TW201834014A - 異物檢出裝置，異物檢出方法及記憶媒體 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種能高精度地檢出在流路部流動的異物的技術。 　　[解決手段]一種異物檢出裝置，具備：供應至被處理體(W)的流體所流動的流路部(15A～15K)；以流路部(15A～15K)中的流體的流動方向與光路交叉的方式，在流路部(15A～15K)內的異物檢出區域(50)照射雷射光的雷射光照射部；接收透過異物檢出區域(50)的光的受光元件(45A、45B)；設置於流路部(15A～15K)與受光元件(45A、45B)之間的光路上，用以集光至受光元件(45A、45B)並形成集光點(63)的集光透鏡(57)；用以基於從前述受光元件(45A、45B)輸出的信號，用以檢出流體中的異物的檢出部(6)。在上述受光元件(45A、45B)中面向集光點(63)的受光區域的寬度，比集光點(63)的寬度還小。

Description

異物檢出裝置，異物檢出方法及記憶媒體
[0001] 本發明係有關於光學地檢出供應至被處理體的流體中的異物的異物檢出裝置、異物檢出方法、及具備執行該方法的電腦程式的記憶媒體。
[0002] 於半導體裝置的製造工程中，有例如對半導體晶圓(以下，記載成晶圓)進行液處理的工程。例如在形成光阻圖案的工程中，使用光阻等的各種藥液，藥液從藥液瓶，通過介設有閥門等機器的流路即配管，藉由噴嘴向晶圓上吐出。這種向晶圓供應的藥液中會有附著於配管或各機器的粒子混入的情形，又在該藥液中也會有氣泡產生的情形。且在含有樹脂材料的藥液例如光阻中，也有包含比正常的聚合物成分還大的，所謂的異常的聚合物成分的情形。 　　[0003] 例如在光阻中混入粒子及氣泡或異常的聚合物時，因為會成為顯影缺陷的要因，已知有監視該等異物直到異物的量低於設定值為止，例如在含有配管的供應系統內謀求藥液的清淨化的處理技術。作為監視異物的手法，有使用對流路內的藥液照射雷射光，並接收來自異物的散射光而量測異物的量的粒子計數器的手法。 　　[0004] 另一方面，隨著半導體裝置的設計規格的微細化的進展，被容許的粒子大小有漸漸地變小的傾向，要求有以高精度檢出更微細的異物的技術。不過，因為檢出對象的異物越小，S(信號位階)／N(雜訊位階)也會變小，高精度檢出變得困難。又欲檢出光阻中尺寸大的異常聚合物時，因為對應尺寸小的正常的聚合物的雷射光強度會成為雜訊，就異常聚合物的高精度檢出會變得困難。例如在專利文獻1中，雖記載關於使雷射光透過流路而檢出藥液中的粒子的技術，但要求以更高精度來進行異物的檢出。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0005] 　　[專利文獻1]特開2016-103590號公報
[發明所欲解決的問題] 　　[0006] 本發明係基於該等情事而完成，其目的為提供一種能高精度地檢出在流路部流動的異物的技術。 [解決問題的手段] 　　[0007] 本發明的異物檢出裝置，係在檢出供應至被處理體的流體中的異物之異物檢出裝置中，具備： 　　供應至前述被處理體的流體所流動的流路部； 　　以前述流路部中的流體的流動方向與光路交叉的方式，對該流路部內的異物檢出區域照射雷射光的雷射光照射部； 　　接收透過前述異物檢出區域的光的受光元件； 　　設置於前述流路部與前述受光元件之間的光路上，用以集光至該受光元件並形成集光點的集光透鏡； 　　用以基於從前述受光元件輸出的信號，檢出前述流體中的異物的檢出部； 　　其中， 　　在前述受光元件中面向前述集光點的受光區域的寬度，比該集光點的寬度還小。 　　[0008] 本發明的異物檢出方法，係在檢出供應至被處理體的流體中的異物之異物檢出方法中，具備： 　　為了對前述被處理體供應前述流體而向流路部供應該流體的工程； 　　藉由雷射光照射部，以前述流路部中的流體的流動方向與光路交叉的方式，對該流路部內的異物檢出區域照射雷射光的工程； 　　藉由受光元件接收透過前述異物檢出區域的光的工程； 　　藉由設置於前述流路部與前述受光元件之間的光路上的集光透鏡，集光至該受光元件並形成集光點的工程； 　　藉由檢出部，基於前述信號，檢出前述流體中的異物的工程； 　　在前述受光元件中面向前述集光點的受光區域的寬度，比該集光點的寬度還小。 　　[0009] 本發明的記憶媒體，係記憶用於檢出供應至被處理體的流體中的異物的異物檢出裝置的電腦程式的記憶媒體，其中， 　　前述電腦程式，組入步驟群以執行本發明的異物檢出方法。 [發明的效果] 　　[0010] 在本發明的異物檢出裝置中，具備：以被供應至被處理體的流體所流動的流路部中的流體的流動方向與光路交叉的方式，對該流路部內的異物檢出區域照射雷射光用的雷射光照射部、以及將透過前述異物檢出區域的光集光並使集光點形成於受光元件的集光透鏡，在該受光元件中面向前述集光點的受光區域的寬度，比集光點的寬度還小。藉由這樣的構成，能抑制從受光元件輸出的信號中含有雜訊，能夠高精度地進行異物的檢出。
[實施形態] 　　[0012] 圖1為適用本發明的異物檢出裝置的塗佈、顯像裝置1的概略圖。該塗佈、顯像裝置1具備：對被處理體即基板例如晶圓W分別供應藥液而進行處理的光阻塗佈模組1A、1B，抗反射膜形成模組1C、1D，保護膜形成模組1E、1F。該等模組1A～1F，為對晶圓W供應藥液而進行處理的藥液供應模組。塗佈、顯像裝置1由該等模組1A～1F對晶圓W供應各種藥液，在依序形成抗反射膜、光阻膜、及曝光時用以保護光阻膜的保護膜之後，例如將經浸潤曝光的晶圓W顯像。 　　[0013] 上述模組1A～1F具備藥液的供應路，塗佈、顯像裝置1可以檢出流通於該供應路中的藥液中之異物。流通於上述供應路中的藥液，被供應至晶圓W。接著，同時進行向晶圓W的藥液供應與異物的檢出。所謂異物，例如是粒子、氣泡、及粒徑比構成藥液的正常的聚合物還大的異常的聚合物等。所謂的異物的檢出，具體上例如是在預定的期間中，流經藥液的流路的預定的檢出區域的異物總數與各異物的尺寸的檢出。在塗佈、顯像裝置1中設有光供應部2，光供應部2藉由光纖23將從光源21輸出的例如波長532nm的雷射光導光至設於模組1A～1F的異物檢出單元4。 　　[0014] 模組1A～1F具有概略相同的構成，在此說明圖1所示的光阻塗佈模組1A的概略構成。光阻塗佈模組1A具備例如11個噴嘴11A～11K，其中10個噴嘴11A～11J向晶圓W作為藥液吐出光阻，而形成塗佈膜即光阻膜。噴嘴11K向晶圓W吐出稀釋液。稀釋液被供應至被供應光阻前的晶圓W，為提高光阻的潤濕性的預濕潤用藥液，為光阻的溶劑。 　　[0015] 噴嘴11A～11J連接至形成藥液的供應路的藥液供應管12A～12J之下游端，藥液供應管12A～12J的上游端，藉由閥門V1各自連接至光阻的供應源13A～13J。各光阻的供應源13A～13J具備：儲留例如光阻的瓶、及將從瓶所供應的光阻壓送至噴嘴11A～11J的泵。儲留於供應源13A～13J的各瓶中的光阻的種類互為不同，對晶圓W供應從10種光阻中所選擇出的1種光阻。 　　[0016] 噴嘴11K連接至藥液供應管12K之下游端，藥液供應管12K的上游端，通過閥門V1連接至供應源13K。供應源13K除了儲留上述的稀釋液來取代光阻以外，與供應源13A～13J具有相同的構成。亦即，當處理晶圓W時，藥液流經藥液供應管12A～12K的時點互相不同。藥液供應管12A～12K由具有可撓性的材質，例如由樹脂所構成，以不妨礙後述的噴嘴11A～11K的移動的方式來構成。在藥液供應管12A～12K中的噴嘴11A～11K與閥門V1之間，介設有分光液槽15A～15K。分光液槽15A～15K作為異物的測定用的流路部而構成，檢出通過其內部的異物。有關於分光液槽15A～15K於之後詳述。 　　[0017] 圖2中就光阻塗佈模組1A表示更詳細的構成之一例。圖中31、31為轉盤，在吸附保持各個晶圓W的裏面中央部使其維持水平的同時，使保持的晶圓W繞鉛直軸旋轉。圖中32、32為罩杯，包圍住被保持於轉盤31、31的晶圓W的下方及側方，抑制藥液的飛散。圖中33為繞鉛直軸旋轉的旋轉台，在旋轉台33的上方設置有可在水平方向自由移動的垂直支柱34、及噴嘴11A～11K的支架35。36為沿著支柱34可自由升降的升降部，37為可以使升降部36在與支柱34的移動方向垂直之水平方向上自由移動的臂。臂37的前端設置有噴嘴11A～11K的裝卸機構38。藉由旋轉台33、支柱34、升降部36及臂37的協動動作，在各轉盤31上及支架35之間移動噴嘴11A～11K。 　　[0018] 在上述旋轉台33及罩杯32的側方，以不干涉移動的臂37及支柱34的方式設置異物檢出單元4。藉由該異物檢出單元4、上述光供應部2、及後述控制部6來構成本發明的異物檢出裝置。圖3表示該異物檢出單元4的平面圖。異物檢出單元4具備：雷射光照射部51、受光部52、流路陣列16，例如作為利用前方散射光的光散射方式的粒子計數器而構成。也就是說，在受光元件接收到因異物而產生的散射光時，基於從該受光元件輸出的信號的變化來進行異物的檢出。 　　[0019] 上述光纖23的下游端，通過準直器42連接至雷射光照射部51。例如在塗佈、顯像裝置1的運轉中，從光供應部2常時地供應光至光纖23，藉由後述的閘門41的光路的開關，切換向流路陣列16供應光的狀態、與停止向流路陣列16供應光的狀態。光纖23以不妨礙後述的雷射光照射部51的移動的方式而具有可撓性。 　　[0020] 關於流路陣列16，參照圖4的斜視圖進行說明。形成藥液的流路部的流路陣列16為石英製，作為角形的橫長區塊而構成，在上下方向具備各別形成的11個貫通口。各貫通口沿著流路陣列16的長度方向配列，各貫通口與該貫通口周圍的壁部作為上述的分光液槽15A～15K而構成。接著，分光液槽15A～15K形成立起的管，藥液於構成該分光液槽15A～15K的各貫通口從上方向下方流動。將分光液槽15A～15K的各貫通口作為流路17A～17K。流路17A～17K相互同樣地構成，如同既述在各藥液供應管12A～12K分別介設。 　　[0021] 回到圖3繼續說明。上述雷射光照射部51及受光部52，將流路陣列16從前後夾持並以互相對向的方式設置。圖中43為將雷射光照射部51及受光部52從流路陣列16的下方側支持的載台，藉由圖未示的驅動機構在左右方向移動自如而構成。藉由這樣的載台43移動，雷射光照射部51能夠將從光纖23導出的光照射至流路17A～17K之中選擇出的一個流路17，受光部52接收以此方式照射至流路17而透過該流路17的光。也就是說，相對於藥液的流動方向以交叉的方式在流路17形成光路。 　　[0022] 圖5為雷射光照射部51及受光部52的概略構成圖。在說明的方便上，將從雷射光照射部51朝向受光部52的方向作為後方。雷射光照射部51具備光學系統，在該光學系統中例如包含集光透鏡53。又，在圖5中雖省略圖示，但如圖3所示在雷射光照射部51中，設有上述的閘門41。 　　[0023] 上述的準直器42朝向後方側在水平方向上照射雷射光。閘門41在遮蔽準直器42及集光透鏡53之間的光路的遮蔽位置(圖3中以鏈線表示)、與從該光路退避的開放位置(圖3中以實線表示)之間移動，使該光路開閉。集光透鏡53包含：柱狀透鏡及例如稱為鮑威爾透鏡或雷射線產生透鏡的透鏡，使從準直器42照射的雷射光集光至流路17A，並就光路的橫剖面，以使與該藥液的流動方向垂直的方向長於藥液的流動方向的方式，使雷射光平化。在比集光透鏡53還前方側，光路的橫剖面(向前後方向觀察時的剖面)例如為略真圓的圓形，藉由集光透鏡53而在分光液槽15內的光路的橫剖面，設為例如具有沿著左右方向的長徑的橢圓形。 　　[0024] 形成於流路17A的光路中，能量密度較高的集光區域成為異物的檢出區域50，對進入該檢出區域50的異物進行檢出。因為如同上述而在流路17A形成光路，該檢出區域50為左右橫長，以平面視時相對於流路17A的面積的檢出區域50的面積比例較大。藉由形成這樣的檢出區域50，在流經流路17A內的異物總數之中，被檢出的異物的數量的比例變高。 　　[0025] 接著說明關於受光部52。該受光部52，具備由前方側向後方側依序配列的光學系統54、遮罩61、光檢出部40。光學系統54具備分別配置於前方側、後方側的對物透鏡56、及集光透鏡57，藉由對物透鏡56使透過分光液槽15A的光成為平行光，藉由集光透鏡57集光至光檢出部40。 　　[0026] 接著關於光檢出部40參照圖6的正視圖進行說明。此外，圖6表示從遮罩61的前方位置向後方觀察時的光檢出部40。光檢出部40例如藉由由各個光二極體而形成的64個受光元件來構成，各受光元件相互具有同樣的構成。受光元件例如以形成2×32的行列的方式相互隔著間隔而配置。將配置於上側的受光元件作為受光元件45A、配置於下側的受光元件作為受光元件45B。圖中以L4表示的受光元件45A、45B的左右的寬度在此例中為53μm。關於照射至該光檢出部40的光路的橫剖面也一樣，長邊為沿著左右方向的平橢圓，以受光元件45A位於該光路的上半分、受光元件45B位於該光路的下半分的方式，來配置該等各受光元件45A、45B。在左右方向的相同位置的受光元件45A、受光元件45B成為一組。關於該等受光元件45A、45B，向後方側觀察時具有從左側依序作為1通道、2通道、3通道・・・32通道(ch)而附加通道(ch)編號來表示的情形。 　　[0027] 異物檢出單元4具備對應受光元件45A、45B的各通道而各別設置的計32個電路部46。參照圖7說明關於該電路部46的話，電路部46具備：分別設置於受光元件45A及受光元件45B後段的互阻抗放大器(TIA)47A、47B、分別設於TIA47A、47B的後段的差分電路48。受光元件45A及受光元件45B將因應受光的光強度的電流供應至TIA47A、47B，而TIA47A、47B將對應各供應的電流的電壓信號輸出至差分電路48。差分電路48將來自TIA47A的電壓信號與來自TIA47B的電壓信號間的差分的電壓信號輸出至後述的控制部6。控制部6基於從上述差分電路48輸出的信號來進行異物的檢出。這樣基於對應至來自受光元件45A、45B的各輸出的差分的信號而進行的異物檢出，是為了除去在受光元件45A、45B所共通檢出的雜訊。關於上述電路部46也一樣，有與連接的受光元件45A、45B的通道編號附上相同通道編號來表示的情形。 　　[0028] 關於受光元件45A、45B與上述分光液槽的檢出區域50間的關係，利用圖8的模式圖來更詳加說明。圖中的二點鏈線的箭頭表示向分光液槽15A的流路17A進行光照射時的從雷射光照射部51至受光元件45A群的光路。此外，在該圖8中為了方便說明而省略遮罩61。在流路17A的光路中向前方側觀察時，將集光區域即檢出區域50的上半分在長度方向分割成32個的分割檢出區域的各者，從右端依序稱為1ch的分割檢出區域～32ch的分割檢出區域。圖中以L21表示的1個分割檢出區域的左右寬度，例如為0.85μm，在各分割檢出區域附加符號59。 　　[0029] 在光學系統54中，1ch的分割檢出區域59與1ch的受光元件45A以1對1對應、2ch的分割檢出區域59與2ch的受光元件45A以1對1對應、3ch的分割檢出區域59與3ch的受光元件45A以1對1對應，同樣地順序相同的通道的分割檢出區域59與受光元件45A以1對1對應的方式構成。亦即，於1ch的分割檢出區域59與異物反應而產生的反應光(因反應而受到攝動的光)幾乎全部照射到1ch的受光元件45A、於2ch的分割檢出區域59與異物反應而產生的反應光(因反應而受到攝動的光)幾乎全部照射到2ch的受光元件45A。以這種進行受光的方式，透過各通道的分割檢出區域59的雷射光的例如85%以上在所對應的通道的受光元件45A被受光。在圖8中，以實線的箭頭、虛線的箭頭來表示從相互不同的通道的分割檢出區域59照射至相互不同的通道的受光元件45A的反應光的光路。 　　[0030] 以這樣進行光照射，對應於進入檢出區域50的異物的信號，從任一個通道的受光元件45A產生。例如僅未照射至該反應光所對應的通道的受光元件45A而跨越至其他通道的受光元件45A入光的話，流至受光元件45A的電流位階會變低，而檢出精度變低。也就是說，藉由如同上述的方式將分割檢出區域59與受光元件45A以對應的方式來構成，提高異物的檢出精度。 　　[0031] 同樣地，將集光區域即檢出區域50的下半分在長度方向分割成32個的分割檢出區域59的各者，稱為1ch的分割檢出區域59～32ch的分割檢出區域59的話，1個通道的分割檢出區域59對應1個通道的受光元件45B。也就是說，以1個通道的分割檢出區域59的反應光照射至1個通道的受光元件45B的方式來構成光學系統54。 　　[0032] 又，以上述那樣具有複數通道的受光元件45A、45B的方式來構成，是因為藉由抑制1個受光元件45(45A、45B)所接收到的雷射光的能量，而使因雷射光的光子波動而引起的射擊雜訊降低，並使SN比(S／N)提升，也是因為藉由抑制流經對應於1個受光元件45的檢出區域的正常的聚合物之數，抑制該聚合物所引起的雜訊，而使SN比提升。此外，雖例示了在分光液槽15A形成檢出區域50時的光路，但在其他分光液槽15B～15K形成檢出區域50的情形也同樣形成光路，進行異物的檢出。 　　[0033] 這裡更詳細地說明有關遮罩61。遮罩61如圖6所示，例如具備32個上下細長的開口部62，該等開口部62沿著左右配列，各通道的受光元件45A、45B位於前方。開口部62的左右的開口寬度L5比上述受光元件45A、45B的寬度L4還小。因此，從上述分割檢出區域59向受光元件45A、45B照射的光之中的一部分被遮光，僅其他的一部分被受光元件45A、45B所受光。受光元件45A、45B之中與開口部62重疊的區域，面向後述集光點63，形成從該受光元件45A、45B使信號輸出的受光區域。 　　[0034] 圖9中，將從檢出區域50的上半分的3ch的分割檢出區域59向3ch的受光元件45A的光路以點線來模式地表示。該圖9及圖6中，示出作為未設置遮罩61的情形中的從3ch的分割檢出區域59照射至3ch的受光元件45A而形成的雷射光的集光點63。因為如同上述一個分割檢出區域59的光幾乎全部，照射至對應該分割檢出區域59的受光元件45A，集光點63的左右的寬度L6與受光元件45A、45B的寬度L4相同，例如為53μm。也就是說，上述遮罩61的開口部62的寬度L5，比該集光點63的寬度L6還小。因此，向光路的形成方向即前後方向觀察時，受光元件45A及45B的受光區域的面積比集光點63的面積還小。 　　[0035] 此外，關於3ch的受光元件45A以外的受光元件45A、45B也一樣，面向從對應的分割檢出區域59一樣進行光照射而形成的集光點63。也就是說，從集光透鏡57以橫跨各通道的受光元件45A、45B的方式形成集光點來進行光照射，圖6、圖9所示的集光點63表示對應以此方式橫跨各受光元件45A、45B的集光點中的一個分割檢出區域59的區域。也就是說，在該例中從構成各個異物檢出區域的64個分割檢出區域59，向64個受光元件45各自照射光而形成集光點63，各集光點63的寬度比各受光元件45的寬度還小。 　　[0036] 說明關於設置上述遮罩61的理由。在流經流路17A～17J的光阻中，包含用以形成光阻膜的正常的聚合物，該聚合物藉由通過上述分割檢出區域59而向受光元件45A、45B照射該聚合物所引起的散射光，在從該受光元件45A、45B輸出的信號中會產生背景雜訊。對應1個受光元件45A或45B的分割檢出區域59越大，因為會受到該正常的聚合物所造成的影響，該雜訊信號的振幅變得越大。 　　[0037] 即便異物通過分割檢出區域59，而輸出異物的檢出信號，檢出具有比該雜訊信號的振幅還小的振幅的信號是困難的。也就是說，藉由雜訊的信號來決定異物的測定可能的最小粒徑(最小可測粒徑)。其中，設置上述遮罩61而使得受光元件45A、45B的左右的寬度比集光點63的左右的寬度還小，抑制在受光元件45A、45B中因受光而可輸出信號的受光區域的面積，抑制了檢出的聚合物之數。藉此，抑制了從受光元件45A、45B輸出的雜訊信號的位階而使SN比提升，也能夠檢出較小的異物，進而高異物的檢出精度。 　　[0038] 此外，因為上述雜訊信號的振幅，會被包含於藥液中的聚合物大小及聚合物與溶劑間的折射率差所影響，上述遮罩61的開口寬度L5的適切值因藥液的種類而有所不同。在這裡作為代表，作為設定對應在流路17A流通的光阻的開口寬度L5者，參照圖10的圖形同時說明該設定方法。圖形的橫軸表示開口寬度L5(單位：μm)。圖形的縱軸表示從受光元件45A或45B輸出的電壓信號的振幅。 　　[0039] 圖形的曲線A1為關於光阻中的檢出對象的異物之中，具有最小粒徑者，表示開口寬度L5與振幅間的對應關係。關於該曲線A1，雖隨著圖形所示的開口寬度L5變大振幅也漸漸地變大，但漸漸地振幅的上升被抑制，最終到達頂點。又，開口寬度L5與從受光元件45A或45B輸出的雜訊振幅之間的對應關係，在圖形中作為直線A2所示的一次函數來表現，隨著開口寬度L5變大該雜訊振幅也跟著變大。因這樣異物的檢出信號的特性與雜訊的特性互為相異者經由發明者的實驗而變得明朗化。此外，該等曲線A1、直線A2基於例如由實驗取得的資料，例如由最小平方法等來算出。 　　[0040] 因為若異物的檢出信號的振幅比雜訊的振幅還小的話，難以區別該檢出信號與雜訊，故就信號強度在成為曲線A1＞直線A2的範圍內設定開口寬度L5的值。也就是說，圖形所示的B1～B2的範圍內成為開口寬度L5的候補。此外，如同上述開口寬度L5小者檢出流路17A的聚合物的量少，能夠抑制雜訊。但是，如圖形所示開口寬度L5變得越小曲線A1的斜率就越陡，若曲線A1的斜率變比直線A2的斜率還大的話，因為檢出信號比雜訊更快降低，難以提升SN比。在此，在上述B1～B2的範圍內，以曲線A1的切線的斜率與直線A2的斜率相互一致的方式來設定開口寬度L5較佳。 　　[0041] 上述斜率相互一致指的是將直線A2的斜率作為Y1／X1時，曲線A1的切線的斜率包含於0.95×(Y1／X1)～1.05×(Y1／X1)的範圍內。在圖中以此方式將該斜率一致於直線A2的斜率的曲線A1的切線作為A3表示，將對應該切線A3的開口寬度L5作為B3表示。此外，雖如同上述根據藥液的種類而適切的開口寬度L5有所不同，但關於在流路17A～17J流通的光阻，適切的開口寬度L5為一致，在該實施形態中，於該等流路17A～17J設為共用遮罩61。 　　[0042] 接著，說明有關設置於塗佈、顯像裝置1的異物的檢出部即控制部6(參照圖1)。控制部6例如由電腦所構成，具有未圖示的程式儲存部。在該程式儲存部中，儲存有進行在各模組的晶圓W的處理、及如同上述的基於從受光元件的各通道輸出的信號的異物的檢出、由後述的搬送機構進行的在塗佈、顯像裝置1內的晶圓W的搬送等的各動作的命令(步驟群)組入而成的程式。藉由該程式，從控制部6輸出控制信號至塗佈、顯像裝置1的各部，藉此進行上述的各動作。該程式例如以收納於硬碟、光碟、磁光碟、或記憶卡等的記憶媒體的狀態，被儲存於程式儲存部。 　　[0043] 關於圖1所示的光阻塗佈模組1A以外的模組已預先說明，光阻塗佈模組1B與模組1A具有一樣的構成。抗反射膜形成模組1C、1D及保護膜形成模組1E、1F，例如除了供應抗反射膜形成用的藥液、及保護膜形成用的藥液來取代光阻及稀釋液以外，與模組1A與1B具有同樣的構成。抗反射膜形成用的藥液與光阻一樣含有聚合物。例如在模組1C～1F中，也與模組1A、1B一樣供應藥液至晶圓W。 　　[0044] 接著邊參照圖11的時序流程，邊說明有關於在上述光阻塗佈模組1A中進行的晶圓W的處理及異物的檢出。該時序流程中，各別表示：整定13A～13K之中的一個供應源13中的泵的壓力的時點、藉由臂37來移動對應11A～11K之中的一個供應源13的一個噴嘴11的時點、對應12A～12K之中一個供應源13的藥液供應管12的閥門V1的開關時點、切換從雷射光照射部51照射雷射光的狀態與停止照射該雷射光的狀態的時點、藉由控制部6取得來自光檢出部40的各通道的信號的時點。上述切換照射雷射光的狀態與照射停止狀態的時點，也可以稱之為異物檢出單元4的閘門41開關的時點。 　　[0045] 實際上，在晶圓W雖以稀釋液、光阻的順序進行塗佈，但為了方便說明，從塗佈光阻時的動作開始說明。首先，以將晶圓W至搬送轉盤31上並保持的狀態，例如將噴嘴11A搬送至晶圓W上，並由供應源13A的泵進行光阻的吸引，藉此以成為預定壓力的方式開始進行整定(時刻t1)。例如一同進行該噴嘴的移動及泵的動作，雷射光照射部51及受光部52移動至夾持分光液槽15A的位置。此時將異物檢出單元4的閘門41關閉。 　　[0046] 噴嘴11A在晶圓W上靜止(時刻t2)，晶圓W以預定的旋轉數成為旋轉的狀態。接著將藥液供應管12A的閥門V1開啟，在從泵向噴嘴11A以預定的流量壓送光阻的同時將閘門41開啟，從雷射光照射部51照射雷射光，透過分光液槽15A。亦即，在分光液槽15A的流路17A，如圖8、圖9所說明的形成檢出區域50，向受光部45A、45B進行光照射(時刻t3)。如圖9所說明的，藉由遮罩61來將構成檢出區域50的分割檢出區域59中的光的一部分遮光，從各受光元件45A、45B向電路部46輸出的信號中所包含的，因光阻中的正常的聚合物所引起的雜訊變小。 　　[0047] 接著，被壓送的光阻通過分光液槽15A，從噴嘴11A向晶圓W的中心部吐出。閥門V1的開度上升，直到成為預定的開度後開度的上升停止(時刻t4)。然後，由控制部6開始取得來自各通道的電路部46的輸出信號(時刻t5)。異物流經流路17A，在檢出區域50從上方向下方流動時，從對應異物流經的分割檢出區域59的通道的受光元件45A或受光元件45B，輸出對應該異物的信號，來自電路部46的輸出信號的位階發生變化。之後，控制部6停止取得來自各通道的受光元件45的輸出信號(時刻t6)，接著在關閉閘門41，在停止來自雷射光照射部51的光照射的同時，關閉藥液供應管12A的閥門V1(時刻t7)，停止向晶圓W的光阻的吐出。被吐出的光阻因離心力而延伸至晶圓W的周圍部，形成光阻膜。 　　[0048] 在上述時刻t5～t6間，基於從各通道的電路部46取得的輸出信號，進行受光元件45的每個通道的異物計數。再來基於該輸出信號，測定異物的粒徑，並進行分級。也就是說，就粒徑在設定的複數的每個範圍中，計數異物的數量。接著，將在每個通道檢出的異物的數量合計，算出在檢出區域50全體檢出的異物的數量(作為異物的總數)。然後，進行異物的總數是否在閾值以上的判定、及比預定的粒徑還大的異物的數量是否在閾值以上的判定。 　　[0049] 接著，當判定上述異物總數在閾值以上時或判定比預定的粒徑還大的異物的數量在閾值以上時，在輸出警告的同時，停止模組1A的動作，中止晶圓W的處理。該警告，具體來說例如是向構成控制部6的監視器的預定顯示、或從構成控制部6的揚聲器的預定聲音的輸出。此外，該警告的輸出，包含例如是用以將15A～15K之中輸出異常的分光液槽15通報給使用者的顯示或聲音的輸出。當判定異物總數不在閾值以上，且判定比預定的粒徑還大的異物的數量不在閾值以上時，不進行警告的輸出，也不進行模組1A動作的停止。此外，上述的各演算及各判定藉由形成計數部的控制部6來進行。 　　[0050] 在向晶圓W吐出稀釋液時，除了取代噴嘴11A而將噴嘴11K搬送至晶圓W上、取代供應源13A的泵而使供應源13K的泵動作、取代藥液供應管12A的閥門V1而開關藥液供應管12K的閥門V1、及取代向分光液槽15A進行光照射而向分光液槽15K進行光照射以外，依照圖11的時序流程使各部動作。藉由該動作，與向晶圓W的稀釋液的供應一同，進行該稀釋液中的異物的檢出。此外，雖然在稀釋液中未含有聚合物，但如同後述的評價試驗所示，與檢出光阻中的異物的情形一樣，確認到藉由適切地設定遮罩61的開口寬度L5能夠使雜訊降低而使異物的檢出精度提升。供應至晶圓W的稀釋液與光阻一樣藉由晶圓W的旋轉而供應至晶圓W的表面全體。通過上述流路17A所供應的光阻，以其方式對供應有稀釋液的晶圓W進行供應。 　　[0051] 向晶圓W的稀釋液供應後，當對該晶圓W供應包含於供應源13A以外的供應源的光阻時，除了將使用的光阻吐出的噴嘴被搬送至晶圓W上、對應使用的光阻的供應源的泵進行動作、對應使用的光阻的供應管的閥門V1進行開關、及照射光至對應使用的光阻的分光液槽以外，進行與將供應源13A的光阻供應至晶圓W的情形一樣的動作。 　　[0052] 在上述圖11的流程說明的異物的檢出中，為了在分光液槽15A的液流在穩定的狀態下藉由進行異物的檢出而使測定精度提高，如以上所述將閥門V1開關的時點、與控制部6開始及結束輸出信號的取得的時點互相錯開。例如上述的時刻t4～t5間為10微秒～1000微秒，時刻t6～t7間為10微秒～100微秒。作為代表雖說明關於模組1A的動作，但有關其他的模組1B～1F也和模組1A一樣，進行向晶圓W的藥液的供應及異物的檢出。 　　[0053] 根據該塗佈、顯像裝置1，設置有：供應至晶圓W的光阻的流路的一部分即構成光阻中的異物的測定區域的分光液槽15A～15K、接收從雷射光照射部51照射而透過該分光液槽15A～15K的光的受光元件45A、45B、用來使能檢出受光元件45A、45B的光的區域的寬度比對應形成於分光液槽15A～15K的檢出區域50的各分割檢出區域59的集光點63的寬度還小的遮罩61。因此，抑制了包含於來自受光元件45A、45B的輸出信號的雜訊的位階，其結果能夠增大該輸出信號的SN比。接著，設置於塗佈、顯像裝置1的控制部6，就光阻中的異物能夠進行高精度的檢出。此外，集光點63的寬度與受光元件45A、45B的寬度間的適切對應關係係因應藥液而決定。也就是說未設置遮罩61時，因為每種藥液其適切的集光透鏡57及受光元件45A、45B的寬度不同，如同上述為了設為適切的對應關係需調整該等寬度，但如同本實施形態設置遮罩61時，藉由進行將遮罩61的開口寬度(狹縫的寬度)因應在裝置使用的藥液而調整的這種簡易的調整，能夠設為上述適切的對應關係。因此，能夠防止集光透鏡57及受光元件45A、45B的大型化而使裝置構成簡素化，具有能使裝置的製造成本降低的優點。 　　[0054] 此外，藉由進行這種異物的檢出，可監視對晶圓W供應的光阻的清淨度。接著當光阻的清淨度低於預定的基準時，如同上述將模組的動作停止，藉此中止在該模組的後續晶圓W的處理。因此，因為可防止供應清淨度低的光阻至後續的晶圓W，可防止降低產能。再來，在藥液供應管12A～12K之中，因為特定出檢出異物的供應管12，故塗佈、顯像裝置1的使用者能夠在模組的動作停止後迅速地進行保養及修理。因此，能夠抑制模組的動作停止的時間變長，其結果，能夠抑制於塗佈、顯像裝置1中的半導體製品的生產性降低。 　　[0055] 再來，當如同上述判定在檢出區域50流通的異物總數在閾值以上時、及/或當判定具有比預定的粒徑還大的粒徑的異物的數量在閾值以上時，作為對應於此的處理，不限於警告的輸出及模組的動作停止。例如，光阻的供應源13A～13J之中，從對應作出如此判定的分光液槽15的供應源13，將光阻作為供應管12的洗淨液供應至噴嘴11，將藥液供應管12中含有的異物從噴嘴11去除。亦即，自動地將藥液供應管12洗淨。在該動作後，對後續的晶圓W再度開始處理也可以。 　　[0056] 接著，有關塗佈、顯像裝置1的具體構成例，一邊參照圖12、圖13一邊進行說明。圖12、13分別為該塗佈、顯像裝置1的平面圖、及概略縱斷側面圖。該塗佈、顯像裝置1將載體區塊D1、處理區塊D2、及介面區塊D3以直線狀連接而構成。介面區塊D3連接曝光裝置D4。載體區塊D1將載體C對塗佈、顯像裝置1內進行搬入及搬出，並備：載體C的載置台71、開關部72、通過開關部72用以從載體C搬送晶圓W的搬送機構73。 　　[0057] 處理區塊D2由對晶圓W進行液處理的第1～第6的單位區塊E1～E6從下往上依序層積所構成。在互相畫分各單位區塊E1～E6的同時，分別具備搬送機構F1～F6，於各單位區塊E中互相並行而進行晶圓W的搬送及處理。在這裡，單位區塊之中作為代表參照圖12說明第3單位區塊E3。從載體區塊D1向介面區塊D3搬送區域74延伸形成，在該搬送區域74設置上述的搬送機構F3。又，從載體區塊D1向介面區塊D3觀察時，在搬送區域74的左側配置有棚單元U。棚單元U具備加熱模組。又，從載體區塊D1向介面區塊D3觀察時，在搬送區域74的右側，將上述光阻塗佈模組1A、保護膜形成模組1E沿著搬送區域74設置。 　　[0058] 第4單位區塊E4和第3單位區塊E3具有相同的構成，設置有光阻塗佈模組1B及保護膜形成模組1F。在單位區塊E1、E2中，除了分別設置抗反射膜形成模組1C、1D來取代光阻塗佈模組1A、1B及保護膜形成模組1E、1F以外，和單位區塊E3、E4具有相同的構成。單位區塊E5、E6具備：供應顯像液至晶圓W，來使光阻膜顯像的顯像模組。顯像模組除了作為藥液將顯像液供應至晶圓W以外，和模組1A～1F具有相同的構成。 　　[0059] 於處理區塊D2中的載體區塊D1側，設置有：橫跨各單位區塊E1～E6並上下延伸的塔T1、用以對塔T1進行晶圓W的收授的升降自如之搬送機構75。塔T1由互相層積的複數模組所構成，於單位區塊E1～E6的各高度設置的模組，能夠在該單位區塊E1～E6的各搬送機構F1～F6之間收授晶圓W。作為該等模組，包含：設置於各單位區塊的高度位置的收授模組TRS、進行晶圓W的溫度調整的調溫模組CPL、暫時保管複數枚晶圓W的緩衝模組、及對晶圓W的表面進行疏水化的疏水化處理模組等。為了簡化說明，關於前述疏水化處理模組、調溫模組、前述緩衝模組在圖式中省略。 　　[0060] 介面區塊D3具備橫跨單位區塊E1～E6而上下延伸的塔T2、T3、T4，且設置：用以對塔T2及塔T3進行晶圓W的收授的升降自如的收授機構即搬送機構76、用以對塔T2及塔T4進行晶圓W的收授的升降自如的收授機構即搬送機構77、及用以在塔T2與曝光裝置D4之間進行晶圓W的收授之搬送機構78。 　　[0061] 塔T2以互相層積：收授模組TRS、存放曝光處理前的複數枚晶圓W並使其滯留的緩衝模組、存放曝光處理後的複數枚晶圓W的緩衝模組、及進行晶圓W的溫度調整的調溫模組等的方式構成，但在此省略緩衝模組及調溫模組的圖式。 　　[0062] 在處理區塊D2的上方設置既述的光供應部2，為了從光供應部2連接至單位區塊E1～E4的模組1A～1F，使光纖23向下方引繞。又，在處理區塊D2上方構成上述的控制部6，設置有進行基於來自既述的各通道的電路部46的輸出信號的每個通道的異物的數量的算出、異物的總數的算出及各異物的粒徑的算出的演算部60，藉由圖未示的配線將演算部60與模組1A～1F連接。 　　[0063] 說明有關於該塗佈、顯像裝置1的晶圓W的搬送經路。晶圓W藉由搬送機構73從載體C搬送至處理區塊D2中的塔T1的收授模組TRS0。從該收授模組TRS0晶圓W被分配搬送至單位區塊E1、E2。例如將晶圓W收授至單位區塊E1時，塔T1的收授模組TRS之中，相對於對應單位區塊E1的收授模組TRS1(藉由搬送機構F1而可進行晶圓W的收授的收授模組)，從前述TRS0收授晶圓W。又將晶圓W收授至單位區塊E2時，塔T1的收授模組TRS之中，相對於對應單位區塊E2的收授模組TRS2，從前述TRS0收授晶圓W。該等晶圓W的收授，藉由搬送機構75來進行。 　　[0064] 經由這樣分配的晶圓W，以TRS1(TRS2)→抗反射膜形成模組1C(1D)→加熱模組→TRS1(TRS2)的順序進行搬送，接著藉由搬送機構75分配至對應單位區塊E3的收授模組TRS3、及對應單位區塊E4的收授模組TRS4。 　　[0065] 以此方式分配至TRS3(TRS4)的晶圓W，以TRS3(TRS4)→光阻塗佈模組1A(1B)→加熱模組→保護膜形成模組1E(1F)→加熱模組→塔T2的收授模組TRS的順序進行搬送。然後，該晶圓W藉由搬送機構76、78，通過塔T3被搬入曝光裝置D4。曝光後的晶圓W，藉由搬送機構78、77，在塔T2、T4之間被搬送，分別被搬送至對應單位區塊E5、E6的塔T2的收授模組TRS15、TRS16。然後，以加熱模組→顯像模組→加熱模組→收授模組TRS5(TRS6)的順序進行搬送後，通過搬送機構73被送回至載體C。 　　[0066] 此時，如圖14所示，受光元件45A、45B的寬度L4以小於上述集光點63的寬度L6來構成也可以。此外，該圖14所示的集光點63，為形成於受光元件45的前面及與該前面相同的平面上的點。也就是說，即便未設置遮罩61，而使受光元件45A、45B中能檢出光的受光區域的寬度比集光點63的寬度L6還小，能夠抑制正常的聚合物及溶劑所造成的散射光照射至受光元件45A、45B。 　　[0067] 此外，對應1個集光點63的受光元件45A之數不限於1個，將複數微小的受光元件45A對應1個集光點63而配置，將各受光元件45A的輸出信號合計進行檢出也可以。同樣地就受光元件45B而言對1個集光點63設置複數個也可以。又，在既述的例中，雖設置複數受光元件45，而集光至各受光元件45的方式來構成，但僅設置1個受光元件45，以面向該受光元件45的方式形成1個既述的集光點63，使該受光元件45的受光區域的寬度變得比該集光點63的寬度還小的方式來構成也可以。 　　[0068] 此外，在圖15所示的受光部52，既述的遮罩61以在前後方向重疊的方式設置。在受光部設置有使該等遮罩61在左右方向各自移動的移動機構64。藉由各移動機構64來移動遮罩61，各遮罩61的開口部62的重疊區域的寬度會變化。該2個遮罩61形成1個遮罩65，藉由各遮罩61的移動而能夠變更該遮罩65的開口寬度L5。藉由這樣的構成，流路17A～17K之中，以成為對應在進行異物的檢出的流路流動的藥液的開口寬度L5的方式，來調整受光部52中的各遮罩61的位置。因此，在遮罩65中，因應成為異物的檢出對象的藥液，來變更開口寬度L5的大小。因此，能夠更高精度進行各流路中的藥液中的異物的檢出。 　　[0069] 此外，雖說明本發明適用利用前方散射光的光散射光方式的粒子計數器之例，但本發明也能適用於將雷射光照射異物所生成的繞射光(繞射紋)在光檢出部40受光，基於該繞射紋的受光所造成的輸出信號的變化，來檢出異物的粒子計數器，也能夠適用於由稱為IPSA法的手法來進行檢出的粒子計數器。也就是說，本發明的適用並不限定於具有特定的測定原理的粒子計數器。 　　[0070] 此外，成為檢出異物的對象的藥液並不限於上述光阻及稀釋液。例如，本發明適用於保護膜形成模組1E、1F、顯像模組，進行保護膜形成用的藥液中的異物及顯像液中的異物的檢出也可以。其他，例如用以在晶圓W形成絕緣膜的藥液供應裝置、或供應用以洗淨晶圓W的藥液即洗淨液的洗淨裝置、用以將複數晶圓W互相貼合的黏接劑作為藥液向晶圓W供應的裝置等的各藥液供應裝置也能夠適用於本發明。 　　[0071] 此外，本發明並不限於適用於藥液供應裝置。例如在流路陣列16設置與流通藥液的分光液槽15不同的氣體流通用的分光液槽15。接著，藉由吸引泵等能夠將塗佈、顯像裝置1中的搬送區域74等的搬送晶圓W的區域的氛圍供應至該氣體流通用的分光液槽15。搬送晶圓W的區域，也包含處理光阻塗佈模組1A等的處理晶圓W的區域。接著，和檢出藥液中的異物的情況一樣，將氣體流通用的分光液槽在氣體的流通中，於該分光液槽形成光路而進行異物的檢出。因此，本發明不只是能夠檢出包含於供應至晶圓W的液體中的異物，也能檢出包含於周邊環境中的異物。也就是說，能夠檢出包含於流體中的異物。此外，本發明並不限於既述的各實施形態，能夠將各實施形態作相互組合、適宜變更。 　　[0072] ［評價試驗］說明關於與本發明關連而進行的評價試驗。 ・評價試驗1 　　作為評價試驗1，在設有上述遮罩61的異物檢出單元4中，從雷射光照射部51通過流路17(17A～17K)將雷射光照射至受光部52，測定從受光元件45A、45B輸出的雜訊位階。該雜訊位階為電壓波形中的峰值間的差。又，將雷射光的照射中的流路17的藥液流通狀態在每次試驗中變更。 　　[0073] 評價試驗1之中，雷射光的照射中，將在流路17中以儲留純水的狀態而不形成液流者作為評價試驗1-1。將在流路17中以5mL／分流通純水者作為評價試驗1-2。將在流路17中以5mL／分流通稀釋液者作為評價試驗1-3。將在流路17中以5mL／分流通抗反射膜形成用的藥液者作為評價試驗1-4。又，關於該等各評價試驗1-1～1-4，利用開口寬度L5不同的遮罩61進行複數次，該開口寬度L5為5μm、15μm或53μm。 　　[0074] 圖16的圖形表示評價試驗1的結果，圖形的橫軸表示遮罩61的開口寬度(單位：μm)、圖形的縱軸表示雜訊位階(單位：mVpp)。根據圖形，得知在流路17流通藥液的評價試驗1-2～1-4中，開口寬度越小雜訊位階就越小，在雜訊位階與開口寬度之間，概略具有線性關係。因此，得知能夠取得圖10說明的直線A2。又，藉由適切地設定開口寬度，能夠使雜訊位階降低並提高SN比。 　　[0075] ・評價試驗2 　　在異物檢出單元4中，從雷射光照射部51通過流路17將雷射光照射至受光部52，就從受光元件45A、45B輸出的信號檢出SN比。在該受光部52中，也與在評價試驗1使用的受光部52一樣，設置遮罩61。又，在向流路17的雷射光的照射中，將在流路17流通的藥液於每次試驗變更。作為評價試驗2-1在流路17使純水流通、作為評價試驗2-2在流路17使稀釋液流通、作為評價試驗2-3在流路17使抗反射膜形成用的藥液流通、作為評價試驗2-4在流路17使光阻流通。但是，在該等評價試驗2-1～2-4在流路17中流通的各藥液中，會將由粒徑為46nm的PSL(聚苯乙烯乳膠)所形成的粒子作為異物混入。關於該等各評價試驗2-1～2-4，分別利用開口寬度L5為5μm、25μm、53μm的遮罩61進行測定。該評價試驗中的集光點63的寬度L6，與發明的實施形態相同為53μm。 　　[0076] 圖17的圖形表示評價試驗2的結果，圖形的橫軸表示遮罩61的開口寬度L5(單位：μm)、圖形的縱軸表示SN比(無單位)。如圖形所示，關於評價試驗2-1～2-4，開口寬度為25μm、5μm時的SN比會比開口寬度為53μm時還大，開口寬度為25μm時的SN比特別大。開口寬度為5μm或53μm時，最小可測粒徑為60nm左右，但開口寬度為25μm時最小可測粒徑為40nm左右。藉由這樣將開口寬度L5設定成比集光點63的寬度L6還小，因為SN比變高，而表現出本發明的效果。
[0077]
1‧‧‧塗佈、顯像裝置
1A、1B‧‧‧光阻塗佈模組
15A～15K‧‧‧分光液槽
17A～17K‧‧‧流路
4‧‧‧異物檢出單元
40‧‧‧光檢出部
50‧‧‧檢出區域
51‧‧‧雷射光照射部
45A、45B‧‧‧受光元件
6‧‧‧控制部
61‧‧‧遮罩
62‧‧‧開口部
[0011] 　　[圖1]有關本發明的實施的形態之塗佈、顯像裝置的概略構成圖。 　　[圖2]包含於前述塗佈、顯像裝置中的光阻塗佈模組的斜視圖。 　　[圖3]包含於前述塗佈、顯像裝置的異物檢出單元的概略構成圖。 　　[圖4]構成前述異物檢出單元的藥液的流路的構成構件的斜視圖。 　　[圖5]前述異物檢出單元的平面圖。 　　[圖6]構成前述異物檢出單元的光檢出部及遮罩的正視圖。 　　[圖7]表示包含於前述異物檢出單元的電路構成的區塊圖。 　　[圖8]表示前述異物檢出單元中的光路的概略圖。 　　[圖9]表示從前述流路至形成前述光檢出部的受光元件的光路的俯視圖。 　　[圖10]用來說明前述遮罩的適切的開口寬度的圖形。 　　[圖11]表示塗佈、顯像裝置的各部的動作之時序流程。 　　[圖12]前述塗佈、顯像裝置的平面圖。 　　[圖13]前述塗佈、顯像裝置的概略緃斷側面圖。 　　[圖14]表示其他異物檢出單元的構成的概略圖。 　　[圖15]表示異物檢出單元的受光部的構成的概略圖。 　　[圖16]表示評價試驗結果之圖形。 　　[圖17]表示評價試驗結果之圖形。

Claims (8)

  1. 一種異物檢出裝置，係檢出供應至被處理體的流體中的異物，具備： 　　供應至前述被處理體的流體所流動的流路部； 　　以前述流路部中的流體的流動方向與光路交叉的方式，對該流路部內的異物檢出區域照射雷射光的雷射光照射部； 　　接收透過前述異物檢出區域的光的受光元件； 　　設置於前述流路部與前述受光元件之間的光路上，用以集光至該受光元件並形成集光點的集光透鏡； 　　用以基於從前述受光元件輸出的信號，檢出前述流體中的異物的檢出部； 　　其中， 　　在前述受光元件中面向前述集光點的受光區域的寬度，比該集光點的寬度還小。
  2. 如請求項1所記載的異物檢出裝置，其中，前述流體為包含用以對前述被處理體進行成膜的聚合物的藥液。
  3. 如請求項1或2所記載的異物檢出裝置，其中，設置具備用以形成前述受光區域的開口部的遮罩。
  4. 如請求項3所記載的異物檢出裝置，其中，前述流體為包含前述聚合物的藥液，因應在前述流路部流動的藥液的種類，變更前述開口部的寬度。
  5. 如請求項1至4中任一項所記載的異物檢出裝置，其中，在橫軸、縱軸分別設定前述受光區域的寬度、及從前述受光元件輸出的信號的振幅的圖形中，在表示因檢出前述異物而由前述受光元件所輸出的信號的特性的曲線，與表示由前述受光元件所輸出的雜訊的信號的特性的直線相比就前述振幅而言還大的範圍內，設定前述受光區域的寬度。
  6. 如請求項5所記載的異物檢出裝置，其中，在前述圖形中，以前述曲線的切線的斜率，一致於前述直線的斜率的方式來設定前述受光區域的寬度。
  7. 一種異物檢出方法，係檢出供應至被處理體的流體中的異物，具備： 　　為了對前述被處理體供應前述流體而向流路部供應該流體的工程； 　　藉由雷射光照射部，以前述流路部中的流體的流動方向與光路交叉的方式，對該流路部內的異物檢出區域照射雷射光的工程； 　　藉由受光元件接收透過前述異物檢出區域的光的工程； 　　藉由設置於前述流路部與前述受光元件之間的光路上的集光透鏡，集光至該受光元件並形成集光點的工程； 　　藉由檢出部，基於前述信號，檢出前述流體中的異物的工程； 　　在前述受光元件中面向前述集光點的受光區域的寬度，比該集光點的寬度還小。
  8. 一種記憶媒體，係記憶用於檢出供應至被處理體的流體中的異物的異物檢出裝置的電腦程式，其中， 　　前述電腦程式，組入步驟群以執行請求項7記載的異物檢出方法。
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