JP7119056B2

JP7119056B2 - フィルタ

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Publication number: JP7119056B2
Application number: JP2020202374A
Authority: JP
Inventors: 圭介小川
Original assignee: Soshin Electric Co Ltd
Current assignee: Soshin Electric Co Ltd
Priority date: 2020-12-07
Filing date: 2020-12-07
Publication date: 2022-08-16
Anticipated expiration: 2038-10-19
Also published as: JP2021036733A

Description

本発明は、フィルタに関する。

誘電体基板の一方の主面側に形成された遮蔽導体に対向するストリップ線路と、一端が誘電体基板の他方の主面側に形成された遮蔽導体に接続され、他端がストリップ線路に接続されたビア電極とを有する共振器が提案されている。

また、特許文献１には、２つの共振器間に結合調整用ビアホールが設けられた共振器デバイスが開示されている。特許文献１によれば、２つの共振器間の誘導結合（結合度）が結合調整用ビアホールによって調整され得る。

特表２０１１－５０７３１２号公報

しかしながら、特許文献１では、共振器間の結合度を小さくすることはできるが、結合度の調整の自由度が狭いため、場合によっては良好な特性が得られないことが考えられる。また、結合調整用ビアホールを用いることなく、共振器間の距離を調整することにより、共振器間の結合度を調整することも考えられるが、共振器間の距離を大きくした場合には、フィルタのサイズが大きくなってしまうこととなる。

本発明の目的は、特性の良好な小型のフィルタを提供することにある。

本発明の一態様によるフィルタは、誘電体基板内に形成されたビア電極部と、前記ビア電極部を囲うように形成された複数の遮蔽導体のうちの第１遮蔽導体の主面に沿うように形成され、前記誘電体基板を構成する複数の誘電体層のうちの少なくとも一の誘電体層を介して前記第１遮蔽導体に対向するとともに前記ビア電極部の一端に接続された第１ストリップ線路と、前記第１遮蔽導体に対向する第２遮蔽導体の主面に沿うように形成され、前記誘電体基板を構成する前記複数の誘電体層のうちの少なくとも他の誘電体層を介して前記第２遮蔽導体に対向するとともに前記ビア電極部の他端に接続された第２ストリップ線路とをそれぞれ有する複数の共振器と、前記第２遮蔽導体に形成されたスリットとを有し、前記スリットは、前記複数の共振器のうちの第１共振器の前記ビア電極部と、前記複数の共振器のうちの第２共振器の前記ビア電極部との間に少なくとも位置している。

本発明の他の態様によるフィルタは、誘電体基板内に形成されたビア電極部と、前記ビア電極部を囲うように形成された複数の遮蔽導体のうちの第１遮蔽導体の主面に沿うように形成され、前記誘電体基板を構成する複数の誘電体層のうちの少なくとも一の誘電体層を介して前記第１遮蔽導体に対向するとともに前記ビア電極部の一端に接続された第１ストリップ線路と、前記第１遮蔽導体に対向する第２遮蔽導体の主面に沿うように形成され、前記誘電体基板を構成する前記複数の誘電体層のうちの少なくとも他の誘電体層を介して前記第２遮蔽導体に対向するとともに前記ビア電極部の他端に接続された第２ストリップ線路とをそれぞれ有する複数の共振器と、前記複数の共振器のうちの第１共振器の前記第１ストリップ線路と、前記第１共振器に隣接する第２共振器の前記第１ストリップ線路との間の領域を、前記第１ストリップ線路の長手方向である第１方向に延長した延長領域内において前記第１遮蔽導体に一端が接続され、前記第１遮蔽導体に対向する第２遮蔽導体に他端が接続された結合調整ビア電極とを有する。

本発明によれば、特性の良好な小型のフィルタを提供することができる。

第１実施形態によるフィルタを示す斜視図である。図２Ａ及び図２Ｂは、第１実施形態によるフィルタを示す断面図である。第１実施形態によるフィルタを示す平面図である。図４Ａ及び図４Ｂは、ビア電極の配列の例を示す平面図である。第１実施形態の変形例１によるフィルタを示す平面図である。第１実施形態の変形例２によるフィルタを示す平面図である。第１実施形態の変形例３によるフィルタを示す平面図である。図８Ａ及び図８Ｂは、第１実施形態の変形例４によるフィルタを示す断面図である。第２実施形態によるフィルタを示す斜視図である。図１０Ａ及び図１０Ｂは、第２実施形態によるフィルタを示す断面図である。第２実施形態によるフィルタを示す平面図である。第２実施形態の変形例１によるフィルタを示す平面図である。図１３Ａ及び図１３Ｂは、第２実施形態の変形例２によるフィルタを示す断面図である。第３実施形態によるフィルタを示す斜視図である。図１５Ａ及び図１５Ｂは、第３実施形態によるフィルタを示す断面図である。第３実施形態によるフィルタを示す平面図である。図１７Ａ及び図１７Ｂは、第３実施形態の変形例によるフィルタを示す断面図である。

本発明に係るフィルタについて、好適な実施形態を挙げ、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。

［第１実施形態］
第１実施形態によるフィルタについて図面を用いて説明する。図１は、本実施形態によるフィルタを示す斜視図である。図２Ａ及び図２Ｂは、本実施形態によるフィルタを示す断面図である。図２Ａは、図１のＩＩＡ－ＩＩＡ線に対応している。図２Ｂは、図１のＩＩＢ－ＩＩＢ線に対応している。

図１に示すように、本実施形態によるフィルタ１０は、誘電体基板１４を有する。誘電体基板１４は、例えば直方体状に形成されている。誘電体基板１４は、複数のセラミックスシート（誘電体セラミックスシート）を積層することにより構成されている。誘電体基板１４は、４つの側面１４ａ～１４ｄを有している。側面（第１側面）１４ｃ及び側面（第２側面）１４ｄの法線方向をＸ方向（第１方向）とする。側面（第３側面）１４ａ及び側面（第４側面）１４ｂの法線方向をＹ方向（第２方向）とする。誘電体基板１４の一方の主面及び他方の主面の法線方向をＺ方向とする。

誘電体基板１４の一方の主面側、即ち、図１における誘電体基板１４の上側には、上部遮蔽導体（遮蔽導体、第２遮蔽導体）１２Ａが形成されている。誘電体基板１４のうちの他方の主面側、即ち、図１における誘電体基板１４の下側には、下部遮蔽導体（遮蔽導体、第１遮蔽導体）１２Ｂが形成されている。

誘電体基板１４内には、下部遮蔽導体１２Ｂに対向するストリップ線路（第１ストリップ線路）１８が形成されている。ストリップ線路１８の長手方向は、Ｘ方向である。

誘電体基板１４内には、ビア電極部（第１ビア電極部）２０Ａ及びビア電極部（第２ビア電極部）２０Ｂが更に形成されている。ビア電極部２０Ａ、２０Ｂの一端は、ストリップ線路１８に接続されている。ビア電極部２０Ａ、２０Ｂの他端は、上部遮蔽導体１２Ａに接続されている。このように、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂは、ストリップ線路１８から上部遮蔽導体１２Ａにかけて形成されている。ストリップ線路１８とビア電極部２０Ａ、２０Ｂとにより、構造体１６が構成されている。フィルタ１０には、構造体１６をそれぞれ含む複数の共振器、即ち、第１共振器１１Ａ、第２共振器１１Ｂ及び第３共振器１１Ｃが備えられている。第１共振器（共振器）１１Ａと第２共振器（共振器）１１Ｂと第３共振器（共振器）１１Ｃとは、互いに隣接するようにＹ方向に配列されている。第１共振器１１Ａと第３共振器１１Ｃとの間に、第２共振器１１Ｂが位置している。

誘電体基板１４の側面１４ａには、第１入出力端子２２Ａが形成されている。誘電体基板１４の側面１４ｂには、第２入出力端子２２Ｂが形成されている。第１入出力端子２２Ａは、第１接続線路３２ａを介して上部遮蔽導体１２Ａに結合されている。また、第２入出力端子２２Ｂは、第２接続線路３２ｂを介して上部遮蔽導体１２Ａに結合されている。第１入出力端子２２Ａと第２共振器１１Ｂとの間に、第１共振器１１Ａが位置している。第２入出力端子２２Ｂと第２共振器１１Ｂとの間に、第３共振器１１Ｃが位置している。誘電体基板１４の側面１４ｃには、第１側面遮蔽導体（遮蔽導体）１２Ｃａが形成されている。誘電体基板１４の側面１４ｄには、第２側面遮蔽導体（遮蔽導体）１２Ｃｂが形成されている。誘電体基板１４内において、第１ビア電極部２０Ａは側面１４ｃ側に位置し、第２ビア電極部２０Ｂは側面１４ｄ側に位置している。

第１ビア電極部２０Ａは、複数のビア電極２４ａから構成されている。第２ビア電極部２０Ｂは、複数のビア電極２４ｂから構成されている。ビア電極２４ａ及びビア電極２４ｂは、誘電体基板１４に形成されたビアホールにそれぞれ埋め込まれている。第１ビア電極部２０Ａと第２ビア電極部２０Ｂとの間に他のビア電極部は存在していない。各々の構造体１６間には、不図示のパターン（結合容量電極）が適宜設けられている。

図３は、本実施形態によるフィルタを示す平面図である。図３に示すように、第１共振器１１Ａのビア電極部２０Ａ、２０Ｂの位置と、第２共振器１１Ｂのビア電極部２０Ａ、２０Ｂの位置とは、Ｘ方向において互いに異なっている。また、第２共振器１１Ｂのビア電極部２０Ａ、２０Ｂの位置と、第３共振器１１Ｃのビア電極部２０Ａ、２０Ｂの位置とは、Ｘ方向において互いに異なっている。

より具体的には、第１共振器１１Ａの第１ビア電極部２０Ａの位置Ｐ１Ａと、第２共振器１１Ｂの第１ビア電極部２０Ａの位置Ｐ２Ａとが、Ｘ方向において互いにずらされている。また、第１共振器１１Ａの第２ビア電極部２０Ｂの位置Ｐ１Ｂと、第２共振器１１Ｂの第２ビア電極部２０Ｂの位置Ｐ２Ｂとが、Ｘ方向において互いにずらされている。第２共振器１１Ｂの第１ビア電極部２０Ａの位置Ｐ２Ａと、第３共振器１１Ｃの第１ビア電極部２０Ａの位置Ｐ３Ａとが、Ｘ方向において互いにずらされている。また、第２共振器１１Ｂの第２ビア電極部２０Ｂの位置Ｐ２Ｂと、第３共振器１１Ｃの第２ビア電極部２０Ｂの位置Ｐ３Ｂとが、Ｘ方向において互いにずらされている。なお、ここでは、第１ビア電極部２０Ａの中心の位置を、第１ビア電極部２０Ａの位置Ｐ１Ａ、Ｐ２Ａ、Ｐ３Ａとして説明することとする。また、第２ビア電極部２０Ｂの中心の位置を、第２ビア電極部２０Ｂの位置Ｐ１Ｂ、Ｐ２Ｂ、Ｐ３Ｂとして説明することとする。

第１共振器１１Ａの第１ビア電極部２０Ａの位置Ｐ１Ａと、第１共振器１１Ａの第２ビア電極部２０Ｂの位置Ｐ１ＢとのＸ方向における距離を、Ｌ１Ｘとする。第２共振器１１Ｂの第１ビア電極部２０Ａの位置Ｐ２Ａと、第２共振器１１Ｂの第２ビア電極部２０Ｂの位置Ｐ２ＢとのＸ方向における距離を、Ｌ２Ｘとする。第３共振器１１Ｃの第１ビア電極部２０Ａの位置Ｐ３Ａと、第３共振器１１Ｃの第２ビア電極部２０Ｂの位置Ｐ３ＢとのＸ方向における距離を、Ｌ３Ｘとする。本実施形態では、距離Ｌ２Ｘは、距離Ｌ１Ｘ、Ｌ３Ｘより大きく設定されている。

このように、本実施形態では、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間において、第１ビア電極部２０Ａの位置がＸ方向において互いに異なっている。また、本実施形態では、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間において、第２ビア電極部２０Ｂの位置がＸ方向において互いに異なっている。このため、本実施形態によれば、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間のＹ方向における距離を大きくすることなく、互いに隣接する第１ビア電極部２０Ａ間の距離を大きくすることができる。また、本実施形態によれば、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間のＹ方向における距離を大きくすることなく、互いに隣接する第２ビア電極部２０Ｂ間の距離を大きくすることができる。このため、本実施形態によれば、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１ＣのＹ方向における距離を大きくすることなく、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間の結合度を小さくすることができる。従って、本実施形態によれば、フィルタ１０のサイズを小さく保ちつつ、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間の結合度を小さくすることができる。

図４Ａ及び図４Ｂは、ビア電極の配列の例を示す平面図である。図４Ａは、仮想の楕円形状（楕円）３７の一部に沿うようにビア電極２４ａ及びビア電極２４ｂが配置されている例を示している。図４Ｂは、仮想のトラック形状３８の一部に沿うようにビア電極２４ａ及びビア電極２４ｂが配置されている例を示している。トラック形状とは、対向する２つの半円部と、これら半円部を接続する２つの平行な直線部とから構成される形状である。

図４Ａに示す例においては、複数のビア電極２４ａは、上面から見たとき、仮想の楕円形状３７の一部を構成する仮想の第１湾曲線２８ａに沿って配列されている。また、図４Ａに示す例においては、複数のビア電極２４ｂは、上面から見たとき、仮想の楕円形状３７の一部を構成する仮想の第２湾曲線２８ｂに沿って配列されている。図４Ｂに示す例においては、複数のビア電極２４ａは、上面から見たとき、仮想のトラック形状３８の一部を構成する仮想の第１湾曲線２８ａに沿って配列されている。また、図４Ｂに示す例においては、複数のビア電極２４ｂは、上面から見たとき、仮想のトラック形状３８の一部を構成する仮想の第２湾曲線２８ｂに沿って配列されている。

仮想の楕円形状３７又は仮想のトラック形状３８に沿うようにビア電極２４ａ及びビア電極２４ｂを配列しているのは、以下のような理由によるものである。即ち、フィルタのＱ値を向上させるために、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂにおける電流密度を低下させることが考えられる。ビア電極部２０Ａ、２０Ｂにおける電流密度を低下させるためには、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂの径を大きくすることが考えられる。しかし、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂの径を単に大きく設定した場合には、共振器１１Ａ～１１Ｃ間に発生する電気壁と共振器１１Ａ～１１Ｃとの間の距離が小さくなるため、Ｑ値の劣化を招く。これに対し、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂを楕円形状３７にし、当該楕円形状３７の短軸方向に共振器１１Ａ～１１Ｃを多段化すれば、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂ間の距離が互いに長くなるため、Ｑ値の劣化を抑制することができる。また、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂをトラック形状３８にし、当該トラック形状３８の直線部の長手方向に垂直な方向に共振器１１Ａ～１１Ｃを多段化すれば、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂ間の距離が互いに長くなるため、Ｑ値の劣化を抑制することができる。このような理由により、本実施形態では、仮想の楕円形状３７又は仮想のトラック形状３８に沿うようにビア電極２４ａ及びビア電極２４ｂを配列している。

また、仮想の楕円形状３７の端部、即ち、仮想の楕円形状３７のうちの曲率の大きい両端部にビア電極２４ａ及びビア電極２４ｂをそれぞれ配置しているのは、以下のような理由によるものである。また、仮想のトラック形状３８の半円部にビア電極２４ａ及びビア電極２４ｂをそれぞれ配置しているのは、以下のような理由によるものである。即ち、高周波電流は、仮想の楕円形状３７の端部、即ち、仮想の楕円形状３７のうちの曲率の大きい両端部に集中する。また、高周波電流は、仮想のトラック形状３８の両端部、即ち、仮想のトラック形状３８の半円部に集中する。このため、仮想の楕円形状３７又は仮想のトラック形状３８の両端部以外の部分にビア電極２４ａ、２４ｂを配置しないようにしても、Ｑ値の大幅な低下を招くことはない。また、ビア電極２４ａ、２４ｂの数を減らせば、ビアを形成するために要する時間を短縮することができるため、スループットの向上を実現することができる。また、ビア電極２４ａ、２４ｂの数を減らせば、ビアに埋め込まれる銀等の材料を減らし得るため、コストダウンを実現することもできる。また、第１ビア電極部２０Ａと第２ビア電極部２０Ｂ間には、電磁界が比較的疎である領域が形成されるため、当該領域に結合調整等のためのストリップ線路を形成することも可能である。このような観点から、本実施形態では、仮想の楕円形状３７又は仮想のトラック形状３８の両端部にビア電極２４ａ及びビア電極２４ｂを配置している。

ビア電極部２０Ａ、２０Ｂと、第１側面遮蔽導体１２Ｃａ及び第２側面遮蔽導体１２Ｃｂとは、半同軸共振器のように振る舞う。ビア電極部２０Ａ、２０Ｂに流れる電流の向きと第１側面遮蔽導体１２Ｃａに流れる電流の向きとは逆となり、また、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂに流れる電流の向きと第２側面遮蔽導体１２Ｃｂに流れる電流の向きとは逆となる。このため、遮蔽導体１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃａ、１２Ｃｂによって囲まれた部分に電磁界を閉じ込めることができ、放射による損失を小さくすることができ、且つ、外部への影響を小さくすることができる。共振時のあるタイミングにおいては、上部遮蔽導体１２Ａの中心から上部遮蔽導体１２Ａの面全体に拡散するように電流が流れる。この際、下部遮蔽導体１２Ｂには、下部遮蔽導体１２Ｂの面全体から下部遮蔽導体１２Ｂの中心に向かって集中するように電流が流れる。また、共振時の他のタイミングにおいては、下部遮蔽導体１２Ｂの中心から下部遮蔽導体１２Ｂの面全体に拡散するように電流が流れる。この際、上部遮蔽導体１２Ａには、上部遮蔽導体１２Ａの面全体から上部遮蔽導体１２Ａの中心に向かって集中するように電流が流れる。上部遮蔽導体１２Ａ又は下部遮蔽導体１２Ｂの面全体に拡散するように流れる電流は、そのまま第１側面遮蔽導体１２Ｃａ及び第２側面遮蔽導体１２Ｃｂにも同様に流れる。即ち、線幅の広い導体に電流が流れる。線幅の広い導体は抵抗成分が少ないため、Ｑ値の劣化は小さい。第１ビア電極部２０Ａ及び第２ビア電極部２０Ｂは、遮蔽導体１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃａ、１２Ｃｂとともに、ＴＥＭ波の共振器を実現する。即ち、第１ビア電極部２０Ａ及び第２ビア電極部２０Ｂは、遮蔽導体１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃａ、１２Ｃｂを参照したＴＥＭ波の共振器を実現する。ストリップ線路１８は、開放端容量を形成する役割を果たす。フィルタ１０に備えられた各々の共振器１１Ａ～１１Ｃは、λ／４共振器として動作し得る。

このように、本実施形態では、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間において、第１ビア電極部２０Ａの位置が、Ｘ方向において互いに異なっている。また、本実施形態では、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間において、第２ビア電極部２０Ｂの位置が、Ｘ方向において互いに異なっている。このため、本実施形態によれば、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間のＹ方向における距離を大きくすることなく、第１ビア電極部２０Ａ間の距離を大きくすることができる。また、本実施形態によれば、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間のＹ方向における距離を大きくすることなく、第２ビア電極部２０Ｂ間の距離を大きくすることができる。このため、本実施形態によれば、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間のＹ方向における距離を大きくすることなく、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間の結合度を小さくすることができる。従って、本実施形態によれば、フィルタ１０のサイズを小さく保ちつつ、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間の結合度を小さくすることができる。

（変形例１）
本実施形態の変形例１によるフィルタについて図５を用いて説明する。図５は、本変形例によるフィルタを示す平面図である。

図５に示すように、本変形例では、第１共振器１１Ａに、１つのビア電極部（第３ビア電極部）２０Ｃが備えられている。第１共振器１１Ａのビア電極部２０Ｃは、複数のビア電極２４ｃから構成されている。ビア電極２４ｃは、誘電体基板１４に形成されたビアホールに埋め込まれている。１つのビア電極部２０Ｃは、４つのビア電極２４ｃによって構成されている。１つのビア電極部２０Ｃを構成する４つのビア電極２４ｃは、仮想の菱形２６の頂点に位置している。第１共振器１１Ａのビア電極部２０Ｃは、当該第１共振器１１Ａのストリップ線路１８のＸ方向における中心において当該ストリップ線路１８に接続されている。

第２共振器１１Ｂのビア電極部には、２つのビア電極部、即ち、第１ビア電極部２０Ａ及び第２ビア電極部２０Ｂが備えられている。第２共振器１１Ｂの第１ビア電極部２０Ａは、誘電体基板１４の側面１４ｃ側に位置している。第２共振器１１Ｂの第２ビア電極部２０Ｂは、誘電体基板１４の側面１４ｄ側に位置している。

第３共振器１１Ｃのビア電極部２０Ｃには、１つのビア電極部（第３ビア電極部）２０Ｃが備えられている。第３共振器１１Ｃのビア電極部２０Ｃは、当該第３共振器１１Ｃのストリップ線路１８のＸ方向における中心において当該ストリップ線路１８に接続されている。なお、ここでは、１つのビア電極部２０Ｃが４つのビア電極２４ｃによって構成されている場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。

第２共振器１１Ｂのビア電極部２０Ａ、２０Ｂの位置Ｐ２Ａ、Ｐ２Ｂと、第１共振器１１Ａのビア電極部２０Ｃの位置Ｐ１とは、Ｘ方向において異なっている。第３共振器１１Ｃのビア電極部２０Ｃの位置Ｐ３と、第２共振器１１Ｂのビア電極部２０Ａ、２０Ｂの位置Ｐ２Ａ、Ｐ２Ｂとは、Ｘ方向において異なっている。なお、ここでは、第１共振器１１Ａのビア電極部２０Ｃの中心の位置を、当該ビア電極部２０Ｃの位置Ｐ１として説明することとする。また、第３共振器１１Ｃのビア電極部２０Ｃの中心の位置を、当該ビア電極部２０Ｃの位置Ｐ３として説明することとする。第１共振器１１Ａのビア電極部２０Ｃの位置、即ち、位置Ｐ１は、第１共振器１１Ａのストリップ線路１８の中心である。第３共振器１１Ｃのビア電極部２０Ｃの中心の位置、即ち、位置Ｐ３は、第３共振器１１Ｃのストリップ線路１８の中心である。

このように、本変形例では、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間において、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂの位置とビア電極部２０Ｃの位置とが、Ｘ方向において互いにずらされている。このため、本変形例によれば、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間のＹ方向における距離を大きくすることなく、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂとビア電極部２０Ｃとの間の距離を大きくすることができる。このため、本変形例によっても、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間のＹ方向における距離を大きくすることなく、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間の結合度を小さくすることができる。従って、本変形例によっても、フィルタ１０のサイズを小さく保ちつつ、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間の結合度を小さくすることができる。

（変形例２）
本実施形態の変形例２によるフィルタについて図６を用いて説明する。図６は、本変形例によるフィルタを示す平面図である。

本変形例は、ビア電極部２０Ｃを構成するビア電極２４ｃがＸ方向に直線状に配列されており、ビア電極部２０Ｃがストリップ線路１８のＹ方向における中心よりも側面１４ａ、１４ｂ側に位置しているものである。

図６に示すように、本変形例では、第１共振器１１Ａに、１つのビア電極部２０Ｃが備えられている。第１共振器１１Ａのビア電極部２０Ｃを構成するビア電極２４ｃは、仮想の直線４０に沿ってＸ方向に配列されている。第１共振器１１Ａのビア電極部２０Ｃは、３つのビア電極２４ｃによって構成されている。第１共振器１１Ａのビア電極部２０Ｃは、当該第１共振器１１Ａのストリップ線路１８のＸ方向における中心において、当該ストリップ線路１８に接続されている。第１共振器１１Ａのビア電極部２０Ｃは、ストリップ線路１８のＹ方向における中心よりも側面１４ａ側に位置している。

第２共振器１１Ｂには、２つのビア電極部、即ち、第１ビア電極部２０Ａ及び第２ビア電極部２０Ｂが備えられている。第２共振器１１Ｂの第１ビア電極部２０Ａは、側面１４ｃ側に位置している。第２共振器１１Ｂの第２ビア電極部２０Ｂは、側面１４ｄ側に位置している。

第３共振器１１Ｃには、１つのビア電極部２０Ｃが構成されている。第３共振器１１Ｃのビア電極部２０Ｃを構成するビア電極２４ｃは、仮想の直線４０に沿ってＸ方向に配列されている。第３共振器１１Ｃのビア電極部２０Ｃは、３つのビア電極２４ｃによって構成されている。第３共振器１１Ｃのビア電極部２０Ｃは、当該第３共振器１１Ｃのストリップ線路１８のＸ方向における中心において、当該ストリップ線路１８に接続されている。第３共振器１１Ｃのビア電極部２０Ｃは、ストリップ線路１８のＹ方向における中心よりも側面１４ｂ側に位置している。

なお、ここでは、１つのビア電極部２０Ｃが３つのビア電極２４ｃによって構成されている場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。

本変形例では、第２共振器１１Ｂのビア電極部２０Ａ、２０Ｂの位置Ｐ２Ａ、Ｐ２Ｂと、共振器１１Ａ、１１Ｃのビア電極部２０Ｃの位置Ｐ１、Ｐ３とが、Ｘ方向においてずらされている。しかも、本変形例では、共振器１１Ａ、１１Ｃのビア電極部２０Ｃが、ストリップ線路１８のＹ方向における中心よりも側面１４ａ、１４ｂ側にそれぞれ位置している。このため、本変形例によれば、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間のＹ方向における距離を大きくすることなく、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂとビア電極部２０Ｃとの間の距離をより大きくすることができる。このため、本変形例によれば、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間のＹ方向における距離を大きくすることなく、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間の結合度をより小さくすることができる。従って、本変形例によれば、フィルタ１０のサイズを小さく保ちつつ、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間の結合度をより小さくすることができる。

また、本変形例によれば、共振器１１Ａ、１１Ｃのビア電極部２０Ｃが、ストリップ線路１８のＹ方向における中心よりも側面１４ａ、１４ｂ側に位置している。このため、本変形例によれば、共振器１１Ａ、１１Ｃのビア電極部２０Ｃと、入出力端子２２Ａ、２２Ｂとの間の距離を小さくすることができる。このため、本変形例によれば、共振器１１Ａ、１１Ｃのビア電極部２０Ｃと、入出力端子２２Ａ、２２Ｂとの結合度を大きくすることができる。

（変形例３）
本実施形態の変形例３によるフィルタについて図７を用いて説明する。図７は、本変形例によるフィルタを示す平面図である。

図７に示すように、本変形例では、第１共振器１１Ａのビア電極部２０Ｃが、複数のビア電極２４ｃ１～２４ｃ３によって構成されている。第１共振器１１Ａのビア電極（第１ビア電極）２４ｃ１は、第１共振器１１Ａのビア電極（第２ビア電極）２４ｃ２に対して側面１４ｃ側に位置している。第１共振器１１Ａのビア電極（第３ビア電極）２４ｃ３は、第１共振器１１Ａのビア電極２４ｃ２に対して側面１４ｄ側に位置している。第１共振器１１Ａのビア電極２４ｃ２は、第１共振器１１Ａのストリップ線路１８のＸ方向における中心に位置している。第１共振器１１Ａのビア電極部２０Ｃは、ストリップ線路１８のＹ方向における中心よりも側面１４ａ側に位置している。第１共振器１１Ａのビア電極２４ｃ２と側面１４ａとの間の距離Ｌ１Ｙ２は、第１共振器１１Ａのビア電極２４ｃ１と側面１４ａとの間の距離Ｌ１Ｙ１より大きい。また、第１共振器１１Ａのビア電極２４ｃ２と側面１４ａとの間の距離Ｌ１Ｙ２は、第１共振器１１Ａのビア電極２４ｃ３と側面１４ａとの間の距離Ｌ１Ｙ３より大きい。

第３共振器１１Ｃのビア電極部２０Ｃは、複数のビア電極２４ｃ１～２４ｃ３によって構成されている。第３共振器１１Ｃのビア電極（第１ビア電極）２４ｃ１は、第３共振器１１Ｃのビア電極（第２ビア電極）２４ｃ２に対して側面１４ｃ側に位置している。第３共振器１１Ｃのビア電極（第３ビア電極）２４ｃ３は、第３共振器１１Ｃのビア電極２４ｃ２に対して側面１４ｄ側に位置している。第３共振器１１Ｃのビア電極２４ｃ２は、第３共振器１１Ｃのストリップ線路１８のＸ方向における中心に位置している。第３共振器１１Ｃのビア電極部２０Ｃは、ストリップ線路１８のＹ方向における中心よりも側面１４ｂ側に位置している。第３共振器１１Ｃのビア電極２４ｃ２と側面１４ｂとの間の距離Ｌ３Ｙ２は、第３共振器１１Ｃのビア電極２４ｃ１と側面１４ｂとの間の距離Ｌ３Ｙ１より大きい。また、第３共振器１１Ｃのビア電極２４ｃ２と側面１４ｂとの間の距離Ｌ３Ｙ２は、第３共振器１１Ｃのビア電極２４ｃ３と側面１４ｂとの間の距離Ｌ３Ｙ３より大きい。

本変形例では、共振器１１Ａ、１１Ｃのビア電極２４ｃ２と側面１４ａ、１４ｂとの間の距離が、共振器１１Ａ、１１Ｃのビア電極２４ｃ１、２４ｃ３と側面１４ａ、１４ｂとの間の距離より大きい。このため、本変形例によれば、ビア電極部２０Ｃとビア電極部２０Ａ、２０Ｂとの結合度を小さく維持しつつ、ビア電極部２０Ｃの見かけ上の断面積を大きくすることができる。ビア電極部２０Ｃの見かけ上の断面積を大きくすることができるため、本変形例によれば、Ｑ値の向上を図ることができる。

また、本変形例では、共振器１１Ａ、１１Ｃのビア電極２４ｃ２と側面１４ａ、１４ｂとの間の距離が、共振器１１Ａ、１１Ｃのビア電極２４ｃ１、２４ｃ３と側面１４ａ、１４ｂとの間の距離より大きい。このため、本変形例によれば、ビア電極部２０Ｃと入出力端子２２Ａ、２２Ｂとの結合度を調整しつつ、共振器１１Ａ～１１Ｃ間の結合も調整することができる。

（変形例４）
本実施形態の変形例４によるフィルタについて図８Ａ及び図８Ｂを用いて説明する。図８Ａ及び図８Ｂは、本変形例によるフィルタを示す断面図である。

本変形例は、上部遮蔽導体１２Ａに対向する上部ストリップ線路（第２ストリップ線路）１８Ａと、下部遮蔽導体１２Ｂに対向する下部ストリップ線路（第１ストリップ線路）１８Ｂとが、誘電体基板１４内に形成されているものである。

本変形例では、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂの一端は、上部ストリップ線路１８Ａに接続されており、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂの他端は、下部ストリップ線路１８Ｂに接続されている。このように、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂは、上部ストリップ線路１８Ａから下部ストリップ線路１８Ｂにかけて形成されている。ビア電極部２０Ａ、２０Ｂとストリップ線路１８Ａ、１８Ｂとにより、構造体１６が構成されている。

ビア電極部２０Ａ、２０Ｂと、第１側面遮蔽導体１２Ｃａ及び第２側面遮蔽導体１２Ｃｂとは、図１に示すフィルタ１０の場合と同様に、半同軸共振器のように振る舞う。

本変形例では、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂが上部遮蔽導体１２Ａにも下部遮蔽導体１２Ｂにも導通していない。ビア電極部２０Ａ、２０Ｂに接続された上部ストリップ線路１８Ａと上部遮蔽導体１２Ａとの間には、静電容量（開放端容量）が存在する。また、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂに接続された下部ストリップ線路１８Ｂと下部遮蔽導体１２Ｂとの間にも、静電容量が存在する。ビア電極部２０Ａ、２０Ｂは、上部ストリップ線路１８Ａ及び下部ストリップ線路１８Ｂとともに、λ／２共振器を構成する。

図１に示すようなλ／４共振器においては、共振時に、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂと遮蔽導体１２Ａとが接している部分、即ち、短絡部に電流が集中する。ビア電極部２０Ａ、２０Ｂと遮蔽導体１２Ａとが接している部分は、電流の経路が垂直に曲がる部分である。電流の経路が大きく曲がる箇所に電流が集中することは、Ｑ値の低下をもたらし得る。短絡部への電流の集中を解消することによりＱ値を向上すべく、電流経路の断面積を大きくすることも考えられる。例えば、ビア径を大きくすることや、ビアの本数を増やすことが考えられる。しかし、このようにした場合には、共振器の大きさが大きくなってしまい、共振器の小型化の要請を満たし得ない。これに対し、本変形例では、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂが上部遮蔽導体１２Ａにも下部遮蔽導体１２Ｂにも接していない。即ち、本変形例では、両端開放型のλ／２共振器が構成されている。このため、本変形例では、局所的な電流の集中が上部遮蔽導体１２Ａ及び下部遮蔽導体１２Ｂに生じることが防止される一方、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂの中心付近に電流を集中させることができる。電流が集中する箇所がビア電極部２０Ａ、２０Ｂのみであるため、即ち、連続性（直線性）のある箇所に電流が集中するため、本変形例によれば、Ｑ値を向上させることができる。

［第２実施形態］
第２実施形態によるフィルタについて図面を用いて説明する。図９は、本実施形態によるフィルタを示す斜視図である。図１０Ａ及び図１０Ｂは、本実施形態によるフィルタを示す断面図である。図１０Ａは、図９のＸＡ－ＸＡ線に対応している。図１０Ｂは、図９のＸＢ－ＸＢ線に対応している。図１１は、本実施形態によるフィルタを示す平面図である。第１実施形態によるフィルタと同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し又は簡略にする。

本実施形態によるフィルタ１０Ａは、上部遮蔽導体１２Ａにスリット３０Ａ、３０Ｂが形成されているものである。スリット３０Ａは、共振器１１Ａの少なくともビア電極部２０Ａ、２０Ｂに平面視において重なり合う上部遮蔽導体１２Ａの第１部分３３Ａと、共振器１１Ｂの少なくともビア電極部２０Ａ、２０Ｂに平面視において重なり合う上部遮蔽導体１２Ａの第２部分３３Ｂとの間に位置する。スリット３０Ｂは、共振器１１Ｂの少なくともビア電極部２０Ａ、２０Ｂに平面視において重なり合う上部遮蔽導体１２Ａの第２部分３３Ｂと、共振器１１Ｃの少なくともビア電極部２０Ａ、２０Ｂに平面視において重なり合う上部遮蔽導体１２Ａの第３部分３３Ｃとの間に位置する。なお、ここでは、上部遮蔽導体１２Ａの第１部分３３Ａと共振器１１Ａのストリップ線路１８とが互いに重なり合っている場合が図示されているが、これに限定されるものではない。また、ここでは、上部遮蔽導体１２Ａの第２部分３３Ｂと共振器１１Ｂのストリップ線路１８とが互いに重なり合っている場合が図示されているが、これに限定されるものではない。また、ここでは、上部遮蔽導体１２Ａの第３部分３３Ｃと共振器１１Ｃのストリップ線路１８とが互いに重なり合っている場合が図示されているが、これに限定されるものではない。また、ここでは、共振器１１Ａのストリップ線路１８と共振器１１Ｂのストリップ線路１８のいずれにも平面視において重なり合わないようにスリット３０Ａが形成されている場合が図示されているが、これに限定されるものではない。共振器１１Ａのストリップ線路１８と共振器１１Ｂのストリップ線路１８とのうちの少なくともいずれかに、スリット３０Ａの一部が平面視において重なり合っていてもよい。また、ここでは、共振器１１Ｂのストリップ線路１８と共振器１１Ｃのストリップ線路１８のいずれにも平面視において重なり合わないようにスリット３０Ｂが形成されている場合が図示されているが、これに限定されるものではない。共振器１１Ｂのストリップ線路１８と共振器１１Ｃのストリップ線路１８とのうちの少なくともいずれかに、スリット３０Ｂの一部が平面視において重なり合っていてもよい。少なくとも、共振器１１Ａのビア電極部２０Ａと共振器１１Ｂのビア電極部２０Ａとの間、及び、共振器１１Ａのビア電極部２０Ｂと共振器１１Ｂのビア電極部２０Ｂとの間に、スリット３０Ａを形成するようにすればよい。また、少なくとも、共振器１１Ｂのビア電極部２０Ａと共振器１１Ｃのビア電極部２０Ａとの間、及び、共振器１１Ｂのビア電極部２０Ｂと共振器１１Ｃのビア電極部２０Ｂとの間に、スリット３０Ｂを形成するようにすればよい。

本実施形態によれば、このようなスリット３０Ａが上部遮蔽導体１２Ａに形成されているため、共振器１１Ａと共振器１１Ｂとの間の結合度を小さくすることができる。また、本実施形態によれば、このようなスリット３０Ｂが上部遮蔽導体１２Ａに形成されているため、共振器１１Ｂと共振器１１Ｃとの間の結合度を小さくすることができる。このため、本実施形態によれば、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間のＹ方向における距離を大きくすることなく、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間の結合度を小さくすることができる。従って、本実施形態によれば、フィルタ１０Ａのサイズを小さく保ちつつ、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間の結合度を小さくすることができる。

（変形例１）
本実施形態の変形例１によるフィルタについて図１２を用いて説明する。図１２は、本変形例によるフィルタを示す平面図である。

本変形例は、スリット３０Ａ、３０Ｂによって上部遮蔽導体１２Ａが分離されているものである。即ち、本変形例では、上部遮蔽導体１２Ａの第１部分３３Ａを含む部分と上部遮蔽導体１２Ａの第２部分３３Ｂを含む部分とが、スリット３０Ａによって分離されている。また、本変形例では、上部遮蔽導体１２Ａの第２部分３３Ｂを含む部分と上部遮蔽導体１２Ａの第３部分３３Ｃを含む部分とが、スリット３０Ｂによって分離されている。

このように、スリット３０Ａ、３０Ｂによって上部遮蔽導体１２Ａが分離されていてもよい。スリット３０Ａ、３０Ｂをこのように形成した場合にも、フィルタ１０Ａのサイズを小さく保ちつつ、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間の結合度を小さくすることができる。

（変形例２）
本実施形態の変形例２によるフィルタについて図１３Ａ及び図１３Ｂを用いて説明する。図１３Ａ及び図１３Ｂは、本変形例によるフィルタを示す断面図である。

本変形例は、上部遮蔽導体１２Ａに対向する上部ストリップ線路１８Ａと、下部遮蔽導体１２Ｂに対向する下部ストリップ線路１８Ｂとが、誘電体基板１４内に形成されているものである。共振器１１Ａの上部ストリップ線路１８Ａと共振器１１Ｂの上部ストリップ線路１８Ａとのうちの少なくともいずれかに、スリット３０Ａの一部が、平面視において重なり合っていてもよいし、平面視において重なり合っていなくてもよい。共振器１１Ｂの上部ストリップ線路１８Ａと共振器１１Ｃの上部ストリップ線路１８Ａとのうちの少なくともいずれかに、スリット３０Ｂの一部が、平面視において重なり合っていてもよいし、平面視において重なり合っていなくてもよい。少なくとも、共振器１１Ａのビア電極部２０Ａと共振器１１Ｂのビア電極部２０Ａとの間、及び、共振器１１Ａのビア電極部２０Ｂと共振器１１Ｂのビア電極部２０Ｂとの間に、スリット３０Ａを形成するようにすればよい。また、少なくとも、共振器１１Ｂのビア電極部２０Ａと共振器１１Ｃのビア電極部２０Ａとの間、及び、共振器１１Ｂのビア電極部２０Ｂと共振器１１Ｃのビア電極部２０Ｂとの間に、スリット３０Ｂを形成するようにすればよい。

本変形例によれば、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂが上部遮蔽導体１２Ａにも下部遮蔽導体１２Ｂにも接していない。このため、本変形例では、局所的な電流の集中が上部遮蔽導体１２Ａ及び下部遮蔽導体１２Ｂに生じることが防止される一方、ビア電極部２０Ａ、２０Ｂの中心付近に電流を集中させることができる。電流が集中する箇所がビア電極部２０Ａ、２０Ｂのみであるため、即ち、連続性（直線性）のある箇所に電流が集中するため、本変形例によれば、Ｑ値を向上させることができる。

［第３実施形態］
第３実施形態によるフィルタについて図面を用いて説明する。図１４は、本実施形態によるフィルタを示す斜視図である。図１５Ａ及び図１５Ｂは、本実施形態によるフィルタを示す断面図である。図１５Ａは、図１４のＸＶＡ－ＸＶＡ線に対応している。図１５Ｂは、図１４のＸＶＢ－ＸＶＢ線に対応している。図１６は、本実施形態によるフィルタを示す平面図である。第１及び第２実施形態によるフィルタと同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し又は簡略にする。

本実施形態によるフィルタ１０Ｂは、一端が上部遮蔽導体１２Ａに接続され、他端が下部遮蔽導体１２Ｂに接続された結合調整ビア電極３４ａ、３４ｂが設けられているものである。

結合調整ビア電極３４ａは、共振器１１Ａのストリップ線路１８と、共振器１１Ｂのストリップ線路１８との間の領域３６Ａを、Ｘ方向に延長した延長領域４２Ａ内において、遮蔽導体１２Ａ、１２Ｂに接続されている。また、結合調整ビア電極３４ｂは、共振器１１Ｂのストリップ線路１８と、共振器１１Ｃのストリップ線路１８との間の領域３６Ｂを、Ｘ方向に延長した延長領域４２Ｂ内において、遮蔽導体１２Ａ、１２Ｂに接続されている。結合調整ビア電極３４ａは、共振器１１Ａと共振器１１Ｂとの結合を打ち消すような磁界を発生する。また、結合調整ビア電極３４ｂは、共振器１１Ｂと共振器１１Ｃとの結合を打ち消すような磁界を発生する。結合調整ビア電極３４ａ、３４ｂは、第１側面遮蔽導体１２Ｃａ及び第２側面遮蔽導体１２Ｃｂと同様に、側面グラウンドとして機能し得る。このため、結合調整ビア電極３４ａ、３４ｂの位置や本数を異ならせると、共振器１１Ａ～１１Ｃから側面グラウンドまでの距離を異ならせることができる。このため、本実施形態では、小さいエリアにフィルタを形成した場合と同様の振る舞いが得られる。本実施形態によれば、フィルタのサイズを変更することなく、共振器１１Ａ～１１Ｃ間の結合度を調整し得るため、様々な特性のフィルタを同じサイズで形成することができる。様々な特性のフィルタを同じサイズで形成し得るため、様々な特性のフィルタを同じ製造工程及び同じ製造方法で製造し得る。

本実施形態によれば、このような結合調整ビア電極３４ａが備えられているため、共振器１１Ａと共振器１１Ｂとの間の結合度を小さくすることができる。また、本実施形態によれば、このような結合調整ビア電極３４ｂが形成されているため、共振器１１Ｂと共振器１１Ｃとの間の結合度を小さくすることができる。このため、本実施形態によれば、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間のＹ方向における距離を大きくすることなく、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間の結合度を小さくすることができる。従って、本実施形態によれば、フィルタ１０Ｂのサイズを小さく保ちつつ、互いに隣接する共振器１１Ａ～１１Ｃ間の結合度を小さくすることができる。

（変形例）
本実施形態の変形例によるフィルタについて図１７Ａ及び図１７Ｂを用いて説明する。図１７Ａ及び図１７Ｂは、本変形例によるフィルタを示す断面図である。

本変形例は、上部遮蔽導体１２Ａに対向する上部ストリップ線路１８Ａと、下部遮蔽導体１２Ｂに対向する下部ストリップ線路１８Ｂとが、誘電体基板１４内に形成されているものである。

上記において、本発明について好適な実施形態を挙げて説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の改変が可能である。

上記実施形態をまとめると以下のようになる。

フィルタ（１０）は、誘電体基板（１４）内に形成されたビア電極部（２０Ａ、２０Ｂ）と、前記ビア電極部を囲うように形成された複数の遮蔽導体（１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃａ、１２Ｃｂ）のうちの第１遮蔽導体（１２Ｂ）に対向するとともに前記ビア電極部の一端に接続された第１ストリップ線路（１８）とをそれぞれ有する複数の共振器（１１Ａ～１１Ｃ）を有し、前記複数の共振器のうちの第１共振器（１１Ａ）の前記ビア電極部の位置と、前記第１共振器に隣接する第２共振器（１１Ｂ）の前記ビア電極部の位置とが、前記第１ストリップ線路の長手方向である第１方向（Ｘ）において互いにずらされている。このような構成によれば、互いに隣接する共振器間において、ビア電極部の位置が第１方向において互いに異なっている。このため、このような構成によれば、互いに隣接する共振器間の距離を大きくすることなく、ビア電極部間の距離を大きくすることができ、互いに隣接する共振器間の結合度を小さくすることができる。従って、このような構成によれば、フィルタのサイズを小さく保ちつつ、互いに隣接する共振器間の結合度を小さくすることができる。

前記第１遮蔽導体は、前記誘電体基板の一方の主面側に形成されており、前記誘電体基板は、法線方向が前記第１方向である第１側面（１４ｃ）と、前記第１側面に対向する第２側面（１４ｄ）とを有し、前記第１共振器及び前記第２共振器は、複数の前記ビア電極部をそれぞれ有し、前記複数のビア電極部のうちの第１ビア電極部は、前記第１側面側に位置し、前記複数のビア電極部のうちの第２ビア電極部は、前記第２側面側に位置し、前記第１共振器の前記第１ビア電極部の前記第１方向における位置と、前記第２共振器の前記第１ビア電極部の前記第１方向における位置とが、互いに異なっており、前記第１共振器の前記第２ビア電極部の前記第１方向における位置と、前記第２共振器の前記第２ビア電極部の前記第１方向における位置とが、互いに異なっているようにしてもよい。このような構成においても、フィルタのサイズを小さく保ちつつ、互いに隣接する共振器間の結合度を小さくすることができる。

前記誘電体基板は、法線方向が前記第１方向に交差する第２方向（Ｙ）である第３側面（１４ａ）と、前記第３側面に対向する第４側面（１４ｂ）とを更に有し、前記第３側面に形成され、前記第１遮蔽導体に対向する第２遮蔽導体（１２Ａ）に接続された入出力端子（２２Ａ）を更に有し、前記第１共振器は、前記入出力端子と前記第２共振器との間に位置し、前記第１共振器の前記第１ビア電極部と前記第１共振器の前記第２ビア電極部との前記第１方向における距離（Ｌ１Ｘ）は、前記第２共振器の前記第１ビア電極部と前記第２共振器の前記第２ビア電極部との前記第１方向における距離（Ｌ２Ｘ）より小さくなるようにしてもよい。このような構成によれば、第１共振器のビア電極部と第２共振器のビア電極部との結合度を小さくしつつ、第１共振器のビア電極部と入出力端子との間の結合度を大きくすることができる。

前記誘電体基板は、法線方向が前記第１方向である第１側面と、前記第１側面に対向する第２側面と、法線方向が前記第１方向に交差する第２方向である第３側面と、前記第３側面に対向する第４側面とを更に有し、前記第３側面に形成され、前記第１遮蔽導体に対向する第２遮蔽導体に接続された入出力端子を更に有し、前記第１共振器は、前記入出力端子と前記第２共振器との間に位置し、前記第１共振器は、１つの前記ビア電極部（２０Ｃ）を有し、前記第２共振器は、複数の前記ビア電極部（２０Ａ、２０Ｂ）を有し、前記第２共振器の前記複数のビア電極部のうちの第１ビア電極部は、前記第１側面側に位置し、前記第２共振器の前記複数のビア電極部のうちの第２ビア電極部は、前記第２側面側に位置し、前記第１共振器の前記ビア電極部の位置と、前記第２共振器の前記第１ビア電極部の位置とが、前記第１方向にずらされており、前記第１共振器の前記ビア電極部の位置と、前記第２共振器の前記第２ビア電極部の位置とが、前記第１方向にずらされているようにしてもよい。

前記第１共振器の前記ビア電極部は、前記第１共振器の前記第１ストリップ線路の前記第１方向における中心に位置するようにしてもよい。このような構成によれば、ビア電極部と入出力端子との結合度を大きくすることができる一方、第１共振器のビア電極部と第２共振器のビア電極部との間の結合度を小さくすることができる。

前記第１共振器の前記ビア電極部の中心（Ｐ１）の前記第２方向における位置は、前記第１共振器の前記第１ストリップ線路の中心の前記第２方向における位置よりも前記第３側面側に位置するようにしてもよい。このような構成によれば、ビア電極部と入出力端子との結合度を大きくすることができる一方、第１共振器のビア電極部と第２共振器のビア電極部との間の結合度を小さくすることができる。

前記第１共振器の前記ビア電極部は、複数のビア電極（２４ｃ）から構成され、前記第１共振器の前記ビア電極部を構成する前記複数のビア電極は、上面から見たとき、仮想の直線（４０）に沿って配列されているようにしてもよい。このような構成によれば、ビア電極部と入出力端子との結合度を大きくすることができる一方、第１共振器のビア電極部と第２共振器のビア電極部との間の結合度を小さくすることができる。

前記第１共振器の前記ビア電極部は、複数のビア電極（２４ｃ１～２４ｃ３）から構成され、前記第１共振器の前記複数のビア電極のうちの第１ビア電極（２４ｃ１）は、前記第１共振器の前記複数のビア電極のうちの第２ビア電極（２４ｃ２）に対して、前記第１側面側に位置し、前記第１共振器の前記複数のビア電極のうちの第３ビア電極（２４ｃ３）は、前記第１共振器の前記複数のビア電極のうちの第２ビア電極に対して、前記第２側面側に位置し、前記第２ビア電極と前記第３側面との間の距離（Ｌ１Ｙ２）は、前記第１ビア電極と前記第３側面との間の距離（Ｌ１Ｙ１）より大きく、且つ、前記第３ビア電極と前記第３側面との間の距離（Ｌ１Ｙ３）より大きくなるようにしてもよい。このような構成によれば、ビア電極部と入出力端子との結合度が過度に大きくなるのを防止しつつ、第１共振器のビア電極部と第２共振器のビア電極部との間の結合度を小さくすることができる。

フィルタ（１０Ａ）は、誘電体基板内に形成されたビア電極部と、前記ビア電極部を囲うように形成された複数の遮蔽導体のうちの第１遮蔽導体に対向するとともに前記ビア電極部の一端に接続された第１ストリップ線路とをそれぞれ有する複数の共振器と、前記第１遮蔽導体に対向する第２遮蔽導体に形成されたスリット（３０Ａ）とを有し、前記スリットは、前記複数の共振器のうちの第１共振器の前記ビア電極部と、前記複数の共振器のうちの第２共振器の前記ビア電極部との間に少なくとも位置している。このような構成によれば、互いに隣接する共振器間において、第２遮蔽導体にスリットが設けられている。このため、このような構成によれば、互いに隣接する共振器間の距離を大きくすることなく、共振器間の結合度を小さくすることができる。従って、このような構成によれば、フィルタのサイズを小さく保ちつつ、互いに隣接する共振器間の結合度を小さくすることができる。

前記誘電体基板は、法線方向が前記第１ストリップ線路の長手方向である第１方向に交差する第２方向である第３側面と、前記第３側面に対向する第４側面とを更に有し、前記第３側面に形成され、前記第２遮蔽導体に接続された入出力端子を更に有するようにしてもよい。

フィルタ（１０Ｂ）は、誘電体基板内に形成されたビア電極部と、前記ビア電極部を囲うように形成された複数の遮蔽導体のうちの第１遮蔽導体に対向するとともに前記ビア電極部の一端に接続された第１ストリップ線路とをそれぞれ有する複数の共振器と、前記複数の共振器のうちの第１共振器の前記第１ストリップ線路と、前記第１共振器に隣接する第２共振器の前記第１ストリップ線路との間の領域（３６Ａ）を、前記第１ストリップ線路の長手方向である第１方向に延長した延長領域（４２Ａ）内において前記第１遮蔽導体に一端が接続され、前記第１遮蔽導体に対向する第２遮蔽導体に他端が接続された結合調整ビア電極（３４ａ）とを有する。このような構成によれば、結合調整ビア電極が備えられているため、互いに隣接する共振器間の距離を大きくすることなく、互いに隣接する共振器間の結合度を小さくすることができる。従って、このような構成によれば、フィルタのサイズを小さく保ちつつ、互いに隣接する共振器間の結合度を小さくすることができる。

前記誘電体基板は、法線方向が前記第１方向に交差する第２方向である第３側面と、前記第３側面に対向する第４側面とを更に有し、前記第３側面に形成され、前記第２遮蔽導体に接続された入出力端子を更に有するようにしてもよい。

前記第１共振器及び前記第２共振器は、複数の前記ビア電極部をそれぞれ有し、前記誘電体基板は、法線方向が前記第１ストリップ線路の長手方向である第１側面と、前記第１側面に対向する第２側面とを更に有し、前記複数のビア電極部のうちの第１ビア電極部は、前記第１側面側に位置し、前記複数のビア電極部のうちの第２ビア電極部は、前記第２側面側に位置するようにしてもよい。

前記ビア電極部の他端は、前記第２遮蔽導体に接続されているようにしてもよい。

前記誘電体基板内において前記ビア電極部の他端に接続され、前記第２遮蔽導体に対向する第２ストリップ線路を更に有するようにしてもよい。このような構成によれば、第１遮蔽導体及び第２遮蔽導体に局所的な電流の集中が生じるのを防止しつつ、ビア電極部の中心付近に十分な電流を集中させることができる。従って、このような構成によれば、Ｑ値の良好なフィルタを得ることができる。

前記第１ビア電極部及び前記第２ビア電極部は、複数のビア電極からそれぞれ構成され、前記第１ビア電極部を構成する前記複数のビア電極は、上面から見たとき、仮想の第１湾曲線（２８ａ）に沿って配列され、前記第２ビア電極部を構成する前記複数のビア電極は、上面から見たとき、仮想の第２湾曲線（２８ｂ）に沿って配列されているようにしてもよい。

前記第１湾曲線及び前記第２湾曲線は、１つの楕円形状（３７）の一部又は１つのトラック形状（３８）の一部を構成しているようにしてもよい。

１０、１０Ａ、１０Ｂ…フィルタ１１Ａ～１１Ｃ…共振器
１２Ａ…上部遮蔽導体１２Ｂ…下部遮蔽導体
１２Ｃａ…第１側面遮蔽導体１２Ｃｂ…第２側面遮蔽導体
１４…誘電体基板１４ａ～１４ｄ…側面
１６…構造体
１８…ストリップ線路、第１ストリップ線路
１８Ａ…上部ストリップ線路、第２ストリップ線路
１８Ｂ…下部ストリップ線路、第１ストリップ線路
２０Ａ…第１ビア電極部２０Ｂ…第２ビア電極部
２０Ｃ…第３ビア電極部２２Ａ…第１入出力端子
２２Ｂ…第２入出力端子２４ａ～２４ｃ…ビア電極
２４ｃ１…第１ビア電極２４ｃ２…第２ビア電極
２４ｃ３…第３ビア電極２６…仮想の菱形
２８ａ…仮想の第１湾曲線２８ｂ…仮想の第２湾曲線
３０Ａ、３０Ｂ…スリット３２ａ…第１接続線路
３２ｂ…第２接続線路３３Ａ…第１部分
３３Ｂ…第２部分３３Ｃ…第３部分
３４ａ、３４ｂ…結合調整ビア電極３６Ａ、３６Ｂ…領域
３７…仮想の楕円形状３８…仮想のトラック形状
４０…直線４２Ａ、４２Ｂ…延長領域
Ｌ１Ｘ～Ｌ３Ｘ、Ｌ１Ｙ１～Ｌ１Ｙ３、Ｌ３Ｙ１～Ｌ３Ｙ３…距離

Claims

誘電体基板内に形成されたビア電極部と、前記ビア電極部を囲うように形成された複数の遮蔽導体のうちの第１遮蔽導体の主面に沿うように形成され、前記誘電体基板を構成する複数の誘電体層のうちの少なくとも一の誘電体層を介して前記第１遮蔽導体に対向するとともに前記ビア電極部の一端に接続された第１ストリップ線路と、前記第１遮蔽導体に対向する第２遮蔽導体の主面に沿うように形成され、前記誘電体基板を構成する前記複数の誘電体層のうちの少なくとも他の誘電体層を介して前記第２遮蔽導体に対向するとともに前記ビア電極部の他端に接続された第２ストリップ線路とをそれぞれ有する複数の共振器と、
前記第２遮蔽導体に形成されたスリットとを有し、
前記スリットは、前記複数の共振器のうちの第１共振器の前記ビア電極部と、前記複数の共振器のうちの第２共振器の前記ビア電極部との間に少なくとも位置しており、
前記スリットは、前記誘電体基板を貫くことなく、前記第２遮蔽導体にのみ形成されている、フィルタ。
請求項１に記載のフィルタにおいて、
前記誘電体基板は、法線方向が前記第１ストリップ線路の長手方向である第１方向に交差する第２方向である第３側面と、前記第３側面に対向する第４側面とを更に有し、
前記第３側面に形成され、前記第２遮蔽導体に接続された入出力端子を更に有する、フィルタ。
請求項１又は２に記載のフィルタにおいて、
前記第１共振器及び前記第２共振器は、複数の前記ビア電極部をそれぞれ有し、
前記誘電体基板は、法線方向が前記第１ストリップ線路の長手方向である第１側面と、前記第１側面に対向する第２側面とを更に有し、
前記複数のビア電極部のうちの第１ビア電極部は、前記第１側面側に位置し、
前記複数のビア電極部のうちの第２ビア電極部は、前記第２側面側に位置する、フィルタ。
請求項３に記載のフィルタにおいて、
前記第１ビア電極部及び前記第２ビア電極部は、複数のビア電極からそれぞれ構成され、
前記第１ビア電極部を構成する前記複数のビア電極は、上面から見たとき、仮想の第１湾曲線に沿って配列され、
前記第２ビア電極部を構成する前記複数のビア電極は、上面から見たとき、仮想の第２湾曲線に沿って配列されている、フィルタ。
請求項４に記載のフィルタにおいて、
前記第１湾曲線及び前記第２湾曲線は、１つの楕円形状の一部又は１つのトラック形状の一部を構成している、フィルタ。