KR20180054478A - 진공 프로세스 챔버에서의 수소 분압 제어 - Google Patents

진공 프로세스 챔버에서의 수소 분압 제어 Download PDF

Info

Publication number
KR20180054478A
KR20180054478A KR1020170150400A KR20170150400A KR20180054478A KR 20180054478 A KR20180054478 A KR 20180054478A KR 1020170150400 A KR1020170150400 A KR 1020170150400A KR 20170150400 A KR20170150400 A KR 20170150400A KR 20180054478 A KR20180054478 A KR 20180054478A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reactive gas
hydrogen
source
vacuum
foreline
Prior art date
Application number
KR1020170150400A
Other languages
English (en)
Inventor
제임스 뢰로
하리 케이. 폰네칸티
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20180054478A publication Critical patent/KR20180054478A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본원에 설명되는 구현들은 일반적으로, 증착 시스템들, 이를테면 증기 증착 시스템들의 진공 포어라인들에서 발견되는 하나 또는 그 초과의 프로세싱 부산물들을 제거하기 위한 방법들에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 개시내용의 구현들은, 시스템들에서 수소의 축적을 감소시키는 방법들에 관한 것이다. 일 구현에서, 증착 챔버에서 기판을 프로세싱하는 방법이 제공된다. 방법은, 기판 상에 층을 증착하는 단계를 포함하며, 여기서, 증착 프로세스 동안, 증착 챔버와 유동적으로 커플링되는 진공 포어라인에서 수소-함유 부산물들이 생성된다. 방법은, 포어라인에 있는 수소-함유 부산물들의 적어도 부분과 반응시키기 위해 산화제 가스를 진공 포어라인 내로 유동시키는 단계를 더 포함한다.

Description

진공 프로세스 챔버에서의 수소 분압 제어{HYDROGEN PARTIAL PRESSURE CONTROL IN A VACUUM PROCESS CHAMBER}
[0001] 본원에 설명되는 구현들은 일반적으로, 증착 시스템들, 이를테면 증기 증착 시스템들의 진공 포어라인(foreline)들에서 발견되는 하나 또는 그 초과의 프로세싱 부산물(by-product)들을 제거하기 위한 방법들에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 개시내용의 구현들은, 증착 프로세스 동안 프로세싱 챔버에서의 수소 축적에 기인하는, 증착되는 막들 내로의 수소 혼입(incorporation)을 감소시키는 방법들에 관한 것이다.
[0002] 일부 증착 애플리케이션들에서, 막 품질은 증착된 막에 혼입된 수소의 양과 반비례 관계에 있다. 증착된 막에 혼입된 수소의 양은, 증착 챔버에서 형성된 증착된 층 또는 성장 층의 표면에서의 수소 분압(partial pressure)의 강한 함수(strong function)이다. 몇몇 통상적인 금속 및 유전체 증착 프로세스들은 수소-함유 전구체들(예컨대, SiH4, Si2H6, Si3H8, 트리실릴아민, TEOS 등)을 사용한다. 이러한 수소-함유 전구체들이 증착 챔버에서 반응하는 경우, 반응의 부산물로서 많은 양의 수소가 방출된다. 종래의 기계식 진공 펌프들은, 가스 부하 조건들 하에서 펌프들에 걸친 그리고 펌프들을 통한 압력 차를 생성 및 유지하기 위해 이동 부분 및 정적 부분에 의존한다. 이러한 진공 펌프들은 통상적으로, 더 경량의 원자들 및 분자들, 이를테면 수소를 펌핑함에 있어 불량한데, 수소를 트랩핑(trap)하여 프로세싱 챔버로부터 더 하류(downstream)로 이동시키기에는 회전 임펠러(impeller)와 케이싱 간의 갭들이 너무 크고 그에 따라 비효율적이기 때문이다. 수소를 펌핑하는 것에 대한 이러한 무능력은, 증착 챔버의 프로세싱 영역에서 수소 분압이 증가하는 것을 유발한다. 배치(batch) 내의 많은 기판들이 증착 챔버 내에서 순차적으로 프로세싱됨에 따라, 각각의 순차적으로 프로세싱된 기판 상에 형성되는 막들 내로 혼입되는 수소의 양 또한 증가한다.
[0003] 따라서, 수소와 같이, 증착 시스템 내의 증착 챔버의 프로세싱 영역으로부터 펌핑하기가 어려운 가스들을 제거하기 위한 개선된 방법들 및 시스템들에 대한 필요성이 존재한다.
[0004] 본원에 설명되는 구현들은 일반적으로, 증착 시스템들, 이를테면 증기 증착 시스템들의 진공 포어라인들에서 발견되는 하나 또는 그 초과의 프로세싱 부산물들을 제거하기 위한 방법들에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 개시내용의 구현들은, 시스템들에서 수소의 축적을 감소시키는 방법들에 관한 것이다. 일 구현에서, 기판을 프로세싱하는 방법이 제공된다. 방법은, 수소-함유 부산물을 포함하는 진공 포어라인 내로 반응성 가스를 유동시키는 단계를 포함한다. 방법은, 반응 생성물을 형성하도록, 반응성 가스를 진공 포어라인 내에서 수소-함유 부산물의 적어도 부분과 반응시키는 단계를 더 포함한다. 반응 생성물은, 수소-함유 부산물의 분자량(molecular mass)보다 더 큰 분자량을 갖는 분자를 함유한다. 방법은, 반응 생성물을 진공 포어라인 밖으로 펌핑하는 단계를 더 포함한다.
[0005] 다른 구현에서, 기판을 프로세싱하는 방법이 제공된다. 방법은, 증착 챔버의 프로세싱 볼륨에 배치되는 기판 상에 층을 증착하는 단계를 포함한다. 수소-함유 부산물들은, 층을 증착하는 동안 프로세싱 볼륨 내에 형성된다. 방법은, 진공 포어라인에 의해 프로세싱 볼륨에 유체적으로(fluidly) 커플링되는 진공 펌프를 사용하여 프로세싱 볼륨을 진공배기(evacuate)하는 단계를 더 포함한다. 프로세싱 볼륨을 진공배기하는 단계는, 수소-함유 부산물들을 진공 포어라인 내로 전달한다. 방법은, 반응성 가스를 진공 포어라인 내로 유동시키는 단계를 더 포함한다. 반응성 가스 및 수소-함유 부산물들의 적어도 부분은, 진공 포어라인에서 반응하여, 수소-함유 부산물들의 분자량보다 더 높은 분자량을 갖는 분자를 포함하는 반응 생성물을 형성한다.
[0006] 다른 구현에서, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템이 제공된다. 시스템은, 증착 챔버, 증착 챔버에 진공 펌프를 연결하는 진공 포어라인, 진공 펌프와 증착 챔버 사이에서 진공 포어라인과 유체적으로 커플링되고 진공 포어라인을 따라 포지셔닝되는 반응 챔버, 증착 챔버와 진공 포어라인 간의 유동을 제어하기 위한 밸브, 및 반응성 가스 공급 시스템을 포함한다. 반응성 가스 공급 시스템은, 적어도 하나의 반응성 가스 소스, 적어도 하나의 반응성 가스 소스를 진공 포어라인에 유체적으로 커플링시키는 유입 라인(inlet line), 및 적어도 하나의 반응성 가스 소스로부터 진공 포어라인 내로의 반응성 가스의 유동을 제어하도록 유입 라인에 연결되는 적어도 하나의 밸브를 포함한다.
[0007] 또 다른 구현에서, 증착 챔버에서 기판을 프로세싱하는 방법이 제공된다. 방법은, 기판 상에 층을 증착하는 단계를 포함하며, 여기서, 증착 프로세스 동안, 증착 챔버와 유체적으로 커플링되는 진공 포어라인에서 수소-함유 부산물들이 생성된다. 방법은, 포어라인에 있는 수소-함유 부산물들의 적어도 부분과 반응시키기 위해 산화제(oxidizing agent) 가스를 진공 포어라인 내로 유동시키는 단계를 더 포함한다.
[0008] 또 다른 구현에서, 증착 챔버의 프로세싱 볼륨에 배치되는 기판을 프로세싱하는 방법이 제공된다. 방법은, 프로세싱 볼륨에 배치되는 기판 상에 층을 증착하는 단계 ― 층을 증착하는 프로세스 동안, 수소-함유 부산물들이 프로세싱 볼륨 내에 형성됨 ―, 진공 포어라인에 의해 프로세싱 볼륨에 유체적으로 커플링되는 진공 펌프를 사용하여, 기판 상에 층을 증착하는 동안 프로세싱 볼륨을 진공배기하는 단계 ― 프로세싱 볼륨을 진공배기하는 단계는, 수소-함유 부산물들로 하여금 진공 포어라인 내로 이동하게 함 ―, 및 포어라인의 수소-함유 부산물들의 적어도 부분과 반응시키기 위해 진공 포어라인 내로 반응성 가스를 유동시키는 단계를 포함하며, 여기서, 반응성 가스와 수소-함유 부산물들 간의 반응은, 수소-함유 부산물보다 높은 분자량을 갖는 분자를 형성한다.
[0009] 또 다른 구현에서, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템이 제공된다. 시스템은, 층을 증착하기 위한 증착 챔버, 증착 챔버에 진공 펌프를 유체적으로 커플링시키는 진공 포어라인, 진공 펌프와 증착 챔버 사이에서 진공 포어라인과 유체적으로 커플링되고 진공 포어라인을 따라 포지셔닝되는 반응 챔버, 증착 챔버와 진공 포어라인 간의 유동을 제어하기 위한 밸브, 및 산화제-함유 가스 공급 시스템을 포함한다. 산화제-함유 가스 공급 시스템은, 적어도 하나의 산화제-함유 가스 소스, 적어도 하나의 산화제-함유 가스 소스를 진공 포어라인에 유체적으로 커플링시키는 유입 라인, 및 적어도 하나의 산소-함유 가스 소스로부터 진공 포어라인 내로의 적어도 하나의 산화제-함유 가스의 유동을 제어하도록 유입 라인에 연결되는 적어도 하나의 밸브를 포함한다. 산화제-함유 가스는, 반응 챔버에서 프로세싱 부산물들과 반응하도록 적응된다.
[0010] 또 다른 구현에서, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템이 제공된다. 시스템은, 증착 챔버, 증착 챔버에 진공 펌프를 연결하는 진공 포어라인, 진공 펌프와 증착 챔버 사이에서 진공 포어라인과 유체적으로 커플링되고 진공 포어라인을 따라 포지셔닝되는 플라즈마 소스, 증착 챔버와 진공 포어라인 간의 유동을 제어하기 위한 밸브, 및 반응성 가스 공급 시스템을 포함한다. 반응성 가스 공급 시스템은, 적어도 하나의 반응성 가스 소스, 적어도 하나의 반응성 가스 소스를 진공 포어라인에 유체적으로 커플링시키는 유입 라인, 및 적어도 하나의 반응성 가스 소스로부터 진공 포어라인 내로의 반응성 가스의 유동을 제어하도록 유입 라인에 연결되는 적어도 하나의 밸브를 포함한다. 증착 챔버와 플라즈마 소스 간의 거리는 0 미터 내지 3 미터이다.
[0011] 본 개시내용의 상기 인용된 특징들이 상세하게 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략하게 요약된 구현들의 보다 구체적인 설명이 구현들을 참조하여 이루어질 수 있으며, 이러한 구현들 중 일부가 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 하지만, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 통상적인 구현들을 도시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 구현들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0012] 도 1a는 본 개시내용의 구현들에 따른, 펌핑 시스템의 일 예시적인 구현을 나타내는 간략화된 개략도이다.
[0013] 도 1b는 본 개시내용의 구현들에 따른, 펌핑 시스템의 일 예시적인 구현을 나타내는 다른 간략화된 개략도이다.
[0014] 도 2는 본 개시내용의 구현들에 따른, 도 1a의 펌핑 시스템을 포함하는 기판 프로세싱 시스템의 개략적인 단면도이다.
[0015] 도 3은 본원에 설명되는 하나 또는 그 초과의 구현들에 따른, 포어라인으로부터 수소 가스를 제거하기 위한 방법의 프로세스 흐름도이다.
[0016] 이해를 촉진시키기 위해, 도면들에 대해 공통적인 동일한 엘리먼트들을 가리키기 위해 가능한 경우 동일한 도면부호들이 사용되었다. 일 구현의 엘리먼트들 및 특징들은 추가적인 인용이 없이도 다른 구현들에 유익하게 포함될 수 있는 것으로 고려된다.
[0017] 다음의 개시내용은, 증착 시스템들로부터 수소를 제거하기 위한 시스템들을 설명한다. 본 개시내용의 다양한 구현들의 철저한 이해를 제공하기 위해, 다음의 설명 및 도 1a 내지 도 3에서는 특정의 세부사항들이 설명된다. 증착 시스템들 및 펌핑 시스템들과 종종 연관되는 잘-알려진 구조들 및 시스템들을 설명하는 다른 세부사항들은, 다양한 구현들의 설명을 불필요하게 불명료하게 하는 것을 회피하기 위해, 다음의 개시내용에서 설명되지 않는다.
[0018] 도면들에서 도시되는 세부사항들, 치수들, 각도들, 및 다른 피쳐들 중 다수는, 단지, 특정한 구현들의 예시일 뿐이다. 따라서, 다른 구현들은, 본 개시내용의 사상 또는 범위로부터 벗어나지 않으면서, 다른 세부사항들, 컴포넌트들, 치수들, 각도들, 및 피쳐들을 가질 수 있다. 또한, 하기에서 설명되는 세부사항들 중 몇 개가 없이도, 본 개시내용의 추가의 구현들이 실시될 수 있다.
[0019] 본원에서 설명되는 구현들은, 임의의 적절한 박막 증착 시스템을 사용하여 수행될 수 있는 증착 프로세스를 참조하여 아래에서 설명될 것이다. 적절한 시스템들의 예들은, DxZ™ 프로세싱 챔버를 사용할 수 있는 CENTURA® 시스템들, PRECISION 5000® 시스템들, PRODUCER™ 시스템들, PRODUCER GT™ 및 PRODUCER SE™ 프로세싱 챔버들을 포함하며, 이들 전부는 캘리포니아 주 Santa Clara의 Applied Materials, Inc.로부터 상업적으로 입수가능하다. 증착 프로세스들을 수행할 수 있는 다른 툴들이 또한 본원에 설명되는 구현들로부터 이익을 얻도록 적응될 수 있다. 부가하여, 본원에 설명되는 증착 프로세스들을 가능하게 하는 임의의 시스템이 유리하게 사용될 수 있다. 본원에 설명되는 장치 설명은 예시적이며, 본원에 설명되는 구현들의 범위를 제한하는 것으로 해석되거나 이해되어서는 안 된다.
[0020] 대부분의 CVD 프로세스들이 수행되는 100 토르(Torr) 아래의 압력들의 경우, 수소 분압 그레디언트(gradient)는 펌핑 유동 경로(205)(도 2)를 따라 설정된다. 펌핑 유동 경로(205)는 일반적으로, 가스들이 그를 따라 프로세싱 볼륨(226)(도 1a)으로부터 진공 포어라인(120)을 통해 펌핑 시스템(100)으로 그리고 배기구(exhaust)(131)(예컨대, 스크러버(scrubber) 또는 통기구(vent)) 밖으로 유동하는 경로를 포함한다. 이러한 수소 분압 그레디언트는, (층류(laminar flow) 레짐(regime)에서의) 반응 및/또는 확산에서, 다른 더 무거운 가스들과의 상호작용으로 인한 질량 수송(mass transport)에 의해 좌우된다. 확산은 일반적으로, 분자 유동 레짐이 중요한 더 낮은 압력들에서 더 중요해진다. 본 개시내용의 일부 구현들에서, 진공 펌프(130)와 같은 종래의 펌핑 시스템의 사용에 의해 더 용이하게 밖으로 펌핑될 수 있는 더 무거운 부산물을 형성하도록, 증착 챔버의 하류에서 자유 수소와 산화제를 반응시킴으로써, 펌핑 유동 경로를 따라 더 큰 농도 그레디언트가 생성된다. 이러한 더 무거운 부산물(예컨대, 더 높은 분자량)은, 종래의 기계식 진공 펌프들(예컨대, 루츠 블로어(roots blower), 터보 펌프 등), 이온 펌프들, 크라이오펌프(cryopump)들, 및 게터(getter)들에 의해 더 용이하게 멀리 펌핑될 수 있다. 일부 구현들에서, 자유 수소는 진공 포어라인(120)에서 산화제와 반응된다. 다른 구현에서, 자유 수소는 반응기(예컨대, 도 1a의 반응 챔버(160))에서 산화제와 반응된다. 반응기는, 바이패스(bypass) 상에 또는 진공 포어라인(120)을 따라 인라인(inline)으로 포지셔닝될 수 있다. 일 구현에서, 반응물(reactant)들(예컨대, 자유 수소 및 산화제) 중 적어도 하나는, 더 무거운 부산물들을 형성하도록 반응물을 에너자이징(energize)하기 위해, 에너지 소스(예컨대, "UV(ultraviolet)" 소스, 원격 RF 플라즈마, 용량성으로 커플링된 플라즈마, 유도성으로 커플링된 플라즈마, TCP(transformer coupled plasma), 마이크로파, 열 에너지 등)에 노출된다. 일부 구현들에서, 반응물(들)은 반응기에 있는 동안 에너자이징된다. 다른 구현에서, 반응물(들)은 반응기 및/또는 진공 포어라인에 들어가기 이전에 에너자이징된다.
[0021] 도 1a는 본 개시내용의 구현들에 따른, 펌핑 시스템(100)의 일 예시적인 구현을 나타내는 간략화된 개략도이다. 펌핑 시스템(100)은 진공 포어라인(120)을 통해 증착 챔버(110)와 유체적으로 커플링된다. 증착 챔버(110)는 일반적으로, 적어도 하나의 집적 회로 제조 프로세스, 이를테면 증착 프로세스, 에칭 프로세스, 플라즈마 처리 프로세스, 사전세정(preclean) 프로세스, 이온 주입 프로세스, 또는 다른 집적 회로 제조 프로세스를 수행하도록 구성된다. 증착 챔버(110)는 진공-보조 증착 챔버일 수 있다. 증착 챔버(110)에서 수행되는 프로세스는 플라즈마 보조될 수 있다. 예컨대, 증착 챔버(110)에서 수행되는 프로세스는, 실리콘-기반 물질을 증착하기 위한 플라즈마 증착 프로세스일 수 있다.
[0022] 진공 포어라인(120)은, 진공 펌프(130)와 유체적으로 커플링된다. 반응제(예컨대, O2, O3, N2O, N2O2, 또는 NF3)를 공급하기 위한 반응제-함유 소스(140)는 진공 포어라인(120)과 유체적으로 커플링된다. 일 구현에서, 반응제-함유 소스(140)는, 반응제 유입 공급 라인(150)을 통해 진공 포어라인(120)과 유체적으로 커플링된다. 일 구현에서, 반응제 유입 공급 라인(150)은, 직접적으로 진공 포어라인(120)에 산화제를 공급한다. 다른 구현에서, 펌핑 시스템(100)은, 증착 챔버(110)에 의해 생성된 하나 또는 그 초과의 프로세싱 부산물들을 산화제와 반응시키기 위한 반응 챔버(160)를 더 포함한다. 도 1a에 도시된 구현에서, 반응 챔버(160)는, 진공 포어라인(120)과 인라인으로 포지셔닝되고 그리고 반응제-함유 소스(140)와 유체적으로 커플링된다. 다른 구현에서, 반응 챔버(160)는, 진공 포어라인(120)과 유체적으로 커플링되는 바이패스 상에 포지셔닝된다. 일 구현에서, 반응 챔버(160)에 제공되는 반응물(들) 중 적어도 하나를 에너자이징하기 위한 에너지 소스(180a, 180b)(총괄적으로 180)(예컨대, UV 소스, 원격 RF 플라즈마 소스, 용량성으로 커플링된 플라즈마, 유도성으로 커플링된 플라즈마, 마이크로파, 열 에너지 등)는, 반응성 물질들(예컨대, 수소-함유 부산물들 및/또는 산화제)의 반응 효율을 향상시키기 위해 사용된다. 에너지 소스(180)는, 펌핑 시스템(100) 내의 다른 위치들에 포지셔닝될 수 있다. 예컨대, 일 구현에서, 에너지 소스(180a)는, 반응제-함유 소스(140)와 커플링된다. 다른 구현에서, 에너지 소스(180)는, 반응제 유입 공급 라인(150)을 따라 포지셔닝된다. 또 다른 구현에서, 에너지 소스(180b)는 반응 챔버(160)와 커플링된다. 또 다른 구현에서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 에너지 소스(180)는 진공 포어라인(120)과 인라인으로 포지셔닝된다. 또 다른 구현에서, 에너지 소스는 직접적으로 증착 챔버(110)와 커플링된다.
[0023] 에너지 소스(180)가 플라즈마 소스인 일부 구현들에서, 플라즈마 소스는 증착 챔버(110)의 하류에 배치될 수 있다. 플라즈마 소스에서 생성된 플라즈마는, 증착 챔버(110)로부터 비롯되는 배출물(effluent) 내의 화합물들을 부분적으로 또는 완전히 에너자이징 및/또는 해리(dissociate)시킴으로써, 배출물 내의 화합물들을 더 온화한(benign) 형태로 변환한다.
[0024] 일 구현에서, 도 1a에 예시된 바와 같이, 수소-함유 가스들(예컨대, 원자 수소, 수소 이온들, 수소 라디칼(radical)들 등)과 같은 하나 또는 그 초과의 프로세싱 부산물들의 변환은, 반응제 유입 공급 라인(150)으로부터 산화제를 전달함으로써 수행된다. 반응제 유입 공급 라인(150)은, 증착 챔버(110)(예컨대, 도 2의 증착 챔버(110))에 연결되는 진공 포어라인(120)에 연결된다. 일반적으로, 하나 또는 그 초과의 프로세싱 부산물들은, 가스 분자들, 부분적으로 반응한 전구체 물질들, 반응하지 않은 기상(vapor phase) 화합물들, 부분적으로 반응한 미립자 물질 및/또는 다른 반응 부산물들을 포함할 수 있다. 반응제 유입 공급 라인(150)은, 일 단부에서 진공 포어라인(120)에 그리고 다른 단부에서 반응제-함유 소스(140)에 연결될 수 있으며, 반응제-함유 소스(140)는, 순수한 산소(O2) 가스, 오존(O3), 아산화질소(N2O), 이산화질소(N2O2), 삼플루오르화질소(NF3), 또는 이들의 조합들을 전달하도록 적응될 수 있다. 반응제-함유 소스(140)는, 대안적으로 또는 부가적으로, 수소를 감소시켜 더 큰 분자량을 갖는 수소-함유 부산물(예컨대, 암모니아(NH3))을 형성하도록 구성되는 비-산소 함유 가스들, 이를테면 질소(N2)를 전달하도록 적응될 수 있다. 반응제 유입 공급 라인(150) 및 진공 포어라인(120)은, 진공 펌프(130)의 상류에서, 진공 포어라인(120) 상의 위치에서 합류할 수 있다. 대안적인 구현에서, 진공 포어라인(120) 및 반응제-함유 소스(140)에서, 반응성 물질들(예컨대, 수소-함유 부산물들)의 반응 효율을 향상시키기 위해 에너지 소스(180)(예컨대, UV 소스, 원격 RF 플라즈마 소스)를 사용함으로써, 산화제 또는 다른 비-산소 함유 가스들이 이온화될 수 있거나, 산소 라디칼들이 형성될 수 있다.
[0025] 일 구현에서, 진공 포어라인(120) 및 반응제 유입 공급 라인(150)이 만나는 곳(예컨대, 존재한다면, 반응 챔버(160))의 상류 및 진공 포어라인(120)이 증착 챔버(110)에 연결되는 곳의 바로 하류의 포어라인의 섹션에 챔버 포어라인 밸브(124)가 배치된다. 챔버 포어라인 밸브(124)는, 증착 챔버(110)와 진공 포어라인(120) 간의 유체 연통량을 제어하고 그리고 진공 포어라인(120)으로부터 임의의 산화제들, 수소, 산소, 또는 다른 물질들이 증착 챔버(110)로 들어가 증착 챔버(110)를 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 챔버 포어라인 밸브(124)는, 진공 포어라인(120)에서의 가스 유량 및/또는 증착 챔버(110)의 프로세싱 볼륨(226) 내의 압력을 제어하도록 구성되는 스로틀 밸브일 수 있다. 일 구현에서, 공압 밸브, 질량 유동 제어기(MFC; mass flow controller), 및/또는 니들(needle) 밸브를 포함할 수 있는 밸브(154)는, 반응제 유입 공급 라인(150) 내에서의 가스들의 유동을 제어하는 데 사용된다. 반응제-함유 소스(140)로부터 진공 포어라인(120)으로 들어가는 가스들의 압력은, 반응성 가스들이 수소-함유 가스들과 반응할 기회를 갖도록 충분히 높아야 하지만 진공 펌프(130)를 압도(overwhelm)할 정도로 높지 않아야 한다. 일 구현에서, 밸브(154)에 대해, 니들 밸브 대신 질량 유동 제어기가 사용될 수 있다. 밸브(154)는, 각각의 증착 사이클 이후 짧은 기간 동안 산소 유동을 턴 온(turn on)하도록 제어될 수 있다.
[0026] 산화제 정화(purge) 사이클 동안, 챔버 내에서의 반응 또는 오염을 방지하기 위해 챔버 포어라인 밸브(124)는 일반적으로 폐쇄된다. 일단 챔버 포어라인 밸브(124)가 폐쇄되면, 챔버 포어라인 밸브(124)의 하류의 진공 포어라인(120)의 부분에서 진공이 유지될 것이고, 진공 포어라인(120)에 존재하는 임의의 가스는 진공 포어라인(120)에서 이용가능한 볼륨 전체에 걸쳐 고르게 분포할 것이다. 일 구현에서, 산화제는, 진공 포어라인(120)에서, 증착 챔버(110)에서 수행되는 각각의 증착 사이클 동안 형성된 수소-함유 부산물들과 반응된다. 산화제는, 수소-함유 부산물들과 반응하여, 수소-함유 부산물들을, 진공 펌프(130)에 의해 멀리 펌핑될 수 있는 더 무거운 부산물로 변환한다.
[0027] 일 구현에서, 산화제 정화 프로세스는 증착 사이클들 사이에서 수행된다. 다른 구현들에서, 산화제 정화 프로세스는, 증착 챔버(110)가 동작 중인 동안, 증착 사이클 동안에 형성되는 수소-함유 부산물들과의 반응을 위해, 증착 사이클 동안 실행됨이 유의되어야 한다. 그러한 구현들에서, 산화제-함유 가스의 유동이 증착 챔버(110)로 들어가 증착 챔버(110)를 오염시키지 않도록, 반응제 유입 공급 라인(150)의 하류의 진공 포어라인(120)에서 음압(negative pressure)이 유지되어야 한다. 산화제-함유 가스의 유동은 하류의 진공 펌프(130)를 압도할 정도로 높지 않아야 한다.
[0028] 일 구현에서, 산화제(예컨대, N2O)는, 반응기 내로 공급되어 질소 라디칼들(
Figure pat00001
) 및 산소 라디칼들(
Figure pat00002
)로 에너자이징된다. 그런 다음, 라디칼들은, 멀리 펌핑되는 더 무거운 가스들(예컨대, NH3 및 H2O)을 형성하기 위해, 펌핑 경로에서 수소와 반응된다. 반응에서의 수소의 소비는 증착 챔버로부터 반응기로의 수소 농도 그레디언트를 생성하는데, 이는, 증착 챔버로부터 멀리 그리고 진공 펌프(130)를 향한, 수소의 "풀링(pull)" 또는 "확산 이동"을 생성한다. 부산물들(예컨대, NH3 및 H2O)이 더 무거운 가스들이기 때문에, 반응기로부터 진공 펌프까지, 종래의 펌핑 속성들이 적용된다. 진공 포어라인(120)에서의 더 낮은 진공 압력들에서, 가스 유동 또는 점성 항력(viscous drag) 메커니즘에 의해 진공 펌프(130)로 향하는 수소의 이동은 그다지 효과적이지 않으며, 따라서, 진공 포어라인(120)에서의 수소의 이동은, 확산 프로세스에 의해 크게 영향을 받고, 이의 "유량"은 농도 그레디언트의 크기에 의해 좌우된다.
[0029] 도 1b는 본 개시내용의 구현들에 따른, 다른 펌핑 시스템(190)의 일 예시적인 구현을 나타내는 다른 간략화된 개략도이다. 펌핑 시스템(190)은, 에너지 소스(180)가, 직접적으로 진공 포어라인(120)과 인라인으로 포지셔닝된다는 것을 제외하고는 펌핑 시스템(100)과 유사하다. 증착 챔버(110)는, 진공 포어라인(120)에 의해 에너지 소스(180)에 커플링되는 챔버 배기구를 갖는다. 일 구현에서, 에너지 소스(180)는 플라즈마 소스이다. 에너지 소스(180)의 배기구는, 배기 도관(194)에 의해, 도 1b에 단일 참조 번호 196으로 개략적으로 표시된 펌프들 및 배기 설비에 커플링된다. 펌프들은 일반적으로 증착 챔버(110)를 진공배기하는 데 활용되는 한편, 배기 설비는 일반적으로, 증착 챔버(110)의 배출물이 대기로 들어가는 것을 준비하기 위한 스크러버들 또는 다른 배기 세정 장치를 포함한다.
[0030] 증착 챔버(110)를 빠져나가는 가스들 및/또는 다른 물질들에 대한 저감(abatement) 프로세스가 에너지 소스(180)를 활용하여 수행됨으로써, 그러한 가스들 및/또는 다른 물질들이 더 환경적으로 그리고/또는 프로세스 장비 친화적인 조성으로 변환될 수 있게 한다.
[0031] 일부 구현들에서, 반응제-함유 소스(140)는, 진공 포어라인(120) 및 가스들 및/또는 에너지 소스(180) 중 적어도 하나에 커플링된다. 반응제-함유 소스(140)는 저감 시약(abatement reagent)을 에너지 소스(180) 내로 제공하는데, 저감 시약은, 증착 챔버(110)를 빠져나가는 물질들과 반응하거나 또는 다른 방식으로 그 물질들을 더 환경적으로 그리고/또는 프로세스 장비 친화적인 조성으로 변환하는 것을 보조하도록 에너자이징된다.
[0032] 선택적으로, 에너지 소스(180) 또는 배기 도관(194) 중 적어도 하나에 압력 조절 모듈(198)이 커플링될 수 있다. 압력 조절 모듈(198)은 압력 조절 가스, 이를테면 Ar, N, 또는 다른 적절한 가스를 주입하며, 압력 조절 가스는, 에너지 소스(180) 내의 압력이 더 양호하게 제어되는 것을 허용하고, 그에 의해, 더 효율적인 저감 성능이 제공된다.
[0033] 일 구현에서, 진공 포어라인(120)이 존재하지 않으며, 에너지 소스(180)는 직접적으로 증착 챔버(110)에 커플링된다. 증착 챔버와 인라인 에너지 소스 간의 거리는 "x"로 표현된다. 일 구현에서, 거리 "x"는 약 0 피트(0 미터) 내지 약 15 피트(약 4.6 미터)이다. 일 구현에서, 거리 "x"는 약 1 피트(0.3 미터) 내지 약 15 피트(약 4.6 미터)이다. 일 구현에서, 거리 "x"는 약 0 피트(0 미터) 내지 약 10 피트(약 3 미터)이다. 다른 구현에서, 거리 "x"는 약 1 피트(0.3 미터) 내지 약 10 피트(약 3 미터)이다. 또 다른 구현에서, 거리 "x"는 약 1 피트(0.3 미터) 내지 약 5 피트(약 1.5 미터)이다. 또 다른 구현에서, 거리 "x"는 약 5 피트(1.5 미터) 내지 약 10 피트(약 3 미터)이다.
[0034] 도 2는 본 개시내용의 구현들에 따른, 도 1a의 펌핑 시스템(100)을 포함하는 기판 프로세싱 시스템(232)의 개략적인 단면도이다. 도시되진 않지만, 도 2에 도시된 펌핑 시스템(100)은 펌핑 시스템(190)으로 대체될 수 있다. 기판 프로세싱 시스템(232)은, 가스 패널(230)에 커플링되는 증착 챔버(110), 제어기(210), 및 펌핑 시스템(100)을 포함한다. 증착 챔버(110)는 일반적으로, 프로세싱 볼륨(226)을 정의하는, 최상부 벽(224), 측벽(201), 및 최하부 벽(222)을 포함한다. 증착 챔버(110)의 프로세싱 볼륨(226)에는 지지 페디스털(pedestal)(250)이 제공된다. 지지 페디스털(250)은 스템(stem)(260)에 의해 지지되며, 통상적으로 알루미늄, 세라믹, 및 다른 적절한 물질들로 제조될 수 있다. 지지 페디스털(250)은, 변위 메커니즘(도시되지 않음)을 사용하여 증착 챔버(110) 내부에서 수직 방향으로 이동될 수 있다.
[0035] 지지 페디스털(250)은, 지지 페디스털(250)의 표면(292) 상에 지지되는 기판(290)의 온도를 제어하기에 적절한 가열기 엘리먼트(270)를 포함할 수 있다. 일 구현에서, 가열기 엘리먼트(270)는 지지 페디스털(250)에 매립(embed)된다. 지지 페디스털(250)은, 전력 공급부(206)로부터 가열기 엘리먼트(270)에 전류를 인가함으로써 저항식으로(resistively) 가열될 수 있다. 가열기 엘리먼트(270)는, 니켈-철-크롬 합금(예컨대, INCOLOY®) 시스(sheath) 튜브에 캡슐화된(encapsulated) 니켈-크롬 와이어로 제조될 수 있다. 전력 공급부(206)로부터 공급되는 전류가 제어기(210)에 의해 조절되어, 가열기 엘리먼트(270)에 의해 생성되는 열을 제어함으로써, 막 증착 동안 기판(290) 및 지지 페디스털(250)이 실질적으로 일정한 온도로 유지된다. 공급되는 전류는, 지지 페디스털(250)의 온도를 약 섭씨 100 도 내지 약 섭씨 700 도로 선택적으로 제어하도록 조정될 수 있다.
[0036] 종래의 방식으로 지지 페디스털(250)의 온도를 모니터링하기 위해, 열전대(thermocouple)와 같은 온도 센서(272)가 지지 페디스털(250)에 매립될 수 있다. 측정된 온도는, 제어기(210)에 의해, 기판(290)을 원하는 온도로 유지하기 위해, 가열기 엘리먼트(270)에 공급되는 전력을 제어하는 데 사용된다.
[0037] 펌핑 시스템(100)은, 증착 챔버(110)의 최하부 벽(222)에 형성되는 포트에 커플링된다. 펌핑 시스템(100)은 증착 챔버(110)에서 원하는 가스 압력을 유지하는 데 사용된다. 본원에 설명된 바와 같이, 펌핑 시스템(100)은 또한, 프로세싱-후 가스들 및 프로세스의 부산물들을 증착 챔버(110)로부터 진공배기한다.
[0038] 기판 프로세싱 시스템(232)은, 챔버 압력을 제어하기 위한 부가적인 장비, 예컨대 챔버 압력을 제어하기 위해 증착 챔버(110)와 펌핑 시스템(100) 사이에 포지셔닝되는 밸브들(예컨대, 스로틀 밸브들 및 격리 밸브들)을 더 포함할 수 있다.
[0039] 기판 프로세싱 시스템(232)은, 프로세싱 볼륨(226)에 정화 가스를 공급하기 위한 정화 가스 소스(204)를 더 포함할 수 있다.
[0040] 복수의 애퍼쳐(aperture)들(228)을 갖는 샤워헤드(showerhead)(220)가, 지지 페디스털(250) 위의, 증착 챔버(110)의 최상부에 배치된다. 샤워헤드(220)의 애퍼쳐들(228)은 증착 챔버(110) 내로 프로세스 가스들을 도입시키는 데 활용된다. 애퍼쳐들(228)은, 상이한 프로세스 요건들을 위한 다양한 프로세스 가스들의 유동을 용이하게 하기 위해, 상이한 사이즈들, 개수, 분포들, 형성, 설계, 및 직경들을 가질 수 있다. 샤워헤드(220)는, 프로세스 동안 다양한 가스들이 프로세싱 볼륨(226)에 공급되는 것을 허용하는 가스 패널(230)에 연결된다. 기판(290)의 표면(291) 상에 물질의 증착을 초래하는 프로세스 가스들의 열 분해를 향상시키기 위해, 샤워헤드(220)를 빠져나가는 프로세스 가스 혼합물로부터 플라즈마가 형성된다.
[0041] 샤워헤드(220) 및 지지 페데스탈(250)은, 프로세싱 볼륨(226)에, 이격된 전극들의 쌍을 형성할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 RF 전력 소스들(240)은, 샤워헤드(220)와 지지 페데스탈(250) 사이에서 플라즈마의 생성을 용이하게 하기 위해, 바이어스 전위를 매칭 네트워크(238)를 통해 샤워헤드(220)에 제공한다. 대안적으로, RF 전력 소스들(240) 및 매칭 네트워크(238)는, 샤워헤드(220) 또는 지지 페데스탈(250)에 커플링될 수 있거나, 또는 샤워헤드(220) 및 지지 페데스탈(250) 둘 모두에 커플링될 수 있거나, 또는 증착 챔버(110) 외부에 배치된 안테나(도시되지 않음)에 커플링될 수 있다. 일 구현에서, RF 전력 소스들(240)은, 약 50 kHz 내지 약 13.6 MHz의 주파수에서 약 100 와트 내지 약 3,000 와트를 제공할 수 있다. 다른 구현에서, RF 전력 소스들(240)은, 약 50 kHz 내지 약 13.6 MHz의 주파수에서 약 500 와트 내지 약 1,800 와트를 제공할 수 있다. 대안적으로, 플라즈마는 원격 플라즈마 소스(252)를 통해 프로세싱 볼륨(226)에 공급된다.
[0042] 제어기(210)는, 프로세스 시퀀스를 제어하고 가스 패널(230)로부터의 가스 유동들을 조절하는 데 활용되는, CPU(central processing unit)(212), 메모리(216), 및 지원 회로(214)를 포함한다. CPU(212)는 산업 현장(industrial setting)에서 사용될 수 있는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서일 수 있다. 소프트웨어 루틴(routine)들은 메모리(216), 이를테면, 랜덤 액세스 메모리, 판독 전용 메모리, 플로피, 또는 하드 디스크 드라이브, 또는 다른 형태의 디지털 저장소에 저장될 수 있다. 지원 회로(214)는 통상적으로 CPU(212)에 커플링되고, 캐시, 클록 회로들, 입력/출력 시스템들, 전력 공급부들 등을 포함할 수 있다. 제어기(210)와, 기판 프로세싱 시스템(232)의 다양한 다른 컴포넌트들 사이의 양-방향 통신들은 신호 버스들(218)로서 통칭되는 다수의 신호 케이블들을 통해 처리되며, 그 중 일부는 도 2에 예시된다.
증착 프로세스 예
[0043] 도 3은 본원에 설명되는 하나 또는 그 초과의 구현들에 따른, 포어라인으로부터 수소 가스를 제거하기 위한 방법(300)의 프로세스 흐름도이다. 방법(300)은, 펌핑 시스템(100), 펌핑 시스템(190), 및/또는 증착 챔버(110)를 사용하여 수행될 수 있다.
[0044] 동작(310)에서, 프로세싱 챔버의 프로세싱 볼륨에서 기판 상에 층이 증착된다. 층의 증착 동안, 통상적으로 수소-함유 부산물들이 형성된다. 일부 구현들에서, 수소-함유 부산물들은, 증착 챔버의 프로세싱 볼륨, 프로세싱 볼륨과 유체적으로 커플링되는 진공 포어라인, 또는 프로세싱 볼륨 및 진공 포어라인 둘 모두에서 형성된다. 일부 구현들에서, 수소-함유 부산물들은, 원자 수소, 수소 이온들, 수소 라디칼들, 또는 이들의 조합들을 포함한다.
[0045] 일 예에서, 프로세싱 동안, 기판이 기판 프로세싱 시스템(232)에 배치된 후, 가스 패널(230)로부터 샤워헤드(220)를 통해 전구체가 프로세싱 볼륨(226)에 공급될 수 있다. 이것은, 실리콘-함유 전구체(예컨대, 실란, 디메틸실란, 트리메틸실란, 테트라메틸실란, 디에틸실란, 테르라메틸오르토실리케이트(TMOS), 테트라에틸-오르토실리케이트(TEOS), 옥타메틸테트라실록산(OMTS), 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS), 테트라메틸사이클로테트라실록산(TOMCATS), 이들의 혼합물 등), 및 다른 프로세스 가스들을 프로세싱 볼륨(226)에 공급하는 것을 포함할 수 있다. 실리콘 산화물(SiOx) 물질이 형성되는 경우들에서, 산화 가스 및 수증기가 또한 샤워헤드를 통해 그리고 프로세싱 볼륨(226) 내로 통과할 수 있다. 프로세스는 또한, 전구체들 중 하나 또는 그 초과와 미리혼합될 수 있거나 프로세스 챔버에 개별적으로 제공되어 실리콘 산화물(SiOx) 물질을 형성할 수 있는 하나 또는 그 초과의 부가적인 히드록실-함유 전구체들(예컨대, H2O2 등)의 도입을 포함할 수 있다. 일부 경우들에서, 모든 전구체들이, 프로세싱 볼륨(226)에 하나의 혼합물로서 공급되기 전에 미리혼합될 수 있다. 부가하여, 전구체들 중 하나 또는 그 초과는, 챔버에 공급되기 전에 캐리어 가스(예컨대, 불활성 가스, 이를테면 희가스(He, Ne, Ar, Kr, 및 Xe), 질소 가스 등)와 혼합될 수 있다.
[0046] 이러한 증착 예에서, 실리콘-함유 전구체들, 주입된 수증기, 및 히드록실-함유 전구체들의 파괴(breakdown)로 인해, 실리콘 산화물 형성 프로세스 동안 수소-함유 가스들(예컨대, 원자 수소, 수소 이온들, 수소 라디칼들 등)이 형성될 것이며, 따라서, 본원에 설명된 프로세스들은, 프로세싱 볼륨 내에 있고 그리고 그에 따라 증착된 막 내에 혼입되는 수소-함유 가스들의 농도를 감소시키는 데 사용될 수 있다.
[0047] 동작(320)에서, 프로세싱 볼륨은, 프로세싱 볼륨과 커플링되는 진공 포어라인을 통해 진공배기된다.
[0048] 동작(330)에서, 수소-함유 부산물들의 적어도 부분과 반응하도록 반응성 가스가 진공 포어라인 내로 유동된다. 일부 구현들에서, 반응성 가스는, 증착 챔버 내로 유동되어 반응 챔버에서 수소-함유 부산물들과 반응된다. 일부 구현들에서, 증착 챔버와 진공 포어라인 간의 가스 유동은, 진공 포어라인 내로 반응성 가스를 유동시키기 이전에 중단된다. 일부 구현들에서, 반응성 가스는, 산화제, 할로겐 함유 제제, 또는 이들의 조합들이다. 일부 구현들에서, 반응성 가스는, 산소(O2) 가스, 오존(O3), 아산화질소(N2O) 또는 이들의 조합들의 그룹으로부터 선택된 산화제이다. 일부 구현들에서, 반응성 가스는 NF3이다.
[0049] 수소 함유 부산물들은 반응성 가스와 반응하여, 진공 펌프(130)와 같은 종래의 펌핑 시스템의 사용에 의해 더 용이하게 밖으로 펌핑될 수 있는 더 무거운 부산물을 형성한다. 이러한 더 무거운 부산물(예컨대, 더 높은 분자량)은, 종래의 기계식 진공 펌프들(예컨대, 루츠 블로어, 터보 펌프 등), 이온 펌프들, 크라이오펌프들, 및 게터들에 의해 더 용이하게 멀리 펌핑될 수 있다. 일부 구현들에서, 자유 수소는 진공 포어라인(120)에서 산화제와 반응된다.
[0050] 일부 구현들에서, 반응성 가스는, 반응성 가스를 진공 포어라인 내로 유동시키기 이전에 에너자이징된다. 일부 구현들에서, 반응성 가스는 진공 포어라인에서 에너자이징된다. 일부 구현들에서, 반응성 가스는, 반응성 가스를 진공 포어라인 내로 유동시키기 이전에 그리고 진공 포어라인에 있는 동안 둘 모두에서 에너자이징된다. 일부 구현들에서, 반응성 가스는, 자외선 소스, 원격 RF 플라즈마, 용량성으로 커플링된 플라즈마, 유도성으로 커플링된 플라즈마, TCP(transformer coupled plasma), 마이크로파, 열 에너지, 또는 이들의 조합들 중 적어도 하나에 반응성 가스를 노출시킴으로써 에너자이징된다.
[0051] 동작(340)에서, 반응성 가스와 수소-함유 부산물의 반응 생성물은, 진공 포어라인 밖으로 펌핑된다.
[0052] 본 개시내용의 구현들은, 플라즈마 CVD 기법들, 이를테면 PECVD(plasma enhanced CVD) 및 HDPCVD(high-density plasma CVD)와 함께 사용될 수 있다. 구현들은, 프로세스 챔버에서의(예컨대, 용량성으로 커플링된 샤워헤드와 기판 페디스털/기판 사이에서의) 인-시튜(in-situ) 플라즈마 생성, 및/또는 프로세스 챔버 외부에 포지셔닝된 플라즈마 생성기를 사용하는 원격 플라즈마 생성을 포함한다. 구현들은 또한, 다른 것들 중에서도, 열 CVD 기법들, 이를테면 APCVD(atmospheric pressure CVD), SACVD(sub-atmospheric CVD), 및 LPCVD(low-pressure CVD)를 포함한다.
[0053] 요약하면, 본 개시내용의 이점들 중 일부는, 프로세싱 챔버 및 관련된 펌핑 시스템에 존재하는 수소의 양을 감소시킴으로써, 개선된 박막 증착을 위한 시스템들 및 방법들을 제공한다. 본원에 설명된 구현들 중 일부에서, 더 경량의 수소-함유 부산물들이, 종래의 펌프들을 사용하여 시스템으로부터 제거되는 더 무거운 부산물들로 변환된다.
[0054] 본 개시내용, 또는 본 개시내용의 예시적인 양상들 또는 구현(들)의 엘리먼트들을 소개할 때, 단수 표현은 하나 또는 그 초과의 엘리먼트들이 존재한다는 것을 의미하도록 의도된다.
[0055] "포함하는", "구비하는", 및 "갖는"이란 용어들은 포괄적이도록 의도되고, 열거된 엘리먼트들 이외의 부가적인 엘리먼트들이 존재할 수 있음을 의미한다.
[0056] 전술한 내용들이 본 개시내용의 구현들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 구현들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 안출될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 기판을 프로세싱하는 방법으로서,
    증착 챔버의 프로세싱 볼륨에 배치되는 기판 상에 층을 증착하는 단계 ― 상기 층을 증착하는 단계 동안, 상기 프로세싱 볼륨 내에 수소-함유 부산물(by-product)들이 형성됨 ―;
    진공 포어라인(foreline)에 의해 상기 프로세싱 볼륨에 유체적으로(fluidly) 커플링되는 진공 펌프를 사용하여 상기 프로세싱 볼륨을 진공배기(evacuate)하는 단계 ― 상기 프로세싱 볼륨을 진공배기하는 단계는, 상기 수소-함유 부산물들을 상기 진공 포어라인 내로 전달함 ―; 및
    반응성 가스를 상기 진공 포어라인 내로 유동시키는 단계를 포함하며,
    상기 반응성 가스와 상기 수소-함유 부산물들의 적어도 부분은, 상기 수소-함유 부산물들의 분자량보다 더 높은 분자량을 갖는 분자를 포함하는 반응 생성물을 형성하도록 상기 진공 포어라인에서 반응하는, 기판을 프로세싱하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수소-함유 부산물들은, 원자 수소, 수소 이온들, 수소 라디칼(radical)들, 또는 이들의 조합들을 포함하는, 기판을 프로세싱하는 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 반응성 가스는, 산소(O2) 가스, 오존(O3), 아산화질소(N2O), 삼플루오르화질소(NF3), 또는 이들의 조합들의 그룹으로부터 선택되는, 기판을 프로세싱하는 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 반응성 가스를 상기 진공 포어라인 내로 유동시키기는 단계 이전에 상기 반응성 가스를 에너자이징(energize)하는 단계를 더 포함하는, 기판을 프로세싱하는 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 진공 포어라인에서 상기 반응성 가스를 에너자이징하는 단계를 더 포함하는, 기판을 프로세싱하는 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 반응성 가스를 에너자이징하는 단계는, 자외선 소스, 원격 RF 플라즈마, 용량성으로 커플링된 플라즈마, 유도성으로 커플링된 플라즈마, TCP(transformer coupled plasma), 마이크로파, 열 에너지, 또는 이들의 조합들 중 적어도 하나에 산화제(oxidizing agent) 가스를 노출시키는 단계를 포함하는, 기판을 프로세싱하는 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 반응성 가스를 상기 진공 포어라인 내로 유동시키기는 단계 이전에, 상기 증착 챔버와 상기 진공 포어라인 간의 가스 유동을 차단하는 단계를 더 포함하는, 기판을 프로세싱하는 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 반응성 가스는, 반응 챔버 내로 유동되고 그리고 상기 반응 챔버에서 상기 수소-함유 부산물들과 반응하는, 기판을 프로세싱하는 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 반응성 가스는 상기 반응 챔버에서 에너자이징되는, 기판을 프로세싱하는 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 반응성 가스와 상기 수소-함유 부산물의 상기 반응 생성물을 상기 진공 포어라인 밖으로 펌핑하는 단계를 더 포함하는, 기판을 프로세싱하는 방법.
  11. 기판을 프로세싱하기 위한 시스템으로서,
    증착 챔버;
    상기 증착 챔버에 진공 펌프를 연결하는 진공 포어라인;
    상기 진공 펌프와 상기 증착 챔버 사이에서 상기 진공 포어라인과 유체적으로 커플링되고 상기 진공 포어라인을 따라 포지셔닝되는 반응 챔버;
    상기 증착 챔버와 상기 진공 포어라인 간의 유동을 제어하기 위한 밸브; 및
    반응성 가스 공급 시스템을 포함하며,
    상기 반응성 가스 공급 시스템은,
    적어도 하나의 반응성 가스 소스,
    상기 적어도 하나의 반응성 가스 소스를 상기 진공 포어라인에 유체적으로 커플링시키는 유입(inlet) 라인, 및
    상기 적어도 하나의 반응성 가스 소스로부터 상기 진공 포어라인 내로의 상기 반응성 가스 소스의 유동을 제어하도록 상기 유입 라인에 연결되는 적어도 하나의 밸브
    를 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 반응 챔버와 커플링되는 에너지 소스를 더 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 진공 포어라인과 커플링되는 에너지 소스를 더 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 에너지 소스는, UV 소스, 원격 RF 플라즈마 소스, 용량성으로 커플링된 플라즈마 소스, 유도성으로 커플링된 플라즈마 소스, TCP(transformer coupled plasma) 소스, 마이크로파 소스, 열 에너지 소스, 또는 이들의 조합들로부터 선택되는, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 반응성 가스 소스는, 산소(O2) 가스 소스, 오존(O3) 가스 소스, 아산화질소(N2O) 가스 소스, 삼플루오르화질소(NF3) 소스, 또는 이들의 조합들로부터 선택되는, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
KR1020170150400A 2016-11-14 2017-11-13 진공 프로세스 챔버에서의 수소 분압 제어 KR20180054478A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662421609P 2016-11-14 2016-11-14
US62/421,609 2016-11-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180054478A true KR20180054478A (ko) 2018-05-24

Family

ID=62106292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170150400A KR20180054478A (ko) 2016-11-14 2017-11-13 진공 프로세스 챔버에서의 수소 분압 제어

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10435787B2 (ko)
KR (1) KR20180054478A (ko)
CN (2) CN108070849B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10889891B2 (en) * 2018-05-04 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Apparatus for gaseous byproduct abatement and foreline cleaning
DE102018120580A1 (de) * 2018-08-23 2020-02-27 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und verfahren zum abscheiden einer schicht bei atmosphärendruck
US11348784B2 (en) * 2019-08-12 2022-05-31 Beijing E-Town Semiconductor Technology Co., Ltd Enhanced ignition in inductively coupled plasmas for workpiece processing
US20230390811A1 (en) * 2022-06-06 2023-12-07 Applied Materials, Inc. Throttle valve and foreline cleaning using a microwave source

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5489446A (en) * 1987-02-16 1996-02-06 Canon Kabushiki Kaisha Device for forming silicon oxide film
WO1991008466A1 (en) * 1987-07-08 1991-06-13 Thermedics Inc. Selective detection of vapors
JPH05270806A (ja) * 1992-03-25 1993-10-19 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 過酸化水素の製造方法
US5453125A (en) 1994-02-17 1995-09-26 Krogh; Ole D. ECR plasma source for gas abatement
US6888040B1 (en) 1996-06-28 2005-05-03 Lam Research Corporation Method and apparatus for abatement of reaction products from a vacuum processing chamber
JP2000240554A (ja) * 1999-02-17 2000-09-05 Shigeo Irie 発電システム
US6689284B1 (en) * 1999-09-29 2004-02-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface treating method
US6156667A (en) 1999-12-31 2000-12-05 Litmas, Inc. Methods and apparatus for plasma processing
US6291938B1 (en) 1999-12-31 2001-09-18 Litmas, Inc. Methods and apparatus for igniting and sustaining inductively coupled plasma
WO2004065292A2 (en) * 2003-01-20 2004-08-05 Vellore Institute Of Technology A system for production of hydrogen with metal hydride and a method
US8580076B2 (en) * 2003-05-22 2013-11-12 Lam Research Corporation Plasma apparatus, gas distribution assembly for a plasma apparatus and processes therewith
GB0522088D0 (en) 2005-10-28 2005-12-07 Boc Group Plc Plasma abatement device
US8932430B2 (en) 2011-05-06 2015-01-13 Axcelis Technologies, Inc. RF coupled plasma abatement system comprising an integrated power oscillator
JP2008098504A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP5410950B2 (ja) 2009-01-15 2014-02-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US8771538B2 (en) 2009-11-18 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Plasma source design
US8742665B2 (en) 2009-11-18 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Plasma source design
US8747762B2 (en) 2009-12-03 2014-06-10 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for treating exhaust gas in a processing system
US8987678B2 (en) 2009-12-30 2015-03-24 Fei Company Encapsulation of electrodes in solid media
US20110195202A1 (en) * 2010-02-11 2011-08-11 Applied Materials, Inc. Oxygen pump purge to prevent reactive powder explosion
US20110204023A1 (en) 2010-02-22 2011-08-25 No-Hyun Huh Multi inductively coupled plasma reactor and method thereof
US8508134B2 (en) 2010-07-29 2013-08-13 Evgeny Vitalievich Klyuev Hall-current ion source with improved ion beam energy distribution
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US20140312761A1 (en) 2011-11-22 2014-10-23 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Plasma source and vacuum plasma processing apparatus provided with same
US9867238B2 (en) 2012-04-26 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for treating an exhaust gas in a foreline
US20140262033A1 (en) 2013-03-13 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Gas sleeve for foreline plasma abatement system
JP5917477B2 (ja) * 2013-11-29 2016-05-18 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US9622375B2 (en) 2013-12-31 2017-04-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with external flow adjustments for improved temperature distribution
US9230780B2 (en) 2014-03-06 2016-01-05 Applied Materials, Inc. Hall effect enhanced capacitively coupled plasma source
US9240308B2 (en) 2014-03-06 2016-01-19 Applied Materials, Inc. Hall effect enhanced capacitively coupled plasma source, an abatement system, and vacuum processing system
US9378928B2 (en) 2014-05-29 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Apparatus for treating a gas in a conduit
US10115571B2 (en) 2014-06-04 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Reagent delivery system freeze prevention heat exchanger
US10513778B2 (en) * 2017-09-22 2019-12-24 Applied Materials, Inc. Native or uncontrolled oxide reduction by HWCVD H* using specific metal chamber liner

Also Published As

Publication number Publication date
US20200032392A1 (en) 2020-01-30
CN108070849B (zh) 2022-03-11
CN207973800U (zh) 2018-10-16
US10435787B2 (en) 2019-10-08
CN108070849A (zh) 2018-05-25
US20180135171A1 (en) 2018-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111247269B (zh) 介电膜的几何选择性沉积
CN107799390B (zh) 用于半导体图案化应用的高干法蚀刻速率材料
US10629429B2 (en) Selective deposition of silicon oxide
CN108630524B (zh) 氮化硅的选择性生长
CN107680903B (zh) 用于半导体图案化应用的掺杂ald膜
US20200032392A1 (en) Hyrodgen partial pressure control in a vacuum process chamber
US7758920B2 (en) Method and apparatus for forming silicon-containing insulating film
CN108597983B (zh) 利用催化剂控制在氧化硅上选择性沉积氮化硅
US20160233081A1 (en) Apparatuses and methods for depositing sic/sicn films via cross-metathesis reactions with organometallic co-reactants
KR20180058232A (ko) SiO 및 SiN을 포함하는 유동성 막들을 증착시키는 방법들
TW201411721A (zh) 用於流動性膜之經改良的緻密化作用
US20140272184A1 (en) Methods for maintaining clean etch rate and reducing particulate contamination with pecvd of amorphous silicon filims
WO2006019438A2 (en) Low-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon-nitrogen-containing films
CN110581067A (zh) 蚀刻方法及蚀刻装置
US8734901B2 (en) Film deposition method and apparatus
CN114245832A (zh) 原子层沉积期间的膜特性的原位控制
KR20190087323A (ko) 플라즈마 처리 장치의 부품의 클리닝 방법
WO2018026509A1 (en) Aluminum fluoride mitigation by plasma treatment
CN115398032A (zh) 原子层沉积过程中的损失预防
CN116137931A (zh) 减少半导体设备中的层内电容
CN113270315A (zh) 蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统
US11955333B2 (en) Methods and apparatus for processing a substrate
TW202413687A (zh) 單晶圓反應器、低溫熱矽氮化物沉積
WO2023230296A1 (en) Single wafer reactor, low temperature, thermal silicon nitride deposition
CN111424258A (zh) 氮化膜的成膜方法及氮化膜的成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application