TW201921554A - 發光元件之製造方法 - Google Patents

發光元件之製造方法

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Abstract

本發明提供一種能夠提昇生產性之發光元件之製造方法。 根據實施形態，發光元件之製造方法包括雷射光照射步驟及分離步驟。雷射照射步驟係對具有第1面之基板照射雷射光。雷射光照射步驟包括：第1照射步驟，其係使雷射光沿複數條第1線掃描；及第2照射步驟，其係使雷射光沿複數條第2線掃描。複數條第1線於第1方向上延伸，且沿第2方向排列。複數條第2線於第2方向上延伸，且沿第1方向排列。複數條第1線之第1間距大於複數條第2線之第2間距。第1照射步驟中之雷射光之照射之間距為2.0 μm以下。分離步驟係沿複數條第2線使晶圓分離為複數個長條，其後沿複數條第1線使長條分離為複數個發光元件。

Description

發光元件之製造方法
本發明係關於一種發光元件之製造方法。
關於製造在基板上積層成為發光層之化合物半導體而成之發光元件之方法，提出有藉由雷射照射而形成元件分離線之方法。於發光元件之製造方法中，要求提昇生產性。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利5119463號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明提供一種能夠提昇生產性之發光元件之製造方法。 [解決問題之技術手段]
根據本發明之一態樣，發光元件之製造方法包括雷射光照射步驟及分離步驟。上述雷射照射步驟係對包含具有第1面及第2面之基板及設置於上述第2面之半導體構造之晶圓之上述基板照射雷射光，於上述基板之內部形成複數個改質區域。上述分離步驟係於上述雷射光照射步驟之後使上述晶圓分離為複數個發光元件。上述雷射光照射步驟包括：第1照射步驟，其係使上述雷射光沿複數條第1線掃描；及第2照射步驟，其係使上述雷射光沿複數條第2線掃描。上述複數條第1線於與上述第1面平行之第1方向上延伸，且沿與上述第1面平行並與上述第1方向交叉之第2方向排列。上述複數條第2線於上述第2方向上延伸，且沿上述第1方向排列。上述複數條第1線之上述第2方向上之第1間距大於上述複數條第2線之上述第1方向上之第2間距。於上述第1照射步驟中之沿著複數條第1線中之1條之上述雷射光之照射中，上述雷射光照射至沿著上述第1方向之複數個第1位置，且沿上述第1方向之上述複數個第1位置之第1照射間距為2.0 μm以下。上述分離步驟包括：第1分離步驟，其係沿上述複數條第2線使上述晶圓分離為複數個長條；及第2分離步驟，其係於上述第1分離步驟之後沿上述複數條第1線使上述長條分離為上述複數個發光元件。 [發明之效果]
根據本發明之一態樣，提供一種能夠提昇生產性之發光元件之製造方法。
以下，一面參照圖式一面對本發明之各實施形態進行說明。 再者，圖式係模式性或概念性者，各部分之厚度與寬度之關係、部分間之大小之比率等未必與實物相同。又，即便於表示相同部分之情形時，亦存在根據圖式而將相互之尺寸或比率不同地表示之情形。 再者，於本案說明書中，對與上文關於已出現之圖已經敍述者相同之元素標註相同符號並適當省略詳細說明。
圖1係例示實施形態之發光元件之製造方法之流程圖。 圖2及圖3係例示實施形態之發光元件之製造方法中使用之晶圓之模式圖。圖2係圖3之II-II線剖視圖。圖3係自圖2之箭頭AR觀察所得之俯視圖。
如圖1所示，實施形態之發光元件之製造方法包括雷射光照射步驟(步驟S110)及分離步驟(步驟S120)。雷射光照射步驟包括第1照射步驟(步驟S111)及第2照射步驟(步驟S112)。分離步驟包括第1分離步驟(步驟S121)及第2分離步驟(步驟S122)。
於雷射照射步驟中，對晶圓照射雷射光。以下，對晶圓之例進行說明。
如圖2及圖3所示，晶圓50W包含基板50及半導體構造51。基板50具有第1面50a及第2面50b。第2面50b係與第1面50a為相反側之面。半導體構造51例如設置於第2面50b。
半導體構造51例如包含n型半導體層、活性層及p型半導體層。n型半導體層位於p型半導體層與基板50之間。活性層位於p型半導體層與n型半導體層之間。半導體構造51例如包含Inx Aly Ga1-x-y N(0≦x、0≦y、x＋y＜1)等氮化物半導體。活性層發出之光之峰值波長例如為360 nm以上且650 nm以下。
將自第2面50b朝向第1面50a之方向設為Z軸方向。將相對於Z軸方向垂直之1個方向設為X軸方向。將相對於Z軸方向及X軸方向垂直之方向設為Y軸方向。第1面50a及第2面50b沿X-Y平面擴展。Z軸方向對應於基板50之厚度方向(例如深度方向)。
如圖3所示，半導體構造51例如包含複數個區域51r。複數個區域51r分別對應於1個發光元件。複數個區域51r沿第1方向D1及第2方向D2排列。
第1方向D1係與第1面50a平行之1個方向。第2方向D2與第1面50a平行且與第1方向D1交叉。第2方向D2例如相對於第1方向D1垂直。於該例中，第1方向D1沿著Y軸方向。第2方向D2沿著X軸方向。
例如，基板50由例如藍寶石構成。基板50例如為藍寶石基板(例如c面藍寶石基板)。於基板50中，第1面50a亦可相對於c面傾斜。於基板50為藍寶石基板之情形時，於一例中，第1方向D1沿著藍寶石基板之a軸。此時，第2方向D2沿著藍寶石基板之m軸。
基板50具有定向平面55。於該例中，定向平面55之延伸方向沿著晶圓50W之第2方向D2。於實施形態中，第1方向D1與定向平面55之延伸方向之關係為任意。第2方向D2與定向平面55之延伸方向之關係為任意。
對此種晶圓50W照射雷射光。使晶圓50W沿著複數個區域51r之邊界分離。自複數個區域51r獲得複數個發光元件。
圖4係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式圖。 圖4例示出雷射光之照射。如圖4所示，對晶圓50W之基板50照射雷射光61。於該例中，雷射光61自第1面50a入射至基板50。
雷射光61呈脈衝狀出射。作為雷射光源，例如可使用Nd：YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔鋁石榴石)雷射、鈦藍寶石雷射、Nd：YVO4 雷射、或Nd：YLF(Yttrium Lithium Fluoride，氟化釔鋰)雷射等。雷射光61之波長為透過基板50之光之波長。雷射光61例如為於800 nm以上且1200 nm以下之範圍內具有峰值波長之雷射光。
雷射光61沿著與X-Y平面平行之方向掃描。例如，沿著與X-Y平面平行之方向變更雷射光61與基板50之相對位置。亦可為能夠變更雷射光61之聚光點之沿著Z軸方向之位置(以基板50作為基準時之位置)。
例如，沿著沿基板50之第1面50a之1個方向離散地照射雷射光61。照射有雷射光61之複數個位置沿著上述1個方向相互分離。照射有雷射光61之複數個位置以1個間距(雷射照射間距Lp)排列。雷射照射間距Lp與雷射光61之照射點間間距對應。
藉由雷射光61之照射，於基板50之內部形成複數個改質區域53。雷射光61聚光於基板50之內部。於基板50之內部之特定深度之位置，由雷射光61產生之能量集中。藉此，形成複數個改質區域53。形成複數個改質區域53時之雷射光61之聚光點之間距與雷射照射間距Lp對應。改質區域53例如係於基板50之內部藉由雷射照射而脆化之區域。
自複數個改質區域53，例如龜裂延展。龜裂於基板50之Z軸方向上伸展。龜裂成為基板50之分離之開始位置。例如，於下述分離步驟中施加力(例如載荷或衝擊等)。藉此，基於龜裂使基板50分離。
如此，於雷射光照射步驟(步驟S110)中，對基板50照射雷射光61，從而於基板50之內部形成複數個改質區域53。雷射照射例如沿著第1方向D1及第2方向D2進行。
繼而，於分離步驟(步驟S120)中，於雷射光照射步驟之後，使晶圓50W分離為複數個發光元件。例如，藉由進行沿著2個方向之分離而使晶圓50W分離為複數個發光元件。
以下，對雷射光照射步驟之例進行說明。 圖5係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式俯視圖。 圖5例示出第1照射步驟(步驟S111)。如圖5所示，於第1照射步驟中，使雷射光61沿著複數條第1線L1掃描。
複數條第1線L1於第1方向D1上延伸，且沿第2方向D2排列。如上文所說明般，第1方向D1與第1面50a平行。第2方向D2與第1面50a平行，且與第1方向D1交叉。複數條第1線L1以第1間距P1排列。第1間距P1係於第2方向D2上相鄰之2條第1線L1沿著第2方向D2之距離。
複數條第1線L1例如沿著沿第2方向D2排列之複數個區域51r(參照圖3)彼此之間之邊界。
如圖5所示，於沿著複數條第1線L1中之1條之雷射光61之照射中，雷射光61照射至複數個第1位置61a。複數個第1位置61a沿著第1方向D1排列。複數個第1位置61a之間距與第1照射間距Lp1對應。第1照射間距Lp1係於第1方向D1上相鄰之2個第1位置61a沿第1方向D1之距離。
於實施形態中，第1照射間距Lp1例如為2.0 μm以下。藉此，如下文詳細敍述般，可充分地提高分離步驟中之斷裂強度。
圖6係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式俯視圖。 圖6例示出第2照射步驟(步驟S112)。如圖6所示，於第2照射步驟中，使雷射光61沿著複數條第2線L2掃描。
複數條第2線L2於第2方向D2上延伸。複數條第2線L2於第1方向D1上以第2間距P2排列。第2間距P2係於第1方向D1上相鄰之2條第2線L2沿第1方向D1之距離。
複數條第2線L2例如沿著沿第1方向D1排列之複數個區域51r(參照圖3)彼此之間之邊界。
於第2照射步驟中之沿著複數條第2線L2中之1條之雷射光61之照射中，雷射光61照射至複數個第2位置61b。複數個第2位置61b沿著第2方向D2排列。複數個第2位置61b之間距與第2照射間距Lp2對應。第2照射間距Lp2係於第2方向D2上相鄰之2個第2位置61b沿第2方向D2之距離。
於一例中，第1照射間距Lp1小於第2照射間距Lp2。藉此，如下文詳細敍述般，可抑制分離步驟中之晶圓之非意欲之分離。
於實施形態中，第1間距P1(參照圖5)大於第2間距P2(參照圖6)。
以下，對分離步驟之例進行說明。 圖7係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式俯視圖。 圖7例示出第1分離步驟。於第1分離步驟中，沿著複數條第2線L2使晶圓50W分離為複數個長條52。例如，使用刀片並沿著第2線L2對晶圓50W施加載荷，藉此使晶圓50W分離為複數個長條52。於實施形態中，1個長條52為沿第2方向D2排列有複數個區域51r之狀態。
圖8係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式俯視圖。 圖8例示出第2分離步驟。第2分離步驟於第1分離步驟之後進行。第2分離步驟係於第1分離步驟之後，沿著複數條第1線L1使長條52分離為複數個發光元件51e。例如，使用刀片並沿著第1方向D1對長條52(晶圓50W)施加載荷，藉此使長條52分離為複數個發光元件51e。
上述分離例如藉由割斷而執行。
如上文所說明般，於實施形態中，第1間距P1大於第2間距P2。於利用上述製造方法獲得之複數個發光元件51e之1個中，沿第2方向D2之長度長於沿第1方向D1之長度。複數個發光元件51e之1個具有長邊及短邊。長邊之長度與第1間距P1實質上對應。短邊之長度與第2間距P2對應。
於實施形態中，於實施第1分離步驟之後實施第2分離步驟。例如，沿著沿長邊之單片化預定線(第2線L2)進行分離。其後，沿著沿短邊之單片化預定線(第1線L1)進行分離。
另一方面，亦可於沿著第1線L1進行分離之後，沿著第2線L2進行分離。於該情形時，有於沿著第1線L1進行分離之後難以沿著第2線L2進行分離之傾向。即，於沿著沿短邊之單片化預定線進行分離之後，難以沿著沿長邊之單片化預定線進行分離。其原因在於，難以使沿短邊分離後之晶圓沿著更細之長邊分離。
於實施形態中，於實施第1分離步驟之後實施第2分離步驟。藉此，容易使基板50分離為複數個發光元件。
與沿著沿短邊之單片化預定線進行分離時相比，沿著沿長邊之單片化預定線進行分離時更容易發生非意欲之分離。即，於分離步驟時，短邊較長邊更容易發生非意欲之分離。於實施形態中，即便於沿著沿長邊之單片化預定線進行分離之情形時，亦能夠抑制短邊中之非意欲之分離。
進而，於實施形態中，將沿第1線L1之第1照射間距Lp1縮小至2.0 μm以下。藉此，抑制第1分離步驟中之非意欲之沿著第1線L1之分離。
如下所述，藉由縮小第1照射間距Lp1，可提高沿第1線L1之斷裂強度。藉此，例如不易發生沿第1線L1之分離。例如，可進一步抑制於第1分離步驟中因衝擊而發生非意欲之分離。
於實施形態中，於第2照射步驟中之雷射光61之照射中，雷射光61以第2照射間距Lp2照射。於實施形態中，較佳為第2照射間距Lp2大於第1照射間距Lp1。
於沿著第2線L2之雷射光61之照射中，藉由第2照射間距Lp2較大，而沿著第2線L2之斷裂強度變低。其結果，沿著第2線L2之分離變得容易。
例如，於沿著第2線L2之分離(第1分離步驟)中，即便減小刀片等之載荷，亦能夠實施沿著第2線L2之分離。由於可藉由較小之載荷進行沿著第2線L2之分離，故施加至第1線L1之載荷亦減小，從而能夠進一步抑制非意欲地發生沿第1線L1之分離。
例如，第2照射間距Lp2例如為3.0 μm以上且3.5 μm以下。藉由使用此種第2照射間距Lp2，可穩定地抑制非意欲之分離之發生。
例如，於沿著2個方向之2個分離步驟中，例如，因對基板50施加不均勻之載荷而發生非意欲之分離。因非意欲之分離而發生基板之缺損等不良。於實施形態中，作為一方之雷射照射之條件，採用較另一方之雷射照射之條件更難分離之條件。藉此，抑制非意欲之分離。
於沿著2個方向之2個分離步驟中，存在沿一個方向之分離之容易度與沿另一個方向之分離之容易度不同之情形。例如，存在根據基板50之結晶方位之方向而分離之容易度不同之情形。於此種情形時，存在欲減小分離之容易度之差異之參考例。
與此相對，於實施形態中，作為一方之雷射照射之條件，採用較另一方之雷射照射之條件更難分離之條件。即，使第1雷射照射步驟中之第1照射間距Lp1小於第2雷射照射步驟中之第2照射間距Lp2。藉由第1雷射照射步驟中形成之複數個改質區域53，而成為不易進行沿著第1線L1之分離之狀態。藉此，可抑制應於第2分離步驟中分離之部分於第1分離步驟中非意欲地分離。
於實施形態中，於進行第1分離步驟與第2分離步驟之情形時，根據分離(割斷)之順序適當地設定雷射照射間距Lp。藉此，可抑制非意欲之分離。
根據實施形態，可提供能夠提昇生產性之發光元件之製造方法。
以下，對雷射照射後之晶圓50W中之斷裂強度相關之實驗結果之例進行說明。實驗中之試樣包含基板50(藍寶石基板)及氮化物半導體積層而成之半導體構造51(參照圖2)。試樣之厚度為約120 μm。試樣之平面形狀為長方形，主面之1個邊(長邊)之長度為2200 μm，另一個邊(短邊)之長度為2000 μm。沿著相對於試樣之長邊平行之中心線對試樣照射雷射光61。於實驗中，將雷射照射間距Lp於1 μm～3.5 μm之間以0.5 μm為單位進行變更。於實驗中，採用沿著藍寶石基板之m軸照射雷射光61之情形與沿著藍寶石基板之a軸照射雷射光61之情形之2種條件。雷射光61之脈衝週期固定，藉由變更雷射光61之掃描速度而變更雷射照射間距Lp。雷射光61自YAG雷射出射。雷射光61之波長為1040 nm。
對以各種雷射照射間距Lp照射雷射光61後之試樣測定斷裂強度。於斷裂強度之測定時進行彎曲試驗。對試樣施加三點彎曲載荷，將斷裂時之載荷作為斷裂強度。
圖9係例示關於發光元件之分離之實驗結果之曲線圖。 圖9之橫軸為雷射照射間距Lp(μm)。縱軸為斷裂強度F1(牛頓：N)。圖9中，以圓記號表示沿a軸方向照射雷射光61時之斷裂強度F1之值。以三角形記號表示沿m軸照射雷射光61時之斷裂強度F1之值。以四邊形記號表示沿a軸方向照射雷射光61時之斷裂強度F1之值之平均值。
如圖9所示，若雷射照射間距Lp較小，則斷裂強度F1變高。根據圖9之結果，於雷射照射間距Lp為3 μm之情形時，關於沿m軸方向之雷射照射與沿a軸之雷射照射，觀察到實質上同樣之傾向。
根據圖9可知，若雷射照射間距Lp成為2.5 μm以下，則斷裂強度F1開始上升。若雷射照射間距Lp成為2.0 μm以下，則斷裂強度F1之上升明顯。另一方面，若雷射照射間距Lp為3.0 μm以上且3.5 μm以下，則斷裂強度F1穩定地降低。
根據上述，第1照射間距Lp1較佳為2.0 μm以下。第2照射間距Lp2較佳為3.0 μm以上(3.5 μm以下)。藉此，於第1雷射照射之斷裂強度F1與第2雷射照射之斷裂強度F1之間獲得較大之差。
根據圖9可知，雷射照射間距Lp為1.5 μm以下時之斷裂強度F1之最小值大於雷射照射間距Lp為3.0 μm以下時之最大值。
據此，第1照射間距Lp1進而較佳為1.5 μm以下。藉此，即便含有偏差，關於斷裂強度F1亦獲得充分之差。
如此，於實施形態中，根據分離(割斷)之順序適當地設定雷射照射間距Lp。藉此，可抑制非意欲之分離。 本發明者等人認為藉由縮小雷射照射間距而基板容易破裂。然而，按照上述可知，實際上藉由縮小雷射照射間距而斷裂強度F1上升，從而基板不易發生分離。作為不易分離之理由，認為於雷射光之掃描線上之基板之內部密集地形成有複數個改質區域，藉由其等互相重疊而抑制了基板之分離。
於實施形態中，第2間距P2較佳為300 μm以下。例如，當第2間距P2小於300 μm時，於第1分離步驟中，有容易非意欲地發生沿第1線L1之分離之傾向。於實施形態中，藉由將第1照射間距Lp1設為特定之值，即便當第2間距P2為300 μm以下時亦可抑制非意欲之分離。
於實施形態中，第1間距P1較佳為1 mm以上，進而較佳為1 mm以上且3 mm以下。
於實施形態中，較佳為第1照射步驟及第2照射步驟中之雷射光61之輸出為100 mW以上且150 mW以下。若輸出高於150 mW，則有例如半導體構造51(例如發光元件51e)產生損壞之情形。若輸出低於100 mW，則例如難以形成改質區域53，或龜裂難以自改質區域53伸展。因此，基板50之分離變得困難。當輸出為100 mW以上且150 mW以下時，例如可抑制對半導體構造51之損壞且可容易分離。
於實施形態中，較佳為於第1照射步驟之後實施第2照射步驟。如上文所說明般，第1照射步驟中之複數條第1線L1之第1間距P1大於第2照射步驟中之複數條第2線L2之第2間距P2。例如，每單位面積之複數條第1線L1之數量少於每單位面積之複數條第2線L2之數量。
如上文所說明般，藉由雷射光61之照射而形成複數個改質區域53，自複數個改質區域53產生之龜裂延展，從而使基板50分離。若雷射光61之掃描次數較多，則改質區域53亦容易變多，基板50之內部之應力(例如壓縮應力)增大。於基板50之內部之壓縮應力較大之狀態下，即便形成有改質區域53，自改質區域53產生之龜裂亦難以伸展。因此，基板50難以分離。當基板50之內部之壓縮應力較小時，基板50容易分離。
藉由先進行掃描次數較少之第1照射步驟，於基板內部之壓縮應力相對較小之狀態下，可進行後續之第2照射步驟。例如，於在掃描次數較多之第2照射步驟之後進行掃描次數較少之第1照射步驟之情形時，於壓縮應力發揮強烈作用之狀態下進行第1照射步驟。於此情形時，即便形成有第1照射步驟中形成之改質區域53，龜裂亦難以伸展，故而難以進行基板之割斷。於實施形態中，可抑制第1照射步驟與第2照射步驟中之龜裂難以自改質區域伸展之情況。藉此，容易使基板50分離。
(實施例) 於實施例中，作為晶圓50W，於藍寶石基板上設置有包含氮化物半導體之半導體構造51。藍寶石基板之厚度為120 μm。雷射光61之波長為約1060 nm。雷射光61之輸出為100 mW～150 mW左右。
於雷射光照射步驟中，第1方向D1相對於藍寶石基板之a軸平行。第2方向D2相對於藍寶石基板之m軸平行。第1間距P1為1100 μm。第2間距P2為200 μm。於第1條件中，第1照射間距Lp1為1.5 μm，第2照射間距Lp2為3.0 μm。
於分離步驟中，進行沿第2線L2之第1分離步驟，其後，進行沿第1線L1之第2分離步驟。
將發生非意欲之破裂、發光元件缺損等狀態判定為不良。於實施例中，產生不良之比率為0.5%。
(參考例) 於參考例中，第1照射間距Lp1為3.0 μm。參考例中之除此以外之條件與上述實施例相同。於參考例中，產生不良之比率為2.0%。利用實施例中之製造方法，可抑制不良且提昇生產性。
根據實施形態，可提供一種能夠提昇生產性之發光元件之製造方法。
再者，於本案說明書中，「垂直」及「平行」不僅為嚴格之垂直及嚴格之平行，而且包括例如製造步驟中之偏差等，只要為實質性地垂直及實質性地平行即可。
以上，一面參照具體例一面對本發明之實施形態進行了說明。然而，本發明並不限定於該等具體例。例如，關於發光元件之製造方法中使用之晶圓、基板、半導體構造、發光元件及雷射等各者之具體構成，只要業者能夠藉由自公知之範圍內進行適當選擇而同樣地實施本發明並獲得同樣之效果，則包含於本發明之範圍。
又，將各具體例之任意2個以上之要素於技術上可行之範圍內組合而成者只要包含本發明之主旨，則亦包含於本發明之範圍。
此外，業者可基於以上作為本發明之實施形態而描述之發光元件之製造方法適當設計變更而實施之所有發光元件之製造方法只要包含本發明之主旨，則亦屬於本發明之範圍。
此外，於本發明之思想範疇內，業者能夠想到各種變更例及修正例，且應理解該等變更例及修正例亦屬於本發明之範圍。
50‧‧‧基板
50W‧‧‧晶圓
50a‧‧‧第1面
50b‧‧‧第2面
51‧‧‧半導體構造
51e‧‧‧發光元件
51r‧‧‧區域
52‧‧‧長條
53‧‧‧改質區域
55‧‧‧定向平面
61‧‧‧雷射光
61a‧‧‧第1位置
61b‧‧‧第2位置
AR‧‧‧箭頭
D1‧‧‧第1方向
D2‧‧‧第2方向
F1‧‧‧斷裂強度
L1‧‧‧第1線
L2‧‧‧第2線
Lp‧‧‧雷射照射間距
Lp1‧‧‧第1照射間距
Lp2‧‧‧第2照射間距
P1‧‧‧第1間距
P2‧‧‧第2間距
S110‧‧‧雷射光照射步驟
S111‧‧‧第1照射步驟
S112‧‧‧第2照射步驟
S120‧‧‧分離步驟
S121‧‧‧第1分離步驟
S122‧‧‧第2分離步驟
X‧‧‧X軸
Y‧‧‧Y軸
Z‧‧‧Z軸
圖1係例示實施形態之發光元件之製造方法之流程圖。 圖2係例示實施形態之發光元件之製造方法中使用之晶圓之模式圖。 圖3係例示實施形態之發光元件之製造方法中使用之晶圓之模式圖。 圖4係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式圖。 圖5係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式俯視圖。 圖6係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式俯視圖。 圖7係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式俯視圖。 圖8係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式俯視圖。 圖9係例示關於發光元件之分離之實驗結果之曲線圖。

Claims (7)

  1. 一種發光元件之製造方法，其包括： 雷射光照射步驟，其係對包含具有第1面及第2面之基板及設置於上述第2面之半導體構造之晶圓之上述基板照射雷射光，於上述基板之內部形成複數個改質區域；及 分離步驟，其係於上述雷射光照射步驟之後使上述晶圓分離為複數個發光元件； 上述雷射光照射步驟包含： 第1照射步驟，其係使上述雷射光沿複數條第1線掃描，上述複數條第1線於與上述第1面平行之第1方向上延伸，且沿與上述第1面平行並與上述第1方向交叉之第2方向排列；及 第2照射步驟，其係使上述雷射光沿複數條第2線掃描，上述複數條第2線於上述第2方向上延伸，且沿上述第1方向排列； 上述複數條第1線之上述第2方向上之第1間距大於上述複數條第2線之上述第1方向上之第2間距， 於上述第1照射步驟中之沿著複數條第1線中之1條之上述雷射光之照射中，上述雷射光照射至沿上述第1方向之複數個第1位置，且沿上述第1方向之上述複數個第1位置之第1照射間距為2.0 μm以下，且 上述分離步驟包含： 第1分離步驟，其係沿上述複數條第2線使上述晶圓分離為複數個長條；及 第2分離步驟，其係於上述第1分離步驟之後沿上述複數條第1線使上述長條分離為上述複數個發光元件。
  2. 如請求項1之發光元件之製造方法，其中於上述第2照射步驟中之沿著複數條第2線中之1條之上述雷射光之照射中，上述雷射光照射至沿上述第2方向之複數個第2位置，且沿上述第2方向之上述複數個第2位置之第2照射間距為3.0 μm以上且3.5 μm以下。
  3. 如請求項1或2之發光元件之製造方法，其中上述第2間距為300 μm以下。
  4. 如請求項1或2之發光元件之製造方法，其中上述第1照射步驟及上述第2照射步驟中之上述雷射光之輸出為100 mW以上且150 mW以下。
  5. 如請求項1或2之發光元件之製造方法，其中於上述第1照射步驟之後實施上述第2照射步驟。
  6. 如請求項1或2之發光元件之製造方法，其中上述基板由藍寶石構成。
  7. 如請求項1或2之發光元件之製造方法，其中上述第1間距為1 mm以上。
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