TW201902022A - 共振器 - Google Patents

Abstract

本發明係一種共振器，其中，具有：形成於介電體基板(14)內之通孔電極部(20)，和於介電體基板(14)，呈圍繞通孔電極部(20)地加以形成之複數的遮蔽導體，和在介電體基板(14)內中，加以連接於通孔電極部(20)，且至少與遮蔽導體對向之帶狀線路(18)；複數的遮蔽導體之中，於連接有通孔電極部(20)之短路端的遮蔽導體，加以連接有第1輸出入端子(22A)與第2輸出入端子(22B)者。

Description

共振器

本發明係有關例如，經由形成於介電體的貫穿孔之共振器。

以往，為了抑制Q值之下降，而作為呈於形成有遮蔽導體於周圍之介電體基板，形成經由橫剖面形狀為圓形狀的貫穿孔之電極(以下，稱為通孔電極)(參照日本特開2002-009513號公報) 　　另外，在以往中，作為呈於介電體基板之下面，形成2個接地電極與輸出入電極，於介電體內形成板狀之內部電極，更且，於介電體內，各形成通孔電極於2個之接地電極與內部電極間，於輸出入電極與內部電極間，形成通孔電極(參照日本專利第4506903號公報)。 　　更且，在以往中，作為呈僅於介電體基板之下面形成接地用導體層，於此接地用導體層上，藉由通孔電極(接地連接路徑)而形成帶狀線路(感應器構成部)(例如，參照日本專利第4985999號公報)。

但記載於日本特開2002-009513號公報及日本專利第4506903號公報之通孔電極係由加大口徑者，可使電流密度降低而可期待Q值之提升。但當加大通孔電極的口徑時，通孔電極與遮蔽導體之距離則變小，而有Q值下降的問題。即，通孔電極與遮蔽導體之距離亦關係於Q值之最佳解之故，在共振器之設計上有考慮的必要。 　　當加大通孔電極的口徑時，在將共振器做為多段化而構成介電體濾波器之情況中，於共振器間產生有電牆，而伴隨Q值之劣化之故，與鄰接之共振器的間隔亦有考慮的必要。在介電體濾波器中，必須配置為了受供電或結合調整之電極圖案(線路)，但此情況，必須配置於通孔電極與側面的遮蔽導體之間。此係因成為阻止來自通孔電極之磁場的擴散同時而配置電極圖案之情況之故，而有伴隨Q值之劣化，不需要之結合的產生之問題。 　　另一方面，在日本專利第4985999號公報記載之共振器中，做為TEM波之共振器而作動的部分係加以限定於帶狀線路。也就是，通孔電極係不過是具有連接帶狀線路與平行加以配置之接地用導體層的機能。 　　本發明係考慮如此之課題所作為之構成，其目的為提供：未加大通孔電極部之尺寸，而可謀求Q值之提升的共振器。 　　[1] 有關本發明之共振器係其特徵為具有：形成於介電體基板內之通孔電極部，和於前述介電體基板，呈圍繞前述通孔電極部地加以形成之複數的遮蔽導體，和在前述介電體基板內中，加以連接於前述通孔電極部，且至少與前述遮蔽導體對向之帶狀線路；前述複數的遮蔽導體之中，於連接有前述通孔電極部之短路端的遮蔽導體，加以連接有第1輸出入端子與第2輸出入端子者。 　　經由此，由例如加以供給正方向的電流於第1輸出入端子者，電流則擴散於連接有前述通孔電極部之短路端的遮蔽導體(以下，記述為特定遮蔽導體)，而朝向於其他的遮蔽導體流動。此時，亦自帶狀線路，藉由通孔電極部朝向於特定遮蔽導體，流動有變位電流(法拉第定律)，而此變位電流亦藉由特定遮蔽導體而朝向其他的遮蔽導體流動。即，成為從例如加以供給正方向的電流於第1輸出入端子之瞬間，自特定遮蔽導體擴散於其他的遮蔽導體同時，流動有電流之情況。其結果，未增加通孔電極部之尺寸而可謀求Q值之提升者。然而，在本說明書中，單稱為「Q值」時係包含僅共振器的範圍之無負荷Q值與包含外部電路之範圍的負荷Q值之雙方的意思。 　　[2] 在本發明中，前述複數之遮蔽導體係具有：形成於前述介電體基板之第1主面側的第1遮蔽導體(特定遮蔽導體)，和形成於前述介電體基板之第2主面側的第2遮蔽導體，和形成於前述介電體基板之第1側面側的第3遮蔽導體，和形成於前述介電體基板之第2側面側的第4遮蔽導體；於前述第1遮蔽導體(特定遮蔽導體)，加以連接前述通孔電極部的短路端，和前述第1輸出入端子及前述第2輸出入端子亦可。 　　經由此，由例如加以供給正方向的電流於第1輸出入端子者，電流則擴散於連接有通孔電極部之短路端的第1遮蔽導體(特定遮蔽導體)，而朝向於第3遮蔽導體及第4遮蔽導體流動。此時，亦自帶狀線路，藉由通孔電極部而朝向第1遮蔽導體，流動有變位電流，而此變位電流亦藉由第1遮蔽導體，朝向於第3遮蔽導體與第4遮蔽導體流動。 　　[3] 在本發明中，前述通孔電極部係具有：鄰接而加以形成之第1通孔電極部與第2通孔電極部；前述第1通孔電極部係自複數之第1通孔電極而加以構成，而前述第2通孔電極部係自複數之第2通孔電極而加以構成，於前述第1通孔電極部與前述第2通孔電極部之間，未存在有其他的通孔電極部，而前述複數之第1通孔電極係自上面而視時，沿著假想之第1彎曲線而加以配置，前述複數之第2通孔電極係自上面而視時，沿著假想的第2彎曲線而加以配置亦可。 　　可僅於電流所集中之部分，配列複數之第1通孔電極及複數之第2通孔電極之故，可大幅度地降低構成第1通孔電極及第2通孔電極之金屬材料(例如，銀)的量之同時，可減少第1通孔電極及第2通孔電極之條數之故，可謀求工數及成本的降低者。 　　[4] 在本發明中，前述第1彎曲線與前述第2彎曲線係構成1個橢圓之輪廓線的一部分或1個之筒形狀的輪廓線之一部分亦可。 　　第1通孔電極部與第2通孔電極部係成為形成於1個之橢圓的輪廓線之一部分或1個之筒形狀的輪廓線之一部分，即橢圓或筒形狀之長軸上的各端部者。此部分係經由高頻率電流的表皮效果，電流集中的部分。即，集中於第1通孔電極部與第2通孔電極部而流動有電流。因此，成為無須於第1通孔電極部與第2通孔電極部之間，配置其他的通孔電極部。 　　[5] 在[3]或[4]中，前述第1通孔電極部係與前述帶狀線路同時，構成第1λ/4共振器，而前述第2通孔電極部係與前述帶狀線路同時，構成第2λ/4共振器亦可。 　　經由此，對於第1λ/4共振器與第2λ/4共振器係成為經常流動有同相的電流者。由成為同相之情況者，以共振器單體而視之情況，第1通孔電極部與第2通孔電極部之間係電磁場則成為稀疏之狀態，而即使於其間配置為了結合或引導之電極，亦可極力抑制不需要之結合者。其結果，可得到Q值之劣化防止，不均抑制之效果。 　　[6] 在[3]~[5]中，將前述第1通孔電極部與前述第2通孔電極部間的間隔作為dv、而將沿著在介電體基板的帶狀線路之長度方向的長度作為La時，滿足dv/La≦0.25者為佳。 　　經由此，作為無負荷Q值而可得到380以上。更理想係為dv/La≦0.21，又更理想係dv/La則為0.05以上、0.16以下。 　　如以上說明，如根據有關本發明之共振器，未加大通孔電極部的尺寸而可謀求Q值之提升者。 　　上述之目的，特徵及優點係應可容易自參照附加的圖面所說明之以下的實施形態之說明而理解。

以下，參照圖1~圖18B同時，加以說明有關本發明之共振器的實施形態例。 　　首先，有關第1實施形態之共振器(以下，記述為第1共振器10A)係如圖1，圖2A及圖2B所示地，具有：至少於上部及下部，各形成有上部遮蔽導體12A及下部遮蔽導體12B之介電體基板14，和形成於該介電體基板14內之1個的構造體16。構造體16係具有：與下部遮蔽導體12B對向之帶狀線路18，和形成於介電體基板14內，自帶狀線路18至上部遮蔽導體12A而鄰接加以形成之通孔電極部20。帶狀線路18之平面形狀係例如作為長方形狀。 　　介電體基板14係層積複數之介電體層而加以構成，例如，如圖1所示，具有長方體狀。介電體基板14之4個側面之中，於第1側面14a加以形成有第1輸出入端子22A，而於與第1側面14a對向之第2側面14b，加以形成有第2輸出入端子22B。另外，於第3側面14c，加以形成有第1側面遮蔽導體12Ca，而於與第3側面14c對向之第4側面14d，加以形成有第2側面遮蔽導體12Cb。 　　通孔電極部20係具有第1通孔電極部20A及第2通孔電極部20B。第1通孔電極部20A及第2通孔電極部20B係由加以形成於介電體基板14之貫穿孔而加以構成。 　　第1通孔電極部20A係自複數之小徑的第1通孔電極(以下，記述為第1小徑通孔電極24a)加以構成，而第2通孔電極部20B係自複數之小徑的第2通孔電極(以下，記述為第2小徑通孔電極24b)加以構成。於第1通孔電極部20A與第2通孔電極部20B之間，未存在有其他的通孔電極部。 　　更且，在第1共振器10A中，如圖3所示，複數之第1小徑通孔電極24a係自上面而視時，沿著假想之第1彎曲線26a(高頻率電流所集中之部分)而加以配列，而複數之第2小徑通孔電極24b係自上面而視時，沿著假想之第2彎曲線26b(高頻率電流所集中之部分)而加以配列。第1彎曲線26a與第2彎曲線26b係構成1個橢圓之輪廓線的一部分或1個之筒形狀的輪廓線之一部分。 　　在此，對於第1通孔電極部20A及第2通孔電極部20B與1個之橢圓的關係，參照圖4A~圖6B同時加以說明。 　　如圖4A所示，在一般的共振器100中，當加大橫剖面形狀為圓形狀之通孔電極102的口徑時，在將共振器100作為多段化而構成介電體濾波器之情況中，於共振器100間產生有電牆104，而連結Q值之劣化。 　　因此，如圖4B所示，作成橫剖面形狀為橢圓形狀之通孔電極102的情況，於短軸方向，將共振器100作為多段化而構成介電體濾波器時，於共振器100間產生有電牆104，但通孔電極102間的距離則成為較圓形狀之通孔電極102(參照圖4A)為長之故，而連結Q值之提升。 　　更且，如圖5A所示，當由複數之小徑的通孔電極(以下，記述為小徑通孔電極24)而構成橢圓形狀之通孔電極102時，磁場的包絡線106則宛如作為呈大徑之通孔電極。各個小徑通孔電極24的口徑則即使以一定的比例不均，對於包絡線106(大徑的通孔電極)之影響係成為不足其比例之故，亦可得到不均之降低效果者。 　　但，例如在圖5A所示之橢圓形狀的通孔電極102中，高頻率電流係集中於橢圓之端部，曲率大的兩端部。因此，如圖5B所示，構成橢圓形狀之通孔電極102之複數的小徑通孔電極24之中，殘留位置於橢圓形狀之兩端部，沿著曲率大之假想的第1彎曲線26a之複數的第1小徑通孔電極24a，和沿著曲率大之假想的第2彎曲線26b之複數的第2小徑通孔電極24b，而可去除位置於中央的複數之小徑通孔電極24者。 　　即，成為構成第1通孔電極部20A之複數的第1小徑通孔電極24a係沿著假想的第1彎曲線26a而加以配置，而構成第2通孔電極部20B之複數的第2小徑通孔電極24b係沿著假想的第2彎曲線26b而加以配置之形態。 　　另外，如圖6A所示，橫剖面形狀為橢圓形狀的通孔電極102，或如圖6B所示，以複數之小徑通孔電極24而構成橢圓形狀之通孔電極102之情況，自橢圓形狀之通孔電極102朝向於各對向之遮蔽導體108，磁場110則擴散。但，將共振器100作為多段化而構成介電體濾波器之情況，必須配置為了進行受供電或結合調整之圖案112(線路)，但於橢圓形狀之通孔電極102與側面的遮蔽導體108之間，阻止自通孔電極102之磁場110的擴散同時，不得不配置為了進行受供電或結合調整之圖案112(線路)。此係招致Q值之劣化，或不需要之結合的產生。 　　另一方面，在第1共振器10A中，如圖7所示，因將構成第1通孔電極部20A之複數的第1小徑通孔電極24a，沿著假想的第1彎曲線26a(參照圖5B)而配置，而將構成第2通孔電極部20B之複數的第2小徑通孔電極24b，沿著假想的第2彎曲線26b(參照圖5B)而配置之故，自第1通孔電極部20A及第2通孔電極部20B，朝向各對向之遮蔽導體108，磁場110則擴散，於第1通孔電極部20A與第2通孔電極部20B間，加以形成磁場成為稀疏之範圍28。 　　因此，於上述之電磁場成為稀疏的範圍28，即，第1通孔電極部20A與第2通孔電極部20B間，成為可形成為了進行受供電或結合調整之圖案30(線路)者。其結果，可抑制Q值之劣化，並且，可抑制不需要之結合者。 　　另外，與圖6A所示之橢圓形狀的通孔電極102，或圖6B所示之複數的小徑通孔電極24等不同，如圖7所示，因僅於電流所集中之部分，配列第1小徑通孔電極24a及第2小徑通孔電極24b之故，可大幅度地降低構成第1小徑通孔電極24a及第2小徑通孔電極24b之金屬材料(例如，銀)的量之同時，可減少第1小徑通孔電極24a及第2小徑通孔電極24b之條數之故，而可謀求工數的降低者。 　　更且，在第1共振器10A中，如圖1、圖2A及圖2B所示，於連接有第1通孔電極部20A及第2通孔電極部20B之各短路端的上部遮蔽導體12A，藉由第1連接線路32a及第2連接線路32b而加以連接第1輸出入端子22A與第2輸出入端子22B。 　　經由此，首先，第1共振器10A之通孔電極部20係與第1側面遮蔽導體12Ca及第2側面遮蔽導體12Cb同時，作為TEM波之共振器而動作。也就是，通孔電極部20則作為參照第1側面遮蔽導體12Ca及第2側面遮蔽導體12Cb之TEM波之共振器而動作。帶狀線路18係作為形成開放端容量的機能而動作。此係與日本專利第4985999號公報記載之共振器的構造，即，作為TEM波之共振器而動作之部分則加以限定於帶狀線路，而通孔電極部則不過是具有連接帶狀線路與平行地加以配置之接地用導體層之機能的共振器之構造係明顯不同。 　　具體而言，如圖1，圖2A及圖2B所示，由例如加以供給正方向的電流ia於第1輸出入端子22A者，電流ia則擴散於連接有通孔電極部20之短路端的上部遮蔽導體12A，而朝向於第1側面遮蔽導體12Ca及第2側面遮蔽導體12Cb流動。此時，亦自帶狀線路18，藉由通孔電極部20而朝向於上部遮蔽導體12A流動有變位電流ib(法拉第定律)，此變位電流ib亦藉由上部遮蔽導體12A而朝向於第1側面遮蔽導體12Ca及第2側面遮蔽導體12Cb而流動。即，自例如加以供給正方向的電流ia於第1輸出入端子22A的瞬間，電流(電流ia及電流ib)則成為自上部遮蔽導體12A擴散於第1側面遮蔽導體12Ca及第2側面遮蔽導體12Cb同時而流動者。其結果，未增加通孔電極部20之尺寸而可謀求Q值之提升者。 　　於圖8A及圖8B，顯示第1共振器10A之等效電路。如圖8A所示，自帶狀電路18至第1通孔電極部20A之輸出入部分(I/O)而構成第1λ/4共振器34A，而自帶狀電路18至第2通孔電極部20B之輸出入部分(I/O)而構成第2λ/4共振器34B。經由此，如圖8B所示，對於第1λ/4共振器34A與第2λ/4共振器34B係成為經常流動有同相的電流i者。由成為同相之情況者，以第1共振器10A單體而視之情況，第1通孔電極部20A與第2通孔電極部20B之間係電磁場則成為稀疏之狀態，而即使於其間配置為了結合或引導之電極，亦可極力抑制不需要之結合者。其結果，可抑制Q值之劣化之同時，可抑制特性之不均者。 　　接著，亦參照圖9及圖10之同時，加以說明實施例及參考例之頻率數特性的差異。 ＜實施例＞ 　　有關實施例之共振器的構成係如圖1，圖2A及圖2B所示地，具有與第1共振器10A同樣的構成。 ＜參考例＞ 　　於圖9顯示有關參考例之共振器的構成。在圖9中，對於與第1共振器10A對應之構件係附上相同的參照符號，而省略其說明。 　　如圖9所示，有關參考例之共振器係帶狀線路18則與上部遮蔽導體12A對向。另外，具有自帶狀線路18至下部遮蔽導體12B而鄰接加以形成之第1通孔電極部20A及第2通孔電極部20B。更且，在第1通孔電極部20A及第2通孔電極部20B之間，且，具有：自帶狀線路18延伸於第1輸出入端子22A之第1輸出入線路40A，和同樣自帶狀線路18延伸於第2輸出入端子22B之第2輸出入線路40B。 　　經由此，由例如加以供給正方向的電流ia於第1輸出入端子22A者，電流ia則藉由第1輸出入線路40A而流動於帶狀線路18，更且，藉由第1通孔電極部20A及第2通孔電極部20B而流動於下部遮蔽導體12B。流動於下部遮蔽導體12B之電流ia係擴散於下部遮蔽導體12B，再朝向於第1側面遮蔽導體12Ca及第2側面遮蔽導體12Cb而流動。 　　然而，實施例及參考例之尺寸係如圖1所示，介電體基板14之縱La=2.5mm、橫Lb=3.2mm、高度Lh=1.6mm，而第1通孔電極部20A與第2通孔電極部20B之間隔dv(參照圖3)係為0.5mm。介電體基板14之縱La係介電體基板14之中，沿著帶狀線路18之長度方向的長度，而介電體基板14之橫Lb係介電體基板14之中，沿著帶狀線路18之短方向的長度。 　　於圖10，顯示有關實施例之共振器與有關參考例之共振器的頻率數特性。在圖10中，實線Le(S11)係顯示實施例之S11(輸入反射係數)，而實線Le(S21)係顯示實施例之S21(傳送特性)。同樣地，虛線Lr(S11)係顯示參考例之S11(輸入反射係數)，而虛線Lr(S21)係顯示參考例之S21(傳送特性)。 　　亦如從以圖10之頻率數特性之橢圓所顯示之範圍Za了解到地，實施例之共振的峰值則較參考例為高，可知實施例相較參考例Q值為高。 　　此係在參考例中，係如圖9所示，從來自第1輸出入端子22A的電流ia則一旦，集中於通孔電極20，再自此，藉由下部遮蔽導體12B流動至第1側面遮蔽導體12Ca及第2側面遮蔽導體12Cb之情況，認為經由在通孔電極20之電流ia的集中而對於Q值之提升產生有界限者。 　　對此，在實施例中，如圖1所示，加以供給電流ia於第1輸出入端子22A之同時，流動有變位電流ib於通孔電極部20。其結果，從自電流ia之第1輸出入端子22A對於上部遮蔽導體12A之擴散，自電流ib之通孔電極部20對於上部遮蔽導體12A之擴散則略同時加以進行，而流動至第1側面遮蔽導體12Ca及第2側面遮蔽導體12Cb之情況，相較參考例可使Q值之提升。 　　接著，對於實施例1~實施例6，確認到對於第1通孔電極部20A與第2通孔電極部20B之間隔dv(以下，記述為通孔間隔dv)而言之無負荷Q(僅共振器之範圍的Q值：無次元數）。 (實施例1) 　　如圖11所示，介電體基板14之尺寸係縱La=4.5mm、橫Lb=1.0mm、高度Lh=2.0mm(未圖示)，而通孔間隔dv係0.10mm。第1通孔電極部20A係具有使6個之第1小徑通孔電極24a配列成圓周狀之形態，而第2通孔電極部20B亦具有使6個之第2小徑通孔電極24b沿著圓周狀而配列之形態。然而，在圖11中，省略上部遮蔽導體12A、下部遮蔽導體12B、第1側面遮蔽導體12Ca、第2側面遮蔽導體12Cb、第1輸出入端子22A、第2輸出入端子22B等之記載。 (實施例2~6) 　　實施例2~6之介電體基板14的尺寸係與實施例1相同。通孔間隔dv係根據實施例2~6而有所差異，具體而言係如以下。 　　實施例2：dv=0.30mm 　　實施例3：dv=0.52mm 　　實施例4：dv=0.72mm 　　實施例5：dv=0.92mm 　　實施例6：dv=1.12mm (評估結果) 　　於圖12顯示實施例1~6之無負荷Q值之不同。然而，在圖12中，特性曲線Ca係連結實施例1~6之結果的曲線。如自圖12了解到，無負荷Q值係知道經由通孔間隔dv，即，對於介電體基板14之縱長度La而言之通孔間隔dv的比(dv/La)而產生變化者。 　　並且，呈從特性曲線Ca了解到，在比(dv/La)為1.13/4.5=0.25以下之情況，作為無負荷Q值而得到380以上，而在比(dv/La)為0.96/4.5=0.21以下之情況，作為無負荷Q值而得到390以上,在比(dv/La)為0.24/4.5=0.05以上、0.70/4.5=0.16以下之情況，作為無負荷Q值而得到400以上者。 　　在上述之第1共振器10A中，如圖1所示，顯示由第1通孔電極部20A與第2通孔電極部20B而構成通孔電極部20，更且，以複數之第1小徑通孔電極24a而構成第1通孔電極部20A，而以複數之第2小徑通孔電極24b而構成第2通孔電極部20B。 　　其他，如有關圖13所示之第1變形例的共振器10Aa，由橫剖面作為圓形狀或者橢圓形狀之1個通孔電極24A而構成通孔電極部20亦可。或者，如有關圖14所示之第2變形例的共振器10Ab，由橫剖面作為筒形狀之1個通孔電極24B而構成通孔電極部20亦可。 　　接著，對於有關第2實施形態之共振器(以下，記述為第2共振器10B)，參照圖15~圖16B同時而加以說明。 　　第2共振器10B係如圖15~圖16B所示，具有與上述之第1共振器10A略同樣的構成，但在以下點而有所差異。 　　(a-1) 於介電體基板14之下面14e，加以形成有供給一定電位(例如，接地電位)之外部端子40。 　　(a-2) 加以形成下部遮蔽導體12B於介電體基板14內。 　　(a-3) 下部遮蔽導體12B與外部端子40則藉由第1貫穿孔42A而加以電性連接。 　　(a-4) 介電體基板14內之中，於接近於第3側面14c之部分，電性連接上部遮蔽導體12A與下部遮蔽導體12B之複數條(例如，6條)的第2貫穿孔42B則沿著第3側面14c而加以形成。即，加以形成作為第１側面遮蔽導體12Ca而發揮機能之複數條的第2貫穿孔42B。 　　(a-5) 介電體基板14內之中，於接近於第4側面14d之部分，電性連接上部遮蔽導體12A與下部遮蔽導體12B之複數條(例如，6條)的第3貫穿孔42C則沿著第4側面14d而加以形成。即，加以形成作為第2側面遮蔽導體12Cb而發揮機能之複數條的第3貫穿孔42C。 　　在此第2共振器10B中，如圖15，圖16A及圖16B所示，由例如加以供給正方向的電流ia於第1輸出入端子22A者，電流ia則擴散於上部遮蔽導體12A，而朝向於第2貫穿孔42B及第3貫穿孔42C流動。此時，亦自帶狀線路18，藉由通孔電極部20而朝向於上部遮蔽導體12A流動有變位電流ib，此變位電流ib亦藉由上部遮蔽導體12A而朝向於第2貫穿孔42B及第3貫穿孔42C而流動。即，自例如加以供給正方向的電流ia於第1輸出入端子22A的瞬間，電流(電流ia及電流ib)則成為自上部遮蔽導體12A擴散於第2貫穿孔42B及第3貫穿孔42C同時而流動者。其結果，未增加通孔電極部20之尺寸而可謀求Q值之提升者。 　　特別是，如根據此第2共振器10B，經由進行對於第1輸出入端子22A及第2輸出入端子22B而言之側面安裝，和對於形成於介電體基板14之下面14e的外部端子40而言之覆晶安裝之時，可安裝第2共振器10B之故，可較第1共振器10A實現高密度安裝者。 　　接著，對於有關第3實施形態之共振器(以下，記述為第3共振器10C)，參照圖17~圖18B同時而加以說明。 　　第3共振器10C係如圖17~圖18B所示，具有與上述之第2共振器10B略同樣的構成，但在以下點而有所差異。 　　(b-1) 於介電體基板14之側面，未加以形成有第1輸出入端子22A及第2輸出入端子22B。 　　(b-2) 介電體基板14之下面14e之中，於與上部遮蔽導體12A之第1連接線路32a對向的位置，加以形成有第1輸出入端子22A。 　　(b-3) 第1連接線路32a與第1輸出入端子22A則藉由第4貫穿孔42D而加以電性連接。 　　(b-4) 介電體基板14之下面14e之中，於與上部遮蔽導體12A之第2連接線路32b對向的位置，加以形成有第2輸出入端子22B。 　　(b-5) 第2連接線路32b與第2輸出入端子22B則藉由第5貫穿孔42E而加以電性連接。 　　在此第3共振器10C中，如圖17，圖18A及圖18B所示，由例如加以供給正方向的電流ia於形成在介電體基板14之下面14e之第1輸出入端子22A者，電流ia則藉由第4貫穿孔42D而擴散於上部遮蔽導體12A，而朝向於第2貫穿孔42B及第3貫穿孔42C流動。此時，亦自帶狀線路18，藉由通孔電極部20而朝向於上部遮蔽導體12A流動有變位電流ib，此變位電流ib亦藉由上部遮蔽導體12A而朝向於第2貫穿孔42B及第3貫穿孔42C而流動。即，自例如加以供給正方向的電流ia於第1輸出入端子22A的瞬間，電流(電流ia及電流ib)則成為自上部遮蔽導體12A擴散於第2貫穿孔42B及第3貫穿孔42C同時而流動者。其結果，未增加通孔電極部20之尺寸而可謀求Q值之提升者。 　　特別是如根據此第3共振器10C時，除了形成於介電體基板14之下面14e之外部端子40以外，經由對於第1輸出入端子22A及第2輸出入端子22B亦進行覆晶安裝之時，可安裝第3共振器10C之故，而可較第2共振器10B實現高密度安裝者。 　　然而，有關本發明之共振器係未限定於上述之實施形態，而未脫離本發明之內容，當然可採取種種之構成者。

10A~10C‧‧‧第1共振器~第3共振器

12A‧‧‧上部遮蔽導體

12B‧‧‧下部遮蔽導體

12Ca‧‧‧第1側面遮蔽導體

12Cb‧‧‧第2側面遮蔽導體

14‧‧‧介電體基板

16‧‧‧構造體

18‧‧‧帶狀線路

20‧‧‧通孔電極部

20A‧‧‧第1通孔電極部

20B‧‧‧第2通孔電極部

22A‧‧‧第1輸出入端子

22B‧‧‧第2輸出入端子

24a‧‧‧第1小徑通孔電極

24b‧‧‧第2小徑通孔電極

26a‧‧‧第1彎曲線

26b‧‧‧第2彎曲線

28‧‧‧範圍

30‧‧‧圖案(線路)

32a‧‧‧第1連接線路

32b‧‧‧第2連接線路

34A‧‧‧第1λ/4共振器

34B‧‧‧第2λ/4共振器

40A‧‧‧第1輸出入線路

40B‧‧‧第2輸出入線路

42A~42E‧‧‧第1貫穿孔~第5貫穿孔

圖1係顯示有關第1實施形態之共振器(第1共振器)的透視斜視圖。 　　圖2A係在圖1之IIA-IIA線上的剖面圖，而圖2B係在圖1之IIB-IIB線上的剖面圖。 　　圖3係顯示構成第1通孔電極部之複數的第1小徑通孔電極的配列狀態，和構成第2通孔電極部之複數的第2小徑通孔電極的配列狀態之說明圖。 　　圖4A係顯示橫剖面形狀為圓形狀的通孔電極情況之問題點的說明圖，而圖4B係顯示橫剖面形狀為橢圓形狀的通孔電極之有利的點之說明圖。 　　圖5A係顯示以複數的小徑通孔電極而構成橢圓形狀之通孔電極的例之說明圖，而圖5B係顯示在橢圓形狀的通孔電極中，僅於電流所集中之部分，配列小徑通孔電極的例之說明圖。 　　圖6A係顯示橢圓形狀之通孔電極的問題點之說明圖，而圖6B係以複數之小徑通孔電極而構成橢圓形狀的通孔電極情況之問題點的說明圖。 　　圖7係顯示在橢圓形狀之通孔電極中，僅於電流所集中之部分，配列小徑通孔電極情況之利點的說明圖。 　　圖8A係顯示第1共振器的等效電路圖，而圖8B係顯示第1共振器之電流的流動之說明圖。 　　圖9係顯示有關參考例的共振器的透視斜視圖。 　　圖10係顯示有關實施例之共振器與有關參考例之共振器的頻率數特性的圖。 　　圖11係顯示實施例1~實施例6之介電體基板的尺寸，和第1通孔電極部與第2通孔電極部之間隔(通孔間隔)之說明圖。 　　圖12係顯示實施例1~實施例6之無負荷Q值之圖表。 　　圖13係顯示有關第1共振器的第1變形例之共振器的透視斜視圖。 　　圖14係顯示有關第1共振器的第2變形例之共振器的透視斜視圖。 　　圖15係顯示有關第2實施形態之共振器(第2共振器)的透視斜視圖。 　　圖16A係在圖15之XVIA-XVIA線上的剖面圖，而圖16B係在圖15之XVIB-XVIB線上的剖面圖。 　　圖17係顯示有關第3實施形態之共振器(第3共振器)的透視斜視圖。 　　圖18A係在圖17之XVIIIA-XVIIIA線上的剖面圖，而圖18B係在圖17之XVIIIB-XVIIIB線上的剖面圖。

Claims (6)

1. 一種共振器，其特徵為具有：形成於介電體基板(14)內之通孔電極部(20)， 　　和於前述介電體基板(14)，呈圍繞前述通孔電極部(20)地加以形成之複數的遮蔽導體， 　　和在前述介電體基板(14)內中，加以連接於前述通孔電極部(20)，且至少與前述遮蔽導體(12B)對向之帶狀線路(18)； 　　前述複數的遮蔽導體之中，於連接有前述通孔電極部(20)之短路端的遮蔽導體(12A)，加以連接有第1輸出入端子(22A)與第2輸出入端子(22B)者。
2. 如申請專利範圍第1項記載之共振器，其中， 　　前述複數之遮蔽導體係具有： 　　形成於前述介電體基板(14)之第1主面側的第1遮蔽導體(12A)， 　　和形成於前述介電體基板(14)之第2主面側的第2遮蔽導體(12B)， 　　和形成於前述介電體基板(14)之第1側面側的第3遮蔽導體(12Ca)， 　　和形成於前述介電體基板(14)之第2側面側的第4遮蔽導體(12Cb)； 　　於前述第1遮蔽導體(12A)，加以連接前述通孔電極部(20)的短路端，和前述第1輸出入端子(22A)及前述第2輸出入端子(22B)。
3. 如申請專利範圍第1項記載之共振器，其中， 　　前述通孔電極部(20)係具有：鄰接而加以形成之第1通孔電極部(20A)與第2通孔電極部(20B)； 　　前述第1通孔電極部(20A)係自複數之第1通孔電極(24a)而加以構成， 　　前述第2通孔電極部(20B)係自複數之第2通孔電極(24b)而加以構成， 　　於前述第1通孔電極部(20A)與前述第2通孔電極部(20B)之間，未存在有其他的通孔電極部， 　　前述複數之第1通孔電極(24a)係自上面而視時，沿著假想之第1彎曲線(26a)而加以配置， 　　前述複數之第2通孔電極(24b)係自上面而視時，沿著假想之第2彎曲線(26b)而加以配置者。
4. 如申請專利範圍第3項記載之共振器，其中， 　　前述第1彎曲線(26a)與前述第2彎曲線(26b)係構成1個橢圓之輪廓線的一部分或1個之筒形狀的輪廓線之一部分。
5. 如申請專利範圍第3項記載之共振器，其中， 　　前述第1通孔電極部(20A)係與前述帶狀線路(18)同時，構成第1λ/4共振器(34A)， 　　前述第2通孔電極部(20B)係與前述帶狀線路(18)同時，構成第2λ/4共振器(34B)者。
6. 如申請專利範圍第3項記載之共振器，其中， 　　將前述第1通孔電極部(20A)與前述第2通孔電極部(20B)間的間隔作為dv、而將沿著在前述介電體基板(14)的前述帶狀線路(18)之長度方向的長度作為La時，滿足dv/La≦0.25者。