CN109427751A - 树脂片及半导体装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种不容易产生剥离静电的树脂片。本发明提供一种树脂片(1)，其为在采用面板级封装的半导体装置的制造中，用于电子元件的密封或绝缘膜的形成的树脂片(1)，树脂片(1)具备第一支撑片(11)、及层叠在第一支撑片(11)的一面上的树脂组合物层(10)，第一支撑片(11)具有抗静电性，以剥离速度10m/分钟将第一支撑片(11)从树脂组合物层(10)上剥离时的、第一支撑片(11)的剥离静电压的绝对值小于200V。

Description

树脂片及半导体装置
技术领域
本发明涉及树脂片及使用该树脂片而制造的半导体装置。
背景技术
近年来，对半导体封装的小型·薄型化的要求非常高。为了满足这样的要求，提出了一种扇出型的半导体封装。作为扇出型的半导体封装的制造方法，以300～700mm左右的方型基板尺寸制造的面板级的扇出封装技术(FOPLP)受到了关注。
在FOPLP的半导体装置的制造方法中，例如相对于设置在支撑体上的电子元件层叠形成为片状的树脂组合物层后，通过树脂组合物层的加压而将电子元件埋入树脂组合物层。然后，通过使该树脂组合物层固化而将电子元件密封，然后，形成重新布线层。
作为具备如上所述的树脂组合物层的树脂片，通常为了提高其加工和搬运时的操作性，有时使用具有在树脂组合物层上层叠有支撑片的构成的树脂片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-126133号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而，将支撑片从上述树脂片上剥离时，有时会产生静电、且树脂组合物层及支撑片带电(以下有时称为“剥离静电”)。通常，半导体装置的制造方法中，虽然有时对所使用的设备实施抗静电措施，但是仅靠这样的抗静电措施无法充分地抑制上述的剥离静电。
由于这样的剥离静电的产生在如上所述的FOPLP这样的、使用大面积的树脂片的半导体装置的制造中变得显著，因此当树脂片的剥离静电导致异物混入所得到的半导体装置时，有可能成为非常重大的问题。
本发明是鉴于这样的实际情况而完成的，其目的在于提供一种不容易产生剥离静电的树脂片。此外，本发明提供一种使用了这样的树脂片的、具有良好质量的半导体装置。
解决技术问题的技术手段
为了达成上述目的，第一，本发明提供一种树脂片，其为在采用面板级封装的半导体装置的制造中，用于电子元件的密封或绝缘膜的形成的树脂片，其特征在于，所述树脂片具备第一支撑片、及层叠在所述第一支撑片的一面上的树脂组合物层，所述第一支撑片具有抗静电性，以剥离速度10m/分钟将所述第一支撑片从所述树脂组合物层上剥离时的、所述第一支撑片的剥离静电压的绝对值小于200V(发明1)。
上述发明(发明1)的树脂片中，通过使第一支撑片具有抗静电性，同时通过使第一支撑片的剥离静电压的绝对值为上述范围，不容易产生将第一支撑片从树脂片上剥离时的树脂组合物层的剥离静电，由此能够防止异物对树脂组合物层的附着，其结果，能够制造良好质量的半导体装置。
在上述发明(发明1)中，优选所述树脂组合物层的表面的表面电阻率为1.0×1012Ω/sq以上(发明2)。
在上述发明(发明1、2)中，优选所述第一支撑片具备含有抗静电剂的抗静电层(发明3)。
在上述发明(发明1～3)中，优选所述第一支撑片具备含有抗静电剂的支撑基材(发明4)。
在上述发明(发明1～4)中，优选所述第一支撑片具备含有抗静电剂的剥离剂层(发明5)。
在上述发明(发明1～4)中，优选所述第一支撑片具备含有抗静电剂的粘着剂层(发明6)。
在上述发明(发明1～6)中，优选所述第一支撑片的表面电阻率为1×1011Ω/sq以下(发明7)。
在上述发明(发明1～7)中，优选所述树脂组合物层由含有热固化性树脂的树脂组合物形成(发明8)。
在上述发明(发明1～8)中，优选所述树脂片具备层叠在所述树脂组合物层的与所述第一支撑片相反侧的面上的第二支撑片(发明9)。
第二，本发明提供一种半导体装置，其特征在于，具备使上述树脂片(发明1～9)中的树脂组合物层固化而成的固化层(发明10)。
发明效果
本发明的树脂片不容易产生将第一支撑片从树脂片上剥离时的树脂组合物层的剥离静电，由此能够防止异物对树脂组合物层的附着。此外，使用本发明的这样的树脂片能够制造具有良好质量的半导体装置。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的树脂片的剖面图。
图2是显示本实施方式的第一支撑片的例子的剖面图。
图3是显示本实施方式的第一支撑片的例子的剖面图。
图4是显示本实施方式的第一支撑片的例子的剖面图。
图5是显示本实施方式的第一支撑片的例子的剖面图。
附图标记说明
1：树脂片；10：树脂组合物层；11：第一支撑片；111：支撑基材；111’：含有抗静电剂的支撑基材；112：剥离剂层；112’：含有抗静电剂的剥离剂层；113：粘着剂层；113’：含有抗静电剂的粘着剂层；114：抗静电层；12：第二支撑片。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明。
[树脂片]
图1示出了本实施方式的树脂片1的剖面图。如图1所示，本实施方式的树脂片1具备第一支撑片11、及层叠在第一支撑片11的一面上的树脂组合物层10。第一支撑片11具有抗静电性。而且，以剥离速度10m/分钟将第一支撑片11从树脂组合物层10上剥离时的、第一支撑片11的剥离静电压的绝对值小于200V。
此外，如图1所示，优选本实施方式的树脂片1具备层叠在树脂组合物层10的与第一支撑片11相反侧的面上的第二支撑片12。
1.树脂组合物层
本实施方式中的树脂组合物层10具有固化性，通过使树脂组合物层10固化能够形成固化层。优选树脂组合物层10由含有热固化性树脂的树脂组合物形成。
(1)热固化性树脂
作为上述热固化性树脂，没有特别限定，例如可列举出环氧树脂、酚树脂、萘酚类树脂、活性酯类树脂、苯并噁嗪类树脂、氰酸酯类树脂等，它们能够单独使用1种或组合使用2种以上。
上述环氧树脂能够使用公知的各种环氧树脂，具体而言，能够列举出双酚A、双酚F、间苯二酚、苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等酚类的缩水甘油醚；丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等醇类的缩水甘油醚；邻苯二甲酸、间苯二甲酸、四氢邻苯二甲酸等羧酸的缩水甘油醚；使用缩水甘油基取代键合于苯胺异氰脲酸酯等的氮原子的活性氢而成的缩水甘油基型或烷基缩水甘油基型的环氧树脂；如乙烯基环己烷二环氧化物、3,4-环氧环己基甲基-3,4-二环己烷羧酸酯、2-(3,4-环氧)环己基-5,5-螺(3,4-环氧)环己烷-间二噁烷等的、例如通过将分子内的碳-碳双键氧化而导入环氧基而成的所谓的脂环型环氧化物。此外，还能够使用具有联苯骨架、三苯基甲烷骨架、二环己二烯骨架、萘骨架等的环氧树脂。这些环氧树脂能够单独使用1种或组合使用2种以上。上述的环氧树脂中，优选使用双酚A的缩水甘油醚(双酚A型环氧树脂)、具有联苯骨架的环氧树脂(联苯型环氧树脂)、具有萘骨架的环氧树脂(萘型环氧树脂)或它们的组合。
作为上述酚树脂，例如可列举出双酚A、四甲基双酚A、二烯丙基双酚A、联苯酚、双酚F、二烯丙基双酚F、三苯基甲烷型苯酚、四酚、酚醛清漆型苯酚、甲酚酚醛清漆树脂、具有联苯基芳烷基骨架的苯酚(联苯型苯酚)等，其中，优选使用联苯型苯酚。这些酚树脂能够单独使用1种或组合使用2种以上。另外，使用环氧树脂作为固化性树脂时，从与环氧树脂的反应性等的角度出发，优选同时使用酚树脂。
树脂组合物中的热固化性树脂的含量优选为10质量％以上，特别优选为15质量％以上，进一步优选为20质量％以上。此外，该含量优选为60质量％以下，特别优选为50质量％以下，进一步优选为40质量％以下。通过使该含量为10质量％以上，树脂组合物层10的固化更加充分，能够将电子元件更坚固地密封。此外，通过使该含量为60质量％以下，能够进一步抑制树脂组合物层10在非预期阶段的固化，使保存稳定性更加优异。另外，热固化性树脂的上述含量为固体成分换算值。
(2)热塑性树脂
此外，树脂组合物也可含有热可性树脂。通过使上述树脂组合物含有热塑性树脂，能够对树脂组合物赋予优异的造膜性，容易将树脂组合物层形成为片状，操作性得到提高。作为热塑性树脂的例子，可列举出苯氧基类树脂、烯烃类树脂、聚酯类树脂、聚氨酯类树脂、聚酯氨基甲酸酯类树脂、丙烯酸类树脂、酰胺类树脂、苯乙烯-异丁烯-苯乙烯共聚物(SIS)等苯乙烯类树脂、硅烷类树脂、橡胶类树脂、聚乙烯基缩醛类树脂、聚乙烯基缩丁醛树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺酰亚胺类树脂、聚醚砜类树脂、聚砜类树脂、氟类树脂等，它们能够单独使用1种或组合使用2种以上。此外，这些热塑性树脂也可具有固化性的官能团。在上述热塑性树脂中，优选使用选自由苯氧基类树脂、聚乙烯基缩醛类树脂、聚乙烯基缩丁醛树脂组成的组中的至少1种。
作为苯氧基类树脂，没有特别限定，但例如可例示出双酚A型、双酚F型、双酚A/双酚F共聚型、双酚S型、双酚苯乙酮型、酚醛清漆型、芴型、二环戊二烯型、降冰片型、萘型、蒽型、金刚烷型、萜烯型、三甲基环己烷型、联苯酚型、联苯型的苯氧基类树脂等，其中，优选使用双酚A型苯氧基树脂。苯氧基类树脂的末端可为酚性羟基、环氧基等中的任一官能团。苯氧基类树脂可单独使用1种或同时使用2种以上。
树脂组合物中的热塑性树脂的含量优选为1质量％以上，特别优选为3质量％以上，进一步优选为5质量％以上。此外，该含量优选为30质量％以下，特别优选为20质量％以下，进一步优选为10质量％以下。通过使该含量为上述范围，更容易将树脂组合物层形成为片状。另外，热塑性树脂的上述含量为固体成分换算值。
(3)微粒
此外，树脂组合物也可含有微粒。通过使上述树脂组合物含有微粒，树脂组合物层10固化而成的固化层具有优异的机械强度，而且，由于能够将热膨胀率抑制为较低，因此所得到的半导体装置的可靠性得到提高。
作为上述微粒，只要能够良好地发挥上述的与机械强度及热膨胀率有关的效果，则没有特别限定，可以为无机微粒，也可以为有机微粒。但是，从更良好地发挥上述的与机械强度及热膨胀率有关的效果的角度出发，优选无机微粒。
作为无机微粒，例如能够例示出将二氧化硅、氧化铝、玻璃、氧化钛、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶性二氧化硅、非晶性二氧化硅、莫来石(mullite)、堇青石(cordierite)等复合氧化物、蒙脱石(montmorillonite)、膨润石(smectite)、勃姆石(boehmite)、滑石、氧化铁、碳化硅、氧化锆等作为材料的微粒，它们能够单独使用1种或组合使用2种以上。其中，优选使用二氧化硅微粒、氧化铝微粒，特别优选使用二氧化硅微粒。
上述微粒优选进行表面处理。由此，树脂组合物中的微粒的分散性和填充性变得优异。作为上述表面处理剂，可列举出环氧基硅烷、乙烯基硅烷、硅氮烷(silazane)化合物、烷氧基硅烷、硅烷偶联剂等。它们可单独使用，也可组合使用。
上述微粒的平均粒径优选为0.01μm以上，特别优选为0.1μm以上，进一步优选为0.3μm以上。此外，上述微粒的平均粒径优选为100μm以下，特别优选为3.0μm以下，进一步优选为1.0μm以下。若微粒的平均粒径为上述范围，则树脂组合物层10的可挠性及柔软性易于变得优异，同时易于将微粒的含量调整为如上述范围那样的高填充率。此外，若微粒的平均粒径为1.0μm以下，则如上所述，在树脂组合物层10固化而成的固化层上形成重新布线层时，电极的形成性容易提高。
此外，上述微粒的最大粒径优选为0.05μm以上，特别优选为0.5μm以上。此外，该最大粒径优选为5μm以下，特别优选为3μm以下。通过使微粒的最大粒径为上述范围，容易将微粒填充在树脂组合物中，能够将固化时的热膨胀率抑制为较低。此外，如上所述地在树脂组合物层10固化而成的固化层上形成重新布线层时，容易形成微细的布线。
另外，本说明书中的微粒的平均粒径及最大粒径为使用粒度分布测定装置(Nikkiso Co.,Ltd.制造，产品名称“Nanotrack Wave-UT151”)，利用动态光散射法而测定的值。
树脂组合物中的微粒的含量优选为40质量％以上，特别优选为50质量％以上。此外，该含量优选为90质量％以下，特别优选为85质量％以下，进一步优选为80质量％以下。通过使微粒的含量为上述范围，树脂组合物层10固化而成的固化层的热膨胀系数及吸水率变得较小。此外，树脂组合物层10易于发挥优异的柔软性、流动性及粘合性。另外，微粒的上述含量为固体成分换算值。
(4)固化催化剂
优选本实施方式的树脂组合物进一步含有固化催化剂。由此，能够使热固化性树脂的固化反应有效地进行，能够使树脂组合物层10良好地固化。作为固化催化剂，例如可列举出咪唑类固化催化剂、胺类固化催化剂、磷类固化催化剂等。
上述固化催化剂可单独使用1种，也可同时使用2种以上。
树脂组合物中的固化催化剂含量优选为0.01质量％以上，特别优选为0.05质量％以上，进一步优选为0.1质量％以上。此外，该含量优选为2.0质量％以下，特别优选为1.5质量％以下，进一步优选为1.0质量％以下。通过使该含量为上述范围，能够使树脂组合物层10更良好地固化。另外，固化催化剂的上述含量为固体成分换算值。
(5)其它成分
本实施方式的树脂组合物也可以进一步含有增塑剂、稳定剂、增粘剂、着色剂、偶联剂、抗静电剂、抗氧化剂等。
(6)树脂组合物层的物性等
在本实施形态之树脂组成物层10表面的表面电阻率，优选为1.0×1012Ω/sq以上，特别优选为1.0×1013Ω/sq以上，进一步优选为1.0×1014Ω/sq以上。通过使该表面电阻率为上述范围，能够抑制短路等不良情况且能够得到具有优异的性能的半导体装置。上述表面电阻率的测定方法如后述试验例所记载。
可考虑用途等而设定树脂组合物层10的厚度。例如在半导体装置的制造中，将本实施方式的树脂片1用于电子元件的密封时，树脂组合物层10的厚度优选为20μm以上，更优选为50μm以上，特别优选为60μm以上，进一步优选为100μm以上。此外，该厚度优选为1000μm以下，特别优选为500μm以下，进一步优选为300μm以下。若树脂组合物层10的厚度为上述范围，则能够将电子元件密封且充分地埋入。
此外，在半导体装置的制造中，将本实施方式的树脂片1用于绝缘膜的形成时，树脂组合物层10的厚度没有特别限制，但优选为5μm以上，特别优选为10μm以上，进一步优选为15μm以上。此外，该厚度优选为80μm以下，特别优选为60μm以下，进一步优选为40μm以下。
2.第一支撑片
本实施方式的第一支撑片11具有抗静电性。因此，树脂组合物层10中，不容易产生由剥离静电导致的尘埃或尘土等异物的附着，而且异物不容易混入使用该树脂组合物层10而得到的半导体装置中。
优选本实施方式的第一支撑片11的表面电阻率为1×1011Ω/sq以下。通过使表面电阻率的上限值为上述，在采用面板级封装的半导体装置的制造中，能够更有效地抑制静电的产生。此外，表面电阻率的下限值没有特别限定，但通常优选为1×107Ω/sq以上。该表面电阻率的测定方法的详情如后述的试验例所示。
第一支撑片11具备支撑基材。可在该支撑基材的至少一面侧层叠有剥离剂层或粘着剂层。此外，第一支撑片11也可在支撑基材的至少一面侧具备含有抗静电剂的抗静电层。另外，第一支撑片11可以为以任意组合、任意顺序将支撑基材、剥离剂层、粘着剂层及抗静电层层叠而成的支撑片。
(1)支撑基材
只要能够保护树脂组合物层10，则构成第一支撑片11的支撑基材没有特别限定。例如，作为支撑基材，优选使用树脂膜、无纺布、纸等。作为该树脂膜的例子，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜等聚酯膜；聚乙烯膜、聚丙烯膜等聚烯烃膜；聚酰亚胺膜等。作为上述无纺布的例子，可列举出使用了人造纤维、丙烯酸、聚酯等纤维的无纺布。作为上述纸的例子，可列举出上等纸、玻璃纸(glassinepaper)、含浸纸、涂布纸等。
构成第一支撑片11的支撑基材可根据所需，对一面或两面实施底漆处理、电晕处理、等离子体处理、氧化处理等表面处理。
此外，上述支撑基材也可含有抗静电剂。作为此时的第一支撑片11的优选构成，可列举出如图2(a)所示的仅由含有抗静电剂的支撑基材111’形成的构成；如图2(b)所示的在支撑基材111’的一面侧具备剥离剂层112的构成；及如图2(c)所示的在该支撑基材的一面侧具备粘着剂层113的构成等。作为支撑基材111’所含有的抗静电剂，只要能够确保基于树脂片1的规定的剥离性，同时树脂片1能够发挥所需的抗静电性，则没有特别限定，例如能够使用后述的抗静电剂。
上述支撑基材的厚度通常为10μm以上、250μm以下。
(2)剥离剂层
第一支撑片11也可在上述支撑基材的至少一面侧具备剥离剂层。此时，树脂片1中，第一支撑片11的该剥离剂层侧的面与树脂组合物层10接触。
作为构成剥离剂层的剥离剂，没有特别限制，例如能够使用选自有机硅类剥离剂、醇酸类剥离剂、氟类剥离剂、长链烷基类剥离剂、烯烃树脂类剥离剂、丙烯酸类剥离剂及橡胶类剥离剂中的至少一种。
此外，剥离剂层也可含有抗静电剂。作为此时的第一支撑片11的优选构成，可列举出如图3所示的在支撑基材111的一面侧层叠有含有抗静电剂的剥离剂层112’的构成等。作为剥离剂层112’所含有的抗静电剂，只要能够确保基于树脂片1的规定的剥离性，同时树脂片1能够发挥所需的抗静电性，则没有特别限定，例如能够使用后述的抗静电剂。
(3)粘着剂层
第一支撑片11也可在上述支撑基材的至少一面侧具备粘着剂层。此时，树脂片1中，第一支撑片11的该粘着剂层侧的面与树脂组合物层10接触。
只要第一支撑片11对树脂组合物层10显示所需的粘着性，且能够从树脂组合物层10上剥离，则构成上述粘着剂层的粘着剂就没有特别限定。作为构成粘着剂层的粘着剂的例子，能够使用丙烯酸类粘着剂、橡胶类粘着剂、有机硅类粘着剂、氨基甲酸酯类粘着剂、聚酯类粘着剂、聚乙烯基醚类粘着剂等。粘着剂可单独使用1种，也可组合使用2种以上。
上述粘着剂层也可含有抗静电剂。作为此时的第一支撑片11的优选构成，可列举出如图4所示的在支撑基材111的一面侧层叠有含有抗静电剂的粘着剂层113’的构成等。作为粘着剂层113’所含有的抗静电剂，只要能够确保基于树脂片1的规定的剥离性，同时树脂片1能够发挥所需的抗静电性，则没有特别限定，例如能够使用后述的抗静电剂。
粘着剂层的厚度优选为1μm以上，特别优选为5μm以上，进一步优选为10μm以上。此外，该厚度优选为500μm以下，特别优选为100μm以下，进一步优选为50μm以下。
(4)抗静电层
第一支撑片11也可以具备抗静电层。第一支撑片11具备抗静电层时，作为该第一支撑片11的优选构成，可列举出如图5(a)所示的支撑基材111与抗静电层114依次层叠而成的构成；如图5(b)所示的支撑基材111、抗静电层114及剥离剂层112依次层叠而成的构成；如图5(c)所示的抗静电层114、支撑基材111及剥离剂层112依次层叠而成的构成；如图5(d)所示的支撑基材111、抗静电层114及粘着剂层113依次层叠而成的构成；及如图5(e)所示的抗静电层114、支撑基材111及粘着剂层113依次层叠而成的构成等。
优选抗静电层为由含有粘结剂树脂与抗静电剂的抗静电层用组合物构成的层。
作为上述粘结剂树脂，优选含有选自由聚酯树脂、氨基甲酸酯树脂及丙烯酸树脂组成的组中的至少一种作为主成分的粘结剂树脂。这些树脂可以为热固化性化合物，也可以为紫外固化性化合物。
除了上述成分以外，抗静电层用组合物也可以含有交联剂、流平剂、防污剂等。
抗静电层的厚度通常优选为0.01μm以上，特别优选为0.03μm以上。此外，该厚度优选为10μm以下，特别优选为5μm以下，进一步优选为3μm。
(5)抗静电剂
作为抗静电剂，例如优选使用选自导电性高分子、导电性微粒、离子性化合物及含季铵盐的化合物中的至少一种。
作为上述导电性高分子，能够使用以往公知的物质，其中，优选聚噻吩类、聚苯胺类或聚吡咯类的导电性高分子。导电性高分子可单独使用1种，也可组合使用2种以上。
作为聚噻吩类的导电性高分子，例如可列举出聚噻吩、聚(3-烷基噻吩)、聚(3-噻吩-β-乙磺酸)、聚亚烷基二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸盐(PSS)的混合物(包含经掺杂的物质)等。其中，优选聚亚烷基二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸盐的混合物。作为上述聚亚烷基二氧基噻吩，可列举出聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)(PEDOT)、聚亚丙基二氧基噻吩、聚(亚乙基/亚丙基)二氧基噻吩等，其中，优选聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)。即，上述之中，特别优选聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)与聚苯乙烯磺酸盐的混合物(掺杂有PSS的PEDOT)。
作为聚苯胺类的导电性高分子，例如可列举出聚苯胺、聚甲基苯胺、聚甲氧基苯胺等。
作为聚吡咯类的导电性高分子，例如可列举出聚吡咯、聚3-甲基吡咯、聚3-辛基吡咯等。
作为上述导电性微粒的例子，可列举出氧化锡、氧化锡锑(ATO)、氧化铟-氧化锡(ITO)、氧化锌、五氧化锑等导电性无机微粒，或有机硅微粒等有机微粒的表面经导电性化合物覆盖而成的微粒，或碳微粒等导电性微粒。
上述离子性化合物在室温下可为液体也可为固体，从即使被暴露于耐久条件下也容易表现稳定的抗静电性的角度出发，优选在室温下为固体。此处，本说明书中的离子性化合物是指阳离子与阴离子主要通过静电引力连结而成的化合物。
作为离子性化合物的例子，优选含氮鎓盐、含硫鎓盐、含磷鎓盐、碱金属盐或碱土金属盐，从得到的支撑基材的耐久性优异的角度出发，特别优选含氮鎓盐或碱金属盐，进一步优选含氮鎓盐。优选含氮鎓盐为由含氮杂环阳离子和其平衡阴离子(counter anion)构成的离子性化合物。
作为含氮杂环阳离子的含氮杂环骨架，优选吡啶环、嘧啶环、咪唑环、三唑环、吲哚环等，其中，优选吡啶环。此外，作为碱金属盐的阳离子，优选锂离子、钾离子或钠离子，特别优选锂离子或钾离子。
另一方面，作为构成上述离子性化合物的阴离子，可优选列举出卤化磷酸阴离子或磺酰亚胺类阴离子。作为卤化磷酸阴离子，可优选列举出六氟磷酸盐等。此外，作为磺酰亚胺类阴离子，可优选列举出双(氟烷基磺酰基)酰亚胺或双(氟磺酰基)酰亚胺等。
作为上述离子性化合物的具体例，可列举出N-丁基-4-甲基吡啶鎓六氟磷酸盐、N-己基-4-甲基吡啶鎓六氟磷酸盐、N-辛基吡啶鎓六氟磷酸盐、N-辛基-4-甲基吡啶鎓六氟磷酸盐、N-十二烷基吡啶鎓六氟磷酸盐、N-十四烷基吡啶鎓六氟磷酸盐、N-十六烷基吡啶鎓六氟磷酸盐、N-十二烷基-4-甲基吡啶鎓六氟磷酸盐、N-十四烷基-4-甲基吡啶鎓六氟磷酸盐、N-十六烷基-4-甲基吡啶鎓六氟磷酸盐等吡啶鎓六氟磷酸盐类化合物；N-癸基吡啶鎓双(氟磺酰基)酰亚胺、1-乙基吡啶鎓双(氟磺酰基)酰亚胺、1-丁基吡啶鎓双(氟磺酰基)酰亚胺、1-己基吡啶鎓双(氟磺酰基)酰亚胺、1-丁基-3-甲基吡啶鎓双(氟磺酰基)酰亚胺、1-丁基-4-甲基吡啶鎓双(氟磺酰基)酰亚胺、1-己基-3-甲基吡啶鎓双(氟磺酰基)酰亚胺、1-丁基-3,4-二甲基吡啶鎓双(氟磺酰基)酰亚胺、双(氟磺酰基)酰亚胺钾、双(氟磺酰基)酰亚胺锂、双(氟甲磺酰基)酰亚胺钾、双(氟甲磺酰基)酰亚胺锂等氟磺酰亚胺类化合物等。以上的离子性化合物可单独使用1种，也可组合使用2种以上。
作为上述含季铵盐的化合物的例子，可列举出吡咯烷鎓(pyrrolidium)环、烷基胺的季化物、以及将它们与丙烯酸或甲基丙烯酸共聚而成的物质、N-烷氨基丙烯酰胺的季化物、乙烯基苄基三甲基铵盐、2-羟基3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲基铵盐等。
抗静电剂的含量可根据目标的抗静电性而适当地决定。具体而言，相对于添加的层的树脂成分整体，抗静电剂的含量优选为0.01质量％以上，特别优选为0.1质量％以上。此外，该含量优选为50质量％以下，特别优选为30质量％以下。通过使上述抗静电剂的含量为上述范围，能够有效地发挥树脂片1的抗静电性而不损害添加的层的功能。
3.第二支撑片
作为构成第二支撑片12的支撑基材，能够使用与构成第一支撑片11的支撑基材相同的树脂膜、无纺布、纸等。
第二支撑片12的与树脂组合物层10的接触面可利用剥离剂进行剥离处理，也可不进行剥离处理。作为该剥离剂，优选使用选自有机硅类剥离剂、醇酸类剥离剂、氟类剥离剂、长链烷基类剥离剂、烯烃树脂类剥离剂、丙烯酸类剥离剂及橡胶类剥离剂中的至少一种。
第二支撑片12的厚度没有特别限制，通常为20μm以上、250μm以下。
4.树脂片的物性
在温度23℃、相对湿度50％的环境下，以10m/分钟的剥离速度将第一支撑片11从本实施方式的树脂片1的树脂组合物层10上剥离时，剥离5秒后测定的第一支撑片11的树脂组合物层10侧的面的剥离静电压的绝对值优选小于200V。通过使剥离静电压的绝对值为上述，在将第一支撑片11从树脂组合物层10上剥离时，树脂组合物层10不容易产生剥离静电，能够有效地抑制由剥离静电导致的空气中的尘埃或尘土等异物附着于树脂组合物层10。此外，通过使剥离静电压的绝对值为上述，在采用面板级封装的半导体装置的制造中，能够使用树脂片1制造良好质量的半导体装置。上述剥离静电压的绝对值的下限值没有特别限定，但优选为0V。另外，剥离静电压的绝对值的测定方法的详情如后述的试验例所示。
5.树脂片的制造方法
本实施方式的树脂片1例如能够通过在第二支撑片12上形成树脂组合物层10后，将另外准备的第一支撑片11贴合于该树脂组合物层10的与第二支撑片12相反侧的面上而制造。
此时，树脂组合物层10例如通过下述方式形成：制备含有上述树脂组合物、及根据所需而进一步含有溶剂或分散介质的涂布液，使用旋转涂布法、喷雾涂布法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、辊式刮刀涂布法、刮片涂布法、模具涂布法、凹版涂布法等公知的方法将该涂布液涂布在上述第二支撑片12的一面(利用剥离剂进行处理时，为其剥离处理面)上而形成涂膜，并使该涂膜干燥而形成树脂组合物层10。接着，通过将得到的树脂组合物层10侧的面与第一支撑片11贴合能够制造树脂片1。
[半导体装置]
本实施方式的半导体装置具备使本实施方式的树脂片1中的树脂组合物层10固化而成的固化层。此处，本实施方式的半导体装置也可具备固化层作为密封电子元件的层，或者，也可具备固化层作为绝缘膜。优选本实施方式的半导体装置为采用面板级封装而制造的半导体装置，作为其具体例，可列举出采用面板级的扇出型封装技术(FOPLP)而制造的半导体封装等。
如上所述，本实施方式的树脂片通过使第一支撑片11具有抗静电性，同时通过使第一支撑片11的剥离静电压的绝对值为上述范围，在将第一支撑片11从树脂片1上剥离时，不容易产生树脂组合物层10的剥离静电。因此，树脂组合物层10中，不容易产生由剥离静电导致的尘埃或尘土等异物的附着，异物不容易混入具备使该树脂组合物层10固化而成的固化层的半导体装置。而且，使用该树脂片1制造的本实施方式的半导体装置具有良好的质量。
如上所述，本实施方式的树脂片1中，不容易产生由剥离静电导致的异物对树脂组合物层10的附着。其结果，通过使用本实施方式的树脂片1，能够制造具有优异的质量的半导体装置。尤其是根据本实施方式的树脂片1，例如能够制造采用面板级的扇出封装(FOPLP)而制成的半导体封装等，以此方式，即便当树脂片1的尺寸为较大面积时，也能够有效地抑制由剥离静电导致的、尘埃或尘土等异物对树脂组合物层10的附着，其结果，能够制造高质量的半导体封装。
以上所说明的实施方式是为了容易理解本发明而记载的，并不是为了限定本发明而记载。因此，上述实施方式中公开的各要素为也包含属于本发明的技术范围的全部的设计变更或均等物的宗旨。
实施例
以下，利用实施例及试验例等对本发明进行进一步详细的说明，但是本发明并不受下述试验例等的限定。
[实施例1]
(1)第一支撑片的制作
将作为抗静电剂的聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)与聚苯乙烯磺酸盐的混合物(掺杂有PSS的PEDOT)、作为粘结剂树脂的聚酯树脂、交联剂、及流平剂混合，制备了抗静电层形成用的涂布液。
将所得到的涂布液涂布在作为支撑基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(MitsubishiChemical Polyester film Corporation.制造，产品名称“PET38T-100”，厚度：38μm)的一面上，并将得到的涂膜干燥从而形成了厚度50nm的抗静电层。
接着，使用迈耶棒将醇酸类剥离剂均匀地涂布在所得到的支撑基材与抗静电层的层叠体的抗静电层侧的面上后，在100℃下干燥30秒钟，形成了厚度0.1μm的剥离剂层。由此，得到了剥离剂层/抗静电层/支撑基材依次层叠而成的第一支撑片。
(2)树脂组合物层的形成
将作为热塑性树脂的双酚A型苯氧基树脂(Mitsubishi ChemicalCorporation.制造，产品名称“jER1256”)5.1质量份(固体成分换算，在本段落中以下相同)、作为热固化性树脂的双酚A型环氧树脂(Mitsubishi Chemical Corporation.制造，产品名称“jER828”)5.7质量份、作为热固化性树脂的联苯型环氧树脂(Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造，产品名称“NC-3000-L”)5.7质量份、作为热固化性树脂的萘型环氧树脂(DIC CORPORATION制造，产品名称“HP-4700”)4.1质量份、作为热固化性树脂的联苯型苯酚(MEIWA PLASTICINDUSTRIES,LTD.制造，产品名称“MEHC-7851-SS”)14.1质量份、作为咪唑类固化催化剂的2-乙基-4-甲基咪唑(SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION.制造，产品名称“2E4MZ”)0.1质量份、作为微粒的环氧基硅烷处理二氧化硅填料[使用3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造，产品名称“KBM-403”，最小覆盖面积：330m2/g)对二氧化硅填料(ADMATECHS.制造，产品名称“SO-C2”，平均粒径：0.5μm，最大粒径：2μm，形状：球状)进行表面处理而成]65质量份在甲基乙基酮中混合，得到了固体成分浓度为40质量％的树脂组合物的涂布液。
将如上所述而得到的涂布液涂布在作为第二支撑片的、利用醇酸类剥离剂对聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的一面进行了剥离处理的剥离膜(LINTEC CORPORATION.制造，产品名称“PET38AL-5”，厚度：38μm)的剥离处理面上，通过将所得到的涂膜在烘箱中、于100℃干燥1分钟，得到了厚度50μm的树脂组合物层与第二支撑片的层叠体。
(3)树脂片的制作
通过将在上述工序(1)中制作的第一支撑片的剥离剂层侧的面与在上述工序(2)中制作的层叠体的树脂组合物层侧的面贴合，得到了第一支撑片、树脂组合物层、及第二支撑片依次层叠而成的树脂片。
[实施例2]
(1)第一支撑片的制作
将丙烯酸酯共聚物(丙烯酸2-乙基己酯92.8质量％、丙烯酸2-羟基乙酯7.0质量％、及丙烯酸0.2质量％的共聚物)40质量份(固体成分换算、在本段落中以下相同)、作为粘着助剂的两末端羟基氢化聚丁二烯(NIPPON SODA CO.,LTD.制造，产品名称“GI-1000”)5质量份、作为交联剂的具有六亚甲基二异氰酸酯的脂肪族类异氰酸酯(NipponPolyurethane Industry Co.,Ltd.制造，产品名称“CORONATE HX”)3.5质量份及抗静电剂在甲基乙基酮中混合，制备了固体成分浓度为30质量％的粘着剂组合物的涂布液。
接着，使用辊涂机将制备的粘着剂组合物的涂布液涂布在利用有机硅类剥离剂对聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的一面进行了剥离处理的剥离膜(LINTEC CORPORATION.制造，产品名称“SP-PET382150”，厚度：38μm)的剥离处理面上，通过将所得到的涂膜在90℃下加热90秒钟，接着在115℃下加热90秒而使其干燥，形成了厚度50μm的含有抗静电剂的粘着剂层。由此，得到了含有抗静电剂的粘着剂层与剥离膜的层叠体。
接着，通过将所得到的层叠体的含有抗静电剂的粘着剂层侧的面贴合在作为支撑基材的透明聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(TOYOBO CO.,LTD.制造，产品名称“PET50A-4300”，厚度：50μm)的一面上，得到了由含有抗静电剂的粘着剂层与支撑基材构成的第一支撑片，其中，含有抗静电剂的粘着剂层的与支撑基材相反侧的面上层叠有剥离膜。
(2)树脂组合物层的形成
通过将剥离膜从在上述工序(1)中制作的第一支撑片上剥离，并将在实施例1的工序(2)中制作的层叠体的树脂组合物层侧的面贴合在露出的含有抗静电剂的粘着剂层的露出面上，得到了第一支撑片、树脂组合物层、及第二支撑片依次层叠而成的树脂片。
[实施例3]
以不形成抗静电层，而在支撑基材的一面侧形成含有抗静电剂的剥离剂层的方式得到第一支撑片，除了使用了该第一支撑片以外，利用与实施例1相同的方式得到了树脂片。
[实施例4]
除了将含有抗静电剂的支撑基材用作第一支撑片以外，利用与实施例1相同的方式得到了树脂片。
[比较例1]
除了将利用醇酸类剥离剂对聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的一面进行了剥离处理的剥离膜(LINTEC CORPORATION.制造，产品名称
“PET38AL-5”，厚度：38μm)用作第一支撑片以外，利用与实施例1相同的方式得到了树脂片。
[试验例1](表面电阻率的测定)
使用低电阻率计(Mitsubishi Chemical Analytech Co.,Ltd.制造，产品名称“Loresta GP MCP-T610型”)，对将第一支撑片从实施例及比较例中制造的树脂片上剥离而露出的树脂组合物层的露出面、及该剥离的第一支撑片的树脂组合物侧的面进行3次表面电阻率(Ω/sq)的测定，并计算出了其平均值(Ω/sq)。将结果示于表1。
[试验例2](异物附着性的评价)
将实施例及比较例中制造的树脂片裁断为500mm×400mm的大小。对于实施例1和2以及比较例1的树脂片，将第二支撑片剥离，并将露出的树脂组合物层的露出面层叠在玻璃板上。对于实施例3的树脂片，将树脂组合物层的与第一支撑片相反侧的面层叠在玻璃板上。然后，将第一支撑片从树脂组合物层上剥离。然后，从玻璃板侧确认树脂组合物层表面的尘埃或尘土等异物的存在，并基于以下基准，对树脂组合物层的异物附着性进行了评价。将结果示于表1。
A：不存在异物。
B：存在异物。
[试验例3](剥离静电压的绝对值的测定)
将实施例及比较例中制造的树脂片裁断为宽度25mm、长度100mm并将其作为了样品。在温度23℃、相对湿度50％的环境下，将第一支撑片以10m/min的剥离速度从样品上剥离，在剥离5秒后使用静电测定器(SIMCO JAPAN.制造，产品名称“FMX-003”)测定了第一支撑片的树脂组合物层10侧的面的剥离静电压的绝对值(V)。将结果示于表1。
[表1]
如表1所示，根据剥离静电压的测定结果可知，就实施例的树脂片而言，将支撑片从树脂组合物层上剥离时的抗剥离静电性优异，且能够抑制剥离支撑片后的异物的附着。
工业实用性
本发明的树脂片适合于要求使用大面积的树脂片的半导体装置的制造，具体而言，能够适用于采用面板级封装的半导体装置的制造。

Claims (10)

1.一种树脂片，其为在采用面板级封装的半导体装置的制造中，用于电子元件的密封或绝缘膜的形成的树脂片，其特征在于，
所述树脂片具备第一支撑片、及层叠在所述第一支撑片的一面上的树脂组合物层，
所述第一支撑片具有抗静电性，
以剥离速度10m/分钟将所述第一支撑片从所述树脂组合物层上剥离时的、所述第一支撑片的剥离静电压的绝对值小于200V。
2.根据权利要求1所述的树脂片，其特征在于，所述树脂组合物层的表面的表面电阻率为1.0×1012Ω/sq以上。
3.根据权利要求1所述的树脂片，其特征在于，所述第一支撑片具备含有抗静电剂的抗静电层。
4.根据权利要求1所述的树脂片，其特征在于，所述第一支撑片具备含有抗静电剂的支撑基材。
5.根据权利要求1所述的树脂片，其特征在于，所述第一支撑片具备含有抗静电剂的剥离剂层。
6.根据权利要求1所述的树脂片，其特征在于，所述第一支撑片具备含有抗静电剂的粘着剂层。
7.根据权利要求1所述的树脂片，其特征在于，所述第一支撑片的表面电阻率为1×1011Ω/sq以下。
8.根据权利要求1所述的树脂片，其特征在于，所述树脂组合物层由含有热固化性树脂的树脂组合物形成。
9.根据权利要求1所述的树脂片，其特征在于，所述树脂片具备层叠在所述树脂组合物层的与所述第一支撑片相反侧的面上的第二支撑片。
10.一种半导体装置，其特征在于，具备使权利要求1～9中任一项所述的树脂片中的树脂组合物层固化而成的固化层。
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