TW202000459A - 附基底層之膜、透明導電性膜、透明導電性膜積層體及影像顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之附基底層之膜具備透明基材、及配置於透明基材之厚度方向一側之基底層。波長590 nm下之面內相位差為10.0 nm以下。基底層之距厚度方向一側200 nm深度處之塑性變形量為50 nm以下。

Description

附基底層之膜、透明導電性膜、透明導電性膜積層體及影像顯示裝置
本發明係關於一種附基底層之膜、透明導電性膜、透明導電性膜積層體及影像顯示裝置。
一直以來，將以成為所需之電極圖案之方式於透明基材上形成有含有銦錫複合氧化物之透明導電層之透明導電性膜用於觸控面板等光學用途。
例如，日本專利特開2017-62609號公報中揭示有一種透明導電性膜，其依序具備透明樹脂膜、硬塗層、光學調整層、及透明導電層。於此種日本專利特開2017-62609號公報之透明導電性膜中，硬塗層係為了對透明導電性膜賦予耐擦傷性而設置，光學調整層係為了避免電極圖案被視認到而設置。
且說，近年來，自可減小(減半)通過電極圖案(圖案部)之光量與通過電極圖案以外之部分(非圖案部)之光量之差，容易抑制電極圖案之視認之觀點出發，業界正研究一種透明導電性膜較偏光膜而言配置於更靠近液晶單元側(與視認側相反之側)之內單元型影像顯示裝置。
於此種影像顯示裝置中，由於為通過偏光膜之偏光通過透明導電性膜，故而就抑制偏光之消除之觀點而言，透明導電性膜必須具有面內相位差較低之特性。因此，使用環烯烴系膜等相位差較低之膜作為透明基材。
然而，若於透明基材形成透明導電層而製造透明導電性膜，則會發生透明導電性膜之厚度方向相位差大幅地上升之異常。其結果為，會發生來自傾斜方向之色變。
本發明提供一種可抑制偏光之消除且抑制來自傾斜方向之色變之附基底層之膜、透明導電性膜、透明導電性膜積層體及影像顯示裝置。 [解決問題之技術手段]
本發明[1]包括一種附基底層之膜，該附基底層之膜具備透明基材、及配置於上述透明基材之厚度方向一側之基底層，波長590 nm下之面內相位差為10.0 nm以下，上述基底層之距上述厚度方向一側200 nm深度處之塑性變形量為50 nm以下。
本發明[2]包括如[1]所記載之附基底層之膜，其中上述基底層具備硬塗層、及配置於上述硬塗層之厚度方向一側之光學調整層。
本發明[3]包括如[1]或[2]所記載之附基底層之膜，其中上述基底層之厚度為0.5 μm以上、2.0 μm以下。
本發明[4]包括一種透明導電性膜，該透明導電性膜具備如[1]至[3]中任一項所記載之附基底層之膜、及配置於上述附基底層之膜之厚度方向一側之透明導電層。
本發明[5]包括如[4]所記載之透明導電性膜，其於150℃下加熱90分鐘時之熱收縮率為0.10%以下。
本發明[6]包括如[4]或[5]所記載之透明導電性膜，其於130℃下加熱90分鐘時之厚度方向相位差為8.0 nm以下。
本發明[7]包括一種透明導電性膜積層體，該透明導電性膜積層體具備偏光元件、及如[4]至[6]中任一項所記載之透明導電性膜。
本發明[8]包括一種影像顯示裝置，該影像顯示裝置具備影像顯示元件、及如[7]所記載之透明導電性膜積層體，上述透明導電性膜係配置於上述偏光元件與上述影像顯示元件之間。
根據本發明之附基底層之膜，具備透明基材及基底層，波長590 nm下之面內相位差為10.0 nm以下，基底層之距上述厚度方向一側200 nm深度處之塑性變形量為50 nm以下。因此，若於本發明之附基底層之膜形成透明導電層而製造本發明之透明導電性膜及透明導電性膜積層體，則可抑制通過該等之偏光之消除。又，可抑制來自傾斜方向之光之色變。
又，本發明之影像顯示裝置由於具備本發明之透明導電性膜及透明導電性膜積層體，故而即便於傾斜方向亦可視認出呈現所需之顏色之影像。
＜一實施形態＞ 參照圖1~圖4，對本發明之附基底層之膜、透明導電性膜、透明導電性膜積層體及影像顯示裝置各自之一實施形態進行說明。
於圖1中，紙面上下方向係上下方向(厚度方向、第1方向)，紙面上側係上側(厚度方向一側、第1方向一側)，紙面下側係下側(厚度方向另一側、第1方向另一側)。又，紙面左右方向及深度方向係與上下方向正交之面方向。具體而言，依據各圖之方向箭頭。
1.附基底層之膜 如圖1所示，附基底層之膜1具有膜形狀(包含片狀)，該膜形狀具有特定之厚度，且附基底層之膜1具有沿面方向延伸且平坦之上表面及平坦之下表面。
附基底層之膜1具備透明基材2、及基底層3。即，附基底層之膜1具備透明基材2、及配置於其上表面之基底層3。較佳為附基底層之膜1由透明基材2及基底層3構成。
(透明基材) 透明基材2係用於確保附基底層之膜1(進而透明導電性膜6)之機械強度的透明之基材。即，透明基材2支持基底層3，又，於後述之透明導電性膜6中，一併支持基底層3與後述之透明導電層7。
透明基材2係附基底層之膜1之最下層，具有膜形狀。透明基材2以與基底層3之下表面接觸之方式，配置於基底層3之下表面整個面。
透明基材2係由具有透明性且面內相位差及厚度方向相位差較低之材料形成。
作為此種透明基材2之材料，例如可列舉環烯烴系樹脂。即，透明基材2較佳為環烯烴系膜。
環烯烴系樹脂係由環烯烴單體聚合而獲得且於主鏈之重複單元中具有脂環結構之高分子。環烯烴系樹脂較佳為非晶質環烯烴系樹脂。
作為環烯烴系樹脂，例如可列舉：包含環烯烴單體之環烯烴聚合物、包含環烯烴單體與乙烯等烯烴等之共聚物之環烯烴共聚物等。
作為環烯烴單體，可列舉：例如降𦯉烯、甲基降𦯉烯、二甲基降𦯉烯、亞乙基降𦯉烯、丁基降𦯉烯、二環戊二烯、二氫二環戊二烯、四環十二烯、三環戊二烯等多環式烯烴；例如環丁烯、環戊烯、環辛二烯、環辛三烯等單環式烯烴等。較佳為可列舉多環式烯烴。該等環烯烴可單獨地使用或併用2種以上。
透明基材2之全光線透過率(JIS K 7375-2008)例如為80%以上，較佳為85%以上。
就機械強度、將透明導電性膜6製成觸控面板用膜時之點選特性等觀點而言，透明基材2之厚度例如為2 μm以上，較佳為20 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為150 μm以下。透明基材2之厚度例如可使用微計測器式厚度計測定。
(基底層) 基底層3係用於對透明基材2、進而後述之透明導電性膜6賦予所需之功能(例如，耐擦傷性、圖案視認抑制性)之層。
基底層3具備硬塗層4、及光學調整層5。即，基底層3具備硬塗層4、及配置於其上表面之光學調整層5。較佳為基底層3由硬塗層4及光學調整層5所構成。
硬塗層4係用於抑制透明基材2發生破損之層。又，硬塗層4亦為用於在將透明導電層7配置於附基底層之膜1時抑制透明導電層7產生損傷之層。
硬塗層4具有膜形狀。硬塗層4以與透明基材2之上表面接觸之方式，配置於透明基材2之上表面整個面。更加具體而言，硬塗層4以與透明基材2之上表面及光學調整層5之下表面接觸之方式，配置於透明基材2與光學調整層5之間。
硬塗層4係硬化樹脂層，由硬塗組合物形成。 硬塗組合物含有樹脂，較佳為由樹脂組成。
作為樹脂，例如可列舉：硬化性樹脂、熱塑性樹脂(例如，聚烯烴樹脂)等，較佳為可列舉硬化性樹脂。
作為硬化性樹脂，可列舉：例如藉由活性能量線(具體而言，紫外線、電子束等)之照射而硬化之活性能量線硬化性樹脂、例如藉由加熱而硬化之熱固性樹脂等，較佳為可列舉活性能量線硬化性樹脂。
活性能量線硬化性樹脂例如可列舉具有於分子中具有聚合性碳-碳雙鍵之官能基之聚合物。作為此種官能基，例如可列舉：乙烯基、(甲基)丙烯醯基(甲基丙烯醯基及/或丙烯醯基)等。
尤其是就可降低塑性變形量之觀點而言，活性能量線硬化性樹脂較佳為具有多官能丙烯醯基單元。作為多官能丙烯醯基單元，可列舉：例如來自季戊四醇四丙烯酸酯之單元等來自季戊四醇聚丙烯酸酯之單元、例如來自二季戊四醇六丙烯酸酯之單元等來自二季戊四醇聚丙烯酸酯之單元，較佳為可列舉來自二季戊四醇聚丙烯酸酯之單元。
作為活性能量線硬化性樹脂，具體而言，例如可列舉：丙烯酸胺基甲酸酯、環氧丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系紫外線硬化性樹脂。就韌性及塑性變形量之觀點而言，較佳為可列舉丙烯酸胺基甲酸酯。更佳為可列舉多官能丙烯醯基單元經聚異氰酸酯改性之丙烯酸胺基甲酸酯。
作為聚異氰酸酯，例如可列舉異佛酮二異氰酸酯等脂環式聚異氰酸酯。
又，作為活性能量線硬化性樹脂以外之硬化性樹脂，例如可列舉：聚胺酯樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、矽氧烷系聚合物、有機矽烷縮合物等。
該等樹脂可單獨地使用或併用2種以上。
硬塗組合物亦可視需要含有粒子。作為粒子，例如可列舉光學調整層5中所例示之粒子。
硬塗組合物進而可含有聚合起始劑、塑化劑、抗氧化劑、調平劑、觸變劑、抗靜電劑等公知之添加劑。
就耐擦傷性之觀點而言，硬塗層4之厚度例如為0.2 μm以上，較佳為0.5 μm以上，又，例如為10 μm以下，較佳為2.0 μm以下。硬塗層4之厚度例如可基於使用瞬間多區測光系統觀測到之干涉光譜之波長而算出。
光學調整層5係透明導電性膜6中為了抑制透明導電層7之圖案之視認，並且確保透明性，而對附基底層之膜1(進而透明導電性膜6)之光學物性(例如，折射率)進行調整之層。
光學調整層5係附基底層之膜1之最上層，具有膜形狀。光學調整層5以與硬塗層4之上表面接觸之方式，配置於硬塗層4之上表面整個面。
光學調整層5係由光學調整組合物形成。光學調整組合物含有樹脂及粒子，較佳為由樹脂及粒子所組成。
作為樹脂，例如可列舉與硬塗組合物中所使用之樹脂相同者。樹脂可單獨地使用或併用2種以上。較佳為可列舉硬化性樹脂，更佳為可列舉活性能量線硬化性樹脂。
樹脂之含有比率相對於光學調整組合物，例如為10質量%以上，較佳為20質量%以上，又，例如為70質量%以下，較佳為60質量%以下，更佳為45質量%以下。
作為粒子，可根據光學調整層5所要求之折射率選擇適宜之材料，可列舉無機粒子、有機粒子等。作為無機粒子，可列舉：例如二氧化矽粒子；例如包含氧化鋯、氧化鈦、氧化鋅、氧化錫等之金屬氧化物粒子；例如碳酸鈣等碳酸鹽粒子等。作為有機粒子，例如可列舉交聯丙烯酸樹脂粒子等。粒子可單獨地使用或併用2種以上。
作為粒子，較佳為可列舉無機粒子，更佳為可列舉金屬氧化物粒子，進而較佳為可列舉氧化鋯粒子(ZnO2 )。
粒子之平均粒徑(D50 )例如為10 nm以上，較佳為30 nm以上，又，例如為100 nm以下，較佳為50 nm以下。
粒子之平均粒徑表示體積基準下之粒度分佈之平均粒徑(D50 )，例如可利用光繞射、散射法測定使粒子分散於水中而成之溶液。
粒子之含有比率相對於光學調整組合物，例如為30質量%以上，較佳為40質量%以上，較佳為55質量%以上，又，例如為90質量%以下，較佳為80質量%以下。若粒子之含量為上述下限以上，則可進一步確實地降低基底層3之塑性變形量。
光學調整組合物可進而含有聚合起始劑、塑化劑、抗氧化劑、調平劑、觸變劑、抗靜電劑等公知之添加劑。
光學調整層5之折射率例如為1.50以上，較佳為1.60以上，又，例如為1.80以下，較佳為1.75以下。折射率例如可利用阿貝折射率計(Abbe refractometer)測定。
光學調整層5之厚度例如為30 nm以上，較佳為50 nm以上，又，例如為150 nm以下，較佳為120 nm以下。光學調整層之厚度例如可基於使用瞬間多區測光系統觀測到之干涉光譜之波長而算出。
硬塗層4之厚度相對於光學調整層5之厚度之比(硬塗層/光學調整層)例如為2以上，較佳為5以上，又，例如為20以下，較佳為15以下。若上述比為上述範圍，則可使耐擦傷性及圖案視認抑制變得良好，且可確實地抑制透明導電性膜6之厚度方向相位差之上升。
來自基底層3之上表面3A(即，光學調整層5之上表面)之塑性變形量為50 nm以下，較佳為45 nm以下，更佳為40 nm以下，進而較佳為38 nm以下，又，例如為10 nm以上，較佳為20 nm以上。 若塑性變形量為上述上限以下，則於將透明導電層7形成於基底層3之上表面時，可抑制透明基材2、進而透明導電性膜6之厚度方向相位差之上升。另一方面，若塑性變形量為上述下限以上，則可撓性、耐衝擊性等優異。
塑性變形量依據JIS Z 2255，於基底層3之距上表面3A深度200 nm之範圍內測定。詳細之條件於實施例中詳細說明。
基底層3之厚度例如為0.3 μm以上，較佳為0.5 μm以上，又，例如為10 μm以下，較佳為2.0 μm以下。若基底層3之厚度為上述範圍，則可使耐擦傷性及圖案視認抑制變得良好，且可抑制透明導電性膜6之厚度方向相位差之上升。
(附基底層之膜之製造方法) 對附基底層之膜1之製造方法進行說明。藉由準備透明基材2，繼而，於透明基材2設置基底層3，從而製造附基底層之膜1。附基底層之膜1之製造較佳為藉由卷對卷方式實施。
首先，準備於搬送方向(MD方向)上為長條之透明基材2。
較佳為準備面內相位差及厚度方向相位差較低之透明基材2。
所準備之透明基材2之面內相位差例如為10.0 nm以下，較佳為5.0 nm以下。透明基材2之厚度方向相位差例如為30.0 nm以下，較佳為20.0 nm以下。藉由使用此種相位差之透明基材2準備透明導電性膜6，可進一步降低所獲得之附基底層之膜1或透明導電性膜6之面內相位差及厚度方向相位差。
就透明基材2與硬塗層4之密接性之觀點而言，視需要可對透明基材2之上表面例如實施濺鍍、電暈放電、火焰、紫外線照射、電子束照射、化學處理、氧化等蝕刻處理或底塗處理。又，可藉由溶劑洗淨、超音波洗淨等對透明基材2進行除塵、淨化。
繼而，於透明基材2之上表面設置基底層3。即，於透明基材2之上表面依序設置硬塗層4及光學調整層5。
首先，於透明基材2之上表面設置硬塗層4。例如，藉由將硬塗組合物濕式塗佈於透明基材2之上表面，而於透明基材2之上表面形成硬塗層4。
具體而言，例如，製備利用溶劑將硬塗組合物稀釋而成之溶液(清漆)，繼而，將硬塗組合物溶液塗佈於透明基材2之上表面，並加以乾燥。
作為溶劑，例如可列舉：有機溶劑、水系溶劑(具體而言，水)等，較佳為可列舉有機溶劑。作為有機溶劑，可列舉：例如甲醇、乙醇、異丙醇等醇化合物；例如丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮化合物；例如乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯化合物；丙二醇單甲醚(PGME)等醚化合物；例如甲苯、二甲苯等芳香族化合物等。該等溶劑可單獨地使用或併用2種以上。
硬塗組合物溶液中之固形物成分濃度例如為1質量%以上，較佳為10質量%以上，又，例如為50質量%以下，較佳為40質量%以下。
可根據硬塗組合物溶液及透明基材2適當選擇塗佈方法。作為塗佈方法，例如可列舉：浸漬塗佈法、氣刀塗佈法、簾幕式塗佈法、滾筒塗佈法、線棒塗佈法、凹版塗佈法、擠壓塗佈法等。
乾燥溫度例如為50℃以上，較佳為70℃以上，又，例如為200℃以下，較佳為100℃以下。
乾燥時間例如為0.5分鐘以上，較佳為1分鐘以上，又，例如為60分鐘以下，較佳為20分鐘以下。
其後，於硬塗組合物含有活性能量線硬化性樹脂之情形時，藉由在將硬塗組合物溶液乾燥後照射活性能量線，而使活性能量線硬化性樹脂硬化。
再者，於硬塗組合物含有熱固性樹脂之情形時，藉由該乾燥步驟，可於將溶劑乾燥去除之同時使熱固性樹脂熱硬化。
藉此，於透明基材2之上表面形成硬塗層4。
繼而，於硬塗層4之上表面設置光學調整層5。例如，藉由將光學調整組合物濕式塗佈於硬塗層4之上表面，而於硬塗層4之上表面形成光學調整層5。
具體而言，例如，製備利用溶劑將光學調整組合物稀釋而成之溶液(清漆)，繼而，將光學調整組合物溶液塗佈於硬塗層4之上表面，並加以乾燥。
塗佈及乾燥之條件等與形成硬塗層4時之條件相同。
其後，於光學調整組合物含有活性能量線硬化性樹脂之情形時，藉由在將光學調整組合物乾燥後，照射活性能量線，而使活性能量線硬化性樹脂硬化。
再者，於光學調整組合物含有熱固性樹脂之情形時，藉由該乾燥步驟，可於將溶劑乾燥去除之同時使熱固性樹脂熱硬化。
藉此，於硬塗層4之上表面形成光學調整層5，而形成包含硬塗層4及光學調整層5之基底層3。即，獲得具備透明基材2、及配置於其上表面之基底層3之附基底層之膜。具體而言，獲得具備透明基材2、配置於透明基材2之上表面之硬塗層4、及配置於硬塗層4之上表面之光學調整層5之附基底層之膜。
所獲得之附基底層之膜1之厚度例如為2 μm以上，較佳為20 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為150 μm以下。
附基底層之膜1之面內相位差為10.0 nm以下，較佳為8.0 nm以下，更佳為5.0 nm以下。
附基底層之膜1之厚度方向相位差例如為10.0 nm以下，較佳為8.0 nm以下，更佳為6.0 nm以下。
於本發明中，面內相位差及厚度方向相位差係23℃、波長590 nm下之相位差，例如可使用偏光、相位差測定系統(Axometrics公司製造，商品名「AxoScan」)測定。
再者，面內相位差R0 係利用式：R0 =(nx-ny)×d算出。厚度相位差Rth係利用式：Rth=(nx-nz)×d算出。此處，nx係面內之折射率為最大之方向(即，遲相軸方向)之折射率，ny係於面內與遲相軸正交之方向之折射率，nz係厚度方向之折射率，d係膜之厚度(nm)。
(用途) 附基底層之膜1例如使用於透明導電性膜6之製造。具體而言，於透明導電性膜6中，使用附基底層之膜1作為用於支持透明導電層7之支持膜。附基底層之膜1例如係用於製作後述之透明導電性膜6、透明導電性膜積層體8、影像顯示裝置11等之一零件。即，附基底層之膜1係如下一種器件，其未包含後述之透明導電層7、偏光元件10及影像顯示元件14(液晶單元等)，而作為零件單獨地流通，能夠於產業上利用。
並且，若使用附基底層之膜1製造透明導電性膜6，則可抑制透明導電性膜6之來自傾斜方向之色變。具體而言，附基底層之膜1之基底層3之塑性變形量為50 nm以下。即，基底層3不易發生塑性變形。因此，於在基底層3之上表面設置有透明導電層7時，可於附基底層之膜(尤其是透明基材2)中抑制熱收縮等變形。因此，可抑制附基底層之膜(尤其是透明基材2)之相位差(尤其是厚度方向相位差)之大幅上升。其結果為，可抑制所獲得之透明導電性膜6之厚度方向相位差之大幅上升，而可抑制來自傾斜方向之光之色變。
又，附基底層之膜1之面內相位差為10.0 nm以下。因此，所獲得之透明導電性膜6之面內相位差亦變低，對於透過透明導電性膜6之偏光，可抑制消偏光。
2.透明導電性膜 如圖2所示，透明導電性膜6具有膜形狀，該膜形狀具有特定之厚度，且透明導電性膜6具有沿面方向延伸且平坦之上表面及平坦之下表面。
透明導電性膜6具備附基底層之膜1、及配置於其上表面之透明導電層7。即，透明導電性膜6具備透明基材2、配置於透明基材2之上表面之硬塗層4、配置於硬塗層4之上表面之光學調整層5、及配置於光學調整層5之上表面之透明導電層7。較佳為透明導電性膜6由透明基材2、硬塗層4、光學調整層5、及透明導電層7所構成。
(透明導電層) 透明導電層7係用於視需要進行結晶化而於後續步驟中形成為所需之圖案之導電層。
透明導電層7係透明導電性膜6之最上層，其具有膜形狀。透明導電層7以與基底層3之上表面(即，光學調整層5之上表面)接觸之方式，配置於基底層3之上表面整個面。
作為透明導電層7之材料，例如可列舉含有選自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W所組成之群中之至少1種金屬之金屬氧化物。亦可視需要於金屬氧化物中進而摻雜上述群所示之金屬原子。
作為透明導電層7，具體而言，可列舉：例如銦錫複合氧化物(ITO)等含銦之氧化物；銻錫複合氧化物(ATO)等含銻之氧化物等，較佳為可列舉含銦之氧化物，更佳為可列舉ITO。
於透明導電層7係ITO層等銦錫複合氧化物層之情形時，氧化錫(SnO2 )含有比率相對於氧化錫及氧化銦(In2 O3 )之合計量，例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，又，例如為30質量%以下，較佳為15質量%以下。若氧化錫之含有比率為上述下限以上，則可使透明導電層7之耐久性變得更加良好。又，若氧化錫之含有比率為上述上限以下，則可使透明導電層7之結晶轉化變得容易，可提高透明性或表面電阻之穩定性。
本說明書中之所謂「ITO」只要為至少含有銦(In)及錫(Sn)之複合氧化物即可，亦可含有其等以外之追加成分。作為追加成分，例如可列舉In、Sn以外之金屬元素，具體而言，可列舉：Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W、Fe、Pb、Ni、Nb、Cr、Ga等。
透明導電層7之表面電阻例如為500 Ω/□以下，較佳為300 Ω/□以下，又，例如為10 Ω/□以上。表面電阻例如可利用四端子法測定。
透明導電層7之厚度例如為10 nm以上，較佳為20 nm以上，又，例如為50 nm以下，較佳為40 nm以下。透明導電層7之厚度例如可使用瞬間多區測光系統測定。
透明導電層7可為非晶質或結晶質之任意一種。
關於透明導電層7為非晶質抑或結晶質，例如，於透明導電層為ITO層之情形時，可藉由將其於20℃之鹽酸(濃度5質量%)中浸漬15分鐘後，加以水洗、乾燥，測定15 mm左右之間之端子間電阻而進行判斷。於本說明書中，於鹽酸(20℃，濃度：5質量%)中之浸漬、水洗、乾燥後，於15 mm間之端子間電阻超過10 kΩ之情形時，判斷ITO層為非晶質，於15 mm間之端子間電阻為10 kΩ以下之情形時，判斷ITO層為結晶質。
(透明導電性膜之製造方法) 對透明導電性膜6之製造方法進行說明。藉由準備附基底層之膜1，繼而，於附基底層之膜1之上表面設置透明導電層7，而製造透明導電性膜6。透明導電性膜6之製造較佳為利用卷對卷方式實施。
透明導電層7例如利用乾式方法形成於基底層3之上表面(光學調整層5之上表面)。
作為乾式方法，例如可列舉：真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法等。較佳為可列舉濺鍍法。利用該方法，可形成為薄膜且厚度均勻之透明導電層。
濺鍍法係藉由將靶及被附體(附基底層之膜1)對向配置於真空腔室內，供給氣體，並自電源施加電壓，從而使氣體離子加速並照射於靶，將靶材料自靶表面擊出，使該靶材料積層於被附體表面。
於採用濺鍍法之情形時，作為靶材，可列舉構成透明導電層7之上述無機物，較佳為可列舉ITO。就ITO層之耐久性、結晶化等觀點而言，ITO之氧化錫濃度例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，又，例如為30質量%以下，較佳為15質量%以下。
作為濺鍍氣體，例如可列舉Ar等惰性氣體。又，視需要可併用氧氣等反應性氣體。於併用反應性氣體之情形時，反應性氣體之流量比並無特別限定，相對於濺鍍氣體及反應性氣體之合計流量比，例如為0.1流量%以上5流量%以下。
濺鍍法係於真空下實施。具體而言，就濺鍍率之降低之抑制、放電穩定性等觀點而言，濺鍍時之氣壓例如為1 Pa以下，較佳為0.7 Pa以下。
濺鍍法所使用之電源例如可為DC(direct current，直流)電源、AC(alternating current)電源、MF(medium frequency，中頻)電源及RF(radio frequency，射頻)電源之任一種，又，亦可為其等之組合。
又，為了形成所需厚度之透明導電層7，亦可適當設定靶材或濺鍍之條件等，並實施複數次濺鍍。
藉此，於基底層3之上表面形成透明導電層7。即，獲得依序具備透明基材2、基底層3(硬塗層4及光學調整層5)、及透明導電層7之透明導電性膜6。再者，此時，透明導電層7係未結晶化之非晶質透明導電層7a。即，透明導電性膜6係具備非晶質透明導電層7a之非晶質透明導電性膜6a。
透明導電性膜6之厚度例如為2 μm以上，較佳為20 μm以上，又，例如為100 μm以下，較佳為50 μm以下。
非晶質透明導電性膜6a之面內方向相位差例如為10.0 nm以下，較佳為8.0 nm以下，更佳為5.0 nm以下。若上述面內相位差為上述上限以下，則可抑制消偏光。
非晶質透明導電性膜6a之厚度方向相位差例如為15.0 nm以下，較佳為13.0 nm以下，更佳為10.0 nm以下。若上述厚度方向相位差為上述上限以下，則可抑制來自傾斜方向之色變。
非晶質透明導電性膜6a於150℃下加熱90分鐘時之熱收縮率例如為0.10%以下，較佳為0.08%以下，更佳為0.06%以下。
即，將非晶質透明導電性膜6a切斷為於第1方向(例如，搬送方向：MD方向)及第2方向(例如，與搬送方向正交之寬度方向：TD方向)延伸之俯視下之矩形，從而製作樣品。於將該樣品於150℃下加熱90分鐘時，第1方向長度及第2方向長度之熱收縮率均為上述值之範圍。再者，熱收縮率(%)可根據[{(加熱前之長度)-(加熱後之長度)}/(加熱前之長度)×100]算出。膜之長度係於23℃之環境下測定。
繼而，視需要對透明導電性膜6之透明導電層7實施結晶轉化處理。藉由結晶轉化處理，可提高透明導電層7之導電性，並可降低透明導電性膜6之厚度方向相位差。
具體而言，於大氣下對透明導電性膜6實施加熱處理。
加熱處理例如可使用紅外線加熱器、烘箱等實施。
加熱溫度例如為100℃以上，較佳為120℃以上，又，例如為200℃以下，較佳為160℃以下。
加熱時間根據加熱溫度適當決定，例如為10分鐘以上，較佳為30分鐘以上，又，例如為5小時以下，較佳為3小時以下。
藉此，非晶質透明導電層7a變為結晶化透明導電層7b，獲得結晶化透明導電性膜6b。即，此時之透明導電性膜6係具備結晶化透明導電層7b之結晶化透明導電性膜6b。
結晶化透明導電性膜6b之面內方向相位差(尤其是將非晶質透明導電性膜6a於130℃下加熱90分鐘時之面相方向相位差)例如為10.0 nm以下，較佳為8.0 nm以下，更佳為5.0 nm以下。若上述面內相位差為上述上限以下，則可抑制消偏光。
結晶化透明導電性膜6b之厚度方向相位差(尤其是將非晶質透明導電性膜6a於130℃下加熱90分鐘時之厚度方向相位差)例如為10.0 nm以下，較佳為8.0 nm以下，更佳為5.0 nm以下，進而較佳為3.0 nm以下。若上述厚度方向相位差為上述上限以下，則可抑制來自傾斜方向之色變。
(用途) 例如，使用透明導電性膜6作為影像顯示裝置11(後述)等光學裝置所具備之觸控面板用基材。作為觸控面板之形式，例如可列舉：光學方式、超音波方式、靜電電容方式、電阻膜方式等各種方式，尤其適宜地使用於靜電電容方式之觸控面板。
透明導電性膜6係用於製作透明導電性膜積層體8、影像顯示裝置11等之一零件。即，透明導電性膜6係如下一種器件，其未包含偏光元件10及影像顯示元件14(液晶單元等)，而作為零件單獨地流通，能夠於產業上利用。
並且，於透明導電性膜6中，由於具備面內相位差為10.0 nm以下之附基底層之膜1，故而面內相位差之值較小。因此，對於透過透明導電性膜6之偏光，可抑制消偏光。
又，由於透明導電性膜6具備200 nm深度處之塑性變形量為50 nm以下之附基底層之膜1，故而可減小透明導電性膜6之厚度方向相位差之值。因此，對於透過透明導電性膜6之偏光，可抑制色變。
3.透明導電性膜積層體 如圖3所示，透明導電性膜積層體8具有膜形狀，該膜形狀具有特定之厚度，且透明導電性膜積層體8具有於面方向延伸且平坦之上表面及平坦之下表面。
透明導電性膜積層體8具備透明導電性膜6、配置於其上表面之第1黏著劑層9、及偏光元件10。即，透明導電性膜積層體8具備透明基材2、配置於透明基材2之上表面之硬塗層4、配置於硬塗層4之上表面之光學調整層5、配置於光學調整層5之上表面之透明導電層7、配置於透明導電層7之上表面之第1黏著劑層9、及配置於第1黏著劑層9之上表面之偏光元件10。較佳為透明導電性膜積層體8由透明基材2、硬塗層4、光學調整層5、透明導電層7、第1黏著劑層9、及偏光元件10所構成。
於透明導電性膜積層體8中，透明導電層7較佳為結晶化透明導電層7b。又，透明導電層7較佳為經圖案化，而具備圖案部15及非圖案部16。
圖案化係於透明導電性膜6之結晶轉化之前或之後例如藉由公知之蝕刻實施。
透明導電層7之圖案根據應用透明導電性膜6之用途適當決定，例如可列舉條紋狀等電極圖案或配線圖案。
蝕刻例如以與圖案部15及非圖案部16對應之方式，將被覆部(遮蔽膠帶等)配置於透明導電層7上，使用蝕刻液對自被覆部露出之透明導電層7(非圖案部16)進行蝕刻。作為蝕刻液，例如可列舉：鹽酸、硫酸、硝酸、乙酸、草酸、磷酸及其等之混酸等酸。其後，自透明導電層7之上表面例如藉由剝離等去除被覆部。
藉此，如圖3所示，透明導電層7被圖案化，從而透明導電層7具備圖案部15及非圖案部16。
(第1黏著劑層) 第1黏著劑層9係用於將透明導電性膜6與偏光元件10接著之層。
第1黏著劑層9具有膜形狀。第1黏著劑層9以與透明導電層7(圖案部15)之上表面、側面、及自該等面露出之基底層3(非圖案部16)之上表面整個面接觸之方式，配置於該等面。又，第1黏著劑層9以與偏光元件10之下表面接觸之方式配置於偏光元件10之下表面整個面。
作為第1黏著劑層9之材料，例如可列舉：丙烯酸系黏著劑、丁基橡膠系黏著劑、矽酮系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚胺基甲酸酯系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、環氧系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、氟樹脂系黏著劑等。
第1黏著劑層9之厚度例如為1 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為150 μm以下。
(偏光元件) 偏光元件10係用於將光轉換為直線偏光之層。
偏光元件10係透明導電性膜積層體8之最上層，具有膜形狀。偏光元件10以與第1黏著劑層9之上表面接觸之方式，配置於第1黏著劑層9之上表面整個面。
作為偏光元件10，例如可列舉含碘之聚乙烯醇系膜。
作為聚乙烯醇系膜之材料，例如可列舉聚乙烯醇及其衍生物。作為衍生物，例如可列舉：聚乙烯醇縮甲醛、聚乙烯醇縮乙醛。又，作為衍生物，例如亦可列舉將聚乙烯醇利用烯烴(例如，乙烯、丙烯)、不飽和羧酸(丙烯酸、甲基丙烯酸等)、丙烯醯胺等改性之改性體。
偏光元件10係藉由向包含乙烯醇或其衍生物之膜中添加碘，繼而加以延伸而獲得。
此種偏光元件例如記載於日本專利特開昭51-069644號公報、日本專利特開2000-338329號公報、國際公開2010/100917號說明書、日本專利第4691205號說明書、日本專利第4751481號說明書等。
偏光元件10亦可分別於聚乙烯醇系膜之上表面及下表面具備保護膜。即，偏光元件10亦可為具備聚乙烯醇系膜、及配置於其兩面之保護膜之積層體。作為保護膜之材料，例如可列舉上述透明基材2之材料。
偏光元件10之厚度例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，又，例如為200 μm以下，較佳為100 μm以下。
透明導電性膜積層體8例如可藉由如下方法製造：於透明導電性膜6之上表面塗佈液狀之黏著劑或配置黏著劑膠帶，形成第1黏著劑層9，繼而，將偏光元件10配置於第1黏著劑層9之上表面。
(用途) 使用透明導電性膜積層體8例如作為影像顯示裝置11等光學裝置所具備之觸控面板用基材。
透明導電性膜積層體8係用於製作影像顯示裝置11等之一零件。即，透明導電性膜積層體8係如下一種器件，其未包含影像顯示元件14，而作為零件單獨地流通，能夠於產業上利用。
並且，由於透明導電性膜積層體8具備透明導電性膜6，故而可抑制消偏光，且可抑制來自傾斜方向之光之色變。
4.影像顯示裝置 如圖4所示，影像顯示裝置11具備透明導電性膜積層體8、配置於其上表面之第2黏著劑層12及透明保護板13、以及對向配置於其下表面之影像顯示元件14。即，影像顯示裝置11於厚度方向上依序具備影像顯示元件14、透明基材2、硬塗層4、光學調整層5、透明導電層7、第1黏著劑層9、偏光元件10、第2黏著劑層12、及透明保護板13。再者，於圖4中，上側係視認側，下側係影像顯示元件側。
(第2接著劑層) 第2黏著劑層12係用於將透明導電性膜積層體8與透明保護板13接著之層。
第2黏著劑層12具有膜形狀。第2黏著劑層12以與偏光元件10之上表面及透明保護板13之下表面接觸之方式，配置於偏光元件10之上表面整個面及透明保護板13之下表面整個面。
第2黏著劑層12之材料可列舉與上述第1黏著劑層9中所說明之材料相同者。
第2黏著劑層12之厚度例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為150 μm以下。
(透明保護板) 透明保護板13係用於保護影像顯示元件14等影像顯示裝置內部構件不受來自外部之衝擊或污染之層。
透明保護板13具有俯視下之大致平板形狀，以與第2黏著劑層12之上表面接觸之方式，配置於第2黏著劑層12之上表面整個面。
透明保護板13具備透明性，具有適度之厚度及機械強度。
作為透明保護板13，可列舉：例如包含丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂等硬質性樹脂之樹脂板；例如玻璃板等。
透明保護板13之厚度例如為10 μm以上，較佳為500 μm以上，又，例如為10 mm以下，較佳為5 mm以下。
(影像顯示元件) 影像顯示元件14與附基底層之膜1隔開間隔而對向配置。
作為影像顯示元件14，例如可列舉液晶單元。液晶單元未圖示，具備液晶層、配置於液晶層之下側之偏光元件、及彩色濾光片。
由於影像顯示裝置11具備透明導電性膜6，故而使得偏光元件10與影像顯示元件14之間之消偏光得到抑制，並使得來自傾斜方向之色變得到抑制。因此，具備觸控面板功能，且即便於傾斜方向亦可視認出呈現所需之顏色之影像。
＜變化例＞ 於上述一實施形態中，基底層3具備硬塗層4及光學調整層5，但例如雖未圖示，基底層3可僅具備硬塗層4，又，亦可僅具備光學調整層5。
較佳為基底層3具備硬塗層4及光學調整層5之兩者。藉此，可兼顧擦傷性及圖案視認抑制功能，且減小透明導電性膜6之厚度方向相位差。
又，雖未圖示，但上述一實施形態亦可於透明基材2之下表面進而具備硬塗層4等功能層。 實施例
以下示出實施例及比較例，對本發明進而具體地進行說明。再者，本發明不受任何實施例及比較例限定。又，於以下之記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可代替為上述「實施方式」中所記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限值(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(定義為「以上」、「超過」之數值)。
(附基底層之膜) 實施例1 準備環烯烴系膜(COP膜：厚度40 μm，Zeon公司製造，「ZEONOR ZF-16」，面內相位差R0 ：4 nm，厚度方向相位差Rth：15 nm)作為於搬送方向(MD方向)上為長條之透明基材。利用卷對卷方式以如下方式製造附基底層之膜。
將紫外線硬化型丙烯酸樹脂(Aica Kogyo公司製造，「Z-850-6L」)100質量份、及有機溶劑(乙酸乙酯50質量%與PGME 50質量%之混合液)160質量份加以混合，製備硬塗組合物溶液。將硬塗組合物溶液塗佈於COP膜之上表面，於80℃下乾燥1分鐘後，照射紫外線。藉此，於COP膜之上表面形成厚度1.0 μm之硬塗層。
繼而，將含有氧化鋯粒子之紫外線硬化型丙烯酸樹脂(JSR公司製造，「Opstar Z7412」)、及PGME 700質量份加以混合，製備光學調整組合物。將光學調整組合物溶液塗佈於硬塗層之上表面，於60℃下乾燥1分鐘後，照射紫外線。藉此，於硬塗層之上表面形成厚度100 nm之光學調整層。
以上述方式製造依序具備COP膜、及基底層(硬塗層及光學調整層)之附基底層之膜。
實施例2~4 除將光學調整組合物之含有氧化鋯粒子之紫外線硬化型丙烯酸樹脂變更為表1所記載之含有氧化鋯粒子之紫外線硬化型丙烯酸樹脂以外，以與實施例1同樣之方式製造附基底層之膜。
比較例1 將紫外線硬化型丙烯酸樹脂(DIC公司製造，「RC29-120」)100質量份、及有機溶劑(乙酸乙酯)160質量份混合，製備硬塗組合物溶液。除了使用該硬塗組合物溶液以外，以與實施例1同樣之方式製造附基底層之膜。
比較例2~3 除了將光學調整組合物之含有氧化鋯粒子之紫外線硬化型丙烯酸樹脂變更為表1所記載之含有氧化鋯粒子之紫外線硬化型丙烯酸樹脂以外，以與比較例1同樣之方式製造附基底層之膜。
比較例4 將紫外線硬化型丙烯酸樹脂(東洋油墨公司製造，「TYZ64-A12」)100質量份、及有機溶劑(乙酸乙酯)160質量份混合，製備硬塗組合物溶液，使用該硬塗組合物溶液形成硬塗層。又，不形成光學調整層。除此以外，以與實施例1同樣之方式製造僅具備COP膜及硬塗層之附基底層之膜。
(透明導電性膜) 於各實施例及各比較例之附基底層之膜中，於光學調整層(比較例4係硬塗層)之上表面形成有厚度為30 nm之非晶質之ITO層(透明導電層)。具體而言，使用捲取式濺鍍裝置，於導入有氬氣98%及氧氣2%之氣壓為0.4 Pa之真空氣氛下，對ITO靶進行濺鍍。使用97質量%之氧化銦及3質量%之氧化錫之燒結體作為ITO靶。由此製造透明導電性膜。
(折射率之測定) 對於各實施例及各比較例之附基底層之膜之光學調整層，使用阿貝折射率計測定光學調整層之折射率。光學調整層之折射率均為1.60~1.68之範圍。
(塑性變形量之測定) 依據JIS Z 2255，於下述條件下，對各實施例及各比較例之附基底層之膜之上表面(光學調整層側)測定深度200 nm處之塑性變形量。將結果示於表1。
使用裝置：奈米壓痕儀，Hysitoron公司製造之「Triboindeter」 壓頭：Berkobich(三角錐型) 測定模式：單一壓入 測定溫度：室溫(23℃) 壓入深度：200 nm (面內相位差及厚度方向相位差之測定) 於各實施例及各比較例之附基底層之膜及透明導電性膜中，於23℃之環境下，使用偏光、相位差測定系統(Axometrics公司製造，商品名「AxoScan」)，測定波長590 nm下之面內相位差R0 及厚度方向相位差Rth。
將各實施例及各比較例之透明導電性膜於130℃下加熱90分鐘，使ITO層結晶化。於與上述同樣之條件下測定所獲得之結晶化透明導電性膜之面內相位差R0 及厚度方向相位差Rth。
將該等結果示於表1。
(熱收縮率之測定) 將各實施例及各比較例之透明導電性膜切斷為MD方向長度20 cm×TD方向長度20 cm之俯視下之正方形狀，於150℃下加熱90分鐘。基於式([加熱前之長度-加熱後之長度]/加熱前之長度×100%)，分別測定此時之MD方向及TD方向之熱收縮率。將結果示於表1。
(傾斜方向之色變) 將各實施例及各比較例之透明導電性膜於130℃下加熱90分鐘，使ITO層結晶化。藉由目視自正面及上方斜向45度觀察所獲得之結晶化透明導電性膜。
將未觀察到色調之變化之情形評價為◎。將雖觀察到色調有極其細小之變化，但實用上無問題之情形評價為。將觀察到色調有較大之變化之情形評價為×。將結果示於表1。 [表1]
Figure 108120466-A0304-0001
將表中所記載之商品之詳情表示如下。 「Z-850-6L」：Aica Kogyo公司製造，紫外線硬化型丙烯酸樹脂(來自二季戊四醇六丙烯酸酯之單元經異佛酮二異氰酸酯改性之丙烯酸胺基甲酸酯) 「RC29-120」：DIC公司製造，紫外線硬化型丙烯酸樹脂(具有丙烯醯基之具有來自甘油之單元之甲基丙烯酸系聚合物) 「TYZ64-A12」：東洋油墨公司製造，紫外線硬化型丙烯酸樹脂(來自季戊四醇四丙烯酸酯之單元經異佛酮二異氰酸酯改性之丙烯酸胺基甲酸酯) 「Z7414」：JSR公司製造，含有氧化鋯粒子(平均粒徑40 nm)65質量%及紫外線硬化型丙烯酸樹脂 「Z7412」：JSR公司製造，含有氧化鋯粒子(平均粒徑40 nm)48質量%及紫外線硬化型丙烯酸樹脂 「RA023」：荒川化學工業公司製造，含有氧化鋯粒子(平均粒徑20 nm)49質量%及紫外線硬化型丙烯酸樹脂 「RA021」：荒川化學工業公司製造，含有氧化鋯粒子(平均粒徑40 nm)48質量%及紫外線硬化型丙烯酸樹脂 再者，上述說明係作為本發明之例示之實施形態提供，但其僅為例示，不可限定性地解釋。該技術領域之業者所明確之本發明之變化例包含於後述之發明申請專利範圍中。
1‧‧‧附基底層之膜 2‧‧‧透明基材 3‧‧‧基底層 3A‧‧‧上表面 4‧‧‧硬塗層 5‧‧‧光學調整層 6‧‧‧透明導電性膜 6a‧‧‧非晶質透明導電性膜 6b‧‧‧結晶化透明導電性膜 7‧‧‧透明導電層 7a‧‧‧非晶質透明導電層 7b‧‧‧結晶化透明導電層 8‧‧‧透明導電性膜積層體 9‧‧‧第1黏著劑層 10‧‧‧偏光元件 11‧‧‧影像顯示裝置 12‧‧‧第2黏著劑層 13‧‧‧透明保護板 14‧‧‧影像顯示元件 15‧‧‧圖案部 16‧‧‧非圖案部
圖1表示本發明之附基底層之膜之一實施形態的剖視圖。 圖2表示具備圖1所示之附基底層之膜之透明導電性膜的剖視圖。 圖3表示具備圖2所示之透明導電性膜之透明導電性膜積層體的剖視圖。 圖4表示具備圖3所示之透明導電性膜積層體之影像顯示裝置的剖視圖。
1‧‧‧附基底層之膜
2‧‧‧透明基材
3‧‧‧基底層
3A‧‧‧上表面
4‧‧‧硬塗層
5‧‧‧光學調整層

Claims (9)

  1. 一種附基底層之膜，其特徵在於其具備 透明基材、及 配置於上述透明基材之厚度方向一側之基底層，且 波長590 nm下之面內相位差為10.0 nm以下， 上述基底層之距上述厚度方向一側200 nm深度處之塑性變形量為50 nm以下。
  2. 如請求項1之附基底層之膜，其中上述基底層具備硬塗層、及配置於上述硬塗層之厚度方向一側之光學調整層。
  3. 如請求項1或2之附基底層之膜，其中上述基底層之厚度為0.5 μm以上、2.0 μm以下。
  4. 一種透明導電性膜，其特徵在於具備： 如請求項1至3中任一項之附基底層之膜、及 配置於上述附基底層之膜之厚度方向一側之透明導電層。
  5. 如請求項4之透明導電性膜，其於150℃下加熱90分鐘時之熱收縮率為0.10%以下。
  6. 如請求項4之透明導電性膜，其於130℃下加熱90分鐘時之厚度方向相位差為8.0 nm以下。
  7. 如請求項5之透明導電性膜，其於130℃下加熱90分鐘時之厚度方向相位差為8.0 nm以下。
  8. 一種透明導電性膜積層體，其特徵在於具備： 偏光元件、及 如請求項4至7中任一項之透明導電性膜。
  9. 一種影像顯示裝置，其特徵在於其具備 影像顯示元件、及 如請求項8之透明導電性膜積層體，且 上述透明導電性膜配置於上述偏光元件與上述影像顯示元件之間。
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