TW201912414A - 樹脂薄片及半導體裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題，是提供一種不容易產生剝離帶電之樹脂薄片。 本發明之解決手段，是提供一種樹脂薄片1，其是在採用面板級封裝之半導體裝置的製造中，使用於電子零件的密封或絕緣膜的形成之樹脂薄片1，樹脂薄片1是具備第1支撐薄片11、及積層在第1支撐薄片11的一面之樹脂組成物層10，第1支撐薄片11是具有帶電防止性，以剝離速度10m/分鐘將第1支撐薄片11從樹脂組成物層10剝離時，第1支撐薄片11的剝離帶電壓的絕對値為小於200V。

Description

樹脂薄片及半導體裝置
本發明，是有關於一種樹脂薄片及使用該樹脂薄片而製成之半導體裝置。
近年來，半導體封裝的小型･薄型化之要求非常地提高。為了滿足此種要求，有提案揭示扇出型半導體封裝。作為扇出型半導體封裝的製造方法，採用300~700mm左右的方型基板尺寸所製造之面板級扇出封裝技術(FOPLP)是受到關注。
在FOPLP的半導體裝置的製造方法，是例如對設置在支撐體上之電子零件，積層形成薄片狀的樹脂組成物層之後，藉由樹脂組成物層的加壓而將電子零件埋入樹脂組成物層。隨後，藉由使該樹脂組成物層硬化而將電子零件密封，隨後，形成再配線層。
作為具備如上述的樹脂組成物層之樹脂薄片，通常為了提升其加工時和搬運時之操作性，有使用具有將支撐薄片積層在樹脂組成物層的構成之樹脂薄片之情形。 先前技術文獻 專利文獻
[專利文獻1] 日本特開2015-126133號公報
發明欲解決之課題
將支撐薄片從上述樹脂薄片剝離時，有產生靜電且樹脂組成物層及支撐薄片產生帶電(以下有稱為「剝離帶電」之情形)之情形。通常，在半導體裝置的製造方法，雖然所使用的設備是有施行帶電防止對策之情形，但是只有此種帶電防止對策，無法充分地抑制上述剝離帶電。
此種剝離帶電的產生，因為在如前述FOPLP般的使用大面積的樹脂薄片製造半導體裝置時變為顯著，所以起因於樹脂薄片之剝離帶電，致使異物混入所得到的半導體裝置之情況，有可能成為非常重大的問題。
本發明是鑒於此種實際情況而進行，其目的是提供一種不容易產生剝離帶電之樹脂薄片。又，本發明是提供一種使用此種樹脂薄片之具有良好品質的半導體裝置。 用以解決課題之手段
為了達成上述目的，本發明第1是提供一種樹脂薄片，其是在採用面板級封裝之半導體裝置的製造中，使用於電子零件的密封或絕緣膜的形成之樹脂薄片，其特徵在於：前述樹脂薄片是具備第1支撐薄片、及積層在前述第1支撐薄片的一面之樹脂組成物層，前述第1支撐薄片是具有帶電防止性，以剝離速度10m/分鐘將前述第1支撐薄片從前述樹脂組成物層11剝離時，前述第1支撐薄片的剝離帶電壓的絕對値為小於200V。(發明1)。
在上述發明(發明1)之樹脂薄片，是藉由第1支撐薄片具有帶電防止性，同時第1支撐薄片的剝離帶電壓的絕對値為上述範圍，在將第1支撐薄片從樹脂薄片剝離時，樹脂組成物層不容易產生剝離帶電，而且藉此能夠防止異物附著在樹脂組成物層，其結果，能夠製造良好品質的半導體裝置。
在上述發明(發明1)，其中前述樹脂組成物層表面的表面電阻率，以1.0×1012 Ω/sq以上為佳(發明2)。
在上述發明(發明1、2)，其中前述第1支撐薄片以具備含帶電防止劑的帶電防止層為佳(發明3)。
在上述發明(發明1~3)，其中前述第1支撐薄片，以具備含帶電防止劑的支撐基材為佳(發明4)。
在上述發明(發明1~4)，其中前述第1支撐薄片，以具備含帶電防止劑的剝離劑層為佳(發明5)。
在上述發明(發明1~4)，其中前述第1支撐薄片，以具備含帶電防止劑的黏著劑層為佳(發明6)。
在上述發明(發明1~6)，其中前述第1支撐薄片的表面電阻率，以1×1011 Ω/sq以下為佳(發明7)。
在上述發明(發明1~7)，其中前述樹脂組成物層，以由含有熱硬化性樹脂之樹脂組成物所形成之物為佳(發明8)。
在上述發明(發明1~8)，其中前述樹脂薄片，以具備積層在前述樹脂組成物層之與前述第1支撐薄片為相反側的面之第2支撐薄片為佳(發明9)。
本發明第2提供一種半導體裝置，其特徵在於：具備使上述樹脂薄片(發明1~9)之樹脂組成物層硬化而成之硬化層(發明10)。 發明效果
本發明的樹脂薄片，是將第1支撐薄片從樹脂薄片剝離時，在樹脂組成物層不容易產生剝離帶電，藉此能夠防止異物附著在樹脂組成物層。又，使用本發明的此種樹脂薄片，能夠製造具有良好品質之半導體裝置。
用以實施發明之形態
以下，說明本發明的實施形態。 [樹脂薄片] 第1圖是顯示在本實施形態之樹脂薄片1的剖面圖。如第1圖顯示，本實施形態之樹脂薄片1具備第1支撐薄片11、及積層在第1支撐薄片11的一面之樹脂組成物層10。第1支撐薄片11具有帶電防止性。而且，以剝離速度10m/分鐘將第1支撐薄片11從樹脂組成物層10剝離時，第1支撐薄片11的剝離帶電壓的絕對值為小於200V。
又，本實施形態之樹脂薄片1如第1圖顯示，以具備積層在樹脂組成物層10之與第1支撐薄片11為相反側的面之第2支撐薄片12為佳。
1.樹脂組成物層 在本實施形態之樹脂組成物層10，具有硬化性之物，能夠藉由使樹脂組成物層10硬化而形成硬化層。樹脂組成物層10以由含有熱硬化性樹脂之樹脂組成物所形成之物為佳。
(1)熱硬化性樹脂 作為上述熱硬化性樹脂，沒有特別限定，例如可舉出環氧樹脂、酚樹脂、萘酚系樹脂、活性酯系樹脂、苯并㗁系樹脂、氰酸酯系樹脂等，該等能夠單獨1種或組合2種以上而使用。
上述環氧樹脂，能夠使用習知的各種環氧樹脂，具體而言能夠舉出雙酚A、雙酚F、間苯二酚、苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等酚類的環氧丙基醚；丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等醇類的環氧丙基醚；鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸等羧酸的環氧丙基醚；使用環氧丙基取代鍵結在苯胺異三聚氰酸酯等的氮原子之活性氫而成之環氧丙基型或烷基環氧丙基型環氧樹脂；如乙烯基環己烷二環氧化物、3,4-環氧環己基甲基-3,4-二環己烷羧酸酯、2-(3,4-環氧)環己基-5,5-螺(3,4-環氧)環己烷-間二㗁烷等、藉由將分子內的碳-碳雙鍵例如進行氧化導入環氧基而成之所謂脂環型環氧化物。此外，亦能夠使用具有聯苯骨架、三苯基甲烷骨架、二環己二烯骨架、萘骨架等之環氧樹脂。該等環氧樹脂能夠單獨1種或組合2種以上而使用。上述環氧樹脂之中，是以使用雙酚A的環氧丙基醚(雙酚A型環氧樹脂)、具有聯苯骨架之環氧樹脂(聯苯型環氧樹脂)、具有萘骨架之環氧樹脂(萘型環氧樹脂)或該等組合為佳。
作為上述酚樹脂，例如可舉出雙酚A、四甲基雙酚A、二烯丙基雙酚A、聯苯酚、雙酚F、二烯丙基雙酚F、三苯基甲烷型苯酚、四酚、酚醛清漆型苯酚、甲酚酚醛清漆樹脂、具有聯苯基芳烷基骨架之苯酚(聯苯型苯酚)等，該等之中，以使用聯苯型苯酚為佳。該等酚樹脂能夠單獨1種或組合2種以上而使用。又，使用環氧樹脂作為硬化性樹脂時，從與環氧樹脂的反應性等之觀點而言，以併用酚樹脂為佳。
在樹脂組成物中之熱硬化性樹脂的含量，以10質量%以上為佳，以15質量%以上為特佳，進而以20質量%以上為佳。又，該含量以60質量%以下為佳，以50質量%以下為特佳，進而40質量%以下為佳。藉由該含量為10質量%以上，樹脂組成物層10的硬化為更充分且能夠將電子零件更堅固地密封。又，藉由該含量為60質量%以下，能夠進一步抑制樹脂組成物層10在非預定的步驟產生硬化且成為保存安定性更優異之物。又，熱硬化性樹脂的上述含量為固體成分換算値。
(2)熱可塑性樹脂 又，樹脂組成物亦可含有熱可塑性樹脂。藉由上述樹脂組成物含有熱可塑性樹脂，能夠對樹脂組成物賦予優異的造膜性，而且容易將樹脂組成物層形成為薄片狀且操作性提升。作為熱可塑性樹脂的例子，可舉出苯氧基系樹脂、烯烴系樹脂、聚酯系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、聚酯胺基甲酸酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、醯胺系樹脂、苯乙烯-異丁烯-苯乙烯共聚物(SIS)等的苯乙烯系樹脂、矽烷系樹脂、橡膠系樹脂、聚乙烯基縮醛系樹脂、聚乙烯基縮丁醛樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碸系樹脂、氟系樹脂等，該等能夠單獨1種或組合2種以上而使用。又，該等熱可塑性樹脂亦可為具有硬化性官能基之物。上述熱可塑性樹脂之中，以使用選自由苯氧基系樹脂、聚乙烯基縮醛系樹脂、聚乙烯基縮丁醛樹脂所組成群組之至少1種為佳。
作為苯氧基系樹脂，沒有特別限定，例如可例示雙酚A型、雙酚F型、雙酚A/雙酚F共聚合型、雙酚S型、雙酚苯乙酮型、酚醛清漆型、茀型、二環戊二烯型、降莰烯型、萘型、蒽型、金剛烷型、萜烯型、三甲基環己烷型、聯苯酚型、聯苯型苯氧基系樹脂等，該等之中，以使用雙酚A型苯氧基樹脂為佳。苯氧基系樹脂的末端，可為酚性羥基、環氧基等的任一官能基。苯氧基系樹脂可單獨使用1種、或併用2種以上。
在樹脂組成物中之熱可塑性樹脂的含量，以1質量%以上為佳，以3質量%以上為特佳，進而以5質量%以上為佳。又，該含量以30質量%以下為佳，以20質量%以下為特佳，進而以10質量%以下為佳。藉由該含量為上述範圍，更容易將樹脂組成物層形成為薄片狀。又，熱可塑性樹脂的上述含量為固體成分換算値。
(3)微粒子 又，樹脂組成物亦可含有微粒子。藉由上述樹脂組成物含有微粒子、樹脂組成物層10硬化而成之硬化層成為具有優異的機械強度之物，而且，因為能夠將熱膨脹率抑制為較低，所得到的半導體裝置之可靠性提升。
作為上述微粒子，只要能夠良好地發揮上述有關機械強度及熱膨脹率之效果，就沒有特別限定，可為無機微粒子，亦可為有機微粒子。但是，從更良好地發揮上述有關機械強度及熱膨脹率之效果的觀點而言，以無機微粒子為佳。
作為無機微粒子，例如能夠例示將氧化矽、氧化鋁、玻璃、氧化鈦、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶性氧化矽、非晶性氧化矽、莫來石(mu11ite)、堇青石(cordierite)等的複合氧化物、蒙脫石(montmori11onite)、膨潤石(smectite)、水鋁礦(boehmite)、滑石、氧化鐵、碳化矽、氧化鋯等作為材料之無機微粒子，該等能夠單獨1種或組合2種以上而使用。該等之中，以使用氧化矽微粒子、鋁微粒子為佳，以使用氧化矽微粒子為特佳。
上述無機微粒子，以被表面處理劑表面處理為佳。藉此，在樹脂組成物中之無機微粒子具有優異的分散性和填充性。作為上述表面處理劑，可舉出環氧基矽烷、乙烯基矽烷、矽氮烷(silazane)化合物、烷氧基矽烷、矽烷偶合劑等。該等可單獨使用，亦可組合而使用。
上述微粒子的平均粒徑以0.01μm以上為佳，以0.1μm以上為特佳，進而以0.3μm以上為佳。又，上述微粒子的平均粒徑以100μm以下為佳，以3.0μm以下為特佳，進而以1.0μm以下為佳。微粒子的平均粒徑為上述範圍時，樹脂組成物層10容易成為具有優異的可撓性及柔軟性之物，同時容易將微粒子的含量調整成為如上述範圍之較高的填充率。又，微粒子的平均粒徑為1.0μm以下時，如前述地，在樹脂組成物層10硬化而成之硬化層形成再配線層時，電極的形成性容易提升。
而且，上述微粒子的最大粒徑以0.05μm以上為佳，以0.5μm以上為特佳。又，該最大粒徑以5μm以下為佳，以3μm以下為特佳。藉由微粒子的最大粒徑為上述範圍，容易將微粒子填充在樹脂組成物中且能夠將硬化時的熱膨脹率抑制成為較低。又，如上述地將再配線層形成在樹脂組成物層10硬化而成之硬化層時，容易形成微細的配線。
又，在本說明書之微粒子的平均粒徑及最大粒徑，是設為使用粒度分布測定裝置(日機裝公司製、製品名「Nanotrack Wave-UT151」)且依照動態光散射法所測得的値。
在樹脂組成物中之微粒子的含量以40質量%以上為佳，以50質量%以上為特佳。又，該含量以90質量%以下為佳，以85質量%以下為特佳，進而以80質量%以下為佳。藉由微粒子的含量為上述範圍，使樹脂組成物層10硬化而成之硬化層的熱膨脹係數及吸水率變為較小。又，樹脂組成物層10容易成為具有優異的柔軟性、流動性及接著性之物。又，微粒子的上述含量是固體成分換算値。
(4)硬化觸媒 在本實施形態之樹脂組成物，以進一步含有硬化觸媒為佳。藉此，能夠使熱硬化性樹脂的硬化反應有效地進行且能夠使樹脂組成物層10良好地硬化。作為硬化觸媒，例如可舉出咪唑系硬化觸媒、胺系硬化觸媒、磷系硬化觸媒等。
上述硬化觸媒可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
在樹脂組成物中之硬化觸媒含量以0.01質量%以上為佳，以0.05質量%以上為佳，而且，以0.1質量%以上為佳。又，該含量以2.0質量%以下為佳，以1.5質量%以下為特佳，進而以1.0質量%以下為佳。藉由，該含量為上述範圍，能夠使樹脂組成物層10更良好地硬化。又，硬化觸媒的上述含量為固體成分換算値。
(5)其它成分 在本實施形態之樹脂組成物，亦可進一步含有可塑劑、安定劑、黏著賦予劑、著色劑、偶合劑、帶電防止劑、抗氧化劑等。
(6)樹脂組成物層的物性等 在本實施形態之樹脂組成物層10表面的表面電阻率，以1.0×1012 Ω/sq以上為佳，以1.0×1013 Ω/sq以上為特佳，進而以1.0×1014 Ω/sq以上為佳。藉由該表面電阻率為上述範圍，能夠抑制產生短路等之不良且能夠得到具有優異的性能之半導體裝置。上述表面電阻率的測定方法如後述試驗例所記載。
樹脂組成物層10的厚度是能夠考慮用途等而設定。例如在半導體裝置的製造，將本實施形態之樹脂薄片1使用在電子零件的密封時，樹脂組成物層10的厚度以20μm以上為佳，以50μm以上為較佳，以60μm以上為特佳，進而以100μm以上為佳。又，該厚度以1000μm以下為佳，以500μm以下為佳，進而300μm以下為佳。樹脂組成物層10的厚度為上述範圍時，能夠將電子零件密封且充分地埋入。
又，在半導體裝置的製造，將本實施形態之樹脂薄片1使用在絕緣膜的形成時，樹脂組成物層10的厚度沒有特別限制，以5μm以上為佳，以10μm以上為特佳，進而以15μm以上為佳。又，該厚度以80μm以下為佳，以60μm以下為特佳、進而以40μm以下為佳。
2.第1支撐薄片 在本實施形態之第1支撐薄片11具有帶電防止性。因此，在樹脂組成物層10，不容易產生起因於剝離帶電之塵埃、塵土等的異物附著，而且異物不容易混入至使用該樹脂組成物層10而得到的半導體裝置。
在本實施形態之第1支撐薄片11的表面電阻率以1×1011 Ω/sq以下為佳。藉由表面電阻率的上限値為上述，在採用面板級封裝之半導體裝置的製造，能夠更有效地抑制產生靜電。又，表面電阻率的下限値沒有特別限定，通常以1×107 Ω/sq以上為佳。該表面電阻率的測定方法之詳細如後述試驗例所揭示。
第1支撐薄片11具備支撐基材。該支撐基材亦可在至少一面側積層剝離劑層或黏著劑層。又，第1支撐薄片11亦可在支撐基材的至少一面側具備含帶電防止劑的帶電防止層。又，第1支撐薄片11可為將支撐基材、剝離劑層、黏著劑層及帶電防止層以任意組合且任意順序積層而成之物。
(1)支撐基材 構成第1支撐薄片11之支撐基材，是只要能夠保護樹脂組成物層10，就沒有特別限定。例如作為支撐基材，以使用樹脂膜、不織布、紙等為佳。作為該樹脂膜的例子，可舉出聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜等的聚酯膜；聚乙烯膜、聚丙烯膜等的聚烯烴膜；聚醯亞胺膜等。作為上述不織布的例子，可舉出使用嫘縈、丙烯酸樹脂、聚酯等的纖維之不織布。作為上述紙的例子，可舉出上等紙、玻璃紙(glassine paper)、含浸紙、塗層紙等。
構成第1支撐薄片11之支撐基材，亦可依照需要而對一面或雙面施行底漆處理、電暈處理、電漿處理、氧化處理等的表面處理。
又，上述支撐基材亦可含有帶電防止劑。作為此時第1支撐薄片11的較佳構成，可舉出如第2圖(a)顯示之只由含有帶電防止劑的支撐基材111’所構成之構成；如第2圖(b)顯示之在支撐基材111’的一面側具備剝離劑層112之構成；及如第2圖(c)顯示之在該支撐基材的一面側具備黏著劑層113之構成等。作為在支撐基材111’所含有的帶電防止劑，是只要能夠確保使用樹脂薄片1而得到的預定剝離性，同時能夠發揮樹脂薄片1所需要的帶電防止性，就沒有特別限定，例如能夠使用後述之帶電防止劑。
上述支撐基材的厚度是通常10μm以上且250μm以下。
(2)剝離劑層 第1支撐薄片11亦可在上述支撐基材的至少一面側具備剝離劑層。此時，在樹脂薄片1，在第1支撐薄片11之該剝離劑層側的面與樹脂組成物層10接觸。
作為構成剝離劑層之剝離劑，沒有特別限制、例如能夠使用選自聚矽氧系剝離劑、醇酸系剝離劑、氟系剝離劑、長鏈烷基系剝離劑、烯烴樹脂系剝離劑、丙烯酸系剝離劑及橡膠系剝離劑之至少一種。
又，剝離劑層亦可含有帶電防止劑。作為此時第1支撐薄片11的較佳構成，可舉出如第3圖顯示之在支撐基材111的一面側積層有含有帶電防止劑的剝離劑層112’之構成等。作為在剝離劑層112’所含有的帶電防止劑，是只要能夠確保使用樹脂薄片1而得到的預定剝離性，同時能夠發揮樹脂薄片1所需要的帶電防止性，就沒有特別限定，例如能夠使用後述之帶電防止劑。
(3)黏著劑層 第1支撐薄片11亦可在上述支撐基材的至少一面側具備黏著劑層。此時，在樹脂薄片1，在第1支撐薄片11之該黏著劑層側的面是與樹脂組成物層10接觸。
構成上述黏著劑層之黏著劑，是只要第1支撐薄片11對樹脂組成物層10顯示所需要的黏著性且能夠從樹脂組成物層10剝離之物，就沒有特別限定。作為構成黏著劑層之黏著劑的例子，能夠使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚乙烯基醚系黏著劑等。黏著劑可單獨使用1種、亦可組合2種以上而使用。
上述黏著劑層亦可含有帶電防止劑。作為此時第1支撐薄片11的較佳構成，可舉出如第4圖顯示之在支撐基材111的一面側積層有含有帶電防止劑的黏著劑層113’之構成等。作為在黏著劑層113’所含有的帶電防止劑，只要能夠確保使用樹脂薄片1而得到的預定剝離性且發揮樹脂薄片1所需要的帶電防止性，就沒有特別限定，例如能夠使用後述的帶電防止劑。
黏著劑層的厚度以1μm以上為佳，以5μm以上為特佳，進而以10μm以上為佳。又，該厚度以500μm以下為佳，以100μm以下為特佳，進而以50μm以下為佳。
(4)帶電防止層 第1支撐薄片11亦可具備帶電防止層。第1支撐薄片11具備帶電防止層時，作為該第1支撐薄片11的較佳構成，可舉出如第5圖(a)顯示之將支撐基材111及帶電防止層114依照該順序積層而成之構成；如第5圖(b)顯示之將支撐基材111、帶電防止層114及剝離劑層112依照該順序積層而成之構成；如第5圖(c)顯示之將帶電防止層114、支撐基材111及剝離劑層112依照該順序積層而成之構成；如第5圖(d)顯示之將支撐基材111、帶電防止層114及黏著劑層113依照該順序積層而成之構成；及如第5圖(e)顯示之將帶電防止層114、支撐基材111及黏著劑層113依照該順序積層而成之構成等。
帶電防止層，以由含有黏結劑樹脂及帶電防止劑之帶電防止層用組成物所構成之層為佳。
作為上述黏結劑樹脂，以含有選自由聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂及丙烯酸樹脂所組成群組之至少1種作為主成分為佳。該等樹脂可為熱硬化性化合物，亦可為紫外硬化性化合物。
帶電防止層用組成物是除了上述成分以外，亦可含有交聯劑、調平劑、防污劑等。
帶電防止層的厚度通常以0.01μm以上為佳，以0.03μm以上為特佳。又，該厚度以10μm以下為佳，以5μm以下為特佳，進而以3μm為佳。
(5)帶電防止劑 作為帶電防止劑，例如以使用選自導電性高分子、導電性微粒子、離子性化合物及含4級銨鹽的化合物之至少一種為佳。
作為上述導電性高分子，能夠使用先前習知物，尤其是以聚噻吩系、聚苯胺系或聚吡咯系的導電性高分子為佳。導電性高分子可單獨使用1種，亦可組合2種以上而使用。
作為聚噻吩系的導電性高分子，例如可舉出聚噻吩、聚(3-烷基噻吩)、聚(3-噻吩-β-乙磺酸)、聚伸烷基二氧噻吩與聚苯乙烯磺酸鹽(PSS)之混合物(包含經摻雜之物)等。該等之中，以聚伸烷基二氧噻吩與聚苯乙烯磺酸鹽之混合物為佳。作為上述聚伸烷基二氧噻吩，可舉出聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)(PEDOT)、聚伸丙基二氧噻吩、聚(伸乙基/伸丙基)二氧噻吩等，尤其是以聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)為佳。亦即，上述之中，以聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)與聚苯乙烯磺酸鹽之混合物(摻雜有PSS之PEDOT)為特佳。
作為聚苯胺系導電性高分子，例如可舉出聚苯胺、聚甲基苯胺、聚甲氧基苯胺等。
作為聚吡咯系的導電性高分子，例如可舉出聚吡咯、聚3-甲基吡咯、聚3-辛基吡咯等。
作為上述導電性微粒子的例子，可舉出氧化錫、銻摻雜氧化錫(ATO)、氧化銦-氧化錫(ITO)、氧化鋅、五氧化銻等的導電性無機微粒子、或聚矽氧微粒子等有機微粒子的表面經導電性化合物被覆之微粒子、或碳微粒子等的導電性微粒子。
上述離子性化合物在室溫可為液體亦可為固體，從被暴露在耐久條件下亦容易顯現穩定的帶電防止性之觀點而言，以在室溫為固體之物為佳。在此，在本說明書所謂離子性化合物，是指陽離子與陰離子主要是藉由靜電引力連結而成之化合物。
作為離子性化合物的例子，以含氮鎓鹽、含硫鎓鹽、含磷鎓鹽、鹼金屬鹽或鹼土金屬鹽為佳，從所得到的支撐基材具有優異的耐久性之觀點而言，以含氮鎓鹽或鹼金屬鹽為特佳，進而以含氮鎓鹽為佳。含氮鎓鹽以由含氮雜環陽離子、及其相對陰離子構成之離子性化合物為佳。
作為含氮雜環陽離子的含氮雜環骨架，以吡啶環、嘧啶環、咪唑環、三唑環、吲哚環等為佳，尤其是以吡啶環為佳。又，作為鹼金屬鹽的陽離子，以鋰離子、鉀離子或鈉離子為佳，以鋰離子或鉀離子為特佳。
另一方面，作為構成上述離子性化合物之陰離子，可適合舉出鹵化磷酸陰離子或磺醯亞胺系陰離子。作為鹵化磷酸陰離子，可適合舉出六氟磷酸鹽等。又，作為磺醯亞胺系陰離子，可適合舉出雙(氟烷基磺醯基)醯亞胺或雙(氟磺醯基)醯亞胺等。
作為上述離子性化合物的具體例，可舉出N-丁基-4-甲基吡啶鎓六氟磷酸鹽、N-己基-4-甲基吡啶鎓六氟磷酸鹽、N-辛基吡啶鎓六氟磷酸鹽、N-辛基-4-甲基吡啶鎓六氟磷酸鹽、N-十二基吡啶鎓六氟磷酸鹽、N-十四基吡啶鎓六氟磷酸鹽、N-十六基吡啶鎓六氟磷酸鹽、N-十二基-4-甲基吡啶鎓六氟磷酸鹽、N-十四基-4-甲基吡啶鎓六氟磷酸鹽、N-十六基-4-甲基吡啶鎓六氟磷酸鹽等的吡啶鎓六氟磷酸鹽系化合物；N-癸基吡啶鎓雙(氟磺醯基)醯亞胺、1-乙基吡啶鎓雙(氟磺醯基)醯亞胺、1-丁基吡啶鎓雙(氟磺醯基)醯亞胺、1-己基吡啶鎓雙(氟磺醯基)醯亞胺、1-丁基-3-甲基吡啶鎓雙(氟磺醯基)醯亞胺、1-丁基-4-甲基吡啶鎓雙(氟磺醯基)醯亞胺、1-己基-3-甲基吡啶鎓雙(氟磺醯基)醯亞胺、1-丁基-3,4-二甲基吡啶鎓雙(氟磺醯基)醯亞胺、雙(氟磺醯基)醯亞胺鉀、雙(氟磺醯基)醯亞胺鋰、雙(氟甲磺醯基)醯亞胺鉀、雙(氟甲磺醯基)醯亞胺鋰等的氟磺醯亞胺系化合物等。以上的離子性化合物可單獨使用1種，亦可組合2種以上而使用。
作為上述含4級銨鹽的化合物之例子，可舉出吡咯啶鎓環、烷基胺的4級化物、以及將該等與丙烯酸和甲基丙烯酸共聚合而成之物、N-烷胺基丙烯醯胺的4級化物、乙烯基苄基三甲銨鹽、2-羥基3-甲基丙烯醯氧基(methacryloxy)丙基三甲銨鹽等。
帶電防止劑的含量，是能夠按照目標的帶電防止性而適當地決定。具體而言，帶電防止劑的含量，相對於添加的層之樹脂成分全體，以0.01質量%以上為佳，以0.1質量%以上為特佳。又，該含量以50質量%以下為佳，以30質量%以下為特佳。藉由上述帶電防止劑含量為上述範圍，能夠不損害添加的層的功能而有效地發揮樹脂薄片1的帶電防止性。
3.第2支撐薄片 作為構成第2支撐薄片12之支撐基材，能夠使用與構成第1支撐薄片11之支撐基材同樣的樹脂膜、不織布、紙等。
在第2支撐薄片12之與樹脂組成物層10的接觸面，可被剝離劑進行剝離處理，亦可不被剝離處理。作為該剝離劑，以使用選自聚矽氧系剝離劑、醇酸系剝離劑、氟系剝離劑、長鏈烷基系剝離劑、烯烴樹脂系剝離劑、丙烯酸系剝離劑及橡膠系剝離劑之至少一種為佳。
第2支撐薄片12的厚度沒有特別限制，通常20μm以上且250μm以下。
4.樹脂薄片的物性 在溫度23℃、相對濕度50%的環境下，將第1支撐薄片11從在本實施形態之樹脂薄片1之樹脂組成物層10以10m/分鐘的剝離速度剝離時，剝離5秒後所測定之在第1支撐薄片11之樹脂組成物層10側的面的剝離帶電壓之絕對値，以小於200V為佳。藉由剝離帶電壓的絕對値為上述，在將第1支撐薄片11從樹脂組成物層10剝離時，樹脂組成物層10不容易產生剝離帶電且能夠有效地抑制起因於剝離帶電致使空氣中的塵埃和塵土等的異物附著於樹脂組成物層10。又，藉由剝離帶電壓的絕對値為上述，在採用面板級封裝之半導體裝置的製造，能夠使用樹脂薄片1而製造具有良好品質的半導體裝置。上述剝離帶電壓的絕對値之下限値沒有特別限定，以0V為佳。又，剝離帶電壓的絕對値的測定方法之詳細，如後述試驗例所揭示。
5.樹脂薄片的製造方法 本實施形態之樹脂薄片1，是例如能夠藉由將樹脂組成物層10形成在第2支撐薄片12上之後，將另外準備的第1支撐薄片11貼合在該樹脂組成物層10之與第2支撐薄片12為相反側的面來製造。
此時，樹脂組成物層10，是例如藉由調製含有上述樹脂組成物、及依照需要而進一步的溶劑或分散介質之塗佈液，使用旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗佈法、刮刀塗佈法、輥塗佈法、輥式刮刀塗佈法、刮板塗佈法、模塗佈法、凹版塗佈法等習知的方法將該塗佈液塗佈在上述第2支撐薄片12的一面(以剝離劑進行處理時，為其剝離處理面)上而形成塗膜且使該塗膜乾燥，來形成樹脂組成物層10。其次，藉由將所得到的樹脂組成物層10側的面與第1支撐薄片11貼合而能夠製造樹脂薄片1。
[半導體裝置] 本實施形態之半導體裝置，是具備使本實施形態之樹脂薄片1的樹脂組成物層10硬化而成之硬化層。在此，本實施形態之半導體裝置，亦可具備硬化層作為將電子零件密封之層，或者，亦可具備硬化層作為絕緣膜。在本實施形態之半導體裝置以採用面板級封裝而製造的半導體裝置為佳。作為其具體例，可舉出採用面板級的扇出型封裝技術(FOPLP)而製造的半導體封裝等。
本實施形態之樹脂薄片，是如前述，藉由第1支撐薄片11具有帶電防止性，同時第1支撐薄片11的剝離帶電壓的絕對值為上述範圍，在將第1支撐薄片11從樹脂薄片1剝離時，不容易在樹脂組成物層10產生剝離帶電。因此，在樹脂組成物層10，不容易產生起因於剝離帶電之塵埃和塵土之異物附著且異物不容易混入具備使該樹脂組成物層10硬化而成的硬化層之半導體裝置。而且，使用該樹脂薄片1而製造之本實施形態之半導體裝置成為具有良好品質之物。
在本實施形態之樹脂薄片1，是如前述，不容易產生起因於剝離帶電致使異物附著在樹脂組成物層10。其結果，藉由使用本實施形態之樹脂薄片1，能夠製造具有優異的品質之半導體裝置。特別是使用本實施形態之樹脂薄片1時，例如能夠製造採用面板級扇出封裝(FOPLP)而製成之導體封裝等，如此，即便樹脂薄片1的尺寸為較大面積的情況，亦能夠有效地抑制起因於剝離帶電致使塵埃和塵土之異物附著在樹脂組成物層10，其結果，能夠製造高品質半導體封裝。
以上已說明的實施形態，是為了容易理解本發明而記載，不是為了限定本發明而記載。因而，在上述實施形態所揭示的各要素，其宗旨亦包含屬於本發明的技術範圍之全部的設計變更和均等物。 [實施例]
以下，藉由實施例及試驗例等而進一步詳細地說明本發明，但是本發明完全不被下述試驗例等限定。
[實施例1] (1)第1支撐薄片的製造 將作為帶電防止劑之聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)與聚苯乙烯磺酸鹽的混合物(摻雜有PSS之PEDOT)、作為黏結劑樹脂之聚酯樹脂、交聯劑、及調平劑進行混合來調製帶電防止層形成用塗佈液。
將所得到的塗佈液，塗佈在作為支撐基材之聚對苯二甲酸乙二酯膜(三菱化學聚酯膜公司製、製品名「PET38T-100」、厚度：38μm)的一面，而且將所得到的塗膜乾燥而形成厚度50nm的帶電防止層。
其次，將醇酸系剝離劑使用繞線棒均勻地塗佈在所得到的支撐基材與帶電防止層之積層體的帶電防止層側的面上之後，在100℃使其乾燥30秒鐘來形成厚度0.1μm的剝離劑層。藉此，得到將剝離劑層/帶電防止層/支撐基材依照該順序積層而成之第1支撐薄片。
(2)樹脂組成物層的形成 將作為熱可塑性樹脂之雙酚A型苯氧基樹脂(三菱化學公司製、製品名「jER1256」)5.1質量份(固體成分換算、以下相同)、作為熱硬化性樹脂之雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製、製品名「jER828」)5.7質量份、作為熱硬化性樹脂之聯苯型環氧樹脂(日本化藥公司製、製品名「NC-3000-L」)5.7質量份、作為熱硬化性樹脂之萘型環氧樹脂(DIC公司製、製品名「HP-4700」)4.1質量份、作為熱硬化性樹脂之聯苯型苯酚(明和化成公司製、製品名「MEHC-7851-SS」)14.1質量份、作為咪唑系硬化觸媒之2-乙基-4-甲基咪唑(四國化成公司製、製品名「2E4MZ」)0.1質量份、作為無機微粒子之環氧基矽烷處理氧化矽填料[將氧化矽填料(ADMATECHS公司製、製品名「SO-C2」、平均粒徑：0.5μm、最大粒徑：2μm、形狀：球狀)，使用3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學公司製、製品名「KBM-403」、最小被覆面積：330m2 /g)進行表面處理而成之物]65質量份，在甲基乙基酮中混合而得到固體成分濃度為40質量%之樹脂組成物的塗佈液。
將如上述所得到的塗佈液，塗佈在作為第2支撐薄片之對聚對苯二甲酸乙二酯膜的一面使用醇酸系剝離劑進行剝離處理而成之剝離膜(LINTEC公司製、製品名「PET38AL-5」、厚度：38μm)的剝離處理面，藉由將所得到的塗膜在烘箱於100℃乾燥1分鐘，來得到厚度50μm的樹脂組成物層與第2支撐薄片之積層體。
(3)樹脂薄片的製造 藉由將上述步驟(1)所製造的第1支撐薄片之剝離劑層側的面、與上述步驟(2)所製造的積層體之樹脂組成物層側的面貼合，來得到以第1支撐薄片、樹脂組成物層、及第2支撐薄片依照順序積層而成之樹脂薄片。
[實施例2] (1)第1支撐薄片的製造 將丙烯酸酯共聚物(丙烯酸2-乙基己酯92.8質量%、丙烯酸2-羥基乙酯7.0質量%、丙烯酸0.2質量%之共聚物)40質量份(固體成分換算、在本段落之以下相同)、作為黏著助劑之兩末端羥基氫化聚丁二烯(日本曹達公司製、製品名「GI-1000」)5質量份、作為交聯劑之具有六亞甲基二異氰酸酯之脂肪族系異氰酸酯(日本POLYURETHANE工業公司製、製品名「CORONATE HX」)3.5質量份及帶電防止劑，使用甲基乙基酮混合而調製固體成分濃度為30質量%之黏著劑組成物的塗佈液。
其次，將所調製的黏著劑組成物之塗佈液使用輥塗佈器，塗佈在將聚對苯二甲酸乙二酯膜的一面以聚矽氧系剝離層進行剝離處理而成之剝離膜(LINTEC公司製、製品名「SP-PET382150」、厚度：38μm)的剝離處理面，而且藉由將所得到的塗膜在90℃加熱90秒鐘，接著在115℃加熱90秒使其乾燥，來形成厚度50μm之含帶電防止劑的黏著劑層。藉此，得到含帶電防止劑的黏著劑層與剝離膜之積層體。
接著，藉由將所得到之積層體之剝離膜側的面，貼合在作為支撐基材之透明聚對苯二甲酸乙二酯膜(東洋紡公司製、製品名「PET50A-4300」、厚度：50μm)的一面，得到由含帶電防止劑的黏著劑層與支撐基材所構成的第1支撐薄片，其為該含帶電防止劑的黏著劑層之與支撐基材為相反側的面積層有剝離膜之狀態。
(2)樹脂組成物層的形成 藉由將剝離膜從上述步驟(1)製造的第1支撐薄片剝離，將在實施例1之步驟(2)製造的積層體之樹脂組成物層側的面貼合在露出的含帶電防止劑的黏著劑層的露出面，而得到將第1支撐薄片、樹脂組成物層、及第2支撐薄片依照順序積層而成之樹脂薄片。
[實施例3] 除了使用不形成帶電防止層，藉由將含帶電防止劑的剝離劑層形成在支撐基材的一側而得到之第1支撐薄片以外，是與實施例1同樣地進行而得到樹脂薄片。
[實施例4] 除了使用含帶電防止劑的支撐基材作為第1支撐薄片以外，是與實施例1同樣地進行而得到樹脂薄片。
[比較例1] 除了使用將聚對苯二甲酸乙二酯膜的一面以醇酸系剝離劑進行剝離處理而成之剝離膜(LINTEC公司製、製品名「PET38AL-5」、厚度：38μm)作為第1支撐薄片以外，是與實施例1同樣地進行而得到樹脂薄片。
[試驗例1] (表面電阻率的測定) 針對將第1支撐薄片從實施例及比較例所製造的樹脂薄片剝離，而露出之樹脂組成物層的露出面、及該剝離後之第1支撐薄片的樹脂組成物側的面，使用低電阻率計(三菱化學Analytech公司製、製品名「Loresta GP MCP-T610型」)測定表面電阻率(Ω/sq)3次，且算出其平均値(Ω/sq)。將結果顯示在表1。
[試驗例2] (異物附著性的評價) 將實施例及比較例所製造的樹脂薄片裁斷為500mm×400mm的大小。針對實施例1及2以及比較例1之樹脂薄片，剝離第2支撐薄片、將露出的樹脂組成物層之露出面積層在玻璃板。針對實施例3之樹脂薄片，是將在樹脂組成物層之與第1支撐薄片為相反側的面積層在玻璃板。隨後，將第1支撐薄片從樹脂組成物層剝離。而且，從玻璃板側確認在樹脂組成物層表面之塵埃和塵土的異物之存在，而且基於以下基準、評價在樹脂組成物層之異物附著性。將結果顯示在表1。 A：不存在異物。 B：存在異物。
[試驗例3] (剝離帶電壓的絕對値之測定) 將實施例及比較例所製造的樹脂薄片裁斷成為寬度25mm、長度100mm且將其作為試樣。在溫度23℃、相對濕度50%的環境下，將第1支撐薄片以10m/min的剝離速度從試樣剝離，在剝離5秒後使用靜電測定器(SIMCO JAPAN公司製、製品名「FMX-003」)，測定在第1支撐薄片之樹脂組成物層10側的面之剝離帶電壓的絕對値(V)。將結果顯示在表1。
[表1]
如表1顯示，從剝離帶電壓的測定結果，實施例之樹脂薄片是將支撐薄片從樹脂組成物層剝離時具有優異的剝離帶電防止性，同時能夠抑制在將支撐薄片剝離後之異物的附著。 產業上之可利用性
本發明之樹脂薄片，是適合在被要求使用大面積的樹脂薄片之半導體裝置的製造，具體而言，是能夠適合利用在採用面板級封裝之半導體裝置的製造。
1‧‧‧樹脂薄片
10‧‧‧樹脂組成物層
11‧‧‧第1支撐薄片
111‧‧‧支撐基材
111’‧‧‧含帶電防止劑之支撐基材
112‧‧‧剝離劑層
112’‧‧‧含帶電防止劑之剝離劑層
113‧‧‧黏著劑層
113’‧‧‧含帶電防止劑之黏著劑層
114‧‧‧帶電防止層
12‧‧‧第2支撐薄片
第1圖是本發明的一實施形態之樹脂薄片的剖面圖。 第2圖是顯示本實施形態之第1支撐薄片的例子之剖面圖。 第3圖是顯示本實施形態之第1支撐薄片的例子之剖面圖。 第4圖是顯示本實施形態之第1支撐薄片的例子之剖面圖。 第5圖是顯示本實施形態之第1支撐薄片的例子之剖面圖。

Claims (10)

  1. 一種樹脂薄片，係在採用面板級封裝之半導體裝置的製造中，使用於電子零件的密封或絕緣膜的形成之樹脂薄片，其特徵在於： 前述樹脂薄片係具備第1支撐薄片、及積層在前述第1支撐薄片的一面之樹脂組成物層， 前述第1支撐薄片係具有帶電防止性， 以剝離速度10m/分鐘將前述第1支撐薄片從前述樹脂組成物層剝離時，前述第1支撐薄片的剝離帶電壓的絕對値為小於200V。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂薄片，其中前述樹脂組成物層表面的表面電阻率為1.0×1012 Ω/sq以上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂薄片，其中前述第1支撐薄片係具備含帶電防止劑的帶電防止層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂薄片，其中前述第1支撐薄片，係具備含帶電防止劑的支撐基材。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂薄片，其中前述第1支撐薄片，係具備含帶電防止劑的剝離劑層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂薄片，其中前述第1支撐薄片，係具備含帶電防止劑的黏著劑層。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂薄片，其中前述第1支撐薄片的表面電阻率，為1×1011 Ω/sq以下。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂薄片，其中前述樹脂組成物層，係由含有熱硬化性樹脂之樹脂組成物所形成之物。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂薄片，其中前述樹脂薄片，係具備積層在前述樹脂組成物層之與前述第1支撐薄片為相反側的面之第2支撐薄片。
  10. 一種半導體裝置，其特徵在於：具備使如申請專利範圍第1至9項中任一項所述之樹脂薄片之樹脂組成物層硬化而成之硬化層。
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