TW201840354A - 來自半導體製程流出物的一氧化二氮之電漿減量 - Google Patents

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Abstract

本揭示的實施例大體上關於減量存在於半導體製造製程的流出物中的N2 O氣體的技術。在一個實施例中，一種方法包括將氫氣或氨氣注入電漿源中、以及激發並反應含有N2 O氣體的流出物與氫或氨氣以形成減量材料。藉由使用氫氣或氨氣，N2 O氣體的破壞與移除效率(DRE)是至少50百分比，同時實質上降低減量材料中的一氧化氮(NO)及/或二氧化氮(NO2 )的濃度，諸如最多以體積計5000百萬分率(ppm)。

Description

來自半導體製程流出物的一氧化二氮之電漿減量
本揭示的實施例大體上關於半導體處理設備的減量。更具體地，本揭示的實施例係關於減量存在於半導體製造製程的流出物中的一氧化二氮(N2 O)氣體的技術。
歸因於法規要求及環境與安全考量，在半導體製造製程期間產生的流出物包括許多在處置之前必須減量或處理的化合物。在一些半導體製造製程中，N2 O氣體用作氮氧化矽(摻雜或未摻雜)、氧化矽、低介電係數介電質、或氟矽酸鹽玻璃的化學氣相沉積(CVD)的氧源，其中N2 O氣體與其他沉積氣體一同使用，其他沉積氣體為諸如矽烷(SiH4 )、二氯矽烷(SiH2 Cl2 )、四乙氧基矽烷(TEOS)、四氟化矽(SiF4 )、及/或氨(NH3 )。N2 O氣體也用於擴散、快速熱處理及腔室處理中。在一些製程中，含鹵素的化合物(諸如全氟化的化合物(PFC))用於例如蝕刻或清洗製程中。
當前的減量技術集中於減量PFC。然而，不存在減量N2 O氣體的適當方法。因此，需要減量N2 O氣體的改良方法。
本揭示的實施例大體上關於減量存在於半導體製造製程的流出物中的N2 O氣體的技術。在一個實施例中，一種減量含有一氧化二氮氣體的流出物的方法包括使含有一氧化二氮氣體的流出物流入電漿源中、將氫氣注入電漿源中、以及激發並反應流出物與氫氣以形成減量材料，其中一氧化二氮氣體的破壞與移除效率是至少50百分比，且減量材料中的一氧化氮或二氧化氮的濃度是最多以體積計5000百萬分率。
在另一個實施例中，一種減量含有一氧化二氮氣體的流出物的方法包括使含有一氧化二氮氣體的流出物流入電漿源中、將氨氣注入電漿源中、以及激發並反應流出物與氨氣以形成減量材料，其中一氧化二氮氣體的破壞與移除效率是至少50百分比，且減量材料中的一氧化氮或二氧化氮的濃度是最多以體積計5000百萬分率。
在另一個實施例中，一種減量含有一氧化二氮氣體的流出物的方法包括：使含有一氧化二氮氣體的流出物流入電漿源中，其中一氧化二氮氣體以第一流率流動；將氣體混合物注入電漿源中，其中氣體混合物以第二流率注入，其中第二流率大於第一流率；以及激發並反應流出物與氣體混合物以形成減量材料，其中減量材料中的一氧化氮或二氧化氮的濃度是最多以體積計5000百萬分率。
本揭示的實施例大體上關於減量存在於半導體製造製程的流出物中的N2 O氣體的技術。在一個實施例中，一種方法包括將氫氣或氨氣注入電漿源中、以及激發並反應含有N2 O氣體的流出物與氫氣或氨氣以形成減量材料。藉由使用氫氣或氨氣，N2 O氣體的破壞與移除效率(DRE)是至少50百分比，同時顯著地降低減量材料中的一氧化氮(NO)及/或二氧化氮(NO2 )的濃度，諸如最多以體積計5000百萬分率(ppm)。
第1圖是真空處理系統170的示意性側視圖。真空處理系統170至少包括真空處理腔室190、真空泵196、及連接真空處理腔室190和真空泵196的前級真空管線組件193。真空處理腔室190通常經配置以執行至少一個積體電路製造製程，諸如沉積製程、蝕刻製程、電漿處理製程、預清洗製程、離子佈植製程、或其他積體電路製造製程。真空處理腔室190中執行的製程可為電漿輔助的。例如，真空處理腔室190中執行的製程可為沉積矽基材料的電漿沉積製程。前級真空管線組件193至少包括耦接至真空處理腔室190的腔室排氣口191的第一管道192、耦接至第一管道192的電漿源100、及耦接至真空泵196的第二管道194。一或多個減量試劑源114耦接至前級真空管線組件193。在一些實施例中，一或多個減量試劑源114耦接至第一管道192。在一些實施例中，一或多個減量試劑源114耦接至電漿源100。減量試劑源114將一或多個減量試劑提供至第一管道192或電漿源100中，該減量試劑可經激發以與離開真空處理腔室190的材料反應或以其他方式輔助將離開真空處理腔室190的材料轉化為環境上及/或處理設備上更友善的組成物。在一些實施例中，一或多個減量試劑包括氫氣或氨氣。視情況，淨化氣體源115可耦接至電漿源100，進而用於減少電漿源100內部的部件上的沉積。
前級真空管線組件193可進一步包括排氣冷卻設備117。排氣冷卻設備117可在電漿源100的下游耦接至電漿源100，進而用於降低離開電漿源100的排氣溫度。第二管道194可耦接至排氣冷卻設備117。
視情況，壓力調節模組182可耦接至電漿源100或第二管道194的至少一者。壓力調節模組182注入壓力調節氣體，諸如Ar、N、或其他合適的氣體，這允許更好地控制電漿源100內的壓力，且由此提供更有效率的減量效能。在一個實例中，壓力調節模組182是減量系統193的一部分。
第2圖是根據本文所述的一個實施例繪示減量來自處理腔室的含有一氧化二氮氣體的流出物的方法200的流程圖。方法200開始於區塊202，其中流出物從真空處理腔室流入電漿源中。真空處理腔室可為第1圖所示的真空處理腔室190，且流出物包括N2 O氣體。真空處理腔室可用於執行沉積製程，其中含矽氣體與N2 O氣體反應，以在真空處理腔室中設置的基板上形成氧化矽層、氮氧化矽層、低介電係數介電層、或氟矽酸鹽玻璃。含矽氣體可為矽烷、TEOS、SiF4 、或SiH2 Cl2 。在沉積製程期間使用的N2 O氣體的量可多於含矽氣體的量，導致流出物中一定量的N2 O氣體離開真空處理腔室。電漿源可為第1圖所示的電漿源100。
接下來，於區塊204，將氫氣、氨氣、或氫氣與氨氣的混合物注入電漿源中作為減量試劑。減量試劑可不含氧。在一些實施例中，將氫氣與氨氣相繼地注入電漿源中。在一個實施例中，將氫氣注入電漿源中，接著將氨氣注入電漿源中。例如，在將氨氣注入電漿源中之前，注入電漿源中的氫氣的流動可終止。在另一實例中，在開始將氨氣注入電漿源中之後，注入電漿源中的氫氣的流動可終止。在另一實施例中，將氨氣注入電漿源中，接著將氫氣注入電漿源中。氫氣或氨氣的流率高於N2 O氣體的流率。在一個實施例中，氫氣或氨氣的流率是N2 O氣體的流率的約2倍。在一個實施例中，N2 O氣體的流率從約1標準升每分鐘(slm)至約35 slm變化。氫氣或氨氣可從減量試劑源注入電漿源中，該減量試劑源為諸如第1圖所示的一或多個減量試劑源114。接下來，在電漿源中激發並反應氫氣或氨氣與流出物，以形成減量材料，如區塊206所示。
當用於減量含有N2 O氣體的流出物時，習知的減量試劑（諸如水蒸氣及氧氣）導致NO及NO2 （其等是大氣中的主要污染物）的形成。當水蒸氣或氧氣用作減量試劑時，減量材料中的NO或NO2 的濃度是高的，諸如超過以體積計10,000 ppm。
當氫氣或氨氣用作減量試劑時，N2 O氣體的DRE是高的，諸如至少50百分比，同時實質上降低減量材料中的NO或NO2 的濃度，諸如最多以體積計5000 ppm。在一個實施例中，N2 O氣體的DRE是60百分比。在一個實施例中，將從約4 kW至約6 kW變化的功率供應至電漿源，以激發流出物與氫氣或氨氣。
當減量含有N2 O氣體的流出物時，藉由採用氫氣或氨氣作為減量試劑，N2 O氣體的DRE是高的，同時實質上減少NO及NO2 的形成。
儘管以上內容涉及所揭示的裝置、方法及系統的實施例，在不脫離本揭示的基本範疇的情況下，可設計出所揭示的裝置、方法及系統的其他及進一步實施例，且本揭示的範疇由以下申請專利範圍確定。
100‧‧‧電漿源
114‧‧‧減量試劑源
115‧‧‧淨化氣體源
117‧‧‧排氣冷卻設備
170‧‧‧真空處理系統
182‧‧‧壓力調節模組
190‧‧‧真空處理腔室
191‧‧‧腔室排氣口
192‧‧‧第一管道
193‧‧‧前級真空管線組件
194‧‧‧第二管道
196‧‧‧真空泵
202、204、206‧‧‧區塊
為了能夠詳細理解本揭示的上述特徵所用方式，上文所簡要概述的本揭示的更具體描述可參考實施例進行，其中一些實施例在附圖中繪示。然而，將注意到附圖僅繪示本揭示的常見實施例且由此不被認為限制本揭示的範疇，由於本揭示可容許其他等效實施例。
第1圖是根據本文所述的一個實施例的處理系統的示意圖。
第2圖是根據本文所述的一個實施例繪示減量來自處理腔室的含有一氧化二氮氣體的流出物的方法的流程圖。
為了便於理解，儘可能地已使用相同元件符號指示圖示中共有的相同元件。此外，一個實施例的元件可有利地調整以用於本文所述的其他實施例中。
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Claims (20)

  1. 一種減量含有一氧化二氮氣體的一流出物的方法，包含： 使含有一氧化二氮氣體的該流出物流入一電漿源中；將氫氣注入該電漿源中；以及激發並反應該流出物與該氫氣以形成一減量材料，其中該一氧化二氮氣體的一破壞與移除效率是至少50百分比，且該減量材料中的一氧化氮或二氧化氮的一濃度是最多以體積計5000百萬分率。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該流出物從一處理腔室流入該電漿源中。
  3. 如請求項2所述之方法，進一步包含在該處理腔室中執行一沉積製程，其中該沉積製程包含將一含矽氣體與一氧化二氮氣體反應以形成一氧化矽層或一氮氧化矽層。
  4. 如請求項3所述之方法，其中該含矽氣體是矽烷。
  5. 如請求項1所述之方法，其中該一氧化二氮氣體以一第一流率流入該電漿源中，且該氫氣以一第二流率注入該電漿源中，其中該第二流率高於該第一流率。
  6. 如請求項5所述之方法，其中該第二流率是該第一流率的約2倍。
  7. 如請求項6所述之方法，其中該第一流率從約1標準升每分鐘至約35標準升每分鐘變化。
  8. 一種減量含有一氧化二氮氣體的一流出物的方法，包含： 使含有一氧化二氮氣體的該流出物流入一電漿源中；將氨氣注入該電漿源中；以及 激發並反應該流出物與該氨氣以形成一減量材料，其中該一氧化二氮氣體的一破壞與移除效率是至少50百分比，且該減量材料中的一氧化氮或二氧化氮的一濃度是最多5000百萬分率。
  9. 如請求項8所述之方法，其中該流出物從一處理腔室流入該電漿源中。
  10. 如請求項9所述之方法，進一步包含在該處理腔室中執行一沉積製程，其中該沉積製程包含將一含矽氣體與一氧化二氮氣體反應以形成一氧化矽層或一氮氧化矽層。
  11. 如請求項10所述之方法，其中該含矽氣體是矽烷。
  12. 如請求項8所述之方法，其中該一氧化二氮氣體以一第一流率流入該電漿源中，且該氨氣以一第二流率注入該電漿源中，其中該第二流率高於該第一流率。
  13. 如請求項12所述之方法，其中該第二流率是該第一流率的約2倍。
  14. 如請求項13所述之方法，其中該第一流率從約1標準升每分鐘至約35標準升每分鐘變化。
  15. 一種減量含有一氧化二氮氣體的一流出物的方法，包含： 使含有一氧化二氮氣體的該流出物流入一電漿源中，其中該一氧化二氮氣體以一第一流率流動；將一氣體混合物注入該電漿源中，其中該氣體混合物以一第二流率注入，其中該第二流率大於該第一流率；以及 激發並反應該流出物與該氣體混合物以形成一減量材料，其中該減量材料中的一氧化氮或二氧化氮的一濃度是最多5000百萬分率。
  16. 如請求項15所述之方法，其中該流出物從一處理腔室流入該電漿源中。
  17. 如請求項16所述之方法，其中該氣體混合物包含氫氣及氨氣。
  18. 如請求項15所述之方法，其中該氣體混合物不含氧。
  19. 如請求項15所述之方法，其中該第二流率是該第一流率的約2倍。
  20. 如請求項19所述之方法，其中該第一流率從約1標準升每分鐘至約35標準升每分鐘變化。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11221182B2 (en) 2018-07-31 2022-01-11 Applied Materials, Inc. Apparatus with multistaged cooling
US11306971B2 (en) 2018-12-13 2022-04-19 Applied Materials, Inc. Heat exchanger with multistaged cooling
CN110461082B (zh) * 2019-07-10 2021-11-30 江苏天楹环保能源成套设备有限公司 一种降低空气等离子体炬火焰中NOx含量的装置与方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5122666A (en) * 1974-08-21 1976-02-23 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Haigasuchuno chitsusosankabutsuno jokyoho
JPH04171022A (ja) * 1990-11-01 1992-06-18 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 排ガスの清浄化方法
JPH04367708A (ja) * 1991-06-12 1992-12-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 排ガス処理装置
US7125531B1 (en) * 1999-10-20 2006-10-24 Studsvik, Inc. Single stage denitration
US6835669B2 (en) * 2000-07-21 2004-12-28 Canon Sales Co., Inc. Film forming method, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
TW200422273A (en) * 2002-11-29 2004-11-01 Shinetsu Quartz Prod Method for producing synthetic quartz glass and synthetic quartz glass article
JP4951791B2 (ja) * 2005-07-27 2012-06-13 公立大学法人大阪府立大学 活性ガス生成方法、生成装置及び排ガス処理システム装置
JP2009049085A (ja) * 2007-08-15 2009-03-05 Oki Electric Ind Co Ltd 窒化シリコン膜の製造方法
JP5153748B2 (ja) * 2009-10-05 2013-02-27 メタウォーター株式会社 亜酸化窒素の還元方法及び還元装置
CN202289844U (zh) * 2011-06-24 2012-07-04 北京中兵北方环境科技发展有限责任公司 一种含高浓度氮氧化物的废气的净化装置
GB2497273B (en) * 2011-11-19 2017-09-13 Edwards Ltd Apparatus for treating a gas stream
JP5343138B2 (ja) * 2012-02-09 2013-11-13 田中貴金属工業株式会社 金属コロイド溶液及びその製造方法
TWI455755B (zh) * 2012-04-23 2014-10-11 Resi Corp 用於ＰＦＣｓ廢氣處理之渦流電漿反應器
CN103071386B (zh) * 2013-01-18 2015-02-18 大连理工大学 一种等离子体促进的氮氧化物存储还原脱除方法
KR101522277B1 (ko) * 2014-02-13 2015-05-21 한국에너지기술연구원 반도체 배기가스 내 아산화질소의 촉매 제거 방법
JP2017517380A (ja) * 2014-03-06 2017-06-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 重原子を含有する化合物のプラズマ軽減
RU2701529C2 (ru) * 2015-02-27 2019-09-27 Басф Корпорейшн Система обработки выхлопного газа
CN105529249A (zh) * 2016-02-29 2016-04-27 上海华力微电子有限公司 一种多晶硅制备方法

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