TW201902985A - 液晶配向膜的製造方法及液晶顯示元件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種液晶配向膜的製造方法以及液晶顯示元件。在上述方法中，將利用特定製法所得之具有特定組成的液晶配向劑塗佈於薄膜電晶體基材上形成預塗層，之後使預塗層經過預先加熱處理、後加熱處理及配向處理而製得具有適當之阻抗光安定性之液晶配向膜。上述薄膜電晶體基材包含材料為氧化銦鎵鋅之主動層。包含利用上述方法所製得之液晶配向膜的液晶顯示元件，具有良好的積蓄電荷消除性。

Description

液晶配向膜的製造方法及液晶顯示元件
本發明是有關於一種液晶配向膜的製造方法以及液晶顯示元件，且特別是有關於一種設於包含氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide；IGZO)之主動層的薄膜電晶體基材上之液晶配向膜的製造方法以及液晶顯示元件。
近年來，新的液晶顯示元件之開發蓬勃發展，其中，例如業界開發出一液晶顯示元件，其藉由單側基板上以櫛齒狀方式配置兩個電極來驅動液晶，使基板表面產生平行電場，以控制液晶分子。上述液晶顯示元件一般被稱為橫向電場效應型(IPS型)，已知其具有出色的廣視角特性。然而，上述IPS型液晶顯示元件仍有因離子密度過高而產生殘影之問題。
日本專利特開第2006-259716號公報揭示一種低離子密度的液晶配向膜及一種用以製備液晶配向膜的含哌嗪(piperazine)結構之二胺化合物。透過使用含哌嗪結構之二胺化合物，所製得之配向膜可改善離子密度過高之問 題。然而，上述液晶配向劑所製得之液晶配向膜應用於IPS型液晶顯示元件時，仍有積蓄電荷消除緩慢，導致殘留電荷過高，進而生成殘影之問題。由上述可知，為了符合目前IPS型液晶顯示器業者之要求，提供一種可形成積蓄電荷消除性佳之液晶顯示元件之液晶配向膜，以及用以形成液晶配向膜的液晶配向劑，為本技術領域者努力研究之目標。
因此，本發明之一態樣在於提供一種液晶配向膜的製造方法，其係在包含氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide；IGZO)之主動層的薄膜電晶體基材上，塗覆以特定製造方法所得之具有特定組成的液晶配向劑以形成液晶配向膜。特別是，本發明的特徵在於上述液晶配向膜具有特定阻抗光安定性，以製得具有良好積蓄電荷消除性之液晶顯示元件。
本發明之另一態樣在於提供一種液晶顯示元件，其係包含利用上述之液晶配向膜的製造方法所製得的液晶配向膜。
請參考圖1，其繪示本發明之一實施例所述之檢測單元100的示意圖。本發明之阻抗光安定性係藉由下述的測量方法來進行：(1)首先，組裝檢測單元100。檢測單元100係由基板110、畫素電極120及上述液晶配向膜130所組成，其中畫素電極120以櫛齒型圖案化的方式形成於基板110之表面，且液晶配向膜130形成在畫素電極120之表 面；(2)接著，使用離子密度測定系統東陽科技股份公司(TOYO corporation)製；型號為6254型)，將頻率設為0.01Hz、振幅設為10V的電壓，以上述檢測單元100中所流通的電流及相對應的電壓，測量檢測單元100之第一阻抗Ri，其中上述電流為3.16nA，且上述測量係於23℃之溫度和50%之濕度的環境下進行；(3)然後，以照度6mW/cm2之背光單元照射上述檢測單元100達300秒，並測量第二阻抗Rf，其中該背光單元是白色發光二極體，且該白色發光二極體具有一發光光譜的主峰值範圍為430nm~500nm的晶片發光層，及一光致發光螢光體；該晶片發光層的構成材料是擇自於氮化物系化合物半導體、III-V族系化合物半導體、II-IV族系化合物半導體、IV-VI族系化合物半導體，或此等組合；(4)以及，利用下式(1)計算而得阻抗光安定性(△RUV)：△RUV=Ri-Rf 式(1)。
其中該液晶配向膜之阻抗光安定性(△RUV)小於500GΩ，較佳小於400GΩ，更佳小於300GΩ。
若液晶配向膜之阻抗光安定性不為上述之範圍時，所製得的液晶顯示元件的積蓄電荷消除性不佳。
根據本發明之上述態樣，首先提出一種液晶配向膜的製造方法，其包含將液晶配向劑塗佈在薄膜電晶體基材上而形成預塗層，以及使預塗層經過預先加熱處理、後加熱處理及配向處理而製得液晶配向膜，其中薄膜電晶體基材包含材料為IGZO之主動層，且上述之液晶配向膜具有小於500GΩ的阻抗光安定性。以下分別針對所述之液晶配向劑 和液晶配向膜的製造方法進行說明。
液晶配向劑
本發明之液晶配向劑包含聚合物(A)以及溶劑(B)，以下分述之。
聚合物(A)
本發明之聚合物(A)是由一混合物反應而獲得，其中所述混合物包含四羧酸二酐組份(a)及二胺組份(b)。
上述聚合物(A)之較佳具體例為聚醯胺酸聚合物、聚醯亞胺聚合物、聚醯亞胺系嵌段共聚合物，或此等一組合。其中，聚醯亞胺系嵌段共聚合物之較佳具體例為聚醯胺酸嵌段共聚合物、聚醯亞胺嵌段共聚合物、聚醯胺酸-聚醯亞胺嵌段共聚合物，或其中之一組合。
四羧酸二酐組份(a)
根據本發明之四羧酸二酐組份(a)之較佳具體例為(1)脂肪族四羧酸二酐化合物、(2)脂環族四羧酸二酐化合物、(3)芳香族四羧酸二酐化合物或(4)具有式(a-1)至(a-6)之四羧酸二酐化合物等。
根據本發明之(1)脂肪族四羧酸二酐化合物包含但不限於乙烷四羧酸二酐或丁烷四羧酸二酐等之脂肪族四羧酸二酐化合物。
根據本發明之(2)脂環族四羧酸二酐化合物包含但不限於1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,2-二甲基 -1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,3-二氯-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4-四甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4-環戊烷四羧酸二酐、1,2,4,5-環己烷四羧酸二酐、3,3',4,4'-二環己基四羧酸二酐、順-3,7-二丁基環庚基-1,5-二烯-1,2,5,6-四羧酸二酐、2,3,5-三羧基環戊基醋酸二酐或二環[2.2.2]-辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐等之脂環族四羧酸二酐化合物。
根據本發明之(3)芳香族四羧酸二酐化合物之具體例可包含但不限於3,4-二羧基-1,2,3,4-四氫萘-1-琥珀酸二酐、苯均四羧酸二酐、2,2',3,3'-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3',4,4'-聯苯碸四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、3,3'-4,4'-二苯基乙烷四羧酸二酐、3,3',4,4'-二甲基二苯基矽烷四羧酸二酐、3,3',4,4'-四苯基矽烷四羧酸二酐、1,2,3,4-呋喃四羧酸二酐、2,3,3',4'-二苯醚四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯醚四羧酸二酐、4,4'-雙(3,4-二羧基苯氧基)二苯硫醚二酐、2,3,3',4'-二苯硫醚四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯硫醚四羧酸二酐、4,4'-雙(3,4-二羧基苯氧基)二苯碸二酐、4,4'-雙(3,4-二羧基苯氧基)二苯丙烷二酐、3,3',4,4'-全氟異亞丙基二苯二酸二酐、2,2',3,3'-二苯基四羧酸二酐、2,3,3',4'-二苯基四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯基四羧酸二酐、雙(苯二酸)苯膦氧化物二酐、對-伸苯基-雙(三苯基苯二酸)二酐、間-伸苯基-雙(三苯基苯二酸)二酐、雙(三苯 基苯二酸)-4,4'-二苯基醚二酐、雙(三苯基苯二酸)-4,4'-二苯基甲烷二酐、乙二醇-雙(脫水偏苯三酸酯)、丙二醇-雙(脫水偏苯三酸酯)、1,4-丁二醇-雙(脫水偏苯三酸酯)、1,6-己二醇-雙(脫水偏苯三酸酯)、1,8-辛二醇-雙(脫水偏苯三酸酯)、2,2-雙(4-羥苯基)丙烷-雙(脫水偏苯三酸酯)、2,3,4,5-四氫呋喃四羧酸二酐、1,3,3a,4,5,9b-六氫-5-(四氫-2,5-二側氧基-3-呋喃基)-萘并[1,2-c]-呋喃-1,3-二酮、1,3,3a,4,5,9b-六氫-5-甲基-5-(四氫-2,5-二側氧基-3-呋喃基)-萘并[1,2-c]-呋喃-1,3-二酮、1,3,3a,4,5,9b-六氫-5-乙基-5-(四氫-2,5-二側氧基-3-呋喃基)-萘并[1,2-c]-呋喃-1,3-二酮、1,3,3a,4,5,9b-六氫-7-甲基-5-(四氫-2,5-二側氧基-3-呋喃基)-萘并[1,2-c]-呋喃-1,3-二酮、1,3,3a,4,5,9b-六氫-7-乙基-5-(四氫-2,5-二側氧基-3-呋喃基)-萘并[1,2-c]-呋喃-1,3-二酮、1,3,3a,4,5,9b-六氫-8-甲基-5-(四氫-2,5-二側氧基-3-呋喃基)-萘并[1,2-c]-呋喃-1,3-二酮、1,3,3a,4,5,9b-六氫-8-乙基-5-(四氫-2,5-二側氧基-3-呋喃基)-萘并[1,2-c]-呋喃-1,3-二酮、1,3,3a,4,5,9b-六氫-5,8-二甲基-5-(四氫-2,5-二側氧基-3-呋喃基)-萘并[1,2-c]-呋喃-1,3-二酮、5-(2,5-二側氧基四氫呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸二酐等。
根據本發明之(4)式(a-1)至式(a-6)所示之四羧酸二酐化合物，詳細敘述如下。
於式(a-5)中，A1表示含有芳香環的二價基團；r表示1至2之整數；A2及A3可為相同或不同，且可分別代表氫原子或烷基。較佳地，如式(a-5)所示之四羧酸二酐化合物可選自於如下式(a-5-1)至式(a-5-3)所示之化合物。
於式(a-6)中，A4代表含有芳香環的二價基團；A5及A6可為相同或不同，且分別地代表氫原子或烷基。較佳地，如式(a-6)所示之四羧酸二酐化合物可選自於如下式(a-6-1)所示之化合物。
上述之四羧酸二酐組份(a)可以單獨一種使用或者混合複數種使用。
基於二胺組份(b)之使用量為100莫耳，四羧酸二酐組份(a)使用量範圍為20莫耳至200莫耳；較佳為30莫耳至120莫耳。
二胺組份(b)
在一實施例中，本發明之二胺組份(b)至少包含如式(b-1)所示之二胺化合物(b1)。在另一實施例中，本發明之二胺組份(b)包含上述二胺化合物(b1)以及如式(b-2)所示之二胺化合物(b2)。在上述實施例中，本發明之二胺組份(b)可進一步包含其他二胺化合物(b3)。
二胺化合物(b1)
前述之如式(b-1)表示之二胺化合物(b1)係表 示如下：
於式(b-1)中，h表示1至12的整數。
具體來說，由式(b-1)表示的二胺化合物(b1)包含具有如下述式(b-1-1)至式(b-1-3)所示結構的二胺化合物：
於式(b-1-1)至式(b-1-3)中，h表示1至12的整數。
前述具有如式(b-1-1)所示結構的二胺化合物之具體例可為二(4-胺基苯氧基)甲烷、1,2-二(4-胺基苯氧基)乙烷、1,3-二(4-胺基苯氧基)丙烷、1,4-二(4-胺基苯氧基)丁烷、1,5-二(4-胺基苯氧基)戊烷、1,6-二(4-胺基苯氧基)己烷、1,7-二(4-胺基苯氧基)庚烷、1,8-二(4-胺基苯氧基)辛烷、1,9-二(4-胺基苯氧基)壬烷、1,10-二(4-胺基苯氧基)癸烷或上述化合物之任意組合。
前述具有如式(b-1-2)所示結構的二胺化合物之具體例可為二(2-胺基苯氧基)甲烷、1,2-二(2-胺基苯氧基)乙烷、1,3-二(2-胺基苯氧基)丙烷、1,4-二(2-胺基苯氧 基)丁烷、1,5-二(2-胺基苯氧基)戊烷、1,6-二(2-胺基苯氧基)己烷、1,7-二(2-胺基苯氧基)庚烷、1,8-二(2-胺基苯氧基)辛烷、1,9-二(2-胺基苯氧基)壬烷、1,10-二(2-胺基苯氧基)癸烷或上述化合物之任意組合。
前述具有如式(b-1-3)所示結構的二胺化合物之具體例可為二(3-胺基苯氧基)甲烷、1,2-二(3-胺基苯氧基)乙烷、1,3-二(3-胺基苯氧基)丙烷、1,4-二(3-胺基苯氧基)丁烷、1,5-二(3-胺基苯氧基)戊烷、1,6-二(3-胺基苯氧基)己烷、1,7-二(3-胺基苯氧基)庚烷、1,8-二(3-胺基苯氧基)辛烷、1,9-二(3-胺基苯氧基)壬烷、1,10-二(3-胺基苯氧基)癸烷或上述化合物之任意組合。
較佳地，由式(b-1)表示的二胺化合物(b1)之具體例可為1,3-二(4-胺基苯氧基)丙烷、1,4-二(4-胺基苯氧基)丁烷、1,5-二(4-胺基苯氧基)戊烷、1,6-二(4-胺基苯氧基)己烷、1,7-二(4-胺基苯氧基)庚烷、1,8-二(4-胺基苯氧基)辛烷、1,3-二(2-胺基苯氧基)丙烷、1,4-二(2-胺基苯氧基)丁烷、1,5-二(2-胺基苯氧基)戊烷、1,6-二(2-胺基苯氧基)己烷、1,7-二(2-胺基苯氧基)庚烷、1,8-二(2-胺基苯氧基)辛烷、1,3-二(3-胺基苯氧基)丙烷、1,4-二(3-胺基苯氧基)丁烷、1,5-二(3-胺基苯氧基)戊烷、1,6-二(3-胺基苯氧基)己烷、1,7-二(3-胺基苯氧基)庚烷或1,8-二(3-胺基苯氧基)辛烷等。
基於二胺組份(b)的總使用量為100莫耳，二胺化合物(b1)的使用量為15莫耳至95莫耳，較佳為20至莫耳 93莫耳，更佳為25莫耳至90莫耳。
若二胺組份(b)中未含有由式(b-1)表示的二胺化合物(b1)時，包含上述液晶配向劑所製得的液晶配向膜之液晶顯示元件的積蓄電荷消除性不佳。
二胺化合物(b2)
前述之如式(b-2)所示的二胺化合物(b2)係表示如下：
於式(b-2)中，R1各自獨立表示氫原子、碳數為1至10的烷基、碳數為1至10的烷氧基、乙醯胺基、氟原子、氯原子或溴原子；R2各自獨立表示碳數為1至3的烷基；m各自獨立表示0至3的整數；以及，n表示0至4的整數。
在式(b-2)中，R1較佳為各自獨立表示氫原子、碳數為1至10的烷基、碳數為1至10的烷氧基或乙醯胺基。
由式(b-2)表示的二胺化合物(b2)的具體例包括但不限於由式(b-2-1)至式(b-2-28)表示的二胺化合物中的至少一種。
由式(b-2)表示的二胺化合物(b2)可以單獨使用或者組合多種來使用。
基於該二胺組份(b)的總使用量為100莫耳，二胺化合物(b2)的使用量為5莫耳至50莫耳，較佳7莫耳至45莫耳，更佳10莫耳至40莫耳。
當液晶配向劑中使用二胺化合物(b2)，可進一步提升所形成的液晶顯示元件的積蓄電荷消除性。
其次，前述二胺化合物(b1)與二胺化合物(b2)之莫耳比值[(b1)/(b2)]可為0.5至10.0，較佳為1.0至8.0， 且更佳為1.5至5.0。若二胺化合物(b1)與二胺化合物(b2)之莫耳比值[(b1)/(b2)]為前述之範圍時，可進一步提升所形成的液晶顯示元件的積蓄電荷消除性。
其他二胺化合物(b3)
本發明之其他二胺化合物(b3)可包含但不限於1,2-二胺基乙烷、1,3-二胺基丙烷、1,4-二胺基丁烷、1,5-二胺基戊烷、1,6-二胺基己烷、1,7-二胺基庚烷、1,8-二胺基辛烷、1,9-二胺基壬烷、1,10-二胺基癸烷、4,4'-二胺基庚烷、1,3-二胺基-2,2-二甲基丙烷、1,6-二胺基-2,5-二甲基己烷、1,7-二胺基-2,5-二甲基庚烷、1,7-二胺基-4,4-二甲基庚烷、1,7-二胺基-3-甲基庚烷、1,9-二胺基-5-甲基壬烷、2,11-二胺基十二烷、1,12-二胺基十八烷、1,2-雙(3-胺基丙氧基)乙烷、4,4'-二胺基二環己基甲烷、4,4'-二胺基-3,3'-二甲基二環己基胺、1,3-二胺基環己烷、1,4-二胺基環己烷、異佛爾酮二胺、四氫二環戊二烯二胺、三環(6．2．1．02,7)-十一碳烯二甲基二胺、4,4'-亞甲基雙(環己基胺)、4,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯基乙烷、4,4'-二胺基二苯基碸、4,4'-二胺基苯甲醯苯胺、4,4'-二胺基二苯基醚、3,4'-二胺基二苯基醚、1,5-二胺基萘、5-胺基-1-(4'-胺基苯基)-1,3,3-三甲基氫茚、6-胺基-1-(4'-胺基苯基)-1,3,3-三甲基氫茚、六氫-4,7-甲橋伸氫茚基二亞甲基二胺、3,3'-二胺基二苯甲酮、3,4'-二胺基二苯甲酮、4,4'-二胺基二苯甲酮、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]六氟丙烷、2,2-雙(4- 胺基苯基)六氟丙烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸、1,4-雙(4-胺基苯氧基)環己烷、1,5-雙(4-胺基苯氧基亞甲基)金剛烷、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、9,9-雙(4-胺基苯基)-10-氫蒽、9,10-雙(4-胺基苯基)蒽[9,10-bis(4-aminophenyl)anthracene]、2,7-二胺基茀、9,9-雙(4-胺基苯基)茀、4,4'-亞甲基-雙(2-氯苯胺)、4,4'-(對-伸苯基異亞丙基)雙苯胺、4,4'-(間-伸苯基異亞丙基)雙苯胺、2,2'-雙[4-(4-胺基-2-三氟甲基苯氧基)苯基]六氟丙烷、4,4'-雙[(4-胺基-2-三氟甲基)苯氧基]-八氟聯苯、5-[4-(4-正戊烷基環己基)環己基]苯基亞甲基-1,3-二胺基苯{5-[4-(4-n-pentylcyclohexyl)cyclohexyl]phenylmethylene-1,3-diaminobenzene}、1,1-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]-4-(4-乙基苯基)環己烷{1,1-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]-4-(4-ethyl phenyl)cyclohexane}或如下式(b-3-1)至式(b-3-29)所示之其他二胺化合物。
於式(III-1)中，X6代表-O-、、、、或，且X7代表含甾基團、三氟甲基、氟基、碳數為2至30之烷基或衍生自吡啶、嘧啶、三嗪、哌啶及哌嗪等含氮原子環狀結構的一價基團。
上式(b-3-1)所示之其他二胺化合物較佳可為2,4-二胺基苯基甲酸乙酯(2,4-diaminophenyl ethyl formate)、3,5-二胺基苯基甲酸乙酯(3,5-diaminophenyl ethyl formate)、2,4-二胺基苯基甲酸丙酯(2,4-diaminophenyl propyl formate)、3,5-二胺基苯基甲酸丙酯(3,5-diaminophenyl propyl formate)、1-十二烷氧基-2,4-二胺基苯(1-dodecoxy-2,4-diamino-benzene)、1-十六烷氧基-2,4-二胺基苯(1-hexadecoxy-2,4-diaminobenzene)、1-十八烷氧基-2,4-二胺基苯(1-octadecoxy-2,4-diaminobenzene)或下式(b-3-1-1)至式(b-3-1-6)所示之其他二胺化合物。
於式(b-3-2)中，X8代表-O-、、、、或，X9及X10表示伸脂肪族環、伸芳香族環或伸雜環基團，且X11代表碳數為3至18之烷基、碳數為3至18之烷氧基、碳數為1至5之氟烷基、碳數為1至5之氟烷氧基、氰基或鹵素原子。
上式(b-3-2)所示之其他二胺化合物較佳可為如下式(b-3-2-1)至式(b-3-2-13)所示之二胺化合物：
於式(b-3-2-10)至式(b-3-2-13)中，s可代表3至12之整數。
於式(b-3-3)中，X12代表氫原子、碳數為1至5的醯基、碳數為1至5的烷基、碳數為1至5的烷氧基或鹵素。X13為1至3的整數。當X13大於1時，複數個X12可為相同或不同。
上述式(b-3-3)所示之二胺化合物較佳是選自 於(1)X13為1：對-二胺苯、間-二胺苯、鄰-二胺苯或2,5-二胺甲苯等；(2)X13為2：4,4'-二胺基聯苯、2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二甲氧基-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-二氯-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二氯-4,4'-二胺基聯苯、2,2',5,5'-四氯-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-二氯-4,4'-二胺基-5,5'-二甲氧基聯苯或4,4'-二胺基-2,2'-雙(三氟甲基)聯苯等；(3)X13為3：1,4-雙(4'-胺基苯基)苯等，更佳是選自於對-二胺苯、2,5-二胺甲苯、4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二甲氧基-4,4'-二胺基聯苯或1,4-雙(4'-胺基苯基)苯。
於式(III-4)中，X14代表1至5之整數。該式(b-3-4)較佳選自於4,4'-二胺基二苯基硫醚。
於式(b-3-5)中，X15及X17可為相同或不同，且分別代表二價有機基團，X16代表衍生自吡啶、嘧啶、三嗪、哌啶及哌嗪等含氮原子環狀結構的二價基團。
於式(b-3-6)中，X18、X19、X20及X21分別可為相同或 不同，且可代表碳數為1至12的烴基。X22代表1至3之整數，且X23代表1至20之整數。
於式(b-3-7)中，X24代表-O-或伸環己烷基，X25代表-CH2-，X26代表伸苯基或伸環己烷基，且X27代表氫原子或庚基。
上述式(b-3-7)所示之二胺化合物較佳選自於如下式(b-3-7-1)及式(b-3-7-2)所示之二胺化合物。
式(b-3-8)至式(b-3-29)所示之其他二胺化合物如下所示：
於式(b-3-16)至式(b-3-19)中，X28以碳數為1至10之烷基或碳數為1至10之烷氧基為較佳。於式(b-3-20)至式(b-3-24)中，X29以氫原子、碳數為1至10之烷基或碳數為1至10之烷氧基為較佳。
二胺組份(b3)較佳可包含但不限於1,2-二胺基乙烷、4,4'-二胺基二環己基甲烷、4,4'-二胺基二苯基甲烷、 4,4'-二胺基二苯基醚、5-[4-(4-正戊烷基環己基)環己基]苯基亞甲基-1,3-二胺基苯、1,1-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]-4-(4-乙基苯基)環己烷、2,4-二胺基苯基甲酸乙酯、對-二胺苯、間-二胺苯、鄰-二胺苯、式(b-3-1-1)、式(b-3-1-2)、式(b-3-1-5)、式(b-3-2-1)、式(b-3-2-11)、式(b-3-7-1)、式(b-3-25)或式(b-3-28)所表示的化合物。
前述之二胺組份(b3)可單獨一種或混合複數種使用。
基於二胺組份(b)的總使用量為100莫耳，其他二胺化合物(b3)的使用量為0至80莫耳，較佳為0至73莫耳，更佳為0至65莫耳。
聚合物(A)的製造方法
根據本發明之聚醯胺酸聚合物之製備可為一般之方法，較佳地，聚醯胺酸聚合物之製備方法包含以下步驟：將包括四羧酸二酐組份(a)與二胺組份(b)之混合物溶於溶劑中，在0℃至100℃之溫度條件下進行聚縮合反應並反應1小時至24小時，接著再將上述之反應溶液以蒸發器進行減壓蒸餾方式，即可得到聚醯胺酸聚合物，或者將上述之反應溶液倒入大量之貧溶劑中，得到析出物，接著經由減壓乾燥方式將析出物進行乾燥處理，即可得到聚醯胺酸聚合物。
用於聚縮合反應中的溶劑可與下述液晶配向劑中的溶劑相同或不同，且用於聚縮合反應中的溶劑並無特別的限制，只要是可溶解反應物與生成物即可。較佳地，溶劑 包含但不限於(1)非質子系極性溶劑，例如：N-甲基-2-吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidinone；NMP)、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、γ-丁內酯、四甲基尿素或六甲基磷酸三胺等之非質子系極性溶劑；(2)酚系溶劑，例如：間-甲酚、二甲苯酚、酚或鹵化酚類等之酚系溶劑。基於混合物之使用使用量為100重量份，用於聚縮合反應中之溶劑的使用量較佳為200重量份至2000重量份，更佳為300重量份至1800重量份。
特別地，於聚縮合反應中，溶劑可併用適量的貧溶劑，其中貧溶劑不會造成聚醯胺酸聚合物析出。貧溶劑可以單獨一種使用或者混合複數種使用，且其包含但不限於(1)醇類，例如：甲醇、乙醇、異丙醇、環己醇、乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇或三乙二醇等之醇類；(2)酮類，例如：丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等之酮類；(3)酯類，例如：醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、草酸二乙酯、丙二酸二乙酯或乙二醇乙基醚醋酸酯等之酯類；(4)醚類，例如：二乙基醚、乙二醇甲基醚、乙二醇乙基醚、乙二醇正丙基醚、乙二醇異丙基醚、乙二醇正丁基醚、乙二醇二甲基醚或二乙二醇二甲基醚等之醚類；(5)鹵化烴類，例如：二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,4-二氯丁烷、三氯乙烷、氯苯或鄰-二氯苯等之鹵化烴類；(6)烴類，例如：四氫呋喃、己烷、庚烷、辛烷、苯、甲苯或二甲苯等之烴類或上述溶劑之任意組合。基於二胺組份(b)的使用量為100重量份，貧溶劑的用量較佳為0重量份至60重量份，更佳為0重量份至50重量 份。
根據本發明之聚醯亞胺聚合物之製備可為一般之方法，較佳地，聚醯亞胺聚合物之製備方法先將一混合物溶解於溶液中，其中混合物包含四羧酸二酐組份(a)與二胺組份(b)，並進行聚合反應，以形成聚醯胺酸聚合物。接著，在脫水劑及觸媒的存在下，進一步加熱，並進行脫水閉環反應，使得聚醯胺酸聚合物中的醯胺酸官能基經由脫水閉環反應轉變成醯亞胺官能基(即醯亞胺化)，而得到聚醯亞胺聚合物。
用於脫水閉環反應中之溶劑可與下述液晶配向劑中的溶劑相同，故不另贅述。基於聚醯胺酸聚合物的使用量為100重量份，用於脫水閉環反應中的溶劑的使用量較佳為200重量份至2000重量份，更佳為300重量份至1800重量份。
為獲得較佳之聚醯胺酸聚合物的醯亞胺化程度，脫水閉環反應的操作溫度較佳為40℃至200℃，更佳為40℃至150℃。若脫水閉環反應的操作溫度低於40℃時，醯亞胺化之反應不完全，而降低聚醯胺酸聚合物的醯亞胺化程度。然而，若脫水閉環反應的操作溫度高於200℃時，所得的聚醯亞胺聚合物的重量平均分子量偏低。
用於脫水閉環反應中的脫水劑可選自於酸酐類化合物，其具體例如：醋酸酐、丙酸酐或三氟醋酸酐等之酸酐類化合物。基於聚醯胺酸聚合物為1莫耳，脫水劑的使用量為0.01莫耳至20莫耳。用於脫水閉環反應中的觸媒可選 自於(1)吡啶類化合物，例如：吡啶、三甲基吡啶或二甲基吡啶等之吡啶類化合物；(2)三級胺類化合物，例如：三乙基胺等之三級胺類化合物。基於脫水劑的使用量為1莫耳，觸媒的使用量為0.5莫耳至10莫耳。
根據本發明之聚醯亞胺系嵌段共聚合物之較佳具體例為聚醯胺酸嵌段共聚合物、聚醯亞胺嵌段共聚合物、聚醯胺酸-聚醯亞胺嵌段共聚合物，或此等之任意組合。
根據本發明之聚醯亞胺系嵌段共聚合物之製備可為一般之方法，較佳地，聚醯亞胺系嵌段共聚合物之製備方法先將一起始物溶解於溶劑中，並進行聚縮合反應，其中所述起始物包括上述之至少一種聚醯胺酸聚合物及/或上述之至少一種聚醯亞胺聚合物，且可進一步地包括四羧酸二酐組份(a)及二胺組份(b)。
所述起始物中之四羧酸二酐組份(a)與二胺組份(b)是與上述製備聚醯胺酸聚合物中所使用的四羧酸二酐組份(a)與二胺組份(b)相同，且用於聚縮合反應中的溶劑可與下述液晶配向劑中的溶劑相同，在此不另贅述。
基於起始物的使用量為100重量份，用於聚縮合反應中之溶劑的使用量較佳為200重量份至2000重量份，更佳為300重量份至1800重量份。聚縮合反應的操作溫度較佳為0℃至200℃，更佳為0℃至100℃。
較佳地，起始物包含但不限於(1)二種末端基相異且結構相異之聚醯胺酸聚合物；(2)二種末端基相異且結構相異之聚醯亞胺聚合物；(3)末端基相異且結構相異之聚 醯胺酸聚合物及聚醯亞胺聚合物；(4)聚醯胺酸聚合物、四羧酸二酐化合物及二胺化合物，其中，四羧酸二酐化合物及二胺化合物之中的至少一種與形成聚醯胺酸聚合物所使用的四羧酸二酐組份(a)及二胺組份(b)的結構相異；(5)聚醯亞胺聚合物、四羧酸二酐化合物及二胺化合物，其中，所述四羧酸二酐化合物及二胺化合物中的至少一種與形成聚醯亞胺聚合物所使用的四羧酸二酐組份(a)及二胺組份(b)的結構相異；(6)聚醯胺酸聚合物、聚醯亞胺聚合物、四羧酸二酐化合物及二胺化合物，其中，四羧酸二酐化合物及二胺中的至少一種與形成聚醯胺酸聚合物或聚醯亞胺聚合物所使用的四羧酸二酐組份(a)及二胺組份(b)的結構相異；(7)二種結構相異之聚醯胺酸聚合物、四羧酸二酐化合物及二胺化合物；(8)二種結構相異之聚醯亞胺聚合物、四羧酸二酐化合物及二胺化合物；(9)二種末端基為酸酐基且結構相異的聚醯胺酸聚合物以及二胺化合物；(10)二種末端基為胺基且結構相異的聚醯胺酸聚合物以及四羧酸二酐化合物；(11)二種末端基為酸酐基且結構相異的聚醯亞胺聚合物以及二胺化合物；(12)二種末端基為胺基且結構相異的聚醯亞胺聚合物以及四羧酸二酐化合物。
在不影響本發明之功效範圍內，較佳地，該聚醯胺酸聚合物、該聚醯亞胺聚合物以及該聚醯亞胺系嵌段共聚合物可以是先進行分子量調節後的末端修飾型聚合物。藉由使用末端修飾型的聚合物，可改善液晶配向劑的塗佈性能。製備該末端修飾型聚合物的方式可藉由在聚醯胺酸聚合 物進行聚縮合反應的同時，加入一單官能性化合物來製得，單官能性化合物包含但不限於(1)一元酸酐，例如：馬來酸酐、鄰苯二甲酸酐、衣康酸酐、正癸基琥珀酸酐、正十二烷基琥珀酸酐、正十四烷基琥珀酸酐或正十六烷基琥珀酸酐等之一元酸酐；(2)單胺化合物，例如：苯胺、環己胺、正丁胺、正戊胺、正己胺、正庚胺、正辛胺、正壬胺、正癸胺、正十一烷胺、正十二烷胺、正十三烷胺、正十四烷胺、正十五烷胺、正十六烷胺、正十七烷胺、正十八烷胺或正二十烷胺等之單胺化合物；(3)單異氰酸酯化合物，例如：異氰酸苯酯或異氰酸萘基酯等之單異氰酸酯化合物。
本發明的聚合物(A)根據凝膠滲透色層分析法所測得經聚苯乙烯換算的重量平均分子量為10,000至90,000，較佳為12,000至75,000，更佳為15,000至60,000。
本發明之聚合物(A)至少包括一種以下述方式製得之聚醯胺酸聚合物、聚醯亞胺聚合物或聚醯亞胺系嵌段共聚合物。該方式之具體例包含聚縮合反應時批次添加四羧酸二酐組份、聚縮合反應時批次添加二胺組份、聚縮合反應時批次添加溶劑或聚縮合反應時變溫控制等。
當聚合物(A)未包含以上述方式製得之聚醯胺酸聚合物、聚醯亞胺聚合物或聚醯亞胺系嵌段共聚合物時，則所製得之液晶配向膜之阻抗光安定性不佳。
溶劑(B)
本發明的液晶配向劑中所使用的溶劑並無特別 的限制，只要是可溶解聚合物(A)與其他任意成份且並不與其產生反應即可，較佳為同前述合成聚醯胺酸中所使用的溶劑，同時，亦可併用合成該聚醯胺酸時所使用的貧溶劑。
溶劑(B)的具體例包括但不限於N-甲基-2-吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone，NMP)、γ-丁內酯、γ-丁內醯胺、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、乙二醇單甲基醚、乳酸丁酯、乙酸丁酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、乙二醇甲基醚、乙二醇乙基醚、乙二醇正丙基醚、乙二醇異丙基醚、乙二醇正丁基醚(ethylene glycol n-butyl ether)、乙二醇二甲基醚、乙二醇乙基醚乙酸酯、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇單甲基醚乙酸酯、二乙二醇單乙基醚乙酸酯或N,N-二甲基甲醯胺或N,N-二甲基乙醯胺(N,N-dimethyl acetamide)等。溶劑(B)可以單獨使用或者組合多種來使用。
基於聚合物(A)的使用量為100重量份，溶劑(B)的使用量為800至4000重量份，較佳為900至3500重量份，且更佳為1000至3000重量份。
添加劑(C)
不影響本發明之功效範圍內，液晶配向劑可選擇性地添加添加劑(C)，且添加劑(C)為環氧化合物或具有官能性基團之矽烷化合物等。添加劑(C)的作用是用來提高該液晶配向膜與基板表面的附著性。添加劑(C)可以單獨一種使用或者混合複數種使用。
前述之環氧化合物可包含但不限於乙二醇二環氧丙基醚、聚乙二醇二環氧丙基醚、丙二醇二環氧丙基醚、三丙二醇二環氧丙基醚、聚丙二醇二環氧丙基醚、新戊二醇二環氧丙基醚、1,6-己二醇二環氧丙基醚、丙三醇二環氧丙基醚、2,2-二溴新戊二醇二環氧丙基醚、1,3,5,6-四環氧丙基-2,4-己二醇、N,N,N',N'-四環氧丙基-間-二甲苯二胺、1,3-雙(N,N-二環氧丙基胺基甲基)環己烷、N,N,N',N'-四環氧丙基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、N,N-環氧丙基-對-環氧丙氧基苯胺、3-(N-烯丙基-N-環氧丙基)胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N,N-二環氧丙基)胺基丙基三甲氧基矽烷等。
基於聚合物(A)的使用量為100重量份，環氧化合物的使用量一般為40重量份以下，較佳為0.1重量份至30重量份。
上述具有官能性基團之矽烷化合物可包含但不限於3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、2-胺基丙基三甲氧基矽烷、2-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-脲基丙基三甲氧基矽烷(3-ureidopropyltrimethoxysilane)、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、N-乙氧基羰基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-乙氧基羰基-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-三乙氧基矽烷基丙基三伸乙三胺、N-三甲氧基矽烷基丙基三伸乙三胺、10-三甲氧基矽烷基-1,4,7-三吖癸烷、10-三乙氧基矽烷基-1,4,7-三吖癸烷、9-三甲氧基矽烷基-3,6-二吖壬基醋酸 酯、9-三乙氧基矽烷基-3,6-二吖壬基醋酸酯、N-苯甲基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯甲基-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-雙(氧化乙烯)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-雙(氧化乙烯)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷等。
基於聚合物(A)的使用量為100重量份，矽烷化合物的使用量一般為10重量份以下，較佳為0.5重量份至10重量份。
液晶配向劑的製備方法
本發明之液晶配向劑之製備方法並無特別之限制，可採用一般之混合方法，如先將四羧酸二酐組份(a)及二胺組份(b)混合均勻，以反應形成一聚合物(A)。接著，將聚合物(A)於溫度為0℃至200℃的條件下加入溶劑(B)，並可選擇性地加入添加劑(C)，以攪拌裝置持續攪拌至溶解即可。較佳地，於20℃至60℃的溫度下，將聚合物(A)加入溶劑(B)。
液晶配向膜的形成方法
本發明亦提供一種液晶配向膜，其由前述之液晶配向劑所製造。
較佳地，液晶配向膜之形成方式包含之步驟為：將上述之液晶配向劑利用輥塗佈法、旋轉塗佈法、印刷法、噴墨法(ink-jet)等方法，塗佈在已設置畫素電極之基材表面上，形成一預塗層，接著將預塗層經過預先加熱處理 (pre-bake treatment)、後加熱處理(post-bake treatment)及配向處理(alignment treatment)而製得，以所述方式形成的膜的膜厚較佳為0.001μm~1μm，更佳為0.005μm~0.5μm。
本發明此處所稱之基材至少包括一種薄膜電晶體基材，包括：第一基板(可具有與如圖1所示之基板110相同的材料)、複數薄膜電晶體單元以及絕緣層。其中，薄膜電晶體單元係設置於第一基板上，且薄膜電晶體單元分別包括：閘極絕緣層、主動層、源極及汲極，且主動層之材料為氧化銦鎵鋅(IGZO)。此外，絕緣層則設置於所述薄膜電晶體單元上且絕緣層具有複數接觸孔，以分別顯露所述薄膜電晶體單元之汲極；畫素電極係設置於絕緣層上且朝上述接觸孔延伸以與汲極電性連接；而配向膜則覆蓋畫素電極。
所述預先加熱處理之目的在於使預塗層中之有機溶劑揮發。較佳地，預先加熱處理之操作溫度範圍為30℃至120℃，更佳地為40℃至110℃，又更佳地為50℃至100℃。
上述之配向處理並無特別之限制，可採用尼龍、人造絲、棉類等纖維所做成之布料纏繞在滾筒上，以一定方向磨擦進行配向。上述配向處理為本技術領域者所周知，因此不再多加贅述。
後加熱處理步驟目之在於使預塗層中之聚合物再進一步進行脫水閉環(醯亞胺化)反應。較佳地，後加熱處理之操作溫度範圍為150℃至300℃，又較佳地為180℃至 280℃，更佳地為200℃至250℃。
當薄膜電晶體單元之主動層之材料不包含氧化銦鎵鋅(IGZO)時，則所製得的液晶顯示元件的積蓄電荷消除性不佳。
在一實施例中，在形成液晶配向膜前，本發明之液晶配向膜的製造方法更包含利用如圖1所示的檢測單元100對液晶配向劑所形成的液晶配向膜進行阻抗光安定性之測量，具體檢測方式如前述圖1以及後述之阻抗光安定性的評價方式所述。
液晶顯示元件的製造方法
本發明又提供一種液晶顯示元件，其包含前述之液晶配向膜。
液晶顯示元件之製作方式為本技術領域者所周知，因此，以下僅簡單地進行陳述。
參閱圖2，本發明液晶顯示元件200之較佳實施例是包含第一單元210、第二單元220及液晶單元230，其中第二單元220與第一單元210間隔相對，且液晶單元230設置在第一單元210與第二單元220之間。
第一單元210包括薄膜電晶體基材212、畫素電極214及第一液晶配向膜216，其中畫素電極214以櫛齒型圖案化的方式形成於薄膜電晶體基材212之表面，且第一液晶配向膜216形成在畫素電極214之表面。薄膜電晶體基材212包括第一基板、複數薄膜電晶體單元以及絕緣層。
第二單元220包括第二基板222及第二液晶配 向膜226，其中第二液晶配向膜226形成在第二基板222的表面。
上述之第一基板與第二基板222是選自於透明材料等，其中，透明材料包含但不限於用於液晶顯示裝置的無鹼玻璃、鈉鈣玻璃、硬質玻璃(派勒斯玻璃)、石英玻璃、聚乙烯對苯二甲酸酯、聚丁烯對苯二甲酸酯、聚醚碸、聚碳酸酯等。畫素電極114的材質是擇自於氧化錫(SnO2)、氧化銦-氧化錫(In2O3-SnO2)等的透明電極；或鉻等金屬電極。
第一液晶配向膜216及第二液晶配向膜226分別為上述之液晶配向膜，其作用在於使液晶單元230形成預傾角，且液晶單元230可被畫素電極214產生的平行電場驅動。
液晶單元230所使用的液晶可單獨或混合複數種使用，液晶包含但不限於二胺基苯類液晶、噠嗪(pyridazine)類液晶、希夫氏鹼(shiff base)類液晶、氧化偶氮基(azoxy)類液晶、苯基環己烷類液晶、聯苯(biphenyl)類液晶、苯基環己烷(phenylcyclohexane)類液晶、酯(ester)類液晶、三聯苯(terphenyl)、聯苯環己烷(biphenylcyclohexane)類液晶、嘧啶(pyrimidine)類液晶、二氧六環(dioxane)類液晶、雙環辛烷(bicyclooctane)類液晶、立方烷(cubane)類液晶等，且可視需求再添加如氯化膽固醇(cholesteryl chloride)、膽固醇壬酸酯(cholesteryl nonanoate)、膽固醇碳酸酯(cholesteryl carbonate)等的膽固醇型液晶，或是以商品名為「C-15」、 「CB-15」(默克公司製造)的對掌(chiral)劑等，或者對癸氧基苯亞甲基-對胺基-2-甲基丁基肉桂酸酯等強誘電性(ferroelectric)類液晶。
本發明的液晶配向劑所製作之液晶顯示元件適用於各式向列液晶，如TN、STN、TFT、VA、IPS等之液晶顯示元件。此外，根據所選擇的液晶，亦可使用於強誘電性或反強誘電性等不同的液晶顯示元件。上述液晶顯示元件中，特別適用於IPS型之液晶顯示元件。
茲以下列實例予以詳細說明本發明，唯並不意謂本發明僅侷限於此等實例所揭示之內容。
100‧‧‧檢測單元
110‧‧‧基板
120‧‧‧畫素電極
130‧‧‧液晶配向膜
200‧‧‧液晶顯示元件
210‧‧‧第一單元
212‧‧‧薄膜電晶體基材
214‧‧‧畫素電極
216‧‧‧第一液晶配向膜
220‧‧‧第二單元
222‧‧‧第二基板
226‧‧‧第二液晶配向膜
230‧‧‧液晶單元
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之詳細說明如下：[圖1]繪示根據本發明之一實施例所述之檢測單元的示意圖。
[圖2]繪示根據本發明之一實施例所述之液晶顯示元件的結構示意圖。
聚合物(A)的合成例
以下說明聚合物(A)的合成例A-1-1至A-1-12、合成例A-2-1至A-2-6、比較合成例A’-1-1至 A’-1-4以及比較合成例A’-2-1至A’-2-2，其中上述合成例與比較合成例之各成分的使用比例悉如表1和表2所示。
合成例A-1-1
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入1.73克(0.0075莫耳)二(4-胺基苯氧基)甲烷(簡稱為b1-1)、2.16克(0.02莫耳)對-二胺苯(簡稱為b3-1)、4.96克(0.025莫耳)4,4'-二胺基二苯基甲烷(簡稱為b3-2)以及80克的N-甲基-2-吡咯烷酮(簡稱為NMP)，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入9.82克(0.045莫耳)的苯均四羧酸二酐(簡稱為a-1)以及20克的NMP，並於室溫下反應2小時後，將1.08克(0.005莫耳)的a-1以三等份分三次加入，每次間隔20分鐘。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A-1-1)。
合成例A-1-2
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入3.23克(0.0125莫耳)1,3-二(4-胺基苯氧基)丙烷(簡稱為b1-2)、6.70克(0.025莫耳)如式(b-2-1)所示之二胺化合物(簡稱為b2-1)、2.50克(0.0125莫耳)4,4'-二胺基二苯基醚(簡稱為b3-3)以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入8.82克(0.045莫耳)的1,2,3,4- 環丁烷四羧酸二酐(簡稱為a-2)以及20克的NMP，並於室溫下反應2小時後，將0.99克(0.005莫耳)的a-2以二等份分二次加入，每次間隔20分鐘。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A-1-2)。
合成例A-1-3
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入3.58克(0.0125莫耳)1,5-二(4-胺基苯氧基)戊烷(簡稱為b1-3)、5.95克(0.03莫耳)的b3-2、0.50克(0.0025莫耳)的b3-3以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入11.21克(0.05莫耳)的2,3,5-三羧基環戊基醋酸二酐(簡稱為a-3)以及20克的NMP，並於室溫下反應2小時後，將0.99克(0.005莫耳)的b3-2以三等份分三次加入，每次間隔20分鐘。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A-1-3)。
合成例A-1-4
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入3.14克(0.01莫耳)的1,7-二(3-胺基苯氧基)庚烷(簡稱為b1-4)、8.40克(0.025莫耳)如式(b-2-4)所示之二 胺化合物(簡稱為b2-2)、1.08克(0.010莫耳)的b3-1以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入10.91克(0.05莫耳)的a-1以及20克的NMP，並於室溫下反應2小時後，將0.54克(0.005莫耳)的b3-1以三等份分三次加入，每次間隔20分鐘。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A-1-4)。
合成例A-1-5
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入4.60克(0.02莫耳)二(2-胺基苯氧基)甲烷(簡稱為b1-5)、5.94克(0.03莫耳)的b3-2以及60克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入10.30克(0.0525莫耳)的a-2以及20克的NMP，並於室溫下反應1小時後，加入20克的NMP，於室溫下反應1小時。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A-1-5)。
合成例A-1-6
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入6.45克(0.025莫耳)1,3-二(2-胺基苯氧基)丙烷(簡稱為b1-6)、3.24克(0.010莫耳)如式(b-2-14)所示之 二胺化合物(簡稱為b2-3)、4.92克(0.015莫耳)如式(b-2-19)所示之二胺化合物(簡稱為b2-4)以及60克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入11.21克(0.05莫耳)的a-3以及20克的NMP，並於室溫下反應1小時後，加入20克的NMP，於室溫下反應1小時。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A-1-6)。
合成例A-1-7
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入2.58克(0.01莫耳)的b1-2、4.29克(0.015莫耳)的b1-3、5.01克(0.025莫耳)的b3-3以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入10.91克(0.05莫耳)的a-1以及20克的NMP，並於60℃下反應1小時後，冰浴降溫至40℃下反應30分鐘，再冰浴降溫至室溫下反應30分鐘。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A-1-7)。
合成例A-1-8
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入9.43克(0.03莫耳)的b1-4、1.76克(0.005莫耳) 如式(b-2-23)所示之二胺化合物(簡稱為b2-5)、1.62克(0.015莫耳)的b3-1以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入9.81克(0.05莫耳)的a1-2以及20克的NMP，並於60℃下反應1小時後，冰浴降溫至40℃下反應30分鐘，再冰浴降溫至室溫下反應30分鐘。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A-1-8)。
合成例A-1-9
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入8.05克(0.035莫耳)的b1-1、1.48克(0.005莫耳)如式(b-2-28)所示之二胺化合物(簡稱為b2-6)、1.98克(0.010莫耳)的b3-2以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入9.53克(0.0425莫耳)的a-3以及20克的NMP，並於60℃下反應1小時後，冰浴降溫至40℃反應30分鐘後，再冰浴降溫至室溫下，將1.12克(0.005莫耳)的a-3以三等份分三次加入，每次間隔10分鐘。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A-1-9)。
合成例A-1-10
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入3.45克(0.015莫耳)的b1-1、5.16克(0.020莫耳)的b1-2、1.13克(0.0035莫耳)的b2-3、2.00克(0.010莫耳)的b3-3以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入9.82克(0.045莫耳)的a-1以及20克的NMP，並於60℃下反應1小時後，冰浴降溫至40℃反應30分鐘後，再冰浴降溫至室溫下，將1.08克(0.005莫耳)的a-1以四等份分四次加入，每次間隔10分鐘。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A-1-10)。
合成例A-1-11
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入11.45克(0.04莫耳)的b1-3、0.81克(0.0075莫耳)的b3-1以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入3.27克(0.015莫耳)的a-1、6.86克(0.035莫耳)的a-2以及20克的NMP，並於60℃下反應1小時後，冰浴降溫至40℃反應30分鐘後，再冰浴降溫至室溫下，將0.54克(0.005莫耳)的b3-1以三等份分三次加入，每次間隔10分鐘。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以 甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A-1-11)。
合成例A-1-12
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入13.35克(0.0425莫耳)的b1-4、1.34克(0.004莫耳)的b2-2以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入11.21克(0.05莫耳)的a1-3以及20克的NMP，並於60℃下反應1小時後，冰浴降溫至40℃反應30分鐘後，再冰浴降溫至室溫下，將1.57克(0.005莫耳)的b1-4以三等份分三次加入，每次間隔10分鐘。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A-1-12)。
合成例A-2-1
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入1.73克(0.0075莫耳)的b1-1、2.68克(0.01莫耳)的b2-1、6.94克(0.035莫耳)的b3-2以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入8.82克(0.045莫耳)的a-2以及20克的NMP。於室溫下反應2小時後，將0.99克(0.005莫耳)的a-2以三等份分三次加入，每次間隔20分鐘。待反應結束後，加入97克的NMP、2.55 克的醋酸酐及7.91克的吡啶，升溫至60℃，且持續攪拌2小時，以進行醯亞胺化反應。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A-2-1)。
合成例A-2-2
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入2.58克(0.010莫耳)的b1-2、2.16克(0.020莫耳)的b3-1、3.00克(0.015莫耳)的b3-3以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入10.91克(0.05莫耳)的a-1以及20克的NMP。於室溫下反應2小時後，將1.00克(0.005莫耳)的b3-3以三等份分三次加入，每次間隔20分鐘。待反應結束後，加入97克的NMP、2.55克的醋酸酐及7.91克的吡啶，升溫至60℃，且持續攪拌4小時，以進行醯亞胺化反應。將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A-2-2)。
合成例A-2-3
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入3.58克(0.0125莫耳)的b1-3、8.40克(0.025莫耳)的b2-2、2.48克(0.0125莫耳)的b3-2以及60克的 NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入10.30克(0.0525莫耳)的a-2以及20克的NMP。於室溫下反應1小時後，加入20克的NMP，並於室溫下反應2小時。待反應結束後，加入97克的NMP、5.1克的醋酸酐及11.86克的吡啶，升溫至50℃，且持續攪拌2小時，以進行醯亞胺化反應。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A-2-3)。
合成例A-2-4
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入2.86克(0.010莫耳)的b1-3、6.28克(0.020莫耳)的b1-4、0.97克(0.003莫耳)的b2-3、3.00克(0.015莫耳)的b3-3以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入11.21克(0.05莫耳)的a-3以及20克的NMP，並於60℃下反應1小時後，冰浴降溫至40℃下反應1小時，再冰浴降溫至室溫下反應1小時。待反應結束後，加入97克的NMP、5.1克的醋酸酐及11.86克的吡啶，升溫至50℃，且持續攪拌4小時，以進行醯亞胺化反應。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A-2-4)。
合成例A-2-5
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入8.05克(0.035莫耳)的b1-1、1.62克(0.015莫耳)的b3-1以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入2.94克(0.015莫耳)的a-2、6.73克(0.030莫耳)的a-3以及20克的NMP，並於60℃下反應1小時後，冰浴降溫至40℃反應30分鐘後，再冰浴降溫至室溫下，將1.12克(0.005莫耳)的a-3以三等份分三次加入，每次間隔10分鐘。待反應結束後，加入97克的NMP、7.65克的醋酸酐及19.78克的吡啶，升溫至50℃，且持續攪拌4小時，以進行醯亞胺化反應。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A-2-5)。
合成例A-2-6
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入10.97克(0.0425莫耳)的b1-2、0.82克(0.0025莫耳)的b2-4以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入10.91克(0.05莫耳)的a-1以及20克的NMP，並於60℃下反應1小時後，冰浴降溫至40℃反應30分鐘後，再冰浴降溫至室溫下，將1.29克(0.005莫耳)的b1-2以四等份分四次加入，每次間隔10分鐘。待反應結束後， 加入97克的NMP、7.65克的醋酸酐及19.78克的吡啶，升溫至50℃，且持續攪拌4小時，以進行醯亞胺化反應。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A-2-6)。
比較合成例A’-1-1
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入6.7克(0.025莫耳)簡稱為b2-1、2.48克(0.0125莫耳)b3-2、2.50克(0.0125莫耳)b3-3以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入8.82克(0.045莫耳)的a-2以及20克的NMP，並於室溫下反應2小時後，將0.99克(0.005莫耳)的a-2以三等份分三次加入，每次間隔20分鐘。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A’-1-1)。
比較合成例A’-1-2
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入8.40克(0.025莫耳)b2-2、1.08克(0.01莫耳)的b3-1、1.98克(0.01莫耳)b3-2以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入10.91克(0.05莫耳)的 a-1以及20克的NMP，並於室溫下反應2小時後，將0.54克(0.005莫耳)的b3-1以三等份分三次加入，每次間隔20分鐘。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A’-1-2)。
比較合成例A’-1-3
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入3.24克(0.010莫耳)b2-3、4.92克(0.015莫耳)b2-4、2.7克(0.025莫耳)b3-1以及60克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入11.21克(0.05莫耳)的a-3以及20克的NMP，並於室溫下反應1小時後，加入20克的NMP，於室溫下反應1小時。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A’-1-3)。
比較合成例A’-1-4
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入8.05克(0.035莫耳)的b1-1、1.48克(0.005莫耳)的b2-6、1.98克(0.010莫耳)的b3-2以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入10.64克(0.0475莫耳)的a-3以及20克的NMP，並於60℃下反應2小時。 待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A’-1-4)。
比較合成例A’-2-1
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入1.73克(0.0075莫耳)的b1-1、2.68克(0.01莫耳)的b2-1、6.94克(0.035莫耳)的b3-2以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入9.81克(0.05莫耳)的a-2以及20克的NMP。於室溫下反應2小時後，加入97克的NMP、2.55克的醋酸酐及7.91克的吡啶，升溫至60℃，且持續攪拌2小時，以進行醯亞胺化反應。待反應結束後，將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A’-2-1)。
比較合成例A’-2-2
在容積500毫升的四頸錐瓶上設置氮氣入口、攪拌器、冷凝管及溫度計，並導入氮氣。然後，在四頸錐瓶中，加入0.97克(0.003莫耳)b2-3、5.95克(0.030莫耳)的b3-2、3.00克(0.015莫耳)的b3-3以及80克的NMP，並於室溫下攪拌至溶解。接著，加入10.91克(0.05莫耳)的a-1以及20克的NMP，並於60℃下反應1小時後，冰 浴降溫至40℃下反應1小時，再冰浴降溫至室溫下反應1小時。待反應結束後，加入97克的NMP、2.55克的醋酸酐及7.91克的吡啶，升溫至60℃，且持續攪拌4小時，以進行醯亞胺化反應。將反應溶液倒入1500毫升水中，以使聚合物析出。然後，過濾所得的聚合物，並重複以甲醇清洗及過濾三次，置入真空烘箱中，以溫度60℃進行乾燥後，即可得聚合物(A’-2-2)。
製造液晶配向劑
實施例1
實施例1係將100重量份之聚合物(A-1-1)與800重量份的N-甲基-2-吡咯烷酮(B-1)於室溫下混合後，製得實施例1的液晶配向劑。實施例1之液晶配向劑的具體組成以及後續的評價結果悉如表3所示。
製備液晶配向膜以及液晶顯示元件
將上述實施例1所得到的液晶配向劑，利用旋轉塗佈而形成於具有畫素電極且主動層為IGZO之薄膜電晶體基材上，其中所述畫素電極為具有一對ITO電極(電極寬：10μm，電極間隔：10μm，電極高度：50nm)之IPS驅動用電極，該對ITO電極係分別具有櫛齒狀之形狀、且彼此之櫛齒狀部份係以分開並咬合之方式來配置。之後，在80℃之加熱板上預先加熱處理2分鐘，在230℃後加熱處理20分鐘，獲得膜厚100nm之塗膜。接著，經過配向處 理後，形成具有液晶配向膜的薄膜電晶體基材。再者，對做為對向基材而未形成畫素電極之具有高4μm之柱狀隔離材之玻璃基板上亦同樣形成一塗膜，且同樣施以配向處理而得另一液晶配向膜。然後，以該2片基材為一組，使2片基材之摩擦方向成180度反方向之方式貼合後，以減壓注入法將液晶MLC-2041(Merck公司製造)注入，且利用紫外光硬化膠封住液晶注入口，以紫外光燈照光使紫外光硬化膠硬化，即為實施例1之液晶顯示元件。
實施例2至18以及比較例1至6
實施例2至18以及比較例1至6係使用與實施例1相同之方法進行，不同的是，實施例2至18以及比較例1至6改變液晶配向劑中的聚合物、溶劑、添加劑及/或其使用量。關於實施例2至18以及比較例1至6的液晶配向劑之具體組成以及評價結果，請參考表3和表4。
比較例7
比較例7也是使用與實施例2相似的方法進行，惟比較例7之液晶配向膜所配製的薄膜電晶體基材之主動層為低溫多晶矽(Low Temperature Poly-silicon；LTPS)。關於比較例7的具體組成和評價結果，請參考表4。
評價方式
1.阻抗光安定性
將上述液晶配向劑以印刷機(由日本寫真印刷株式會社製造，型號為S15-036)分別塗佈於具有由ITO(indium tin oxide)構成之櫛齒型圖案化的畫素電極之玻璃基板，以形成預塗層。之後，將玻璃基板放置於加熱板上，並以溫度為100℃、時間為5分鐘的條件進行預先加熱處理。接著，在循環烘箱中，以溫度為220℃、時間為30分鐘的條件進行後加熱處理，即可獲得上面形成了膜厚100nm的液晶配向膜的玻璃基板，即為測量阻抗光安定性用之檢測單元。
使用離子密度測定系統(東陽科技股份公司(TOYO corporation)製；型號為6254型)，將頻率設為0.01Hz、振幅設為10V的電壓，以上述檢測單元中所流通的電流及相對應的電壓，測量檢測單元之第一阻抗Ri，其中上述電流為3.16nA，且上述測量係於23℃之溫度和50%之濕度的環境下進行；然後，以照度6mW/cm2之白色發光二極體照射上述檢測單元達300秒，並測量第二阻抗Rf後，利用下式(1)計算而得阻抗光安定性(△RUV)：△RUV=Ri-Rf (1)
◎：△RUV<300GΩ。
○：300GΩ≦△RUV<400GΩ。
△：400GΩ≦△RUV<500GΩ。
×：500GΩ≦△RUV。
2.積蓄電荷消除性
將利用實施例1至18及比較例1至7所製得之液晶顯示元件分別以3伏特的直流電壓施加30分鐘，接著以電氣測量機台(TOYO Corporation製，型號Model 6254)測量液晶顯示元件於電壓解除後之積蓄電壓(VR1)及電壓解除後15分鐘之積蓄電壓(VR2)，經下式(IV)計算出積蓄電荷消除坡度(VS)，並依據以下基準進行評價：
※：80%<VS。
◎：75%<VS≦80%。
○：70%<VS≦75%。
△：65%<VS≦70%。
×：VS≦65%。
請參考表3。本發明之實施例1至18的液晶配向劑中的聚合物(A)係利用特定製造方法以及特定的二胺化合物(b1)所製得，利用上述聚合物(A)所配製而成的液晶配向劑均具有良好的阻抗光安定性。上述實施例之液晶配向劑可在具有IGZO主動層之薄膜電晶體基材上形成液晶配向膜，以製得具有良好的積蓄電荷消除性的液晶顯示元件。進一步而言，當液晶配向劑的聚合物(A)有使用二胺化合物(b2)來合成，及/或當二胺化合物(b1)與二胺化合物(b2)之莫耳比值[(b1)/(b2)]為特定範圍時，也可更提升液晶顯示元件的積蓄電荷消除性。
另一方面，根據表4可知，若未使用本發明主張的聚合物(A)來配製液晶配向劑，則無法達到所要求的阻 抗光安定性，而包含上述液晶配向劑所形成之液晶配向膜的液晶顯示元件的積蓄電荷消除性差。此外，即使使用本發明主張的聚合物(A)來形成具有良好阻抗光安定性的液晶配向劑，倘若所製得的液晶配向膜未與具有IGZO主動層之薄膜電晶體基材搭配，則液晶顯示元件之積蓄電荷消除性差。
雖然本發明已以數個實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，在本發明所屬技術領域中任何具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (11)

  1. 一種液晶配向膜的製造方法，其是將一液晶配向劑塗佈在一薄膜電晶體基材上而形成一預塗層，以及使該預塗層經過一預先加熱處理、一後加熱處理及一配向處理而製得該液晶配向膜，其中該薄膜電晶體基材包含一材料為氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide；IGZO)之一主動層，且該液晶配向劑包含：聚合物(A)，其是由一混合物反應而獲得，其中該混合物包含四羧酸二酐組份(a)及二胺組份(b)，且該二胺組份(b)包含由式(b-1)表示之二胺化合物(b1)： 於該式(b-1)中，該h表示1至12的整數；以及一溶劑(B)，且其中該液晶配向膜之阻抗光安定性△R UV小於500GΩ，且該阻抗光安定性△R UV係經由下述步驟所測得：提供一檢測單元，其中該檢測單元係由一基板、該基板上之一畫素電極以及該畫素電極上之該液晶配向膜所組成；使用一離子密度測定系統，將頻率設為0.01Hz以及振幅設為10V的電壓，藉由該檢測單元中所流通的電流及相對應的電壓，測量該檢測單元之一第一阻抗R i，其中該電流為3.16nA，且測量該第一阻抗R i之操作係於23℃之一溫度和50%之一濕度下進行；以照度6mW/cm 2之白色發光二極體照射該檢測單元 達300秒並測量該檢測單元之一第二阻抗R f；以及利用下式(1)計算該阻抗光安定性(△R UV)：△R UV=R i-R f 式(1)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶配向膜的製造方法，其中該液晶配向膜之該阻抗光安定性△R UV小於400GΩ。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之液晶配向膜的製造方法，其中該液晶配向膜之該阻抗光安定性△R UV小於300GΩ。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之液晶配向膜的製造方法，其中該二胺組份(b)包括由式(b-2)表示的二胺化合物(b2)： 於該式(b-2)中，該R 1各自獨立表示氫原子、碳數為1至10的烷基、碳數為1至10的烷氧基、乙醯胺基、氟原子、氯原子或溴原子；該R 2各自獨立表示碳數為1至3的烷基；該m各自獨立表示0至3的整數；以及，該n表示0至4的整數。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之液晶配向膜的製造方法，其中在該式(b-2)的二胺化合物(b2)中，該 R 1各自獨立表示氫原子、碳數為1至10的烷基、碳數為1至10的烷氧基或乙醯胺基。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的液晶配向膜的製造方法，其中基於該二胺組份(b)的總莫耳數為100莫耳，由該式(b-1)表示的該二胺化合物(b1)的使用量為15至95莫耳。
  7. 如申請專利範圍第4項所述的液晶配向膜的製造方法，其中基於該二胺組份(b)的總莫耳數為100莫耳，由該式(b-2)表示的該二胺化合物(b2)的使用量為5至50莫耳。
  8. 如申請專利範圍第4項所述的液晶配向膜的製造方法，其中該二胺化合物(b1)與該二胺化合物(b2)之莫耳比值[(b1)/(b2)]為0.5至10.0。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的液晶配向膜的製造方法，其中基於該聚合物(A)的總使用量為100重量份，該溶劑(B)的使用量為800至4000重量份。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的液晶配向膜的製造方法，其中該薄膜電晶體基材包括：一第一基板；以及複數薄膜電晶體單元，設置於該第一基板上，其中該 些薄膜電晶體單元之每一者包括一閘極絕緣層、該主動層、一源極及一汲極。
  11. 一種液晶顯示元件，包含由如專利申請範圍第1項至第10項中任一項所述的液晶配向膜的製造方法所製造之液晶配向膜。
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