TW201903102A - 接著劑及結構體 - Google Patents

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TW201903102A TW107118591A TW107118591A TW201903102A TW 201903102 A TW201903102 A TW 201903102A TW 107118591 A TW107118591 A TW 107118591A TW 107118591 A TW107118591 A TW 107118591A TW 201903102 A TW201903102 A TW 201903102A
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Abstract

一實施形態是有關於一種接著劑，其含有聚合物，所述聚合物包含：具有含有鄰接的兩個羥基的芳香環基的乙烯結構單元（A）、以及並不具有含有鄰接的兩個羥基的芳香環基的乙烯結構單元（B）。

Description

接著劑及結構體
本揭示是有關於一種接著劑及結構體。
近年來，以汽車領域為首的各種領域中，要求滿足接著性、儲存穩定性、防鏽性、耐熱性、耐候性等高要求的接著材料。其中，關於接著性，要求提高對於金屬、玻璃、聚醯亞胺等難接著性的原材料的接著強度。
作為接著劑而使用的樹脂涉及丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂等多種（例如，參照專利文獻1及專利文獻2）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特表2007-521388號公報 [專利文獻2]日本專利特開2015-229738號公報
[發明所欲解決之課題]
例如，丙烯酸樹脂的透明性及耐候性優異，作為接著劑而穩健地擴展需求。但是，根據用途而對於金屬、玻璃、聚醯亞胺等的接著強度不充分。
因此，本揭示提供具有優異的接著力的接著劑。另外，本揭示提供具有優異的強度的結構體。 [解決課題之手段]
本發明包含各種實施形態。以下列舉實施形態的例子。本發明並不限定於以下的實施形態。
一實施形態是有關於一種接著劑，其含有聚合物，所述聚合物包含：具有含有鄰接的兩個羥基的芳香環基的乙烯結構單元（A）、以及並不具有含有鄰接的兩個羥基的芳香環基的乙烯結構單元（B）。
根據一實施形態，以所述乙烯結構單元（A）以外的結構單元的合計為基準，所述聚合物中所含的所述乙烯結構單元（A）的比例較佳為0.05莫耳%～55莫耳%。
根據一實施形態，所述聚合物的重量平均分子量較佳為70,000以上。
根據一實施形態，所述含有鄰接的兩個羥基的芳香環基較佳為包含下述式（a1）所表示的基。 [化1]（式中，Ar表示芳香環，R表示取代基，l為0以上的整數，表示R的數量；於l為2以上的情況下，多個R彼此可相同，亦可不同；「*」表示與其他原子的鍵結位置）
根據一實施形態，所述乙烯結構單元（A）較佳為包含下述式（A1）所表示的結構單元。 [化2]（式中，A表示含有鄰接的兩個羥基的芳香環基，X表示二價連結基，m表示0或1的整數，Ra1 ～Ra3 分別獨立地表示氫原子或取代基；「*」表示與其他原子的鍵結位置）
根據一實施形態，所述乙烯結構單元（B）較佳為包含下述式（B1）所表示的結構單元。 [化3]（式中，Rb1 ～Rb4 分別獨立地表示氫原子或取代基；「*」表示與其他原子的鍵結位置）
根據一實施形態，所述聚合物較佳為下述式（P1）所表示的聚合物。 [化4]（式中， A表示含有鄰接的兩個羥基的芳香環基，X表示二價連結基，m表示0或1的整數，Ra1 ～Ra3 分別獨立地表示氫原子或取代基； Rb1 ～Rb4 分別獨立地表示氫原子或取代基； 「*」表示與其他原子的鍵結位置； a及b滿足0.05≦[a/b（mol/mol）]×100≦55）
根據一實施形態，所述聚合物較佳為含有單體（A）、以及單體（B）的單體的共聚物，所述單體（A）具有含有鄰接的兩個羥基的芳香環基、以及乙烯性不飽和基，所述單體（B）並不具有含有鄰接的兩個羥基的芳香環基而具有乙烯性不飽和基。
根據一實施形態，接著劑亦可進而含有溶媒。
另一實施形態是有關於一種結構體，其包括被黏體（1）、接著劑層、及被黏體（2），所述被黏體（1）與所述被黏體（2）經由所述接著劑層而接著，且所述接著劑層含有所述任一實施形態的接著劑。
根據一實施形態，所述被黏體（1）較佳為包含選自由不鏽鋼、銅、鋁、鎂、玻璃、及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種。
根據一實施形態，所述被黏體（2）較佳為包含選自由不鏽鋼、銅、鋁、鎂、玻璃、及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種。 [發明的效果]
根據本揭示，提供具有優異的接著力的接著劑。另外，根據本揭示，提供具有優異的強度的結構體。
對本發明的實施形態進行說明。本發明並不限定於以下的實施形態。 ＜接著劑＞ 於一實施形態中，接著劑含有聚合物，所述聚合物包含：具有含有鄰接的兩個羥基的芳香環基的乙烯結構單元（A）、以及並不具有含有鄰接的兩個羥基的芳香環基的乙烯結構單元（B）（以下，存在將該聚合物稱為「接著性聚合物」的情況）。 接著劑亦可含有溶媒、添加劑等任意的成分。
[接著性聚合物] 於一實施形態中，接著性聚合物包含乙烯結構單元（A）與乙烯結構單元（B）。接著性聚合物亦可具有乙烯結構單元（A）及乙烯結構單元（B）以外的任意的結構單元。
（乙烯結構單元（A）） 乙烯結構單元（A）為於結構單元內具有成為聚合物骨架的乙烯結構且具有至少一個含有鄰接的兩個羥基的芳香環基的結構單元。芳香環基為由芳香環衍生的取代基，直接或經由二價連結基鍵結於乙烯結構。芳香環可列舉芳香族烴環與芳香族雜環。芳香環較佳為芳香族烴環，更佳為苯環。
所謂「含有鄰接的兩個羥基的芳香環基」，是指分別鍵結於構成芳香環的鄰接的兩個原子的氫原子由羥基取代而成的芳香環基（以下，存在將該芳香環基稱為「二羥基芳基」的情況）。具體而言，於芳香環基為苯基的情況下，是指分別鍵結於構成苯環的鄰接的兩個碳原子的氫原子由羥基取代而成的苯基（以下，存在將該苯基稱為「鄰苯二酚基」的情況）。作為例子，可列舉2,3-二羥基苯基及3,4-二羥基苯基。就獲得優異的接著力的觀點而言，較佳為3,4-二羥基苯基。
作為二羥基芳基的例子，可列舉下述式（a1）所表示的基。 [化5]
式中，Ar表示芳香環，R表示取代基，l為0以上的整數，表示R的數量。l的上限根據Ar的結構而確定。於本揭示中，「*」表示與其他原子的鍵結位置。以下相同。於l為2以上的情況下，多個R彼此可相同，亦可不同。 R較佳為羥基以外的取代基，例如可列舉碳數1～4的烷基。
作為二羥基芳基的例子，較佳為可列舉下述式（a2）所表示的基。 [化6]
式中，R表示取代基，l為0～3的整數，表示R的數量。l較佳為0。於l為2或3的情況下，多個R彼此可相同，亦可不同。 R較佳為羥基以外的取代基，例如可列舉碳數1～4的烷基。
作為二羥基芳基的例子，更佳為可列舉下述式（a3）所表示的基。 [化7]
二羥基芳基直接或經由二價連結基而鍵結於乙烯結構。作為二價連結基，例如可列舉：包含醯胺鍵（-NH-CO-）的二價基、及包含酯鍵（-O-CO-）的二價基。
作為二價基的例子，可列舉下述式（x1）所表示的基及下述式（x2）所表示的基。 [化8]
式中，n表示0～10的整數。就提高接著力的觀點而言，n較佳為1以上。另外，就抑制黏著性的觀點而言，較佳為6以下，更佳為4以下，進而佳為3以下。
作為乙烯結構單元（A）的例子，可列舉下述式（A1）所表示的結構單元。 [化9]
式中，A表示二羥基芳基，X表示二價連結基，m表示0或1的整數，Ra1 ～Ra3 分別獨立地表示氫原子或取代基。作為取代基，較佳為二羥基芳基以外的基，例如可列舉碳數1～4的烷基。
A較佳為式（a1）所表示的基，更佳為式（a2）所表示的基，進而佳為式（a3）所表示的基。 X較佳為式（x1）所表示的基或式（x2）所表示的基，更佳為式（x1）所表示的基。 m較佳為1。 Ra1 及Ra2 較佳為氫原子。 Ra3 較佳為氫原子或甲基，更佳為甲基。
（乙烯結構單元（B）） 乙烯結構單元（B）為於結構單元內具有成為聚合物骨架的乙烯結構且不具有二羥基芳基的結構單元。
作為乙烯結構單元（B）的例子，可列舉下述式（B1）所表示的結構單元。 [化10]
式中，Rb1 ～Rb4 分別獨立地表示氫原子或取代基。取代基為二羥基芳基以外的基。作為取代基，例如可列舉：碳數1～4的烷基、包含酯鍵的一價基、以及包含醯胺鍵的一價基。
Rb1 及Rb2 較佳為氫原子。 Rb3 較佳為氫原子或甲基，更佳為甲基。 Rb4 較佳為包含酯鍵的一價基或包含醯胺鍵的一價基，較佳為烷基氧基羰基（R-O-CO-基（R為烷基））、單烷基胺基羰基（R-NH-CO-基（R為烷基））、或二烷基胺基羰基（R-NR'-CO-基（R及R'為烷基）），更佳為烷基氧基羰基或二烷基胺基羰基，進而佳為烷基氧基羰基。此處的烷基的碳數較佳為1～4。
（結構單元的比） 於一實施形態中，就提高接著力的觀點而言，相對於接著性聚合物中的其他結構單元的合計，結構單元（A）的比率較佳為0.05莫耳%以上，更佳為0.1莫耳%以上，進而佳為1莫耳%以上，特佳為1.5莫耳%以上。另外，同樣就提高接著力的觀點而言，相對於接著性聚合物中的其他結構單元的合計，結構單元（A）的比率較佳為55莫耳%以下，更佳為10莫耳%以下，進而佳為7.5莫耳%以下，特佳為3莫耳%以下。若結構單元（A）的比率為所述範圍內，則容易提高接著力。作為所推斷的理由之一，可列舉：於結構單元（A）的比率為55莫耳%以下的情況下，因聚合物內的相互作用而有助於提高與被黏體的接著力的結構單元（A）的實質的量增加。結構單元（A）的比率可藉由核磁共振分光法（NMR分光法）而求出。「其他結構單元」為結構單元（A）以外的結構單元。
（重量平均分子量） 根據一實施形態，就提高接著力的觀點而言，重量平均分子量較佳為70,000以上，更佳為80,000以上，進而佳為100,000以上，特佳為120,000以上。另外，同樣就提高接著力的觀點而言，重量平均分子量較佳為200,000以下，更佳為180,000以下，進而佳為160,000以下。
（數量平均分子量） 根據一實施形態，就提高接著力的觀點而言，數量平均分子量較佳為18,000以上，更佳為20,000以上，進而佳為25,000以上。另外，同樣就提高接著力的觀點而言，數量平均分子量較佳為40,000以下，更佳為35,000以下，進而佳為33,000以下。
（分散度（PDI（聚合物分散性指數（polymer dispersity index））=Mw/Mn）） 根據一實施形態，就提高接著力的觀點而言，PDI較佳為6以下，更佳為5以下，進而佳為4以下。下限並無特別限定，通常為1以上。
於本揭示中，重量平均分子量及數量平均分子量可藉由尺寸排除層析法測定。具體而言，可藉由使用標準聚苯乙烯校準曲線對利用凝膠滲透層析法（Gel Permeation Chromatography，GPC）的測定值進行換算而求出。
（接著性聚合物的具體例） 於一實施形態中，接著性聚合物可由下述式（P1）表示。 [化11]
式中， A表示二羥基芳基，X表示二價連結基，m表示0或1的整數，R1a ～R3a 分別獨立地表示氫原子或取代基。 R1b ～R4b 分別獨立地表示氫原子或取代基。 a及b滿足0.05≦[a/b（mol/mol）]×100≦55。
兩種結構單元的莫耳比[a/b]可藉由核磁共振分光法（NMR分光法）求出。另外，接著性聚合物的末端並無特別限定，通常包含源自單體、聚合起始劑等的結構。
就獲得高接著力的觀點而言，較佳為0.1≦[a/b]，更佳為1≦[a/b]，進而佳為1.5≦[a/b]。另外，同樣就獲得高接著力的觀點而言，較佳為[a/b]≦10，更佳為[a/b]≦7.5，進而佳為[a/b]≦3。
另外，於一實施形態中，接著性聚合物為含有單體（A）、以及單體（B）的單體的共聚物，所述單體（A）具有二羥基芳基、以及乙烯性不飽和基，所述單體（B）並不具有二羥基芳基而具有乙烯性不飽和基。關於單體（A）、單體（B）等，將於後述。接著性聚合物亦可為由單體（A）及單體（B）組成的單體的共聚物。
（製造方法） 於一實施形態中，接著性聚合物是使具有乙烯性不飽和基的至少兩種單體聚合而獲得。兩種單體為具有二羥基芳基及乙烯性不飽和基的單體（A）、以及不具有二羥基芳基而具有乙烯性不飽和基的單體（B）。因此，接著性聚合物的製造方法的一實施形態包含使含有單體（A）與單體（B）的單體共聚。
使至少兩種單體共聚的方法並無特別限定。可使用自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等方法。另外，聚合方法可為溶液聚合、懸浮聚合、乳化聚合等的任一種。
（單體（A）） 接著性聚合物的製造方法中所使用的具有乙烯性不飽和基的單體至少為兩種，一種單體為單體（A）。單體（A）於分子內具有至少一個二羥基芳基且具有至少一個乙烯性不飽和基。
關於二羥基芳基，如以上所述。單體（A）可具有乙烯性不飽和基作為「包含乙烯性不飽和基的基」，作為包含乙烯性不飽和基的基的例子，可列舉乙烯基、烯丙基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯基氧基、甲基丙烯醯基氧基、丙烯酸基胺基、及甲基丙烯醯基胺基，較佳為甲基丙烯醯基胺基。
作為單體（A），例如可列舉：具有鄰苯二酚基的乙烯基化合物、具有鄰苯二酚基的(甲基)丙烯酸酯系化合物、及具有鄰苯二酚基的(甲基)丙烯醯胺系化合物。
作為單體（A）的具體例，可列舉下述式（A2）所表示的化合物。 [化12]
關於式中的符號，如於式（A1）中所說明般。
作為單體（A）的例子，較佳為可列舉下述式所表示的化合物（1）。
[化13]
（單體（B）） 接著性聚合物的製造方法中所使用的至少兩種單體中的另一種單體為單體（B）。單體（B）於分子內並不具有二羥基芳基且具有至少一個乙烯性不飽和基。關於二羥基芳基及乙烯性不飽和基，如以上所述。
作為單體（B）的具體例，可列舉下述式（B2）所表示的化合物。 [化14]
關於式中的符號，如於式（B1）中所說明般。
單體（B）例如可列舉：苯乙烯（乙烯基苯）；丙烯醯胺，甲基丙烯醯胺；二甲基丙烯醯胺、二甲基甲基丙烯醯胺等烷基取代丙烯醯胺或烷基取代甲基丙烯醯胺；丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、丙烯酸己酯、甲基丙烯酸己酯、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸正辛酯、甲基丙烯酸正辛酯、丙烯酸月桂基酯、甲基丙烯酸月桂基酯等丙烯酸烷基酯及甲基丙烯酸烷基酯；二丙酮(甲基)丙烯醯胺；二環戊基(甲基)丙烯酸酯；二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯；四氫糠基(甲基)丙烯酸酯；苄基(甲基)丙烯酸酯；1,2,2,6,6-五甲基哌啶基(甲基)丙烯酸酯；2,2,6,6-四甲基哌啶基(甲基)丙烯酸酯等。
作為單體（B），亦可使用於分子內包含反應性官能基的單體。作為反應性官能基，可列舉羥基、羧基、環氧基、鹵素基等。例如，作為包含反應性官能基的單體，可列舉反應性官能基對所述烷基取代丙烯醯胺、烷基取代甲基丙烯醯胺、丙烯酸烷基酯、或甲基丙烯酸烷基酯的烷基進行取代而成的化合物。具體而言，可列舉：(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯等具有羥基的(甲基)丙烯酸酯。
另外，亦可使用甲苯二異氰酸酯與2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯的反應物、三甲基六亞甲基二異氰酸酯與環己烷二甲醇及2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯的反應物等胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。
就充分獲得利用單體（A）的效果的觀點、或獲得優異的儲存穩定性的觀點而言，單體（B）較佳為包含選自烷基取代丙烯醯胺、烷基取代甲基丙烯醯胺、丙烯酸烷基酯、及甲基丙烯酸烷基酯中的一種以上，更佳為包含選自烷基取代甲基丙烯醯胺及甲基丙烯酸烷基酯中的一種以上。烷基取代甲基丙烯醯胺較佳為二甲基丙烯醯胺，甲基丙烯酸烷基酯較佳為甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸正丁酯等。
於一實施形態中，相對於單體中的單體（A）以外的單體的合計，合成接著性聚合物時使用的單體（A）的比率較佳為0.05莫耳%以上。另外，相對於單體中的單體（A）以外的單體的合計，單體（A）的比率較佳為55莫耳%以下。使以所述範圍含有單體（A）的單體組成物聚合而獲得的接著性聚合物對於各種被黏體顯現出更高的接著強度。就接著強度的觀點而言，單體（A）的比率更佳為0.1莫耳%以上，進而佳為1莫耳%以上，特佳為1.5莫耳%以上。同樣地，單體（A）的比率更佳為10莫耳%以下，進而佳為7.5莫耳%以下，特佳為3莫耳%以下。
於一實施形態中，單體（B）中的選自烷基取代丙烯醯胺、烷基取代甲基丙烯醯胺、丙烯酸烷基酯、及甲基丙烯酸烷基酯中的一種以上的合計的比率於所有單體（B）中較佳為50莫耳%以上，更佳為80莫耳%以上，進而佳為90莫耳%以上。於滿足所述範圍的情況下，可獲得更優異的接著強度與儲存穩定性。上限可為100莫耳%。
（自由基聚合起始劑） 於獲得接著性聚合物時，為了使單體聚合，較佳為使用自由基聚合起始劑。自由基聚合起始劑並無特別限制，可使用通常的自由基聚合起始劑。例如可較佳地列舉偶氮系化合物、過氧化物等。具體而言，較佳為藉由熱而產生游離自由基的偶氮系自由基起始劑及有機過氧化物。
作為偶氮系自由基起始劑，例如可列舉：偶氮雙異丁腈（AIBN（azobisisobutyronitrile），商品名V-60，和光純藥工業（股）製造）、2,2'-偶氮雙(2-甲基異丁腈)（商品名V-59，和光純藥工業（股）製造）、2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)（商品名V-65，和光純藥工業（股）製造）、二甲基-2,2'-偶氮雙(異丁酸酯)（商品名V-601，和光純藥工業（股）製造）、2,2'-偶氮雙(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)（商品名V-70，和光純藥工業（股）製造）等。
作為有機過氧化物，例如可列舉：異丁基過氧化物、α,α'-雙(新癸醯基過氧化異丙基)苯、枯基過氧化新癸酸酯、二-正丙基過氧化二碳酸酯、月桂醯基過氧化物、硬脂醯基過氧化物、第三丁基過氧化苯甲酸酯、正丁基-4,4-雙(第三丁基過氧化)戊酸酯、二-第三丁基過氧化間苯二甲酸酯、α,α'-雙(第三丁基過氧化異丙基)苯、枯烯氫過氧化物、第三己基氫過氧化物、第三丁基氫過氧化物等。
自由基聚合起始劑的使用量可根據單體的種類而適宜選擇，以通常量使用。具體而言，相對於單體的總量，較佳為0.01質量%～2質量%，更佳為0.1質量%～1質量%。
（反應溶媒） 於獲得接著性聚合物時，較佳為使用反應溶媒而藉由溶液聚合進行合成。反應溶媒較佳為有機溶媒，有機溶媒只要溶解單體，則並無特別限定。就單體（A）的溶解性的觀點而言，較佳為使用乙酸乙酯、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、或N,N-二甲基甲醯胺（N,N-dimethyl formamide，DMF）。
反應溶媒的調配量並無特別限制，可自聚合速度、聚合後的聚合物分子量等觀點而決定。例如，於聚合後的聚合物分子量（Mw）為10萬左右的情況下，單體的總量較佳為相對於溶媒而為15質量%～60質量%。
（聚合溫度） 合成接著性聚合物時的溫度並無特別限制，可考慮所使用的單體的種類、溶媒的沸點、聚合起始劑的半衰期溫度等而決定。例如，於使用偶氮雙異丁腈（AIBN）作為聚合起始劑進行聚合的情況下，反應溫度較佳為60℃～70℃。
（後處理） 於藉由溶液聚合獲得接著性聚合物的情況下，反應後亦可將接著性聚合物直接作為聚合物溶液而取出，亦可進行沈澱精製。例如，將反應後的聚合物溶液滴加至相對於接著性聚合物而言的不良溶媒中，以沈澱物的形式獲得接著性聚合物，藉此可將聚合物溶液中殘存的未反應的單體等去除。具體而言，於使用N,N-二甲基甲醯胺（DMF）使化合物（1）與甲基丙烯酸甲酯的兩種單體聚合的情況下，於反應後將聚合物溶液滴加至成為接著性聚合物的不良溶媒的水中，獲得沈澱物，藉此可將未反應的單體成分去除。
其中，接著性聚合物的製造方法並不限定於以上說明的方法。亦可藉由對包含乙烯結構單元的聚合物導入二羥基芳基的方法等製造接著性聚合物。
[任意成分] 接著劑除了含有接著性聚合物以外，亦可含有溶媒、添加劑、其他聚合物、其他接著性成分等任意的成分。溶媒較佳為有機溶媒，具體而言可使用作為反應溶媒而列舉的溶媒。作為添加劑，例如可列舉抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、聚合抑制劑、及界面活性劑。
[含量] 接著劑中的接著性聚合物的含量並無特別限制。就獲得更優異的接著力的觀點而言，以接著劑的總量（其中，於接著劑包含溶媒的情況下，為將溶媒的質量除外的固體成分的總質量）為基準，接著性聚合物的含量例如為80質量%～100質量%。於使用接著劑接著被黏體時，可藉由塗佈法將接著劑容易地應用於被黏體上，因此接著劑較佳為含有溶媒。該情況下，以接著劑的總量（亦包含溶媒的質量在內的總質量）為基準，接著性聚合物的含量例如為5質量%～30質量%。
[接著方法] 關於使用接著劑的接著方法，並無特別限制。例如，可藉由在塗佈含有溶媒的接著劑後使溶媒乾燥的方法進行接著，亦可藉由在將接著劑加熱熔融並加以塗佈後進行固化的方法進行接著。
於一實施形態中，接著劑可用於修補用途、增強用途等中。作為修補用途、增強用途等而使用的對象可列舉建築物的地板、牆壁等建築材料、混凝土等。作為所使用的對象的材質，可列舉金屬、玻璃、塑膠、混凝土等。
＜結構體＞ 於一實施形態中，結構體包括被黏體（1）、接著劑層、及被黏體（2），被黏體（1）與被黏體（2）經由接著劑層而接著，並且該接著劑層含有所述實施形態的接著劑。因利用具有高接著力的接著劑將被黏體（1）與被黏體（2）接著，因此結構體具有優異的強度。
作為被黏體（1）及被黏體（2）的例子，可列舉金屬、玻璃、塑膠、及混凝土，金屬、玻璃、塑膠、及混凝土的種類並無特別限定。作為塑膠，可列舉聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醯胺等工程塑膠。被黏體（1）與被黏體（2）的兩者、或任一者可為選自由不鏽鋼、銅、鋁、鎂、玻璃、及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種。
結構體例如可使用含有溶媒的接著劑而獲得。根據一實施形態，結構體可藉由如下方式製造：於被黏體（1）與被黏體（2）的兩者、或任一者上塗佈接著劑，將被黏體（A）與被黏體（B）接著，並將溶媒去除。作為塗佈方法，可列舉：灌注（potting）法、浸漬法、噴霧法、輥塗法等方法。溶媒的去除可列舉藉由加熱、減壓、該些的組合等進行乾燥的方法。
作為結構體的例子，可列舉汽車用零件、家電用零件、顯示裝置、可攜式終端、電子零件、建築材料、混凝土等。 [實施例]
以下，列舉實施例對本發明進而進行具體說明，但本發明並不由該些限定。
＜接著劑的製作及評價1＞ 製作包含接著性聚合物的接著劑，並對接著強度及儲存穩定性進行評價。
[接著性聚合物的合成] 使單體（A）與單體（B）的比例發生變化，合成接著性聚合物，並求出分子量及組成比。 （實施例1） 於50 mL的兩口茄形燒瓶中加入化合物（1）（N-(3,4-二羥基苯基乙基)甲基丙烯醯胺）100 mg、偶氮雙異丁腈（AIBN）75 mg、及轉子，安裝回流管及氮氣導入管。對系統內進行脫氣後利用氮氣進行置換，之後添加甲基丙烯酸甲酯（Methyl Methacrylate，MMA）9.1 g及N,N-二甲基甲醯胺（DMF）17.0 g，使用磁力攪拌器（magnetic stirrer）以100 rpm進行攪拌，使化合物（1）與AIBN溶解。以20 mL/分鐘導入氮氣，進行30分鐘起泡後，使氮氣導入管自液面抬起，繼續導入氮氣，並升溫至65℃。將到達65℃時的時間點設為反應開始，繼續反應10小時後，為了使AIBN失活而升溫至75℃並保持30分鐘，之後冷卻至室溫，獲得聚合物溶液。於2L的燒杯中加入純水1,000 g，加入轉子，一邊進行攪拌一邊使用滴加漏斗將聚合物溶液滴加至水中。攪拌30分鐘後，藉由過濾回收沈澱物，於80℃下乾燥8小時，從而以產率92質量%獲得固體的接著性聚合物。
（接著性聚合物的分子量測定） 使接著性聚合物0.05 g溶解於四氫呋喃（tetrahydrofuran，THF）5 g中，藉由凝膠滲透層析儀（日立高新技術（Hitachi High-Technologies）（股）製造的「庫魯瑪斯特（CHROMASTER）」，管柱：GL-A130S、GL-A150S、GL-A160（連結3根，均為GL科學（GL Sciences）（股）製造），檢測器：RI，溶離液：THF，流速：1.0 mL/min，管柱溫度：35℃，注入量：70 μL），測定接著性聚合物的重量平均分子量、數量平均分子量、及分子量分佈（Mw/Mn）。將結果示於表1中。
（接著性聚合物的組成分析） 使接著性聚合物10 mg溶解於氘化二甲基亞碸（DMSO）0.8 mL中，使用核磁共振裝置（布魯克拜厄斯賓（Bruker BioSpin）（股）製造的「AV400M」，頻率：400 MHz，累計次數：16，溫度：25℃，基準物質：四甲基矽烷（tetramethyl silane，TMS）），進行1 H-NMR測定。根據所獲得的光譜的質子比算出接著性聚合物中所含的結構單元的比率。將結果示於表1中。
（實施例2） 於接著性聚合物的合成中，設為化合物（1）200 mg、AIBN 75 mg、MMA 9.1 g、及DMF 17.2 g，除了該方面以外，與實施例1同樣地合成接著性聚合物，求出分子量及組成比。產率為86質量%。
（實施例3） 於接著性聚合物的合成中，設為化合物（1）400 mg、AIBN 76 mg、MMA 9.1 g、及DMF 17.6 g，除了該方面以外，與實施例1同樣地合成接著性聚合物，求出分子量及組成比。產率為89質量%。圖1中示出1 H-NMR光譜。
（實施例4） 於接著性聚合物的合成中，設為化合物（1）900 mg、AIBN 70 mg、MMA 8.1 g、及DMF 16.8 g，除了該方面以外，與實施例1同樣地合成接著性聚合物，求出分子量及組成比。產率為83質量%。
（實施例5） 於接著性聚合物的合成中，設為化合物（1）1.7 g、AIBN 69 mg、MMA 7.7 g、及DMF 17.4 g，除了該方面以外，與實施例1同樣地合成接著性聚合物，求出分子量及組成比。產率為83質量%。
（實施例6） 於接著性聚合物的合成中，設為化合物（1）5.0 g、AIBN 56 mg、MMA 4.5 g、及DMF 17.7 g，除了該方面以外，與實施例1同樣地合成接著性聚合物，求出分子量及組成比。產率為93質量%。
（比較例1） 於接著性聚合物的合成中，設為AIBN 62 mg、MMA 7.5 g、及DMF 14.5 g，除了該方面以外，與實施例1同樣地合成接著性聚合物，求出分子量及組成比。產率為84質量%。
（比較例2） 於接著性聚合物的合成中，設為化合物（1）6.0 g、AIBN 22 mg、及DMF 11.1 g，除了該方面以外，與實施例1同樣地合成接著性聚合物。產率為84質量%。接著性聚合物並未溶解於四氫呋喃中，因此無法進行分子量的測定。
（比較例3） 於接著性聚合物的合成中，設為AIBN 115 mg、MMA 13.9 g、丙烯酸（Acrylic Acid，AA）100 mg、及DMF 26.0 g，除了該方面以外，與實施例1同樣地合成接著性聚合物，求出分子量及組成比。產率為84質量%。
[接著強度的評價] 對實施例1～實施例6及比較例1～比較例3的接著性聚合物（接著劑）評價接著強度。將結果示於表1中。
（聚合物溶液的製備） 於20 cc的樣品管中加入所製作的接著性聚合物1.5 g及乙酸乙酯10 g，進行10分鐘超音波照射，繼而，使用攪拌轉子（mix rotor）混合30分鐘，獲得固體成分為15質量%的聚合物溶液（塗佈用的接著劑）。
（試驗片的製作） 對大小20 mm×70 mm、厚度1 mm的金屬基材（不鏽鋼（SUS304）、銅、鋁、鎂）、及大小20 mm×70 mm、厚度8 mm的玻璃基材（浮法玻璃）各自的表面注入丙酮並進行清洗，且使其充分乾燥。 於各基材的一端（金屬基材：20 mm×10 mm，玻璃基材：20 mm×5 mm）使用微量滴管（micropipette）滴加製作的聚合物溶液0.1 mL，利用玻璃棒使液面平滑。製作兩塊對各種基材塗佈了聚合物溶液而成的基材，於80℃的乾燥機中靜置10分鐘而將溶媒去除後，將兩塊基材以塗佈有聚合物溶液的部分彼此接著的方式重合，利用夾子加以固定並於180℃的乾燥機中靜置2小時，獲得用以評價剪切接著強度的試驗片。 金屬基材的接著寬度為10 mm，玻璃基材的接著寬度為5 mm。另外，任一基材的接著劑層的厚度均為約60 μm。
（拉伸剪切接著強度的評價） 將所製作的試驗片安裝於自動繪圖儀（autograph）試驗機（島津製作所（股）製造的「自動繪圖儀（AUTOGRAPH）AGS-X」）上，於拉伸速度10 mm/分鐘、角度180°（與接著面平行的方向）、溫度23℃的條件下測定拉伸剪切接著強度。
[表1] （表中簡稱） 化合物（1）：MMA：甲基丙烯酸甲酯 AA：丙烯酸
實施例1～實施例6的使用金屬基材的拉伸剪切接著強度的測定中，產生凝聚破壞。實施例1～實施例6的使用玻璃基材的測定中，產生基材破壞。另外，比較例1～比較例3的測定中，任一基材的情況下均產生界面破壞。
如實施例1～實施例6所示，包含結構單元（A）與結構單元（B）的接著性聚合物對於各種金屬及玻璃的接著強度大幅提高。尤其是，結構單元（A）的比例為2莫耳%的接著性聚合物獲得接著強度最大的結果。
另一方面，如比較例1～比較例3所示，僅包含結構單元（A）的接著性聚合物（比較例2）、與僅包含結構單元（B）的接著性聚合物（比較例1及比較例3）的接著強度小。
[儲存穩定性的評價] 對實施例2、實施例3及實施例5、以及比較例1～比較例3的接著性聚合物評價儲存穩定性。評價是藉由如下方式進行：按照以下的條件1或條件2將接著性聚合物靜置後，分析組成比，並將靜置前後的組成比加以比較。將結果示於表2中。組成比的變動小的接著性聚合物可謂是儲存穩定性優異。
（條件1：耐熱性的評價） 將所製作的接著性聚合物1 g加入樣品管內，於60℃下靜置30天。靜置後，按照所述方法進行接著性聚合物的組成分析。 （條件2：耐溶劑性的評價） 將與所述方法同樣地製作的聚合物溶液於常溫（25℃）下靜置30天。靜置後，利用蒸發器將溶媒的乙酸乙酯去除，於40℃下真空乾燥12小時並回收接著性聚合物。回收後，按照所述方法進行接著性聚合物的組成分析。
[表2]
如表2所示，實施例2、實施例3及實施例5的接著性聚合物的組成於靜置後亦未發生變化。根據包含結構單元（A）與結構單元（B）的接著性聚合物，可使高接著強度、與優異的儲存穩定性併存。
另一方面，認為比較例3的接著性聚合物因具有羧基而結構發生變化，於1 H-NMR分析中無法準確地算出質子比而不能進行組成的分析。
＜接著劑的製作及評價2＞ 製作包含接著性聚合物的接著劑，並評價接著強度。
[接著性聚合物的合成] 使自由基聚合起始劑的使用量發生變化，合成接著性聚合物，並求出分子量及組成比。 （實施例7） 於接著性聚合物的合成中，設為化合物（1）400 mg、AIBN 28 mg、MMA 9.1 g、及DMF 17.6，除了該方面以外，與實施例1同樣地合成接著性聚合物，求出分子量及組成比。產率為86質量%。
（實施例8） 於接著性聚合物的合成中，設為化合物（1）400 mg、AIBN 15 mg、MMA 9.1 g、及DMF 17.6 g，除了該方面以外，與實施例1同樣地合成接著性聚合物，求出分子量及組成比。產率為84質量%。
[接著強度的評價] 對實施例7及實施例8的接著性聚合物（接著劑）與實施例1同樣地測定接著強度。將結果與實施例3的結果一同示於表3中。
[表3]
如表3所示，實施例7及實施例8的接著性聚合物亦示出高接著強度。尤其是於實施例7的接著性聚合物中獲得最高的接著強度。
＜接著劑的製作及評價3＞ 製作包含接著性聚合物的接著劑，並評價接著強度。
[接著性聚合物的合成] 改變單體（B）的種類，合成接著性聚合物，並求出分子量及組成比。 （實施例9） 於接著性聚合物的合成中，設為化合物（1）400 mg、AIBN 75 mg、正丁基甲基丙烯酸酯（n-butyl methacrylate，BMA）12.8 g、及DMF 17.6 g，除了該方面以外，與實施例1同樣地合成接著性聚合物，求出分子量及組成比。產率為89質量%。
（比較例4） 於接著性聚合物的合成中，設為AIBN 75 mg、BMA 10.0 g、及DMF 18.6 g，除了該方面以外，與實施例1同樣地合成接著性聚合物，求出分子量及組成比。產率為88質量%。
[接著強度的評價] 對實施例9及比較例4的接著性聚合物（接著劑）與實施例1同樣地評價接著強度。將結果與實施例3的接著性聚合物的結果一同示於表4中。
[表4] （表中簡稱） BMA：甲基丙烯酸正丁酯
如表4所示，實施例9的接著性聚合物亦示出高接著強度。
＜接著劑的製作及評價4＞ 對包含接著性聚合物的接著劑對於塑膠的接著強度進行評價。
[接著強度的評價] 對實施例9及比較例4中製作的聚合物（接著劑）評價對於聚醯亞胺基材的接著強度。將結果示於表5中。
（聚合物溶液的製備） 使用攪拌轉子將實施例9中製作的聚合物1 g及甲基乙基酮4 g混合，獲得聚合物溶液（塗佈用的接著劑）。 （試驗片的製作） 使用100 μm的敷料器將聚合物溶液塗佈於聚醯亞胺膜（東麗杜邦（Toray Dupont）（股）製造的「開普頓（Kapton）200EN」）上。利用80℃的乾燥機乾燥1小時後，恢復至常溫，獲得試驗片。 （棋盤格試驗） 利用切割刀對試驗片的接著劑層交叉切入切口，形成100個方格（1 mm×1 mm）。對100個方格貼附透明膠帶（cellophane tape）並一下剝下，確認有無方格的剝離（未剝離的格數/100格）。
[表5]
如表5所示，包含結構單元（A）與結構單元（B）的接著性聚合物對於聚醯亞胺的接著強度大幅提高。
根據以上結果，得知包含結構單元（A）與結構單元（B）的接著性聚合物示出優異的接著強度。
本申請案的揭示與2017年5月31日提出申請的日本專利特願2017-108374號中記載的主題相關聯，並藉由引用而將其所有的揭示內容援用於此。
無
圖1是實施例3的接著劑所含的接著性聚合物的1 H-核磁共振（Nuclear Magnetic Resonance，NMR）光譜。

Claims (12)

  1. 一種接著劑，其含有聚合物，所述聚合物包含：具有含有鄰接的兩個羥基的芳香環基的乙烯結構單元（A）、以及並不具有含有鄰接的兩個羥基的芳香環基的乙烯結構單元（B）。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的接著劑，其中以所述乙烯結構單元（A）以外的結構單元的合計為基準，所述聚合物中所含的所述乙烯結構單元（A）的比例為0.05莫耳%～55莫耳%。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的接著劑，其中所述聚合物的重量平均分子量為70,000以上。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的接著劑，其中所述含有鄰接的兩個羥基的芳香環基包含下述式（a1）所表示的基，式中，Ar表示芳香環，R表示取代基，l為0以上的整數，且表示R的數量；於l為2以上的情況下，多個R彼此可相同，亦可不同；「*」表示與其他原子的鍵結位置。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的接著劑，其中所述乙烯結構單元（A）包含下述式（A1）所表示的結構單元，式中，A表示含有鄰接的兩個羥基的芳香環基，X表示二價連結基，m表示0或1的整數，Ra1 ～Ra3 分別獨立地表示氫原子或取代基；「*」表示與其他原子的鍵結位置。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的接著劑，其中所述乙烯結構單元（B）包含下述式（B1）所表示的結構單元，式中，Rb1 ～Rb4 分別獨立地表示氫原子或取代基；「*」表示與其他原子的鍵結位置。
  7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的接著劑，其中所述聚合物由下述式（P1）表示，式中， A表示含有鄰接的兩個羥基的芳香環基，X表示二價連結基，m表示0或1的整數，Ra1 ～Ra3 分別獨立地表示氫原子或取代基； Rb1 ～Rb4 分別獨立地表示氫原子或取代基； 「*」表示與其他原子的鍵結位置； a及b滿足0.05≦[a/b（mol/mol）]×100≦55。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的接著劑，其中所述聚合物為含有單體（A）、以及單體（B）的單體的共聚物，所述單體（A）具有含有鄰接的兩個羥基的芳香環基、以及乙烯性不飽和基，所述單體（B）並不具有含有鄰接的兩個羥基的芳香環基而具有乙烯性不飽和基。
  9. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的接著劑，其進而含有溶媒。
  10. 一種結構體，其包括被黏體（1）、接著劑層、及被黏體（2），所述被黏體（1）與所述被黏體（2）經由所述接著劑層而接著，且所述接著劑層含有如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的接著劑。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的結構體，其中所述被黏體（1）包含選自由不鏽鋼、銅、鋁、鎂、玻璃、及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種。
  12. 如申請專利範圍第10項或第11項所述的結構體，其中所述被黏體（2）包含選自由不鏽鋼、銅、鋁、鎂、玻璃、及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種。
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