DE112010001483T5

DE112010001483T5 - Abscheidungskopf und Filmbildungsvorrichtung

Info

Publication number: DE112010001483T5
Application number: DE112010001483T
Authority: DE
Inventors: Yuji Ono; Tomohiko Edura; Teruyuki Hayashi; Akitake Tamura; Misako Saito
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2009-04-03
Filing date: 2010-04-02
Publication date: 2012-09-13
Also published as: US20120031339A1; KR20110122762A; CN102224275A; CN102224275B; TW201102454A; JPWO2010114118A1; WO2010114118A1; JP5281148B2; KR101321807B1

Abstract

Es ist ein Abscheidungskopf vorgesehen, der in der Lage ist, ein Materialgas mit einer gleichmäßigen Strömungsrate und äquithermen Eigenschaft von jeder Komponente in einem groß bemessenen Substrat sowie einem herkömmlichen klein bemessenen, zum Bilden eines gleichmäßigen Dünnfilms auszutragen. Es ist auch eine Abscheidungsvorrichtung vorgesehen, die den Abscheidungskopf umfasst. Der Abscheidungskopf ist innerhalb der Abscheidungsvorrichtung zum Bilden eines Dünnfilms auf einem Substrat vorgesehen und ausgestaltet, um ein Materialgas in Richtung des Substrats auszutragen. Der Abscheidungskopf umfasst ein äußeres Gehäuse und ein inneres Gehäuse, das innerhalb des äußeren Gehäuses vorgesehen ist und in das das Materialgas eingeleitet wird. In dem inneren Gehäuse ist eine Öffnung gebildet, die ausgestaltet ist, um das Materialgas in Richtung des Substrats auszutragen, und eine Heizung, die ausgestaltet ist, um das Materialgas zu erwärmen, ist an einer Außenfläche des äußeren Gehäuses oder in einem Raum zwischen dem äußeren Gehäuse und dem inneren Gehäuse vorgesehen.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Offenbarung betrifft einen Abscheidungskopf zum Abscheiden eines organischen Films, beispielsweise bei der Herstellung einer organischen EL-Einrichtung, und betrifft eine Abscheidungsvorrichtung, die den Abscheidungskopf umfasst.
Technischer Hintergrund
In letzter Zeit ist eine organische EL-Einrichtung, die Elektrolumineszenz (EL) benutzt, entwickelt worden. Da die organische EL-Einrichtung im Vergleich mit einer Kathodenstrahlröhre oder dergleichen weniger Energie verbraucht und selbstleuchtend ist, gibt es gewisse Vorteile, wie etwa einen breiteren Blickwinkel als der einer Flüssigkristalleinrichtung (LCD).
Die grundlegendste Struktur dieser organischen EL-Einrichtung umfasst eine Anodenschicht (positive Elektrodenschicht), eine lichtemittierende Schicht und eine Kathodenschicht (negative Elektrodenschicht), die nacheinander auf einem Glassubstrat gestapelt sind, um eine geschichtete Form zu bilden. Um Licht von der lichtemittierenden Schicht auszusenden, wird eine transparente Elektrode, die aus ITO (Indiumzinnoxid) hergestellt ist, für die Anodenschicht auf dem Glassubstrat verwendet. Eine derartige organische EL-Einrichtung wird im Allgemeinen hergestellt, indem die lichtemittierende Schicht und die Kathodenschicht nacheinander auf dem Glassubstrat, auf dem sich die ITO-Schicht (Anodenschicht) befindet, gebildet werden und indem zusätzlich ein Versiegelungsfilm gebildet wird.
Die oben beschriebene organische EL-Einrichtung wird im Allgemeinen durch ein Verarbeitungssystem hergestellt, das verschiedene Filmbildungsvorrichtungen oder Ätzvorrichtungen umfasst, die ausgestaltet sind, um eine lichtemittierende Schicht, eine Kathodenschicht, eine Versiegelungsschicht und dergleichen zu bilden.
Beispielhaft ist als ein allgemeines Verfahren zum Bilden einer lichtemittierenden Schicht ein Verfahren bekannt gewesen, bei dem ein Materialgas einem Abscheidungskopf von einer Materialgas-Zufuhrquelle zugeführt wird und das Materialgas von dem Abscheidungskopf in Richtung eines Glassubstrats zur Abscheidung darauf ausgetragen wird.
Patentdokument 1 beschreibt einen Abscheidungskopf 20, der eine einzelne Verteilungsplatte 41 umfasst, die Durchgangslöcher 40 aufweist, wie es in 2 gezeigt ist, und einen Abscheidungskopf 20, der mehrere Zweigstromleitungen 44 umfasst, die von einer Gasstromleitung abzweigen, die mit einem Materialgas-Einlassanschluss 43 kommuniziert, wie es in 3 gezeigt ist.

Patentdokument 1: Japanische Offenlegungsschrift Veröffentlichungsnr. 2004-079904

Offenbarung der Erfindung
Durch die Erfindung zu lösende Probleme
Wenn jedoch ein organischer Film unter Verwendung eines Abscheidungskopfes gebildet wird, der eine Verteilungsplatte umfasst, die in 2 gezeigt ist, kann die Menge des Materialgases, das durch die Durchgangslöcher der Verteilungsplatte hindurchtritt, abhängig von einem Abstand von einem Versorgungsanschluss, durch den das Materialgas in den Abscheidungskopf zugeführt wird, variieren. Da darüber hinaus keine äquitherme Eigenschaft des Materialgases berücksichtigt wird, gibt es darin ein Problem, dass eine Temperatur des Materialgases ungleichmäßig ist und auf dem Substrat kein Film auf eine hinreichend gleichmäßige Weise gebildet wird.
Ein Abscheidungskopf, der Zweigstromleitungen darin umfasst, wie es in 3 gezeigt ist, wird für ein klein bemessenes Zielsubstrat verwendet, das einem klein bemessenen Display von etwa 20 Zoll entspricht. Wenn ein Film auf einem groß bemessenen Glassubstrat gebildet wird, das für ein groß bemessenes Display verwendet wird, dessen Produktion in letzter Zeit verlangt worden ist, das eine Größe von beispielsweise etwa dem 4,6-fachen eines herkömmlichen aufweist, muss ein Abscheidungskopf dementsprechend größer werden. Wenn Zweigstromleitungen innerhalb eines groß bemessenen Abscheidungskopfes gebildet sind, kann die Zahl der Zweigstromleitungen erhöht sein. Somit dauert es lange, den Abscheidungskopf herzustellen und die Herstellungskosten können erhöht sein. Wenn darüber hinaus die Zahl der Zweigstromleitungen erhöht ist, kann e sein, dass eine Temperaturverteilung eines Materialgases, das durch die Zweigstromleitungen hindurchtritt, nicht vergleichmäßigt wird. Somit kann ein Materialgas, das auf eine niedrige Temperatur heruntergekühlt ist, innerhalb der Zweigstromleitungen fest werden.
Dementsprechend stellt die vorliegende Erfindung einen Abscheidungskopf bereit, der in der Lage ist, ein Materialgas mit einer gleichmäßigen Strömungsrate und äquithermen Eigenschaft von jeder Komponente in einem groß bemessenen Substrat sowie einem herkömmlichen klein bemessenen auszutragen, und der in der Lage ist, einen gleichmäßigen Dünnfilm zu bilden, und sie stellt auch eine Abscheidungsvorrichtung, die den Abscheidungskopf umfasst, bereit.
Mittel zum Lösen der Probleme
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist ein Abscheidungskopf vorgesehen, der in einer Abscheidungsvorrichtung zum Bilden eines Dünnfilms auf einem Substrat vorgesehen und ausgestaltet ist, um ein Materialgas in Richtung des Substrats auszutragen. Der Abscheidungskopf kann ein äußeres Gehäuse und ein inneres Gehäuse umfassen, das innerhalb des äußeren Gehäuses vorgesehen ist und in das das Materialgas eingeleitet wird. In dem inneren Gehäuse kann eine Öffnung gebildet sein, die ausgestaltet ist, um das Materialgas in Richtung des Substrats auszutragen, und es kann eine Heizung an einer Außenfläche des äußeren Gehäuses oder in einem Raum zwischen dem äußeren Gehäuse und dem inneren Gehäuse vorgesehen sein, die ausgestaltet ist, um das Materialgas zu erwärmen.
Darüber hinaus kann die Heizung an einem Plattenelement befestigt sein, das zwischen dem äußeren Gehäuse und dem inneren Gehäuse vorgesehen ist, und die Heizung kann entlang eines Umfangs einer Seitenfläche des äußeren Gehäuses oder des inneren Gehäuses vorgesehen sein. Die Heizung kann eine Mantelheizung oder eine Patronenheizung umfassen, und ein Abstandshalterelement, das ausgestaltet ist, um eine Innenfläche des äußeren Gehäuses in partiellen Kontakt mit einer Außenfläche des inneren Gehäuses zu bringen, kann an zumindest einem von dem äußeren Gehäuse und dem inneren Gehäuse vorgesehen sein. Außerdem kann ein abgedichteter Raum zwischen dem äußeren Gehäuse und dem inneren Gehäuse gebildet sein. Die Heizung kann innerhalb des abgedichteten Raums vorgesehen sein, und eine flüchtige Flüssigkeit kann in dem abgedichteten Raum vorgesehen sein.
Ferner kann die Wärmeleitfähigkeit des äußeren Gehäuses gleich oder höher als die Wärmeleitfähigkeit des inneren Gehäuses sein. Da in diesem Abscheidungskopf die Wärmeleitfähigkeit des äußeren Gehäuses hoch ist, wird Wärme von der Heizung schnell durch das gesamte äußere Gehäuse hindurch übertragen, und das gesamte äußere Gehäuse wird gleichmäßig erwärmt. Darüber hinaus wird Wärme von dem äußeren Gehäuse auf das innere Gehäuse über ein Abstandshalterelement übertragen, das die Innenfläche des äußeren Gehäuses in partiellen Kontakt mit der Außenfläche des inneren Gehäuses bringt. Infolgedessen wird das innere Gehäuse erwärmt. In diesem Fall kann das Abstandhalterelement, das die Innenfläche des äußeren Gehäuses in Kontakt mit der Außenfläche des inneren Gehäuses bringt, über dem ganzen äußeren Gehäuse oder dem ganzen inneren Gehäuse vorgesehen sein. Deshalb kann die Wärme im Wesentlichen gleichmäßig auf das ganze innere Gehäuse übertragen werden, und das gesamte innere Gehäuse kann gleichmäßig erwärmt werden. Somit kann das Materialgas, das in das innere Gehäuse eingeleitet wird, unter im Wesentlichen gleichen Bedingungen erwärmt werden, und das Materialgas kann innerhalb des inneren Gehäuses eine gleichmäßige Temperatur haben. Somit kann das Materialgas mit der gleichmäßigen Temperaturverteilung durch die Öffnung in Richtung des Substrats ausgetragen werden, und es kann ein gleichmäßiger Film gebildet werden.
Das Abstandhalterelement kann an einem oder beiden von dem äußeren Gehäuse und dem inneren Gehäuse vorgesehen sein, und ein Abstandshalterelement, das an dem äußeren Gehäuse vorgesehen ist, kann aus einem Material hergestellt sein, das sich von einem Material des Abstandshalterelements unterscheidet, das an dem inneren Gehäuse vorgesehen ist. Das Abstandshalterelement kann mehrere Vorsprünge umfassen, die durch Formpressen oder ein Füllmaterial gebildet sind.
Das Formpressen kann eine Prägeverarbeiten oder eine Schweißverarbeitung umfassen. Ein Material des äußeren Gehäuses kann Edelstahl oder Kupfer umfassen. Ein Material des inneren Gehäuses kann Edelstahl umfassen. Eine Dicke zumindest eines Teils des inneren Gehäuses kann etwa 3 mm oder weniger betragen. Eine Gasverteilungsplatte kann in dem inneren Gehäuse vorgesehen sein. Die Gasverteilungsplatte kann eine gitterförmige Prallplatte oder eine Stanzmetallplatte umfassen.
Ein wärmeleitender Film kann auf einem oder beiden von dem inneren Gehäuse und dem äußeren Gehäuse gebildet sein. Der wärmeleitende Film kann auf zumindest einer Außenfläche des inneren Gehäuses gebildet sein. Es kann eine Austragsplatte in der Öffnung vorgesehen sein, die ausgestaltet ist, das Materialgas gleichmäßig auszutragen. Die Austragsplatte kann einen Schlitz umfassen, der ausgestaltet ist, um das Materialgas auszutragen, oder die Austragsplatte kann mehrere Austragslöcher umfassen, die ausgestaltet sind, um das Materialgas auszutragen. Die Austragsplatte kann aus einer Edelstahlplatte, einem rostfreien Block, einer Kupferplatte oder einem Kupferblock gebildet sein.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist eine Abscheidungsvorrichtung zum Bilden eines organischen Dünnfilms auf einem Substrat vorgesehen. Die Abscheidungsvorrichtung kann eine Verarbeitungskammer, die ausgestaltet ist, um darin ein Substrat aufzunehmen, und einen Abscheidungskopf umfassen, der eine Öffnung umfasst, die ausgestaltet ist, um ein Materialgas in Richtung des Substrats innerhalb der Verarbeitungskammer auszutragen. Der Abscheidungskopf kann eine Trägergas-Zufuhreinheit umfassen, die ausgestaltet ist, um ein Trägergas, das das Materialgas transportiert, zuzuführen. Eine Innenseite der Verarbeitungskammer kann drucklos sein.
Wirkung der Erfindung
Gemäß der vorliegenden Offenbarung sind ein Abscheidungskopf, der in der Lage ist, ein Materialgas mit einer gleichmäßigen Strömungsrate und Temperatur von jeder Komponente in Richtung eines groß bemessenen Substrats sowie eines herkömmlichen klein bemessenen auszutragen, während eine äquitherme Eigenschaft sichergestellt ist, und der in der Lage ist, einen gleichmäßigen Dünnfilm zu bilden, und eine Abscheidungsvorrichtung, die den Abscheidungskopf umfasst, vorgesehen.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
1 ist eine schematische Ansicht einer Filmbildungsvorrichtung 1, die eine Abscheidung durchführt.
2 ist ein erläuterndes Schaubild eines Abscheidungskopfes 20, der eine einzige Verteilungsplatte 41 mit mehreren Durchgangslöchern 40 umfasst.
3 ist ein erläuterndes Schaubild eines Abscheidungskopfes 20, der mehrere Zweigstromleitungen 44 umfasst, die von einer Gasstromleitung abzweigen, die mit einem Materialgas-Einlassanschluss 43 kommuniziert.
4A bis 4D sind erläuternde Schaubilder eines Herstellungsprozesses einer organischen EL-Einrichtung (A).
5 ist ein schematisches erläuterndes Schaubild einer Abscheidungsvorrichtung 60.
6A ist eine Perspektivansicht eines Abscheidungskopfes 66, von einer diagonal unteren Seite betrachtet, und 6B ist eine Ansicht von unten des Abscheidungskopfes 66.
7 ist eine Perspektivansicht eines äußeren Gehäuses 70.
8 ist eine Perspektivansicht eines inneren Gehäuses 71.
9A und 9B sind erläuternde Schaubilder, die zeigen, dass eine Heizung 77 vorgesehen ist.
10 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Abscheidungskopfes 66a, in dem eine Heizung 77 vorgesehen ist, gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
11A und 11B sind Seitenansichten eines Abscheidungskopfes 66, um eine Form einer darin vorgesehenen Heizung 77 zu zeigen.
12 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Abscheidungskopfes 66b, in dem eine Heizung 77 vorgesehen ist, gemäß einer zweiten weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
13A ist eine schematische Ansicht eines Abscheidungskopfes 66, der eine Austragsplatte 95a mit einem Schlitz 96 umfasst. 13B ist eine schematische Ansicht des Abscheidungskopfes 66, der die Austragsplatte 95a mit Austragslöchern 97 umfasst.
14A ist eine schematische Ansicht von vorne eines Abscheidungskopfes 66 mit einem abgedichteten Raum. 14B ist eine schematische Seitenansicht des Abscheidungskopfes 66 mit dem abgedichteten Raum.
15A und 15B zeigen ein Ergebnis eines experimentellen Beispiels.
16A bis 16C sind Graphen, die ein Ergebnis eines experimentellen Beispiels 2 zeigen.
Bezugszeichenliste

1: Filmbildungsvorrichtung
2: Kammer
11: Substrathalteraum
12, 54: Haltetische
13: Vakuumpumpe
14: Entleerungsanschluss
20, 66, 66a, 66b: Abscheidungsköpfe
30: Materialzufuhreinheit
40: Durchgangslöcher
41: Verteilungsplatte
43: Materialgas-Einlassanschluss
44: Zweigstromleitung
50: Anodenschicht
51: lichtemittierende Schicht
52: Kathodenschicht
53: Versiegelungsfilmschicht
60: Abscheidungsvorrichtung
61: Verarbeitungskammer
62: Torventil
63: Entleerungsleitung
65: Schiene
67: Materialzufuhrquelle
68: Materialzufuhrleitung
70: äußeres Gehäuse (erstes Gehäuse)
71: inneres Gehäuse (zweites Gehäuse)
72, 73: Öffnungsflächen
77, 78: Heizungen
80: Nut
81: Heizungsblock
82: Materialgas-Einlassanschluss
83: Prallplatte
85: Vorsprung
90: Plattenelement
95: Austragsplatten
96: Schlitz
97: Austragslöcher
100: abgedichteter Raum
G: Substrat
L: Flüssigkeit

Beste Art und Weise der Ausführung der Erfindung
Nachstehend werden Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ausführlich anhand der begleitenden Zeichnungen beschrieben. In der Beschreibung und den Zeichnungen sind Elementen, die im Wesentlichen die gleiche Funktion haben, gleiche Bezugszeichen zugewiesen, und eine redundante Beschreibung davon kann weggelassen sein.
1 ist eine schematische Ansicht einer Filmbildungsvorrichtung 1, die eine Abscheidung durchführt. Wie es in 1 gezeigt ist, kann die Filmbildungsvorrichtung 1 eine Kammer 10, eine Substrathaltekammer 11, die unter der Kammer 10 vorgesehen ist, und einen Abscheidungskopf 20 umfassen, der sich über der Kammer 10 und der Substrathaltekammer 11 erstreckt. Der Abscheidungskopf 20 kann derart angeordnet sein, dass seine Öffnung 21, die ausgestaltet ist, um ein Materialgas innerhalb der Substrathaltekammer 11 auszutragen, nach unten weist. Darüber hinaus kann ein Haltetisch 12, der ausgestaltet ist, um ein Substrat G horizontal zu halten, innerhalb der Substrathaltekammer 11 vorgesehen sein, und das Substrat G ist derart auf dem Haltetisch 12 montiert, dass die obere Oberfläche des Substrats G, auf der ein Film gebildet wird, nach oben weist (nach oben weisender Zustand). Somit kann die Öffnung 21 des Abscheidungskopfes 20 derart angeordnet sein, dass sie zu der oberen Oberfläche des Substrats G weist.
Die Kammer 10 kann einen Entleerungsanschluss 14 umfassen, durch den eine Entleerung über eine Vakuumpumpe 13 durchgeführt wird. Während einer Filmbildung können die Innenräume der Kammer 10 und der Substrathaltekammer 11 in einem Vakuumzustand sein. Der Abscheidungskopf 20 kann über eine Materialzufuhrleitung 31 mit einer Materialzufuhreinheit 30 kommunizieren, die außerhalb der Kammer 10 vorgesehen ist. Ferner kann ein Ventil 32, das ausgestaltet ist, um die Versorgung eines Materialgases zu steuern, in der Materialgas-Zufuhrleitung 31 vorgesehen sein. Die Materialzufuhrleitung 31 kann mit einer Gasrückzugsleitung 33 verbunden sein, die mit der Vakuumpumpe 13 kommuniziert und ein Gas zurückzieht, wenn das Ventil 32 geschlossen ist. Darüber hinaus kann ein Ventil 34 in der Gasrückzugsleitung 33 vorgesehen sein. Der Abscheidungskopf 20 kann mit einer Gasauslassleitung 35 verbunden sein, die mit der Vakuumpumpe 13 kommuniziert und ein restliches Materialgas innerhalb des Abscheidungskopfes 20 nach der Filmbildung sammelt. Ferner kann ein Ventil 36 in der Gasauslassleitung 35 vorgesehen sein.
In dem Abscheidungskopf 20, der innerhalb der Filmbildungsvorrichtung 1 vorgesehen ist, die wie oben beschrieben ausgestaltet ist, kann es erforderlich sein, um einen gleichmäßigen Dünnfilm auf dem Substrat G zu bilden, das von der Materialzufuhreinheit 30 zugeführte Materialgas in Richtung des Substrats G durch die Öffnung 21 mit einer möglichst gleichmäßigen Strömungsrate und mit einer sichergestellten äquithermen Eigenschaft auszutragen.
Die 4A bis 4D sind erläuternde Schaubilder eines Herstellungsprozesses einer organischen EL-Einrichtung (A), die durch verschiedene Filmbildungsvorrichtungen hergestellt wird, die eine Abscheidungsvorrichtung 60 umfassen, die einen Abscheidungskopf 66 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Ausführungsform verwendet. Wie es in 4A gezeigt ist, kann das Substrat G, auf dem eine Anodenschicht (positive Schicht) 50 gebildet wird, vorgesehen werden. Das Substrat G kann aus einem transparenten Material, wie etwa Glas, hergestellt werden. Die Anodenschicht 50 kann aus einem transparenten leitenden Material, wie etwa ITO (Indiumzinnoxid) hergestellt werden. Darüber hinaus kann die Anodenschicht 50 auf einer oberen Oberfläche des Substrats G mittels beispielsweise Sputtern gebildet werden.
Vor alledem kann, wie es in 4A gezeigt ist, eine lichtemittierende Schicht (organische Schicht) 51 auf der Anodenschicht 50 mittels Abscheidung gebildet werden. Die lichtemittierende Schicht 51 kann als eine mehrschichtige Struktur ausgestaltet sein, in der z. B. eine Lochtransportschicht, eine kein Licht emittierende Schicht (Elektronensperrschicht), eine blaues Licht emittierende Schicht. Eine rotes Licht emittierende Schicht, eine grünes Licht emittierende Schicht und eine Elektronentransportschicht geschichtet sind.
Anschließend kann, wie es in 4B gezeigt ist, eine Kathodenschicht (negative Schicht) 52, die aus beispielsweise Ag und Al hergestellt wird, auf der lichtemittierenden Schicht 51 mittels beispielsweise Sputtern unter Verwendung einer Maske gebildet werden.
Anschließend kann, wie es in 4C gezeigt ist, beispielsweise die lichtemittierende Schicht 51 trockengeätzt werden, indem die Kathodenschicht 52 als eine Maske verwendet wird, so dass die lichtemittierende Schicht 51 strukturiert werden kann.
Danach kann, wie es in 4D gezeigt ist, eine Versiegelungsfilmschicht 53, die aus einem isolierenden Material, wie etwa Siliziumnitrid (SiN) hergestellt wird derart gebildet werden, dass die lichtemittierende Schicht 51, die Kathodenschicht 52 und ein freigelegter Bereich der Anodenschicht 50 bedeckt werden. Die Versiegelungsfilmschicht 53 kann beispielsweise mittels Mikrowellenplasma-CVD gebildet werden.
In der organischen EL-Einrichtung A, die wie oben beschrieben hergestellt wird, kann die lichtemittierende Schicht 51 Licht emittieren, indem eine Spannung zwischen der Anodenschicht 50 und der Kathodenschicht 52 angelegt wird. Diese organische EL-Einrichtung A kann für eine Anzeigeeinrichtung oder eine Oberflächenlicht emittierende Einrichtung (Beleuchtungs-/Lichtquelle) und für andere elektronische Einrichtungen verwendet werden.
Jetzt wird die Abscheidungsvorrichtung 60 zum Bilden der lichtemittierenden Schicht 51, die in 4A gezeigt ist, anhand der Zeichnungen erläutert. Da darüber hinaus andere Filmbildungsprozesse, wie etwa Sputtern, Ätzen und Plasma-CVD, als der in 4A gezeigte Filmbildungsprozess durch typische Vorrichtungen oder Verfahren durchgeführt werden können, wird deren ausführliche Erläuterung weggelassen.
5 ist ein schematisches erläuterndes Schaubild einer Abscheidungsvorrichtung 60 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Abscheidungsvorrichtung 60, die in 5 gezeigt ist, kann einen organischen Film, der die in 4A gezeigte lichtemittierende Schicht 51 umfasst, mittels Abscheidung bilden.
Die Abscheidungsvorrichtung 60 kann eine abgedichtete Verarbeitungskammer 61 umfassen. Die abgedichtete Verarbeitungskammer 61 kann eine rechteckige Form aufweisen, deren Längsrichtung einer Überführungsrichtung des Substrats G entspricht. Vordere und hintere Oberflächen der Verarbeitungskammer 61 können mit anderen Filmbildungsvorrichtungen oder dergleichen über Torventile 62 verbunden sein.
Eine Bodenfläche der Verarbeitungskammer 61 kann mit einer Entleerungsleitung 63 verbunden sein, die eine Vakuumpumpe (nicht veranschaulicht) umfasst, so dass der Innenraum der Verarbeitungskammer 61 drucklos sein kann. Ferner kann die Verarbeitungskammer 61 darin einen Haltetisch 64 umfassen, der ausgestaltet ist, um das Substrat G horizontal zu halten. Das Substrat G kann auf dem Haltetisch 64 in einem nach oben weisenden Zustand montiert werden, in welchem die obere Oberfläche des Substrats G, auf der die Anodenschicht 50 gebildet wird, nach oben weist. Der Haltetisch 64 kann ausgestaltet sein, um sich auf einer Schiene 65 zu bewegen, die längs der Überführungsrichtung des Substrats G vorgesehen ist, um das Substrat G zu überführen.
An einer Deckenfläche der Verarbeitungskammer 61 können mehrere Abscheidungsköpfe 66 (z. B. sechs in 5) entlang der Übertragungsrichtung des Substrats G vorgesehen sein. Jeder der Abscheidungsköpfe 66 kann über eine jede von Materialzufuhrleitungen 68 jeweils mit einer jeden von mehreren Materialzufuhrquellen 67 verbunden sein. Jede der Materialzufuhrleitungen 68 kann ausgestaltet sein, um Dampf (Materialgas) eines Filmbildungsmaterials zum Bilden der lichtemittierenden Schicht 51 zuzuführen. Obgleich der Dampf des Filmbildungsmaterials, der von den Materialzufuhrquellen 67 zugeführt wird, durch jeden der Abscheidungsköpfe 66 ausgetragen wird, kann das Substrat G, das auf denn Haltetisch 64 gehalten ist, überführt werden. Somit können nacheinander eine Lochtransportschicht, eine kein Licht emittierende Schicht, eine blaues Licht emittierende Schicht, eine rotes Licht emittierende Schicht, eine grünes Licht emittierende Schicht und eine Elektronentransportschicht auf der oberen Oberfläche des Substrats G gestapelt werden, und die lichtemittierende Schicht 51 kann auf der oberen Oberfläche des Substrats G gebildet werden.
6A und 6B sind schematische erläuternde Ansichten des Abscheidungskopfes 66. 6A ist eine Perspektivansicht des Abscheidungskopfes 66, von einer diagonal unteren Seite betrachtet, und 6B ist eine Ansicht des Abscheidungskopfes 66 von unten. 7 ist eine Perspektivansicht eines äußeren Gehäuses 70 und 8 ist eine Perspektivansicht eines inneren Gehäuses 71. Obwohl in 5 die mehreren Abscheidungsköpfe 66 gezeigt sind, kann jeder Abscheidungskopf 66 die gleiche Ausgestaltung aufweisen. Darüber hinaus kann, wie es oben ausführlich beschrieben ist, innerhalb der Verarbeitungskammer 61 eine untere Oberfläche des Abscheidungskopfes 66 zu der oberen Oberfläche des Substrats G weisen, das horizontal auf dem Haltetisch 64 in dem nach oben weisenden Zustand gehalten ist. Nachstehend wird das äußere Gehäuse 70 in der vorliegenden Beschreibung als ein erstes Gehäuse 70 bezeichnet, und das innere Gehäuse 71 wird als ein zweites Gehäuse 71 bezeichnet.
Das erste Gehäuse 70 und das zweite Gehäuse 71 können eine rechteckige Form aufweisen. Das erste Gehäuse 70 kann geringfügig größer als das zweite Gehäuse 71 sein. Ferner kann der Abscheidungskopf 66 ausgestaltet sein, um das erste Gehäuse 70 zu umfassen, wobei das zweite Gehäuse 71 darin eingesetzt ist. Öffnungen 72 und 73 können an einer unteren Fläche des ersten Gehäuses 70 bzw. einer unteren Fläche des zweiten Gehäuses 71 gebildet sein. Das zweite Gehäuse 71 kann in die untere Öffnung 72 des ersten Gehäuses 70 eingesetzt sein, so dass beide Öffnungen 72 und 73 einander überlappen.
Das erste Gehäuse 70 kann aus einem Material mit einer höheren Wärmeleitfähigkeit als die des zweiten Gehäuses 71 hergestellt sein. Beispielsweise kann für das erste Gehäuse 70 Kupfer verwendet werden. Eine obere Fläche (eine Fläche, die zu der Öffnung 72 weist) des ersten Gehäuses 70 kann mit der Materialzufuhrleitung 68 verbunden sein, die mit der in 5 gezeigten Materialzufuhrquelle 67 kommuniziert.
Zwischen Seitenflächen 75 und 76 des ersten Gehäuses 70 ist die Seitenfläche 75 größer als die Seitenfläche 76. Die Seitenfläche 75 kann eine Nut 80 umfassen, in die eine Heizung 77 eingebettet ist. Die Heizung 77 kann entlang eines Umfangs der quadratischen Seitenfläche 75 vorgesehen sein. Da die Heizung 77 in die Nut 80 eingebettet ist, kann eine Kontaktfläche zwischen der Seitenfläche 75 des ersten Gehäuses 70 und der Heizung 77 zunehmen, was zu einer Erhöhung der Wärmeleitfähigkeit führt.
In den Zeichnungen kann sich die Nut 80 zu einer Seitenfläche der Materialzufuhrleitung 68, die mit der oberen Oberfläche des ersten Gehäuses 70 verbunden ist, erstrecken, und die Heizung 77 kann darin eingebettet sein.
Um die Heizung 77 in die Nut 80 einzubetten, wie es in 9A gezeigt ist, kann die Heizung 77 lediglich in die Nut 80 gesetzt werden. Ferner kann die Heizung 77, wie es in 9B gezeigt ist, in die Nut 80 gesetzt und anschließend von einer oberen Richtung der Nut 80 nach unten gedrückt sein. Infolgedessen kann die Seitenfläche 75 des ersten Gehäuses 70 sicher in Kontakt mit der Heizung 77 stehen und eine Kontaktfläche dazwischen kann zunehmen, was zu einer zunehmenden Wärmeleitfähigkeit führt.
Zwischen den Seitenflächen 75 und 76 des ersten Gehäuses 70 ist die Seitenfläche 76 kleiner als die Seitenfläche 75. Die Seitenfläche 76 kann darauf einen Heizungsblock 81 aufweisen, der eine Heizung 78 darin umfasst. Der Heizungsblock 81 kann aus einem Material mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit, wie etwa Kupfer, hergestellt sein. Eine Fläche des Heizungsblocks 81 kann mit der Seitenfläche 76 des ersten Gehäuses 70 in Kontakt stehen. Somit kann Wärme, die von der Heizung 78 auf den Heizungsblock 81 übertragen wird, schnell auf die gesamte Seitenfläche 76 des ersten. Gehäuses 70 übertragen werden.
Das innere Gehäuse 71 kann aus einem Material mit geringerer Wärmeleitfähigkeit als das erste Gehäuse 70 hergestellt sein. Beispielsweise kann Edelstahl für das innere Gehäuse 71 verwendet werden. In einer oberen Fläche (eine Fläche, die zu der Öffnung 73 weist) des inneren Gehäuses 71 kann ein Materialgas-Einlassanschluss 82 gebildet sein, durch den ein Materialgas aus einer Materialzufuhrleitung 68 eingeleitet wird.
Wie es in 6A und 6B gezeigt ist, kann innerhalb des zweiten Gehäuses 71 eine Prallplatte 83 vorgesehen sein, die als eine Gasverteilungsplatte dient, um die Öffnung 73 von dem Materialgas-Einlassanschluss 82 abzuteilen. Die Prallplatte 83 kann von der Öffnung 73 weg beabstandet und derart angeordnet sein, dass sie parallel zu der Öffnung 73 innerhalb des zweiten Gehäuses 71 liegt. Die Prallplatte 83 kann beispielsweise eine Gitterform aufweisen, und mehrere Löcher 84 können in der gesamten Fläche der Prallplatte 83 gebildet sein. Die Prallplatte 83, die innerhalb des zweiten Gehäuses 71 vorgesehen ist, kann eine oder mehrere sein und kann an einer bestimmten Stelle innerhalb des zweiten Gehäuses 71 vorgesehen sein. Die Zahl und Anordnung der Prallplatte 83 kann abhängig von einer Strömungsgeschwindigkeit oder einer Strömungsrate eines Materialgases geeignet verändert werden, so dass das Materialgas gleichmäßig innerhalb des zweiten Gehäuses 71 verbreitet werden kann. Die Prallplatte 83 kann eine Form aufweisen, die zum Verteilen des Materialgases geeignet ist, und kann beispielsweise eine andere Stanzmetallform als die Gitterform aufweisen.
Wie es in 8 gezeigt ist, können mehrere Vorsprünge 85, die als Abstandshalterelemente dienen, über dem zweiten Gehäuse 71 gebildet sein.
Diese mehreren Vorsprünge 85 können mittels Formpressen, wie etwa eine Prägeverarbeitung, gebildet sein, und die Höhe jedes Vorsprungs 85 kann im Wesentlichen gleichmäßig sein. Die mehreren Vorsprünge 85 können gleichmäßig in den gesamten Außenflächen des zweiten Gehäuses 71 vorgesehen sein. Da das zweite Gehäuse 71, wie es oben beschrieben ist, in das erste Gehäuse 70 eingesetzt ist, können die Innenflächen des ersten Gehäuses 70 und die Außenflächen des zweiten Gehäuses 71 an Stellen der mehreren Vorsprünge 85 in partiellem Kontakt miteinander stehen. Darüber hinaus können in dem Abscheidungskopf 66 gemäß der vorliegenden Ausführungsform, wie es in 8 gezeigt ist, die Vorsprünge 85, die als die Abstandshalterelemente dienen, in dem zweiten Gehäuse 71 gebildet sein. Wenn jedoch nachgewiesen wird, dass eine Wärmeleitung von dem ersten Gehäuse 70 zu dem zweiten Gehäuse 71 schnell durchgeführt wird, ohne die Abstandshalterelemente (Vorsprünge 85) vorzusehen, müssen die Abstandshalterelemente (Vorsprünge 85) nicht in dem zweiten Gehäuse 71 vorgesehen sein.
Innerhalb der Verarbeitungskammer 61 der Abscheidungsvorrichtung 60, die den Abscheidungskopf 66 umfasst, der in 5 gezeigt ist, wie es oben beschrieben wurde, kann das Substrat G, auf dem die Anodenschicht auf seiner oberen Oberfläche, d. h. in dem nach oben weisenden Zustand gebildet ist, auf dem Haltetisch 64 montiert werden, wie es in 5 gezeigt ist, und kann entlang der Schiene 65 überführt werden. Ein Dampf aus einem Filmbildungsmaterial (Materialgas) kann von der Materialzufuhrquelle 67 durch die Materialzufuhrleitung 68 in das zweite Gehäuse 71 eingeleitet werden. Anschließend kann das Materialgas, das durch den in 6 gezeigten Materialgas-Einlassanschluss 82 in das zweite Gehäuse 71 eingeleitet wird, verbreitet werden, während es durch die Prallplatte 83 hindurchtritt. Dann kann das Materialgas gleichmäßig von den unteren Flächen (Öffnung 72 und 73) des Abscheidungskopfes 66 in Richtung der oberen Oberfläche des Substrats G ausgetragen werden.
In dem Abscheidungskopf 66, der in 6A und 6B gezeigt ist, kann das erste Gehäuse 70 durch die Heizungen 77 und 78, wie etwa eine Mantelheizung oder eine Patronenheizung, erwärmt werden. Da in diesem Fall das erste Gehäuse 70 aus einem Material mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit hergestellt sein kann, kann die Wärme schnell von den Heizungen 77 und 78 auf das gesamte erste Gehäuse 70 übertragen werden. Somit kann das gesamte erste Gehäuse 70 gleichmäßig erwärmt werden. Über die mehreren Vorsprünge 85, die die Innenflächen des ersten Gehäuses 70 in partiellen Kontakt mit den Außenflächen des zweiten Gehäuses 71 bringen, kann die Wärme von dem ersten Gehäuse 70 auf das zweite Gehäuse 71 übertragen werden, so dass das zweite Gehäuse 71 erwärmt werden kann. Da in diesem Fall die mehreren Vorsprünge 85, die die Innenflächen des ersten Gehäuses 70 in Kontakt mit den Außenflächen des zweiten Gehäuses 71 bringen, in dem gesamten zweiten Gehäuse 71 vorgesehen sein können, kann die Wärme im Wesentlichen gleichmäßig auf das ganze zweite Gehäuse 71 übertragen werden. Somit kann das zweite Gehäuse 71 gleichmäßig erwärmt werden. Dementsprechend kann das Materialgas, das in das zweite Gehäuse 71 eingeleitet wird, innerhalb des zweiten Gehäuses 71 unter den gleichen Bedingungen erwärmt werden, und eine Temperatur des Materialgases innerhalb des zweiten Gehäuses 71 kann vergleichmäßigt werden. Somit kann das Materialgas mit der gleichmäßigen Temperatur von der unteren Oberfläche (Öffnungen 72 und 73) des Abscheidungskopfes 66 in Richtung der oberen Oberfläche des Substrats G ausgetragen werden, wie es in 5 gezeigt ist.
Das heißt in dem Abscheidungskopf 66 gemäß der vorliegenden Ausführungsform, wie er in den 4A bis 4D gezeigt ist, kann das Gas gleichmäßig (äqitherm bzw. mit Temperaturausgleich) in Richtung des Substrats G unter Berücksichtigung sowohl der Strömungsrate als auch der Temperatur des Gases ausgetragen werden. Infolgedessen kann ein organischer Dünnfilm (lichtemittierende Schicht 51) mit hoher Gleichmäßigkeit auf dem Substrat G gebildet werden. Im Vergleich mit dem herkömmlichen Abscheidungskopf, der darin Zweigstromleitungen umfasst, kann darüber hinaus gemäß dem Abscheidungskopf 66 der vorliegenden Ausführungsform eine äquitherme Eigenschaft sichergestellt werden und ein Festwerden des Materialgases an einem Niedertemperaturbereich kann verhindert werden.
Wenn das Materialgas zu einem groß bemessenen Substrat, das für ein groß bemessenes Display, das in letzter Zeit stark verlangt wird, ausgetragen wird, kann eine Metallplattenstruktur, die durch Schneiden von Stahl gebildet wird, vorgesehen sein. Im Vergleich mit dem herkömmlichen Abscheidungskopf, der darin Zweigstromleitungen umfasst, kann es in diesem Fall möglich sein, die Herstellungskosten für den Abscheidungskopf 66 gemäß der vorliegenden Ausführungsform stark zu verringern. Herkömmlich ist eine blattförmige Heizung (Glimmerheizung) mit hohen Kosten für einen Abscheidungskopf, der ein Materialgas auf ein klein bemessenes Substrat für ein klein bemessenes Display austrägt, verwendet worden. Wenn jedoch die blattförmige Heizung für einen groß bemessenen Abscheidungskopf für ein groß bemessenes Substrat verwendet wird, können die Kosten aufgrund der großen Größe erhöht sein. Indem rohrförmige Heizungen 77 und 78, wie etwa die Mantelheizung oder die Patronenheizung, die in der vorliegenden Ausführungsform beschrieben sind, zusammen mit der blattförmigen Heizung verwendet werden, ist es daher möglich, Kosten zu verringern und es ist auch möglich, eine äquitherme Eigenschaft innerhalb des Abscheidungskopfes sicherzustellen.
Es ist die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben worden, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die oben beschriebene Ausführungsform begrenzt. Fachleute werden verstehen, dass verschiedene Änderungen und Abwandlungen innerhalb des Umfangs der begleitenden Ansprüche vorgenommen werden können, und es ist zu verstehen, dass alle Änderungen und Abwandlungen im Umfang der vorliegenden Offenbarung enthalten sind.
In der oben beschriebenen Ausführungsform ist beispielhaft die Abscheidungsvorrichtung 60 zum Herstellen der organischen EL-Einrichtung A erläutert worden. Darüber hinaus kann die vorliegende Offenbarung auch in einem Fall angewandt werden, bei dem ein Film mittels Abscheidung gebildet wird, wie etwa Li-Abscheidung in Prozessen verschiedener elektronischer Einrichtungen. Obwohl beschrieben worden ist, dass das Substrat G als ein Zielobjekt ein Glassubstrat ist, kann das Glassubstrat ein Siliziumsubstrat, ein quadratisches Substrat, ein kreisförmiges Substrat oder dergleichen umfassen. Ferner kann die vorliegende Offenbarung auf ein anderes Zielobjekt als ein Substrat angewandt werden.
In der vorliegenden Ausführungsform ist beschrieben worden, dass die Heizungen 77 (Nut 80) und 78 (Heizungsblock 81 in beiden Seitenflächen 75 und 76 des Abscheidungskopfes 66 vorgesehen sind. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf begrenzt, und die Heizungen 77 und 78 können in nur einer der Seitenflächen 75 und 76 vorgesehen sein. Das heißt eine der Heizungen 77 und 78, die in den Seitenflächen 75 und 76 vorgesehen sind, kann weggelassen werden. Eine Form, die Zahl und eine Anordnung der Heizungen 77 und 78 können abhängig von der Temperatur eines Abscheidungskopfes 66, die gemessen wird, während geheizt wird, wunschgemäß geeignet verändert werden. Die Anordnung davon ist nicht auf ein in 6 gezeigtes Beispiel begrenzt.
Beispielhaft ist 10 eine schematische Querschnittsansicht eines Abscheidungskopfes 66a mit einer Heizung 77 auf eine unterschiedliche Weise gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Wie es in 10 gezeigt ist, kann in dem Abscheidungskopf 66a die Heizung 77 in einem Raum zwischen dem ersten Gehäuse 70 und dem zweiten Gehäuse 71 mit einem Plattenelement 90 dazwischen vorgesehen sein. Das erste Gehäuse 70 und das zweite Gehäuse 71 brauchen nicht direkt miteinander in Kontakt zu stehen. Die Heizung 77 braucht wunschgemäß nicht an dem zweiten Gehäuse 71 befestigt zu sein. Ferner kann die Heizung 77 teilweise an dem ersten Gehäuse 70 befestigt sein, so dass Wärmeleckage vermindert werden kann. Darüber hinaus kann die Heizung 77 an einem anderen Element befestigt sein, das das oben beschriebene Plattenelement 90 ersetzt, und kann zwischen dem zweiten Gehäuse 71 und dem ersten Gehäuse 70 vorgesehen sein. Somit kann eine äquitherme Eigenschaft innerhalb des Abscheidungskopfes 66 effizienter sichergestellt werden. 10 zeigt, dass untere Enden (Umfänge von Öffnungen 72 und 73 in 10) des ersten Gehäuses 70 und des zweiten Gehäuses 71 nicht miteinander in Kontakt stehen. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf begrenzt, und das erste Gehäuse 70 und das zweite Gehäuse 71 können miteinander an den Umfängen der Öffnungen 72 und 73 in Kontakt stehen. Darüber hinaus kann die Heizung 77 (Plattenelement 90) luftdicht zwischen dem ersten Gehäuse 70 und dem zweiten Gehäuse 71 vorgesehen sein.
In den Abscheidungskopf 66 gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform, wie er in den 6A und 6B gezeigt ist, kann die Nut 80 eine Kreisringform in der Seitenfläche 75 aufweisen, und die Heizung 77 kann in die Nut 80 gesetzt sein. Jedoch ist eine Form der Heizung 77 nicht auf die Kreisringform begrenzt. Die 11A und 11B sind Seitenansichten eines Abscheidungskopfes 66, um eine Form einer darin vorgesehenen Heizung 77 zu zeigen. Eine Form der Heizung 77 kann geeignet verändert sein. Wie es in 11A gezeigt ist, kann die Heizung 77 an der Seitenfläche 75 in einer Form eines Heizens sowohl eines Außenumfangsabschnitts als auch eines zentralen Abschnitts der Seitenfläche 75 vorgesehen sein. Durch Vorsehen der Heizung 77 in dem zentralen Abschnitt zusätzlich zu dem Umfangsabschnitt der Seitenfläche 75, wie es in 11A gezeigt ist, kann eine Temperatur an einem Außenumfangsabschnitt und einem zentralen Abschnitt des Abscheidungskopfes 66 wesentlich vergleichmäßigt werden, und eine Temperaturdifferenz an einem Querschnitt innerhalb des Abscheidungskopfes 66 kann verringert werden. Deshalb kann eine äquitherme Eigenschaft eines Materialgases innerhalb des Abscheidungskopfes 66 mit hoher Genauigkeit sichergestellt werden.
Wenn eine äquitherme Eigenschaft in der Seitenfläche 75 ausreichend sichergestellt ist, selbst wenn eine Anordnungsdichte der Heizung 77 vermindert ist, kann die äquitherme Eigenschaft innerhalb des Abscheidungskopfes 66 ausreichend sichergestellt werden. Deshalb kann, wie es in 11B gezeigt ist, die Anordnungsdichte der Heizung 77 im Vergleich mit dem in 11A gezeigten Beispiel verringert werden. Die Anordnungsdichte der Heizung 77 kann abhängig von einer Temperaturdifferenz an dem Querschnitt innerhalb des Abscheidungskopfes 66 geeignet verändert werden. Da die Innenseite des Abscheidungskopfes 66 in einem Vakuumzustand ist, kann in seinen zentralen Abschnitt im Vergleich mit seinem Außenumfangsabschnitt kaum eine Wärmeübertragung auftreten. Deshalb kann es erwünscht sein, eine Heizung auf der Basis einer Wärmeübertragungsbedingung derart anzuordnen, dass der Außenumfangsabschnitt statt des zentralen Abschnitts durch die Heizung 77 weiter erwärmt und thermisch vergleichmäßigt werden kann.
Die in 11 gezeigte Anordnungsform der Heizung 77 braucht nicht auf das Beispiel begrenzt sein, bei dem die Heizung 77 in der Seitenfläche 75 des Abscheidungskopfes 66, d. h. der Außenfläche des äußeren Gehäuses 70, vorgesehen ist. Beispielhaft kann sie auf die Heizung 77 angewandt werden, die in dem Abscheidungskopf 66a gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, wie sie in 10 gezeigt ist, vorgesehen ist.
In dem Abscheidungskopf 66 gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform kann das erste Gehäuse 70 aus Kupfer hergestellt sein, das zweite Gehäuse 71 kann aus Edelstahl hergestellt sein, und die Heizung 77 kann in der Außenfläche des ersten Gehäuses 70 vorgesehen sein. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf begrenzt. Die Heizung 77 muss nicht in der Außenfläche des ersten Gehäuses 70 vorgesehen sein, um die äquitherme Eigenschaft innerhalb des Abscheidungskopfes 66 sicherzustellen. Deshalb wird nachstehend als eine zweite weitere Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Beispiel erläutert, bei dem eine Anordnung der Heizung 77 und ein Material jedes Gehäuses gegenüber der oben beschriebenen Ausführungsform verschieden sind.
Beispielhaft können in der zweiten weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das erste Gehäuse 70 und das zweite Gehäuse 71 aus Edelstahl hergestellt sein, und nur das zweite Gehäuse 71 kann mit einem wärmeleitfähigen Film, wie etwa einer Kupferbeschichtung mit einer Dicke von etwa 30 μm oder mehr beschichtet sein. In diesem Fall kann die Heizung 77 anders als bei der oben beschriebenen Ausführungsform wunschgemäß zwischen dem ersten Gehäuse 70 und dem zweiten Gehäuse 71 vorgesehen sein. Darüber hinaus kann gegebenenfalls zusätzlich zu dem zweiten Gehäuse 71 das erste Gehäuse 70 mit dem wärmeleitenden Film geeignet beschichtet sein, um die Ungleichmäßigkeit der Temperaturen an einem Querschnitt innerhalb des Abscheidungskopfes 66 zu verringern. Das heißt, ob eines oder beide von dem ersten Gehäuse 70 und dem zweiten Gehäuse 71 mit dem wärmeleitenden Film beschichtet ist/sind, kann abhängig von Temperaturdifferenzen an dem Querschnitt innerhalb des Abscheidungskopfes 66 geeignet ermittelt werden. Ferner kann es zulässig sein, nur eine Seite jedes Gehäuses mit dem wärmeleitenden Film zu beschichten. Beispielsweise kann im Fall einer Kupferbeschichtung, weil eine Edelstahlplatte in einen Kupferbeschichtungstank eingetaucht wird, jedoch typischerweise die Kupferbeschichtung allgemein auf beiden Seiten der Edelstahlplatte durchgeführt werden.
12 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Abscheidungskopfes 66b, in welchem nur das zweite Gehäuse 71 mit dem wärmeleitenden Film wie etwa der Kupferbeschichtung, beschichtet ist. 12 zeigt den wärmeleitenden Film nicht. In dem in 12 gezeigten Abscheidungskopf 66b kann die Außenfläche des zweiten Gehäuses 71 mit dem wärmeleitenden Film beschichtet sein. Darüber hinaus kann die Heizung 77 an der Außenfläche des zweiten Gehäuses 71 in einem Raum zwischen dem ersten Gehäuse 70 und dem zweiten Gehäuse 71, die nicht miteinander in Kontakt stehen, vorgesehen sein. Da die Außenfläche des zweiten Gehäuses 71 mit dem wärmeleitenden Film beschichtet ist, kann der Abscheidungskopf 66b ausreichend erwärmt und thermisch vergleichmäßigt werden, selbst wenn die Heizung 77 nicht in der gesamten Außenfläche des zweiten Gehäuses 71 vorgesehen ist. Aus diesem Grund kann im Hinblick auf die Kosten die an der Außenfläche des zweiten Gehäuses 71 vorgesehene Heizung 77 in einer niedrigen Dichte angeordnet sein, wie es in 11B gezeigt ist.
Da, wie es oben beschrieben ist, jedes Gehäuse (insbesondere das zweite Gehäuse 71), das aus Edelstahl hergestellt ist, mit einem wärmeleitfähigen Film, wie etwa einer Kupferbeschichtung, beschichtet ist, ist es möglich, die Härte des Gehäuses gegen thermische Verformung sicherzustellen. Darüber hinaus kann die Wärmeleitfähigkeit erhöht werden, und somit ist es möglich, Ungleichmäßigkeit in der Temperatur in jeder Komponente innerhalb des Abscheidungskopfes 66 zu unterdrücken. Da die Wärmeleitfähigkeit jedes Gehäuses (insbesondere des zweiten Gehäuses 71) erhöht ist, kann die Zahl der Heizungen 77 verringert werden, wie es in 11B gezeigt ist. Somit kann der Abscheidungskopf 66 kostengünstig sein. In diesem Fall kann abhängig von einer Temperaturverteilung, die in dem Abscheidungskopf 66 gemessen wird, geeignet ermittelt werden, ob eines oder beide von dem ersten Gehäuse 70 und dem zweiten Gehäuse 71 mit einer Kupferbeschichtung beschichtet wird.
Das heißt, da das erste Gehäuse 70 und das zweite Gehäuse 71 aus Edelstahl hergestellt sind, können die Kosten stark vermindert sein, und die Härte kann im Vergleich mit einem Fall erhöht sein, bei dem ein Gehäuse aus Kupfer hergestellt ist. Da darüber hinaus der Edelstahl mit dem wärmeleitenden Film beschichtet sein kann, kann eine äquitherme Eigenschaft innerhalb des Abscheidungskopfes 66 sichergestellt sein. Ferner ist es möglich, eine Verformung zu vermeiden, die durch die Kupfererwärmung hervorgerufen wird, die in einem Fall erzeugt werden kann, dass ein Gehäuse aus einer Kupferplatte mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit hergestellt ist. Hierin ist die Kupferbeschichtung als der wärmeleitende Film zur Erhöhung der Wärmeleitfähigkeit des Edelstahls beschrieben worden. Jedoch braucht der wärmeleitende Film nicht auf die Kupferbeschichtung begrenzt sein. Stattdessen kann ein Film mit einer höheren Wärmeleitfähigkeit als ein Grundmaterial (Material eines Gehäuses) angewandt werden. Beispielsweise ist es möglich, eine Beschichtung vorzunehmen, die in der Lage ist, die Wärmeleitfähigkeit zu erhöhen, wie etwa eine Goldbeschichtung oder eine Silberbeschichtung. Darüber hinaus kann ein wärmeleitender Film durch einen Verbindungsprozess der Folie, wie etwa einer Gold-/Silberfolie oder ein Druckstoßverfahren oder einen Diffusionsverbindungsprozess durchgeführt werden. Jedoch kann es in Anbetracht der Kosten erwünscht sein, eine Kupferbeschichtung vorzunehmen.
In dem Abscheidungskopf 66 gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform kann die Öffnung 72 (73) durch Öffnen einer der Seitenflächen des rechteckigen Gehäuses gebildet sein. Das Materialgas innerhalb des Abscheidungskopfes 66 kann durch die Gasverteilungsplatte (Prallplatte 83), die in dem Abscheidungskopf 66 vorgesehen ist, verteilt und zu dem Substrat G durch die Öffnung 72 (73) ausgetragen werden. Jedoch kann es sein, dass das Materialgas innerhalb des Abscheidungskopfes 66 nicht durch die Gasverteilungsplatte allein ausreichend verteilt wird. Deshalb kann es sein, dass das Materialgas nicht gleichmäßig zu dem Substrat G durch die Öffnung 72 (73) ausgetragen wird, und es kann sein, dass ein Film nicht gleichmäßig gebildet wird. In diesem Fall kann eine Austragsplatte, die aus beispielsweise einer Kupferplatte gebildet ist und ausgestaltet ist, zuzulassen, dass das Materialgas gleichmäßig durch die Öffnung 72 (73) ausgetragen wird, in dem Abscheidungskopf 66 gebildet sein, der in der oben beschriebenen Ausführungsform beschrieben ist.
13A und 13B sind schematische Ansichten eines Abscheidungskopfes 66, der eine Austragsplatte 95 (95a und 95b) umfasst. 13A ist eine schematische Ansicht des Abscheidungskopfes 66, der die Austragsplatte 95a mit einem Schlitz 96 umfasst, und 13B ist eine schematische Ansicht des Abscheidungskopfes 66, der die Austragsplatte 95b mit Austragslöchern 97 umfasst. Eine Öffnungsbreite des Schlitzes 96 kann beispielsweise 1 mm betragen. Um das Materialgas aus dem Abscheidungskopf 66 gleichmäßig auszutragen, ist es erwünscht, eine Vielzahl von Austragslöchern 97 vorzusehen. Eine Anordnung oder die Ziel der Austragslöcher 97 kann auf eine Weise ermittelt werden, die zulässt, dass das Materialgas gleichmäßig ausgetragen werden kann. Da die Austragsplatte 95 (95a und 95b), die in 13A und 13B gezeigt ist, in der Öffnung 72 (73) des Abscheidungskopfes 66 vorgesehen ist, ist es möglich, das Materialgas gleichmäßiger zu dem Substrat G auszutragen, so dass ein Dünnfilm mit hoher Gleichmäßigkeit gebildet werden kann. Jedoch in der Austragsplatte 95a mit dem Schlitz 96 gibt es ein Problem, das die Breite des Schlitzes 96 aufgrund von Wärme, die durch Temperaturanstieg erzeugt wird, verändert werden kann und eine Verteilung des Materialgases nicht vergleichmäßigt werden kann. Insbesondere dann, wenn ein Materialgas mit hoher Temperatur verwendet wird, kann es erwünscht sein, die Austragsplatte 95b mit den Austragslöchern 97 zu verwenden. Beispielsweise kann ein Durchmesser des Austragslochs 97 einen Bereich von 1,5 mm bis etwa 3,5 mm aufweisen, und ein Teilungsabstand zwischen den Austragslöchern 97 kann etwa 5 mm betragen. Darüber hinaus sind die Austragslöcher 97 nicht auf die Anordnung in einer einzelnen Linie begrenzt, die in 13B gezeigt ist, und sie können in zwei oder mehr Linien angeordnet sein.
In der oben beschriebenen Ausführungsform, wie sie in 6 gezeigt ist, ist beschrieben worden, dass Heizungen, wie etwa die Mantelheizung und die Patronenheizung, die als die Heizungen 77 und 78 dienen, in die in der Außenfläche des ersten Gehäuses 70 gebildete Nut 80 eingesetzt sein können. In ihrem Abwandlungsbeispiel (weitere Ausführungsform), wie es in 10 gezeigt ist, ist beschrieben worden, dass die Heizung 77 in dem Raum zwischen dem ersten Gehäuse 70 und dem zweiten Gehäuse 71 mit dem Plattenelement 90 dazwischen vorgesehen sein kann. Jedoch ist eine Heizung, die in dem Abscheidungskopf 66 vorgesehen ist, nicht auf die obige Ausgestaltung begrenzt. Beispielsweise kann ein abgedichteter Raum 100 zwischen dem ersten Gehäuse 70 und dem zweiten Gehäuse 71 gebildet sein. Eine flüchtige Flüssigkeit L und eine rohrförmige Heizung 77, deren Temperatur gesteuert werden kann, können in dem abgedichteten Raum 100 vorgesehen sein.
Nachstehend wird als eine dritte weitere Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Abscheidungskopf 66 mit dem abgedichteten Raum 100 anhand der begleitenden Zeichnungen erläutert. 14A und 14B liefern eine schematische Ansicht von vorne (14A) und eine schematische Seitenansicht (14B) eines Abscheidungskopfes 66 mit dem abgedichteten Raum 100. Um den Innenraum des abgedichteten Raums 100 zu erläutern, ist ein Querschnitt eines Teils des abgedichteten Raums 100 veranschaulicht. In dem abgedichteten Raum 100 können die Heizung 77 und die Flüssigkeit L eingeschlossen sein. Die Flüssigkeit L kann beispielsweise Wasser oder Naphthalin umfassen, welche bei einer bestimmten Temperatur verdampft werden können. Die Heizung 77 kann beispielsweise eine Patronenheizung und eine Mantelheizung umfassen.
Wie es in 14A und 14B gezeigt ist, kann der abgedichtete Raum 100 in der gesamten Fläche (beide Seitenflächen 75 und 76 der oben beschriebenen Ausführungsformen) eines Abscheidungskopfes 66 mit Ausnahme der Öffnung 72 (untere Fläche des Abscheidungskopfes 66 in den 14A und 14B) gebildet sein. Wie es in 14A und 14B gezeigt ist, können an der Seitenfläche 75 (größer als die Seitenfläche 76) drei abgedichtete Räume 100 derart gebildet sein, dass sie jeweils drei unterteilten Abschnitten der Seitenfläche 75 in einer Längsrichtung entsprechen. An der Seitenfläche 76 kann ein einzelner abgedichteter Raum 100 gebildet sein, so dass er die gesamte Fläche davon bedeckt. Darüber hinaus kann der abgedichtete Raum 100 derart gebildet sein, dass er die Außenfläche der Materialzufuhrleitung 68 bedeckt, die ausgestaltet ist, um das Materialgas zuzuführen.
Der Innenraum des abgedichteten Raums 100 kann in einem abgedichteten Zustand sein, und die Flüssigkeit L und die Heizung 77 können darin vorgesehen sein. Es kann sein, dass die Menge der Flüssigkeit L nicht ausreicht, um den gesamten Innenraum des abgedichteten Raums 100 zu füllen, diese aber ausreichend sein kann, um an einem unteren Abschnitt des abgedichteten Raums 100 vorzuliegen. In der vorliegenden Ausführungsform kann die Heizung 77 in die innerhalb des abgedichteten Raums 100 vorliegende Flüssigkeit L eingetaucht sein. Darüber hinaus kann die Heizung 77 eine ausreichende Größe/Länge aufweisen, um die an dem unteren Abschnitt des abgedichteten Raums 100 vorliegende Flüssigkeit L zu erwärmen. Ihre Größe/Länge kann geeignet ermittelt werden.
In dem abgedichteten Raum 100 kann die innerhalb des abgedichteten Raums 100 vorliegende Flüssigkeit L verdampft werden, indem sie durch die Heizung 77 erwärmt wird. Freigesetzter Dampf kann mit der gesamten Innenfläche des abgedichteten Raums 100 in Kontakt gelangen, so dass der abgedichtete Raum 100 insgesamt erwärmt werden kann. Das heißt der abgedichtete Raum 100 kann eine Ausgestaltung/Arbeitsweise ähnlich wie ein so genanntes ”Wärmeleitrohr” aufweisen. In diesem Fall kann der Dampf der Flüssigkeit L mittels Wärmeaustauschs mit der Innenfläche gekühlt werden, nachdem er mit der Innenfläche des abgedichteten Raums 100 in Kontakt gelangt ist, und verflüssigt werden (Flüssigkeit L), so dass sie innerhalb des abgedichteten Raums 100 vorliegt. Das heißt die Flüssigkeit L kann innerhalb des abgedichteten Raums 100 zirkulieren, während sie Verdampfung und Verflüssigung wiederholt. Darüber hinaus ist in der vorliegenden Ausführungsform eine Form der Innenfläche des abgedichteten Raums 100 nicht begrenzt und kann eine typische Ebene sein. Um jedoch die verflüssigte Flüssigkeit L nach Kontakt mit der Innenfläche des abgedichteten Raums 100 in die Flüssigkeit L, die an dem unteren Abschnitt des abgedichteten Raums 100 effizienter zurückströmen zu lassen, kann erwünschtermaßen die Innenfläche des abgedichteten Raums 100 ein großes Oberflächengebiet und eine Form aufweisen, die leicht eine Kapillarerscheinung hervorrufen können. Beispielsweise kann der Oberflächenprozess an der Innenfläche des abgedichteten Raums 100 durchgeführt werden, sodass sie eine Gitterform und eine Nutform aufweist.
In dem oben beschriebenen Abscheidungskopf 66, um den herum der abgedichtete Raum 100 gebildet ist, kann, wenn ein Materialgas zugeführt wird, die Flüssigkeit L innerhalb des abgedichteten Raums 100 durch die Heizung 77 erwärmt werden, so dass sie verdampft ist. Danach kann der abgedichtete Raum 100 mit dem Dampf gefüllt sein, der eine annähernd konstante Temperatur aufweist. Somit kann die Seitenfläche des Abscheidungskopfes 66, die vollständig durch die abgedichteten Räume 100 bedeckt ist, gleichmäßig durch die jeweiligen abgedichteten Räume mit einer bestimmten Temperatur erwärmt werden. Deshalb kann das Materialgas, das von der Materialzufuhrleitung 68 zugeführt wird, innerhalb des Abscheidungskopfes 66 gleichmäßig auf eine bestimmte Temperatur erwärmt werden. Da die abgedichteten Räume 100 in der gesamten Seitenfläche des Abscheidungskopfes 66 vorgesehen sind, kann die Seitenfläche mit hoher Genauigkeit gleichmäßig erwärmt werden. Ferner kann das Materialgas innerhalb des Abscheidungskopfes 66 durch Strahlungswärme mit hoher Genauigkeit von den gleichmäßig temperierten Seitenflächen des Abscheidungskopfes 66 gleichmäßig erwärmt werden.
Da eine Temperatur der in jedem abgedichteten Raum 100 vorgesehenen Heizung 77 gesteuert werden kann, kann eine interne Temperatur jedes abgedichteten Raums 100 gesteuert werden. Die interne Temperatur jedes abgedichteten Raums 100 kann auf der Basis einer gemessenen Temperaturverteilung innerhalb des Abscheidungskopfes 66 geeignet gesteuert werden, und der Abscheidungskopf 66 kann gleichmäßig erwärmt werden, um eine bestimmte Temperatur mit hoher Genauigkeit zu erhalten. Das heißt, selbst wenn ein Teil des Abscheidungskopfes 66 eine Temperatur aufweisen würde, die niedriger als andere Abschnitte davon wäre, kann durch geeignetes Steuern einer Temperatur jedes abgedichteten Raums 100 entsprechend dem Niedertemperaturabschnitt der ganze Innenraum des Abscheidungskopfes 66 schnell und gleichmäßig erwärmt werden.
Es ist erläutert worden, dass in der vorliegenden Ausführungsform (dritte weitere Ausführungsform) die Seitenfläche 75 des Abscheidungskopfes 66 in drei Abschnitte in einer Längsrichtung unterteilt sein kann, und dass die drei abgedichteten Räume 100, die diesen jeweils entsprechen, gebildet sein können. Die vorliegende Offenbarung ist nicht auf diese Ausführungsform begrenzt. Die Zahl oder Lagen der abgedichteten Räume 100, die in der Seitenfläche des Abscheidungskopfes 66 gebildet sind, können geeignet verändert werden, um den Innenraum des Abscheidungskopfes 66 effizient und gleichmäßig zu erwärmen.
In der oben beschriebenen Ausführungsform kann der Abscheidungskopf 66 das erste Gehäuse 70 und das zweite Gehäuse 71 umfassen. Der Abscheidungskopf 66 der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf begrenzt. In der vorliegenden Offenbarung muss der Abscheidungskopf 66 kein Gehäuse aufweisen. Beispielsweise kann ein plattenförmiges Element in einer Gehäuseform vorgesehen sein.
In der oben beschriebenen Ausführungsform können die mehreren Vorsprünge 85, die als die Abstandshalterelemente dienen, die ausgestaltet sind, um die Innenfläche des ersten Gehäuses 70 in partiellen Kontakt mit der Außenfläche des zweiten Gehäuse 71 zu bringen, in der gesamten Außenfläche des zweiten Gehäuses 71 gebildet sein. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf begrenzt. Die Vorsprünge 85 können an der Innenfläche des ersten Gehäuses 70 gebildet sein, oder die Vorsprünge 85 können an der Innenfläche des ersten Gehäuses 70 und der Außenfläche des zweiten Gehäuses 71 gebildet sein. Hier unterscheidet sich das Material der Vorsprünge 85, die an der Innenfläche des ersten Gehäuses 70 gebildet sind, von dem an der Außenfläche des zweiten Gehäuses 71. Als das Abschnitthalterelement kann darüber hinaus ein Füllmaterial, wie etwa Stahlwolle, verwendet werden.
Experimentelles Beispiel
Als ein experimentelles Beispiel 1 der vorliegenden Offenbarung ist ein Abscheidungskopf mit einer in 6 gezeigten Ausgestaltung tatsächlich in einer Abscheidungsvorrichtung vorgesehen. Ein äußeres Gehäuse ist aus Kupfer hergestellt, ein inneres Gehäuse ist aus Edelstahl hergestellt und eine Prägeverarbeitung ist an dem inneren Gehäuse gleichmäßig durchgeführt. Darüber hinaus ist tatsächlich eine rohrförmige Heizung an jeder in 6 gezeigten Stelle vorgesehen. Anschließend wird der Abscheidungskopf durch jede Heizung erwärmt, und ein Materialgas wird aus einer Öffnung ausgetragen. Zu diesem Zeitpunkt werden eine Oberflächentemperatur des Abscheidungskopfes und eine Temperatur um die Öffnung herum analysiert (simuliert). Die 15A und 15B zeigen ein Ergebnis der Analyse. Genauer zeigt 15A die Oberflächentemperatur des Abscheidungskopfes, und 15B zeigt ein Ergebnis der Temperaturen, die um die Öffnung des Abscheidungskopfes herum gemessen werden.
Eine Temperaturdifferenz zwischen einem zentralen Abschnitt einer Außenwand und einem Umfangsabschnitt der Außenwand in 15A und eine Temperaturdifferenz zwischen dem Mittelabschnitt der Öffnung und einem Endabschnitt der Öffnung in 15B betragen jeweils etwa 1°C oder weniger. Infolgedessen kann angenommen werden, dass die Oberflächentemperatur des Abscheidungskopfes und die Temperaturen um die Öffnung des Abscheidungskopfes herum eine äquitherme Eigenschaft aufweisen, die mit hoher Genauigkeit sichergestellt ist.
Als ein experimentelles Beispiel 2 der vorliegenden Offenbarung wird eine Temperaturverteilung an einem Querschnitt innerhalb des Abscheidungskopfes gemessen, während eine Anordnung eine Heizung variiert und das Vorhandensein/Fehlen einer Kupferbeschichtung als ein wärmeleitender Film verändert wird. 16A bis 16C sind Graphen, die Messstellen und Temperaturverteilungen in diesem Abscheidungskopf zeigen. 15A und 15B zeigen Messdaten, wobei eine Längsachse davon eine Temperatur (°C) bezeichnet und eine horizontale Achse davon eine Distanz (mm) von der Mitte des Abscheidungskopfes in Richtung der Breite bezeichnet. Jedoch werden alle in 16A bis 16C gezeigten Messungen für einen Abscheidungskopf ausgeführt, in welchem eine Heizung in einer Außenfläche eines inneren Gehäuses vorgesehen ist.
16A ist ein Graph, der ein Ergebnis einer Temperaturdifferenz zeigt, die an einem Querschnitt innerhalb eines Abscheidungskopfes gemessen wird, wenn eine Heizungsdichte hoch ist, wie es in 11A gezeigt ist. Indessen ist 16B ein Graph, der ein Ergebnis einer Temperaturdifferenz zeigt, die an einem Querschnitt innerhalb des Abscheidungskopfes gemessen wird, wenn die Heizungsdichte niedrig ist, wie es in 11B gezeigt ist. 16C ist ein Graph, der ein Ergebnis einer Temperaturdifferenz zeigt, die an einem Querschnitt innerhalb eines Abscheidungskopfes gemessen wird, in welchem eine Außenfläche eines inneren Gehäuses mit einer Kupferbeschichtung bedeckt ist, wenn eine Heizungsdichte niedrig ist, wie es in 11B gezeigt ist.
Wenn die Heizungsdichte hoch ist, wie es in 16A gezeigt ist, kann die Temperaturdifferenz an dem Querschnitt innerhalb des Abscheidungskopfes höchstens etwa ±35°C mit Bezug auf eine gewünschte Innentemperatur von etwa 450°C betragen. Darüber hinaus kann, wie es in 16B gezeigt ist, wenn die Heizungsdichte niedrig ist, die Temperaturdifferenz an dem Querschnitt innerhalb des Abscheidungskopfes höchstens etwa ±20°C mit Bezug auf eine gewünschte Innentemperatur von etwa 450°C betragen. Indessen kann, wie es in 16C gezeigt ist, wenn eine Fläche mit einer Heizung mit einer Kupferbeschichtung bedeckt ist und die Heizungsdichte niedrig ist, die Temperaturdifferenz an dem Querschnitt innerhalb des Abscheidungskopfes höchstens etwa ±4,5°C mit Bezug auf eine gewünschte Innentemperatur von etwa 450°C betragen.
Es ist aus dem Ergebnis des experimentellen Beispiels 2 zu sehen, dass, wenn die Heizungsdichte niedrig festgelegt ist und die Oberfläche mit der Heizung mit der Kupferbeschichtung (wärmeleitender Film) bedeckt ist, die Temperaturdifferenz an dem Querschnitt innerhalb des Abscheidungskopfes verringert und eine ausreichende äquitherme Eigenschaft sichergestellt sein kann. Das heißt, indem ein wärmeleitender Film an der Oberfläche mit der Heizung gebildet ist, kann die Zahl von Heizungen verringert und die äquitherme Eigenschaft sichergestellt sein, was zu einer Kostenreduktion führt.
Industrielle Anwendbarkeit
Die vorliegende Offenbarung kann beispielsweise auf einen Abscheidungskopf, der für die Abscheidung eines organischen Films bei der Herstellung einer organischen EL-Einrichtung verwendet wird, und auf eine Abscheidungsvorrichtung, die den Abscheidungskopf umfasst, angewandt werden.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2004-079904 [0006]

Claims

Abscheidungskopf, der innerhalb einer Abscheidungsvorrichtung zum Bilden eines Dünnfilms auf einem Substrat vorgesehen und ausgestaltet ist, ein Materialgas in Richtung des Substrats auszutragen, wobei der Abscheidungskopf umfasst: ein äußeres Gehäuse; und ein inneres Gehäuse, das innerhalb des äußeren Gehäuses vorgesehen ist und in das das Materialgas eingeleitet wird, wobei in dem inneren Gehäuse eine Öffnung gebildet ist, die ausgestaltet ist, um das Materialgas in Richtung des Substrats auszutragen, und eine Heizung, die ausgestaltet ist, um das Materialgas zu erwärmen, an einer Außenfläche des äußeren Gehäuses oder in einem Raum zwischen dem äußeren Gehäuse und dem inneren Gehäuse vorgesehen ist.
Abscheidungskopf nach Anspruch 1, wobei die Heizung an einem Plattenelement befestigt ist, das zwischen dem äußeren Gehäuse und dem inneren Gehäuse vorgesehen ist.
Abscheidungskopf nach Anspruch 1, wobei die Heizung entlang eines Umfangs einer Seitenfläche des äußeren Gehäuses oder des inneren Gehäuses vorgesehen ist.
Abscheidungskopf nach Anspruch 1, wobei die Heizung eine Mantelheizung oder eine Patronenheizung umfasst.
Abscheidungskopf nach Anspruch 1, wobei ein Abstandshalterelement, das ausgestaltet ist, um eine Innenfläche des äußeren Gehäuses in partiellen Kontakt mit einer Außenfläche des inneren Gehäuses zu bringen, an zumindest einen von dem äußeren Gehäuse und dem inneren Gehäuse vorgesehen ist.
Abscheidungskopf nach Anspruch 1, wobei ein abgedichteter Raum zwischen dem äußeren Gehäuse und dem inneren Gehäuse gebildet ist, die Heizung innerhalb des abgedichteten Raums vorgesehen ist, und eine flüchtige Flüssigkeit in dem abgedichteten Raum vorgesehen ist.
Abscheidungskopf nach Anspruch 1, wobei die Wärmeleitfähigkeit des äußeren Gehäuses gleich oder höher als die Wärmeleitfähigkeit des inneren Gehäuses ist.
Abscheidungskopf nach Anspruch 5, wobei das Abstandshalterelement an einem oder beiden von dem äußeren Gehäuse und dem inneren Gehäuse vorgesehen ist, und ein Abstandshalterelement, das an dem äußeren Gehäuse vorgesehen ist, aus einem Material hergestellt ist, das sich von einem Material des Abstandshalterelements unterscheidet, das an dem inneren Gehäuse vorgesehen ist.
Abscheidungskopf nach Anspruch 5, wobei das Abstandshalterelement eine Vielzahl von Vorsprüngen umfasst, die durch Formpressen oder ein Füllmaterial gebildet sind.
Abscheidungskopf nach Anspruch 9, wobei das Formpressen eine Prägeverarbeitung oder eine Schweißverarbeitung umfasst.
Abscheidungskopf nach Anspruch 1, wobei ein Material des äußeren Gehäuses Edelstahl oder Kupfer umfasst.
Abscheidungskopf nach Anspruch 1, wobei ein Material des inneren Gehäuses Edelstahl umfasst.
Abscheidungskopf nach Anspruch 1, wobei eine Dicke zumindest eines Teils des inneren Gehäuses etwa 3 mm oder weniger beträgt.
Abscheidungskopf nach Anspruch 1, wobei eine Gasverteilungsplatte innerhalb des inneren Gehäuses vorgesehen ist.
Abscheidungskopf nach Anspruch 14, wobei die Gasverteilungsplatte eine gitterförmige Prallplatte oder eine Stanzmetallplatte umfasst.
Abscheidungskopf nach Anspruch 1, wobei ein wärmeleitender Film auf einem oder beiden von dem inneren Gehäuse und dem äußeren Gehäuse gebildet ist.
Abscheidungskopf nach Anspruch 16, wobei der wärmeleitende Film auf zumindest einer Außenfläche des inneren Gehäuses gebildet ist.
Abscheidungskopf nach Anspruch 1, wobei in der Öffnung eine Austragsplatte vorgesehen ist, die ausgestaltet ist, um das Materialgas gleichmäßig auszutragen.
Abscheidungskopf nach Anspruch 18, wobei die Austragsplatte einen Schlitz umfasst, der ausgestaltet ist, um das Materialgas auszutragen.
Abscheidungskopf nach Anspruch 18, wobei die Austragsplatte mehrere Austragslöcher umfasst, die ausgestaltet sind, um das Materialgas auszutragen
Abscheidungskopf nach Anspruch 18, wobei die Austragsplatte aus einer Edelstahlplatte, einem rostfreiem Block, einer Kupferplatte oder einem Kupferblock gebildet ist.
Abscheidungsvorrichtung zum Bilden eines organischen Dünnfilms auf einem Substrat, wobei die Abscheidungsvorrichtung umfasst: eine Verarbeitungskammer, die ausgestaltet ist, um darin ein Substrat aufzunehmen; und einen Abscheidungskopf nach Anspruch 1, der eine Öffnung umfasst, die ausgestaltet ist, um ein Materialgas in Richtung des Substrats innerhalb der Verarbeitungskammer auszutragen.
Abscheidungsvorrichtung nach Anspruch 22, die ferner umfasst: eine Trägergas-Zufuhreinheit, die ausgestaltet ist, um ein Trägergas, das das Materialgas transportiert, zuzuführen.
Abscheidungsvorrichtung nach Anspruch 22, wobei ein Innenraum der Verarbeitungskammer drucklos ist.