TW201911976A - 電漿處理裝置及氣體噴淋頭 - Google Patents

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Abstract

[課題] 以改善電漿製程之均勻性為目的。 　　[解決手段] 提供一種電漿處理裝置，其係對被載置於處理容器內之載置台的基板進行電漿處理的電漿處理裝置，具有:金屬窗，其具有複數導電性之部分窗部，且與上述載置台相向而被形成在上述處理容器：絕緣物之區隔構件，其係被設置在部分窗部之間，及上述部分窗部和上述處理容器之間；天線，其係被設置在上述金屬窗之上方側，藉由感應耦合將處理氣體予以電漿化；及絕緣體之蓋構件，其係覆蓋上述區隔構件之上述處理容器之側的表面，且跨過鄰接之上述部分窗部之邊緣部，複數上述部分窗部各自具有複數第1氣孔，上述蓋構件具有複數第2氣孔，且以在該蓋構件之內部，複數上述第1氣孔中之至少任一個與複數上述第2氣孔連通之方式，在上述處理容器之側的表面延伸。

Description

電漿處理裝置及氣體噴淋頭
本發明係關於電漿處理裝置及氣體噴淋頭。
藉由感應耦合將處理氣體予以電漿化，對被載置於處理容器內之載置台的被處理基板進行電漿處理之感應耦合型之電漿處理裝置眾所皆知。在如此之電漿處理裝置中，提案有在被設置在電漿處理裝置之上部的成為金屬窗的板狀構件設置複數氣孔，從複數氣孔對處理容器內供給處理氣體的氣體噴淋頭(例如，參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2017-27775號公報 　　[專利文獻2]日本專利第5582816號說明書 　　[專利文獻3]日本特開2013-149377號公報 　　[專利文獻4]日本專利第3599619號說明書 　　[專利文獻5]日本特開2015-22806號公報 　　[專利文獻6]日本特開2014-179311號公報
[發明所欲解決之課題]
在金屬窗被分割成複數部分窗部之情況，藉由絕緣體區隔部分窗部間，依此而電性絕緣鄰接之部分窗部之間，使高頻之電流不會跨越鄰接的部分窗部間而流通。在如此之金屬窗的構造中，因無法在部分窗部之間設置氣孔，難以對位於部分窗部間之下方的處理容器內之空間供給氣體。其結果，在部分窗部之間之下方的蝕刻率下降等之電漿製程的結果產生分布。
對此，可考慮增加供給至處理容器內的氣體流量，提高部分窗部之間之下方的蝕刻率。但是，在此情況，無法改善部分窗部之正下方之蝕刻率過高之蝕刻等之電漿製程的均勻性。
針對上述課題，本發明之一觀點係以改善電漿製程之均勻性為目的。 [用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，若藉由一態樣時，提供一種電漿處理裝置，其係對被載置於處理容器內之載置台的被處理基板進行電漿處理的電漿處理裝置，具有:金屬窗，其具有複數導電性之部分窗部，且與上述載置台相向而被形成在上述處理容器：絕緣物之區隔構件，其係被設置在部分窗部之間，及上述部分窗部和上述處理容器之間；天線，其係被設置在上述金屬窗之上方側，藉由感應耦合將處理氣體予以電漿化；及絕緣體之蓋構件，其係覆蓋上述區隔構件之上述處理容器之側的表面，且跨過鄰接之上述部分窗部之邊緣部，複數上述部分窗部分別具有複數第1氣孔，上述蓋構件具有複數第2氣孔，且以在該蓋構件之內部，複數上述第1氣孔中之至少任一個與複數第2氣孔連通之方式，在上述處理容器之側的表面延伸。 　　 [發明效果]
若藉由一觀點，可以改善電漿製程之均勻性。
以下，針對用以實施本發明之型態，參照圖面予以說明。另外，本說明書及圖面中，針對實質上相同之構成，藉由賦予相同之符號，省略重複之說明。
(電漿處理裝置之全體構成) 　　首先，針對與本發明之一實施型態有關之電漿處理裝置1之全體構成，一面參照圖1一面進行說明。圖1為表示本發明之一實施型態所涉及之電漿處理裝置1之全體構成。在本實施型態中，作為電漿處理裝置1之一例，舉出感應耦合型之電漿蝕刻裝置。
但是，與本實施型態有關之電漿處理裝置1不限定於蝕刻裝置，即使為感應耦合型之成膜裝置亦可。電漿處理裝置1可以使用於形成在作為被處理基板亦即矩形基板，例如FPD(Flat Panel Display)用之玻璃基板(以下，記載為「基板G」)上形成薄膜電晶體之時的金屬膜、ITO(Indium Tin Oxide)膜、氧化膜等之成膜處理，或蝕刻該些膜之蝕刻處理、光阻膜之灰化處理等之各種電漿處理。在此，作為FPD，例示有液晶顯示器(LCD:Liquid Crystal Display)、電激發光(EL:Electro Luminescence)顯示器、電漿顯示面板(PDP:Plasma Display Panel)等。再者，電漿處理裝置1不限定於FPD用之基板G，對於太陽電池面板用之基板G亦可以使用於上述各種電漿處理。
電漿處理裝置1具有由導電性材料，例如內壁面被陽極氧化處理之由鋁所構成之角筒形狀之處理容器10。處理容器10被電性接地。在處理容器10之上面形成開口，開口藉由金屬窗3被氣密封閉。藉由處理容器10及金屬窗3包圍的空間係生成電漿的電漿處理空間U。
在處理容器10之側壁之上面側，設置有金屬框11。在金屬窗3之上方側配置頂板部61，頂板部61係藉由被設置在金屬框11上之側壁部63被支持。在處理容器10和金屬框11之間，設置O型環等之密封構件110，成為將電漿處理空間U保持氣密。處理容器10及金屬框11構成本實施型態之處理容器10。在電漿處理空間U之側壁，設置有用以搬入搬出玻璃基板G之搬入搬出口101及關閉搬入搬出口101之閘閥102。
以金屬窗3、側壁部63及頂板部61包圍之空間成為天線室50。在天線室50之內部，以面對部分窗部30之方式，配置有高頻天線5。高頻天線5被配置成經例如無圖示之絕緣體所構成之間隔物而與部分窗部30間隔開。高頻天線5係在與各部分窗部30對應之面內，以沿著矩形狀之金屬窗3之周方向環繞之方式，形成漩渦狀。另外，高頻天線5之形狀並不限定於渦旋，即使為使一條或複數之天線線成為環狀之環狀天線亦可。另外，若在與金屬窗3或構成金屬窗3之各部分窗部30對應之面內，以沿著其周方向環繞之方式設置天線線時，則不論高頻天線5之構造如何。
如圖1及從電漿處理空間U側俯視金屬窗3之圖2所示般，被設置在處理容器10之側壁之上面側的金屬框11，係由鋁等之金屬所構成的矩形狀之框體。
金屬窗3被分割成複數部分窗部30。各部分窗部30係藉由例如非磁性體且導電性之金屬、鋁或包含鋁之合金等被構成。部分窗部30因應所需被分割成各種形狀及各種數量。金屬框11和部分窗部30之間及相鄰的部分窗部30之間因應部分窗部30之分割形狀，藉由絕緣體之區隔構件31被區隔。
互相被分割之部分窗部30藉由絕緣構件31與金屬框11或其下方側之處理容器10電性絕緣，並且相鄰之部分窗部30彼此藉由區隔構件31被電性絕緣。
區隔構件31藉由例如鐵氟龍(註冊商標)或樹脂製之絕緣物而被形成。被供給至高頻天線5之高頻的電流流通複數部分窗部30之各表面，藉由在處理容器10側之表面流通的電流，產生感應電場，藉由產生的感應電場，處理氣體在金屬窗3之下方背離。
在本實施型態中，藉由區隔構件31被絕緣的複數部分窗部30分別被電性分離。因此，在與本實施型態有關之電漿處理裝置1中，在各部分窗部30分別產生感應電場。依此，藉由各部分窗部30之大小或配置，控制產生在複數部分窗部30之感應電場，可以控制在金屬窗3之處理容器10側之表面產生的感應電場，可以改善蝕刻率之分布。
區隔構件31之處理容器10側之表面藉由絕緣體之蓋構件32被覆蓋。為了保護區隔構件31避免受到電漿影響，蓋構件32以覆蓋區隔構件31之電漿處理空間U側之所有表面為佳。但是，當藉由蓋構件32覆蓋區隔構件31之電漿處理空間U側之所有表面時，露出於處理空間U側之部分窗部30之面積變小。因電漿被生成在露出於部分窗部30之處理空間U側之部分的附近，故當部分窗部30之面積變小時，電漿之強度變弱。再者，感應電場藉由蓋構件32之陶瓷之突出而變弱。依此，以藉由蓋構件32覆蓋區隔構件31之電漿處理空間U側之最小範圍為佳。
再者，如圖1所示般，在各部分窗部30內形成有調溫流路307。部分窗部30藉由使冷卻媒體或加熱媒體流通調溫流路307，被調節成事先設定的溫度。
與本實施型態有關之蓋構件32被分割成複數，且被配置成覆蓋區隔構件31之一部分。例如，各蓋構件32係由被成形細長的平板狀之氧化鋁等的陶瓷製構件所構成。依此，可以適當地特定複數蓋構件32覆蓋金屬窗3之處理容器10側之面積。在本實施型態中，蓋構件32覆蓋金屬窗3之對角線及中央之區隔構件31。但是，覆蓋區隔構件31之複數蓋構件32之尺寸或配置，不限於此，可以因應部分窗部30之分割數或部分窗部30之形狀而採用各種圖案。即使進一步分割蓋構件32之大小，或改變蓋構件32之數量亦可。蓋構件32可以考慮電漿之強度而配置成覆蓋區隔構件31之任意處的一部分或全部。
在電漿處理裝置1中，區隔構件31採用PTFE(Polytetrafluoroethylene)等之氟樹脂。例如，PTFE係體積電阻率為＞1018 [Ω･cm(23℃)]，密度為2.1～2.2[g/cm3 ]左右。比起藉由採用如此之樹脂製之區隔構件31，例如採用氧化鋁(體積電阻率＞1014 左右[Ω･cm(23℃)]左右、密度3.9左右[g/cm3 ])作為區隔構件31之材料之情況，可以同時實現高絕緣性能，和包含區隔構件31之金屬窗3的輕量化。
如圖1及圖2所示般，在複數部分窗部30分別形成有在電漿處理空間U側開口的多數氣孔302。雖然在圖2僅圖示氣孔302之一部分，但是多數氣孔302被形成在所有的部分窗部30。再者，在複數蓋構件32分別形成有在電漿處理空間U側開口的多數氣孔402。依此，如此之構成的複數部分窗部30及複數蓋構件32具有用以供給處理氣體之氣體噴淋頭之功能。
為了提升部分窗部30之耐電漿性，各部分窗部30之處理容器10側之表面被進行耐電漿塗佈。作為耐電漿塗佈之具體例可以舉出陽極氧化處理或陶瓷熔射處理。
返回圖1，在與電漿處理空間U之金屬窗3相向之側，設置有用以載置基板G之載置台13。載置台13係由導電性材料，例如表面被陽極氧化處理之鋁所構成。被載置於載置台13之基板G即使藉由靜電挾盤被吸附保持亦可。載置台13經由絕緣體框14被設置在處理容器10之底面。
在載置台13，經由匹配部151連接有第2之高頻電源152。第2高頻電源152對載置台13施加偏壓用之高頻電力，例如頻率為3.2MHz之高頻電力。可以藉由偏壓用之高頻電力，將電漿中之離子導入至基板G。另外，在載置台13內，為了控制基板G之溫度，可以設置對作為加熱手段或冷卻手段而發揮功能之冷凝器等之調溫機構、對基板G之背面供給傳熱氣體的機構。
在處理容器10之底面形成排氣口103，在該排氣口103連接有渦輪分子泵或乾式泵等之排氣裝置12。電漿處理空間U之內部，藉由排氣裝置12被真空排氣成電漿處理時之壓力。
在各高頻天線5，經由匹配部511連接有第1之高頻電源512。在各高頻天線5，從第1高頻電源512被供給例如13.56MHz之高頻電力。依此，在電漿處理中，部分窗部30之各個表面激起渦電流，藉由該渦電流在電漿處理空間Ｕ之內部形成感應電場。處理氣體從被設置在金屬窗3之複數氣孔302及複數氣孔402被供給至電漿處理空間U，藉由感應電場在電漿處理空間U之內部被電漿化。
如圖1所示般，被形成在各部分窗部30之內部的氣體擴散室301經氣體供給管41而被連接於氣體供給源42。從氣體供給源42供給先前已述之成膜處理、蝕刻處理、灰化處理等所需要的處理氣體。從氣體供給源42被供給之處理氣體從氣體供給管41通過氣體擴散室301，從被形成在電漿處理空間U之頂板面側的多數氣孔302、402噴淋狀地被供給至電漿處理空間U內。另外，為了方便圖示，雖然在圖1中表示將氣體供給源42連接於一個部分窗部30之狀態，但是實際上，各部分窗部30之氣體擴散室301被連接於氣體供給源42。
在電漿處理裝置1設置有控制部8。控制部8係由具有CPU(Central Processing Unit)和記憶體之電腦所構成，在記憶體記錄有配方(程式)，該配方係用以實行使配置有基板G之電漿處理空間U內真空排氣，使用高頻天線5而使處理氣體予以電漿化而處理基板G的動作。配方即使被儲存於例如硬碟、CD、光磁性碟、記憶卡等之記憶媒體，被安裝於記憶體亦可。
在上述說明之構成的電漿處理裝置1中，成為部分窗部30間藉由絕緣體之區隔構件31被區隔，在各部分窗部30內流通之電流不流通於鄰接之部分窗部30或處理容器10側。在如此之構造中，當被供給至鄰接之部分窗部30之間的下方的氣體少時，被生成的電漿在鄰接之部分窗部30間之下方變弱，蝕刻率等之分布無改善。
於是，被配置在與本實施型態有關的電漿處理裝置1的金屬窗3之氣體噴淋頭，藉由在蓋構件32設置多數氣孔402，成為也能夠從鄰接之部分窗部30間之下方供給處理氣體。以下，針對與第1及第2實施型態有關之金屬窗3之氣體噴淋頭之構成的詳細，一面比較與比較例有關的金屬窗3之氣體噴淋頭，一面參照圖3～圖5而予以說明。
(金屬窗之氣體噴淋頭) 　　圖3(a)之上圖表示安裝於金屬窗3之氣體噴淋頭之處理容器10側之表面的與比較例有關的蓋構件2之剖面之一例。圖3(a)之下圖表示處理容器10之頂板面之左上1/4的平面。圖3(a)之上圖之剖面為圖3(a)之下圖的A-A剖面。在圖3(a)之下圖中，省略氣孔302。
圖3(b)之上圖表示在金屬窗3之氣體噴淋頭之處理容器10側之表面，安裝與第1實施型態有關的蓋構件32之時的剖面之一例。圖3(b)之下圖表示處理容器10之頂板面之左上1/4的平面。圖3(b)之上圖之剖面為圖3(b)之下圖的B-B剖面。
(與比較例有關之蓋構件) 　　圖3(a)所示之安裝於金屬窗3之氣體噴淋頭之處理容器10側之表面的比較例之蓋構件2為板狀構件，覆蓋被設置在鄰接之部分窗部30的絕緣物之區隔構件31之處理容器10側之表面。在如此之構成中，處理氣體係在部分窗部30內之氣體擴散室301擴散，從氣孔302被供給至處理容器內之部分窗部30之下方。在如此之構成中，因處理氣體不被供給至被安裝於部分窗部30之間的蓋構件2之下方，故在蓋構件2之下方，蝕刻率下降。
(與第1實施型態有關之蓋構件) 　　對此，圖3(b)所示之安裝於部分窗部30之間之處理空間10側之表面的與第1實施型態有關之蓋構件32，覆蓋區隔構件31，保護區隔構件31避免受到電漿影響，同時跨過鄰接之部分窗部30之邊緣部而被配置。
在蓋構件32之內部，於區隔構件31之兩側，沿著區隔構件31之長邊方向平行設置有兩個氣體擴散室401。在蓋構件32，於部分窗部30之下方之位置，形成有與氣體擴散室401連通之複數氣孔402。在本實施型態中，以複數氣孔302中之至少任一個與複數氣孔402連通之方式，蓋構件32在處理容器10側之表面延伸。依此，在氣體擴散室401，從複數氣孔302中之至少任一者供給處理氣體。
如在圖4(a)表示與第1實施型態有關之蓋構件32的俯視圖般，複數氣孔302中，被形成在各部分窗部30之邊緣部(最外側或其附近)之氣孔302被蓋構件32覆蓋。在蓋構件32，於區隔構件31之下方附近且複數氣孔302之間，形成有與氣體擴散室401連通之複數氣孔402。在本實施型態中，設置從被設置在蓋構件32之複數氣孔402供給處理氣體的氣體供給路R2。
在氣體供給路R2中，從被形成在各部分窗部30之邊緣部的氣孔302對氣體擴散室401供給處理氣體。在氣體供給路R2中，處理氣體係從氣體擴散室301經由氣孔302被供給至氣體擴散室401，從複數氣孔402噴淋狀地被導入至處理容器10內之部分窗部30之間的下方。再者，在氣體供給路R1中，處理氣體從分別被形成在部分窗部30之多數氣孔302噴淋狀地被導入至處理容器10內之部分窗部30之下方。依此，可以將處理氣體從被形成在部分窗部30之多數氣孔302、402噴淋狀地導入至處理容器10內。
圖4(b)表示第1實施型態之變形例。氣體供給路R2即使設置在氣孔302之每一處亦可，此時，如圖4(b)之變形例所示般，擴散室401需要複數處。
如上述般，在本實施型態中，除氣體供給路R1之外，也形成氣體供給路R2。依此，在本實施型態中，可以使用氣體供給路R1將處理氣體從被形成在部分窗部30之多數氣孔302，噴淋狀地供給至部分窗部30之下方。除此之外，可以使用氣體供給路R2將處理氣體從被形成在蓋構件32之多數氣孔402，噴淋狀地供給至部分窗部30之間的下方。
藉由如此之構成，與本實施型態有關之金屬窗3之噴淋板，藉由將氣體之噴出口擴張至部分窗部30之間，可以擴寬從金屬窗3之下面供給氣體的範圍。依此，能夠在金屬窗3之下面，無接縫地吹出處理氣體。其結果，可以良好地控制蝕刻率或成膜率之分布。如此一來，若藉由本實施型態時，可以改善蝕刻率等之分布。
再者，在與本實施型態有關之金屬窗3之噴淋板中，因應部分窗部30之形狀及數量使蓋構件32之尺寸或數量予以最佳化，在金屬窗3之部分窗部30之間及部分窗部30和處理容器10之間的最佳位置配置複數蓋構件32。依此，可以從被形成在被設置於最佳位置的複數蓋構件32的多數氣孔402，和被形成在部分窗部30之多數氣孔302均勻地供給處理氣體。
再者，不用改變電漿處理裝置1之構造，僅將蓋構件32配置成跨越鄰接之部分窗部30之邊緣部間，可以改善蝕刻率等之電漿製程特性。因此，可以容易將與本實施型態有關之金屬窗3之噴淋板適用於既存的電漿處理裝置1，可以以低成本改善蝕刻率等。
另外，氣孔302係被形成在複數部分窗部30之每個的第1氣孔的一例，氣孔402係被形成在蓋構件32之第2氣孔的一例。
(與第2實施型態有關之蓋構件) 　　如圖3(b)之L所示般，在與第1實施型態有關之金屬窗3中，有在蓋構件32之外周側，氣體從蓋構件32與部分窗部30接觸之部分L之間隙洩漏的情形。即是，因在與部分窗部30接觸的部分L中，無法進行間隙之管理，且由於電漿處理裝置1間之機差，無法控制氣體之洩漏量，故有成為氣體供給量之偏差之原因的情況。
於是，如圖3(c)所示般，表示將與第2實施型態有關之蓋構件32安裝於金屬窗3之氣體噴淋頭之處理容器10側之表面之時的一例，作為不產生氣體洩漏的構造。圖3(c)之下圖表示處理容器10之頂板面之左上1/4的平面。圖3(c)之上圖之剖面為圖3(c)之下圖的C-C剖面。
與第2實施型態有關之蓋構件32具有藉由區隔構件31被區隔的鄰接之部分窗部30之一方的第1蓋構件32a，和被設置在部分窗部30之另一方的第2蓋構件32b。第1蓋構件32a和第2蓋構件32b被形成陶瓷的袋狀。
具體而言，蓋構件32為了保護區隔構件31避免受到電漿影響，具有被安裝於區隔構件31之處理容器10側之表面的板狀陶瓷構件34、與陶瓷構件34鄰接而被配置之第1蓋構件32a及第2蓋構件32b。
第1蓋構件32a及第2蓋構件32b具有挾著陶瓷構件34而在內部具有中空部分的構造。第1蓋構件32a及第2蓋構件32b沿著區隔構件31之長邊方向平行設置，互相分離，且在其中間形成溝部35(參照圖5(a))。陶瓷構件34從溝部35露出。
第1蓋構件32a及第2蓋構件32b之中空部分成為氣體擴散室403。在第1蓋構件32a及第2蓋構件32b之部分窗部30之間之下方的位置，形成有與氣體擴散室403連通的複數氣孔404。
再者，在本實施型態中，在被形成於部分窗部30之邊緣部附近的氣孔302b，被插入有被形成在第1蓋構件32a之管狀構件32a1。再者，在被形成於部分窗部30之邊緣部附近的其他氣孔302b，被插入有被形成在第2蓋構件32b之管狀構件32b1。插入管狀構件32a1及管狀構件32b1之第1蓋構件32a及第2蓋構件32b，和部分窗部30之間，藉由O型環304被密封。依此，氣體不會從第1蓋構件32a及第2蓋構件32b和部分窗部30之間隙洩漏。因氣孔302b成為被插入形成在第1蓋構件32a之管狀構件32a1及第2蓋構件32b之管狀構件32b1的構造，故直徑較被形成在部分窗部30之其他氣孔302a大。
第1蓋構件32a及第2蓋構件32b以與一個或複數氣孔302b連通之方式，在處理容器10側之表面延伸。依此，在第1蓋構件32a及第2蓋構件32b內之氣體擴散室403，從一個或複數氣孔302b供給處理氣體。
若藉由如此構成的與第2實施型態有關之第1蓋構件32a及第2蓋構件32b時，使用氣體供給路R1，處理氣體從複數氣孔302a噴淋狀地被供給至處理容器10內之部分窗部30之下方。除此之外，使用氣體供給路R2，處理氣體從複數氣孔404a噴淋狀地被供給至處理容器10內之部分窗部30之間的下方。
與本實施型態有關之氣體供給路R2具有處理氣體通往第1蓋構件32a之內部的第1路線，和通往第2蓋構件32b之內部的第2路線。依此，除將處理氣體直接從被形成在部分窗部30之複數氣孔302a供給至處理容器10內之氣體供給路R1之外，可以使用具有第1路線和第2路線之氣體供給路R2，從金屬窗3之全面噴淋狀地供給至處理容器10內。
另外，氣孔302a、302b係被形成在複數部分窗部30之每個的第1氣孔之一例，氣孔404係被形成在第1蓋構件32a及第2蓋構件32b之第2氣孔之一例。O型環304被設置在第1蓋構件32a和第2蓋構件32b，密封分別被插入至氣孔302b之管狀構件32a1、32b1和部分窗部30之間的密封構件之一例。
鄰接之部分窗部30藉由金屬被形成。因此，在電漿處理中，藉由來自電漿之熱輸入或來自部分窗部30之傳熱，鄰接之各部分窗部30分別熱膨脹。並且，當藉由排氣裝置12對處理容器10內進行抽真空，使成為特定真空狀態時，從金屬窗3之大氣側(天線室50側)向真空側(處理容器10側)施加大的壓力，金屬窗3朝處理容器10側變形。因此，當跨越鄰接之部分窗部30之邊緣部而安裝的第1蓋構件32a及第2蓋構件32b一體化時，由於鄰接之部分窗部30之不同動作，有蓋構件斷裂、破損之情形。
對此，在本實施型態中，因第1蓋構件32a及第2蓋構件32b相對鄰接之部分窗部30每個被分離設置，故每個蓋構件可以追隨著鄰接之部分窗部30的不同動作。依此，藉由各部分窗部30之熱膨脹或變形，可以防止第1蓋構件32a及第2蓋構件32b損傷之情形。但是，即使第1蓋構件32a及第2蓋構件32b被一體性地設置亦可。
當在電漿處理中藉由排氣裝置12對處理容器10內進行抽真空，使成為特定真空狀態時，從金屬窗3之大氣側(天線室50側)向真空側(處理容器10側)施加大的壓力，金屬窗3朝處理容器10側彎曲。因此，在藉由使金屬窗3及蓋構件接觸而形成氣體擴散室之情況，由於金屬窗3之彎曲或來自電漿之熱輸入使得接觸面之間隙之尺寸增大時，氣體擴散室之氣體可能從其間隙洩漏。
對此，若藉由與本實施型態有關之金屬窗3之氣體噴淋頭時，因第1蓋構件32a及第2蓋構件32b內成為中空構造，故不會使處理氣體從氣孔404洩漏而可以噴淋狀地供給，故可以提高處理氣體之控制性。
圖5(a)係圖3(c)之第1蓋構件32a及第2蓋構件32b之俯視圖。若藉由此時，使用氣體供給路R1，處理氣體從被形成在部分窗部30之多數氣孔302a直接被導入至處理容器器10內之部分窗部30之下方。再者，使用氣體供給路R2，處理氣體通過被形成在與第2實施型態有關之第1蓋構件32a及第2蓋構件32b的複數氣孔404，被導入至處理容器10內之部分窗部30之間的下方。依此，可以改善處理容器10內之蝕刻率等。
圖5(b)表示與第2實施型態之變形例有關的蓋構件32。若藉由此，在與第2實施型態之變形例有關之蓋構件32中，係將氣孔302b，被插入至氣孔302b之第1蓋構件32a及第2蓋構件32b的管狀構件32a1、32b1形成縫隙狀者。即使依據此，亦可以一面確保氣體供給路R2之傳導度，一面將充分流量的處理氣體噴淋狀地供給至部分窗部30之間。依此，可以改善處理容器10內之蝕刻率等。
上述，於電漿處理裝置1使用如此構成的與各實施型態有關之蓋構件之情況，比起不使用該些蓋構件之情況，可以增加13%能夠噴淋狀地供給金屬窗3之處理氣體。
以上，雖然藉由上述實施型態說明電漿處理裝置及氣體噴淋頭，但是與本發明有關之電漿處理裝置及氣體噴淋頭並不限定於上述實施型態，能夠在本發明之範圍內做各種變形及改良。被記載於上述複數之實施型態之事項可以在不矛盾之範圍內做組合。
在本說明書中，舉FPD用之玻璃基板G作為被處理基板之一例而予以說明。但是，基板不限定於此，即使為太陽電池、被使用於LCD(Liquid Crystal Display)之各種基板或半導體晶圓、光阻、CD基板、印刷基板等亦可。
1‧‧‧電漿處理裝置
3‧‧‧金屬窗
5‧‧‧高頻天線
10‧‧‧處理容器
13‧‧‧載置台
30‧‧‧部分窗部
31‧‧‧區隔構件
32‧‧‧蓋構件
32a‧‧‧第1蓋構件
32b‧‧‧第2蓋構件
32a1、32b1‧‧‧管狀構件
34‧‧‧陶瓷構件
35‧‧‧溝部
50‧‧‧天線室
152‧‧‧第2高頻電源
301‧‧‧氣體擴散室
302、302a、302b‧‧‧氣孔
304‧‧‧O型環
401、403‧‧‧氣體擴散室
402、404‧‧‧氣孔
R1‧‧‧第1氣體供給路
R2‧‧‧第2氣體供給路
圖1為表示一實施型態所涉及之電漿處理裝置之一例的圖示。 　　圖2為表示一實施型態所涉及之金屬窗之俯視圖之一例的圖示。 　　圖3為表示與一實施型態有關之蓋構件之一例的剖面圖及1/4俯視圖。 　　圖4為表示被設置在與第1實施型態有關之蓋構件之氣孔之一例的圖示。 　　圖5為表示被設置在與第2實施型態及其變形例有關之蓋構件之氣孔之其他例的圖示。

Claims (9)

  1. 一種電漿處理裝置，其係將處理氣體予以電漿化，對被載置於處理容器內之載置台的被處理基板進行電漿處理，該電漿處理裝置之特徵在於，具有： 　　金屬窗，其具有複數導電性之部分窗部，且與上述載置台相向而被形成在上述處理容器： 　　絕緣物之區隔構件，其係被設置在上述部分窗部之間，及上述部分窗部和上述處理容器之間； 　　天線，其係被設置在上述金屬窗之上方側，藉由感應耦合將處理氣體予以電漿化；及 　　絕緣體之蓋構件，其係覆蓋上述區隔構件之上述處理容器之側的表面，且跨過鄰接之上述部分窗部之邊緣部， 　　複數上述部分窗部分別具有複數第1氣孔， 　　上述蓋構件具有複數第2氣孔，且以在該蓋構件之內部，複數上述第1氣孔中之至少任一個與複數第2氣孔連通之方式，在上述處理容器之側的表面延伸。
  2. 如請求項1所記載之電漿處理裝置，其中 　　在上述蓋構件之內部，形成從複數上述第1氣孔中之至少任一個供給處理氣體的氣體擴散室。
  3. 如請求項2所記載之電漿處理裝置，其中 　　上述金屬窗具有:第1氣體供給路，其係將處理氣體從複數上述第1氣孔供給至上述處理容器內；和第2氣體供給路，其係將處理氣體從複數上述第1氣孔中之至少任一個經由上述氣體擴散室通過複數第2氣孔而供給至上述處理容器內。
  4. 如請求項3所記載之電漿處理裝置，其中 　　上述第2氣體供給路係從被配置在鄰接之上述部分窗部之間之下方的複數上述第2氣孔供給處理氣體。
  5. 如請求項2至4中之任一項所記載之電漿處理裝置，其中 　　上述氣體擴散室係沿著上述蓋構件覆蓋之上述區隔構件之長邊方向，被設置在上述蓋構件內之兩個空間。
  6. 如請求項2至4中之任一項所記載之電漿處理裝置，其中 　　上述氣體擴散室係沿著上述蓋構件覆蓋之上述區隔構件之長邊方向，在上述第1氣孔的每一處，設置複數個。
  7. 如請求項1至4中之任一項所記載之電漿處理裝置，其中 　　上述蓋構件具有第1蓋構件，其係被設置在藉由上述區隔構件被區隔的鄰接之部分窗部之一方的邊緣部；和第2蓋構件，其係被設置在上述部分窗部之另一方之邊緣部； 　　上述第1蓋構件和上述第2蓋構件被形成陶瓷的袋狀。
  8. 如請求項7所記載之電漿處理裝置，其中 　　上述第1蓋構件和上述第2蓋構件分別具有被插入至複數上述第1氣孔中之至少一個的管狀構件，在每個上述管狀構件和上述部分窗部之間設置有密封構件。
  9. 一種氣體噴淋頭，其係被使用於藉由感應耦合將處理氣體予以電漿化，對被載置於處理容器內之載置台的被處理基板進行電漿處理的電漿處理裝置，該氣體噴淋頭之特徵在於，具有： 　　金屬窗，具有複數導電性的部分窗部； 　　絕緣物之區隔構件，其係被設置在上述部分窗部之間，及上述部分窗部和上述處理容器之間； 　　天線，其係被設置在上述金屬窗之上方側，藉由感應耦合將處理氣體予以電漿化；及 　　絕緣體之蓋構件，其係覆蓋上述區隔構件之上述處理容器之側的表面，且跨過鄰接之上述部分窗部之邊緣部， 　　複數上述部分窗部分別具有複數第1氣孔， 　　上述蓋構件具有複數第2氣孔，且以在該蓋構件之內部，複數上述第1氣孔中之至少任一個與複數上述第2氣孔連通之方式，在上述處理容器之側的表面延伸。
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