TW201607906A - 載體、使用其之設備及用以在真空製程腔室中支撐基板的方法 - Google Patents

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Abstract

提供一載體(100)。載體(100)用以在具有一線性傳送路徑的一真空製程腔室中支撐一基板。載體(100)包括一載體主體(110)與至少一個基板支撐配置(120)。載體主體(110)設置以沿著線性傳送路徑(133)傳送。至少一個基板支撐配置(120)提供在載體主體(110)之處並設置以支撐基板(101)。其中基板支撐配置(120)係設置以定義用於基板(101)的至少一個彎曲軸(130)，其中至少一個彎曲軸(130)具有一實質上垂直的配向。

Description

載體、使用其之設備及用以在真空製程腔室中支撐基板的方法
本揭露的實施例係有關於一載體與用以在一真空製程腔室中支撐一基板的一方法，且係有關於用以在一基板上沈積一層的一設備。實施例特別有關於用於基板製程，例如，用於沈積層的載體，且關於用以在用以處理一大面積基板的一製程設備中支撐一大面積基板的載體。
已知一些方法用以在基板上沈積材料。舉例而言，基板可藉由物理氣相沈積(physical vapor deposition; PVD)製程、化學氣相沈積(chemical vapor deposition; CVD)製程、電漿輔助化學氣相沈積(plasma enhanced chemical vapor deposition; PECVD)製程等被塗佈(coated)。製程可在將要被塗佈之基板放置其中的製程設備或製程腔室中進行。沈積材料係提供在製程設備中。多數個材料，以及前述材料的氧化物、氮化物或碳化物，可用以在基板上的沈積。再者，其它製程步驟如蝕刻、成型、退火、或類似的步驟可在製程腔室中實施。
塗佈的材料可使用在多種應用中與多種技術領域中。舉例而言，應用處在微電子的領域中，例如產生半導體裝置。此外，用於顯示器的基板係常藉由PVD製程塗佈。其它應用包括絕緣面板(panels)、有機發光二極體(organic light emitting diode; OLED)面板、具有薄膜電晶體(TFT)、彩色濾光片或類似物的基板。
特別在例如顯示器產品、薄膜太陽能電池的製造與類似的應用之領域，係使用大面積的玻璃基板來處理。在不因玻璃破損犧牲生產量的情況下，玻璃基板的尺寸增加使玻璃基板的搬運、支撐以及處理受到更多的挑戰。
特別係在基板的製程期間，基板可被支撐在載體(carrier)上。載體驅動玻璃或基板通過製程設備。載體可例如沿著基板的周圍支撐著基板的表面，或載體本身支撐基板的表面。具體而言，框架形的載體可用以遮罩玻璃基板，其中載體提供用以塗佈欲沈積的材料在外露的基板部分上的開口，或用以作用在基板部分上的其它製程步驟的開孔，基板部分係透過開孔露出。
更大且也更薄的基板趨勢，特別當基板係以垂直配向運送時，例如由於基板任意的彎曲(bending)、下垂(sagging)及／或膨脹(bulging)，及／或由於在層的沈積期間施加在基板的壓力，可能導致基板定位的不穩固。此基板定位的不穩固現象可能從而造成由於破損可能性的增加、固持裝置或固定件之區域中的高壓力、通風期間的搖動等所產生的問題。再者，沈積層的品質，例如均勻性，可能會降低。
有需要穩固基板或基板定位，且使載體能傳送更大且更薄的基板而不會破損，並提升所沈積的層的品質。
有鑑於以上，本揭露的一目的係提供克服此技術的至少一些問題的一載體與用以在一真空製程腔室支撐一基板的一方法。
根據以上，係提供一載體及用以在一真空製程腔室中支撐一基板的一方法，及用以在一基板上沈積一層的一設備。本揭露之更進一步的方面、優點、及特徵係顯見在申請專利範圍附屬項、說明書、與伴隨的圖示。
根據本揭露之一方面，係提供用以在具有一線性傳送路徑的一真空製程腔室中支撐一基板的一載體。載體包括設置以沿著線性傳送路徑傳送的一載體主體，及提供在載體主體之處並設置以支撐基板的至少一個基板支撐配置，其中基板支撐配置係設置以定義用於基板的至少一個彎曲軸，其中至少一個彎曲軸具有一實質上垂直的配向。
根據本揭露的另一方面，係提供用以在一基板上沈積一層的一設備。設備包括一真空製程腔室、一載體與一沈積源。真空製程腔室具有一線性傳送路徑並用於在真空製程腔室中進行層沈積。載體在製程腔室中。沈積源用以沈積形成層的材料。載體包括設置以沿著線性傳送路徑傳送的一載體主體，及提供在載體主體之處並設置以支撐基板的至少一個基板支撐配置，其中基板支撐配置係設置以定義用於基板的至少一個彎曲軸，其中至少一個彎曲軸具有一實質上垂直的配向。
根據本揭露又其它方面，係提供用以在一真空製程腔室中支撐一基板的一方法。方法包括在至少一個彎曲軸附近彎曲基板，其中至少一個彎曲軸具有一實質上垂直的配向。
根據本揭露之再其它方面，係提供用以在具有一線性傳送路徑的一真空製程腔室中支撐一基板的一載體。載體包括設置以沿著線性傳送路徑傳送的一載體主體，其中載體主體係設置以在一垂直的方向支撐基板，及提供於載體主體處並設置以支撐基板的至少一個基板支撐配置，其中基板支撐配置係設置以定義用於基板的至少一個彎曲軸，其中至少一個彎曲軸具有一實質上垂直的配向。基板支撐配置更包括設置以支撐基板的至少一個支撐表面與二或更多個固持裝置至少一者，其中至少一個支撐表面具有定義用於基板的至少一個彎曲軸的一曲面，二或更多個固持裝置係配置以在離線性傳送路徑一第一距離的一第一位置之處固持基板與在離線性傳送路徑一第二距離的一第二位置之處固持基板，其中第一距離係大於第二距離。
實施例也有關於用以實施所述方法的設備並包括用以執行各個所述方法步驟的設備部分。這些方法步驟可藉由硬體組件、由適當軟體程式化的電腦、由前述兩者的任何組合或任何其它方法的方式執行。再者，根據揭露的實施例也有關於用以操作所述設備的方法。其包括用以實施設備之每個功能的方法步驟。
現將詳細描述本揭露的各種實施例，其一個或多個範例係繪示於圖式中。在以下對於圖式的敘述中，相同的元件符號意指相同的元件。一般而言，僅針對個別的實施例的不同處作描述。各個範例的提供係作為解釋本揭露的一種手段，並不代表作為本揭露的限制。此外，所描繪或敘述為一個實施例之一部分的特徵，可使用在其它實施例、或與其它實施例一同使用，以產生又一個實施例。本說明書中意欲包括此類的修飾與變形。
根據本揭露之一方面，係提供用以在具有線性傳送路徑的真空製程腔室中支撐基板的載體。載體包括設置以沿著線性傳送路徑傳送的載體主體，及提供在載體主體並設置以支撐基板的至少一個基板支撐配置，其中基板支撐配置係設置以定義用於基板的至少一個彎曲軸，且其中至少一個彎曲軸具有實質上垂直的配向。
一些實施例中，為了例如在垂直的位置穩固基板，基板係在至少一個彎曲軸附近被彎曲。藉由在彎曲軸附近彎曲基板，來使基板形狀改變，能提升基板的結構強度。一些實施方式中，係提供一個以上的彎曲軸。藉由設置以定義用於基板的至少一個彎曲軸的基板支撐配置，基板可穩固地被放置在載體上並被載體固持。
基板支撐配置係設置以定義至少一個彎曲軸，亦即數量n的彎曲軸，其中n係等於或大於1的整數(n ≥ 1)。n可例如在1至10的範圍內，特別在1至5的範圍內，且更特別為1、2、3、4或5。
根據可與所述其它實施例結合的一些實施例，基板支撐配置係被設置，以定義用於基板的至少一個彎曲軸，以使基板產生凹面或凸面形狀。在此所使用的詞語「凹面」可意指在至少一個彎曲軸附近往內部彎曲或向內變圓，其中至少一個彎曲軸可為作用至基板的凹面形狀的對稱軸。在此所使用的詞語「凸面」可意指例如在至少一個彎曲軸附近向外彎曲或變圓，其中至少一個彎曲軸可為作用至基板的凸面形狀的對稱軸。
在此所使用的詞語「基板」應包括可使用於顯示器製造的基板，例如玻璃或塑膠基板。舉例而言，所述的基板應包括可使用於液晶顯示器(liquid crystal display; LCD)、電漿顯示面板(plasma display panel; PDP)、及類似應用的基板。詞語「基板」可理解為「大面積的基板」。
根據一些實施例，基板可具有至少0.174 m²的尺寸。尺寸可為約1.4 m²至約8 m²，且特別約2 m²至約9 m²，或甚至大至12 m²。一些實施方式中，大面積的基板可為對應至約1.4 m² (1.1 m x 1.3 m)的第5代(GEN 5)的基板、對應至約4.39 m² (1.95 m x 2.25 m)的第7.5代(GEN 7.5)的基板、對應至約5.5 m² (2.2 m x 2.5 m)的第8.5代(GEN 8.5)的基板、或甚至對應至約8.7 m² (2.85 m × 3.05 m)的第10代(GEN 10)的基板。甚至例如第11代(GEN 11)與第12代(GEN 12)的更大世代或對應的基板面積可類似地實施。
一些實施方式中，基板可由適用於材料沈積的任何材料製成。舉例而言，基板可由擇自玻璃(例如鈉鈣玻璃(soda-lime glass)、硼矽玻璃(borosilicate glass)等)、金屬、聚合物、陶瓷、複合材料或任何其它材料或可藉由沈積製程被塗佈之材料之組合所構成之群組的材料製成。藉由根據所述實施例的載體可減少基板或基板定位的不穩定現象(instability)，所述不穩定現象也可能影響基板的製程。特別對於玻璃基板或陶瓷基板，其中不穩定現象係特別的方面，載體可增進基板或基板定位的穩定性。根據所述實施例的載體可對具有小於300微米(micrometers)的厚度的基板提供穩定的定位，基板例如玻璃基板。
第1A圖繪示根據所述實施例之載體100的立體圖，且第1B圖繪示支撐基板101的第1A圖的載體100的上視圖。
載體100包括用以沿著線性傳送路徑傳送的載體主體110，及提供在載體主體110並設置以支撐基板101的至少一個基板支撐配置120，其中基板支撐配置120係設置以定義或提供用於基板101的至少一個彎曲軸130，且其中至少一個彎曲軸130具有一實質上垂直的配向。
可以理解的是，詞語「垂直的方向(vertical direction) 」或「垂直的配向(vertical orientation) 」係有別於「水平的方向 (horizontal direction) 」或「水平的配向(horizontal orientation) 」。亦即，「垂直的方向」或「垂直的配向」係有關於例如載體與基板之實質上垂直的配向，其中離精確的垂直的方向或垂直的配向的一些角度的誤差，例如大至10°或甚至大至15°，仍是視為「垂直的方向」或「垂直的配向」。在圖中，垂直的方向或垂直的配向係以標號131指示。垂直的方向可實質上平行於重力。
根據可與所述其它實施例結合的一些實施例，基板支撐配置120具有配置以支撐基板101的至少一支撐表面121，其中至少一個支撐表面121具有定義用於基板101的至少一彎曲軸130的一曲面。一些實施例中，此至少一支撐表面121係一連續或未被中斷(continuous or uninterrupted)的表面。其它實施例中，此至少一支撐表面121可包括二或更多個部分(segment)，特別係分離的部分，且更特別係空間上分離的部分。
根據所述的一些實施例，此至少一支撐表面121具有曲面/曲率(curvature)。換句話說，此至少一支撐表面121係一彎曲的或成形(shaped)的表面。在此所使用的詞語「曲面/曲率(curvature)」可指一非平坦的表面，且可特別指至少一個支撐表面121偏離成為平坦表面的量(曲率)。曲面可為一凹面曲面。其它實施例中，曲面可為一凸面曲面。
一些實施例中，曲面具有一圓形的形狀，特別其中曲面係一圓的一部分(segment)。如第1A與1B圖中所示，曲面具有一半徑(radius)。半徑可為固定的(constant)以定義一圓的一部分。其它形狀的曲面係為可能的，例如如之後將參照第6圖所述的波的形狀(wavelike shape)。
根據所述的一些實施例，至少一個支撐表面121在第一方向132上延伸，其中至少一個彎曲軸130係實質上垂直於第一方向132。第一方向132可為此至少一個支撐表面121的一長度的方向。
舉例而言，第一方向係為水平方向，特別其中水平方向係實質上垂直於重力。詞語「水平方向(horizontal direction) 」或「水平配向(horizontal orientation) 」係有別於上述的「垂直的方向」。亦即，「水平方向」係有關於一實質上水平的配向，亦即，實質上垂直於重力，其中離精確的水平方向或水平配向的一些角度的誤差，例如大至10°或甚至大至15°，仍是視為「水平方向」或「水平配向」。
根據可與所述其它實施例結合的一些實施例，載體主體110包括具有一或更多個框元件的一框架。根據可與所述其它實施例結合的一些實施例，一或更多個框元件包括一第一框元件及一第二框元件，其中此至少一個支撐表面包括由第一框元件提供的一第一支撐表面及由第二框元件提供的一第二支撐表面。
如第1A圖中所示，載體主體110的框架包括一第一框元件111、一第二框元件113、一第三框元件112與一第四框元件114。第一框元件111提供支撐配置120的第一支撐表面121，且第二框元件113提供支撐配置120的第二支撐表面121'。第一框元件111與第二框元件113可配向為實質上平行，及／或第三框元件112與第四框元件114可配向為實質上平行。一些實施例中，第一框元件111與第二框元件113實質上平行於水平方向延伸，特別是其中水平方向係實質上垂直於重力。第一框元件111與第二框元件113可分別被稱為頂部棒與底部棒。第三框元件112與第四框元件114可被稱為側棒。
此至少一個基板支撐配置，特別是此至少一個支撐表面，係設置以支撐例如大面積的基板101。此至少一個支撐表面121可設置成與基板101的邊緣部分接觸。根據一些實施例，此至少一個基板支撐表面121可被稱為「基板容納表面(substrate receiving surface) 」。
根據可與所述其它實施例結合的一些實施例，載體主體係設置以在垂直的方向支撐基板。
舉例而言，所述的載體與所述的用以使用載體的設備係用於垂直的基板製程。可以理解的是，詞語「垂直的基板製程」係有別於「水平的基板製程」。亦即，垂直的基板製程係有關於在基板製程期間載體與基板之一實質上垂直的配向，其中離精確的垂直的方向的一些角度誤差，例如大至10°或甚至大至15°，仍是視為垂直的基板製程。
根據可與所述其它實施例結合的一些實施例，載體主體具有設置以容納基板的一開口。舉例而言，框架的一或更多個框元件形成開口，例如，設置以容納基板101的開口115。開口115也可被稱為「窗口(window) 」。
根據可與所述其它實施例結合的一些實施例，載體主體係由金屬或塑膠製成。舉例而言，具有一或更多個框元件的框架可由金屬或塑膠製成。根據一些實施例，載體主體110可由鋁、鋁合金、鈦、前述金屬的合金、不銹鋼或類似物製成。對於例如第5代(GEN 5)或更小世代之小的大面積基板，載體主體110可從單片(single piece)製得，亦即載體主體110可一體成形(integrally formed)。然而，根據可與所述其它實施例結合的一些實施例，載體主體110可包括二或更多個單獨元件例如框元件，如頂部棒、側棒與底部棒。
根據所述實施例的載體可使用於PVD沈積製程、CVD沈積製程、基板成型磨邊、加熱(例如退火)或任何種類的基板製程。所述載體的實施例與用以使用此載體的方法係針對非靜止(non-stationary)，亦即連續的(continuous)基板製程特別有用。載體可提供用以處理垂直配向的大面積玻璃基板。非靜止的製程典型地需要載體也提供用於製程的遮罩元件。
具體而言，根據所述實施例的載體也可遮罩基板。舉例而言，載體主體中的開口或框架可提供用以塗佈將要被沈積的材料在被露出的基板部分上的開孔，或用以作用在基板部分上的其它製程步驟的開孔，基板部分係被開孔露出。此外，可提供遮罩裝置其係設置用以遮罩部分基板，藉此使塗佈的材料可只沈積在被遮罩裝置露出的基板部分上。根據一些實施例，遮罩可由一分離的邊緣排除遮罩(separate edge exclusion mask)提供，其可提供在製程腔室中。
第2A圖繪示根據所述的另一實施例的載體200的立體圖，且第2B圖繪示支撐基板101的第2A圖的載體200的上視圖。
第2A與2B圖的載體200係類似於以上參照第1A與1B圖所述的載體100，差異在於此至少一個基板支撐配置的設置。以上所提供的相同特徵的類似說明也適用於第2A與2B圖的實施例且不再重複。
根據可與所述其它實施例結合的一些實施例，基板支撐配置包括二或更多個固持裝置，此二或更多個固持裝置係配置以在離線性傳送路徑一第一距離的一第一位置之處固持基板與在離線性傳送路徑一第二距離的一第二位置之處固持基板，其中第一距離係大於第二距離。
一些實施例中，基板支撐配置包括二或更多個固持裝置，其中二或更多個固持裝置係配置以在離載體主體110或框架第一距離的第一位置之處固持基板101與在離載體主體110或框架第二距離的第二位置之處固持基板101，其中第一距離係大於第二距離。
根據一些實施例，一或更多個固持裝置係設置以例如在沈積製程期間固定基板101至載體主體110或框架並在適當之處固持基板101。一些實施例中，線性傳送路徑133係實質上平行於第一方向132，其中第一方向132可為水平方向。
如第2A與2B圖中所示，係提供二或更多個固持裝置，例如，兩個第一固持裝置210與一個第二固持裝置220。第一固持裝置210係配置以在離線性傳送路徑133第一距離的第一位置之處固持基板101。舉例而言，第一固持裝置210係配置以在離載體主體110或框架第一距離的第一位置之處固持基板101。第二固持裝置220係配置以在離線性傳送路徑133第二距離的第二位置之處固持基板101，其中第一距離係大於第二距離。舉例而言，第二固持裝置220係配置以在離載體主體110或框架第二距離的第二位置之處固持基板101。二或更多個固持裝置可設置以使基板101成為圓的形狀或波的形狀，特別係凸面或凹面形狀。
一些實施例中，二或更多個固持裝置210、220中至少一者包括一距離元件，例如提供距離線性傳送路徑133第一距離或第二距離的距離元件211與221，與一固持元件，例如配置以接觸及／或固持基板101的固持元件212與222。根據一些實施例，二或更多個固持裝置可包括一懸掛或固定的懸架(hanging or mounting suspension)以固持基板101在一懸掛或懸吊的位置(hanging or suspended position)。舉例而言，固持裝置的固持元件可設置以固持基板101在懸掛或懸吊的位置。
一些實施例中，係設置一或更多個固持裝置以藉由提供一固持力量至基板101的延伸表面，例如，將要被塗佈的延伸表面上，來固持基板。舉例而言，一夾具接觸兩個延伸表面以固持或夾持基板101。
雖然第2A與2B圖中顯示三個固持裝置，亦即，固持裝置210與220，本揭露並不限於此。可提供三個以上的固持裝置。舉例而言，可提供一個以上的固持裝置在第一框元件111、第二框元件113、第三框元件112及／或第四框元件114至少一者。
第3A圖繪示根據所述的另一實施例的載體300的立體圖，且第3B圖繪示支撐基板101的第3A圖的載體300的上視圖。
第3A與3B圖的載體300係類似於上述參照第1A與1B圖所述的載體100，差異為提供一或更多個固持裝置310且基板支撐配置320係設置以使基板101成為一凸面形狀。以上所給的相同特徵的類似說明也適用於第3A與3B圖的實施例且不再重複。一或更多個固持裝置310可設置相似或相同於上文參照第2A與2B圖所述的固持裝置。
可設置一或更多個固持裝置310以固持基板101在至少一個支撐表面，支撐表面例如第一支撐表面321與第二支撐表面321'，支撐表面具有用以定義或提供基板101之至少一個彎曲軸130的曲面，特別係其中曲面係一凸面曲面。一些實施例中，係設置一或更多個固持裝置310以藉由提供一固持力量至基板101的延伸表面，例如，將要被塗佈的延伸表面上，來固持基板101。舉例而言，一夾具接觸二個延伸表面以固持或夾持基板101。
雖然第3A與3B圖中顯示四個固持裝置，本揭露並不限於此。可提供四個以上的固持裝置。舉例而言，可提供一個以上的固持裝置310在第一框元件111、第二框元件113、第三框元件112及／或第四框元件114至少一者。
第4A圖繪示根據所述的另一實施例的載體400的立體圖，且第4B圖繪示支撐基板101的第4A圖的載體400的上視圖。
第4A與4B圖的載體400係類似於上文參照第1至3圖所述的載體。上文所提供的相同特徵的類似說明也適用於第4A與4B圖的實施例且不再重複
根據可與所述其它實施例結合的一些實施例，基板支撐配置包括一板材410或係為一板材410，例如一彎曲的板材。板材可具有支撐表面，例如支撐表面411。板材410可具有一圓柱形狀，特別是其中板材410係一圓柱的一部分。圓柱可具有一半徑。半徑可為固定的以定義圓柱的一部分。板材410可為其它形狀，例如一波的形狀，特別係一正弦波形狀。於一些實施例中，板材可為凸面或凹面的形狀。
根據可與所述其它實施例結合的一些實施例，基板支撐配置包括二或更多個固持裝置，二或更多個固持裝置係配置以在離線性傳送路徑第一距離的第一位置之處固持基板與在離線性傳送路徑第二距離的第二位置之處固持基板，其中第一距離係大於第二距離。
一些實施例中，二或更多個固持裝置包括至少一個電極，設置以產生一電場，特別是一靜電場。此至少一個電極係被設置，例如以靜電方式固持基板101在支撐表面411上。舉例而言，至少一個電極412可被嵌入於板材410中，或提供在板材410相對於支撐表面411的一側。於一些實施例中，基板支撐配置，且特別係二或更多個固持裝置，可被設置為一夾盤(chuck)。
第5A與5B圖繪示根據所述實施例之載體的上視圖。第5A圖中，係顯示具有曲面之至少一個支撐表面的基板支撐配置的設置。第5B圖中，係顯示具有二或更多個固持裝置之基板支撐配置的設置。
根據一些實施例，載體主體110可具有設置以接觸基板101的一或更多個接觸表面。舉例而言，載體主體110，且特別係載體主體110的框架，可具有提供接觸表面的一或更多個圓邊緣(rounded edge)。舉例而言，第三框元件112與第四框元件114可各具有一接觸表面，例如，由第三框元件112與第四框元件114所提供的圓邊緣。
第6A、6B與6C圖繪示根據所述實施例之載體的上視圖。
根據可與所述其它實施例結合的一些實施例，基板支撐配置係設置以定義用於基板的二或更多個彎曲軸以使基板形成一波的形狀，特別係一正弦波形狀。
一些實施例中，如第6A圖中所示，基板支撐配置420之支撐表面421的曲面具有一波的形狀，特別是一正弦波形狀。舉例而言，基板支撐配置420之支撐表面421的曲面提供或定義用於基板101的二或更多個彎曲軸422。藉由二或更多個彎曲軸422，可使基板101形成一波的形狀，特別係一正弦波形狀。
如第6B及6C圖中所示，係提供二或更多個固持裝置440、441。二或更多個固持裝置440、441係配置以在離線性傳送路徑第一距離的第一位置之處固持基板101與在離線性傳送路徑第二距離的第二位置之處固持基板101與，其中第一距離係大於第二距離。第6B及6C圖中，二或更多個第一固持裝置440係提供以在離線性傳送路徑第一距離的第一位置之處固持基板101，且特別是離載體主體或框架，例如第一框元件111，第一距離之處。二或更多個第二固持裝置441係提供以在離線性傳送路徑第二距離的第二位置之處固持基板101，且特別是離載體主體或框架，例如第一框元件111，第二距離之處。藉由二或更多個固持裝置440、441，可使基板101形成一波的形狀，特別是一正弦波形狀。
第7圖繪示根據所述實施例之用以使用載體510在基板101上沈積一材料層的一設備。
設備500包括真空製程腔室512、載體510、與沈積源530。真空製程腔室512具有一線性傳送路徑並用以在真空製程腔室512中進行層沈積。載體510在製程腔室512中。沈積源530用以沈積形成層之材料。載體510係根據所述實施例設置。載體510可例如設置為上文參照第1至6圖所述的載體任何一者。
製程腔室512係用於沈積製程，例如PVD或CVD製程。基板101係顯示被設置在一基板傳送裝置520上之載體510之中或之處。沈積源530係提供在一腔室中面對將要被塗佈之基板101的那一側。沈積源530提供將要被沈積在基板101上的沈積材料。
第7圖中，沈積源530可為具有沈積材料於其上的靶材或允許材料被釋放以沈積在基板101上的其它任何配置。沈積源530可為一可旋轉靶。根據一些實施例，沈積源530可為可移動的以放置源(source)及／或替換源。根據其它實施例，沈積源530可為一平面的靶材。
根據一些實施例，沈積源530可為一陰極陣列或包括一陰極陣列。陰極陣列可包括多個材料源裝置。
陰極陣列的多個材料源裝置可相對於基板10配置以相對於基板101具有不同的距離。換句話說，在上視圖中，陰極陣列的材料源裝置可沿著一彎線或曲線配置。藉由在距離基板不同距離之處配置陰極陣列的多個材料源裝置，且特別係藉由配置陰極陣列之一末端部分的材料源裝置相較於陰極陣列之一中心部分更靠近基板，可提高塗佈層的均勻性。
一些其它實施方式中，多個材料源裝置可放置在一實質上直的線上，其中載體510的彎曲軸係設置，以使基板101產生彎曲，使得陰極陣列的材料源裝置係配置成距離基板不同的距離。具體而言，陰極陣列之末端部分的材料源裝置可配置成相較於陰極陣列之中心部分的材料源裝置更靠近基板，以提高塗佈層的均勻性。
根據一些實施例，可根據沈積製程及基板101之後的應用來選擇沈積材料。舉例而言，沈積源530的沈積材料可為擇自由金屬(例如鋁、鉬、鈦、銅、或類似的金屬)、矽、氧化銦錫、及其它透明的導電氧化物所構成之群組的材料。可包括此些材料的氧化物層、氮化物層或碳化物層，可藉由從沈積源530提供材料來沈積，或藉由反應性沈積法沈積，反應性沈積法亦即來自沈積源530的材料與來自處理氣體的元素(例如氧、氮、或碳)反應。根據一些實施例，薄膜電晶體材料如氧化矽(siliconoxides)、氮氧化矽(siliconoxynitrides)、氮化矽(siliconnitrides)、氧化鋁(aluminumoxide)、氮氧化鋁(aluminumoxynitrides)可用作沈積材料。
基板101係提供在載體510之中或之處，載體510也可作用為一邊緣排除遮罩，特別係用於非靜止的沈積製程。虛線565示範性顯示在設備500的操作過程中沈積材料的路徑。根據可與所述其它實施例結合的其它實施例，遮罩可藉由提供在腔室512中的一分離的邊緣排除遮罩所提供。根據所述實施例的載體可有利於靜態的製程(stationary Process)且有利於非靜態的製程。
第8圖顯示根據所述實施例之用以在一真空製程腔室中支撐一基板的一方法800的流程圖。此方法可包括定位基板在至少一個基板支撐配置(方塊810)，並在至少一個彎曲軸附近彎曲基板，其中至少一個彎曲軸具有一實質上垂直的配向(方塊820)。
根據所述實施例，用以在真空製程腔室中支撐基板的方法可藉由電腦程式、軟體、電腦軟體產品及有關的控制器來執行，其可具有CPU、記憶體、使用者介面、及與用以處理一大面積基板之設備的對應元件溝通的輸出與輸入裝置。
特別係有鑑於基板在長度與高度愈來愈大而基板的厚度減小的事實，實施例可提供基板或基板定位的穩定性。
雖然前述內容係針對本揭露之實施例，本揭露的其他和更進一步之實施例可以被設計而不脫離本揭露的基本範圍，本揭露的範圍將由隨後附之申請專利範圍決定。
100、200、300、400、510‧‧‧載體
101‧‧‧基板
110‧‧‧載體主體
111‧‧‧第一框元件
112‧‧‧第三框元件
113‧‧‧第二框元件
114‧‧‧第四框元件
115‧‧‧開口
120、320、420‧‧‧支撐配置
121、121'、321、321'、411、421‧‧‧支撐表面
130、422‧‧‧彎曲軸
131‧‧‧垂直的配向
132‧‧‧第一方向
133‧‧‧線性傳送路徑
210、220、310、440、441‧‧‧固持裝置
211、221‧‧‧距離元件
212、222‧‧‧固持元件
410‧‧‧板材
412‧‧‧電極
500‧‧‧設備
512‧‧‧製程腔室
520‧‧‧基板傳送裝置
530‧‧‧沈積源
565‧‧‧路徑
800‧‧‧方法
810、820‧‧‧方塊
為了可了解本揭露上述之特點的細節，簡要摘錄於上之本揭露更詳細的說明會配合實施例提供。所附圖式係有關於本揭露的實施例且係說明如下： 第1A圖繪示根據所述實施例之載體的立體圖； 第1B圖繪示支撐基板的第1A圖的載體的上視圖； 第2A圖繪示根據所述的其它實施例的其它載體的立體圖； 第2B圖繪示支撐基板的第2A圖的載體的上視圖； 第3A圖繪示根據所述的其它實施例的又其它載體的立體圖； 第3B圖繪示支撐基板的第3A圖的載體的上視圖； 第4A圖繪示根據所述的其它實施例的再其它載體的立體圖； 第4B圖繪示支撐基板的第4A圖的載體的上視圖； 第5A與5B圖繪示根據所述實施例之載體的上視圖； 第6A、6B與6C圖繪示根據所述實施例之載體的上視圖； 第7圖顯示根據所述實施例之用以使用載體在基板上沈積材料層之設備的剖面圖；及 第8圖顯示根據所述實施例之使用載體在真空製程腔室中支撐基板之方法的流程圖。
100‧‧‧載體
101‧‧‧基板
110‧‧‧載體主體
111‧‧‧第一框元件
112‧‧‧第三框元件
113‧‧‧第二框元件
114‧‧‧第四框元件
115‧‧‧開口
120‧‧‧支撐配置
121、121'‧‧‧支撐表面
130‧‧‧彎曲軸
131‧‧‧垂直的配向
132‧‧‧第一方向

Claims (20)

  1. 一種載體，用以在具有一線性傳送路徑的一真空製程腔室中支撐一基板，該載體包括： 一載體主體，設置以沿著該線性傳送路徑傳送；及 至少一個基板支撐配置，提供在該載體主體之處並設置以支撐該基板，其中該基板支撐配置係設置以定義用於該基板的至少一個彎曲軸，其中該至少一個彎曲軸具有一垂直的配向。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之載體，其中該基板支撐配置具有至少一個支撐表面設置以支撐該基板，且其中該至少一個支撐表面具有定義用於該基板之該至少一個彎曲軸的一曲面(curvature)。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之載體，其中該至少一個支撐表面在一第一方向上延伸，其中該至少一個彎曲軸係垂直於該第一方向。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之載體，其中該第一方向係一水平方向。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之載體，其中該曲面具有一圓的形狀。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之載體，其中該曲面係一圓的一部分。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之載體，其中該曲面具有一波的形狀。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之載體，其中該曲面具有一正弦波形狀。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之載體，其中該基板支撐配置係設置以定義用於該基板的二或更多個彎曲軸以使該基板形成一波的形狀。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之載體，其中該基板支撐配置係設置以定義用於該基板的二或更多個彎曲軸，以使該基板形成一正弦波形狀。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之載體，其中該載體主體包括具有一或更多個框元件的一框架，且其中該一或更多個框元件包括一第一框元件與一第二框元件。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之載體，其中該至少一個支撐表面包括由該第一框元件提供的一第一支撐表面與由該第二框元件提供的一第二支撐表面。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之載體，其中該第一框元件與該第二框元件平行於水平方向延伸。
  14. 如申請專利範圍第1或2項所述之載體，其中該基板支撐配置更包括： 二或更多個固持裝置，該二或更多個固持裝置係配置以在離該線性傳送路徑一第一距離的一第一位置之處固持該基板與在離該線性傳送路徑一第二距離的一第二位置之處固持該基板，其中該第一距離係大於該第二距離。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之載體，其中該二或更多個固持裝置中的至少一個包括設置以產生一電場的至少一個電極。
  16. 如申請專利範圍第1至13項其中之一所述之載體，其中該載體主體係設置以在垂直的方向上支撐該基板。
  17. 如申請專利範圍第1至13項其中之一所述之載體，其中該載體主體具有設置以容納該基板的一開口。
  18. 一種設備，用以在一基板上沈積一層，該設備包括： 一真空製程腔室，具有一線性傳送路徑並用以在該真空製程腔室中進行層沈積， 如申請專利範圍第1至13項任一者所述之一載體，該載體在該製程腔室中；及 一沈積源，用以沈積形成該層的材料。
  19. 一種方法，用以在一真空製程腔室中支撐一基板，該方法包括： 在至少一個彎曲軸附近彎曲該基板，其中該至少一個彎曲軸具有一垂直的配向。
  20. 一種載體，用以在具有一線性傳送路徑的一真空製程腔室中支撐一基板，該載體包括：     一載體主體，設置以沿著該線性傳送路徑傳送，且其中該載體主體係設置以在一垂直的方向支撐該基板；及 至少一個基板支撐配置，提供於該載體主體並設置以支撐該基板，其中該基板支撐配置係設置以定義用於該基板的至少一個彎曲軸，其中該至少一個彎曲軸具有一垂直的配向， 其中該基板支撐配置更包括以下至少一者： 至少一個支撐表面，設置以支撐該基板，其中該至少一個支撐表面具有定義用以該基板的該至少一個彎曲軸的一曲面，及 二或更多個固持裝置，該二或更多個固持裝置係配置以在離該線性傳送路徑一第一距離的一第一位置之處固持該基板與在離該線性傳送路徑一第二距離的一第二位置之處固持該基板，其中該第一距離係大於該第二距離。
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