TW201831272A - 支架板之厚度調整方法 - Google Patents

Abstract

提供一種可減低支架板的洞凹陷量的支架板之厚 度調整方法。

根據本發明之支架板之厚度調整方法係，其 特徵在於，包含於支架板30的晶圓保持孔40填裝代替矽晶圓20的虛設構件10之步驟，在填裝虛設構件10之狀態下、藉由雙面研磨裝置將支架板30的雙面進行研磨的步驟；在支架板30中，至少劃分晶圓保持孔40的內周面部32包含樹脂材料，虛設構件10的厚度係較內周面部32的厚度更厚。

Description

支架板之厚度調整方法

本發明係關於一種支架板之厚度調整方法。

在被用於半導體裝置的基板等之矽晶圓的製造中，為了得到精準度更高之平坦度品質或表面粗糙度品質的半導體晶圓，以具有研磨墊之一對的定盤一邊夾持矽晶圓一邊供給研磨漿液，對其表裏面同時地進行化學機械研磨之雙面研磨。為了提升大型積體電路的積集度，矽晶圓的平坦度係為重要的因素之一。

在此，利用第1圖，說明採用習知技術之通常的雙面研磨裝置1。如第1圖所示般，雙面研磨裝置1係，包括具有用以保持矽晶圓20的晶圓保持孔40之支架板30、分別被設置有研磨墊60a、60b之上定盤50a以及下定盤50b、以及分別使上定盤50a以及下定盤50b被旋轉之一對馬達90a以及90b。

上定盤50a以及下定盤50b係，以能夠將晶圓保持孔40所保持之矽晶圓20以期望之負荷夾入的方式而構成。馬達90a以及90b係，使上定盤50a以及下定盤50b相互在相反方向上被旋轉。又，一般而言，外周齒輪被設置於支架板30，藉由與下定盤50b中心部的太陽齒輪70以及下定盤50b外周 的內齒輪80咬合，使支架板30自轉或公轉(稱作「行星旋轉」)。又，太陽齒輪70以及內齒輪80係，藉由與馬達90a、90b相異之馬達90c、90d個別地驅動。研磨裝置1係，藉由一邊使被夾入之支架板30被行星旋轉、一邊以研磨墊60a與60b的加壓以及滴下漿液(未圖示)，而對半導體晶圓20的表裏面同時地進行化學機械研磨。又，不使支架板30被行星旋轉，也可改為僅藉由被自轉而對矽晶圓20的雙面進行化學機械研磨。

又，在第1圖中，雖然圖示了支架板30具有一個晶圓保持孔40之例，但如第2(A)圖所示般，支架板30也可具有複數個晶圓保持孔40。在第2(B)圖，係圖示第2(A)圖的I-I剖面圖。

在此，專利文獻1中，揭露了支架板的製造方法。換言之，一種晶圓支架的製造方法係，在為了研磨晶圓雙面之晶圓雙面研磨裝置中被具備之晶圓支架的製造方法中，包含有將構成上述晶圓支架的本體預先加工成被設定之形狀的加工步驟，在上述晶圓支架的本體貫通形成預備孔以及用於流入漿液之漿液流入孔的形成步驟，在被形成有上述預備孔的本體塗佈DLC(Diamond-Like Carbon，類金剛石碳)的塗佈步驟，以及在塗佈上述DLC後將上述預備孔擴孔以形成用於插入晶圓之晶圓保持孔的晶圓保持孔形成步驟。

【先行技術文獻】 【專利文獻】

[專利文獻1]日本特開2009-135424號公報

可是，與專利文獻1的晶圓支架相異，如第2(A)圖所示般，在支架板30，劃分晶圓保持孔40之內周面部32(稱作「洞邊緣部」)，一般係由樹脂材料形成。這是因為，支架板30之與矽晶圓20的端面(換言之，晶圓邊緣部分)接觸的內周面部32、例如、以SUS等構成的話，當研磨矽晶圓20時，由於洞邊緣部(內周面部32)與矽晶圓20的端面衝突，晶圓邊緣部分會因而產生損傷。所以，一般而言至少將支架板30洞邊緣部以樹脂材料構成而作為緩衝材。如此之緩衝材被稱為插入件。又，支架板30也可以全部用樹脂材料形成。

在半導體技術朝微型化推進的近年來，雙面研磨後的矽晶圓所被要求之研磨精準度的要求非常高。所以，為了調整支架板30的厚度，而在進行矽晶圓20之雙面研磨之前，進行支架板30之厚度的調整。即使在支架板30以SUS等所構成的情況下，但在洞邊緣部包含樹脂材料的情況下，為了得到高平坦度而如此地調整厚度係成為必要。特別是，如第1圖所示般，在批次式的雙面研磨裝置中為了進行尺寸控制研磨，使支架板30的厚度在次微米等級下相同係變得重要。又，尺寸控制研磨係，一邊檢測被施予研磨之矽晶圓的成品厚度一邊進行研磨。

在支架板30的晶圓保持孔40，填裝有代替矽晶圓20的虛設構件15，如果藉由雙面研磨裝置1進行雙面研磨的話，可進行支架板30之厚度的調整。然而，如第3圖之模式地所示意般，藉由填裝虛設構件15並於雙面研磨中進行支架板30之厚度的調整的話，在支架板30的內周面部32(洞邊緣 部)處朝向研磨墊60a、60b的應力會集中。其結果，不可避免地在內周面部32產生被稱為洞凹陷之平滑R形狀的加工痕跡。以下，請參照第3(B)圖，在本說明書中，將洞凹陷部分的厚度的合計(H1+H2)，定義為洞凹陷量。

本案之發明人們，針對洞凹陷量、以及矽晶圓的邊緣捲落(Edge Roll-off)之間的關係進行研究。第4圖係，表示根據同一條件進行矽晶圓的雙面研磨的情況下，支架板的洞凹陷量、以及矽晶圓的ESFQD的平均值之間關係的圖表。ESFQD的負的值越大，意思是矽晶圓係為捲落，相反地，ESFQD的正的值越大，意思是為捲起(Roll-up)。又，在第4圖之圖表中，ESFQD係記載為任意單位(A.U.)。

又，邊緣捲落係，指矽晶圓的邊緣部凹陷，邊緣部的厚度變薄之現象。捲落量大的話，可製造裝置之領域會變得狹窄，與裝置製造良率之惡化有關。又，ESFQD係，在邊緣區域作成扇形的扇區，將該扇區內的高度資料以最小平方法算出之位置內平面作為基準面，是來自此平面之不含符號的最大位移量，ESFQD係在各個位置具有一個值。但是在表示上係包含符號。第4圖之圖表的ESFQD的平均值(不過係為任意單位)係，為該扇區的ESFQD在全部周長上所取得時的平均值，邊緣除外區域(Edge Exclusion)設為2mm。

從第4圖之圖表，可確認支架板的洞凹陷量越小，雙面研磨後之矽晶圓的捲落量降低。其理由係，如以下述本案之發明人們所推定之。換言之，如第5(A)、(B)圖所示般，在支架板30的內周面部32(意即洞邊緣部)的洞凹陷量小的情況 (參照第5(A)圖)係，尺寸控制研磨時、也就是保持件效果(支架板30將研磨墊60a抬起，緩和施加於在晶圓邊緣部的應力)係較大，矽晶圓20的捲落量係小。然而，支架板30的洞凹陷量較大的情況下(參閱第5(B)圖)係，尺寸控制研磨時的保持件效果係變小，矽晶圓20的捲落量係被推定為變的更大。

如此，為了減低雙面研磨後的矽晶圓的捲落量，減低支架板的洞凹陷量係有必要。為此，在調整支架板的厚度時，確立可減低支架板的洞凹陷量的支架板之厚度調整方法係被期望的。而且，若能如此地確立支架板之厚度調整方法，也與將矽晶圓的雙面研磨的品質比習知更改善有關。

所以本發明係，以提供可減低支架板的洞凹陷量的支架板之厚度調整方法為目的。

為了達成上述目的，本案之發明人們係不斷努力研究。而且，本案之發明人們也著眼於填裝於支架板的晶圓保持孔的虛設構件的厚度。本案之發明人們發現，虛設構件的厚度若較支架板的洞邊緣部的厚度更厚的話，在調整支架板的厚度時，可減低支架板的洞凹陷量，而完成了本發明。

基於上述發現而完成之本發明具有以下之構成主旨。

(1)一種支架板之厚度調整方法，其特徵在於，在將被保持在具有晶圓保持孔之支架板的矽晶圓、以分別設置有研磨墊之上定盤與下定盤夾持，藉由一邊使上述支架板、上述上定盤以及上述下定盤被旋轉、一邊供給研磨漿液，而對上述矽晶圓的表裏面同時地進行化學機械研磨之雙面研磨裝置中，上述支架 板之厚度調整方法係包括：於上述晶圓保持孔填裝代替上述矽晶圓的虛設構件之步驟；在已填裝上述虛設構件的狀態下、藉由上述雙面研磨裝置將上述支架板的雙面進行研磨的步驟；在上述支架板中，至少劃分上述晶圓保持孔的內周面部包含樹脂材料；上述虛設構件的厚度，係較上述內周面部的厚度更厚。

(2)如上述(1)所記載的支架板之厚度調整方法，其中上述虛設構件的至少表裏面係，包含比上述樹脂材料的研磨率更低研磨率的材料。

(3)如上述(1)所記載的支架板之厚度調整方法，其中上述虛設構件係，披覆塗佈材於虛設用矽晶圓的表裏面而成，上述塗佈材係，包含比上述樹脂材料之研磨率更低研磨率的材料。

(4)如上述(3)所記載的支架板之厚度調整方法，其中上述塗佈材係，包含不會汙染上述矽晶圓的材料。

(5)如上述(3)所記載的支架板之厚度調整方法，其中上述塗佈材係，包含類金剛石碳。

(6)如上述(1)~(5)所記載之任一項的支架板之厚度調整方法，其中上述支架板係包含樹脂材料。

根據本發明，可提供一種可減低支架板之洞凹陷量之支架板之厚度調整方法。

1‧‧‧研磨裝置

10‧‧‧虛設構件

11‧‧‧虛設用矽晶圓

12a‧‧‧塗佈材

12b‧‧‧塗佈材

15‧‧‧虛設構件

20‧‧‧矽晶圓

30‧‧‧支架板

32‧‧‧內周面部(洞邊緣部)

40‧‧‧晶圓保持孔

50a‧‧‧上定盤

50b‧‧‧下定盤

60a‧‧‧研磨墊

60b‧‧‧研磨墊

70‧‧‧太陽齒輪

80‧‧‧內齒輪

90a‧‧‧馬達

90b‧‧‧馬達

90c‧‧‧馬達

90d‧‧‧馬達

120‧‧‧控制部

第1圖為習知技術之矽晶圓的雙面研磨裝置的模式圖。

第2圖為習知技術之支架板的模式圖，其中第2(A)圖為俯視圖，第2(B)圖為第2(A)圖之I-I剖面圖。

第3(A)圖為根據本案之發明人們之研究，使用虛設構件進行支架板之厚度調整的模式圖，第3(B)圖為說明該厚度調整後的洞凹陷量之模式圖。

第4圖為根據本案之發明人們所研究，表示洞凹陷量、與矽晶圓之捲落量之關係的圖表。

第5圖為根據本案之發明人們之研究，說明洞凹陷量對矽晶圓的邊緣捲落之影響的模式圖，其中第5(A)圖為表示洞凹陷量小的情況，第5(B)圖為表示洞凹陷量大的情況。

第6圖係說明採用本發明之一實施型態於支架板之厚度調整方法中使用虛設構件的模式圖，其中第6(A)圖為說明與支架板的洞邊緣部的厚度之關係的模式圖，第6(B)圖為說明根據本發明之較佳實施型態之虛設構件的模式圖。

第7圖為表示實施例中之虛設構件的厚度、與洞凹陷量之關係的圖表。

以下，係參照圖面並說明採用本發明之一實施型態的半導體晶圓雙面研磨方法。又，在圖中各構成的長寬比係，為了方便說明而誇張地圖示，與實際相異。

本發明之一實施型態係，為雙面研磨裝置中之支架板之厚度調整方法。又，如利用第1圖已述般，通常習知的 一般的雙面研磨裝置1係，將被保持在具有晶圓保持孔40之支架板30的矽晶圓20，以分別設置有研磨墊60a、60b的上定盤50a以及下定盤50b夾持，藉由一邊使上述支架板、上述上定盤以及上述下定盤被旋轉、一邊供給研磨漿液，而對上述矽晶圓的表裏面同時地進行化學機械研磨。

然後，採用本實施型態之支架板之厚度調整方法係，包括於晶圓保持孔40填裝代替矽晶圓20的虛設構件10之步驟，以及在已填裝虛設構件10的狀態下、藉由雙面研磨裝置1進行支架板30的雙面研磨的步驟。又，如第6(A)圖所示般，重要的是，在支架板30中，至少劃分晶圓保持孔40的內周面部32包含樹脂材料，虛設構件10的厚度係，較內周面部32的厚度更厚。

首先，可用於本實施型態之雙面研磨裝置1，利用已述之第1圖重新進行說明。雙面研磨裝置1係，包括具有用以保持半導體晶圓20的晶圓保持孔40之支架板30、分別被設置有研磨墊60a、60b之上定盤50a以及下定盤50b、以及分別使上定盤50a以及下定盤50b被旋轉之一對馬達90a以及90b。

上定盤50a以及下定盤50b係，以可將被保持在晶圓保持孔40之半導體晶圓20以期望之負荷夾入的方式而被構成。馬達90a以及90b係，通常使上定盤50a以及下定盤50b相互在相反方向上被旋轉。又，一般而言，外周齒輪被設置於支架板30，藉由與下定盤50b中心部的太陽齒輪70以及下定盤50b外周的內齒輪80咬合，使支架板30行星旋轉，但在雙面研磨時，也可使支架板係如已述般地僅被自轉。雙面研磨裝 置1係，藉由一邊使被夾入的支架板30被行星旋轉(或自轉)、一邊藉由研磨墊60a與60b的加壓以及被滴下研磨漿液(未圖示)，而同時對半導體晶圓20的表裏面進行化學機械研磨。

根據雙面研磨裝置1之此化學機械研磨係，雖然主要以矽晶圓20的研磨作為目的，但支架板30也同時被研磨。然而，由於作用於支架板30的化學研磨幾乎沒有貢獻，支架板30實質上係僅被機械研磨，若相較於矽晶圓20的研磨率，支架板30的研磨率係極小。

所以，在此雙面研磨裝置1，填裝代替矽晶圓20之虛設構件10，且在填裝虛設構件10的情況下進行雙面研磨的話，伴隨著使虛設構件10化學機械研磨，可使支架板30的表裏面機械研磨。

又，如已述般本發明係以抑制支架板的厚度調整時的洞邊緣部的凹陷為目的。因此，如利用第2(A)、(B)圖而已述般、本實施型態中係使用至少劃分晶圓保持孔40之內周面部32包含樹脂材料的支架板30。晶圓保持孔40的個數係，一個也可，複數個也可。作為被稱作插入件支架的支架板30，在僅只有劃分晶圓保持孔40之內周面部32包含樹脂材料的支架板適用於本實施型態的情況下，內周面部32係屬於插入件支架的插入件部分。

另一方面，支架板30全部包含樹脂材料也可。在這種情況下，由於相較於只有內周面部32(也就是插入件部分)為樹脂材料的情況下係難以發生在插入件附近的階梯差，因此調整支架板30的平坦性係較簡單。再且，在使用厚度調整後 的支架板30研磨矽晶圓20時，被認為較佳的是可排除金屬不純物汙染源這一點。在這種情況下，支架板30的內周面部32係，在直徑方向上，定義為從劃分晶圓保持孔40之內周面朝向支架板30的外徑方向5mm的領域。又，在像是支架板30的內周面部32從厚度調整前就已經凹陷、內周面部32的厚度並非一定的情況下，係使用內周面部32的端面的厚度。

在此，在本說明書中所言之「代替矽晶圓的虛設構件」係，具有可裝填於支架板30的晶圓保持孔40的形狀之意思。虛設構件係，雖然較佳為與提供於研磨的矽晶圓20相同，具有圓板狀，但為可裝填於晶圓保持孔40的環狀也沒關係。所以，虛設構件的直徑或外徑係，僅稍微小於晶圓保持孔40的直徑，但是，為可填裝於晶圓保持孔40之範圍的大小。雖然對應研磨墊的材質、加工負荷、支架板的材料、定盤旋轉數等研磨條件而相異，但例如，虛設構件10的直徑或外徑的下限係，可為[晶圓保持孔40的直徑](mm)-2(mm)，下限係，亦可為[晶圓保持孔40的直徑](mm)-1(mm)。例如，支架板30的晶圓保持孔的直徑為301.0mm的話，虛設構件的直徑可為300.5mm。

又，關於虛設構件10的厚度，係成為可填裝於支架板30的晶圓保持孔40、並可根據雙面研磨裝置1研磨之程度的厚度。考慮到研磨墊60a的沉陷的話，虛設構件10的厚度的上限，可為[支架板30的厚度]+[研磨墊的變形量]。又，[研磨墊的變形量]係，雖然為隨著研磨墊的材質、加工負荷、支架板的材料、定盤旋轉數等研磨條件而相異，但在0~10μm程 度的範圍內。

接著，在本實施型態，虛設構件10的厚度係，由於較支架板30的內周面部32的厚度更厚，因此在調整支架板的厚度時，可減低支架板30的洞凹陷量。本案之發明人們係，認為其理由如以下所述。換言之，在第3(A)圖之虛設構件15的情況下，其厚度係較支架板30的內周面部32的厚度更薄。因此，來自為彈性體之研磨墊60a、60b的負載係，集中於支架板30的內周面部32的虛設構件15側。其結果，內周面部32(洞邊緣部)的凹陷係變大。另一方面，同樣在本實施型態中，如第6(A)圖所示般，雖然來自研磨墊60a、60b的負載係集中於支架板30的內周面部32的虛設構件10側，但虛設構件10的厚度這一方面係，因為較支架板30的內周面部32的厚度更厚而相較於第3(A)圖的情況下使應力被緩和。因此，被認為是可減低支架板30的洞凹陷量。

在此，考慮到於支架板30的晶圓保持孔40填裝虛設構件10的話，虛設構件10的形狀係，較佳為與提供於研磨的矽晶圓20的厚度以及直徑等形狀一致或幾乎相同。作為如此之虛設構件10係，較佳為例如使用代替提供於研磨的矽晶圓20之虛設用矽晶圓。但是，在虛設構件10為虛設用矽晶圓的情況下，以如前所述地根據雙面研磨裝置1之研磨，矽會藉由化學機械研磨而使研磨快速地進行。這是因為，貢獻於支架板30之研磨係幾乎為機械研磨作用。為此，在根據本實施型態滿足厚度條件而使用虛設用矽晶圓調整支架板的厚度時，係產生頻繁的更換虛設用矽晶圓之必要。

所以，虛設構件10的至少表裏面係，較佳為包含較內周面部32的樹脂材料的研磨率更低的材料。作為使用如此之低研磨率的材料的虛設構件10係，例如可使用SUS、Ti、Fe、SiC、藍寶石等加工成虛設構件10的形狀，且在該些之表裏面，塗佈滿足研磨率之不同種材料也沒關係。在虛設構件10的表裏面進行塗佈的情況係，使用研磨率較支架板30更低的樹脂材料也可。

又，如第6(B)圖所示般，虛設用矽晶圓11的表裏面被披覆有塗佈材12a、12b，該塗佈材12a、12b係，較佳為用於包含研磨率較內周面部32的樹脂材料的研磨率更低之材料的虛設構件。藉由濺射法、真空蒸鍍法、CVD法等習知之手法，可將塗佈材披覆於虛設用矽晶圓。又，作為塗佈材係，例如可使用類金剛石碳(DLC)、TiN、TiAlN、TiCN、CrN等。以虛設構件10的直徑以及厚度於μm級下進行形狀調整之觀點來看，較佳為根據塗佈材而披覆。又，雖然塗佈材12a、12b係彼此為相異之材料也可，但考慮生產性的話較佳為同一種材料。又，DLC係，指以碳構成，具有接近鑽石特性之非晶質(amorphous)皮膜。

又，在一般之矽晶圓的製造步驟中，來自金屬不純物等對矽晶圓之汙染係被規避。以此觀點，虛設構件10係較佳為以不會汙染矽晶圓之材料被形成。在虛設構件10具有塗佈材的情況下，塗佈材係也較佳為包含不會汙染矽晶圓的材料。所以，塗佈材係特別較佳為使用類金剛石碳(DLC)。根據類金剛石碳之塗佈係，也較佳為使成膜後的虛設構件的平坦性 良好。又，作為不會汙染矽晶圓之材料之塗佈材係，多晶矽、陶瓷、樹脂系材料等被舉出。

以下，雖然對可適用於本實施型態之具體的態樣進行說明，但本實施態樣係不受以下態樣的任何限定。

為了說明雙面研磨裝置1的重要部位而省略前述，太陽齒輪70以及內齒輪80係，藉由與馬達90a、90b相異之馬達90c、90d個別地驅動。又，雖然為了簡略化第1圖之模式圖而未圖示，但支架板30係藉由支架板30的外周齒輪與太陽齒輪70以及內齒輪80咬合而旋轉。但是，關於太陽齒輪70、內齒輪80以及支架板的外周齒輪的咬合係，為了簡略化雙面研磨裝置1的模式圖而未圖示。又，內齒輪80係，以在圓周方向上之多數的旋轉軸驅動軸銷、或是配置有齒輪之個別的軸銷、或者是齒輪所構成而得之，藉由以個別的軸銷或者是齒輪咬合支架板30的外周齒輪，使支架板30可被旋轉。但是，關於個別的軸銷係，為了簡略化雙面研磨裝置1的模式圖而未圖示。又，雙面研磨裝置1的控制部120係，控制上述之各構成，對提供於研磨之矽晶圓20進行雙面研磨，若裝填虛設構件10並進行研磨的話，可進行支架板30的厚度調整。

又，支架板30係，例如可使用不鏽鋼(SUS：Steel special Use Stainless)、或是環氧樹脂、酚、聚酰亞胺等樹脂材料、再加上將樹脂材料複合了玻璃纖維、碳纖維、醯胺纖維等強化纖維之纖維強化塑膠等任意的材質，至少內周面部32也以樹脂材料構成。又，在本說明書中，上述之纖維強化塑膠係，為含有樹脂材料。

又，支架板30的保持孔40的直徑係，根據提供於研磨之矽晶圓20的直徑而定。矽晶圓20的直徑係200mm(±1mm)之晶圓、300mm(±1mm)之晶圓、450mm(±1mm)之晶圓等，並無任何限制。

又，研磨墊60a以及60b或是漿液可使用任何東西，例如作為研磨墊，係可使用包含聚酯製之不織布的墊、聚氨酯製的墊等。作為研磨漿液，係可使用包含游離研磨粒之鹼性水溶液等。

【實施例】

接下來，為了使本案之效果更明確，雖然舉出以下的實施例，但本發明並不受以下實施例的任何限制。

使用與前述第1圖所示之構成相同之雙面研磨裝置1。雙面研磨裝置1係，具有五片支架板30，對於一片支架板30填裝一片矽晶圓20，每一批次可進行五片矽晶圓20的雙面研磨。然後，如下述表1所示將樣本1~5的虛設構件10裝填於支架板30的晶圓保持孔40，進行支架板30的厚度調整。又，支架板30係全部以樹脂材料所構成。又，晶圓保持孔40的直徑為301.0mm，相對於支架板30的內周面部32的初始的厚度779μm，厚度調整後的目標厚度為778μm。樣本1~3的虛設構件10的厚度係，較該初始的厚度779μm更厚，樣本4、5的虛設構件10的厚度係，較該初始的厚度779μm更薄。

又，在樣本1~5的任一個中，係使用在虛設用矽晶圓的表裏面、以電漿CVD法塗佈單面2μm的DLC的虛設構件10。虛設構件的直徑係全部為300.5mm，厚度係如下述表 1所述。

支架板厚度調整後的洞凹陷量係，使用雷射位移計測定。虛設構件的厚度，與洞凹陷量的關係圖示於第7圖的圖表。

從第7圖之圖表，可確認作為虛設構件，藉由使用具有較支架板的內周面部的厚度更厚之厚度的虛設構件，可顯著地減低支架板的洞凹陷量。如此地一邊減低洞凹陷量、且一邊使用調整過厚度的支架板而進行矽晶圓的研磨的話，可減低矽晶圓的捲落量係可期待的。

【產業上的利用可能性】

根據本發明的支架板之厚度調整方法，可減低支架板的洞凹陷量。使用如此地調整過的支架板進行矽晶圓的雙面研磨的話，因為可將矽晶圓的雙面研磨的研磨品質較習知更加改善，在矽晶圓製造技術中係有用的。

Claims (6)

1. 一種支架板之厚度調整方法，其特徵在於，在將被保持在具有晶圓保持孔之支架板的矽晶圓、以分別設置有研磨墊之上定盤與下定盤夾持，藉由一邊使上述支架板、上述上定盤以及上述下定盤被旋轉、一邊供給研磨漿液，而對上述矽晶圓的表裏面同時地進行化學機械研磨之雙面研磨裝置中，上述支架板之厚度調整方法係包括：於上述晶圓保持孔填裝代替上述矽晶圓的虛設構件之步驟；在已填裝上述虛設構件的狀態下、藉由上述雙面研磨裝置將上述支架板的雙面進行研磨的步驟；在上述支架板中，至少劃分上述晶圓保持孔的內周面部包含樹脂材料；上述虛設構件的厚度，係較上述內周面部的厚度更厚。
2. 如申請專利範圍第1項所述之支架板之厚度調整方法，其中上述虛設構件的至少表裏面係，包含比上述樹脂材料的研磨率更低研磨率的材料。
3. 如申請專利範圍第1項所述之支架板之厚度調整方法，其中上述虛設構件係，披覆塗佈材於虛設用矽晶圓的表裏面而成；上述塗佈材係，包含比上述樹脂材料之研磨率更低研磨率的材料。
4. 如申請專利範圍第3項所述之支架板之厚度調整方法，其中上述塗佈材係，包含不會汙染上述矽晶圓的材料。
5. 如申請專利範圍第3項所述之支架板之厚度調整方法，其中上述塗佈材係，包含類金剛石碳。
6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之支架板之厚度調整方法，其中上述支架板係包含樹脂材料。