TW201945565A - 用於真空沈積之材料沈積配置 - Google Patents

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湯瑪士 爵伯勒
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Abstract

一種用以於一真空腔室(110)中沈積已蒸發材料於一基板(121)上之材料沈積配置(100)係說明。此材料沈積配置包括兩個材料源(100a、100b)，各具有一分佈管(106a、106b)及一或多個噴嘴(712)。

Description

用於真空沈積之材料沈積配置
數個實施例是有關於一種材料沈積配置。數個實施例特別是有關於一種用於一真空沈積腔室之材料沈積配置。
有機蒸發器係為用於生產有機發光二極體(organic light-emitting diodes，OLED)之器械。OLEDs係為發光二極體之一種特別形式，在OLEDs中，發光層包括特定之有機化合物之薄膜。OLEDs係使用於製造用於顯示資訊之電視螢幕、電腦螢幕、手機、其他手持裝置等。OLEDs可亦使用來做為一般空間的照明。OLED顯示器可能的顏色、亮度、及視角之範圍係較傳統之液晶顯示器(LCD)大，因為OLED像素係直接地發出光線而不使用背光。因此，OLED顯示器之能量損耗係大量少於傳統之液晶顯示器的能量損耗。再者，OLEDs可製造於撓性基板上係產生更多之應用。典型之OLED顯示器舉例可包括位於兩個電極之間的數個有機材料層，此些有機材料層全部係沈積於一基板上，以形成具有個別可供能像素之一矩陣顯示面板。OLED一般係置於兩個玻璃面板之間，且玻璃面板之邊緣係密封以封裝OLED於其中。
製造此種顯示裝置係面臨許多挑戰。OLED顯示器或OLED發光應用包括由數個有機材料形成之堆疊，此些有機材料例如是在真空中蒸發。有機材料係經由遮罩(shadow masks)以接續之方式沈積。為了以高效率製造OLED堆疊，共沈積(co-deposition)或共蒸發(co-evaporation)兩個或多個材料成為混合/摻雜層係有需要的，兩個或多個材料舉例為主體(host)及摻雜劑。再者，許多用以蒸發非常靈敏之有機材料的處理條件係必須考慮。
為了沈積材料於基板上，材料係加熱直到材料蒸發。再者，舉例來說，為了保持已蒸發材料於一控制溫度或避免已蒸發材料於管中凝結，導引材料至基板的管可進行加熱。當材料蒸發時，材料例如是藉由通過分佈管導引至基板，分佈管具有用於已蒸發材料的出口或噴嘴。在過去數年中，沈積製程的準確性係已經增加，例如是能夠提供越來越小的像素尺寸。然而，遮罩之遮蔽效應(shadowing effects)、已蒸發材料之散佈及類似的情況係讓蒸發製程的準確性和可預測性難以更進一步的增加。
有鑑於上述，此處所述實施例之一目的係提供一種材料沈積配置、一種真空沈積腔室、一種分佈管、及一種方法，用以沈積材料於一基板上來克服此領域中之至少一些問題。
有鑑於上述，根據獨立申請專利範圍之用以沈積材料於一基板上之(數種)材料沈積配置係提供。數個實施例之其他方面、優點、及特徵係藉由附屬申請專利範圍、說明、及所附之圖式更為清楚。
根據一實施例，一種用以於一真空腔室中沈積已蒸發材料於一基板上之材料沈積配置係提供，已蒸發材料特別是兩個或多個已蒸發材料。此材料沈積配置包括一第一材料源，包括一第一材料蒸發器，裝配以用於蒸發將沈積於基板上之一第一材料，特別是此兩個或多個材料之一第一材料；一第一分佈管，包括一第一分佈管殼體，其中第一分佈管係流體連通於第一材料蒸發器；及數個第一噴嘴，位於第一分佈管殼體中。此材料沈積配置更包括一第二材料源，包括一第二材料蒸發器，裝配以用於蒸發將沈積於基板上之一第二材料，特別是此兩個或多個材料之一第二材料；一第二分佈管，包括一第二分佈管殼體，其中第二分佈管係流體連通於第二材料蒸發器；以及數個第二噴嘴，位於第二分佈管殼體中。此些第一噴嘴之一第一噴嘴與此些第二噴嘴之一第二噴嘴之間的一距離係等同於或少於50 mm。第一分佈管之出口側的寬度係第一分佈管之剖面之最大維度之30%或更少。
根據其他實施例，提出一種用以於一真空腔室中沈積已蒸發材料於一基板上之材料沈積配置係提供，已蒸發材料特別是兩個或多個已蒸發材料。此材料沈積配置包括一第一材料源，包括一第一材料蒸發器，裝配以用於蒸發將沈積於基板上之一第一材料，特別是此兩個或多個材料之一第一材料；以及為根據此處所述之材料沈積配置的一第一分佈管，其中第一分佈管係流體連通於第一材料蒸發器。材料沈積配置更包括一第二材料源，包括一第二材料蒸發器，裝配以用於蒸發將沈積於基板上的一第二材料，特別是此兩個或多個材料之一第二材料；以及一第二分佈管，包括一分佈管殼體，其中第二分佈管係流體連通於第二材料蒸發器；以及數個第二噴嘴，位於第二分佈管殼體中。第一分佈管之噴嘴與第二分佈管之此些第二噴嘴之一第二噴嘴之間的一距離係等同於或少於50 mm。第一分佈管之噴嘴係額外地或選擇性裝配以提供一第一分佈方向且第二分佈管之此些第二噴嘴之一第二噴嘴係裝配以提供一第二分佈方向，其中第一分佈方向與第二分佈方向係彼此平行排列或係從平行排列偏差高達5°排列。
數個實施例係針對用於執行所揭露之方法之設備，且設備包括用於執行各所述之方法特徵的設備部件。此些方法特徵可藉由硬體元件、由適合軟體程式化之電腦、由此兩者之任何結合或任何其他方式執行。再者，數個實施例亦針對操作所述之設備的方法。其包括用於執行設備之每一功能的方法特徵。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
詳細的參照將以各種實施例來達成，實施例的一或多個例子係繪示在圖式中。在下方圖式之說明中，相同參考編號係意指相同元件。一般來說，僅有有關於個別實施例之相異處係進行說明。各例子係藉由說明的方式提供且不意味為一限制。再者，所說明或敘述而做為一實施例之部分之特徵可用於其他實施例或與其他實施例結合，以取得再其他實施例。此意指本說明包括此些調整及變化。
如此處所使用，名稱「流體連通(fluid communication)」可理解為流體連通的兩個元件可經由一連接件交換流體，以讓流體於此兩個元件之間流動。於一例子中，為流體連通之此些元件可包括中空結構，流體可流動通過中空結構。根據一些實施例，為流體連通之此些元件的至少一者可為類管元件。
再者，在下方說明中，一材料源可理解為提供將沈積於一基板上之一源。特別是，材料源可裝配以用於在真空腔室中提供將沈積於一基板上之材料，真空腔室例如是真空沈積腔室或設備。根據一些實施例，材料源可藉由裝配以蒸發將沈積之材料來提供將沈積於基板上之材料。舉例來說，材料源可包括蒸發器或坩鍋，蒸發器或坩鍋蒸發將沈積於基板上之材料，且特別是於一方向中釋放已蒸發材料，此方向係朝向基板或進入材料源之分佈管中。於一些實施例中，蒸發器可流體連通於分佈管，以舉例為用以分佈已蒸發材料。
根據此處所述一些實施例，分佈管可理解為用以導引及分佈已蒸發材料之一管。特別是，分佈管可從蒸發器導引已蒸發材料至分佈管中之出口或開孔。線性分佈管可理解為於第一，特別是縱向方向中延伸之一管。於一些實施例中，線性分佈管包括具有圓柱形狀之管，且其中圓柱可具有圓形底部形狀或任何其他適合的底部形狀。
此處所指的噴嘴可理解為用以導引一流體的一裝置，特別是用以控制一流體之方向或特性（例如是從噴嘴出現之流體之流速、速度、形狀、及/或壓力）。根據此處所述一些實施例，噴嘴可為用以導引或指引蒸汽之一裝置，蒸汽例如是將沈積於基板上之已蒸發材料的蒸汽。噴嘴可具有用以接收一流體之入口、用以導引流體通過噴嘴之開孔（舉例為鑽孔(bore)或通道)、及用以釋放流體之出口。一般來說，噴嘴之開孔或通道可包括定義之幾何形狀，用以讓流動通過噴嘴之流體達成所需之方向或特性。根據一些實施，噴嘴可為分佈管之部分或可連接於提供已蒸發材料之分佈管且可從分佈管接收已蒸發材料。
根據此處所述實施例，用以於真空腔室內沈積已蒸發材料於基板上之材料沈積配置係提供。根源一些實施例，材料沈積配置可裝配以用於在真空腔室中沈積二或多個已蒸發材料於基板上。材料沈積配置包括第一材料源，第一材料源包括第一材料蒸發器，第一材料蒸發器裝配以用以蒸發將沈積於基板上之第一材料。根據一些實施例，第一材料可為來自將沈積於基板上之此二或多個材料的第一材料。第一材料源更包括第一分佈管，第一分佈管包括第一分佈管殼體，其中第一分佈管係流體連通於第一材料蒸發器，其中第一材料源更包括位在第一分佈管殼體中的數個第一噴嘴。一般來說，此些第一噴嘴之一或多個噴嘴包括開孔長度及開孔尺寸，其中此些第一噴嘴之此一或多個噴嘴的長度對尺寸比係等同於或大於2:1。材料沈積配置包括第二材料源，第二材料源包括第二材料蒸發器，第二材料蒸發器裝配以用以蒸發將沈積於基板上之第二材料。根據一些實施例，第二材料可為來自將沈積於基板上之此二或多個材料的第二材料。第二材料源更包括第二分佈管，第二分佈管包括第二分佈管殼體，其中第二分佈管係流體連通於第二材料蒸發器。第二材料源更包括位在第二分佈管殼體中的數個第二噴嘴。根據此處所述實施例，此些第一噴嘴之一第一噴嘴與此些第二噴嘴之一第二噴嘴之間的距離係等同於或少於30 mm。根據一些實施例，第一材料和第二材料可為相同的材料，或可選擇性為不同的材料。
第1a圖繪示根據此處所述實施例之材料沈積配置100之側視圖。如第1a圖中所示之材料沈積配置的實施例可包括具有第一材料蒸發器102a之第一材料源、具有第二材料蒸發器102b之第二材料源、及具有第三材料蒸發器102c之第三材料源。於一實施例中，第一材料蒸發器102a、第二材料蒸發器102b、及第三材料蒸發器102c之各者可提供不同的材料。於另一實施例中，各材料蒸發器可提供相同的材料，或一部分之材料蒸發器可提供相同的材料，而另一部分的材料蒸發器提供不同的材料。根據一些實施例，第一材料蒸發器102a、第二材料蒸發器102b及第三材料蒸發器102c可為坩鍋，裝配以用以蒸發將沈積於基板上之材料。第一材料蒸發器102a、第二材料蒸發器102b、及第三材料蒸發器102c係分別流體連通於第一分佈管106a、第二分佈管106b、及第三分佈管106c。由此些材料蒸發器之一者所蒸發之材料可從材料蒸發器釋放且流入各自的分佈管中。
如第1圖中可見，第一分佈管106a、第二分佈管106b、及第三分佈管106c之各者包括分佈管殼體，分佈管殼體包括數個噴嘴712。藉由此些噴嘴，已蒸發材料係釋放且導引至將塗佈之基板(未繪示)。根據一些實施例，噴嘴712可為分佈管之一組合部分，例如是形成於分佈管殼體中的一開孔、或可藉由連接於分佈管殼體之噴嘴提供，用以執行已定義之製程，舉例為導引已蒸發材料朝向將塗佈之基板。於一例子中，噴嘴可藉由鎖固、插置(plugging)、或微縮(shrinking)製程連接於分佈管。於一實施例中，噴嘴可為可交換地連接於材料沈積配置之分佈管。
第1b圖繪示如第1a圖中所示之第三分佈管106c之區域A的放大圖。如第1b圖中所示之局部圖係繪示第三分佈管106c及第三分佈管106c之此些噴嘴的一個噴嘴712。噴嘴712係提供開孔713、或通道，已蒸發材料可通過開孔713或通道。噴嘴712之開孔713係提供開孔長度714，如第1b圖中所示。根據一些實施例，開孔長度714可沿著噴嘴之縱向或長度軸量測，特別是在對應於離開噴嘴之平均流體方向的一方向中。於一實施例中，噴嘴之開孔長度714可實質上垂直於分佈管的縱向(或線性)方向。
名稱「實質上垂直(substantially perpendicular)」可理解為包括從絕對(strict)垂直配置偏差高達15°。根據一些實施例，在下述說明中以「實質上(substantially)」表示之其他名稱可包括從已指示之角度配置偏差高達15°，或從一尺寸偏差約15%。
第1c圖繪示材料沈積配置100之前視圖，此前視圖可對應於如第1a圖中所示的材料沈積配置，但旋轉約90°。第一材料蒸發器102a、第二材料蒸發器102b、及第三材料蒸發器102c係分別流體連通於第一分佈管106a、第二分佈管106b、及第三分佈管及106c。噴嘴712之開孔於前視圖中係為可見。不同之第一分佈管106a、第二分佈管106b、及第三分佈管106c之噴嘴712係彼此相距距離200。根據此處所述實施例，此些噴嘴之間的距離可代表性少於50mm，更代表性少於30mm，且甚至更代表性少於25mm。
根據一些實施例，不同之第一分佈管106a、第二分佈管106b、及第三分佈管106c之噴嘴712之間的距離係從各自之噴嘴的開孔的中心點量測。於一例子中，噴嘴之開孔的中心點可定義為開孔的幾何中心點。在開孔為圓形之情況中，圓形之中心點係與在邊緣上的點等距之點。舉例來說，如果噴嘴之開孔具有對稱形狀，開孔的中心點可說明成在對稱運動中處於不變的點。舉例來說，正方形、矩形、菱形、或平行四邊形之中心點係位於對角線相交處，中心點為旋轉對稱之固定點。類似地，橢圓形的中心點係位於軸相交處。根據一些實施例，中心點可理解為形狀之重心。
於一些實施例中，在分佈管之此些噴嘴之間的距離200可為實質上水平距離。舉例來說，第一分佈管106a、第二分佈管106b、及第三分佈管106c可在實質上垂直方向中延伸。此些噴嘴可具有蒸發方向，也就是實質上水平之噴嘴釋放已蒸發材料之方向。根據一些實施例，在不同分佈管之此些噴嘴之間的實質上水平距離可理解為包括從絕對水平配置偏差約15°。
根據一些實施例，此些噴嘴之間的距離可說明成在不同分佈管彼此之間的距離，舉例為從分佈管之縱向軸進行量測。於一實施例中，分佈管彼此相距距離200。
第1d至1f圖繪示在第1c圖之前視圖中的局部圖B之實施例的示意圖。在第1d至1f圖中，噴嘴712之開孔尺寸716係標註。噴嘴之開孔尺寸可決定於噴嘴之形狀。於一實施例中，開孔尺寸可理解為開孔之一維度，開孔之此維度不是開孔長度。根據一些實施例，開孔尺寸可為開孔之剖面的最小維度，特別是在噴嘴之出口的剖面的最小維度(噴嘴之出口係位於已蒸發材料離開噴嘴處)。
第1d圖繪示噴嘴開孔及開孔尺寸716之一例子的示意圖，其中開孔尺寸係對應於剖面，特別是開孔直徑。第1e圖繪示一例子，其中噴嘴開孔具有類橢圓形之形狀且開孔之尺寸係由開孔之剖面的最小維度定義。第1f圖繪示一例子，其中噴嘴開孔具有延長圓形之形狀，其中開孔的尺寸係由開孔之剖面的最小維度定義。具有通常知識者將了解第1a至1f圖所示之實施例僅為例子，且不限定應用為噴嘴開孔的尺寸、形狀、及長度之所示例子、或不限定應用為分佈管與材料源之配置之所示例子，如將詳細地見於下文。
根據此處所述實施例，第一分佈管之各噴嘴可具有2:1或更大之開孔長度對尺寸比，或僅有第一分佈管的部分之噴嘴可具有所述之長度對尺寸比。根據一些實施例，如此所述之材料沈積配置的第二及/或第三分佈管可亦包括一或多個噴嘴，具有2:1或更大之開孔長度對尺寸比。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，分佈管可具有實質上三角形剖面。第2a圖繪示分佈管106之剖面的一例子的示意圖。分佈管106具有牆322、326、及324，牆322、326、及324係環繞內部中空空間710。牆322係提供於噴嘴712所設置的材料源之出口側。分佈管之剖面可說明成本質上三角形，也就是分佈管之主要區域係對應於三角形之一部分及/或分佈管之剖面可為具有圓角(rounded corners)及/或切角(cut-off corners)之三角形。如第2a圖中所示，在出口側之三角形的角落係舉例為切角。
分佈管之出口側的寬度，舉例為如第2a圖中所示之剖面中的牆322的維度係由箭頭352標註。再者，分佈管106之剖面的其他維度係由箭頭354和355所標註。根據此處所述實施例，分佈管之出口側的寬度係剖面之最大維度之30%或更少，舉例為由箭頭354及355所標註之較大維度的30%或更少。有鑑於分佈管的維度及形狀，相鄰分佈管106之噴嘴712可提供在較小的距離。此較小的距離係改善彼此相鄰進行蒸發之有機材料的混合。
第2b圖繪示兩個分佈管係彼此相鄰之一實施例之示意圖。因此，具有如第2b圖中所示之兩個分佈管的材料沈積配置可蒸發彼此相鄰之兩個有機材料。此種材料沈積配置可亦意指材料沈積陣列。如第2b圖中所示，分佈管106之剖面的形狀係讓相鄰分佈管的噴嘴靠近彼此擺置。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，第一分佈管之第一噴嘴和第二分佈管之第二噴嘴可具有30 mm或以下之距離，例如是從5 mm至25 mm。更特別是，第一出口或噴嘴至第二出口或噴嘴之距離可為10 mm或以下。
根據此處所述一些實施例，在第一分佈管之第一噴嘴和第二分佈管之第二噴嘴之間的距離可量測為各自之噴嘴的縱向軸之間的最小距離。於一例子中，在各自之噴嘴的縱向軸之間的最小距離係在噴嘴的出口(也就是已蒸發材料離開噴嘴之位置)。第2c圖繪示如第2b圖中所示之配置的局部圖C之示意圖。於第2c圖中放大的局部圖C係繪示兩個第一分佈管106a及第二分佈管106b之一例子，其中在此些噴嘴之間的距離200係在第一分佈管106a之第一噴嘴的縱向軸201和第二分佈管106b之第二噴嘴的縱向軸202之間的各自噴嘴之出口量測。根據一些實施例，此處所指之噴嘴之縱向軸係沿著噴嘴之長度方向延伸。
根據此處所述實施例，如此處所述之材料沈積配置可使用於高準確性製程中，高準確性製程例如是有機發光二極體(OLED)生產製程。第3a及4a圖係繪示根據此處所述實施例之材料沈積配置之功效的示意圖。第3b及4b圖係繪示已知材料沈積配置之比較例子的功效的示意圖。於第3a圖中，已蒸發材料從根據此處所述實施例之材料沈積配置釋放之分佈的測試資料係繪示出來。曲線800係顯示已蒸發材料從具有2:1或較高之長度對尺寸比之噴嘴釋放之實驗結果。第3a圖之例子繪示出已蒸發材料之分佈係大約仿造cos6 形狀。如第3b圖中所示之與已知材料沈積配置之比較繪示出傳統材料沈積配置之分佈係對應於由曲線801所示之cos1 形狀。曲線800與已知系統之曲線801之間的差異係實質上為已蒸發材料之羽狀物(plume)的寬度及在羽狀物中之已蒸發材料之集中分佈，曲線800由根據此處所述實施例之材料沈積配置產生。舉例來說，如果遮罩係使用於沈積材料於基板上，例如是在OLED生產系統中，遮罩可為具有像素開孔之像素遮罩，像素開孔係具有約50 µm x 50 µm或甚至以下之尺寸，例如是像素開孔具有約30 µm或以下、或約20 µm之剖面的維度(舉例為剖面之最小尺寸)。於一例子中，像素遮罩可具有約40 µm之厚度。考慮遮罩之厚度和像素開孔之尺寸，遮蔽效應可能出現，在遮罩中之像素開孔之牆係遮蔽像素開孔。根據此處所述實施例之材料沈積配置及/或分佈管及/或噴嘴可有助於減少遮蔽效應。
可藉由使用根據此處所述實施例之材料沈積配置之蒸發來達成的高定向性(directionality)係改善已蒸發材料之使用性，因為更多已蒸發材料實際上係到達基板(及例如為不是基板之上方及下方的區域)。
第3c圖繪示在一遮罩之一像素中的已蒸發材料之分佈且繪示出三條不同之線的示意圖。全部三條線係表示在噴嘴和基板之間的已定義距離中已蒸發材料之分佈。於一例子中，在噴嘴出口(已蒸發材料離開噴嘴之位置)和基板或基板支座之間的距離可為250 mm或更少，例如是約200 mm，或約150 mm。第一接線804係表示已知之材料沈積配置所提供的一遮罩之一像素開孔中的已蒸發材料的分佈。第一接線804之分佈係對應於類似cos1 分佈。利用根據此處所述實施例之材料沈積配置或分佈管，已蒸發材料之分佈可對應於類似cos6 分佈，如由第二接線805所示。特別是，第二接線805之斜率陡於第一接線804之斜率。具有通常知識者從第3c圖可見，以cos6 分佈係比cos1 分佈在遮罩之像素開孔的邊緣有較佳填滿。第三接線806係表示利用根據此處所述實施例之材料沈積配或分佈管之實驗測試結果。第三接線806係實質上仿造具有已蒸發材料之類似cos6 分佈的第二接線805。當使用根據此處所述實施例之材料沈積配置或分佈管，遮蔽效應可減少。
第4a圖繪示根據此處所述實施例之範例性包括第一材料源100a、第二材料源100b、及第三材料源100c之材料沈積配置的示意圖。材料沈積配置可為如此處實施例中所述之材料沈積配置。第4a圖之沈積系統更繪示出將以已蒸發材料塗佈的基板121及用以遮蔽基板121之遮罩132。第4a圖繪示已蒸發材料802如何離開(exits)且脫離(leaves)材料沈積配置之第一材料源100a、第二材料源100b、及第三材料源100c，特別是材料沈積配置之第一材料源100a、第二材料源100b、及第三材料源100c之噴嘴。根據此處所述實施例，已蒸發材料802係在離開材料沈積配置之第一材料源100a、第二材料源100b、及第三材料源100c且進入沈積腔室之真空空間時散佈。具有2:1或更大之長度對尺寸比的噴嘴係讓已蒸發材料具有有限制之散佈，有限制之散佈舉例為包含約30°或更少之角度。繪示於第4b圖中之與已知沈積系統之比較係已蒸發材料803包含約60°之角度。
如於第3a、3b、4a、及4b圖中所示之例子可見，根據此處所述實施例之材料沈積配置可提供已蒸發材料之較小的分佈散佈，且提供更精確導引已蒸發材料到達基板，且特別是以高準確性來更精準到達用於塗佈基板之遮罩開孔。
以少於30 mm之距離排列分佈管之噴嘴係更提供選擇來混合不同之第一材料源100a、第二材料源100b、及第三材料源100c之不同材料。藉由使用特別形狀之分佈管，例如是如第4a圖中範例性所示之類似三角形之形狀，在材料沈積配置之此些噴嘴之間減少距離可更改善。
具有類似cos6 分佈之已蒸發材料可提供使用較小之遮罩開孔且改善將於基板上塗佈之較小之結構的準確性，例如是用於OLED產品之像素。
根據一些實施例，用以在真空腔室中沈積已蒸發材料於基板上之材料沈積配置係提供。根據一些實施例，材料沈積配置可裝配以用於在真空腔室中沈積兩個或多個已蒸發材料於基板上。材料沈積配置包括第一材料源，第一材料源包括第一材料蒸發器，裝配以用於蒸發將沈積於基板上之第一材料。根據一些實施例，第一材料可為將沈積於基板上之兩個或多個材料的第一材料。第一材料源更包括第一分佈管，第一分佈管包括第一分佈管殼體，其中第一分佈管係流體連通於第一材料蒸發器。再者，第一材料源包括位於第一分佈管殼體中之數個第一噴嘴，其中此些第一噴嘴之一或多個噴嘴包括開孔長度和開孔尺寸，且係裝配以提供第一分佈方向。此些第一噴嘴之此一或多個噴嘴的長度對尺寸比係等同於或大於2:1。材料沈積配置更包括第二材料源，第二材料源包括第二材料蒸發器，裝配以蒸發將沈積於基板上之第二材料。根據一些實施例，第二材料可為將沈積於基板上之兩個或多個材料之第二材料。第二材料源更包括第二分佈管。第二分佈管包括第二分佈管殼體，其中第二分佈管係流體連通於第二材料蒸發器。第二材料源更包括位於第二分佈管殼體中之數個第二噴嘴，其中一或多個第二噴嘴係裝配以提供第二分佈方向。根據可與此處所述其他實施例結合之此處所述數個實施例，此些第一噴嘴之此一或多個噴嘴之第一分佈方向和此些第二噴嘴之此一或多個噴嘴之第二分佈方向係彼此平行排列，或自平行排列偏差高達5°排列。根據一些實施例，第一材料和第二材料可為相同材料，或可選擇性為不同材料。
第5a圖繪示一材料沈積配置之示意圖，此材料沈積配置具有實質上平行排列之在第一分佈管殼體中之噴嘴的第一分佈方向和在第二分佈管殼體中之噴嘴之第二分佈方向。範例性繪示於第5a圖中之材料沈積配置係繪示第一材料源100a和第二材料源100b。各第一材料源100a及第二材料源100b分別包括第一材料蒸發器102a及第二材料蒸發器102b。於一例子中，各材料蒸發器可提供不同材料。於另一實施例中，各材料蒸發器可提供相同材料，或部分之材料蒸發器可提供相同材料，而另一部分之材料蒸發器係提供不同材料。根據此處所述實施例，第一材料源100a包括第一分佈管106a，且第二材料源100b包括第二分佈管106b。第一和第二分佈管各具有分佈管殼體，噴嘴712係配置在分佈管殼體中。特別是，第一分佈管包括數個第一噴嘴且第二分佈管包括數個第二噴嘴，用以從各自的分佈管殼體朝向將塗佈之基板釋放已蒸發材料。
根據此處所述實施例，第一分佈管及/或第二分佈管之一或多個噴嘴可具有為2:1或更大之噴嘴的長度對尺寸比，例如是2.5:1、3:1、5:1或甚至大於5:1。噴嘴開孔之尺寸和長度可理解成上述有關於第1a至1f圖詳細之說明。於一些實施例中，第一分佈管之一或多個噴嘴係提供第一分佈方向且第二分佈管之一或多個噴嘴係提供第二分佈方向。
根據此處所述實施例，噴嘴之分佈方向可理解為噴嘴之平均分佈方向。於一些實施例中，平均分佈方向可實質上對應於已蒸發材料之羽狀物中之一接線，已蒸發材料之羽狀物係從噴嘴朝向將塗佈之基板釋放，特別是平均分佈方向可實質上對應於沿著已蒸發材料之集中到達在已蒸發材料之羽狀物中之最大者之一接線。根據一些實施例，噴嘴之平均分佈方向可理解為對應至已蒸發材料之羽狀物之幾何中心線，已蒸發材料之羽狀物係從噴嘴朝向將沈積之基板釋放。於一些實施例中，蒸汽羽狀物之中心線可說明成對應於包括已蒸發材料之幾何重心之接線，以及在噴嘴之長度軸或縱向軸上之點，舉例為噴嘴之出口之點。根據再其他實施例，噴嘴之平均分佈方向可說明成沿著具有噴嘴出口及將塗佈基板之間的最短距離的接線延伸，特別是說明成沿著具有在噴嘴出口之一點及將塗佈基板之間的最短距離的接線延伸，噴嘴出口之此點係位於噴嘴之長度軸或縱向軸上。
第5b圖繪示根據一些實施例之包括第一材料源100a及第二材料源100b之材料沈積配置的上視圖。如第5a及5b圖中之例子中可見，第一分佈管106a之噴嘴712係提供第一分佈方向210且第二分佈管106b之噴嘴712係提供第二分佈方向211。一般來說，第一分佈管中與第二分佈管中之噴嘴係排列，使得第一分佈方向和第二分佈方向係彼此平行。根據一些實施例，第一分佈方向和第二分佈方向可從絕對平行排列偏差高達5°，例如是從絕對平行排列偏差約3°或約2°。根據一些實施例，如第5a與5b圖中標註之第一分佈方向210與第二分佈方向211可具有約30 mm或更少之距離於彼此之間。
如上已說明，繪示於第5a和5b圖中之材料沈積配置的第一分佈管和第二分佈管可具有類似三角形之形狀。第6a和6b圖繪示實質上為三角形的材料沈積配置之示意圖，在材料沈積配置中，第一分佈管和第二分佈管之噴嘴之分佈方向係實質上彼此平行。
第6a圖繪示一實施例之剖面圖，於此實施例中係提供具有第一分佈管106a之第一材料源，具有第二分佈管106b之第二材料源以及具有第三分佈管106c之第三材料源。根據一些實施例，此些分佈管可裝配有加熱元件380和絕熱器879，用以改善加熱效率和避免已蒸發材料在分佈管中凝結。蒸發器控制殼體702係提供而相鄰於此些分佈管且經由絕熱器879連接此些分佈管。在第一分佈管106a、第二分佈管106b、及第三分佈管106c之上方的箭頭(當於投射之平面中看見時)係繪示已蒸發有機材料離開第一分佈管106a、第二分佈管106b、及第三分佈管106c。此些分佈管之各自噴嘴的平均分佈方向係以參考符號210、211、及212標註。如於第6a圖中可見，不同分佈管之分佈方向係實質上平行。
此三個第一分佈管106a、第二分佈管106b、及第三分佈管106c之噴嘴712的局部圖及簡圖係繪示於第6b圖中。範例性繪示的此三個噴嘴712具有長度軸或縱向軸201、202、203。噴嘴712可從第一分佈管106a、第二分佈管106b、及第三分佈管106c於第一分佈方向210、第二分佈方向211、及第三分佈方向212朝向將塗佈之基板(未繪示)導引已蒸發材料。如第6b圖中所示的實施例中，此三個分佈方向係彼此平行，或從絕對平行排列可偏差高達5°。
根據此處所述實施例，例如是如此處所指之第一、第二及第三分佈管的不同分佈管可流體連接於不同蒸發器，舉例在三個分佈管之情況中三個不同之蒸發器。於一些實施例中，不同分佈管可流體連通於相同形式之蒸發器，但蒸發不同材料。舉例來說，三個不同成份可藉由流體連通於三個蒸發器之三個分佈管提供。於一例子中，如此處所述之材料沈積配置可使用來生產OLEDs。已蒸發材料可包括用於生產OLEDs之三個成份。
使用根據此處所述實施例之不同噴嘴之分佈方向為平行排列，且使用具有2:1或較大之長度對尺寸比的噴嘴可有助於改善已蒸發材料在從噴嘴釋放之特性之一致性(uniformity)及可預測性。舉例來說，實質上平行於另一、或相鄰之已蒸發材料的已蒸發材料之方向可讓已蒸發材料對遮罩及/或基板具有常態且一致的影響。於一例子中，不同分佈管之不同成份可對遮罩及/或基板具有實質上相同之衝擊角(impact angle)，特別是對遮罩及/或基板實質上垂直之衝擊角。塗佈一或多個成份的製造可利用根據此處所述實施例之材料沈積配置以更精準的方式執行。再者，當不同材料源在分佈方向之間具有已定義角度時，具有平行排列之分佈方向的材料源可減少舉例為在已知系統中所付出之固定及計算努力。再者，如果不同成份係使用於不同材料源中，根據此處所述實施例之包括上述平行排列之分佈方向之材料沈積配置可均勻混合不同成份。
根據一些實施例，用以於真空腔室中沈積已蒸發材料於基板上之分佈管係提供。分佈管包括分佈管殼體以及噴嘴，噴嘴位於分佈管殼體中。噴嘴包括開孔長度與開孔尺寸，其中噴嘴之長度對尺寸比係等同於或大於2:1。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，噴嘴包括一材料，此材料對已蒸發有機材料係為化學惰性。於一例子中，已蒸發有機材料可代表性具有約150°C及約650°C之間的溫度，更代表性約100°C及500°C之間的溫度。
第7a至7d圖繪示根據此處所述實施例之分佈管之噴嘴的例子的示意圖。如第7a至7d圖中所示之噴嘴700包括開孔713(或通道或鑽孔713)，用以導引已蒸發材料通過噴嘴。根據此處所述實施例，噴嘴700具有開孔長度714及開孔尺寸716。此處所述實施例中的噴嘴之長度對尺寸比可為2:1或更大，舉例如上所述。名稱「開孔長度」和「開孔尺寸」可如上述有關於1a至1f圖之說明理解。
第7a圖繪示包括第一噴嘴材料206及第二噴嘴材料208之噴嘴的示意圖。舉例來說，第一噴嘴材料206可為具有熱傳導數值大於21W/mK之材料，舉例為銅。於一些實施例中，第二噴嘴材料208可提供於開孔或通道713之內側且可對已蒸發有機材料為化學惰性。舉例來說，第二噴嘴材料可選自鉭(Ta)、鈮(Nb)、鈦(Ti)、類鑽塗層(DLC)、不鏽鋼、石英玻璃及石墨。如第7a圖中之實施例中可見，第二噴嘴材料208可提供成在通道713之內側的薄塗層。
第7b圖繪示具有第一噴嘴材料206和第二噴嘴材料208之一實施例的示意圖。如第7b圖中所示的噴嘴的例子係以第一部分和第二部分組成，第一部分係由第一噴嘴材料206(具有例如是大於21 W/mk之熱傳導數值)所製成，第二部分係由第二噴嘴材料208製成，第二噴嘴材料208可對已蒸發有機材料為化學惰性。於一例子中，第一和第二噴嘴材料可選自有關於第7a圖之說明。如第7b圖中可見，第二噴嘴材料208係為噴嘴之一部分，且特別是不只是內部通道側之一塗層。
根據一些實施例，第二噴嘴材料之厚度可代表性在一些奈米到數個微米之一範圍中。於一例子中，第二噴嘴材料在噴嘴開孔之厚度可代表性在約10 nm至約50 µm之間，更代表性在約100 nm至約50 µm之間，且甚至更代表性在約500 nm至約50 µm之間。於一例子中，第二噴嘴材料之厚度可為約10 µm。
第7c圖繪示噴嘴700(標註於第7d圖中)之一實施例的示意圖，其中噴嘴700係以第一噴嘴材料製成，第一噴嘴材料具有大於分佈管之熱傳導率的熱傳慮率或高於21W/mk之熱傳導率，此噴嘴可連接於分佈管。於此處所述之實施例中，第一噴嘴材料206對已蒸發有機材料係為惰性。於一例子中，第一噴嘴材料可選自Ta、Nb、Ti、DLC或石墨。
第7d圖繪示根據此處所述實施例之如第7a圖中所示之噴嘴的示意圖。在開孔713中可見第二噴嘴材料208，而噴嘴700之外側係顯示出第一噴嘴材料206。
根據此處所述一些實施例，噴嘴之開孔或通道可具有代表性約1 mm至約10 mm之尺寸、更代表性約1 mm至約6 mm之尺寸，且甚至更代表性2 mm至約5 mm之尺寸，已蒸發材料係在蒸發製程期間通過噴嘴之開孔或通道，以到達將塗佈之基板。根據一些實施例，通道或開孔之尺寸可意指剖面之最小尺寸，舉例為通道或開孔之直徑。於一實施例中，開孔或通道之尺寸係於噴嘴之出口進行量測。根據可與此處所述其他實施例結合之此處所述之一些實施例，開孔或通道可於公差區域H7中製造，舉例為以具有約10 µm至18 µm之公差製造。
根據此處所述一些實施例，用以根據此處所述實施例之材料沈積配置或分佈管之噴嘴可包括螺紋，用以重複地連接噴嘴於分佈管且解除噴嘴對分佈管之連接，材料沈積配置用以於真空沈積腔室中沈積材料於基板上。於一些實施例中，具有用以連接於分佈管之螺紋的噴嘴可具有內螺紋及/或外螺紋，用以能夠反覆連接噴嘴於分佈管，特別是不需要損壞分佈管或噴嘴。舉例來說，具有已定義特性之第一噴嘴可連接於用以第一製程的分佈管。在第一製程完成之後，第一噴嘴可解除連接且第二噴嘴可連接於用以第二製程的分佈管。如果第一製程將再度執行，第二噴嘴可從分佈管解除連接且第一噴嘴可再度連接於分佈管，用以執行第一製程。根據一些實施例，分佈管可亦包括螺紋，用以噴嘴至分佈管之可交換連接，例如是藉由裝配(fitting)於噴嘴之螺紋的方式。
根據此處所述一些實施例，如此處所述實施例中之材料沈積配置及如此處所述實施例中之分佈管可見於第8a至8c圖中。分佈管106可流體連通於坩鍋，用以分佈藉由坩鍋所提供之已蒸發材料。分佈管可舉例為延長的立方體，具有加熱單元715。蒸發坩鍋可為水庫(reservoir)，用於利用外部加熱單元725之將蒸發之有機材料。根據可與此處所述其他實施例結合之典型實施例，分佈管106係提供接線源。根據此處所述一些實施例，材料沈積配置100更包括數個開孔及/或出口，用以朝向基板釋放已蒸發材料，例如是沿著至少一接線排列之噴嘴。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例。分佈管之噴嘴可適用於在一方向中釋放已蒸發材料，此方向係不同於分佈管之長度方向，且例如是實質上垂直於分佈管之長度方向之一方向。根據一些實施例，出口(舉例為噴嘴)係排列，以具有+- 20°於水平之主要蒸發方向。根據一些特定實施例，蒸發方向可略微地向上定向，舉例為從水平向上15°之範圍中，例如是向上3°至7°。因此，基板可稍微傾斜，以實質上垂直於蒸發方向。在具有傾斜之基板的情況下，可減少產生不需要的粒子。然而，根據此處所述實施例的噴嘴及材料沈積配置可亦使用於沈積設備中，此沈積設備係裝配以用於沈積材料於水平定向之基板上。
於一例子中，分佈管106之長度至少對應於在沈積設備中之將沈積基板的高度。於許多情況中，分佈管106之長度將至少10%或甚至20%長於將沈積基板之高度。具有長於基板之高度的分佈管，在基板之上端及/或基板之下端係可提供均勻沈積。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，分佈管之長度可為1.3 m或以上，舉例為2.5 m或以上。根據一配置，如第8a圖中所示，蒸發坩鍋104係提供於分佈管106之下端。有機材料係於蒸發坩鍋104中蒸發。有機材料之蒸汽係在分佈管之底部進入分佈管106，且本質上偏側邊地(sideways)導引通過分佈管中之噴嘴朝向舉例為本質上垂直之基板。
第8b圖繪示材料源之一部分的放大圖，其中分佈管106係連接於蒸發坩鍋104。凸緣單元703係提供，凸緣單元703係裝配以提供蒸發坩鍋104和分佈管106之間的連接。舉例來說，蒸發坩鍋及分佈管係提供而作為分離單元，而可分離且連接或組裝於凸緣單元，舉例是為了進行材料源之操作。
分佈管106具有內部中空空間710。加熱單元715可提供以加熱分佈管。因此，分佈管106可加熱至一溫度，使得有機材料之蒸汽係不凝結於分佈管106之牆的內部，有機材料之蒸汽藉由蒸發坩鍋104提供。
舉例來說，分佈管可保持在一溫度，此溫度係代表性約1°C至約20°C，更代表性約5°C至約20°C，且甚至更代表性約10°C至約15°C高於將沈積於基板上之材料的蒸發溫度。兩個或多個加熱遮蔽件717係提供於分佈管106之管周圍。
在操作期間，分佈管106可在凸緣單元703連接於蒸發坩鍋104。蒸發坩鍋104係裝配以接收將蒸發之有機材料且蒸發有機材料。根據一些實施例，將蒸發之材料可包括氧化銦錫(ITO)、NPD、Alq3 、喹吖啶酮(Quinacridone)、Mg/AG、星狀(starburst)材料、及類似物之至少一者。第8b圖繪示穿過蒸發坩鍋104之殼體的剖面圖。再填充開孔係提供在舉例為蒸發坩鍋之上部，再填充開孔可使用栓(plug)722、蓋(lid)、覆蓋件或類似物關閉，用以關閉蒸發坩鍋104之內部空間(enclosure)。
外部加熱單元725係提供於蒸發坩鍋104之內部空間中。外部加熱單元可沿著蒸發坩鍋104之牆的至少一部分延伸。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，一或多個中央加熱元件726可額外或選擇性提供。第8b圖繪示兩個中央加熱元件726。根據一些應用，蒸發坩鍋104可更包括遮罩物727。
根據一些實施例，如有關於第8a至8b圖範例性繪示，蒸發坩鍋104係提供於分佈管106之下側。根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，蒸汽導管732可於分佈管之中央部提供於分佈管106，或可於分佈管之下端及分佈管之上端之間的另一位置提供於分佈管106。第8c圖繪示具有分佈管106及提供於分佈管之中央部的蒸汽導管732的材料源之一例子之示意圖。有機材料之蒸汽係產生於蒸發坩鍋104中且導引通過蒸汽導管732至分佈管106之中央部。蒸汽係經由數個噴嘴712離開分佈管106，此些噴嘴712可為有關於第7a至7d圖所說明之噴嘴。根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，兩個或多個蒸汽導管732可沿著分佈管106之長度提供於不同位置。於一些實施例中，蒸汽導管732可連接於一個蒸發坩鍋104或數個蒸發坩鍋104。舉例來說，各蒸汽導管732可具有對應之蒸發坩鍋104。或者，蒸發坩鍋104可流體連通於兩個或多個蒸汽導管732，此兩個或多個蒸汽導管732係連接於分佈管106。
如此處所述，分佈管可為中空圓柱。名稱圓柱可理解為一般接受之具有圓形底部形狀及圓形頂部形狀，以及連接頂部圓形和底部圓形之曲面區域或殼。根據可與此處所述其他實施例結合之其他額外或選擇性實施例，名稱圓柱可在數感(mathematical sense)中更理解為具有任意底部形狀及一致之頂部形狀，以及連接頂部形狀和底部形狀之曲面區域或殼。因此，圓柱不一定必須為圓形剖面。取而代之，底部表面和頂部表面可具有不同於圓形之形狀。
第9a及9b圖繪示根據此處所述實施例之用於材料沈積配置之分佈管106之實施例的剖面圖。根據一些實施例，分佈管106包括分佈管殼體116，分佈管殼體116係包括第一殼體材料，或者係以第一殼體材料製成。如第9a及9b圖中之實施例中可見，分佈管係沿著第一方向136延伸的線性分佈管。
第9a圖繪示具有數個開孔107之分佈管之示意圖，此些開孔107係沿著在分佈管殼體中之第一方向延伸配置。於一些實施例中，分佈管中之開孔的牆109可理解為根據此處所述實施例之噴嘴。於一例子中，開孔107之牆109可包括第一噴嘴材料(舉例為以第一噴嘴材料塗佈)，其中第一噴嘴材料之熱傳導數值可於一些例子中大於第一分佈管材料之熱傳導率或大於21W/mK。於一例子中，開孔107之牆109可以銅覆蓋。於一實施例中，牆可以銅及第二噴嘴材料覆蓋，第二噴嘴材料例如是對已蒸發有機材料係為化學惰性之一材料。
第9b圖繪示根據此處所述實施例之分佈管之一實施例的示意圖。繪示於第9b圖中之分佈管106包括開孔107，開孔107提供而具有延伸牆108。一般來說，開孔107之延伸牆108係沿著實質上垂直於分佈管殼體116之第一方向136的方向延伸。根據一些實施例，開孔107之延伸牆108可從分佈管以任何適合之角度延伸。於一些實施例中，分佈管殼體116之開孔107之延伸牆108可提供根據此處所述實施例之分佈管106的噴嘴。舉例來說，延伸牆108可包括第一噴嘴材料，或可以第一噴嘴材料製成。根據一些實施例，延伸牆108可在內側塗佈有第一及/或第二噴嘴材料，例如是對已蒸發有機材料係為化學惰性之材料。
於一些實施例中，延伸牆108係提供用於固定噴嘴於分佈管殼體116之固定輔助，噴嘴舉例為如第8a至8d圖中範例性繪示之噴嘴。根據一些實施例，延伸牆108可提供用以鎖固噴嘴於分佈管殼體116之螺紋。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，此處所指之材料沈積配置或分佈管之噴嘴可設計以形成具有類似cosn 形狀輪廓之羽狀物(plume)，其中n特別是大於4。於一例子中，噴嘴係設計以形成具有類似cos6 形狀輪廓之羽狀物。如果需要窄形狀之羽狀物時，達成cosn 形式羽狀物之已蒸發材料的噴嘴可有用處。舉例來說，包括用於基板之具有小開孔(例如是具有約20µm之尺寸的開孔)的遮罩之沈積製程從窄cosn 形狀羽狀物可獲益，且既然已蒸發材料之羽狀物係不散佈在遮罩上而是通過遮罩之開孔，材料利用可增加。根據一些實施例，噴嘴可設計，使得噴嘴之長度及噴嘴之通道之直徑的關係係為已定義關係，例如是2:1或更高。根據額外或選擇性實施例，噴嘴之通道可包括段差(steps)、斜面、準直儀(collimator)結構及/或壓力級(pressure stages)，用以達成所需之羽狀物形狀。
根據此處所述一些實施例，真空沈積腔室係說明。真空沈積腔室包括根據上述之任何實施例之材料沈積配置。真空沈積腔室更包括基板支座，用以於沈積期間支撐基板。一般來說，在材料沈積配置之數個分佈管之至少一者與基板支座之間的距離係少於250mm。根據一些實施例，在分佈管與基板支座之間的距離可從分佈管之噴嘴出口和基板支座的一位置測量，基板支座的此位置係位於具有基板之一平面(舉例為接觸點、夾件或類似者)。
於一些實施例中，真空沈積腔室可包括材料沈積配置，材料沈積配置具有噴嘴，此噴嘴具有2:1或更大之開孔尺寸對開孔長度比。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，真空沈積腔室可包括材料沈積配置，材料沈積配置具有第一材料源和第二材料源，例如是如上所述之第一和第二材料源(第一和第二材料源舉例為具有第一分佈管和第二分佈管，第一分佈管具有數個第一噴嘴，第二分佈管具有數個第二噴嘴)。一般來說，此些第一噴嘴之一第一噴嘴和此些第二噴嘴之一第二噴嘴之間的距離係等同於或少於30 mm。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，真空沈積腔室可包括材料沈積配置，材料沈積配置具有噴嘴，此噴嘴具有2:1或更大之開孔尺寸對開孔長度比。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，真空沈積腔室可包括具有第一材料源和第二材料源之材料沈積配置，第一材料源和第二材料源例如是如上所述之第一和第二材料源(第一和第二材料源舉例為具有第一分佈管和第二分佈管，第一分佈管具有數個第一噴嘴，第二分佈管具有數個第二噴嘴)。一般來說，第一分佈管之此些第一噴嘴的至少一者係提供第一分佈方向，且此些第二噴嘴的至少一者係提供第二分佈方向。於一些實施例中，此些第一噴嘴之此一或多個噴嘴的第一分佈方向和此些第二噴嘴之此一或多個噴嘴的第二分佈方向係彼此平行排列或從平行排列偏差高達5°排列。
根據一些實施例，真空沈積腔室可包括材料沈積配置，材料沈積配置具有分佈管，分佈管具有分佈管殼體及噴嘴，噴嘴係位於分佈管殼體中。噴嘴開孔之長度對尺寸比係為2:1或更大且噴嘴包括對已蒸發有機材料化學惰性之材料，已蒸發有機材料例如是上述所指之有機材料。
第10圖繪示沈積設備300之示意圖，根據此處所述實施例之材料沈積配置、分佈管或噴嘴可在沈積設備300中使用。下方所指之例如是噴嘴或分佈管之元件可為如上有關於第1a至9b圖所述之元件。舉例來說，只要實施例之結合係不會彼此矛盾，下文中所指之分佈管可為有關於第1a至9b圖所範例性說明之分佈管。
第10圖之沈積設備300包括材料源100d，位於真空腔室110之一位置。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，材料源係裝配以用於平移運動或繞著軸旋轉。材料源100d具有一或多個蒸發坩鍋104及一或多個分佈管106。兩個蒸發坩鍋及兩個分佈管係繪示於第10圖中。分佈管106係由支座102支撐。再者，根據一些實施例，蒸發坩鍋104可亦由支座102支撐。兩個基板121係提供於真空腔室110中。一般來說，用於在基板上遮蔽層沈積的遮罩132可提供於基板和材料源100d之間。於一些實施例中，遮罩可為像素遮罩，舉例為具有開孔之像素遮罩，開孔具有尺寸(舉例為剖面之直徑或最小維度)，代表性為約10 µm與約50 µm之間，更代表性為約15 µm與約40 µm之間，且甚至更代表性為約15 µm與約30 µm之間。於一例子中，遮罩開孔之尺寸係約20 µm。於另一例子中，遮罩開孔具有約50 µm x 50 µm之延展。有機材料係從分佈管106蒸發。
根據此處所述之實施例，基板係於本質上垂直位置塗佈有機材料。繪示於第10圖中的視角係為包括材料源100d之設備的上視圖。一般來說，分佈管係為線性蒸汽分佈噴頭。根據一些實施例，分佈管係提供本質上垂直延伸之接線源。根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，本質上垂直在意指基板方向時特別是理解為允許從垂直方向偏差20°或以下，舉例為10°或以下。舉例來說，此偏差可因基板支座具有從垂直方向之一些偏差而可能產生更穩定之基板位置來提供。然而，在沈積有機材料期間之基板方向係認定為本質上垂直，而不同於水平基板方向。於一些實施例中，基板的表面係藉由接線源塗佈，接線源係在對應於一基板維度和平移運動之方向中延伸，平移運動係沿著對應於其他基板維度之其他方向。根據其他實施例，沈積設備可為用於沈積材料於本質上水平方向基板上之沈積設備。舉例來說，於沈積設備中塗佈基板可在上或下之方向中執行。
第10圖繪示用以於真空腔室110中沈積有機材料之沈積設備300之一實施例的示意圖。材料源100d係提供於真空腔室110中之一軌道上，此軌道例如是環狀軌道或線性導件320。軌道或線性導件320係裝配以用於材料源100d之平移運動。根據可與此處所述其他實施例結合之不同實施例，用於平移運動之驅動器可提供於材料源100d中、提供於軌道或線性導件320、提供於真空腔室110中或其組合。第10圖繪示閥205，閥205舉例為閘閥。閥205係提供至相鄰之真空腔室(未繪示於第10圖中)之真空密封。閥可開啟以傳送基板121或遮罩132進入真空腔室110中或離開真空腔室110。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，例如是維護真空腔室111之其他真空腔室係提供而相鄰於真空腔室110。於一些實施例中，真空腔室110及維護真空腔室111係以閥207連接。閥207係裝配以開啟及關閉在真空腔室110及維護真空腔室111之間的真空密封。當閥207係為開啟狀態中時，材料源100d可傳送至維護真空腔室111。之後，閥可關閉以提供在真空腔室110和維護真空腔室111之間的真空密封。如果閥207係關閉時，維護真空腔室111可排氣且開啟，以用以維護材料源100d而無需破壞真空腔室110中之真空。
在10圖中所示之實施例中，兩個基板121係支撐於在真空腔室110中之各自的傳送軌道上。根據一些實施例，在至少一分佈管和基板支座之間的距離係少於250mm。在第10圖中，此距離由在基板支座126與材料源100d之分佈管106之噴嘴的出口之間的距離101所表示。再者，兩個軌道係提供，用於設置遮罩132於其上。基板121之塗佈可由各自的遮罩132所遮蔽。根據典型實施例，此些遮罩132係提供於遮罩框架131中，以支承遮罩132於預定位置中，此些遮罩132也就是對應(右手邊的)第一基板121之第一遮罩132與對應(左手邊的)第二基板121之第二遮罩132。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，基板121可由基板支座126支撐，基板支座126係連接於對準單元112。對準單元112可調整基板121相對於遮罩132之位置。第10圖繪示基板支座126連接於對準單元112之實施例的示意圖。因此，基板係相對於遮罩132移動，以提供在有機材料沈積期間基板及遮罩之間恰當的對準。根據可與此處所述其他實施例結合之進一步的實施例，遮罩132及/或支承遮罩132之遮罩框架131可選擇性或額外地連接於對準單元112。根據一些實施例，遮罩可相對於基板121定位或遮罩132和基板121兩者可相對於彼此定位。裝配以用以調整在基板121和遮罩132相對於彼此之間的位置的對準單元112係在沈積期間提供恰當對準的遮蔽，而有利於高品質、發光二極體(LED)顯示器製造、或OLED顯示器製造。
如第10圖中所示，線性導件320係提供材料源100d之平移運動之方向。在材料源100d之兩側上係提供遮罩132。遮罩132可本質上平行於平移運動之方向延伸。再者，在材料源100d之相對側之基板121可亦在本質上平行於平移運動之方向延伸。根據典型實施例，基板121可經由閥205移動至真空腔室110中且離開真空腔室110。沈積設備300可包括用以傳送各基板121之各自的傳送軌道。舉例來說，傳送軌道可平行於如第10圖中所示之基板位置延伸且進入或離開真空腔室110。
一般來說，其他軌道係提供以用以支撐遮罩框架131及遮罩132。因此，可與此處所述其他實施例結合之一些實施例可包括在真空腔室110中之四個軌道。為了移動此些遮罩132之一者離開腔室來舉例是清洗遮罩，遮罩框架131及遮罩可移動至基板121之傳送軌道上。各自之遮罩框架可在用於基板之傳送軌道上接著離開或進入真空腔室110。雖然提供用以遮罩框架131的分離之傳送軌道來進入及離開真空腔室110係有可能的，但如果只有兩個軌道係延伸進入及離開真空腔室110且此外遮罩框架131可藉由適合之致動器或機器人移動到用於基板之傳送軌道之各自一者，沈積設備300之所有權的成本可減少，此兩個軌道也就是基板之傳送軌道。
第10圖繪示材料源100d之範例性實施例之示意圖。材料源100d包括支座102。支座102係裝配以沿著線性導件320平移運動。支座102支撐兩個蒸發坩鍋104及兩個分佈管106，分佈管106提供於蒸發坩鍋104之上方。在蒸發坩鍋中產生之蒸汽可向上地移動且離開分佈管之一或多個噴嘴或出口。
根據此處所述實施例，材料源包括一或多個蒸發坩鍋及一或多個分佈管，其中此一或多個分佈管之各自一者可流體連通於此一或多個蒸發坩鍋之各自一者。用於OLED裝置製造之數種應用包括處理特徵，其中一、二或多個有機材料係同時地蒸發。因此，如例如是第10圖中所示，兩個分佈管及對應之蒸發坩鍋可相鄰於彼此提供。因此，材料源100d可亦意指為材料源陣列，舉例來說，其中多於一種有機材料係同時蒸發。如此處所述，材料源陣列本身可意指為用於兩個或多個有機材料的材料源，例如是材料源陣列可提供用於蒸發及沈積三個材料到一基板上。根據一些實施例，材料源陣列可裝配以用於從不同材料源同時提供相同材料。
分佈管之此一或多個噴嘴可包括例如是可為提供在噴頭或另一蒸汽分佈系統中的一或多個噴嘴。提供於此處所述之分佈管的噴嘴可為此處所述實施例中說明之噴嘴，例如是有關於第8a至8d圖說明之噴嘴。分佈管於此可理解為包括一內部空間，此內部空間具有數個開孔，使得在分佈管中之壓力係高於在分佈管之外側的壓力，舉例為至少一個數量級。於一例子中，在分佈管中之壓力可在約10-2 至約10-3 mbar之間。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，分佈管之旋轉可藉由蒸發器控制殼體之旋轉提供，至少分佈管係固定於蒸發器控制殼體上。藉由沿著環狀軌道之彎曲部分移動材料源，可額外或選擇性提供分佈管旋轉。一般來說，蒸發坩鍋係亦固定於蒸發器控制殼體上。因此，材料源包括分佈管及蒸發坩鍋，分佈管及蒸發坩鍋舉例可旋轉地固定在一起。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，分佈管或蒸發管可設計成三角形之形狀，使得分佈管之開孔或噴嘴可盡可能的彼此靠近。讓分佈管之開孔或噴嘴盡可能的彼此靠近係提供例如是改善混合不同有機材料，舉例為用於在共蒸發兩個、三個或甚至多個不同之有機材料的情況。
根據此處所述數個實施例，分佈管之出口側的寬度(包括開孔之分佈管之側)係為剖面之最大維度的30%或少於30%。有鑑於其，分佈管之開孔或相鄰分佈管之噴嘴可提供在較小距離處。此較小距離係改善數個有機材料之混合，此些有機材料係相鄰於彼此而進行蒸發。再者，獨立於改善有機材料之混合之外，以本質上平行方式面對基板之牆的寬度可額外或選擇性減少。因此，以本質上平行方式面對基板的牆之表面區域可減少。此配置減少提供至遮罩或基板之熱負荷，遮罩或基板係支撐在沈積區域中，或稍微在沈積區域之前。
有鑑於材料源之三角形之形狀，朝向遮罩輻射之面積係額外或選擇性減少。此外，金屬板之堆疊可提供，以減少從材料源至遮罩之熱傳送，金屬板之堆疊係舉例為高達10個金屬板。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，加熱遮蔽件或金屬板可提供而具有用於噴嘴之孔口(orifices)，且可貼附於至少源之前側，也就是面對基板之側。
雖然如第10圖中所示之實施例係提供具有可移動源之沈積設備，具有通常知識者可理解上述實施例可亦提供在數個沈積設備中，基板於處理期間係在此些沈積設備中移動。舉例來說，可沿著靜態材料源導引且驅動將塗佈之基板。
此處所述實施例特別是有關於沈積有機材料，沈積有機材料舉例為在大面積基板上之OLED顯示器製造。根據一些實施例，大面積基板或支撐一或多個基板之載體，也就是大面積載體，可具有至少0.174 m²之尺寸。舉例來說，沈積設備可適用於處理大面積基板，例如是第5代、第7.5代、第8.5代、或甚至第10代，第5代係對應於約1.4 m²之基板(1.1 m x 1.3 m)，第7.5代對應於約4.29 m²之基板(1.95 m x 2.2 m)，第8.5代對應於約5.7m²之基板(2.2 m x 2.5 m)，第10代對應於約8.7 m²之基板(2.85 m × 3.05 m)。甚至例如是第11代及第12代之更高代及對應之基板面積可以類似之方式應用。根據可與此處所述其他實施例結合之典型實施例，基板厚度可為從0.1至1.8 mm及用於基板之支承配置可適用於此種基板厚度。然而，特別是，基板厚度可為約0.9 mm或以下，例如是0.5 mm或0.3 mm，且支承配置係適用於此種基板厚度。一般來說，基板可由任何適合於材料沈積的材料製成。舉例來說，基板可以選自由玻璃(舉例為鈉鈣玻璃、硼矽玻璃等)、金屬、聚合物、陶瓷、複合材料、碳纖材料或任何其他材料或可以沈積製程塗佈之材料的組合所組成之材料製成。
根據一些實施例，用以於真空沈積腔室中沈積已蒸發材料於基板上之方法係提供，真空沈積腔室具有腔室空間。腔室空間可理解為腔室牆所包含之空間，且特別是提供於相同壓力規範之空間。繪示根據此處所述之方法的流程圖400係繪示於第11圖中。此方法於方塊410中包括利用第一材料蒸發器蒸發第一材料，第一材料蒸發器係排列在腔室空間中。舉例來說，第一材料蒸發器可為用以蒸發有機材料之源。於一例子中，蒸發器可適用於蒸發具有約150°至約500°之蒸發溫度的材料。於一些實施例中，材料源可為坩鍋。
於方塊420中，此方法包括提供已蒸發第一材料至第一分佈管，第一分佈管包括第一分佈管殼體。根據此處所述實施例，第一分佈管係流體連通於第一材料蒸發器。根據一些實施例，分佈管可為如上所述之分佈管，舉例為線性分佈管、或如第1a至9b圖所示之分佈管。提供已蒸發第一材料至第一分佈管更包括在第一分佈管中提供約10-2 -10-1 mbar之壓力。在方塊430中，已蒸發材料係導引通過在第一分佈管殼體中之數個第一噴嘴的一或多者。一般來說，此些第一噴嘴的此一或多的噴嘴具有開孔長度及開孔尺寸，其中導引已蒸發材料通過此一或多個噴嘴更包括導引已蒸發材料通過具有長度對尺寸比等同於或大於2:1之一或多個噴嘴。根據一些實施例，導引已蒸發材料通過之噴嘴可為如上實施例中所說明的噴嘴。於一例子中，噴嘴可為可鎖固於分佈管殼體。於可與此處所述其他實施例結合之一實施例中，噴嘴可包括一材料，此材料對已蒸發有機材料係為化學惰性，例如是如第7a至7d圖中所示之噴嘴。根據一些實施例，噴嘴可為分佈管之一部分，如相關於第9a及9b圖中所範例性繪示及說明。
於方塊440中，已蒸發材料係朝向腔室空間中之基板釋放至腔室空間。一般來說，腔室空間係提供10-5 至10-7 mbar之壓力，更代表性約10-6 至約10-7 mbar。舉例來說，真空腔室可包括幫浦、密封件、及類似物，用以能夠讓腔室排氣至約10-5 至10-7 mbar之壓力且用以保持在真空腔室中之壓力。於一些實施例中，從噴嘴釋放之蒸汽羽狀物可具有類似cos6 分佈。根據此處所述一些實施例，具有類似cos6 分佈之蒸汽羽狀物可比具有類似cos1 分佈之蒸汽羽狀物提供較小之遮蔽效應。此效應例如是繪示於第3a至3c圖中。具有類似cos6 分佈之已蒸發材料的情況中，在基板上之材料沈積的均勻以及沈積之準確性可增加。
根據一些實施例，此方法更包括利用在腔室空間中之第二材料蒸發器蒸發第二材料，提供已蒸發第二材料至第二分佈管，第二分佈管包括第二分佈管殼體。根據一些實施例，第二材料可為相同於第一材料之材料。於其他實施例中，第二材料係不同於第一材料。於一些實施例中，第二分佈管可為如上述之分佈管。一般來說，第二分佈管係流體連通於第二材料蒸發器，且提供已蒸發第二材料至第二分佈管係包括在第二分佈管中提供約10-2 -10-1 mbar之壓力。真空腔室及/或材料沈積配置可提供而具有幫浦、密封件、閥、及類似物，用以提供且維持在分佈管中之壓力。此方法可更包括導引已蒸發材料通過在第二分佈管殼體中之數個第二噴嘴的一或多者。於一些實施例中，已蒸發第一材料及已蒸發第二材料係在少於30 mm之距離中分別導引通過第一分佈管之此一或多個第一噴嘴及第二分佈管之此一或多個第二噴嘴。少於30 mm之距離可讓在基板上之不同的已蒸發材料準確沈積，舉例為製造OLED顯示器或類似物。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，已蒸發第一材料係從在第一分佈方向中之第一分佈管之此一或多個第一噴嘴釋放，第一分佈方向係平行於第二分佈管之此一或多個第二噴嘴的第二分佈方向，或從平行排列偏差高達5°。分佈方向之平行排列可提供來自不同材料源之不同已蒸發材料已定義沈積且混合特徵。
於可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例中，第一分佈管及第二分佈管之至少一者的此一或多個噴嘴包括一材料，此材料對已蒸發有機材料係為化學惰性。噴嘴包括惰性材料(舉例為作為噴嘴開孔之塗佈的惰性材料)，通過噴嘴之已蒸發材料係不受噴嘴材料影響且保持在需要的狀態中。舉例來說，已蒸發材料之成份係在噴嘴之前及之後保持相同。於一例子中，方向、流速及壓力可仍舊受噴嘴影響。
於一些實施例中，此方法包括加熱分佈管至將沈積於基板上之材料之蒸發溫度或以上。分佈管之加熱可藉由加熱裝置執行。於一例子中，加熱裝置之成效可由加熱遮蔽件支援，如舉例為上述有關於第8a至8c圖之說明。
根據一些實施例，係提供如此處所述之材料沈積配置的使用，及/或如此處所述之分佈管之使用。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧材料沈積配置
100a‧‧‧第一材料源
100b‧‧‧第二材料源
100c‧‧‧第三材料源
100d‧‧‧材料源
101、200‧‧‧距離
102‧‧‧支座
102a‧‧‧第一材料蒸發器
102b‧‧‧第二材料蒸發器
102c‧‧‧第三材料蒸發器
104‧‧‧蒸發坩鍋
106‧‧‧分佈管
106a‧‧‧第一分佈管
106b‧‧‧第二分佈管
106c‧‧‧第三分佈管
107、713‧‧‧開孔
108‧‧‧延伸牆
109‧‧‧牆
110‧‧‧真空腔室
111‧‧‧維護真空腔室
112‧‧‧對準單元
116‧‧‧分佈管殼體
121‧‧‧基板
126‧‧‧基板支座
131‧‧‧遮罩框架
132‧‧‧遮罩
136‧‧‧第一方向
201、202、203‧‧‧縱向軸
205、207‧‧‧閥
206‧‧‧第一噴嘴材料
208‧‧‧第二噴嘴材料
210‧‧‧第一分佈方向
211‧‧‧第二分佈方向
212‧‧‧第三分佈方向
300‧‧‧沈積設備
320‧‧‧線性導件
322、324、326‧‧‧牆
352、354、355‧‧‧箭頭
380‧‧‧加熱元件
400‧‧‧流程圖
410、420、430、440‧‧‧方塊
700‧‧‧噴嘴
702‧‧‧蒸發器控制殼體
703‧‧‧凸緣單元
710‧‧‧內部中空空間
712‧‧‧噴嘴
714‧‧‧開孔長度
715‧‧‧加熱單元
716‧‧‧開孔尺寸
717‧‧‧加熱遮蔽件
722‧‧‧栓
725‧‧‧外部加熱單元
726‧‧‧中央加熱元件
727‧‧‧遮罩物
732‧‧‧蒸汽導管
800、801‧‧‧曲線
802、803‧‧‧已蒸發材料
804‧‧‧第一接線
805‧‧‧第二接線
806‧‧‧第三接線
879‧‧‧絕熱器
A‧‧‧區域
B、C‧‧‧局部圖
為了可詳細地了解數個實施例之上述特徵，簡要摘錄於上之更特有的說明可參照實施例。所附之圖式係有關於數個實施例且說明於下方：
第1a至1f圖繪示根據此處所述實施例之材料沈積配置的示意圖及材料沈積配置的部分、更詳細之示意圖；
第2a至2c圖繪示根據此處所述實施例之材料沈積配置之分佈管的示意圖；
第3a圖繪示根據此處所述實施例之分佈管與噴嘴之材料分佈的示意圖；
第3b圖繪示已知系統之分佈管的材料分佈的示意圖；
第3c圖繪示根據此處所述實施例與已知系統之分佈管之材料分佈的比較圖；
第4a圖繪示根據此處所述實施例之材料沈積配置之示意圖；
第4b圖繪示已知沈積系統之示意圖；
第5a及5b圖繪示根據此處所述實施例之材料沈積配置之側視與上視圖；
第6a及6b圖根據此處所述實施例之材料沈積配置之側視圖及根據此處所述實施例之材料沈積配置之分佈管及噴嘴之更詳細示意圖；
第7a至7d圖繪示根據此處所述實施例之使用於分佈管與材料沈積配置中之噴嘴的示意圖；
第8a至8c圖繪示根據此處所述實施例之材料沈積配置與分佈管之示意圖；
第9a及9b圖繪示根據此處所述實施例之分佈管之示意圖；
第10圖繪示根據此處所述實施例之真空沈積腔室之示意圖；以及
第11圖繪示根據此處所述實施例之用以沈積材料於基板上之方法的流程圖。

Claims (15)

  1. 一種材料沈積配置(100)，用以於一真空腔室(110)中沈積已蒸發材料於一基板(121)上，該材料沈積配置包括： 一第一材料源(100a)，包括： 一第一材料蒸發器(102a)，裝配以用於蒸發將沈積於該基板(121)上之一第一材料； 一第一分佈管(106a)，包括一第一分佈管殼體(116)，其中該第一分佈管係流體連通於該第一材料蒸發器；以及 複數個第一噴嘴(712)，位於該第一分佈管殼體(116)中；以及 一第二材料源(100b)，包括： 一第二材料蒸發器(102b)，裝配以用於蒸發將沈積於該基板上之一第二材料； 一第二分佈管(106b)，包括一第二分佈管殼體，其中該第二分佈管係流體連通於該第二材料蒸發器；以及 複數個第二噴嘴(712)，位於該第二分佈管殼體中； 其中該些第一噴嘴之一第一噴嘴與該些第二噴嘴之一第二噴嘴之間的一距離(200)係等同於或少於50 mm；以及 其中該第一分佈管之出口側的寬度係該第一分佈管之剖面之最大維度之30%或更少。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之材料沈積配置，其中該些第一噴嘴之該第一噴嘴與該些第二噴嘴之該第二噴嘴之間的該距離(200)係為一水平距離。
  3. 如前述申請專利範圍第1及2項之任一項所述之材料沈積配置，其中該第一分佈管(106a)和該第二分佈管(106b)之間的一距離係等同於或少於30 mm。
  4. 如申請專利範圍第1及2項之任一項所述之材料沈積配置，其中該些第一噴嘴之該第一噴嘴與該些第二噴嘴之該第二噴嘴之間的該距離(200)係為該第一噴嘴之第一中心點與該第二噴嘴之第二中心點之間的一距離。
  5. 如申請專利範圍第1及2項之任一項所述之材料沈積配置，其中該第一分佈管(106a)之該些第一噴嘴的該一或多個噴嘴(712)係裝配以提供一第一分佈方向(210)，且其中該第二分佈管(106b)之該些第二噴嘴的該一或多個噴嘴(712)係裝配以提供一第二分佈方向(211)，且其中該第一分佈方向(210)與該第二分佈方向(211)係彼此平行排列，或係從平行排列偏差高達5°排列。
  6. 如申請專利範圍第1及2項之任一項所述之材料沈積配置，其中長度對尺寸比係無維度(dimensionless)。
  7. 如申請專利範圍第1及2項之任一項所述之材料沈積配置，其中該噴嘴(712)之開孔尺寸(716)係由開孔之剖面的最小尺寸定義。
  8. 如申請專利範圍第1及2項之任一項所述之材料沈積配置，其中該第一材料源(100a)之該第一分佈管(106a)與該第二材料源(100b)之該第二分佈管(106b)之至少一者係為用於一已蒸發有機材料的一分佈管。
  9. 如申請專利範圍第1及2項之任一項所述之材料沈積配置，其中具有至少2:1之長度對尺寸比的該噴嘴(712)係形成一已蒸發有機材料的一cos6 形蒸汽羽狀物。
  10. 如申請專利範圍第1及2項之任一項所述之材料沈積配置，其中該些第一噴嘴之一或多個噴嘴包括一開孔長度(714)及一開孔尺寸(716)，其中該些第一噴嘴之該一或多個噴嘴之長度對尺寸比係等同於或大於2:1。
  11. 一種材料沈積配置(100)，用以於一真空腔室(110)中沈積已蒸發材料於一基板(121)上，該材料沈積配置包括： 一第一材料源(100a)，包括： 一第一材料蒸發器(102a)，裝配以用於蒸發將沈積於該基板(121)上之一第一材料；以及 為該材料沈積配置(100)的一第一分佈管(106a)之如申請專利範圍第11至14項之任一項所述之分佈管(106a, 106b, 106c)，其中該第一分佈管(106a)係流體連通於該第一材料蒸發器(102a)；以及 一第二材料源(100b)，包括： 一第二材料蒸發器(102b)，裝配以用於蒸發將沈積於該基板(121)上的一第二材料；以及 一第二分佈管(106b)，包括一分佈管殼體(116)，其中該第二分佈管(106b)係流體連通於該第二材料蒸發器(102b)；以及 複數個第二噴嘴(712)，位於該第二分佈管殼體(116)中； 其中該第一分佈管(106a)之該噴嘴與該第二分佈管(106b)之該些第二噴嘴之一第二噴嘴之間的一距離(200)係等同於或少於50 mm；或者 其中該第一分佈管(106a)之該噴嘴(712)係裝配以提供一第一分佈方向(210)且該第二分佈管(106b)之該些第二噴嘴之一第二噴嘴(712)係裝配以提供一第二分佈方向(211)，其中該第一分佈方向(210)與該第二分佈方向(211)係彼此平行排列或係從平行排列偏差高達5°排列。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之材料沈積配置，其中該噴嘴(712)之該開孔尺寸(716)係由該開孔之剖面的最小尺寸定義。
  13. 如申請專利範圍第11及12項之任一項所述之材料沈積配置，其中該第一材料源(100a)之該第一分佈管(106a)與該第二材料源(100b)之該第二分佈管(106b)之至少一者係為用於一已蒸發有機材料的一分佈管。
  14. 如申請專利範圍第11及12項之任一項所述之材料沈積配置，其中該噴嘴(712)具有至少2:1之一長度對尺寸比，以形成一已蒸發有機材料的一cos6 形蒸汽羽狀物。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之材料沈積配置，其中該長度對尺寸比係無維度(dimensionless)。
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