TW201917806A - 整平裝置及整平一待整平物之方法 - Google Patents

Abstract

一種整平裝置包括一放置平台、一第一溫度控制器及一形變壓制器。該放置平台係用以承接一待整平物。該第一溫度控制器係用以控制該放置平台及該待整平物之溫度。該形變壓制器係位於該放置平台及該待整平物之上方，且提供至少一非接觸式的向下推力至該待整平物。

Description

整平裝置及整平一待整平物之方法

本發明係關於一種整平裝置及整平一待整平物之方法，特別係關於一種利用氣壓方式之整平裝置及整平方法。

因應市場需求的改變，電子產品除了被要求性能不斷提升外，在外觀上也被期望能朝向更輕薄短小發展。因此，在半導體製程中，半導體元件（例如晶圓，或包覆複數個晶粒之封裝材料）的厚度首當其衝必須被減薄，最終產品結構的體積才有可能再縮小。然而，該半導體元件本身已經是非常薄，舉例而言，其最大寬度與厚度之比值通常為300、400或500以上。因此，該半導體元件很容易產生較大的翹曲(warpage)，而不易夾持，且影響製程之準確性及最終產品的良率。更為甚者，當該半導體元件被減薄後，其最大寬度與厚度之比值可能會超過1000，因而導致更大的翹曲。因此，如何有效地減少該半導體元件的翹曲係為一重要的課題。

在一或多個實施例中，一種整平裝置包括一放置平台、一第一溫度控制器及一形變壓制器。該放置平台係用以承接一待整平物。該第一溫度控制器係用以控制該放置平台及該待整平物之溫度。該形變壓制器係位於該放置平台及該待整平物之上方，且提供至少一非接觸式的向下推力至該待整平物。 在一或多個實施例中，一種整平一待整平物之方法包括下列步驟：(a)提供一放置平台；(b)將該待整平物置放於該放置平台上；及(c)提供至少一非接觸式的向下推力至該待整平物。

在半導體領域中，晶片(die)的取得方式通常是將一整片晶圓(wafer)進行薄化處理後才切割成一片片獨立之薄化晶片，而在薄化晶圓過程中，有一道必須的晶背研磨製程(backside grinding proess)。為確保研磨過程中，晶圓均是平整的（使研磨過程中的各施力點一致，方不會造成晶圓破裂或厚薄不均），會先透過接合膠材將晶圓與一載體(carrier)進行接合（其中晶圓的正面(active surface)朝向載體；且載體可為矽基板、玻璃基板或不鏽鋼），然後才開始晶背的粗磨/細磨作業，直至將晶圓厚度減至所需求規格，才將載體從晶圓正面移除(de-carrier)以取得經薄化晶圓，接著切割成晶片。 一般而言，晶圓與載體接合的方式不外乎有以下兩種。第一種是在晶圓及載體中間設置一種具有加熱解黏效果的雙面膠來提供暫時黏著力，該雙面膠於常溫下可提供晶圓及載體之間的黏著力，待晶背研磨作業完成後，再藉由升溫加熱或紫外線照射來解除該雙面膠的黏性，即可順利將晶圓與載體分離，但後續的降溫過程時常造成晶圓翹曲變形。 第二種則是使用另一種中間膠材來提供晶圓及載體之間的結合力。此方式需要加熱至中間膠材的Tg點（以中間膠材TZNR-A4012為例，其Tg點約是220℃）來使中間膠材軟化以產生黏著力（後續的解黏則是使用該中間膠材專用的稀釋劑來除膠），但熱壓合後的降溫過程（研磨晶背是在常溫下進行），若未對晶圓施以一連續的整平力道，也將導致晶圓逐漸發生翹曲變形而無法確實與載體貼合，於後續在研磨時會有晶圓破裂的風險。 如上所述，無論是使用加熱解黏之雙面膠或加熱增黏的中間膠材來將晶圓與載體結合，在加熱膠體的同時，勢必會將晶圓一併加熱至高溫，只要晶圓歷經升降溫過程，便很可能發生翹曲變形，一般來說，尺寸（直徑）介於約200mm至約300mm的晶圓（厚度約150μm至約850μm），其翹曲程度（晶圓之最高點與最低點間之距離）常介於400μm至800μm之間不等。 下文所論述之整平裝置及整平一待整平物之方法係利用非接觸式的向下推力壓制該待整平物，以減少該待整平物翹曲及變形等問題。 圖1描繪根據本發明之一些實施例的整平裝置1之實例的局部立體示意圖，其中該整平裝置1係為打開之狀態。該整平裝置1包括一放置平台2及一形變壓制器（例如：一吹氣裝置5）。該放置平台2及該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）係大致上分別呈現扁平狀，且該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）之一端係樞接於該放置平台2之一端，使得該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）可相對於該放置平台2轉動。在一實施例中，該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）係平行該放置平台2，且藉由一移動裝置而靠近或遠離該放置平台2，亦即，該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）係可相對於該放置平台2升降。在一實施例中，該放置平台2及該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）係為金屬材質。在另一實施例中，該放置平台2及該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）可為陶瓷材料或塑膠材質。 圖2描繪根據本發明之一些實施例的整平裝置1之實例的剖視示意圖，其中該整平裝置1係為閉合之狀態，且該整平裝置1承載一待整平物3。該整平裝置1包括該放置平台2、該形變壓制器（例如：一吹氣裝置5）、一第一溫度控制器41、一第一氣體控制器42、一第二溫度控制器61、一第二氣體控制器62。 該放置平台2係大致上呈現一矩形盤狀，其用以承接一待整平物3。該放置平台2具有一第一表面21（承接表面）、一第二表面22、至少一吸附孔23、至少一第一氣體通道24及至少一第一進氣/排氣孔25。該第二表面22係相對該第一表面21。在一實施例中，該第二表面22係大致平行該第一表面21。該吸附孔23開口於該放置平台2之該第一表面21（該承接表面），用以吸住該待整平物3之一下表面32。該第一氣體通道24係為該放置平台2內部之氣體通道，可供氣體流動。該第一氣體通道24係與該至少一吸附孔23相連通。在一實施例中，該放置平台2具有複數個吸附孔23，且該等吸附孔23皆與該第一氣體通道24相連通。該第一進氣/排氣孔25開口於該放置平台2之該第二表面22，用以供氣體流動。該第一氣體通道24係與該至少第一進氣/排氣孔25相連通。 該第一氣體控制器42（例如：一空氣幫浦）連接至該第一進氣/排氣孔25，以連通該第一氣體通道24，用以對該第一氣體通道24內的氣體提供一抽氣力或是一吹氣力。因此，該第一氣體控制器42可將該吸附孔23上方之氣體經由該吸附孔23、該第一氣體通道24及該第一進氣/排氣孔25抽離或吸收至該第一氣體控制器42，使得該吸附孔23可以大致完全且同時吸住該待整平物3之該下表面32之整個表面（亦即，該待整平物3之該下表面32可以大致完全緊貼於該放置平台2之該第一表面21（該承接表面））。在一實施例中，該第一氣體控制器42可以抽真空，使得該吸附孔23可以提供真空吸力，以增加吸附效果。此外，該第一氣體控制器42可將氣體經由該第一進氣/排氣孔25、該第一氣體通道24及該吸附孔23吹至該吸附孔23上方，使得該待整平物3之該下表面32可以整面同時離開該放置平台2之該第一表面21（該承接表面），以避免該待整平物3之變形。 該第一溫度控制器41係用以控制該放置平台2之該第一表面21（該承接表面）之溫度，進而控制該待整平物3之溫度。如圖2所示，該第一溫度控制器係41係位於該放置平台2之外，且該第一溫度控制器41係導熱連接於該放置平台2。在另一實施例中，該第一溫度控制器係41係位於該放置平台2之內。在一實施例中，該第一溫度控制器41係包含一加熱器、一冷卻器及一溫度感測器（例如：一熱電偶（thermocouple））。在該整平裝置1之操作過程中，該第一溫度控制器41之該加熱器可對該待整平物3加熱至一較高溫度，例如：約220℃（其可由該溫度感測器所量測），使得該待整平物3略微軟化，以利整平作業及增加整平效果。可以理解的是，不同之待整平物3所需加熱的溫度會不同。當整平作業完成後，該第一溫度控制器41之該冷卻器可對該待整平物3冷卻至一較低溫度，例如：約70℃（其可由該溫度感測器所量測）或70℃以下，此時，該待整平物3應該不會再產生翹曲，因此可以將該待整平物3移出該整平裝置1讓其自行冷卻至室溫，之後再繼續後續的製程。然而，可以理解的是，該第一溫度控制器41可以不包含該冷卻器，亦即，讓該待整平物3從該較高溫度（例如：約220℃）自行冷卻至室溫。 該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）係大致上呈現一矩形盤狀，其係位於該放置平台2及該待整平物3之上方，且提供至少一非接觸式的向下推力至該待整平物3，以壓制該待整平物3之翹曲或變形。該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）具有一第一表面51、一第二表面52（吹氣表面）、至少一吹氣孔53、至少一第二氣體通道54及至少一第二進氣/排氣孔55。該第二表面52係相對該第一表面51。在一實施例中，該第二表面52係大致平行該第一表面51，且該第二表面52（吹氣表面）係面對且平行該放置平台2之該第一表面21（該承接表面）。該吹氣孔53開口於該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）之該第二表面52（吹氣表面），用以吹出該至少一氣體。特言之，該吹氣孔53係用以朝向該放置平台2之該第一表面21（該承接表面）吹出至少一氣體，且該氣體係吹至該待整平物3之一上表面31，以整平該待整平物3。換言之，在一實施例中，該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）所提供之該非接觸式的向下推力係為一吹氣力。在一實施例中，每一吹氣孔53之位置係對應每一吸附孔23之位置，亦即，每一吹氣孔53之位置係位於每一吸附孔23之正上方。 該第二氣體通道54係為該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）內部之氣體通道，可供氣體流動。該第二氣體通道54係與該至少一吹氣孔53相連通。在一實施例中，該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）具有複數個吹氣孔53，且該等吹氣孔53皆與該第二氣體通道54相連通。該第二進氣/排氣孔55開口於該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）之該第一表面51，用以供氣體流動。該第二氣體通道54係與該至少第二進氣/排氣孔55相連通。 該第二氣體控制器62（例如：一空氣幫浦）連接至該第二進氣/排氣孔55，以連通該第二氣體通道54，用以對該第二氣體通道54內的氣體提供一吹氣力。因此，該第二氣體控制器62可將氣體經由該第二進氣/排氣孔55、該第二氣體通道54及該吹氣孔53吹至該吹氣孔53下方。亦即，該第二氣體控制器62可提供一被加壓氣體至該第二氣體通道54及該吹氣孔53，而吹至該待整平物3之一上表面31，以壓制或整平該待整平物3。 該第二溫度控制器61係用以控制該吹氣孔53之氣體之溫度，使得從該吹氣孔53所吹出之氣體之溫度可以接近或大致等於該待整平物3之溫度。如圖2所示，該第二溫度控制器係61係位於該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）之外，且位於該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）與該第二氣體控制器62之間之通道上，用以控制該第二氣體控制器62吹至該第二進氣/排氣孔55之氣體之溫度。在另一實施例中，該第二溫度控制器係61係位於該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）之內，或是位於該第二氣體控制器62之內。在一實施例中，該第二溫度控制器61係包含一加熱器、一冷卻器及一溫度感測器（例如：一熱電偶（thermocouple））。在該整平裝置1之操作過程中，該第一溫度控制器41之該加熱器可對該待整平物3加熱至一較高溫度，例如：約220℃，使得該待整平物3略微軟化，以利整平作業及增加整平效果。此時，該第二溫度控制器61亦加熱該吹氣孔53之氣體至一較高溫度，例如：約220℃，使得從該吹氣孔53所吹出之氣體之溫度可以接近或大致等於該待整平物3之溫度。藉此，可以確保該待整平物3之第一表面31及第二表面32之溫度一致，避免兩側溫差所造成的損壞（damage）。具體來說，當該待整平物3仍處於高溫狀態時，若直接以一低溫氣體直接噴吹該待整平物3的第一表面31，將可能造成第一表面31結構發生嚴重收縮而發生翹曲，此時所施予的噴吹力若未加以控制將造成該待整平物3之表面破裂（crack）。 當整平作業完成後，該第一溫度控制器41之該冷卻器可對該待整平物3逐漸冷卻至一較低溫度，例如：約70℃或70℃以下。此過程中，該第二溫度控制器61亦控制該吹氣孔53之氣體逐漸降低至一較低溫度，例如：約70℃或70℃以下，使得從該吹氣孔53所吹出之氣體之溫度仍可以接近或大致等於該待整平物3之溫度。然而，可以理解的是，該第二溫度控制器61可以不包含該冷卻器。 在圖1及圖2所示之整平裝置1中，係以逐漸升溫降溫機制、下方吸附及上方持續施加整平力道（風力）於該待整平物3上，如此可大幅降低該待整平物3翹曲程度。風力整平相較於習知工具（tool）整平的好處在於，風力能提供更全面性的推力，而非如工具一開始僅會先接觸到該待整平物3向上翹起的區域，然後才逐漸接觸到其他區域。風力整平法不僅可提高該待整平物3的整平效率，也可因應不同厚度之待整平物3，調整適當的風力，能避免該待整平物3表面損傷。 圖3描繪根據圖1及圖2的整平裝置1之放置平台2的正視示意圖。該放置平台2具有複數個吸附孔23。每一吸附孔23之孔徑D₁ 係小於或等於2mm。該等吸附孔23由該放置平台2之該第一表面21（該承接表面）之一中心至該放置平台2之該第一表面21（該承接表面）之一外圍呈現放射狀分布。藉此，可針對該待整平物3提供全面性吸附力。在另一實施例中，該等吸附孔23係均勻分布於該第一表面21（該承接表面）上，例如：陣列分布排列。可以理解的是，該等吸附孔23的分布情形以及孔的形狀可以依實際需要所設計。 圖4描繪根據圖1及圖2的整平裝置1之該形變壓制器的正視示意圖。該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）具有複數個吹氣孔53。每一吹氣孔53之孔徑D₂ 係小於或等於2mm。可以理解的是，該吹氣孔53之孔徑D₂ 如果太大（例如：大於2mm），則所吹出之氣體容易逸散，而降低壓制效果。該等吹氣孔53由該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）之該第二表面52（吹氣表面）之一中心至該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）之該第二表面52（吹氣表面）之一外圍呈現放射狀分布。藉此，可針對該待整平物3提供全面性吹氣力。在另一實施例中，該等吹氣孔53係均勻分布於該第二表面52（吹氣表面）上，例如：陣列分布排列。可以理解的是，該等吹氣孔53的分布情形以及孔的形狀可以依實際需要所設計。 圖5描繪根據本發明之一些實施例的整平裝置1a之實例的剖視示意圖。此實施例之整平裝置1a類似於圖2中所說明之整平裝置1，其不同處如下所述。在該整平裝置1a中，該第一溫度控制器係41係位於該放置平台2之內，且該第二溫度控制器係61係位於該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）之內。此時，該第二氣體控制器62係直接連接至該第二進氣/排氣孔55。 圖6描繪根據本發明之一些實施例的放置平台2a的正視示意圖。圖7描繪圖6的放置平台2a的剖面示意圖。此實施例之放置平台2a類似於圖2及圖3中所說明之放置平台2，其不同處如下所述。在圖2及圖3之該放置平台2中，每一吸附孔23係為單一圓形孔洞。然而，在圖6及圖7之該放置平台2a中，該等吸附孔23a係為複數圈環狀吸附溝槽，且該等環狀吸附溝槽係為同心。每一環狀吸附溝槽係透過複數個（例如：8個）連通孔洞26與該第一氣體通道24相連通。 圖8描繪根據本發明之一些實施例的形變壓制器的正視示意圖。此實施例之形變壓制器（例如：該吹氣裝置5a）類似於圖2及圖4中所說明之形變壓制器（例如：該吹氣裝置5），其不同處如下所述。在圖2及圖4之該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）中，每一吹氣孔53係為單一圓形孔洞。然而，在圖8之該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5a）中，該等吹氣孔53a係為複數圈環狀吹氣溝槽，且該等環狀吹氣溝槽係為同心。每一環狀吹氣溝槽係透過複數個（例如：8個）連通孔洞56與該第二氣體通道54相連通。 圖9描繪根據本發明之一些實施例的放置平台2b的正視示意圖。此實施例之放置平台2b類似於圖6中所說明之放置平台2a，其不同處如下所述。在圖9之該放置平台2b中，該等吸附孔23b係為複數個吸附短槽，該等吸附短槽係不直接彼此連接。此外，每一吸附短槽係透過複數個（例如：8個）連通孔洞26與該第一氣體通道24相連通。 圖10描繪根據本發明之一些實施例的形變壓制器的正視示意圖。此實施例之形變壓制器（例如：該吹氣裝置5b）類似於圖8中所說明之形變壓制器（例如：該吹氣裝置5），其不同處如下所述。在圖10之該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5b）中，該等吹氣孔53b係為複數個吹氣短槽，該等吹氣短槽係不直接彼此連接。每一吹氣短槽係透過複數個（例如：8個）連通孔洞56與該第二氣體通道54相連通。 圖11描繪根據本發明之一些實施例的放置平台2c的正視示意圖。圖12描繪圖11的放置平台2c的剖面示意圖。此實施例之放置平台2c類似於圖2及圖3中所說明之放置平台2，其不同處如下所述。圖11及圖12之該放置平台2c更包括複數個梢孔（pin hole）27及複數個頂抵梢28。該等梢孔27係貫穿該放置平台2c，且位於該放置平台2c之外周圍。每一頂抵梢28係插設於每一梢孔27中。每一頂抵梢28係可在每一梢孔27中上下移動，以將該待整平物3頂離該放置平台2c之該第一表面21（該承接表面）。可以理解的是，該等梢孔27與頂抵梢28的分布情形以及其形狀可以依實際需要所設計。 圖13描繪根據本發明之一些實施例的待整平物3的局部剖面示意圖。該待整平物3具有一晶圓30（例如：矽晶圓）、一第一載體29及一黏膠層291。該晶圓30具有一主動面301、一背面302、複數個凸塊303及複數個銲料304。該背面302係相對於該主動面301。該等凸塊303係位於該主動面301上，且每一銲料304係位於每一凸塊303上。該晶圓30之主動面301係利用該黏膠層291黏附於該第一載體29。在一實施例中，該第一載體29之厚度係為約700μm，且該晶圓30之尺寸（直徑）為約200mm至約300mm。該晶圓30從該背面302經過一薄化製程後，該晶圓30（包含該等凸塊303及該等銲料304）之厚度減至約95μm。因此，該待整平物3整體厚度為約795μm，其翹曲程度為介於400μm至800μm之間，或甚至超過800μm。因此，該待整平物3需要被整平後才能繼續後續製程。在經過例如圖1及圖2所示之整平裝置1整平後，該待整平物3之翹曲程度可減至約20μm，或甚至更小。在整平過程中，該黏膠層291在加熱過程中會軟化，可增加整平效果。 圖14描繪根據本發明之一些實施例的待整平物3a的局部剖面示意圖。該待整平物3a具有一第二載體（例如：玻璃載體）33、一離型膜（release film）34、一黏性膜35、複數個電性元件（例如：晶粒）36及一封裝膠材（molding compound）37。該離型膜34係位於該第二載體33上。該黏性膜35係位於該離型膜34上。該等電性元件36係排列於該黏性膜35上。該封裝膠材37包覆該等電性元件36及該黏性膜35。在一實施例中，該第二載體33之厚度係為約700μm，其可為圓形或矩形，且其尺寸（直徑或最大寬度）為約200mm至約300mm。該離型膜34之厚度係為約40μm，該黏性膜35之厚度係為約40μm，且該等電性元件36之高度係為約200μm。該待整平物3a整體厚度為約980μm，其翹曲程度為介於400μm至800μm之間，或甚至超過800μm。由於該整平物3a需要經過一研磨該封裝膠材37之上表面371之製程，使得該等電性元件36之上表面361可以從該封裝膠材37之上表面371露出。然而，上述翹曲會影響該研磨製程。因此，該待整平物3a需要被整平後才能進行該研磨製程。在經過例如圖1及圖2所示之整平裝置1整平後，該待整平物3a之翹曲程度可減至約20μm，或甚至更小。在整平過程中，該離型膜34、該黏性膜及該封裝膠材37在加熱過程中會軟化，可增加整平效果。 圖15描繪根據本發明之一些實施例的待整平物3b的局部剖面示意圖。該待整平物3b與圖14之該待整平物3a大致相同，其不同處僅在於該第二載體33、該離型膜34及該黏性膜35被移除，亦即，圖15之該待整平物3b僅包括該等電性元件36及該封裝膠材37。且該等電性元件36之高度係為約200μm。該待整平物3a整體厚度為約200μm，其翹曲程度為介於400μm至800μm之間，或甚至超過800μm。圖15之該待整平物3b係由圖14之該整平物3a經過研磨製程後，再去除該第二載體33、該離型膜34及該黏性膜35所形成。圖15之該待整平物3b後續可以再進行例如形成電路層於該等電性元件36之上表面361及該封裝膠材37之上表面371上，然而，上述翹曲會影響該形成電路層之製程。因此，該待整平物3b需要被整平後才能進行該形成電路層之製程。在經過例如圖1及圖2所示之整平裝置1整平後，該待整平物3c之翹曲程度可減至約20μm，或甚至更小。在整平過程中，該封裝膠材37在加熱過程中會軟化，可增加整平效果。 可以理解的是，本發明之待整平物並不限於上述待整平物3（圖13）、待整平物3a（圖14）及待整平物3b（圖15），亦即，於其他製程下所造成的工件翹曲都可適用本發明之整平裝置1,1a來進行整平。換言之，本發明之整平裝置1,1a並非僅適用於整平在研磨前或研磨後所造成的工件翹曲，只要任何工件在製造過程中發生翹曲，皆可用本發明之整平裝置1,1a來進行整平。 圖16至圖19描繪根據本發明之一些實施例的整平一待整平物之方法。參看圖16，提供一放置平台2。該放置平台2係大致上呈現一矩形盤狀，其用以承接一待整平物3。該放置平台2具有一第一表面21（承接表面）、一第二表面22、至少一吸附孔23、至少一第一氣體通道24及至少一第一進氣/排氣孔25。該第二表面22係相對該第一表面21。在一實施例中，該第二表面22係大致平行該第一表面21。該吸附孔23開口於該放置平台2之該第一表面21（該承接表面），用以吸住該待整平物3之一下表面32。該第一氣體通道24係為該放置平台2內部之氣體通道，可供氣體流動。該第一氣體通道24係與該至少一吸附孔23相連通。在一實施例中，該放置平台2具有複數個吸附孔23，且該等吸附孔23皆與該第一氣體通道24相連通。該第一進氣/排氣孔25開口於該放置平台2之該第二表面22，用以供氣體流動。該第一氣體通道24係與該至少第一進氣/排氣孔25相連通。 在一實施例中，該放置平台2連接一第一氣體控制器42（例如：一空氣幫浦）及一第一溫度控制器41。該第一氣體控制器42係連接至該第一進氣/排氣孔25，以連通該第一氣體通道24，用以對該第一氣體通道24內的氣體提供一抽氣力或是一吹氣力。該第一溫度控制器41係用以控制該放置平台2之該第一表面21（該承接表面）之溫度，進而控制該待整平物3之溫度。如圖16所示，該第一溫度控制器係41係位於該放置平台2之外，且該第一溫度控制器41係導熱連接於該放置平台2。在一實施例中，該第一溫度控制器41係包含一加熱器、一冷卻器及一溫度感測器（例如：一熱電偶（thermocouple））。 接著，將該待整平物3置放於該放置平台2上。該待整平物3可以是例如圖13之待整平物3、如圖14之待整平物3a、如圖15之待整平物3b或其他形式之態樣。該待整平物3之翹曲係為笑臉翹曲，且翹曲程度W為400μm至800μm。可以理解的是，該待整平物3之翹曲也可以是哭臉翹曲，且翹曲程度W可以是小於400μm或大於800μm。 如果該待整平物3在放置於該放置平台2前本身已是處於高溫狀態，例如：約100℃、200℃或220℃，則該第一溫度控制器41之該加熱器可對該放置平台2預加熱至與該待整平物3相同之溫度，例如：約100℃、200℃或220℃。如果該待整平物3在放置於該放置平台2前係為室溫狀態，則不需此預熱步驟。 參看圖17，利用該放置平台2吸住該待整平物3之一下表面32。在一實施例中，係啟動該第一氣體控制器42，以將該吸附孔23上方與該待整平物3之該下表面32之間的氣體71經由該吸附孔23、該第一氣體通道24及該第一進氣/排氣孔25抽離或吸收至該第一氣體控制器42，使得該吸附孔23可以大致完全且同時吸住該待整平物3之該下表面32之整個表面（亦即，該待整平物3之該下表面32可以大致完全緊貼於該放置平台2之該第一表面21（該承接表面））。在一實施例中，該第一氣體控制器42可以抽真空，使得該吸附孔23可以提供真空吸力，以增加吸附效果。 在上述過程中，可以同時啟動該第一溫度控制器41之該加熱器，以對該放置平台2加熱，以將該待整平物3之溫度逐漸提高至一較高溫度，例如：約220℃（其可由該溫度感測器所量測），使得該待整平物3略微軟化，以利整平作業及增加整平效果。亦即，在本實施例中，係透過該放置平台2對該待整平物3進行加熱。可以理解的是，不同之待整平物3所需加熱的溫度會不同。 參看圖18，提供至少一非接觸式的向下推力至該待整平物3。在一實施例中，該非接觸式的向下推力係為一吹氣力，其係由一形變壓制器（例如：一吹氣裝置5）所提供，且施向該待整平物3之一上表面31。該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）係大致上呈現一矩形盤狀，其係位於該放置平台2及該待整平物3之上方，且用以壓制該待整平物3之翹曲或變形。該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）具有一第一表面51、一第二表面52（吹氣表面）、至少一吹氣孔53、至少一第二氣體通道54及至少一第二進氣/排氣孔55。該第二表面52係相對該第一表面51。在一實施例中，該第二表面52係大致平行該第一表面51，且該第二表面52（吹氣表面）係面對且平行該放置平台2之該第一表面21（該承接表面）。該吹氣孔53開口於該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）之該第二表面52（吹氣表面），用以吹出至少一氣體72。特言之，該吹氣孔53係用以朝向該放置平台2之該第一表面21（該承接表面）吹出該氣體72，且該氣體72係吹至該待整平物3之一上表面31，以整平該待整平物3。 該第二氣體通道54係為該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）內部之氣體通道，可供氣體流動。該第二氣體通道54係與該至少一吹氣孔53相連通。在一實施例中，該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）具有複數個吹氣孔53，且該等吹氣孔53皆與該第二氣體通道54相連通。該第二進氣/排氣孔55開口於該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）之該第一表面51，用以供氣體流動。該第二氣體通道54係與該至少第二進氣/排氣孔55相連通。 該形變壓制器（例如：一吹氣裝置5）連接一第二氣體控制器62（例如：一空氣幫浦）。該第二氣體控制器62連接至該第二進氣/排氣孔55，以連通該第二氣體通道54，用以對該第二氣體通道54內的氣體提供一吹氣力。因此，該第二氣體控制器62可將該氣體72經由該第二進氣/排氣孔55、該第二氣體通道54及該吹氣孔53吹至該吹氣孔53下方。亦即，該第二氣體控制器62可提供一被加壓氣體至該第二氣體通道54及該吹氣孔53，而吹至該待整平物3之一上表面31，以壓制或整平該待整平物3。 該形變壓制器（例如：一吹氣裝置5）更連接一第二溫度控制器61。該第二溫度控制器61係用以控制該吹氣孔53之氣體72之溫度，使得從該吹氣孔53所吹出之氣體72之溫度可以接近或大致等於該待整平物3之溫度。如圖18所示，該第二溫度控制器係61係位於該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）之外，且位於該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）與該第二氣體控制器62之間之通道上，用以控制該第二氣體控制器62吹至該第二進氣/排氣孔55之氣體之溫度。在一實施例中，該第二溫度控制器61係包含一加熱器、一冷卻器及一溫度感測器（例如：一熱電偶（thermocouple））。 在上述之操作過程中，該第一溫度控制器41之該加熱器可對該待整平物3加熱至一較高溫度，例如：約220℃，使得該待整平物3略微軟化，以利整平作業及增加整平效果。此時，該第二溫度控制器61亦加熱該吹氣孔53之氣體72至一較高溫度，例如：約220℃，使得從該吹氣孔53所吹出之氣體72之溫度可以接近或大致等於該待整平物3之溫度。藉此，可以確保該待整平物3之第一表面31及第二表面32之溫度一致，避免兩側溫差所造成的損壞（damage）。具體來說，當該待整平物3仍處於高溫狀態時，若直接以一低溫氣體直接噴吹該待整平物3的第一表面31，將可能造成第一表面31結構發生嚴重收縮而發生翹曲，此時所施予的噴吹力若未加以控制將造成該待整平物3之表面破裂（crack）。 在一實施例中，該待整平物3之厚度係為約150μm至850μm，且其尺寸（直徑或最大寬度）為約200mm至約300mm，則相關參數設定如下。首先，該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）與該待整平物3間之間距P係小於或等於5mm。如果該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）與該待整平物3間之間距P過大，例如：大於5mm，則該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5）所提供吹氣力可能會不足以整平該待整平物3。其次，每一吹氣孔53所提供之吹氣力係為1.5kg/cm² 至2.0kg/cm² 。如果該吹氣力過小（例如：小於1.5kg/cm² ），則無法有效抑制該待整平物3翹曲；如果該吹氣力過大（例如：大於2.0kg/cm² ），則容易造成該待整平物3表面損傷，或吹落該待整平物3表面上的元件。再者，所有該等吹氣孔53所提供之氣體72之總量為大於或等於300L/min。如果該氣體72之總量過小（例如：小於300L/min），則無法有效抑制該待整平物3翹曲。 接著，當整平作業完成後，該第一溫度控制器41之該冷卻器可透過該放置平台2對該待整平物3進行冷卻至一較低溫度，例如：約70℃（其可由該溫度感測器所量測）或70℃以下，此過程中，該第二溫度控制器61亦控制該吹氣孔53之氣體72逐漸降低至一較低溫度，例如：約70℃或70℃以下，使得從該吹氣孔53所吹出之氣體72之溫度仍可以接近或大致等於該待整平物3之溫度。 此時，該待整平物3應該不會再產生翹曲，因此可以將該待整平物3移出該放置平台2讓其自行冷卻至室溫，之後再繼續後續的製程。然而，可以理解的是，該第一溫度控制器41及該第二溫度控制器61可以不包含該冷卻器，亦即，可以讓該待整平物3從該較高溫度（例如：約220℃）自行冷卻至室溫。 參看圖19，移開該形變壓制器（例如：該吹氣裝置5），且接著啟動該第一氣體控制器42，以將氣體73經由該第一進氣/排氣孔25、該第一氣體通道24及該吸附孔23吹至該吸附孔23上方，使得該待整平物3之該下表面32可以整面同時離開該放置平台2之該第一表面21（該承接表面），以避免該待整平物3之變形。在圖11及圖12所示之該放置平台2c之實施例中，該頂抵梢28可以協助將該待整平物3頂離該放置平台2c之該第一表面21（該承接表面）。 除非另外規定，否則諸如「上方」、「下方」、「向上」、「左邊」、「右邊」、「向下」、「頂部」、「底部」、「垂直」、「水平」、「側」、「較高」、「下部」、「上部」、「上方」、「下面」等空間描述係關於圖中所展示之定向加以指示。應理解，本文中所使用之空間描述僅出於說明之目的，且本文中所描述之結構之實際實施可以任何定向或方式在空間上配置，其限制條件為本發明之實施例之優點不因此配置而有偏差。 如本文中所使用，術語「大致」、「實質上」、「實質的」及「約」用以描述及考慮小變化。當與事件或情形結合使用時，術語可指事件或情形明確發生之情況以及事件或情形極近似於發生之情況。舉例而言，當結合數值使用時，該等術語可指小於或等於彼數值之±10%的變化範圍，諸如小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%、或小於或等於±0.05%。舉例而言，若兩個數值之間的差小於或等於該等值之平均值的±10% (諸如，小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%、或小於或等於±0.05%)，則可認為兩個數值「實質上」相同。術語「實質上共面」可指沿著同一平面處於若干微米(μm)內(諸如，沿著同一平面處於40 μm內、30 μm內、20 μm內、10 μm內或1 μm內)之兩個表面。 另外，有時在本文中按範圍格式呈現量、比率及其他數值。應理解，此類範圍格式係為便利及簡潔起見而使用，且應靈活地理解為不僅包括明確指定為範圍限制之數值，且亦包括涵蓋於彼範圍內之所有個別數值或子範圍，如同明確指定每一數值及子範圍一般。 在對一些實施例之描述中，提供「在」另一組件「上」之一組件可涵蓋前一組件直接在後一組件上(例如，與後一組件實體接觸)的狀況以及一或多個介入組件位於前一組件與後一組件之間的狀況。 儘管已參看本發明之特定實施例描述並說明本發明，但此等描述及說明並不限制本發明。熟習此項技術者應理解，在不脫離如由所附申請專利範圍所界定之本發明之真實精神及範疇的情況下，可作出各種改變且可替代等效物。說明可不必按比例繪製。歸因於製造程序及容限，本發明中之藝術再現與實際設備之間可存在區別。可存在並未明確說明的本發明之其他實施例。應將本說明書及圖式視為說明性而非限制性的。可作出修改，以使特定情形、材料、物質組成、方法或製程適應於本發明之目標、精神及範疇。所有此類修改均意欲處於此處所附之申請專利範圍的範疇內。儘管已參看按特定次序執行之特定操作描述本文中所揭示的方法，但應理解，在不脫離本發明之教示的情況下，可組合、再細分，或重新定序此等操作以形成等效方法。因此，除非本文中明確指示，否則操作的次序及分組並非本發明之限制。

D₁‧‧‧吸附孔之孔徑

D₂‧‧‧吹氣孔之孔徑

W‧‧‧翹曲程度

P‧‧‧間距

1‧‧‧整平裝置

1a‧‧‧整平裝置

2‧‧‧放置平台

2a‧‧‧放置平台

2b‧‧‧放置平台

2c‧‧‧放置平台

3‧‧‧待整平物

3a‧‧‧待整平物

3b‧‧‧待整平物

5‧‧‧吹氣裝置

5b‧‧‧吹氣裝置

21‧‧‧放置平台之第一表面

22‧‧‧放置平台之第二表面

23‧‧‧吸附孔

23a‧‧‧吸附孔

23b‧‧‧吸附孔

24‧‧‧第一氣體通道

25‧‧‧第一進氣/排氣孔

26‧‧‧連通孔洞

27‧‧‧梢孔

28‧‧‧頂抵梢

30‧‧‧晶圓

29‧‧‧第一載體

31‧‧‧待整平物之上表面

32‧‧‧待整平物之下表面

33‧‧‧第二載體

34‧‧‧離型膜

35‧‧‧黏性膜

36‧‧‧電性元件

37‧‧‧封裝膠材

41‧‧‧第一溫度控制器

42‧‧‧第一氣體控制器

51‧‧‧形變壓制器之第一表面

52‧‧‧形變壓制器之第二表面

53‧‧‧吹氣孔

53a‧‧‧吹氣孔

53b‧‧‧吹氣孔

54‧‧‧第二氣體通道

55‧‧‧第二進氣/排氣孔

56‧‧‧連通孔洞

61‧‧‧第二溫度控制器

62‧‧‧第二氣體控制器

71‧‧‧氣體

72‧‧‧氣體

73‧‧‧氣體

291‧‧‧黏膠層

301‧‧‧晶圓之主動面

302‧‧‧晶圓之背面

303‧‧‧凸塊

304‧‧‧銲料

361‧‧‧電性元件之上表面

371‧‧‧封裝膠材之上表面

圖1描繪根據本發明之一些實施例的整平裝置之實例的局部立體示意圖，其中該整平裝置係為打開之狀態。 圖2描繪根據本發明之一些實施例的整平裝置之實例的剖視示意圖，其中該整平裝置係為閉合之狀態，且該整平裝置承載一待整平物。 圖3描繪根據圖1及圖2的整平裝置之放置平台的正視示意圖。 圖4描繪根據圖1及圖2的整平裝置之形變壓制器的正視示意圖。 圖5描繪根據本發明之一些實施例的整平裝置之實例的剖視示意圖。 圖6描繪根據本發明之一些實施例的放置平台的正視示意圖。 圖7描繪圖6的放置平台的剖面示意圖。 圖8描繪根據本發明之一些實施例的形變壓制器的正視示意圖。 圖9描繪根據本發明之一些實施例的放置平台的正視示意圖。 圖10描繪根據本發明之一些實施例的形變壓制器的正視示意圖。 圖11描繪根據本發明之一些實施例的放置平台的正視示意圖。 圖12描繪圖11的放置平台的剖面示意圖。 圖13描繪根據本發明之一些實施例的待整平物的局部剖面示意圖。 圖14描繪根據本發明之一些實施例的待整平物的局部剖面示意圖。 圖15描繪根據本發明之一些實施例的待整平物的局部剖面示意圖。 圖16至圖19描繪根據本發明之一些實施例的整平一待整平物之方法。

Claims (26)

1. 一種整平裝置，包括： 一放置平台，用以承接一待整平物； 一第一溫度控制器，用以控制該放置平台及該待整平物之溫度；及 一形變壓制器，位於該放置平台及該待整平物之上方，且提供至少一非接觸式的向下推力至該待整平物。
2. 如申請專利範圍第1項所述之整平裝置，其中該放置平台具有至少一吸附孔，以吸住該待整平物。
3. 如申請專利範圍第2項所述之整平裝置，其中該放置平台更具有至少一第一氣體通道，該至少一第一氣體通道係與該至少一吸附孔相連通。
4. 如申請專利範圍第3項所述之整平裝置，更包括一第一氣體控制器，連通該第一氣體通道，用以對該第一氣體通道內的氣體提供一抽氣力或是一吹氣力。
5. 如申請專利範圍第4項所述之整平裝置，其中該第一氣體控制器係為一空氣幫浦。
6. 如申請專利範圍第1項所述之整平裝置，其中該形變壓制器具有至少一吹氣孔，該非接觸式的向下推力係為一吹氣力。
7. 如申請專利範圍第6項所述之整平裝置，其中該形變壓制器更具有至少一第二氣體通道，該至少一第二氣體通道係與該至少一吹氣孔相連通。
8. 如申請專利範圍第7項所述之整平裝置，更包括一第二氣體控制器，連通該第二氣體通道，用以提供一被加壓氣體至該第二氣體通道。
9. 如申請專利範圍第8項所述之整平裝置，其中該第二氣體控制器係為一空氣幫浦。
10. 如申請專利範圍第6項所述之整平裝置，更包括一第二溫度控制器，用以控制該吹氣孔之氣體之溫度。
11. 如申請專利範圍第6項所述之整平裝置，其中該形變壓制器具有複數個吹氣孔，該等吹氣孔係開口於該形變壓制器之一表面，且由該形變壓制器之一中心至該形變壓制器之一外圍呈現放射狀分布。
12. 如申請專利範圍第6項所述之整平裝置，其中該吹氣孔之孔徑係小於或等於2mm。
13. 如申請專利範圍第6項所述之整平裝置，其中該形變壓制器具有複數個吹氣孔，該放置平台具有複數個吸附孔，每一吹氣孔之位置係對應每一吸附孔之位置。
14. 如申請專利範圍第1項所述之整平裝置，其中該形變壓制器係可相對於該放置平台升降。
15. 一種整平一待整平物之方法，包括下列步驟： (a)提供一放置平台； (b)將該待整平物置放於該放置平台上；及 (c)提供至少一非接觸式的向下推力至該待整平物。
16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該步驟(a)更包括一預熱該放置平台之步驟。
17. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該步驟(b)之後更包括一透過該放置平台對該待整平物進行加熱之步驟。
18. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該步驟(b)中，其中該放置平台係吸住該待整平物之一下表面。
19. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該步驟(c)中，該非接觸式的向下推力係為一吹氣力，其施向該待整平物之一上表面。
20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中形成該吹氣力之氣體之溫度係大致等於該待整平物之溫度。
21. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該步驟(c)中，該非接觸式的向下推力係由一形變壓制器所提供，且該形變壓制器與該待整平物間之間距係小於或等於5mm。
22. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中該形變壓制器具有複數個吹氣孔，該等吹氣孔係開口於該形變壓制器之一表面，以提供複數個吹氣力。
23. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中該吹氣孔所提供之吹氣力係為1.5kg/cm² 至2.0kg/cm² 。
24. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中該等吹氣孔所提供之氣體之總量為大於或等於300L/min。
25. 如申請專利範圍第15項所述之方法，更包括： (d)透過該放置平台對該待整平物進行冷卻。
26. 如申請專利範圍第25項所述之方法，其中該步驟(d)係透過該放置平台對該待整平物冷卻至70℃以下。