CN112425269A - 等离子体处理装置 - Google Patents

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CN112425269A CN201980047003.1A CN201980047003A CN112425269A CN 112425269 A CN112425269 A CN 112425269A CN 201980047003 A CN201980047003 A CN 201980047003A CN 112425269 A CN112425269 A CN 112425269A
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酒井敏彦
东大介
中田誓治
安东靖典
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Nissin Electric Co Ltd
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Abstract

本发明实现一种等离子体处理装置，其可使形成于基板的膜的成膜速率及膜厚度均匀。等离子体处理装置(1)包括多个设置于真空容器(10)内的等离子体生成用的天线(20)；设置有多个气体喷出口(30)的多个组群，所述多个气体喷出口(30)相对于多个天线(20)的各自的长边方向(D1)而大致垂直，且设置于在多个天线(20)相互排列的方向上延伸的线(L1)的附近；并且还包括气体流量控制部，其对从多个气体喷出口(30)的组群的每一个所喷出的气体的流量加以控制。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及一种等离子体处理装置。
背景技术
通过生成感应耦合型的等离子体而进行成膜或蚀刻的等离子体处理装置作为现有技术而已知。此种等离子体处理装置例如可列举专利文献1中公开的等离子体处理装置。
专利文献1中公开的等离子体处理装置包括高频天线，其配置于经真空排气且供导入气体的真空容器内。所述等离子体处理装置中，经由配置于沿着高频天线的方向上的多个气体导入口而导入气体。所述等离子体处理装置对收纳于真空容器内的基板进行处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2016-149287号公报(2016年8月18日公开)
发明内容
发明所要解决的问题
然而，专利文献1中公开的等离子体处理装置中，由于气体导入口仅配置于沿着高频天线的方向，故而存在下述问题。具体而言，所述等离子体处理装置中，由于在高频天线的长边方向上的各部位流动的电流的大小产生差异，而存在如下问题：在收纳于真空容器内的基板上形成的膜的成膜速率或者膜厚度变得不均匀。
本发明的一实施例的目的为实现一种可使形成于基板的膜的成膜速率及膜厚度均匀的等离子体处理装置。
解决问题的技术手段
为了解决所述课题，本发明的一实施例的等离子体处理装置包括多个在收纳基板的真空容器内以与所述基板相向的方式设置的等离子体生成用的天线，设置有多个气体喷出口的多个组群，所述多个气体喷出口相对于所述多个天线的各自的长边方向而大致垂直，且设置于在所述多个天线相互排列的方向上延伸的线的附近，并且还包括气体流量控制部，其对从所述多个气体喷出口的组群的每一个中喷出的气体的流量加以控制。
根据所述构成，即便在天线的长边方向上的各部位流动的电流的大小产生差异，也通过进行下述处理而获得下述效果。具体而言，对从各气体喷出口所喷出的气体的流量加以控制以使在基板的各部位生成的等离子体变得均匀，由此可以使形成于基板的膜的成膜速率及膜厚度均匀。
设置于所述真空容器的角部的附近的所述气体喷出口也可以如下方式来设置，即，从设置于所述角部的附近的所述气体喷出口所喷出的气体的流量多于从设置于所述角部的附近以外的部位的所述气体喷出口所喷出的气体的流量。
根据所述构成，在与其他部位相比，气体的流量容易减少的真空容器的角部的附近，可使气体的流量增多。由此，可使在基板的各部位生成的等离子体更均匀，且可使形成于基板的膜的成膜速率及膜厚度也更均匀。
所述多个天线包含具有将流动电流的导体部与蓄积电荷的电容元件交替地串联连接的结构的天线，所述多个气体喷出口也可包含设置于所述导体部的附近以及所述电容元件的附近的气体喷出口。
根据所述构成，由于气体喷出口是根据天线的规则性结构来设置，故而当对从各气体喷出口所喷出的气体的流量加以控制时，可使在基板的各部位生成的等离子体更容易均匀。另外，即便是在导体部的附近以及电容元件的附近的等离子体的生成产生差异的情况下，也可使等离子体均匀。
从相对于设置有所述多个天线的平面而言的法线方向来看，所述多个气体喷出口也可设置于所述多个天线的各自之间。
根据所述构成，例如，通过对从各气体喷出口所喷出的气体的流量加以控制，可使喷出至多个天线的各自之间的气体的流量均匀。
在所述真空容器内，也可在所述天线和所述真空容器的壁之间设置等离子体生成抑制构件，所述真空容器的壁相对于所述天线而与所述基板为相反的一侧。
根据所述构成，可抑制在天线与真空容器的壁之间生成等离子体。因此，可抑制流经天线的电流经由天线与真空容器的壁之间的空间而从天线流出至真空容器的壁。由此，可使在天线的长边方向上的各部位流动的电流的大小均匀，因此可使在基板的各部位生成的等离子体更均匀，且可使形成于基板的膜的成膜速率及膜厚度更均匀。
发明的效果
根据本发明的一实施例，能够实现一种可使形成于基板的膜的成膜速率及膜厚度均匀的等离子体处理装置。
附图说明
[图1](a)是表示本发明实施方式1的等离子体处理装置的构成的仰视图，(b)是表示天线20与气体喷出口30的配置关系的图。
[图2](a)是表示图1的(a)所示的线L1上的等离子体处理装置的剖面的构成的剖面图，(b)是表示图1的(a)所示的长边方向D1的线上的等离子体处理装置的剖面的构成的剖面图。
[图3]是表示图1的(a)所示的等离子体处理装置的电性连接的图。
[图4]是表示与图3所示的等离子体处理装置不同的另一等离子体处理装置的电性连接的图。
[图5]是表示图1的(a)所示的等离子体处理装置的控制系统的构成的方块图。
[图6]是表示图1的(a)所示的等离子体处理装置的气体的流动的构成的方块图。
[图7](a)是表示流经天线的电流与成膜速率的关系的图，(b)是表示气体的流量与成膜速率的关系的图。
[图8]是表示天线的长边方向与形成于基板的膜的膜厚度的关系的图。
[图9](a)是表示本发明实施方式2的等离子体处理装置的构成的仰视图，(b)是表示本发明实施方式2的另一等离子体处理装置的构成的仰视图。
[图10](a)是表示图9的(a)所示的等离子体处理装置的控制系统的构成的方块图，(b)是表示图9的(a)所示的等离子体处理装置的气体的流动的构成的方块图。
[图11](a)是表示本发明实施方式3的等离子体处理装置的控制系统的构成的方块图，(b)是表示本发明实施方式3的等离子体处理装置的气体的流动的构成的方块图。
[图12](a)是表示本发明实施方式4的等离子体处理装置的控制系统的构成的方块图，(b)是表示本发明实施方式4的等离子体处理装置的气体的流动的构成的方块图。
具体实施方式
〔实施方式1〕
(等离子体处理装置1的构成)
图1的(a)是表示本发明实施方式1的等离子体处理装置1的构成的仰视图，图1的(b)是表示天线20与气体喷出口30的配置关系的图。此外，图1的(a)表示真空容器10的除底面之外的状态。另外，图1的(a)及图1的(b)中，省略后述的基板40及基板保持器50。
图2的(a)是表示图1的(a)所示的线L1上的等离子体处理装置1的剖面的构成的剖面图，图2的(b)是表示图1的(a)所示的长边方向D1的线上的等离子体处理装置1的剖面的构成的剖面图。此外，等离子体处理装置1中，将设置有气体喷出口30的一侧称为上方，且将设置有基板保持器50的一侧称为下方。
如图1及图2所示，等离子体处理装置1包括真空容器10、多个天线20、基板保持器50、平板60、电源70、以及匹配箱(matching box)80。等离子体处理装置1使用感应耦合型的等离子体，对配置于真空容器10内的基板40实施处理。等离子体处理装置1在利用等离子体辅助化学气相沉积(plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition，CVD)法来进行膜形成的情况下也称为等离子体CVD装置，在进行蚀刻的情况下也称为等离子体蚀刻装置，在进行灰化的情况下也称为等离子体灰化装置，在进行溅射的情况下也称为等离子体溅射装置。
真空容器10例如为金属制的容器，其内部是由真空排气装置(未图示)进行真空排气。真空容器10电性接地。如图2的(a)及图2的(b)所示，在真空容器10内配置有天线20及基板保持器50。
天线20为等离子体生成用的直线状的天线，如图2的(a)及图2的(b)所示，在真空容器10内，以与基板40相向的方式来设置。具体而言，天线20是在真空容器10内的基板40的上方，以沿着基板40的表面的方式(例如与基板40的表面实质上平行地)配置。将多个天线20，以沿着基板40的方式(例如与基板40的表面实质上平行地)并列配置。
若如上所述，则可在更广的范围内产生均匀性良好的等离子体，可对应于更大型的基板40的处理。图1的(a)中，示出配置有6根天线20的例子，但并不限定于此。
如图1的(a)所示，天线20的两端部附近分别贯通真空容器10的相互相向的一对侧壁11、12。在使天线20的两端部向真空容器10之外贯通的部分，分别设置有绝缘构件(未图示)。天线20的两端部贯通所述各绝缘构件，所述贯通部是利用例如衬垫(packing)(未图示)来真空密封。经由所述绝缘构件，天线20是以相对于真空容器10的相对向的侧壁11、侧壁12而电性绝缘的状态被支持。各绝缘构件与真空容器10之间也是利用例如衬垫(未图示)来真空密封。
另外，各天线20的材质例如为铜、铝、这些的合金、不锈钢等，但并不限定于这些材质。此外，也可通过将天线20设为中空，在其中流动冷却水等冷媒，而将天线20冷却。
如图1的(a)所示，多个天线20在真空容器10内相互平行地配置多个。另外，如图1的(b)所示，多个天线20包含具有将电流所流动的导体部21与蓄积电荷的电容元件22交替地串联连接的结构的天线。即，多个天线20中，也可存在不具有所述结构的天线。此外，导体部21例如可为铜，电容元件22为电容器。
如图1的(a)所示，多个气体喷出口30相对于多个天线20的各自的长边方向D1而大致垂直，且设置于在多个天线20相互排列的方向上延伸的线L1的附近。另外，多个气体喷出口30的组群设置有多个。所谓多个气体喷出口30的组群，是指设置于后述各区域A1～区域A7的每一个中的多个气体喷出口30的组群。
所谓相对于多个天线20的各自的长边方向D1而大致垂直，是指以可使形成于基板40的膜的成膜速率及膜厚度均匀的程度而大致垂直。另外，所谓气体喷出口30设置于线L1的附近，是指以可使形成于基板40的膜的成膜速率及膜厚度均匀的程度，气体喷出口30设置于线L1的附近。
另外，如图2的(a)所示，气体喷出口30设置于真空容器10的内表面的上方。具体而言，气体喷出口30设置于相对于天线20而与基板40为相反的一侧的真空容器10的壁13。各气体喷出口30的位置也可仅错开由加工精度所引起的误差的程度。从气体喷出口30中喷出的气体例如为SiH4，但并不限定于此。
如图1的(b)所示，多个气体喷出口30包含设置于导体部21的附近以及电容元件22的附近的气体喷出口。由此，由于气体喷出口30是根据天线20的规则性结构来设置，故而当对从各气体喷出口30中喷出的气体的流量加以控制时，可使在基板40的各部位生成的等离子体更容易均匀。另外，即便在导体部21的附近以及电容元件22的附近的等离子体的生成产生差异的情况下，也可使等离子体均匀。
所谓气体喷出口30设置于导体部21的附近以及电容元件22的附近，是指以可使在基板40的各部位生成的等离子体更容易均匀的程度，气体喷出口30设置于导体部21的附近以及电容元件22的附近。
另外，如图1的(a)所示，从相对于设置有多个天线20的平面而言的法线方向来看，多个气体喷出口30设置于多个天线20的各自之间。由此，例如，通过对从各气体喷出口30中喷出的气体的流量加以控制，可使喷出至多个天线20的各自之间的气体的流量均匀。
基板40收纳于真空容器10内，且配置于基板保持器50之上。基板40例如为：液晶显示器或有机电致发光(electroluminescence，EL)显示器等平板显示器(flat paneldisplay，FPD)用的基板、或者可挠性显示器用的可挠性基板等。另外，对基板40实施的处理例如为利用等离子体CVD法的膜形成、蚀刻、灰化、或者溅射等。
基板保持器50保持基板40，且设置于真空容器10内。基板保持器50安装于真空容器10的底面。如图2的(b)所示，平板60在真空容器10的内表面的上方设置有多个。具体而言，多个平板60在真空容器10内，设置于天线20与真空容器10的壁13之间，所述真空容器10的壁13相对于天线20而与基板40为相反的一侧。
各平板60也可为等离子体生成抑制构件，其一部分或整体也可包括电介质。平板60是以与各天线20分别相向的方式来配置的平板状。多个平板60可无间隙地铺满而配置，也可相互空开间隙而配置。此外，平板60也可包括单一的平板构件。
平板60的材质优选为低介电常数的材质，例如为氧化铝、碳化硅、氮化硅等陶瓷、石英玻璃、无碱玻璃、其他的无机材料、或者硅等。由此，天线20与真空容器10的壁13之间的静电电容变得更小，穿过平板60而从天线20向真空容器10的壁13流出的高频电流变得更小。
通过以上，可抑制在天线20与真空容器10的壁13之间生成等离子体。因此，可抑制流经天线20的电流经由天线20与真空容器10的壁13之间的空间，而从天线20流出至真空容器10的壁13。由此，可使在天线20的长边方向D1上的各部位流动的电流的大小均匀，因此可使在基板40的各部位生成的等离子体更均匀，且可使形成于基板40的膜的成膜速率及膜厚度也更均匀。
另外，如图2的(a)所示，在真空容器10的壁以及平板60形成孔，气体喷出口30由形成于真空容器10的壁的孔、以及形成于平板60的孔形成。
电源70是将用以在真空容器10内生成感应耦合型等离子体的高频，经由匹配箱80而对天线20施加的电源。电源70经由匹配箱80而与天线20电性连接。此外，通过从电源70对天线20施加高频，则在天线20流动高频电流，在真空容器10内产生感应电场而生成感应耦合型的等离子体。图2的(b)中，示出设置有一个电源70的例子，但并不限定于此。
根据以上，等离子体处理装置1中，相对于多个天线20的各自的长边方向D1而大致垂直，且于在多个天线20相互排列的方向上延伸的线L1的附近，设置多个气体喷出口30。
由此，即便在天线20的长边方向D1上的各部位流动的电流的大小产生差异，也通过进行下述处理而获得下述效果。具体而言，例如，对从各气体喷出口30中喷出的气体的流量加以控制以使在基板40的各部位生成的等离子体变得均匀，由此可以使形成于基板40的膜的成膜速率、膜厚度及膜质均匀。
此外，在天线20的长边方向D1上的各部位流动的电流的大小产生差异的原因可列举：经由等离子体而在真空容器10的壁、以及邻接的天线20流动电流。
(等离子体处理装置1的电性连接)
图3是表示等离子体处理装置1的电性连接的图。此外，图3中，省略真空容器10、气体喷出口30、基板40、基板保持器50、以及平板60。如图3所示，等离子体处理装置1还包括六个电流检测部90以及六个阻抗控制部100。电流检测部90例如为电阻，用以检测流经天线20的电流。阻抗控制部100是控制阻抗的电路或者元件。
如图3所示，电源70与匹配箱80电性连接，匹配箱80与六个阻抗控制部100电性连接。六个阻抗控制部100分别与六个电流检测部90电性连接。即，六个阻抗控制部100与六个电流检测部90是一对一地对应。六个电流检测部90分别与六个天线20电性连接。即，六个电流检测部90与六个天线20是一对一地对应。
此外，图3中，示出设置有六个电流检测部90、六个阻抗控制部100的例子，但并不限定于此。天线20的与和电流检测部90连接的一侧为相反的一侧是与接地连接。
(等离子体处理装置1a的电性连接)
图4是表示与图3所示的等离子体处理装置1不同的另一等离子体处理装置1a的电性连接的图。如图4所示，等离子体处理装置1a与等离子体处理装置1相比，不同之处在于邻接的天线20相互经由电气配线而连接。具体而言，邻接的两个天线20中的其中一个天线20的一端与电流检测部90电性连接，所述天线20的另一端与邻接的两个天线20中的另一个天线20的一端电性连接。即，邻接的两个天线20串联连接。
通过邻接的两个天线20串联连接，可使电流检测部90及阻抗控制部100的数量减半。即，电流检测部90及阻抗控制部100的数量分别成为三个。由此，可削减等离子体处理装置1a的制造成本。
(等离子体处理装置1的控制系统的构成)
图5是表示等离子体处理装置1的控制系统的构成的方块图。此外，图5中，省略真空容器10、天线20、气体喷出口30、基板40、基板保持器50、平板60、电源70、匹配箱80、电流检测部90、以及阻抗控制部100。如图5所示，等离子体处理装置1还包括气体流量控制部110以及气体流量调整部121～气体流量调整部127。
气体流量控制部110通过对气体流量调整部121～气体流量调整部127加以控制，来调整穿过气体流量调整部121～气体流量调整部127的气体的流量。具体而言，气体流量控制部110针对每个气体流量调整部来决定气体的流量，对气体流量调整部121～气体流量调整部127发送表示气体的流量的信号。
气体流量调整部121～气体流量调整部127具有对穿过自身的气体的流量进行调整的机构。具体而言，气体流量调整部121～气体流量调整部127分别可为例如质量流量控制器(mass flow controller)或者针阀(needle valve)等。气体流量调整部121～气体流量调整部127分别基于从气体流量控制部110接收的信号，对从图1的(a)所示的区域A1～区域A7分别所包含的多个气体喷出口30中喷出的气体的流量进行调整。
例如，气体流量调整部121对从区域A1内所包含的多个气体喷出口30中喷出的气体的流量进行调整。即，通过一个气体流量调整部，对从天线20的长边方向D1上的位置彼此相等的气体喷出口30中喷出的气体的流量进行批次调整。
由此，可削减气体流量控制部110所控制的气体流量调整部的数量，因此可削减气体流量控制部110的控制参数的数量，可简化气体流量控制部110的控制。另外，由于气体流量调整部的数量削减，故而可削减等离子体处理装置1的制造成本。
另外，气体流量调整部121～气体流量调整部127分别通过气体的流路而与区域A1～区域A7分别所包含的多个气体喷出口30连接。例如，气体流量调整部121通过气体的流路而与区域A1内所包含的多个气体喷出口30连接。
此外，在区域A1～区域A7的每一个区域内，多个气体喷出口30可喷出彼此等量的气体，也可喷出彼此不同的量的气体。在区域A1内所包含的多个气体喷出口30喷出彼此不同的量的气体的情况下，例如，也可使从位于真空容器10的角部的附近的气体喷出口30中喷出的气体的量，多于从位于其他部位的气体喷出口30中喷出的气体的量。即，也可在相对于长边方向D1而垂直的方向上，使从上下的两个气体喷出口30中喷出的气体的量多于从位于其他部位的气体喷出口30中喷出的气体的量。
根据以上，气体流量控制部110对从多个气体喷出口30的组群的每一个中喷出的气体的流量加以控制。由此，例如，气体流量控制部110对从各气体喷出口30中喷出的气体的流量加以控制以使在基板40的各部位生成的等离子体变得均匀，由此可以使形成于基板40的膜的成膜速率、膜厚度及膜质均匀。
(等离子体处理装置1的气体的流动)
图6是表示等离子体处理装置1的气体的流动的构成的方块图。此外，图6中，与图5同样地省略一部分的构成。如图6所示，等离子体处理装置1还包括气体供给部130以及气体喷出口31～气体喷出口37。
气体喷出口31～气体喷出口37分别表示图1的(a)所示的区域A1～区域A7内所包含的所有气体喷出口30。例如，气体喷出口31表示区域A1内所包含的所有气体喷出口30。
气体供给部130例如为气体钢瓶，通过气体的流路而与气体流量调整部121～气体流量调整部127连接，对气体流量调整部121～气体流量调整部127供给气体。气体流量调整部121～气体流量调整部127分别设置于气体供给部130与气体喷出口31～气体喷出口37之间的气体的流路。气体喷出口31～气体喷出口37分别与处理室R1连接。所谓处理室R1，是指真空容器10的内部的空间，且为实施基板40的成膜处理的空间。
(流经天线20的电流与成膜速率的关系)
图7的(a)是表示流经天线20的电流与成膜速率的关系的图。图7的(a)中，横轴是利用流经天线20的电流的6点的平均值来加以标准化而得的值Ia，纵轴是利用成膜速率的6点的平均值来加以标准化而得的值ra。
如图7的(a)所示，流经天线20的电流越大，成膜速率也越大。即，流经天线20的电流与成膜速率之间存在相关性。因此，于在天线20的长边方向D1上的各部位流动的电流的大小产生差异的情况下，存在基板40的各部位的成膜速率变得不均匀的情况。
(气体的流量与成膜速率的关系)
图7的(b)是表示气体的流量与成膜速率的关系的图。图7的(b)中，横轴为气体的流量f(sccm)，纵轴为成膜速率r(nm/min)。
如图7的(b)所示，气体的流量f越大，成膜速率r也越大。因此，于在天线20的长边方向D1上的各部位流动的电流的大小产生差异的情况下，若通过气体流量控制部110的控制，而在基板40的成膜速率小的部位增大气体的流量f，则可使基板40的各部位的成膜速率均匀。
(天线20的长边方向与膜厚度的关系)
图8是表示天线20的长边方向与形成于基板40的膜的膜厚度的关系的图。图8中，横轴为天线20的长边方向D1上的位置LA(mm)，纵轴为利用形成于基板40的膜的膜厚度的7点的平均值来加以标准化而得的值Ta。
另外，图8的上部的箭头表示气体喷出口30a～气体喷出口30j的位置。气体喷出口30a、气体喷出口30j位于天线20的两端的附近(真空容器10的侧壁11、侧壁12的附近)，气体喷出口30b～气体喷出口30i位于天线20的中央部分的附近。
图8中，线T1表示将气体喷出口30a、气体喷出口30j的气体的设定流量设定为气体喷出口30b～气体喷出口30i的气体的设定流量的3.2倍的情况下的结果。线T2表示将气体喷出口30a、气体喷出口30j的气体的设定流量设定为气体喷出口30b～气体喷出口30i的气体的设定流量的2.2倍的情况下的结果。气体的设定流量是从由气体流量控制部110所设定的各气体喷出口30a～气体喷出口30j中喷出的气体的流量的设定值。
在线T1的情况下，由极大-极小(MAX-MIN)法所得的膜的膜厚度的均匀性成为11.4％，在线T2的情况下，由极大-极小法所得的膜的膜厚度的均匀性成为6.4％。因此，在线T2的情况下，较线T1的情况而言，膜的膜厚度的均匀性提高。由此，通过利用气体流量控制部110来决定从各气体喷出口中喷出的气体的流量的设定值，可使形成于基板40的膜的膜厚度更均匀。
〔实施方式2〕
图9的(a)是表示本发明实施方式2的等离子体处理装置1A的构成的仰视图，图9的(b)是表示本发明实施方式2的另一等离子体处理装置1B的构成的仰视图。此外，为了便于说明，对于与所述实施方式中所说明的构件具有相同的功能的构件，标记相同符号，不重复其说明。另外，图9的(a)及图9的(b)表示真空容器10的除底面之外的状态。
如图9的(a)所示，等离子体处理装置1A与等离子体处理装置1相比，真空容器10的角部的附近的气体喷出口30的结构不同。具体而言，等离子体处理装置1A中，设置于真空容器10的角部的附近的气体喷出口30的数量多于设置于所述角部的附近以外的部位的气体喷出口30的数量。图9的(a)中，设置于真空容器10的角部的附近的气体喷出口30的数量为两个，设置于所述角部的附近以外的部位的气体喷出口30的数量为一个。
另外，也如图9的(b)所示，等离子体处理装置1B与等离子体处理装置1相比，真空容器10的角部的附近的气体喷出口30的结构不同。具体而言，等离子体处理装置1B中，设置于真空容器10的角部的附近的气体喷出口30B的直径的大小大于设置于所述角部的附近以外的部位的气体喷出口30的直径的大小。
如上所述，等离子体处理装置1A、等离子体处理装置1B中，气体喷出口30以下述方式设置。具体而言，设置于真空容器10的角部的附近的气体喷出口30以从设置于所述角部的附近的气体喷出口30中喷出的气体的流量，多于从设置于所述角部的附近以外的部位的气体喷出口30中喷出的气体的流量的方式来设置。
因此，在与其他部位相比，气体的流量容易减少的真空容器10的角部的附近，可使气体的流量增多。由此，可使在基板40的各部位生成的等离子体更均匀。可使形成于基板40的膜的成膜速率、膜厚度及膜质也更均匀。
此外，所谓气体喷出口30设置于真空容器10的角部的附近，是指以可使形成于基板40的膜的成膜速率及膜厚度也更均匀的程度，气体喷出口30设置于真空容器10的角部的附近。
(等离子体处理装置1A的控制系统的构成)
图10的(a)是表示等离子体处理装置1A的控制系统的构成的方块图。此外，图10的(a)中，与图5同样地省略一部分的构成。如图10的(a)所示，等离子体处理装置1A还包括气体流量控制部110以及气体流量调整部121A～气体流量调整部123A。
气体流量控制部110通过对气体流量调整部121A～气体流量调整部123A加以控制，来调整穿过气体流量调整部121A～气体流量调整部123A的气体的流量。气体流量调整部121A～气体流量调整部123A具有与气体流量调整部121～气体流量调整部127相同的结构及功能。
气体流量调整部121A～气体流量调整部123A分别对从图9的(a)所示的区域AB1～区域AB3分别所包含的多个气体喷出口30中喷出的气体的流量进行调整。例如，气体流量调整部121A对从区域AB1内所包含的多个气体喷出口30中喷出的气体的流量进行调整。此外，图9的(b)所示的等离子体处理装置1B也可包括与等离子体处理装置1A相同的控制系统的构成。
(等离子体处理装置1A的气体的流动)
图10的(b)是表示等离子体处理装置1A的气体的流动的构成的方块图。此外，图10的(b)中，与图5同样地省略一部分的构成。如图10的(b)所示，等离子体处理装置1A还包括气体供给部130以及气体喷出口31A～气体喷出口33A。
气体喷出口31A～气体喷出口33A分别表示图9的(a)所示的区域AB1～区域AB3内所包含的所有气体喷出口30。例如，气体喷出口31A表示区域AB1内所包含的所有气体喷出口30。
气体供给部130通过气体的流路而与气体流量调整部121A～气体流量调整部123A连接，对气体流量调整部121A～气体流量调整部123A供给气体。气体流量调整部121A～气体流量调整部123A分别设置于气体供给部130与气体喷出口31A～气体喷出口33A之间的气体的流路。此外，图9的(b)所示的等离子体处理装置1B也可包括与等离子体处理装置1A相同的气体的流动的构成。
如上所述，等离子体处理装置1A中，区域AB1～区域AB3的大小可彼此不相同，也可在小于其他部位的区域，对设置于气体的流量容易减少的真空容器10的侧壁11、侧壁12的附近的气体喷出口30进行控制。即，等离子体处理装置1A中，也可使区域AB1、区域AB3的大小比区域AB2的大小更小。由此，可更削减气体流量控制部110所控制的气体流量调整部的数量，因此可更削减气体流量控制部110的控制参数的数量，可更简化气体流量控制部110的控制。另外，由于气体流量调整部的数量更削减，故而可更削减等离子体处理装置1的制造成本。
〔实施方式3〕
图11的(a)是表示本发明实施方式3的等离子体处理装置1C的控制系统的构成的方块图，图11的(b)是表示本发明实施方式3的等离子体处理装置1C的气体的流动的构成的方块图。此外，为了便于说明，对于与所述实施方式中所说明的构件具有相同的功能的构件，标记相同的符号，不重复其说明。
(等离子体处理装置1C的控制系统的构成)
图11的(a)中，与图5同样地省略一部分的构成。如图11的(a)所示，等离子体处理装置1C还包括气体流量控制部110以及气体流量调整部121C、气体流量调整部122C。等离子体处理装置1C的结构也可在图9的(a)所示的范围内与等离子体处理装置1A相同。
气体流量控制部110通过对气体流量调整部121C、气体流量调整部122C加以控制，来调整穿过气体流量调整部121C、气体流量调整部122C的气体的流量。气体流量调整部121C、气体流量调整部122C具有与气体流量调整部121～气体流量调整部127相同的结构及功能。
气体流量调整部121C对从图9的(a)所示的区域AB1、区域AB3中所包含的多个气体喷出口30中喷出的气体的流量进行调整。气体流量调整部122C对从图9的(a)所示的区域AB2中所包含的多个气体喷出口30中喷出的气体的流量进行调整。
(等离子体处理装置1C的气体的流动)
图11的(b)中，与图5同样地省略一部分的构成。如图11的(b)所示，等离子体处理装置1C还包括气体供给部130以及气体喷出口31A～气体喷出口33A。
气体供给部130通过气体的流路而与气体流量调整部121C、气体流量调整部122C连接，对气体流量调整部121C、气体流量调整部122C供给气体。气体流量调整部121C设置于气体供给部130与气体喷出口31A、气体喷出口33A之间的气体的流路。气体流量调整部122C设置于气体供给部130与气体喷出口32A之间的气体的流路。
如上所述，等离子体处理装置1C也可通过一个气体流量调整部121C，来调整从设置于气体的流量容易减少的真空容器10的两侧的侧壁11、侧壁12的附近的气体喷出口31A、气体喷出口33A中喷出的气体的流量。由此，与等离子体处理装置1A相比，可更削减气体流量控制部110所控制的气体流量调整部的数量，因此可更简化气体流量控制部110的控制，可更削减等离子体处理装置1C的制造成本。
〔实施方式4〕
图12的(a)是表示本发明实施方式4的等离子体处理装置1D的控制系统的构成的方块图，图12的(b)是表示本发明实施方式4的等离子体处理装置1D的气体的流动的构成的方块图。此外，为了便于说明，对于与所述实施方式中所说明的构件具有相同的功能的构件，标记相同的符号，不重复其说明。
(等离子体处理装置1D的控制系统的构成)
图12的(a)中，与图5同样地省略一部分的构成。如图12的(a)所示，等离子体处理装置1D还包括气体流量控制部110以及气体流量调整部121D、气体流量调整部122D。等离子体处理装置1D的结构也可在图9的(a)所示的范围内与等离子体处理装置1A相同。
气体流量控制部110通过对气体流量调整部121D、气体流量调整部122D加以控制，来调整穿过气体流量调整部121D、气体流量调整部122D的气体的流量。气体流量调整部121D、气体流量调整部122D具有与气体流量调整部121～气体流量调整部127相同的结构及功能。
气体流量调整部121D对从图9的(a)所示的区域AB1、区域AB3中所包含的多个气体喷出口30中喷出的气体的流量进行调整。气体流量调整部122D对从图9的(a)所示的区域AB2中所包含的多个气体喷出口30中喷出的气体的流量进行调整。
(等离子体处理装置1D的气体的流动)
图12的(b)中，与图5同样地省略一部分的构成。如图12的(b)所示，等离子体处理装置1D还包括气体供给部130以及气体喷出口31A～气体喷出口33A。
气体供给部130通过气体的流路而与气体流量调整部121D连接，对气体流量调整部121D供给气体。气体流量调整部122D设置于气体流量调整部121D与气体喷出口31A、气体喷出口33A之间的气体的流路。另外，气体流量调整部121D设置于气体供给部130与气体流量调整部122D以及气体喷出口32A之间的气体的流路。
如上所述，等离子体处理装置1D通过气体流量调整部121D，而对气体喷出口31A～气体喷出口33A中所喷出的气体的总流量进行调整，也可通过气体流量调整部122D，而对气体喷出口31A～气体喷出口33A的气体的流量相对于所述总流量的比进行调整。由此，即便是导入真空容器10内的气体的种类多的情况，也容易掌握导入至真空容器10内的气体的总流量，可降低气体流量控制部110的控制参数的设定的误差等。
[利用软件的实现例]
等离子体处理装置1、等离子体处理装置1A～等离子体处理装置1D的控制区块(尤其是气体流量控制部110)可利用形成于集成电路(集成电路(Integrated Circuit，IC)芯片)等的逻辑电路(硬件)来实现，也可利用软件来实现。
在后者的情况下，等离子体处理装置1、等离子体处理装置1A～等离子体处理装置1D包括计算机，所述计算机将实现各功能的软件即程序的命令加以实行。所述计算机不仅包括例如一个以上的处理器，并且包括存储有所述程序的计算机可读取的记录媒体。而且，所述计算机中，通过所述处理器从所述记录媒体中读取所述程序且实行，而实现本发明的目的。所述处理器例如可使用中央处理器(Central Processing Unit，CPU)。所述记录媒体除了例如只读存储器(Read Only Memory，ROM)等“非临时的有形媒体”以外，还可使用磁带(tape)、磁盘(disc)、卡(card)、半导体存储器(semiconductor memory)、可编程的逻辑电路等。另外，也可还包括将所述程序展开的随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)等。另外，所述程序也可经由可传送所述程序的任意传送媒体(通信网络或广播波等)而供给至所述计算机。此外，本发明的一实施例也可以通过电子传输来将所述程序具现化的、嵌入载波中的数据信号的形态来实现。
本发明并不限定于所述各实施方式，可在权利要求所示的范围内进行各种变更，将在不同的实施方式中分别公开的技术手段适当组合而获得的实施方式也包含于本发明的技术性范围内。
符号的说明
1、1a、1A、1B、1C、1D：等离子体处理装置
10：真空容器
13：壁
20：天线
21：导体部
22：电容元件
30、31～37、30a～30j、30B、31A～33A：气体喷出口
40：基板
60：平板(等离子体生成抑制构件)
110：气体流量控制部
D1：长边方向
L1：线

Claims (5)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于：
包括多个在收纳基板的真空容器内以与所述基板相向的方式设置的等离子体生成用的天线，
设置有多个气体喷出口的多个组群，所述多个气体喷出口相对于所述多个天线的各自的长边方向而大致垂直，且设置于在所述多个天线相互排列的方向上延伸的线的附近，并且
还包括气体流量控制部，其对从所述多个气体喷出口的组群的每一个所喷出的气体的流量加以控制。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于
设置于所述真空容器的角部的附近的所述气体喷出口以从设置于所述角部的附近的所述气体喷出口所喷出的气体的流量，多于从设置于所述角部的附近以外的部位的所述气体喷出口所喷出的气体的流量的方式来设置。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于
所述多个天线包含具有将流动电流的导体部与蓄积电荷的电容元件交替地串联连接的结构的天线，并且
所述多个气体喷出口包含设置于所述导体部的附近以及所述电容元件的附近的气体喷出口。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于
从相对于设置有所述多个天线的平面而言的法线方向来看，所述多个气体喷出口设置于所述多个天线的各自之间。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于
在所述真空容器内，在所述天线和所述真空容器的壁之间设置有等离子体生成抑制构件，所述真空容器的壁相对于所述天线而与所述基板为相反的一侧。
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