TW202006082A - 膜的製造方法、有機ｅｌ元件的製造方法及膜製造用的印墨組成物套組 - Google Patents

Abstract

一種膜的製造方法，係具備：印墨準備步驟，係準備第1印墨組成物及第2印墨組成物，前述第1印墨組成物及第2印墨組成物係含有互相相異的固形份種類，且試驗膜之平坦度R皆為60%以上；第1塗佈步驟，係在前述基板之第1區域塗佈前述第1印墨組成物，而形成第1塗佈層；第2塗佈步驟，係在與前述基板之前述第1區域相異之第2區域塗佈前述第2印墨組成物，而形成第2塗佈層；乾燥步驟，係在前述第1塗佈步驟及前述第2塗佈步驟之後，將前述基板放入乾燥爐內，使前述第1塗佈層及前述第2塗佈層乾燥，而形成第1膜及第2膜；在前述印墨準備步驟中，以使第1主溶劑及第2主溶劑的種類相同之方式，準備前述第1印墨組成物及前述第2印墨組成物。

Description

膜的製造方法、有機EL元件的製造方法及膜製造用的印墨組成物套組

本發明係關於膜的製造方法及有機EL元件的製造方法，且亦關於膜製造用的印墨組成物套組。

有機EL元件(有機電致發光元件)的發光效率高且驅動電壓低，故可適合用於顯示器及照明用途。有機EL元件具備發光層、電荷輸送層等有機層。藉由使用於溶劑中溶解有有機EL材料(有機電致發光材料)等高分子化合物之有機EL元件用組成物，並使用以噴墨印刷法為代表之吐出型塗佈法，而可形成有機層。

國際公開2013/088744號記載藉由調整塗佈複數種印墨的時機，而可抑制像素間的剖面形狀不一致。

本發明人等發現，使用複數種印墨組成物製造膜時，若進行共同乾燥，則會因印墨組成物種類不同而產生膜平坦性的差異。但使用複數種印墨組成物製造膜時，若因應印墨組成物種類而採用相異乾燥條件，則乾燥步驟會複雜化。

本發明目的在於提供一種膜的製造方法、有機EL元件的製造方法、及膜製造用的印墨組成物套組，該膜的製造方法即使當使用複數種印墨組成物並藉由共同乾燥使製造膜乾燥時，亦可製造平坦性優異之複數種膜。

本發明提供以下所示之膜的製造方法、有機EL元件的製造方法及膜製造用的印墨組成物套組。

〔1〕一種膜的製造方法，係在基板表面製造第1膜及第2膜，並具備下列步驟：

印墨準備步驟，係準備第1印墨組成物及第2印墨組成物，前述第1印墨組成物及第2印墨組成物係含有互相相異的固形份種類，且試驗膜之平坦度R皆為60%以上；

第1塗佈步驟，係在前述基板之第1區域塗佈前述第1印墨組成物，而形成第1塗佈層；

第2塗佈步驟，係在與前述基板之前述第1區域相異之第2區域塗佈前述第2印墨組成物，而形成第2塗佈層；及

乾燥步驟，係在前述第1塗佈步驟及前述第2塗佈步驟之後，將前述基板放入乾燥機內，使前述第1塗佈層及前述第2塗佈層乾燥，而形成第1膜及第2膜；

在前述印墨準備步驟中，以使第1主溶劑及第2主溶劑的種類相同之方式，準備前述第1印墨組成物及前述第2印墨組成物，前述第1主溶劑相對於前述第1印墨組成物之溶劑總量含有5質量%以上，前述第2主溶劑相對於前述第2印墨組成物之溶劑總量含有5質量%以上，

前述試驗膜為在試驗基板塗佈印墨組成物並形成試驗塗佈層，將前述試驗基板放入前述乾燥機內，以前述乾燥步驟的乾燥條件使前述試驗塗佈層乾燥而得的膜，

在前述試驗膜中，將全區域的面積設為A(μm²)，將當最小膜厚被設為T_min(nm)時膜厚為T_min+10nm以下之區域的面積設為B(μm²)時，前述平坦度R(%)係以下式計算，

R=(B/A)×100。

〔2〕如〔1〕所記載之膜的製造方法，其中在前述印墨準備步驟中，以使前述第1主溶劑及前述第2主溶劑的種類相同且各成分含有比率相異之方式，準備前述第1印墨組成物及前述第2印墨組成物。

〔3〕如〔1〕或〔2〕所記載之膜的製造方法，其中前述第1主溶劑及前述第2主溶劑係含有式(1)所示化合物。

[式(1)中，R¹表示碳數為10至12之烷基。]

〔4〕如〔1〕至〔3〕中任一項所記載之膜的製造方法，其中前述第1主溶劑及前述第2主溶劑除了式(1)所示化合物以外係含有芳香族烴。

[式(1)中，R¹表示碳數為10至12之烷基。]

〔5〕如〔4〕所記載之膜的製造方法，其中前述芳香族烴係選自由戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、環己苯、及四氫萘所構成之群組。

〔6〕如〔1〕至〔5〕中任一項所記載之膜的製造方法，其中前述第1主溶劑及前述第2主溶劑係含有芳香族醚。

〔7〕如〔6〕所記載之膜的製造方法，其中前述芳香族醚係選自由甲基苯甲醚、二甲基苯甲醚、乙基苯甲醚、丁基苯基醚、丁基苯甲醚、戊基苯甲醚、己基苯甲醚、庚基苯甲醚、辛基苯甲醚、及苯氧基甲苯所構成之群組。

〔8〕如〔1〕至〔7〕中任一項所記載之膜的製造方法，其中前述第1印墨組成物及前述第2印墨組成物係含有互相相異的高分子化合物。

〔9〕如〔8〕所記載之膜的製造方法，其中前述高分子化合物為發光性化合物。

〔10〕一種有機EL元件的製造方法，係含有藉由〔1〕至〔9〕中任一項所記載之膜的製造方法而製造膜之步驟。

〔11〕一種印墨組成物套組，係用於〔1〕至〔9〕中任一項所記載之膜的製造方法者，並至少含有前述第1印墨組成物及前述第2印墨組成物。

從參照附圖及本發明的以下詳細說明，本發明的上述內容及其他目的、特徵、局面及優點將變得顯而易見。

1‧‧‧基板

21‧‧‧第1頭

41‧‧‧第1區域

42‧‧‧第2區域

43‧‧‧間隔壁

第1圖係示意性表示本發明的製造方法之塗佈步驟。

第2圖係表示本發明的製造方法之塗佈步驟後之基板一例之俯視圖。

第3圖係表示(a)實施例1的第1膜之剖面形狀、及(b)試驗膜之剖面形狀的圖。

第4圖係表示(a)實施例1的第2膜之剖面形狀、及(b)試驗膜之剖面形狀的圖。

第5圖係表示(a)實施例2的第1膜之剖面形狀、及(b)試驗膜之剖面形狀的圖。

第6圖係表示(a)實施例2的第2膜之剖面形狀、及(b)試驗膜之剖面形狀的圖。

第7圖係表示(a)比較例1的第1膜之剖面形狀、及(b)試驗膜之剖面形狀的圖。

第8圖係表示(a)比較例1的第2膜之剖面形狀、及(b)試驗膜之剖面形狀的圖。

[膜的製造方法]

本發明為一種膜的製造方法，係在基板表面製造第1膜及第2膜，並具備下列步驟：

印墨準備步驟，係準備第1印墨組成物及第2印墨組成物，前述第1印墨組成物及第2印墨組成物係含有互相相異的固形份種類，且試驗膜之平坦度R皆為60%以上；

第1塗佈步驟，係在前述基板之第1區域塗佈前述第1印墨組成物，而形成第1塗佈層；

第2塗佈步驟，係在與前述基板之前述第1區域相異之第2區域塗佈前述第2印墨組成物，而形成第2塗佈層；

乾燥步驟，係在前述第1塗佈步驟及前述第2塗佈步驟之後，將前述基板放入乾燥機內，使前述第1塗佈層及前述第2塗佈層乾燥，而形成第1膜及第2膜。

本發明之膜的製造方法係關於在基板表面具有至少2種膜(第1膜及第2膜)的膜的製造方法者，亦包括在基板表面具有3種以上膜的膜的製造方法者。

在前述印墨準備步驟中，以使第1主溶劑及第2主溶劑的種類相同之方式，準備前述第1印墨組成物及前述第2印墨組成物，該第1主溶劑相對於前述第1印墨組成物之溶劑總量含有5質量%以上，該第2主溶劑相對於前述第2印墨組成物之溶劑總量含有5質量%以上。

〔基板〕

基板具有第1區域、及與第1區域相異之第2區域。將藉由本發明的製造方法所製造的膜使用作為有機EL元件的要件時，第1區域對應於有機EL元件之第1像素，第2區域對應於有機EL元件之第2像素。此時，作為一態樣，在基板上，第1區域及第2區域係藉由隔壁而劃分，各區域的平面形狀為圓、楕圓、長圓或矩形等。基板只要為形成有機層時不會產生化學性變化者即可，例如為玻璃、塑膠、矽等材料所構成之基板。

〔第1塗佈步驟及第2塗佈步驟〕

參照圖面說明使用噴墨印刷裝置進行之第1塗佈步驟及第2塗佈步驟一例。第1圖表示第1塗佈步驟一例。第1圖中，使用具有互相交互配置之第1區域41及第2區域42的基板1，並進行第1塗佈步驟，該第1塗佈步驟係於第1區域41使用第1印墨組成物，而形成第1塗佈層。在第1塗佈步驟及第2塗佈步驟中使用的噴墨印刷裝置具有吐出第1印墨組成物之第1頭、及吐出第2印墨組成物之第2頭。可使用具有吐出第1印墨組成物之第1頭之第1噴墨印刷裝置進行第1塗佈步驟，並使用具有吐出第2印墨組成物之第2頭之第2噴墨印刷裝置進行第2塗佈步驟。

如第1圖所示，第1塗佈步驟中，基板1搬送至第1頭21下，在對應於第1頭21之第1區域41的位置，從複數吐出用噴嘴吐出第1印墨組成物之液滴，滴入於第1區域41，而形成第1塗佈層。第1圖所示裝置中，一邊將基板1搬送至與第1頭21之配列方向垂直之方向Dd，一邊將第1印墨組成物於第1列(與第1頭21之配列方向平行之方向)之第1區域41僅滴入必要液滴數，而形成第1塗佈層，接著於下一列之第1區域41僅滴入必要液滴數，而形成下一個第1塗佈層。連續進行如此作業， 藉此實施於第1區域41形成第1塗佈層之第1塗佈步驟。又，於基板1上的一列之塗佈所需像素數比第1頭之吐出用噴嘴更多時，藉由使第1頭21在配列方向移動、或使基板1在第1頭21之配列方向移動等方法，而在需塗佈之所有像素進行塗佈。基板1往與第1頭21之配列方向垂直之方向Dd的搬送，係可伴隨往方向Dd相反方向之搬送而來回移動。此時，從第1頭21的吐出可在來回移動的往復兩者間進行，也可僅在往或復中進行。

第1塗佈步驟之後進行第2塗佈步驟。第2塗佈步驟係與第1塗佈步驟同樣地，在對應第2頭之第2區域42的位置，從複數吐出用噴嘴吐出第2印墨組成物之液滴，滴入於第2區域42，而形成第2塗佈層。

第2圖係示意性表示第1塗佈步驟及第2塗佈步驟結束後的基板1之俯視。如第2圖所示，於第1區域41形成有第1塗佈層，於第2區域42形成有第2塗佈層。本實施形態中說明僅使用2種印墨組成物的情形，但即使係使用3種以上印墨組成物的情形，亦可藉由重複相同塗佈步驟而形成3種以上塗佈層。

在塗佈第1塗佈步驟及第2塗佈步驟中使用的印墨之裝置可列舉第1圖所示噴墨印刷裝置等。第1塗佈步驟及第2塗佈步驟並不限定於使用噴墨印刷裝置之噴墨印刷法，可使用噴嘴印刷法、快乾印刷法、膠印印刷法等。

〔乾燥步驟〕

乾燥步驟中，將形成有第1塗佈層及第2塗佈層之基板放入乾燥機內，放置於特定環境下，藉此使第1塗佈層乾燥而形成第1膜，並使第2塗佈層乾燥而形成第2膜。

乾燥步驟中，從形成第1塗佈層之第1印墨組成物及形成第2塗佈層之第2印墨組成物蒸發溶劑並硬化，而形成第1膜及第2膜。

從縮短乾燥步驟時間之觀點而言，乾燥步驟較佳為在減壓下進行乾燥。乾燥步驟的壓力調整係在將基板載置於乾燥機內後，使乾燥機內的壓力從大氣壓逐漸性或階段性降低而進行。從大氣壓到1000Pa的減壓速度例如較佳為1000Pa/秒至30000Pa/秒。乾燥機內(更具體而言為載置基板1的平台上)之溫度較佳為例如進行控制而維持在20℃以上100℃以下的範圍。

〔印墨準備步驟〕

在印墨準備步驟中準備第1印墨組成物及第2印墨組成物。第1印墨組成物及第2印墨組成物係含有互相相異的固形份種類且試驗膜之平坦度R皆為60%以上。

試驗膜係在試驗基板塗佈印墨組成物並形成試驗塗佈層，將試驗基板放入與乾燥步驟相同之乾燥機內，以乾燥步驟的乾燥條件使試驗塗佈層乾燥而得的膜。

在試驗膜中，以全區域面積設為A(μm²)、以最小膜厚作為T_min(nm)時膜厚為T_min+10nm以下之區域面積設為B(μm²)時，平坦度R(%)係以下式計算者。

R=(B/A)×100

又，第1膜及第2膜之平坦度R(%)係以與試驗膜之平坦度R(%)同樣方式計算者。

本發明人等發現，在印墨準備步驟中，即使在準備試驗膜之平坦度R為60%以上之印墨組成物的情形，在乾燥步驟中使用複數種印墨組成物並進行共同乾燥時，會因膜而有平坦度R降低且未達60%的情形，為了解決該課題，本發明人等重複努力檢討，從而完成本發明。

本發明人等發現，在印墨準備步驟中，以使第1主溶劑及第2主溶劑的種類相同之方式，準備第1印墨組成物及第2印墨組成物，該第1主溶劑相對於第1印墨組成物之溶劑總量含有5質量%以上，該第2主溶劑相對於第2印墨組成物之溶劑總量含有5質量%以上，藉此即使在乾燥步驟中進行共同乾燥時，第1膜及第2膜皆具有優異的平坦度R，從而完成本發明。根據本發明，即使在乾燥步驟中進行共同乾燥時，可以使第1膜及第2膜皆具有平坦度R為60%以上之方式而製造。

又，印墨準備步驟中，較佳為以使第1主溶劑及第2主溶劑的種類相同且各成分含有比率相異的方式，準備第1印墨組成物及第2印墨組成物。第1主溶劑及第2主溶劑的種類相同是指例如皆僅溶劑a、溶劑b及溶劑c所構成的情形。第1主溶劑及第2主溶劑的各成分含有比率相異，是指例如比率「溶劑a的含有量：溶劑b的含有量：溶劑的c含有量」在第1主溶劑及第2主溶劑中相異的情形。

第1印墨組成物及第2印墨組成物係含有「固形份(A)」及「溶劑(B)」。本說明書共通使用之用語除非另有說明以外，是指以下所述。

「高分子化合物」是指具有分子量分佈且聚苯乙烯換算之重量平均分子量為1×10³至1×10⁸之聚合物。高分子化合物可為嵌段共聚物、隨機共聚物、交互共聚物、接枝共聚物之任一者、或其他態樣。高分子化合物之末端基若直接殘留聚合活性基，則將高分子化合物用於製作發光元件時，有可能降低發光特性或輝度壽命，故較佳為安定的基。該末端基較佳為與主鏈共軛鍵結的基，可列舉例如經介碳-碳鍵結而與芳基或1價雜環基鍵結的基。

「低分子化合物」是指不具有分子量分佈且分子量為1×10⁴以下之化合物。

「主溶劑」是指相對於溶劑(B)之總量含有5質量%以上之溶劑。「主溶劑」是包括第1印墨組成物中的主溶劑之「第1主溶劑」、及第2印墨組成物中的主溶劑之「第2主溶劑」的總稱。

「印墨組成物」是包括「第1印墨組成物」及「第2印墨組成物」的總稱。

<溶劑(B)>

各印墨組成物中含有的溶劑(B)，較佳為含有至少2種主溶劑。主溶劑較佳為式(1)所示化合物之溶劑(b1)、式(1)所示化合物以外的芳香族烴之溶劑(b2)、及芳香族醚之溶劑(b3)。在此所述「至少2種」的「種」是指化合物的種類，並非指分別分類溶劑(b1)、溶劑(b2)、溶劑(b3)時的類別種類。因此，例如在溶劑(B)中僅含有屬於溶劑(b1)之相異2種化合物作為主溶劑時，為至少含有2種主溶劑。又，溶劑(b1)、溶劑(b2)、溶劑(b3)可作為主溶劑而含有在溶劑(B)中，也可作為主溶劑以外，亦即作為含有 未達5質量%之溶劑而含有。又，各印墨組成物所含有的溶劑(B)可僅含有1種主溶劑。

≪溶劑(b1)≫

溶劑(b1)為式(1)所示。

[式(1)中，R¹表示碳數為10至12之烷基。]

R¹所示碳數為10至12之烷基可為直鏈烷基或支鏈烷基，較佳為直鏈烷基。

R¹較佳為碳數為10之烷基，更佳為碳數為10之直鏈烷基。

R¹所示碳數為10至12之烷基可列舉例如癸基、十一烷基、十二烷基等直鏈烷基；甲基壬基、甲基癸基、甲基十一烷基、二甲基辛基、二甲基壬基、二甲基癸基、三甲基庚基、三甲基辛基、三甲基壬基、四甲基己基、四甲基庚基、四甲基辛基、五甲基己基、五甲基庚基、六甲基己基等支鏈烷基，較佳為癸基、十一烷基、十二烷基、四甲基辛基、五甲基庚基或六甲基己基癸基，更佳為十一烷基或十二烷基，尤佳為1-癸基、2-癸基、3-癸基、4-癸基、5-癸基、1-十一烷基、2-十一烷基、3-十一烷基、1-十二烷基、2-十二烷基、或3-十二烷基，特佳為1-癸基、2-癸基、或3-癸基。

溶劑(b1)可列舉例如癸基苯(沸點：293℃)、十二烷基苯(沸點：331℃)。

各印墨組成物中，溶劑(b1)可單獨含有1種，也可含有2種以上。

≪溶劑(b2)≫

溶劑(b2)是式(1)所示化合物以外的芳香族烴。

溶劑(b2)較佳為總碳數為6至15，更佳為7至15。

溶劑(b2)較佳為含有1個苯環者，更佳為佳為總碳數7至15之經烷基或環烷基取代的苯。

溶劑(b2)可列舉例如甲苯、二甲苯、三甲基苯、乙基苯、二乙基苯、乙基甲基苯、丙基苯、丁基苯、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、二丙基苯、環己苯、四氫萘，因使用本發明之組成物所形成之膜的平坦性更優異，故較佳為戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、環己苯或四氫萘，更佳為庚基苯、辛基苯、壬基苯、環己苯或四氫萘，尤佳為庚基苯、辛基苯、壬基苯或環己苯，特佳為1-庚基苯、1-辛基苯、1-壬基苯、環己苯。

各印墨組成物中，溶劑(b2)可單獨含有1種，也可含有2種以上。

≪溶劑(b3)≫

溶劑(b3)為芳香族醚。

溶劑(b3)較佳為總碳數為7至15。

溶劑(b3)可列舉總碳數為7至15之芳基部位可經烷基取代之烷基芳基醚、總碳數為12至15之可經烷基取代之二芳基醚，較佳為總碳數為7至 15之苯基部位可經烷基取代之烷基苯基醚、總碳數為12至15之可經烷基取代之二苯基醚。

溶劑(b3)可列舉例如苯甲醚、乙基苯基醚、甲基苯甲醚、二甲基苯甲醚、乙基苯甲醚、丁基苯基醚、丁基苯甲醚、戊基苯甲醚、己基苯甲醚、庚基苯甲醚、辛基苯甲醚、1-甲氧基萘、二苯基醚、苯氧基甲苯，其中較佳為甲基苯甲醚、二甲基苯甲醚、乙基苯甲醚、丁基苯基醚、丁基苯甲醚、戊基苯甲醚、己基苯甲醚、庚基苯甲醚、辛基苯甲醚、或苯氧基甲苯，更佳為2-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、2,5-二甲基苯甲醚、2-乙基苯甲醚、4-乙基苯甲醚、或3-苯氧基甲苯，尤佳為2-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、或3-苯氧基甲苯。

印墨組成物中，溶劑(b3)可單獨含有1種，也可含有2種以上。

≪其他溶劑≫

各印墨組成物中可含有溶劑(b1)、溶劑(b2)、溶劑(b3)以外的溶劑(以下稱為「溶劑(b4)」)。溶劑(b4)可作為相對於溶劑(B)之總量含有5質量%以上之主溶劑而含有，也可作為相對於溶劑(B)之總量含有未達5質量%之主溶劑以外的溶劑而含有。

溶劑(b4)可列舉例如脂肪族烴溶劑、一元醇溶劑、多元醇溶劑、酯溶劑、酮溶劑、脂肪族醚溶劑、含氮原子之溶劑、含硫原子之溶劑。

各印墨組成物中，溶劑(b4)可單獨含有1種，也可含有2種以上。

≪最高沸點溶劑≫

各印墨組成物中，主溶劑中沸點為最高之最高沸點溶劑較佳為大氣壓下的沸點為200℃以上。又，最高沸點溶劑較佳為大氣壓下的沸點為350℃以下。最高沸點溶劑較佳為上述溶劑(b1)。最高沸點溶劑在大氣壓下的沸點與主溶劑中大氣壓下的沸點為第2高之溶劑在大氣壓下的沸點的差較佳為10℃以上，更佳為20℃以上，尤佳為30℃以上。最高沸點溶劑之濃度相對於主溶劑總量較佳為5質量%以上60質量%以下，更佳為10質量%以上50質量%以下。

≪溶劑之組成比≫

溶劑(B)一例中，主溶劑含有溶劑(b1)、溶劑(b2)、及溶劑(b3)，有關於溶劑(b1)的含有量：m1(質量)、溶劑(b2)的含有量：m2(質量)、溶劑(b3)的含有量：m3(質量)，因為可提高使用印墨組成物所形成的試驗膜之平坦度，故較佳為滿足以下關係式(1)及(2)。

0.05≦m1/(m1+m2+m3)≦0.60 (1)

0.10≦m2/(m2+m3)≦0.90 (2)

m1表示溶劑(b1)含有2種以上時溶劑(b1)之合計含有量。m2表示溶劑(b2)含有2種以上時溶劑(b2)之合計含有量。m3表示溶劑(b3)含有2種以上時溶劑(b3)之合計含有量。

溶劑(B)若為相對於溶劑(B)之總量未達5質量%之含有量，則可含有沸點比最高沸點溶劑更高的溶劑。又，沸點比最高沸點溶劑更高的溶劑相對於溶劑(B)之總量較佳為單獨未達1質量%，合計未達5質量%。

<固形份(A)>

各印墨組成物所含有固形份(A)較佳為含有高分子化合物，但可含有低分子化合物。固形份(A)含有低分子化合物時，低分子化合物可為發光材料。低分子化合物為發光材料時，以具有優異發光特性之觀點而言，較佳為銥錯合物。又，銥錯合物可不作為低分子化合物，而是可作為含有具有銥錯合物結構之構成單元(亦即，該構成單元具有去除1個以上直接鍵結於構成銥錯合物之碳原子或雜原子的氫原子所成的基。以下稱為「銥錯合物構成單元」)之高分子化合物而含有。

≪共通用語之說明≫

以下共通使用之用語除非另有說明以外，是指以下所述。

Me表示甲基，Et表示乙基，Bu表示丁基，i-Pr表示異丙基，t-Bu表示三級丁基。

氫原子可為氘原子或輕氫原子。

在表示金屬錯合物的式中，表示與中心金屬的鍵結之實線是指共價鍵或配位鍵。

「構成單元」是指在高分子化合物中存在1個以上之單元。

「烷基」可為直鏈及支鏈任一者。直鏈烷基之碳數在不包括取代基之碳數下通常為1至50，較佳為3至30，更佳為4至20。支鏈烷基之碳數在不包括取代基之碳數下通常為3至50，較佳為3至30，更佳為4至20。

烷基可具有取代基，可列舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、三級丁基、戊基、異戊基、2-乙基丁基、己基、庚基、辛基、2-丁基、2-乙基己基、3-丙基庚基、癸基、3,7-二甲基辛基、2-乙基辛基、 2-己基癸基、十二烷基、及該等基中的氫原子經環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、氟原子等取代之基，可列舉例如三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3-苯基丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3,5-二己基苯基)丙基、6-乙基氧己基。

「環烷基」之碳數在不包括取代基之碳數下通常為3至50，較佳為3至30，更佳為4至20。

環烷基可具有取代基，可舉例如環己基、環己基甲基、環己基乙基。

「芳基」是指從芳香族烴去除1個直接鍵結於構成環之碳原子的氫原子所剩下的原子團。芳基之碳數在不包括取代基之碳數下通常為6至60，較佳為6至20，更佳為6至10。

芳基可具有取代基，可列舉例如苯基、1-萘基、2-萘基、1-蔥基、2-蔥基、9-蔥基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-茀基、3-茀基、4-茀基、2-苯基苯基、3-苯基苯基、4-苯基苯基、及該等基中的氫原子經烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、氟原子等取代之基。

「烷氧基」可為直鏈及支鏈任一者。直鏈烷氧基之碳數在不包括取代基之碳數下通常為1至40，較佳為4至10。支鏈烷氧基之碳數在不包括取代基之碳數下通常為3至40，較佳為4至10。

烷氧基可具有取代基，可列舉例如甲氧基、乙氧基、丙基氧基、異丙基氧基、丁基氧基、異丁基氧基、三級丁基氧基、戊基氧基、己基氧基、庚基氧基、辛基氧基、2-乙基己基氧基、壬基氧基、癸基氧基、 3,7-二甲基辛基氧基、月桂基氧基、及該等基中的氫原子經環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、氟原子等取代之基。

「環烷氧基」之碳數在不包括取代基之碳數下通常為3至40，較佳為4至10。環烷氧基可具有取代基，可列舉例如環己基氧基。

「芳基氧基」之碳數在不包括取代基之碳數下通常為6至60，較佳為6至48。芳基氧基可具有取代基，可列舉例如苯氧基、1-萘基氧基、2-萘基氧基、1-蔥基氧基、9-蔥基氧基、1-芘基氧基、及該等基中的氫原子經烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、氟原子等取代之基。

「p價雜環基」(p表示1以上之整數)是指從雜環式化合物去除直接鍵結於構成環之碳原子或雜原子的氫原子中的p個氫原子所剩下的原子。p價雜環基中，較佳為從芳香族雜環式化合物去除直接鍵結於構成環之碳原子或雜原子的氫原子中的p個氫原子所剩下的原子團之「p價芳香族雜環基」。

「芳香族雜環式化合物」是指

二唑、噻二唑、噻唑、

唑、噻吩、吡咯、磷雜茂(phosphole)、呋喃、吡啶、吡

、嘧啶、三

、嗒

、喹啉、異喹啉、咔唑、二苯并磷雜茂等雜環本身顯示芳香族性之化合物、及啡

、吩噻

、二苯并硼雜環戊二烯、二苯并矽雜環戊二烯、苯并哌喃等即使雜環本身不顯示芳香族性亦在雜環縮環芳香環之化合物。

1價雜環基之碳數在不包括取代基之碳數下通常為2至60，較佳為4至20。

1價雜環基可具有取代基，可列舉例如噻吩基，吡咯基，呋喃基，吡啶基，哌啶基，喹啉基，異喹啉基，嘧啶基，三

基、及該等基中的氫原子經烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基等取代之基。

「鹵素原子」表示氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。

「胺基」可具有取代基，較佳為取代胺基。胺基所具有之取代基較佳為烷基、環烷基、芳基或1價雜環基。取代胺基可列舉例如二烷基胺基、二環烷基胺基、及二芳基胺基。胺基可列舉例如二甲胺基、二乙胺基、二苯胺基、雙(4-甲基苯基)胺基、雙(4-三級丁基苯基)胺基、雙(3,5-二三級丁基苯基)胺基。

「烯基」可為直鏈及支鏈任一者。直鏈烯基之碳數在不包括取代基之碳數下通常為2至30，較佳為3至20。支鏈烯基之碳數在不包括取代基之碳數下通常為3至30，較佳為4至20。「環烯基」之碳數在不包括取代基之碳數下通常為3至30，較佳為4至20。

烯基及環烯基可具有取代基，可列舉例如乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、5-己烯基、7-辛烯基、及該等基具有取代基之基。

「炔基」可為直鏈及支鏈任一者。炔基之碳數在不包括取代基之碳原子下通常為2至20，較佳為3至20。支鏈炔基之碳數在不包括取代基之碳原子下通常為4至30，較佳為4至20。

「環炔基」之碳數在不包括取代基之碳原子下通常為4至30，較佳為4至20。

炔基及環炔基可具有取代基，可舉例如乙烘基、1-丙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-己炔基、5-己炔基、及該等基具有取代基之基。

「伸芳基」是指從芳香族烴去除2個直接鍵結於構成環之碳原子的氫原子所剩下的原子團。伸芳基之碳數在不包括取代基之碳數下通常為6至60，較佳為6至30，更佳為6至18。

伸芳基可具有取代基，可列舉例如伸苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、二氫菲二基、稠四苯二基、茀二基、芘二基、苝二基、

二基、及該等基具有取代基之基，較佳為式(A-1)至式(A-20)所示之基。伸芳基可包括該等基複數鍵結之基。

[式中，R及R^a係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價雜環基。複數存在之R及R^a可各自相同或相異，R^a彼此可互相鍵結或與分別鍵結之原子一起形成環。]

2價雜環基之碳數在不包括取代基之碳數下通常為2至60，較佳為3至20，更佳為4至15。

2價雜環基可具有取代基，可舉例如從吡啶、二氮苯(diazabenzene)、三

、氮雜萘、萘啶(diazanaphthalene)、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并矽雜環戊二烯、啡

、吩噻

、吖啶、二氫吖啶、呋喃、噻吩、唑、二唑、三唑去除直接鍵結於構成環之碳原子或雜原子的氫原子中的2個氫原子之2價基，較佳為式(AA-1)至式(AA-34)所示之基。2價雜環基包括該等基複數鍵結之基。

[式中，R及R^a表示與前述同義。]

「交聯基」是指藉由供給加熱處理、紫外線照射處理、近紫外線照射處理、可見光照射處理、紅外線照射處理、自由基反應等而可生成新的鍵結之基，較佳為式(B-1)至(B-17)之任一者所示之基。該等基可具有取代基。

「取代基」表示鹵素原子、氰基、烷基、環烷基、芳基、1價雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳基氧基、胺基、取代胺基、烯基、環烯基、炔基或環炔基。取代基可為交聯基。

≪高分子化合物≫

各印墨組成物較佳為含有互相相異的高分子化合物作為固形份(A)。各印墨組成物中，固形份(A)中含有的高分子化合物可舉例發光性化合物。發光性化合物可為其本身發光之化合物(發光材料)，也可為藉由使電荷輸送至發光材料而使發光材料發光之化合物(主體材料)。高分子化合物較佳為 發光材料。為發光性化合物時，以具有優異的發光特性之觀點而言，較佳為含有選自由式(X)所示構成單元及式(Y)所示構成單元所構成之群組之至少1種構成單元之高分子化合物。

本發明之組成物中，含有選自由式(X)所示構成單元及式(Y)所示構成單元所構成之群組之至少1種構成單元之高分子化合物可單獨含有1種，也可含有2種以上。

(式(X)所示構成單元)

[式中，

a^X1及a^X2各自獨立地表示0以上之整數。

Ar^X1及Ar^X3各自獨立地表示伸芳基或2價雜環基，該等基可具有取代基。

Ar^X2及Ar^X4各自獨立地表示伸芳基、2價雜環基、或至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基，該等基可具有取代基。Ar^X2及Ar^X4存在複數時，該等可分別相同或相異。

R^X1、R^X2及R^X3各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價雜環基，該等基可具有取代基。R^X2及R^X3存在複數時，該等可分別相同或相異。]

因具有使用本發明之組成物所形成之膜之發光元件之發光效率優異，故a^X1較佳為2以下整數，更佳為1。

因具有使用本發明之組成物所形成之膜之發光元件之發光效率優異，故a^X2較佳為2以下整數，更佳為0。

R^X1、R^X2及R^X3較佳為烷基、環烷基、芳基或1價雜環基，更佳為芳基，該等基可具有取代基。

Ar^X1及Ar^X3所示之伸芳基更佳為式(A-1)或式(A-9)所示之基，尤佳為式(A-1)所示之基，該等基可具有取代基。

Ar^X1及Ar^X3所示之2價雜環基更佳為式(AA-1)、式(AA-2)或式(AA-7)至(AA-26)所示之基，該等基可具有取代基。

Ar^X1及Ar^X3較佳為可具有取代基之伸芳基。

Ar^X2及Ar^X4所示之伸芳基更佳為式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)至(A-11)或式(A-19)所示之基，該等基可具有取代基。

Ar^X2及Ar^X4所示之2價雜環基之更佳範圍係與Ar^X1及Ar^X3所示之2價雜環基之更佳範圍相同。

在Ar^X2及Ar^X4所示之至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基中，伸芳基及2價雜環基之更佳範圍及尤佳範圍分別與Ar^X1及Ar^X3所示之伸芳基及2價雜環基之更佳範圍及尤佳範圍相同。

Ar^X2及Ar^X4所示之至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基可舉例如下式所示之基，該等可具有取代基。

[式中，R^XX表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價雜環基，該等基可具有取代基。]

R^XX較佳為烷基、環烷基或芳基，該等基可具有取代基。

Ar^X2及Ar^X4較佳為可具有取代基之伸芳基。

Ar^X1至Ar^X4及R^X1至R^X3所示之基可具有之取代基較佳為烷基、環烷基或芳基，該等基可進一步具有取代基。

式(X)所示構成單元較佳為式(X-1)至(X-7)所示構成單元，更佳為式(X-1)至(X-6)所示構成單元，尤佳為式(X-3)至(X-6)所示構成單元。

[式中，R^x4及R^x5各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳基氧基、鹵素原子、1價雜環基或氰基，該等基可具有取代基。複數存在之R^x4可為相同或相異。複數存在之R^x5可相同或相異，鄰接之R^x5彼此可互相鍵結或與分別鍵結之碳原子一起形成環。]

從具有使用本發明之組成物所形成之膜之有機EL元件之電洞輸送性優異之觀點而言，相對於在高分子化合物中含有的構成單元的合計量，式(X)所示構成單元較佳為0.1至50莫耳%，更佳為1至40莫耳%，尤佳為5至30莫耳%。

式(X)所示構成單元可列舉例如式(X1-1)至(X1-11)所示構成單元，較佳為式(X1-3)至(X1-10)所示構成單元。

式(X)所示構成單元在高分子化合物中可僅含有1種，也可含有2種以上。

(式(Y)所示構成單元)

[式中，Ar^Y1表示伸芳基、2價雜環基、或至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基，該等基可具有取代基。]

Ar^Y1所示伸芳基更佳為式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)至(A-10)、式(A-19)或式(A-20)所示之基，尤佳為式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)或式(A-19)所示之基，該等基可具有取代基。

Ar^Y1所示2價雜環基更佳為式(AA-1)至(AA-4)、式(AA-10)至(AA-15)、式(AA-18)至(AA-21)、式(AA-33)或式(AA-34)所示之基，尤佳為式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)、式(AA-14)或式(AA-33)所示之基，該等基可具有取代基。

在Ar^Y1所示至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基中，伸芳基及2價雜環基之更佳範圍及尤佳範圍分別與前述Ar^Y1所示伸芳基及2價雜環基之更佳範圍及尤佳範圍相同。

Ar^Y1所示至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基，可列舉與式(X)之Ar^X2及Ar^X4所示至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基相同者。

Ar^Y1所示之基可具有之取代基較佳為烷基、環烷基或芳基，該等基可更具有取代基。

式(Y)所示構成單元可列舉例如式(Y-1)至(Y-10)所示構成單元，從具有使用本發明之組成物所形成之膜之發光元件之輝度壽命之觀點而言，較佳為式(Y-1)至(Y-3)所示構成單元，從具有使用本發明之組成物所形成之膜之發光元件之電子輸送性之觀點而言，較佳為式(Y-4)至(Y-7)所 示構成單元，從具有使用本發明之組成物所形成之膜之發光元件之發光效率或電洞輸送性之觀點而言，較佳為式(Y-8)至(Y-10)所示構成單元。

[式中，R^Y1表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價雜環基，該等基可具有取代基。複數存在之R^Y1可相同或相異，鄰接之R^Y1彼此可互相鍵結或與分別鍵結之碳原子一起形成環。]

R^Y1較佳為氫原子、烷基、環烷基或芳基，該等基可具有取代基。

式(Y-1)所示構成單元較佳為式(Y-1’)所示構成單元。

[式中，R^Y11表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價雜環基，該等基可具有取代基。複數存在之R^Y11可相同或相異。]

R^Y11較佳為烷基、環烷基或芳基，更佳為烷基或環烷基，該等基可具有取代基。

[式中，

R^Y1表示與前述同義。

X^Y1表示-C(R^Y2)₂-、-C(R^Y2)=C(R^Y2)-或-C(R^Y2)₂-C(R^Y2)₂-所示之基。R^Y2表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價雜環基，該等基可具有取代基。複數存在之R^Y2可相同或相異，R^Y2彼此可互相鍵結或與分別鍵結之碳原子一起形成環。]

R^Y2較佳為烷基、環烷基、芳基或1價雜環基，更佳為烷基、環烷基或芳基，該等基可具有取代基。

X^Y1中，-C(R^Y2)₂-所示之基中之2個R^Y2的組合較佳為兩者為烷基或環烷基、兩者為芳基、兩者為1價雜環基、或一者為烷基或環烷基且另一者為芳基或1價雜環基，更佳為一者為烷基或環烷基且另一者為芳基，該等基可具有取代基。存在2個之R^Y2可互相鍵結並與分別鍵結之原子一起形成環，R^Y2形成環時，-C(R^Y2)₂-所示之基較佳為式(Y-A1)至(Y-A5)所示之基，更佳為式(Y-A4)所示之基，該等基可具有取代基。

X^Y1中，-C(R^Y2)=C(R^Y2)-所示之基中之2個R^Y2的組合較佳為兩者為烷基或環烷基、或一者為烷基或環烷基且另一者為芳基，該等基可具有取代基。

X^Y1中，-C(R^Y2)₂-C(R^Y2)₂-所示之基中之4個R^Y2較佳為可具有取代基之烷基或環烷基。複數之R^Y2可互相鍵結並與分別鍵結之原子 一起形成環，R^Y2形成環時，-C(R^Y2)₂-C(R^Y2)₂-所示之基較佳為式(Y-B1)至(Y-B5)所示之基，更佳為式(Y-B3)所示之基，該等基可具有取代基。

[式中，R^Y2表示與前述同義。]

式(Y-2)所示構成單元較佳為式(Y-2’)所示構成單元。

[式中，R^Y1及X^Y1表示與前述同義。]

[式中，R^Y1及X^Y1表示與前述同義。]

式(Y-3)所示構成單元較佳為式(Y-3’)所示構成單元。

[式中，R^Y11及X^Y1表示與前述同義。]

[式中，

R^Y1表示與前述同義。

R^Y3表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價雜環基，該等基可具有取代基。]

R^Y3較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價雜環基，更佳為芳基，該等基可具有取代基。

式(Y-4)所示構成單元較佳為式(Y-4’)所示構成單元，式(Y-6)所示構成單元較佳為式(Y-6’)所示構成單元。

[式中，R^Y1及R^Y3表示與前述同義。]

[式中，

R^Y1表示與前述同義。

R^Y4表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價雜環基，該等基可具有取代基。]

R^Y4較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價雜環基，更佳為芳基，該等基可具有取代基。

式(Y)所示構成單元可列舉例如式(Y-101)至(Y-121)所示伸芳基所構成之構成單元、式(Y-201)至(Y-206)所示2價雜環基所構成之構成單元、式(Y-301)至(Y-304)所示至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基所構成之構成單元。

式(Y)所示構成單元中，因具有使用本發明之組成物所形成之膜之有機EL元件之輝度壽命優異，故相對於高分子化合物中含有的構成單元的合計量，Ar^Y1為伸芳基之構成單元較佳為0.5至90莫耳%，更佳為30至80莫耳%。

式(Y)所示構成單元中，因具有使用本發明之組成物所形成之膜之有機EL元件之發光效率、電洞輸送性或電子輸送性優異，故相對於高分子化合物所含有構成單元的合計量，Ar^Y1為2價雜環基、或至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基之構成單元較佳為0.5至50莫耳%，更佳為3至30莫耳%。

式(Y)所示構成單元在高分子化合物中可僅含有1種，也可含有2種以上。

高分子化合物可列舉例如表1之高分子化合物(P-101)至(P-107)。

[表1]

[表中，p、q、r、s及t表示各構成單元的莫耳比率。p+q+r+s+t=100，且100≧p+q+r+s≧70。其他構成單元是指式(Y)所示構成單元、式(X)所示構成單元以外的構成單元。]

僅使用含有選自由式(X)所示構成單元及式(Y)所示構成單元所構成之群組之至少1種構成單元之高分子化合物作為發光材料時(亦即後述銥錯合物等未併用其他發光材料的情形)，

作為高分子化合物，

較佳為含有選自由式(Y-8)所示構成單元、式(Y-9)所示構成單元及式(Y-10)所示構成單元所構成之群組之至少1種構成單元之高分子化合物，

更佳為含有選自由式(Y-8)所示構成單元及式(Y-9)所示構成單元所構成之群組之至少1種構成單元之高分子化合物，

尤佳為含有式(Y-8)所示構成單元之高分子化合物。

此外，作為式(Y-8)所示構成單元、式(Y-9)所示構成單元及式(Y-10)所示構成單元以外的構成單元，作為高分子化合物，

較佳為含有選自由式(Y-1)所示構成單元、式(Y-2)所示構成單元、式(Y-3)所示構成單元及式(X)所示構成單元所構成之群組之至少1種構成單元之高分子化合物，

更佳為含有選自由式(Y-1)所示構成單元、式(Y-2)所示構成單元及式(X)所示構成單元所構成群組之至少1種構成單元之高分子化合物，

尤佳為含有選自由式(Y-2)所示構成單元及式(X)所示構成單元所構成之群組之至少1種構成單元之高分子化合物，

特佳為含有式(Y-2)所示構成單元及式(X)所示構成單元之高分子化合物。

≪高分子化合物的製造方法≫

含有選自由式(X)所示構成單元及式(Y)所示構成單元所構成之群組之至少1種構成單元之高分子化合物可使用Chemical review(Chem.Rev.)、第109卷、第897至1091頁(2009年)等所記載習知的聚合方法而製造，可列舉例如Suzuki反應、Yamamoto反應、Buchwald反應、Stille反應、Negishi反應及Kumada反應等使用遷移金屬觸媒藉由耦合反應而聚合之方法。

前述聚合方法中，饋入單體之方法可列舉：將單體總量一起饋入於反應系統之方法；饋入單體一部分反應後，將所剩下的單體一起、連續或分次饋入之方法；及使單體連續或分次饋入之方法等。

遷移金屬觸媒可列舉鈀觸媒、鎳觸媒等。

聚合反應之後處理藉由習知方法進行，例如藉由分液去除水溶性雜質之方法、於甲醇等低級醇加入聚合反應後之反應液並過濾所析出的沉殿後乾燥之方法等，該等方法可單獨或組合進行。高分子化合物之純度低時，例如可以再結晶、再沉殿、索司勒萃取器所行連續萃取、管柱層析法等一般方法精製。

≪銥錯合物≫

因具有使用本發明之組成物所形成之膜之有機EL元件之發光效率為更優異，故銥錯合物較佳為式(Ir-1)所示銥錯合物、式(Ir-2)所示銥錯合物、式(Ir-3)所示銥錯合物、式(Ir-4)所示銥錯合物或式(Ir-5)所示銥錯合物，更佳為式(Ir-1)所示銥錯合物、式(Ir-2)所示銥錯合物或式(Ir-3)所示銥錯合物。

[式中，

n^D1表示1、2或3。n^D2表示1或2。

R^D1、R^D2、R^D3、R^D4、R^D5、R^D6、R^D7、R^D8、R^D11、R^D12、R^D13、R^D14、R^D15、R^D16、R^D17、R^D18、R^D19、R^D20、R^D21、R^D22、R^D23、R^D24、R^D25、R^D26、R^D31、R^D32、R^D33、R^D34、R^D35、R^D36及R^D37係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳基氧基、1價雜環基或鹵素原子，該等基可具有取代基。R^D1、R^D2、R^D3、R^D4、R^D5、R^D6、R^D7、R^D8、R^D11、R^D12、R^D13、R^D14、R^D15、R^D16、R^D17、R^D18、R^D19、R^D20、R^D21、R^D22、 R^D23、R^D24、R^D25、R^D26、R^D31、R^D32、R^D33、R^D34、R^D35、R^D36及R^D37存在複數時，該等可分別相同或相異。

-A^D1---A^D2-表示陰離子性雙牙配位基。A^D1及A^D2各自獨立地表示與銥原子鍵結之碳原子、氧原子或氮原子，該等原子可為構成環之原子。-A^D1---A^D2-存在複數時，該等可相同或相異。]

式(Ir-1)所示銥錯合物中，R^D1至R^D8之至少1者較佳為式(D-A)所示之基。

式(Ir-2)所示銥錯合物中，較佳為R^D11至R^D20之至少1者為式(D-A)所示之基。

式(Ir-3)所示銥錯合物中，較佳為R^D1至R^D8及R^D11至R^D20之至少1者為式(D-A)所示之基。

式(Ir-4)所示銥錯合物中，較佳為R^D21至R^D26之至少1者為式(D-A)所示之基。

式(Ir-5)所示銥錯合物中，較佳為R^D31至R^D37之至少1者為式(D-A)所示之基。

[式中，

m^DA1、m^DA2及m^DA3各自獨立地表示0以上之整數。

G^DA表示氮原子、芳香族烴基或雜環基，該等基可具有取代基。

Ar^DA1、Ar^DA2及Ar^DA3各自獨立地表示伸芳基或2價雜環基，該等基可具有取代基。Ar^DA1、Ar^DA2及Ar^DA3存在複數時，該等可分別相同或相異。

T^DA表示芳基或1價雜環基，該等基可具有取代基。複數存在之T^DA可相同或相異。]

m^DA1、m^DA2及m^DA3通常為10以下整數，較佳為5以下整數，更佳為0或1。m^DA1、m^DA2及m^DA3較佳為相同之整數。

G^DA較佳為式(GDA-11)至(GDA-15)所示之基，該等基可具有取代基。

[式中，

＊，＊＊及＊＊＊各別表示與Ar^DA1、Ar^DA2、Ar^DA3之鍵結。

R^DA表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價雜環基，該等基可更具有取代基。R^DA存在複數時，該等可相同或相異。]

R^DA較佳為氫原子、烷基、環烷基、烷氧基或環烷氧基，更佳為氫原子，烷基或環烷基，該等基可具有取代基。

Ar^DA1、Ar^DA2及Ar^DA3較佳為式(ArDA-1)至(ArDA-3)所示之基。

[式中，

R^DA表示與前述同義。

R^DB表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價雜環基，該等基可具有取代基。R^DB存在複數時，該等可相同或相異。]

T^DA較佳為式(TDA-1)至(TDA-3)所示之基。

[式中，R^DA及R^DB表示與前述同義。]

式(D-A)所示之基較佳為式(D-A1)至(D-A3)所示之基。

[式中，

np1表示0至5之整數，np2表示0至3之整數，np3表示0或1。複數存在之np1可相同或相異。

R^p1、R^p2及R^p3各自獨立地表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基或鹵素原子。R^p1及R^p2存在複數時，該等可分別相同或相異。]

np1較佳為0或1，更佳為1。np2較佳為0或1，更佳為0。np3較佳為0。

R^p1、R^p2及R^p3較佳為烷基或環烷基。

-A^D1---A^D2-所示陰離子性雙牙配位基可列舉例如下式所示配位基。

[式中，＊表示與銥原子鍵結之部位。]

式(Ir-1)所示銥錯合物較佳為式(Ir-11)至式(Ir-13)所示銥錯合物。式(Ir-2)所示銥錯合物較佳為式(Ir-21)所示銥錯合物。式(Ir-3)所示銥錯合物較佳為式(Ir-31)至式(Ir-33)所示銥錯合物。式(Ir-4)所示銥錯合物較佳為式(Ir-41)至式(Ir-43)所示銥錯合物。式(Ir-5)所示銥錯合物較佳為式(Ir-51)至式(Ir-53)所示銥錯合物。

[式中，

n^D2表示1或2。

D表示式(D-A)所示之基。複數存在之D可相同或相異。

R^DC表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價雜環基，該等基可具有取代基。複數存在之R^DC可相同或相異。

R^DD表示烷基、環烷基、芳基或1價雜環基，該等基可具有取代基。複數存在之R^DD可相同或相異。]

銥錯合物可列舉例如下式所示銥錯合物。

銥錯合物可根據例如日本特表2004-530254號公報、日本特開2008-179617號公報、日本特開2011-105701號公報、日本特表2007- 504272號公報、日本特開2013-147449號公報、日本特開2013-147450號公報所記載方法而合成。

固形份(A)可含有含有銥錯合物構成單元之高分子化合物。銥錯合物構成單元為具有式(Ir-1)、式(Ir-2)、式(Ir-3)、式(Ir-4)或式(Ir-5)所示銥錯合物之結構之構成單元。具有式(Ir-1)、式(Ir-2)、式(Ir-3)、式(Ir-4)或式(Ir-5)所示銥錯合物之結構之構成單元較佳為具有從式(Ir-1)、式(Ir-2)、式(Ir-3)、式(Ir-4)或式(Ir-5)所示銥錯合物，去除1個以上3個以下之直接鍵結於構成該錯合物之碳原子或雜原子之氫原子所成的基之構成單元，更佳為具有從式(Ir-1)、式(Ir-2)、式(Ir-3)、式(Ir-4)或式(Ir-5)所示銥錯合物，去除2個直接鍵結於構成該錯合物之碳原子或雜原子之氫原子所成的基之構成單元。

含有銥錯合物構成單元之高分子化合物較佳為含有選自由前述式(X)所示構成單元及式(Y)所示構成單元所構成之群組之至少1種構成單元之高分子化合物。

該等中，作為含有銥錯合物構成單元之高分子化合物，

較佳為含有選自由式(Y-4)所示構成單元、式(Y-5)所示構成單元、式(Y-6)所示構成單元及式(Y-7)所示構成單元所構成之群組之至少1種構成單元之高分子化合物，

更佳為含有選自由式(Y-4)所示構成單元及式(Y-6)所示構成單元所構成之群組之至少1種構成單元之高分子化合物，

尤佳為含有式(Y-4)所示構成單元之高分子化合物。

此外，作為式(Y-4)所示構成單元、式(Y-5)所示構成單元、式(Y-6)所示構成單元及式(Y-7)所示構成單元以外的構成單元，作為含有銥錯合物構成單元之高分子化合物，

較佳為含有選自由式(Y-1)所示構成單元、式(Y-2)所示構成單元、式(Y-3)所示構成單元及式(X)所示構成單元所構成之群組之至少1種構成單元之高分子化合物，

更佳為含有選自由式(Y-1)所示構成單元、式(Y-2)所示構成單元及式(X)所示構成單元所構成之群組之至少1種構成單元之高分子化合物。

銥錯合物構成單元在高分子化合物中可僅含有1種，也可含有2種以上。

≪主體材料≫

各印墨組成物中，固形份(A)含有發光材料時，尤其含有銥錯合物作為發光材料時，藉由併用具有選自由電洞輸送性、電洞注入性、電子輸送性及電子注入性所構成之群組之至少1種功能之主體材料，而使具有使用本發明之組成物所形成之膜之有機EL元件之發光效率更為優異。亦即，本發明之組成物含有銥錯合物作為發光性材料時，較佳為更含有主體材料。本發明之組成物含有主體材料時，主體材料可單獨含有1種，也可含有2種以上。

各印墨組成物為含有銥錯合物及主體材料時，以銥錯合物及主體材料之合計含有量為100質量份時，銥錯合物含有量通常為0.05至80質量份，較佳為0.1至60質量份，更佳為0.5至50質量份。

因具有使用本發明之組成物所形成之膜之有機EL元件之發光效率優異，故主體材料所具有之最低激發三重項狀態(T1)較佳為與銥錯合物所具有之T1同等能階、或高於此之能階。

主體材料分類為低分子化合物(以下稱為「低分子主體」)及高分子化合物(以下稱為「高分子主體」)，可為低分子主體及高分子主體之任一者，但較佳為高分子主體。

低分子主體可列舉例如具有咔唑結構之化合物、具有三芳基胺結構之化合物、具有啡啉結構之化合物、具有三芳基三

結構之化合物、具有唑結構之化合物、具有苯并噻吩結構之化合物、具有苯并呋喃結構之化合物、具有茀結構之化合物、具有螺茀結構之化合物等。

低分子主體之具體例可列舉下式所示化合物。

高分子主體較佳為含有選自由前述式(X)所示構成單元及式(Y)所示構成單元所構成之群組之至少1種構成單元之高分子化合物。

該等中，作為高分子主體，

較佳為含有選自由式(Y-4)所示構成單元、式(Y-5)所示構成單元、式(Y-6)所示構成單元及式(Y-7)所示構成單元所構成之群組之至少1種構成單元之高分子化合物，

更佳為含有選自由式(Y-4)所示構成單元及式(Y-6)所示構成單元所構成之群組之至少1種構成單元之高分子化合物，

尤佳為含有式(Y-4)所示構成單元之高分子化合物。

此外，作為式(Y-4)所示構成單元、式(Y-5)所示構成單元、式(Y-6)所示構成單元及式(Y-7)所示構成單元以外的構成單元，作為高分子主體，

較佳為含有選自由式(Y-1)所示構成單元、式(Y-2)所示構成單元、式(Y-3)所示構成單元及式(X)所示構成單元所構成之群組之至少1種構成單元之高分子化合物，

更佳為含有選自由式(Y-1)所示構成單元、式(Y-2)所示構成單元及式(X)所示構成單元所構成之群組之至少1種構成單元之高分子化合物。

≪低分子化合物≫

各印墨組成物中，固形份(A)中含有的低分子化合物並無特別限定，可列舉例如上述銥錯合物等發光材料、上述主體材料、下述電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、抗氧化劑等。

≪其他固形份≫

各印墨組成物中含有的固形份(A)可含有下述電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料及發光性化合物。

(電洞輸送材料)

電洞輸送材料分類為低分子化合物及高分子化合物，較佳為高分子化合物，更佳為具有交聯基之高分子化合物。

高分子化合物可列舉例如聚乙烯咔唑及其衍生物；側鏈或主鏈具有芳香族胺結構之聚伸芳基及其衍生物。高分子化合物可為鍵結有電子接受性部位之化合物。電子接受性部位可列舉例如富勒烯、四氟四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、三硝基茀酮等，較佳為富勒烯。

本發明之組成物中，電洞輸送材料可單獨含有1種，也可含有2種以上。

(電子輸送材料)

電子輸送材料分類為低分子化合物及高分子化合物。電子輸送材料可具有交聯基。

低分子化合物可列舉例如以8-羥基喹啉為配位基之金屬錯合物、

二唑、蒽醌二甲烷、苯醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、茀酮、二苯基二氰基乙烯及聯對苯醌、以及該等之衍生物。

高分子化合物可列舉例如聚伸苯、聚茀、及、該等衍生物。 高分子化合物可摻雜金屬。

印墨組成物中，電子輸送材料可單獨含有1種，也可含有2種以上。

(電洞注入材料及電子注入材料)

電洞注入材料及電子注入材料可各別分類為低分子化合物及高分子化合物。電洞注入材料及電子注入材料可具有交聯基。

低分子化合物可列舉例如銅酞青素等金屬酞青素；碳；鉬、鎢等金屬氧化物；氟化鋰、氟化鈉、氟化銫、氟化鉀等金屬氟化物。

高分子化合物可列舉例如聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚伸苯基伸乙烯基、聚伸噻吩基伸乙烯基、聚喹啉及聚喹喔啉、以及該等之衍生物；在主鏈或側鏈含有芳香族胺結構之聚合物等導電性高分子。

各印墨組成物中，電洞注入材料及電子注入材料各別可單獨含有1種，也可含有2種以上。

電洞注入材料或電子注入材料含有導電性高分子時，導電性高分子之導電率較佳為1×10^-5S/cm至1×10³S/cm。為了使導電性高分子之導電率在該範圍，可於導電性高分子摻雜適量的離子。

摻雜離子之種類若為電洞注入材料則為陰離子，若為電子注入材料則為陽離子。陰離子可列舉例如聚苯乙烯磺酸離子、烷基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子。陽離子可舉例如鋰離子、鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子。

摻雜離子可單獨使用1種或併用2種以上。

(發光性化合物)

各印墨組成物中，固形份(A)可含有作為發光性化合物舉例之上述高分子化合物或低分子化合物以外的發光性化合物(以下稱為「其他發光性化合物」)。其他發光性化合物可列舉例如萘及其衍生物、蒽及其衍生物、以及苝及其衍生物。

各印墨組成物中，其他發光性化合物可單獨含有1種，也可含有2種以上。

(抗氧化劑)

各印墨組成物可溶於溶劑(B)，可含有不阻礙發光及電荷輸送之抗氧化劑。抗氧化劑可列舉例如苯酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑。

各印墨組成物中，抗氧化劑可單獨含有1種，也可含有2種以上。

<組成比>

各印墨組成物含有固形份(A)及溶劑(B)。各印墨組成物中，以溶劑(B)含有量為100質量份時，固形份(A)的含有量通常為0.1至10.0質量份，因以噴墨印刷法的吐出性優異，故較佳為0.2至7.0質量份，更佳為0.3至5.0質量份。

<黏度>

從塗佈性之觀點而言，各印墨組成物在溫度23℃中的黏度較佳為1cP以上10cP以下，更佳為2cP以上8cP以下。

[印墨組成物的製造方法]

例如可混合固形份(A)、溶劑(B)及其他成分，藉此可調製各印墨組成物。各成分之混合順序並無限定，可將固形份(A)一部分或全部預先與溶劑(B)一部分混合後，以使所剩下的成分成為特定濃度之方式混合，藉此可調製目的之印墨組成物。

[膜]

第1膜及第2膜為分別使用第1印墨組成物及第2印墨組成物所形成之膜。各膜中可直接含有各印墨組成物中含有的固形份，固形份也可在分子內或分子間，或者在分子內及分子間以交聯狀態(交聯體)而含有。含有固形份之交聯體之膜係使含有固形份之塗佈層藉由加熱、光照射等外部刺激而交聯獲得的膜。含有固形份之交聯體的膜實質上不溶於溶劑，故適合用於積層化。

用以交聯固形份之加熱溫度通常為25至300℃，較佳為50至250℃，更佳為150至200℃。

用以交聯固形份之光照射所使用之光的種類例如有紫外線、近紫外線、可見光、紅外線。

各膜適合作為發光元件中的發光層、電洞輸送層或電洞注入層。各膜之厚度通常為1nm至1μm。膜之平坦度R較佳為60%以上，更佳為70%以上，尤佳為90%以上。本說明書中，膜之平坦度R是藉由後述計算方法計算的值。

<用途>

藉由本發明的製造方法獲得的膜有用作為有機EL元件之要件、彩色濾光片之要件等。有機EL元件具備設置於基板上之複數種像素，通常對應各像素而具有陽極及陰極所構成之一對電極。複數種像素至少含有第1像素及第2像素。第1像素係具有使用第1印墨組成物所形成之第1膜。第2像素係具有使用第2印墨組成物所形成之第2膜。複數種像素不限定於2種，例如可為R、G、B之3種像素。有機EL元件可用於電腦、電視、行動載具等的顯示器。有機EL元件可用於液晶顯示裝置之背光用面狀光源、或面狀照明用光源。若使用可撓性基板，則可使用作為曲面狀的光源及顯示裝置。

[有機EL元件的製造方法]

本發明之有機EL元件的製造方法含有藉由上述膜的製造方法而製造膜之步驟。

<有機EL元件>

≪層構成≫

使用第1印墨組成物所形成之第1膜及使用第2印墨組成物所形成之第2膜通常為發光層、電洞輸送層、電洞注入層、電子輸送層、電子注入層中1種以上的層，較佳為發光層。該等層各別含有發光性化合物、電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料。

有機EL元件在陽極與陰極之間具有發光層。從電洞注入性及電洞輸送性之觀點而言，有機EL元件較佳為在陽極與發光層之間具有電洞注入層及電洞輸送層之至少1層，從電子注入性及電子輸送性之觀點而言，較佳為在陰極與發光層之間具有電子注入層及電子輸送層之至少1層。

當電洞輸送層之材料、電子輸送層之材料及發光層之材料在有機EL元件的製作中各別溶解於形成鄰接於電洞輸送層、電子輸送層及發光層之層時所使用的溶劑時，為了避免該材料溶解於該溶劑，該材料較佳為具有交聯基。使用具有交聯基之材料形成各層後，使該交聯基交聯，藉此可使該層實質上不溶於溶劑。

有機EL元件中，作為發光層、電洞輸送層、電子輸送層、電洞注入層、電子注入層等各層之形成方法，在使用低分子化合物時，可列舉例如由粉末的真空蒸鍍法、及由溶液或熔融狀態成膜之方法，在使用高分子化合物時，可列舉例如由溶液或熔融狀態成膜之方法。本發明之有機EL元件的製造方法至少具有：形成第1塗佈層之第1塗佈步驟、形成第2塗佈層之第2塗佈步驟、使第1塗佈層及第2塗佈層乾燥而形成第1膜及第2膜之乾燥步驟。

積層的層的順序、數目及厚度係考慮發光效率及輝度壽命而調整。

≪電極≫

陽極之材料可列舉例如導電性金屬氧化物、半透明金屬，較佳為氧化銦、氧化鋅、氧化錫；銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物等導電性化合物；銀鈀銅複合物(APC)；NESA、金、鉑、銀、銅。

陰極之材料可列舉例如鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鋅、銦等金屬；該等中2種以上的合金；該等中1種以上與銀、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫之中1種以上的合金；以及石墨、及石墨層間化合物。合金可列舉例如鎂銀合金、鎂銦合金、鎂鋁合金、銦銀合金、鋰鋁合金、鋰鎂合金、鋰銦合金、鈣鋁合金。陽極及陰極可各別為2層以上積層結構。

[印墨組成物套組]

本發明之印墨組成物套組為至少含有上述第1印墨組成物及第2印墨組成物之膜製造用的印墨組成物套組。使用本發明之印墨組成物套組而製造含有複數種膜之膜，藉此，即使在形成複數種膜時，可在不進行繁雜乾燥步驟下製造具有優異平坦性之複數種膜。本發明之印墨組成物套組亦有用於製造有機EL元件。

[實施例]

以下藉由實施例更詳細說明本發明。

<印墨組成物1、2、4>

固形份係以表2所示比率使用聚合物1(重量平均分子量：1.25×10⁵)及低分子化合物1(分子量：1.68×10³)，溶劑係以表2所示比率使用癸基苯(東京化成公司製，大氣壓下的沸點：293℃，表2中稱為「D」)、環己苯(東京化成公司製，大氣壓下的沸點：238℃，表2中稱為「CHB」)、及4-甲基苯甲醚(東京化成公司製，大氣壓下的沸點：175℃，表2中稱為「MT」)，以固形份成為表2所示固形份濃度之方式溶解於溶劑中，而調製綠色發光印墨之印墨組成物1、2、4。

<印墨組成物3>

固形份以表2所示比率使用聚合物3(重量平均分子量：1.7×10⁵)及聚合物4(重量平均分子量：7.0×10⁴)，溶劑以表2所示比率使用癸基苯(東京化成公司製，大氣壓下的沸點：293℃，表2中稱為「D」)、環己苯(東京化成公司製，大氣壓下的沸點：238℃，表2中稱為「CHB」)、及4-甲基苯甲醚(東京化成公司製，大氣壓下的沸點：175℃，表2中稱為「MT」)，以固形份成為表2所示固形份濃度之方式溶解於溶劑中，而調製藍色發光印墨之印墨組成物3。

<準備透明電極基板>

在370mm×470mm×0.5mm之尺寸之玻璃基板(康寧公司製EAGLEXG)將GEOMATEC股份有限公司製透明導電膜FLAT-ITO以特定圖案形成50nm。

<製作附有撥液性隔壁之基板>

相對於上述製作之附有透明導電膜之基板，使用UV-O₃洗淨裝置(Hitachi High-Technologies公司製；PL3-200-15)，以累積光量400mJ/cm² 下實施親水化處理，以純水洗淨，以空氣實施乾燥。相對於該基板滴入30g已調製之感光性樹脂組成物，以旋轉塗佈器以900rpm旋轉7秒，而塗佈形成感光性樹脂組成物所構成之薄膜。其後以真空乾燥裝置(東京應化工業股份有限公司製；TR28340CPD-CLT)減壓乾燥至66Pa，於加熱板以110℃接觸110秒而實施預烤。接著使用曝光裝置(Hitachi High-Technologies公司製；LE4000A)實施曝光。曝光量為200mJ/cm²，Gap為100μm。光罩使用在相同平面上形成圖案(遮光部形狀為長軸方向200μm、短軸方向50μm之長方形且將其四角裁切為圓弧狀的形狀(圓角長方形))者。其後將四甲基氫氧化銨水溶液(Tokuyama股份有限公司製tokuso SD25)以濃度成為2.38%之方式以純水稀釋，而調製顯影液，使用該顯影液將前述塗膜於淋浴顯影機(SEFATEC股份有限公司製)以23℃顯影80秒，水洗及空氣乾燥後，在烘箱(ESPEC公司製：HSC-4)中以230℃進行20分鐘後烤，而得圖案。

<製作塗佈用基板>

於上述所得透明電極上將圖案化有撥液性隔壁之基板使用LCD Glass切割裝置(MS500，三星鑽石工業股份有限公司製)由370mm×470mm×0.5mm之尺寸切割為50mm×50mm×0.5mm之尺寸。

<形成電洞注入層>

將電洞注入材料(ND-3202，日產化學工業股份有限公司製)導入噴墨印刷裝置(142P，Litrex公司製)。接著，作為塗佈前的前處理，將切割為50mm正方形之尺寸之基板在230℃進行15分鐘烘烤。其後於形成於玻璃基板上且以撥液性隔壁圍住的ITO膜上(ITO膜厚：50nm)，藉由噴墨印刷 法而塗佈電洞注入材料，在平台溫度13℃、減壓速度25790Pa/秒之條件下減壓乾燥至溶劑蒸發為止，而成膜平均厚度65nm之電洞注入層。將所得膜在大氣環境下在加熱板上以230℃加熱15分鐘，藉此形成電洞注入層。

<形成電洞輸送層>

於混合溶劑(癸基苯/環己苯/4-甲基苯甲醚=18.4質量%/40.2質量%/41.4質量%)以固形份濃度溶解0.5質量%之電洞輸送材料(高分子化合物)，而調製電洞輸送材料組成物。將所得電洞輸送材料組成物導入噴墨印刷裝置(Litrex公司製142P)。接著，於電洞注入層上藉由噴墨印刷法而塗佈電洞輸送材料組成物，在平台溫度23℃、減壓速度37000Pa/秒之條件下減壓乾燥至溶劑蒸發為止，將膜以平均厚度20nm成膜。將所得膜在氮氣環境下在加熱板上以200℃加熱30分鐘，藉此形成電洞輸送層。

<形成試驗膜>

使用上述所調製任一印墨組成物(印墨組成物1、2、4)，將其導入噴墨印刷裝置(Litrex公司製142P)。接著在電洞輸送層上藉由噴墨印刷法而塗佈印墨組成物，放入乾燥機內，使乾燥機內之溫度為25℃，使乾燥機內由大氣壓(101325Pa)起以減壓速度25790Pa/秒減壓至1000Pa，減壓乾燥至溶劑蒸發為止，以所求膜厚80nm之厚度成膜。將所得膜在氮氣環境下在加熱板上以180℃加熱10分鐘，藉此形成發光層(試驗膜)。以相同方法使用印墨組成物3，以所求膜厚60nm之厚度成膜，而形成發光層(試驗膜)。

(形成測定用反射膜)

將形成有「電洞注入層/電洞輸送層」之2層、或「電洞注入層/電洞輸送層/發光層」之3層之玻璃基板在蒸鍍機內減壓至1.0×10^-4Pa以下後，在 電洞輸送層或發光層上蒸鍍約20nm的鋁，藉此形成測定用反射膜，並製作膜形狀測定元件。

(膜形狀之評估)

藉由非接觸3維表面形狀測定裝置(Zygo公司製)測定「電洞注入層/電洞輸送層/測定用反射膜」之層構成之基板X1、及「電洞注入層/電洞輸送層/發光層/測定用反射膜」之層構成之基板X2之2種類基板的膜厚。以基板X1之3維膜厚設為D1，基板X2之3維膜厚設為D2，由下式獲得成為評估對象之發光層(試驗膜)單層的膜厚T。

T=D2-D1

有關於膜厚T(nm)，以撥液性隔壁圍住的1個像素之全區域面積設為A(μm²)、像素內之最小膜厚作為T_min(nm)時膜厚為T_min+10nm以下之區域面積設為B(μm²)時，平坦度R(%)為由下式獲得的值。

R=(B/A)×100

將藉由印墨組成物1至4所得之試驗膜之平坦度R示於表2。

[表2]

<實施例1、2及比較例1>

實施例1、2及比較例1中，使用表3所示上述所調製之印墨組成物(印墨組成物1至4)的2種，經過乾燥步驟(共同乾燥)而形成2種類發光層(第1膜及第2膜)，除此之外以與上述試驗膜同樣方式形成發光層，並藉由與上述試驗膜相同方法而評估膜形狀。形成發光層時，乾燥步驟之乾燥條件係與形成試驗膜時所採用之乾燥條件相同。表3表示藉由實施例1、2及比較例1而得之第1膜及第2膜分別之1個像素之平坦度(共同乾燥後之平坦度)、及使用相同印墨組成物並以上述方式所得之試驗膜之平坦度(單獨乾燥後之平坦度)。

[表3]

第3圖中對比表示：從作為藉由實施例1中的印墨組成物1所得之第1膜之像素短軸50μm中心之像素端部通過25μm的位置之長軸方向的剖面形狀(第3圖(a))、及從作為藉由印墨組成物1所得之試驗膜之像素短軸50μm中心之像素端部通過25μm的位置之長軸方向的剖面形狀(第3圖(b))。

第4圖中對比表示：從作為藉由實施例1中的印墨組成物2所得之第2膜之像素短軸50μm中心之像素端部通過25μm的位置之長軸方向的剖面形狀(第4圖(a))、及從作為藉由印墨組成物2所得之試驗膜之像素短軸50μm中心之像素端部通過25μm的位置之長軸方向的剖面形狀(第4圖(b))。

第5圖中對比表示：從作為藉由實施例3中的印墨組成物1所得之第1膜之像素短軸50μm中心之像素端部通過25μm的位置之長軸方向的剖面形狀(第5圖(a))、及從作為藉由印墨組成物1所得之試驗膜之 像素短軸50μm中心之像素端部通過25μm的位置之長軸方向的剖面形狀(第5圖(b))。

第6圖中對比表示：從作為藉由實施例3中的印墨組成物3所得之第2膜之像素短軸50μm中心之像素端部通過25μm的位置之長軸方向的剖面形狀(第6圖(a))、及從作為藉由印墨組成物3所得之試驗膜之像素短軸50μm中心之像素端部通過25μm的位置之長軸方向的剖面形狀(第6圖(b))。

第7圖中對比表示：從作為藉由比較例1中的印墨組成物4所得之第1膜之像素短軸50μm中心之像素端部通過25μm的位置之長軸方向的剖面形狀(第7圖(a))、及從作為藉由印墨組成物4所得之試驗膜之像素短軸50μm中心之像素端部通過25μm的位置之長軸方向的剖面形狀(第7圖(b))。

第8圖中對比表示：從作為藉由比較例1中的印墨組成物1所得之第2膜之像素短軸50μm中心之像素端部通過25μm的位置之長軸方向的剖面形狀(第8圖(a))、及從作為藉由印墨組成物1所得之試驗膜之像素短軸50μm中心之像素端部通過25μm的位置之長軸方向的剖面形狀(第8圖(b))。

由表3及第3至8圖所示結果可知以下結果：於二個印墨組成物中，在溶劑種類相同之實施例1、2中，即使藉由共同乾燥第1膜及第2膜皆獲得優異的平坦度，另一方面，在溶劑種類相異之比較例1中，藉由共同乾燥則第1膜的平坦度較低。

儘管針對本發明之實施形態進行了說明，但應認為於此所揭示的實施形態皆為例示而非限制性者。本發明之範圍揭示於申請專利範圍，與申請專利範圍均等及該範圍內的所有變更亦包括於本發明。

1‧‧‧基板

41‧‧‧第1區域

42‧‧‧第2區域

Claims (11)

1. 一種膜的製造方法，係在基板表面製造第1膜及第2膜，並具備下列步驟：

   印墨準備步驟，係準備第1印墨組成物及第2印墨組成物，前述第1印墨組成物及第2印墨組成物係含有互相相異的固形份種類，且試驗膜之平坦度R皆為60%以上；

   第1塗佈步驟，係在前述基板之第1區域塗佈前述第1印墨組成物，而形成第1塗佈層；

   第2塗佈步驟，係在與前述基板之前述第1區域相異之第2區域塗佈前述第2印墨組成物，而形成第2塗佈層；及

   乾燥步驟，係在前述第1塗佈步驟及前述第2塗佈步驟之後，將前述基板放入乾燥機內，使前述第1塗佈層及前述第2塗佈層乾燥，而形成第1膜及第2膜；

   在前述印墨準備步驟中，以使第1主溶劑及第2主溶劑的種類相同之方式，準備前述第1印墨組成物及前述第2印墨組成物，前述第1主溶劑相對於前述第1印墨組成物之溶劑總量含有5質量%以上，前述第2主溶劑相對於前述第2印墨組成物之溶劑總量含有5質量%以上，

   前述試驗膜為在試驗基板塗佈印墨組成物並形成試驗塗佈層，將前述試驗基板放入前述乾燥機內，以前述乾燥步驟的乾燥條件使前述試驗塗佈層乾燥而得的膜，

   在前述試驗膜中，將全區域的面積設為A(μm ²)，將當最小膜厚被設為T _min(nm)時膜厚為T _min+10nm以下之區域的面積設為B(μm ²)時，前述平坦度R(%)係以下式計算，

   R=(B/A)×100。
2. 如申請專利範圍第1項所述之膜的製造方法，其中在前述印墨準備步驟中，以使前述第1主溶劑及前述第2主溶劑的種類相同且各成分含有比率相異方式，準備前述第1印墨組成物及前述第2印墨組成物。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之膜的製造方法，其中前述第1主溶劑及前述第2主溶劑含有式(1)所示化合物，

   

   式(1)中，R ¹表示碳數為10至12之烷基。
4. 如申請專利範圍第1或2項所述之膜的製造方法，其中前述第1主溶劑及前述第2主溶劑除了式(1)所示化合物以外係含有芳香族烴，

   

   式(1)中，R ¹表示碳數為10至12之烷基。
5. 如申請專利範圍第4項所述之膜的製造方法，其中前述芳香族烴係選自由戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、環己苯、及四氫萘所構成之群組。
6. 如申請專利範圍第1或2項所述之膜的製造方法，其中前述第1主溶劑及前述第2主溶劑含有芳香族醚。
7. 如申請專利範圍第6項所述之膜的製造方法，其中前述芳香族醚係選自由甲基苯甲醚、二甲基苯甲醚、乙基苯甲醚、丁基苯基醚、丁基苯甲醚、戊基苯甲醚、己基苯甲醚、庚基苯甲醚、辛基苯甲醚、及苯氧基甲苯所構成之群組。
8. 如申請專利範圍第1或2項所述之膜的製造方法，其中前述第1印墨組成物及前述第2印墨組成物含有互相相異的高分子化合物。
9. 如申請專利範圍第8項所述之膜的製造方法，其中前述高分子化合物為發光性化合物。
10. 一種有機EL元件的製造方法，係含有藉由如申請專利範圍第1或2項所述之膜的製造方法而製造膜之步驟。
11. 一種印墨組成物套組，係用於如申請專利範圍第1或2項所述之膜的製造方法者，

    並至少含有前述第1印墨組成物及前述第2印墨組成物。

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