TW201712704A - 線圈模組及其製造方法 - Google Patents

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Yoshihiro Furukawa
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Abstract

本發明之線圈模組係使用13.56MHz或6.78MHz之頻帶之無線通信或無線電力傳輸用者。本發明之線圈模組包括：線圈基板，其包括基板、及設置於基板之厚度方向一側之線圈圖案；接著層，其設置於線圈基板之厚度方向一側，且由含有導熱性粒子及接著樹脂之接著組合物所形成；及磁性層，其設置於接著層之厚度方向一側，且由含有軟磁性粒子及樹脂之磁性組合物所形成。

Description

線圈模組及其製造方法
本發明係關於一種線圈模組、及線圈模組之製造方法。
使筆型之位置指示器於位置檢測平面上移動而檢測位置之位置檢測裝置被稱為數位轉化器，並作為電腦之輸入裝置得以普及。該位置檢測裝置包括位置檢測平面板、及配置於其下且於基板之表面形成有電路線圈之電路基板。而且，藉由應用由位置指示器與電路線圈產生之頻帶為500kHz附近之電磁感應，而檢測位置指示器之位置。
於位置檢測裝置中，為了控制電磁感應時所產生之磁通以使電磁感應、甚至通信效率化，而提出於電路基板之上配置磁性層之方法(例如參照專利文獻1)。
於專利文獻1中，揭示有依序包括電路基板、表層、及含有軟磁性粒子之磁性層之磁性膜積層電路基板。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-189015號公報
然而，近年來，以非接觸型IC(Integrated Circuit，積體電路)卡等為代表之NFC(Near Field Communication，近距離無線通信)得以實用化並廣泛普及。NFC相比位置指示器，應用高頻區域之頻帶。又， 近年來，正在實用化之無線電力傳輸(非接觸電力傳輸)亦正在研究應用高頻帶之方式。該等無線通信或無線電力傳輸所使用之線圈模組係以於13.56MHz或6.78MHz之共振頻率下獲得最大特性之方式所設計。
該等線圈模組存在以快速充電等為目的而對線圈施加大電流之情形。於此種大電流施加時線圈發熱。因此，有線圈之電感變化，而產生線圈之共振頻率之偏差，從而通信特性降低之虞。
本發明之目的在於提供一種於使用13.56MHz或6.78MHz之頻帶之無線通信或無線電力傳輸中可抑制通信特性之降低之線圈模組及其製造方法。
本發明[1]包含一種線圈模組，其係使用13.56MHz或6.78MHz之頻帶之無線通信或無線電力傳輸用者，且包括：線圈基板，其包括基板、及設置於上述基板之厚度方向一側之線圈圖案；接著層，其設置於上述線圈基板之厚度方向一側，且由含有導熱性粒子及接著樹脂之接著組合物所形成；及磁性層，其設置於上述接著層之厚度方向一側，且由含有軟磁性粒子及樹脂之磁性組合物所形成。
本發明[2]包含如[1]所記載之線圈模組，其中上述線圈圖案之厚度方向一側之表面距離上述接著層之厚度方向一側之表面之間隔為100μm以下。
本發明[3]包含一種線圈模組之製造方法，其係製造使用13.56MHz或6.78MHz之頻帶之無線通信或無線電力傳輸用線圈模組之方法，且包括如下步驟：準備由含有軟磁性粒子及樹脂之磁性組合物所形成之磁性層之步驟；藉由於上述磁性層設置由含有導熱性粒子及熱硬化性樹脂之接著組合物所形成之半硬化接著層而獲得半硬化接著層積層體之步驟；以及將上述半硬化接著層積層體以上述半硬化接著層 與上述線圈圖案接觸之方式熱壓於包括基板及線圈圖案之線圈基板，藉此獲得包括完全硬化之接著層之線圈模組之步驟。
根據由本發明之線圈模組之製造方法獲得之本發明之線圈模組，線圈模組可抑制通信特性之降低。
1‧‧‧線圈模組
2‧‧‧線圈基板
3‧‧‧接著層
3a‧‧‧半硬化接著層
4‧‧‧磁性層
4a‧‧‧半硬化磁性層
5‧‧‧基底樹脂
6‧‧‧線圈圖案
7‧‧‧配線
8‧‧‧半硬化接著層積層體
9‧‧‧導熱性粒子
10‧‧‧軟磁性粒子
11‧‧‧剝離基材
X‧‧‧配線間之間隔
Y‧‧‧配線之高度
Z‧‧‧線圈圖案上表面距離接著層上表面之間隔
圖1係表示本發明之線圈模組之一實施形態之剖視圖。
圖2A-G係製造圖1之線圈模組之步驟圖，且圖2A表示準備半硬化磁性層之步驟，圖2B表示積層複數層半硬化磁性層之步驟，圖2C表示獲得磁性層之步驟，圖2D表示於磁性層之上設置半硬化接著層之步驟，圖2E表示配置半硬化接著層積層體及線圈基板之步驟，圖2F表示將半硬化接著層積層體熱壓於線圈基板之步驟，圖2G表示獲得線圈模組之步驟。
於圖1中，紙面上下方向為上下方向(厚度方向、第1方向)，紙面上側為上側(厚度方向一側、第1方向一側)，紙面下側為下側(厚度方向另一側、第1方向另一側)。關於圖1以外之圖式，亦以圖1之方向為基準。
本發明之線圈模組1係如圖1所示般沿厚度方向依序包括線圈基板2、接著層3、及磁性層4。線圈模組1較佳為包含線圈基板2、接著層3、及磁性層4。線圈模組1例如為於送電受電模組間藉由無線而傳輸信號或電力之無線通信或無線電力傳輸所使用的受電用線圈模組等零件之一，且係作為零件單獨流通而產業上可利用之裝置。
線圈基板2為應用13.56MHz或6.78MHz之頻帶之無線通信或無 線電力傳輸所使用之電路基板，且包括作為基板之一例之基底基板5、及線圈圖案6。
基底基板5呈線圈模組1之外形，具有片形狀(包含膜形狀)。作為構成基底基板5之絕緣材料，例如可列舉：玻璃環氧基板、玻璃基板、陶瓷基板、PET(Polyethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)基板、氟樹脂基板、聚醯亞胺基板等。就可撓性之觀點而言，較佳為PET基板、氟樹脂基板、聚醯亞胺基板等。
基底基板5之厚度例如為5μm以上，較佳為8μm以上，又，例如為100μm以下，較佳為80μm以下。
線圈圖案6係設置於基底基板5之上側(厚度方向一側)。具體而言，線圈圖案6係以線圈圖案6之下表面與基底基板5之上表面接觸之方式配置於基底基板5之上表面。
線圈圖案6係將連續之一根配線7形成為螺旋狀，亦可為圓形狀(包含橢圓)或矩形狀中之任一者。
作為構成配線7之材料，可列舉：例如銅、鎳、錫、鋁、鐵、鉻、鈦、金、銀、鉑、鈮、及包含該等之合金等金屬；例如聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔、聚對苯、聚苯乙炔、聚丙烯腈、聚二唑等導電性聚合物等。該等材料可單獨使用或併用2種以上。較佳為可列舉金屬，更佳為可列舉銅、銀，進而較佳為可列舉銅。
配線7之寬度例如為10μm以上，較佳為20μm以上，又，例如為2000μm以下，較佳為1800μm以下。
配線7之間隙(間距，圖2E所示之X之長度)例如為10μm以上，較佳為20μm以上，又，例如為3mm以下，較佳為2mm以下。
配線7之厚度(高度，圖2E所示之Y之長度)例如為5μm以上，較佳為8μm以上，又，例如為100μm以下，較佳為80μm以下。
接著層3係設置於線圈基板2之上側。具體而言，接著層3係以被 覆線圈圖案6之上表面及側面之方式配置於基底基板5之上表面。
接著層3係由含有導熱性粒子9及接著樹脂之接著組合物形成為片形狀。
作為形成導熱性粒子之材料，例如可列舉氮化物、碳化物、氧化物、氫氧化物、金屬、碳系材料等導熱材料。
作為氮化物，例如可列舉：氮化硼、氮化矽、氮化鋁、氮化鎵、氮化鉻、氮化鎢、氮化鎂、氮化鉬、氮化鋰等。較佳為可列舉氮化硼。
作為碳化物，例如可列舉：碳化矽、碳化硼、碳化鋁、碳化鈦、碳化鎢等。
作為氧化物，例如可列舉：氧化鋁(Alumina)、氧化鎂、氧化鈰等。進而，作為氧化物，可列舉摻雜有金屬離子之例如氧化銦錫、氧化銻錫等。較佳為可列舉氧化鋁。
作為氫氧化物，例如可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鋅等。
作為金屬，例如可列舉：銅、金、鎳、錫、鐵、或該等之合金。
作為碳系材料，例如可列舉：碳黑、石墨、金剛石、富勒烯、碳奈米管、碳奈米纖維、碳奈米角、螺旋碳纖維、奈米線圈等。
該等導熱性粒子可單獨使用或併用2種以上。
該等導熱性粒子中，較佳為可列舉氮化物、氧化物，更佳為可列舉氮化物，進而較佳為可列舉氮化硼。
導熱性粒子之形狀例如可列舉塊狀、扁平狀、針形狀等。關於塊狀，例如包含球形狀、長方體形狀、破碎狀、圓弧狀、凝聚體或該等之異形形狀。
導熱性粒子之平均粒徑(最大長度之平均值)例如為1μm以上，較 佳為3μm以上，又，例如為200μm以下，較佳為150μm以下。平均粒徑係基於藉由雷射繞射-散射法中之粒度分佈測定法而測得之粒度分佈，以體積基準之平均粒徑、更具體而言以D50值(累積50%中徑)之形式求出。
接著組合物中之導熱性粒子之質量比率以固形物成分換算計例如為30質量%以上，較佳為40質量%以上，更佳為超過50質量%，又，例如為90質量%以下，較佳為80質量%以下，更佳為65質量%以下。又，接著組合物中之導熱性粒子之體積比率以固形物成分換算計例如為10體積%以上，較佳為20體積%以上，更佳為超過30體積%，又，例如為70體積%以下，較佳為60體積%以下，更佳為50體積%以下。藉由將導熱性粒子之含有比率設為上述範圍內，而可使接著性及散熱性提高，甚至可抑制通信特性之降低。
於本發明中，導熱性粒子、軟磁性粒子等各成分之體積比率係基於各成分之質量除以該成分之比重所得之理論體積而計算出。各成分之比重(真比重)係藉由目錄值或公知之測定方法(例如阿基米德法)而獲得。
作為接著樹脂，例如可列舉：熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂。
作為熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、酚系樹脂、三聚氰胺樹脂、乙烯酯樹脂、氰基酯樹脂、馬來醯亞胺樹脂、聚矽氧樹脂等。關於熱硬化性樹脂，就接著性、耐熱性等觀點而言，較佳為可列舉環氧樹脂、酚系樹脂，更佳為可列舉環氧樹脂及酚系樹脂之併用。
作為環氧樹脂，可列舉：例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、改性雙酚A型環氧樹脂、改性雙酚F型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂等2官能環氧樹脂；例如酚系酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂等3官能以上之多官能環氧樹脂等。該等 環氧樹脂可單獨使用或併用2種以上。
較佳為可列舉甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(例如下述結構式(1))、雙酚A型環氧樹脂(例如下述結構式(2))，更佳為可列舉甲酚酚醛清漆型環氧樹脂及雙酚A型環氧樹脂之併用。藉由使用該等環氧樹脂，而接著性、成膜性等優異。
再者，式(1)及式(2)之n分別獨立地表示單體之聚合度。
環氧樹脂之環氧當量例如為230g/eq.以下，較佳為210g/eq.以下，又，例如為10g/eq.以上，較佳為50g/eq.以上。
環氧樹脂之黏度(150℃)例如為1.0Pa‧s以下，較佳為0.5Pa‧s以下，又，為0.01Pa‧s以上。黏度係藉由ICI黏度計而測定。
酚系樹脂係成為環氧樹脂之硬化劑之熱硬化性樹脂，例如可列舉：酚系酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、苯酚聯伸苯樹脂、二環戊二烯型酚系樹脂、可溶酚醛樹脂等3官能以上之多官能酚系樹脂。該等酚系樹脂可單獨使用或併用2種以上。
較佳為可列舉苯酚聯伸苯樹脂，具體而言，可列舉下述結構式(3)所示之化合物等。
[化3]
再者，n分別獨立地表示單體之聚合度。
酚系樹脂之羥基當量例如為230g/eq.以下，較佳為210g/eq.以下，又，例如為10g/eq.以上，較佳為50g/eq.以上。
酚系樹脂之黏度(150℃)例如為1.0Pa‧s以下，較佳為0.5Pa‧s以下，又，為0.01Pa‧s以上。
作為熱塑性樹脂，例如可列舉丙烯酸系樹脂、乙酸乙烯酯樹脂、聚乙烯醇樹脂等。較佳為可列舉丙烯酸系樹脂。
作為丙烯酸系樹脂，例如可列舉以具有直鏈或支鏈之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯之1種或2種以上為單體成分，藉由使該單體成分進行聚合而獲得之丙烯酸系聚合物等。再者，「(甲基)丙烯酸」表示「丙烯酸及/或甲基丙烯酸」。
作為烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、十二烷基等碳數1~20之烷基。較佳為可列舉碳數1~6之烷基。
丙烯酸系聚合物亦可為(甲基)丙烯酸烷基酯與其他單體之共聚物。
作為其他單體，可列舉：例如丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯等含縮水甘油基之單體；例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、馬來酸、富馬酸、丁烯酸等含羧基之單體；例如馬來酸酐、伊康酸酐等酸酐單體；例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁 酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環己基)-甲酯等含羥基之單體；例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基之單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基之單體；例如苯乙烯單體；例如丙烯腈等。該等單體可單獨使用或併用2種以上。該等中，較佳為可列舉丙烯腈。
又，丙烯酸系樹脂較佳為具有羧基及羥基中之至少1個基。更佳為具有羧基及羥基。
丙烯酸系樹脂之重量平均分子量例如為1×105以上，較佳為3×105以上，又，例如為1×106以下。再者，重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法(GPC)，基於標準聚苯乙烯換算值而測定。
接著組合物中之接著樹脂之含有比率以固形物成分換算計例如為10質量%以上，較佳為20質量%以上，更佳為35質量%以上，又，例如為70質量%以下，較佳為60質量%以下，更佳為未達50質量%。又，接著樹脂相對於導熱性粒子100質量份之含有比率例如為10質量份以上，較佳為30質量份以上，更佳為60質量份以上，又，例如為200質量份以下，較佳為150質量份以下，更佳為100質量份未達。藉由使接著樹脂之含有比率為上述範圍內，而可使接著性進一步變良好。
接著組合物較佳為併用熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂。更佳為含有環氧樹脂及酚系樹脂作為熱硬化性樹脂，且含有丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂。藉此，於將下述之半硬化接著層3a複數層進行積層而熱壓時，可填滿半硬化接著層3a彼此之界面之間隙或半硬化接著層3a與線圈基板2之間隙，而將磁性層4與線圈基板2更確實且牢固地接著。
於該情形時，接著樹脂中之環氧樹脂之含有比率例如為5質量% 以上，較佳為10質量%以上，更佳為25質量%以上，又，例如為50質量%以下，較佳為40質量%以下，更佳為35質量%以下。接著樹脂中之酚系樹脂之含有比率例如為5質量%以上，較佳為10質量%以上，更佳為25質量%以上，又，例如為50質量%以下，較佳為40質量%以下，更佳為35質量%以下。接著樹脂中之丙烯酸系樹脂之含有比率例如為25質量%以上，較佳為30質量%以上，更佳為35質量%以上，又，例如為80質量%以下，較佳為70質量%以下，更佳為未達50質量%。
接著組合物較佳為進而含有熱硬化觸媒。
作為熱硬化觸媒，係藉由加熱而促進接著樹脂之硬化之觸媒，例如可列舉：咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、三苯基硼烷系化合物、含胺基之化合物、酸酐系化合物等。較佳為可列舉咪唑系化合物。
作為咪唑系化合物，例如可列舉：2-苯基咪唑(商品名；2PZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名；2E4MZ)、2-甲基咪唑(商品名；2MZ)、2-十一烷基咪唑(商品名；C11Z)、2-苯基-1H-咪唑4,5-二甲醇(商品名；2PHZ-PW)、2,4-二胺基-6-(2'-甲基咪唑基(1)')乙基-對稱三-異三聚氰酸加成物(商品名；2MAOK-PW)等(上述商品名均為四國化成公司製造)。
該等熱硬化觸媒可單獨使用或併用2種以上。
熱硬化觸媒之含有比率相對於接著樹脂100質量份，例如為0.1質量份以上，較佳為0.3質量份以上，又，例如為5質量份以下，較佳為3質量份以下。藉由將熱硬化觸媒之含有比率設為上述範圍內，而可以低溫度且短時間對接著組合物進行加熱硬化而進行接著。
接著組合物亦可進而視需要而含有其他添加劑。作為添加劑，例如可列舉：交聯劑、無機填充材等市售或公知者。
於接著層3中，線圈圖案6之上表面(厚度方向一側之表面)距離接著層3之上表面之間隔(圖1所示之Z之長度)例如為100μm以下，較佳為80μm以下，又，例如為1μm以上，較佳為3μm以上。
又，接著層3之最大厚度(即，基底基板5之上表面距離接著層3之上表面之間隔)例如為200μm以下，較佳為150μm以下，又，例如為6μm以上，較佳為9μm以上。
磁性層4係設置於接著層3之上側。具體而言，磁性層4係以磁性層4之下表面與接著層3之上表面接觸之方式配置於接著層3之上表面。
磁性層4係由含有軟磁性粒子10及樹脂之磁性組合物形成為片形狀。
作為構成軟磁性粒子之軟磁性材料，例如可列舉磁性不鏽鋼(Fe-Cr-Al-Si合金)、Fe-Si-Al合金、Fe-Ni合金、矽銅(Fe-Cu-Si合金)、Fe-Si合金、Fe-Si-B(-Cu-Nb)合金、Fe-Si-Cr-Ni合金、Fe-Si-Cr合金、Fe-Si-Al-Ni-Cr合金、鐵氧體等。該等軟磁性粒子可單獨使用或併用2種以上。
該等中，就磁特性之方面而言，較佳為可列舉Fe-Si-Al合金。
軟磁性粒子具有扁平狀(板形狀)，即形成為厚度較薄且面寬之形狀。軟磁性粒子之扁平率(扁平度)例如為8以上，較佳為15以上，又，例如為500以下，較佳為450以下。扁平率例如以用軟磁性粒子之平均粒徑除以軟磁性粒子之平均厚度所得之縱橫比之形式算出。
軟磁性粒子之平均粒徑(最大長度之平均值)例如為3.5μm以上，較佳為10μm以上，又，例如為200μm以下，較佳為150μm以下。平均厚度例如為0.1μm以上，較佳為0.2μm以上，又，例如為3.0μm以下，較佳為2.5μm以下。藉由調整軟磁性粒子之扁平率、平均粒徑、平均厚度等，而可使由軟磁性粒子引起之退磁場之影響變小，其結果 為，可增加軟磁性粒子之磁導率。再者，為了使軟磁性粒子之尺寸變均勻，亦可視需要使用利用篩網等進行過分級之軟磁性粒子。
磁性組合物中之軟磁性粒子之質量比率以固形物成分換算計例如為80質量%以上，較佳為83質量%以上，更佳為85質量%以上，又，例如為98質量%以下，較佳為95質量%以下，更佳為92質量%以下。又，磁性組合物中之軟磁性粒子之體積比率以固形物成分換算計例如為40體積%以上，較佳為45體積%以上，更佳為50體積%以上，進而較佳為60體積%以上，例如為90體積%以下，較佳為80體積%以下，更佳為70體積%以下。藉由將軟磁性粒子之含有比率設為上述下限以上，而磁性層4之磁特性優異。另一方面，藉由設為上述上限以下，而磁性組合物之成膜性優異。
作為磁性組合物所含有之樹脂(以下稱為磁性層用樹脂)，例如可列舉熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂。
作為熱硬化性樹脂，可列舉接著樹脂中所例示之熱硬化性樹脂，較佳為可列舉環氧樹脂、酚系樹脂。
作為熱塑性樹脂，可列舉接著樹脂中所例示之熱塑性樹脂，較佳為可列舉丙烯酸系樹脂。
磁性層用樹脂較佳為含有環氧樹脂、酚系樹脂及丙烯酸系樹脂。
於磁性層用樹脂中，環氧樹脂較佳為僅包含具有3個以上之官能基(例如，縮水甘油基)之環氧樹脂(例如，上述之多官能環氧樹脂)。換言之，磁性層用樹脂中之環氧樹脂實質上不含有具有2個官能基之環氧樹脂(例如，上述2官能環氧樹脂)。
所謂「實質上不含有2官能之環氧樹脂」，意指全部環氧樹脂中之具有2個官能基之環氧樹脂之含有比率例如為1.0重量%以下，較佳為0.5質量%以下，更佳為0質量%。
作為此種環氧樹脂，可列舉接著樹脂中所例示之多官能環氧樹脂，較佳為可列舉甲酚酚醛清漆型環氧樹脂。
酚系樹脂較佳為僅包含分子中具有3個以上之官能基(例如羥基)之酚系樹脂(多官能酚系樹脂)。換言之，磁性層用樹脂中之酚系樹脂實質上不含有具有2個官能基之酚系樹脂。
所謂「實質上不含有2官能之酚系樹脂」，意指全部酚系樹脂中之具有2個官能基之酚系樹脂之含有比率例如為1.0重量%以下，較佳為0.5質量%以下，更佳為0質量%。
作為此種酚系樹脂，可列舉接著樹脂中所例示之多官能酚系樹脂，較佳為可列舉苯酚聯伸苯樹脂。
尤佳為磁性層用樹脂僅包含多官能環氧樹脂及多官能酚系樹脂作為熱硬化性樹脂。即，不含有2官能環氧樹脂或2官能酚系樹脂。藉此，於磁性層4中形成有均勻且牢固之硬化樹脂，因此可使軟磁性粒子以較高之比率含於磁性層4中，並且抑制由於軟磁性粒子彼此之排斥或樹脂彈性而導致之磁性層4之空隙產生(彈回)。其結果為，可使磁性層4之磁特性進一步變良好。
磁性組合物中之磁性層用樹脂之含有比率以固形物成分換算計例如為2質量%以上，較佳為5質量%以上，更佳為8質量%以上，又，例如為20質量%以下，較佳為17質量%以下，更佳為15質量%以下。藉由將磁性層用樹脂之含有比率設為上述範圍內，而磁性層4之成膜性、磁特性優異。
又，關於環氧樹脂及酚系樹脂(即，熱硬化性樹脂)之合計含量，相對於自磁性組合物去除了軟磁性粒子之除軟磁性粒子以外之成分100質量份，例如為20質量份以上，較佳為30質量份以上，更佳為超過50質量份，又，例如為99質量份以下，較佳為90質量份以下，更佳為80質量份以下，進而較佳為60質量份以下。藉由將環氧樹脂及酚系 樹脂之合計含量設為上述範圍，而可使軟磁性粒子以較高之比率含於磁性層4中，並且可抑制彈回，其結果為，可使磁性層4之磁特性進一步變良好。
再者，關於除軟磁性粒子以外之成分，更具體而言，係包含磁性層用樹脂、熱硬化觸媒及視需要添加之添加劑(下文說明)之成分(固形物成分)，且不包含軟磁性粒子及溶劑。
磁性層用樹脂中之環氧樹脂之含有比率例如為5質量%以上，較佳為10質量%以上，更佳為25質量%以上，又，例如為50質量%以下，較佳為40質量%以下，更佳為35質量%以下。磁性層用樹脂中之酚系樹脂之含有比率例如為5質量%以上，較佳為10質量%以上，更佳為25質量%以上，又，例如為50質量%以下，較佳為40質量%以下，更佳為35質量%以下。磁性層用樹脂中之丙烯酸系樹脂之含有比率例如為25質量%以上，較佳為30質量%以上，更佳為35質量%以上，又，例如為80質量%以下，較佳為70質量%以下，更佳為未達50質量%。於丙烯酸系樹脂之含有比率為上述範圍內之情形時，可抑制磁性層4之彈回。又，可使磁性組合物之黏度變良好而提昇成膜性。進而，可使成膜後之樹脂內部之軟磁性粒子之配向性提昇。其結果為，可使磁特性進一步變良好。
磁性組合物較佳為進而含有熱硬化觸媒。
作為熱硬化觸媒，可例示接著組合物中所例示之熱硬化觸媒。較佳為可列舉咪唑系化合物。
關於熱硬化觸媒之含有比率，相對於磁性層用樹脂100質量份，例如為0.1質量份以上，較佳為0.3質量份以上，又，例如為5質量份以下，較佳為3質量份以下。藉由將熱硬化觸媒之含有比率設為上述範圍內，而可以低溫度且短時間對磁性組合物進行加熱硬化。
磁性組合物較佳為進而含有分散劑。藉由使磁性組合物含有分 散劑，而可使軟磁性粒子均勻地分散於磁性層4中。
作為分散劑，就分散性、磁特性之觀點而言，較佳為可列舉聚醚磷酸酯等。
作為聚醚磷酸酯，具體而言，可列舉楠本化成公司之HIPLAAD系列(「ED-152」、「ED-153」、「ED-154」、「ED-118」、「ED-174」、「ED-251」)等。
聚醚磷酸酯之酸值例如為10以上，較佳為15以上，又，例如為200以下，較佳為150以下。酸值係藉由中和滴定法等而測定。
關於分散劑之含有比率，相對於磁性層用樹脂100質量份為0.1質量份以上，較佳為0.3質量份以上。又，為5質量份以下，較佳為3質量份以下。
磁性組合物較佳為進而含有流變控制劑。藉由使磁性組合物含有流變控制劑，而可使軟磁性粒子均勻地分散於磁性層4中。
流變控制劑係對磁性組合物賦予於剪切力(剪切速度)較低之情形時表現出高黏度、於剪切力(剪切速度)較高之情形時表現出低黏度之觸變性的化合物。
作為流變控制劑，例如可列舉有機系流變控制劑及無機系流變控制劑。較佳為可列舉有機系流變控制劑。
作為有機系流變控制劑，例如可列舉：改性脲、脲改性聚醯胺、脂肪酸醯胺、聚胺基甲酸酯、高分子脲衍生物等。較佳為可列舉改性脲、脲改性聚醯胺、脂肪酸醯胺，更佳為可列舉脲改性聚醯胺。
作為無機系流變控制劑，例如可列舉：氧化矽、碳酸鈣、膨潤石等。
作為流變控制劑，具體而言，可列舉：例如BYK-Chemie公司之「BYK-410」、「BYK-430」、「BYK-431」；例如楠本化成公司之「Disparlon PFA-131」；例如日本Aerosil公司之「Aerosil VP NK200」、「Aerosil R976S」、「Aerosil COK84」等。
該等流變控制劑可單獨使用或併用2種以上。
關於流變控制劑之含有比率，相對於磁性層用樹脂100質量份，以固形物成分比率計例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，又，例如為10質量份以下，較佳為5質量份以下。
磁性組合物亦可進而視需要而含有其他添加劑。作為添加劑，例如可列舉交聯劑、無機填充材等市售或公知者。
磁性層4之平均厚度例如為5μm以上，較佳為10μm以上，又，例如為500μm以下，較佳為250μm以下。
2.線圈模組之製造方法
參照圖2A~圖2G，對線圈模組1之製造方法進行說明。
線圈模組1之製造方法例如包括：磁性層準備步驟，其準備磁性層4；積層體形成步驟，其藉由於磁性層4設置半硬化接著層3a而獲得半硬化接著層積層體8；及熱壓步驟，其將半硬化接著層積層體8熱壓於線圈基板2。以下，對該等步驟進行說明。
(磁性層準備步驟)
於磁性層準備步驟中，準備磁性層4。
磁性層準備步驟例如包括如下步驟：藉由使磁性組合物溶解或分散於溶劑中而製備磁性組合物溶液之步驟；藉由將磁性組合物溶液塗佈於剝離基材11之表面並使其乾燥而獲得半硬化狀態之磁性層(半硬化磁性層4a)之步驟；及積層複數片半硬化磁性層4a並進行熱壓之步驟。
首先，使磁性組合物溶解或分散於溶劑中。藉此，製備磁性組合物溶液。
磁性組合物係藉由將磁性層4中所述之成分以上述比率進行混合而製備。
作為溶劑，可列舉：例如丙酮、甲基乙基酮(MEK)等酮類；例如乙酸乙酯等酯類；例如丙二醇單甲醚等醚類；例如N,N-二甲基甲醯胺等醯胺類等有機溶劑等。又，作為溶劑，亦可列舉：例如水；例如甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇等醇等水系溶劑。
磁性組合物溶液中之固形物成分量例如為10質量%以上，較佳為30質量%以上，又，例如為90質量%以下，較佳為70質量%以下。
繼而，如圖2A所示般，將磁性組合物溶液塗佈於剝離基材11(隔離膜、芯材等)之表面並使其乾燥。
作為塗佈方法，例如可列舉：刮刀塗佈、輥塗佈、網版塗佈、凹版塗佈等。
作為乾燥條件，乾燥溫度例如為50℃以上且150℃以下(較佳為60℃以上且120℃以下)，乾燥時間例如為1分鐘以上且5分鐘以下。
作為隔離膜，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、紙等。該等之表面例如經氟系剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑、聚矽氧系剝離劑等脫模處理。
作為芯材，例如可列舉：塑膠膜(例如，聚醯亞胺膜、聚酯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜等)、金屬膜(例如，鋁箔等)、經例如玻璃纖維或塑膠製不織纖維等強化之樹脂基板、聚矽氧基板、玻璃基板等。
剝離基材11之平均厚度例如為1μm以上且500μm以下。
藉此，獲得半硬化狀態(B階段)之半硬化磁性層4a。
所謂半硬化狀態(B階段)，係指例如於室溫(25℃)下為可溶於溶劑之未硬化狀態(A階段)與完全硬化之硬化狀態(C階段)之間之狀態，且係指硬化及凝膠化稍微進展，雖於溶劑中膨潤但未完全溶解，且藉由加熱而軟化但未熔融之狀態。
半硬化磁性層4a之平均厚度例如為5μm以上，較佳為10μm以 上，又，例如為500μm以下，較佳為250μm以下。
繼而，如圖2B所示般，準備複數片半硬化磁性層4a，將複數片半硬化磁性層4a沿厚度方向進行熱壓。
熱壓可使用公知之加壓機實施，例如可列舉平行平板加壓機等。藉由將複數片半硬化磁性層4a進行熱壓，而可使軟磁性粒子以高比率填充於磁性層4內，且使扁平狀之軟磁性粒子沿面方向進行配向。因此，可使磁特性進一步變良好。
關於半硬化磁性層4a之積層片數，於圖2B中設為2層，但並不限定於圖2B，例如為2層以上，又，例如為20層以下，較佳為10層以下。藉此，可調整為所需厚度之磁性層4。
加熱溫度例如為130℃以上，較佳為150℃以上，又，例如為250℃以下，較佳為200℃以下。
熱壓時間例如為1分鐘以上，較佳為2分鐘以上，又，例如為24小時以下，較佳為2小時以下。
壓力例如為1MPa以上，較佳為3MPa以上，又，例如為200MPa以下，較佳為100MPa以下。
藉此，如圖2C所示般，半硬化磁性層4a被加熱硬化而獲得完全硬化狀態(C階段)之磁性層4。再者，複數層半硬化磁性層4a係藉由加熱而一體化，從而形成一層磁性層4，複數層半硬化磁性層4a之界面於磁性層4中實質上未被觀察到。
磁性層4之複磁導率之實部μ'例如為50以上，較佳為60以上，又，例如為250以下。於本發明中，複磁導率之實部μ'係使用阻抗分析器(Agilent公司製造，「4294A」)，藉由單線圈法(頻率13.56MHz)而測定。
磁性層4較佳為如圖1所示般，將磁性層4所含有之扁平狀之軟磁性粒子10沿磁性層4之2維之面內方向進行排列。即，以扁平狀之軟磁 性粒子10之長度方向(與厚度方向正交之方向)沿磁性層4之面方向之方式進行配向。藉此，磁性層4係以高比率填充有軟磁性粒子而磁特性優異。又，實現了磁性層4之薄膜化。
(積層體形成步驟)
於積層體形成步驟中，如圖2D所示般，於磁性層4設置半硬化接著層3a。
積層體形成步驟例如包括如下步驟：藉由使熱硬化性接著組合物溶解或分散於溶劑中而製備熱硬化性接著組合物溶液之步驟；藉由將熱硬化性接著組合物溶液塗佈於剝離基材之表面並使其乾燥而獲得半硬化狀態之接著層(半硬化接著層3a)之步驟；及將半硬化接著層3a複數片積層於磁性層4之上表面並進行加壓之步驟。
首先，使熱硬化性接著組合物溶解或分散於溶劑中。藉此，製備熱硬化性接著組合物溶液。
熱硬化性接著組合物係藉由將接著層3中所述之成分以上述比率進行混合而製備，尤其是藉由至少將導熱性粒子及熱硬化性樹脂進行混合而製備。即，熱硬化性接著組合物含有導熱性粒子及熱硬化性樹脂，較佳為熱硬化性接著組合物含有導熱性粒子、熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂，更佳為熱硬化性接著組合物含有導熱性粒子、環氧樹脂、酚系樹脂及丙烯酸系樹脂。
作為溶劑，可例示磁性組合物溶液中所例示之溶劑。
熱硬化性接著組合物溶液中之固形物成分量例如為10質量%以上，較佳為30質量%以上，又，例如為90質量%以下，較佳為70質量%以下。
繼而，將熱硬化性接著組合物溶液塗佈於剝離基材(隔離膜、芯材等)之表面並使其乾燥。
作為塗佈方法及剝離基材，可列舉磁性層準備步驟中所例示之 塗佈方法及剝離基材。
作為乾燥條件，乾燥溫度例如為50℃以上且150℃以下(較佳為60℃以上且120℃以下)，乾燥時間例如為1分鐘以上且5分鐘以下。
藉此，獲得半硬化狀態(B階段)之半硬化接著層3a。
半硬化接著層3a之平均厚度例如為5μm以上，較佳為10μm以上，又，例如為500μm以下，較佳為250μm以下。
繼而，於磁性層4之上表面準備複數片半硬化接著層3a，將複數片半硬化接著層3a沿厚度方向進行加壓。
關於半硬化接著層3a之積層片數，於圖2D中設為2層，但並不限定於圖2D，例如為2層以上，又，例如為20層以下，較佳為5層以下。藉此，可調整為所需厚度之接著層3。
壓力例如為0.01MPa以上，較佳為0.1MPa以上，又，例如為50MPa以下，較佳為10MPa以下，更佳為3MPa以下。
加壓時，亦可視需要進行加熱。
於進行加熱之情形時，該情形時之加熱溫度係半硬化接著層3a未完全硬化之溫度之範圍內，例如設為與半硬化性接著組合物溶液之乾燥溫度相同之範圍即可。
藉此，獲得如圖2D所示般，於磁性層4之上表面設置有半硬化接著層3a之半硬化接著層積層體8。
(熱壓步驟)
熱壓步驟係將半硬化接著層積層體8熱壓於線圈基板2。
首先，如圖2E所示般，準備線圈基板2。線圈基板2可使用公知或市售者，例如線圈基板2之線圈圖案6係藉由加成法或減成法等而形成。
繼而，將半硬化接著層積層體8以半硬化接著層3a與線圈圖案6相對向之方式隔著間隔而配置於線圈基板2之上方。
繼而，如圖2F所示般，一面加熱半硬化接著層積層體8一面將其朝向下方按壓(加壓)。
熱壓可使用公知之加壓機實施，例如可列舉平行平板加壓機等。
加熱溫度例如為130℃以上，較佳為150℃以上，又，例如為250℃以下，較佳為200℃以下。
熱壓時間例如為1分鐘以上，較佳為2分鐘以上，又，例如為24小時以下，較佳為2小時以下。
壓力例如為0.01MPa以上，較佳為0.1MPa以上，又，例如為50MPa以下，較佳為10MPa以下，更佳為3MPa以下。
藉此，線圈圖案6被埋在半硬化接著層3a中，同時半硬化接著層3a成為完全硬化狀態(C階段)之接著層3，而接著層3將線圈基板2與磁性層4進行接著。即，線圈圖案6之表面(上表面及側面)、與自線圈圖案6露出之基底基板5之上表面被完全硬化狀態之接著層3被覆。此時，複數層半硬化接著層3a係藉由熱壓而一體化，從而形成一層接著層3，複數層半硬化接著層3a之界面於接著層3中實質上未被觀察到。
其結果為，獲得如圖2G所示般，包括線圈基板2、設置於線圈基板2之上表面且完全硬化狀態之接著層3、及設置於接著層3之上表面且完全硬化狀態之磁性層4的線圈模組1。
接著層3之導熱率於面方向上例如為1.0W/mK以上，較佳為2.0W/mK以上，又，例如為100W/mK以下。藉此，可使積蓄於線圈基板2之熱迅速地擴散，而抑制通信特性之降低。接著層3之導熱率之測定方法係於實施例中詳細說明。
再者，於上述之製造方法中，將半硬化磁性層4a及半硬化接著層3a複數片進行積層而進行熱壓，但例如亦可對半硬化磁性層4a及半硬化接著層3a各1片(單層)實施熱壓。
又，於圖1之實施形態中，僅於基底基板5之上表面形成有線圈圖案6，但例如亦可於基底基板5之上表面及下表面形成線圈圖案6。
並且，根據線圈模組1，其於線圈基板2與磁性層4之間包括含有導熱性粒子9之接著層3。因此，可使於大電流施加時產生於線圈圖案6之熱高效率地擴散至線圈圖案6之周邊，因此可抑制由熱所引起之線圈圖案6之膨脹，從而可抑制線圈圖案6之電感之變化。其結果為，線圈圖案6之共振頻率之偏差得到抑制，因此可抑制於13.56MHz或6.78MHz之較高之共振頻率下通信特性之降低。
又，線圈模組1中，磁性層4含有軟磁性粒子10及樹脂。因此，可藉由磁性層4而使通信時或電力傳輸時所產生之磁通收斂，從而可抑制由線圈圖案6周圍之金屬構件(金屬殼體或電池等)之干擾所引起之通信特性之降低。又，由於磁性層4含有樹脂，故而具備可撓性而處理性優異。由於鐵氧體片材等僅包含金屬成分之片材較脆，故而必需保護支持層，但線圈模組1由於磁性層4具備可撓性，故而無需保護支持層，而可實現線圈模組1之薄型化。
進而，於磁性層4中，以較高之含有比率所含有之軟磁性粒子10係如圖1所示般沿面方向配向。因此，磁性層4可發揮優異之磁特性，而可進一步抑制由線圈模組周圍之金屬構件之干擾所引起之通信特性之降低。
該線圈模組1可用於使用13.56MHz或6.78MHz之頻帶之無線通信或無線電力傳輸用線圈模組，較佳為可較佳地用作NFC(近距離無線通信)之接收用線圈模組。作為包括此種線圈模組之製品，具體而言，作為無線通信用途，例如可列舉非接觸型IC卡、智慧型手機等，作為無線電力傳輸用途，例如可列舉無線電話、電動剃鬚刀、電動牙刷等。
[實施例]
以下，表示實施例及比較例而對本發明進一步具體地進行說明，但本發明不受實施例及比較例任何限定。以下之記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體之數值可代替為上述「實施形態」中所記載之與該等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限值(以「以下」、「未達」之形式定義之數值)或下限值(以「以上」、「超過」之形式定義之數值)。
實施例1
(磁性層之準備)
以於磁性組合物中軟磁性粒子之體積比率成為60.0體積%之方式，將以固形物成分換算計Fe-Si-Al系合金(軟磁性粒子)90.3質量份、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂2.5質量份、苯酚聯伸苯樹脂2.6質量份、丙烯酸系樹脂4.2質量份、熱硬化觸媒0.1質量份、分散劑0.1質量份、及流變控制劑0.2質量份進行混合，藉此獲得磁性組合物。
藉由使該磁性組合物溶解於甲基乙基酮中而製備固形物成分濃度41質量%之磁性組合物溶液。
將該磁性組合物溶液塗佈於隔離膜(經聚矽氧脫模處理之PET膜)上，其後於110℃下乾燥2分鐘。藉此，形成半硬化磁性層(平均厚度20μm)。
積層該半硬化磁性層5層，於175℃、30分鐘、20MPa之條件下利用熱壓進行加熱硬化。藉此，獲得完全硬化狀態(C階段)之磁性層(平均厚度100μm)。
(積層體之形成)
以於接著組合物中導熱性粒子之體積比率成為40.0體積%之方式，將以固形物成分換算計氧化鋁(導熱性粒子)70.6質量份、雙酚A型環氧樹脂5.5質量份、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂2.0質量份、苯酚聯伸苯樹脂8.3質量份、丙烯酸系樹脂13.3質量份、及熱硬化觸媒0.3質 量份進行混合，藉此獲得接著組合物。
藉由使該接著組合物溶解於甲基乙基酮中而製備固形物成分濃度40質量%之接著組合物溶液。
將該接著組合物溶液塗佈於隔離膜(經聚矽氧脫模處理之PET膜)上，其後於110℃下乾燥2分鐘。藉此，製造半硬化接著層(平均厚度20μm)。
準備該半硬化接著層2層，將2層半硬化接著層積層於磁性層之上表面，於100℃、1分鐘、1MPa之條件下進行加壓。藉此，獲得於磁性層之上表面設置有半硬化接著層(平均厚度40μm)之半硬化接著層積層體。
(線圈模組之製造)
準備於基底基板(聚醯亞胺製，厚度20μm)之上表面形成有矩形狀之迴路線圈之線圈基板。
迴路線圈之配線之寬度為1000μm，配線之高度Y為20μm，配線間之間隔X(間距)為500μm。
將半硬化接著層積層體以半硬化接著層與線圈圖案接觸之方式積層於該線圈基板上，於175℃、30分鐘、1MPa之條件下進行熱壓。藉此一面使線圈圖案埋在半硬化接著層中，一面使半硬化接著層完全硬化，從而製造依序包括線圈基板、接著層及磁性層的線圈模組(參照圖1)。
於線圈模組中，接著層之最大厚度X為35μm，線圈圖案上表面距離接著層3上表面之間隔Z為20μm。
實施例2
關於接著組合物，係變更為表1之配方及調配比率，除此以外，以與實施例1相同之方式製造實施例2之線圈模組。
實施例3
關於接著組合物，係變更為表1之配方及調配比率。進而，為了將接著層之最大厚度X及間隔Z設為與實施例1相同之距離，而將積層體之形成時之加壓壓力及線圈模組之製造時之加壓壓力一併自1MPa變更為2MPa。除該等變更以外，以與實施例1相同之方式製造實施例3之線圈模組。
比較例1
關於接著組合物，係變更為表1之配方及調配比率。進而，為了將接著層之最大厚度X及間隔Z設為與實施例1相同之距離，而將積層體之形成時之加壓壓力及線圈模組之製造時之加壓壓力一併自1MPa變更為0.1MPa。除該等變更以外，以與實施例1相同之方式製造比較例1之線圈模組。
比較例2
關於接著組合物，係變更為表1之配方及調配比率。進而，為了將接著層之最大厚度X及間隔Z設為與實施例1相同之距離，而將積層體之形成時之加壓壓力及線圈模組之製造時之加壓壓力均自1MPa變更為2MPa。除該等變更以外，以與實施例1相同之方式製造比較例2之線圈模組。
(接著層之導熱率)
根據下述式求出接著層中之面方向之導熱率。將結果示於表1。
(導熱率)=(熱擴散係數)×(比熱)×(比重)
再者，熱擴散係數係使用氙燈閃光法熱測定裝置(NETZSCH Japan公司製造，LFA447 nanoflash)而測得。比熱係使用DSC(TA instrument製造，Q-2000)，藉由依據JIS-7123之標準之測定方法而求出。比重係使用電子比重計(Alfa Mirage製造，「MDS-300」)而測得。
(接著性)
於各實施例及各比較例之線圈模組中，將磁性層自線圈基板剝離。
此時，將接著層中之剝離狀態為凝聚剝離之情形評價為○，將凝聚破壞與界面剝離混合存在之情形評價為△，將為界面剝離之情形評價為×。將結果示於表1。
(散熱性)
對各實施例及各比較例之線圈模組之線圈圖案進行通電，藉由熱影像分析法而測定線圈圖案之部分之發熱量。
又，作為樣品，準備未積層磁性層及接著層之線圈基板，亦同樣對樣品進行通電，而測定發熱量。
對於樣品之發熱量，將各實施例及各比較例之線圈模組之發熱量降低了8%以上之情形評價為○，將發熱量降低了5%以上且未達8%之情形評價為△，將發熱量降低了未達5%之情形評價為×。將結果示於表1。
(通信特性)
以下述方式對各實施例及各比較例之線圈模組之通信特性進行評價。
即，與散熱性評價同樣地對各實施例及各比較例之線圈模組之線圈圖案進行通電，觀察伴隨著溫度變化之電感之變化。
將與比較例2之情形時之電感變化相比，電感變化較小之情形評價為○，將電感變化較大之情形評價為×。
將結果示於表1。
表中之各成分中之數值係表示固形物成分。又，只要未事先說明，則表中之各成分中之數值係表示質量份。關於各實施例及表中之各成分，於以下記載該等之詳細情況。
‧Fe-Si-Al系合金，軟磁性粒子，扁平狀，山陽特殊製鋼公司製造
‧氧化鋁：Al2O3，導熱性粒子，球狀，平均粒徑3μm，Admatechs公司製造
‧氮化硼：BN，導熱性粒子，扁平狀，平均粒徑46μm，電氣化學工業公司製造
‧熔融氧化矽：球狀，平均粒徑5μm，電氣化學工業公司製造
‧甲酚酚醛清漆型環氧樹脂：上述結構式(1)之環氧樹脂，環氧當量199g/eq.，ICI黏度(150℃)0.4Pa‧s，商品名「KI-3000-4」，東都化成公司製造
‧雙酚A型環氧樹脂：上述結構式(2)之環氧樹脂，環氧當量180g/eq.，ICI黏度(150℃)0.05Pa‧s，商品名「Epikote YL980」，三菱化學公司製造
‧苯酚聯伸苯樹脂：上述結構式(3)之酚系樹脂，羥基當量203g/eq.，ICI黏度(150℃)0.05Pa‧s，商品名「MEH-7851SS」，明和化成公司製造
‧丙烯酸系樹脂：經羧基及羥基改性之丙烯酸乙酯-丙烯酸丁酯-丙烯腈共聚物，重量平均分子量900,000，商品名「Teisan Resin SG-70L」(樹脂含有比率12.5質量%)，Nagase chemteX公司製造
‧熱硬化觸媒：2-苯基-1H-咪唑4,5-二甲醇，商品名「Curezol 2PHZ-PW」，四國化成公司製造
‧分散劑：聚醚磷酸酯，酸值17，商品名「HIPLAAD ED152」，楠本化成公司製造
‧流變控制劑：脲改性中極性聚醯胺，商品名「BYK430」(固形物成分30質量%)，BYK-Chemie Japan公司製造
再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，其僅為例示，不可限定性地進行解釋。對於本技術領域之業者而言顯而易見之本發明之變化例係包含於下述申請專利範圍中。
[產業上之可利用性]
本發明之線圈模組可應用於各種工業製品，可用於例如非接觸型IC卡、智慧型手機等無線通信用途；例如無線電話、電動剃鬚刀、電動牙刷等無線電力傳輸用途。
1‧‧‧線圈模組
2‧‧‧線圈基板
3‧‧‧接著層
4‧‧‧磁性層
5‧‧‧基底樹脂
6‧‧‧線圈圖案
7‧‧‧配線
9‧‧‧導熱性粒子
10‧‧‧軟磁性粒子
Z‧‧‧線圈圖案上表面距離接著層上表面之間隔

Claims (3)

  1. 一種線圈模組，其特徵在於：其係使用13.56MHz或6.78MHz之頻帶之無線通信或無線電力傳輸用者，且包括：線圈基板，其包括基板、及設置於上述基板之厚度方向一側之線圈圖案；接著層，其設置於上述線圈基板之厚度方向一側，且由含有導熱性粒子及接著樹脂之接著組合物所形成；及磁性層，其設置於上述接著層之厚度方向一側，且由含有軟磁性粒子及樹脂之磁性組合物所形成。
  2. 如請求項1之線圈模組，其中上述線圈圖案之厚度方向一側之表面距離上述接著層之厚度方向一側之表面之間隔為100μm以下。
  3. 一種線圈模組之製造方法，其特徵在於：其係製造使用13.56MHz或6.78MHz之頻帶之無線通信或無線電力傳輸用線圈模組之方法，且包括如下步驟：準備由含有軟磁性粒子及樹脂之磁性組合物所形成之磁性層之步驟；藉由於上述磁性層設置由含有導熱性粒子及熱硬化性樹脂之接著組合物所形成之半硬化接著層而獲得半硬化接著層積層體之步驟；以及將上述半硬化接著層積層體以上述半硬化接著層與上述線圈圖案接觸之方式熱壓於包括基板及線圈圖案之線圈基板，藉此獲得包括完全硬化之接著層之線圈模組之步驟。
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