TW201829818A - 用以支承一基板之載體、於一處理系統中之載體之使用、應用載體之處理系統、及用以控制一基板之一溫度之方法 - Google Patents

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Abstract

一種用以支承一基板(101)之載體(100)係說明。載體(100)包括一載體主體(110)，具有一第一表面(111)，以及一黏附配置(120)，設置於第一表面(111)上。載體主體(110)包括一或多個導管(115)，裝配以用於提供一氣體至黏附配置(120)中。再者，一種用以控制一基板之一溫度之方法係提供。此方法包括提供如此處所述之載體；供應一氣體通過此一或多個導管至黏附配置中；以及提供氣體至貼附於黏附配置之基板之一背側。

Description

用以支承一基板之載體、於一處理系統中之載體之使用、應用載體之處理系統、及用以控制一基板之一溫度之方法
本揭露之數個實施例有關於一種用以支承一基板之載體，一種用以沈積材料於一基板上之沈積系統，以及一種用以控制一基板之一溫度之方法。本揭露之數個實施例特別是有關於一種用以於一真空處理腔室中支承一基板之載體，一種包括一真空處理腔室之真空處理系統，以及一種用以在基板處理期間之一真空處理腔室中控制一基板之一溫度之方法。
用以層沈積於基板上之技術包括舉例為熱蒸發、化氣相沈積(chemical vapor deposition，CVD)及物理氣相沈積(physical vapor deposition，PVD)，物理氣相沈積例如是濺射沈積。濺射沈積製程可使用，以沈積材料層於基板上，例如是絕緣材料層或金屬層。在濺射沈積製程期間，具有將沈積於基板上之靶材材料之靶材係利用產生於電漿區域中之離子轟擊，以從靶材之表面逐出(dislodge)靶材材料之原子。被逐出之原子可形成材料層於基板上。在反應濺射沈積製程中，被逐出之原子可與電漿區域中之氣體反應，且氣體舉例為氮或氧，以形成靶材材料之氧化物、氮化物或氮氧化物於基板上。
已塗佈之材料可使用於數種應用中及數種技術領域中。舉例來說，已塗佈之材料可使用於微電子之領域中，例如是用以產生半導體裝置。再者，用以顯示器之基板可使用PVD製程塗佈。其他應用包括絕緣板、有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)面板、具有薄膜電晶體(thin film transistors，TFTs)之基板、彩色濾光片或類似者。
趨於較大且亦較薄之基板的趨勢可能因舉例為在沈積製程期間提供至基板之應力而導致基板之凸出(bulging)。舉例為因推動基板邊緣朝向基板之中心，在沈積製程期間支承基板之支撐系統係致使在基板上之凸出。凸出可能因破裂之可能性增加而接著導致問題產生。因此，減少凸出及支撐較大及較薄之基板而沒有損害及破裂係存有需求。再者，對於一些應用來說，在基板處理期間之基板的熱控制係有需求，舉例為在材料沈積期間，以最佳化基板上之已沈積之層的特性。
有鑑於前述，提供數種在基板處理期間支承一基板之載體、數種處理系統、及數種用以控制處理參數之方法係有需求，而克服此領域中之至少一些問題。處理參數例如在層沈積期間之基板之溫度。
有鑑於上述，一種用以支承一基板之載體，一種沈積系統，以及一種用以控制一基板之一溫度之方法係提供。本揭露之其他方面、優點、及特徵係透過申請專利範圍、說明、及所附之圖式更為清楚。
根據本揭露之一方面，一種用以支承一基板之載體係提供。載體包括一載體主體，具有一第一表面，以及一黏附配置，設置於第一表面上，其中載體主體包括一或多個導管，裝配以用於提供一氣體至黏附配置中。
根據本揭露之另一方面，於一處理系統中之如此處所述任何實施例之載體之使用係提供，特別是於一真空沈積系統中，用以沈積材料於一基板上。
根據本揭露之再另一方面，一種處理系統係提供。處理系統包括一處理腔室；一處理裝置；以及根據此處所述任何實施力之一載體。
根據本揭露之一其他方面，一種用以控制一基板之一溫度之方法係提供。此方法包括提供根據此處所述任何實施例之之一載體；供應一氣體通過此一或多個導管至黏附配置中；以及提供氣體至貼附於黏附配置之基板之一背側。
數個實施例係亦有關於用以執行所揭露之方法之設備，且包括用以執行所述之各方法方面之設備部件。此些方法方面可藉由硬體元件、由合適軟體程式化之電腦、兩者之任何結合或任何其他方式執行。再者，根據本揭露之數個實施例係亦有關於用以操作所述之設備的方法。用以操作所述之設備的此些方法包括數個方法方面，用以執行設備之各功能。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
詳細的參照將以數種實施例達成，數種實施例之一或多個例子係繪示於各圖式中。各例子係藉由說明的方式提供且不意味為一限制。舉例來說，所說明或敘述而作為一實施例之部份之特徵可用於任何其他實施例或與任何其他實施例結合，以取得再其他實施例。此意指本揭露包括此些調整及變化。
在下方之圖式說明中，相同參考編號係意指相同或相似之元件。一般來說，僅有有關於個別實施例之不同處係進行說明。除非另有說明，一實施例中之一部份或方面之說明係亦應用於另一實施例中之一對應部份或方面。
在本揭露之數種實施例係詳細說明之前，使用於此處之一些名稱的一些方面係進行解說。
於本揭露中，「用以支承基板之載體」將理解為裝配以支承如此處所述之基板之載體，特別是如此處所述之大面積基板。一般來說，由此處所述之載體支承或支撐之基板包括前表面及後表面，其中前表面係進行處理之基板之表面，舉例為材料層將沈積於基板之此表面上。一般來說，載體係裝配，使得基板之後表面可貼附於載體，特別是如此處所述之載體之黏附配置。
如此處所使用之名稱「基板」應特別是包含不可彎曲基板，舉例為玻璃板材及金屬板材。然而，本揭露並不以此為限，且名稱「基板」可亦包含可彎曲基板，例如是網格(web)或箔。根據一些實施例，基板可以適合用於材料沈積之任何材料製成。舉例來說，基板可以選自由玻璃(舉例為鈉鈣玻璃(soda-lime glass)、硼矽玻璃(borosilicate glass)等)、金屬、聚合物、陶瓷、複合材料、碳纖維材料、雲母或任何其他材料或可由沈積製程塗佈之材料之組合所組成之群組的材料製成。舉例來說，基板可具有0.1 mm至1.8 mm之厚度，例如是0.7 mm、0.5 mm或0.3 mm。於一些應用中，基板之厚度可為50 µm或更多及/或700 µm或更少。處理具有僅數個微米之厚度的薄基板可能具有挑戰性，舉例為8 µm或更多及50 µm或更少。
根據一些實施例，基板可為「大面積基板」且可使用於顯示器製造。舉例來說，基板可為玻璃或塑膠基板。舉例來說，如此處所述之基板應包含一般用於液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)、電漿顯示器(Plasma Display Panel，PDP)、及類似者之基板。舉例來說，「大面積基板」可具有一主表面，具有0.5 m²或更大之面積，特別是1 m²或更大之面積。於一些實施例中，大面積基板可為第4.5代、第5代、第7.5代、第8.5代、或甚至是第10代，第4.5代對應於約0.67 m2 之基板(0.73 m x 0.92 m)、第5代對應於約1.4 m2 之基板(1.1 m x 1.3 m)、第7.5代對應於約4.29 m2 之基板(1.95 m x 2.2 m)、第8.5代對應於約5.7 m²之基板(2.2 m x 2.5 m)、第10代對應於約8.7 m2 之基板(2.85 m × 3.05 m)。甚至例如是第11代及第12代之更高代及對應之基板面積可以類似之方式應用。
於本揭露中，「載體主體」將理解為裝配以用於支承基板之載體之主體。舉例來說，載體主體可為剛性主體，例如是裝配以用於支承如此處所述之基板之框架或板材。特別是，如此處所述之載體主體可裝配以支撐基板之表面，例如是基板之後表面。
在本揭露中，「黏附配置」將理解為裝配以用以提供黏附力之配置，用以貼附如此處所述之基板。特別是，黏附配置可設置於載體主體上或貼附於載體主體，使得如此處所述之基板可經由黏附配置來由載體主體支承。更特別是，如此處所述之黏附配置可包括如此處所述之乾燥黏附材料，乾燥黏附材料可裝配以用於藉由凡得瓦(van der Waals)力提供黏附力。
於本揭露中，表達方式「裝配以用於提供氣體至黏附配置中之一或多個導管」將理解為至少一導管，設置於載體主體中，以提供氣流至如此處所述之黏附裝置中。特別是，此一或多個導管可配置於載體主體中，使得此一或多個導管提供從載體主體之第二側(舉例為載體主體之背側)至載體主體之第一側(舉例為載體主體之前側)之通道。一般來說，黏附配置係提供於載體主體之前側上。因此，氣體可經由此一或多個導管提供至黏附配置中。舉例來說，通過此一或多個導管提供至黏附配置中之氣體可為在處理基板期間於處理系統中使用之處理氣體。一般來說，提供至黏附配置中之氣體之溫度T係大略地為室溫，舉例為T ≤ 30°C、特別是T ≤ 25°C、更特別是T ≤ 20°C。
第1圖繪示根據此處所述實施例之用以支承基板101之載體100之側視圖。用以支承基板101之載體100包括載體主體110及黏附配置120。載體主體110具有第一表面111，黏附配置120設置於第一表面111上。再者，載體主體110包括一或多個導管115，裝配以用於提供氣體至黏附配置120中。
因此，根據此處所述數個實施例之載體係有利地提供載體，由此載體支承之基板之溫度可控制。特別是，藉由提供裝配而使得氣體可供應至基板之背側，且基板由載體之黏附配置支承，載體之簡單及緊密設計可實現，而可使用以用於在基板處理期間控制基板之溫度。
舉例來說，如第1圖中範例性所示，如此處所述之載體100之實施例係提供在基板101之背側表面101A之上方提供氣流之可能性，使得基板之溫度可控制，也就是基板之溫度可限制於特定之預選值。換言之，如此處所述之載體之實施例係有利地裝配以用於提供基板之熱控制，特別是藉由在由載體之黏附配置支承之載體之背側上提供氣體對流。此可有利於最佳化沈積於基板上之層的特性，特別是由如此處所述之載體支承之大面積基板，因為基板可進行冷卻。換言之，如此處所述之載體之實施例有利地提供渠化(canalized)氣流，使得由載體支承之基板之背側表面之上方的適當對流氣流可在真空條件下提供，舉例為在如此處所述之處理系統之真空處理腔室中。
範例性參照第1圖，根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例中，黏附配置120可直接配置於載體主體110之第一表面111上或貼附於載體主體110之第一表面111。一般來說，黏附配置120係裝配以用於提供支承基板101之黏附力。特別是，由黏附配置提供之黏附力一般作用於基板101之背側表面101A上。一般來說，基板101之背側表面101A係不進行處理之基板表面。因此，如此處所述之用以支承基板之載體的緊密設計可有利地提供，同時載體係裝配，使得基板之溫度可進行控制。
如第1圖中之黏附配置120中之箭頭所範例性指示，根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，黏附配置120係裝配以對氣體為通透的。因此，氣流可有利地提供於基板101之背側表面101A之上方，使得基板之溫度可藉由對流控制，使得從基板至流動於基板之背側表面之上方的氣體之熱傳導係達成。舉例來說，提供於黏附配置中且流動於基板之背側表面之上方的氣體可大略地具有室溫。更特別是，提供於黏附配置中之氣體之溫度T可為T ≤ 30°C，特別是T ≤ 25°C，更特別是T ≤ 20°C。
在第2圖中，根據此處所述實施例之用以支承基板之載體之透視圖係繪示。範例性參照第2圖，根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，此一或多個導管115可包括數個導管，配置於載體100之載體主體110中。特別是，此些導管可分佈於載體主體中，特別是以規律之方式。於第2圖中，此一或多個導管115係繪示成虛線圓形。舉例來說，此些導管可分佈而遍佈載體主體110。特別是，如第2圖中所範例性繪示，此些導管可以規律之方式分佈而遍佈載體主體。更特別是，此些導管可以矩陣之方式分佈而遍佈載體主體，如第2圖中以虛直線範例性所示。雖然第2圖中繪示之範例性實施例中係顯示出9個導管，將理解的是，載體主體中可提供任何數量之導管，舉例為二或更多個導管，特別是四或更多個導管，更特別是十或更多個導管。再者，此些導管可選擇地以隨機之方式分佈而遍佈載體主體。
特別是，根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，此些導管之數量可選擇，以在基板之背側表面的上方可提供足夠的氣流。更特別是，此些導管可分佈於載體主體中，使得由黏附配置支承之基板之實質上均質之熱控制，特別是實質上均勻之冷卻可實現。因此，將理解的是，此些導管之數量可適用於藉由如此處所述之載體支承之基板之尺寸。
根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，此些導管之相鄰導管之間的橫向距離可為2.5 cm或更多，特別是5.0 cm或更多，更特別是7.5 cm或更多，舉例為10 cm或更多。根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，此一或多個導管之直徑D可從一範圍選擇，此範圍係在一下限及一上限之間。下限為D = 5 mm，特別是下限為D = 10 mm，更特別是下限為D = 15 mm，上限為D = 20 mm，特別是上限為D = 25 mm，更特別是上限為D = 30 mm。
為了說明之目的，沿著如第2圖中所示之載體之接線A-A之剖面圖係繪示於第4A圖中。特別是，第4A圖繪示相鄰之導管，且氣體通過相鄰之導管提供至黏附配置120中，以提供貼附於黏附配置之基板之熱控制。由於繪示第4A圖中之黏附配置120中之箭頭所示，導管係裝配以用於沿著貼附於黏附配置120之基板101之背側表面101A提供氣體對流。
於第3圖中，此處所述之載體之第2圖中所示之局部詳細示意圖係繪示。特別是，第2圖繪示載體之黏附配置120上之局部上視圖。第3圖中繪示之局部係包括如此處所述之導管115。如從導管115延伸至黏附配置120中之箭頭所示，黏附配置120係裝配以對氣體為可通透的。特別是，於本揭露中，名稱「對氣體為可通透的」可理解為一自由路徑，用於提供在黏附配置中之氣體。更特別的是，用於提供在黏附配置中之氣體的自由路徑可提供，使得沿著貼附於黏附配置之基板的背部之對流可提供。舉例來說，黏附配置可包括多孔材料，具有如此處所述之黏附性質。更特別的是，黏附配置120可包括數個絲狀體121，絲狀體121係配置，以提供黏附配置之通透或多孔結構。也就是說，黏附配置之結構可裝配成多孔或海綿狀之形式，而氣體可到達基板且沿著基板表面流動來進行熱傳導。特別是，黏附配置係有利地配置，使得提供於黏附配置中之氣體可實質上到達基板之整個背側表面。
因此，如第1及3圖中範例性所示，根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，黏附配置120可包括數個絲狀體121(基於說明之目的，僅有一些絲狀體係以參考符號標註)。絲狀體121可貼附於載體主體110，使得此些絲狀體從載體主體110之第一表面111延伸離開。此一裝配係特別是有利於提供如此處所述之黏附配置之氣體透氣性。
如第1圖中範例性所示，此些絲狀體121之各絲狀體可以一端貼附於載體100之第一表面111。特別是，此些絲狀體121之各絲狀體可從載體100之第一表面111延伸離開，舉例為垂直於載體100之第一表面111。因此，此些絲狀體121之各絲狀體可具有自由之第二端，舉例為用於如此處所述之基板之貼附。特別是此些絲狀體121之各絲狀體之第二端可裝配，以可貼附於基板101。特別是，各絲狀體之第二端可裝配，以藉由凡得瓦力貼附於基板101，如此處所述。
舉例來說，絲狀體可包括奈米管或奈米碳管，或可為奈米管或奈米碳管。此些絲狀體之各者可實質上為縱向構件。特別是，此些絲狀體之各者可具有一尺寸，此尺寸大於剩餘之兩個尺寸。特別是，絲狀體之最長尺寸可為絲狀體之長度。也就是說，絲狀體可沿著長度方向延伸。
根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，黏附配置120可包括乾燥黏附材料，裝配以用於貼附基板101至載體主體110。舉例來說，乾燥黏附材料可為合成剛毛(synthetic setae)材料。乾燥黏附材料之黏附能力，特別是合成剛毛材料之黏附能力可與壁虎腳之黏附特性相關。壁虎腳之自然黏附能力讓此動物在大多數情況下黏附於許多形式之表面。壁虎腳之黏附能力係由壁虎的腳上稱為剛毛之很多毛形延伸提供。值得注意的是，名稱「合成剛毛材料」可理解為一合成材料，模仿壁虎腳之自然黏附能力，及包括與壁虎腳類似之黏附能力。再者，名稱「合成剛毛材料」可與名稱「合成壁虎剛毛材料」或名稱「壁虎膠帶材料」以同義之方式使用。舉例來說，具有壁虎黏附材料之載體可亦意指為壁虎吸座(G-chuck)。然而，本揭露不以此為限，及適合用以支承基板之其他乾燥黏附材料可使用。
根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，乾燥黏附材料舉例為合成剛毛材料，可為無機的。根據此處所述之一些實施例，乾燥黏附材料可實質上100%無機的。再者，乾燥黏附材料之微結構可包括奈米管。根據此處所述之一些實施例，乾燥黏附材料之微結構包括奈米碳管。
根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，乾燥黏附材料可為壁虎黏著物。舉例來說，壁虎黏著物可為壁虎膠帶或壁虎元件。
在本揭露之內容中，「壁虎黏著物(gecko adhesive)」可理解為模仿壁虎腳的能力來黏附在表面之黏著物，此表面例如是舉例為垂直表面。特別是，如此處所述之黏附配置120之乾燥黏附材料可裝配，以因乾燥黏附材料及基板101之表面之間的凡得瓦力來黏附於基板101。然而，本揭露係不以此為限，及適合用以支承基板之其他黏著物可使用。
根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例。由乾燥黏附材料提供之黏附力可如此處所述的足以支承基板。特別是，乾燥黏附材料可裝配，以提供約 2 N/cm2 或更多之黏附力，特別是3 N/cm2 或更多之黏附力，更特別是4 N/cm2 之黏附力，舉例為至少5 N/cm2 之黏附力。
範例性參照第1及4A圖，根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，此一或多個導管115係裝配，以從載體主體110之第二表面112延伸至載體主體110之第一表面111，其中第二表面112相對於第一表面111。舉例來說，載體主體110之第一表面111可為載體之前側，且載體主體110之第二表面112可為載體之背側。也就是說，如此處所述之導管可理解為從載體之背側到載體之前側之通道或通孔。因此，此一或多個導管115可裝配以貫穿載體主體110。特別是，此一或多個導管115可裝配以提供從載體之背側到載體之前側的流體流通，特別是到黏附配置120中之流體連通。
範例性參照第4B圖，根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，此一或多個導管115可連接於氣體供應導管116，氣體供應導管116裝配以經由載體主體110導引氣體至此一或多個導管115。舉例來說，氣體供應導管116可配置於載體主體110中。舉例來說，氣體供應導管116可實質上平行於載體主體110之第一表面111延伸，範例性繪示於第4B圖中。一般來說，氣體供應導管116係裝配，使得氣體可從載體主體之至少一側導引至氣體供應導管116中。舉例來說，根據如第4B圖中所示之範例性應用，氣體供應導管116可排列及裝配，使得氣體可從載體主體之上側表面導引至氣體供應導管116中。氣體供應導管116可額外地或選擇地排列及裝配，使得氣體可從載體主體之下側表面導引至氣體供應導管116中。因此，氣體供應導管116可亦額外地或選擇地排列及裝配，使得氣體可從載體主體之左側表面及/或右側表面導引至氣體供應導管116中(未明確繪示)。
根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，黏附配置120可裝配以具有一貼附區域，此貼附區域係對應於基板101之背側表面101A之至少75%s。特別是，黏附配置120可裝配以具有一貼附區域，此貼負區域係對應於基板101之背側表面101A之至少80%，更特別是對應於基板101之背側表面101A之至少90%。於本揭露中，「貼附區域」可理解為黏附配置之一區域，提供如此處所述之黏附材料的連續區域。
範例性參照第5A及5B圖，根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，黏附配置120可裝配以具有二或多個貼附區域122。因此，此一或多個導管115可裝配，使得此二或多個貼附區域122之各者可提供而具有氣體，如第5A及5B圖中範例性所示。特別是，此一或多個導管115可排列於載體主體110中，使得貼附於此二或多個貼附區域122之基板之背側的上方的氣流對流可提供。於第5A圖中，基板101貼附之具有六個貼附區域之載體的範例性實施例係繪示。再者，在第5A圖中，六個面積(102A至102F)係繪示而舉例為代表六個裝置(舉例為顯示器)，此六個裝置係在處理之後，特別是基板之塗佈之後從基板切開。因此，相較於一結構，且於此結構中之黏附配置之黏附材料係提供於實質上整個基板背面之上方來說，藉由提供具有二或多個貼附區域122之載體，且此二或多個貼附區域122之尺寸係實質上對應於稍後從基板切出之個別裝置之尺寸，需要較少之黏附材料，如第1及2圖中範例性所示。基於說明之目的，在第5B圖中，第5A圖之載體的示意圖係繪示而沒有顯示出基板。
於一些應用中，如第5A圖中範例性所示，具有低至數cm²之表面積之較小尺寸基板之陣列及/或具有數種個別之形狀之較小尺寸基板之陣列可位於如此處所述之載體100上，特別是具有二或多個貼附區域122之載體。低至數cm²之表面積之較小尺寸基板舉例為2 cm x 4 cm。因此，根據一些應用，載體可裝配以用於支撐二或多個基板。一般來說，此二或多個貼附區域122之各者可包括如此處所述之數個絲狀體。絲狀體係配置，以取得如此處所述之可通透或多孔之裝配。因此，此二或多個貼附區域122之各者可包括如此處所述之乾燥黏附材料。
有鑑於上述，將理解的是，如此處所述之載體之數個實施例係適用於使用於處理系統中，處理系統舉例為真空沈積系統，用以沈積材料於由如此處所述之載體支承之基板上。因此，根據本揭露之一方面，係提供在處理系統中之根據此處所述任何實施例之載體之使用，特別是在用以沈積材料於基板上之真空沈積系統中之根據此處所述任何實施例之載體之使用。
範例性參照第6圖，根據本揭露之數個實施例之處理系統200係說明。處理系統包括處理腔室210；處理裝置220；及根據此處所述任何實施例之載體100。特別是，處理腔室210可為真空處理腔室，真空處理腔室例如是沈積腔室，適用於真空沈積製程。舉例來說，沈積製程可為物理氣相沈積(PVD)或化學氣相沈積(CVD)製程。一般來說，具有基板101定位於其上之載體100係提供於處理腔室210中來用於基板處理。特別是，載體100可根據此處所述任何實施例裝配。再者，如第6圖中所範例性繪示，處理系統200可包括傳送裝置240，裝配以用於傳送根據此處所述之載體100。再者，處理系統200可包括氣體供應單元，裝配以用於提供氣體至如此處所述之載體100之此一或多個導管115中，使得由載體支承之基板的溫度可進行控制。特別是，處理系統200之氣體供應單元係如此處所述之有利於在基板處理期間提供冷卻基板之可能性。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，處理裝置220可為材料沈積源，可設置於處理腔室210中，而面向將處理之基板101，處理舉例為塗佈。如第6圖中範例性所示，材料沈積源可提供將沈積於基板101上之沈積材料235。舉例來說，沈積材料源可為具有沈積材料於其上之靶材或讓材料釋放而用於沈積於基板上之任何其他配置。於一些應用中，材料沈積源可為可旋轉靶。根據此處所述之一些實施例，材料沈積源可為可移動的， 以定位及/或替換材料沈積源。根據此處所述其他實施例，材料沈積源可為平面靶。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，沈積材料235可根據沈積製程及之後的已塗佈之基板之應用選擇。舉例來說，材料沈積源之沈積材料235可為選自群組之材料，群組由金屬、矽、氧化銦錫、及其他透明導電氧化物所組成。金屬例如是鋁、鉬、鈦、銅、或類似者。可包括此些材料之氧化物、氮化物或碳化物層可藉由來自材料沈積源之材料或藉由反應沈積來提供。反應沈積也就是來自材料沈積源之材料可與來自處理氣體之元素反應，元素像是氧、氮、或碳。
第7圖繪示根據此處所述實施例之用以控制基板之溫度的方法300之流程圖。根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，方法300包括提供310根據此處所述任何實施例的載體；供應320氣體通過此一或多個導管至黏附配置中；以及提供330氣體至貼附於黏附配置之基板之背側。
根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，供應320氣體通過此一或多個導管至黏附配置中包括於黏附配置中分佈氣體，特別是以實質上均勻的方式分佈氣體。因此，藉由如此處所述的載體之黏附配置支承之實質上均勻或均質之基板之熱控制可有利地提供。
根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，提供330氣體至貼附於黏附配置之基板之背側包括沿著基板之背側提供氣流，也就是氣體對流，用以從基板提供熱傳導至氣體。因此，藉由如此處所述的載體之黏附配置支承之實質上均勻或均質之基板之熱控制可有利地提供。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
特別是，此書面說明係使用數個例子來揭露本揭露，包括最佳模式，且亦讓此技術領域中任何具有通常知識者能夠實施所述之標的，包括製造及使用任何裝置或系統及執行任何併入之方法。當數種特定之實施例係已經於前述中揭露時，上述實施例之非互斥之特徵可彼此結合。可專利之範圍係由申請專利範圍定義，且如果申請專利範圍具有非相異於申請專利範圍之字面語言之結構元件時，或如果申請專利範圍包括等效結構元件，且等效結構元件與申請專利範圍之字面語言具有非實質差異時，其他例子係意欲包含於申請專利範圍之範疇中。
100‧‧‧載體
101‧‧‧基板
101A‧‧‧背側表面
102A-102F‧‧‧區域
110‧‧‧載體主體
111‧‧‧第一表面
112‧‧‧第二表面
115‧‧‧導管
116‧‧‧氣體供應導管
120‧‧‧黏附配置
121‧‧‧絲狀體
122‧‧‧貼附區域
200‧‧‧處理系統
210‧‧‧處理腔室
220‧‧‧處理裝置
235‧‧‧沈積材料
240‧‧‧傳送裝置
300‧‧‧方法
310、320、330‧‧‧流程步驟
為了使本揭露的上述特徵可詳細地瞭解，簡要摘錄於上之本揭露更特有之說明可參照數個實施例。所附之圖式係有關於本揭露之數個實施例，且說明於下文中： 第1圖繪示根據此處所述實施例之用以支承基板之載體之剖面圖； 第2圖繪示根據此處所述實施例之用以支承基板之載體之透視圖； 第3圖繪示如第2圖中所示之根據此處所述實施例之載體之局部詳細示意圖； 第4A圖繪示如第2圖中所示之沿著載體之接線A-A之剖面圖； 第4B圖繪示根據此處所述其他實施例之用以支承基板之載體之剖面圖； 第5A圖繪示根據此處所述其他實施例之用以支承二或多個基板之載體之示意圖； 第5B圖繪示如第5A圖中所示之載體之示意圖，而沒有繪示出基板； 第6圖繪示根據此處所述實施例之處理系統之示意圖；以及 第7圖繪示根據此處所述實施例之用以控制基板之溫度之方法的流程圖。

Claims (20)

  1. 一種載體(100)，用以支承一基板(101)，該載體包括： 一載體主體(110)，具有一第一表面(111)；以及 一黏附配置(120)，設置於該第一表面(111)上； 其中該載體主體(110)包括一或多個導管(115)，裝配以用於提供一氣體至該黏附配置(120)中。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之載體(100)，其中該黏附配置(120)係裝配以對氣體為可通透的。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之載體(100)，其中該黏附配置(120)包括複數個絲狀體(121)。
  4. 如申請專利範圍第1至3項之任一項所述之載體(100)，其中該黏附配置(120)包括一乾燥黏附材料，裝配以用於貼附該基板(101)於該載體主體(110)。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之載體(100)，其中該乾燥黏附材料係為一合成剛毛(synthetic setae)材料。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之載體(100)，其中該乾燥黏附材料係為一壁虎黏著物(Gecko adhesive)。
  7. 如申請專利範圍第1至3項之任一項所述之載體(100)，其中該一或多個導管(115)係裝配以從該載體主體(110)的一第二表面(112)延伸至該載體主體(110)的該第一表面(111)，其中該第二表面(112)係相對於該第一表面(111)，或其中該一或多個導管(115)係連接於一氣體供應導管(116)，裝配以導引該氣體通過該載體主體(110)至該一或多個導管(115)。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之載體(100)，其中該一或多個導管(115)係裝配以從該載體主體(110)的一第二表面(112)延伸至該載體主體(110)的該第一表面(111)，其中該第二表面(112)係相對於該第一表面(111)，或其中該一或多個導管(115)係連接於一氣體供應導管(116)，裝配以導引該氣體通過該載體主體(110)至該一或多個導管(115)。
  9. 如申請專利範圍第1至3項之任一項所述之載體(100)，其中該黏附配置(120)係裝配以具有一貼附面積，該貼附面積係對應於該基板(101)之一背側表面(101A)之至少75%。
  10. 如申請專利範圍第4項所述之載體(100)，其中該黏附配置(120)係裝配以具有一貼附面積，該貼附面積係對應於該基板(101)之一背側表面(101A)之至少75%。
  11. 如申請專利範圍第1至3項之任一項所述之載體(100)，其中該一或多個導管(115)包括複數個導管，分佈於該載體主體中。
  12. 如申請專利範圍第4項所述之載體(100)，其中該一或多個導管(115)包括複數個導管，分佈於該載體主體中。
  13. 如申請專利範圍第1至3項之任一項所述之載體(100)，其中該一或多個導管(115)包括複數個導管，以規律之方式分佈於該載體主體中。
  14. 如申請專利範圍第1至3項之任一項所述之載體(100)，其中該黏附配置(120)係裝配以具有二或多個貼附區域(122)。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之載體(100)，其中該一或多個導管(115)係裝配，使得該二或多個貼附區域(122)之各者可提供有氣體。
  16. 於一處理系統中之如申請專利範圍第1至15項之任一項之該載體(100)之使用，特別是於一真空沈積系統中，用以沈積材料於一基板上。
  17. 一種處理系統(200)，包括： 一處理腔室(210)； 一處理裝置(220)；以及 如申請專利範圍第1至15項之任一項之載體(100)。
  18. 一種方法(300)，用以控制一基板之一溫度，該方法包括： 提供(310)如申請專利範圍第1至15項之任一項之載體； 供應(320)氣體通過該一或多個導管至該黏附配置中；以及 提供(330)該氣體至貼附於該黏附配置之該基板之一背側。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之方法(300)，其中供應(320)氣體通過該一或多個導管至該黏附配置中包括於該黏附配置中分佈該氣體。
  20. 如申請專利範圍第18或19項所述之方法(300)，其中提供(330)該氣體至黏附於該黏附配置之該基板之該背側包括沿著該基板之該背側提供一氣流，用以從該基板提供一熱傳導至該氣體。
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