TWI598981B - 晶粒承載片整平設備 - Google Patents

Description

晶粒承載片整平設備

本發明相關於一種整平設備，特別是相關於一種可在整平狀態下移動晶粒承載片的晶粒承載片整平設備。

半導體晶圓通常由矽或複數元素之化合物形成之單結晶材料所構成，廣泛應用於製造電子零件材料。半導體晶圓的製造方式，首先將熔融的材料拉成單晶的圓柱狀之鑄塊，再切片成基板狀，並進行研磨以得到希望的厚度。

然而，隨著半導體產業的技術發展，為求更好的效能、更小的產品體積，半導體晶圓的厚度通常被限制在毫米的等級。這樣薄的厚度，致使晶圓容易發生翹曲，嚴重影響到後續加工以及檢測的精準度。雖然有些方式可以暫時整平晶圓，例如利用具有真空吸力的裝置吸附晶圓的背面以使晶圓暫時被拉平，但一旦晶圓離開該裝置，晶圓又會回復到翹曲的狀態。因此此種方式只能在一個固定的位置使晶圓暫時被整平，並沒有辦法讓晶圓保持整平地在各個加工、量測設備之間移動。而加工設備對翹曲的晶圓執行加工就會出現誤差、降低良率，量測設備也難以對翹曲的晶圓直接進行檢測。

因此，為解決上述問題，本發明的目的即在提供一種可在整平狀態下移動晶粒承載片的晶粒承載片整平設備。

本發明為解決習知技術之問題所採用之技術手段係提供一種晶粒承載片整平設備，包含：一背面整平裝置，係藉由附接至一待整平的晶粒承載片之背面而將該晶粒承載片保持在一整平狀態；一正面吸附裝置，包括一吸持座及複數個真空吸件，該吸持座具有面向該晶粒承載片之正面的一晶粒承載片吸持面，該複數個真空吸件以一預設的設置位置設置於該晶粒承載片吸持面，而該複數個真空吸件在該晶粒承載片吸持面對應於該晶粒承載片之正面的狀態下為各別對應於在該晶粒承載片之正面形成的一切割槽道；以及一移動裝置，連接於該正面吸附裝置而得以移動該正面吸附裝置；以及一控制裝置，訊號連接於該背面整平裝置、該移動裝置及該正面吸附裝置，其中，該控制裝置經設置而：在該晶粒承載片藉由該背面整平裝置保持在該整平狀態的情況下，使該正面吸附裝置以該複數個真空吸件吸附該晶粒承載片之正面的該切割槽道，並透過控制該背面整平裝置，而在該正面吸附裝置以該複數個真空吸件吸附該晶粒承載片之正面的該切割槽道之後使該背面整平裝置脫離與該晶粒承載片的附接，使該正面吸附裝置為持取在該整平狀態下的該晶粒承載片，以及在該正面吸附裝置持取在該整平狀態下的該晶粒承載片的情況下，使該移動裝置移動該正面吸附裝置，而移送在該整平狀態下的該晶粒承載片。

在本發明的一實施例中係提供一種晶粒承載片整平設備，該背面整平裝置包括一整平承台及複數個真空觸件，該複數個真空觸件貫穿設置於該整平承台。

在本發明的一實施例中係提供一種晶粒承載片整平設備，該背面整平裝置更包括一移動載座，連接於該整平承台，而帶動該整平承台在一校準平面上調整位置。

在本發明的一實施例中係提供一種晶粒承載片整平設備，該背面整平裝置更包括一校準用影像擷取構件，訊號連接該整平承台，該校準用影像擷取構件用以拍攝一校準影像供該整平承台調整位置。

在本發明的一實施例中係提供一種晶粒承載片整平設備，該吸持座係呈圓盤狀而形狀對應一晶圓。

在本發明的一實施例中係提供一種晶粒承載片整平設備，該複數個真空吸件的該預設的設置位置為在該晶粒承載片吸持面對應於該晶粒承載片之正面的狀態下為各別對應於在該晶粒承載片之正面形成的切割槽道的交會點。

在本發明的一實施例中係提供一種晶粒承載片整平設備，更包括一晶粒承載片檢測影像擷取裝置，係訊號連接該控制裝置，該晶粒承載片檢測影像擷取裝置係於該晶粒承載片的正面而檢測該整平狀態下的該晶粒承載片。

經由本發明所採用之技術手段，可在晶粒承載片保持整平狀態下送往各個加工、量測設備，使加工、量測更容易、省時，因而增加生產良率、降低生產成本。

本發明所採用的具體實施例，將藉由以下之實施例及附呈圖式作進一步之說明。

以下根據第1圖至第7圖，而說明本發明的實施方式。該說明並非為限制本發明的實施方式，而為本發明之實施例的一種。

如第1圖所示，本發明之一實施例之晶粒承載片整平設備100，包括一背面整平裝置1、一正面吸附裝置2、一移動裝置3及一控制裝置4。

背面整平裝置1係藉由附接至一待整平的晶粒承載片W之背面而將晶粒承載片W保持在一整平狀態。晶粒承載片W可以是一片尚未切割的晶圓，或者是扇出製程中的薄片狀的晶粒承載體（複數個晶粒黏合於一基板），且本發明不限於此。在本實施例中，背面整平裝置1是一種運用真空吸力以整平晶粒承載片W的裝置，包括一整平承台11及複數個真空觸件12，複數個真空觸件12貫穿設置於整平承台11，而可自整平承台11的表面凸伸。詳細來說，如第3圖及第4圖所示，複數個真空觸件12自整平承台11的表面凸伸，以使各個真空觸件12碰觸到待整平的晶粒承載片W的背面。由於晶粒承載片W可能翹曲的緣故，複數個真空觸件12凸伸的長度也不同。這些真空觸件12同時具有觸碰探測以及真空吸嘴的功能。當真空觸件12都碰觸到晶粒承載片W的背面，則利用真空的吸力將晶粒承載片W向下拉平，以使原本翹曲的晶粒承載片W被整平在一個平面上。然而本發明不限於此，亦可以利用其他整平方式或不同的機構將晶粒承載片W整平。

如第1圖及第2圖所示，正面吸附裝置2包括一吸持座21及複數個真空吸件22。吸持座21具有面向晶粒承載片W之正面的一晶粒承載片吸持面F，複數個真空吸件22以一預設的設置位置設置於晶粒承載片吸持面F，而複數個真空吸件22在晶粒承載片吸持面F對應於晶粒承載片W之正面的狀態下為各別對應於在晶粒承載片W之正面形成的一切割槽道C（繪於第5圖）。在本實施例中，吸持座21係呈圓盤狀而形狀對應一晶圓，可視產品的不同而形狀對應例如8吋晶圓、12吋晶圓，然而本發明不限於此，吸持座21可形狀對應一方形基板而呈方形。在本實施例中，複數個真空吸件22的該預設的設置位置為在晶粒承載片吸持面F對應於晶粒承載片W之正面的狀態下為各別對應於在晶粒承載片W之正面形成的切割槽道C的交會點，然而本發明不限於此。

移動裝置3連接於正面吸附裝置2而得以移動正面吸附裝置2。在本實施例中，如第1圖所示，移動裝置3可在水平方向上（上端雙箭頭所示）移動正面吸附裝置2。且本發明不限於此，亦可以在水平平面上或垂直方向上（Z軸）移動正面吸附裝置2。

控制裝置4訊號連接於背面整平裝置1、移動裝置3及正面吸附裝置2。如第5圖所示，控制裝置4經設置而在晶粒承載片W藉由背面整平裝置1保持在整平狀態的情況下，使正面吸附裝置2以複數個真空吸件22吸附晶粒承載片W之正面的切割槽道C，並如第6圖所示，透過控制背面整平裝置1，而在正面吸附裝置2以複數個真空吸件22吸附晶粒承載片W之正面的切割槽道C之後使背面整平裝置1脫離與晶粒承載片W的附接，使正面吸附裝置2為持取在整平狀態下的晶粒承載片W。並且，如第7圖所示，控制裝置4經設置而在正面吸附裝置2持取在整平狀態下的晶粒承載片W的情況下，使移動裝置3（繪於第1圖）移動正面吸附裝置2，而移送在整平狀態下的晶粒承載片W。

由於正面吸附裝置2以複數個真空吸件22吸附晶粒承載片W之正面的切割槽道C，因此可在不碰傷晶粒承載片W之正面的晶粒的情況下移送晶粒承載片W。

進一步地，如第1圖所示，在本實施例中，背面整平裝置1更包括一移動載座13，連接於整平承台11，而帶動整平承台11在一校準平面上調整位置。

進一步地，在本實施例中，背面整平裝置1更包括一校準用影像擷取構件，訊號連接整平承台11。校準用影像擷取構件用以拍攝一校準影像供整平承台11調整位置。

進一步地，在本實施例中，晶粒承載片整平設備100更包括一晶粒承載片檢測影像擷取裝置，係訊號連接控制裝置4，該晶粒承載片檢測影像擷取裝置係於晶粒承載片W的正面而檢測整平狀態下的晶粒承載片W。

綜上所述，本發明的晶粒承載片整平設備100不僅可自晶粒承載片W的背面整平晶粒承載片W，並且能在晶粒承載片W保持整平狀態下送往各個加工、量測設備，使加工、量測更容易、省時，因而增加生產良率、降低生產成本。

以上之敘述以及說明僅為本發明之較佳實施例之說明，對於此項技術具有通常知識者當可依據以下所界定申請專利範圍以及上述之說明而作其他之修改，惟此些修改仍應是為本發明之發明精神而在本發明之權利範圍中。

100‧‧‧晶粒承載片整平設備

1‧‧‧晶粒承載片背面整平裝置

11‧‧‧整平承台

12‧‧‧真空觸件

13‧‧‧移動載座

2‧‧‧晶粒承載片正面吸附裝置

21‧‧‧吸持座

22‧‧‧真空吸件

3‧‧‧移動裝置

4‧‧‧控制裝置

C‧‧‧切割槽道

F‧‧‧晶粒承載片吸持面

W‧‧‧晶粒承載片

第1圖為顯示根據本發明一實施例的晶粒承載片整平設備之示意圖。 第2圖為顯示根據本發明的實施例的晶粒承載片正面吸附裝置之示意圖。 第3圖至第4圖為顯示背面整平裝置整平一晶粒承載片之示意圖。 第5圖至第6圖為顯示正面吸附裝置持取在整平狀態下的晶粒承載片之示意圖。 第7圖為顯示移送在整平狀態下的晶粒承載片之示意圖。

100‧‧‧晶粒承載片整平設備

1‧‧‧背面整平裝置

11‧‧‧整平承台

12‧‧‧真空觸件

13‧‧‧移動載座

2‧‧‧正面吸附裝置

21‧‧‧吸持座

22‧‧‧真空吸件

3‧‧‧移動裝置

4‧‧‧控制裝置

Claims (7)

1. 一種晶粒承載片整平設備，包含： 一背面整平裝置，係藉由附接至一待整平的晶粒承載片之背面而將該晶粒承載片保持在一整平狀態； 一正面吸附裝置，包括一吸持座及複數個真空吸件，該吸持座具有面向該晶粒承載片之正面的一晶粒承載片吸持面，該複數個真空吸件以一預設的設置位置設置於該晶粒承載片吸持面，而該複數個真空吸件在該晶粒承載片吸持面對應於該晶粒承載片之正面的狀態下為各別對應於在該晶粒承載片之正面形成的一切割槽道；以及 一移動裝置，連接於該正面吸附裝置而得以移動該正面吸附裝置；以及 一控制裝置，訊號連接於該背面整平裝置、該移動裝置及該正面吸附裝置， 其中，該控制裝置經設置而： 在該晶粒承載片藉由該背面整平裝置保持在該整平狀態的情況下，使該正面吸附裝置以該複數個真空吸件吸附該晶粒承載片之正面的該切割槽道，並透過控制該背面整平裝置，而在該正面吸附裝置以該複數個真空吸件吸附該晶粒承載片之正面的該切割槽道之後使該背面整平裝置脫離與該晶粒承載片的附接，使該正面吸附裝置為持取在該整平狀態下的該晶粒承載片，以及 在該正面吸附裝置持取在該整平狀態下的該晶粒承載片的情況下，使該移動裝置移動該正面吸附裝置，而移送在該整平狀態下的該晶粒承載片。
2. 如請求項1所述之晶粒承載片整平設備，其中該背面整平裝置包括一整平承台及複數個真空觸件，該複數個真空觸件貫穿設置於該整平承台。
3. 如請求項2所述之晶粒承載片整平設備，其中該背面整平裝置更包括一移動載座，連接於該整平承台，而帶動該整平承台在一校準平面上調整位置。
4. 如請求項3所述之晶粒承載片整平設備，其中該背面整平裝置更包括一校準用影像擷取構件，訊號連接該整平承台，該校準用影像擷取構件用以拍攝一校準影像供該整平承台調整位置。
5. 如請求項1所述之晶粒承載片整平設備，其中該吸持座係呈圓盤狀而形狀對應一晶圓。
6. 如請求項1所述之晶粒承載片整平設備，其中該複數個真空吸件的該預設的設置位置為在該晶粒承載片吸持面對應於該晶粒承載片之正面的狀態下為各別對應於在該晶粒承載片之正面形成的切割槽道的交會點。
7. 如請求項1所述之晶粒承載片整平設備，更包括一晶粒承載片檢測影像擷取裝置，係訊號連接該控制裝置，該晶粒承載片檢測影像擷取裝置係於該晶粒承載片的正面而檢測該整平狀態下的該晶粒承載片。