TW201942991A - 磁性配線電路基板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之磁性配線電路基板之製造方法包含：夾持步驟，其係利用2個壓板，依序夾持絕緣層、沿著特定方向相互隔開間隔配置於絕緣層之厚度方向一面之複數個配線部、第1磁性片材、脫模緩衝片材；及第1加壓步驟，其係利用壓板，對絕緣層、複數個配線部、第1磁性片材、脫模緩衝片材進行熱壓。於第1加壓步驟中，自第1磁性片材，以填充於複數個配線部間，且被覆配線部之厚度方向一面之方式，形成第1磁性層。脫模緩衝片材具備：第1層；及第2層，其配置於第1層之厚度方向一側；且第2層之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'低於第1層之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'。

Description

磁性配線電路基板及其製造方法

本發明係關於一種磁性配線電路基板及其製造方法。

先前，已知有一種具備空芯線圈、及將空芯線圈埋設之磁性層之電感器等磁性片材。

例如，提出有一種具備空芯線圈、填充於空芯線圈之內側之各向異性複合磁性部、及積層於空芯線圈之上表面之各向異性複合磁性片材之磁性片材(例如，參照專利文獻1)。

於專利文獻1之磁性片材之製造方法中，首先準備空芯線圈，其後將各向異性複合磁性部填充於空芯線圈之中芯之內側，其後將各向異性複合磁性片材積層於空芯線圈之上表面。

而且，於專利文獻1之電感器中，空芯線圈之內側之磁導率藉由各向異性複合磁性部而上升，因此電感優異。
[先前技術文獻]
[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2009-9985號公報

[發明所欲解決之問題]

但於專利文獻1所記載之方法中，對磁性片材藉由分開之步驟形成各向異性複合磁性部及各向異性複合磁性片材。因此，製造步驟數較多，其結果，存在無法簡便地製造磁性片材之問題。

又，對磁性片材要求更優異之電感。

本發明提供一種能一次性簡便地形成磁性層之磁性配線電路基板之製造方法、及具有較高之電感之磁性配線電路基板。
[解決問題之技術手段]

本發明(1)包含一種磁性配線電路基板之製造方法，其包含：夾持步驟，其係利用2個壓板，依序夾持絕緣層、沿著特定方向相互隔開間隔配置於上述絕緣層之厚度方向一面之複數個配線部、第1磁性片材、脫模緩衝片材；及第1加壓步驟，其係利用上述壓板，對上述絕緣層、上述複數個配線部、上述第1磁性片材、上述脫模緩衝片材進行熱壓；且於上述第1加壓步驟中，由上述第1磁性片材，以填充於上述複數個配線部間，且被覆上述配線部之上述厚度方向一面之方式，形成第1磁性層；上述脫模緩衝片材具備：第1層；及第2層，其配置於上述第1層之上述厚度方向一側；且上述第2層之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'低於上述第1層之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'。

根據該磁性配線電路基板之製造方法，藉由利用壓板，對絕緣層、複數個配線部、第1磁性片材、脫模緩衝片材進行熱壓之第1加壓步驟，能一次性簡便地形成磁性層。

並且，脫模緩衝片材之第2層之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'低於第1層之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'，因此於以上述溫度實施第1加壓步驟時，第2層與第1層相比，變得較為柔軟，因此第2層與第1層相比較易流動，能隔著第1層將第1磁性片材向複數個配線部間擠壓。因此，於第1加壓步驟中，能確切地形成填充於複數個配線部間且被覆配線部之對向面之磁性層。

其結果，能獲得具有較高之電感之磁性配線電路基板。

本發明(2)包含如(1)所記載之磁性配線電路基板之製造方法，其中上述第2層之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'為20 MPa以下。

於該磁性配線電路基板之製造方法中，第2層之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'低至20 MPa以下，故而於第1加壓步驟中，以上述溫度進行熱壓時，第2層能確切地流動。因此，第2層能將第1磁性片材向複數個配線部間擠壓。其結果，能將磁性層確切地填充於複數個配線部間，從而能獲得具有較高之電感之磁性配線電路基板。

本發明(3)包含如(1)或(2)所記載之磁性配線電路基板之製造方法，其中上述第2層之厚度T2之相對於上述配線部之厚度T1之比為0.5以上。

於該磁性配線電路基板之製造方法中，第2層之厚度T2之相對於配線部之厚度T1之比高達0.5以上，故而於第1加壓步驟中，藉由較厚之第2層，能靈活地對配線部之厚度方向一面之第1磁性片材進行熱壓，因此能充分確保與該部分對應之磁性層之厚度。其結果，能藉由磁性層，確切地被覆配線部之厚度方向一面。

本發明(4)包含如(1)～(3)中任一項所記載之磁性配線電路基板之製造方法，其中上述脫模緩衝片材進而具備配置於上述第2層之上述厚度方向一側之第3層，且上述第2層之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'低於上述第3層之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'。

於該磁性配線電路基板之製造方法中，脫模緩衝片材進而具備具有較第2層之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'高之拉伸儲存彈性模數E'的第3層，故而於以上述溫度實施第1加壓步驟時，藉由與第2層相比較硬之第3層，能抑制脫模緩衝片材向厚度方向一側變形。因此，能確切地實施第1加壓步驟。

本發明(5)包含(1)～(4)中任一項所記載之磁性配線電路基板之製造方法，其中上述第1磁性層之厚度T3之相對於上述配線部之厚度T1之比為0.5以上。

於該磁性配線電路基板之製造方法中，第1磁性層之厚度T3之相對於配線部之厚度T1之比高達0.5以上，故而能將磁性層以確切地填充於複數個配線部間之方式形成。其結果，能提高配線部間之實效磁導率，從而能獲得具有較高之電感之磁性配線電路基板。

本發明(6)包含如(1)～(4)中任一項所記載之磁性配線電路基板之製造方法，其進而包含第2加壓步驟，該步驟係利用上述壓板，對上述絕緣層、上述複數個配線部、藉由上述第1步驟形成之第1磁性層、第2磁性片材、上述脫模緩衝片材進行熱壓；且於上述第2加壓步驟中，由上述第2磁性片材形成第2磁性層，藉此形成具備上述第1磁性層及上述第2磁性層之磁性層。

該磁性配線電路基板之製造方法進而包含第2加壓步驟，故而能形成較厚之磁性層。因此，能提高配線部間之實效磁導率，從而能獲得具有較高之電感之磁性配線電路基板。

本發明(7)包含如(6)所記載之磁性配線電路基板之製造方法，其中上述第1磁性層之厚度T3之相對於上述配線部之厚度T1之比未達0.5，且上述第1磁性層之厚度T3及上述第2磁性層之厚度T4之合計之相對於上述配線部之厚度T1之比為0.5以上。

若第1磁性層之厚度T3之相對於配線部之厚度T1之比低至未達0.5，則磁性層變薄，因此容易使向複數個配線部間填充磁性層變得困難。

但根據該磁性配線電路基板之製造方法，第1磁性層之厚度T3及第2磁性層之厚度T4之合計之相對於配線部之厚度T1之比高達0.5以上，故而具備第1磁性層及第2磁性層之磁性層較厚，因此能確切地向複數個配線部間填充較厚磁性層。其結果，能獲得具有較高之電感之磁性配線電路基板。

本發明(8)包含如(6)或(7)所記載之磁性配線電路基板之製造方法，其中上述第1磁性片材及上述第2磁性片材含有磁性粒子，且上述第1磁性片材中之磁性粒子之含有比率低於上述第2磁性片材中之磁性粒子之含有比率。

根據該磁性配線電路基板之製造方法，第1磁性片材中之磁性粒子之含有比率低於第2磁性片材中之磁性粒子之含有比率。故而，將與第2磁性片材相比較為柔軟之第1磁性片材確切地配置於複數個配線部間，繼而將與第1磁性片材相比較為剛直之第2磁性片材配置於已配置在複數個配線部間之第1磁性層，藉此能向複數個配線部間填充具備第1磁性層及第2磁性層之磁性層。

進而，藉由自以較第1磁性片材中之磁性粒子之含有比率高之含有比率含有磁性粒子之第2磁性片材形成的第2磁性層，能提高磁性配線電路基板之電感。

本發明(9)包含一種磁性配線電路基板，其具備：絕緣層；複數個配線部，其等於上述絕緣層之厚度方向一面沿著特定方向相互隔開間隔而配置；及磁性層，其填充於上述複數個配線部間，且被覆上述配線部之與上述厚度方向一面隔開間隔而對向配置之對向面；且上述磁性層具有：複數個凸部，其等配置於上述複數個配線部之上述對向面，朝向上述厚度方向一側隆起；及凹部，其位於複數個上述凸部之間，相對於相鄰之上述凸部朝向上述厚度方向另一側凹陷；上述凸部僅具有1個位於上述厚度方向最靠一側之頂部，上述凹部具有朝向上述厚度方向另一側呈大致彎曲形狀下沉之形狀，且具有相對於通過相鄰之上述配線部之上述對向面之假想面而位於上述厚度方向一側之底部。

於該磁性配線電路基板中，凸部僅具有1個頂部，且凹部具有朝向厚度方向另一側呈大致彎曲形狀凹陷之形狀，且具有相對於通過相鄰之配線部之對向面之假想面而位於厚度方向一側之底部。因此，藉由順暢地通過上述凸部及凹部之磁路，能提高配線部周圍之磁導率。

其結果，該磁性配線電路基板具有較高之電感。
[發明之效果]

根據本發明之磁性配線電路基板之製造方法，能一次性簡便地形成磁性層，從而能獲得具有較高之電感之磁性配線電路基板。

本發明之磁性配線電路基板藉由順暢地通過凸部及凹部之磁路，能提高配線部周圍之磁導率，故而具有較高之電感。

＜第1實施形態＞
參照圖1A～圖2B，對本發明之磁性配線電路基板及其製造方法之第1實施形態進行說明。

再者，於圖2A～圖2B中，對於第2層32(下述)，為了以箭頭清晰表示出引起變形之流動壓力，而省略了其影線。

如圖1A～圖2B所示，磁性配線電路基板1之製造方法包含：夾持步驟(參照圖1A)，其係利用2個壓板20，依序夾持絕緣層2、複數個配線部4、第1磁性片材5、脫模緩衝片材6；及第1加壓步驟(參照圖1B)，其係利用2個壓板20，對絕緣層2、複數個配線部4、第1磁性片材5、脫模緩衝片材6進行熱壓。於磁性配線電路基板1之製造方法中，依序實施上述步驟。

如圖1A所示，於夾持步驟中，首先，分別準備絕緣層2、複數個配線部4、第1磁性片材5、脫模緩衝片材6。

絕緣層2具有沿著相對於厚度方向正交之方向(面方向)延伸之片狀，且具有作為厚度方向一面之第1絕緣面3、及作為厚度方向另一面之第2絕緣面9。絕緣層2係支持下文所說明之複數個配線部4之支持材，進而亦係支持磁性配線電路基板1之支持層。又，絕緣層2具有韌性。作為絕緣層2之材料，例如可列舉聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、丙烯酸系樹脂等絕緣材料。又，絕緣層2可為單層亦可為複數層。於絕緣層2為複數層之情形時，如假想線所示，朝向厚度方向一側依序具備：例如，由聚酯樹脂(聚對苯二甲酸乙二酯等)構成之第1支持層12；例如，由丙烯酸系樹脂構成之感壓接著層13；例如，由聚醯亞胺樹脂構成之第2支持層14。於該情形時，第2支持層14經由感壓接著層13感壓接著(支持)於支持層12。第2支持層14形成第1絕緣面3。支持層12形成第2絕緣面9。

複數個配線部4沿著面方向(特定方向之一例)(具體而言，為相當於圖1A中之左右方向之第1方向)相互隔開間隔配置於絕緣層2之第1絕緣面3。作為複數個配線部4之俯視(沿著厚度方向觀察時)形狀，並不特別限定，例如可列舉大致線圈形狀、大致圓環形狀、大致S形狀等。

作為複數個配線部4各自之剖視(詳細而言，為沿著厚度方向及第1方向切斷時之剖視)形狀，並不特別限定，例如可列舉大致矩形、大致梯形等至少沿著厚度方向對向之一組面平行之四邊形等。

又，複數個配線部4配置於絕緣層2之第1絕緣面3。較佳為如下情況，即，於絕緣層2具有支持層12、感壓接著層13及第2支持層14之情形時，複數個配線部4藉由與第2支持層14接觸，而支持於絕緣層2。

複數個配線部4分別一體具備相對於絕緣層2之第1絕緣面3隔開間隔對向配置於厚度方向一側之對向面15、與絕緣層2之第1絕緣面3接觸之被支持面16、以及將對向面15及被支持面16之周端緣連結之側面(詳細而言，為將第1方向上之兩端緣連結之兩側面)17。

對向面15係沿著第1方向之平坦面。

被支持面16係與對向面15平行之平坦面。

側面17沿著厚度方向延伸。側面17於1個配線部4具備2個。2個側面17沿著第1方向隔開間隔對向配置。2個側面17具有如下形狀，即，若配線部4為大致梯形，則隨著向厚度方向一側前進，2個側面17以相互靠近之方式傾斜。即，側面17係隨著沿厚度方向朝向一側而對向長度變短之傾斜面。

作為複數個配線部4之材料，例如可列舉銅等金屬(導體)。

複數個配線部4之尺寸係根據磁性配線電路基板1之用途及目的而適當設定，例如，厚度T1(對向面15及被支持面16之對向長度)例如為20 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為150 μm以下。配線部4之寬度作為對向面15之第1方向長度，例如為1900 μm以下20 μm以上，作為被支持面16之第1方向長度，例如為2000 μm以下30 μm以上。複數個配線部4間之間隔作為相鄰之配線部4之側面17的第1方向上之間隔，例如為2100 μm以下60 μm以上，作為相鄰之配線部4之被支持面16的第1方向上之間隔，例如為2000 μm以下30 μm以上。

配線部4之厚度T1之相對於配線部4之寬度(對向面15或被支持面16之第1方向長度)之比(T1/寬度)例如為0.01以上，較佳為0.025以上，又，例如為10以下，較佳為5以下。配線部4之厚度T1之相對於配線部4間之間隔(對向面15或被支持面16之第1方向上之間隔)之比(T1/間隔)例如為0.01以上，較佳為0.025以上，又，例如為10以下，較佳為5以下。

關於絕緣層2及複數個配線部4，例如，以預先具備其等之配線電路基板40之形式準備。具體而言，配線電路基板40具備絕緣層2、及配置於絕緣層2之第1絕緣面3之複數個配線部4。配線電路基板40較佳為僅由絕緣層2及複數個配線部4構成。

第1磁性片材5具有沿著面方向延伸之片狀。第1磁性片材5係用以形成磁性配線電路基板1之磁性層21(參照圖1C)之磁性片材。
第1磁性片材5具有作為厚度方向一面之第1磁性面18、及作為厚度方向另一面之第2磁性面19。

第1磁性面18係沿著面方向之平坦面。

第2磁性面19係與第1磁性面18隔開間隔對向配置於厚度方向另一側，且與第1磁性面18平行之平坦面。

再者，第1磁性片材5會藉由第1加壓步驟中之熱壓而變形(流動)，從而沿著複數個配線部4之對向面15及側面17配置。

作為第1磁性片材5之材料，例如可列舉含有磁性粒子48及樹脂之磁性組合物等。

作為構成磁性粒子48之磁性材料，例如可列舉軟磁性體、硬磁性體。自電感之觀點而言，較佳列舉軟磁性體。

作為軟磁性體，可列舉：例如，以純物質之狀態含有1種金屬元素之單一金屬體；例如，1種以上金屬元素(第1金屬元素)與1種以上金屬元素(第2金屬元素)及/或非金屬元素(碳、氮、矽、磷等)之共融體(混合物)即合金體。其等可單獨使用或併用。

作為單一金屬體，例如可列舉僅由1種金屬元素(第1金屬元素)構成之金屬單體。作為第1金屬元素，例如，自鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)及其他能作為軟磁性體之第1金屬元素而含有之金屬元素當中適當選擇。

又，作為單一金屬體，可列舉：例如，包含僅含有1種金屬元素之核、及含有將該核之表面之一部分或全部改質之無機物及/或有機物之表面層的形態；例如，將含有第1金屬元素之有機金屬化合物或無機金屬化合物分解(熱分解等)的形態等。作為後一種形態，更具體列舉：將含有鐵作為第1金屬元素之有機鐵化合物(具體而言，為羰基鐵)熱分解所得之鐵粉(有時稱作羰基鐵粉)等。再者，包含將僅含有1種金屬元素之部分改質之無機物及/或有機物之層的位置並不限定於如上所述之表面。再者，作為能獲得單一金屬體之有機金屬化合物或無機金屬化合物，並不特別限制，而可自能獲得軟磁性體之單一金屬體之公知至慣用之有機金屬化合物或無機金屬化合物中適當選擇。

合金體係1種以上金屬元素(第1金屬元素)與1種以上金屬元素(第2金屬元素)及/或非金屬元素(碳、氮、矽、磷等)之共融體，只要為可用作軟磁性體之合金體者即可，並不特別限制。

第1金屬元素係合金體中之必要元素，例如可列舉鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)等。再者，若第1金屬元素為Fe，則合金體稱作Fe系合金，若第1金屬元素為Co，則合金體稱作Co系合金，若第1金屬元素為Ni，則合金體稱作Ni系合金。

第2金屬元素係次要含有於合金體中之元素(副成分)，且係與第1金屬元素相融(共融)之金屬元素，例如可列舉鐵(Fe)(於第1金屬元素為Fe以外之情形時)、鈷(Co)(於第1金屬元素為Co以外之情形時)、鎳(Ni)(於第1金屬元素為Ni以外之情形時)、鉻(Cr)、鋁(Al)、矽(Si)、銅(Cu)、銀(Ag)、錳(Mn)、鈣(Ca)、鋇(Ba)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎢(W)、釕(Ru)、銠(Rh)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、銦(In)、鍺(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、鈧(Sc)、釔(Y)、鍶(Sr)、各種稀土類元素等。其等可單獨使用或2種以上併用。

非金屬元素係次要含有於合金體中之元素(副成分)，且係與第1金屬元素相融(共融)之非金屬元素，例如可列舉硼(B)、碳(C)、氮(N)、矽(Si)、磷(P)、硫(S)等。其等可單獨使用或2種以上併用。

作為合金體之一例，如Fe系合金，例如可列舉磁性不鏽鋼(Fe-Cr-Al-Si合金)(包括電磁不鏽鋼)、鐵矽鋁合金(Fe-Si-Al合金)(包括超鐵矽鋁合金)、鎳鐵合金(Fe-Ni合金)、Fe-Ni-Mo合金、Fe-Ni-Mo-Cu合金、Fe-Ni-Co合金、Fe-Cr合金、Fe-Cr-Al合金、Fe-Ni-Cr合金、Fe-Ni-Cr-Si合金、矽銅(Fe-Cu-Si合金)、Fe-Si合金、Fe-Si-B(-Cu-Nb)合金、Fe-B-Si-Cr合金、Fe-Si-Cr-Ni合金、Fe-Si-Cr合金、Fe-Si-Al-Ni-Cr合金、Fe-Ni-Si-Co合金、Fe-N合金、Fe-C合金、Fe-B合金、Fe-P合金、鐵氧體(不鏽鋼系鐵氧體，進而包括Mn-Mg系鐵氧體、Mn-Zn系鐵氧體、Ni-Zn系鐵氧體、Ni-Zn-Cu系鐵氧體、Cu-Zn系鐵氧體、Cu-Mg-Zn系鐵氧體等軟鐵氧體)、鐵鈷合金(Fe-Co合金)、Fe-Co-V合金、Fe基非晶合金等。

作為合金體之一例，如Co系合金，例如可列舉Co-Ta-Zr、鈷(Co)基非晶合金等。

作為合金體之一例，如Ni系合金，例如可列舉Ni-Cr合金等。

該等軟磁性體之中，自磁性特性之點，較佳列舉合金體，更佳為列舉Fe系合金，進而更佳為列舉鐵矽鋁合金(Fe-Si-Al合金)，自獲得較高磁導率之觀點而言，尤佳為列舉含Si率為9～15質量%之鐵矽鋁合金。又，作為軟磁性體，較佳列舉單一金屬體，更佳為列舉以純物質之狀態含有鐵元素之單一金屬體，進而更佳為列舉鐵單體或鐵粉(羰基鐵粉)。

磁性粒子48之形狀並不特別限定，可列舉大致扁平狀(板狀)、大致球形狀、大致針形狀、不定形狀，較佳列舉大致扁平狀(板狀)。再者，第1磁性片材5除了各向異性之磁性粒子48以為，亦可進而含有非各向異性之磁性粒子。非各向異性之磁性粒子例如可具有球狀、顆粒狀、塊狀、丸狀等形狀。非各向異性之磁性粒子之平均粒徑例如為0.1 μm以上，較佳為0.5 μm以上，又，例如為200 μm以下，較佳為150 μm以下。

各向異性之磁性粒子48之平均粒徑(平均最大長度)例如為3.5 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例如為100 μm以下。

磁性粒子48於磁性組合物(第1磁性片材5)中之容積比率例如為15容積%以上，較佳為50容積%以上，又，例如，為90容積%以下，較佳為80容積%以下。

作為樹脂，例如可列舉熱塑性成分、熱硬化性成分。其等可單獨使用或併用，較佳列舉熱塑性成分及熱硬化性成分之併用。若為熱塑性成分及熱硬化性成分之併用，則於第1步驟中，磁性組合物充分流動，既能填充於複數個配線部4間，又能藉由其後之完全硬化，形成耐久性優異之磁性層21。

作為熱塑性成分，例如可列舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂(6-尼龍或6,6-尼龍等)、苯氧樹脂、丙烯酸系樹脂、飽和聚酯樹脂(PET等)、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂、苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物等熱塑性樹脂。該等熱塑性成分可單獨使用或2種以上併用。

作為熱塑性成分，較佳列舉丙烯酸系樹脂。

作為丙烯酸系樹脂，例如可列舉由單體成分聚合而成之含羧基(甲基)丙烯酸酯共聚物(較佳為含羧基丙烯酸酯共聚物)等，其中該單體成分包含具有直鏈或支鏈之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯、及其他單體(共聚性單體)。

作為烷基，例如可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、t-丁基、異丁基、戊基、己基等碳數1～6之烷基等。

作為其他單體，例如可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、馬來酸、富馬酸、丁烯酸等含羧基單體等。

熱塑性成分於樹脂中之比率(固形物成分比率)例如為25質量%以上80質量%以下。

熱硬化性成分例如包括主劑、硬化劑及硬化促進劑。

作為主劑，例如可列舉環氧樹脂、酚系樹脂、三聚氰胺樹脂、乙烯酯樹脂、氰酯樹脂、馬來醯亞胺樹脂、矽酮樹脂等。作為主劑，自耐熱性等觀點而言，較佳列舉環氧樹脂。若主劑為環氧樹脂，則熱硬化性成分連同下述硬化劑(環氧系硬化劑)及硬化促進劑(環氧系硬化促進劑)一併，構成環氧系熱硬化性成分。

作為環氧樹脂，可列舉：例如，雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、改性雙酚A型環氧樹脂、改性雙酚F型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂等雙官能環氧樹脂；例如，酚系酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂等三官能以上之多官能環氧樹脂等。該等環氧樹脂可單獨使用或2種以上併用。

較佳列舉甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂。

作為甲酚酚醛清漆型環氧樹脂之具體例，可列舉由下述通式(1)所表示之化合物等，作為三羥基苯基甲烷型環氧樹脂之具體例，可列舉由下述通式(2)所表示之化合物等。

[化1]

[化2]

再者，n分別獨立表示單體之聚合度。

環氧樹脂之環氧當量例如為10 g/eq.以上，較佳為100 g/eq.以上，又，例如為300 g/eq.以下，較佳為250 g/eq.以下。

主劑(較佳為環氧樹脂)於樹脂中之比率例如為5質量%以上，例如為50質量%以下。

硬化劑係藉由加熱，使上述主劑硬化之成分(較佳為環氧樹脂硬化劑)。作為硬化劑，例如可列舉酚系酚醛清漆樹脂等酚系樹脂。

對於硬化劑之比率，以如下方式進行調整，即，若主劑為環氧樹脂，硬化劑為酚系樹脂，則相對於環氧樹脂中之環氧基1當量，使酚系樹脂中之羥基之合計例如為0.7當量以上，較佳為0.9當量以上，例如為1.5當量以下，較佳為1.2當量以下。具體而言，使硬化劑之調配份數相對於主劑100質量份，例如為70質量份以上150質量份以下。

硬化促進劑係藉由加熱，促進主劑之硬化之觸媒(熱硬化觸媒)(較佳為環氧樹脂硬化促進劑)，可列舉：例如，有機磷系化合物；例如，2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑(2P4MHZ)等咪唑化合物等。較佳列舉咪唑化合物。硬化促進劑之調配份數相對於主劑100質量份，例如為0.05質量份以上5質量份以下。

樹脂於磁性組合物(第1磁性片材5)中之容積比率係上述磁性粒子48之容積比率之剩餘部分，具體而言，例如為10容積%以上，較佳為20容積%以上，又，例如為80容積%以下，較佳為50容積%以下。

再者，可向磁性組合物以適當比率調配公知之添加劑(例如，分散劑、流變控制劑等)等。

關於第1磁性片材5，調配磁性粒子48及樹脂，再將其等均勻地混合而製備出磁性組合物。此時，視需要，使用溶劑(有機溶劑)，製備出磁性組合物之清漆。其後，將清漆塗佈於未圖示之剝離膜，並進行乾燥，而製備(製作)出第1磁性片材5。

第1磁性片材5之厚度係以確保下述磁性層21之厚度T3之方式適當設定。

脫模緩衝片材6係於下文所說明之第1加壓步驟中，既能抑制第2壓板11與第1磁性片材5之間黏著(感壓接著)，又能於熱壓後將磁性層21自第2壓板11脫模之脫模片材。又，脫模緩衝片材6亦係於第1加壓步驟中之熱壓時，將第2壓板11之壓力對應於複數個配線部4之形狀而分散，使之作用於第1磁性片材5，令第1磁性片材5發生變形，從而使第1磁性片材5追隨於複數個配線部4之形狀之緩衝片材。

脫模緩衝片材6具有沿著面方向延伸之片狀，且具有作為厚度方向一面之第1脫模面22、及作為厚度方向另一面之第2脫模面23。

第1脫模面22能與第2壓板11(下述)呈面狀接觸。第1脫模面22係沿著面方向之平坦面。

第2脫模面23能與第1磁性片材5之第1磁性面18呈面狀接觸。第2脫模面23與第1脫模面22隔開間隔對向配置於厚度方向另一側。第2脫模面23係相對於第1脫模面22平行，且沿著面方向之平坦面。

脫模緩衝片材6於厚度方向一側依序具備第1層31、第2層32、第3層33。較佳為脫模緩衝片材6僅包含第1層31、第2層32、第3層33。

第1層31位於脫模緩衝片材6之厚度方向最靠另一側。藉此，第1層31形成第2脫模面23。即，第1層31係相對於第1磁性片材5(具體而言，為熱壓後之磁性層21)之脫模層(第1脫模層)。第1層31係具有沿著面方向延伸之形狀之薄膜(表層膜)。又，第1層31係自厚度方向另一側被覆下文所說明之第2層32之被覆層(外殼層)。亦可對第1層31之厚度方向另一面(相當於第2脫模面23之表面)實施適當之剝離處理。

第1層31具有如下物性，即，於其後之第1加壓步驟中之熱壓時，能追隨於第1磁性片材5之第1磁性面18而接觸，另一方面其厚度於熱壓之前後無實質性之變化。又，第1層31係於上述熱壓中，能沿著面方向(具體而言，沿著第1方向)伸長之層。再者，第1層31於第1加壓步驟中之熱壓之溫度(例如，110℃)下，與下文所說明之第2層32相比較硬。

具體而言，第1層31之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'例如為50 MPa以上，較佳為100 MPa以上，更佳為150 MPa以上，又，例如為300 MPa以下。拉伸儲存彈性模數E'係於頻率1Hz及升溫速度10℃/分之條件下進行動態黏彈性測定而求得。下述第2層32及脫模緩衝片材6之拉伸儲存彈性模數E'亦同樣地求得。

再者，特定出第1層31之拉伸儲存彈性模數E'之溫度110℃係第1加壓步驟中之第1磁性片材5之熱壓之溫度或假定與之近似之溫度之溫度。特定出第2層32及第3層33之拉伸儲存彈性模數E'之溫度110℃亦與第1層31中之上述溫度相同。

又，第1層31之熔點較高，例如為超過熱壓之溫度(例如，110℃)之溫度，具體而言為200℃以上，較佳為210℃以上，更佳為220℃以上，又，為250℃以下。第1層31之熔點係利用示差掃描熱量計測定。再者，下述第2層32及第3層33之熔點亦以與上述相同之方法測定。

作為第1層31之材料，可列舉藉由下述第1加壓步驟中之熱壓至少不沿著第1方向流動之非熱流動材料。

非熱流動材料例如含有芳香族聚酯、聚烯烴等作為主成分。

作為芳香族聚酯，例如可列舉聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚對苯二甲酸烷二酯，較佳列舉PBT。

作為聚烯烴，可列舉乙烯、丙烯、1-丁烯、2-丁烯、2-甲基丙烯、4-甲基-1-戊烯等α-烯烴之均聚物及/或共聚物，較佳列舉聚(4-甲基-1-戊烯)。

作為非熱流動材料，較佳列舉芳香族聚酯。

第1層31之厚度例如為50 μm以下，較佳為25 μm以下，又，例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上。

第2層32配置於第1層31之厚度方向一面，係脫模緩衝片材6中被第1層31及第3層33夾持之中間層。第2層32係於第1步驟中之熱壓時，沿著第1方向及厚度方向流動，使第1層31追隨於第1磁性片材5之第1磁性面18之流動層。

第2層32係與第1層31相比較為柔軟之柔軟層，具體而言，於第1加壓步驟中之熱壓時，能變形。具體而言，第2層32之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'低於第1層31之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'。更具體而言，第2層32之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'例如為50 MPa以下，較佳為40 MPa以下，更佳為30 MPa以下，進而更佳為20 MPa以下，又，例如為5 MPa以上。第1層31之拉伸儲存彈性模數E'係於頻率1Hz及升溫速度10℃/分之條件下對絕緣層進行動態黏彈性測定而求得。

若第2層32之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'為上述上限以下，則於第1加壓步驟中之熱壓時，能靈活地變形，具體而言，能以追隨於複數個配線部4之方式變形。

又，第2層32之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'相對於第1層31之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'之比(第2層32之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'/第1層31之110℃下之拉伸儲存彈性模數E')例如未達1，較佳為0.5以下，更佳為0.1以下，又，例如為0.005以上。

再者，第2層32之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'例如較第1磁性片材5之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'較低或者相同。

又，第2層32之熔點低於第1層31之熔點，例如為熱壓之溫度(例如，110℃)以下之溫度，具體而言，未達105℃，較佳為未達100℃，又，例如為50℃以上。

作為第2層32之材料，可列舉藉由下述第1加壓步驟中之熱壓會沿著第1方向及厚度方向流動之熱流動材料。熱流動材料例如含有烯烴-(甲基)丙烯酸酯共聚物、烯烴-乙酸乙烯酯共聚物等作為主成分。

作為烯烴-(甲基)丙烯酸酯共聚物，可列舉：例如，乙烯-甲基(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-乙基(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丙基(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁基(甲基)丙烯酸酯共聚物等乙烯-烷基(甲基)丙烯酸酯共聚物；例如，丙烯-甲基(甲基)丙烯酸酯共聚物等丙烯-烷基(甲基)丙烯酸酯共聚物等。

作為烯烴-乙酸乙烯酯共聚物，例如可列舉乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。

作為熱流動材料，較佳列舉烯烴-(甲基)丙烯酸酯共聚物，較佳列舉乙烯-烷基(甲基)丙烯酸酯共聚物，更佳為列舉乙烯-甲基(甲基)丙烯酸酯共聚物，進而更佳為列舉乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物。

第2層32之厚度T2例如為30 μm以上，較佳為50 μm以上，更佳為100 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為200 μm以下，更佳為150 μm以下。

第2層32之厚度T2之相對於配線部4之厚度T1之比(第2層32之厚度T2/配線部4之厚度T1)為0.3以上，較佳為0.5以上，又，例如為3.0以下，較佳為2.0以下。

若第2層32之厚度T2之相對於配線部4之厚度T1之比(T2/T1)為上述下限以上，則於第1步驟中，能形成具有所期望之形狀(下述)之磁性層21。

又，第2層32之厚度T2之相對於第1層31之厚度之比例如為2以上，較佳為5以上，更佳為7以上，又，例如為15以下。

第3層33配置於第2層32之厚度方向一面，且位於脫模緩衝片材6之厚度方向最靠一側。藉此，第3層33形成第1脫模面22。又，第3層33係相對於第2壓板11之脫模層(第2脫模層)。第3層33之形狀、物性、材料及厚度與第1層31之形狀、物性、材料及厚度相同。

第2層32之厚度T2之相對於第1層31之厚度及第3層33之厚度之合計之比例如為1.5以上，較佳為3以上，更佳為4以上，又，例如為8以下。

脫模緩衝片材6之厚度係第1層31之厚度、第2層32之厚度T2及第3層33之厚度之合計，例如為50 μm以上，較佳為100 μm以上，又，例如為500 μm以下，較佳為200 μm以下。

再者，脫模緩衝片材6可使用市售品，例如可使用脫模膜OT-A、脫模膜OT-E等脫模膜OT系列(積水化學工業公司製造)等。

其後，藉由2個壓板20，依序夾持配線電路基板40、第1磁性片材5、脫模緩衝片材6。

2個壓板20由沿著厚度方向相互隔開間隔之第1壓板10及第2壓板11構成。第1壓板10及第2壓板11分別具有沿著面方向延伸之形狀。

第1壓板10及/或第2壓板11具備未圖示之熱源，以便能加熱第1磁性片材5與脫模緩衝片材6。

第1壓板10及第2壓板11構成為相對移動，以便能沿著厚度方向對上述絕緣層2、複數個配線部4、第1磁性片材5、脫模緩衝片材6進行加壓。

第1壓板10具有沿著面方向延伸之第1加壓面7。第1加壓面7係沿著面方向之平坦面。例如，第1壓板10係以不於厚度方向上移動之方式，固定於未圖示之固定構件。

第2壓板11具有與第1加壓面7平行之第2加壓面8。第2壓板11連接於動力裝置(未圖示)，能於厚度方向上移動。

要藉由2個壓板20，夾持配線電路基板40、第1磁性片材5、脫模緩衝片材6，需於2個壓板20之間配置(插入)配線電路基板40、第1磁性片材5、脫模緩衝片材6。此時，例如，第2絕緣面9與第1加壓面7接觸。

藉此，實施夾持步驟。

其後，如圖2B所示，實施第1加壓步驟。於第1加壓步驟中，利用2個壓板20，對配線電路基板40、第1磁性片材5、脫模緩衝片材6進行熱壓。

例如，使第2壓板11以相對於第1壓板10近接之方式移動(下降)，而將第2壓板11隔著脫模緩衝片材6向第1磁性片材5推壓(加壓)。

同時，藉由熱源，加熱第1磁性片材5與脫模緩衝片材6。

加壓壓力例如為0.1 MPa以上，較佳為0.3 MPa以上，又，例如為10 MPa以下，較佳為5 MPa以下。

加熱溫度例如為第2層32之熔點以上，且未達第1層31之熔點。又，加熱溫度具體而言，例如為100℃以上，較佳為105℃以上，又，例如為190℃以下，較佳為150℃以下。

加壓時間例如為10秒鐘以上，較佳為20秒鐘以上，又，例如為1000秒鐘以下，較佳為100秒鐘以下。

於該第1加壓步驟中，若如圖1之箭頭及圖2A所示，第2壓板11相對於第1壓板10之移動開始，則第1脫模面22與第2加壓面8接觸，又，第2脫模面23與第1磁性面18接觸，第2磁性面19與對向面15接觸。即，第1壓板10、絕緣層2、配線部4、第1磁性片材5、脫模緩衝片材6及第2壓板11中，於厚度方向上鄰接之構件彼此相互接觸(緊貼、密接)，繼而第2壓板11之移動進一步推進(熱壓開始)。

如此，則於沿著厚度方向投影時，脫模緩衝片材6之與對向面15重疊之重疊部分34如圖2A之橫向箭頭所示，被對向面15與第2加壓面8一面於厚度方向上夾持，一面推壓(夾壓)。

再者，於沿著厚度方向投影時，關於脫模緩衝片材6之不與對向面15重疊之非重疊部分35，由於第2磁性面19不與對向面15接觸，且與第1絕緣面3之自複數個配線部4露出之露出面36隔開間隔，故而其不會受到上述夾壓。

如此，則第2層32之重疊部分34之熱流動材料朝向非重疊部分35流動(被擠壓)(變形)(詳細而言，塑性變形)。如此，則如圖2A之縱向箭頭所示，於非重疊部分35，基於熱流動材料自上述重疊部分34之流動(擠壓)所產生之流動壓力增大。非重疊部分35之流動壓力作用於厚度方向兩側。

如圖2A及圖2B所示，流動壓力中作用於厚度方向另一側之流動壓力將非重疊部分35之第1層31向厚度方向另一側擠壓(下壓)，並且隔著該第1層31，將第1磁性片材5之與非重疊部分35於厚度方向上對向之被擠壓部分38向厚度方向另一側擠壓(下壓)。再者，作用於厚度方向一側之流動壓力(虛線所示之箭頭)作用於與非重疊部分35對向之第3層33，但由於如上所述，第3層33牢固地支持於第2壓板11，故而不會發生第3層33之變形。

其後，基於上述流動壓力而施行之被擠壓部分38之擠壓(下壓)持續至被擠壓部分38之第2磁性面19與側面17、露出面36接觸為止。

然後，藉由被擠壓部分38之第2磁性面19與側面17、露出面36接觸，而如圖1C所示，形成(成型)填充於複數個配線部4間之磁性層21。

再者，藉由該熱壓，於第2層32中，重疊部分34與熱壓前相比變薄，非重疊部分35與熱壓前相比變厚。

一方面，於第1層31及第3層33中，重疊部分34及非重疊部分35均為於熱壓之前後無實質性之變動。另一方面，第1層31隨著第2層32之變形，而沿著第1方向伸長。

簡言之，於熱壓後，脫模緩衝片材6之第2脫模面23具有與磁性層21(成形後之第1磁性片材5)對應之形狀。

再者，熱壓後之磁性層21(第1磁性片材5)例如為B階段。

磁性層21之厚度T3例如為10 μm以上，較佳為30 μm以上，又，例如為500 μm以下，較佳為300 μm以下。再者，磁性層21之厚度T3被定義為配線部4之對向面15與磁性層21之頂部28(下述)之厚度方向長度。

又，磁性層21之厚度T3之相對於配線部4之厚度T1之比(第1磁性層之厚度T3/配線部4之厚度T1)例如為0.3以上，較佳為0.4以上，更佳為0.5以上，又，例如為5.0以下。若比為上述下限以上，則於第1加壓步驟中，磁性層21能確切地填充於相鄰之配線部4間。

藉此，由第1磁性片材5，能獲得形成(成型)為特定形狀之磁性層21。藉此，能獲得具備配線電路基板40及磁性層21之磁性配線電路基板1。

磁性層21係以填充於複數個配線部4間，且被覆配線部4之對向面15之方式形成。

具體而言，磁性層21具有凸部25、凹部26。

凸部25對應於複數個配線部4而形成有複數個。複數個凸部25配置於複數個配線部4之對向面15。又，複數個凸部25沿著第1方向隔開間隔相鄰而配置。複數個凸部25分別具有朝向厚度方向一側隆起之形狀。凸部25具有相對於配線部4之對向面15隔開間隔位於厚度方向一側之凸面27。

凸面27於沿著厚度方向投影時，與對向面15重疊，且相對於對向面15隔開間隔位於厚度方向一側。凸面27僅具有1個頂部28。
頂部28位於凸面27之厚度方向最靠一側，即，位於距離對向面15最遠之部分。

凸面27具有隨著自頂部28朝向第1方向兩側各者而向厚度方向另一側緩慢落下(下沉)之彎曲形狀。凸面27之向厚度方向另一側落下(下沉)之程度係隨著自頂部28向第2方向兩側遠離而變大。

凹部26位於與複數個配線部4對應之複數個凸部25之間，且具有相對於相鄰之凸部25朝向厚度方向另一側下沉之形狀。

凹部26之一部分，具體而言，厚度方向另一側部分填充於相鄰之配線部4間之間隙中。即，上述凹部26之一部分於沿著第1方向投影時，與配線部4重疊。

另一方面，凹部26之剩餘部分，具體而言，厚度方向一側部分於沿著第1方向投影時，不與配線部4重疊，詳細而言，凹部26之剩餘部分之投影面配置於配線部4之投影面之厚度方向一側。

凹部26具有相對於第1絕緣面3之露出面36隔開間隔位於厚度方向一側之凹面29。

凹面29連續於凸面27之第1方向端緣。凹面29至少與露出面36對向，較佳為與露出面36及側面17兩面對向。凹面29具有朝向厚度方向另一側呈大致彎曲形狀下沉(凹陷)之形狀。凹面29具有底部30。

底部30於凹面29中，相對於通過相鄰之配線部4之對向面15之假想面S而位於厚度方向一側。即，底部30相對於上述假想面S而隔開間隔位於厚度方向一側。又，底部30於凹面29中，相對於露出面36，位於最近之部分。即，底部30係凹面29之最底部(位於厚度方向最靠另一側之部分)。

其後，視需要，藉由例如加熱，使磁性層21 C階段化(完全硬化)。具體而言，進一步加熱，或釋放上述加壓，並將磁性配線電路基板1投入加熱爐中。

藉此，製備出C階段化(完全硬化)之磁性層21。

該磁性配線電路基板1例如可用於無線電力輸送(無線饋電及/或無線受電)、無線通信、感測器、被動零件等。

而且，根據該磁性配線電路基板1之製造方法，如圖1B所示，藉由利用2個壓板20，對絕緣層2、複數個配線部4、第1磁性片材5、脫模緩衝片材6進行熱壓之第1加壓步驟，能一次性簡便地形成磁性層21。

並且，脫模緩衝片材6之第2層32之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'低於第1層31之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'，因此於以上述溫度實施第1加壓步驟時，第2層32與第1層31相比，變得較為柔軟，因此第2層32與第1層31相比較易流動，能隔著第1層31將第1磁性片材5向複數個配線部4間擠壓。因此，於第1加壓步驟中，能確切地形成填充於複數個配線部4間且被覆配線部4之對向面15之磁性層21。

於該磁性配線電路基板1之製造方法中，若第2層32之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'低至20 MPa以下，則於第1加壓步驟中，以上述溫度進行熱壓時，第2層32能確切地流動。因此，第2層32能將第1磁性片材5向複數個配線部4間擠壓。其結果，能將磁性層21確切地填充於複數個配線部4間，從而能獲得具有較高之電感之磁性配線電路基板1。

於該磁性配線電路基板1之製造方法中，若第2層32之厚度T2之相對於配線部4之厚度T1之比高達0.5以上，則於第1加壓步驟中，能將磁性層21之厚度T3設定為配線部4之厚度T1之一半以上之厚度。因此，藉由具有超過配線部4之厚度T1之一半之厚度T2的第2層32，能靈活地對配線部4之對向面15之第1磁性片材5進行熱壓，因此能充分確保與該部分對應之磁性層21之厚度。其結果，藉由磁性層21，能確切地被覆配線部4之對向面15。

於該磁性配線電路基板1之製造方法中，脫模緩衝片材6進而具備具有較第2層32之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'高之拉伸儲存彈性模數E'的第3層33，故而於以上述溫度實施第1加壓步驟時，藉由較硬第3層33，能抑制脫模緩衝片材6向厚度方向一側變形。因此，能確切地實施第1加壓步驟。

於該磁性配線電路基板1之製造方法中，能使磁性層21之厚度T3之相對於配線部4之厚度T1之比高達0.5以上，即，能將磁性層21之厚度T3設定為配線部4之厚度T1之一半以上之厚度。因此，能將相對於配線部4較厚之磁性層21以確切地填充於複數個配線部4間之方式形成。其結果，能提高配線部4間之實效磁導率，從而能獲得具有較高之電感之磁性配線電路基板1。

又，於該磁性配線電路基板1中，凸部25僅具有1個頂部28，且凹部26具有朝向厚度方向另一側呈彎曲形狀凹陷之形狀，且具有相對於通過相鄰之配線部4之對向面15之假想面S而位於厚度方向一側之底部30，故而藉由順暢地通過上述凸部25及凹部26之磁路，能提高配線部4周圍之實效磁導率。

具體而言，如圖3所示，磁性粒子48於凸部25中，沿著第1方向、或以自頂部28朝向厚度方向另一側落下之方式緩慢彎曲之方向配向，於凹部26之底部30中，沿著第1方向、或以朝向鄰接之2個凸部25且朝向厚度方向一側攀升之方式緩慢彎曲之方向配向，又，於凹部26中，在2個配線部4之周側面17間，沿著周側面17配向，又，在被覆露出面36之部分，沿著露出面36(第1方向)配向。從而，於該磁性層21中，形成沿著凸部25及凹部26之順暢之磁路。

其結果，該磁性配線電路基板1具有較高之電感。

＜變化例＞
於以下之各變化例中，對與上述第1實施形態相同之構件及步驟，標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。又，各變化例除了特別載明以外，能達成與第1實施形態相同之作用效果。

如圖1A所示，於第1實施形態中，脫模緩衝片材6具備第3層33，但例如雖未圖示，卻亦可不具備第3層33，而僅包含第1層31及第2層32。於該情形時，較佳為脫模緩衝片材6僅包含第1層31及第2層32。

第1實施形態及上述變化例中，第1實施形態較佳。於第1實施形態中，如圖1A所示，脫模緩衝片材6具備第3層33，故而如圖1B所示，於以110℃實施第1加壓步驟時，藉由較硬第3層33，能抑制脫模緩衝片材6向厚度方向一側變形。因此，能確切地實施第1加壓步驟。

如圖1A所示，於第1實施形態，關於脫模緩衝片材6，第1層31、第2層32及第3層33中，相互鄰接之層接觸。但於變化例中，雖未圖示，卻亦可為如下情況，即，其等中，於厚度方向上鄰接之層相互隔開間隔，而分別加以準備。

例如，雖未圖示，但亦可於第2壓板11與脫模緩衝片材6之間介置其他脫模片材。脫模片材(未圖示)例如較脫模緩衝片材6之第2層32硬。

脫模緩衝片材6亦可於厚度方向上積層複數個而加以使用。

如圖1C之假想線所示，再者，磁性配線電路基板1亦可具備配置於絕緣層2之厚度方向另一面之第3磁性層37。

進而，絕緣層2亦可為含有磁性粒子之磁性絕緣層。

又，於第1實施形態中，磁性層21為單層，但雖未圖示，卻亦可為複數層。於該情形時，利用複數個配線部4及脫模緩衝片材6夾持複數個第1磁性片材5，藉由一次第1加壓步驟，對複數個第1磁性片材5進行熱壓，而形成磁性層21。於該變化例中，夾持步驟中之複數個第1磁性片材5之厚度之合計T3與第1實施形態中之單層之磁性層21之厚度T3相同。

又，磁性層21中之磁性粒子48之比率於磁性層21中可一樣，又，亦可隨著自各配線部4遠離而變高或變低。

＜第2實施形態＞
於以下之第2實施形態中，對與上述第1實施形態及其變化例相同之構件及步驟，標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。又，可將第2實施形態與第1實施形態及其變化例適當組合。進而，第2實施形態除了特別載明以外，能達成與第1實施形態及其變化例相同之作用效果。

於第1實施形態中，如圖1A～圖1B所示，藉由1次第1加壓步驟，由第1磁性片材5形成磁性層21。

於第2實施形態中，如圖4A～圖5E所示，除了對第1磁性片材5進行熱壓之第1加壓步驟以外，亦包含對第2磁性片材45進行熱壓之第2加壓步驟。即，於第2實施形態中，藉由2次加壓步驟，形成磁性層21。

如圖5C所示，關於第1磁性層41之厚度T3，容許其與配線部4之厚度T1相比較薄，具體而言，例如為100 μm以下，進而為80 μm以下，再進而為60 μm以下，又，例如為5 μm以上。第1磁性層41之厚度T3之相對於配線部4之厚度T1之比例如未達0.5，進而為0.3以下，又，例如為0.05以上。

又，於第1加壓步驟中，第1磁性片材5(磁性組合物)中之磁性粒子48之含有比率能設定為低於第1實施形態之相應含有比率，例如，未達60容積%，較佳為未達55容積%，更佳為50容積%以下，又，例如為15容積%以上。若第1磁性片材5中之磁性粒子48之含有比率低於上述上限，則柔軟之第1磁性片材5藉由第1加壓步驟中之熱壓容易變形，從而能確切地與側面17及露出面36接觸。
再者，樹脂之含有比率係上述磁性粒子48之含有比率之剩餘部分。

於第1加壓步驟中，如圖4A～圖5A所示，由第1磁性片材5，形成(成型)具有上述形狀之第1磁性層41。再者，該第1磁性層41較佳為尚是B階段。

再者，如圖4B及圖5C所示，於第1加壓步驟中，製造具備配線電路基板40(絕緣層2及配線部4)、第1磁性層41之第1磁性配線電路基板51。於該第2實施形態中，例如，底部30位於與假想面S相同之位置或較其更靠厚度方向另一側之情形時(下述情形時)，第1磁性配線電路基板51係用以製造將於第2實施形態中獲得之第2磁性配線電路基板52(下述)(製品)(參照圖5E)之中間零件，具備第1磁性層41，但尚不具備第2磁性層42(下述)(參照圖5E)。

如圖5C所示，再者，若第1磁性片材5如上所述較薄，則該第1磁性層41僅填充於相鄰之配線部4間之間隙之厚度方向另一側部分(即，不填充於厚度方向一側部分)，又，容許底部30位於與假想面S相同之位置或較其更靠厚度方向另一側。

如圖5D所示，於第1加壓步驟之後實施第2加壓步驟。

具體而言，首先解除(釋放)第1加壓步驟中之熱壓，繼而使第2壓板11與脫模緩衝片材6分離。即，將脫模緩衝片材6自磁性層21脫模。換言之，將脫模緩衝片材6自第1磁性層41之一面拉離。其後，將該脫模緩衝片材6自第1磁性層41及第2壓板11之間取出(拔出)。

另外，準備脫模緩衝片材6(如上所述，為與被取出(被拔出)之脫模緩衝片材6不同之脫模緩衝片材6)。

並且準備第2磁性片材45。

第2磁性片材45之材料及物性與第1磁性片材5之材料及物性相同。

尤其是，第2磁性層42中之磁性粒子48之含有比率與第1磁性片材5中之磁性粒子48之含有比率相比，例如能設定得較高。第2磁性層42中之磁性粒子48之含有比率相對於第1磁性片材5中之磁性粒子48之含有比率之比例如超過1，較佳為1.1以上，更佳為1.15以上，又，例如為2以下，較佳為1.5以下。

具體而言，第2磁性片材45中之磁性粒子48之含有比率例如超過50容積%，較佳為55容積%以上，更佳為60容積%以上，例如為90容積%以下。若第2磁性片材45中之磁性粒子48之含有比率高於上述下限，則藉由以較高含有比率含有磁性粒子48之第2磁性層42，能提高磁性配線電路基板1之電感。

繼而，於第2加壓步驟中，利用2個壓板20，對第1磁性配線電路基板51、第2磁性片材45、脫模緩衝片材6進行熱壓。

首先，將第2磁性片材45及脫模緩衝片材6依序配置於第1磁性配線電路基板51之第1磁性層41之一面。具體而言，將第2磁性片材45及脫模緩衝片材6配置於(插入)第1磁性層41與第2壓板11之間。

其後，利用2個壓板20，對第1磁性配線電路基板51、第2磁性片材45、脫模緩衝片材6進行熱壓。第2加壓步驟之條件與第1加壓步驟之條件相同。

藉此，由第2磁性片材45將第2磁性層42形成(成型)於第1磁性配線電路基板51之第1磁性層41之厚度方向一面。該第2磁性層42例如為B階段。藉此，獲得朝向厚度方向一側依序具備第1磁性層41及第2磁性層42之磁性層21。磁性層21較佳為僅包含第1磁性層41及第2磁性層42。

關於第2磁性層42之厚度T4，例如以如下方式設定，即，第1磁性層41之厚度T3及第2磁性層42之厚度T4之合計(T3＋T4)之相對於配線部4之厚度T1之比為0.5以上，較佳為0.6以上，又，例如為5.0以下，較佳為3.0以下。第2磁性層42之厚度T4之相對於第1磁性層41之厚度T3之比(T4/T3)例如為1.5以上，較佳為2.0以上，又，例如為40以下，較佳為30以下。具體而言，第2磁性層42之厚度T4例如為10 μm以上，較佳為20 μm以上，又，例如為450 μm以下，較佳為250 μm以下。

藉此，獲得具備配線電路基板40、磁性層21之第2磁性配線電路基板52。再者，第2磁性配線電路基板52具備第1磁性配線電路基板51、第2磁性層42。

其後，視需要，若第1磁性層41及第2磁性層42為B階段，則使第1磁性層41及第2磁性層42 C階段化(完全硬化)。

而且，該第2磁性配線電路基板52之製造方法如圖5D所示，進而包含第2加壓步驟，故而能確切地形成具備(包含)第1磁性層41及第2磁性層42之較厚磁性層21。因此，能提高配線部4間之磁導率，能獲得具有較高之電感之第2磁性配線電路基板52。

又，若第1磁性層41之厚度T3之相對於配線部4之厚度T1之比低至未達0.5，則如圖5C所示，第1磁性層41容易變薄，因此容易使向複數個配線部4間填充第1磁性層41變得困難。

但於該第2磁性配線電路基板52之製造方法中，若第1磁性層41之厚度T3及第2磁性層之厚度T4之合計之相對於配線部4之厚度T1之比高達0.5以上，則能確切地向複數個配線部4間填充具備第1磁性層21及第2磁性層21之較厚磁性層21。其結果，能獲得具有較高之電感之第2磁性配線電路基板52。

根據該第2磁性配線電路基板52之製造方法，若第1磁性片材5中之磁性粒子48之含有比率低於第2磁性片材45中之磁性粒子48之含有比率，則將與第2磁性片材45相比較為柔軟之第1磁性片材5確切地配置於複數個配線部4間，繼而將與第1磁性片材5相比較為剛直之第2磁性片材45配置於已配置在複數個配線部4間之第1磁性層41，藉此能向複數個配線部4間填充具備第1磁性層41及第2磁性層42之磁性層21。

進而，藉由自以與第1磁性片材5中之磁性粒子48之含有比率相比較高之含有比率含有磁性粒子48之第2磁性片材形成的第2磁性層21，能提高第2磁性配線電路基板52之電感。

＜變化例＞
於以下之各變化例中，對與上述第2實施形態相同之構件及步驟，標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。又，可將各變化例適當組合。進而，各變化例除了特別載明以外，能達成與第2實施形態相同之作用效果。

將第1加壓步驟中所使用之脫模緩衝片材6取出，配置另一脫模緩衝片材6以供第2加壓步驟之熱壓使用。但亦可於第1加壓步驟及第2加壓步驟中使用共通之脫模緩衝片材6。即，可於第2加壓步驟中再利用第1加壓步驟中所使用之脫模緩衝片材6。

進而，於第2實施形態中，第2磁性片材45為單層，但於變化例中，亦可為複數層。較佳為3層以上，又，為10層以下。

又，亦可實施複數次第2加壓步驟。例如，雖未圖示，但於實施2次第2加壓步驟之情形時，藉由合計3次加壓步驟，形成磁性層21。於該情形時，藉由對第1磁性片材5進行熱壓之第1加壓步驟(第1次加壓步驟)，形成第1磁性層41，繼而藉由將第2磁性片材45相對於第1磁性層41加以熱壓之第2加壓步驟(第2次加壓步驟)，形成第1磁性層41及第2磁性層42。

其後，準備另一第2磁性片材45，實施將其相對於第2磁性層42加以熱壓之第2加壓步驟(第3次加壓步驟)。該步驟係2次第2加壓步驟中之第2次，另一第2磁性片材45與第1次第2加壓步驟中之第2磁性片材45一併包括於本發明中之「第2磁性片材」。

又，於第2次第2加壓步驟中，第2磁性層42由另一第2磁性片材45形成。藉由第2次第2加壓步驟形成之第2磁性層42、及藉由第1次第2加壓步驟形成之第2磁性層42均包括於本發明中之「第2磁性層」。再者，第2磁性層42之厚度T4係所有第2磁性層42之厚度之合計。具體而言，於上述例中，藉由第1次第2加壓步驟形成之第2磁性層42之厚度、及藉由第2次第2加壓步驟形成之第2磁性層42之合計厚度為第2磁性層42之厚度T4。

於第1實施形態及第2實施形態中，配線部4具有剖視四邊形形狀，於該變化例中，如圖6C及圖7所示，具有剖視大致圓形形狀。

配線部4具備導線43、及被覆導線43之第2絕緣層44。

導線43具有與配線部4共有中心軸線之剖視大致圓形形狀。

第2絕緣層44係與絕緣層2不同之絕緣層。第2絕緣層44被覆導線43之整個外周面(圓周面)，具有與配線部4共有中心軸線(中心)之剖視大致圓環形狀。

第2絕緣層44之材料與絕緣層2之材料相同。第2絕緣層44可由單層構成，亦可由複數層構成。

配線部4之直徑D相當於上述厚度T1。再者，第2絕緣層44之厚度之相對於配線部4之直徑D之比例如為0.005以上0.1以下。

於該變化例之製造方法中，如圖6A所示，於夾持步驟中，首先將複數個配線部4配置於絕緣層2之第1絕緣面3。具體而言，使配線部4之厚度方向另一端緣與第1絕緣面3接觸。

於第1加壓步驟中，如圖6B所示，第1磁性片材5之第2磁性面19與配線部4之第1半圓弧46(包含配線部4之厚度方向另一端緣，且位於厚度方向另一側之半圓弧)接觸。但第2磁性面19不與配線部4之與第1絕緣面3接觸之厚度方向另一端緣接觸。

又，若實施第1加壓步驟，則形成(成型)具有填充於複數個配線部4間之凹部26、及追隨於配線部4之第2半圓弧47(連續於第1半圓弧46之厚度方向一側，包含配線部4之厚度方向另一端緣，且位於厚度方向一側之半圓弧)之凸部25之磁性層21。

如圖7所示，關於磁性粒子48，於配線部4之周邊區域(附近區域)，磁性粒子48沿著配線部4之圓周方向配向，藉此形成沿著配線部4之圓周方向之大致圓環狀之磁路。

又，於上述變化例中，如圖6A所示，將配線部4配置於絕緣層2，其後如圖6C及圖7所示，獲得具備絕緣層2之磁性配線電路基板1，但例如雖未圖示，卻亦可將配線部4配置於作為絕緣層2之一例之第2脫模膜，繼而將第1磁性片材5以被覆配線部4之方式，配置於第2脫模膜之厚度方向一面，其後將第2脫模膜自第1磁性片材5及配線部4剝離。

第2脫模膜例如具有沿著面方向延伸之片狀，具體而言，具有於厚度方向上對向之一面及另一面。作為第2脫模膜之材料，並不特別限定，例如可列舉PET等樹脂。亦可對第2脫模膜之一面實施公知之剝離處理。第2脫模膜之厚度例如為1 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例如為2000 μm以下，較佳為500 μm以下。

該變化例中所獲得之磁性配線電路基板1具備複數個配線部4、磁性層21(第1磁性片材5)，但不具備第2脫模膜。

於圖6A～圖7所示之變化例中，配線部4及導線43具有剖視大致圓形形狀，但並不限定於此，雖未圖示，但例如亦可列舉大致矩形、大致梯形等。
於該變化例中，雖未圖示，但第2絕緣層44被覆配線部4之整個外周面。

進而，上述磁性配線電路基板1可具備以被覆配線部4之厚度方向另一端緣之方式配備於磁性層21之另一面之第3磁性層37。於該磁性配線電路基板1中，藉由包含第1磁性片材5及第3磁性層37之第1磁性片材5，被覆配線部4之整個圓周面(外周面)。

又，第1實施形態、第2實施形態及各變化例可適當組合。
實施例

以下例示實施例及比較例，對本發明更為具體地進行說明。再者，本發明並不限定於任何實施例及比較例。又，以下之記載中所使用之調配比率(比率)、物性值、參數等具體數值可由上述「實施方式」中所記載之與其等對應之調配比率(比率)、物性值、參數等相應記載之上限(被以「以下」、「未達」之形式定義之數值)或下限(被以「以上」、「超過」之形式定義之數值)代替。

實施例1
(夾持步驟)
準備具備絕緣層2、及配置於其第1絕緣面3之複數個配線部4之配線電路基板40。

於配線電路基板40中，絕緣層2朝向厚度方向一側依序具備由聚對苯二甲酸乙二酯構成之第1支持層12、由丙烯酸系樹脂構成之感壓接著層13、及由聚醯亞胺樹脂構成之第2支持層14。

於配線電路基板40中，複數個配線部4由銅構成，且厚度T1為100 μm。對向面15之第1方向長度為245 μm，相鄰之配線部4之對向面15間之第1方向上之間隔為190 μm。被支持面16之第1方向長度為336 μm，相鄰之配線部4之被支持面16間之第1方向上之間隔為100 μm。

另外，準備第1磁性片材5及脫模緩衝片材6。

關於第1磁性片材5，首先按照表1之配方製備出第1磁性組合物，並將其形成為片狀，而作為B階段片材加以準備。

關於脫模緩衝片材6，直接準備脫模膜OT-A160(積水化學工業公司製造)。

脫模緩衝片材6之厚度為160 μm，且具備厚度為20 μm之第1層31、厚度T2為120 μm之第2層32、及厚度為20 μm之第3層33。

第1層31及第3層33係熔點為223℃，且110℃下之拉伸儲存彈性模數E'為190 MPa，其材料含有聚對苯二甲酸丁二酯作為主成分。

第2層32係熔點為80℃，且110℃下之拉伸儲存彈性模數E'為5.6 MPa，其材料含有乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物作為主成分。

繼而，利用2個壓板20，夾持配線電路基板40、第1磁性片材5、脫模緩衝片材6。

(第1加壓步驟：第1磁性配線電路基板51之製造)
於2 MPa(相當於2 kN)加壓壓力、110℃溫度、60秒鐘時間之加壓條件下，使用2個壓板20，對配線電路基板40、第1磁性片材5、脫模緩衝片材6進行熱壓。

藉此，由第1磁性片材5形成(成型)第1磁性層41。第1磁性層41之厚度T3為10 μm。藉此，製造出具備配線電路基板40、第1磁性層41之第1磁性配線電路基板51。

(第2加壓步驟：第2磁性配線電路基板52之製造)
首先，將第1加壓步驟中所使用之脫模緩衝片材6取出。

另外，重新準備脫模緩衝片材6(與第1加壓步驟中所準備者相同之脫模OT-A160)。

關於第2磁性片材45，首先按照表1之配方製備出第2磁性組合物，並將其形成為片狀，而作為B階段片材加以準備。

繼而，將4張第2磁性片材45、及重新準備之脫模緩衝片材6插入第1磁性配線電路基板51之第1磁性層41與第2壓板11之間。

於2 MPa(相當於2 kN)加壓壓力、110℃溫度、60秒鐘時間之條件下，利用2個壓板20，對第1磁性配線電路基板51、第2磁性片材45、脫模緩衝片材6進行熱壓。

藉此，由第2磁性片材45將第2磁性層42形成(成型)於第1磁性配線電路基板51之第1磁性層41之厚度方向一面。形成包含第1磁性層41及第2磁性層42之磁性層21。第2磁性層42之厚度T4為100 μm。

藉此，製造出具備第1磁性層41及第2磁性層42之第2磁性配線電路基板52。再者，第2磁性配線電路基板52具備配線電路基板40、磁性層21。

實施例2～比較例4
除了按照表2變更脫模緩衝片材6之種類、厚度等以外，其他與實施例1同樣地處理，而製造出第2磁性配線電路基板52。

再者，比較例1及比較例2中之TPX(脫模緩衝片材6)為由甲基戊烯樹脂(熔點235℃)構成之脫模片材(三井化學公司製造)。

又，比較例3及比較例4中之MRA(脫模緩衝片材6)為由聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(熔點260℃)構成之脫模片材(三菱化學公司製造)。

(評價)
[電感]
測定第2磁性配線電路基板52之配線部4之電感。
[SEM觀察]
對第2磁性配線電路基板52之沿著厚度方向及第1方向之截面進行SEM觀察。其圖像處理圖示於圖8～圖15。

(考察)
於比較例1～比較例4中，脫模緩衝片材6均不具備第2層32。

於比較例1～比較例3中，第1加壓步驟及第2加壓步驟各者中，均無法均勻地對第1磁性片材5及第2磁性片材45各者進行加壓，於脫模緩衝片材6中，第1方向上之收縮力發揮作用，從而於凸部25之凸面27形成有2個頂部28。

尤其是，於比較例2中，底部30朝向厚度方向另一側尖突。

進而，於比較例4中，脫模緩衝片材6之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'過高。因此，與非重疊部分35對應之第1磁性片材5及第2磁性片材45受到較大應力，其結果，底部30相對於假想面S而位於厚度方向另一側。

相對於該等比較例，於各實施例中，脫模緩衝片材6具備第2層32，第2層之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'低於第3層之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'。因此，凸面27僅具有1個頂部28。又，凹面29具有朝向厚度方向另一側呈彎曲形狀凹陷之形狀，且具有相對於假想面S而位於厚度方向一側之底部30。其結果，各實施例與各比較例相比，具有較高之電感。

[表1]

[表2]

再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為例示，不應限定性地進行解釋。該技術領域之業者所明瞭之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍內。
[產業上之可利用性]

磁性配線電路基板可用於各種磁性用途。

1‧‧‧磁性配線電路基板

2‧‧‧絕緣層

3‧‧‧第1絕緣面

4‧‧‧配線部

5‧‧‧第1磁性片材

6‧‧‧脫模緩衝片材

7‧‧‧第1加壓面

8‧‧‧第2加壓面

9‧‧‧第2絕緣面

10‧‧‧第1壓板

11‧‧‧第2壓板

12‧‧‧第1支持層

13‧‧‧感壓接著層

14‧‧‧第2支持層

15‧‧‧對向面

16‧‧‧被支持面

17‧‧‧側面

18‧‧‧第1磁性面

19‧‧‧第2磁性面

20‧‧‧2個壓板

21‧‧‧磁性層

22‧‧‧第1脫模面

23‧‧‧第2脫模面

25‧‧‧凸部

26‧‧‧凹部

27‧‧‧凸面

28‧‧‧頂部

29‧‧‧凹面

30‧‧‧底部

31‧‧‧第1層

32‧‧‧第2層

33‧‧‧第3層

34‧‧‧重疊部分

35‧‧‧非重疊部分

36‧‧‧露出面

37‧‧‧第3磁性層

38‧‧‧被擠壓部分

40‧‧‧配線電路基板

41‧‧‧第1磁性層

42‧‧‧第2磁性層

43‧‧‧導線

44‧‧‧第2絕緣層

45‧‧‧第2磁性片材

46‧‧‧第1半圓弧

47‧‧‧第2半圓弧

48‧‧‧磁性粒子

51‧‧‧第1磁性配線電路基板

52‧‧‧第2磁性配線電路基板

D‧‧‧直徑

S‧‧‧假想面

T1‧‧‧配線部之厚度

T2‧‧‧第2層之厚度

T3‧‧‧第1磁性層之厚度

T4‧‧‧第2磁性層之厚度

圖1A～圖1C係本發明之磁性配線電路基板之製造方法的第1實施形態之製造步驟圖，圖1A表示夾持步驟，圖1B表示第1加壓步驟，圖1C表示獲得磁性配線電路基板之步驟。

圖2A～圖2B係詳細敍述圖1B所示之第1加壓步驟之步驟圖，圖2A表示熱壓開始時，第1磁性片材相對於配線部而接觸之態樣，圖2B接續於圖2A，表示熱壓推進，第1磁性片材一面被向變形之脫模緩衝片材推壓，一面沿著配線部被填充於配線部間之態樣。

圖3係圖1A～圖1C中所獲得之磁性配線電路基板之剖視圖，表示描繪出磁性層中之磁性粒子之剖視圖。

圖4A～圖4B係本發明之磁性配線電路基板之製造方法的第2實施形態之製造步驟圖，圖4A表示夾持步驟，圖4B表示第1加壓步驟。

圖5C～圖5E接續於圖4B，係本發明之磁性配線電路基板之製造方法的第2實施形態之製造步驟圖，圖5C表示進而配置第2磁性片材之步驟，圖5D表示第2加壓步驟，圖5E表示獲得磁性配線電路基板之步驟。

圖6A～圖6C係變化例之製造步驟圖，圖6A表示夾持步驟，圖6B表示第1加壓步驟，圖6C表示獲得磁性配線電路基板之步驟。

圖7表示如圖6C所示，將配線部之影線刪除，從而使磁性粒子清晰之磁性配線電路基板之剖視圖。

圖8表示實施例1之SEM(Scanning Electron Microscope，掃描式電子顯微鏡)照片之圖像處理圖。

圖9表示實施例2之SEM照片之圖像處理圖。

圖10表示實施例3之SEM照片之圖像處理圖。

圖11表示實施例4之SEM照片之圖像處理圖。

圖12表示比較例1之SEM照片之圖像處理圖。

圖13表示比較例2之SEM照片之圖像處理圖。

圖14表示比較例3之SEM照片之圖像處理圖。

圖15表示比較例4之SEM照片之圖像處理圖。

Claims (9)

1. 一種磁性配線電路基板之製造方法，其特徵在於包含： 夾持步驟，其係利用2個壓板，依序夾持絕緣層、沿著特定方向相互隔開間隔配置於上述絕緣層之厚度方向一面之複數個配線部、第1磁性片材、脫模緩衝片材；及 第1加壓步驟，其係利用上述壓板，對上述絕緣層、上述複數個配線部、上述第1磁性片材、上述脫模緩衝片材進行熱壓；且 於上述第1加壓步驟中，自上述第1磁性片材，以填充於上述複數個配線部間，且被覆上述配線部之上述厚度方向一面之方式，形成第1磁性層； 上述脫模緩衝片材具備： 第1層；及 第2層，其配置於上述第1層之上述厚度方向一側；且 上述第2層之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'低於上述第1層之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'。
2. 如請求項1之磁性配線電路基板之製造方法，其中上述第2層之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'為20 MPa以下。
3. 如請求項1之磁性配線電路基板之製造方法，其中上述第2層之厚度T2之相對於上述配線部之厚度T1之比為0.5以上。
4. 如請求項1之磁性配線電路基板之製造方法，其中上述脫模緩衝片材進而具備配置於上述第2層之上述厚度方向一側之第3層，且 上述第2層之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'低於上述第3層之110℃下之拉伸儲存彈性模數E'。
5. 如請求項1之磁性配線電路基板之製造方法，其中上述第1磁性層之厚度T3之相對於上述配線部之厚度T1之比為0.5以上。
6. 如請求項1之磁性配線電路基板之製造方法，其進而包含第2加壓步驟，該步驟係利用上述壓板，對上述絕緣層、上述複數個配線部、藉由上述第1步驟形成之第1磁性層、第2磁性片材、上述脫模緩衝片材進行熱壓；且 於上述第2加壓步驟中，由上述第2磁性片材形成第2磁性層。
7. 如請求項6之磁性配線電路基板之製造方法，其中上述第1磁性層之厚度T3之相對於上述配線部之厚度T1之比未達0.5，且 上述第1磁性層之厚度T3及上述第2磁性層之厚度T4之合計之相對於上述配線部之厚度T1之比為0.5以上。
8. 如請求項6之磁性配線電路基板之製造方法，其中上述第1磁性片材及上述第2磁性片材含有磁性粒子，且 上述第1磁性片材中之磁性粒子之含有比率低於上述第2磁性片材中之磁性粒子之含有比率。
9. 一種磁性配線電路基板，其特徵在於具備： 絕緣層； 複數個配線部，其等於上述絕緣層之厚度方向一面沿著特定方向相互隔開間隔而配置；及 磁性層，其填充於上述複數個配線部間，且被覆上述配線部之與上述厚度方向一面隔開間隔而對向配置之對向面；且 上述磁性層具有： 複數個凸部，其等配置於上述複數個配線部之上述對向面，朝向上述厚度方向一側隆起；及 凹部，其位於複數個上述凸部之間，相對於相鄰之上述凸部朝向上述厚度方向另一側凹陷； 上述凸部僅具有1個位於上述厚度方向最靠一側之頂部， 上述凹部具有朝向上述厚度方向另一側呈大致彎曲形狀下沉之形狀，且具有相對於通過相鄰之上述配線部之上述對向面之假想面而位於上述厚度方向一側之底部。