11（b）是表示本發明實施方式3的電漿處理裝置1C的氣體的流動的構成的方塊圖。此外，為了便於說明，對於與所述實施方式中所說明的構件具有相同的功能的構件，標記相同的符號，不重覆其說明。
（電漿處理裝置1C的控制系統的構成） 圖11（a）中，與圖5同樣地省略一部分的構成。如圖11（a）所示，電漿處理裝置1C更包括氣體流量控制部110以及氣體流量調整部121C、氣體流量調整部122C。電漿處理裝置1C的結構亦可於圖9（a）所示的範圍內與電漿處理裝置1A相同。
氣體流量控制部110藉由對氣體流量調整部121C、氣體流量調整部122C加以控制，來調整穿過氣體流量調整部121C、氣體流量調整部122C的氣體的流量。氣體流量調整部121C、氣體流量調整部122C具有與氣體流量調整部121～氣體流量調整部127相同的結構及功能。
氣體流量調整部121C對從圖9（a）所示的區域AB1、區域AB3中所包含的多個氣體噴出口30中噴出的氣體的流量進行調整。氣體流量調整部122C對從圖9（a）所示的區域AB2中所包含的多個氣體噴出口30中噴出的氣體的流量進行調整。
（電漿處理裝置1C的氣體的流動） 圖11（b）中，與圖5同樣地省略一部分的構成。如圖11（b）所示，電漿處理裝置1C更包括氣體供給部130以及氣體噴出口31A～氣體噴出口33A。
氣體供給部130藉由氣體的流路而與氣體流量調整部121C、氣體流量調整部122C連接，對氣體流量調整部121C、氣體流量調整部122C供給氣體。氣體流量調整部121C設置於氣體供給部130與氣體噴出口31A、氣體噴出口33A之間的氣體的流路。氣體流量調整部122C設置於氣體供給部130與氣體噴出口32A之間的氣體的流路。
如上所述，電漿處理裝置1C亦可藉由一個氣體流量調整部121C，來調整從設置於氣體的流量容易減少的真空容器10的兩側的側壁11、側壁12的附近的氣體噴出口31A、氣體噴出口33A中噴出的氣體的流量。藉此，與電漿處理裝置1A相比，可更削減氣體流量控制部110所控制的氣體流量調整部的數量，因此可更簡化氣體流量控制部110的控制，可更削減電漿處理裝置1C的製造成本。
〔實施方式4〕 圖12（a）是表示本發明實施方式4的電漿處理裝置1D的控制系統的構成的方塊圖，圖12（b）是表示本發明實施方式4的電漿處理裝置1D的氣體的流動的構成的方塊圖。此外，為了便於說明，對於與所述實施方式中所說明的構件具有相同的功能的構件，標記相同的符號，不重覆其說明。
（電漿處理裝置1D的控制系統的構成） 圖12（a）中，與圖5同樣地省略一部分的構成。如圖12（a）所示，電漿處理裝置1D更包括氣體流量控制部110以及氣體流量調整部121D、氣體流量調整部122D。電漿處理裝置1D的結構亦可於圖9（a）所示的範圍內與電漿處理裝置1A相同。
氣體流量控制部110藉由對氣體流量調整部121D、氣體流量調整部122D加以控制，來調整穿過氣體流量調整部121D、氣體流量調整部122D的氣體的流量。氣體流量調整部121D、氣體流量調整部122D具有與氣體流量調整部121～氣體流量調整部127相同的結構及功能。
氣體流量調整部121D對從圖9（a）所示的區域AB1、區域AB3中所包含的多個氣體噴出口30中噴出的氣體的流量進行調整。氣體流量調整部122D對從圖9（a）所示的區域AB2中所包含的多個氣體噴出口30中噴出的氣體的流量進行調整。
（電漿處理裝置1D的氣體的流動） 圖12（b）中，與圖5同樣地省略一部分的構成。如圖12（b）所示，電漿處理裝置1D更包括氣體供給部130以及氣體噴出口31A～氣體噴出口33A。
氣體供給部130藉由氣體的流路而與氣體流量調整部121D連接，對氣體流量調整部121D供給氣體。氣體流量調整部122D設置於氣體流量調整部121D與氣體噴出口31A、氣體噴出口33A之間的氣體的流路。另外，氣體流量調整部121D設置於氣體供給部130與氣體流量調整部122D以及氣體噴出口32A之間的氣體的流路。
如上所述，電漿處理裝置1D藉由氣體流量調整部121D，而對氣體噴出口31A～氣體噴出口33A中所噴出的氣體的總流量進行調整，亦可藉由氣體流量調整部122D，而對氣體噴出口31A～氣體噴出口33A的氣體的流量相對於該總流量的比進行調整。藉此，即便是導入真空容器10內的氣體的種類多的情況，亦容易掌握導入至真空容器10內的氣體的總流量，可降低氣體流量控制部110的控制參數的設定的誤差等。
[利用軟體的實現例] 電漿處理裝置1、電漿處理裝置1A～電漿處理裝置1D的控制區塊（尤其是氣體流量控制部110）可利用形成於積體電路（積體電路（Integrated Circuit，IC）晶片）等的邏輯電路（硬體）來實現，亦可利用軟體來實現。
於後者的情況下，電漿處理裝置1、電漿處理裝置1A～電漿處理裝置1D包括電腦，該電腦將實現各功能的軟體即程式的命令加以實行。該電腦不僅包括例如一個以上的處理器，並且包括儲存有所述程式的電腦可讀取的記錄媒體。而且，所述電腦中，藉由所述處理器從所述記錄媒體中讀取所述程式且實行，而達成本發明的目的。所述處理器例如可使用中央處理單元（Central Processing Unit，CPU）。所述記錄媒體除了例如唯讀記憶體（Read Only Memory，ROM）等「非臨時的有形媒體」以外，還可使用磁帶（tape）、磁碟（disc）、卡（card）、半導體記憶體（semiconductor memory）、可程式的邏輯電路等。另外，亦可更包括將所述程式展開的隨機存取記憶體（Random Access Memory，RAM）等。另外，所述程式亦可經由可傳送該程式的任意傳送媒體（通訊網路或廣播波等）而供給至所述電腦。此外，本發明的一形態亦可以藉由電子傳輸來將所述程式具現化的、嵌入載波中的資料訊號的形態來實現。
本發明並不限定於所述各實施方式，可於申請專利範圍所示的範圍內進行各種變更，於不同的實施方式中分別揭示的技術手段適當組合而獲得的實施方式亦包含於本發明的技術性範圍內。
1、1a、1A、1B、1C、1D‧‧‧電漿處理裝置 10‧‧‧真空容器 11、12‧‧‧側壁 13‧‧‧壁 20‧‧‧天線 21‧‧‧導體部 22‧‧‧電容元件 30、31～37、30a～30j、30B、31A～33A‧‧‧氣體噴出口 40‧‧‧基板 50‧‧‧基板保持器 60‧‧‧平板（電漿生成抑制構件） 70‧‧‧電源 80‧‧‧匹配箱 90‧‧‧電流檢測部 100‧‧‧阻抗控制部 110‧‧‧氣體流量控制部 121～127、121A～123A、121C、122C、121D、122D‧‧‧氣體流量調整部 130‧‧‧氣體供給部 A1～A7、AB1～AB3‧‧‧區域 D1‧‧‧長邊方向 f‧‧‧氣體的流量 Ia、ra、Ta‧‧‧值 L1‧‧‧線 La‧‧‧位置 r‧‧‧成膜速率 R1‧‧‧處理室 T1、T2‧‧‧線
圖1（a）是表示本發明實施方式1的電漿處理裝置的構成的仰視圖，圖1（b）是表示天線20與氣體噴出口30的配置關係的圖。 圖2（a）是表示圖1（a）所示的線L1上的電漿處理裝置的剖面的構成的剖面圖，圖2（b）是表示圖1（a）所示的長邊方向D1的線上的電漿處理裝置的剖面的構成的剖面圖。 圖3是表示圖1（a）所示的電漿處理裝置的電性連接的圖。 圖4是表示與圖3所示的電漿處理裝置不同的另一電漿處理裝置的電性連接的圖。 圖5是表示圖1（a）所示的電漿處理裝置的控制系統的構成的方塊圖。 圖6是表示圖1（a）所示的電漿處理裝置的氣體的流動的構成的方塊圖。 圖7（a）是表示流經天線的電流與成膜速率的關係的圖，圖7（b）是表示氣體的流量與成膜速率的關係的圖。 圖8是表示天線的長邊方向與形成於基板的膜的膜厚度的關係的圖。 圖9（a）是表示本發明實施方式2的電漿處理裝置的構成的仰視圖，圖9（b）是表示本發明實施方式2的另一電漿處理裝置的構成的仰視圖。 圖10（a）是表示圖9（a）所示的電漿處理裝置的控制系統的構成的方塊圖，圖10（b）是表示圖9（a）所示的電漿處理裝置的氣體的流動的構成的方塊圖。 圖11（a）是表示本發明實施方式3的電漿處理裝置的控制系統的構成的方塊圖，圖11（b）是表示本發明實施方式3的電漿處理裝置的氣體的流動的構成的方塊圖。 圖12（a）是表示本發明實施方式4的電漿處理裝置的控制系統的構成的方塊圖，圖12（b）是表示本發明實施方式4的電漿處理裝置的氣體的流動的構成的方塊圖。
1‧‧‧電漿處理裝置
10‧‧‧真空容器
11、12‧‧‧側壁
20‧‧‧天線
30‧‧‧氣體噴出口
60‧‧‧平板(電漿生成抑制構件)
A1~A7‧‧‧區域
D1‧‧‧長邊方向
L1‧‧‧線

Claims (5)

  1. 一種電漿處理裝置，其特徵在於： 包括多個於收納基板的真空容器內以與所述基板相向的方式設置的電漿生成用的天線， 設置有多個氣體噴出口的多個組群，所述多個氣體噴出口相對於所述多個天線的各自的長邊方向而大致垂直，且設置於在所述多個天線相互排列的方向上延伸的線的附近，並且 更包括氣體流量控制部，其對從所述多個氣體噴出口的組群的每一個所噴出的氣體的流量加以控制。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電漿處理裝置，其中 設置於所述真空容器的角部的附近的所述氣體噴出口以從設置於所述角部的附近的所述氣體噴出口所噴出的氣體的流量，多於從設置於所述角部的附近以外的部位的所述氣體噴出口所噴出的氣體的流量的方式來設置。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電漿處理裝置，其中 所述多個天線包含具有將流動電流的導體部與蓄積電荷的電容元件交替地串聯連接的結構的天線，並且 所述多個氣體噴出口包含設置於所述導體部的附近以及所述電容元件的附近的氣體噴出口。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的電漿處理裝置，其中 從相對於設置有所述多個天線的平面而言的法線方向來看，所述多個氣體噴出口設置於所述多個天線的各自之間。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的電漿處理裝置，其中 於所述真空容器內，於所述天線和所述真空容器的壁之間設置有電漿生成抑制構件，所述真空容器的壁相對於所述天線而與所述基板為相反的一側。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05136098A (ja) * 1991-11-15 1993-06-01 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
JP3646901B2 (ja) * 1996-08-26 2005-05-11 株式会社アルバック プラズマ励起用アンテナ、プラズマ処理装置
US20050199186A1 (en) 2004-03-15 2005-09-15 Sungkyunkwan University Inductively coupled plasma apparatus using magnetic field
JP2007234298A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP4817923B2 (ja) * 2006-03-29 2011-11-16 三井造船株式会社 プラズマ生成装置及びプラズマ生成方法
JP2007273818A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ処理装置
JP2007273773A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置のクリーニング方法
JP4745920B2 (ja) 2006-08-28 2011-08-10 三菱重工業株式会社 放電電極、薄膜製造装置、及び太陽電池の製造方法
JP4554694B2 (ja) 2008-03-26 2010-09-29 三井造船株式会社 プラズマ処理装置
WO2010058560A1 (ja) 2008-11-20 2010-05-27 株式会社エバテック プラズマ処理装置
US10242843B2 (en) * 2009-02-10 2019-03-26 HELYSSEN Sàrl Apparatus for large area plasma processing
US9376754B2 (en) * 2009-02-12 2016-06-28 Mitsui Engineering & Shipbuilding Thin film forming method
CN104603928B (zh) * 2012-09-07 2017-08-25 应用材料公司 便携式静电夹盘
JP6030994B2 (ja) * 2013-05-15 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
CN105491780B (zh) * 2014-10-01 2018-03-30 日新电机株式会社 等离子体产生用的天线及具备该天线的等离子体处理装置
JP6603999B2 (ja) * 2015-02-13 2019-11-13 日新電機株式会社 プラズマ処理装置
JP2017010820A (ja) 2015-06-24 2017-01-12 日新電機株式会社 プラズマ処理装置
JP6851188B2 (ja) * 2016-11-28 2021-03-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びシャワーヘッド

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