TW201827548A - 接著劑組成物及其利用 - Google Patents

Abstract

[課題] 本發明實現一種具備有高耐熱性、高耐藥性，及高洗淨性的接著劑組成物。 　　[解決手段] 接著劑組成物，為一種依基板、接著層，及支撐體之順序層合而得之層合體中，形成上述接著層所使用的接著劑組成物，上述接著層之玻璃轉移溫度為160℃以上，該接著層中，樹脂成份為含有玻璃轉移溫度為160℃以上之環烯烴聚合物。

Description

接著劑組成物及其利用

[0001] 本發明為有關接著劑組成物及其利用。

[0002] 含有半導體元件(電子零件)之半導體封裝(半導體裝置)中，已知有WLP(Wafer Level Package)、PLP (Panel Level Package)等。WLP及PLP等的半導體封裝中，已知有將裸晶(Bare chip)之端部的端子再配置於晶片區域(Chip Area)內之散入型WLP(Fan-in Wafer Level Package)等的散入(Fan-in)型技術，與於晶片區域外再配置端子的散出型WLP(Fan-out Wafer Level Package)等的散出型技術。特別是，散出型技術可應用於配置半導體元件的平板而進行封裝化的散出型PLP(Fan-out Panel Level Package)，故可實現半導體裝置之集積化、薄型化及小型化等，使得該些散出型技術受到極大之注目。 　　[0003] 專利文獻1中，為記載一種含有：具有環烯烴構造之聚合物，與，可與該聚合物相溶之(甲基)丙烯酸酯單體為特徵的接著劑組成物。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0004] [專利文獻1] 特開2014-105316號公報(平成26年6月9日公開)

[發明所欲解決之問題] 　　[0005] 但，就實現半導體裝置之集積化、薄型化及小型化等所伴隨的半導體封裝技術之高度化時，仍尋求一種相較於專利文獻1所記載的接著劑組成物，可形成具備高耐熱性、高耐藥性、高洗淨性的接著層之新穎接著劑組成物。 　　[0006] 本發明，即為鑑於前述問題點所提出者，其目的為提供一種可形成具有高耐熱性、高耐藥性、高洗淨性的接著層之新穎接著劑組成物及其關連技術。 [解決問題之方法] 　　[0007] 就解決上述之問題，本發明之一實施形態中之接著劑組成物為， 　　於依基板、接著層，及支撐體之順序層合而得之層合體中，形成上述接著層之接著劑組成物，其特徵為， 　　上述接著層之玻璃轉移溫度為160℃以上，該接著層中，樹脂成份為含有玻璃轉移溫度為160℃以上之環烯烴聚合物。 　　[0008] 或，本發明之一實施形態中之接著劑組成物為， 　　於依基板、接著層，及支撐體之順序層合而得之層合體中，形成上述接著層之接著劑組成物，其特徵為， 　　上述接著層中，樹脂成份為含有玻璃轉移溫度為100℃以上之環烯烴聚合物，及多官能型之硬化性單體， 　　該多官能型之硬化性單體經聚合，而使上述接著層硬化時之該玻璃轉移溫度為160℃以上。 [發明之效果] 　　[0009] 本發明之接著劑組成物，可達成提供一種具有高耐熱性、高耐藥性、高洗淨性的新穎接著劑組成物及其關連技術之效果。

[0011] 以下，將對本發明之實施形態進行詳細說明。 　　[0012] ＜接著劑組成物(實施形態1)＞ 　　本發明之一實施形態(實施形態1)的接著劑組成物為，於依基板、接著層，及支撐體之順序層合而得之層合體中，形成上述接著層之接著劑組成物，其特徵為，上述接著層之玻璃轉移溫度為160℃以上，該接著層中，樹脂成份為含有玻璃轉移溫度為160℃以上之環烯烴聚合物。 　　[0013] 又，接著劑組成物所形成的接著層之玻璃轉移溫度，可使用公知之方法，例如，使用動態機械分析(Dynamic Mechanical Analysis)，於周波數1Hz之條件下，於5℃/分鐘之升溫速度，將溫度由25℃提高至300℃為止時所測定的黏彈性變化為基準而可求得。 　　[0014] 又，本說明書中，於無特別說明時，「樹脂成份」係指環烯烴聚合物，及後述硬化性單體之意。 　　使用具備上述構成內容的接著劑組成物所形成的接著層，為具備形成密封基板(基板)時所需要的高耐熱性，及高耐藥性。又，亦可形成一種於形成密封基板後，可使用溶劑而適當地去除接著層的殘渣之接著層。 　　[0015] 又，接由著劑組成物所形成的接著層所具備之高耐熱性係指，例如，(i)高溫環境下，於施加壓力時，可防止變形之意、(ii)長期間曝露於高溫環境下時，不會發生龜裂等的破損之意。 　　[0016] [樹脂成份] 　　本發明之第一實施形態的接著劑組成物，為含有玻璃轉移溫度為160℃以上的環烯烴聚合物作為樹脂成份。含有玻璃轉移溫度為160℃以上的環烯烴聚合物時，可形成一種除具備有高耐熱性，及高耐藥性的同時，也可使用溶劑適當地去除之接著層。 　　[0017] 環烯烴聚合物之玻璃轉移點(Tg)，以160℃以上為佳，以200℃以上為較佳。 　　[0018] 環烯烴聚合物，具體而言，可列舉如，含有環烯烴單體的單體成份之開環聚合物、含有環烯烴單體的單體成份經加成聚合而得之加成聚合物等。 　　[0019] 前述環烯烴聚合物，例如，降莰烯、降冰片二烯等之二環物、二環戊二烯、羥基二環戊二烯等之三環物、四環十二烯等之四環物、環戊二烯三聚物等之五環物、四環戊二烯等之七環物，或該些多環物之烷基(甲基、乙基、丙基、丁基等)取代物、烯基(乙烯基等)取代物、亞烷基(亞乙基等)取代物、芳基(苯基、甲苯基、萘基等)取代物等的單體作為結構單位之聚合物等。該些之中，特別是以由降莰烯、四環十二烯，或該些烷基取代物所成之群所選出之具有降莰烯構造的單體作為結構單位之聚合物為較佳。使用以該些降莰烯構造等作為結構單位之環烯烴聚合物時，例如，可製得形成對光阻溶劑具備有高耐藥性，例如，可使用烴系溶劑適當地溶解去除的接著層之接著劑組成物。 　　[0020] 環烯烴聚合物，可使用上述環烯烴系單體與可與其共聚之其他單體作為單體單位亦可，例如，以烯烴單體作為單體單位為佳。烯烴單體，可列舉如，碳數2～10之烯烴單體等，例如，乙烯基、丙烯基、1-丁烯、異丁烯、1-己烯等的α-烯烴，該些之中，又以乙烯基作為單體單位為較佳。烯烴單體，可為直鏈狀亦可、支鏈狀亦可。 　　[0021] 相對於構成環烯烴聚合物之全體單體成份全體，環烯烴單體之比例，以10莫耳%以上、100莫耳%以下為佳，以20莫耳%以上、100莫耳%以下為較佳。 　　[0022] 又，具有環烯烴構造之聚合物，例如，如由環烯烴系單體與烯烴單體所形成之單體成份，經聚合而得之樹脂般，為不具有極性基之樹脂，以其可抑制高溫下氣體之生成的觀點，而為較佳。 　　[0023] 使單體成份聚合時之聚合方法或聚合條件等，並未有特別之限制，其可依通常方法適當設定即可。 　　[0024] 環烯烴聚合物之重量平均分子量，以10,000以上、2,000,000以下之範圍內為佳，以30,000以上、1,500,000以下之範圍內為較佳。具有環烯烴構造的聚合物之重量平均分子量為10,000以上時，可使該聚合物之軟化溫度達到適合與玻璃貼合之溫度。具有環烯烴構造的聚合物之重量平均分子量為2,000,000以下時，可使該聚合物對洗淨液具有適當的溶解性。 　　[0025] 可作為環烯烴聚合物使用的市售品，例如，聚塑膠股份有限公司製之「TOPAS(商品名)」、三井化學股份有限公司製之「APEL(商品名)」、日本ZEON股份有限公司製之「ZEONOR(商品名)」及「ZEONEX(商品名)」、JSR股份有限公司製之「ARTON(商品名)」等。 　　[0026] (熱聚合阻礙劑) 　　本發明中，接著劑組成物亦可含有熱聚合阻礙劑。熱聚合阻礙劑，為具有防止因熱或光產生自由基聚合反應之機能。具體而言，可列舉如，因熱聚合阻礙劑對自由基具有高度反應性，故會較環烯烴聚合物為更優先反應，而阻礙環烯烴聚合物相互間之聚合反應。因此，對於使用環烯烴聚合物所形成的接著層進行加熱時，可防止該接著層降低對洗淨液之溶解性。 　　[0027] 熱聚合阻礙劑，只要可有效防止因熱而引起自由基聚合反應者，並未有特別之限定，一般又以具有酚之熱聚合阻礙劑為佳。如此，即使於大氣下的高溫處理後，亦可確保良好的溶解性。該些熱聚合阻礙劑，可使用受阻酚(hindered phenol)系之抗氧化劑，例如，五倍子酚、苯醌、氫醌、甲基藍、tert-丁基兒茶酚、單苄醚、甲基氫醌、戊醌、戊氧基氫醌、n-丁酚、酚、氫醌單丙醚、4,4’-(1-甲基亞乙基)雙(2-甲酚)、4,4’-(1-甲基亞乙基)雙(2,6-二甲酚)、4,4’-[1-[4-(1-(4-羥苯基)-1-甲基乙基)苯基]亞乙基]雙酚、4,4’,4”-亞乙基三(2-甲酚)、4,4’,4”-亞乙基三酚、1,1,3-三(2,5-二甲基-4-羥苯基)-3-苯基丙烷、2,6-二-tert-丁基-4-甲酚、2,2’-亞甲基雙(4-甲基-6-tert-丁酚)、4,4’-亞丁基雙(3-甲基-6-tert-丁酚)、4,4’-硫代雙(3-甲基-6-tert-丁酚)、3,9-雙[2-(3-(3-tert-丁基-4-羥基-5-甲苯基)-丙醯氧基)-1,1-二甲基乙基]-2,4,8,10-四氧螺(5,5)十一烷、三乙二醇-雙-3-(3-tert-丁基-4-羥基-5-甲苯基)丙酸酯、n-辛基-3-(3,5-二-tert-丁基-4-羥苯基)丙酸酯、季戊四醇四[3-(3,5-二-tert-丁基-4-羥苯基)丙酸酯](商品名IRGANOX1010、BASF公司製)、三(3,5-二-tert-丁基羥基苄基)異三聚氰酸酯、硫代二伸乙基雙[3-(3,5-二-tert-丁基-4-羥苯基)丙酸酯]等。熱聚合阻礙劑可單獨使用1種，或將2種以上組合使用皆可。 　　[0028] 熱聚合阻礙劑之含量，可配合環烯烴聚合物之種類，及接著劑組成物之用途及使用環境等，作適當之決定即可，例如，環烯烴聚合物之量為100重量份時，以0.1重量份以上、10重量份以下為佳。熱聚合阻礙劑之含量於上述範圍內時，可發揮良好的抑制聚合之效果，且對於高溫製程後的接著劑組成物，更能抑制對洗淨液的溶解性之降低。 　　[0029] (添加溶劑) 　　熱聚合阻礙劑，以添加於溶解於添加溶劑中的接著劑組成物為佳。添加溶劑，並未有特別之限定，其可使用溶解有接著劑組成物所含有之成份的有機溶劑。 　　[0030] 有機溶劑，例如，可溶解接著劑組成物的各成份，形成均勻的溶液者即可，其可僅使用1種有機溶劑，或將2種以上的有機溶劑組合使用亦可。 　　[0031] 有機溶劑之具體例，可列舉如，具有作為極性基之氧原子、羰基或乙醯氧基等的萜烯溶劑等，例如，香草醇(geraniol)、橙花醇(nerol)、沈香醇(linalool)、檸檬醛(citral)、香茅醇(citronellol)、薄荷醇(Menthol)、異薄荷醇(Menthol)、新薄荷醇(Menthol)、α-萜品醇、β-萜品醇、γ-萜品醇、萜品-1-醇、萜品-4-醇、二氫松油醇乙酸酯、1,4-桉樹腦(Cineole)、1,8-桉樹腦、龍腦(borneol)、香旱芹酮(Carvone)、紫蘿酮( Ionone)、側柏烯(thujene)、樟腦等。又如，γ-丁內酯等的內酯類；丙酮、甲基乙酮、環己酮(CH)、甲基-n-戊酮、甲基異戊酮、2-庚酮等的酮類；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等的多元醇類；乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯，或二丙二醇單乙酸酯等的具有酯鍵結之化合物、上述多元醇類或上述具有酯鍵結之化合物之單甲醚、單乙醚、單丙醚、單丁醚等的單烷醚或單苯醚等的具有醚鍵結的化合物等的多元醇類之衍生物(該些之中，又以丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲醚(PGME)為佳)；二噁烷等環式醚類，或乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙基等的酯類；苯甲醚、乙基苄醚、甲苯酚基甲醚、二苯醚、二苄醚、苯乙醚、丁苯醚等的芳香族系有機溶劑等。 　　[0032] 添加溶劑之含量，可配合熱聚合阻礙劑之種類等作適當之調整即可，例如，於溶解樹脂成份的稀釋溶劑(主溶劑)與添加溶劑之合計為100重量份時，添加溶劑之含量，以1重量份以上、50重量份以下為佳，以1重量份以上、30重量份以下為較佳。添加溶劑之含量於上述範圍內時，可使熱聚合阻礙劑充分地溶解。 　　[0033] (溶劑) 　　本發明之第一實施形態的接著劑組成物所含有之溶劑(主溶劑)，只要具有溶解環烯烴聚合物之機能者即可，例如，可使用非極性之烴系溶劑、極性及無極性之石油系溶劑等。較佳為溶液含有脂環式烴，或分支狀烴者。 　　[0034] 該些之中，又以溶劑含有縮合多環式烴，或分支狀烴時，以其可避免接著劑組成物以液狀形態(特別是低溫)保存時所產生之白濁化，而可提高製品的安定性，而為較佳。 　　[0035] 烴系溶劑，可列舉如，直鏈狀、分支狀或環狀之烴。例如，己烷、庚烷、辛烷、壬烷、甲基辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、十三烷等的直鏈狀之烴、異辛烷、異壬烷、異十二烷等的碳數4至15的分支狀之烴；p-甲烷、o-甲烷、m-甲烷、二苯基甲烷、1,4-松節油、1,8-松節油、莰烷、降莰烷、蒎烷(PINANE)、側柏烷(thujane)、長松針烷(carane)、長葉烯(longifolene)等的飽和脂肪族烴、α-萜品、β-萜品、γ-萜品、α-蒎烯、β-蒎烯、α-側柏油(thujone)、β-側柏油等。 　　[0036] 石油系溶劑為由重油純化後之溶劑，例如，白燈油、石蠟系溶劑、異石蠟系溶劑等，亦可為上述之直鏈狀、分支狀或環狀之烴等的混合物。又，石油系溶劑，例如，可含有苯、萘等的芳香族化合物。 　　[0037] 又，脂環式烴係指，含有環狀構造之烴，例如，環己烷、環庚烷、環辛烷等。 　　[0038] 又，脂環式烴，可列舉如，縮合多環式烴等。縮合多環式烴，係指2個以上的單環於各別的環上互相只提供一個邊而形成的縮合環之烴，又以使用2個單環經縮合而形成之烴為佳。 　　[0039] 該些烴，可列舉如，5員環及6員環之組合，或2個6員環之組合等。由5員環及6員環組合而得之烴，例如，茚、戊搭烯(pentalene)、茚烷、四氫茚等，由2個6員環組合而得之烴，例如，萘、四氫萘(Tetralin)及十氫萘(Decalin)等。 　　[0040] 又，分支狀之烴，例如，上述之異辛烷、異壬烷、異十二烷等以外，又例如，愛克森美氟化學股份有限公司製之「Isopa(商品名)」等的異石蠟系之石油系溶劑等。 　　[0041] 又，溶劑為含有上述縮合多環式烴，或分支狀烴之時，溶劑所含有之成份可僅為上述縮合多環式烴，或分支狀之烴，又例如，可含有飽和脂肪族烴等的其他成份。又，可由縮合多環式烴，及分支狀之烴組合者亦可，例如，可含有飽和脂肪族烴等的其他成份。該情形中，縮合多環式烴，或分支狀烴之含量，於烴系溶劑全體為100重量份時，以40重量份以上為佳，以60重量份以上為較佳。縮合多環式烴，或分支狀烴之含量為烴系溶劑全體的40重量份以上時，對於上述樹脂可發揮出高度之溶解性。縮合多環式烴或分支狀烴，與飽和脂肪族烴之混合比於上述範圍內時，可緩和縮合多環式烴或分支狀烴之臭氣。 　　[0042] 又，本發明之第一實施形態的接著劑組成物中溶劑之含量，可配合使用該接著劑組成物所形成膜之接著層的厚度作適當之調整，例如，於接著劑組成物全量為100重量份時，以20重量份以上、90重量份以下之範圍為佳。溶劑之含量於上述範圍內時，可容易調整黏度。 　　[0043] ＜接著劑組成物(實施形態2)＞ 　　本發明的接著劑組成物，並不僅限定於上述實施形態(實施形態1)。例如，可將其他實施形態(實施形態2)的接著劑組成物，於依基板、接著層，及支撐體之順序層合而得之層合體中，形成上述接著層之接著劑組成物，其特徵為，上述接著層中，樹脂成份為含有玻璃轉移溫度為100℃以上之環烯烴聚合物，及多官能型之硬化性單體，該多官能型之硬化性單體經聚合，而使上述接著層硬化時，該接著層之玻璃轉移溫度為160℃以上。 　　[0044] 具備上述構成的接著劑組成物中，其與第一實施形態相同般，可形成具備有形成密封基板(基板)時所需的高耐熱性，及高耐藥性，且可容易經由溶劑去除之接著層。 　　[0045] 又，本實施形態的接著劑組成物，與上述實施形態(實施形態1)的接著劑組成物相同般，為含有溶劑，及添加溶劑。又，溶劑，只要可溶解環烯烴聚合物及硬化性單體之溶劑即可，例如，可使用上述(溶劑)欄所記載之溶劑。 　　[0046] [樹脂成份] 　　本實施形態的接著劑組成物中，樹脂成份為含有玻璃轉移溫度為100℃以上之環烯烴聚合物，與硬化性單體。 　　[0047] 環烯烴聚合物，可使用含有與上述實施形態(實施形態1)中所說明的環烯烴聚合物為相同單體成份的環烯烴聚合物。又，本實施形態的接著劑組成物中，環烯烴聚合物之玻璃轉移溫度以100℃以上為佳，以120℃以上為較佳，以140℃以上為最佳。因此，如上述實施形態(實施形態1)般，亦可使用具有160℃以上的玻璃轉移溫度之環烯烴聚合物。環烯烴聚合物之玻璃轉移溫度為100℃以上時，多官能型之硬化性單體可於配合該環烯烴聚合物之狀態下進行聚合，而可適當地形成玻璃轉移溫度為160℃以上之接著層。 　　[0048] (多官能型之硬化性單體) 　　本實施形態的接著劑組成物中，樹脂成份為含有可與環烯烴聚合物相溶的多官能型之硬化性單體。因此，使用玻璃轉移溫度為100℃以上之環烯烴聚合物時，使硬化性單體聚合時，即可形成玻璃轉移溫度為160℃以上之接著層。硬化性單體，以可經由自由基聚合反應而高分子化之單體為佳，具體而言，可列舉如，多官能型之(甲基)丙烯酸酯單體等。 　　[0049] 上述多官能之(甲基)丙烯酸酯單體，例如，乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊基二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-環己烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、9,9-雙[4-(2-(甲基)丙烯醯氧基乙氧基)苯基]茀、丙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、1,3-金剛烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、5-羥基-1,3-金剛烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3,5-金剛烷三醇三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、丙三醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、2-羥基-3-(甲基)丙烯醯氧基丙基(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二縮水甘油醚二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二縮水甘油醚二(甲基)丙烯酸酯、苯二甲酸二縮水甘油酯二(甲基)丙烯酸酯、丙三醇三(甲基)丙烯酸酯、丙三醇聚縮水甘油醚聚(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(即、伸甲苯基二異氰酸酯)、三甲基伸六甲基二異氰酸酯與伸六甲基二異氰酸酯與2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯之反應物等。該些多官能之(甲基)丙烯酸酯，可單獨使用亦可，將二種類以上組合使用亦可。 　　[0050] 硬化性單體，以具有環狀構造者為佳，以具有多環式脂肪族構造者為較佳。硬化性單體中，具有環狀構造時，更佳為具有多環式脂肪族構造時，其可提高與環烯烴聚合物之相溶性。又，環烯烴聚合物中配合之硬化性單體經聚合時，可更提高接著層之耐熱性。 　　[0051] 因此，上述(甲基)丙烯酸酯單體中，特別是以具有環式基之(甲基)丙烯酸酯單體為佳，以由三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-金剛烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、5-羥基-1,3-金剛烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3,5-金剛烷三醇三(甲基)丙烯酸酯、1,4-環己烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、9,9-雙[4-(2-(甲基)丙烯醯氧基乙氧基)苯基]茀，及丙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯所成之群所選出之至少1種為較佳。該些之中，特別是以具有金剛烷骨架的單體可提高接著層之耐熱性觀點，而為更佳。 　　[0052] 硬化性單體之含量，可於考慮環烯烴聚合物之玻璃轉移溫度後進行決定即可。例如，接著劑組成物中，含有作為樹脂成份的環烯烴聚合物之玻璃轉移溫度為100℃以上時，該硬化性單體之含量，於樹脂成份之合計為100重量%時，以10重量%以上、40重量%以下之範圍內為佳。相對於樹脂成份，硬化性單體之含量為10重量%以上時，可賦予接著層更高之高耐熱性。又，硬化性單體之含量為40重量%以下時，可提高使用洗淨液去除接著層時之洗淨性。換言之，使用玻璃轉移溫度為100℃以上之環烯烴聚合物時，可使硬化性單體之含量為40重量%以下，如此，可防止硬化性單體於硬化時所造成的接著層之洗淨性降低的現象。因此，使用玻璃轉移溫度越高的環烯烴聚合物時，可更降低硬化性單體之含量。 　　[0053] (聚合起始劑) 　　本實施形態的接著劑組成物，可再含有促進硬化性單體的聚合反應之聚合起始劑。 　　[0054] 聚合起始劑，只要可促進硬化性單體的聚合反應者即可，並未有特別限制之內容，其可使用熱聚合起始劑，及光聚合起始劑等。熱聚合起始劑，例如，過氧化物、偶氮系聚合起始劑等。 　　[0055] 過氧化物，例如，過氧化酮、過氧縮酮、過氧化氫、過氧化二烷酯、過氧酯等。具體而言，可列舉如，過氧化乙醯酯、過氧化二異丙苯酯、過氧化tert-丁酯、過氧化t-丁基異丙苯酯、過氧化丙醯酯、過氧化苯甲醯酯(BPO)、過氧化2-氯苯甲醯酯、過氧化3-氯苯甲醯酯、過氧化4-氯苯甲醯酯、過氧化2,4-二氯苯甲醯酯、過氧化4-溴甲苯甲醯酯、過氧化月桂醯酯、過硫酸鉀、過氧化碳酸二異丙酯、過氧化氫四氫萘、1-苯基-2-甲基丙基-1-過氧化氫、過三苯基乙酸-tert-丁酯、過氧化氫tert-丁酯、過甲酸tert-丁酯、過乙酸tert-丁酯、過安息香酸tert-丁酯、過苯基乙酸tert-丁酯、過4-甲氧基乙酸tert-丁酯、過N-(3-甲苯基)胺基甲酸tert-丁酯等。 　　[0056] 市售之過氧化物，例如，日本油脂股份有限公司製之商品名「過異丙苯酯(註冊商標)」、商品名「過丁酯(註冊商標)」、商品名「過油酯(註冊商標)」，及商品名「過辛酯(註冊商標)」等。 　　[0057] 偶氮系聚合起始劑，例如，2,2’-偶氮雙丙烷、2,2’-二氯-2,2’-偶氮雙丙烷、1,1’-偶氮(甲基乙基)二乙酸酯、2,2’-偶氮雙(2-胺二酮(amidino)丙烷)鹽酸鹽、2,2’-偶氮雙(2-胺基丙烷)硝酸鹽、2,2’-偶氮二異丁烷、2,2’-偶氮二異丁基醯胺、2,2’-偶氮二異丁腈、2,2’-偶氮雙-2-甲基丙酸甲酯、2,2’-二氯-2,2’-偶氮雙丁烷、2,2’-偶氮雙-2-甲基丁腈、2,2’-偶氮二異丁酸二甲酯、1,1’-偶氮雙(1-甲基丁腈-3-磺酸鈉)、2-(4-甲苯基偶氮)-2-甲基丙二酸基二腈4,4’-偶氮雙-4-氰基戊酸、3,5-二羥基甲苯基偶氮-2-烯丙基丙二酸基二腈、2,2’-偶氮雙-2-甲基戊腈、4,4’-偶氮雙-4-氰基戊酸二甲酯、2,2’-偶氮雙-2,4-二甲基戊腈、1,1’-偶氮雙環己烷腈、2,2’-偶氮雙-2-丙基丁腈、1,1’-偶氮雙環己烷腈、2,2’-偶氮雙-2-丙基丁腈、1,1’-偶氮雙-1-氯苯基乙烷、1,1’-偶氮雙-1-環己烷碳腈、1,1’-偶氮雙-1-環庚烷腈、1,1’-偶氮雙-1-苯基乙烷、1,1’-偶氮雙異丙苯、4-硝苯基偶氮苄基氰基乙酸乙酯、苯基偶氮二苯基甲烷、苯基偶氮三苯基甲烷、4-硝苯基偶氮三苯基甲烷、1,1’-偶氮雙-1,2-二苯基乙烷、聚(雙酚A-4,4’-偶氮雙-4-氰基戊酸酯)、聚(四乙二醇-2,2’-偶氮二異丁酸酯)等。 　　[0058] (光聚合起始劑) 　　光聚合起始劑，具體而言，可列舉如，1-羥基環己苯酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、1-(4-異丙苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、1-(4-十二烷苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、雙(4-二甲胺苯基)酮、2-甲基-1-[4-(甲基硫基)苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁烷-1-酮、乙酮1-[9-乙基-6-(2-甲苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-1-(o-乙醯基肟)、2,4,6-三甲苯甲醯基二苯基次膦(phosphine)氧化物、4-苯甲醯基-4’-甲二甲基硫醚、4-二甲胺基安息香酸、4-二甲胺基安息香酸甲酯、4-二甲胺基安息香酸乙酯、4-二甲胺基安息香酸丁酯、4-二甲胺基-2-乙基己基安息香酸、4-二甲胺基-2-異戊基安息香酸、苄基-β-甲氧基乙基縮醛、苄二甲基縮酮、1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟、o-苯甲醯基安息香酸甲酯、2,4-二乙基9-氧硫 、2-氯9-氧硫 、2,4-二甲基9-氧硫 、1-氯-4-丙氧基9-氧硫 、硫 、2-氯硫 、2,4-二乙基硫 、2-甲基硫 、2-異丙基硫 、2-乙基蒽醌、辛甲基蒽醌、1,2-苯併蒽醌、2,3-二苯基蒽醌、偶氮二異丁腈、過氧化苯甲醯、過氧化物異丙苯、2-氫硫基苯併咪唑、2-氫硫基苯併噁唑、2-氫硫基苯併噻唑、2-(o-氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(o-氯苯基)-4,5-二(甲氧苯基)咪唑二聚物、2-(o-氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(o-甲氧苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(p-甲氧苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2,4,5-三芳基咪唑二聚物、二苯甲酮、2-氯二苯甲酮、4,4’-雙二甲胺基二苯甲酮(即、米勒(Michler’s )酮)、4,4’-雙二乙胺基二苯甲酮(即、乙基米勒(Michler’s )酮)、4,4’-二氯二苯甲酮、3,3-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、苄酯、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香-n-丁醚、安息香異丁醚、安息香-t-丁醚、苯乙酮、2,2-二乙氧苯乙酮、p-二甲苯乙酮、p-二甲胺基丙醯苯、二氯苯乙酮、三氯苯乙酮、p-t-丁苯乙酮、p-二甲胺苯乙酮、p-t-丁基三氯苯乙酮、p-t-丁基二氯苯乙酮、α,α-二氯-4-苯氧苯乙酮、9-氧硫 、2-甲基9-氧硫 、2-異丙基9-氧硫 、二苯併環庚酮、戊基-4-二甲胺苯甲酸酯、9-苯基吖啶、1,7-雙-(9-吖啶基)庚烷、1,5-雙-(9-吖啶基)戊烷、1,3-雙-(9-吖啶基)丙烷、p-甲氧基三、2,4,6-三(三氯甲基)-s-三、2-甲基-4,6-雙(三氯甲基)-s-三、2-[2-(5-甲基呋喃-2-基)乙烯基(ethenyl)]-4,6-雙(三氯甲基)-s-三、2-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-s-三、2-[2-(4-二乙胺基-2-甲苯基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-s-三、2-[2-(3,4-二甲氧苯基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-s-三、2-(4-甲氧苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三、2-(4-乙氧苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三、2-(4-n-丁氧苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三、2,4-雙-三氯甲基-6-(3-溴-4-甲氧基)苯基-s-三、2,4-雙-三氯甲基-6-(2-溴-4-甲氧基)苯基-s-三、2,4-雙-三氯甲基-6-(3-溴-4-甲氧基)苯乙烯苯基-s-三及2,4-雙-三氯甲基-6-(2-溴-4-甲氧基)苯乙烯苯基-s-三等。又，光聚合起始劑，亦可使用市售品之「IRGACURE OXE02」、「IRGACURE OXE01」，「IRGACURE 369」、「IRGACURE 651」及「IRGACURE 907」(商品名：任一者皆為BASF公司製)及「NCI-831」(商品名：ADEKA公司製)等。 　　[0059] 又，聚合起始劑的添加量，可配合接著劑組成物所含的硬化性單體之含量予以調整。又，一般相對於100重量份之硬化性單體時，聚合起始劑之比例以0.1重量份以上、10重量份以下為佳，以0.5重量份以上、5重量份以下為較佳。 　　[0060] 聚合起始劑，可於使用接著劑組成物之前，使用公知的方法添加於接著劑組成物。又，聚合起始劑，可先稀釋於上述(添加溶劑)欄所記載的有機溶劑中之後，再添加於接著劑組成物。又，本實施形態的接著劑組成物中，可於添加溶劑中添加熱聚合阻礙劑。 　　[0061] ＜接著薄膜＞ 　　本發明之一實施形態(實施形態3)中之接著薄膜，為於薄膜上，形成由本發明之一實施形態的接著劑組成物所形成之接著層。使用該些接著薄膜時，可於支撐體上形成適當的接著層。因此，使用本發明之一實施形態的接著劑組成物所形成的接著薄膜亦包含於本發明之範疇。 　　[0062] 於薄膜上形成接著劑層之方法，可配合所期待的接著層之膜厚或均勻性等，適當地使用公知的方法，以薄膜上的接著劑層之乾燥膜厚度為10～1,000μm之方式，塗佈接著劑組成物之方法等。 　　[0063] 使用該些接著薄膜時，與直接將接著劑組成物塗佈於支撐體上形成接著層之情形相比較時，可以形成具有良好膜厚均勻性及表面平滑性的接著層。 　　[0064] 製造接著薄膜時所使用的薄膜，只要可於薄膜上製膜的接著層由該薄膜剝離，且接著層可轉印於支撐體等之被處理面上的離型薄膜即可，而未有特別之限定。例如，膜厚15～125μm的由聚乙烯對苯二甲酸酯、聚乙烯酯、聚丙烯酯、聚碳酸酯，及聚氯乙烯等之合成樹脂薄膜所形成的可撓性薄膜等。上述薄膜，必要時，以實施容易進行轉印的離型處理為佳。 　　[0065] 又，接著薄膜，可使用保護薄膜覆蓋接著層的露出面之方式予以保護。保護薄膜，只要可由接著層剝離時，並未有限定之成份，例如，以聚乙烯對苯二甲酸酯薄膜、聚丙烯薄膜，及聚乙烯薄膜為佳。又，各保護薄膜，就容易由接著層剝離之目的，以塗覆聚矽氧，或實施燒附處理為佳。 　　[0066] 接著薄膜之使用方法，並未有特別之限定，例如，使用保護薄膜之情形，為於剝離後，重疊於露出於支撐體上的接著層，並使用加熱滾筒於薄膜上(形成接著劑層之面的內面)移動之方式，將接著層熱壓著於支撐體表面之方法等。 　　[0067] 又，由接著薄膜剝離後之保護薄膜，可使用依序捲取之輥筒等之輥筒，捲取為圓筒狀保存，而可供再利用。 　　[0068] [層合體] 　　層合體，為將本發明之一實施形態的接著劑組成物，塗佈於支撐體上，而形成具備有高耐熱性、高耐藥性，及高洗淨性的接著層。層合體，於接著層上，形成使用密封材料密封元件而得之密封體，與密封體的一側之平面部具備再配線層的密封基板。即，層合體為，於將設置於元件的端子，擴展至晶片區域而實際連接於再配線層的基於散出型技術而製造密封基板的過程，所製作的層合體。 　　[0069] [密封基板] 　　密封基板(基板)為具備元件，與實際連接元件的再配線層，與密封元件的密封體。密封基板以具備複數個元件者為佳，經由切割該些密封基板結果，即可製得複數個電子零件。 　　[0070] (再配線層) 　　再配線層，亦稱為RDL(Redistribution Layer：再配線層)，其為具有構成連接元件的配線的薄膜之配線體，可具有單層或複數層之構造。於一實施形態中，再配線層為於介電體(例如，氧化矽(SiO_x )、感光性環氧等的感光性樹脂等)上，形成有導電體(例如，鋁、銅、鈦、鎳、金及銀等的金屬及銀-錫合金等的合金)之配線者，但並不僅限定於此。 　　[0071] (元件) 　　元件(裸晶(Bare chip))為，半導體元件或其他元件，其可具有單層或複數層之構造。又，元件為半導體元件之情形，經由切割密封基板而得的電子零件，可作為半導體裝置。 　　[0072] (密封材料) 　　密封材料，例如，可使用含有環氧系樹脂及聚矽氧系樹脂的密封材料等。密封材料，並非設於每一元件上，而是將全部實際裝設於再配線層的複數元件整體密封者為佳。 　　[0073] [支撐體] 　　支撐體，只要具有於形成密封基板時，可防止密封基板的各構成要素發生破損或變形的必要強度者即可。又，支撐體，可使用具有可穿透形成於該支撐體上的分離層使其發生變質的波長之光線的材料所形成。 　　[0074] 支撐體的材料，例如，可使用玻璃、矽及丙烯酸系樹脂等，但並不僅限定於該些成份。支撐體之形狀，例如，可使用矩形，及圓形等的支撐體，但並不僅限定於該些內容。 　　[0075] [接著層] 　　接著層，為由本發明之一實施形態的接著劑組成物所形成，使密封基板固定於支撐體上之層。接著層，於其表面，可配置可經由密封材料密封的元件。又，接著層，於其表面，可直接的塗佈例如，光阻劑等，並經由曝光處理，而形成感光性絕緣膜等的圖型。又，接著層亦具有保護分離層之機能。 　　[0076] 接著層之厚度，可配合支撐體及密封基板之種類，及形成密封基板時所實施的處理等作適當之設定即可，一般以0.1μm以上、50μm以下為佳，以1μm以上、10μm以下為較佳。為1μm以上時，可使密封基板適當地固定於支撐體上。為10μm以下時，於隨後之步驟中，可容易地去除接著層。 　　[0077] [分離層] 　　分離層，為經由光線照射而產生變質之層。光線介由支撐體照射分離層，而使分離層變質結果，可使支撐體由密封基板分離。 　　[0078] 又，本說明書中，分離層「產生變質」係指，分離層受到些許外力而被破壞之狀態，或造成與分離層相接之層的接著力降低之狀態的現象之意。經吸收光線所產生的分離層變質之結果，分離層會失去照射光線前的強度或接著性。即，經由吸收光線結果，使得分離層脆化。分離層之變質係指，分離層受到所吸收的光線之能量而分解、立體配置產生變化或造成官能基解離等之意。分離層之變質，為經由吸收光線結果而產生者。 　　[0079] 因此，例如，可僅僅提起支撐板(support plate)而使分離層被破壞之變質方式，而簡單地將支撐板與基板分離。更具體而言，例如，可使用支撐體分離裝置等，將層合體中之基板及支撐板中之一者固定於載置台上，經使用具有吸附手段的吸附墊(吸附部)等，固定於另一者將其提起，而使支撐板與基板分離，或使用具備有夾器(爪部)等的分離板夾住支撐板之周邊部份端部的斜面部位後，經由施加力道而使基板與支撐板分離等皆可。又，例如，亦可使用具備有供應可剝離接著劑的剝離液之剝離手段的支撐體分離裝置，由層合體中之基板將支撐板剝離。其為經由該剝離手段將剝離液供應於層合體中之接著層的周端部中至少一部份，使層合體中之接著層膨潤，並於該接著層膨潤之際，將力量集中於分離層之方式，對基板與支撐板施加力量。因而可將基板與支撐板適當地分離。 　　[0080] 施加於層合體之力量，可配合層合體之大小等作適當之調整即可，而未有任何限定，例如，為直徑300mm左右的層合體時，經由施加0.1～5kgf左右的力量，即可將基板與支撐板適當地分離。 　　[0081] 分離層之厚度，例如，以0.05μm以上、50μm以下之範圍內為較佳，以0.3μm以上、1μm以下之範圍內為更佳。分離層之厚度集中於0.05μm以上、50μm以下之範圍時，經由短時間之光照射及低能量的光照射時，分離層即會產生所期待的變質。又，分離層之厚度，就生產性之觀點，以集中於1μm以下之範圍者為特佳。 　　[0082] 又，分離層與支撐體之間，可再形成其他之層。該情形中，其他之層可使用可穿透光線的材料所構成。如此，即不會妨礙光線射入分離層，且，可適當地追加具有優良性質之層。依構成分離層之材料的種類之不同，所可使用的光線之波長亦為不同。因此，構成其他之層的材料，並無須使用可穿透所有光線的材料，而可由可穿透可使構成分離層的材料產生變質的光線之材料中適當地選擇使用。 　　[0083] 又，分離層，可僅由具有吸收光線構造的材料所形成者亦佳，亦可於未損及本發明的本質特性之範圍，可添加不具有吸收光線構造的材料，形成分離層。又，分離層中，以與接著層為對向之側的面為平坦(不形成凹凸)者為佳，如此，可容易形成分離層，且於貼附處理中，亦可以均勻貼附。 　　[0084] (氟化碳) 　　分離層，可由氟化碳所形成。分離層，若經由氟化碳所構成時，可因吸收光線而形成變質，其結果將會失去照射光線前的強度或接著性。因此，僅需施加些許外力(例如，將支撐體提升等)，即可使分離層被破壞，而容易使支撐體與密封基板產生分離。構成分離層之氟化碳，可使用電漿CVD(化學氣相堆積)法適當地形成膜。 　　[0085] 氟化碳，依其種類之不同而會吸收特定範圍的波長。經由使用可吸收分離層所使用的氟化碳之範圍的波長之光線照射分離層時，可使氟化碳適當地產生變質。又，分離層中之光的吸收率以80%以上為佳。 　　[0086] 照射分離層之光線，可配合吸收氟化碳之波長，例如，可適當使用YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO₄ 雷射、LD雷射、纖維雷射等的固體雷射、色素雷射等的液體雷射、CO₂ 雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等的氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等的雷射光，或，非雷射光等。使氟化碳產生變質之波長，此處並未有特別之限定，例如，可使用600nm以下範圍的波長。 　　[0087] (該重複單位含有具有光吸收性的構造之聚合物) 　　分離層中，可含有於該重複單位含有具有光吸收性的構造之聚合物。該聚合物，可受到光線照射而產生變質。該聚合物之變質，可經由上述構造吸收到所照射的光線而產生。分離層，經由聚合物之變質，其會喪失接受光線照射前的強度或接著性。因此，僅施加些許外力(例如，提高支撐體等)，即可使分離層被破壞，而使支撐體與密封基板容易分離。 　　[0088] 具有光吸收性的上述構造為，吸收光線時，可使重複單位之含有該構造的聚合物產生變質之化學構造。該構造，例如，由取代或無取代的苯環、縮合環或雜環所形成之含有共軛π電子系的原子團。更詳細而言，該構造可為，軸節型構造，或存在於上述聚合物側鏈的二苯甲酮構造、二苯基亞碸構造、二苯基碸構造(雙苯基碸構造)、二苯基構造或二苯胺構造等。 　　[0089] 上述構造存在於上述聚合物之側鏈時，該構造可以下式表示。 　　[0090](式中，R各別獨立地表示烷基、芳基、鹵素、羥基、酮基、亞碸基、碸基或N(R⁴ )(R⁵ )(其中，R⁴ 及R⁵ 各別獨立地表示氫原子或碳數1～5之烷基)，Z可不存在，或表示-CO-、-SO₂ -、-SO-或-NH-，n為0或1～5之整數)。 　　又，上述聚合物，例如，可於該主鏈中含有以下之式中：(a)～(d)之任一者所表示的重複單位、(e)所表示者，或(f)之構造。 　　[0091](式中，l為1以上之整數，m為0或1～2之整數，X為於(a)～(e)中之上述“化1”所示之式中之任一者，(f)中之上述“化1”所示之式中之任一者，或不存在，Y₁ 及Y₂ 各別獨立地表示-CO-或SO₂ -。l較佳為10以下之整數)。 　　上述“化1”所示之苯環、縮合環及雜環之例，可列舉如，苯基、取代苯基、苄基、取代苄基、萘、取代萘、蒽、取代蒽、蒽醌、取代蒽醌、吖啶、取代吖啶、偶氮苯、取代偶氮苯、螢光胺(fluorime)、取代螢光胺(fluorime)、螢光酮(fluorimone)、取代螢光酮(fluorimone)、咔唑、取代咔唑、N-烷基咔唑、二苯併呋喃、取代二苯併呋喃、菲、取代菲、芘及取代芘等。所例示之取代基若再具有取代基時，該取代基，例如，可由烷基、芳基、鹵素原子、烷氧基、硝基、醛、氰基、醯胺、二烷胺基、磺醯胺、醯亞胺、羧酸、羧酸酯、磺酸、磺酸酯、烷胺基及芳胺基中所選出。 　　[0092] 上述“化1”所示之取代基中，具有2個苯基的5號之取代基中，Z為-SO₂ -時之例，可列舉如，雙(2,4-二羥苯基)碸、雙(3,4-二羥苯基)碸、雙(3,5-二羥苯基)碸、雙(3,6-二羥苯基)碸、雙(4-羥苯基)碸、雙(3-羥苯基)碸、雙(2-羥苯基)碸，及雙(3,5-二甲基-4-羥苯基)碸等。 　　[0093] 上述“化1”所示之取代基中，具有2個苯基的5號之取代基中，Z為-SO-時之例，可列舉如，雙(2,3-二羥苯基)亞碸、雙(5-氯-2,3-二羥苯基)亞碸、雙(2,4-二羥苯基)亞碸、雙(2,4-二羥基-6-甲苯基)亞碸、雙(5-氯-2,4-二羥苯基)亞碸、雙(2,5-二羥苯基)亞碸、雙(3,4-二羥苯基)亞碸、雙(3,5-二羥苯基)亞碸、雙(2,3,4-三羥苯基)亞碸、雙(2,3,4-三羥基-6-甲苯基)-亞碸、雙(5-氯-2,3,4-三羥苯基)亞碸、雙(2,4,6-三羥苯基)亞碸、雙(5-氯-2,4,6-三羥苯基)亞碸等。 　　[0094] 上述“化1”所示之取代基中，具有2個苯基之5號的取代基中，Z為-C(=O)-時之例，可列舉如，2,4-二羥基二苯甲酮、2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,2’,4,4’-四羥基二苯甲酮、2,2’,5,6’-四羥基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-辛氧基二苯甲酮、2-羥基-4-十二烷氧二苯甲酮、2,2’-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2,6-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2,2’-二羥基-4,4’-二甲氧基二苯甲酮、4-胺基-2’-羥基二苯甲酮、4-二甲胺基-2’-羥基二苯甲酮、4-二乙胺基-2’-羥基二苯甲酮、4-二甲胺基-4’-甲氧基-2’-羥基二苯甲酮、4-二甲胺基-2’,4’-二羥基二苯甲酮，及4-二甲胺基-3’,4’-二羥基二苯甲酮等。 　　[0095] 上述構造存在於上述聚合物之側鏈時，含有上述構造的重複單位中之上述聚合物所佔之比例，為可使分離層的光線透過率為0.001%以上、10%以下之範圍內。該比例集中於該些範圍內所製得之聚合物，該分離層可充分吸收光線，而可確實且迅速地產生變質。即，容易由密封基板去除支撐體，而可縮短去除處理所需要的光線照射時間。 　　[0096] 上述構造，依其種類選擇之不同，可吸收具有所期待範圍的波長之光線。例如，上述構造可吸收的光線之波長，以100nm以上、2,000nm以下範圍內為較佳。於該範圍內，上述構造可吸收的光線之波長，可為更短波長之側，例如，100nm以上、500nm以下之範圍內。例如，上述構造，較佳為經由吸收具有約300nm以上、370nm以下範圍內的波長之紫外光時，可使含有該構造的聚合物產生變質。 　　[0097] 可被上述構造吸收之光線，例如，高壓水銀燈(波長：254nm以上、436nm以下)、KrF準分子雷射(波長：248nm)、ArF準分子雷射(波長：193nm)、F2準分子雷射(波長：157nm)、XeCl雷射(波長：308nm)、XeF雷射(波長：351nm)或固體UV雷射(波長：355nm)所發出之光，或g線(波長：436nm)、h線(波長：405nm)或i線(波長：365nm)等。 　　[0098] 上述分離層，可含有作為重複單位的含上述構造之聚合物，分離層可再含有上述聚合物以外的成份。該成份，可列舉如，填料、可塑劑，及提高支撐體剝離性的成份等。該些成份，只要不會妨礙或促進經由上述構造之光吸收，及聚合物之變質時，可由以往公知物質或材料中適當地選擇使用。 　　[0099] (無機物) 　　分離層，可由無機物所形成。分離層，因由無機物所構成，故於吸收光線後會產生變質，其結果將會喪失接受光線照射前的強度或接著性。因此，僅施加些許外力(例如，提高支撐體1等)時，即會使分離層被破壞，而使支撐體與密封基板容易分離。 　　[0100] 上述無機物，可具有經由吸收光線而變質者即可，例如，可適當地使用由金屬、金屬化合物及碳所成之群所選出之1種類以上的無機物。金屬化合物，係指含有金屬原子之化合物，例如，金屬氧化物、金屬氮化物等。該些無機物之例示，並非僅限定於下述物質，但可列舉如，由金、銀、銅、鐵、鎳、鋁、鈦、鉻、SiO₂ 、SiN、Si₃ N₄ 、TiN，及碳所成之群所選出之1種類以上的無機物。又，碳為包含碳之同位素之概念，例如，石墨、富勒烯、石墨碳、碳奈米套筒等。 　　[0101] 上述無機物，依其種類之不同而可吸收具有特定範圍的波長之光線。使用具有分離層所使用的無機物吸收範圍的波長之光線照射分離層時，可使上述無機物適當地變質。 　　[0102] 照射由無機物所形成之分離層的光線，可配合上述無機物所可吸收之波長，例如，可適當地使用YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO₄ 雷射、LD雷射、纖維雷射等的固體雷射、色素雷射等的液體雷射、CO₂ 雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等的氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等的雷射光，或，非雷射光。 　　[0103] 無機物所形成之分離層，例如可使用濺鍍、化學蒸鍍(CVD)、電鍍、電漿CVD、旋轉塗佈等的公知技術，於支撐體上形成。無機物所形成之分離層的厚度並未有特別之限定，只要具有可充分吸收所使用的光線之膜厚者即可，例如，以具有0.05μm以上、10μm以下範圍內的膜厚者為較佳。又，例如，可預先於構成分離層的無機物所形成的無機膜(例如，金屬膜)之兩面或單面上塗佈接著劑，再貼附於支撐體上。 　　[0104] 又，使用作為分離層的金屬膜時，會因分離層之膜質、雷射光源之種類、雷射輸出等的條件，而引起雷射之反射或使膜產生靜電等。因此，可於分離層的上、下或其中任一面設置抗反射膜或抗靜電膜，作為該些情況之對策。 　　[0105] (具有紅外線吸收性的構造之化合物) 　　分離層，可經由具有紅外線吸收性的構造之化合物所形成者。該化合物，可經由吸收紅外線而產生變質。分離層，經由化合物之變質，其結果將會喪失受到紅外線照射前的強度或接著性。因此，僅施加些許外力(例如，提高支撐體等)時，即可使分離層被破壞，而使支撐體與密封基板容易分離。 　　[0106] 具有紅外線吸收性的構造，或含具有紅外線吸收性的構造之化合物，例如，烷烴、烯烴(乙烯基、反、順、亞乙烯、三取代、四取代、共軛、疊烯、環式)、炔烴(一取代、二取代)、單環式芳香族(苯、一取代、二取代、三取代)、醇及酚類(自由OH、分子內氫鍵結、分子間氫鍵結、飽和二級、飽和三級、不飽和二級、不飽和三級)、縮醛、縮酮、脂肪族醚、芳香族醚、乙烯醚、環氧乙環醚、過氧化醚、酮、二烷基羰酯、芳香族羰酯、1,3-二酮之烯醇(Enol)、o-羥基芳酮、二烷基醛、芳香族醛、羧酸(二聚物、羧酸陰離子)、甲酸酯、乙酸酯、共軛酯、非共軛酯、芳香族酯、內酯(β-、γ-、δ-)、脂肪族酸氯化物、芳香族酸氯化物、酸酐(共軛、非共軛、環式、非環式)、一級醯胺、二級醯胺、內醯胺、一級胺(脂肪族、芳香族)、二級胺(脂肪族、芳香族)、三級胺(脂肪族、芳香族)、一級胺鹽、二級胺鹽、三級胺鹽、銨離子、脂肪族腈、芳香族腈、碳二醯亞胺、脂肪族異腈、芳香族異腈、異氰酸酯、硫代氰酸酯、脂肪族異硫代氰酸酯、芳香族異硫代氰酸酯、脂肪族硝基化合物、芳香族硝基化合物、硝胺、亞硝胺、硝酸酯、亞硝酸酯、亞硝基鍵結(脂肪族、芳香族、單體、二聚物)、硫醇及硫酚及硫醇酸等的硫化合物、硫羰酯、亞碸、碸、氯化磺醯酯、一級磺醯胺、二級磺醯胺、硫酸酯、碳-鹵素鍵結、Si-A¹ 鍵結(A¹ 為H、C、O或鹵素)、P-A² 鍵結(A² 為H、C或O)，或Ti-O鍵結。 　　[0107] 含有上述碳-鹵素鍵結之構造，例如，-CH₂ Cl、-CH₂ Br、-CH₂ I、-CF₂ -、-CF₃ 、-CH=CF₂ 、-CF=CF₂ 、氟化芳基，及氯化芳基等。 　　[0108] 含有上述Si-A¹ 鍵結之構造，例如，SiH、SiH₂ 、SiH₃ 、Si-CH₃ 、Si-CH₂ -、Si-C₆ H₅ 、SiO-脂肪族、Si-OCH₃ 、Si-OCH₂ CH₃ 、Si-OC₆ H₅ 、Si-O-Si、Si-OH、SiF、SiF₂ ，及SiF₃ 等。含有Si-A¹ 鍵結之構造，特別是形成矽氧烷骨架及倍半矽氧烷骨架者為佳。 　　[0109] 含有上述P-A² 鍵結之構造，例如，PH、PH₂ 、P-CH₃ 、P-CH₂ -、P-C₆ H₅ 、A³ ₃ -P-O(A³ 為脂肪族或芳香族)、(A⁴ O)₃ -P-O(A⁴ 為烷基)、P-OCH₃ 、P-OCH₂ CH₃ 、P-OC₆ H₅ 、P-O-P、P-OH，及O=P-OH等。 　　[0110] 上述構造，依其種類選擇之不同，而可吸收具有所期待的範圍之波長的紅外線。具體而言，可列舉如，上述構造可吸收的紅外線之波長，例如為1μm以上、20μm以下之範圍內，又以2μm以上、15μm以下之範圍內更適合吸收。此外，上述構造為Si-O鍵結、Si-C鍵結及Ti-O鍵結時，可為9μm以上、11μm以下之範圍內。又，各構造可吸收的紅外線之波長為該業者所容易理解之內容。例如，各構造中之吸收帶，可參照非專利文獻：SILVERSTEIN・BASSLER・MORRILL著「使用有機化合物圖譜之檢定法(第5版)-MS、IR、NMR、UV之併用-」(1992年發行)第146頁～第151頁之記載。 　　[0111] 形成分離層所使用的具有紅外線吸收性的構造之化合物，只要為具有上述構造的化合物中，就塗佈之目的而可溶解於溶劑、可固化形成固體層者時，並未有特別之限定。但，就使分離層中之化合物可有效地變質、容易使支撐體與密封基板分離之觀點，以分離層中之紅外線吸收越大者，即，使用紅外線照射分離層時紅外線的透過率越低者為佳。具體而言，可列舉如，分離層中之紅外線的透過率以低於90%者為佳，紅外線的透過率以低於80%者為較佳。 　　[0112] 舉例說明時，具有矽氧烷骨架的化合物，例如，可使用由下述化學式(1)所表示之重複單位及下述化學式(2)所表示之重複單位的共聚物之樹脂，或下述化學式(1)所表示之重複單位及丙烯酸系化合物所產生之重複單位的共聚物之樹脂。 　　[0113](化學式(2)中，R⁶ 為氫、碳數10以下之烷基，或碳數10以下之烷氧基)。 　　其中，具有矽氧烷骨架的化合物，以上述化學式(1)所表示之重複單位及下述化學式(3)所表示之重複單位的共聚物之t-丁苯乙烯(TBST)-二甲基矽氧烷共聚物為較佳，以含有1：1之上述化學式(2)所表示之重複單位及下述化學式(3)所表示之重複單位的TBST-二甲基矽氧烷共聚物為更佳。 　　[0114]又，具有倍半矽氧烷骨架的化合物，例如，亦可使用下述化學式(4)所表示之重複單位及下述化學式(5)所表示之重複單位的共聚物之樹脂。 　　[0115](化學式(4)中，R⁷ 為氫或碳數1以上、10以下之烷基，化學式(5)中，R⁸ 為碳數1以上、10以下之烷基，或苯基)。 　　具有倍半矽氧烷骨架的化合物，於上述內容以外，亦可適當地使用特開2007-258663號公報(2007年10月4日公開)、特開2010-120901號公報(2010年6月3日公開)、特開2009-263316號公報(2009年11月12日公開)，及特開2009-263596號公報(2009年11月12日公開)中所揭示的各倍半矽氧烷樹脂。 　　[0116] 其中，具有倍半矽氧烷骨架的化合物，以下述化學式(6)所表示之重複單位及下述化學式(7)所表示之重複單位之共聚物為較佳，以含有7：3之下述化學式(6)所表示之重複單位及下述化學式(7)所表示之重複單位的共聚物為更佳。 　　[0117]具有倍半矽氧烷骨架的聚合物，可為無規構造、梯形構造，及籠型構造等，亦可為任何構造。 　　[0118] 又，含有Ti-O鍵結之化合物，例如，(i)四-i-丙氧基鈦、四-n-丁氧基鈦、四(2-乙基己基氧基)鈦，及鈦-i-丙氧基伸辛基乙醇酸酯等的烷氧基鈦；(ii)二-i-丙氧基・雙(乙醯基丙酮)鈦，及雙(乙基丙酮乙酸酯)丙烷二氧代鈦等的螯合物鈦；(iii)i-C₃ H₇ O-[-Ti(O-i-C₃ H₇ )₂ -O-]_n -i-C₃ H₇ ，及n-C₄ H₉ O-[-Ti(O-n-C₄ H₉ )₂ -O-]_n -n-C₄ H₉ 等的鈦聚合物；單硬脂酸(iv)三-n-丁氧基鈦、硬脂酸鈦、二異硬脂酸二-i-丙氧基鈦，及(2-n-丁氧基羰苯甲醯氧基)三丁氧基鈦等的醯酸酯鈦；(v)二-n-丁氧基・雙(三乙醇胺根(aminato))鈦等的水溶性鈦化合物等。 　　[0119] 其中，含有Ti-O鍵結之化合物，又以二-n-丁氧基・雙(三乙醇胺根)鈦(Ti(OC₄ H₉ )₂ [OC₂ H₄ N(C₂ H₄ OH)₂ ]₂ )為佳。 　　[0120] 上述分離層，為含有具有紅外線吸收性的構造之化合物，但分離層可再含有上述化合物以外的成份。該成份，可列舉如，填料、可塑劑，及提高支撐體剝離性之成份等。該些成份，只要不會妨礙或促進經由上述構造的紅外線吸收，及化合物之變質時，可由以往公知的物質或材料適當地選擇。 　　[0121] (紅外線吸收物質) 　　分離層，可含有紅外線吸收物質。分離層，於具有含有紅外線吸收物質之構成內容時，可經由吸收光而產生變質，其結果將會喪失接受光線照射前的強度或接著性。因此，僅施加些許之外力(例如，提高支撐體等)時，將會使分離層被破壞，而使支撐體與密封基板容易被分離。 　　[0122] 紅外線吸收物質只要具有經由吸收紅外線而產生變質之構成內容即可，例如，可適當使用碳黑、鐵粒子，或鋁粒子。紅外線吸收物質，依其種類之不同可吸收具有特定範圍波長之光線。使用光線照射具有分離層所使用的紅外線吸收物質所吸收的範圍之波長的分離層時，可使紅外線吸收物質適當地變質。 　　[0123] (反應性聚倍半矽氧烷) 　　分離層，可將反應性聚倍半矽氧烷進行聚合反應而形成。如此，可使分離層具備高耐藥性與高耐熱性。 　　[0124] 本說明書中，反應性聚倍半矽氧烷係指，聚倍半矽氧烷骨架之末端具有矽醇基，或，具有經由水解可形成矽醇基的官能基之聚倍半矽氧烷，於可形成該矽醇基或矽醇基的官能基經縮合反應，而可互相聚合者。又，反應性聚倍半矽氧烷，只要為具有矽醇基，或，可形成矽醇基的官能基時，可使用具備有無規構造、籠型構造、梯形構造等的倍半矽氧烷骨架之反應性聚倍半矽氧烷。 　　[0125] 又，反應性聚倍半矽氧烷，以具有下述化學式(8)所示構造者為較佳。 　　[0126]化學式(8)中，R”，各自獨立為由氫及碳數1以上、10以下之烷基所成之群所選出者，又以由氫及碳數1以上、5以下之烷基所成之群所選出者為較佳。R”為氫或碳數1以上、10以下之烷基時，於分離層形成步驟中，經由加熱處理，可使化學式(8)所表示的反應性聚倍半矽氧烷適當地進行縮合反應。 　　[0127] 化學式(8)中，p以1以上、100以下之整數為佳，以1以上、50以下之整數為較佳。反應性聚倍半矽氧烷，於具備化學式(8)所表示之重複單位時，相較於使用其他材料所形成者，其具有更高的Si-O鍵結之含量，而可形成於紅外線(0.78μm以上、1,000μm以下)、較佳為遠紅外線(3μm以上、1,000μm以下)、更佳為波長9μm以上、11μm以下之間，具有高吸光度的分離層。 　　[0128] 又，化學式(8)中，R’，各自獨立為互相相同，或相異之有機基。其中，R，例如，芳基、烷基，及烯基等，該些有機基可具有取代基。 　　[0129] R’為芳基之情形，可列舉如，苯基、萘基、蒽基、菲基等，又以苯基為較佳。又，芳基，可介由碳數1～5之伸烷基鍵結於聚倍半矽氧烷骨架。 　　[0130] R’為烷基之情形，烷基可列舉如，直鏈狀、支鏈狀，或環狀之烷基。又，R為烷基之情形，其碳數以1～15為佳，以1～6為較佳。又，R為環狀之烷基之情形，可為具有單環狀或2～4環狀構造之烷基。 　　[0131] R’為烯基之情形，與為烷基之情形相同，可列舉如，直鏈狀、支鏈狀，或環狀之烯基等，烯基，其碳數以2～15為佳，以2～6為較佳。又，R為環狀烯基之情形，可為單環狀或2～4環狀構造之烯基。烯基，例如，乙烯基，及烯丙基等。 　　[0132] 又，R’所具有的取代基，可列舉如，羥基及烷氧基等。取代基為烷氧基時，可列舉如，直鏈狀、支鏈狀，或環狀之烷基烷氧基等，烷氧基中之碳數以1～15為佳，以1～10為較佳。 　　[0133] 又，其中一觀點為，反應性聚倍半矽氧烷之矽氧烷含量，以70莫耳%以上、99莫耳%以下為佳，以80莫耳%以上、99莫耳%以下為較佳。反應性聚倍半矽氧烷之矽氧烷含量為70莫耳%以上、99莫耳%以下時，於照射紅外線(較佳為遠紅外線，更佳為波長9μm以上、11μm以下之光線)時，可形成容易變質的分離層。 　　[0134] 又，其中一觀點為，反應性聚倍半矽氧烷之重量平均分子量(Mw)，以500以上、50,000以下為佳，以1,000以上、10,000以下為較佳。反應性聚倍半矽氧烷之重量平均分子量(Mw)為500以上、50,000以下時，可容易溶解於溶劑，而容易塗佈於支撐板上。 　　[0135] 可作為反應性聚倍半矽氧烷使用的市售品，例如，小西化學工業股份有限公司製之SR-13、SR-21、SR-23及SR-33等。 　　[0136] ＜層合體之製造方法，及基板處理方法＞ 　　本發明之一實施形態(實施形態4)為有關層合體之製造方法，其為將具備有實際裝設有元件的再配線層，與使用密封材料密封上述元件的密封體之密封基板，介由接著層層合於支撐上述密封基板的支撐體上的層合體之製造方法，其特徵為，包含於上述支撐體上，塗佈上述接著劑組成物以形成上述接著層之接著層形成步驟。又，本實施形態的層合體之製造方法中，為包含將作為支撐體之由透過光線之材料所製得之支撐體，於上述接著層形成步驟前，使用光線照射上述支撐體，使其變質形成分離層之分離層形成步驟。 　　[0137] 又，本實施形態之基板處理方法為包含，使用本發明之一實施形態的層合體之製造方法，製得上述層合體後，介由上述支撐體照射光線，使上述分離層變質，而使上述層合體由上述支撐體分離之分離步驟，與於分離步驟後，使用洗淨液去除殘留於上述密封基板側之上述接著層的殘渣之去除步驟。 　　[0138] 圖1為說明本發明之實施形態1的層合體之製造方法，及基板處理方法中各步驟之圖。本實施形態的層合體之製造方法，為依序實施分離層形成步驟、接著層形成步驟，及密封基板形成步驟。 　　[0139] [分離層形成步驟] 　　如圖1(a)所示般，分離層形成步驟為，使用例如化學氣相成長(CVD)法等，對可透過光線的支撐體1的一側之平面部1a上，照射光線使其變質而形成分離層2。又，「一側之平面部」係指，支撐體1所具有的平面部中之一個之意。又，「平面部」，可具有實質上觀察為平面程度的微細凹凸。 　　[0140] [接著層形成步驟] 　　如圖1(b)所示般，接著層形成步驟，例如，使用旋轉塗佈、浸潤、直排滾輪、噴霧塗佈、縫隙塗佈等的方法塗佈上述接著劑組成物，再經由加熱，或，放置於減壓環境下以去除接著劑組成物所含的稀釋溶劑。隨後，若接著層含有熱聚合起始劑時，亦可經由加熱處理，可使該接著層所含的硬化性單體進行聚合。又，將接著層3加熱之條件，可於熱聚合起始劑中的1分鐘半衰溫度，及1小時半衰溫度為基準，適當地進行設定即可，例如，於50℃以上、300℃以下範圍內之溫度中，於真空下或氮氣體等的惰性氣體氛圍下進行者為佳，又以於氮氣體等的惰性氣體氛圍下進行者為較佳。 　　[0141] 又，接著層含有光聚合起始劑時，經由於氮氣體等的惰性氣體氛圍下進行曝光結果，可使該接著層所含的硬化性單體進行聚合。又，曝光條件，可配合光聚合起始劑之種類等作適當之設定即可。 　　[0142] 又，若接著層3不含硬化性單體時，於去除溶劑之後，並不需進行加熱，或曝光處理。 　　[0143] [密封基板之形成步驟] 　　如圖1(c)～(f)所示般，密封基板形成步驟，為於接著層3上，形成密封基板7之步驟。本實施形態中之密封基板形成步驟，為依再配線層形成步驟、實際裝設步驟、密封步驟，及薄化步驟之順序進行。 　　[0144] [再配線層形成步驟] 　　如圖1(c)所示般，再配線層形成步驟，為於接著層3上形成再配線層4。 　　[0145] 一實施形態中，再配線層4的形成順序，首先，於接著層3上，形成氧化矽(SiO_x )、感光性樹脂等的介電體層。由氧化矽形成的介電體層，例如，可使用濺鍍法、真空蒸鍍法等而形成。由感光性樹脂所形成之介電體層，例如，可使用旋轉塗佈、浸潤、直排滾輪、噴霧塗佈及縫隙塗佈等的方法塗佈感光性樹脂之方式形成。 　　[0146] 隨後，於介電體層上，使用金屬等的導電體形成配線。配線之形成方法，例如，可使用光微影蝕刻(光阻微影蝕刻)等的微影蝕刻處理、蝕刻處理等的公知半導體製程方法。該些微影蝕刻處理，例如，使用正型光阻劑之微影蝕刻處理，及使用負型光阻劑之微影蝕刻處理等。 　　[0147] 如此，於進行光微影蝕刻處理，及蝕刻處理等之際，接著層3為曝露於氟化氫酸等的酸、氫氧化四甲基銨(TMAH)等的鹼，及、溶解光阻劑所使用的光阻溶劑中。光阻溶劑，可使用PGMEA、環戊酮、N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)，及環己酮等。其中，接著層3，於環烯烴聚合物中，因硬化性單體的聚合而可使耐藥性更為提升。因此，不僅於酸、鹼，即使接著層3曝露於甚至該些光阻溶劑時，也可防止溶解，或剝離。因此，於接著層3上可經由光阻劑形成高精度的圖型，而更容易形成再配線層4。 　　[0148] 又，再配線層形成步驟，例如，就使接著層3上所形成的光阻劑硬化之觀點，而於200℃之高溫環境下、進行4小時左右的加熱處理。此時，接著層3，因具備有高耐熱性，故可防止接著層產生龜裂。又，接著層3，因具備有高耐熱性，故即使長時間曝露於高溫環境下時，也可容易地防止接著層3上所形成之光阻被膜產生收縮(shrink)。因此，接著層3上可容易地形成再配線層4。 　　[0149] 如圖1(d)所示般，實際裝設步驟，為於再配線層4上實際裝設元件5之步驟。於再配線層4上實際裝設元件5之方法，例如，可使用晶片貼片機等進行。又，實際裝設步驟中，於再配線層4上介由焊劑凸點而實際裝設元件5時，於密封元件5之前，該焊劑凸點亦可使用底部填充材(Underfill)予以密封。 　　[0150] 如圖1(e)所示般，密封步驟為，使用密封材料6密封元件5之步驟。其並未有特別限制之內容，密封材料6，例如，可於加熱至130℃～170℃之狀態，於維持高黏度狀態下，使用成型模具進行壓縮成型。因此，元件5於使用密封材料6進行密封時，接著層3為於配置元件5之狀態，於130℃～170℃之溫度進行加壓處理者。但，接著層3，因具備高耐熱性，故即使於130℃～170℃之溫度進行加壓時，可容易地防止配置元件5的再配線層4產生變形。 　　[0151] 如圖1(f)所示般，薄化步驟為，使密封材料6薄化。密封材料6，例如可薄化至元件5同等的厚度。 　　[0152] 又，可於薄化步驟後可再進行於密封材料上形成凸點，及形成絕緣層等處理。 　　[0153] 依以上步驟所得之圖1(g)所示層合體8，為依：可透過光線的支撐體1，與經由光線照射產生變質之分離層2，與接著層3，與密封基板7之順序層合而成，密封基板7為具備有：使用密封元件5的密封材料6所密封的密封體，與設置於該密封材料之一側平面部的配置有元件5的再配線層4。 　　[0154] [分離步驟] 　　如圖1(h)所示般，分離步驟為，介由支撐體1，使用光線L照射分離層2，使分離層2變質。所照射之光線L的種類及波長，可配合支撐體1的透過性及分離層2的材質適當地選擇，例如，使用YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO₄ 雷射、LD雷射、纖維雷射等的固體雷射、色素雷射等的液體雷射、CO₂ 雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等的氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等的雷射光，或，非雷射光。如此，可使分離層2產生變質，使支撐體1與密封基板7形成容易分離之狀態。 　　[0155] 又，照射雷射光之情形的雷射光照射條件之一，可例如以下之條件，但並非限定於此：雷射光之平均輸出值，以1.0W以上、5.0W以下為佳，以3.0W以上、4.0W以下為較佳；雷射光之重複周波數，以20kHz以上、60kHz以下為佳，以30kHz以上、50kHz以下為較佳；雷射光之掃瞄速度，以100mm/s以上、10,000mm/s以下為佳。 　　[0156] 隨後，如圖1(i)所示般，分離步驟為，使支撐體1與密封基板7分離。例如，對支撐體1與密封基板7以互相離開之方向施加力量，而使支撐體1，與密封基板7分離。例如，將支撐體1及密封基板7中一者固定於平台之狀態下，另一者使用具備有風箱墊(bellows 等的吸附墊的分離板於保持吸附下將其提升，即可使支撐體1與密封基板7分離。 　　[0157] [去除步驟] 　　如圖1(h)所示般，去除步驟為，去除殘留於分離支撐體1後的密封基板7上的接著層3與分離層2。例如，可使用含有有機溶劑的洗淨液等，去除接著層3及分離層2之殘渣之去除步驟。接著層3，可使用接著劑組成物所使用的稀釋溶劑作為洗淨液，即，較佳為使用烴系溶劑，特別是以使用p-甲烷等的萜烯系溶劑，及四氫萘等的縮合環烴為更佳。 　　[0158] 經以上步驟，即可製得單離後之密封基板7。 　　[0159] 又，亦可對密封基板7進行焊球形成、切割處理，及、氧化膜形成等的處理。 　　[0160] [實施形態5] 　　以下，將說明本發明之其他實施形態(實施形態5)。又，於說明之簡便上，與上述實施形態所說明的構件具有相同機能的構件，將標記相同之符號，並省略其說明。實施形態2之層合體之製造方法，及基板處理方法，為依序實施分離層形成步驟、接著層形成步驟、密封基板形成步驟、分離步驟，及去除步驟，其中，密封基板形成步驟，為於接著層3上配置元件。又，如圖2(a)所示般，分離層形成步驟，因與實施形態1為相同之內容，故省略其說明。 　　[0161] [接著層形成步驟] 　　本實施形態的層合體之製造方法所包含的接著層形成步驟為，於支撐體1上塗佈本發明之一實施形態的接著劑組成物，並與實施形態1為相同之條件，去除接著劑組成物中所含的稀釋溶劑，但不進行隨後之加熱，或曝光使接著層硬化之步驟。 　　[0162] [密封基板形成步驟] 　　如圖2(c)～(f)所示般，密封基板形成步驟為，於接著層3上形成密封基板7。本實施形態中之密封基板形成步驟，為依配置步驟、密封步驟、薄化步驟，及再配線層形成步驟之順序進行。 　　[0163] 如圖2(c)所示般，配置步驟，為於接著層3上配置元件5。更具體而言，可列舉如，配置步驟為，於將形成接著層3的支撐體1，於加熱至100℃左右的狀態，例如，使用黏晶機(Die Bonder)等，將元件5壓著於接著層3上，使元件5配置於接著層3上。 　　[0164] 又，接著層含有熱聚合起始劑之情形，配置步驟中，可於接著層3上配置元件5之後，經由對接著層3進行加熱，使該接著層3所含的硬化性單體進行聚合反應。又，接著層含有光聚合起始劑之情形，接著層3可經由曝光而硬化。 　　[0165] 圖2(d)所示般，密封步驟，為使用密封材料6密封元件5。密封步驟，與實施形態1之情形相同，為使用密封材料6密封元件5，於接著層3配置元件5之狀態，於130℃～170℃之溫度下進行加壓處理。但，因接著層3具備有高耐熱性，故於130℃～170℃之溫度的溫度條件下，可防止因密封材料6之加壓而造成於接著層3上的元件5之位置產生偏離。因此，可於接著層3上，容易形成元件5以高精度配列而得之密封基板7。 　　[0166] 如圖2(e)所示般，薄化步驟，為使密封材料6薄化之步驟。密封材料6，例如，只要薄化至使元件5的端子部露出密封材料6為止即可。 　　[0167] 如圖2(f)所示般，再配線層形成步驟，為於密封體露出元件5的平面部形成再配線層4之步驟。 　　[0168] 本實施形態中，再配線層4之形成順序，因可與實施形態1為相同之方式，故將省略該說明。 　　[0169] 經由以上之步驟，可與實施形態1相同般，製得層合體9。 　　[0170] 隨後，如圖2(g)及(h)所示般，分離步驟中，經由將光線由支撐體1向分離層2照射時，可使分離層2變質，而將支撐體1由層合體9分離。又，隨後，於去除步驟中，與實施形態1相同般，經使用烴系溶劑去除接著層3結果，即可製得密封基板7(圖2之(i))。 　　[0171] [實施形態6] 　　以下，將對本發明之實施形態6進行說明。又，於說明之簡便上，與上述實施形態1及2中所說明的構件具有相同機能的構件，將標記相同之符號，並省略該說明。實施形態3之層合體之製造方法，及密封基板之製造方法，為依分離層形成步驟、分離層周邊部份去除步驟、接著層形成步驟、密封基板形成步驟，及接著層去除步驟之順序實施。 　　[0172] [分離層形成步驟] 　　圖3(a)所示般，分離層形成步驟，因與實施形態1及2為相同之內容，故將省略該說明。 　　[0173] [分離層周邊部份去除步驟] 　　如圖3(b)所示般，分離層周邊部份去除步驟為，例如，使用EBR(Edge Bead Removal)處理，去除形成於支撐體1之周邊部份1b全周的分離層2。周邊部份1b為平面部1a之周邊部份。如此，如圖3(b)所示般，於平面部1a上，被去除分離層2的周邊部份1b所包圍的部份，為形成分離層2之狀態。EBR處理之詳細內容將於後敘述。 　　[0174] [接著層形成步驟] 　　圖3(c)所示般，接著層形成步驟為，於支撐體1中之去除周邊部份1b全周的分離層2之側的面上，形成接著層3。如此，可使支撐體1上所形成的分離層2全面被接著層3所覆蓋。又，接著層3之形成方法，因與實施形態1為相同之方法，故將省略該說明。 　　[0175] [密封基板形成步驟] 　　如圖3(d)～(g)所示般，密封基板形成步驟為，於接著層3上形成密封基板7’之步驟。本實施形態中之密封基板形成步驟，為依再配線層形成步驟、實際裝設步驟、密封步驟，及薄化步驟之順序進行。 　　[0176] 如圖3(d)所示般，實施形態3為，於再配線層形成步驟中，將接著層3上所形成的再配線層4之外周端部經由修整處理而去除。又，再配線層4之修整，可使用研磨機等的公知手段經由研削而去除即可。如此，於隨後步驟中，可於層合體8’(圖3)中容易地進行EBR處理。 　　[0177] 又，再配線層4之形成方法，因與實施形態1為相同之內容，故將省略該說明。 　　[0178] 如圖3(e)～(g)所示般，實施形態3中，為進行實際裝設步驟、密封步驟，及薄化步驟。又，實施形態3中，實際裝設步驟、密封步驟，及薄化步驟，可依與實施形態1相同之方法進行，故將省略該說明。 　　[0179] [接著層去除步驟] 　　如圖3(h)所示般，接著層去除步驟為，例如，經由EBR處理，而去除形成於支撐體1之周邊部份1b全周的接著層3。接著層3中，形成於支撐體1之周邊部份1b全周的部份，因可不介由分離層2，而使支撐體1與密封基板7’接著，故去除該部份時，於使分離層2變質之際，可使支撐體1與密封基板7’圓滑地分離。 　　[0180] 特別是，去除較支撐體1上所形成的分離層2之外周端部2a為更外側所形成的接著層3時，可使支撐體1與密封基板7’，必須介由分離層2形成接著之狀態，故使分離層2變質之際，可使支撐體1與密封基板7’更圓滑地分離。 　　[0181] [分離步驟～去除步驟] 　　如圖3(i)～(k)所示般，為依與實施形態1相同方式，進行分離步驟，及去除步驟之方式，而可製造密封基板7’。 　　[0182] (EBR處理) 　　上述(A)分離層周邊部份去除步驟中，去除支撐體1之周邊部份1b全周所形成的分離層2之EBR處理，及(B)接著層去除步驟中，去除支撐體1之周邊部份1b全周所形成的接著層3之EBR處理之方法，例如，可使用(i)使用溶劑溶解去除之方法、(ii)使用切斷器或刀片等進行物理性切斷去除之方法、(iii)於大氣壓下以灰化(ashing)處理去除之方法等。其中，就強度及實用性之觀點，以使用溶劑去除之方法為佳。 　　[0183] 使用溶劑去除之方法中，所使用的溶劑，只要可溶解去除對象的分離層2或接著層3者即可，並未有特別之限定，熟悉該項技術者，可配合所欲去除之對象的組成容，適當地選擇使用。例如，對接著層3而言，特別是可以使用p-甲烷等的萜烯系溶劑，及四氫萘等的縮合環烴等。又，對分離層2而言，例如，可使用由單異丙醇胺(MIPA)等的一級脂肪族胺、2-(甲胺基)乙醇等的二級脂肪族胺、三乙醇胺等的三級之脂肪族胺、環己胺等的脂環式胺、苄胺等的芳香族胺及N‐羥基乙基哌啶等的雜環式胺所成之群所選出之至少1種的胺類，或，含有該些胺類的溶劑等。又，溶劑中，於上述(添加溶劑)之欄所列舉之內容，亦可配合使用萜烯溶劑以外的有機溶劑。 　　[0184] 供應溶劑之方法，例如，經由溶劑之噴灑，而將溶劑供應於去除對象之方法、將去除對象浸漬於溶劑中之方法等。 　　[0185] 經由溶劑之噴灑，而將溶劑供應於去除對象之方法中，就可均勻供應溶劑之觀點，以使支撐體1於迴轉中，將溶劑供應於去除對象之方法為佳。使支撐體1於迴轉中，供應溶劑之方法，例如，將噴灑溶劑的噴嘴配置於支撐體1之周邊部份1b的鄰接外側的正上方，再將溶劑由支撐體1之周邊部份1b的鄰接外側於持續滴入中，將支撐體1使用旋轉塗佈器進行迴轉之方法等。如此，可由支撐體1之周邊部份1b全周的鄰接外側直接供應溶劑。又，所配置的噴嘴數量並未有特別之限制，只要為1個以上即可。 　　[0186] 伴隨支撐體1之迴轉及溶劑噴灑的上述方法中，支撐體1之迴轉速度、溶劑由噴嘴供應時的溶劑之流量，及溶劑之供應時間等，依所欲去除對象之組成內容、去除對象之厚度、使用溶劑之種類，及去除程度等而有所差異，但熟悉該項技術者，可毫無困難的評估其最佳條件並予以決定。 　　[0187] 又，使用溶劑溶解去除對象後，以將支撐體1等進行乾燥處理為佳。經由乾燥步驟，可去除不需要的溶劑、非去除對象部份的浸入分離層2或接著層3的溶劑。 　　[0188] 乾燥方法，例如，可使用旋轉塗佈器等，於使支撐體1於迴轉中振動乾燥、使用氮氣體等之以噴霧方式鼓風之乾燥、經燒焙之乾燥，及減壓乾燥等。又，該些乾燥方法中，將其中任一方法單獨使用，或將任意2個以上的方法組合使用之方法皆為可能。 　　[0189] [實施形態7] 　　以下將說明本發明之實施形態7。又，於說明之簡便上，上述實施形態1～3中所說明的構件具有相同機能的構件，將標記相同之符號，並省略該說明。實施形態4之層合體之製造方法，及密封基板之製造方法，為依分離層形成步驟、分離層周邊部份去除步驟、接著層形成步驟、密封基板形成步驟，及接著層去除步驟之順序實施。 　　[0190] [分離層形成步驟～接著層形成步驟] 　　分離層形成步驟、分離層周邊部份去除步驟，及接著層形成步驟，與實施形態2為相同之內容，故將省略該說明。 　　[0191] [密封基板形成步驟] 　　密封基板形成步驟為，於接著層3上，配置元件5後予以密封。即，其為依與實施形態2相同之步驟，而形成密封基板7’。隨後，如圖4(a)所示般，將密封基板7’的外周端部經由修整處理而去除。又，密封基板7之修整，可使用研磨機等的公知手段予以研削而去除即可。如此，於隨後的步驟中，於層合體9’(圖4)中，可容易進行胺處理。 　　[0192] [接著層去除步驟] 　　如圖4(b)所示般，其與實施形態3相同，於實施形態4中，密封基板7’的外周端部亦可經由修整處理，而去除較分離層2的外周端部2a為更外側所形成的接著層3。因此，於使分離層2變質之際，可使支撐體1與密封基板7’圓滑地分離。 　　[0193] 隨後，與實施形態1～3相同般，經使用烴系溶劑去除接著層3結果，而可製得密封基板7’。 　　[0194] [其他實施形態] 　　本發明之層合體之製造方法及基板處理方法，並不僅限定於上述各實施形態(實施形態4、實施形態5、實施形態6、實施形態7)。例如，其他實施形態之層合體之製造方法，可將各實施形態的層合體之製造方法所形成的層合體中之密封基板，介由其他的接著層及其他的分離層，而層合於其他支撐體的層合體之製造方法。如此，可將形成密封基板時所使用的接著層側之支撐體分離，並使用其他的支撐體，以支撐密封基板之狀態下，對該密封基板進行適當的加工。 　　[0195] 又，其他實施形態之層合體之製造方法，為製造一依基板、接著層，及支撐體之順序層合而得之層合體的層合體之製造方法，其為包含：於上述基板上，或上述支撐體上的至少一者，塗佈本案一實施形態的接著劑組成物，經由加熱而形成上述接著層之接著層形成步驟。其中，基板可列舉如，矽、陶瓷，或聚醯亞胺樹脂等的可撓式基板等，典型上，可為矽內埋式載板(Interposer)。 　　[0196] 具有上述構成內容時，於支撐體上，例如，容易對矽內埋式載板(Interposer)進行加工，而形成貫通電極。即，使用本發明之實施形態的接著劑組成物形成接著層時，即使於散入型半導體密封技術中，也容易形成層合體。 　　[0197] 本發明並不僅限定於上述各實施形態，可於請求項所示範圍進行各種的變更，將不同的實施形態所分別揭示的技術的手段適當組合而得之實施形態，亦包含於本發明之技術的範圍中。 [實施例] 　　[0198] 使用作為樹脂成份之基底聚合物與硬化性單體，製得實施例1～15之接著劑組成物。同時製作比較例1～4之接著劑組成物，隨後，使用實施例1～15，及比較例1～4之接著劑組成物形成接著層，並對各接著層實施使用壓縮模具進行元件密封之適應性評估、對形成絕緣圖型製程的適應性評估。 　　[0199] [接著劑組成物之製造，及接著層之形成] 　　[0200] (實施例1) 　　將實施例1之接著劑組成物的APL6015(環烯烴聚合物：三井化學股份有限公司製)85重量份，與作為硬化性單體的A-DCP(三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯：新中村化學股份有限公司製)15重量份，溶解於400重量份之十氫萘中。其次，對100重量份之硬化性單體，添加Paroil TCP(熱聚合起始劑：日本油脂股份有限公司製)，使其達2重量份，而製得接著劑組成物。又，Paroil TCP為，溶解於10重量份的乙酸丁酯(添加溶劑)中，添加於樹脂成份者。 　　[0201] 其次、於玻璃支撐體(10cm×10cm、厚度700μm)上，於流量400sccm、壓力700mTorr、高周波電力2500W及成膜溫度240℃之條件下，使用作為反應氣體的C₄ F₈ ，依CVD法形成分離層之氟化碳膜(厚度1μm)。 　　[0202] 其次，將實施例1之接著劑組成物，使用旋轉塗佈法於維持1500rpm迴轉中，塗佈於形成於玻璃支撐體的分離層上。隨後，將塗佈有實施例1之接著劑組成物的玻璃支撐體，於140℃、5分鐘之條件，經由預熱而形成實施例1之接著層(膜厚3μm)。該實施例1之接著層，分別使用於下述評估1及2。 　　[0203] (實施例2～15) 　　實施例2～15，為使用與實施例1相異的組成內容及組成比，分別添加基底聚合物、硬化性單體及聚合起始劑，而製得接著劑組成物。隨後，分別使用該些接著劑組成物形成實施例2～15之接著層。 　　[0204] (比較例1～4) 　　除使用玻璃轉移溫度較低的環烯烴聚合物，或熱可塑性彈性體以外，其他皆依製作實施例1之接著劑組成物的順序，製得比較例1～4之接著劑組成物。其次，分別使用比較例1～4之接著劑組成物，依與實施例1相同之順序，旋轉塗佈於形成分離層的玻璃支撐體上，於160℃之條件，進行5分鐘之預熱，而形成厚度5μm之接著層。 　　[0205] 又，實施例1～15，及比較例1～4中所使用的基底聚合物、硬化性單體，係如以下所示之內容。又，以下表2～4中，為分別標記實施例1～15，及比較例1～4之組成內容。 　　[0206] ・以下為式(9)所示環狀聚烯烴(三井化學股份有限公司製、「APL6015(商品名)」、Tg=140、Mw=80,000、Mw/Mn=2.0、m：n=58：42(莫耳比)) 　　[0207][0208] ・以下為式(10)所示環狀聚烯烴(聚塑膠股份有限公司製、「TOPAS6015(商品名)」、Tg=140、Mw=80,000、Mw/Mn=2.0、m：n=48：52(莫耳比)) 　　[0209][0210] ・上述式(10)所示環狀聚烯烴(聚塑膠股份有限公司製、「TOPAS6017(商品名)」、降莰烯含量82重量%、Tg=160、Mw=80,000、Mw/Mn=2.0、m：n=43：57(莫耳比)) 　　・苯乙烯-伸乙基-伸丙基-苯乙烯之三嵌段共聚物(熱可塑性彈性體)：SEPS(股份有限公司KURARE製、「Septon2004(商品名)」、Tg=90℃、苯乙烯含量18%、分子量90,000) 　　[0211] 又，實施例及比較例中，所使用的環烯烴聚合物之重量平均分子量，及動態機械分析(DMA:Dynamic Mechanical Analysis)所求得之玻璃轉移溫度(Tg)，係如下表1所示之內容。 　　[0212][0213] 又，如表1所示，玻璃轉移溫度(Tg(DMA)[℃])，為使用動態黏彈性測定裝置Rheologel-E4000(UBM股份有限公司製)，於周波數1Hz之條件下，依5℃/分鐘之升溫速度，由溫度25℃上升至300℃為止間所測定的黏彈性變化為基礎所求得者。 　　[0214] 後述表2～4中，除實施例1～10、12～15之接著層之玻璃轉移溫度(Tg(DMA)[℃])，為進行140℃、5分鐘之預熱處理，隨後於200℃、1小時、氮氣氛圍下之加熱處理後進行測定以外，其他皆依與表1所示之玻璃轉移溫度之測定為相同條件下進行測定者。 　　[0215] 又，實施例11之接著層之玻璃轉移溫度(Tg(DMA)[℃])，為進行140℃、5分鐘之預熱處理，隨後使用高壓水銀燈UV曝光機(ORC股份有限公司製)，於減壓真空下、500mJ/cm² 之條件下，進行曝光處理後所測定者以外，其他皆依與表1所示之玻璃轉移溫度之測定為相同條件下進行測定者。 　　[0216] 比較例1、2、4之接著層之玻璃轉移溫度(Tg(DMA)[℃])，為進行160℃、5分鐘之預熱處理以外，其他皆依與表1所示之玻璃轉移溫度之測定為相同條件下進行測定者。又，比較例3之接著層之玻璃轉移溫度(Tg(DMA)[℃])，除未進行160℃、5分鐘之預熱處理以外，其他皆依與實施例1之接著層為相同條件下進行加熱處理，測定玻璃轉移溫度者。 　　[0217] [硬化性單體] 　　・以下為式(11)所示三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(新中村化學股份有限公司製、「A-DCP(商品名)」) 　　[0218]・以下為式(12)所示三環癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯(新中村化學股份有限公司製、「DCP(商品名)」) 　　[0219][0220] ・以下為式(13)所示之1,3-金剛烷二醇二丙烯酸酯(三菱氣體化學股份有限公司製、「ADDA(商品名)」) 　　[0221][0222] ・以下為式(14)所示之5-羥基-1,3-金剛烷二醇二甲基丙烯酸酯(三菱氣體化學股份有限公司製、「HADDM(商品名)」) 　　[0223][0224] ・以下為式(15)所示之1,3,5-金剛烷三醇三甲基丙烯酸酯(三菱氣體化學股份有限公司製、「ADTM(商品名)」) 　　[0225][0226] [評估1：對使用壓縮模具進行元件密封之適應性評估] 　　於實施例1之接著層的特定位置上配置裸晶(Bare chip)，使用密封劑(密封材料)密封裸晶。此時裸晶位置偏離之程度，作為使用壓縮模具進行密封(molding)之適應性評估。 　　[0227] 裸晶(Bare chip)之配置，為使用黏晶機(Die Bonder)(TRESKY公司製)實施。首先，將黏晶機板加熱至150℃，於35N之壓力下，以1秒鐘時間，壓著實施例1之接著層上的2mm四方的矽製裸晶。如此，如圖5所示般，即將裸晶(元件)5配置於由玻璃支撐體1所形成的接著層3中的四邊之周邊部，及中央部。 　　[0228] 其次，將配置裸晶的實施例1之接著層，以200℃、1小時，於氮氣氛圍下進行加熱。加熱後，使裸晶形成配置之狀態，將形成實施例1之接著層的玻璃支撐體，載置於加熱至50℃之板上，再放上含有12g環氧樹脂的密封劑，於低於10Pa的減壓條件下，使用貼附裝置，對加熱至130℃之押壓用板，施加1噸的壓力，並進行5分鐘之壓縮(如圖2(c)及(d)所示，相當於配置步驟)。如此，配置於接著層上的裸晶將受到密封材料所密封，而製得層合密封基板的實施例1之層合體。 　　[0229] 使用光學顯微鏡由玻璃面側觀察實施例1之層合體，並評估貼附後裸晶5位置偏離的程度。如圖5所示般，由配置於接著層3上的各裸晶5貼附時的位置，求取向X方向，及Y方向移動距離之和，作為各裸晶之移動距離。隨後，求取裸晶5之移動距離的平均值，作為評估移動距離之評估值。 　　[0230] 對壓縮模具進行密封之適應性評估中，於裸晶5之移動距離為3μm以下之情形，評估為無位置偏離「○」、裸晶5之移動距離大於3μm之情形，則評估位置有偏離「×」。 　　[0231] 又，實施例2～10、12～15，及比較例3之接著層，為依與實施例1相同之順序，形成接著層後，再對使用壓縮模具進行元件密封之適應性評估。 　　[0232] 又，比較例1、2，及4之接著層，為將裸晶壓著於特定位置之後，除不對接著層進行加熱以外，其他皆依與評估實施例1之接著層的順序相同般，進行對使用壓縮模具進行元件密封之適應性評估。 　　[0233] 實施例11之接著層，為使用黏晶機壓著裸晶後，除使用高壓水銀燈UV曝光機(ORC股份有限公司製)，替代於200℃、1小時、氮氣氛圍下的加熱處理，並於於減壓真空下、500mJ/cm² 之條件下進行曝光處理以外，其他皆依與評估實施例1之接著層的順序相同般，進行對使用壓縮模具進行元件密封之適應性評估。 　　[0234] 以下所示之表2～4中，為表示使用壓縮模具進行元件密封之適應性評估結果。 　　[0235] [評估2：對絕緣圖型形成製程之適應性評估] 　　對依與評估1所使用的接著層為相同順序製得之實施例1～15，及比較例1～4之接著層，進行絕緣圖型形成製程之適應性評估(評估2)。對絕緣圖型形成製程之適應性評估中，為評估對光阻溶劑之耐藥性，及評估圖型形成後的加熱處理之耐熱性。 　　[0236] 又，實施例1～10、12～15及比較例1～4中，於絕緣圖型形成製程之適應性評估，為分別於200℃、1小時、氮氣氛圍下的加熱處理後進行。又，實施例11之接著層，為依與評估1中之曝光條件相同條件曝光之後，進行對絕緣圖型形成製程之適應性評估。 　　[0237] (耐藥性之評估) 　　首先，於正型光阻之評估中，為使用絕緣膜形成用組成物PN-0379D(含PGMEA、東京應化工業股份有限公司製)以1000rpm旋轉塗佈於各接著層後，經110℃、4分鐘條件之預熱處理，而形成5μm的乾燥被膜。其次，使用ORC公司製之平行光曝光機(ghi)，對該被膜進行圖型曝光。其次，將曝光後的被膜於23℃下，浸漬於2.38%TMAH水溶液中5分鐘，而形成100μm寬的線路圖型之經正型光阻而得的感光性絕緣膜。 　　[0238] 又，負型光阻之評估中，為使用負型光阻之BL301(含NMP、旭化成股份有限公司製)以1000rpm旋轉塗佈於各接著層後，經110℃、4分鐘條件之預熱處理，而形成5μm之接著層。其次，使用ORC公司製之平行光曝光機(ghi)進行圖型曝光後，於23℃下，浸漬於環己酮中5分鐘，而形成100μm寬的線路圖型之經負型光阻而得的感光性絕緣膜。 　　[0239] 耐藥性之評估，為將上述所得之圖型分別於23℃下浸漬於PGMEA、TMAH、NMP，及環己酮中5分鐘，再以目視方式觀察浸潤時的各接著層之外觀變化。耐藥性之評估中，重量及外觀未發現變化時評估為「○」，發現重量變化或外觀產生變化(線路圖型之浮起，或接著層中有無龜裂)時評估為「×」。 　　[0240] 以下之表2～4，為表示對絕緣圖型形成製程之適應性評估中，耐藥性之評估結果。 　　[0241] (耐熱性之評估) 　　其次，耐熱性之評估為，將評估耐藥性後之各層合體，於200℃、4小時、氮氣氛圍下，進行加熱處理後，評估其形成100μm寬的線路圖型是否會發生收縮(shrink)。耐熱性之評估，為使用光學顯微鏡，測定加熱處理後的100μm寬之線路圖型的寬度，寬度之增減低於5μm時，則評估耐熱性為「○」，寬度之增減大於5μm時，則評估耐熱性為「×」。 　　[0242] 以下之表2～4，為表示對絕緣圖型形成製程之適應性評估中，耐熱性之評估結果。 　　[0243] 又，實施耐熱性之評估後，於形成線路圖型的各接著層上配置裸晶，並依與評估1相同條件，使用含有環氧樹脂之密封劑密封該裸晶，而製得層合於密封基板之層合體。 　　[0244] [評估3：洗淨性之評估] 　　於評估1及2所形成的各層合體中，將波長532nm之雷射光由玻璃支撐體側向分離層側照射，使該分離層產生變質。其次，將各層合體由玻璃支撐體分離，露出接著層。使用作為洗淨液之p-甲烷，進行5分鐘、噴霧洗淨處理，以洗淨殘留有接著層的密封基板。洗淨性之評估，為以目視方式確認密封基板上是否存在接著層之殘渣，完全未發現殘渣之情形，其洗淨性評估為「○」，發現大量殘渣之情形，其洗淨性評估為「×」。 　　[0245] 以下之表2，為表示實施例1～6之接著劑組成物的組成內容，及各評估結果。[0246] 以下之表3，為表示實施例7～15之接著劑組成物的組成內容，及各評估結果。 　　[0247][0248] 以下之表4，為表示比較例1～4之接著劑組成物的組成內容，及各評估結果。 　　[0249][0250] (各評估結果) 　　如表2及3所示般，於使用壓縮模具進行元件密封之適應性評估中，實施例1～15之接著層中任一者，皆未發現所配置之裸晶位置產生偏離(○)。相對於此，如表4所示般，比較例1～4中，則發現裸晶位置產生偏離(×)。由該些結果得知，使用Tg為140℃以上的基底聚合物時，可製得一適合使用於接著層上密封元件的容易密封該元件的接著劑組成物。 　　[0251] 又，以下之表5，為表示於實施例7之接著層中，對使用壓縮模具進行元件密封之適應性評估中，將押壓用加壓機中之加熱溫度由130℃變更為150℃，及170℃之結果。 　　[0252][0253] 又，如表5所示般，相對於比較例1中發現晶片產生較大移動(535μm)之現象，實施例7中，即使密封時的平板溫度為170℃時，也幾乎未發現晶片位置產生偏離(≦3μm)。 　　[0254] 又，如表2及3所示般，於使用壓縮模具進行元件密封之適應性評估中，無論實施例1～15之接著層中之任一者，皆未發現配置之裸晶位置產生偏離(○)。相對於此，如表4所示般，比較例1～4中，則發現裸晶位置產生偏離(×)。特別是比較例3之接著層中，即使添加A-DCP，於評估1及評估2中，仍未能得到充分之結果。由該些實施例1～15，及比較例1～4之結果得知，確認使用Tg為100℃以上的環烯烴聚合物及硬化性單體時，可製得即使於高溫環境下，施加力量時，也可防止變形的接著層。又，由此結果得知，確認使用Tg為100℃以上之環烯烴聚合物及硬化性單體時，可製得一種可於接著層上配置元件，並可容易地對該元件進行密封的接著劑組成物。 　　[0255] 對絕緣圖型形成製程之適應性評估的耐藥性中，確認於實施例1～15，及比較例1～4中之任一者，對各光阻溶劑皆具備有高耐藥性。其中，於耐熱性之評估中，實施例1～15之接著層，於200℃、4小時之加熱條件中，於接著層上所形成的光阻圖型皆未發現些微之收縮(〇)。相對於此，比較例1～4之接著層，則發現光阻圖型之收縮現象(×)。由上述結果得知，於併用Tg較高的環烯烴聚合物，與硬化性單體時，可形成防止光阻圖型收縮的接著層。 　　[0256] 又，將實施例7、比較例1之接著層上所形成的線路圖型，與未形成接著層而直些形成玻璃支撐體上的線路圖型，依與評估2中之耐熱性評估為相同條件下進行加熱處理，並測量其線路圖型寬度之增減，及變化量。其結果係如以下表6所示。 　　[0257][0258] 如表6所示般，於使用光阻形成圖型之方法中的加熱處理之前後間，確認於實施例7之接著層上所形成的光阻圖型的收縮程度，與於玻璃支撐體上直接形成的光阻圖型的收縮程度，幾乎未有任何變化。 　　[0259] 此外，於洗淨性之評估(評估3)中，實施例1～15之接著層，如表2～4所示般，可使用p-甲烷予以良好地洗淨去除(○)。 　　[0260] 由以上結果得知，於Tg為100℃以上的環烯烴聚合物中配合硬化性單體時，可製得一種對絕緣圖型形成製程具有適應性，及對絕緣圖型形成製程具有高適應性的接著層之接著劑組成物 [產業上利用性] 　　[0261] 本發明特別是適合使用於使用散出型技術的半導體裝置製造中。

[0262]

1‧‧‧支撐體

3‧‧‧接著層

4‧‧‧再配線層

5‧‧‧裸晶(Bare chip)(元件、密封體)

6‧‧‧密封材料(密封體)

7、7’‧‧‧密封基板

8、8’、9、9’‧‧‧層合體

[0010] 　　[圖1] 本發明之一實施形態的層合體之製造方法，及基板處理方法之說明圖。 　　[圖2] 本發明之一實施形態的層合體之製造方法，及基板處理方法之說明圖。 　　[圖3] 本發明之一實施形態的層合體之製造方法，及基板處理方法之說明圖。 　　[圖4] 本發明之一實施形態的層合體之製造方法之概略說明圖。 　　[圖5] 使用壓縮模型的元件密封體之適性評估中，接著層上的元件配置之概略說明圖。

Claims (12)

1. 一種接著劑組成物，其為於依基板、接著層，及支撐體之順序層合而得之層合體中，形成上述接著層之接著劑組成物，其特徵為， 　　上述接著層之玻璃轉移溫度為160℃以上，該接著層中，樹脂成份為含有玻璃轉移溫度為160℃以上之環烯烴聚合物。
2. 一種接著劑組成物，其為於依基板、接著層，及支撐體之順序層合而得之層合體中，形成上述接著層之接著劑組成物，其特徵為， 　　上述接著層中，樹脂成份為含有玻璃轉移溫度為100℃以上之環烯烴聚合物，及多官能型之硬化性單體， 　　該多官能型之硬化性單體經聚合反應，而使上述接著層硬化時，該接著層之玻璃轉移溫度為160℃以上。
3. 如請求項2之接著劑組成物，其中，上述多官能型之硬化性單體為具有多環式脂肪族構造者。
4. 如請求項2或3之接著劑組成物，其中，上述樹脂成份中，上述多官能型之硬化性單體之含量為10重量%以上、40重量%以下之範圍內。
5. 如請求項1～4中任一項之接著劑組成物，其中，上述環烯烴聚合物為，具有多環式脂肪族構造的結構單位，與乙烯基單體單位之加成聚合物。
6. 如請求項1～5中任一項之接著劑組成物，其尚含有可溶解上述樹脂成份的溶劑，該溶劑為含有由縮合多環式烴，及分支狀烴所成之群所選出之1種。
7. 一種接著薄膜，其特徵為，於薄膜上，形成由請求項1～5中任一項之接著劑組成物所形成之接著層。
8. 一種層合體之製造方法，其為製造依基板、接著層，及支撐體之順序層合而得之層合體的層合體之製造方法，其特徵為包含， 　　將請求項1～6中任一項之接著劑組成物塗佈於上述基板上，或上述支撐體上中之至少一者，經由加熱而形成上述接著層之接著層形成步驟。
9. 如請求項8之層合體之製造方法，其中，上述基板為具備：經密封材料密封元件所形成的密封體，與設置於上述密封體中一側的平面部之實際裝設上述元件的再配線層之密封基板， 　　且包含： 　　將上述接著劑組成物塗佈於上述支撐體上，經由加熱而形成上述接著層之上述接著層形成步驟，與 　　於上述接著層上，配置元件的配置步驟，與 　　於上述配置步驟後，使用密封材料密封上述元件的密封步驟。
10. 如請求項8之層合體之製造方法，其中，上述基板為具備：經密封材料密封元件所形成的密封體，與設置於上述密封體中一側的平面部之實際裝設上述元件的再配線層之密封基板， 　　且包含： 　　將上述接著劑組成物塗佈於上述支撐體上，經由加熱而形成上述接著層之上述接著層形成步驟，與 　　於上述接著層上，形成上述再配線層之再配線層形成步驟。
11. 如請求項8～10中任一項之層合體之製造方法，其中，上述支撐體為由可透過光線的材料所形成之支撐體， 　　於上述接著層形成步驟之前，尚包含，使用光線照射上述支撐體上，使其變質而形成分離層之分離層形成步驟。
12. 一種基板處理方法，其特徵為，包含： 　　請求項11之層合體之製造方法，與 　　介由上述支撐體，使用光線照射上述分離層，使其變質之由上述層合體分離上述基板之分離步驟，與 　　於上述分離步驟後，使用洗淨液去除殘留於由上述層合體分離之上述基板上的上述接著層之去除步驟。