JP6620234B2 - 基板を保持するためのキャリア、処理システムでのキャリアの使用、キャリアを用いる処理システム、及び基板の温度を制御するための方法 - Google Patents

Description

本開示の実施形態は、基板を保持するためのキャリア、材料を基板の上に堆積させるための堆積システム、及び基板の温度を制御するための方法に関する。本開示の実施形態は、特に、真空処理チャンバ内で基板を保持するためのキャリア、真空処理チャンバを含む真空処理システム、及び真空処理チャンバでの基板処理中に基板の温度を制御するための方法に関する。

基板上での層堆積の技法は、例えば、熱蒸発、化学気相堆積（ＣＶＤ）、及びスパッタリング堆積などの物理的気相堆積（ＰＶＤ）を含む。スパッタ堆積プロセスは、絶縁材料の層又は金属層などの材料層を基板の上に堆積させるために使用することができる。スパッタ堆積プロセス中に、基板の上に堆積させるターゲット材料を有するターゲットに、ターゲットの表面からターゲット材料の原子を遊離させるためにプラズマ領域内で生成されたイオンを衝突させる。遊離した原子は、基板の上に材料層を形成することができる。反応性スパッタ堆積プロセスにおいて、遊離した原子は、プラズマ領域で、例えば、窒素又は酸素などのガスと反応することができ、基板の上でターゲット材料の酸化物、窒化物又酸窒化物を形成する。

コーティングされた材料は、幾つかの用途と幾つかの技術分野で使用することができる。例えば、コーティングされた材料は、例えば、半導体デバイスを製造するために、マイクロエレクトロニクスなどの分野で使用されうる。また、ディスプレイのための基板は、ＰＶＤプロセスを使用してコーティングすることができる。更なる用途は、絶縁パネル、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）パネル、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有する基板、カラーフィルタなどを含む。

より大きくまたより薄い基板への傾向は、例えば堆積プロセス中に、基板に作用する応力により、基板の隆起を生じさせる可能性がある。堆積プロセス中に基板を保持する支持システムは、例えば、基板エッジを基板の中心に向かって押す力に起因して、基板上に隆起をもたらす。次に、隆起は、破損の可能性が高まるため、問題を引き起こす可能性がある。したがって、隆起を減少させ、損傷又は破損なく、より大きくより薄い基板を支持する必要がある。更に、幾つかの用途について、基板上で堆積させた層の特性を最適化するために、基板処理中の、例えば材料堆積中の、基板の熱制御が望ましい。

上記に鑑み、基板処理中に基板を保持するためのキャリア、処理システム、及び当該技術分野の問題の少なくとも幾つかを克服する、層堆積中に基板の温度などの処理パラメータを制御するための方法を提供する必要がある。

上記に鑑み、基板を保持するためのキャリア、処理システム、及び基板の温度を制御するための方法が提供される。本開示の更なる態様、利点、及び特徴は、特許請求の範囲、明細書、及び添付図面から明らかになる。

本開示の態様によれば、基板を保持するためのキャリアが提供される。キャリアは、第１の表面を有するキャリア本体と、第１の表面の上に設けられた接着体とを含み、キャリア本体は、ガスを接着体内に供給するように構成された一又は複数の導管を含む。

本開示の別の態様によれば、処理システム、特に、材料を基板の上に堆積させるための真空堆積システムにおける、本明細書に記載の任意の実施形態によるキャリアの使用が提供される。

本開示の更に別の態様にしたがって、処理システムが提供される。処理システムは、処理チャンバ、処理デバイス、及び本明細書に記載の任意の実施形態によるキャリアを含む。

本開示の更なる態様によれば、基板の温度を制御するための方法が提供される。方法は、本明細書に記載の任意の実施形態によるキャリアを提供することと、一又は複数の導管を通して接着体内にガスを供給することと、接着体に取り付けられた基板の裏側にガスを供給することとを含む。

実施形態は、開示された方法を実行するための装置も対象としており、記載された各方法の態様を実行するための装置部品を含む。これらの方法の態様は、ハードウェア構成要素を用いて、適切なソフトウェアによってプログラミングされたコンピュータを用いて、これらの２つの任意の組合せによって、又はそれ以外の任意の態様で、実行されうる。さらに、本開示による実施形態は、記載される装置を操作するための方法も対象とする。記載される装置を操作するための方法は、装置のあらゆる機能を実行するための方法の態様を含む。

本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、上で簡単に概説した本開示のより具体的な説明を得ることができる。添付の図面は、本開示の実施形態に関連し、以下で説明される。

本明細書に記載の実施形態による基板を保持するためのキャリアの概略断面図を示す。 本明細書に記載の実施形態による基板を保持するためのキャリアの概略斜視図を示す。 図２に示すような本明細書に記載の実施形態によるキャリアのセクションの概略詳細図を示す。 図２に示すようなキャリアの線Ａ−Ａに沿った概略断面図を示す。 本明細書に記載の更なる実施形態による基板を保持するためのキャリアの概略断面図を示す。 本明細書に記載の更なる実施形態による２以上の基板を保持するためのキャリアの概略図を示す。 基板を含まない図５Ａに示したキャリアの概略図を示す。 本明細書に記載の実施形態による処理システムの概略図を示す。 本明細書に記載の実施形態による基板の温度を制御するための方法を図示するフローチャートを示す。

次に、各図に一又は複数の例が示されている、様々な実施形態を細部にわたり参照する。各例は、説明として提示されており、限定を意味するものではない。例えば、１つの実施形態の一部として図示又は説明される特徴は、他の任意の実施形態で使用され、又は任意の実施形態と併せて使用され、更なる実施形態をもたらすことができる。本開示は、このような修正及び変形を含むことが意図されている。

図面についての以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ又は類似の構成要素を指す。一般的に、個々の実施形態に関して相違点のみが説明される。別段の指定がない限り、１つの実施形態における一部又は態様の説明は、別の実施形態における対応する部分又は態様にも同様に当てはまる。

本開示の様々な実施形態を更に詳細に説明する前に、本明細書で使用する幾つかの用語に対する幾つかの態様を説明する。

本開示において、「基板を保持するためのキャリア」は、本明細書に記載の基板、特に本明細書に記載の大面積基板を保持するように構成されているキャリアと理解すべきである。典型的には、本明細書に記載のキャリアによって保持又は支持される基板は、前面及び裏面を含み、前面は、処理されている基板、例えば材料層を堆積させるべき基板の表面である。典型的には、キャリアは、基板の裏面をキャリアに、特に本明細書に記載のキャリアの接着体に取り付けることができるように構成される。

本明細書で使用される「基板」という用語は、特に、非フレキシブル基板、例えば、ガラスプレート及び金属プレートを含むものとする。しかしながら、本開示は、これらに限定されず、「基板」という用語は、ウェブ又はホイル等のフレキシブル基板も含むことができる。幾つかの実施形態によれば、基板は、材料堆積に適した任意の材料から作ることができる。例えば、基板は、ガラス（例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど）、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、雲母、又は堆積プロセスによってコーティングできる任意の他の材料及び材料の組合せからなる群から選択された材料から作ることができる。例えば、基板は、０．７ｍｍ、０．５ｍｍ又は０．３ｍｍなど、０．１ｍｍから１．８ｍｍの厚さを有することができる。幾つかの実施態様では、基板の厚さは、５０μｍ以上及び／又は７００μｍ以下でありうる。厚さわずか数ミクロン、例えば、８μｍ以上及び５０μｍ以下の薄い基板を取り扱うことは、困難でもある。

幾つかの実施形態によれば、基板は、「大面積基板」とすることができ、ディスプレイ製造に使用されうる。例えば、基板は、ガラス又はプラスチック基板であってもよい。例えば、本明細書に記載の基板は、典型的にはＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）などに使用される基板を包含するであろう。例えば、「大面積基板」は、０．５ｍ²以上、特には１ｍ²以上の面積を有する主要面を有することができる。幾つかの実施形態では、大面積基板は、約０．６７ｍ²の基板（０．７３ｍ×０．９２ｍ）に相当するＧＥＮ４．５、約１．４ｍ²の基板（１．１ｍ×１．３ｍ）に相当するＧＥＮ５、約４．２９ｍ²の基板（１．９５ｍ×２．２ｍ）に相当するＧＥＮ７．５、約５．７ｍ²の基板（２．２ｍ×２．５ｍ）に相当するＧＥＮ８．５、又は更に約８．７ｍ²の基板（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に相当するＧＥＮ１０とすることができる。ＧＥＮ１１及びＧＥＮ１２のような更に大きな世代、並びにそれに相当する基板面積を同様に実装してもよい。

本開示において、「キャリア本体」は、基板を保持するように構成されているキャリアの本体と理解すべきである。例えば、キャリア本体は、本明細書に記載の基板を保持するように構成されているフレーム又はプレートなどの剛体とすることができる。とりわけ、本明細書に記載のキャリア本体は、基板の裏面など、基板の表面を支持するように構成することができる。

本開示では、「接着体」は、本明細書に記載の基板を取り付けるための接着力を提供するように構成されている構成体と理解すべきである。とりわけ、接着体は、キャリア本体上に設ける又はキャリア本体に取り付けることができ、本明細書に記載の基板は、接着体を介してキャリア本体によって保持することができる。より具体的には、本明細書に記載の接着体は、ファンデルワールス力によって接着力を提供するように構成することができる、本明細書に記載の乾燥接着材料を含みうる。

本開示では、「ガスを接着体内に供給するように構成された一又は複数の導管」という表現は、ガス流を本明細書に記載の接着体内に供給するために、キャリア本体の中に設けられる少なくとも１つの導管と理解すべきである。とりわけ、一又は複数の導管が、キャリア本体の第２の側面（例えば、キャリア本体の裏側）から、キャリア本体の第１の側面（例えば、キャリア本体の前側）に通路を提供するように、一又は複数の導管をキャリア本体内部に配置することができる。典型的には、接着体は、キャリア本体の前側に提供される。したがって、ガスは、一又は複数の導管を介して、接着体内に供給することができる。例えば、一又は複数の導管を通って接着体内に供給されるガスは、処理システムでの基板の処理中に使用されるプロセスガスとすることができる。典型的には、接着体内に供給されるガスの温度Ｔは、およそ室温、例えば、Ｔ≦３０℃、特にＴ≦２５℃、より具体的にはＴ≦２０℃である。

図１は、本明細書に記載の実施形態による基板１０１を保持するためのキャリア１００の概略側面図を示す。基板１０１を保持するためのキャリア１００は、第１の面１１１を有するキャリア本体１１０と、第１の面１１１に設けられた接着体１２０とを含む。更に、キャリア本体１１０は、ガスを接着体１２０内に供給するように構成された一又は複数の導管１１５を含む。

したがって、本明細書に記載の実施形態によるキャリアは、有利なことに、キャリアによって保持される基板の温度を制御することができるキャリアを提供する。とりわけ、キャリアの接着体によって保持される基板の裏側にガスを供給できるように構成されているキャリアを提供することによって、基板処理中に基板の温度を制御するために使用できる、キャリアの単純かつコンパクトな設計を実現することができる。

例えば、図１に例示的に示されるように、本明細書に記載のキャリア１００の実施形態は、基板の温度を制御することができるように、即ち、基板の温度を特定の予め選択された値に限定することができるように、基板１０１の裏側面１０１Ａにガス流を供給する可能性を提供する。言い換えれば、有利なことに、本明細書に記載のキャリアの実施形態は、特に、キャリアの接着体によって保持される基板の裏側にガスの対流を提供することによって、基板の熱制御を提供するように構成される。これは、基板を冷却することができるので、本明細書に記載のキャリアによって保持される基板、特に大面積基板の上に堆積した層の特性を最適化するのに有利でありうる。換言すれば、キャリアによって保持される基板の裏側面における適切な対流ガス流を真空条件下で、例えば、本明細書に記載の処理システムの真空処理チャンバの中で、供給することができるように、本明細書に記載のキャリアの実施形態は、有利なことに、方向付けられたガス流（ｃａｎａｌｉｚｅｄ ｇａｓ ｆｌｏｗ）を供給する。

図１を例示的に参照すると、本明細書に記載の任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、接着体１２０は、キャリア本体１１０の第１の面１１１に直接配置する又は取り付けることができる。典型的には、接着体１２０は、基板１０１を保持するための接着力を提供するように構成される。とりわけ、典型的には、接着体によって提供される接着力は、基板１０１の裏側面１０１Ａに作用する。典型的には、基板１０１の裏側面１０１Ａは、処理されない基板表面である。したがって、本明細書に記載の基板を保持するためのキャリアのコンパクトな設計を有利に提供することができ、その一方で同時に、キャリアは、基板の温度を制御することができるように構成される。

図１の接着体１２０の中の矢印によって例示的に示されるように、本明細書に記載の任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、接着体１２０は、ガスに対して透過性があるように構成される。したがって、有利なことに、基板１０１の裏側面１０１Ａにガス流を供給することができ、基板の温度を対流によって制御することができ、基板から基板の裏側面を流れるガスまでの熱伝達が実現される。例えば、基板の裏側面を流れる接着体内に供給されるガスは、ほぼ室温を有することができる。より具体的には、接着体内に供給されるガスの温度Ｔは、Ｔ≦３０℃、特にＴ≦２５℃、より具体的にはＴ≦２０℃とすることができる。

図２では、本明細書に記載の実施形態による基板を保持するためのキャリアの概略斜視図が示される。図２を例示的に参照すると、本明細書に記載の任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、一又は複数の導管１１５は、キャリア１００のキャリア本体１１０に配置されている複数の導管を含みうる。とりわけ、複数の導管は、特に規則的に、キャリア本体に分散することができる。図２では、一又は複数の導管１１５は、点線の円として示されている。例えば、複数の導管は、キャリア本体１１０全体にわたって分散されうる。とりわけ、図２に例示的に示されるように、複数の導管は、キャリア本体全体にわたって規則的に分散させることができる。より具体的には、複数の導管は、図２の点線の直線によって例示的に示されるように、キャリア本体全体にわたってマトリックス状に分散させることができる。図２に示した例示的実施形態には９つの導管が示されているが、キャリア本体の中の任意の数の導管、例えば２つ以上、特に４つ以上、より具体的には１０以上の導管を設けることができると理解すべきである。更に、代替的には、複数の導管は、キャリア本体全体にわたってランダムに分散させてもよい。

とりわけ、本明細書に記載の任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、複数の導管の数は、基板の裏側面に十分なガス流が供給できるように選択されうる。より具体的には、複数の導管は、キャリア本体に分散させることができ、よって、接着体により保持される基板の実質的に均質な熱制御、とりわけ実質的に均質な冷却を実現することができる。したがって、複数の導管の数を、本明細書に記載のキャリアによって保持されることになる基板のサイズに適合させることができると理解すべきである。

本明細書に記載の任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、複数の導管のうちの隣接する導管の間の横方向の距離は、２．５ｃｍ以上、特に５．０ｃｍ以上、より具体的には７．５ｃｍ以上、例えば１０ｃｍ以上でありうる。記載の任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、一又は複数の導管の直径Ｄは、下限Ｄ＝５ｍｍ、特に下限Ｄ＝１０ｍｍ、より具体的には下限Ｄ＝１５ｍｍから、上限Ｄ＝２０ｍｍ、特に上限Ｄ＝２５ｍｍ、より具体的には上限Ｄ＝３０ｍｍまでの範囲から選択されうる。

説明のために、図２に示されるキャリアの線Ａ−Ａに沿った概略断面図が図４Ａに示される。とりわけ、図４Ａは、接着体に取り付けられた基板の熱制御を提供するために、ガスがそれを通って接着体１２０内に供給される隣接する導管を図解する。図４Ａに示す接着体１２０内に位置する矢印によって示されるように、導管は、接着体１２０に取り付けられた基板１０１の裏側面１０１Ａに沿ってガス対流を供給するように構成される。

図３では、本明細書に記載のキャリアの図２に示したセクションの概略詳細図が示されている。とりわけ、図２は、キャリアの接着体１２０における上面図のセクションを示している。図３に示すセクションは、本明細書に記載の導管１１５を含む。導管１１５から接着体１２０内に延びる矢印によって示されるように、接着体１２０は、ガスに対して透過性があるように構成される。とりわけ、本開示において、「ガスに対して透過性がある」という用語は、ガスの自由経路が接着体内に設けられる点で理解することができる。より具体的には、接着体内のガスの自由経路は、接着体に取り付けられた基板の裏側面に沿った対流を提供できるように、提供することができる。例えば、接着体は、本明細書に記載の接着特性を有する多孔性材料を含むことができる。より具体的には、接着体１２０は、接着体の透過性又は多孔性構成が提供されるように配置される複数のフィラメント１２１を含むことができる。換言すれば、接着体の構造は、ガスが基板に到達し、熱伝達のために基板表面に沿って流れることができるように、多孔性又はスポンジ性に構成することができる。とりわけ、有利なことに、接着体は、接着体内に供給されるガスが実質的に基板の裏側面全体に到達することができるように構成される。

したがって、図１及び図３に例示的に示されるように、本明細書に記載の任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、接着体１２０は、複数のフィラメントがキャリア本体１１０の第１の面１１１から離れて延びるように、キャリア本体１１０に取り付けることができる複数のフィラメント１２１（説明のために、幾つかのフィラメントだけに参照符号が付されている）を含むことができる。そのような構成は、本明細書に記載の接着体のガス透過性を提供するためにとりわけ有利である。

図１に例示的に示すように、複数のフィラメント１２１の各フィラメントは、キャリア１００の第１の面１１１に一端を取り付けることができる。とりわけ、複数のフィラメント１２１の各フィラメントは、例えば、キャリア１００の第１の面１１１に垂直な、キャリア１００の第１の面から離れるように延びることができる。したがって、複数のフィラメント１２１の各フィラメントは、例えば、本明細書に記載の基板の取り付けについて、自由である第２の端を有することができる。とりわけ、複数のフィラメント１２１の各フィラメントの第２の端は、基板１０１に取り付け可能に構成することができる。特に、各フィラメントの第２の端は、本明細書で概説するファンデルワールス力によって、基板１０１に付着するように構成することができる。

例えば、フィラメントは、ナノチューブ又はカーボンナノチューブを含むことができる、又はナノチューブ又はカーボンナノチューブでありうる。複数のフィラメントの各々は、実質的に縦方向の部材とすることができる。特に、複数のフィラメントの各々は、残りの２つの寸法よりも大きい１つの寸法を有することができる。とりわけ、フィラメントの最も長い寸法をフィラメントの長さとすることができる。要するに、フィラメントは、長さ方向に沿って引き延ばすことができる。

本明細書に記載の任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、接着体１２０は、基板１０１をキャリア本体１１０に取り付けるように構成された乾燥接着材料を含むことができる。例えば、乾燥接着材料は、合成繊毛材料とすることができる。乾燥接着材料、特に合成繊毛材料の接着能力は、ヤモリ足部の接着特性に関連しうる。ヤモリ足部の自然な接着能力により、動物は、ほとんどの条件下で多種の表面に付着可能となる。ヤモリ足部の接着能力は、ヤモリの足部における繊毛と呼ばれる多くの毛型延長部によって提供される。「合成繊毛材料」という用語は、ヤモリ足部の自然な接着能力を模倣し、ヤモリ足部に類似した接着能力を含む合成材料と理解することができることに留意されたい。更に、「合成繊毛材料」という用語は、「合成ヤモリ繊毛材料」という用語又は「ヤモリテープ材料」という用語と同意語として使用することができる。例えば、ヤモリ接着材料を有するキャリアはまた、Ｇチャック（Ｇ−ｃｈｕｃｋ）とも称されうる。しかしながら、本開示はそれに限定されず、基板を保持するのに適した他の乾燥接着材料を使用することができる。

本明細書に記載の任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、乾燥接着材料、例えば、合成繊毛材料は、無機でありうる。本明細書に記載の幾つかの実施形態によれば、乾燥接着材料は、実質的に１００％無機でありうる。更に、乾燥接着材料の微細構造は、ナノチューブを含むことができる。本明細書に記載の幾つかの実施形態によれば、乾燥接着材料の微細構造は、カーボンナノチューブを含む。

本明細書に記載の任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、乾燥接着材料は、ヤモリ接着剤とすることができる。例えば、ヤモリ接着剤は、ヤモリテープ又はヤモリ要素であってもよい。

本開示の文脈では、「ヤモリ接着剤」は、例えば、ヤモリの足部の例えば垂直面などの表面への付着能力を模倣する接着剤と理解することができる。とりわけ、本明細書に記載の接着体１２０の乾燥接着材料は、乾燥接着材料と基板１０１の表面との間のファンデルワールス力に起因して、基板１０１に付着するように構成することができる。しかしながら、本開示はそれに限定されず、基板を保持するのに適した他の接着剤を使用することができる。

本明細書に記載の任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、乾燥接着材料によって提供される接着力は、本明細書に記載の基板を保持するのに十分でありうる。とりわけ、乾燥接着材料は、約２Ｎ／ｃｍ^２以上、特に３Ｎ／ｃｍ^２以上、より具体的には４Ｎ／ｃｍ^２以上、例えば少なくとも５Ｎ／ｃｍ^２の接着力を提供するように構成することができる。

図１及び図４Ａを例示的に参照すると、本明細書に記載の任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、一又は複数の導管１１５は、キャリア本体１１０の第２の面１１２からキャリア本体１１０の第１の面１１１まで延びるように構成され、第２の面１１２は、第１の面１１１とは反対を向いている。例えば、キャリア本体１１０の第１の面１１１はキャリアの前側、キャリア本体１１０の第２の面１１２はキャリアの裏側とすることができる。換言すれば、本明細書に記載の導管は、キャリアの裏側からキャリアの前側までの通路又は貫通孔と理解することができる。したがって、一又は複数の導管１１５は、キャリア本体１１０を貫通するように構成することができる。特に、一又は複数の導管１１５は、キャリアの裏側からキャリアの前側まで、特に接着体１２０内に流体連通を提供するように構成することができる。

図４Ｂを例示的に参照すると、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、一又は複数の導管１１５をガス供給導管１１６に連結することができ、ガス供給導管１１６は、キャリア本体１１０を通って一又は複数の導管１１５にガスを案内するように構成されている。例えば、ガス供給導管１１６は、キャリア本体１１０内に配置されうる。例えば、ガス供給導管１１６は、図４Ｂに例示的に示される、キャリア本体１１０の第１の面１１１に実質的に平行に延びることができる。典型的には、ガス供給導管１１６は、キャリア本体の少なくとも一方からガス供給導管１１６内にガスを導入することができるように構成される。例えば、図４Ｂに示した例示的実施態様によれば、ガス供給導管１１６は、キャリア本体の上側表面からガス供給導管１１６内にガスを導入することができるように、配置及び構成することができる。追加的に又は代替的には、ガス供給導管１１６は、キャリア本体の底側面（はっきりとは図示されず）からガス供給導管１１６内にガスを導入することができるように、配置及び構成することができる。したがって、追加的に又は代替的には、ガス供給導管１１６はまた、キャリア本体の左側面及び／又は右側面（はっきりとは図示されず）からガス供給導管１１６内にガスを導入することができるように、配置及び構成することができる。

本明細書に記載の任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、接着体１２０は、基板１０１の裏側面１０１Ａの少なくとも７５％に相当する取付面積を有するように構成することができる。とりわけ、接着体１２０は、基板１０１の裏側面１０１Ａの少なくとも８０％、より具体的には、基板１０１の裏側面１０１Ａの少なくとも９０％に相当する取付面積を有するように構成することができる。本開示では、「取付面積」は、本明細書に記載の接着材料の連続エリアに供給される接着体の面積と理解することができる。

図５Ａ及び図５Ｂを例示的に参照すると、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、接着体１２０は、２以上の取付ゾーン１２２を有するように構成することができる。したがって、一又は複数の導管１１５は、図５Ａ及び図５Ｂに例示的に示すように、２以上の取付ゾーン１２２の各々にガスを供給できるように構成することができる。とりわけ、一又は複数の導管１１５は、２以上の取付ゾーン１２２に取り付けられた基板の裏側へのガス流対流を提供することができるように、キャリア本体１１０内に配置することができる。図５Ａでは、基板１０１が取り付けられる６つの取付ゾーンを有するキャリアの例示的実施形態が示される。更に、図５Ａでは、例えば、処理後に、特に基板のコーティング後に、基板から切断される６つのデバイス（例えば、ディスプレイ）を表す６つのエリアが示される（１０２Ａから１０２Ｆ）。したがって、基板から切断された後の個々のデバイスのサイズに実質的に対応するサイズを有する２以上の取付ゾーン１２２をキャリアに設けることによって、図１及び図２に例示的に示されるように、基板裏面の実質的に全体に接着体の接着剤材料が提供される構成と比較して、必要な接着剤材料は少ない。説明のため、図５Ｂでは、図５Ａのキャリアの概略図が基板を含まずに示されている。

幾つかの実施態様では、図５Ａに例示的に示すように、表面積が数ｃｍ²以下、例えば２ｃｍ×４ｃｍなどであり、及び／又は様々な個々の形状を有する、より小さいサイズの基板のアレイが、本明細書に記載のキャリア１００、特に２以上の取付ゾーン１２２を有するキャリア上に位置付けられてもよい。したがって、幾つかの実施態様によれば、キャリアは、２以上の基板を支持するように構成することができる。典型的には、２以上の取付ゾーン１２２の各々は、本明細書に記載の透過性又は多孔性構成が得られるように配置されている、本明細書に記載の複数のフィラメントを含みうる。したがって、２以上の取付ゾーン１２２の各々は、本明細書に記載の乾燥接着材料を含みうる。

上記に鑑み、本明細書に記載のキャリアの実施形態は、処理システム、例えば本明細書に記載のキャリアによって保持される基板上に材料を堆積するための真空堆積システムでの使用に適していると理解すべきである。したがって、本開示の態様によれば、処理システム、特に基板上に材料を堆積させるための真空堆積システムでの本明細書に記載の任意の実施形態によるキャリアの使用が提供される。

図６を例示的に参照し、本開示の実施形態による処理システム２００が説明される。処理システムは、処理チャンバ２１０と、処理デバイス２２０と、本明細書に記載の任意の実施形態によるキャリア１００とを含む。とりわけ、処理チャンバ２１０は、真空堆積プロセスに適合した堆積チャンバなどの真空処理チャンバでありうる。例えば、堆積プロセスは、ＰＶＤ又はＣＶＤプロセスとすることができる。典型的には、基板１０１がその上に位置付けられたキャリア１００は、基板処理のために処理チャンバ２１０の中に提供される。とりわけ、キャリア１００は、本明細書に記載の任意の実施形態にしたがって構成することができる。更に、図６に例示的に示されるように、処理システム２００は、本明細書に記載の実施形態によるキャリア１００を搬送するように構成された搬送デバイス２４０を含みうる。更に、処理システム２００は、本明細書に記載のキャリア１００の一又は複数の導管１１５内にガスを供給するように構成されたガス供給ユニットを含むことができ、キャリアによって保持される基板の温度を制御することができる。とりわけ、処理システム２００のガス供給ユニットは、本明細書に記載の基板処理中に基板を冷却する可能性を提供するために有益である。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、処理デバイス２２０は、例えばコーティングなどの処理が行われる基板１０１の側面に面した処理チャンバ２１０内に設けることができる材料堆積源でありうる。図６に例示的に示すように、材料堆積源は、基板１０１に堆積させる堆積材料２３５を供給することができる。例えば、堆積材料源は、堆積材料を上部に含むターゲット、又は基板上での堆積のために材料を放出可能にする任意の他の構成体とすることができる。幾つかの実施態様では、材料堆積源は、回転ターゲットとすることができる。本明細書に記載の幾つかの実施形態によれば、材料堆積源は、材料堆積源を位置付ける及び／又は取り替えるために移動可能とすることができる。本明細書に記載の他の実施形態によれば、堆積材料源は、平面のターゲットとすることができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる本明細書に記載の幾つかの実施形態によれば、堆積材料２３５は、堆積プロセス及びコーティングされた基板の後の適用に従って選択することができる。例えば、材料堆積源の堆積材料２３５は、アルミニウム、モリブデン、チタン、銅などの金属、ケイ素、酸化インジウムスズ、及び他の透明な導電性酸化物から成る群から選択された材料とすることができる。材料堆積源から材料を提供することによって、又は反応性堆積によって、そのような材料を含むことができる酸化物層、窒化物層又は炭化物層を堆積させることができ、即ち、材料堆積源からの材料は、処理ガスからの酸素、窒素又は炭素のような要素と反応することができる。

図７は、本明細書に記載の実施形態による基板の温度を制御するための方法３００を示すフローチャートを示す。本明細書に記載の任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、方法３００は、本明細書に記載の任意の実施形態によるキャリアを提供すること３１０と、一又は複数の導管を通して接着体内にガスを供給すること３２０と、接着体に取り付けられた基板の裏側にガスを供給すること３３０とを含む。

本明細書に記載の任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、一又は複数の導管を通して接着体内にガスを供給すること３２０は、特に実質的に均一に、接着体の中にガスを分配することを含む。したがって、有利なことに、本明細書に記載のキャリアの接着体によって保持される基板の実質的に均一又は均質な熱制御を提供することができる。

本明細書に記載の任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、接着体に取り付けられた基板の裏側にガスを供給すること３３０は、基板の裏側に沿ってガス流を供給すること、即ち、基板からガスに熱伝達を供給するためのガス対流を含む。したがって、有利なことに、本明細書に記載のキャリアの接着体によって保持される基板の実質的に均一又は均質な熱制御を提供することができる。

以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてもよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

とりわけ、本明細書では実施例を用いて、ベストモードを含めて本開示を開示し、また当業者が記載される主題を実施することを、任意のデバイス又はシステムを作製および使用すること、及び組み込まれる任意の方法を実施することを含めて可能にしている。前述において様々な特定の実施形態を開示してきたが、上述した実施形態の相互に非排他的な特徴は、互いに組み合わせることが可能である。特許性のある範囲は特許請求の範囲によって規定され、その他の実施例は、それが特許請求の範囲の文字通りの言葉と相違しない構造要素を有する場合、または特許請求の範囲の文字通りの言葉とは実質的な違いがない等価の構造要素を含む場合には、特許請求の範囲内にあるものとする。

Claims (14)

1. 基板（１０１）を保持するためのキャリア（１００）であって、
   第１の面（１１１）を有するキャリア本体（１１０）と、
   前記第１の面（１１１）に設けられた接着体（１２０）と
   を含み、前記キャリア本体（１１０）が、ガスを前記接着体（１２０）内に供給するように構成された一又は複数の導管（１１５）を含み、
   前記接着体（１２０）が、複数のフィラメント（１２１）を含む、キャリア（１００）。
2. 前記接着体（１２０）が、ガスに対して透過性があるように構成されている、請求項１に記載のキャリア（１００）。
3. 前記接着体（１２０）が、前記基板（１０１）を前記キャリア本体（１１０）に取り付けるように構成された乾燥接着材料を含む、請求項１又は２に記載のキャリア（１００）。
4. 前記乾燥接着材料が、合成繊毛材料、特にヤモリ接着剤である、請求項３に記載のキャリア（１００）。
5. 前記一又は複数の導管（１１５）が、前記キャリア本体（１１０）の第２の面（１１２）から前記キャリア本体（１１０）の前記第１の面（１１１）まで延びるように構成され、前記第２の面（１１２）が、前記第１の面（１１１）とは反対を向いており、又は前記一又は複数の導管（１１５）が、前記キャリア本体（１１０）を通って前記一又は複数の導管（１１５）まで前記ガスを案内するように構成されたガス供給導管（１１６）に連結されている、請求項１から４の何れか一項に記載のキャリア（１００）。
6. 前記接着体（１２０）が、前記基板（１０１）の裏側面（１０１Ａ）の少なくとも７５％に相当する取付面積を有するように構成されている、請求項１から５の何れか一項に記載のキャリア（１００）。
7. 前記一又は複数の導管（１１５）が、特に規則的に、前記キャリア本体に分散された複数の導管を含む、請求項１から６の何れか一項に記載のキャリア（１００）。
8. 前記接着体（１２０）が、２以上の取付ゾーン（１２２）を有するように構成されている、請求項１から７の何れか一項に記載のキャリア（１００）。
9. 前記一又は複数の導管（１１５）は、前記２以上の取付ゾーン（１２２）の各々にガスを供給することができるように構成されている、請求項８に記載のキャリア（１００）。
10. 処理システム、特に材料を基板の上に堆積させるための真空堆積システムにおける、請求項１から９の何れか一項に記載のキャリア（１００）の使用。
11. 処理チャンバ（２１０）と、
    処理デバイス（２２０）と、
    請求項１から９の何れか一項に記載のキャリア（１００）と
    を含む処理システム（２００）。
12. 基板の温度を制御するための方法（３００）であって、
    請求項１から９の何れか一項に記載のキャリアを提供すること（３１０）と、
    前記一又は複数の導管を通して前記接着体内にガスを供給すること（３２０）と、
    前記接着体に取り付けられた前記基板の裏側に前記ガスを供給すること（３３０）と
    を含む方法（３００）。
13. 前記一又は複数の導管を通して前記接着体内にガスを供給すること（３２０）が、特に実質的に均一に、前記接着体の中に前記ガスを分配することを含む、請求項１２に記載の方法（３００）。
14. 前記接着体に取り付けられた前記基板の裏側に前記ガスを供給すること（３３０）が、前記基板から前記ガスに熱伝達させるために、前記基板の前記裏側に沿ってガス流を供給することを含む、請求項１２又は１３に記載の方法（３００）。

Images