TW201832929A - 阻氣性層積板片、阻氣性層積板片的製造方法、及電子構件或光學構件 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種阻氣性層積板片，其特徵在於：其係具有：剝離板片(A)/阻氣層/接著性樹脂層/剝離板片(B)的層結構的阻氣性層積板片，上述阻氣層的剝離板片(A)側的表面的算術平均粗糙度(Ra)在5nm以下，上述表面的最大剖面高度(Rt)在100nm以下；其製造方法；以及包括來自上述阻氣性層積片的阻氣層及接著性樹脂層的電子構件及光學構件。根據本發明，可提供密封性能及撓曲性優良的阻氣性層積板片及其製造方法，以及包括來自上述阻氣性層積片的阻氣層及接著性樹脂層的電子構件及光學構件。

Description

阻氣性層積板片、阻氣性層積板片的製造方法、及電子構件或光學構件
本發明係關於密封性能及撓曲性優良的阻氣性層積板片及其製造方法，包括來自上述阻氣性層積片的阻氣層及接著性樹脂層的電子構件及光學構件。
近幾年，有機EL元件，作為可以低電壓直流驅動高亮度發光的發光元件受到注目。
但是有機EL元件，有發光亮度、發光效率、發光均勻性等的發光特性容易隨著時間經過而下降的問題。
該發光特性下降的問題的原因，可認為是氧或水份等滲入有機EL元件的內部，使電極或有機層惡化。然後，為解決此問題，有若干使用密封材的方法的提案。
例如，在專利文獻1，記載一種密封用黏著板片，其係在基材上，至少在一面具有阻氣層與黏著劑層的密封用黏著板片，上述黏著劑層，包含：作為第1成分的重量平均分子量30萬~50萬的聚異丁烯系樹脂(A)；作為第2成分的重量平均分子量1000~25萬聚丁烯樹脂(B)；作為第3成分的受阻胺系光安定劑(C)及/或受阻酚系氧化防止劑(D)，對聚異丁烯系樹脂(A)100質量部，含有聚丁烯樹脂(B)10~100質量部的黏著劑 組合物組成。
在專利文獻1，亦記載該密封用黏著板片，水蒸氣穿透率非常的低。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-057065號公報
如專利文獻1所述，藉由在基材上，形成阻氣層與接著性樹脂層，可得密封性能優良的阻氣性層積板片。
但是，先前的具有基材層的阻氣性層積板片，有密封性能及撓曲性差或難以作薄的問題。
本發明係有鑑於上述實狀所完成者，以提供密封性能及撓曲性優良的阻氣性層積板片及其製造方法，包括來自上述阻氣性層積片的阻氣層及接著性樹脂層的電子構件及光學構件為目標。
本發明者們為解決上述課題，專心研究關於具有阻氣層及接著性樹脂層的阻氣性層積板片。結果，發現1)製造附有阻氣層的剝離板片及附有接著性樹脂層的剝離板片，將該等板片，以附有阻氣層的剝離板片的阻氣層與附有接著性樹脂層的剝離板片的接著性樹脂層相對黏合，得到沒有基材層的阻氣性層積板片[即，剝離板片(A)/阻氣層/接著性樹脂層/剝離板片(B)的層結構的阻氣性層積板片]，2)在具有該層結構的阻氣 性層積板片，藉由使上述阻氣層的剝離板片(A)側的表面的算術平均粗糙度(Ra)及最大剖面高度(Rt)在特定值以下，可得阻氣性優良的阻氣性層積板片，而達至完成本發明。
根據本發明，可提供下述(1)~(5)的阻氣性層積板片、(6)的阻氣性層積板片的製造方法、及(7)的電子構件或光學構件。
(1)一種阻氣性層積板片，具有：剝離板片(A)/阻氣層/接著性樹脂層/剝離板片(B)的層結構，其特徵在於：上述阻氣層的剝離板片(A)側的表面的算術平均粗糙度(Ra)在5nm以下，上述表面的最大剖面高度(Rt)在100nm以下。
(2)如(1)所述的層積體，其中上述阻氣層，係以無機蒸鍍膜組成，或將含有高分子化合物的層表面改質而成。
(3)如(1)所述的阻氣性層積板片，其中上述接著性樹脂層，係使用橡膠系接著性樹脂、聚烯烴系接著性樹脂、或環氧系接著性樹脂形成。
(4)如(1)所述的阻氣性層積板片，其中上述剝離板片(B)，在溫度40℃、相對濕度90%的氣氛下的水蒸氣穿透率在1g/m2/day以下。
(5)如(1)所述的阻氣性層積板片，其係電子構件用或光學構件用的層積板片。
(6)一種阻氣性層積板片的製造方法，係製造(1)~(5)中任一項所述的阻氣性層積板片的方法，其具有以下的步驟1~3：步驟1：在具有剝離性的面的算術平均粗糙度(Ra)在5nm以下，上述面的最大剖面高度(Rt)在100nm以下的第1剝離板 片的上述面)上，形成阻氣層，得到附有阻氣層的剝離板片的步驟；步驟2：在具有第2的剝離板片的剝離性的面上，形成接著性樹脂層，得到附有接著性樹脂層的剝離板片的步驟；步驟3：將上述附有阻氣層的剝離板片與附有接著性樹脂層的剝離板片，以上述附有阻氣層的剝離板片的阻氣層，與上述附有接著性樹脂層的剝離板片的接著性樹脂層相對黏合的步驟。
(7)一種電子構件或光學構件，其包括：來自上述(1)~(5)中任一項所述的阻氣性層積板片的阻氣層及接著性樹脂層。
根據本發明，可提供密封性能及撓曲性優良的阻氣性層積板片及其製造方法，包括來自上述阻氣性層積片的阻氣層及接著性樹脂層的電子構件及光學構件。
以下，將本發明分項為1)阻氣性層積板片、2)阻氣性層積板片的製造方法、及3)電子構件或光學構件，詳細地說明。
1)阻氣性層積板片
本發明的阻氣性層積板片，具有：剝離板片(A)/阻氣層/接著性樹脂層/剝離板片(B)的層結構，其特徵在於：上述阻氣層的剝離板片(A)側的表面的算術平均粗糙度(Ra)在5nm以 下，上述表面的最大剖面高度(Rt)在100nm以下。
再者，在本說明書，所謂「板片」，不只是詩箋狀，亦包含長條狀(帶狀)的。
所謂「長條」，係指對板片的寬幅方向具有至少5倍左右以上的長度，具有10倍或其以上的長度為佳，具體而言係具有可以捲筒狀捲取保管或搬運的程度的長度的意思。
[阻氣層]
構成本發明的阻氣性層積板片的阻氣層，係具有抑制氧或水蒸氣穿透的特性(在本說明書，有時稱為「阻氣性」)的層。
本發明的阻氣性層積板片的阻氣層的水蒸氣穿透率，在溫度40℃、相對濕度90%的氣氛下，通常在1.0g/m2/day以下，以0.8g/m2/day以下為佳，以0.5g/m2/day以下更佳，進一步以0.1g/m2/day以下為佳。在本發明，阻氣層的水蒸氣穿透率，實質上，視為黏接著性板片的水蒸氣穿透率的值。黏接著性板片的水蒸氣穿透率，可使用習知的氣體穿透率測定裝置測定。
具體而言，可依實施例所述的方法測定。
阻氣層的厚度，由阻氣性與操作性的觀點，通常為1~2000nm為佳，以3~1000nm為佳，以5~500nm更佳，進一步以40~200nm的範圍為佳。
阻氣層的剝離板片(A)側的表面的算術平均粗糙度(Ra)為5nm以下，以3nm以下為佳。並無特定下限值，通常為0.1nm以上。因此，該表面的算術平均粗糙度(Ra)，通常為0.1~5nm，以0.1~3nm為佳。
阻氣層的剝離板片(A)側的表面的最大剖面高度(Rt)為 100nm以下，以50nm以下為佳。並無特定下限值，通常為10nm以上。因此，該表面的最大剖面高度(Rt)通常為10~100nm，以10~50nm為佳。具有如此的表面的阻氣層，阻氣性更優良。
具有如此的表面的阻氣層，可藉由使用平滑性優良的剝離板片(A)而有效地形成。
阻氣層的表面的算術平均粗糙度(Ra)或最大剖面高度(Rt)，可藉由將剝離板片(A)由阻氣性層積板片剝下之後，以光干涉顯微鏡觀察露出的阻氣層的表面求得。
光干涉顯微鏡的觀察，可遵照實施例所述的方法進行。
阻氣層，只要具有阻氣性，材質等並無特別限制。可舉例如，由無機蒸鍍膜組成的阻氣層、包含阻氣性樹脂的阻氣層、將包含高分子化合物的層(以下，有時稱為「高分子層」。)的表面改質而得的阻氣層[此時，所謂阻氣層，並不是僅指被改質的區域，而是指「包含被改質的區域的高分子層」。)等。
該等之中，由於可有效地形成薄，且阻氣性優良的層，以無機蒸鍍膜組成的阻氣層，或高分子層的表面改質而得的阻氣層為佳。
無機蒸鍍膜，可舉無機化合物或金屬的蒸鍍膜。
氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫等的無機氧化物；氮化矽、氮化鋁、氮化鈦等的無機氮化物；無機碳化物；無機硫化物；氧氮化矽等的無機氧氮化物；無機氧碳化物；無機氮碳化物；無機氧氮碳化物等。
金屬的蒸鍍膜的原料，可舉鋁、鎂、鋅，及錫等。
該等可以1種單獨，或組合2種以上使用。
該等之中，由氣體阻隔性的點，以無機氧化物、無機氮化物或金屬為原料的無機蒸鍍膜為佳，此外，由透明性的點，以無機氧化物或無機氮化物為原料的無機蒸鍍膜為佳。
無機蒸鍍膜的厚度，由阻氣性與操作性的觀點，以1~2000nm為佳，以3~1000nm更佳，以5~500nm更佳，進一步以40~200nm的範圍為佳。
形成無機蒸鍍膜的方法，並無特別限制，可採用習知的方法。可舉例如，真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等的PVD法；或熱CVD法；或電漿CVD法、光CVD法等的CVD法；原子層沉積法(ALD法)。
上述阻氣性樹脂，可舉例如聚乙烯醇、或其部分皂化物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丙烯腈、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚氯三氟乙烯等的，氧或水蒸氣不容易穿透的樹脂。
包含阻氣性樹脂的阻氣層的厚度，由阻氣性的觀點，以1~2000nm為佳，以3~1000nm更佳，以5~500nm更佳，進一步以40~200nm的範圍為佳。
形成含有阻氣性樹脂的阻氣層的方法，可舉將包含阻氣性樹脂的溶液，塗佈在剝離板片(A)上，將所得塗膜適當乾燥而得的方法。
樹脂溶液的塗佈方法，並無特別限定，可舉旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗佈法、刀塗佈法、輥刀塗佈法、刮刀塗佈法、模具塗佈法、凹版塗佈法等的習知的塗佈方法。
塗膜的乾燥方法，可利用熱風乾燥、熱輥子乾燥、紅外線照射等，先前習知的乾燥方法。
在高分子層的表面被改質而成的氣體阻隔層，使用的高分子化合物，可舉含矽的高分子化合物、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、對苯硫醚、聚芳酯、丙烯酸系樹脂、脂環烴系樹脂、芳香族系聚合物等。
該等高分子化合物，可以1種單獨，或組合2種以上使用。
高分子層，在高分子化合物以外，可在不阻礙本發明的目的的範圍，亦可含有別的成分。別的成分，可舉硬化劑、防止老化劑、光安定劑、難燃劑等。
高分子層中的高分子化合物的含量，由可形成氣體阻隔性更優良的氣體阻隔層，以50質量%以上為佳，以70質量%以上更佳。
高分子層的厚度，並無特別限制，通常係由20nm至50μm，由30nm至1μm為佳，由40nm至500nm更佳。
高分子層，可例如，藉由將溶解或分散於有機溶劑的高分子化合物的液，藉由習知的塗佈方法塗佈在剝離片上，藉由將所得塗膜乾燥形成。
有機溶劑，可舉苯、甲苯等的芳香烴系溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯等的酯系溶劑；丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮等的酮系溶劑；正戊烷、正己烷、正庚烷等的脂肪烴系溶劑；環戊烷、環己烷等的脂環烴系溶劑等。
該等溶劑，可以1種單獨，或組合2種以上使用。
塗佈方法，可舉棒塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬法、輥塗佈法、凹版塗佈法、刀塗佈法、氣刀塗佈法、輥刀塗佈法、 模具塗佈法、網版印刷法、噴霧塗佈法、凹版膠印法等。
塗膜的乾燥方法，可舉熱風乾燥、熱輥乾燥、紅外線照射等，先前習知的乾燥方法。加熱溫度，通常為80~150℃，加熱時間，通常為數十秒至數分鐘。
將高分子層的表面改質的方法，可舉離子植入處理、電漿處理、紫外線照射處理、熱處理等。
離子植入處理，係如後所述，將加速的離子植入高分子層，而將高分子層改質的方法。
電漿處理，係將高分子層曝於電漿中，將高分子層改質的方法。例如，可遵照日本特開2012-106421號公報所述的方法，進行電漿處理。
紫外線照射處理，係對高分子層照射紫外線，將高分子層改質的方法。例如，可遵照日本特開2013-226757號公報所述的方法，進行紫外線改質處理。
該等氣體阻隔層之中，由氣體阻隔性更優良，以對含矽的高分子化合物的層進行離子植入處理而得的為佳。
含矽的高分子化合物，可舉聚矽氮烷系化合物、聚碳矽烷系化合物、聚矽烷系化合物、聚有機矽氧烷系化合物、聚(二亞矽烷基亞苯)系化合物及聚(二亞矽烷基乙炔)系化合物等，以聚矽氮烷系化合物更佳。
聚矽氮烷系化合物，係在分子內包含-Si-N-鍵結(矽氮烷鍵結)的反覆單位的化合物。具體以具有式(1)[化1]
所示反覆單位的化合物為佳。此外，使用的聚矽氮烷系化合物的數目平均分子量，並無特別限定，以100~50,000為佳。
上述式(1)中，n係表示任意的自然數。Rx、Ry、Rz係分別獨立地表示氫原子、無取代或具有取代基的烷基、無取代或具有取代基的環烷基、無取代或具有取代基的烯基、無取代或具有取代基的芳基或烷基矽基等的非水解性基。
上述無取代或具有取代基的烷基的烷基，可舉例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等的碳數1~10的烷基。
無取代或具有取代基的環烷基的環烷基，可舉例如環丁基、環戊基、環己基、環庚基等的碳數3~10的環烷基。
無取代或具有取代基的烯基的烯基，可舉例如乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等的碳數2~10的烯基。
上述烷基、環烷基及烯基的取代基，可舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等的鹵素原子；羥基；硫醇基；環氧基；縮水甘油氧基；(甲基)丙烯醯氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等的無取代或具有取代基的芳基等。
無取代或具有取代基的芳基的芳基，可舉例如， 苯基、1-萘基、2-萘基等的碳數6~15的芳基。
上述芳基的取代基，可舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等的鹵素原子；甲基、乙基等的碳數1~6的烷基；甲氧基、乙氧基等的碳數1~6的烷氧基；硝基；氰基；羥基；硫醇基；環氧基；縮水甘油氧基；(甲基)丙烯醯氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等的無取代或具有取代基的芳基等。
烷基矽基，可舉三甲基矽基、三乙基矽基、三異丙基矽基、三第三丁基矽基、甲基二乙基矽基、二甲基矽基、二乙基矽基、甲基矽基、乙基矽基等。
該等之中，Rx、Ry、Rz，以氫原子、碳數1~6的烷基、或苯基為佳，以氫原子特別佳。
具有以上述式(1)表示的反覆單位的聚矽氮烷系化合物，以Rx、Ry、Rz均為氫原子的無機聚矽氮烷；Rx、Ry、Rz的至少1個不氫原子的有機聚矽氮烷之任一均可。
此外，在本發明，聚矽氮烷系化合物，可使用聚矽氮烷變性物。聚矽氮烷變性物，可舉例如，日本特開昭62-195024號公報、日本特開平2-84437號公報、日本特開昭63-81122號公報、日本特開平1-138108號公報等、日本特開平2-175726號公報、日本特開平5-238827號公報、日本特開平5-238827號公報、日本特開平6-122852號公報、日本特開平6-306329號公報、日本特開平6-299118號公報、日本特開平9-31333號公報、日本特開平5-345826號公報、日本特開平4-63833號公報等所記載的。
該等之中，聚矽氮烷系化合物，由取得容易性，及可形成 具有優良的氣體阻隔性的離子植入層的觀點，以Rx、Ry、Rz均為氫原子的全氫聚矽氮烷為佳。
此外，聚矽氮烷系化合物，亦可直接使用市售作為玻璃塗層材的市售品。
聚矽氮烷系化合物，可以1種單獨，或組合2種以上使用。
植入高分子層的離子，可舉氬、氦、氖、氪、氙等的稀有氣體的離子；氟碳化合物、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的離子；甲烷、乙烷等的烷系氣體類的離子；乙烯、丙烯等的烯系氣體類的離子；戊二烯、丁二烯等的烷二烯系氣體類的離子；乙炔等的炔系氣體類的離子；苯、甲苯等的芳香烴系氣體類的離子；環丙烷等的環烷烴系氣體類的離子；環戊烯等的環烯系氣體類的離子；金屬的離子；有機矽化合物的離子等。
該電漿，可以1種單獨，或組合2種以上使用。
該等之中，由可更簡便地植入離子，可形成具有更優良的氣體阻隔性的氣體阻隔層，以氬、氦、氖、氪、氙等的稀有氣體的離子為佳。
離子的植入量，可配合層積膜的使用目的(必要的氣體阻隔性、透明性等)等適宜決定。
植入離子的方法，可舉照射藉由電場加速的離子(離子束)的方法、將電漿中的離子植入的方法等。由可簡便地形成目標的氣體阻隔層，以後者的將電漿中的離子植入的方法(電漿離子植入法)為佳。
電漿離子植入法，可例如，在包含稀有氣體等的 電漿生成氣體的氣氛下，產生電漿，藉由對高分子層施加負的高電壓脈衝，使該電漿中的離子(陽離子)植入高分子層的表面部而進行。電漿離子植入法，更具體，可以WO2010/107018號小冊等所記載的方法實施。
藉由離子植入，植入離子的區域的厚度，可藉由離子的種類及施加電壓、處理時間等的植入條件控制，按照高分子層的厚度或層積體的使用目的等決定即可，通常為10~400nm。
離子被植入，可使用X射線光電子能譜儀(XPS)，進行由高分子層的表面10nm附近的元素分析測定來確認。
[接著性樹脂層]
構成本發明的阻氣性層積板片的接著性樹脂層，係用於與被著物的接著的層。
接著性樹脂層，可舉使用橡膠系接著性樹脂、聚烯烴系接著性樹脂、環氧系接著性樹脂等的接著性樹脂形成的。
藉由使用該等接著性樹脂，可有效地形成阻氣性優良的接著性樹脂層。
具有阻氣性優良的接著性樹脂層的層積板片，由於可阻斷水分等由其端部滲入，可良好地使用於作為密封材的形成材料。
在本發明，所謂接著性樹脂，係指黏著劑、接著劑、黏接著劑等的接著劑。
橡膠系接著性樹脂，可舉天然橡膠、以選自由(甲 基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯、(甲基)丙烯腈的1種或2種以上的單體對天然橡膠接枝聚合的變性天然橡膠為主要成分的接著性樹脂；以異戊二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、丙烯腈-聚丁橡膠、甲基丙烯酸甲酯-聚丁橡膠、聚胺酯橡膠、聚異丁烯系樹脂、聚丁烯樹脂等為主要成分的接著性樹脂等。
該等之中，以聚異丁烯系樹脂為主要成分的接著性樹脂為佳。
在本說明書，所謂「主要成分」係指固體份中佔有50質量%以上的成分。
聚烯烴系接著性樹脂，可舉以變性聚烯烴樹脂為主要成分的接著性樹脂。
變性聚烯烴系樹脂，係對作為前驅物的聚烯烴樹脂，使用變性劑施以變性處理而得的導入官能基的聚烯烴樹脂。
聚烯烴樹脂，超低密度聚乙烯(VLDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、中密度聚乙烯(MDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物、烯烴系彈性體(TPO)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物。
用於聚烯烴樹脂的變性處理的變性劑，係在分子內，具有官能基，即可貢獻在後述的架橋反應的基的化合物。
官能基，可舉羧基、羧酸酐基、羧酸酯基、羥基、環氧基、醯胺基、銨基、腈基、胺基、醯亞胺基、異氰酸酯基、乙醯基、硫醇基、醚基、硫醚基、碸基、磷醯基、硝基、尿烷基、鹵素原子等。該等之中，以羧基、羧酸酐基、羧酸酯基、羥基、銨 基、醯胺基、醯亞胺基、異氰酸酯基為佳，以羧酸酐基、烷氧基矽基更佳，以羧酸酐基特別佳。
環氧系接著性樹脂，可舉以脂肪鏈變性環氧樹脂、環戊二烯變性環氧樹脂或萘變性環氧樹脂等的烴變性環氧樹脂、彈性體變性環氧樹脂、矽酮變性環氧樹脂為主要成分的接著性樹脂。
該等接著性樹脂，亦可按照需要，含有硬化劑、架橋劑、聚合起始劑、光安定劑、防止氧化劑、黏著賦予劑、可塑劑、紫外線吸收劑、著色劑、樹脂穩定劑、填充劑、顏料、增量劑、防止帶電劑等。
該等成分，可按照各接著性樹脂適宜選擇使用。
形成接著性樹脂層的方法並無特別限制，可使用習知的方法。
例如，調製含有既定成分的接著性樹脂層形成用溶液，將此塗佈在剝離板片(B)上，將所得塗膜乾燥，按照需要藉由加熱或照射活性能量線，形成接著性樹脂層。
塗佈及乾燥的方法，可使用在阻氣層的形成方法中所舉的方法。
接著性樹脂層的厚度，可考慮阻氣性層積板片的使用目的等適宜選定。其厚度，通常為0.1~1000μm，以0.5~500μm為佳，以1~100μm更佳，以1~10μm。
只要在0.1μm以上，則可得具有充分的黏著力或接著力的阻氣性層積板片。只要在1000μm以下，則阻氣性層積板片的彎曲性良好，此外，有利於生產性及操作性方面。
.著性樹脂層的水蒸氣穿透率，以50μm厚的換算值，以100g/m2/day以下為佳，以50g/m2/day以下更佳。
藉由使接著性樹脂層的水蒸氣穿透率(50μm厚的換算值)，在100g/m2/day以下，可更加抑制水蒸氣等由層積板片的端部滲入。
接著性樹脂層的水蒸氣穿透率，可例如，在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜等的阻氣性低的支持體上形成黏著劑層作為試料測定。此外，水蒸氣穿透率，可利用與接著性樹脂層的厚度呈反比，算出厚度為50μm時的水蒸氣穿透率。
[剝離板片(A)]
構成本發明的阻氣性層積板片的剝離板片(A)，係阻氣性層積板片的一方的最外層，與阻氣層鄰接。
剝離板片(A)，係在形成阻氣層時，作用作為支持體的同時，在搬運或保管阻氣性層積板片時亦作用作為保護層。
最終，剝離板片(A)與後述的剝離板片(B)會被剝離去除，剩餘的阻氣層與接著性樹脂層，則利用作為密封材。
剝離板片(A)，可舉在紙或塑膠薄膜等的剝離基材塗佈剝離劑設置剝離劑層。
剝離基材，可舉玻璃紙、塗層紙、優質紙等的紙基材；在該等紙基材層壓聚乙烯或聚丙烯等的熱塑性樹脂的層壓紙；對上述基材，以纖維素、澱粉、聚乙烯醇、丙烯酸-苯乙烯樹脂等進行填孔處理的紙基材；或者聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯薄膜、或聚乙烯或聚丙烯等的聚烯烴薄膜等的塑膠薄膜等。
剝離劑，可舉含有聚乙烯、聚丙烯等的烯烴系樹脂；異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等的橡膠系彈性體；長鏈烷基系樹脂；醇酸系樹脂；氟系樹脂；矽酮系樹脂等的。
剝離劑層的厚度，並無特別限定，以溶液狀態塗佈剝離劑時，以0.02~2.0μm為佳，以0.05~1.5μm更佳。
剝離板片(A)的阻氣層側的表面[具有剝離性的面(形成剝離劑層的面)。以下相同。]的算術平均粗糙度(Ra)，以5nm以下為佳，以3nm以下更佳。並無特定下限值，通常為0.1nm以上。因此，剝離板片(A)的阻氣層側的表面的算術平均粗糙度(Ra)，以0.1~5nm為佳，以0.1~3nm更佳。
剝離板片(A)的阻氣層側的表面的最大剖面高度(Rt)，以100nm以下為佳，以50nm以下更佳。並無特定下限值，通常為10nm以上。因此，剝離板片(A)的阻氣層側的表面的最大剖面高度(Rt)，以10~100nm為佳，以10~50nm更佳。
上述的算術平均粗糙度(Ra)或最大剖面高度(Rt)變得過大，則該凹凸反映在鄰接的阻氣層的表面，使阻氣層的表面亦發生凹凸，難以得到阻氣性優良的阻氣性層積板片。特別是，阻氣層較薄時，因在表面發生凹凸，部分會變得非常薄的結果，會大大地降低阻氣層全體的阻氣性。
在阻氣性層積板片的製造之前，剝離板片(A)的算術平均粗糙度(Ra)或最大剖面高度(Rt)，係將該製造用的剝離板片的表面，以光干涉顯微鏡觀察求得。
此外，在阻氣性層積板片的製造之後，剝離板片(A)的阻氣層側的表面的算術平均粗糙度(Ra)與最大剖面高度(Rt)，係 在將剝離板片(A)由阻氣性層積板片剝下之後，將剝離的剝離板片(A)的阻氣層側的表面，以光干涉顯微鏡觀察求得。
光干涉顯微鏡的觀察，係遵照實施例所述的方法進行。
[剝離板片(B)]
構成本發明的阻氣性層積板片的剝離板片(B)，係阻氣性層積板片的另一邊的最外層，與接著性樹脂層鄰接。
剝離板片(B)，係在形成接著性樹脂層時，作用作為支持體的同時，在搬運或保管阻氣性層積板片時亦作用作為保護層。
最終，剝離板片(B)會與剝離板片(A)同樣地被剝離去除，剩餘的阻氣層與接著性樹脂層，則利用作為密封材。
剝離板片(B)，可舉與剝離板片(A)同樣的。
其中，剝離板片(B)，在溫度40℃、相對濕度90%的氣氛下，水蒸氣穿透率以10g/m2/day以下為佳，以1g/m2/day以下更佳。
藉由使剝離板片(B)的水蒸氣穿透率低，在保管本發明的阻氣性層積板片時，可防止水分穿透剝離板片(B)滲入接著性樹脂層。因此，如此的阻氣性層積板片，即使是在長期保管之後，亦可良好地使用於作為形成密封材的層積板片。
上述水蒸氣穿透率的剝離板片(B)，可藉由使用阻氣性樹脂製的剝離基材或設置阻氣層而得。
阻氣性樹脂，可舉先前在阻氣性層積板片的阻氣層的說明中所例示。
設於剝離板片(B)的阻氣層，可舉先前例示作為阻氣性層 積板片的阻氣層的阻氣層。
剝離板片(B)的接著性樹脂層側的表面[具有剝離性的面(形成剝離劑層的面)。以下相同。]的算術平均粗糙度(Ra)，以5nm以下為佳，以3nm以下更佳。並無特定下限值，通常為0.1nm以上。因此，剝離板片(B)的接著性樹脂層側的表面的算術平均粗糙度(Ra)，以0.1~5nm為佳，以0.1~3nm更佳。
剝離分類(B)的接著性樹脂層側的表面的最大剖面高度(Rt)，以100nm以下為佳，以50nm以下更佳。並無特定下限值，通常為10nm以上。因此，剝離板片(B)的接著性樹脂層側的表面的最大剖面高度(Rt)，以10~100nm為佳，以10~50nm更佳。
接著性樹脂較薄時，剝離板片(B)的凹凸，會反映在阻氣層的接著性樹脂層側的面，而在阻氣層的接著性樹脂層側的面亦發生凹凸。因此，與上述同樣的理由，剝離板片(B)的接著性樹脂層側的表面平滑性優良為佳。
[阻氣性層積板片]
本發明的阻氣性層積板片，具有上述阻氣層、接著性樹脂層、剝離板片(A)、及剝離板片(B)，層結構為剝離板片(A)/阻氣層/接著性樹脂層/剝離板片(B)。
本發明的阻氣性層積板片，由於不具有基材層，故撓曲性優良。此外，由於具有上述阻氣層及接著性樹脂層，故密封性能優良。
本發明的阻氣性層積板片的實質上的厚度(剝離片 以外的層的合計厚度)，通常為0.1~1000μm，以0.5~500μm為佳，以1~100μm更佳。
本發明的阻氣性層積板片，可良好地使用於作為電子構件用或光學構件用的層積板片。特別是藉由使用本發明的阻氣性層積板片，可有效地形成有機EL元件等的密封材。
本發明的阻氣性層積板片的使用方法，並無特別限定。例如，將本發明的阻氣性層積板片的剝離板片(B)剝離，使接著性樹脂層露出，藉由將該接著性樹脂層與有機EL元件等壓接之後，將剝離板片(A)剝離去除，可密封有機EL元件。
同樣地，藉由將露出接著性樹脂層與其他的電子構件及光學構件壓接之後，將剝離板片(A)剝離去除，可提升電子構件或光學構件的耐濕性。
2)阻氣性層積板片的製造方法
製造本發明的阻氣性層積板片的方法，並無特別限制。本發明的阻氣性層積板片，例如，可使用有以下的步驟1~3的方法製造。
步驟1：在具有剝離性的面(形成剝離層之側的面。以下相同)的算術平均粗糙度(Ra)在5nm以下，具有剝離性的面的最大剖面高度(Rt)在100nm以下的第1剝離板片的具有剝離性的面上，形成阻氣層，得到附有阻氣層的剝離板片的步驟；步驟2：在具有第2的剝離板片的剝離性的面上，形成接著性樹脂層，得到附有接著性樹脂層的剝離板片的步驟；步驟3：將上述附有阻氣層的剝離板片與附有接著性樹脂 層的剝離板片，以上述附有阻氣層的剝離板片的阻氣層，與上述附有接著性樹脂層的剝離板片的接著性樹脂層相對黏合的步驟。
使用於步驟1的第1剝離板片，最終，在本發明的阻氣性層積板片成為剝離板片(A)。
在步驟1，阻氣層，可以先前所說明的方法形成。
使用於步驟2的第2剝離板片，最終，在本發明的阻氣性層積板片成為剝離板片(B)。
在步驟2，接著性樹脂層，可以先前所說明的方法形成。
在步驟3，附有阻氣層的剝離板片與附有接著性樹脂層的剝離板片的黏貼，可使用習知的層壓技術進行。
3)包括阻氣性層積板片的電子構件或光學構件
本發明的電子構件及光學構件，其特徵在於：包括：來自上述阻氣性層積片的阻氣層及接著性樹脂層。
本發明的電子構件及光學構件，係例如將上述阻氣性層積板片的剝離板片(B)剝離，使接著性樹脂層露出之後，將此黏貼在既定的面，將剩餘的剝離板片(A)剝離而得。
電子構件，可舉例如，液晶顯示器構件、有機EL顯示器構件、無機EL顯示器構件、電子紙構件、太陽能電池、熱電轉換構件等的軟性基板等。
光學構件，可舉例如，光學濾波器、波長轉換裝置、調光裝置、偏光板、相位差板的光學構件等。
[實施例]
以下舉出實施例更加詳細地說明本發明。惟，本 發明不應限定於以下的實施例。
各例中的份及%，若無特別提及，係質量基準。
[剝離板片的表面粗糙度]
剝離板片的表面粗糙度，係使用光干涉顯微鏡(Veeco公司製，NT8000)，以倍率50倍觀察測定1邊100μm的正方形的區域。
[阻氣層的表面粗糙度]
阻氣層的表面粗糙度，係將剝離板片由層積板片剝離，使用光干涉顯微鏡(Veeco公司製，NT8000)，以倍率50倍觀察測定露出的阻氣層的1邊100μm的正方形的區域。
[水蒸氣穿透率測定]
阻氣性層積板片與剝離板片(B)的水蒸氣穿透率，係在40℃、相對濕度90%的條件下，使用水蒸氣穿透率測定裝置(MOCON公司製，AQUATRAN，或PERMATRAN)測定。
接著性樹脂層的水蒸氣穿透率，係在溫度40℃、相對濕度90%的條件下，使用水蒸氣穿透率測定裝置(LYSSY公司製，L80-5000)測定。在第1表中，表示50μm厚度的換算值。
[有機EL濕熱試驗]
<底放射型有機EL元件的製作>
以下述方法，在玻璃基板上，依序層積陽極、發光層及陰極，形成有機EL元件。
首先，在玻璃基板的表面，以濺鍍法形成氧化銦錫(ITO)膜(厚度：150nm，片電阻：30Ω/□)，接著，藉由進行溶劑清洗及UV/臭氧處理製作陽極。
在所得陽極(ITO膜)上，依序形成N,N'-雙(萘-1-基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺(Luminescence Technology公司製)的蒸鍍膜(厚度：60nm)；三(8-羥基-喹啉)鋁(Luminescence Technology公司製)的蒸鍍膜(厚度：40nm)；2,9-二甲基-4,7-二苯基-10-菲咯啉(Luminescence Technology公司製)的蒸鍍膜(厚度：10nm)；(8-羥基-喹啉)鋰(Luminescence Technology公司製)的蒸鍍膜(厚度：10nm)(形成速度：0.1~0.2nm/s)的發光層。
在所得發光層上，將鋁(Al)(高純度化學研究所公司製)，以0.1nm/s的速度蒸鍍100nm形成陰極，得到有機EL元件。
再者，蒸鍍時的真空度，均為1×10-4Pa以下。
<元件的密封‧濕熱試驗>
在手套箱中，將阻氣性層積板片的剝離板片(B)剝離，將露出的接著性樹脂層與有機EL元件黏合之後，將剝離板片(A)剝離。
將此，在溫度23℃、相對濕度50%的環境下，靜置500小時之後，觀察發光狀態。
評估係下式所計算的發光面積在95%以上的為良好，95%以下的為不合格。
再者，由於在接著性樹脂層(1)，需要熱硬化反應，故將剝離板片(A)剝離之後，在100℃、2小時的條件，進行硬化反應之後，進行濕熱試驗。
[數1]發光面積比(%)=(α1/α0)×100
式中，α1係放在濕熱條件下之後的有機EL元件 的發光面積，α0係放在濕熱條件下之前的有機EL元件的發光面積。
以實施例或比較例使用的剝離板片如下所示。
[剝離板片(A1)]
將55份加成反應型的矽樹脂(TORAY DUPONT公司製，SD7328，固體份30%)、21份剝離調整劑(重剝離添加劑)(TORAY DUPONT公司製，SD7292，固體份65%)的混合物溶解於甲苯。對所得的溶液，添加2份白金觸媒(TORAY DUPONT公司製，SRX-212，固體份100%)及1.9份Si-H架橋劑(TORAY DUPONT公司製，SP7297，固體份100%)，調製固體份濃度1.5%的剝離劑塗層液。
將所得剝離劑塗層液，以凹版塗佈法對作為基材的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(東洋紡株式會社製，Cosmoshine A4100，厚度50μm)的非處理面均勻塗佈成乾燥後的厚度為200nm。接著，使用乾燥機，以135℃加熱乾燥1分鐘形成剝離劑層，得到剝離板片(A1)。
[剝離板片(A2)]
使用聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(東洋紡株式會社製，Cosmoshine A4300，厚度50μm)作為基材以外，以與剝離板片(A1)的製造方法同樣地得到剝離板片(A2)。
[剝離板片(A3)]
使用聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(東洋紡株式會社製，Lumilar U34，厚度50μm)作為基材以外，以與剝離板片(A1)的製造方法同樣地得到剝離板片(A3)。
[剝離板片(A4)]
使用聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(三菱樹株式會社製，Diafoil T600，厚度50μm)作為基材以外，以與剝離板片(A1)的製造方法同樣地得到剝離板片(A4)。
[剝離板片(A5)]
使用市售的剝離板片(Lintec株式會社製，SP-PFS50AL-5，在厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯的一面設矽酮剝離層而成)作為剝離板片(A5)。
[剝離板片(B1)]
使用市售的剝離板片(Lintec株式會社製，SP-PET381031，在厚度38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜的一面設矽酮剝離層而成)作為剝離板片(B1)。
[剝離板片(B2)]
將100份熱硬化加成反應型矽酮(信越化學工業公司製，KS-847H)及1份硬化劑(信越化學工業公司製，CAT-PL-50T)以甲苯稀釋，調製固體份2.0%的剝離劑塗層液。
另一方面，對聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(三菱樹脂株式會社製，Diafoil T-100，厚度50μm)，以濺鍍法形成以厚度60nm的氮化矽所組成的阻氣層。在該阻氣層上，將上述剝離劑塗層液，以凹版塗佈法均勻塗佈成乾燥後的厚度為100nm。接著，使用乾燥機，以130℃加熱乾燥1分鐘形成剝離劑層，得到剝離板片(B2)。
[製造例1]接著性樹脂塗層液(1)的調製
將100份變性聚烯烴系樹脂(α-烯烴聚合物，三井化學株 式會社製，unistole H-200，數目平均分子量260000)、25份環氧樹脂(共榮社化學株式會社製，加氫雙酚A二縮水甘油醚，Epolite 4000)、及1份咪唑系硬化觸媒(四國化成株式會社製，Curezol2E4MZ)溶解於甲乙酮，得到固體份濃度18%的接著性樹脂塗層液(1)。
[製造例2]接著性樹脂塗層液(2)的調製
將100份異丁烯與異戊二烯的共聚物(日本BUTYL株式會社製，Exxon Butyl 268，數目平均分子量260,000，異戊二烯的含有率1.7莫耳%)、20份黏著賦予劑(日本Zeon株式會社製，Quintone A100)，溶解於甲苯，得到固體份濃度20%的接著性樹脂塗層液(2)。
[製造例3]接著性樹脂塗層液(3)的調製
將100份丙烯酸正丁酯與丙烯酸，以質量比95：5聚合所得的丙烯酸酯系共聚物(質量平均分子量：約120萬)的醋酸乙酯溶液(固體份濃度18%)，混合0.1份作為架橋劑的三羥甲基丙烷甲苯二異氰酸酯混合，得到接著性樹脂塗層液(3)。
[製造例4]
在剝離板片(A1)的剝離層面，以濺鍍法形成由厚度200nm的氮化矽所組成的阻氣層(1)，得到附有阻氣層(1)的剝離板片(A1)。
[製造例5]
在剝離板片(A1)的剝離層面，以旋轉塗佈塗佈聚矽氮烷化合物(以全氫聚矽氮烷為主要成分的塗層劑(Aquamica NL-110-20，Merck Performance Materials公司製)，以120℃ 加熱1分鐘，形成厚度100nm的含有全氫聚矽氮烷的層(聚矽氮烷層)。
接著，使用電漿離子植入裝置(RF電源：「RF」56000，日本電子公司製，高電壓脈衝電源：PV-3-HSHV-0835，栗田製造所公司製)，以氣體流量100sccm，Duty比0.5%，施加DC電壓-10kV，頻率1000Hz，施加RF電力1000W，內壓0.2Pa，DC脈衝寬度5μsec，處理時間200秒的條件，將來自氬氣的離子植入聚矽氮烷層的表面，形成阻氣層(2)，得到附有阻氣層(2)的剝離板片(A1)。
[製造例6]
取代剝離板片(A1)，使用剝離板片(A2)以外，以與製造例4同樣地得到附有阻氣層(1)的剝離板片(A2)。
[製造例7]
取代剝離板片(A1)，使用剝離板片(A3)以外，以與製造例4同樣地得到附有阻氣層(1)的剝離板片(A3)。
[製造例8]
取代剝離板片(A1)，使用剝離板片(A4)以外，以與製造例4同樣地得到附有阻氣層(1)的剝離板片(A4)。
[製造例9]
取代剝離板片(A1)，使用剝離板片(A5)以外，以與製造例4同樣地得到附有阻氣層(1)的剝離板片(A5)。
[製造例10]
在剝離板片(B1)的剝離層面，以凹版塗佈法將接著性樹脂塗層液(1)塗佈，以110℃乾燥1分鐘，形成厚度約1μm的接 著性樹脂層(1)，得到附有接著性樹脂層(1)的剝離板片(B1)。
[製造例11]
取代接著性樹脂塗層液(1)，使用接著性樹脂塗層液(2)以外，以與製造例10同樣地得到附有接著性樹脂層(2)的剝離板片(B1)。
[製造例12]
在剝離板片(B2)的剝離層面，以凹版塗佈法將接著性樹脂塗層液(1)塗佈，以110℃乾燥1分鐘，形成厚度約1μm的接著性樹脂層(1)，得到附有接著性樹脂層(1)的剝離板片(B2)。
[製造例13]
接著性樹脂塗層液(1)代替，接著性樹脂塗層液(3)以外，以與製造例10同樣地得到附有接著性樹脂層(3)的剝離板片(B1)。
[實施例1]
藉由將製造例4所得的附有阻氣層(1)的剝離板片(A1)的阻氣層(1)，與製造例10所得的附有接著性樹脂層(1)的剝離板片(B1)的接著性樹脂層(1)黏合，得到[剝離板片(A1)/阻氣層(1)/接著性樹脂層(1)/剝離板片(B1)]的構成的阻氣性層積板片。
[實施例2]
藉由將製造例5所得的附有阻氣層(2)的剝離板片(A1)的阻氣層(2)，與製造例10所得的附有接著性樹脂層(1)的剝離板片(B1)的接著性樹脂層(1)黏合，得到[剝離板片(A1)/阻氣層(2)/接著性樹脂層(1)/剝離板片(B1)]的構成的阻氣性層積板 片。
[實施例3]
藉由將製造例4所得的附有阻氣層(1)的剝離板片(A1)的阻氣層(1)，與製造例11所得的附有接著性樹脂層(2)的剝離板片(B1)的接著性樹脂層(2)黏合，得到[剝離板片(A1)/阻氣層(1)/接著性樹脂層(2)/剝離板片(B1)]的構成的阻氣性層積板片。
[實施例4]
藉由將製造例6所得的附有阻氣層(1)的剝離板片(A2)的阻氣層(1)，與製造例10所得的附有接著性樹脂層(1)的剝離板片(B1)的接著性樹脂層(1)黏合，得到[剝離板片(A2)/阻氣層(1)/接著性樹脂層(1)/剝離板片(B1)]的構成的阻氣性層積板片。
[實施例5]
藉由將製造例7所得的附有阻氣層(1)的剝離板片(A3)的阻氣層(1)，與製造例10所得的附有接著性樹脂層(1)的剝離板片(B1)的接著性樹脂層(1)黏合，得到[剝離板片(A3)/阻氣層(1)/接著性樹脂層(1)/剝離板片(B1)]的構成的阻氣性層積板片。
[實施例6]
藉由將製造例4所得的附有阻氣層(1)的剝離板片(A1)的阻氣層(1)，與製造例12所得的附有接著性樹脂層(1)的剝離板片(B2)的接著性樹脂層(1)黏合，得到[剝離板片(A1)/阻氣層(1)/接著性樹脂層(1)/剝離板片(B2)]的構成的阻氣性層積板 片。
[比較例1]
藉由將製造例8所得的附有阻氣層(1)的剝離板片(A4)的阻氣層(1)，與製造例10所得的附有接著性樹脂層(1)的剝離板片(B1)的接著性樹脂層(1)黏合，得到[剝離板片(A4)/阻氣層(1)/接著性樹脂層(1)/剝離板片(B1)]的構成的阻氣性層積板片。
[比較例2]
藉由將製造例4所得的附有阻氣層(1)的剝離板片(A1)的阻氣層(1)，與製造例13所得的附有接著性樹脂層(3)的剝離板片(B1)的接著性樹脂層(3)黏合，得到[剝離板片(A1)/阻氣層(1)/接著性樹脂層(3)/剝離板片(B1)]的構成的阻氣性層積板片。
[比較例3]
藉由將製造例9所得的附有阻氣層(1)的剝離板片(A5)的阻氣層(1)，與製造例10所得的附有接著性樹脂層(1)的剝離板片(B1)的接著性樹脂層(1)黏合，得到[剝離板片(A5)/阻氣層(1)/接著性樹脂層(1)/剝離板片(B1)]的構成的阻氣性層積板片。
將實施例及比較例所得的阻氣性層積板片的層結構及各層的物性示於第1表，將試驗結果示於第2表。
由第1表、第2表可知如下。
以本案實施例所得的阻氣性層積板片，水蒸氣穿透率低，密封性能優良。
另一方面，比較例1、3的阻氣性層積板片，阻氣層的表面較粗。結果水蒸氣穿透率高，此外，密封性能差。
比較例2的阻氣性層積板片的阻氣層，由於阻氣性優良，阻氣性層積板片的水蒸氣穿透率低。但是，實際使用於作為密封材時，接著性樹脂層的水蒸氣穿透率會影響的結果，而並不具有充分的密封性能。

Claims (7)

  1. 一種阻氣性層積板片，具有：剝離板片(A)/阻氣層/接著性樹脂層/剝離板片(B)的層結構，其特徵在於：上述阻氣層的剝離板片(A)側的表面的算術平均粗糙度(Ra)在5nm以下，上述表面的最大剖面高度(Rt)在100nm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的所述的阻氣性層積板片，其中上述阻氣層，係以無機蒸鍍膜組成，或將含有高分子化合物的層表面改質而成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的所述的阻氣性層積板片，其中上述接著性樹脂層，係使用橡膠系接著性樹脂、聚烯烴系接著性樹脂、或環氧系接著性樹脂形成。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的所述的阻氣性層積板片，其中上述剝離板片(B)，在溫度40℃、相對濕度90%的氣氛下的水蒸氣穿透率在1g/m 2/day以下。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的所述的阻氣性層積板片，其係電子構件用或光學構件用的層積板片。
  6. 一種阻氣性層積板片的製造方法，係製造申請專利範圍第1至5項中任一項所述的阻氣性層積板片的方法，其具有以下的步驟1至3：步驟1：在具有剝離性的面的算術平均粗糙度(Ra)在5nm以下，具有剝離性的面的最大剖面高度(Rt)在100nm以下的第1剝離板片的具有剝離性的面上，形成阻氣層，得到附有阻氣層的剝離板片的步驟； 步驟2：在具有第2的剝離板片的剝離性的面上，形成接著性樹脂層，得到附有接著性樹脂層的剝離板片的步驟；步驟3：將上述附有阻氣層的剝離板片與附有接著性樹脂層的剝離板片，以上述附有阻氣層的剝離板片的阻氣層，與上述附有接著性樹脂層的剝離板片的接著性樹脂層相對黏合的步驟。
  7. 一種電子構件或光學構件，包括：來自申請專利範圍第1至5項中任一項所述的阻氣性層積板片的阻氣層及接著性樹脂層。
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