TW201925497A - 被處理對象物之內壁面的處理方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種被處理對象物之內壁面的處理方法,係將收容臭氧氣體且內壁為金屬製之收容容器、收容使用臭氧氣體進行表面處理之物體且內壁為金屬製之處理容器(30)、及供給臭氧氣體且內壁為金屬製之配管中之至少任一個作為被處理對象物,對被處理對象物之內壁面進行處理。被處理對象物之內壁面的處理方法包括下述步驟:確認被處理對象物之內壁面中有無異常部位;以及於確認有無異常部位之步驟之後,以與被處理對象物之內壁面接觸之方式使濃度為10體積%以上30體積%以下且溫度為60℃以下之臭氧氣體流通。
Description
本發明係關於一種被處理對象物之內壁面的處理方法。本申請案主張基於2017年11月30日提出申請之日本申請案第2017-230351號的優先權,且引用前述日本申請案所記載之全部記載內容。
已知向供給氣體之配管等供給臭氧氣體並對內壁面進行鈍態化處理之方法(例如參照專利文獻1)。專利文獻1揭示之鈍態化處理方法係將臭氧處理單元連接於已施工完畢之配管系統,使臭氧氣體作用於配管系統之內表面,從而對配管系統之內表面進行鈍態化處理。是如下的鈍態化處理方法,首先,使氧氣中之臭氧濃度為10體積%以下之臭氧氣體作用預定時間,然後使將臭氧氣體濃度階段性地增加所得的臭氧氣體分別作用預定時間。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1:日本專利特開2003-201554號公報。
上述專利文獻1揭示之鈍態化處理方法中,因使臭氧濃度階段性地增加,而處理變得煩雜。
因此,本發明目的之一在於提供一種可有效率地對被處理對象物之內壁面進行處理的被處理對象物之內壁面的處理方法。
本發明之被處理對象物之內壁面的處理方法係將收容臭氧氣體且內壁為金屬製之收容容器、收容使用臭氧氣體進行表面處理之物體且內壁為金屬製之處理容器、及供給臭氧氣體且內壁為金屬製之配管中之至少任一個作為被處理對象物,對被處理對象物之內壁面進行處理。被處理對象物之內壁面的處理方法包括下述步驟:確認被處理對象物之內壁面中有無異常部位;以及於確認有無異常部位之步驟之後,以與被處理對象物之內壁面接觸之方式,使濃度為10體積%以上30體積%以下且溫度為60℃以下之臭氧氣體流通。
專利文獻1中,為了消除若在作為原料之純水或純化水或者其他流體中混入金屬離子成分則對成分造成影響這一問題(參照專利文獻1之段落編號[0006]),並且為了高精度地維持半導體用氣體之濃度(參照專利文獻1之段落編號[0004]),而進行專利文獻1所示之鈍態化處理。此處,本發明之發明者發現:即便不進行此種處理,亦有如下用途,即,當使用被處理對象物並利用臭氧氣體進行物體之表面處理時,雖未達成由腐蝕而溶出之金屬量之減少,但只要可抑制臭氧濃度之降低即可。而且,為了即便未進行專利文獻1所示之鈍態化處理亦可抑制臭氧濃度之降低而進行了積極研究,從而構成本發明。
本發明之被處理對象物之內壁面的處理方法中,首先進行確認被處理對象物之內壁面中有無異常部位的預處理。此處,異常部位例如是指油脂等有機物或樹脂等異物附著於被
處理對象物之內壁面之部位或存在於被處理對象物之內壁面之損傷部位。藉由進行此種預處理,可於進行後述之正式處理時抑制異常部位中發生急遽之發熱而對配管等造成損傷。
接下來,預處理之後,進行以與被處理對象物之內壁面接觸之方式使濃度為10體積%以上30體積%以下且溫度為60℃以下的臭氧氣體流通之正式處理。藉由如此進行正式處理,於對被處理對象物執行使用臭氧氣體進行表面處理之物體之表面處理時,可抑制臭氧濃度之降低。
本發明之正式處理並非如專利文獻1揭示般使臭氧濃度階段性地增加(參照專利文獻1之[請求項2]),無須經過使正式處理時之臭氧氣體之濃度增加這一變更之步驟,因而可有效率地對被處理對象物之內壁面進行處理。尤其如專利文獻1中段落編號[0019]所揭示般,使用濃度為40體積%、80體積%之高濃度之臭氧氣體進行鈍態化處理。此種高濃度之臭氧氣體處理困難。然而,本發明中,使用10體積%以上30體積%以下之低濃度之臭氧氣體,進而溫度為60℃以下的相對較低溫度,因而處理變得容易。
根據以上,藉由本發明之被處理對象物之內壁面的處理方法可有效率地對被處理對象物之內壁面進行處理。
上述被處理對象物之內壁面的處理方法中,於使臭氧氣體流通之步驟中,亦可使溫度為室溫以上之臭氧氣體流通。藉由使此種溫度之臭氧氣體流通,可更有效率地對被處理對象物之內壁面進行處理。
上述被處理對象物之內壁面的處理方法中,使臭氧氣體流通之步驟可於6小時以上48小時以下之時間範圍內進行。藉由於此種時間範圍內進行,可更確實地對被處理對象物
之內壁面進行處理。
上述被處理對象物之內壁面的處理方法中,於確認被處理對象物之內壁面中有無異常部位之步驟中,可包含如下步驟,即,以與被處理對象物之內壁面接觸之方式,使濃度為5體積%以上且小於10體積%之臭氧氣體流通。於油脂等有機物或樹脂等異物附著於內壁面之情形時或內壁面有損傷之情形時,若供給臭氧氣體,則該部分會因氧化發熱而看見溫度上升。因此,藉由使濃度為5體積%以上且小於10體積%之臭氧氣體流通,可確認被處理對象物中有無溫度上升。如此,可確認被處理對象物之內壁面中有無異常部位。又,藉由繼續進行正式處理可進一步實現效率化。
上述內壁面的處理方法中,被處理對象物可包含第一壁、及與第一壁對向配置之第二壁;於第一壁之附近,設置有用以將臭氧氣體供給至被處理對象物內之供給口;於第二壁之附近,設置有用以將臭氧氣體排出至被處理對象物外之排出口。藉由將被處理對象物設為此種構成,可一邊抑制被處理對象物內之臭氧氣體之滯留,一邊使臭氧氣體從第一壁側朝向第二壁流通。如此,可均勻地對被處理對象物之內壁面進行處理。
上述內壁面的處理方法,於使濃度為10體積%以上30體積%以下且溫度為60℃以下之臭氧氣體流通之步驟開始後,若利用確認被處理對象物之至少一部分區域中有無溫度上升之步驟確認出被處理對象物之至少一部分區域中有無溫度上升,則可進而具備切換為濃度為5體積%以上且小於10體積%之臭氧氣體或氧氣且使之流通之步驟。藉由如此確認有無溫度上升之步驟,可確認被處理對象物中有無異常發熱。又,藉由切換為濃度為5體積%以上且小於10體積%之臭氧氣體或氧氣,可
抑制被處理對象物之溫度上升。
根據上述被處理對象物之內壁面的處理方法,可提供可有效率地對被處理對象物之內壁面進行處理之被處理對象物之內壁面的處理方法。
1‧‧‧處理裝置
10‧‧‧臭氧發生器
20‧‧‧臭氧氣體濃縮器
30‧‧‧處理容器
31‧‧‧上壁
32‧‧‧下壁
33‧‧‧側壁
35‧‧‧內壁面
41、42、43、44‧‧‧配管
45、46‧‧‧分支點
41A、42A、43A‧‧‧開閉閥
431‧‧‧供給口
441‧‧‧排出口
X、Y‧‧‧軸
S10~S50‧‧‧步驟
圖1係表示處理裝置之一例之概略圖。
圖2係表示被處理對象物之內壁面的處理方法之流程圖。
圖3係表示處理裝置之第一變形例之概略圖。
接下來,一邊參照圖式一邊對本發明之被處理對象物之內壁面的處理方法的一實施形態進行說明。以下之圖式中對相同或相當之部分附上相同元件符號且不再重複其說明。
首先,對本發明之被處理對象物之內壁面的處理方法中使用的處理裝置進行說明。圖1係表示處理裝置之一例之概略圖。參照圖1,使用處理裝置1對作為被處理對象物之處理容器30之內壁面35進行處理。處理容器30中收容使用臭氧氣體進行表面處理的物體。處理容器30例如是於處理容器30內載置半導體晶圓而進行表面之清潔之腔室。再者,圖1之處理容器30中,將從後述之上壁朝向下壁之方向設為Y軸方向,與Y軸方向垂直之方向設為X軸方向。處理裝置1具備臭氧發生器10、臭氧氣體濃縮器20、配管41、42、43、44。
臭氧發生器10例如是臭氧發生器(ozonizer)。藉由臭氧發生器10生成預定之臭氧濃度之臭氧氣體。再者,所生成之臭氧氣體係包含臭氧與氧之混合氣體。本實施形態中,臭氧
濃度為5體積%以上且小於10體積%之第一臭氧氣體藉由臭氧發生器10生成。第一臭氧氣體中之臭氧濃度之較佳之範圍為5體積%以上8體積%以下,更佳為5體積%以上6體積%以下。
臭氧氣體濃縮器20係將藉由臭氧發生器10生成之第一臭氧氣體之臭氧濃度濃縮,生成臭氧濃度高於第一臭氧氣體之臭氧濃度的臭氧氣體。作為臭氧氣體濃縮器20,例如可使用包含吸附劑之臭氧氣體濃縮器20。本實施形態中,臭氧濃度為10體積%以上30體積%以下之第二臭氧氣體藉由臭氧氣體濃縮器20而生成。第二臭氧氣體中之臭氧濃度之較佳之範圍為15體積%以上30體積%以下,更佳為20體積%以上28體積%以下。
臭氧發生器10與臭氧氣體濃縮器20之間設置有配管41。配管41中設置著進行配管41之流路之開閉的開閉閥41A。臭氧氣體濃縮器20與處理容器30之間設置著配管43。配管43中設置著進行配管43之流路之開閉的開閉閥43A。配管41係於設置於臭氧發生器10與開閉閥41A之間的分支點45處分支為配管42。而且,配管42係於設置於臭氧氣體濃縮器20與開閉閥43A之間的分支點46處與配管43連接。配管42中設置著進行配管42之流路之開閉的開閉閥42A。藉由打開開閉閥41A、43A且關閉開閉閥42A,從臭氧發生器10經由臭氧氣體濃縮器20向處理容器30供給氣體。又,藉由打開開閉閥42A、43A且關閉開閉閥41A,從臭氧發生器10不經由臭氧氣體濃縮器20而向處理容器30供給氣體。再者,配管41、42、43為金屬製,例如由不鏽鋼或鋁構成。
處理容器30包含:筒狀之側壁33,以覆蓋側壁33之一開口之方式設置之作為第一壁之上壁31,以及以覆蓋側壁33之另一開口之方式設置之作為第二壁之下壁32。上壁31與下
壁32以於Y軸方向上隔開間隔對向之方式配置。側壁33、上壁31及下壁32為金屬製,例如由不鏽鋼或鋁構成。
配管43以使上壁31之一部分開口且於處理容器30之內部配置供給口431的方式設置。供給口431以位於上壁31之附近且較上壁31之中央更靠近側壁33之側的方式設置。配管44以使下壁32之一部分開口且於處理容器30之內部配置排出口441的方式設置。排出口441以位於下壁32之附近且較下壁32之中央更靠近側壁33之側的方式設置。再者,供給口431與排出口441設置於X軸方向上不同的位置。如此,已供給至處理容器30內之氣體從上壁31朝向下壁32(主要向表示圖1之Y軸方向之箭頭之方向)流動。而且,利用配管44向處理容器30外排出氣體。再者,配管44為金屬製,例如由不鏽鋼或鋁構成。
接下來,說明用以藉由本實施形態中之被處理對象物之內壁面的處理方法對處理容器30進行處理之順序。圖2係表示被處理對象物之內壁面的處理方法之流程圖。
參照圖1,本實施形態中之被處理對象物之內壁面的處理方法中,首先,作為步驟(S10),實施確認被處理對象物之內壁面中有無異常部位之步驟。更具體而言,實施使第一臭氧氣體流通預定時間之步驟。開閉閥42A及開閉閥43A設為打開之狀態,開閉閥41A設為關閉之狀態。其結果,藉由臭氧發生器10生成之第一臭氧氣體通過配管41、配管42及配管43供給至處理容器30內。然後,第一臭氧氣體藉由配管44排出至處理容器30外。如此,第一臭氧氣體於處理容器30內流通。再者,第一臭氧氣體例如以60℃以下之溫度流通。第一臭氧氣體之溫度之下限為室溫。此處,室溫係10℃至30℃左右之溫度,例如為23℃。
接下來,作為步驟(S20),實施確認被處理對象物之至少一部分區域中有無溫度上升之步驟。更具體而言,確認處理容器30中之一部分區域中有無溫度上升。關於確認有無溫度上升,例如藉由確認處理容器30中之一部分區域是否為預定之溫度以上而進行。作為預定之溫度,例如為40℃。又,可手接觸處理容器30中之一部分區域以確認有無溫度上升。
步驟(S20)中,若被處理對象物之至少一部分區域中無溫度上升(S20中之否),則結束使第一臭氧氣體流通之步驟。更具體而言,將開閉閥42A設為關閉之狀態。接下來,作為步驟(S30),實施使第二臭氧氣體流通預定時間之步驟。更具體而言,開閉閥41A及開閉閥43A設為打開之狀態,開閉閥42A設為關閉之狀態。其結果,藉由臭氧發生器10生成之第一臭氧氣體被臭氧氣體濃縮器20濃縮,而生成第二臭氧氣體。第二臭氧氣體通過配管43供給至處理容器30內。然後,第二臭氧氣體排出至處理容器30外。如此,第二臭氧氣體於處理容器30內流通,對處理容器30之內壁面35進行處理。再者,第二臭氧氣體於60℃以下之溫度流通。第二臭氧氣體之溫度之下限為室溫。此處,室溫係指10℃至30℃左右之溫度,例如為23℃。第二臭氧氣體之溫度之較佳之範圍為23℃以上30℃以下。
接下來,作為步驟(S40),判斷是否已經過預定時間。此處,作為預定時間,設定於6小時以上48小時以下之範圍內。預定時間之較佳之範圍為6小時以上24小時以下,更佳為6小時以上12小時以下。若經過預定時間(S40中之是),則結束使第二臭氧氣體流通之步驟(S50)。更具體而言,開閉閥41A及開閉閥43A設為關閉之狀態。
本實施形態之被處理對象物之內壁面的處理方法
中,首先,進行確認處理容器30之內壁面中有無異常部位之預處理。此處,異常部位例如是指油脂等有機物或樹脂等異物附著於處理容器30之內壁面35之部位或存在於處理容器30之內壁面之損傷部位。藉由進行此種預處理,可於進行後述之正式處理時抑制異常部位中發生急遽之發熱,並抑制對配管等造成損傷。而且,預處理之後,進行使第二臭氧氣體流通之正式處理。藉由如此進行正式處理,當對處理容器30執行使用臭氧氣體進行表面處理之物體之表面處理時,可抑制臭氧濃度之降低。
根據以上,藉由本實施形態之被處理對象物之內壁面的處理方法可有效率地對被處理對象物之內壁面進行處理。
再者,這種處理方法獲得之效果考慮為如下。於處理容器30之處理前之內壁面35形成有通常自然氧化膜等薄膜。這種薄膜有時具有微小之損傷,藉由進行本實施形態之處理,微小之損傷得以填補。而且,認為可抑制以微小之損傷部位為基點而產生的臭氧氣體中之臭氧之消失,結果,有助於抑制供給至被處理對象物之臭氧氣體之臭氧濃度的降低。
上述實施形態中,使第二臭氧氣體流通之步驟係使溫度為室溫以上之第二臭氧氣體流通。藉由使此種溫度之臭氧氣體流通,可更有效地對處理容器30之內壁面35進行處理。
上述實施形態中,使第二臭氧氣體流通之步驟於6小時以上48小時以下之時間範圍內進行。藉由於此種時間範圍內進行,可更確實地對處理容器30之內壁面35進行處理。
上述實施形態中,作為確認被處理對象物之內壁面中有無異常部位之步驟,實施以與處理容器30之內壁面35接觸之方式,使第一臭氧氣體流通之步驟(S10)。於油脂等有機物或樹脂等異物附著於內壁面35之情形時或內壁面35有損傷之情形
時,若供給臭氧氣體,則該部分會因氧化發熱而看見溫度上升。因此,藉由使第一臭氧氣體流通,可確認處理容器30中有無溫度上升。如此,可確認處理容器30之內壁面35中有無異常部位。又,藉由繼續進行正式處理,可實現效率化。
上述實施形態中,作為確認被處理對象物之內壁面中有無異常部位之步驟,實施於使第一臭氧氣體流通之步驟開始後,確認處理容器30之至少一部分區域中有無溫度上升之步驟(S20)。藉由如此確認有無溫度上升,可確認處理容器30之內壁面35中有無異常部位。
上述實施形態中,處理容器30包含上壁31及下壁32,於上壁31之附近設置有用以將臭氧氣體供給至處理容器30內之供給口431,於下壁32之附近設置有用以將臭氧氣體排出至處理容器30外之排出口441。藉由將處理容器30設為此種構成,一邊抑制處理容器30內之臭氧氣體之滯留,一邊使臭氧氣體從上壁31側朝向下壁32流通。如此,可均勻地對處理容器30之內壁面35進行處理。
再者,步驟(S20)中,若於處理容器30之至少一部分區域有溫度上升(S20中之是),則再次實施使第一臭氧氣體流通之步驟(S10)。藉由如此再次使第一臭氧氣體流通,可抑制處理容器30中之溫度上升。
步驟(S40)中,若未經過預定時間(S40中之否),則再次實施使第二臭氧氣體流通之步驟(S30)。
再者,於使第二臭氧氣體流通之步驟(S30)開始後,可實施確認被處理對象物之至少一部分區域中有無溫度上升之步驟。又,若確認被處理對象物之至少一部分區域中有無溫度上升,則可進而實施切換為第一臭氧氣體且使之流通之步
驟。藉由如此確認有無溫度上升之步驟,可確認被處理對象物中有無異常發熱。又,藉由切換為第一臭氧氣體,可抑制被處理對象物之溫度上升。再者,若確認被處理對象物之至少一部分區域中有無溫度上升,則可進而實施切換為氧氣且使之流通預定時間,然後使第一臭氧氣體流通之步驟。藉此,可抑制被處理對象物之溫度上升。
上述實施形態中,配管44設為使下壁32之一部分開口且於處理容器30之內部配置供給口431之構成,但不限於此,配管44可設為使上壁31之一部分開口且於處理容器30之內部配置排出口441之構成。再者,排出口441與上述實施形態同樣地,以位於下壁32之附近且較下壁32之中央更靠近側壁33之側的方式設置。即便設為此種構成,亦可使臭氧氣體從上壁31朝向下壁32流通。
上述實施形態中,將處理容器30作為被處理對象物,但不限於此,亦可代替處理容器30而將用以收容臭氧氣體之收容容器作為被處理對象物。又,還可代替處理容器30而將用以供給臭氧氣體之配管作為被處理對象物。更具體而言,為圖1中之配管43、44。再者,收容容器或配管之內壁為金屬製,例如由不鏽鋼或鋁構成。
上述實施形態中,於步驟(S10)之後實施步驟(S20),但不限於此,亦可於步驟(S10)之後實施步驟(S30)。又,上述實施形態中,於步驟(S30)之後實施步驟(S40),但不限於此,亦可於步驟(S30)之後實施步驟(S50)。
接下來,對變形例進行說明。圖3係表示本實施形態中之被處理對象物之內壁面的處理方法中使用的處理裝置1之第一變形例之概略圖。圖3中,從容易理解之觀點考慮,僅示
出配管43、44及處理容器30。參照圖3,配管43以使上壁31之中央區域開口且於處理容器30之內部配置有供給口431的方式設置。供給口431以位於上壁31之附近且上壁31之中央之方式設置。配管44以使下壁32之中央區域開口且於處理容器30之內部配置有排出口441之方式設置。排出口441以位於下壁32之附近且下壁32之中央之方式設置。供給口431與排出口441於X軸方向上設置於相同位置。藉由設為此種構成,亦可抑制處理容器30內之臭氧氣體之滯留,且可均勻地對處理容器30之內壁面35進行處理。再者,處理容器30之構成根據收容於處理容器30之進行表面處理之物體的形狀等或供給至處理容器30之氣體之流量等而適當選擇。
[實施例]
製作已藉由上述本申請案之被處理對象物之內壁面的處理方法處理之不鏽鋼制之容器,進行確認臭氧濃度之衰減率之評估。評估之順序為以下所示。
準備圖1所示之裝置,作為被處理對象物,準備對內壁面實施電解研磨而進行了鏡面拋光的不鏽鋼製(SUS316L)容器。製作如下容器,即,使作為第一臭氧氣體的溫度為23℃且濃度為5體積%的臭氧氣體流通2小時、並使作為第二臭氧氣體的溫度為23℃且濃度為23體積%之臭氧氣體流通時間分別為6小時、12小時、24小時。又,為了進行比較,製作未進行處理之容器。關於進行了處理之容器及未進行處理之容器,藉由下述方法評估各自之臭氧濃度之衰減率。更具體而言,將臭氧濃度為23體積%之臭氧氣體封入至各個容器,評估隨時間經過之臭氧濃度之衰減率。測定3小時後及48小時後之臭氧濃度,將23體積%作為初始值並算出衰減率。將其結果表示於表1。再者,表1
中橫項表示處理時間(未處理、6小時、12小時、24小時),縱項表示放置時間(3小時、48小時),示出了分別對應之衰減率。
如根據表1之評估結果可知,未進行處理之容器中3小時後臭氧濃度衰減66%,48小時後所有臭氧消失。另一方面,可知在使第二臭氧氣體流通之處理時間設為6小時之容器中,3小時後臭氧濃度衰減4%,與未進行處理之容器相比衰減率降低。在處理時間設為6小時之容器中,可知即便在48小時後臭氧濃度之衰減亦控制在10%內,抑制了臭氧濃度之降低。又,可知在使第二臭氧氣體流通之處理時間設為12小時或24小時之容器中,3小時後臭氧濃度衰減2%,衰減率進一步降低。根據以上可知,藉由進行使第二臭氧氣體流通6小時以上之處理可抑制臭氧濃度之降低。如此,根據本發明之被處理對象物之內壁面的處理方法,可抑制臭氧濃度之降低。
應當理解,此次揭示之實施形態在所有方面均為例示,不以任何方面限制。本發明之範圍由申請專利範圍規定而非由上述說明規定,旨在包含與申請範圍均等之含義及範圍內之所有變更。
[產業可利用性]
本發明之被處理對象物之內壁面的處理方法特別有利地應用於被要求可有效率地對被處理對象物之內壁面進行處理的處理方法。
Claims (6)
- 一種被處理對象物之內壁面的處理方法,係將收容臭氧氣體且內壁為金屬製之收容容器、收容使用前述臭氧氣體進行表面處理之物體且內壁為金屬製之處理容器、及供給前述臭氧氣體且內壁為金屬製之配管中的至少任一個作為被處理對象物,對前述被處理對象物之內壁面進行處理,前述被處理對象物之內壁面的處理方法包括下述步驟:對前述被處理對象物之前述內壁面中有無異常部位進行確認;以及於確認有無前述異常部位之步驟之後,以與前述被處理對象物之前述內壁面接觸之方式,使濃度為10體積%以上30體積%以下且溫度為60℃以下之臭氧氣體流通。
- 如請求項1所記載之被處理對象物之內壁面的處理方法,其中,於使前述臭氧氣體流通之步驟中,使溫度為室溫以上之前述臭氧氣體流通。
- 如請求項1或2所記載之被處理對象物之內壁面的處理方法,其中,使前述臭氧氣體流通之步驟係於6小時以上48小時以下之時間範圍內進行。
- 如請求項1或2所記載之被處理對象物之內壁面的處理方法,其中,於確認前述被處理對象物之前述內壁面中有無異常部位之步驟中,包含如下步驟:以與前述被處理對象物之前述內壁面接觸之方式使濃度為5體積%以上且小於10體積%之臭氧氣體流通。
- 如請求項1或2所記載之被處理對象物之內壁面的處理方法,其中,前述被處理對象物包含第一壁、及與前述第一壁對向配置之第二壁; 於前述第一壁之附近,設置有用以將前述臭氧氣體供給至被處理對象物內之供給口;於前述第二壁之附近,設置有用以將前述臭氧氣體排出至被處理對象物外之排出口。
- 如請求項1或2所記載之被處理對象物之內壁面的處理方法,其中,進而包括下述步驟:於使濃度為10體積%以上30體積%以下且溫度為60℃以下之前述臭氧氣體流通之步驟開始後,若利用確認前述被處理對象物之至少一部分區域有無溫度上升之步驟確認前述被處理對象物之至少一部分區域有無溫度上升,則切換為濃度為5體積%以上且小於10體積%之臭氧氣體或氧氣且使之流通。
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