TW201905552A - 顯示面板與形成微組件支架的方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 83
- 230000017105 transposition Effects 0.000 claims description 20
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 132
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
一種顯示面板與形成微組件支架的方法。形成微組件支架的方法包含以下步驟。首先，形成第一犧牲層於承載基板上，其中第一犧牲層具有複數個第一開口，第一開口裸露承載基板。然後，形成第一支架層於第一犧牲層上與第一開口中。接著，形成第二犧牲層於第一犧牲層與第一支架層上，其中第二犧牲層具有複數個第二開口，第二開口裸露第一支架層。然後，形成第二支架層於第二犧牲層上與第二開口中。接著，形成至少一微組件於第二支架層上。最後，移除第一犧牲層與第二犧牲層。
Description
本發明是有關於顯示面板與形成微組件支架的方法
封裝階段所面臨的問題往往是半導體感應裝置、半導體雷射陣列、微機電系統(Microelectromechanical System，MEMS)、發光二極體顯示系統等微元件在量產時所遭遇的瓶頸之一。
傳統轉移微元件的方法為藉由基板接合(Wafer Bonding)的方式將微元件自承載基板轉移至接收基板。基板接合的其中一種實施方法為直接接合(Direct Bonding)，也就是直接將微元件陣列自承載基板接合至接收基板，之後再將承載基板移除。基板接合的另一種實施方法為間接接合(Indirect Bonding)，此方法包含兩次接合/剝離的步驟。於間接轉移的過程中，首先，轉置裝置自承載基板提取微元件陣列，接著轉置裝置再將微元件陣列接合至接收基板，最後再把轉置裝置移除。
本發明之一技術態樣是在提供一種形成微組件支架的方法，以提升製程良率與製程效率。
根據本發明一實施方式，一種形成微組件支架的方法包含以下步驟。首先，形成第一犧牲層於承載基板上，其中第一犧牲層具有複數個第一開口，第一開口裸露承載基板。然後，形成第一支架層於第一犧牲層上與第一開口中。接著，形成第二犧牲層於第一犧牲層與第一支架層上，其中第二犧牲層具有複數個第二開口，第二開口裸露第一支架層。然後，形成第二支架層於第二犧牲層上與第二開口中。接著，形成至少一微組件於第二支架層上。最後，移除第一犧牲層與第二犧牲層。
於本發明之一或多個實施方式中，第二開口的寬度小於第一開口的寬度。
於本發明之一或多個實施方式中，第二犧牲層的厚度大於第一犧牲層的厚度。
於本發明之一或多個實施方式中，第二支架層的厚度大於第一支架層的厚度。
於本發明之一或多個實施方式中，第二支架層的厚度小於第二開口的寬度。
於本發明之一或多個實施方式中，第一支架層的厚度小於第一開口的寬度。
於本發明之一或多個實施方式中，在形成第一支架層的步驟中，更包含圖案化第一支架層，使第一支架 層包含複數個第一支架部分，其中第一支架部分互相分離，且第一支架部分分別部分設置於第一開口中。
於本發明之一或多個實施方式中，第一開口在承載基板上的正投影與第二開口在承載基板上的正投影互不重疊。
於本發明之一或多個實施方式中，在形成第一支架層的步驟中，更形成部分第一支架層於承載基板上。
於本發明之一或多個實施方式中，在形成第二支架層的步驟中，更形成部分第二支架層於第一支架層上。
於本發明之一或多個實施方式中，前述方法更包含以下步驟。首先，設置轉置裝置於微組件上。然後，使轉置裝置透過微組件對於第二支架層施加一下壓力，並使第一支架層連接第二支架層的斷裂部分自第一支架層的其他部分斷裂。
於本發明之一或多個實施方式中，前述方法更包含以下步驟。轉置裝置帶動微組件、第二支架層與斷裂部分向下移動，因而使斷裂部分接觸承載基板，同時第二支架層不與第一支架層的其他部分接觸。
根據本發明另一實施方式，一種顯示面板，包含顯示基板、固定層、至少一支架以及至少一微組件。固定層設置於顯示基板上。支架具有平台部與複數個延伸部，平台部設置於固定層上，延伸部自平台部延伸至固定層中。微組件設置於平台部上。
於本發明之一或多個實施方式中，每一延伸部 更包含垂直延伸部與水平延伸部。垂直延伸部具有第一端與第二端，其中第一連接平台部，水平延伸部連接第二端。
於本發明之一或多個實施方式中，垂直延伸部的寬度大於水平延伸部的厚度。
於本發明之一或多個實施方式中，垂直延伸部的長度大於水平延伸部的厚度。
於本發明之一或多個實施方式中，平台部的厚度大於水平延伸部的厚度。
於本發明之一或多個實施方式中，平台部的厚度小於垂直延伸部的寬度。
於本發明之一或多個實施方式中，垂直延伸部的長度大於垂直延伸部的寬度。
於本發明之一或多個實施方式中，微組件為微型發光二極體。
在本發明上述實施方式中，因為第一支架部分與第二支架部分具有多個分支連接微組件與承載基板，因此將能避免微組件自承載基板上脫落。
進一步來說，由於與微組件相連接的第二支架部分與斷裂部分中，僅有斷裂部分與承載基板相接觸，而斷裂部分與承載基板的接觸面積並不大，因此不必擔心斷裂部分與承載基板因為接觸時間過長而產生靜電力相吸，因而無法將微組件自承載基板提取的情況發生。於是，在前述前提下，轉置裝置並不需要使用較大的下壓力以減少斷裂部分與承載基板相接觸的時間，因而可以避免微組件 因為下壓力過大而損壞的情況發生。
另外，在前述的架構下，斷裂部分與承載基板的接觸面積並不大，因此並不需要特別為了減少斷裂部分與承載基板的接觸面積而更換具有較小線寬的機台。於是，在整體製程上，因為避免了建構多重設備的需求，將能進一步提升製程良率與製程效率。
110‧‧‧承載基板
120‧‧‧第一犧牲層
121‧‧‧第一開口
130‧‧‧第一支架層
131‧‧‧第一支架部分
132‧‧‧斷裂部分
133‧‧‧水平延伸部
140‧‧‧第二犧牲層
141‧‧‧第二開口
150‧‧‧第二支架層
151‧‧‧第二支架部分
157‧‧‧垂直延伸部
157i‧‧‧第一端
157ii‧‧‧第二端
158‧‧‧延伸部
159‧‧‧平台部
200‧‧‧微組件
210‧‧‧電極
300‧‧‧顯示面板
310‧‧‧顯示基板
320‧‧‧固定層
330‧‧‧微組件支架
340‧‧‧支架
800‧‧‧轉置裝置
910‧‧‧黏著層
920‧‧‧絕緣薄膜
922‧‧‧接觸孔
T1、T2、T3、T4‧‧‧厚度
W1、W2‧‧‧寬度
第1圖至第9圖繪示依照本發明一實施方式之微組件支架的製程各步驟的剖面示意圖。
第10A圖繪示依照本發明一實施方式之微組件支架的剖面示意圖與上視示意圖。
第10B圖與第10C圖繪示依照本發明不同實施方式之微組件支架的上視示意圖。
第11圖至第13圖繪示依照本發明一實施方式之轉置微組件的製程各步驟的剖面示意圖。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些 習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
第1圖至第9圖繪示依照本發明一實施方式之微組件支架的製程各步驟的剖面示意圖。首先，如第1圖所繪示，形成第一犧牲層120於承載基板110上，其中第一犧牲層120具有複數個第一開口121，第一開口121裸露承載基板110。換言之，第一犧牲層120未遮蔽部份承載基板110。
舉例而言，承載基板110之材質可為玻璃基板、矽基板、藍寶石基板或其它合適的材質。第一犧牲層120可為單層或多層，且其材質可為無機材料(例如：金屬)或有機材料(例如：光阻)、或其它合適的材質。第一犧牲層120可以藉由沉積製程形成、或塗佈製程形成、或其它合適的製程形成。第一開口121可以藉由微影蝕刻製程形成、或黃光微影製程形成、或其它合適的製程形成。
如第2圖所繪示，形成第一支架層130於第一犧牲層120上與第一開口121中。舉例而言，第一支架層130的厚度T1小於第一開口121的寬度W1，且第一支架層130為共形地形成於第一犧牲層120上與第一開口121中。進一步來說，因為第一支架層130的厚度T1小於第一開口121的寬度W1，所以第一支架層130可以共形地形成於第一開口121中，因而使第一支架層130的此部分得以方便作為後續製程所形成的支架的支柱部分。
於一實施例中，部分第一支架層130為形成且 接觸於承載基板110，且另一部分第一支架層130為形成且接觸於第一犧牲層120上。第一支架層130可為單層或多層，且其材質可為氧化矽、氮化矽、非晶矽、或其它合適的材質。第一支架層130可以藉由沉積製程、或其它合適的製程形成。
如第3圖所繪示，圖案化第一支架層130，使第一支架層130包含複數個第一支架部分131，其中第一支架部分131互相分離(例如：兩個第一支架部分131互相分離處存在間隔，未標示)，第一支架部分131分別部分設置於第一開口121中與承載基板110上，且第一支架部分131的其他部分設置於第一犧牲層120上。
如第4圖所繪示，形成第二犧牲層140於第一犧牲層120與第一支架部分131(第一支架層130)上，其中第二犧牲層140具有複數個第二開口141，第二開口141裸露部份的第一支架部分131(第一支架層130)。換言之，第二犧牲層140未遮蔽部份的第一支架部分131。舉例而言，第二犧牲層140之材質可為無機材料(例如：金屬)或有機材料(例如：光阻)、或其它合適的材質。第二犧牲層140可以藉由沉積製程形成或黃光微影製程形成、或其它合適的製程形成。第二犧牲層140之材質可實質上相同或不同於第一犧牲層120之材質。
第一開口121在承載基板110上的正投影與第二開口141在承載基板110上的正投影(或稱為垂直投影)互不重疊。
第二開口141的寬度W2小於第一開口121的寬度W1，且第二犧牲層140的厚度T3大於第一犧牲層120的厚度T2。第二開口141的寬度W2小於第一開口121的寬度W1將能方便製程在製作上的完整性。
如第5圖所繪示，形成第二支架層150於第二犧牲層140上與第二開口141中。舉例而言，第二支架層150的厚度T4小於第二開口141的寬度W2，且第二支架層150為共形地形成於第二犧牲層140上與第二開口141中。進一步來說，因為第二支架層150的厚度T4小於第二開口141的寬度W2，所以第二支架層150可以共形地形成於第二開口141中，因而使第一支架層130的此部分得以方便作為後續製程所形成的支架的支柱部分。
於一實施例中，部分第二支架層150為形成且接觸於第一支架部分131(第一支架層130)上，且另一部分第二支架層150為形成且接觸於第二犧牲層140上。第二支架層150可為單層或多層，且其材質可為氧化矽、氮化矽、非晶矽、金屬、或其它合適的材質。第二支架層150可以藉由沉積製程形成或其它合適的製程形成。
舉例而言，第二支架層150的厚度T4大於第一支架層130的厚度T1。第二支架層150的厚度T4大於第一支架層130的厚度T1將能使在後續製程所形成的支架的上半部分的剛性較大，支架的下半部分的剛性較小。
在本實施方式中，第二開口141的寬度W2僅為第二支架層150的厚度的數倍大，舉例來說，兩倍至三 倍之間，因此位於第二開口141中的第二支架層150的部分具有柱狀的形狀。於本實施例中，第一開口121及/或第二開口141的側壁雖以垂直側壁為範例，但不限於此。於其它實施例中，第一開口121及/或第二開口141的的側壁可為斜邊，即具有斜率。
如第6圖所繪示，圖案化第二支架層150，使第二支架層150包含複數個第二支架部分151，其中第二支架部分151互相分離，第二支架部分151分別部分設置於第二開口141中與第一支架部分131上，且第二支架部分151的其他部分設置於第二犧牲層140上。
進一步來說，每個第二支架部分151分別連接複數個不同的第一支架部分131。在本實施方式中，每一個第二支架部分151連接兩個第一支架部分131，例如：每一個第二支架部分151連接兩個相鄰的第一支架部分131。換言之，每一個第二支架部分151會分別與兩個第一支架部分131部份重疊，以及每一個第二支架部分151也與兩個第一支架部分131的間隔(例如：第一支架部分131互相分離處，未標示)部份重疊。
如第7圖所繪示，形成至少一微組件200於第二支架部分151(第二支架層150)上。具體而言，微組件200為微型發光二極體、或其它合適的微組件(例如：光感件、電晶體、或其它合適的元件)。於本實施例中，至少一微組件200係以微型發光二極體為範例，但不限於此。微型發光二極體係以二個分別連接電洞層(例如：P型半導體 或其它合適的材質)與電子層(例如：N型半導體或其它合適的材質)的水平排列電極210(可參閱圖8)為範例，但不限於此。於其它實施例中，微型發光二極體係以二個分別連接電洞層與電子層的垂直排列電極。光感件可為可見光光感件、UV光感件、IR光感件、或其它合適的光感件。電晶體可為底閘型電晶體、頂閘型電晶體、立體通道電晶體或其它合適的電晶體。微組件200可藉由轉置裝置自其他基板(例如生成基板)轉置而固定於第二支架部分151上，但不限於此。於其它實施例中，微組件200亦可直接形成於第二支架部分151上。
設置於第二犧牲層140上的第二支架部分151的部份具有平台的形狀，因此微組件200將可以被妥善地固定於第二支架部分151上。
於部份實施例中，當微組件200由轉置裝置自其他基板(例如生成基板)轉置而固定於第二支架部分151上時，在固定微組件200之前，可先形成圖案化黏著層910於第二支架部分151(第二支架層150)上。然後，再將微組件200形成(例如：放置)於黏著層910上，因而使微組件200固定於第二支架部分151(第二支架層150)上。
如第8圖所繪示，沉積並圖案化絕緣薄膜920，使絕緣薄膜920覆蓋微組件200。在圖案化絕緣薄膜920的同時，形成接觸孔922，以裸露微組件200的電極210。絕緣薄膜920可為單層或多層，且其材質可為氧化矽、氮化矽、非晶矽或其它合適的材質。
如第9圖所繪示，移除第一犧牲層120與第二犧牲層140。於是，留下的第一支架部分131與第二支架部分151組成微組件支架330，微組件支架330支持並固定微組件200於承載基板110上。第一犧牲層120與第二犧牲層140可藉由化學蝕刻製程或是其它合適的製程移除。
在本實施方式中，兩個第一支架部分131與一個第二支架部分151組成一個微組件支架330，但並不限於此。在其他實施方式中，可以有超過兩個第一支架部分131與一個第二支架部分151組成一個微組件支架330。
第10A圖繪示依照本發明一實施方式之微組件支架330的剖面示意圖與上視示意圖。如第10A圖所繪示，第二支架部分151具有兩個垂直延伸部157，且此兩個垂直延伸部157分別連接兩個第一支架部分131。由上視示意圖可以發現，兩個垂直延伸部157分別大致設置於微組件200的兩個對角方向或兩個對角方向路徑上，兩個第二支架部分151亦分別對應設置於微組件200的兩個對角方向或兩個對角方向路徑上。此處需要注意的是，在上視示意圖中僅繪示微組件200的外部輪廓而沒有繪示其細部結構。
第10B圖與第10C圖繪示依照本發明不同實施方式之微組件支架330的上視示意圖。如第10B圖與第10C圖所繪示，微組件支架330並不一定只包含兩個垂直延伸部157與兩個第一支架部分131。在第10B圖中，微組件支架330包含三個垂直延伸部157與三個第一支架部分 131，三個垂直延伸部157分別連接三個第一支架部分131。三個垂直延伸部157分別設置於相鄰於微組件200的兩個對邊的位置與相鄰於連接此兩個對邊的一鄰邊的位置，其中此鄰邊為連接此兩個對邊的兩個鄰邊中與設置於相鄰於兩個對邊的垂直延伸部157的距離較遠的鄰邊。三個垂直延伸部157分別對應設置於相鄰於微組件200的兩個對邊的位置與相鄰於連接此兩個對邊的一鄰邊的位置。
在第10C圖中，微組件支架330包含四個垂直延伸部157與四個第一支架部分131，四個垂直延伸部157分別連接四個第一支架部分131。四個垂直延伸部157分別大致設置於微組件200的四個角落，四個第二支架部分151亦分別對應設置於微組件200的四個角落，但不限於此。於其它實施例中，四個垂直延伸部157其中二個設置於相鄰於微組件200的兩個對邊其中一個，四個垂直延伸部157另二個設置於相鄰於微組件200的兩個對邊另一個。
在前述的架構中，微組件支架330具有多個分支連接微組件200與承載基板110(見第10A圖)，因此將能避免微組件200自承載基板110上脫落。
進一步來說，藉由前述垂直延伸部157與第一支架部分131的位置設置，微組件支架330將可以平均分配微組件200的重量，因而使微組件200可以穩定地固定於承載基板110上。
第11圖至第13圖繪示依照本發明一實施方式之轉置微組件200的製程各步驟的剖面示意圖。首先，如 第11圖所繪示，設置轉置裝置800於微組件200上。然後，使轉置裝置800透過微組件200對於第二支架部分151(第二支架層150)施加向下壓力(例如：轉置裝置800向承載基板110的內表面移動所形成的壓力或推力)，並使第一支架部分131(第一支架層130)連接第二支架部分151(第二支架層150)的斷裂部分132自第一支架部分131(第一支架層130)的其他部分斷裂。舉例而言，斷裂部分132鄰近二個第一支架部分131間的間隔(未標示)與間隔附近，但不限於此。於其它實施例中，斷裂部分132亦可為其它較易斷裂的位置。
需要注意的是，此處轉置裝置800僅需要對於微組件200施加向下壓力(或稱為下壓力)，而不需要施加左右位移的橫向力量，因此避免了微組件200位移、傾斜與脫落的風險。
在第一支架部分131的斷裂部分132自第一支架部分131的其他部分斷裂後，轉置裝置800會帶動微組件200、第二支架部分151(第二支架層150)與斷裂部分(第一支架部分131的一部份)132向下移動，因而使斷裂部分132接觸承載基板110。
如第4圖與第11圖所繪示，由於第一開口121在承載基板110上的正投影與第二開口141在承載基板110上的正投影互不重疊，因此形成於第一開口121中的第一支架部分131與形成於第二開口141中的第二支架部分151的垂直延伸部157在承載基板110上的正投影將會互 不重疊。於是，與垂直延伸部157相連接的斷裂部分132將會懸空，並且與承載基板110之間具有一間距，而在轉置裝置800透過微組件200對於第二支架部分151施加向下壓力的時候，因為斷裂部分132為懸空，所以斷裂部分132將會自第一支架部分131的其他部分斷裂，且微組件200、第二支架部分151與斷裂部分(第一支架部分131的一部份)132會向下移動，因而使斷裂部分132接觸承載基板110。
進一步來說，由於第二犧牲層140的厚度T3大於第一犧牲層120的厚度T2，所以會連帶使得第二支架部分151的垂直延伸部157的高度H2會大於第一支架部分131的高度H1。於是，在斷裂部分132接觸承載基板110的時候，第二支架部分151(第二支架層150)僅會與斷裂部分132連接，而不會與第一支架部分131(第一支架層130)的其他部分接觸。
如第12圖所繪示，轉置裝置800提取微組件200，同時連帶提取與微組件200相連接的第二支架部分151和斷裂部分132。
如第13圖所繪示，轉置裝置800(見第12圖)將微組件200放置於顯示基板(或稱為接收基板)310的固定層320上。在此同時，使固定層320的黏著力大於轉置裝置800對於微組件200的吸引力(或稱為附著力)。因此，在微組件200被放置於固定層320上之後，微組件200便會被黏著於固定層320上並自轉置裝置800脫落。
如第11圖所繪示，由於與微組件200相連接的第二支架部分151與斷裂部分132中，僅有斷裂部分132與承載基板110相接觸，而斷裂部分132與承載基板110的接觸面積並不大，因此不必擔心斷裂部分132與承載基板110因為接觸時間過長而產生靜電力相吸，因而無法將微組件200自承載基板110提取的情況發生。於是，在前述前提下，轉置裝置800並不需要使用較大的下壓力以減少斷裂部分132與承載基板110相接觸的時間，因而可以避免微組件200因為下壓力過大而損壞的情況發生。
進一步來說，在前述的架構下，斷裂部分132與承載基板110的接觸面積並不大，因此並不需要特別為了減少斷裂部分132與承載基板110的接觸面積而更換具有較小線寬的機台。於是，在整體製程上，因為避免了建構多重設備的需求，將能進一步提升製程良率與製程效率。
如第13圖所繪示，本發明另一實施方式提供一種顯示面板300。顯示面板300包含顯示基板310、固定層320、至少一支架340以及至少一微組件200。固定層320設置於顯示基板310上。支架340具有平台部159與複數個延伸部158，平台部159設置於固定層320上，延伸部158自平台部159延伸至固定層320中。微組件200設置於平台部159上。
固定層320的材質可為有機材料(例如：光阻)。應了解到，以上所舉之固定層320的具體實施方式 僅為例示，並非用以限制本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇固定層320的具體實施方式。
每一延伸部158更包含垂直延伸部157與水平延伸部133。垂直延伸部157具有第一端157i與第二端157ii，其中第一端157i連接平台部159，水平延伸部133連接第二端157ii。
於部份實施例，垂直延伸部157的寬度大於水平延伸部133的厚度，且垂直延伸部157的長度大於水平延伸部133的厚度。應了解到，以上所舉之垂直延伸部157與水平延伸部133的具體實施方式僅為例示，並非用以限制本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇垂直延伸部157與水平延伸部133的具體實施方式。
於部份實施例，平台部159的厚度大於水平延伸部133的厚度，平台部159的厚度小於垂直延伸部157的寬度。應了解到，以上所舉之平台部159、水平延伸部133以及垂直延伸部157的具體實施方式僅為例示，並非用以限制本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇平台部159、水平延伸部133以及垂直延伸部157的具體實施方式。
於部份實施例，垂直延伸部157的長度大於垂直延伸部157的寬度。應了解到，以上所舉之垂直延伸部157的具體實施方式僅為例示，並非用以限制本發明，本 發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇垂直延伸部157的具體實施方式。
於本實施例之微組件200之類型可為如前述實施例描述，於此不再贅言。
在本發明上述實施方式中，因為微組件支架具有多個分支連接微組件與承載基板，因此將能避免微組件自承載基板上脫落。
進一步來說，由於與微組件相連接的第二支架部分與斷裂部分中，僅有斷裂部分與承載基板相接觸，而斷裂部分與承載基板的接觸面積並不大，因此不必擔心斷裂部分與承載基板因為接觸時間過長而產生靜電力相吸，因而無法將微組件自承載基板提取的情況發生。於是，在前述前提下，轉置裝置並不需要使用較大的下壓力以減少斷裂部分與承載基板相接觸的時間，因而可以避免微組件因為下壓力過大而損壞的情況發生。
另外，在前述的架構下，斷裂部分與承載基板的接觸面積並不大，因此並不需要特別為了減少斷裂部分與承載基板的接觸面積而更換具有較小線寬的機台。於是，在整體製程上，因為避免了建構多重設備的需求，將能進一步提升製程良率與製程效率。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
Claims (20)
- 一種形成微組件支架的方法，包含：形成一第一犧牲層於一承載基板上，其中該第一犧牲層具有複數個第一開口，該些第一開口裸露該承載基板；形成一第一支架層於該第一犧牲層上與該第一開口中；形成一第二犧牲層於該第一犧牲層與該第一支架層上，其中該第二犧牲層具有複數個第二開口，該些第二開口裸露該第一支架層；形成一第二支架層於該第二犧牲層上與該第二開口中；形成至少一微組件於該第二支架層上；以及移除該第一犧牲層與該第二犧牲層。
- 如請求項1所述之方法，其中該第二開口的寬度小於該第一開口的寬度。
- 如請求項1所述之方法，其中該第二犧牲層的厚度大於該第一犧牲層的厚度。
- 如請求項1所述之方法，其中該第二支架層的厚度大於該第一支架層的厚度。
- 如請求項1所述之方法，其中該第二支架層的厚度小於該第二開口的寬度。
- 如請求項1所述之方法，其中該第一支架層 的厚度小於該第一開口的寬度。
- 如請求項1所述之方法，其中在形成該第一支架層的步驟中，更包含圖案化該第一支架層，使該第一支架層包含複數個第一支架部分，其中該些第一支架部分互相分離，且該些第一支架部分分別部分設置於該些第一開口中。
- 如請求項1所述之方法，其中該些第一開口在該承載基板上的正投影與該些第二開口在該承載基板上的正投影互不重疊。
- 如請求項1所述之方法，其中在形成該第一支架層的步驟中，更形成部分該第一支架層於該承載基板上。
- 如請求項1所述之方法，其中在形成該第二支架層的步驟中，更形成部分該第二支架層於該第一支架層上。
- 如請求項10所述之方法，更包含：設置一轉置裝置於該微組件上；以及使該轉置裝置透過該微組件對於該第二支架層施加一下壓力，並使該第一支架層連接該第二支架層的一斷裂部分自該第一支架層的其他部分斷裂。
- 如請求項11所述之方法，更包含： 該轉置裝置帶動該微組件、該第二支架層與該斷裂部分向下移動，因而使該斷裂部分接觸該承載基板，同時該第二支架層不與該第一支架層的其他部分接觸。
- 一種顯示面板，包含：一顯示基板；一固定層，設置於該顯示基板上；至少一支架，具有一平台部與複數個延伸部，該平台部設置於該固定層上，該些延伸部自該平台部延伸至該固定層中；以及至少一微組件，設置於該平台部上。
- 如請求項13所述之顯示面板，其中每一該些延伸部更包含：一垂直延伸部，具有一第一端與一第二端，其中該第一連接該平台部；以及一水平延伸部，連接該第二端。
- 如請求項14所述之顯示面板，其中該垂直延伸部的寬度大於該水平延伸部的厚度。
- 如請求項14所述之顯示面板，其中該垂直延伸部的長度大於該水平延伸部的厚度。
- 如請求項14所述之顯示面板，其中該平台 部的厚度大於該水平延伸部的厚度。
- 如請求項14所述之顯示面板，其中該平台部的厚度小於該垂直延伸部的寬度。
- 如請求項14所述之顯示面板，其中該垂直延伸部的長度大於該垂直延伸部的寬度。
- 如請求項13所述之顯示面板，其中該微組件為微型發光二極體。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW106120422A TWI613488B (zh) | 2017-06-19 | 2017-06-19 | 顯示面板與形成微組件支架的方法 |
| CN201710729535.6A CN107564424B (zh) | 2017-06-19 | 2017-08-23 | 形成微组件支架的方法 |
| CN201910407944.3A CN110136594B (zh) | 2017-06-19 | 2017-08-23 | 显示面板 |
| US15/921,919 US10403493B2 (en) | 2017-06-19 | 2018-03-15 | Display panel and method for forming micro component support |
| US16/426,655 US10418234B1 (en) | 2017-06-19 | 2019-05-30 | Display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW106120422A TWI613488B (zh) | 2017-06-19 | 2017-06-19 | 顯示面板與形成微組件支架的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI613488B TWI613488B (zh) | 2018-02-01 |
| TW201905552A true TW201905552A (zh) | 2019-02-01 |
Family
ID=60976635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106120422A TWI613488B (zh) | 2017-06-19 | 2017-06-19 | 顯示面板與形成微組件支架的方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10403493B2 (zh) |
| CN (2) | CN110136594B (zh) |
| TW (1) | TWI613488B (zh) |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1151405C (zh) * | 2000-07-25 | 2004-05-26 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法 |
| CN100510882C (zh) * | 2003-01-09 | 2009-07-08 | 高通Mems科技公司 | 光干涉式显示面板及其制造方法 |
| GB0302580D0 (en) * | 2003-02-05 | 2003-03-12 | Univ Strathclyde | MICRO LEDs |
| KR100719546B1 (ko) * | 2005-03-19 | 2007-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치및 유기 박막 트랜지스터의 제조방법 |
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| JP5754173B2 (ja) * | 2011-03-01 | 2015-07-29 | ソニー株式会社 | 発光ユニットおよび表示装置 |
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| CN103915544B (zh) | 2014-03-13 | 2016-05-25 | 东莞市奇佳电子有限公司 | 立体发光led芯片灯丝及led灯泡 |
| CN203895495U (zh) | 2014-04-30 | 2014-10-22 | 大铎精密工业股份有限公司 | 阵列式热固型led线架结构 |
| CN106716641B (zh) * | 2014-10-17 | 2021-07-09 | 英特尔公司 | 微型led显示器和组装 |
| TWI557831B (zh) * | 2015-05-15 | 2016-11-11 | 友達光電股份有限公司 | 微組件的傳送方法 |
| US9640715B2 (en) * | 2015-05-15 | 2017-05-02 | X-Celeprint Limited | Printable inorganic semiconductor structures |
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| TWI665800B (zh) * | 2015-06-16 | 2019-07-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光二極體顯示器及其製造方法 |
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| US10468363B2 (en) * | 2015-08-10 | 2019-11-05 | X-Celeprint Limited | Chiplets with connection posts |
| US9443904B1 (en) * | 2015-09-07 | 2016-09-13 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Light-emitting diode display and manufacturing method thereof |
| KR20170059068A (ko) * | 2015-11-19 | 2017-05-30 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치 |
| US10153257B2 (en) * | 2016-03-03 | 2018-12-11 | X-Celeprint Limited | Micro-printed display |
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| CN106057858B (zh) * | 2016-08-04 | 2019-09-17 | 深圳市景方盈科技有限公司 | 曲面有机发光二极管显示面板及装置 |
| CN106057723A (zh) * | 2016-08-16 | 2016-10-26 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 微元件的转移方法、装置及电子设备 |
| TWI618266B (zh) * | 2016-09-07 | 2018-03-11 | 友達光電股份有限公司 | 微型發光二極體單元之中介結構及其製造方法、微型發光二極體單元及其製造方法與微型發光二極體裝置 |
| TWI611599B (zh) * | 2016-10-27 | 2018-01-11 | 友達光電股份有限公司 | 過渡載板裝置、顯示面板以及兩者的製造方法、微型發光件的檢測方法 |
| CN106653961A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-05-10 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种倒装结构micro LED芯片的制备方法 |
-
2017
- 2017-06-19 TW TW106120422A patent/TWI613488B/zh active
- 2017-08-23 CN CN201910407944.3A patent/CN110136594B/zh active Active
- 2017-08-23 CN CN201710729535.6A patent/CN107564424B/zh active Active
-
2018
- 2018-03-15 US US15/921,919 patent/US10403493B2/en active Active
-
2019
- 2019-05-30 US US16/426,655 patent/US10418234B1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI613488B (zh) | 2018-02-01 |
| CN107564424B (zh) | 2019-10-18 |
| CN110136594A (zh) | 2019-08-16 |
| US20180366320A1 (en) | 2018-12-20 |
| US10418234B1 (en) | 2019-09-17 |
| US20190279865A1 (en) | 2019-09-12 |
| US10403493B2 (en) | 2019-09-03 |
| CN107564424A (zh) | 2018-01-09 |
| CN110136594B (zh) | 2021-03-02 |
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