TW201102454A - Vapor deposition head and film forming device - Google Patents

Description

201102454 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於製造例如有機EL元件時用於蒸鍍有機膜之蒸鍍 喷頭’及包含該蒸鍍喷頭之蒸鍍處理裝置。 【先前技術】 近年來’有人研發利用電致發光（EL:Electro Luminescence) 之有機EL元件。相較於陰極射線管等，有機EL元件消耗電力小， 且係自發光，故有在視角上較液晶顯示器（LCD)等優異等之優點， 可期待今後之發展。

此有機EL元件最基本的構造係在玻璃基板上重疊陽極 fanode)層、發光層及陰極（cath〇de)層而形成之三明治構造。 ，，發光層之光線取出至外側，玻璃基板上的陽極層中使用有ιτ〇 元0xide)所構成之透明電極。一般而言，該有機EL 形成有IT〇請極層）之玻璃基板上依序使 二二丢Ϊ層成膜，且使封裝膜層成膜，藉此製造之。 層、封^1上1機EL凡件之製造係藉由使發光層或陰極 處理系^進^。、之種成膜處理裂置，或包含餘刻裝置等之 氣體供給Ϊ;蒸層f二:法，已知由材料 出材料氣體，並進行謹自纽噴頭朝玻璃基板噴 配置ΐί數示片2〇，縮所示分散 【專利文獻U曰本特開2004-79904號公報 【發明内容】 (¾明所欲解決之課題） 201102454 通過頭使有機膜成膜時， :tD;i之，同。且=====:體之 法‘算之距離產生差異，存在有於基板i 成膜約3 ^ ^ ί==ΓΤ4:6、倍大示= 基板上成断，魏噴頭亦隨之需係大型者。於大 喷頭*中，若欲在其内部設置分支流路^分支合 Ί ίίί=2=ΪΓ長期化，且製作成本增大之問i點二: 生大1的1里；^右曰二通過流路内之材料氣體溫度分布上會產 生大y差異，存在有低溫之材料氣體於流路内析出等可能性。 f此:本發明之目的在於提供—種 之流出量不僅在以往的=板: 可均一化’且喷出可保證均熱性之材料氣體，使 .(解決課題之手段） 種蒸鑛噴頭’設於使薄膜成膜於基板之 j處理健内，朝基板喷出材料氣體，其特徵在於包含·外侧 威體；及内側殼體，配置於該外側殼體内，可導人材料氣體；且 於该内側殼體形成有朝基板嘴出材料氣體之開口部，於該外側没 體外面或該外鑛體與該_殼體之間配置有對材料氣體 熱之加熱器。 4ΐ該f熱11亦可固定於配置在餅織體與軸側殼體間之 反4 U亥加熱态亦可於該外側殼體或該内側殼體側面沿周邊部 配置。且該加熱器亦可係鞘式加熱器或匣式加熱器。且於該外側 殼體與該内侧殼體其中至少一者亦可形成有使該外側殼體内面與 ，内側殼體外面部分接觸之咖構件。且於料鑛體與該内侧 殼體之間亦可形成有密閉空間，該加熱器設於該密閉空間内，於 4

I 201102454 該密閉空間中封入揮發性液體。 且遠外側殼體之熱傳導亦可與該内側殼體之熱傳導同等，或 高於該内側殼體之熱傳導。該驗噴頭中，外侧殼體熱傳導高， 故加熱器，可迅速傳導至外侧殼體整體，均一加熱外侧殼體整 體。又，藉由使外側殼體内面與内侧殼體外面部分接觸之間隔構 件，熱自外側殼體傳導至内側殼體，對内側殼體進行加熱。此時， 使外側殼體内面細側紐外面細之間隔構件分布並形成於外 ^殼體或是_殼輕體，故纽可均—料熱至_殼體整 體，均一對内側殼體整體進行加熱。藉此，可以相同條件對導入 至内侧殼體内之材料氣體進行加熱，關殼翻材料氣體溫度均 一。如此溫度均一之材料氣體自開口部朝基板噴出，而均一地成 膜0 、且該間隔構件亦可形成於該㈣殼體及該⑽殼體里中一者 或於其雙方皆軸之，職於該外赌體之關隔構件^形成於 隔構件係分別以不同構編。且該間隔構件 亦了係，由ι製成形形成之複數突起部或填充材料。 有;出 均且：J =二:=: 、射喷射Ϊ宜係不鏽鋼板、不鏽鋼塊、銅板或銅塊。 有滅㈣心觀5 ’依本發明可提供—種紐處理裝置，使 :及 二r容器’用， 料氣體之㈣韻 201102454 氣體，例如_綱載編，該處理 (發明之效果） 理裝置，ί二:喷頭及包含該蒸鍍喷頭之蒸鍍處 勺化，且喷出可保證均熱性之材料氣體，可均-成|板 【實施方式】 式中施形態。又’本說明書及圖 符號省略重複說明。％成之構成要素，係藉由賦予同- 裝置置1之概略圓°如圖1所示，成膜 _員20，^橫跨腔、室又之f板^持室11，設置蒸 固持室11喃下方配置有喷、出、I 〇鑛喷碩20於基板 持室11設有水平固持基板G 21。且於基板固 上之狀態（面朝上> 由固持么S;12:基板“乂成臈之表面在 開口部21與基板G上表面對向。置。糟此配置驗喷頭20之 ’於成膜時 供給管31連通設置於㈣空狀態。蒸鐘喷頭20經由材料 3】中設有控糖料氣體^給° 材料供給管 閉閥32時用以使氣體_ ^自才枓供奸31起設有關 氣體退避管33設有閥34。日二泵13之氣體退避管33，於 回收殘留於蒸鍍喷頭20内^20中設有成膜結束後用以 出管35，於氣體流出管S3^體’連通真空果13之氣體流 於基喷頭别中，為使成膜 熱性之狀態下自開π部2°丨出量解，且可保證均 材料氣體。 朝土板G噴出由材料供給器30供給之 6 201102454 處理實施形態使崎料頭66，藉由包含蒸锻 備陽極(一)層50 ===基 i notL ^!'J^o 50 ^ 50 ^ ^ )W5i4 m ΐ 非發光層（電子阻播層）、藍發光声、^1 輸送層 輸送層之多層構成等所^^層紅t先層、綠發光層、電子 罩之S之所示，於發光層51之上，藉由例如使用遮 ^雜之方式軸例如Ag、A1等所構成之陰極（cath〇de)層 51進瓣，藉由對發光層 性封=構成之絕緣 θ如此絲編懷膜層… 極片52之「有機牛中，藉由在陽極層50與陰 5 51 ° EL a 1 蒸鑛ίΐ裝=。3^==&)所示之發光層51成膜之 序之賴纽，處理1 工 故省略此等細。 湖«置及方法， 圖。m之概略性說明 示之，μ 叙方式使包含以⑷所 祕處理裝置60包含經密封之處理容器6卜處理容器61呈 201102454 長邊方向為基板G輸送方向之立方體形狀，處 由閘閥62連接其他成膜處理裝置等。 谷。。61則後面經 ^里容器61底面連接具有真空果（未經圖示） 處理谷器61内部已減壓。且於處置容器61内 亚、、、， 板G之固持台64。基板“形成有陽極層5()之幺 上狀態載置於固持台64。固持台64在沿基板 面朝 條65上移動，以輸送基板G。 販^輸运方向配置之執 理Ϊ11 61頂棚面’沿基板G輸送方向配置有複數（圄5 ，個）纽喷頭66。各蒸錄喷頭66經由材料二^ j接供給使發光層51細之賴材料蒸 體y = ^=1：自各_頭66喷出由_料^6^= 成膜材枓蒸氣，並同時輸送固持在固持台料上 、1之 ίϋίί面依序使電洞輸送層、非發光層、藍ΐί層Si 發光層、電子輸送層等成膜，以在基板G上表面形成發ί 察篆柄触66之概略性說明圖。圖6 (a)係自斜下方觀 圖ϋ槿體圖’圖6⑻係蒸鍍喷頭66之下表面圖。 體體==顧7°之立體圖，圖8係内側殼 造相同。壯上述於處理容器61内部，蒸 ί 態水平固持在固持台64上的基板〇上表面對 rL丨Μ触’於本說明書以下說明中，以外側殼體70為第1殼體70， 内側殼體71為第2殼體71。 π _⑴ 第ϋ，5、7°與第2殼體71中任一者皆形成為立方體形狀， 阶番^ !稍大於第2殼體71，蒸鑛喷頭66中，第2殼體71 'r 1殼體70内部。第1殼體70下表面與第2殼體71下表 口 j 口面72、73，第2殼體71插入第】殼體7〇下開口面72， 王兩者開口面72、73 一致之狀態。 if 1 Φ殼體7〇，亦可以熱傳導率高於第2殼體71之材料構成， 1 ·5所構成。第1殼體7G上表面（與開口面72對向之侧面） 201102454 連接連通材料供給源67之材料供給管68。 呈力： 75周㈣㈣之狀'％。在此，加熱器77沿四角形侧面 —ί器77^接Jg面力嵌入溝槽8〇，第1殼體70側面75 ......「之接觸面積擴大，以提高熱傳導效率。 側面，於連接第1殼體7〇上表面之材料供給管68 側面^亦呈溝槽80延長，嵌入有加熱器77之構成。 加孰ΐΐζ’^7入熱L77嵌入溝槽80之方法雖亦可僅如圖9 (a) ’將 77Ϊ1 内’但宜最好如® 9⑻所示，在加熱器 側80上方進行衝壓’使第1殼體70 Ί⑨77確實_並擴大接觸面積，提高熱傳導效率。 之側面7fi ’ ： 2第1殼體70側面75、76中，面積小於側面75 錢道版苗女装有内建加熱器78之加熱器塊81。加熱器塊81以 料構成’例如銅所構成。加熱11塊81與第1殼體 由加熱器78傳導至加熱器塊81之熱可迅速傳 _ ΞΖΐΓ亦可以熱傳導率低於第1殼體7G之材料構成， 成。於内側殼體71上表面（與開口面73對向之 日，1又2,供給管68導人材料氣體之材料氣體流入口82。 八㈣：1(5(10所示，於第2殼體71内部，設有係氣體 俾分隔開口面73與材料氣體流入口 82之間。 二79“ ^遂離開口面73之位置’於第2殼體71内平行於開口 —s/i己ί。擔板83例如呈網格狀，於擔板83整體，形成有多 ° 置於第2殼體71内之擔板83片數為1片或複數

If、j置亦可在第2殼體71内任意位置。擋板83之 ίίΪί亦可依材料氣體之流速或流量等適當變更，俾 料^设體71内更均一地擴散。且擋板83呈可分散材 '孔;固:7可’除網格狀以外亦可呈例如沖孔金屬板形狀等。 邱的口乂太^斤=第2殼體71 +，作為間隔構件形成有複數突起 °刀布。、整體。此等複數突起部85係藉由例如壓紋加工等 201102454 2 ^ 71 ? 插入繁1冲7Π _刀布於其整體。如上述，因第2殼體71 起部85之了立置呈^拉f1殼體70内面與第2毂體71外面於突 锻嘴頭⑼中，如之月鉢實施形態之蒸 第2殼體71之情形。二f，構件犬起部85形成於上述 巧_迅速對; 需設置間隔構件（突起部85)於第2殼&專導時’不疋非仔 部 J嶋膜材嶋(材料氣體) 通過播板83時擴散，以大致均上第2 f 2内之材料氣體於 口面72、，如圖5朝基板G上‘g蒸鑛噴祕下表面（開 £式==:熱=所了以67:進藉由鞘式加熱器或 85 ’熱自第1 _ 70傳導至第2二觸之複數突起部 加熱。此時，使第i殼體/内㈡1=第2殼體71進行 突起部85形成於第2殼體71並分外面接觸之複數 傳導至第2殼體71整體，以均—對^熱大致均-地 藉此，於第2殼體71内以相同之條ς入气體進行加熱。 料氣體進行加熱，第2殼體71 2殼體71内之材、 :之基==，自蒸鍍噴頭^ 亦即，按照依本實施_之蒸料頭66，如圖4所示，於氣 10 201102454 體流1面及氣體溫度面雙 而使均-性高之有機薄膜:m喷出白可均—（均熱）， 以往設置分支流路於内邻二二)成膜於基板G。且相較於 66其内部均熱性獲得^之 依本實施形態之蒸錢噴頭 另一方面，材度低之部分析出材料氣體。 之大型基板喷出時，藉由對鋼SL切芯之示器等 材料氣體之蒸鍍噴頭中雖## M 7對小^•基板噴出 器），但在適用於大ϋΐίΐ成 面狀加熱器（雲母加熱 其面積大故在，_中，若使用面狀加熱器 =之勒式加熱料g式加熱科f U ^所 並保證蒸财_之均熱性。 "78,可抑制成本， 以上’雖已朗本伽實施形態之 一 應了解只要是熟悉該技藝者 内，當然可思考出各種變更例或修正例，關】 專者田,、Λ亦屬於本發明之技術性範圍。 、 處理形財’雖6就製造有機EL元件Α時之蒸鍍 說明，但於各種電子元件等之處理中，例如 鍍進行成麟，仍可剌本發明。且係處理對 其把土问雖主要以玻璃基板例示之，但亦可為石夕基板、多角形 曰^板、0形基板等，且就基板以外之被處理體而言亦可適用本發 又，本實施形態中於蒸鍍喷頭66側面75、7 ：7 (：?# 8〇) ：78 δι ^ ^ 二。;7面°又置加熱盗77 (78)。亦即亦可於侧面75、76省略加 77、78其中一者。且關於加熱器77、78之形狀或數量 '配 置處丄皆宜藉由測定蒸㈣頭66加熱時之溫度分布，適當變更， 不一定非得受限於圖6所示之配置等。 ，例如圖10中顯示依本發明另一實施形態，加熱器77設置經 201102454 變更之蒸鍍喷頭66a之概略剖面圖 中，相互不接觸之第1殼體7Q U Q =不’於蒸錢喷頭66a 板構件90設置有加熱器77。此;^間之空間内藉由 體，為抑制熱散失至最小限产' 力敎、，77且不固著於第2殼 殼體70。亦可不固定於上述“件"^宜部分固定於第1 ，第2殼體71與第1殼體7〇 tti。藉2 構件’並配 瘵鍍喷頭66之内部均熱性。又 9 了效率更南地保證 與第2殼體71下端部(圖1Q中之，==圖^在第1殼體70 體70與第2殼體71未連接之情汗’ H 73周緣部）第1殼 體70與第2殼體71亦.可於開口面’ 於此，第1殼 器構^)在们殼體70與第’。密封加熱 且依上述貫施开》態之蒸錢噴頭 75呈圓環狀設有溝槽8Q，於此溝 所示，於侧面 器”之形狀不限於呈_狀。圖;i二置力口=广但此加熱 變更，可如圖11 (a)所示呈可二之设置形狀可適當 之形狀設置加熱1 77於方加熱 周邊部外亦在中央部配置加熱器7 ^=a)所f，除側面乃 周附近與巾㈣断之溫度可大 > & ^㈣頭66外 面内、、田疮兰^ ,从从 又保符均一，蒸鍍噴頭66内部剖 Ϊ#；ί S 66 器於 鱗转充分麟倾時，即麟少設置加軌 ί ΐΐ Λ"。ΐ祕喷頭66内部均熱性，故如圖11㈤所ϊ 加熱器77設置密度可適當變更，制定+/ $清幵y又’ 度差並適當決定即可。在此，喷5員66内部剖面内溫 相較於外周’更難以放熱，宜依其放熱狀 i力附近更可藉由加熱器77進—步對外周附近進 订加熱'均熱之加熱器配置形狀。 又，圖11所示加熱器77之配置形狀非僅適用於設在蒸鑛喷 12 201102454 頭66側面75 ’亦即外侧殼體70外面時。例如就上述圖ι〇所示依 本發明另一實施形態之蒸鍍喷頭66a中所設置之加熱器77而言亦 可適用。 且在依上述實施形態之蒸鍍喷頭66中，第1殼體70雖由銅 構成’第2殼體71由不鏽鋼構成’加熱器77設置於第1殼體70 外面’但本發明不限於此。為保證蒸鑛噴頭66内部之均熱性不一 定非得需在第1殼體7〇外面設置加熱器77。在此於以下說明關於 作為本發明又一第2實施形態，加熱器77設置處、各殼體材質不 同之情形。 ，如，作為本發明又一第2實施形態，可考慮第丨殼體7〇、 第2殼體71皆以不鏽鋼構成，僅對例如第2殼體π進行例如厚 度30微米以上的銅電鍍等熱傳導性被膜之施工，俾第2殼體71 士熱傳導率高於第1殼體7〇。此時加熱器77之設置處宜在與上述 實施形態不同之第1殼體7〇與第2殼體71之間。又，為測定蒸 鍍喷頭66内之剖面内溫度差，以縮小其差異，除第2殼體71外’、，' 亦可適當對第1殼體7〇施以熱傳導性被膜。亦即，是否對第1殼 體及第2殼體71其中一方或雙方施以熱傳導性被膜，測定蒸 鍍喷頭66内之剖面内溫度差，適當判斷即可。且雖亦可僅對各g 體單面施以熱傳導性被膜，但通常例如進行銅電鍵時，係藉由將 不鏽鋼浸潰於銅電鑛槽之工序進行，故銅電鐘係施於不趨鋼板 兩面。 ♦在此，圖12中顯示僅對第2殼體71施以例如銅電艘等熱傳 導性被膜時蒸鍍喷頭66b之概略剖面圖。又，圖12中未就熱^導 性被膜進行圖示。圖12所示之蒸鍍喷頭66b中，對第2咹體 外面進行熱傳導性被膜之施工，在相互不接觸之第1殼體70盘第 2殼體71之間之空間内，加熱器77設置於第2殼體71外面: 此，於第2殼體71外面已施以熱傳導性被膜，故即使加熱哭 未設置於第2殼體71外面全面亦可充分進行加熱、均熱。因°。

鑑於加熱H 77之設置縣等’設置於f 2殼體71外面之加翻 77之配置形狀呈如上述圖u⑸所示加熱器設置密度低的G 13 201102454 形狀即夠充分。 如上述，藉由對不鏽鋼所構成之各殼體（特別是第2殼體7 =以銅電鍍等熱傳導性被膜，殼體對抗熱變形之剛性可獲得保 證’且其熱傳導率上升’可抑制於蒸鍍喷頭66内部各部分溫度^ 差異。且於各殼體（特別是第2殼體71)熱傳導率上昇，故^圖 11 所例示，可削減所安裝之加熱器77之數量，在成本面上 亦有效。又，此時關於僅對第丨殼體70及第2殼體71單方表面 ，行銅驗，或是對兩面進行，败蒸射頭66之溫度分布適冬 判斷即可。 田 亦即’因第1殼體70及第2殼體71皆以不_鋼構成，相較 ^以銅構献财’可實現成本大幅降似大幅上昇。 ^不鏽鋼進行熱傳導性被膜之施工，蒸鑛喷頭66内之均教性^ Ζΐϊΐί證。且可迴避以熱傳導優異之銅板構成殼體時所擔心的 :·、、、艾形之可能性。又，在此作為用以使不鏽鋼之熱傳^率上 苎被膜雖例示以銅電鍍’但不—定非得需係銅電鍍， ^傳導率尚於母材（殼體素材）之被膜即可。例如可進 電鍍等使用會使熱傳導率上昇的材料之電舰I。且亦可 之方式進行之施I，或姆處理、 行鋼?Πί 導性被膜之施工。惟就成本面而言宜進 在9 士依上述實施形態之蒸鍍喷頭66中，開口面72 (73)之形狀 66内部則ΐ其中之一形成開口之形狀。藉由蒸鍍喷頭 料刀政板⑽板83)之效果，可使蒸链嘴頭66内之材 考=ϋ自開口面72 (73)朝基板G嘴射。然而，吾人亦 分i ΐ ίί，散板之效果紐喷頭66内之材料氣體無法充分 均ί開σ面72 (73)朝基板G嘴射之材料氣體不 離中所ΐΐ均—成膜之虞之情形。如此之時，宜於上述實施形 ί所:ΐί，頭66内，設置使材料氣體噴射均―，例如銅板 汀構成之喷射板於開口面72 (73)。 圖13係嘴射板95 (95a、舰）安裝於蒸錢噴頭昍時之概略 14 201102454 13 (b)分別顯示安裝有設置狹縫96之喷射板 頭If^^96 =有口言之喷射板 均-伽_ ί 例為—。且依自驗喷頭⑽ 乳體之觀點，宜設置複數噴射孔97，最好是可均- C^a ^ 95b) 66 (73) 95其、Ϊ果，可使均一性高的薄膜成膜。惟在設有狹 虞，故特別是在使用溫度高的材料氣體時，宜 吏用设有喷射孔97之喷射板95b。例如上述噴射孔97之“: lg 5刪〜3. 5刪，喷射孔97之間距為5刪，不限於如圖13 辭 呈一列配置，亦可呈二列以上配置。 μ 且上述實施形態中’雖已說_於如圖6所示 鞘式加熱器或ε式加熱料加熱器嵌人設於第ϋ 體70外面之溝槽80之構成，其變形例（另—實施_)中 說明關於如圖10所示，於第！殼體7〇與第2殼體71之間之 巧加熱器77之構成，但設於蒸㈣頭66之二 讀成不限於此。例如亦可在第！殼體7〇與第2殼體71 # 3密，空間100,於該密閉空間1QQ配置揮發性液體 2 度之管狀加熱器77。 在此，於以下作林發明再—第3實 形成有^空間⑽之蒸鑛喷。圖14係形成有密閉I#月 之蒸鍍喷頭66概略前視圖（圖14(a))及概略側 又，為說明密閉空間⑽之内部，關於一部分密閉 載其剖面。密閉空間⑽中加熱器77與液體L封入 係= 體L可例示以例如水或萘等於既定溫度下經氣化者。且力 中，可舉例如匣式加熱器，鞘式加熱器等。 ° 士二圖2所不’密閉空間100於蒸鎮喷頭66除開口面72 (圖 14中噴頭66之下表面）外全側面（上述實 76雙方）形成。如圖14(a)、（b)所示，於側面75(^^ 15 201102454 76之侧面），對應大 3個密閉空間， 二7方向为割此側面75為3之部分形成 ⑽。且形成密閉处m 戦1個包覆其全面之密閉空間 體之材料供給管&二面〇〇。，俾包覆對蒸鑛噴頭66内部供給材料氣 役閉空間10Q内邱3 熱器77。液體L之構^，於其内部配置有液體L與加. 密閉空間100内底充滿於密閉空間1〇〇内，大致儲存在 密閉空間1GM之^中配置加熱器77俾浸潰在儲存於 底-二=;=== 熱器77之加L②，。?二之儲，密閉空間_内之液體L因加 稱為散熱管之構f $動^^亦^密閉空間·係具有所謂 L 100 存於密閉空間100内之液體、（面換而冷卻，再次回到儲 内部側面之可，密閉空間刚 閉空間100底部^呈内部之液體L回流而儲存至密 象之形狀，亦可表面加工為例如網格=#且=丨發毛細管現 給材間中，供 蒸氣，密閉空間⑽内由溫度大致熱/^^加熱而成為 成為其側面全面由密閉空間刚所夂包覆\^=斤=。藉此，構 密閉空間100而在既定復之蒸鑛喷頭66側面分別因 66内由材料供込管68供仏Ί 之狀態。因此，於蒸鍍喷頭 Ϊ/Lt = 成_噴頭66側面全面，落财頭66制二 ，佳地呈均熱之狀態，藉由來自經均'某=6側面精 16 201102454 態。 且配置於各密閉空間1GG内之加熱n π之溫度可控制，故可 =別，所設置之複數各密閉空間1Q。控勒部溫度。可量測蒸鐘 =頭6内部产溫度分布，適當控制各密閉空間1〇〇内之溫度，高 蒸錢噴頭66至所希望之溫度並呈均熱之狀態。亦即， 二，鍍喷頭66内—部分相較於其他部分低溫之情形下，亦 I猎由適^調整對應該低溫部分之密閉空間⑽之溫度 喷頭66内部整體迅速均熱化。 …锻 八形態（再—第3實施形態）中，雖已說明沿長邊方向 Γηηΐ = 66側面75為3，形成3處分別對應其之密閉空間 on 不限於此，關於形成於蒸鍍喷頭66側面之密閉 ^高^=形成之位置等，可適當變更，俾_祕内 wii述實施形態中，雖係藉由第1殼體70及第2殼體ή構 ^ 但本發明不一定非得需為構成蒸錢噴頭66而使用 a又體’亦可例如呈殼體狀配置板狀構件。 ± μ並且上述實施形態中’於第2殼體71外面整體雖作為你繁1 H 本發明不限於此，亦可於第1殼㈣内面形成 成另1错此且亦可於第1殼體70 0面及第2殼體71外面雙方形 成之突起部85。且作綱隔構件亦可使用例如鋼 <實施例> 確實之實施例1，將具有，所示之構造之甚财頭 置中。作為外側殼體材料使用銅，作為内 涵、佳1圖6所各置。又，藉由各加—對基㈣ ^進仃加熱’使材料氣體自開口面噴出。又，解[、:

柴鑛喷頭表面溫度及開口面附近之溫度 I 果又圖15(a)顯示測定蒸鑛喷頭表面溫度之結果，圖 ) 17 201102454 顯示測定蒸鑛噴頭開口面附近溫度之結果。 已知蒸鍍喷頭表面溫度及開口面附近之溫度中圖15(a)所示 之外壁中心部與外壁周圍部之溫度差、圖15 (b)所示之開口面中 央與開口面端部之溫度差皆在rc以内，可高精度保證均熱性。 且作為依本發明之實施例2，測定因加熱器配置形狀不同及有 無作為熱傳導性被膜之銅電鍍蒸鍍喷頭剖面内溫度分布之變化。 圖16係顯示於該蒸鍍喷頭測定處與其溫度分布之曲線圖。在此， 圖15中，以縱軸為溫度（。〇)，以橫軸為自蒸鏡喷寬 1算之距離（mm)，記載測定結果。惟圖16所示之測 者皆係以採取加熱器設置於内側殼體外面之形態之蒸鍍喷頭進 行。 圖16 (a)係測定圖11 (a)所示加熱器設置密度高時基鍍喷 頭之，面内溫度差之曲線圖。且圖16⑹係測定圖^⑹所示 低時蒸鑛喷頭之剖面内溫度差之曲線圖，圖16(c) 二—所示加熱器*置密度低時驗喷頭於内側殼體外 面、1銅電鑛之施之驗伽剖面内溫度差之曲線圖。 ，、田产，加熱器設置密度高時蒸鑛喷頭内之剖面内 H相對^希望之内部溫度·。c最大約為±航。且如圖16 所不，在加熱器設職度低德許，對加 穷度自果可知’藉由抑制加熱雜置密度至低 _置1 (產業上利用性） 本發明可適用於例如製造有機肛树咖於紐有機膜之蒸 201102454 鑛喷頭，及包含該蒸辦处驗處雜置。 【圖式簡單說明】 = 鍍之成膜襄置1之概略圖。 内部之蒸“喷頭20 :置說工數個穿通孔㈣片分散板41設於 構成43之_路妓，《在其内部 圖4係有機ΕΙ 蒸喷頭2〇之說明圖。 凡件A製程之說明圖。 m β ft锻處理裝置6Q之概略性說明圖。 二ί係自斜下方觀察蒸鍍喷頭66之立體圖。 Ξ 6⑻係蒸鍍翻66之下表面圖。 圖7係外侧殼體70之立體圖。 圖8係内側殼體71之立體圖。 =9 (a) (b)係關於設置加熱器77之說明圖。 蒸鍍喷77之一例之 圖11 (a) (b)係顯示加熱器77設置形狀一例之蒸錄喷頭66 之侧視圖。 、 圖12係顯示本發明又一第2實施形態中設置加熱器77 一例 之蒸鍍噴頭66b之概略剖面圖。 圖13 (a)係安裝有設置狹縫96之喷射板95a之蒸鍍喷頭66 之概略圖。 圖13 (b)係安裝有設置喷射孔97之喷射板95b之蒸鍍喷頭 66之概略圖。 圖Η (a)係形成有密閉空間ι〇〇之蒸鍍噴頭66之概略前視 圖0 圖W (b)係形成有密閉空間ι〇〇之蒸鍍喷頭66之概略侧視 圖0 圖15 (a) (b)係實施例結果之顯示圖。 201102454 圖16 (a)〜（c)係顯示實施例2結果之曲線圖。 【主要元件符號說明】 A...有機EL元件 G...基板 L...液體 1.. .成膜裝置 10.. .腔室 11.. .基板固持室 12.. .固持台 13.. .真空泵 14.. .排氣口 20.. .蒸鍍喷頭 21.. .開口部 30.. .材料供給器 31.. .材料供給管 32、34、36...閥 33.. .氣體退避管 35.. .氣體流出管 40.. .穿通孔 41.. .分散板 43.. .材料氣體置入口 - 44.. .分支流路 50.. .陽極（anode)層 51.. .發光層（有機層） 52.. .陰極（cathode)層 53.. .封裝膜層 60.. .蒸鍍處理裝置 61.··處理容器（處置容器） 62.. .閘閥 20 201102454 63.. .排氣線 64.. .固持台 65.. .軌條 66、66a、66b...蒸鑛喷頭 67.. .材料供給源 68.. .材料供給管 70.. .外側殼體（第1殼體） 71.. .内侧殼體（第2殼體） 72、73...開口面 75、76...第1殼體70侧面 77、78...加熱器 80.. .溝槽 81.. .加熱器塊 82.. .材料氣體流入口 83.. .擋板 84.. .孔 85.. .突起部 90.. .板構件 95 (95a、95b)…喷射板 96.. .狹缝 97.. .喷射孔 100.. .密閉空間 21

Claims (1)

1. 201102454 七、申請專利範圍·· 1. 一種蒸鍍噴頭，設於使薄膜成膜於基板之蒸鍍處理裝置 内，朝基板噴出材料氣體，其特徵在於包含·· 外側殼體；及 内側殼體’配置於該外側殼體内，可導入材料氣體； 且於該内側殼體形成有朝基板喷出材料氣體之開口部， 於該外側殼體外面或該外側殼體與該内側殼體之間配置有對 材料氣體進行加熱之加熱器。 2·如申請專利範圍第1項之蒸鍍喷頭，其中，該加熱器固定 於配置在該外側殼體與該内側殼體間之板構件上。 3. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍噴頭，其中，該加熱器於該 外側殼體或該内側殼體側面沿周邊部配置。 4. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍喷頭，其中，該加熱器係鞘 式加熱器或匣式加熱器。 5. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍喷頭，其中，在該外側殼體 與該内側殼體其中至少一者，形成有使該外側殼體内面與該内側 殼體外面部分接觸之間隔構件。 6. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍喷頭，其中，於該外侧殼體 與該内側殼體之間形成有密閉空間， 該加熱器設於該密閉空間内， 於該密閉空間中封入揮發性液體。 7. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍喷頭，其中，該外側殼體之 熱傳導與該内側彀體之熱傳導同等，或高於該内側殼體之熱傳導。 8. 如申請專利範圍第5項之蒸鍍喷頭，其中，該間隔構件形 成於該外側殼體及該内侧殼體其中一者或於其雙方皆形成之，形 成於該外側殼體之該間隔構件與形成於該内側殼體之該間隔構件 係分別以不同構件構成。 9. 如申請專利範圍第5項之蒸鍍喷頭，其中，該間隔構件係 藉由壓製成形方式形成之複數突起部或填充材料。 10. 如申請專利範圍第9項之蒸鍍喷頭，其中，該壓製成形係 22 201102454 壓紋加工或焊接加工。 11. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍喷頭，其中，該外側殼體之 材質係為不鑛鋼或銅。 12. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍喷頭，其中，該内侧殼體之 材質為不鑛鋼。 13. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍喷頭，其中，該内側殼體至 少一部分的板厚在3刪以下。 14. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍噴頭，其中，於内側殼體内 部具有氣體分散板。 15. 如申請專利範圍第U之蒸鍍喷頭，其中，該氣體分散板 係網格狀擋板或沖孔金屬板》 16. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍喷頭，其中，於内側殼體及 該外側殼體其中一者或雙方皆經施加以熱傳導性被膜。 17. 如申請專利範圍第16之蒸鍍喷頭，其中，該熱傳導性被 膜至少施加於該内側殼體外面。 18. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍喷頭，其中，於該開口部設 置有使材料氣體均一喷射之噴射板。 19. 如申請專利範圍第18之蒸鍍喷頭，其中，於該喷射板設 有噴出材料氣體之狹縫。 20. 如申請專利範圍第18之蒸鍍喷頭’其中，於該喷射板設 有噴出材料氣體之嘴射孔。 21. 如申凊專利範圍第18之蒸鏡喷頭，其中，該噴射板係不 鏽鋼板、不鏽鋼塊、銅板或銅塊。 包含22.—種蒸鍍處理裝置，使有機薄膜成膜於基板，其特徵在於

   處理H納基板；及 申。月專利乾圍第1項之基鍍^頭，位虑 朝基哈一、鄕只於錢理谷益内部 置，其中，包含載 23 201102454 24.如申請專利範圍第22項之蒸鍍處理裝置，其中，該處理 容器内部受到減壓。 八、圖式： 24