CN110679034A - 谐振器 - Google Patents

Abstract

谐振器具有：在电介质基板（14）内形成的通路电极部（20）；以包围通路电极部（20）的方式形成于电介质基板（14）的多个屏蔽导体；以及在电介质基板（14）内连接于通路电极部（20）并且至少与屏蔽导体相向的条带线路（18），第1输入输出端子（22A）和第2输入输出端子（22B）连接于多个屏蔽导体之中的、连接了通路电极部（20）的短路端后的屏蔽导体。

Description

谐振器

技术领域

本发明涉及例如在电介质形成的利用通路孔的谐振器。

背景技术

以往，为了抑制Q值的降低，在周围形成了屏蔽导体的电介质基板形成横截面形状为圆形状的利用通路孔的电极（以下，称为通路电极）（参照日本特开2002-009513号公报）。

此外，在以往，在电介质基板的下表面形成2个接地电极和输入输出电极，在电介质内形成板状的内部电极，进而，在电介质内在2个接地电极与内部电极间分别形成通路电极，在输入输出电极与内部电极间形成通路电极（参照日本特许第4506903号公报）。

进而，在以往，仅在电介质基板的下表面形成接地用导体层，在该接地用导体层上经由通路电极（接地连接路径）形成条带线路（电感器结构部）（例如参照日本特许第4985999号公报）。

发明内容

然而，关于日本特开2002-009513号公报和日本特许第4506903号公报所记载的通路电极，通过使直径变大，从而能够使电流密度降低，能够期待Q值的提高。可是，当使通路电极的直径变大时，存在通路电极与屏蔽导体的距离变小而Q值降低这样的问题。即，由于通路电极与屏蔽导体的距离也与Q值的最优解有关，所以需要在谐振器的设计中进行考虑。

在当使通路电极的直径变大时使谐振器多级化来构成电介质滤波器的情况下，在谐振器间产生电壁，牵涉到Q值的劣化，因此，也需要考虑与相邻的谐振器的间隔。在电介质滤波器中，必须需要受供电或耦合调整用的电极图案（线路）的配置，但是，在该情况下，需要配置在通路电极与侧面的屏蔽导体之间。这一边妨碍来自通路电极的磁场的扩展一边配置电极图案，因此，存在牵涉到Q值的劣化、不需要的耦合的发生这样的问题。

另一方面，在日本特许第4985999号公报记载的谐振器中，作为TEM波的谐振器进行工作的部分被限定于条带线路。也就是说，通路电极只不过具有将条带线路与平行配置的接地用导体层连接的功能。

本发明是考虑这样的课题而完成的，目的在于提供能够在不使通路电极部的尺寸变大的情况下谋求Q值的提高的谐振器。

［1］本发明的谐振器的特征在于，具有：在电介质基板内形成的通路电极部；以包围所述通路电极部的方式形成于所述电介质基板的多个屏蔽导体；以及在所述电介质基板内连接于所述通路电极部并且至少与所述屏蔽导体相向的条带线路，第1输入输出端子和第2输入输出端子连接于所述多个屏蔽导体之中的、连接了所述通路电极部的短路端后的屏蔽导体。

由此，通过向第1输入输出端子供给例如正向的电流，从而电流向连接了所述通路电极部的短路端后的屏蔽导体（以下，记载为特定屏蔽导体）扩散，朝向其他的屏蔽导体流动。此时，移位电流也从条带线路经由通路电极部朝向特定屏蔽导体流动（法拉第定律），该移位电流也经由特定屏蔽导体朝向其他的屏蔽导体流动。即，从向第1输入输出端子供给例如正向的电流的瞬间起，电流一边从特定屏蔽导体向其他的屏蔽导体扩散一边流动。其结果是，能够在不使通路电极部的尺寸变大的情况下谋求Q值的提高。再有，在本说明书中，在仅称为“Q值”时意味着包括仅谐振器的范围的无负载Q值和包含外部电路的范围的负载Q值双方。

［2］在本发明中，所述多个屏蔽导体也可以具有：第1屏蔽导体（特定屏蔽导体），被形成在所述电介质基板的第1主面侧；第2屏蔽导体，被形成在所述电介质基板的第2主面侧；第3屏蔽导体，被形成在所述电介质基板的第1侧面侧；以及第4屏蔽导体，被形成在所述电介质基板的第2侧面侧，所述通路电极部的短路端及所述第1输入输出端子和所述第2输入输出端子连接于所述第1屏蔽导体（特定屏蔽导体）。

由此，通过向第1输入输出端子供给例如正向的电流，从而电流向连接了通路电极部的短路端后的第1屏蔽导体（特定屏蔽导体）扩散，朝向第3屏蔽导体和第4屏蔽导体流动。此时，移位电流也从条带线路经由通路电极部朝向第1屏蔽导体流动，该移位电流也经由第1屏蔽导体朝向第3屏蔽导体和第4屏蔽导体流动。

［3］在本发明中，所述通路电极部也可以具有以相邻的方式形成的第1通路电极部和第2通路电极部，所述第1通路电极部由多个第1通路电极构成，所述第2通路电极部由多个第2通路电极构成，在所述第1通路电极部与所述第2通路电极部之间不存在其他的通路电极部，在从上表面来看时，沿着假想的第1弯曲线排列所述多个第1通路电极，在从上表面来看时，沿着假想的第2弯曲线排列所述多个第2通路电极。

能够仅在电流集中的部分排列多个第1通路电极和多个第2通路电极，因此，能够大幅度地减少构成第1通路电极和第2通路电极的金属材料（例如银）的量，并且，能够减少第1通路电极和第2通路电极的个数，因此，能够谋求工时和成本的减少。

［4］在本发明中，所述第1弯曲线和所述第2弯曲线构成1个楕圆的轮廓线的一部分或1个轨道形状的轮廓线的一部分也可。

第1通路电极部和第2通路电极部被形成在1个楕圆的轮廓线的一部分或1个轨道形状的轮廓线的一部分即楕圆或轨道（track）形状的长轴上的各端部。该部分由于高频电流的表皮效果也是电流集中的部分。即，电流集中于第1通路电极部和第2通路电极部而流动。因此，不需要在第1通路电极部与第2通路电极部之间配置其他的通路电极部。

［5］在［3］或［4］中，所述第1通路电极部与所述条带线路一起构成第1λ/4谐振器，所述第2通路电极部与所述条带线路一起构成第2λ/4谐振器也可。

由此，在第1λ/4谐振器和第2λ/4谐振器中总是流动同相的电流。通过成为同相，从而在以谐振器单体来看的情况下第1通路电极部与第2通路电极部之间为电磁场稀疏的状态，即使在其之间配置耦合或引绕用的电极，也能够极力抑制不需要的耦合。其结果是，起到Q值的劣化防止、偏差抑制的效果。

［6］在［3］~［5］中，优选的是，在将所述第1通路电极部与所述第2通路电极部间的间隔设为dv、将电介质基板中的沿着条带线路的长尺寸方向的长度设为La时，满足dv/La≤0.25。

由此，作为无负载Q值而得到380以上。进而优选的是，dv/La≤0.21，更优选的是，dv/La为0.05以上、0.16以下。

如以上说明的那样，根据本发明的谐振器，能够在不使通路电极部的尺寸变大的情况下谋求Q值的提高。

从参照附图而说明的以下的实施方式的说明容易理解上述的目的、特征和优点。

附图说明

图1是示出第1实施方式的谐振器（第1谐振器）的透视立体图。

图2A是图1中的IIA-IIA线上的截面图，图2B是图1中的IIB-IIB线上的截面图。

图3是示出构成第1通路电极（via electrode）部的多个第1小直径（smalldiameter）通路电极的排列状态和构成第2通路电极部的多个第2小直径通路电极的排列状态的说明图。

图4A是示出为横截面形状为圆形状的通路电极的情况下的问题点的说明图，图4B是示出横截面形状为楕圆形状的通路电极的有利的点的说明图。

图5A是示出通过多个小直径通路电极构成楕圆形状的通路电极的例子的说明图，图5B是示出在楕圆形状的通路电极中仅在电流集中的部分排列小直径通路电极的例子的说明图。

图6A是示出楕圆形状的通路电极的问题点的说明图，图6B是示出通过多个小直径通路电极构成楕圆形状的通路电极的情况下的问题点的说明图。

图7是示出在楕圆形状的通路电极中仅在电流集中的部分排列小直径通路电极的情况下的优点的说明图。

图8A是示出第1谐振器的等效电路图，图8B是示出第1谐振器的电流的流动的说明图。

图9是示出参考例的谐振器的透视立体图。

图10是示出实施例的谐振器和参考例的谐振器的频率特性的图。

图11是示出实施例1~实施例6的电介质基板的尺寸以及第1通路电极部与第2通路电极部的间隔（通路间隔）的说明图。

图12是示出实施例1~实施例6的无负载Q值的图表。

图13是示出第1谐振器的第1变形例的谐振器的透视立体图。

图14是示出第1谐振器的第2变形例的谐振器的透视立体图。

图15是示出第2实施方式的谐振器（第2谐振器）的透视立体图。

图16A是图15中的XVIA-XVIA线上的截面图，图16B是图15中的XVIB-XVIB线上的截面图。

图17是示出第3实施方式的谐振器（第3谐振器）的透视立体图。

图18A是图17中的XVIIIA-XVIIIA线上的截面图，图18B是图17中的XVIIIB-XVIIIB线上的截面图。

具体实施方式

以下，一边参照图1~图18B一边说明本发明的谐振器的实施方式例。

首先，第1实施方式的谐振器（以下，记载为第1谐振器10A）如图1、图2A和图2B所示那样至少具有在上部和下部分别形成有上部屏蔽导体12A和下部屏蔽导体12B的电介质基板14、以及在该电介质基板14内形成的1个构造体16。构造体16具有与下部屏蔽导体12B相向的条带（strip）线路18、以及在电介质基板14内形成且从条带线路18到上部屏蔽导体12A以相邻的方式形成的通路电极部20。条带线路18的平面形状例如为长方形状。

层叠多个电介质层来构成电介质基板14，例如如图1所示那样电介质基板14具有长方体状。在电介质基板14的4个侧面之中的第1侧面14a形成第1输入输出端子22A，在与第1侧面14a相向的第2侧面14b形成第2输入输出端子22B。此外，在第3侧面14c形成第1侧面屏蔽导体12Ca，在与第3侧面14c相向的第4侧面14d形成第2侧面屏蔽导体12Cb。

通路电极部20具有第1通路电极部20A和第2通路电极部20B。通过在电介质基板14形成的通路孔构成第1通路电极部20A和第2通路电极部20B。

第1通路电极部20A由多个小直径的第1通路电极（以下，记载为第1小直径通路电极24a）构成，第2通路电极部20B由多个小直径的第2通路电极（以下，记载为第2小直径通路电极24b）构成。在第1通路电极部20A与第2通路电极部20B之间不存在其他的通路电极部。

进而，在第1谐振器10A中，如图3所示那样，在从上表面来看时沿着假想的第1弯曲线26a（高频电流集中的部分）排列多个第1小直径通路电极24a，在从上表面来看时沿着假想的第2弯曲线26b（为高频电流集中的部分）排列多个第2小直径通路电极24b。第1弯曲线26a和第2弯曲线26b构成1个楕圆的轮廓线的一部分或1个轨道形状的轮廓线的一部分。

在此，一边参照图4A~图6B一边对第1通路电极部20A和第2通路电极部20B与1个楕圆的关系进行说明。

如图4A所示那样，在通常的谐振器100中，在当使横截面形状为圆形状的通路电极102的直径变大时使谐振器100多级化来构成电介质滤波器的情况下，在谐振器100间产生电壁104，牵涉到Q值的劣化。

因此，当如图4B所示那样在为横截面形状为楕圆形状的通路电极102的情况下在短轴方向上使谐振器100多级化来构成电介质滤波器时，在谐振器100间产生电壁104，但是，通路电极102间的距离比圆形状的通路电极102（参照图4A）长，因此，牵涉到Q值的提高。

进而，当如图5A所示那样通过多个小直径的通路电极（以下，记载为小直径通路电极24）构成楕圆形状的通路电极102时，磁场的包络线106作为好像大直径的通路电极一般。即使各个小直径通路电极24的直径以固定的比例不均，则向包络线106（大直径的通路电极）的影响为不足该比例，因此，也能够得到偏差的减少效果。

然而，在例如图5A所示的楕圆形状的通路电极102中，高频电流集中于楕圆的端部、曲率大的两端部。因此，如图5B所示那样，能够残留构成楕圆形状的通路电极102的多个小直径通路电极24之中的、位于楕圆形状的两端部的沿着曲率大的假想的第1弯曲线26a的多个第1小直径通路电极24a、以及沿着曲率大的假想的第2弯曲线26b的多个第2小直径通路电极24b，去除位于中央的多个小直径通路电极24。

即，为以下方式：沿着假想的第1弯曲线26a排列构成第1通路电极部20A的多个第1小直径通路电极24a，沿着假想的第2弯曲线26b排列构成第2通路电极部20B的多个第2小直径通路电极24b。

此外，在如图6A所示那样构成横截面形状为楕圆形状的通路电极102或如图6B所示那样通过多个小直径通路电极24构成楕圆形状的通路电极102的情况下，磁场110从楕圆形状的通路电极102分别朝向相向的屏蔽导体108扩展。可是，在使谐振器100多级化来构成电介质滤波器的情况下，需要配置用于进行受供电或耦合调整的图案112（线路），但是，必须在楕圆形状的通路电极102与侧面的屏蔽导体108之间配置一边妨碍从通路电极102起的磁场110的扩展一边用于进行受供电或耦合调整的图案112（线路）。这引起Q值的劣化或不需要的耦合的发生。

另一方面，在第1谐振器10A中，如图7所示那样，沿着假想的第1弯曲线26a（参照图5B）排列构成第1通路电极部20A的多个第1小直径通路电极24a，沿着假想的第2弯曲线26b（参照图5B）排列构成第2通路电极部20B的多个第2小直径通路电极24b，因此，磁场110从第1通路电极部20A和第2通路电极部20B分别朝向相向的屏蔽导体108扩展，在第1通路电极部20A与第2通路电极部20B间形成电磁场稀疏的区域28。

因此，能够在上述的电磁场稀疏的区域28即第1通路电极部20A与第2通路电极部20B间形成用于进行受供电或耦合调整的图案30（线路）。其结果是，能够抑制Q值的劣化，而且能够抑制不需要的耦合。

此外，与图6A所示的楕圆形状的通路电极102或图6B所示的多个小直径通路电极24等不同，如图7所示那样仅在电流集中的部分排列第1小直径通路电极24a和第2小直径通路电极24b，因此，能够大幅度地减少构成第1小直径通路电极24a和第2小直径通路电极24b的金属材料（例如银）的量，并且，能够减少第1小直径通路电极24a和第2小直径通路电极24b的个数，因此，能够谋求工时的减少。

进而，在第1谐振器10A中，如图1、图2A和图2B所示那样，第1输入输出端子22A和第2输入输出端子22B经由第1连接线路32a和第2连接线路32b连接于将第1通路电极部20A和第2通路电极部20B的各短路端连接后的上部屏蔽导体12A。

由此，首先，第1谐振器10A的通路电极部20与第1侧面屏蔽导体12Ca和第2侧面屏蔽导体12Cb一起作为TEM波的谐振器进行工作。也就是说，通路电极部20作为参照了第1侧面屏蔽导体12Ca和第2侧面屏蔽导体12Cb的TEM波的谐振器进行工作。条带线路18作为形成开放端电容的功能进行工作。这与日本特许第4985999号公报记载的谐振器的构造、即、作为TEM波的谐振器进行工作的部分被限定于条带线路并且通路电极部只不过具有将条带线路与平行配置的接地用导体层连接的功能的谐振器的构造明显不同。

具体而言，如图1、图2A和图2B所示那样，通过向第1输入输出端子22A供给例如正向的电流ia，从而电流ia向连接了通路电极部20的短路端后的上部屏蔽导体12A扩散，朝向第1侧面屏蔽导体12Ca和第2侧面屏蔽导体12Cb流动。此时，移位电流ib也从条带线路18经由通路电极部20朝向上部屏蔽导体12A流动（法拉第定律），该移位电流ib也经由上部屏蔽导体12A朝向第1侧面屏蔽导体12Ca和第2侧面屏蔽导体12Cb流动。即，从向第1输入输出端子22A供给例如正向的电流ia的瞬间起，电流（电流ia和电流ib）一边从上部屏蔽导体12A向第1侧面屏蔽导体12Ca和第2侧面屏蔽导体12Cb扩散一边流动。其结果是，能够在不使通路电极部20的尺寸变大的情况下谋求Q值的提高。

在图8A和图8B中示出第1谐振器10A的等效电路。如图8A所示那样，从条带线路18到第1通路电极部20A的输入输出部分（I/O）构成第1λ/4谐振器34A，从条带线路18到第2通路电极部20B的输入输出部分（I/O）构成第2λ/4谐振器34B。由此，如图8B所示那样，在第1λ/4谐振器34A和第2λ/4谐振器34B中总是流动同相的电流i。通过成为同相，从而在以第1谐振器10A单体来看的情况下第1通路电极部20A与第2通路电极部20B之间为电磁场稀疏的状态，即使在其之间配置耦合或引绕用的电极，也能够极力抑制不需要的耦合。其结果是，能够防止Q值的劣化，并且，能够抑制特性的偏差。

接着，还一边参照图9和图10一边说明实施例和参考例的频率特性的不同。

＜实施例＞

实施例的谐振器的结构如图1、图2A和图2B所示那样具有与第1谐振器10A同样的结构。

＜参考例＞

在图9中示出参考例的谐振器的结构。在图9中，对与第1谐振器10A对应的构件标注相同的参照附图标记，并省略了其说明。

如图9所示那样，在参考例的谐振器中，条带线路18与上部屏蔽导体12A相向。此外，具有从条带线路18到下部屏蔽导体12B以相邻的方式形成的第1通路电极部20A和第2通路电极部20B。进而，具有在第1通路电极部20A与第2通路电极部20B之间且从条带线路18延伸到第1输入输出端子22A的第1输入输出线路40A、以及同样地从条带线路18延伸到第2输入输出端子22B的第2输入输出线路40B。

由此，通过向第1输入输出端子22A供给例如正向的电流ia，从而电流ia经由第1输入输出线路40A向条带线路18流动，进而，经由第1通路电极部20A和第2通路电极部20B向下部屏蔽导体12B流动。向下部屏蔽导体12B流动的电流ia在下部屏蔽导体12B中扩散，朝向第1侧面屏蔽导体12Ca和第2侧面屏蔽导体12Cb流动。

再有，关于实施例和参考例的尺寸，如图1所示那样，电介质基板14的长La=2.5mm，宽Lb=3.2mm，高度Lh=1.6mm，第1通路电极部20A与第2通路电极部20B的间隔dv（参照图3）为0.5mm。电介质基板14的长La是电介质基板14之中的沿着条带线路18的长尺寸方向的长度，电介质基板14的宽Lb是电介质基板14之中的沿着条带线路18的短尺寸方向的长度。

在图10中示出实施例的谐振器和参考例的谐振器的频率特性。在图10中，实线Le（S11）示出实施例的S11（输入反射系数），实线Le（S21）示出实施例的S21（传输特性）。同样地，虚线Lr（S11）示出参考例的S11（输入反射系数），虚线Lr（S21）示出参考例的S21（传输特性）。

如也从图10的频率特性的由楕圆示出的区域Za可知的那样，实施例的谐振的峰值比参考例高，关于实施例可知：Q值比参考例高。

这认为：在参考例中，如图9所示那样，来自第1输入输出端子22A的电流ia暂且集中于通路电极部20，而从那经由下部屏蔽导体12B向第1侧面屏蔽导体12Ca和第2侧面屏蔽导体12Cb流动，因此，由于通路电极部20中的电流ia的集中而在Q值的提高产生限度。

与此相对地，认为；在实施例中，如图1所示那样，在向第1输入输出端子22A供给电流ia的同时，在通路电极部20中流动移位电流ib。其结果是，电流ia从第1输入输出端子22A向上部屏蔽导体12A的扩散、电流ib从通路电极部20向上部屏蔽导体12A的扩散几乎被同时进行而向第1侧面屏蔽导体12Ca和第2侧面屏蔽导体12Cb流动，因此，谋求与参考例相比Q值的提高。

接着，针对实施例1~实施例6，确认了相对于第1通路电极部20A与第2通路电极部20B的间隔dv（以下，记载为通路间隔dv）的无负载Q（仅谐振器的范围的Q值：无因次数）。

（实施例1）

如图11所示那样，关于电介质基板14的尺寸，长La=4.5mm，宽Lb=1.0mm，高度Lh=2.0mm（未图示），通路间隔dv为0.10mm。第1通路电极部20A具有使6个第1小直径通路电极24a呈圆周状排列的方式，第2通路电极部20B也具有使6个第2小直径通路电极24b沿着圆周状排列的方式。再有，在图11中，省略了上部屏蔽导体12A、下部屏蔽导体12B、第1侧面屏蔽导体12Ca、第2侧面屏蔽导体12Cb、第1输入输出端子22A、第2输入输出端子22B等的记载。

（实施例2~6）

实施例2~6的电介质基板14的尺寸与实施例1相同。通路间隔dv根据实施例2~6而不同，具体而言，如以下那样：

实施例2：dv=0.30mm

实施例3：dv=0.52mm

实施例4：dv=0.72mm

实施例5：dv=0.92mm

实施例6：dv=1.12mm。

（评价结果）

在图12中示出实施例1~6的无负载Q值的不同。再有，在图12中，特性曲线Ca是将实施例1~6的结果连结后的曲线。如从图12可知的那样，可知：无负载Q值根据通路间隔dv即通路间隔dv与电介质基板14的长的长度La之比（dv/La）而发生变化。

而且，如从特性曲线Ca可知的那样，可知：在比（dv/La）为1.13/4.5=0.25以下的情况下，作为无负载Q值而得到380以上，在比（dv/La）为0.96/4.5=0.21以下的情况下，作为无负载Q值而得到390以上，在比（dv/La）为0.24/4.5=0.05以上、0.70/4.5=0.16以下的情况下，作为无负载Q值而得到400以上。

在上述的第1谐振器10A中，如图1所示那样，示出了以下例子：通过第1通路电极部20A和第2通路电极部20B构成通路电极部20，进而通过多个第1小直径通路电极24a构成第1通路电极部20A，通过多个第2小直径通路电极24b构成第2通路电极部20B。

另外，如图13所示的第1变形例的谐振器10Aa那样，通过横截面为圆形状或楕圆形状的1个通路电极24A构成通路电极部20也可。或者，如图14所示的第2变形例的谐振器10Ab那样，通过横截面为轨道形状的1个通路电极24B构成通路电极部20也可。

接着，一边参照图15~图16B一边对第2实施方式的谐振器（以下，记载为第2谐振器10B）进行说明。

第2谐振器10B如图15~图16B所示那样具有与上述的第1谐振器10A几乎同样的结构，但是，在以下的点不同。

（a-1）在电介质基板14的下表面14e形成被供给固定电位（例如接地电位）的外部端子40。

（a-2）下部屏蔽导体12B被形成在电介质基板14内。

（a-3）下部屏蔽导体12B与外部端子40经由第1通路孔42A电连接。

（a-4）在电介质基板14内之中的接近第3侧面14c的部分中，沿着第3侧面14c形成有将上部屏蔽导体12A和下部屏蔽导体12B电连接的多个（例如6个）第2通路孔42B。即，形成了作为第1侧面屏蔽导体12Ca发挥作用的多个第2通路孔42B。

（a-5）在电介质基板14内之中的接近第4侧面14d的部分中，沿着第4侧面14d形成有将上部屏蔽导体12A和下部屏蔽导体12B电连接的多个（例如6个）第3通路孔42C。即，形成了作为第2侧面屏蔽导体12Cb发挥作用的多个第3通路孔42C。

在该第2谐振器10B中，如图15、图16A和图16B所示那样，向第1输入输出端子22A供给例如正向的电流ia，由此，电流ia向上部屏蔽导体12A扩散，朝向第2通路孔42B和第3通路孔42C流动。此时，移位电流ib也从条带线路18经由通路电极部20朝向上部屏蔽导体12A流动，该移位电流ib也经由上部屏蔽导体12A朝向第2通路孔42B和第3通路孔42C流动。即，从向第1输入输出端子22A供给例如正向的电流ia的瞬间起，电流（电流ia和电流ib）一边从上部屏蔽导体12A向第2通路孔42B和第3通路孔42C扩散一边流动。其结果是，能够在不使通路电极部20的尺寸变大的情况下谋求Q值的提高。

特别地，根据该第2谐振器10B，通过进行针对第1输入输出端子22A和第2输入输出端子22B的侧面安装和针对在电介质基板14的下表面14e形成的外部端子40的倒装芯片安装，从而能够安装第2谐振器10B，因此，能够实现比第1谐振器10A高密度安装。

接着，一边参照图17~图18B一边对第3实施方式的谐振器（以下，记载为第3谐振器10C）进行说明。

第3谐振器10C如图17~图18B所示那样具有与上述的第2谐振器10B几乎同样的结构，但是，在以下的点不同。

（b-1）未在电介质基板14的侧面形成第1输入输出端子22A和第2输入输出端子22B。

（b-2）在电介质基板14的下表面14e之中的与上部屏蔽导体12A的第1连接线路32a相向的位置形成第1输入输出端子22A。

（b-3）第1连接线路32a与第1输入输出端子22A经由第4通路孔42D电连接。

（b-4）在电介质基板14的下表面14e之中的与上部屏蔽导体12A的第2连接线路32b相向的位置形成第2输入输出端子22B。

（b-5）第2连接线路32b与第2输入输出端子22B经由第5通路孔42E电连接。

在该第3谐振器10C中，如图17、图18A和图18B所示那样，向在电介质基板14的下表面14e形成的第1输入输出端子22A供给例如正向的电流ia，由此，电流ia经由第4通路孔42D向上部屏蔽导体12A扩散，朝向第2通路孔42B和第3通路孔42C流动。此时，移位电流ib也从条带线路18经由通路电极部20朝向上部屏蔽导体12A流动，该移位电流ib也经由上部屏蔽导体12A朝向第2通路孔42B和第3通路孔42C流动。即，从向第1输入输出端子22A供给例如正向的电流ia的瞬间起，电流（电流ia和电流ib）一边从上部屏蔽导体12A向第2通路孔42B和第3通路孔42C扩散一边流动。其结果是，能够在不使通路电极部20的尺寸变大的情况下谋求Q值的提高。

特别地，根据该第3谐振器10C，除了在电介质基板14的下表面14e形成的外部端子40之外，还对第1输入输出端子22A和第2输入输出端子22B进行倒装芯片安装，由此，能够安装第3谐振器10C，因此，能够实现比第2谐振器10B高密度安装。

再有，本发明的谐振器不限于上述的实施方式，当然能够在不偏离本发明的主旨的情况下采用各种结构。

附图标记的说明

10A~10C…第1谐振器~第3谐振器

12A…上部屏蔽导体

12B…下部屏蔽导体

12Ca…第1侧面屏蔽导体

12Cb…第2侧面屏蔽导体

14…电介质基板

16…构造体

18…条带线路

20…通路电极部

20A…第1通路电极部

20B…第2通路电极部

22A…第1输入输出端子

22B…第2输入输出端子

24a…第1小直径通路电极

24b…第2小直径通路电极

26a…第1弯曲线

26b…第2弯曲线

28…区域

30…图案（线路）

32a…第1连接线路

32b…第2连接线路

34A…第1λ/4谐振器

34B…第2λ/4谐振器

40A…第1输入输出线路

40B…第2输入输出线路

42A~42E…第1通路孔~第5通路孔。

Claims (6)

1.一种谐振器，其特征在于，具有：

在电介质基板（14）内形成的通路电极部（20）；

以包围所述通路电极部（20）的方式形成于所述电介质基板（14）的多个屏蔽导体；以及

在所述电介质基板（14）内连接于所述通路电极部（20）并且至少与所述屏蔽导体（12B）相向的条带线路（18），

第1输入输出端子（22A）和第2输入输出端子（22B）连接于所述多个屏蔽导体之中的、连接了所述通路电极部（20）的短路端后的屏蔽导体（12A）。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，

所述多个屏蔽导体具有：

第1屏蔽导体（12A），被形成在所述电介质基板（14）的第1主面侧；

第2屏蔽导体（12B），被形成在所述电介质基板（14）的第2主面侧；

第3屏蔽导体（12Ca），被形成在所述电介质基板（14）的第1侧面侧；以及

第4屏蔽导体（12Cb），被形成在所述电介质基板（14）的第2侧面侧，

所述通路电极部（20）的短路端及所述第1输入输出端子（22A）和所述第2输入输出端子（22B）连接于所述第1屏蔽导体（12A）。

3.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，

所述通路电极部（20）具有以相邻的方式形成的第1通路电极部（20A）和第2通路电极部（20B），

所述第1通路电极部（20A）由多个第1通路电极（24a）构成，

所述第2通路电极部（20B）由多个第2通路电极（24b）构成，

在所述第1通路电极部（20A）与所述第2通路电极部（20B）之间不存在其他的通路电极部，

在从上表面来看时，沿着假想的第1弯曲线（26a）排列所述多个第1通路电极（24a），

在从上表面来看时，沿着假想的第2弯曲线（26b）排列所述多个第2通路电极（24b）。

4.根据权利要求3所述的谐振器，其特征在于，

所述第1弯曲线（26a）和所述第2弯曲线（26b）构成1个楕圆的轮廓线的一部分或1个轨道形状的轮廓线的一部分。

5.根据权利要求3所述的谐振器，其特征在于，

所述第1通路电极部（20A）与所述条带线路（18）一起构成第1λ/4谐振器（34A），

所述第2通路电极部（20B）与所述条带线路（18）一起构成第2λ/4谐振器（34B）。

6.根据权利要求3所述的谐振器，其特征在于，

在将所述第1通路电极部（20A）与所述第2通路电极部（20B）间的间隔设为dv、将所述电介质基板（14）中的沿着所述条带线路（18）的长尺寸方向的长度设为La时，

满足dv/La≤0.25。

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