TW201842111A - 阻氣性接著薄膜和電子構件及光學構件 - Google Patents

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Abstract

本發明係具有由保護薄膜/阻氣層組成的阻氣性單元及由接著性樹脂層/剝離薄膜組成的接著性單元，上述接著性樹脂層，在上述阻氣層上直接或經由其他的層層積而成，上述保護薄膜與上述剝離薄膜分別構成最外層的阻氣性接著薄膜，上述保護薄膜的阻氣層側的表面的表面電阻率為5.0×1011Ω/□以下，上述剝離薄膜的至少任何一方面的表面的表面電阻率為5.0×1011Ω/□以下的阻氣性接著薄膜；以及包括該阻氣性接著薄膜的電子構件及光學構件。根據本發明，可提供防止帶電性優良的阻氣性接著薄膜、以及包括該阻氣性接著薄膜的電子構件及光學構件。

Description

阻氣性接著薄膜和電子構件及光學構件
本發明係關於防止帶電性優良的阻氣性接著薄膜，以及包括來自該阻氣性接著薄膜及接著性樹脂層的電子構件及光學構件。
近幾年，有機EL元件，作為可以低電壓直流驅動高亮度發光的發光元件受到注目。
但是有機EL元件，有發光亮度、發光效率、發光均勻性等發光特性容易隨著時間經過而下降的問題。
該發光特性下降的問題的原因，可認為是氧或水份等滲入有機EL元件的內部，使電極或有機層惡化。
然後，作為此問題的對應方法，有使用密封材的方法的提案。
例如，在專利文獻1，記載一種顯示元件的密封方法，其係使用在基材薄膜上，具有阻隔層，其包含有機區域與無機區域，且設置有機區域之側的最表面為黏著層的阻氣薄膜作為密封材。
再者，在專利文獻2，記載具有剝離薄膜/黏著劑層/阻氣層/剝離薄膜的層結構的層積薄膜。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-006039號公報(US2009061223A1)
[專利文獻2]WO2013/018602號(US2014/0178622A1)
使用如專利文獻2所述的具有剝離薄膜的層積薄膜時，剝離薄膜在既定的階段剝離去除。
但是，具有阻氣層的薄膜由於有容易帶電的傾向，而有阻氣性接著薄膜在剝離去除剝離薄膜之後帶電，對有機EL元件造成不良影響，或在阻氣性接著薄膜發生撓曲，而妨礙黏貼作業。
因此，迫切需要防止帶電性優良的阻氣性接著薄膜。
本發明係有鑑於上述實際情況所完成，以提供防止帶電性優良的阻氣性接著薄膜、具有來自該阻氣性接著薄膜的阻氣層及接著性樹脂層的電子構件及光學構件為目標。
本發明者們為解決上述課題，專心研究關於具有由保護薄膜/阻氣層所組成的阻氣性單元；及由接著性樹脂層/剝離薄膜組成的接著性單元，使上述接著性單元與阻氣性單元，以上述接著性單元的接著性樹脂層，與上述阻氣性單元的阻氣層相對，直接或經由其他的層，層積而成，上述保護薄膜與上述剝離薄膜分別構成最外層的阻氣性接著薄膜。
結果，發現藉由降低保護薄膜與剝離薄膜的特定面的表面電阻率(使之在特定值以下)，可得防止帶電性優良，可效率良 好地進行黏貼在對象物時的作業的阻氣性接著薄膜，而達至完成本發明。
根據本發明，可提供下述(1)~(6)阻氣性接著薄膜，及(7)電子構件及光學構件。
(1)一種阻氣性接著薄膜，具有由保護薄膜/阻氣層組成的阻氣性單元及由接著性樹脂層/剝離薄膜組成的接著性單元，上述接著性樹脂層，在上述阻氣層上直接或經由其他的層層積而成，上述保護薄膜與上述剝離薄膜分別構成最外層的阻氣性接著薄膜，上述保護薄膜的阻氣層側的表面的表面電阻率為5.0×1011Ω/□以下，上述剝離薄膜的至少任何一方面的表面的表面電阻率為5.0×1011Ω/□以下。
(2)如(1)所述的阻氣性接著薄膜，其中上述保護薄膜，係具有基材薄膜(α)及防止帶電性黏著劑部分層的層積薄膜(α)。
(3)如(1)所述的阻氣性接著薄膜，其中上述阻氣層，係由具有基材薄膜(β)及阻氣性部分層的層積薄膜(β)所組成。
(4)如(1)所述的阻氣性接著薄膜，其中包含在上述接著性樹脂層的接著性樹脂，係聚烯烴系接著性樹脂。
(5)如(1)所述的阻氣性接著薄膜，其中上述剝離薄膜，係具有基材薄膜(γ)、防止帶電性部分層、及剝離性部分層，上述剝離性部分層構成一方的最外層的層積薄膜(γ)。
(6)如(1)所述的阻氣性接著薄膜，其係電子構件用或光學構件用的接著薄膜。
(7)一種電子構件或光學構件，包括：來自上述(1)~(6)中任一項所述的阻氣性接著薄膜的阻氣層及接著性樹脂層。
根據本發明，可提供防止帶電性優良的阻氣性接著薄膜、具有來自該阻氣性接著薄膜的阻氣層及接著性樹脂層的電子構件及光學構件。
1、12‧‧‧阻氣性接著薄膜
2、13‧‧‧保護薄膜
3、14‧‧‧阻氣層
4、15‧‧‧阻氣性單元
5、16‧‧‧接著性樹脂層
6、17‧‧‧剝離薄膜
7、18‧‧‧接著性單元
8‧‧‧表面(A)
9‧‧‧表面(B)
10‧‧‧表面(C)
11‧‧‧表面(D)
19‧‧‧其他的層
20‧‧‧剝離薄膜(1)
21a、21b、21c、21d‧‧‧基材薄膜(γ)
22a、22b、22c、22d‧‧‧防止帶電性部分層
23a、23b、23c、23d‧‧‧剝離性部分層
24‧‧‧剝離薄膜(2)
25‧‧‧剝離薄膜(3)
26‧‧‧剝離薄膜(4)
27‧‧‧附有剝離薄膜的保護薄膜(1)
28a、28b、28c、28d‧‧‧剝離薄膜
29a、29b‧‧‧防止帶電性黏著劑部分層
30a、30b‧‧‧基材薄膜(α)
31‧‧‧附有剝離薄膜的保護薄膜(2)
32a、32b‧‧‧附有防止帶電層的基材薄膜(α)
33a、33b‧‧‧防止帶電層
34‧‧‧附有剝離薄膜的保護薄膜(3)
35a、35b‧‧‧非防止帶電性黏著劑部分層
36‧‧‧附有剝離薄膜的保護薄膜(4)
100‧‧‧阻氣性接著薄膜(1)
101‧‧‧阻氣性接著薄膜(2)
102‧‧‧阻氣性接著薄膜(3)
103‧‧‧阻氣性接著薄膜(4)
104‧‧‧阻氣性接著薄膜(5)
105‧‧‧阻氣性接著薄膜(6)
106‧‧‧阻氣性接著薄膜(7)
107‧‧‧阻氣性接著薄膜(8)
108‧‧‧阻氣性接著薄膜(9)
109‧‧‧阻氣性接著薄膜(10)
110a~j‧‧‧阻氣性單元
111a~j‧‧‧接著性單元
112a~j‧‧‧保護薄膜
113a~j‧‧‧阻氣層
114a~j‧‧‧接著性樹脂層
115a~j‧‧‧剝離薄膜
116a~d‧‧‧基材薄膜(α)
117a~f‧‧‧防止帶電性黏著劑部分層
118a~j‧‧‧基材薄膜(β)
119a~j‧‧‧阻氣性部分層
120a~j‧‧‧剝離性部分層
121a~j‧‧‧基材薄膜(γ)
122a~1‧‧‧防止帶電性部分層
123a~f‧‧‧附有防止帶電層的基材薄膜(α)
124a-d‧‧‧黏著劑部分層
圖1係表示本發明的阻氣性接著薄膜的層結構的示意圖。
圖2係表示本發明的阻氣性接著薄膜的層結構的示意圖。
圖3係表示製造例7~10所得剝離薄膜(1)~(4)的層結構的示意圖。
圖4係表示製造例11~14所得剝離薄膜的保護薄膜(1)~(4)的層結構的示意圖。
圖5係表示實施例1、2所得阻氣性接著薄膜(1)、(2)的層結構的示意圖。
圖6係表示實施例3、4所得阻氣性接著薄膜(3)、(4)的層結構的示意圖。
圖7係表示實施例5、6所得阻氣性接著薄膜(5)、(6)的層結構的示意圖。
圖8係表示比較例1、2所得阻氣性接著薄膜(7)、(8)的層結構的示意圖。
圖9係表示比較例3、4所得阻氣性接著薄膜(9)、(10)的層結構的示意圖。
以下，將本發明分項為，1)阻氣性接著薄膜，及 2)電子構件及光學構件，詳細地說明。
1)阻氣性接著薄膜
本發明的阻氣性接著薄膜保護薄膜，其特徵在於：其具有：由保護薄膜/阻氣層組成的阻氣性單元；及由接著性樹脂層/剝離薄膜組成的接著性單元，上述接著性樹脂層，在上述阻氣層上直接或經由其他的層層積而成，上述保護薄膜與上述剝離薄膜分別構成最外層的阻氣性接著薄膜，上述保護薄膜的阻氣層側的表面的表面電阻率為5.0×1011Ω/□以下，上述剝離薄膜的至少任何一方面的表面的表面電阻率為5.0×1011Ω/□以下。
再者，在本說明書，在「薄膜」，不只是詩箋狀，亦包含長條狀(帶狀)的。
所謂「長條狀」，係指對薄膜的寬幅方向具有至少5倍左右以上的長度，具有10倍或其以上的長度為佳，具體而言係具有可以捲筒狀捲取保管或搬運的程度的長度的意思。
構成本發明的阻氣性接著薄膜的保護薄膜、阻氣層、接著性樹脂層、剝離薄膜，具有多層結構時，在表示構成保護薄膜、阻氣層、接著性樹脂層、剝離薄膜的層時，有時稱為「部分層」。
[保護薄膜]
阻氣性單元中的保護薄膜係剝離薄膜的一種，在搬運及保管阻氣性接著薄膜時用於保護阻氣層的薄膜，最終會剝離去除。
保護薄膜的阻氣層側的表面(在阻氣性接著薄膜，與阻氣層相接的面。以下，有時稱為「表面(A)」。)的表面電 阻率為5.0×1011Ω/□以下，以1.0×106Ω/□以上，5.0×1011Ω/□以下為佳。藉由使表面(A)的表面電阻率在5.0×1011Ω/□以下，可使阻氣層表面在剝離保護薄膜之後的帶電量較小。
表面電阻率，可以實施例所述的方法測定(以下相同)。
此外，「Ω/□」(歐姆/平方)是單位面積的電阻值(以下相同)。
保護薄膜的另一邊的表面(在阻氣性接著薄膜，露在外部的面。以下，有時稱為「表面(B)」。)的表面電阻率，以1.0×106Ω/□以上，5.0×1011Ω/□以下為佳，以1.0×106Ω/□以上，5.0×1010Ω/□以下更佳。
表面(B)的表面電阻率在1.0×106Ω/□以上，5.0×1011Ω/□以下的阻氣性接著薄膜，層疊複數阻氣性接著薄膜時，或捲成捲筒狀時，由於阻氣性接著薄膜相互容易撕剝，故作業性更優良。
保護薄膜的厚度，通常為1~300μm，以10~200μm為佳，以20~100μm更佳。
保護薄膜的層結構，並無特別限定。保護薄膜可為單層結構，亦可為多層結構。
由容易得到具有目標特性的保護薄膜，保護薄膜以多層結構為佳。
具有多層結構的保護薄膜，可舉具有基材薄膜(以下，有時將構成保護薄膜的基材薄膜稱為「基材薄膜(α)」。)及防止帶電性黏著劑部分層的層積薄膜(以下，有時將該層積薄膜稱為「層積薄膜(α)」。)。
基材薄膜(α)，玻璃紙、塗層紙、優質紙等紙基材； 在該等紙基材層壓聚乙烯或聚丙烯等熱塑性樹脂的層壓紙；對上述紙基材，以纖維素、澱粉、聚乙烯醇、丙烯酸-苯乙烯樹脂等進行填孔處理的基材；樹脂薄膜等。
該等之中，由於操作容易，以樹脂薄膜為佳。
樹脂薄膜的樹脂成分，聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、對苯硫醚、丙烯酸系樹脂、環烯烴系高分子、芳香族系聚合物等。
該等樹脂成分，可以1種單獨，或組合2種以上使用。
基材薄膜(α)的厚度，並無特別限定。基材薄膜(α)的厚度通常為300μm以下，以10~200μm為佳。
基材薄膜(α)，可含有防止帶電劑，亦可不含，以含有防止帶電劑為佳。藉由使基材薄膜(α)含有防止帶電劑，容易得到表面(B)的表面電阻率低的保護薄膜。
防止帶電劑，只要可對基材薄膜(α)賦予防止帶電性，並無特別限定。
防止帶電劑，可舉離子導電劑、離子性液體、界面活性劑、導電性高分子等。
離子導電劑，可舉具有鹼金屬鹽與環氧烷鏈的聚醚化合物的離子導電劑。
鹼金屬鹽，可舉Li+、Na+、K+等陽離子，與Cl-、Br-、I-、BF4 -、PF6 -、SCN-、ClO4 -、CF3SO3 -、(CF3SO2)N-、(CF3SO2)C-等陰離子所構成的金屬鹽。該等之中，以LiBr、LiI、LiBF4、LiPF6、LiSCN、LiClO4、LiCF3SO3、Li(CF3SO2)N，Li(CF3SO2)C等鋰鹽為佳。
聚醚化合物，可舉聚醚多醇或聚酯多醇。聚醚化合物，以在25℃為液體的為佳。
聚醚多醇，可舉聚乙二醇、聚丙二醇、聚四亞甲基醚二醇及該等的衍生物。
聚酯多醇，可舉酸成分，與二醇成分或多元醇成分的反應物，或內酯類的開環聚合反應物。
酸成分，可舉對苯二甲酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、鄰苯二甲酸酐、間苯二甲酸、均苯三酸等。
二醇成分，可舉乙二醇、丙二醇、二乙二醇、丁二醇，1,6-己二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、3,3'-二羥甲基庚烷、聚氧乙基二醇、聚氧丙基二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇、丁基乙基戊二醇等。
多元醇成分，可舉甘油、三羥甲基丙烷、異戊四醇等。
內酯類，可舉聚己酸內酯、聚(β-甲基-γ-戊內酯)、聚戊內酯等。
此外，聚醚化合物，可使用日本特開平6-313807號公報所揭示，在側鏈具有環氧烷鏈的有機聚矽氧烷。
離子性液體，係指在25℃為液態的離子性化合物。
離子性液體，可舉含氮鎓鹽、含硫鎓鹽及含磷鎓鹽。
構成離子性液體的陽離子，可舉在分子內具有雜環的陽離子、或分子內不具有雜環的陽離子。
在分子內具有雜環的陽離子，係在雜環內具有1個氮原子的陽離子(以下，有時稱為「陽離子(A)」。)，雜環內具有2個氮原子的陽離子(其中，2個氮原子並沒有相鄰。以下，有時稱為「陽離子(B)」。)，在雜環內具有2個氮原子的陽離子(其 中，2個氮原子相鄰。以下，有時稱為「陽離子(C)」。)
陽離子(A)，可舉吡啶陽離子、哌啶陽離子、吡咯啶陽離子、具有吡咯啉骨架的陽離子、具有吡咯骨架的陽離子等。該等的具體例，可舉1-乙基吡啶陽離子、1-丁基吡啶陽離子、1-己基吡啶陽離子、1-丁基-3-甲基吡啶陽離子、1-丁基-4-甲基吡啶陽離子、1-己基-3-甲基吡啶陽離子、1-丁基-3,4-二甲基吡啶陽離子、1,1-二甲基吡咯啶陽離子、1-乙基-1-甲基吡咯啶陽離子、1-甲基-1-丙基吡咯啶陽離子、2-甲基-1-吡咯啉陽離子、1-乙基-2-苯基吲哚陽離子、1,2-二甲基吲哚陽離子、及1-乙基咔唑陽離子等。
陽離子(B)，可舉咪唑陽離子、四氫嘧啶陽離子、二氫嘧啶陽離子等。該等的具體例，可舉1,3-二甲基咪唑陽離子、1,3-二乙基咪唑陽離子、1-乙基-3-甲基咪唑陽離子、1-丁基-3-甲基咪唑陽離子、1-己基-3-甲基咪唑陽離子、1-辛基-3-甲基咪唑陽離子、1-癸基-3-甲基咪唑陽離子、1-十二烷基-3-甲基咪唑陽離子、1-十四烷基-3-甲基咪唑陽離子、1,2-二甲基-3-丙基咪唑陽離子、1-乙基-2,3-二甲基咪唑陽離子、1-丁基-2,3-二甲基咪唑陽離子、1-己基-2,3-二甲基咪唑陽離子、1,3-二甲基-1,4,5,6-四氫嘧啶陽離子、1,2,3-三甲基-1,4,5,6-四氫嘧啶陽離子、1,2,3,4-四甲基-1,4,5,6-四氫嘧啶陽離子、1,2,3,5-四甲基-1,4,5,6-四氫嘧啶陽離子、1,3-二甲基-1,4-二氫嘧啶陽離子、1,3-二甲基-1,6-二氫嘧啶陽離子、1,2,3-三甲基-1,4-二氫嘧啶陽離子、1,2,3-三甲基-1,6-二氫嘧啶陽離子、1,2,3,4-四甲基-1,4-二氫嘧啶陽離子、及1,2,3,4-四甲基-1,6-二氫嘧啶陽離子等。
陽離子(C)，吡唑陽離子、吡唑啉陽離子等。該等具體例，可舉1-甲基吡唑陽離子、3-甲基吡唑陽離子、及1-乙基-2-甲基吡唑啉陽離子等。
在分子內不具雜環的陽離子，可舉四烷基銨陽離子、三烷基鋶陽離子、四烷基鏻陽離子、及上述烷基的一部分以烯基、烷氧基、環氧基等取代的等。
該等具體例，可舉四甲基銨陽離子、四乙基銨陽離子、四丁基銨陽離子、四己基銨陽離子、三甲基庚基銨陽離子、三甲基癸基銨陽離子、三乙基甲基銨陽離子、三乙基丙基銨陽離子、三乙基戊基銨陽離子、三乙基戊基銨陽離子、三丁基乙基銨陽離子、三辛基甲基銨陽離子、N,N-二甲基-N,N-二丙基銨陽離子、N,N-二甲基-N,N-二己基銨陽離子、N,N-二丙基-N,N-二己基銨陽離子、N,N-二甲基-N-乙基-N-丙基銨陽離子、N,N-二甲基-N-乙基-N-丁基銨陽離子、N,N-二甲基-N-乙基-N-戊基銨陽離子、N,N-二甲基-N-乙基-N-己基銨陽離子、N,N-二甲基-N-乙基-N-庚基銨陽離子、N,N-二甲基-N-乙基-N-壬基銨陽離子、N,N-二甲基-N-丙基-N-丁基銨陽離子、N,N-二甲基-N-丙基-N-戊基銨陽離子、N,N-二甲基-N-丙基-N-己基銨陽離子、N,N-二甲基-N-丙基-N-庚基銨陽離子、N,N-二甲基-N-丁基-N-己基銨陽離子、N,N-二甲基-N-丁基-N-庚基銨陽離子、N,N-二甲基-N-戊基-N-己基銨陽離子、N,N-二乙基-N-甲基-N-丙基銨陽離子、N,N-二乙基-N-甲基-N-戊基銨陽離子、N,N-二乙基-N-甲基-N-庚基銨陽離子、N,N-二乙基-N-丙基-N-戊基銨陽離子、N,N-二丙基-N-甲基-N- 乙基銨陽離子、N,N-二丙基-N-甲基-N-戊基銨陽離子、N,N-二丙基-N-丁基-N-己基銨陽離子、N,N-二丁基-N-甲基-N-戊基銨陽離子、N,N-二丁基-N-甲基-N-己基銨陽離子、N-甲基-N-乙基-N-丙基-N-戊基銨陽離子、二烯丙基二甲基銨陽離子、N,N-二乙基-N-甲基-N-(2-甲氧基乙基)銨陽離子、縮水甘油基三甲基銨陽離子等銨離子；三甲基鋶陽離子、三乙基鋶陽離子、三丁鋶陽離子、三己基鋶陽離子、二甲基癸基鋶陽離子、二乙基甲基鋶陽離子、二丁基乙基鋶陽離子等鋶陽離子；四甲基鏻陽離子、四乙基鏻陽離子、四丁基鏻陽離子、四己基鏻陽離子、三甲基癸基鏻陽離子、三乙基甲基鏻陽離子、三丁基乙基鏻陽離子等鏻陽離子等。
構成離子性液體的陰離子，只要鹽成為離子性液體，並無特別限定。陰離子，可舉Cl-、Br-、I-、AlCl4 -、Al2Cl7 -、BF4 -、PF6 -、ClO4 -、NO3 -、CH3COO-、CF3COO-、CH3SO3 -、CF3SO3 -、(CF3SO2)2N-、(CF3SO2)3C-、AsF6 -、SbF6 -、NbF6 -、TaF6 -、F(HF)n -、(CN)2N-、C4F9SO3 -、(C2F5SO2)2N-、C3F7COO-、(CF3SO2)(CF3CO)N-等。
離子性液體，可舉1-丁基吡啶四氟硼酸酯、1-丁基吡啶六氟磷酸酯、1-丁基-3-甲基吡啶四氟硼酸酯、1-丁基-3-甲基吡啶三氟甲烷磺酸酯、1-丁基-3-甲基吡啶雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、1-丁基-3-甲基吡啶雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、1-己基吡啶四氟硼酸酯、2-甲基-1-吡咯啉四氟硼酸酯、1-乙基-2-苯基吲哚四氟硼酸酯、1,2-二甲基吲哚四氟硼酸酯、1-乙基 咔唑四氟硼酸酯、1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸酯、1-乙基-3-甲基咪唑醋酸酯、1-乙基-3-甲基咪唑三氟醋酸酯、1-乙基-3-甲基咪唑七氟丁酸酯、1-乙基-3-甲基咪唑三氟甲烷磺酸酯、1-乙基-3-甲基咪唑全氟丁烷磺酸酯、1-乙基-3-甲基咪唑雙氰胺、1-乙基-3-甲基咪唑雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、1-乙基-3-甲基咪唑雙(全氟乙烷磺醯)醯亞胺、1-乙基-3-甲基咪唑三(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺。
1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸酯、1-丁基-3-甲基咪唑六氟硼酸酯、1-丁基-3-甲基咪唑三氟醋酸、1-丁基-3-甲基咪唑七氟丁酸酯、1-丁基-3-甲基咪唑三氟甲烷磺酸酯、1-丁基-3-甲基咪唑全氟丁烷磺酸酯、1-丁基-3-甲基咪唑雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、1-丁基-3-甲基溴化咪唑、1-己基-3-甲基氯化咪唑、1-己基-3-甲基咪唑四氟硼酸酯、1-己基-3-甲基咪唑六氟磷酸酯、1-己基-3-甲基咪唑三氟甲烷磺酸酯、1-辛基3-甲基咪唑四氟硼酸酯、1-辛基3-甲基咪唑六氟磷酸酯、1-己基-2,3-二甲基咪唑四氟硼酸酯、1,2-二甲基-3-丙基咪唑雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、1-甲基吡唑四氟硼酸酯、3-甲基吡唑四氟硼酸酯、四己基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、二烯丙基二甲基銨四氟硼酸酯、二烯丙基二甲基銨三氟甲烷磺酸酯、二烯丙基二甲基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、二烯丙基二甲基銨雙(五氟乙烷磺基)醯亞胺、N,N-二乙基-N-甲基-N-(2-甲氧基乙基)銨四氟硼酸酯、N,N-二乙基-N-甲基-N-(2-甲氧基乙基)銨三氟甲烷磺酸酯、N,N-二乙基-N-甲基-N-(2-甲氧基乙基)銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二乙基-N-甲基-N-(2-甲氧基乙基)銨雙(三氟甲 烷磺醯基)醯亞胺、縮水甘油基三甲基銨三氟甲烷磺酸酯。
縮水甘油基三甲基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、縮水甘油基三甲基銨雙(五氟乙烷磺基)醯亞胺、1-丁基吡啶(三氟甲烷磺醯基)三氟乙醯胺、1-丁基-3-甲基吡啶(三氟甲烷磺醯基)三氟乙醯胺、1-乙基-3-甲基咪唑(三氟甲烷磺醯基)三氟乙醯胺、二烯丙基二甲基銨(三氟甲烷磺醯基)三氟乙醯胺、縮水甘油基三甲基銨(三氟甲烷磺醯基)三氟乙醯胺、N,N-二甲基-N-乙基-N-丙基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二甲基-N-乙基-N-丁基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二甲基-N-乙基-N-戊基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二甲基-N-乙基-N-己基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二甲基-N-乙基-N-庚基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二甲基-N-乙基-N-壬基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二甲基-N,N-二丙基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二甲基-N-丙基-N-丁基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二甲基-N-丙基-N-戊基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二甲基-N-丙基-N-己基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺。
N,N-二甲基-N-丙基-N-庚基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二甲基-N-丁基-N-己基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二甲基-N-丁基-N-庚基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二甲基-N-戊基-N-己基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二甲基-N,N-二己基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、三甲基庚基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二乙基-N-甲基-N-丙基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N一二乙基-N-medi基-N-戊基銨雙 (三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二乙基-N-甲基-N-庚基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二乙基-N-丙基-N-戊基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、三乙基丙基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、三乙基戊基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、三乙基庚基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二丙基-N-甲基-N-乙基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二丙基-N-甲基-N-戊基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二丙基-N-丁基-N-己基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二丙基-N,N-二己基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二丁基-N-甲基-N-戊基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N,N-二丁基-N-甲基-N-己基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、三辛基甲基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺、N-甲基-N-乙基-N-丙基-N-戊基銨雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺等。
界面活性劑，可舉甘油脂肪酸酯類、山梨醇脂肪酸酯類、聚氧乙烯烷基胺脂肪酸酯類、聚環氧乙烷烷基胺類、N-羥基乙基-2-羥基胺類、烷基二乙醇醯胺類等非離子系界面活性劑；烷基磷酸酯類、烷基硫酸酯類、及烷基苯磺酸酯類等陰離子系界面活性劑；4級銨鹽類、醯胺4級銨鹽類等陽離子系界面活性劑；烷基甜菜鹼類、烷基咪唑啉甜菜鹼類等兩性系界面活性劑等。
導電性高分子，可舉聚噻吩、PEDOT-PSS(聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸))、聚苯胺、聚吡咯、聚喹喔啉等。該等之中，以聚噻吩及PEDOT-PSS為佳。在本發明，防止帶電劑，可以1種單獨，或組合2種以上使用。
包含於基材薄膜(α）的防止帶電劑的含量，並無特 別限定，可按照目標的防止帶電性適宜決定。
防止帶電性黏著劑部分層係具有接著性及防止帶電性的層，係在基材薄膜(α)上，直接或經由其他的層層積的層。
藉由在保護薄膜中設置防止帶電性黏著劑部分層，可有效地保護阻氣層。再者，容易使保護薄膜表面(A)的表面電阻率在5.0×1011Ω/□以下。
防止帶電性黏著劑部分層的厚度，並無特別限定。防止帶電性黏著劑部分層的厚度，通常為200μm以下，以5~100μm為佳，以10~50μm更佳。
防止帶電性黏著劑部分層，可舉含有接著性樹脂成分與防止帶電劑的層。
接著性樹脂成分，只要具有適度的接著性與剝離性，並無特別限定。
該樹脂成分，可舉例如，丙烯酸系樹脂、尿烷系樹脂、矽酮系樹脂、橡膠系樹脂、聚酯系樹脂等。
該等之中，由具有適度的接著性與剝離性，以丙烯酸系樹脂為佳。
丙烯酸系樹脂，可舉來自具有碳數1~20的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的反覆單位，與來自含有官能基的單體的反覆單位的丙烯酸系共聚物。
具有碳數1~20的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯，可舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯及(甲基)丙烯酸硬脂酯等。
含有官能基的單體，可舉含有羥基的單體、含有羧基的單體、含有環氧基的單體、含有胺基的單體、含有氰基的單體、含有酮基的單體、含有烷氧基矽基的單體等。該等之中，含有官能基的單體，以含有羥基的單體、含有羧基的單體為佳。
含有羥基的單體，可舉(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。
含有羧基的單體，可舉(甲基)丙烯酸、馬來酸、富馬酸、依康酸等。
防止帶電性黏著劑部分層，亦可形成架橋結構。架橋結構，可藉由使用架橋劑的習知的方法形成。
防止帶電劑，只要可對黏著劑賦予防止帶電性的即可，並無特別限定。
防止帶電劑，可舉與基材薄膜(α)中的防止帶電劑所示之相同的。
包含於防止帶電性黏著劑部分層的防止帶電劑的含量，並無特別限定，可按照目標的防止帶電性適宜決定。防止帶電性黏著劑中的防止帶電劑的調配量，對接著性樹脂100質量部，以0.05~10質量部為佳。該調配量在0.05質量部以上，則可更良好地顯現防止帶電性。另一方面，防止帶電劑的調配量在10質量部以下，則防止帶電性能與黏著劑的耐久性的平衡會變得更良好。由如此的觀點，防止帶電劑的調配量，以0.05~5質量部為佳，以0.06~3質量部更佳。
防止帶電性黏著劑部分層，加上接著性樹脂成分、防止帶電劑，亦可含有黏著賦予劑等其他的成分。
層積薄膜(α)，亦可具有基材薄膜(α)、防止帶電性黏著劑部分層以外的層。如此的層，可舉防止帶電性部分層。
防止帶電性部分層，可舉含有防止帶電劑的層。該防止帶電劑，可舉與基材薄膜(α)中的防止帶電劑所示之相同的。
具有防止帶電性部分層的層積薄膜(α)，可舉具有防止帶電性黏著劑部分層/基材薄膜(α)/防止帶電性部分層的層結構的層積薄膜。
層積薄膜(α)，可例如，在基材薄膜(α)上，塗佈含有防止帶電劑等黏著劑塗佈液，藉由乾燥得到塗膜而製造。
塗佈方法、乾燥方法，並無特別限定，可適當利用習知的方法。
此外，有防止帶電性部分層的層積薄膜(α)，例如因能在市場上出售的具防止帶電層的基材薄膜的表面上形成防止帶電性黏著劑部分層而能效率好的製造。
保護薄膜為層積薄膜(α)時，由保護薄膜表面(A)的表面電阻率的觀點，防止帶電性黏著劑部分層，接於阻氣層為佳。
[阻氣層]
阻氣性單元中的阻氣層，係具有阻氣性的層。所謂阻氣性，係指抑制水蒸氣等氣體穿透的性質。
阻氣層的厚度，通常為1~300μm，以10~200nm為佳，以20~200nm更佳。
阻氣層，在溫度40℃，相對濕度90%的氣氛下的水蒸氣穿透率，以0.100g/m2/day以下為佳，以0.05g/m2/day以下更佳，進一步以0.03g/m2/day以下為佳。下限值，並無特別限定，越小越佳，通常為0.001g/m2/day以上。
阻氣層的水蒸氣的穿透率，可使用習知的氣體穿透率測定裝置測定。
阻氣層的層結構，並無特別限定。阻氣層可為單層結構，亦可具有多層結構。
由容易形成具有目標的特性的阻氣層，阻氣層以具有多層結構的為佳。
具有單層結構的阻氣層，可舉例如，與後述的層積薄膜(β)的阻氣性部分層相同的。
具有多層結構的阻氣層，可舉由具有基材薄膜(以下，有時將構成阻氣層的基材薄膜稱為「基材薄膜(β)」。)與阻氣性部分層的層積薄膜(以下，有時將該層積薄膜稱為「層積薄膜(β)」。)所組成的。
基材薄膜(β)的厚度，並無特別限定。基材薄膜(β)的厚度，通常為0.5~500μm，以1~100μm為佳。
基材薄膜(β)，通常使用樹脂薄膜。
樹脂薄膜的樹脂成分，可舉聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、對苯硫醚、丙烯酸系樹脂、環烯烴系高分子、芳香族系聚合物等。
該等之中，由透明性更優良，且具有通用性，以 聚酯、聚胺或環烯烴系高分子為佳，聚酯或環烯烴系高分子更佳。
聚酯，可舉聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯等，以聚對苯二甲酸乙二醇酯為佳。
聚醯胺，可舉全芳香族聚醯胺、尼龍6、尼龍66，尼龍共聚物等。
環烯烴系高分子，可舉降冰片烯系聚合物、單環的環狀烯烴系聚合物、環狀共軛二烯系聚合物、乙烯基脂環烴聚合物、及該等的氫化物。其具體例，可舉APEL(三井化學公司製之乙烯-環烯烴共聚物)、ARTON(JSR公司製的降冰片烯系聚合物)、ZEONOR(日本ZEON製的降冰片烯系聚合物)等。
樹脂薄膜，亦可含有各種添加劑。添加劑，可舉紫外線吸收劑、防止帶電劑、穩定劑、防止氧化劑、可塑劑、潤滑劑、著色顏料等。該等添加劑的含量，只要配合目標適宜決定即可。
樹脂薄膜，可藉由調製包含樹脂成分及根據所期望的各種添加劑的樹脂組合物，將此成形為膜狀而得。成形方法，並無特別限定，可利用澆鑄法或熔融擠出法等習知的方法。
構成層積薄膜(β)的阻氣性部分層，可舉由無機蒸鍍膜組成的阻氣性部分層、包含阻氣性樹脂的阻氣性部分層、將高分子化合物的層(以下，有時稱為「高分子層」。)的表面改質而成的阻氣性部分層等。再者，此時，所謂阻氣性部分層，並非僅指改質的區域的意思，而係指「包含改質區域的高分子層」。
該等之中，由可有效地形成薄而阻氣性優良的層，以無機蒸鍍膜所組成的阻氣性部分層、或將高分子層的表面改質而成的阻氣性部分層為佳。
無機蒸鍍膜，可舉無機化合物或金屬的蒸鍍膜。
無機化合物的蒸鍍膜的原料，可舉氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫等無機氧化物；氮化矽、氮化鋁、氮化鈦等無機氮化物；無機碳化物；無機硫化物；氧氮化矽等無機氧氮化物；無機氧碳化物；無機氮碳化物；無機氧氮碳化物等。
金屬的蒸鍍膜的原料，可舉鋁、鎂、鋅、及錫等。
該等，可以1種單獨，或組合2種以上使用。
該等之中，由阻氣性的觀點，以無機氧化物、無機氮化物或金屬作為原料的無機蒸鍍膜為佳，再者，由透明性的觀點，以無機氧化物或無機氮化物作為原料的無機蒸鍍膜為佳。此外，無機蒸鍍膜，可為單層，亦可為多層。
無機蒸鍍膜的厚度，由阻氣性與操作性的觀點，以1~2000nm為佳，以3~1000nm更佳，以5~500nm更佳，進一步以40~200nm的範圍為佳。
形成無機蒸鍍膜的方法，並無特別限定，可使用習知的方法。形成無機蒸鍍膜的方法，可舉真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等PVD法、或熱CVD法、電漿CVD法、光CVD法等CVD法、原子層沉積法(ALD法)。
上述阻氣性樹脂，可舉例如，聚乙烯醇、或其部分皂化物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丙烯腈、聚氯乙烯、聚偏氯乙 烯、聚氯三氟乙烯等，不容易使氧氣及水蒸氣等穿透的樹脂。
包含阻氣性樹脂的阻氣性部分層的厚度，由阻氣性的觀點，以1~2000nm為佳，以3~1000nm更佳，以5~500nm更佳，進一步以40~200nm的範圍為佳。
形成包含阻氣性樹脂的阻氣性部分層的方法，可舉將包含阻氣性樹脂的溶液，塗佈在保護薄膜上，將所得之塗膜適宜乾燥的方法。
樹脂溶液的塗佈方法，並無特別限定，可舉旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗佈法、刀式塗佈法、輥刀塗佈法、刮刀塗佈法、模具塗佈法、凹版塗佈法等習知的塗佈方法。
塗膜的乾燥方法，可利用熱風乾燥、熱輥輪乾燥、紅外線照射等先前習知的乾燥方法。
在高分子層表面改質而成的阻氣性部分層，使用的高分子化合物，可舉含有矽的高分子化合物、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、對苯硫醚、聚丙烯酸酯、丙烯酸系樹脂、環烯烴系高分子、芳香族系聚合物等。
該等高分子化合物，可以1種單獨，或組合2種以上使用。
高分子層，在高分子化合物之外，在不阻礙本發明的目標的範圍，亦可含有其他的成分。其他的成分，可舉硬化劑、防止老化劑、光安定劑、難燃劑等。
高分子層中的高分子化合物的含量，由可形成阻氣性更優良的阻氣性部分層，以50質量%以上為佳，以70質量%以上更佳。
高分子層的厚度，並無特別限制，通常為20nm至 50μm，以30nm至1μm為佳，以40nm至500nm更佳。
高分子層，可例如，將高分子化合物溶解或分散在有機溶劑之液，以習知的塗佈方法，塗佈在保護薄膜上，藉由乾燥所得塗膜而形成。
有機溶劑，可舉苯、甲苯等芳香烴系溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯等酯系溶劑；丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮等酮系溶劑；正戊烷、正己烷、正庚烷等脂肪烴系溶劑；環戊烷、環己烷等脂環烴系溶劑等。
該等溶劑，可以1種單獨，或組合2種以上使用。
塗佈方法，可舉棒塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬法、輥輪塗佈法、凹版塗佈法、刮刀塗佈法、氣刀塗佈法、輥刀塗佈法、模具塗佈法、網版印刷法、噴霧塗佈法、凹版塗佈法等。
塗膜的乾燥方法，可舉熱風乾燥、熱輥輪乾燥、紅外線照射等先前習知的乾燥方法。加熱溫度，通常為80~150℃，加熱時間，通常係數十秒至數十分鐘。
改質高分子層的表面的方法，離子植入處理、電漿處理、紫外線照射處理、熱處理等。
離子植入處理，係如後所述，將加速的離子植入高分子層，將高分子層改質的方法。
電漿處理，係將高分子層曝於電漿中，改質高分子層的方法。可以日本特開2012-106421號公報所述的方法，進行電漿處理。
紫外線照射處理，係對高分子層照射紫外線，改質高分子層的方法。例如，可遵照日本特開2013-226757號公報所述的方法，進行紫外線改質處理。
該等阻氣性部分層之中，由阻氣性更優良，對包含矽系高分子化合物的層施以離子植入處理而得的更佳。
含有矽的高分子化合物，可舉聚矽氮烷系化合物、聚碳矽烷系化合物、聚矽烷系化合物、聚有機矽氧烷系化合物、聚(二矽烯亞苯基)系化合物及聚(二矽烯乙炔基)系化合物等，以聚矽氮烷系化合物更佳。
聚矽氮烷系化合物，係係在分子內具有包含-Si-N-鍵結(矽氮烷鍵結)的反覆單位的化合物。具體以具有式(1)所示化合物為佳：
此外，使用的聚矽氮烷系化合物的數目平均分子量，並無特別限定，以100~50,000為佳。
上述式(1)中，n係表示任意的自然數。Rx、Ry、Rz係分別獨立地表示，氫原子、無取代或具有取代基的烷基、無取代或具有取代基的環烷基、無取代或具有取代基的烯基、無取代或具有取代基的芳基或烷基矽基等非水解性基。
上述無取代或具有取代基的烷基的烷基，可舉例如，甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等碳數1~10的烷基。
無取代或具有取代基的環烷基的環烷基，可舉例 如，環丁基、環戊基、環己基、環庚基等碳數3~10的環烷基。
無取代或具有取代基的烯基的烯基，可舉例如乙烯基、1-丙烯基，2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等碳數2~10的烯基。
上述烷基、環烷基及烯基的取代基，可舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等鹵素原子；羥基；硫醇基；環氧基；縮水甘油基；(甲基)丙烯醯氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等無取代或取代基的芳基等。
無取代或具有取代基的芳基的芳基，可舉例如苯基、1-萘基、2-萘基等碳數6~15的芳基。
上述芳基的取代基，可舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等鹵素原子；甲基、乙基等碳數1~6的烷基；甲氧基、乙氧基等碳數1~6的烷氧基；硝基；氰基；羥基；硫醇基；環氧基；縮水甘油基；(甲基)丙烯醯氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等無取代或取代基的芳基等。
烷基矽基，可舉三甲基矽基、三乙基矽基、三異丙基矽基、三第三丁基矽基、甲基二乙基矽基、二甲基矽基、二乙基矽基、甲基矽基、乙基矽基。
該等之中，Rx、Ry、Rz，以氫原子、碳數1~6的烷基，或苯基為佳，以氫原子特別佳。
具有上述式(1)所示反覆單位的聚矽氮烷系化合物，以Rx、Ry、Rz的全部是氫原子的無機聚矽氮烷、Rx、Ry、Rz之至少一個不是氫原子的有機聚矽氮烷之任一均可。
此外，在本發明，聚矽氮烷系化合物，可使用聚 矽氮烷變性物。聚矽氮烷變性物，可舉例如，日本特開昭62-195024號公報、日本特開平2-84437號公報、日本特開昭63-81122號公報、日本特開平1-138108號公報等、日本特開平2-175726號公報、日本特開平5-238827號公報、日本特開平5-238827號公報、日本特開平6-122852號公報、日本特開平6-306329號公報、日本特開平6-299118號公報、日本特開平9-31333號公報、日本特開平5-345826號公報、日本特開平4-63833號公報等所記載者。
該等之中，聚矽氮烷系化合物，由取得容易性、及可形成具有優良的氣體阻隔性的離子植入層的觀點，以Rx、Ry、Rz的全部為氫原子的全氫聚矽氮烷為佳。
此外，聚矽氮烷系化合物，可直接使用市售作為玻璃塗層材的市售品。
聚矽氮烷系化合物，可以1種單獨，或組合2種以上使用
植入高分子層的離子，可舉氬、氦、氖、氪、氙等稀有氣體的離子；氟碳化合物、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的離子；甲烷、乙烷等烷系氣體類的離子；乙烯、丙烯等烯系氣體類的離子；戊二烯、丁二烯等烷二烯系氣體類的離子；乙炔等炔系氣體類的離子；苯、甲苯等芳香烴系氣體類的離子；環丙烷等環烷烴類系氣體類的離子；環戊烯等環烯系氣體類的離子；金屬的離子；有機矽化合物的離子等。
該等離子，可以1種單獨，或組合2種以上使用。
該等之中，以可更簡便地植入離子，形成具有更優良的氣體阻隔性的阻氣性部分層，以氬、氦、氖、氪、氙等稀有氣體 的離子為佳。
離子的植入量，可配合阻氣性接著薄膜的使用目的(必要的阻氣性、透明性等)等適宜決定。
植入離子的方法，係以電場加速的離子(離子束)照射的方法，植入電漿中的離子的方法等。其中，由可簡便地形成目標的阻氣性部分層，以後者的植入電漿中的離子的方法(電漿離子植入法)為佳。
電漿離子植入法，係例如，藉由在包含稀有氣體等電漿生成氣體的氣氛下，使電漿產生，對高分子層施加負的高電壓脈衝，使該電漿中的離子(陽離子)，植入高分子層的表面部而進行。電漿離子植入法，更具體而言，可以WO2010/107018號小冊等所記載的方法實施。
藉由離子植入，植入離子的區域的厚度，離子的種類或施加電壓，可藉由處理時間等植入條件控制，只要按照高分子層的厚度或層積體的使用目的等決定即可，通常由高分子層的表面向深度方向的10~400nm
離子被植入，可使用X射線光電子能譜儀(XPS)，進行由高分子層的表面10nm附近的元素分析測定來確認。
層積薄膜(β)，亦可具有其他的層。其他的層，可舉底漆層、導電層、硬塗層等。
[接著性樹脂層]
接著性單元中的接著性樹脂層，係使用於與對象物黏著的層。在本發明，所謂接著性樹脂係指黏著劑、接著劑、黏接著劑等接合劑。
接著性樹脂層的厚度，可考慮阻氣性接著薄膜的使用目的等適宜選定。其厚度，通常為0.1~1000μm，以0.5~500μm為佳，以1~100μm更佳，進一步以1~30μm為佳。
只要在0.1μm以上，則可得具有充分的黏著力或接著力的阻氣性接著薄膜。只要在1000μm以下，則阻氣性接著薄膜的彎曲性良好，此外，有利於生產性及操作性方面。
接著性樹脂層的水蒸氣穿透率，以50μm厚的換算值，以100g/m2/day以下為佳，以50g/m2/day以下更佳。
藉由使接著性樹脂層的水蒸氣穿透率(50μm厚的換算值)，在100g/m2/day以下，可更加抑制水蒸氣等由接著性樹脂層的端部滲入。有如此的接著性樹脂層的阻氣性接著薄膜，可良好地使用於作為密封材的形成材料。
接著性樹脂層的水蒸氣穿透率，可例如，在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜等阻氣性低的支持體上形成黏著劑層作為試料測定。此外，水蒸氣穿透率，可利用與接著性樹脂層的厚度呈反比，算出厚度為50μm時的水蒸氣穿透率。
接著性樹脂層，可舉使用橡膠系接著性樹脂、聚烯烴系接著性樹脂、環氧系接著性樹脂、矽酮系接著性樹脂等接著性樹脂所形成的。
藉由使用該等接著性樹脂，可有效地形成阻氣性優良的接著性樹脂層。
特別是，由容易得到阻氣性優良的接著性樹脂層，使用聚烯烴系接著性樹脂形成接著性樹脂層為佳。
橡膠系接著性樹脂，可舉天然橡膠、以選自由(甲 基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯、(甲基)丙烯腈的1種或2種以上的單體對天然橡膠接枝聚合的變性天然橡膠為主成分的接著性樹脂；以異戊二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、丙烯腈-聚丁橡膠、甲基丙烯酸甲酯-聚丁橡膠、聚胺酯橡膠、聚異丁烯系樹脂、聚丁烯樹脂等為主成分的接著性樹脂等。
橡膠系接著性樹脂之中，以聚異丁烯系樹脂作為主成分的接著性樹脂為佳。聚異丁烯系樹脂，可舉例如異丁烯的單獨聚合物、異丁烯與異戊二烯的共聚物、異丁烯與正丁烯的共聚物、異丁烯與丁二烯的共聚物、及將該等單獨聚合物或共聚物溴化或氯化等鹵化異丁橡膠等。該等樹脂，可以單獨或組合2種以上使用。再者，聚異丁烯系樹脂為共聚物時，由異丁烯組成的構成單元，在全單體成分中，包含最多。
聚異丁烯系樹脂的質量平均分子量，以1萬~60萬為佳，以10萬~50萬更佳。
在本說明書，所謂「主成分」係指固體份中佔有50質量%以上的成分(以下相同)。
聚烯烴系接著性樹脂，可舉以變性聚烯烴樹脂為主成分的接著性樹脂。
變性聚烯烴系樹脂，係對作為前驅物的聚烯烴樹脂，使用變性劑施以變性處理而得的導入官能基的聚烯烴樹脂。
聚烯烴樹脂，超低密度聚乙烯(VLDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、中密度聚乙烯(MDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物、烯烴系彈性體(TPO)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-(甲基)丙 烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物。
用於聚烯烴樹脂的變性處理的變性劑，係在分子內，具有可貢獻在架橋反應的官能基的化合物。
官能基，可舉羧基、羧酸酐基、羧酸酯基、羥基、環氧基、醯胺基、銨基、腈基、胺基、醯亞胺基、異氰酸酯基、乙醯基、硫醇基、醚基、硫醚基、碸基、磷醯基、硝基、尿烷基、鹵素原子等。該等之中，以羧基、羧酸酐基、羧酸酯基、羥基、銨基、醯胺基、醯亞胺基、異氰酸酯基為佳，以羧酸酐基、烷氧基矽基更佳，以羧酸酐基特別佳。
環氧系接著性樹脂，可舉以脂肪鏈變性環氧樹脂、環戊二烯變性環氧樹脂或萘變性環氧樹脂等烴變性環氧樹脂、彈性體變性環氧樹脂、矽酮變性環氧樹脂為主成分的接著性樹脂。
矽酮系接著性樹脂，可舉在側鎖，具有可貢獻於架橋反應的官能基的聚有機矽氧烷等接著性樹脂。
該等接著性樹脂，亦可按照需要，含有硬化劑、架橋劑、聚合起始劑、光安定劑、防止氧化劑、黏著賦予劑、可塑劑、紫外線吸收劑、著色劑、樹脂穩定劑、填充劑、顏料、增量劑、防止帶電劑等。
該等成分，可按照各接著性樹脂適宜選擇使用。
接著性樹脂層，可例如，調製接著性樹脂層形成用塗佈液，將此塗佈在剝離薄膜上，將所得之塗膜乾燥，按照需要藉由加熱或照射活性能量線使之硬化而形成。
塗佈方法、乾燥方法、硬化方法，並無特別限定，可適宜 利用習知的方法。
[剝離薄膜]
接著性單元中的剝離薄膜，係在搬運及保管阻氣性接著薄膜時用於保護接著性樹脂層的薄膜，最終會剝離去除。
剝離薄膜，與接著性樹脂層側的表面(在阻氣性接著薄膜，與接著性樹脂層相接的面。以下，有時稱為「表面(C)」。)，及另一邊的表面(在阻氣性接著薄膜，露在外部的面。以下，有時稱為「表面(D)」。)的至少任何一方的表面電阻率為5.0×1011Ω/□以下。表面(C)表面電阻率通常為1.0×1010Ω/□以上，5.0×1011Ω/□以下，表面(D)表面電阻率通常為1.0×107Ω/□以上，5.0×1011Ω/□以下。
藉由使表面(C)與表面(D)的至少任何一方的表面電阻率為5.0×1011Ω/□以下，可使接著性樹脂層在剝離剝離薄膜之後的帶電量較小。
特別是，表面(D)的表面電阻率小的阻氣性接著薄膜，層疊複數阻氣性接著薄膜時，或捲成捲筒狀時，由於阻氣性接著薄膜相互容易撕剝，故作業性更優良。
剝離薄膜的厚度，並無特別限制，通常為1~300μm，以10~100μm為佳。
剝離薄膜的層結構，並無特別限定。剝離薄膜，可為單層結構，亦可具有多層結構。
由容易形成具有目標的特性的阻氣層，剝離薄膜以具有多層結構的為佳。
具有多層結構的剝離薄膜，可舉具有基材薄膜(以 下，有時將構成剝離薄膜的基材薄膜稱為「基材薄膜(γ)」。)、防止帶電性部分層、及剝離性部分層，一方的最外層為剝離性部分層的層積薄膜(以下，有時將該層積薄膜稱為「層積薄膜(γ)」。
層積薄膜(γ)的層結構，可舉「基材薄膜(γ)/防止帶電性部分層/剝離性部分層」、或「防止帶電性部分層/基材薄膜(γ)/剝離性部分層」。
基材薄膜(γ)，可舉與顯示作為基材薄膜(α)相同的。
基材薄膜(γ)，以含有防止帶電劑的為佳。藉由使用含有防止帶電劑的基材薄膜(γ)，可更有效地使剝離薄膜的表面(C)、(D)的表面電阻率更低。防止帶電劑，可舉與顯示作為基材薄膜(α)的防止帶電劑相同的。
基材薄膜(γ)中的防止帶電劑的含量，並無特別限定，可按照目標的防止帶電性適宜決定。
防止帶電性部分層，係指具有防止帶電性(可將靜電(帶電壓)迅速釋放的性質。表面電阻率越低防止帶電性越優良)的層，直接或經由其他的層層積在基材薄膜(γ)上的層。
藉由在剝離薄膜中設置防止帶電性部分層，可容易地使剝離薄膜表面(C)的表面電阻率在5.0×1011Ω/□以下。
防止帶電性部分層的厚度，並無特別限定。防止帶電性部分層的厚度，通常為10μm以下，以0.01~5μm為佳，以0.03~3μm更佳。
防止帶電性部分層，可舉含有樹脂成分與防止帶電劑的層。
樹脂成分，只要可固定防止帶電劑，並無特別限定。
該樹脂成分，可舉例如丙烯酸系樹脂、尿烷系樹脂、矽酮系樹脂、橡膠系樹脂、聚酯系樹脂等。
防止帶電劑，只要具有防止帶電性即可，並無特別限定。
防止帶電劑，可舉與顯示作為基材薄膜(α)的防止帶電劑相同的。
包含在防止帶電性部分層的防止帶電劑的含量，並無特別限定，可按照目標的防止帶電性適宜決定。
剝離性部分層，係具有剝離性的層，構成剝離薄膜的一邊的最外層。在本發明的阻氣性接著薄膜，藉由使剝離性部分層與接著性樹脂層鄰接，可使本發明的阻氣性接著薄膜的接著性樹脂層更有效地露出。
剝離性部分層的厚度，並無特別限定，通常為0.01~3.0μm，以0.03~2μm為佳。
剝離性部分層，可使用剝離劑形成。
可舉含有聚乙烯、聚丙烯等烯烴系樹脂；異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等橡膠系彈性體；長鏈烷基系樹脂；醇酸系樹脂；氟系樹脂；矽酮系樹脂等。
層積薄膜(γ)，可例如，在基材薄膜(γ)上塗佈含有防止帶電劑等塗佈液，藉由乾燥所得塗膜形成防止帶電性部分層之後，在防止帶電性部分層上，塗佈剝離劑，藉由乾燥所得塗膜形成剝離性部分層而製造。
塗佈方法、乾燥方法，並無特別限定，可適宜利用習知的 方法。
[阻氣性接著薄膜]
本發明的阻氣性接著薄膜，具有上述阻氣性單元、及上述接著性單元，上述接著性單元的接著性樹脂層，係直接或經由其他的層層積在上述阻氣性單元的阻氣層上而成，上述保護薄膜與上述剝離薄膜分別構成最外層。
本發明的阻氣性接著薄膜，可舉例如，圖1、圖2所示的。
圖1(A)所示阻氣性接著薄膜(1)，係具有：由保護薄膜(2)/阻氣層(3)組成的阻氣性單元(4)；及由接著性樹脂層(5)/剝離薄膜(6)組成的接著性單元(7)，上述接著性樹脂層(5)，係直接層積在上述阻氣層(3)上而成，具有上述保護薄膜(2)與上述剝離薄膜(6)分別構成最外層的層構成。
此外，如圖1(B)所示，在保護薄膜(2)，存在表面(A)(8)與表面(B)(9)。然後，表面(A)(8)的表面電阻率為5.0×1011Ω/□以下。
另一方面，剝離薄膜(6)，存在表面(C)(10)與表面(D)(11)。然後，表面(C)(10)與表面(D)(11)的至少任何一方的表面的表面電阻率為5.0×1011Ω/□以下。
圖2所示阻氣性接著薄膜(12)，具有：由保護薄膜(13)/阻氣層(14)組成的阻氣性單元(15)；及由接著性樹脂層(16)/剝離薄膜(17)組成的接著性單元(18)，上述接著性樹脂層(16)，係經由其他的層(19)層積在上述阻氣層(14)上，上述保護薄膜(13)與上述剝離薄膜(17)分別構成最外層。
在圖2所示阻氣性接著薄膜(12)，保護薄膜(13)的表面(A)(與阻氣層(14)側的相反側的面)的表面電阻率為5.0×1011Ω/□以下，與剝離薄膜(17)的表面(C)(與接著性樹脂層(16)鄰接的面)與表面(D)(與接著性樹脂層(16)側的相反側的面)的至少任何一方的表面的表面電阻率為5.0×1011Ω/□以下。
本發明的阻氣性接著薄膜，如阻氣性接著薄膜(12)，具有其他的層時，其他的層，可舉底漆層、導電層、折射率調整層、色素層等。
本發明的阻氣性接著薄膜的實質性的厚度(保護薄膜與剝離薄膜以外的層的共計厚度)，通常為1~300μm，以5~200μm為佳，以10~150μm更佳。
本發明的阻氣性接著薄膜的製造方法，並無特別限定。
例如，本發明的阻氣性接著薄膜，可分別得到保護薄膜與阻氣層所組成的阻氣性單元層積體，及接著性樹脂層與剝離薄膜所組成的接著性單元層積體之後，使阻氣性單元層積體的阻氣層，與接著性單元層積體的接著性樹脂層，相對層疊黏貼阻氣性單元層積體與接著性單元層積體而製造。
本發明的阻氣性接著薄膜，係在剝離去除保護薄膜與剝離薄膜之後，不容易帶電。因此，即使是黏貼於有機EL元件等時，不容易引起有機EL元件的故障。
此外，本發明的阻氣性接著薄膜，係不容易因帶電，而引起捲曲、沾灰塵、薄膜相黏等異常，在黏貼作業的作業性優良。
由具有該等特性，本發明的阻氣性接著薄膜，可 良好地使用於作為電子構件用或光學構件用的接著薄膜。特別是藉由使用本發明的阻氣性接著薄膜，可效率良好地形成有機EL元件等密封材。
本發明的阻氣性接著薄膜的使用方法，並無特別限定。例如，將剝離薄膜剝離使接著性樹脂層露出，使該接著性樹脂層與有機EL元件等壓接之後，藉由剝離去除保護薄膜，將有機EL元件密封。
同樣地，使露出的接著性樹脂層，與其他的電子構件及光學構件壓接之後，藉由剝離去除保護薄膜，可提升電子構件與光學構件的耐濕性。
2)包括阻氣性接著薄膜的電子構件或光學構件
本發明的電子構件及光學構件，其特徵在於：具有來自上述阻氣性接著薄膜的阻氣層及接著性樹脂層。
本發明的阻氣性接著薄膜，可良好地使用在會被空氣中的化學成分(氧、水、氮氧化物、硫氧化物、臭氧等)造成性能惡化的裝置。
本發明的電子構件及光學構件，可例如，將上述阻氣性接著薄膜的剝離薄膜剝離，使接著性樹脂層露出之後，將此黏貼於裝置本體的既定的面，接著，藉由剝離保護薄膜而得。
電子構件，可舉例如，液晶顯示器構件、有機EL顯示器構件、無機EL顯示器構件、電子紙構件、太陽電池、熱電轉換構件等軟性基板等。
光學構件，可舉例如，光學濾光片、波長轉換裝置、調光裝置、偏光板、相位差板的光學構件等。
[實施例]
以下舉出實施例更加詳細地說明本發明。惟，本發明不應限定於以下的實施例。
各例中的份及%，若無特別提及，係質量基準。
[製造例1]阻氣薄膜的製作
在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(TORAY股份有限公司製，PET23U403)的一面，塗以全氫聚矽氮烷為主成分的塗層劑(AZ Electronic Materials公司製，AQUAMICA NL110)，將所得之塗膜以120℃乾燥2分鐘，形成厚度150nm的聚矽氮烷層。
對所得聚矽氮烷層，使用電漿離子植入裝置(RF電源：日本電子公司製，RF56000，高電壓脈衝電源：栗田製造所公司製，PV-3-HSHV-0835)，在如下條件進行電漿離子植入，形成阻氣層(阻氣性部分層)。
電漿生成氣體：Ar
氣體流量：100sccm
Duty比：0.5%
施加電壓：-6kV
RF電源：頻率13.56MHz、施加電力1000W
腔體內壓：0.2Pa
脈衝寬度：5μsec
處理時間(離子植入時間)：200秒
[製造例2]防止帶電層形成用塗佈液的調製
對100份以二甲基亞碸與水稀釋水溶性的含有羥基的聚酯 樹脂與聚乙烯二氧噻吩及聚苯乙烯磺酸酯的混合物(PEDOT-PSS)的溶液(中京油脂股份有限公司製，T-795：固體份5.1%)，混合1.0份以水稀釋水溶性羥甲基三聚氰胺的溶液(中京油脂股份有限公司製，P-695：固體份70.0%)與1.0份平滑劑(中京油脂股份有限公司製，R-438：固體份10.0%)，對此進一步加入水與IPA(異丙醇)的混合溶劑(質量比1：1)，調製防止帶電層形成用的塗佈液(固體份：0.6%)。
[製造例3]剝離層形成塗佈液的調製
對100份聚有機矽烷(信越化學股份有限公司製，KS-847H：固體份30%)，混合1.6份有機矽氧烷寡聚物(信越化學股份有限公司製，X-62-1378：固體份100%)，進一步加入甲苯與MEK(甲乙酮)混合液(質量比1：2.3)。接著，對此加入2.0份白金觸媒(信越化學股份有限公司製，固體份2.0%)、10.0份亞鯨蠟醇(信越化學股份有限公司製，固體份100%)、與上述質量比的甲苯與MEK的混合液，調製剝離層形成用的塗佈液(固體份：1.4%)。
[製造例4]防止帶電性丙烯黏著劑的調製
將丙烯酸-2-乙基己酯/丙烯酸丁酯/乙氧基化丙烯酸/丙烯酸-4-羥基丁酯=67/20/10/3(質量比)共聚合，得到丙烯酸酯共聚物。對100份以醋酸乙酯溶解該丙烯酸酯共聚物所得的溶液(固體份48%)，加入1.1份六氟磷酸鉀(固體份100%)、0.2份錫化合物(TOYOCHEM股份有限公司製，BXX3778：固體份2.5%)、1.8份異氰酸酯架橋劑(TOYOCHEM股份有限公司製，BXX6269：固體份75%)、0.96份乙基丙基酮(TOYOCHEM股份有限公司製，BXX5638： 固體份100%)及甲苯，調製防止帶電性丙烯黏著劑(固體份40.1%)。
[製造例5]保護薄膜用丙烯酸黏著劑的調製
將丙烯酸丁酯/丙烯酸-2-乙基己酯/丙烯酸-2-羥基乙酯=76/19/5(質量比利時)共聚合，得到丙烯酸酯共聚物。對100份以醋酸乙酯溶解該丙烯酸酯共聚物所得的溶液(固體份40%)，加入1.6份異氰酸酯架橋劑(SAIDEN化學股份有限公司製，K-200：固體份100%)、2.0份鋁螯合物架橋劑(SAIDEN化學股份有限公司製，M-5：固體份5.0%)及MEK，調製丙烯黏著劑(固體份32.4%)。
[製造例6]烯烴系黏著劑的調製
對100份異丁烯-異戊二烯共聚物(日本BUTYL股份有限公司製，Buty1365)的甲苯溶液(固體份：15%)，加入6份黏著賦予劑(日本ZEON股份有限公司製，Quinton A100)的甲苯溶液(固體份：50%)、0.4份架橋劑(三菱化學股份有限公司製，TC-5：固體份5%)及甲苯，調製烯烴系黏著劑(固體份15%)。
[製造例7]剝離薄膜(1)的製造
在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(三菱化學POLYESTER FILM股份有限公司製，PET38T-100)的一面，塗佈製造例2所得防止帶電層形成用塗佈液，將所得之塗膜乾燥形成防止帶電層。接著，在上述聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的與防止帶電層的相反側，塗佈製造例3所得剝離層形成用塗佈液，將所得之塗膜乾燥形成矽酮剝離層，得到剝離薄膜(1)。
[製造例8]剝離薄膜(2)的製造
在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(三菱化學POLYESTER FILM股份有限公司製，PET38T-100)的一面，塗佈製造例2所得防止帶電層形成用塗佈液，將所得之塗膜乾燥形成防止帶電層。接著，在防止帶電層上，塗佈製造例3所得剝離層形成用塗佈液，將所得之塗膜乾燥形成矽酮剝離層，得到剝離薄膜(2)。
[製造例9]剝離薄膜(3)的製造
在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(三菱化學POLYESTER FILM股份有限公司製，PET38T-100)的一面，塗佈製造例2所得防止帶電層形成用塗佈液，將所得之塗膜乾燥形成防止帶電層。接著，在上述聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的與防止帶電層的相反側，再度塗佈防止帶電層形成用塗佈液，將所得之塗膜乾燥形成防止帶電層。
接著，在一方面的防止帶電層上塗佈製造例3所得的剝離層形成用塗佈液，將所得之塗膜乾燥形成矽酮剝離層，得到剝離薄膜(3)。
[製造例10]剝離薄膜(4)的製造
在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(三菱化學POLYESTER FILM股份有限公司製，PET38T-100)的一面，塗佈製造例3所得防止帶電層形成用塗佈液，將所得之塗膜乾燥形成矽酮剝離層，得到剝離薄膜(4)。
將製造例7~10所得的剝離薄膜(1)~(4)的層結構示於圖3。
在圖3(A)、(B)、(C)、(D)，分別表示剝離薄膜(1)、剝離薄膜(2)、剝離薄膜(3)、剝離薄膜(4)的層結構。
[製造例11]附有剝離薄膜的保護薄膜(1)的製造
在剝離薄膜(LINTEC股份有限公司製，SP-PET381031)的剝離處理面，塗佈製造例4所得防止帶電性丙烯酸系黏著劑， 使乾燥後的厚度為15μm，將所得之塗膜乾燥形成具有防止帶電性的黏著劑層。接著，藉由使上述黏著劑層，與聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(東洋紡股份有限公司製，PET50A4300)層疊壓接，得到附有剝離薄膜的保護薄膜(1)。
[製造例12]附有剝離薄膜的保護薄膜(2)的製造
在剝離薄膜(LINTEC股份有限公司製，SP-PET381031)的剝離處理面，塗佈製造例4所得防止帶電性丙烯酸系黏著劑，使乾燥後的厚度為15μm，將所得之塗膜乾燥形成具有防止帶電性的黏著劑層。接著，藉由使上述黏著劑層，與附有防止帶電層的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(三菱化學聚酯股份有限公司製，PET38T-100G)的與防止帶電層相反側的面層疊壓接，得到附有剝離薄膜的保護薄膜(2)。
[製造例13]附有剝離薄膜的保護薄膜(3)的製造
在剝離薄膜(LINTEC股份有限公司製，SP-PET381031C)的剝離處理面，塗佈製造例5所得丙烯酸系黏著劑，使乾燥後的厚度為15μm，將所得之塗膜乾燥形成黏著劑層。接著，藉由使上述黏著劑層，與聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(東洋紡股份有限公司製，PET50A4300)層疊壓接，得到附有剝離薄膜的保護薄膜(3)。
[製造例14]附有剝離薄膜的保護薄膜(4)的製造
在剝離薄膜(LINTEC股份有限公司製，SP-PET381031)的剝離處理面，塗佈製造例5所得防止帶電性丙烯酸系黏著劑，使乾燥後的厚度為25μm，將所得之塗膜乾燥形成黏著劑層。接著，上述黏著劑層、附有防止帶電層的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(三菱化學聚酯股份有限公司製，PET38T-100G)的與防止帶電層 相反側的面層疊壓接，得到附有剝離薄膜的保護薄膜(4)。
將製造例11~14所得附有剝離薄膜的保護薄膜(1)~(4)的層結構示於圖4。
在圖4(A)、(B)、(C)、(D)，分別表示附有剝離薄膜的保護薄膜(1)、附有剝離薄膜的保護薄膜(2)、附有剝離薄膜的保護薄膜(3)、附有剝離薄膜的保護薄膜(4)的層結構。
[實施例1]
藉由將製造例11所得附有剝離薄膜的保護薄膜(1)的剝離薄膜剝離，使露出的黏著劑層，與製造例1所得阻氣膜的與阻氣層(阻氣性部分層)的相反側的面層疊壓接，得到阻氣性單元用的層積體。
另外，在製造例7所得剝離薄膜(1)的剝離面，塗佈製造例6所得的烯烴系黏著劑，使乾燥後的厚度為12μm，藉由將所得之塗膜乾燥形成接著性樹脂層，得到接著性單元用的層積體。
接著，藉由將該接著性樹脂層，與上述阻氣性單元用的層積體的阻氣膜面層疊壓接，得到阻氣性接著薄膜(1)。
將阻氣性接著薄膜(1)的層結構示於圖5(A)。
[實施例2]
取代附有剝離薄膜的保護薄膜(1)，使用附有剝離薄膜的保護薄膜(2)以外，以與實施例1同樣地得到阻氣性接著薄膜(2)。
將阻氣性接著薄膜(2)的層結構示於圖5(B)。
[實施例3]
將製造例11所得之附有剝離薄膜的保護薄膜(1)的剝離薄膜剝離，使露出的黏著劑層，與製造例1所得阻氣膜的與阻氣 層(阻氣性部分層)的相反側的面層疊壓接，得到阻氣性單元用的層積體。
另外，在製造例8所得剝離薄膜(2)的剝離面，塗佈製造例6所得的烯烴系黏著劑，使乾燥後的厚度為12μm，藉由將所得之塗膜乾燥形成接著性樹脂層，得到接著性單元用的層積體。
接著，藉由將該接著性樹脂層，與上述阻氣性單元用的層積體的阻氣膜面層疊壓接，得到阻氣性接著薄膜(3)。
將阻氣性接著薄膜(3)的層結構示於圖6(A)。
[實施例4]
取代附有剝離薄膜的保護薄膜(1)，使用附有剝離薄膜的保護薄膜(2)以外，以與實施例3同樣地得到阻氣性接著薄膜(4)。
將阻氣性接著薄膜(4)的層結構示於圖6(B)。
[實施例5]
藉由將製造例11所得附有剝離薄膜的保護薄膜(1)的剝離薄膜剝離，使露出的黏著劑層，與製造例1所得阻氣膜的與阻氣層(阻氣性部分層)的相反側的面層疊壓接，得到阻氣性單元用的層積體。
另外，在製造例9所得剝離薄膜(3)的剝離面，塗佈製造例6所得的烯烴系黏著劑，使乾燥後的厚度為12μm，藉由將所得之塗膜乾燥形成接著性樹脂層，得到接著性單元用的層積體。
接著，藉由將該接著性樹脂層，與上述阻氣性單元用的層積體的阻氣膜面層疊壓接，得到阻氣性接著薄膜(5)。
將阻氣性接著薄膜(5)的層結構示於圖7(A)。
[實施例6]
取代附有剝離薄膜的保護薄膜(1)，使用附有剝離薄膜的保護薄膜(2)以外，以與實施例5同樣地得到阻氣性接著薄膜(6)。
將阻氣性接著薄膜(6)的層結構示於圖7(B)。
[比較例1]
藉由將製造例13所得附有剝離薄膜的保護薄膜(3)的剝離薄膜剝離，使露出的黏著劑層，與製造例1所得阻氣膜的與阻氣層(阻氣性部分層)的相反側的面層疊壓接，得到阻氣性單元用的層積體。
另外，在製造例10所得剝離薄膜(4)的剝離面，塗佈製造例6所得的烯烴系黏著劑，使乾燥後的厚度為12μm，藉由將所得之塗膜乾燥形成接著性樹脂層，得到接著性單元用的層積體。
接著，藉由將該接著性樹脂層，與上述阻氣性單元用的層積體的阻氣膜面層疊壓接，得到阻氣性接著薄膜(7)。
將阻氣性接著薄膜(7)的層結構示於圖8(A)。
[比較例2]
取代附有剝離薄膜的保護薄膜(1)，使用附有剝離薄膜的保護薄膜(4)以外，以與實施例1同樣地得到阻氣性接著薄膜(8)。
將阻氣性接著薄膜(8)的層結構示於圖8(B)。
[比較例3]
取代附有剝離薄膜的保護薄膜(1)，使用附有剝離薄膜的保護薄膜(4)以外，以與實施例3同樣地得到阻氣性接著薄膜(9)。
將阻氣性接著薄膜(9)的層結構示於圖9(A)。
[比較例4]
取代附有剝離薄膜的保護薄膜(1)，使用附有剝離薄膜的保 護薄膜(4)以外，以與實施例5同樣地得到阻氣性接著薄膜(10)。
將阻氣性接著薄膜(10)的層結構示於圖9(B)。
對實施例及比較例所得阻氣性接著薄膜(1)~(10)進行以下的評估。將結果示於表1。
[表面電阻率]
將阻氣性接著薄膜的保護薄膜剝離，對該保護薄膜的兩面(表面(A)及表面(B))，測定表面電阻率。測定裝置，使用電阻率計(HIRESTER，三菱化學公司製)，在溫度20℃、相對濕度65%的條件下，遵照JIS K6911進行測定。
此外，關於阻氣性接著薄膜的剝離薄膜，亦同樣地測定表面(C)及表面(D)的表面電阻率。
[剝離力‧帶電量]
以溫度20℃、相對濕度65%的條件下，使用高速剝離試驗機，以10m/分的速度，將阻氣性接著薄膜(寬度50mm，長度130mm)的保護薄膜剝離，測定剝離力。
此時，使用數位靜電電位測定儀(KDS-1000，春日電氣公司製)，測定露出的阻氣層的帶電量(±)。在表1顯示其絕對值。
此外，關於阻氣性接著薄膜的剝離薄膜，亦同樣地測定剝離力、及接著性樹脂層的帶電量。
[作業性評估]
準備數片A4尺寸的阻氣性接著薄膜，將此層疊。接著，僅抓住最上面的阻氣性接著薄膜的一端，將此掀起。此時，將作業性評估為僅取得此一片時為○，有下面的薄膜黏著時為×。
由表1可知如下。
實施例1~6的阻氣性接著薄膜(1)~(6)，表面(A)的表面電阻率在5.0×1011Ω/□以下，表面(C)或(D)的表面電阻在5.0×1011Ω/□以下。在該等阻氣性接著薄膜，剝離去除保護薄膜或剝離薄膜之後的帶電量少。
特別是，實施例1、2、4~6的阻氣性接著薄膜(1)、(2)、(4)~(6)，表面(B)與表面(D)的至少任何一方的表面電阻率小，且作業性優良。
另一方面，比較例1~4的阻氣性接著薄膜(7)~(10)，表面(A)的表面電阻率為很大的值，剝離去除保護薄膜之後的阻氣層的帶電量多。

Claims (7)

  1. 一種阻氣性接著薄膜，具有由保護薄膜/阻氣層組成的阻氣性單元及由接著性樹脂層/剝離薄膜組成的接著性單元，上述接著性樹脂層，在上述阻氣層上直接或經由其他的層層積而成，上述保護薄膜與上述剝離薄膜分別構成最外層的阻氣性接著薄膜，上述保護薄膜的阻氣層側的表面的表面電阻率為5.0×10 11Ω/□以下，上述剝離薄膜的至少任何一方面的表面的表面電阻率為5.0×10 11Ω/□以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的阻氣性接著薄膜，其中上述保護薄膜，係具有基材薄膜(α)及防止帶電性黏著劑部分層的層積薄膜(α)。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的阻氣性接著薄膜，其中上述阻氣層，係由具有基材薄膜(β)及阻氣性部分層的層積薄膜(β)所組成。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的阻氣性接著薄膜，其中包含在上述接著性樹脂層的接著性樹脂，係聚烯烴系接著性樹脂。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的阻氣性接著薄膜，其中上述剝離薄膜，係具有基材薄膜(γ)、防止帶電性部分層、及剝離性部分層，上述剝離性部分層構成一方的最外層的層積薄膜(γ)。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的阻氣性接著薄膜，其係電子 構件用或光學構件用的接著薄膜。
  7. 一種電子構件或光學構件，包括來自申請專利範圍第1至6項中任一項所述的阻氣性接著薄膜的阻氣層及接著性樹脂層。
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