TW201840691A

TW201840691A - 半導體製品製造用之藥液流動時與藥液接觸之構件

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Publication number: TW201840691A
Application number: TW106141921A
Authority: TW
Inventors: 矢野真一; 川口光宜; 勝部俊之
Original assignee: 日商太陽氟素科技股份有限公司
Priority date: 2016-12-01
Filing date: 2017-11-30
Publication date: 2018-11-16
Also published as: CN110035960A; EP3549885A1; KR20190091276A; US20210107734A1; JP2019151111A; JP2018090323A; EP3549885A4

Abstract

本發明提供一種於使液體、氣體、或粉粒體之絕緣性物質流動時與絕緣性物質接觸，且不易引起絕緣破壞之構件；使用該構件或包含該構件之用以對配管內或槽內加襯之片材的流通機構、槽、及裝置；接液部之表面之一部分包含上述構件之貯槽；使用該貯槽之有機溶劑或超純水或雙氧水、尤其是半導體製造用之有機溶劑或超純水或雙氧水之貯存方法；及使用利用上述貯槽所貯存之有機溶劑的半導體製品之製造方法。本發明中使用包含基質樹脂與分散於基質樹脂中之導電性材料之樹脂組合物作為於使液體、氣體、或粉粒體之絕緣性物質流動時與絕緣性物質接觸之構件。

Description

半導體製品製造用之藥液流動時與藥液接觸之構件

本發明係關於一種於使絕緣性物質流動時與絕緣性物質接觸之構件；使用該構件或包含該構件之用以對配管內或槽內加襯之片材的流通機構、槽、及裝置；接液部之表面之一部分包含上述構件之貯槽；使用該貯槽之有機溶劑或超純水、雙氧水、尤其是半導體製造用之有機溶劑或超純水、雙氧水之貯存方法；及使用利用上述貯槽所貯存之有機溶劑或超純水、雙氧水的半導體製品之製造方法。

先前，以有機溶劑或超純水、雙氧水為代表之絕緣性之流動性材料係在貯存於貯槽等中之後，使用空氣、氣體或泵等，經由配管而供於化學反應裝置、洗淨裝置、填充/包裝設備等各種裝置。於相關裝置中，基於防止裝置之腐蝕或磨耗、防止雜質向流動性材料溶出、附著等目的等，多數情況下對裝置內之與絕緣性之流動性材料接觸之部位實施加襯。尤其於半導體裝置之製造中，要求使用純度極高之藥液。因此，於貯存半導體裝置之製造用之藥液之槽或配管中，為了抑制金屬等雜質之溶出，多數情況下利用對化學藥品或有機溶劑等之耐久性優異之樹脂材料進行加襯。作為貯存半導體裝置之製造用所使用之藥液之槽，例如專利文獻1中提出有於金屬罐體內表面設置接液側包含氟樹脂之襯裡片材，並且於襯裡片材之背面側設置通用樹脂襯裡材料，實施2層加襯。專利文獻1中亦提出有於包含氟樹脂之襯裡片材上熱熔接碳布(carbon cloth)而使用。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開平8-80996號公報

[發明所欲解決之問題] 關於專利文獻1中所記載之襯裡材料，於包含氟樹脂之襯裡片材上產生針孔或龜裂之情形時，為了不使金屬自金屬罐體向藥液中溶出而設置有通用樹脂襯裡材料。然而，如專利文獻1中所記載，於經加襯之槽中，於包含氟樹脂之襯裡片材上產生針孔或龜裂之情形時，即便短期而言防止金屬向藥液中溶出，但長期而言導致金屬溶出之可能性較高。其原因在於，通用樹脂對藥液之耐性通常較低。藥液自產生針孔或龜裂之部位向包含通用樹脂之襯裡片材滲透，結果包含通用樹脂之襯裡片材被藥液侵蝕。因此，對襯裡片材要求根本地減少針孔或龜裂之產生。此處，於藥液為有機溶劑或超純水、雙氧水之類的絕緣性之流動性材料之情形時，作為產生針孔或龜裂之主要原因，可列舉靜電破壞，其係由因襯裡材料與流動之流動性材料之接觸而產生之靜電蓄積所引起。襯裡材料之靜電破壞不僅會導致雜質向藥液等中溶出，且於破壞程度較嚴重之情形時會成為襯裡材料剝離之一原因之方面亦成為問題。又，對於襯裡材料，亦要求對於襯裡所接觸之流動性材料不易產生異物。本發明係鑒於上述課題而成者，其目的在於提供一種於使液體、氣體、或粉粒體之絕緣性物質流動時與絕緣性物質接觸，且不易引起絕緣破壞，並且對絕緣性物質不易產生異物之構件；使用該構件或包含該構件之用以對配管內或槽內加襯之片材的流通機構、槽、及裝置；接液部之表面之一部分包含上述構件之貯槽；使用該貯槽之有機溶劑或超純水、雙氧水、尤其是半導體製造用之有機溶劑或超純水、雙氧水之貯存方法；及使用利用上述貯槽所貯存之有機溶劑或超純水、雙氧水的半導體製品之製造方法。 [解決問題之技術手段] 本發明者等人發現，藉由使用包含基質樹脂與分散於基質樹脂中之導電性材料之樹脂組合物作為於使液體、氣體、或粉粒體之絕緣性物質流動時與絕緣性物質接觸之構件，可解決上述課題，從而完成本發明。具體而言，本發明提供以下者。 (1)一種構件，其係於使液體、氣體、或粉粒體之絕緣性物質流動時與絕緣性物質接觸者，並且包含含有基質樹脂、與分散於基質樹脂中之導電性材料之樹脂組合物。 (2)如(1)中所記載之構件，其中導電性材料係不含金屬或金屬化合物之材料。 (3)如(1)或(2)中所記載之構件，其中導電性材料包含奈米碳材料。 (4)如(3)中所記載之構件，其中奈米碳材料為奈米碳管。 (5)如(1)至(4)中任一項所記載之構件，其中基質樹脂之拉伸強度為12.5 MPa以上，基質樹脂之拉伸伸長率為200%以上。 (6)如(1)至(5)中任一項所記載之構件，其中基質樹脂為氟樹脂。 (7)如(6)中所記載之構件，其中導電性材料為奈米碳管。 (8)如(1)至(7)中任一項所記載之構件，其中樹脂組合物中之導電性材料之含量為20質量%以下。 (9)一種流通機構，其係使液體、氣體、或粉粒體之絕緣性物質流通者，並且與絕緣性物質接觸之面之至少一部分包含如(1)至(8)中任一項所記載之構件。 (10)一種槽，其係對液體、氣體、或粉粒體之絕緣性物質進行貯存、或攪拌者，並且與上述絕緣性物質接觸之面之至少一部分包含如(1)至(8)中任一項所記載之構件。 (11)一種裝置，其具備如(9)中所記載之流通機構、及如(10)中所記載之槽之至少一者。 (12)一種片材，其係包含如(1)至(8)中任一項所記載之構件，用以對配管內、或槽內加襯。 (13)一種配管、或槽，其係利用如(12)中所記載之上述片材進行加襯而成。 (14)一種絕緣性物質之流通、攪拌、或貯存之方法，其使用如(13)中所記載之配管、或槽，對液體、氣體、或粉粒體之絕緣性物質進行流通、攪拌、或貯存。 (15)一種貯槽，其係具備槽本體、凹坑、及插入至槽本體中之滴加管之貯存絕緣性之液體者，並且凹坑係配置於槽本體之內側，滴加管係以滴加管之一端位於接近凹坑所具備之開口部之方式配置，選自槽本體、凹坑、及滴加管中之至少一者之與絕緣性之液體接觸之表面包含如(1)至(8)中任一項所記載之構件。 (16)如(15)中所記載之貯槽，其中凹坑之與絕緣性之液體接觸之表面包含如(1)至(8)中任一項所記載之構件。 (17)如(15)或(16)中所記載之貯槽，其中構件係如(7)中所記載之構件。 (18)如(15)至(17)中任一項所記載之貯槽，其中絕緣性之液體為有機溶劑。 (19)如(15)至(17)中任一項所記載之貯槽，其中絕緣性之液體為半導體製品製造用之有機溶劑。 (20)一種有機溶劑之貯存方法，其中於如(18)中所記載之貯槽中貯存有機溶劑。 (21)一種半導體製品製造用之有機溶劑之貯存方法，其中於如(19)中所記載之貯槽中貯存半導體製品製造用之有機溶劑。 (22)一種半導體製品之製造方法，其使用藉由如(21)中所記載之方法而貯存之上述有機溶劑。 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種於使液體、氣體、或粉粒體之絕緣性物質流動時與絕緣性物質接觸，且不易引起絕緣破壞，並且對絕緣性物質不易產生異物之構件；使用該構件或包含該構件之用以對配管內或槽內加襯之片材的流通機構、槽、及裝置；接液部之表面之一部分包含上述構件之貯槽；使用該貯槽之有機溶劑或超純水、雙氧水、尤其是半導體製造用之有機溶劑或超純水、雙氧水之貯存方法；及使用利用上述貯槽所貯存之有機溶劑或超純水、雙氧水之半導體製品之製造方法。

≪構件≫ 以下所說明之構件係於使液體、氣體、或粉粒體之絕緣性物質流動時與絕緣性物質接觸之構件。該構件於與流動之絕緣性物質接觸時會產生靜電，而容易產生因所產生之靜電之蓄積引起之絕緣破壞。但是，包含下述特定成分之構件會抑制因與流動之絕緣性物質之接觸所引起之絕緣破壞之發生。構件包含含有基質樹脂、與分散於基質樹脂中之導電性材料之樹脂組合物。＜絕緣性物質＞如上所述，構件係於使液體、氣體、或粉粒體之絕緣性物質流動時與絕緣性物質接觸者。此處，液體或粉粒體之絕緣性物質只要為通常被認作絕緣性物質之物質，則無特別限定。典型而言，絕緣性之液體或粉粒體較佳為包含體積電阻率為10⁷ Ω・cm以上、進而為10¹⁰ Ω・cm以上之物質。又，氣體通常為絕緣體。其原因在於，關於氣體，由於構成氣體之分子不會接近地存在，故而氣體中之自由電子等亦不易移動。再者，絕緣性物質可含有選自液體、氣體、及粉粒體中之2種以上。例如，絕緣性之液體可含有絕緣性之氣體之氣泡，絕緣性之液體可含有絕緣性之粉粒體，絕緣性之氣體亦可含有絕緣性之液體之液滴、或絕緣性之微粉體。作為絕緣性之液體之例，典型而言可列舉：超純水或雙氧水或有機溶劑或聚矽氧油等。作為絕緣性之氣體之例，可列舉：乾燥空氣、或氫氣、氮氣、氧氣、二氧化碳、氦氣、乙烯、乙炔、及用作燃料之各種氣體類等。作為絕緣性之粉粒體之例，可列舉：有機化學製品之粉末、樹脂顆粒、玻璃纖維、玻璃粉末、陶瓷粉末、穀物、小麥粉等穀粉末、動物用飼料、澱粉等多糖類、蔗糖等低分子之糖類、及木質粉等。再者，絕緣性物質不受上述具體例之任何限定。絕緣性物質尤佳為半導體製品製造用之藥液。作為該藥液，典型而言為超純水或雙氧水或有機溶劑。關於半導體製品之製造中所使用之有機溶劑之具體例，於下文進行詳細說明。＜導電性材料＞導電性材料只要為通常認為具有導電性之材料，則無特別限定。導電性材料可為有機材料，亦可為無機材料。藉由使導電性材料分散於基質樹脂中，可獲得形成體積電阻率較低之構件之樹脂組合物。包含含有基質樹脂與導電性材料之樹脂組合物的構件之體積電阻率典型而言較佳為10⁷ Ω・cm以下，更佳為10⁶ Ω・cm以下，進而較佳為10⁴ Ω・cm以下，進而更佳為10³ Ω・cm以下，尤佳為10² Ω・cm以下。構件之體積電阻率之下限並無特別限定，例如超過0 Ω・cm，亦可超過10 Ω・cm。作為無機材料，例如可使用金屬粉、或金屬纖維。作為金屬粉，例如較佳為藉由霧化法所製造之平均粒徑100 μm以下、較佳為平均粒徑50 μm以下之金屬微粉末。作為金屬纖維，較佳為以銀奈米線等為代表之金屬奈米纖維材料。金屬奈米線之纖維直徑例如較佳為200 nm以下，更佳為10~100 nm。金屬奈米線之纖維長度較佳為5~100 μm，更佳為10~50 μm。其中，根據與構件接觸之絕緣性材料之種類，有需要避免金屬向絕緣性材料溶出、或附著於絕緣性材料之情形。典型而言，於絕緣性材料為半導體製品製造用之有機溶劑或超純水、雙氧水之情形時，需要避免金屬向有機溶劑或超純水、雙氧水中溶出。因此，絕緣性材料較佳為不含金屬、或金屬化合物之材料。又，作為無機材料，導電性之碳材料亦佳。再者，碳材料之中，亦存在包含少量有機基者，但對於主骨架不含有機基之碳材料，本說明書中記載為無機材料。作為該碳材料，可列舉：碳黑、碳纖維、石墨、或碳奈米材料。碳材料之中，就容易藉由少量使用而將構件之體積電阻值降低至所需程度，或幾乎不含金屬，不易使金屬溶出或附著於絕緣性物質之方面而言，較佳為奈米碳材料。作為奈米碳材料，較佳為選自由奈米碳管、碳奈米角、石墨烯、奈米石墨、富勒烯、及碳奈米線圈所組成之群中之1種以上。該等之中，就容易獲取、或不易自構件表面脫落之方面而言，較佳為奈米碳管。奈米碳管可為多層奈米碳管，亦可為單層奈米碳管。奈米碳管之短徑(纖維直徑)並無特別限定，較佳為1~50 nm，更佳為3~30 nm，尤佳為5~20 nm。作為奈米碳管之長徑，例如可列舉：5 nm~10 μm、或7 nm~5 μm、或10 nm~1 μm。奈米碳管例如可為具有100~1000 μm左右、較佳為150~600 μm、或200~500 μm之纖維長度之纖維狀。作為有機材料，例如可使用導電性之高分子材料。於使用高分子材料作為導電性材料之情形時，使用基質樹脂為海成分且導電性之高分子材料為島成分之海島結構之樹脂組合物作為構件之材料。關於可用作構件之樹脂組合物中之導電性材料之含量，只要不會妨礙本發明之目的，則無特別限定。樹脂組合物中之導電性材料之含量較佳為20質量%以下、10質量%以下、5質量%以下、3質量%以下、2質量%以下、1質量%以下、0.7質量%以下、及0.5質量%以下。就抑制導電性材料向如半導體製品製造用之藥液之流動性之絕緣性物質中脫落之觀點而言，導電性材料之含量越少越好。關於樹脂組合物中之導電性材料之含量之下限，只要可獲得所需之性能之構件，則無特別限定。關於含量之下限，就構件之體積電阻率充分低之方面而言，例如較佳為0.01質量%，更佳為0.03質量%，尤佳為0.05質量%。＜基質樹脂＞基質樹脂於構件中，因與流動之絕緣性物質之接觸而發揮出保護具備構件之物品之功能。基質樹脂可為熱塑性樹脂，亦可為硬化性樹脂。關於硬化性樹脂，只要為硬化性化合物之硬化物，則無特別限定。使硬化性化合物硬化之方法可為熱硬化亦可為光硬化。基質樹脂可為2種以上之樹脂之混合物(聚合物合金)。關於基質樹脂之拉伸強度，就構件之強度之觀點而言，較佳為12.5 MPa以上，較佳為14.5 MPa以上。又，基質樹脂之拉伸伸長率較佳為200%以上，更佳為250%以上。該等值係依據ASTM(American Society for Testing Materials，美國材料試驗協會)D638所測得之值。作為熱塑性樹脂，可列舉：聚醯胺樹脂(尼龍樹脂)、聚酯樹脂(聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、及聚萘二甲酸乙二酯樹脂等)、聚碳酸酯樹脂、聚苯醚樹脂、聚伸芳基硫醚樹脂、聚醚醚酮樹脂、液晶聚合物、氟樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、及熱塑性聚醯亞胺樹脂等。作為硬化性樹脂，可列舉：酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯、環氧樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、聚矽氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、丙烯酸系單體之硬化物等。再者，於基質樹脂為硬化性化合物之硬化物之情形時，基質樹脂通常係對包含硬化性化合物與硬化劑或光聚合起始劑之組合物進行加熱或曝光而形成。因此，於基質樹脂為硬化性化合物之情形時，有未反應之硬化劑或光聚合起始劑等溶出至絕緣性物質中之情形。又，關於硬化性樹脂，多數情況下硬化物缺乏可撓性，亦有不易進行使用包含導電性物質之構件之施工或加工之情形。就此種方面而言，作為基質樹脂，與硬化性之樹脂相比，較佳為熱塑性樹脂。以上所說明之基質樹脂之中，就具備耐化學藥品性、耐溶劑性、拉伸強度等機械特性、潤滑性等各種優異性質之方面而言，較佳為氟樹脂。作為氟樹脂，可列舉：PTFE(聚四氟乙烯樹脂)、改性PTFE(利用1-全氟烷氧基-1,2,2-三氟乙烯進行改性之聚四氟乙烯樹脂)、PFA(四氟乙烯與1-全氟烷氧基-1,2,2-三氟乙烯之共聚物)、FEP(四氟乙烯與六氟丙烯之共聚物)、ETFE(四氟乙烯與乙烯之共聚物)、PCTFE(聚氯三氟乙烯樹脂)、及PVdF(聚偏二氟乙烯樹脂)。該等氟樹脂之中，就耐熱性、耐化學品性、潤滑性、電特性等方面而言，較佳為PTFE、改性PTFE及PFA，更佳為改性PTFE。作為以上所說明之構件，較佳為如下構件，其係於使半導體製品製造用之藥液流動時與藥液接觸者，並且包含含有基質樹脂、與分散於基質樹脂中之導電性材料之樹脂組合物，基質樹脂為氟樹脂，導電性材料為奈米碳材料，樹脂組合物中之導電性材料之含量為1質量%以下，上述構件之體積電阻率未達10⁶ Ω・cm，於藉由吹送300℃以上之熱風，使包含四氟乙烯與1-全氟烷氧基-1,2,2-三氟乙烯之共聚物(PFA)之焊接材熔融而進行構件之焊接之情形時，能夠以50 mm/min以上且300 mm/min以下之焊接速度進行焊接。於本案說明書中，以下將包含氟樹脂與奈米碳材料且顯示出上述特定之特性之構件記載為「導電性氟樹脂構件」。於基質樹脂為氟樹脂之情形時，由於缺乏氟樹脂與導電性材料之親和性，故而於使構件與半導體製品製造用之藥液接觸時，導電性材料容易自基質樹脂脫落。但是，於使用奈米碳材料作為導電材料，樹脂組合物中之導電性材料之含量為1質量%以下之情形時，構件可達成所需之導電性(低體積電阻率)，並且抑制導電材料自包含氟樹脂之基質脫落。又，對於構件亦有於進行構件彼此之接合之情形時等，要求能夠應用利用焊接之接合之情形。就該方面而言，若向基質材料中添加導電性材料，則多數情況下構件之導熱性會變得過高。於該情形時，由於施加於材料之熱容易逸散，故而難以進行構件之良好之焊接。另一方面，上述導電性氟樹脂構件於藉由吹送300℃以上之熱風，使包含PFA之焊接材熔融而進行構件之焊接之情形時，能夠以50 mm/min以上且300 mm/min以下之焊接速度進行焊接。此處，所謂能夠進行焊接係指於固持所焊接之接合體之接合部位以外之部位之情形時，因所焊接之構件之自重，接合體不會因焊接面之剝離而分離。作為焊接後之狀態，較佳為於焊接之面之間未觀察到脫落或隆起。再者，上述構件之用途並不僅限定於需要焊接之用途。又，上文說明了使用PFA作為焊接材之情形，但於上述記載中，僅僅是為了方便起見而特定地使用PFA作為用以確認於吹送300℃以上之熱風而進行焊接之情形時是否能夠以上述特定之焊接速度對構件進行焊接之試驗條件之一。因此，對上述構件進行焊接之情形時所使用之焊接材之材質並不限定於PFA。於對導電性氟樹脂構件進行焊接之情形時，例如可將單一之構件所具有之複數個面之間加以焊接，亦可將2個以上之複數個構件彼此焊接。作為將單一之構件所具有之複數個面之間加以焊接之情形之具體例，可列舉：將片狀之單一之構件於捲曲成圓筒狀之狀態下對接縫進行焊接之情形等。對於導電性氟樹脂構件之焊接條件只要能夠焊接為所需之狀態，則無特別限定。熱風溫度之下限為300℃以上，就加快焊接速度且容易牢固地進行焊接之方面而言，較佳為400℃以上，更佳為500℃以上。熱風溫度之上限根據導電性氟樹脂構件所包含之材料之種類或組成而有所不同，於焊接時導電性氟樹脂構件不會發生不期望程度之變形之範圍內自行決定。就焊接作業之安全性、或減少焊接作業中所耗費之能量之觀點而言，熱風溫度亦較佳為300℃以上且500℃以下之範圍、或300℃以上且400℃以下之範圍。若熱風溫度為300℃以上，則通常焊接材會充分地軟化或熔融，故而可良好地進行焊接。作為焊接速度，就可更牢固地進行焊接之方面而言，較佳為50 mm/min以上且400 mm/min以下，更佳為100 mm/min以上且300 mm/min以下。又，就焊接作業之效率之方面而言，較佳為200 mm/min以上且500 mm/min以下，更佳為300 mm/min以上且500 mm/min以下。＜樹脂組合物之製備方法＞製備含有以上所說明之基質樹脂與導電性材料之樹脂組合物之方法只要為可均勻地混合兩者之方法，則無特別限定。以下對樹脂組合物之製備方法之適宜之具體例進行說明。於基質樹脂為熱塑性樹脂之情形時，可藉由使用單軸擠出機或雙軸擠出機等之通常之熔融混練法，將基質樹脂與導電性材料加以混合，而製造於基質樹脂中分散有導電性材料之樹脂組合物。又，於基質樹脂雖然顯示出熱塑性，但因熔融黏度等問題而難以進行熔融加工之情形時，可於將基質樹脂之粉體與導電性材料之粉體均勻地混合後，將所獲得之混合物壓縮成形，繼而對壓縮成形物進行焙燒而獲得樹脂組合物。於基質樹脂可溶於溶劑之情形時，可藉由以下之方法而製造於基質樹脂中分散有導電性材料之樹脂組合物。首先，製備使導電性材料分散於基質樹脂之有機溶劑溶液中之分散液。於藉由塗佈、澆鑄成型等方法將所獲得之分散液成形為所需形狀後，藉由加熱或減壓等方法而去除有機溶劑，藉此可獲得於基質樹脂中分散有導電性材料之樹脂組合物。又，於不會因導電性材料而妨礙聚合反應之情形時，可於特定量之導電性材料之存在下進行聚合反應，而製造於基質樹脂中分散有導電性材料之樹脂組合物。於基質樹脂為硬化性樹脂之情形時，於混合硬化性化合物、導電性材料、及視需要之硬化劑或光聚合起始劑而製備前驅物組合物後，將所獲得之前驅物組合物成形為所需之形狀，繼而藉由加熱、或曝光等方法使前驅物組合物硬化，藉此可製造於基質樹脂中分散有導電性材料之樹脂組合物。藉由將以上所說明之包含樹脂組合物之構件應用於各種物品中之與流動性之絕緣性材料接觸之部分，抑制靜電之蓄積，而抑制於物品之表面之構件之絕緣破壞。 ≪成形品≫ 以上所說明之構件可以僅包含該構件之成形品之形態適宜地使用。該成形品於使半導體製品製造用之藥液流動時，可適宜地用於與藥液接觸之用途。作為構件，較佳為上述導電性氟樹脂構件。作為該成形品之具體例，可列舉：連結管、管末端接合器、及墊圈等。連結管係用以連接2個配管之間、配管與裝置之間、2個裝置間之間等，或藉由連結2個以上之連結管而與配管同樣地使用。連結管可為筆直之管，亦可為彎曲為圓弧狀、大致直角狀、S形等之管。又，連結管亦可為具有Y字形、十字形等分支之管。連結管之剖面形狀並無特別限定。連結管之剖面形狀通常為圓形，亦可為正方形或長方形等四角形、或正六角形或正八角形等多角形。於連結管之至少1個端部，嵌合用之凸部可與管本體一體地形成。於嵌合用之凸部，以流體能夠自由地自連結管之一端朝向另一端流通之方式設置與管本體之內部之空間連通之孔(空腔)。作為連結管之具體態樣，可列舉：兩端具有嵌合用之凸部之連結管、僅於一端部具有嵌合用之凸部之連結管、及兩端不具有嵌合用之凸部之連結管。嵌合用之凸部係嵌入至其他連結管之未形成嵌合用之凸部之端部之開口中。藉此將2個連結管彼此連結。於該情形時，較佳為嵌合用之凸部構成為略大於與供該凸部嵌入之連結管之端部之開口。於該情形時，藉由外力將連結管所具備之嵌合用之凸部壓入至其他連結管之端部之開口，藉此連結管彼此牢固地結合。又，亦較佳為於嵌合用之凸部設置螺紋，且於供該凸部嵌入之連結管之端部之開口內設置與嵌合用之凸部之螺紋之形狀對應之形狀之螺紋。藉此，可將具有螺紋之嵌合用之凸部旋入至其他連結管之具有螺紋之端部之開口中。管末端接合器係安裝於配管之具有開口之末端之零件。於流動性之絕緣性材自配管料噴出之情形時，於配管之末端之開口部附近尤其容易產生靜電。但是，若將管末端接合器裝入至配管之末端，則良好地去除於配管之末端產生之靜電。管末端接合器之形狀並無特別限定，係根據供安裝管末端接合器之配管之端部之形狀而適當地設計。例如，於配管為圓筒狀之情形時，典型而言管末端接合器之形狀係具有略大於配管外徑之外徑、與配管內徑同等之內徑、或略小於配管內徑之內徑的環狀之形狀。管末端接合器可藉由利用外力以物理方式嵌入而安裝至配管之端部。於該情形時，於管末端接合器之與配管之端部接觸之面設置略窄於配管之端部之壁厚之寬度之環狀之槽。藉由將配管之端部壓入至該槽中，管末端接合器被固定於配管之端部。又，可於管末端接合器與配管之端部設置螺紋後，將管末端接合器旋入至配管之端部。進而，管末端接合器可利用接著劑而固定於配管之端部。於配管為樹脂材料之情形時，配管之端部與管末端接合器可藉由焊接等方法進行熔接。關於墊圈，典型而言係夾入至配管或槽所具備之凸緣間而使用之環狀之片材。關於墊圈，本領域從業者多數情況下稱為「襯墊」、「墊片」等。墊圈之形狀、尺寸等並無特別限定，係根據供配置墊圈之配管等之接合面之形狀、尺寸而適當設定。例如，配管端部之凸緣之形狀等係由JIS等標準所規定。 ≪複合成形品≫ 作為包含上述構件之成形品，亦可較佳地使用如下複合成形品，其具備：導電部，其包含上述構件；及焊接部，其包含不含導電性材料之熱塑性樹脂、或熱塑性樹脂組合物。包含導電性材料之上述構件由於包含導電性材料，即便能夠進行焊接，與不含導電性材料之熱塑性樹脂、或熱塑性樹脂組合物相比，亦有焊接之容易性、或焊接後之接合部之強度略差之情形。但是，上述複合成形品由於具備包含不含導電性材料之熱塑性樹脂、或熱塑性樹脂組合物之焊接部，故而藉由對焊接部實施焊接，可容易且牢固地將焊接部彼此接合。此處，作為構件，較佳為上述導電性氟樹脂構件。作為複合成形品之具體例，可列舉：於至少1個端部，端部與端部之附近之部分為焊接部，且焊接部以外之部分為導電部之管。於作為複合成形品之管中，較佳為於所有端部，端部與端部之附近之部分為焊接部。該管可為筆直之管(直管)，亦可為彎曲為圓弧狀、大致直角狀、S形等之管。又，該管亦可為具有Y字形、十字形等分支之管。該管之剖面形狀並無特別限定。管之剖面形狀通常為圓形，亦可為正方形或長方形等四角形、或正六角形或正八角形等多角形。作為此種管之較佳之具體例，可列舉：為具有2個開口端之線狀之管，且於2個端部，端部與端部之附近之部分為焊接部，2個焊接部間為導電部之管。此種線狀之管較佳為直管(直線狀之管)、或彎曲為大致直角之管(所謂肘形管)。以上所說明之管典型而言可藉由將焊接部彼此焊接，與其他管接合而使用。作為複合成形品之其他之較佳例，可列舉嵌入至朝向槽之外部突出之管狀之噴嘴內而使用之噴嘴襯套。關於噴嘴襯套之形狀，大致而言係於兩端具有開口之直管之一端部一體地形成有環狀之片材的形狀。環狀之片材係於環狀之片材所具有之開口與直管之端部之開口之位置一致之狀態下與直管進行一體化。此處，直管之內徑與環狀之片材之開口徑大致同等。關於該噴嘴襯套，典型而言於直管之未與環狀之片材接觸之側之端部及端部之附近與環狀之片材之外緣部設置焊接部，且於焊接部以外之部分設置導電部。此種噴嘴襯套之製造方法並無特別限定。例如，噴嘴襯套可藉由使兩端具有焊接部且兩端之焊接部間具有導電部之直管之一端部於加熱下擴大、變形而製造。此種噴嘴襯套係於朝向槽之外部突出之管狀之噴嘴內，於自槽之內側插入之狀態下，於使設置於環狀之片材之外緣部之焊接部與設置於槽內之襯裡材料焊接之狀態下使用。藉由將此種噴嘴襯套安裝於槽中，於自噴嘴噴出流動性之絕緣性物質時，可良好地去除於噴嘴襯套之內表面產生之靜電。作為複合成形品之進而其他較佳例，可列舉具有導電部與焊接部之片材。該片材藉由具備導電部而具有去靜電性能。此種片材典型而言可較佳地用作下述加襯用之片材。關於該片材，就容易進行利用焊接之接合之方面而言，較佳為片材之外緣部之至少一部分包含焊接部，且焊接部以外之部分包含導電部。又，作為複合成形品之片材較佳為片材之整個外緣部包含焊接部，且焊接部以外之部分包含導電部。再者，導電部於片材之主面可分割成2個以上之複數個部分而設置。 ≪加襯用之片材≫ 以上所說明之構件可適宜地用作用以對配管、及槽等之內部加襯之片材之材料。關於片材，可整體包含上述構件(較佳為上述導電性氟樹脂構件)，亦可一部分包含上述構件。作為片材所使用之構件，較佳為上述導電性氟樹脂構件。於片材之一部分包含上述構件之情形時，作為該片材，與對複合成形品進行說明之具備導電部與焊接部之片材相同。於使用加襯用之片材對配管、及槽等內部進行加襯之情形時，亦較佳為於藉由CAE(Computer Aided Engineering，電腦輔助工程)分析等方法而特定出配管內或槽內之容易產生流動性之絕緣性材料(尤其是半導體製品製造用之藥液)之亂流之部位、或流動性材料之流速較快之部位後，利用上述構件、較佳為上述導電性氟樹脂構件僅構成襯裡材料中之該等部位。其原因在於，於容易產生亂流之部位、或流速較快之部位容易產生靜電。以上述方式，利用包含導電性材料之構件僅構成容易產生靜電之部位，藉此可抑制加襯之成本。片材之形狀可為平面狀，亦可為配合配管或層之形狀之曲面狀。該片材係貼附於配管內表面、或槽內，而用作用以保護雜質自配管或槽溶出、或配管或槽本身之襯裡材料。再者，於加襯之施工時，有於複數個片材間產生接縫之情形。於該情形時，於使包含易熔融性之樹脂之棒、或短條狀之片材與接縫接觸後，藉由加熱使棒或片材熔融而填平接縫。可使用以填平接縫之棒或片材中亦含有上述導電性材料。就容易進行片材間之利用焊接之接合之方面而言，襯裡較佳為使用如下加襯用之片材，其包含：導電部，其包含上述構件(較佳為上述導電性氟樹脂構件)之導電部；及焊接部，其不含導電性材料之熱塑性樹脂、或熱塑性樹脂組合物，且外緣部之至少一部分為焊接部。於使用該片材之情形時，可將片材所具有之焊接部彼此容易且牢固地接合，結果容易進行加襯之作業。關於片材之厚度，於不會妨礙本發明之目的之範圍內並無特別限定，片材之厚度典型而言較佳為0.5~50 mm，更佳為1.0~6.0 mm，進而較佳為2.0~3.0 mm。又，至少包含含有上述構件之層之積層體亦可適宜地用作加襯用之片材。作為適宜之積層體之例，可列舉：具備包含上述構件之層作為下層，且具備不含導電性材料之樹脂層作為上層之積層片材；或具備包含上述構件之層作為中間層，且具備不含導電性材料之樹脂層作為上層及下層之積層片材。作為不含導電性材料之樹脂層之較佳之材料，可列舉與上述基質樹脂相同之材料。若與絕緣性物質接觸之表面為不含導電性材料之樹脂層，則可防止因導電性材料之脫落所引起之導電性材料向絕緣性物質之混入。另一方面，若於下層、或中間層存在包含上述構件之層，則即便於積層片材之與絕緣性物質接觸之面產生絕緣破壞，亦由於在包含上述構件之層中不易產生絕緣破壞，故而不易產生如貫通積層片材之缺陷。於使用利用以上所說明之片材進行加襯之配管、或槽，對液體、氣體、或粉粒體之絕緣性物質進行流通、攪拌、或貯存之情形時，可顯著地抑制配管、或槽之內表面之襯裡中之絕緣破壞之產生。 ≪流通機構≫ 流通機構係使液體、氣體、或粉粒體之絕緣性物質流通者。於該流通機構中，與絕緣性物質接觸之面之至少一部分包含上述構件。尤佳為絕緣性物質為使半導體製品製造用之藥液流通之流通機構，且上述構件為導電性氟樹脂構件。流通機構只要能夠使流動性之絕緣性物質移動，則無特別限定。作為流通機構之典型例，典型而言可列舉具備配管與泵、鼓風機、或吸引裝置的流動性材料之輸送裝置。作為其他具體例，可列舉螺旋輸送機或斗式輸送機等。又，使流動性材料自高處向低處掉落之配管、斜槽等亦包含於流通機構中。於絕緣性物質為半導體製品製造用之藥液之情形時，典型而言流通機構具備配管與泵。作為流通機構之具體例，可列舉：用以向半導體基板、加工中之半導體基板、或半導體製品等，基於加工、及洗淨等目的而供給半導體製品製造用之藥液之供給系統；化學反應裝置、冷藏裝置、冷凍裝置、及空調裝置等中之冷媒或熱媒之循環系統；使用熱交換器之流動性材料之加熱或冷卻系統、或用以向化學反應裝置供給作為反應試劑或溶劑之流動性材料之供給系統；為了將流動性材料分開包裝，自流動性材料之貯槽向分注裝置供給流動性材料之供給系統；將貯槽中所貯存之流動性材料供給至貯槽內之供給系統；自汽油、輕油等油類之貯槽向汽車之燃料槽供給油類之加油站中之給油系統；及基於洗淨等目的而向半導體之製造裝置供給有機溶劑之供給系統等。於上述流通機構中，較佳為配管之內部之至少一部分、較佳為整個面包含上述構件。更佳為配管之整個內部利用包含上述構件之片材加襯。又，較佳為泵之與流動性材料接觸之部分之表面亦包含上述構件。泵之種類並無特別限定，可列舉：活塞泵、柱塞泵、隔膜泵、齒輪泵、葉輪泵、及螺桿泵等。於上述各種泵中，較佳為至少外殼之與流動性材料接觸之面係由上述構件所構成。又，於泵內，應用上述構件之零件並無特別限定，係根據泵之種類而適當選擇。例如，較佳為由上述構件構成活塞泵內之活塞、柱塞泵內之柱塞、隔膜泵內之隔膜、齒輪泵內之齒輪、葉輪泵內之葉片、螺桿泵內之螺桿等之表面。於固定構成泵之零件之螺栓、螺母、螺桿等之表面與絕緣性物質接觸之情形時，亦可使用上述構件形成該等之表面。又，該等泵之零件只要於流動性材料之移送時不會產生破損，則亦可利用上述構件構成整體。於流通機構為螺旋輸送機或斗式輸送機之情形時，螺桿之表面或鏟斗之表面係由上述構件所構成。再者，只要不會產生因材料之移送所引起之破損，則亦可利用上述材料構成整個螺桿、或整個鏟斗。 ≪槽≫ 槽係對液體、氣體、或粉粒體之絕緣性物質進行貯存、或攪拌者。於該層中，與絕緣性物質接觸之面之至少一部分包含上述構件。上述槽典型而言為貯槽、或攪拌槽。攪拌槽之典型例為反應槽(反應器)。再者，關於用以貯存絕緣性之液體之貯槽，於下文更詳細地加以說明。 (貯槽) 作為貯存絕緣性物質之貯槽，可列舉用以貯存有機溶劑或超純水或雙氧水或氣體之罐、瓶。又，作為貯存粉粒體之貯槽，例如可列舉貯存飼料之儲倉等。該等貯槽可於貯槽之任意部位具備用以排出所貯存之絕緣性物質之閥。於上述貯槽中，較佳為貯槽本體之內表面之至少一部分、較佳為整個面包含上述構件。更佳為利用包含上述構件之片材對貯槽之整個內表面進行加襯。又，較佳為絕緣性物質為使半導體製品製造用之藥液流通之流通機構，且襯裡所使用之片材之構件為導電性氟樹脂構件。又，亦較佳為上述閥之內部、或貯槽與閥之間之管內部包含上述構件。閥之種類並無特別限定。作為閥之具體例，例如可列舉：閘閥、球形閥、球閥、針閥、蝶形閥、及活塞閥。關於該等閥，較佳為使用上述構件而形成閥內之流路、或襯墊、圓盤(disk(閥體))、支持圓盤之桿(閥桿)、活塞等之表面。於固定構成閥之零件之螺栓、螺母、螺桿等之表面與絕緣性物質接觸之情形時，可使用上述構件而形成該等之表面。例如關於襯墊、圓盤、活塞、螺栓、螺母、螺桿等，可使用上述構件而形成整體。又，於閥之尺寸較小之情形時、或不對閥施加過度之壓力之情形時等可使用上述構件形成整個閥本體(主體)。 (攪拌槽) 作為攪拌絕緣性物質之槽，只要為具備攪拌功能之攪拌槽，則無特別限定。作為攪拌槽之典型例，可列舉：所謂反應槽(反應器)、或粉體混合裝置。攪拌通常係使用攪拌葉、或螺桿而進行。又，亦可為如下之槽：藉由進行將自槽之至少一處排出之絕緣性物質自槽之至少一處送回槽內之循環操作，不使用攪拌葉等攪拌裝置而攪拌絕緣性物質。作為與絕緣性物質接觸之面，可列舉：槽本體之內表面、設置於槽本體內部之隔板之表面、攪拌葉之表面、支持攪拌葉之軸之表面、用以使熱媒或冷媒循環之線圈之內表面或外表面、用以保持熱電偶等溫度感測器之密封管之表面、用以將氣體或液體供於槽內之滴加管之內表面或外表面等。再者，槽並非必須具備上述攪拌葉、軸、線圈、密封管、滴加管等。又，攪拌槽可具備用以自槽內排出於槽內部經攪拌之絕緣性物質之閥。該閥通常設置於槽之底部、或底部附近。關於閥之種類等，如上文對貯槽所說明。再者，於槽之尺寸較小之情形時，可使用上述構件而形成用以使熱媒或冷媒循環之線圈、用以保持熱電偶等溫度感測器之密封管、及滴加管等之整體。 ≪具備流通機構、及槽之至少一者之裝置≫ 具備上述流通機構、及槽之至少一者之裝置由於利用不易引起絕緣破壞之耐久性優異之構件進行加襯，故而適宜地用於各種目的。又，於襯裡之至少一部分包含上述導電性氟樹脂構件之情形時，可同時實現利用低電阻良好地抑制絕緣破壞、及抑制構件自奈米碳材料之脫落。作為該裝置，例如可列舉：用以製造各種化學製品之化學設備、用以分開包裝流動性之絕緣材料之包裝設備、具備冷媒之循環裝置之空調裝置、冷藏裝置及冷凍裝置、使流動性材料於內部流通而進行加熱或冷卻之熱交換器、基於洗淨等目的而具備供給有機溶劑或超純水或雙氧水之裝置之各種電子零件、半導體裝置等製造裝置。 ≪貯存絕緣性之液體之貯槽≫ 以下，參照圖1對貯存絕緣性之液體之貯槽之較佳之態樣進行說明。圖1係模式性地表示貯槽之剖面之圖。該貯槽10具備槽本體1、凹坑2、及插入至上述槽本體中之滴加管3。凹坑2係配置於槽本體1之內側。滴加管3中，滴加管3之一端係以位於接近凹坑2所具備之開口部之方式配置。因此，凹坑2通常設置於槽本體1之底部側。即，圖1所示之態樣之貯槽10中，通常凹坑2係以位於接近地表面之側之方式設置。凹坑2係將自滴加管3之端部吸入或噴出之絕緣性之液體整流。並且，選自槽本體1、凹坑2、及滴加管3之至少一者之與絕緣性之液體接觸之表面之至少一部分係由上述構件所構成。此處，作為絕緣性之液體，較佳為半導體製品製造用之藥液。於滴加管3之端部吸入或噴出絕緣性之液體時之絕緣性之液體之流動容易劇烈地產生、蓄積靜電，故而較佳為至少凹坑2之表面之至少一部分包含上述構件。凹坑2可為底部包含導電部，且其他部分包含焊接部之複合成形品。凹坑2之底部始終與絕緣性之液體接觸，但若凹坑2之底部為導電部，則可良好地去除因凹坑2與絕緣性之液體之接觸而產生之靜電。作為構成選自槽本體1、凹坑2、及滴加管3中之至少一者之與絕緣性之液體接觸之表面之構件，就對於絕緣性之液體之耐久性優異，並且尤其容易抑制絕緣破壞之方面而言，較佳為包含含有氟樹脂與奈米碳管之樹脂組合物之構件。滴加管3係與軟管4或配管(未圖示)連接。於軟管3之端部設置接頭5，藉由將接頭5與有機溶劑等絕緣性液體之輸送車(未圖示)、或泵(未圖示)等連接，而進行自貯槽10之給液、或向貯槽10之給液。較佳為軟管4或接頭5之接液面亦包含上述構件。作為貯存於貯槽10中之絕緣性之液體，較佳為有機溶劑或超純水或雙氧水。又，作為有機溶劑，就防止因貯槽10內之襯裡之絕緣破壞所引起之金屬等雜質之溶出之方面而言，較佳為半導體製品製造用之有機溶劑。關於以上所說明之貯槽10中所貯存之有機溶劑或超純水或雙氧水，金屬等雜質之溶出之風險極低。因此，若使用貯槽10中所貯存之有機溶劑或超純水或雙氧水，則可抑制因雜質引起之不良品之產生等，且製造良好之品質之半導體製品。作為半導體製品之製造中所使用之有機溶劑之適宜之具體例，可列舉：甲醇、乙醇、異丙醇、正丙醇、正丁醇、異丁醇、正戊醇、正己醇等烷醇類；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、三丙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等二醇類；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇正丙醚、乙二醇單正丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單正丙醚、二乙二醇單正丁醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單正丙醚、丙二醇單正丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單正丙醚、二丙二醇單正丁醚、三丙二醇單甲醚、三丙二醇單乙醚等(聚)伸烷基二醇單烷基醚類；乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯等(聚)伸烷基二醇單烷基醚乙酸酯類；二乙二醇二甲醚、二乙二醇甲基乙醚、二乙二醇二乙醚、四氫呋喃等其他醚類；丙酮、甲基乙基酮、環己酮、2-庚酮、3-庚酮等酮類；2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯等乳酸烷基酯類；2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、乙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、丙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、甲酸正戊酯、乙酸異戊酯、丙酸正丁酯、丁酸乙酯、丁酸正丙酯、丁酸異丙酯、丁酸正丁酯、乳酸乙酯、乳酸正丙酯、乳酸異丙酯、乳酸正丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸正丙酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、2-側氧丁酸乙酯等其他酯類；甲苯、二甲苯等芳香族烴類；N-甲基吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺類等。該等有機溶劑可單獨使用或組合2種以上而使用。 [實施例] 以下，揭示實施例更具體地說明本發明，但本發明之範圍並不限定於該等實施例。 [實施例1] ・電阻率測定試片製作方法與測定方法將對PTFE(聚四氟乙烯)混合有0.05質量%之奈米碳管(CNT)的粉末500 g均勻地填充至直徑為150 mm之具有下蓋之模具中並蓋上上蓋。將該模具設置於加壓成形機，於常溫下以19.6 MPa之壓力推壓上蓋而進行壓縮成形。自該模具中取出壓縮成形品，於熱風循環式焙燒爐內以380℃焙燒5小時。對所獲得之焙燒成形品進行切削加工，而製作厚度2.4 mm之圓板狀之成形品。使用電阻測定裝置，藉由依據JIS K 6911之方法測定所獲得之試片之表面電阻率與體積電阻率，而獲得表1之資料。 [比較例1] 將PTFE(聚四氟乙烯)之粉末500 g均勻地填充至直徑為150 mm之具有下蓋之模具中並蓋上上蓋。將該模具設置於加壓成形機，於常溫下以19.6 MPa之壓力推壓上蓋而進行壓縮成形。自該模具中取出壓縮成形品，於熱風循環式焙燒爐內以380℃焙燒5小時。對所獲得之焙燒成形品進行切削加工，而製作厚度2.4 mm之圓板狀之成形品。使用電阻測定裝置，藉由依據JIS K 6911之方法測定所獲得之試片之表面電阻率與體積電阻率，而獲得表1之資料。 [表1] 根據實施例1與比較例1之比較可知，實施例1之構件之表面電阻率、及體積電阻率顯著低於比較例1之構件之體積電阻率。根據該結果可知，於實施例1之構件中不易蓄積靜電，而不易產生絕緣破壞。 [溶出試驗] 依據以下之方法，對實施例1之構件、比較例1之構件進行金屬之溶出試驗。 (實施例1) 將實施例1中所製備之成形品加工為長度30 mm寬度10 mm厚度2.4 mm之試片，將其於清潔台內利用0.1N硝酸(EL(Electronic，電子)級)洗淨後，利用超純水進行洗淨並使之風乾。將該試片與EL級之IPA(異丙醇)250 g加入至PFA製之潔淨瓶中並密封，於室溫下浸漬7天。於利用0.1N硝酸(EL級)與超純水加以洗淨後之鉑皿上，使浸漬後之IPA蒸發，其後利用0.1N硝酸(EL級)進行萃取，將測定樣品採集至測定專用容器中。至樣品採集為止之作業均於清潔台內進行，以防止來自環境之污染。利用ICP-MS(電感耦合電漿質譜分析計)，對測定樣品計測主要之微量金屬質量，並換算成浸漬液中之濃度，而獲得表2中所記載之資料。 (比較例1) 與實施例1同樣地，將比較例1中所製備之成形品加工為長度30 mm寬度10 mm厚度2.4 mm之試片，將其於清潔台內利用0.1N硝酸(EL級)洗淨後，利用超純水進行洗淨並使之風乾。將該試片與IPA(EL級)250 g加入至PFA製之潔淨瓶中並密封，於室溫下浸漬7天。於利用0.1N硝酸(EL級)與超純水加以洗淨後之鉑皿上，使浸漬後之IPA蒸發，其後利用0.1N硝酸(EL級)進行萃取，將測定樣品採集至測定專用容器中。至樣品採集為止之作業均於清潔台內進行，以防止來自環境之污染。利用ICP-MS(電感耦合電漿質譜分析計)，對測定樣品計測主要之微量金屬質量，並換算成浸漬液中之濃度，而獲得表2中所記載之資料。 (空白樣品) 於清潔台內使IPA(EL級)250 g於利用0.1N硝酸(EL級)與超純水洗淨後之鉑皿上蒸發，利用0.1N硝酸(EL級)進行萃取，利用ICP-MS(電感耦合電漿質譜分析計)計測主要之微量金屬質量，並換算成液體中之濃度，而獲得表之資料。 [表2] 根據表2可知，即便對基質樹脂(PTFE)添加導電性材料(CNT)，金屬亦幾乎不向有機溶劑中溶出。 [比較例2] 將樹脂組合物中之導電性材料(CNT)之含量變更為15質量%，除此以外，與實施例1同樣地製造成形品。製作將所獲得之成形品加工為長度30 mm寬度10 mm厚度2.4 mm之試片。 [比較例3] 使用碳黑(CB)作為導電性材料，且將樹脂組合物中之導電性材料(CNT)之含量變更為15質量%，除此以外，與實施例1同樣地製造成形品。製作將所獲得之成形品加工為長度30 mm寬度10 mm厚度2.4 mm之試片。 [脫落試驗] 使用實施例1中所獲得之成形品，製作與溶出試驗中所使用之試片相同之形狀(長度30 mm寬度10 mm厚度2.4 mm)之試片。使用包含實施例1之構件之試片、包含比較例2之構件之試片及包含比較例3之構件之試片，進行脫落試驗。將試片與轉子放入至容量500 mL之清潔之玻璃容器中，注入超純水500 mL。試片係以立靠於玻璃容器之側壁之方式配置。繼而，為了促進導電性材料之脫落，利用磁攪拌器將容器中之超純水於室溫下攪拌二週。利用總有機碳計對攪拌二週後之超純水中所含之碳量進行測定，設為導電性材料(奈米碳管、或碳黑)之脫落之指標。將碳量之測定結果(TOC(Total Organic Carbon，總有機碳))記載於下表。 [表3] 根據表3可知，對於包含氟樹脂與導電性材料之樹脂組合物，藉由使樹脂組合物中之導電性材料(CNT)之含量為1質量%以下，導電性材料向與試片接觸之流體中之脫落被抑制為極低水準。另一方面，根據比較例2、及比較例3可知，樹脂組合物中之導電性材料含量為如15質量%之大量時，導電性材料向與試片接觸之流體中之脫落明顯。 [實施例2] 以下，於實施例2中，揭示片狀之複合成形品與複合成形品之焊接。首先，於模具內設置填充有PTFE(聚四氟乙烯)之粉末之區域、及填充有對PTFE之粉末混合有0.025質量%之CNT之含CNT粉末的區域，並對模具內之粉末進行壓縮成形。自模具中取出壓縮成形品，於熱風循環式焙燒爐內以380℃焙燒5小時。對所獲得之焙燒成形品進行切削加工，而獲得50 mm×50 mm×厚度2.4 mm之正方形型之片材。重複同樣之作業，而製作2片片材。片材含有僅包含PTFE之寬度20 mm之焊接部、及包含PTFE與CNT之寬度30 mm之導電部。片材中之焊接部側之端面係設為傾斜面。以焊接部之端面彼此相對向且接觸，並且由2個端面(傾斜面)形成V字型之剖面形狀之槽之方式配置所獲得之2片片材。一面向形成於焊接部之端面間之槽中吹送480℃之熱風，一面以0.3~0.5 MPa之壓力將PFA(四氟乙烯與1-全氟烷氧基-1,2,2-三氟乙烯之共聚物)製之焊接棒壓抵至槽中，並向槽內填充PFA。繼而，一面向寬度14 mm×厚度2.4 mm之PFA製之焊接被覆材(被覆片材)吹送580℃之熱風，一面以0.3~0.5 MPa之壓力進行壓抵，並以被覆片材之中心線通過2片片材之接縫上之方式藉由焊接進行密接。藉由以焊接被覆材之中心線通過2片片材之接縫上之方式使之焊接移行而進行密接。此時之焊接速度為160~200 mm/min。以2條短邊之位置為分別與2片片材之接縫相距25 mm之位置之方式自所焊接之接合體切下短邊寬度10 mm×長邊寬度50 mm之試片。針對所切下之試片，對於與2片片材之接縫垂直之方向測定拉伸強度，結果拉伸強度為30 kN/m。又，焊接被覆材於無隆起或剝離等之狀態下良好地密接於2片片材。 [實施例3] 使用對PTFE之粉末混合有0.025質量%之CNT之含CNT粉末而形成50 mm×50 mm×厚度2.4 mm之正方形型之片材整體，除此以外，以與實施例2同樣之方式藉由焊接而製作接合體。實施例3中之焊接速度為100~150 mm/min。以與實施例2同樣之方式對自接合體切下之試片測定拉伸強度，結果拉伸強度為29 kN/m。其中，對焊接被覆材之與2片片材之接縫平行之邊之附近進行觀察，結果得知於焊接被覆材與片材之間略微存在隆起及剝離。 [比較例3] 使用對PTFE之粉末混合有15質量%之CNT之含CNT粉末而形成50 mm×50 mm×厚度2.4 mm之正方形型之片材整體，除此以外，以與實施例2同樣之方式藉由焊接而製作接合體。然而，所製作之接合體係於提拉接合體之情形時容易自接合面發生分解者。

1‧‧‧槽本體

2‧‧‧凹坑

3‧‧‧滴加管

4‧‧‧軟管

5‧‧‧接頭

10‧‧‧貯槽

圖1係模式性地表示貯存絕緣性之液體之貯槽之剖面的圖。

Claims

一種構件，其係於使半導體製品製造用之藥液流動時與上述藥液接觸者，並且包含含有基質樹脂、與分散於基質樹脂中之導電性材料之樹脂組合物，上述基質樹脂為氟樹脂，上述導電性材料為奈米碳材料，上述樹脂組合物中之上述導電性材料之含量為1質量%以下，上述構件之體積電阻率為10⁶ Ω・cm以下，於藉由吹送300℃以上之熱風，使包含四氟乙烯與1-全氟烷氧基-1,2,2-三氟乙烯之共聚物之焊接材熔融而進行構件之焊接之情形時，能夠以50 mm/min以上且300 mm/min以下之焊接速度進行焊接。
如請求項1之構件，其中上述導電性材料係不含金屬或金屬化合物之材料。
如請求項1或2之構件，其中上述奈米碳材料為奈米碳管。
如請求項1或2之構件，其中上述基質樹脂之拉伸強度為12.5 MPa以上，上述基質樹脂之拉伸伸長率為200%以上。
如請求項3之構件，其中上述奈米碳管之纖維長度為100~1000 μm。
一種成形品，其包含如請求項1至5中任一項之構件，且為連結管、管末端接合器、及墊圈中之任一者。
一種複合成形品，其具備：導電部，其包含如請求項1至5中任一項之構件；及焊接部，其包含不含上述導電性材料之熱塑性樹脂、或熱塑性樹脂組合物。
一種如請求項7之複合成形品之接合方法，其包括將上述焊接部彼此進行焊接。
一種流通機構，其係使半導體製品製造用之藥液流通者，並且與上述藥液接觸之面之至少一部分包含如請求項1至5中任一項之構件。
一種槽，其係將半導體製品製造用之藥液進行貯存、或攪拌者，並且與上述藥液接觸之面之至少一部分包含如請求項1至5中任一項之構件。
一種裝置，其具備如請求項9之流通機構、及如請求項10之槽中之至少一者。
一種片材，其係包含如請求項1至5中任一項之構件，用以對配管內、或槽內加襯。
如請求項12之片材，其包含：導電部，其包含如請求項1至5中任一項之構件；及焊接部，其包含不含上述導電性材料之熱塑性樹脂、或熱塑性樹脂組合物；並且上述片材之外緣部之至少一部分為上述焊接部。
或槽，其係利用如請求項12或13之上述片材進行加襯而成。
如請求項14之配管、或槽，其係利用如請求項13之上述片材進行加襯而成，並且複數個上述片材具備藉由將上述焊接部彼此焊接而接合之襯裡層。
一種半導體製品製造用之藥液之流通、攪拌、或貯存方法，其係使用如請求項14或15之配管、或槽，將半導體製品製造用之藥液進行流通、攪拌、或貯存。
一種貯槽，其係具備槽本體、凹坑、及插入至上述槽本體中之滴加管之貯存絕緣性之液體者，並且上述凹坑係配置於上述槽本體之內側，上述插入管係以上述滴加管之一端位於接近上述凹坑所具備之開口部之方式配置，選自上述槽本體、上述凹坑、及上述滴加管之至少一者之與上述絕緣性之液體接觸之表面之至少一部分包含如請求項1至5中任一項之構件。
如請求項17之貯槽，其中上述凹坑之與上述藥液接觸之表面之至少一部分包含如請求項1至5中任一項之構件。
如請求項17或18之貯槽，其中上述構件係如請求項3之構件。
如請求項17至19中任一項之貯槽，其中上述藥液為有機溶劑。
一種半導體製品製造用之有機溶劑之貯存方法，其中於如請求項20之貯槽中貯存半導體製品製造用之有機溶劑。
一種半導體製品之製造方法，其使用藉由如請求項21之方法而貯存之上述有機溶劑。