KR20180043731A - 접착제 조성물, 및 그 이용 - Google Patents

접착제 조성물, 및 그 이용 Download PDF

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Abstract

높은 내열성, 높은 약품 내성, 및 높은 세정성을 구비하는 접착제 조성물을 실현하는 것.
접착제 조성물은, 기판, 접착층, 및 지지체를 이 순서로 적층하여 이루어지는 적층체에 있어서의 상기 접착층을 형성하기 위한 접착제 조성물로서, 상기 접착층의 유리 전이 온도는 160 ℃ 이상이며, 당해 접착층은, 수지 성분으로서 유리 전이 온도가 160 ℃ 이상인 시클로올레핀 폴리머를 포함하고 있다.

Description

접착제 조성물, 및 그 이용 {ADHESIVE COMPOSITION, AND USE THEREOF}
본 발명은, 접착제 조성물, 및 그 이용에 관한 것이다.
반도체 소자 (전자 부품) 를 포함하는 반도체 패키지 (반도체 장치) 로서는, WLP (Wafer Level Package), PLP (Panel Level Package) 등이 알려져 있다. WLP 및 PLP 등의 반도체 패키지에는, 베어 칩의 단부에 있는 단자를 칩 에어리어 내에 재배치하는, 팬인형 WLP (Fan-in Wafer Level Package) 등의 팬인형 기술과, 칩 에어리어 외에 단자를 재배치하는, 팬아웃형 WLP (Fan-out Wafer Level Package) 등의 팬아웃형 기술이 알려져 있다. 특히, 팬아웃형 기술은, 패널 위에 반도체 소자를 배치하여 패키지화하는 팬아웃형 PLP (Fan-out Panel Level Package) 에 응용되고 있고, 반도체 장치의 집적화, 박형화 및 소형화 등을 실현하기 위해, 이들과 같은 팬아웃형 기술이 주목을 모으고 있다.
특허문헌 1 에는, 시클로올레핀 구조를 갖는 폴리머와, 당해 폴리머에 상용하는 (메트)아크릴레이트 모노머를 포함하는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물이 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 2014-105316호 (헤세이 26 년 6 월 9 일 공개)
그러나, 반도체 장치의 집적화, 박형화 및 소형화 등을 실현하기 위한 반도체 패키지 기술의 고도화에 수반하여, 특허문헌 1 에 기재된 접착제 조성물보다, 높은 내열성, 높은 내약품성, 높은 세정성을 구비한 접착층을 형성할 수 있는 신규 접착제 조성물이 요구되고 있다.
본 발명은, 상기의 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 높은 내열성, 높은 내약품성, 높은 세정성을 구비한 접착층을 형성할 수 있는 신규 접착제 조성물 및 그 관련 기술을 제공하는 것에 있다.
상기의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 접착제 조성물은,
기판, 접착층, 및 지지체를 이 순서로 적층하여 이루어지는 적층체에 있어서의 상기 접착층을 형성하기 위한 접착제 조성물로서,
상기 접착층의 유리 전이 온도는 160 ℃ 이상이며, 당해 접착층은, 수지 성분으로서, 유리 전이 온도가 160 ℃ 이상인 시클로올레핀 폴리머를 포함하고 있는 것을 특징으로 하고 있다.
또는, 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 접착제 조성물은,
기판, 접착층, 및 지지체를 이 순서로 적층하여 이루어지는 적층체에 있어서의 상기 접착층을 형성하기 위한 접착제 조성물로서,
상기 접착층은, 수지 성분으로서, 유리 전이 온도가 100 ℃ 이상인 시클로올레핀 폴리머, 및 다관능형의 경화성 모노머를 포함하고 있고,
당해 다관능형의 경화성 모노머가 중합됨으로써, 상기 접착층이 경화되었을 때에 있어서의 당해 유리 전이 온도는, 160 ℃ 이상인 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 관련된 접착제 조성물은, 높은 내열성, 높은 내약품성, 높은 세정성을 구비한 신규 접착제 조성물, 및 그 관련 기술을 제공할 수 있다는 효과를 발휘한다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 적층체의 제조 방법, 및 기판 처리 방법에 대해 설명하는 도면이다.
도 2 는, 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 적층체의 제조 방법, 및 기판 처리 방법에 대해 설명하는 도면이다.
도 3 은, 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 적층체의 제조 방법, 및 기판 처리 방법에 대해 설명하는 도면이다.
도 4 는, 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 적층체의 제조 방법의 개략에 대해 설명하는 도면이다.
도 5 는, 압축형에 의한 소자의 봉지에 대한 적응성 평가에 있어서의, 접착층 상의 소자의 배치의 개략에 대해 설명하는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해, 상세하게 설명한다.
＜접착제 조성물 (실시 형태 1)＞
본 발명의 일 실시 형태 (실시 형태 1) 에 관련된 접착제 조성물은, 기판, 접착층, 및 지지체를 이 순서로 적층하여 이루어지는 적층체에 있어서의 상기 접착층을 형성하기 위한 접착제 조성물로서, 상기 접착층의 유리 전이 온도는 160 ℃ 이상이며, 당해 접착층은, 수지 성분으로서 유리 전이 온도가 160 ℃ 이상인 시클로올레핀 폴리머를 포함하고 있다.
또한, 접착제 조성물에 의해 형성되는 접착층의 유리 전이 온도는, 공지된 방법으로서, 예를 들어 동적 기계 분석 (Dynamic Mechanical Analysis) 을 들 수 있고, 주파수 1 Hz 의 조건에서, 5 ℃／분의 승온 속도로, 25 ℃ 에서 300 ℃ 까지 온도를 상승시킴으로써 측정한 점탄성의 변화에 기초하여 구할 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서, 특별히 설명이 없는 한, 「수지 성분」 이란, 시클로올레핀 폴리머, 및 후술하는 경화성 모노머를 의미한다.
상기 구성을 구비한 접착제 조성물을 사용하여 형성된 접착층은, 봉지 기판 (기판) 을 형성하기 위해서 요구되는 높은 내열성, 및 높은 내약품성을 구비하고 있다. 또, 봉지 기판을 형성한 후에 있어서의 접착층의 잔류물을, 용제에 의해 바람직하게 제거할 수 있는 접착층을 형성할 수 있다.
또한, 접착제 조성물에 의해 형성된 접착층이 구비하고 있는 높은 내열성이란, 예를 들어 (i) 고온 환경하, 힘이 가해졌을 때에 있어서 변형되는 것을 방지할 수 있는 것, (ii) 고온 환경하에 장시간에 노출되었을 때에 있어서의, 크랙 등의 파손을 일으키지 않는 것을 의미한다.
〔수지 성분〕
본 발명의 제 1 실시 형태에 관련된 접착제 조성물은, 유리 전이 온도가 160 ℃ 이상이며 시클로올레핀 폴리머를 수지 성분으로서 포함하고 있다. 유리 전이 온도가 160 ℃ 이상인 시클로올레핀 폴리머를 포함하고 있음으로써, 높은 내열성, 및 높은 내약품성을 구비하면서도, 용제를 사용하여 바람직하게 제거할 수 있는 접착층을 형성할 수 있다.
시클로올레핀 폴리머의 유리 전이점 (Tg) 은, 160 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 200 ℃ 이상인 것이 보다 바람직하다.
시클로올레핀 폴리머로서는, 구체적으로는, 시클로올레핀 모노머를 포함하는 단량체 성분의 개환 중합체, 시클로올레핀 모노머를 포함하는 단량체 성분을 부가 중합시킨 부가 중합체 등을 들 수 있다.
상기 시클로올레핀 폴리머로서는, 예를 들어 노르보르넨, 노르보르나디엔 등의 2 고리체, 디시클로펜타디엔, 하이드록시디시클로펜타디엔 등의 3 고리체, 테트라시클로도데센 등의 4 고리체, 시클로펜타디엔 3 량체 등의 5 고리체, 테트라시클로펜타디엔 등의 7 고리체, 또는 이들 다고리체의 알킬 (메틸, 에틸, 프로필, 부틸 등) 치환체, 알케닐 (비닐 등) 치환체, 알킬리덴 (에틸리덴 등) 치환체, 아릴 (페닐, 톨릴, 나프틸 등) 치환체 등의 모노머를 구성 단위로 하는 폴리머를 들 수 있다. 이들 중에서도 특히, 노르보르넨, 테트라시클로도데센, 또는 이들의 알킬 치환체로 이루어지는 군에서 선택되는 노르보르넨 구조를 갖는 모노머를 구성 단위로 하는 폴리머가 보다 바람직하다. 이와 같은, 노르보르넨 구조 등을 구성 단위로 하는 시클로올레핀 폴리머를 사용함으로써, 예를 들어 레지스트 용제에 대한 높은 약품 내성을 구비하면서, 예를 들어 탄화수소계 용제에 의해 바람직하게 용해하여 제거할 수 있는 접착층을 형성할 수 있는 접착제 조성물을 얻을 수 있다.
시클로올레핀 폴리머는, 상기 서술한 시클로올레핀계 모노머와 공중합 가능한 다른 모노머를 단량체 단위로 하고 있어도 되고, 예를 들어 알켄 모노머를 단량체 단위로 하는 것이 바람직하다. 알켄 모노머로서는, 탄소수 2 ∼ 10 의 알켄 모노머를 들 수 있고, 예를 들어 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 이소부텐, 1-헥센 등의 α-올레핀을 들 수 있고, 이들 중에서도, 에틸렌을 단량체 단위로 하는 것이 보다 바람직하다. 알켄 모노머는, 직사슬형이어도 되고, 분기 사슬형이어도 된다.
시클로올레핀 폴리머를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 시클로올레핀 모노머의 비율은, 10 몰％ 이상, 100 몰％ 이하인 것이 바람직하고, 20 몰％ 이상, 100 몰％ 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 시클로올레핀 구조를 갖는 폴리머는, 예를 들어 시클로올레핀계 모노머와 알켄 모노머로 이루어지는 단량체 성분을 중합시켜 이루어지는 수지와 같이, 극성기를 가지지 않은 수지인 것이, 고온하에서의 가스의 발생을 억제하는데 있어서 바람직하다.
단량체 성분을 중합할 때의 중합 방법이나 중합 조건 등에 대해서는, 특별히 제한은 없고, 통상적인 방법에 따라 적절히 설정하면 된다.
시클로올레핀 폴리머의 중량 평균 분자량은, 10,000 이상, 2,000,000 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 30,000 이상, 1,500,000 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 시클로올레핀 구조를 갖는 폴리머의 중량 평균 분자량이 10,000 이상임으로써, 당해 폴리머의 연화 온도를 유리와의 첩합 (貼合) 에 적절한 온도로 할 수 있다. 시클로올레핀 구조를 갖는 폴리머의 중량 평균 분자량이 2,000,000 이하임으로써, 당해 폴리머는, 세정액에 대해 바람직하게 용해성을 부여할 수 있다.
시클로올레핀 폴리머로서 사용할 수 있는 시판품으로서는, 예를 들어 폴리 플라스틱스 주식회사 제조의 「TOPAS (상품명)」, 미츠이 화학 주식회사 제조의 「APEL (상품명)」, 닛폰 제온 주식회사 제조의 「ZEONOR (상품명)」 및 「ZEONEX (상품명)」, JSR 주식회사 제조의 「ARTON (상품명)」 등을 들 수 있다.
(열 중합 금지제)
본 발명에 있어서, 접착제 조성물은 열 중합 금지제를 함유하고 있어도 된다. 열 중합 금지제는, 열이나 광에 의한 라디칼 중합 반응을 방지하는 기능을 갖는다. 구체적으로는, 열 중합 금지제는 라디칼에 대해 높은 반응성을 나타내기 때문에, 시클로올레핀 폴리머보다 우선적으로 반응하여, 시클로올레핀 폴리머끼리가 중합되는 것을 금지한다. 이 때문에, 시클로올레핀 폴리머에 의해 형성된 접착층이 가열됨으로써, 당해 접착층에 있어서의 세정액에 대한 용해성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
열 중합 금지제로서는, 열에 의한 라디칼 중합 반응을 방지하는데 유효하면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 페놀을 갖는 열 중합 금지제가 바람직하다. 이로써, 대기하에서의 고온 처리 후에도 양호한 용해성을 확보할 수 있다. 그러한 열 중합 금지제로서는, 힌더드페놀계의 산화 방지제를 사용하는 것이 가능하고, 예를 들어 피로갈롤, 벤조퀴논, 하이드로퀴논, 메틸렌블루, tert-부틸카테콜, 모노벤질에테르, 메틸하이드로퀴논, 아밀퀴논, 아밀옥시하이드로퀴논, n-부틸페놀, 페놀, 하이드로퀴논모노프로필에테르, 4,4'-(1-메틸에틸리덴)비스(2-메틸페놀), 4,4'-(1-메틸에틸리덴)비스(2,6-디메틸페놀), 4,4'-［1-〔4-(1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸)페닐〕에틸리덴］비스페놀, 4,4',4"-에틸리덴트리스(2-메틸페놀), 4,4',4"-에틸리덴트리스페놀, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-하이드록시페닐)-3-페닐프로판, 2,6-디-tert-부틸-4-메틸페놀, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-tert-부틸페놀), 4,4'-부틸리덴비스(3-메틸-6-tert-부틸페놀), 4,4'-티오비스(3-메틸-6-tert-부틸페놀), 3,9-비스［2-(3-(3-tert-부틸-4-하이드록시-5-메틸페닐)-프로피오닐옥시)-1,1-디메틸에틸］-2,4,8,10-테트라옥사스피로(5,5)운데칸, 트리에틸렌글리콜-비스-3-(3-tert-부틸-4-하이드록시-5-메틸페닐)프로피오네이트, n-옥틸-3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트, 펜타에리트릴테트라키스［3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트］ (상품명 IRGANOX1010, BASF 사 제조), 트리스(3,5-디-tert-부틸하이드록시벤질)이소시아누레이트, 티오디에틸렌비스［3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트］ 등을 들 수 있다. 열 중합 금지제는 1 종만을 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
열 중합 금지제의 함유량은, 시클로올레핀 폴리머의 종류, 및 접착제 조성물의 용도 및 사용 환경에 따라 적절히 결정하면 되지만, 예를 들어 시클로올레핀 폴리머의 양을 100 중량부로 했을 때, 0.1 중량부 이상, 10 중량부 이하인 것이 바람직하다. 열 중합 금지제의 함유량이 상기 범위 내이면, 중합을 억제하는 효과가 양호하게 발휘되어 고온 프로세스 후에 접착제 조성물의 세정액에 대한 용해성이 저하되는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
(첨가 용제)
열 중합 금지제는, 첨가 용제에 용해하여 접착제 조성물에 배합하는 것이 바람직하다. 첨가 용제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 접착제 조성물에 포함되는 성분을 용해하는 유기 용제를 사용할 수 있다.
유기 용제로서는, 예를 들어 접착제 조성물의 각 성분을 용해하여, 균일한 용액으로 할 수 있으면 되고, 1 개의 유기 용제만을 사용해도 되고, 2 개 이상의 유기 용제를 조합하여 사용해도 된다.
유기 용제의 구체예로서는, 예를 들어 극성기로서 산소 원자, 카르보닐기 또는 아세톡시기 등을 갖는 테르펜 용제를 들 수 있고, 예를 들어 게라니올, 네롤, 리날로올, 시트랄, 시트로네롤, 멘톨, 이소멘톨, 네오멘톨, α-테르피네올, β-테르피네올, γ-테르피네올, 테르피넨-1-올, 테르피넨-4-올, 디하이드로터피닐아세테이트, 1,4-시네올, 1,8-시네올, 보르네올, 카르본, 요논, 투욘, 캄퍼를 들 수 있다. 또, γ-부티로락톤 등의 락톤류 ； 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 (CH), 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵타논 등의 케톤류 ； 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류 ； 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 (이들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 가 바람직하다) ； 디옥산과 같은 고리형 에테르류나, 락트산메틸, 락트산에틸 (EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류 ； 아니솔, 에틸벤질에테르, 크레질메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르 등의 방향족계 유기 용제 등을 들 수 있다.
첨가 용제의 함유량은, 열 중합 금지제의 종류 등에 따라 적절히 조정하면 되지만, 예를 들어 수지 성분을 용해하는 희석 용제 (주용제) 와 첨가 용제의 합계를 100 중량부로 했을 때, 첨가 용제의 함유량은, 1 중량부 이상, 50 중량부 이하인 것이 바람직하고, 1 중량부 이상, 30 중량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 첨가 용제의 함유량이 상기 범위 내이면, 열 중합 금지제를 충분히 용해할 수 있다.
(용제)
본 발명의 제 1 실시 형태에 관련된 접착제 조성물에 포함되는 용제 (주용제) 는, 시클로올레핀 폴리머를 용해하는 기능을 갖는 것이면 되고, 예를 들어 비극성의 탄화수소계 용제, 극성 및 무극성의 석유계 용제 등을 사용할 수 있다. 바람직하게는, 용액은, 지환식 탄화수소, 또는 분기형의 탄화수소를 포함하고 있다.
이들 중에서도, 용제가 축합 다고리형 탄화수소, 또는 분기형 탄화수소를 포함함으로써, 접착제 조성물을 액상 형태로 (특히 저온에서) 보존했을 때에 생길 수 있는 백탁화를 피할 수 있어 제품 안정성을 향상시킬 수 있기 때문에 바람직하다.
탄화수소계 용제로서는, 직사슬형, 분기형 또는 고리형의 탄화수소를 들 수 있다. 예를 들어, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 메틸옥탄, 데칸, 운데칸, 도데칸, 트리데칸 등의 직사슬형의 탄화수소, 이소옥탄, 이소노난, 이소도데칸 등의 탄소수 4 내지 15 의 분기형의 탄화수소 ； p-멘탄, o-멘탄, m-멘탄, 디페닐멘탄, 1,4-테르핀, 1,8-테르핀, 보르난, 노르보르난, 피난, 투잔, 카란, 롱기폴렌 등의 포화 지방족 탄화수소, α-테르피넨, β-테르피넨, γ-테르피넨, α-피넨, β-피넨, α-투존, β-투존 등을 들 수 있다.
석유계 용제란, 중유로부터 정제되는 용제이며, 예를 들어 백등유, 파라핀계 용제, 이소파라핀계 용제를 들 수 있고, 상기 서술한 직사슬형, 분기형 또는 고리형의 탄화수소 등의 혼합물일 수 있다. 또, 석유계 용제는, 예를 들어 벤젠, 나프탈렌 등의 방향족 화합물을 포함하고 있어도 된다.
또, 지환식 탄화수소란, 고리형 구조를 포함하는 탄화수소이며, 예를 들어 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄 등을 들 수 있다.
또, 지환식 탄화수소로서는, 축합 다고리형 탄화수소를 들 수 있다. 축합 다고리형 탄화수소란, 2 개 이상의 단고리가 각각의 고리의 변을 서로 1 개만 공급하여 생기는 축합 고리의 탄화수소이며, 2 개의 단고리가 축합되어 이루어지는 탄화수소를 사용하는 것이 바람직하다.
그러한 탄화수소로서는, 5 원자 고리 및 6 원자 고리의 조합, 또는 2 개의 6 원자 고리의 조합을 들 수 있다. 5 원자 고리 및 6 원자 고리를 조합한 탄화수소로서는, 예를 들어 인덴, 펜타렌, 인단, 테트라하이드로인덴 등을 들 수 있고, 2 개의 6 원자 고리를 조합한 탄화수소로서는, 예를 들어 나프탈렌, 테트라하이드로나프탈렌 (테트라인) 및 데카하이드로나프탈렌 (데카린) 등을 들 수 있다.
또, 분기형 탄화수소로서는, 예를 들어 상기 서술한 이소옥탄, 이소노난, 이소도데칸 등 외에, 예를 들어 엑슨모빌 화학 주식회사 제조의 「아이소파 (상품명)」 등과 같은 이소파라핀계의 석유계 용제 등을 들 수 있다.
또, 용제가 상기 축합 다고리형 탄화수소, 또는 분기형 탄화수소를 포함하는 경우, 용제에 포함되는 성분은 상기 축합 다고리형 탄화수소, 또는 분기형 탄화수소만이어도 되고, 예를 들어 포화 지방족 탄화수소 등의 다른 성분을 함유하고 있어도 된다. 또, 축합 다고리형 탄화수소, 및 분기형 탄화수소의 조합이어도 되고, 예를 들어 포화 지방족 탄화수소 등의 다른 성분을 함유하고 있어도 된다. 이 경우, 축합 다고리형 탄화수소, 또는 분기형 탄화수소의 함유량이, 탄화수소계 용제 전체를 100 중량부로 하여 40 중량부 이상인 것이 바람직하고, 60 중량부 이상인 것이 보다 바람직하다. 축합 다고리형 탄화수소, 또는 분기형 탄화수소의 함유량이 탄화수소계 용제 전체의 40 중량부 이상인 경우에는, 상기 수지에 대한 높은 용해성을 발휘할 수 있다. 축합 다고리형 탄화수소 또는 분기형 탄화수소와, 포화 지방족 탄화수소의 혼합비가 상기 범위 내이면, 축합 다고리형 탄화수소 또는 분기형 탄화수소의 악취를 완화시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 제 1 실시 형태에 관련된 접착제 조성물에 있어서의 용제의 함유량으로서는, 당해 접착제 조성물을 사용하여 성막하는 접착층의 두께에 따라 적절히 조정하면 되지만, 예를 들어 접착제 조성물의 전체량을 100 중량부로 했을 때, 20 중량부 이상, 90 중량부 이하의 범위인 것이 바람직하다. 용제의 함유량이 상기 범위 내이면, 점도 조정이 용이해진다.
＜접착제 조성물 (실시 형태 2)＞
본 발명에 관련된 접착제 조성물은, 상기 실시 형태 (실시 형태 1) 로 한정되지 않는다. 예를 들어, 다른 실시 형태 (실시 형태 2) 에 관련된 접착제 조성물은, 기판, 접착층, 및 지지체를 이 순서로 적층하여 이루어지는 적층체에 있어서의 상기 접착층을 형성하기 위한 접착제 조성물로서, 상기 접착층은, 수지 성분으로서, 유리 전이 온도가 100 ℃ 이상인 시클로올레핀 폴리머, 및 다관능형의 경화성 모노머를 포함하고 있고, 당해 다관능형의 경화성 모노머가 중합됨으로써, 상기 접착층이 경화되었을 때에 있어서의 당해 접착층의 유리 전이 온도는, 160 ℃ 이상이다.
상기 구성을 구비한 접착제 조성물에 있어서도, 제 1 실시 형태와 같이, 봉지 기판 (기판) 을 형성하기 위해서 요구되는 높은 내열성, 및 높은 내약품성을 구비하고, 또한 용제에 의해 바람직하게 제거할 수 있는 접착층을 형성할 수 있다.
또, 본 실시 형태에 관련된 접착제 조성물은, 상기 실시 형태 (실시 형태 1) 에 관련된 접착제 조성물과 마찬가지로, 용제, 및 첨가 용제를 포함하고 있다. 또한, 용제는, 시클로올레핀 폴리머 및 경화성 모노머를 용해할 수 있는 용제이면 되고, 예를 들어 상기 서술한 (용제) 의 난에 기재된 용제를 사용할 수 있다.
〔수지 성분〕
본 실시 형태에 관련된 접착제 조성물은, 수지 성분으로서 유리 전이 온도가 100 ℃ 이상인 시클로올레핀 폴리머와 경화성 모노머를 포함하고 있다.
시클로올레핀 폴리머로서는, 상기 서술한 실시 형태 (실시 형태 1) 에 있어서 설명한 시클로올레핀 폴리머와 동일한 단량체 성분을 포함하고 있는 시클로올레핀 폴리머를 사용할 수 있다. 또, 본 실시 형태에 관련된 접착제 조성물에 있어서, 시클로올레핀 폴리머의 유리 전이 온도는, 100 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 120 ℃ 이상인 것이 보다 바람직하고, 140 ℃ 이상인 것이 가장 바람직하다. 따라서, 상기 서술한 실시 형태 (실시 형태 1) 와 같이, 160 ℃ 이상인 유리 전이 온도를 가지고 있는 시클로올레핀 폴리머를 사용할 수도 있다. 시클로올레핀 폴리머의 유리 전이 온도가, 100 ℃ 이상이면, 다관능형의 경화성 모노머를, 당해 시클로올레핀 폴리머에 배합한 상태에 있어서 중합시킴으로써, 유리 전이 온도가, 160 ℃ 이상인 접착층을 바람직하게 형성할 수 있다.
(다관능형의 경화성 모노머)
본 실시 형태에 관련된 접착제 조성물은, 수지 성분으로서 시클로올레핀 폴리머와 상용 가능한 다관능형의 경화성 모노머를 포함하고 있다. 이로써, 유리 전이 온도가 100 ℃ 이상인 시클로올레핀 폴리머를 사용하여, 경화성 모노머를 중합시킴으로써 유리 전이 온도가 160 ℃ 이상인 접착층을 형성할 수 있다. 경화성 모노머는, 라디칼 중합 반응에 의해 고분자화되는 모노머인 것이 바람직하고, 전형적으로는, 다관능형의 (메트)아크릴레이트 모노머를 들 수 있다.
상기 다관능의 (메트)아크릴레이트 모노머로서는, 예를 들어 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디메탄올디(메트)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트, 9,9-비스［4-(2-(메트)아크릴로일옥시에톡시)페닐］플루오렌, 프로폭시화비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 1,3-아다만탄디올디(메트)아크릴레이트, 5-하이드록시-1,3-아다만탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,3,5-아다만탄트리올트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 글리세린디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-(메트)아크릴로일옥시프로필(메트)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르디(메트)아크릴레이트, 프탈산디글리시딜에스테르디(메트)아크릴레이트, 글리세린트리(메트)아크릴레이트, 글리세린폴리글리시딜에테르폴리(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 (즉, 톨릴렌디이소시아네이트), 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트와 헥사메틸렌디이소시아네이트와 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트의 반응물 등을 들 수 있다. 이들 다관능의 (메트)아크릴레이트는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 조합하여 사용해도 된다.
경화성 모노머는, 고리형 구조를 가지는 것이 바람직하고, 다고리형 지방족구조를 갖는 것이 보다 바람직하다. 경화성 모노머가, 고리형 구조, 보다 바람직하게는 다고리형 지방족 구조를 가짐으로써, 시클로올레핀 폴리머와의 상용성을 높일 수 있다. 또, 시클로올레핀 폴리머에 배합한 경화성 모노머를 중합시킴으로써, 접착층의 내열성을 한층 더 높일 수 있다.
따라서, 상기 (메트)아크릴레이트 모노머 중에서도, 특히 고리형기를 갖는 (메트)아크릴레이트 모노머가 바람직하고, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트, 1,3-아다만탄디올디(메트)아크릴레이트, 5-하이드록시-1,3-아다만탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,3,5-아다만탄트리올트리(메트)아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디메탄올디(메트)아크릴레이트, 9,9-비스［4-(2-(메트)아크릴로일옥시에톡시)페닐］플루오렌, 및 프로폭시화비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하다. 이들 중에서도, 특히 아다만탄 골격을 갖는 모노머가 접착층의 내열성을 높일 수 있는 점, 바람직하다.
경화성 모노머의 함유량은, 시클로올레핀 폴리머의 유리 전이 온도를 고려하여, 결정하면 된다. 예를 들어, 접착제 조성물에 수지 성분으로서 포함되는, 시클로올레핀 폴리머의 유리 전이 온도가 100 ℃ 이상이면, 경화성 모노머의 함유량은, 수지 성분의 합계를 100 중량％ 로 하여, 10 중량％ 이상, 40 중량％ 이하의 범위 내인 것이 바람직하다. 수지 성분에 대해, 경화성 모노머의 함유량이 10 중량％ 이상이면, 접착층에 의해 높은 내열성을 부여할 수 있다. 또, 경화성 모노머의 함유량이 40 중량％ 이하임으로써, 접착층을 세정액에 의해 제거할 때에 있어서의 세정성을 높일 수 있다. 바꿔 말하면, 유리 전이 온도가 100 ℃ 이상의 시클로올레핀 폴리머를 사용함으로써, 경화성 모노머의 함유량을, 40 중량％ 이하로 할 수 있고, 이로써, 경화성 모노머가 경화됨으로써 접착층의 세정성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 유리 전이 온도가 보다 높은 시클로올레핀 폴리머를 사용할수록, 경화성 모노머의 함유량을 적게 할 수 있다.
(중합 개시제)
본 실시 형태에 관련된 접착제 조성물은, 경화성 모노머의 중합 반응을 촉진시키는 중합 개시제를 추가로 포함하고 있다.
중합 개시제는, 경화성 모노머의 중합 반응을 촉진시킬 수 있으면 되고, 특별히 한정되는 것이 아니고, 열 중합 개시제, 및 광 중합 개시제 등을 사용할 수 있다. 열 중합 개시제에는, 예를 들어 과산화물, 아조계 중합 개시제 등을 들 수 있다.
과산화물로서는, 예를 들어 케톤퍼옥사이드, 퍼옥시케탈, 하이드로퍼옥사이드, 디알킬퍼옥사이드, 퍼옥시에스테르 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 과산화아세틸, 과산화디쿠밀, 과산화tert-부틸, 과산화t-부틸쿠밀, 과산화프로피오닐, 과산화벤조일 (BPO), 과산화2-클로로벤조일, 과산화3-클로로벤조일, 과산화4-클로로벤조일, 과산화2,4-디클로로벤조일, 과산화4-브로모메틸벤조일, 과산화라우로일, 과 황산칼륨, 퍼옥시탄산디이소프로필, 테트라인하이드로퍼옥사이드, 1-페닐-2-메틸프로필-1-하이드로퍼옥사이드, 과트리페닐아세트산-tert-부틸, tert-부틸하이드로퍼옥사이드, 과포름산tert-부틸, 과아세트산tert-부틸, 과벤조산tert-부틸, 과페닐아세트산tert-부틸, 과4-메톡시아세트산tert-부틸, 과N-(3-톨루일)카르바민산tert-부틸 등을 들 수 있다.
시판되고 있는 과산화물로서는, 예를 들어 닛폰 유지 주식회사 제조의 상품명 「퍼쿠밀 (등록상표)」, 상품명 「퍼부틸 (등록상표)」, 상품명 「퍼로일 (등록상표)」, 및 상품명 「퍼옥타 (등록상표)」 등을 들 수 있다.
아조계 중합 개시제로서는, 예를 들어 2,2'-아조비스프로판, 2,2'-디클로로-2,2'-아조비스프로판, 1,1'-아조(메틸에틸)디아세테이트, 2,2'-아조비스(2-아미디노프로판)염산염, 2,2'-아조비스(2-아미노프로판)질산염, 2,2'-아조비스이소부탄, 2,2'-아조비스이소부틸아미드, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스-2-메틸프로피온산메틸, 2,2'-디클로로-2,2'-아조비스부탄, 2,2'-아조비스-2-메틸부티로니트릴, 2,2'-아조비스이소부티르산디메틸, 1,1'-아조비스(1-메틸부티로니트릴-3-술폰산나트륨), 2-(4-메틸페닐아조)-2-메틸말로노디니트릴4,4'-아조비스-4-시아노발레르산, 3,5-디하이드록시메틸페닐아조-2-알릴말로노디니트릴, 2,2'-아조비스-2-메틸발레로니트릴, 4,4'-아조비스-4-시아노발레르산디메틸, 2,2'-아조비스-2,4-디메틸발레로니트릴, 1,1'-아조비스시클로헥산니트릴, 2,2'-아조비스-2-프로필부티로니트릴, 1,1'-아조비스시클로헥산니트릴, 2,2'-아조비스-2-프로필부티로니트릴, 1,1'-아조비스-1-클로로페닐에탄, 1,1'-아조비스-1-시클로헥산카르보니트릴, 1,1'-아조비스-1-시클로헵탄니트릴, 1,1'-아조비스-1-페닐에탄, 1,1'-아조비스쿠멘, 4-니트로페닐아조벤질시아노아세트산에틸, 페닐아조디페닐메탄, 페닐아조트리페닐메탄, 4-니트로페닐아조트리페닐메탄, 1,1'-아조비스-1,2-디페닐에탄, 폴리(비스페놀 A-4,4'-아조비스-4-시아노펜타노에이트), 폴리(테트라에틸렌글리콜-2,2'-아조비스이소부틸레이트) 등을 들 수 있다.
(광 중합 개시제)
광 중합 개시제로서는, 구체적으로는, 예를 들어 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-〔4-(2-하이드록시에톡시)페닐〕-2-하이드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-도데실페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 비스(4-디메틸아미노페닐)케톤, 2-메틸-1-〔4-(메틸티오)페닐〕-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 에타논1-［9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일］-1-(o-아세틸옥심), 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 4-벤조일-4'-메틸디메틸술피드, 4-디메틸아미노벤조산, 4-디메틸아미노벤조산메틸, 4-디메틸아미노벤조산에틸, 4-디메틸아미노벤조산부틸, 4-디메틸아미노-2-에틸헥실벤조산, 4-디메틸아미노-2-이소아밀벤조산, 벤질-β-메톡시에틸아세탈, 벤질디메틸케탈, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, o-벤조일벤조산메틸, 2,4-디에틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 1-클로로-4-프로폭시티오크산톤, 티오크산텐, 2-클로로티오크산텐, 2,4-디에틸티오크산텐, 2-메틸티오크산텐, 2-이소프로필티오크산텐, 2-에틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 아조비스이소부티로니트릴, 벤조일퍼옥사이드, 쿠멘퍼옥사이드, 2-메르캅토벤조이미다졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(메톡시페닐)이미다졸 2량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체, 2-(p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체, 벤조페논, 2-클로로벤조페논, 4,4'-비스디메틸아미노벤조페논 (즉, 미힐러케톤), 4,4'-비스디에틸아미노벤조페논 (즉 에틸미힐러케톤), 4,4'-디클로로벤조페논, 3,3-디메틸-4-메톡시벤조페논, 벤질, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인-n-부틸에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인-t-부틸에테르, 아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, p-디메틸아세토페논, p-디메틸아미노프로피오페논, 디클로로아세토페논, 트리클로로아세토페논, p-t-부틸아세토페논, p-디메틸아미노아세토페논, p-t-부틸트리클로로아세토페논, p-t-부틸디클로로아세토페논, α,α-디클로로-4-페녹시아세토페논, 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 디벤조수베론, 펜틸-4-디메틸아미노벤조에이트, 9-페닐아크리딘, 1,7-비스-(9-아크리디닐)헵탄, 1,5-비스-(9-아크리디닐)펜탄, 1,3-비스-(9-아크리디닐)프로판, p-메톡시트리아진, 2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-메틸-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-에톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-n-부톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(3-브로모-4-메톡시)페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(2-브로모-4-메톡시)페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(3-브로모-4-메톡시)스티릴페닐-s-트리아진 및 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(2-브로모-4-메톡시)스티릴페닐-s-트리아진 등을 들 수 있다. 또, 광 중합 개시제로서 시판품인 「IRGACURE OXE02」, 「IRGACURE OXE01」, 「IRGACURE 369」, 「IRGACURE 651」 및 「IRGACURE 907」 (상품명 ： 모두 BASF 사 제조) 그리고 「NCI-831」 (상품명 ： ADEKA 사 제조) 등도 사용할 수 있다.
또한, 중합 개시제의 배합량은, 접착제 조성물에 포함되어 있는 경화성 모노머의 함유량에 따라 조정하면 된다. 여기서, 100 중량부의 경화성 모노머에 대한 중합 개시제의 비율은, 0.1 중량부 이상, 10 중량부 이하인 것이 바람직하고, 0.5 중량부 이상, 5 중량부 이하인 것이 보다 바람직하다.
중합 개시제는, 접착제 조성물을 사용하기 직전에 있어서, 공지된 방법에 의해, 접착제 조성물에 배합할 수 있다. 또, 중합 개시제는, 상기 (첨가 용제) 의 난에 기재되어 있는 유기 용제에 희석하고 나서, 접착제 조성물에 배합해도 된다. 또, 본 실시 형태에 관련된 접착제 조성물에 있어서도, 첨가 용제에 열 중합 금지제를 배합해도 된다.
＜접착 필름＞
본 발명의 일 실시 형태 (실시 형태 3) 에 관련된 접착 필름은, 필름 위에, 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 접착제 조성물로 이루어지는 접착층이 형성되어 있다. 이와 같은, 접착 필름을 사용함으로써, 지지체 상에 바람직하게 접착층을 형성할 수 있다. 따라서, 일 실시 형태에 관련된 접착제 조성물을 사용하여 형성한 접착 필름도 본 발명의 범주이다.
필름 위에 접착제층을 형성하는 방법으로서는, 소망하는 접착층의 막두께나 균일성에 따라 적절히, 공지된 방법을 사용하여, 필름 위에 접착제층의 건조 막두께가 10 ∼ 1,000 ㎛ 가 되도록, 접착제 조성물을 도포하는 방법을 들 수 있다.
이와 같은 접착 필름을 이용하면, 지지체 위에 직접, 접착제 조성물을 도포하여 접착층을 형성하는 경우와 비교해서, 막두께 균일성 및 표면 평활성이 양호한 접착층을 형성할 수 있다.
접착 필름의 제조에 사용하는 필름으로서는, 필름 위에 제막된 접착층을 당해 필름으로부터 박리할 수 있고, 접착층을 지지체 등의 피처리면 상에 전사할 수 있는 이형 필름이면 되고, 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 막두께 15 ∼ 125 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, 및 폴리염화비닐 등의 합성 수지 필름으로 이루어지는 가요성 필름을 들 수 있다. 상기 필름에는, 필요에 따라, 전사가 용이해지도록 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다.
또, 접착 필름은, 보호 필름에 의해 접착층의 노출면을 피복함으로써 보호 해도 된다. 보호 필름은, 접착층으로부터 박리할 수 있는 한 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리프로필렌 필름, 및 폴리에틸렌 필름이 바람직하다. 또, 각 보호 필름은, 접착층으로부터의 박리를 용이하게 하기 위해, 실리콘을 코팅되어 있거나, 또는 베이킹되어 있는 것이 바람직하다.
접착 필름의 사용 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 보호 필름을 사용한 경우에는, 이것을 박리한 다음, 지지체 상에 노출된 접착층을 겹쳐, 필름 위 (접착제층이 형성된 면의 이면) 로부터 가열 롤러를 이동시킴으로써, 접착층을 지지체의 표면에 열압착시키는 방법을 들 수 있다.
또한, 접착 필름으로부터 박리한 보호 필름은, 순차 권취 롤러 등의 롤러로 롤상으로 권취하면, 보존하여 재이용하는 것이 가능하다.
〔적층체〕
적층체는, 일 실시 형태에 관련된 접착제 조성물을, 지지체 상에 도포함으로써, 높은 내열성, 높은 약품 내성, 및 높은 세정성을 구비한 접착층이 형성되어 있다. 적층체는, 접착층 상에 있어서, 봉지재에 의해 소자를 봉지한 봉지체와, 봉지체의 일방의 평면부에 재배선층을 구비한 봉지 기판이 형성되어 있다. 즉, 적층체는, 소자에 형성된 단자가 칩 에어리어 외로 퍼지는 재배선층에 실장되는, 팬아웃형 기술에 기초하는, 봉지 기판을 제조하는 과정에 있어서 제작되는 적층체이다.
〔봉지 기판〕
봉지 기판 (기판) 은, 소자와, 소자가 실장되는 재배선층과, 소자를 봉지하는 봉지체를 구비하고 있다. 봉지 기판은 복수의 소자를 구비하고 있는 것이 바람직하고, 이와 같은 봉지 기판을 다이싱함으로써, 복수의 전자 부품을 얻을 수 있다.
(재배선층)
재배선층은, RDL (Redistribution Layer ： 재배선층) 이라고도 불리며, 소자에 접속하는 배선을 구성하는 박막의 배선체이며, 단층 또는 복수층의 구조를 가질 수 있다. 일 실시 형태에 있어서, 재배선층은, 유전체 (예를 들어, 산화실리콘 (SiOx), 감광성 에폭시 등의 감광성 수지 등) 에, 도전체 (예를 들어, 알루미늄, 구리, 티탄, 니켈, 금 및 은 등의 금속 그리고 은-주석 합금 등의 합금) 에 의해 배선이 형성된 것일 수 있지만, 이것으로 한정되지 않는다.
(소자)
소자 (베어 칩) 는, 반도체 소자 또는 그 밖의 소자이며, 단층 또는 복수층의 구조를 가질 수 있다. 또한, 소자가 반도체 소자인 경우, 봉지 기판을 다이싱함으로써 얻어지는 전자 부품은, 반도체 장치가 된다.
(봉지재)
봉지재로서는, 예를 들어 에폭시계의 수지 및 실리콘계의 수지를 함유하는 봉지재 등을 사용할 수 있다. 봉지재는, 소자마다 형성되어 있는 것이 아니고, 재배선층에 실장된 복수의 소자의 모두를 일체적으로 봉지하고 있는 것이 바람직하다.
〔지지체〕
지지체는, 봉지 기판의 형성 시에, 봉지 기판의 각 구성 요소의 파손 또는 변형을 방지하기 위해 필요한 강도를 가지고 있으면 된다. 또, 지지체는, 당해 지지체 상에 형성된 분리층을 변질시킬 수 있는 파장의 광을 투과시키는 재료에 의해 형성되어 있다.
지지체의 재료로서는, 예를 들어 유리, 실리콘 및 아크릴계 수지 등을 사용할 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다. 지지체의 형상으로서는, 예를 들어 직사각형, 및 원형 등의 지지체를 사용할 수 있지만, 이것으로 한정되지 않는다.
〔접착층〕
접착층은, 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 접착제 조성물에 의해 형성되고, 봉지 기판을 지지체 상에 고정시키기 위한 층이다. 접착층은, 그 표면에, 봉지재에 의해 봉지하기 위한 소자가 배치될 수 있다. 또, 접착층은, 그 표면에 대해 직접적으로, 예를 들어 포토레지스트 등을 도포하여, 노광함으로써, 감광성 절연막 등의 패턴이 형성될 수 있다. 또한, 접착층은, 분리층을 보호한다는 기능도 가지고 있다.
접착층의 두께는, 지지체 및 봉지 기판의 종류, 그리고 봉지 기판을 형성할 때에 실시하는 처리 등에 따라 적절히 설정하면 되지만, 0.1 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1 ㎛ 이상, 10 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 1 ㎛ 이상임으로써, 봉지 기판을, 지지체 상에 바람직하게 고정시킬 수 있다. 10 ㎛ 이하임으로써, 후의 공정에 있어서 접착층의 제거를 용이하게 할 수 있다.
〔분리층〕
분리층은, 광을 조사함으로써 변질되는 층이다. 지지체를 개재하여 분리층에 광을 조사하여 분리층을 변질시킴으로써, 지지체를 봉지 기판으로부터 분리시킬 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서, 분리층이 「변질된다」 란, 분리층이 약간의 외력을 받아 파괴될 수 있는 상태, 또는 분리층과 접하는 층과의 접착력이 저하된 상태가 되는 현상을 의미한다. 광을 흡수함으로써 생기는 분리층의 변질의 결과로서, 분리층은, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 상실한다. 요컨대, 광을 흡수함으로써, 분리층은 물러진다. 분리층의 변질이란, 분리층이, 흡수한 광의 에너지에 의한 분해, 입체 배치의 변화 또는 관능기의 해리 등을 일으키는 것일 수 있다. 분리층의 변질은, 광을 흡수하는 것의 결과로서 생긴다.
따라서, 예를 들어 서포트 플레이트를 들어 올리는 것만으로 분리층이 파괴되도록 변질시켜, 서포트 플레이트와 기판을 용이하게 분리할 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들어 지지체 분리 장치 등에 의해, 적층체에 있어서의 기판 및 서포트 플레이트의 일방을 재치대에 고정하고, 흡착 수단을 구비한 흡착 패드 (흡착부) 등에 의해 타방을 유지하여 들어 올림으로써, 서포트 플레이트와 기판을 분리하거나, 또는 서포트 플레이트의 주연(周緣) 부분 단부의 모따기 부위를, 클램프 (클로부) 등을 구비한 분리 플레이트에 의해 파지함으로써 힘을 가하여, 기판과 서포트 플레이트를 분리하면 된다. 또, 예를 들어 접착제를 박리하기 위한 박리액을 공급하는 박리 수단을 구비한 지지체 분리 장치에 의해, 적층체에 있어서의 기판으로부터 서포트 플레이트를 박리해도 된다. 당해 박리 수단에 의해 적층체에 있어서의 접착층의 둘레 단부의 적어도 일부에 박리액을 공급하고, 적층체에 있어서의 접착층을 팽윤시킴으로써, 당해 접착층이 팽윤된 시점에서 분리층에 힘이 집중하도록 하여, 기판과 서포트 플레이트에 힘을 가할 수 있다. 이 때문에, 기판과 서포트 플레이트를 바람직하게 분리할 수 있다.
적층체에 가하는 힘은, 적층체의 크기 등에 따라 적절히 조정하면 되고, 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 직경이 300 mm 정도의 적층체이면, 0.1 ∼ 5 kgf 정도의 힘을 가함으로써, 기판과 서포트 플레이트를 바람직하게 분리할 수 있다.
분리층의 두께는, 예를 들어 0.05 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 0.3 ㎛ 이상, 1 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 더욱 바람직하다. 분리층의 두께가 0.05 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하의 범위에 들어가 있으면, 단시간의 광의 조사 및 저에너지의 광의 조사에 의해, 분리층에 원하는 변질을 일으키게 할 수 있다. 또, 분리층의 두께는, 생산성의 관점에서 1 ㎛ 이하의 범위에 들어가 있는 것이 특히 바람직하다.
또한, 분리층과 지지체의 사이에 다른 층이 추가로 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 다른 층은 광을 투과하는 재료로 구성되어 있으면 된다. 이로써, 분리층에 대한 광의 입사를 방해하는 일 없이, 바람직한 성질 등을 갖는 층을, 적절히 추가할 수 있다. 분리층을 구성하고 있는 재료의 종류에 따라, 이용할 수 있는 광의 파장이 상이하다. 따라서, 다른 층을 구성하는 재료는, 모든 광을 투과시킬 필요는 없고, 분리층을 구성하는 재료를 변질시킬 수 있는 파장의 광을 투과시킬 수 있는 재료에서 적절히 선택할 수 있다.
또, 분리층은, 광을 흡수하는 구조를 갖는 재료만으로 형성되어 있는 것이 바람직하지만, 본 발명에 있어서의 본질적인 특성을 저해하지 않는 범위에 있어서, 광을 흡수하는 구조를 가지지 않은 재료를 첨가하여, 분리층을 형성해도 된다. 또, 분리층에 있어서의 접착층에 대향하는 측의 면이 평탄한 (요철이 형성되어 있지 않은) 것이 바람직하고, 이로써, 분리층의 형성을 용이하게 할 수 있고, 또한 첩부에 있어서도 균일하게 첩부하는 것이 가능해진다.
(플루오로카본)
분리층은, 플루오로카본으로 이루어져 있어도 된다. 분리층은, 플루오로카본에 의해 구성됨으로써, 광을 흡수함으로써 변질되게 되어 있고, 그 결과로서, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 상실한다. 따라서, 약간의 외력을 가함 (예를 들어, 지지체를 들어 올리는 등) 으로써, 분리층이 파괴되어, 지지체와 봉지 기판을 분리하기 쉽게 할 수 있다. 분리층을 구성하는 플루오로카본은, 플라즈마 CVD (화학 기상 퇴적) 법에 의해 바람직하게 성막할 수 있다.
플루오로카본은, 그 종류에 따라 고유의 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 분리층에 사용한 플루오로카본이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층에 조사함으로써, 플루오로카본을 바람직하게 변질시킬 수 있다. 또한, 분리층에 있어서의 광의 흡수율은 80 ％ 이상인 것이 바람직하다.
분리층에 조사하는 광으로서는, 플루오로카본이 흡수 가능한 파장에 따라, 예를 들어 YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저 광, 또는 비레이저 광을 적절히 이용하면 된다. 플루오로카본을 변질시킬 수 있는 파장으로서는, 이것으로 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 600 nm 이하의 범위의 파장을 사용할 수 있다.
(광 흡수성을 가지고 있는 구조를 그 반복 단위에 포함하고 있는 중합체)
분리층은, 광 흡수성을 가지고 있는 구조를 그 반복 단위에 포함하고 있는 중합체를 함유하고 있어도 된다. 그 중합체는, 광의 조사를 받아 변질된다. 그 중합체의 변질은, 상기 구조가 조사된 광을 흡수함으로써 생긴다. 분리층은, 중합체의 변질의 결과로서, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 상실하고 있다. 따라서, 약간의 외력을 가함 (예를 들어, 지지체를 들어 올리는 등) 으로써, 분리층이 파괴되어, 지지체와 봉지 기판을 분리하기 쉽게 할 수 있다.
광 흡수성을 가지고 있는 상기 구조는, 광을 흡수하여, 반복 단위로서 그 구조를 포함하고 있는 중합체를 변질시키는 화학 구조이다. 그 구조는, 예를 들어 치환 혹은 비치환의 벤젠 고리, 축합 고리 또는 복소 고리로 이루어지는 공액 π 전자계를 포함하고 있는 원자단이다. 보다 상세하게는, 그 구조는, 카르도 구조, 또는 상기 중합체의 측사슬에 존재하는 벤조페논 구조, 디페닐술폭시드 구조, 디페닐술폰 구조 (비스페닐술폰 구조), 디페닐 구조 혹은 디페닐아민 구조일 수 있다.
상기 구조가 상기 중합체의 측사슬에 존재하는 경우, 그 구조는 이하의 식 에 의해 나타낼 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00001
(식 중, R 은 각각 독립적으로, 알킬기, 아릴기, 할로겐, 수산기, 케톤기, 술폭시드기, 술폰기 또는 N(R4)(R5) 이며 (여기서, R4 및 R5 는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기이다), Z 는, 존재하지 않거나, 또는 -CO-, -SO2-, -SO- 혹은 -NH- 이며, n 은 0 또는 1 ∼ 5 의 정수이다.)
또, 상기 중합체는, 예를 들어 이하의 식 중, (a) ∼ (d) 중 어느 것에 의해서 나타내는 반복 단위를 포함하고 있거나, (e) 에 의해 나타내거나, 또는 (f) 의 구조를 그 주사슬에 포함하고 있다.
[화학식 2]
Figure pat00002
(식 중, l 은 1 이상의 정수이며, m 은 0 또는 1 ∼ 2 의 정수이며, X 는, (a) ∼ (e) 에 있어서 상기의 "화학식 1" 에 나타낸 식 중 어느 것이며, (f) 에 있어서 상기의 "화학식 1" 에 나타낸 식 중 어느 것이거나, 또는 존재하지 않고, Y1 및 Y2 는 각각 독립적으로, -CO- 또는 SO2- 이다. l 은 바람직하게는 10 이하의 정수이다.)
상기의 "화학식 1" 에 나타내는 벤젠 고리, 축합 고리 및 복소 고리의 예로서는, 페닐, 치환 페닐, 벤질, 치환 벤질, 나프탈렌, 치환 나프탈렌, 안트라센, 치환 안트라센, 안트라퀴논, 치환 안트라퀴논, 아크리딘, 치환 아크리딘, 아조벤젠, 치환 아조벤젠, 플루오림, 치환 플루오림, 플루오리몬, 치환 플루오리몬, 카르바졸, 치환 카르바졸, N-알킬카르바졸, 디벤조푸란, 치환 디벤조푸란, 페난트렌, 치환 페난트렌, 피렌 및 치환 피렌을 들 수 있다. 예시한 치환기가 추가로 치환기를 가지고 있는 경우, 그 치환기는, 예를 들어 알킬, 아릴, 할로겐 원자, 알콕시, 니트로, 알데히드, 시아노, 아미드, 디알킬아미노, 술폰아미드, 이미드, 카르복실산, 카르복실산에스테르, 술폰산, 술폰산에스테르, 알킬아미노 및 아릴아미노에서 선택된다.
상기의 "화학식 1" 에 나타내는 치환기 중, 페닐기를 2 개 가지고 있는 5 번째의 치환기로서, Z 가 -SO2- 인 경우의 예로서는, 비스(2,4-디하이드록시페닐)술폰, 비스(3,4-디하이드록시페닐)술폰, 비스(3,5-디하이드록시페닐)술폰, 비스(3,6-디하이드록시페닐)술폰, 비스(4-하이드록시페닐)술폰, 비스(3-하이드록시페닐)술폰, 비스(2-하이드록시페닐)술폰, 및 비스(3,5-디메틸-4-하이드록시페닐)술폰 등을 들 수 있다.
상기의 "화학식 1" 에 나타내는 치환기 중, 페닐기를 2 개 가지고 있는 5 번째의 치환기로서, Z 가 -SO- 인 경우의 예로서는, 비스(2,3-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(5-클로로-2,3-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,4-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,4-디하이드록시-6-메틸페닐)술폭시드, 비스(5-클로로-2,4-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,5-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(3,4-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(3,5-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,3,4-트리하이드록시-6-메틸페닐)-술폭시드, 비스(5-클로로-2,3,4-트리하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,4,6-트리하이드록시페닐)술폭시드, 비스(5-클로로-2,4,6-트리하이드록시페닐)술폭시드 등을 들 수 있다.
상기의 "화학식 1" 에 나타내는 치환기 중, 페닐기를 2 개 가지고 있는 5 번째의 치환기로서, Z 가 -C(=O)- 인 경우의 예로서는, 2,4-디하이드록시벤조페논, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,2',5,6'-테트라하이드록시벤조페논, 2-하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2-하이드록시-4-옥톡시벤조페논, 2-하이드록시-4-도데실옥시벤조페논, 2,2'-디하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2,6-디하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2,2'-디하이드록시-4,4'-디메톡시벤조페논, 4-아미노-2'-하이드록시벤조페논, 4-디메틸아미노-2'-하이드록시벤조페논, 4-디에틸아미노-2'-하이드록시벤조페논, 4-디메틸아미노-4'-메톡시-2'-하이드록시벤조페논, 4-디메틸아미노-2',4'-디하이드록시벤조페논, 및 4-디메틸아미노-3',4'-디하이드록시벤조페논 등을 들 수 있다.
상기 구조가 상기 중합체의 측사슬에 존재하고 있는 경우, 상기 구조를 포함하고 있는 반복 단위의, 상기 중합체에서 차지하는 비율은, 분리층의 광의 투과율이 0.001 ％ 이상, 10 ％ 이하가 되는 범위 내에 있다. 그 비율이 이와 같은 범위에 들어가도록 중합체가 조제되어 있으면, 분리층이 충분히 광을 흡수하여, 확실하고 신속히 변질될 수 있다. 즉, 봉지 기판으로부터의 지지체의 제거가 용이하고, 그 제거에 필요한 광의 조사 시간을 단축시킬 수 있다.
상기 구조는, 그 종류의 선택에 의해, 원하는 범위의 파장을 가지고 있는 광을 흡수할 수 있다. 예를 들어, 상기 구조가 흡수 가능한 광의 파장은, 100 nm 이상, 2,000 nm 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 이 범위 내 중, 상기 구조가 흡수 가능한 광의 파장은, 보다 단파장측이며, 예를 들어 100 nm 이상, 500 nm 이하의 범위 내이다. 예를 들어, 상기 구조는, 바람직하게는 대략 300 nm 이상, 370 nm 이하의 범위 내의 파장을 가지고 있는 자외광을 흡수함으로써, 그 구조를 포함하고 있는 중합체를 변질시킬 수 있다.
상기 구조가 흡수 가능한 광은, 예를 들어 고압 수은 램프 (파장 ： 254 nm 이상, 436 nm 이하), KrF 엑시머 레이저 (파장 ： 248 nm), ArF 엑시머 레이저 (파장 ： 193 nm), F2 엑시머 레이저 (파장 ： 157 nm), XeCl 레이저 (파장 ： 308 nm), XeF 레이저 (파장 ： 351 nm) 혹은 고체 UV 레이저 (파장 ： 355 nm) 로부터 발생되는 광, 또는 g 선 (파장 ： 436 nm), h 선 (파장 ： 405 nm) 혹은 i 선 (파장 ： 365 nm) 등이다.
상기 서술한 분리층은, 반복 단위로서 상기 구조를 포함하고 있는 중합체를 함유하고 있지만, 분리층은 추가로 상기 중합체 이외의 성분을 포함할 수 있다. 그 성분으로서는, 필러, 가소제, 및 지지체의 박리성을 향상할 수 있는 성분 등을 들 수 있다. 이들의 성분은, 상기 구조에 의한 광의 흡수, 및 중합체의 변질을 방해하지 않거나, 또는 촉진하는, 종래 공지된 물질 또는 재료에서 적절히 선택된다.
(무기물)
분리층은, 무기물로 이루어져 있어도 된다. 분리층은, 무기물에 의해 구성됨으로써, 광을 흡수함으로써 변질되게 되어 있고, 그 결과로서, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 상실한다. 따라서, 약간의 외력을 가함 (예를 들어, 지지체 (1) 를 들어 올리는 등) 으로써, 분리층이 파괴되어, 지지체와 봉지 기판을 분리하기 쉽게 할 수 있다.
상기 무기물은, 광을 흡수함으로써 변질되는 구성이면 되고, 예를 들어 금속, 금속 화합물 및 카본으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상의 무기물을 바람직하게 사용할 수 있다. 금속 화합물이란, 금속 원자를 포함하는 화합물을 가리키며, 예를 들어 금속 산화물, 금속 질화물일 수 있다. 이와 같은 무기물의 예시로서는, 이것으로 한정되는 것은 아니지만, 금, 은, 구리, 철, 니켈, 알루미늄, 티탄, 크롬, SiO2, SiN, Si3N4, TiN, 및 카본으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상의 무기물을 들 수 있다. 또한, 카본이란 탄소의 동소체도 포함될 수 있는 개념이며, 예를 들어 다이아몬드, 플러렌, 다이아몬드 라이크 카본, 카본 나노 튜브 등일 수 있다.
상기 무기물은, 그 종류에 따라 고유의 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 분리층에 사용한 무기물이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층에 조사함으로써, 상기 무기물을 바람직하게 변질시킬 수 있다.
무기물로 이루어지는 분리층에 조사하는 광으로서는, 상기 무기물이 흡수 가능한 파장에 따라, 예를 들어 YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저 광, 또는 비레이저 광을 적절히 이용하면 된다.
무기물로 이루어지는 분리층은, 예를 들어 스퍼터, 화학 증착 (CVD), 도금, 플라즈마 CVD, 스핀 코트 등의 공지된 기술에 의해, 지지체 상에 형성될 수 있다. 무기물로 이루어지는 분리층의 두께는 특별히 한정되지 않고, 사용하는 광을 충분히 흡수할 수 있는 막두께이면 되지만, 예를 들어 0.05 ㎛ 이상, 10 ㎛ 이하의 범위 내의 막두께로 하는 것이 보다 바람직하다. 또, 분리층을 구성하는 무기물로 이루어지는 무기막 (예를 들어, 금속막) 의 양면 또는 편면에 미리 접착제를 도포하여, 지지체에 첩부해도 된다.
또한, 분리층으로서 금속막을 사용하는 경우에는, 분리층의 막질, 레이저 광원의 종류, 레이저 출력 등의 조건에 따라서는, 레이저의 반사나 막에 대한 대전 등이 일어날 수 있다. 그 때문에, 반사 방지막이나 대전 방지막을 분리층의 상하 또는 어느 일방에 형성함으로써, 그들의 대책을 도모하는 것이 바람직하다.
(적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물)
분리층은, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물에 의해 형성되어 있어도 된다. 그 화합물은, 적외선을 흡수함으로써 변질된다. 분리층은, 화합물의 변질의 결과로서, 적외선의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 상실하고 있다. 따라서, 약간의 외력을 가함 (예를 들어, 지지체를 들어 올리는 등) 으로써, 분리층이 파괴되어, 지지체와 봉지 기판을 분리하기 쉽게 할 수 있다.
적외선 흡수성을 가지고 있는 구조, 또는 적외선 흡수성을 가지고 있는 구조를 포함하는 화합물로서는, 예를 들어 알칸, 알켄 (비닐, 트랜스, 시스, 비닐리덴, 3 치환, 4 치환, 공액, 쿠물렌, 고리형), 알킨 (1 치환, 2 치환), 단고리형 방향족 (벤젠, 1 치환, 2 치환, 3 치환), 알코올 및 페놀류 (자유 OH, 분자 내 수소 결합, 분자간 수소 결합, 포화 제 2 급, 포화 제 3 급, 불포화 제 2 급, 불포화 제 3 급), 아세탈, 케탈, 지방족 에테르, 방향족 에테르, 비닐에테르, 옥시란 고리 에테르, 과산화물에테르, 케톤, 디알킬카르보닐, 방향족 카르보닐, 1,3-디케톤의 에놀, o-하이드록시아릴케톤, 디알킬알데히드, 방향족 알데히드, 카르복실산 (2량체, 카르복실산 아니온), 포름산에스테르, 아세트산에스테르, 공액 에스테르, 비공액 에스테르, 방향족 에스테르, 락톤 (β-, γ-, δ-), 지방족 산염화물, 방향족 산염화물, 산무수물 (공액, 비공액, 고리형, 비고리형), 제 1 급 아미드, 제 2 급 아미드, 락탐, 제 1 급 아민 (지방족, 방향족), 제 2 급 아민 (지방족, 방향족), 제 3 급 아민 (지방족, 방향족), 제 1 급 아민염, 제 2 급 아민염, 제 3 급 아민염, 암모늄 이온, 지방족 니트릴, 방향족 니트릴, 카르보디이미드, 지방족 이소니트릴, 방향족 이소니트릴, 이소시안산에스테르, 티오시안산에스테르, 지방족 이소티오시안산에스테르, 방향족 이소티오시안산에스테르, 지방족 니트로 화합물, 방향족 니트로 화합물, 니트로아민, 니트로소아민, 질산에스테르, 아질산에스테르, 니트로소 결합 (지방족, 방향족, 단량체, 2량체), 메르캅탄 및 티오페놀 및 티올산 등의 황 화합물, 티오카르보닐기, 술폭시드, 술폰, 염화술포닐, 제 1 급 술폰아미드, 제 2 급 술폰아미드, 황산에스테르, 탄소-할로겐 결합, Si-A1 결합 (A1 은, H, C, O 또는 할로겐), P-A2 결합 (A2 는, H, C 또는 O), 또는 Ti-O 결합일 수 있다.
상기 탄소-할로겐 결합을 포함하는 구조로서는, 예를 들어 -CH2Cl, -CH2Br, -CH2I, -CF2-, -CF3, -CH=CF2, -CF=CF2, 불화아릴, 및 염화아릴 등을 들 수 있다.
상기 Si-A1 결합을 포함하는 구조로서는, SiH, SiH2, SiH3, Si-CH3, Si-CH2-, Si-C6H5, SiO-지방족, Si-OCH3, Si-OCH2CH3, Si-OC6H5, Si-O-Si, Si-OH, SiF, SiF2, 및 SiF3 등을 들 수 있다. Si-A1 결합을 포함하는 구조로서는, 특히, 실록산 골격 및 실세스퀴옥산 골격을 형성하고 있는 것이 바람직하다.
상기 P-A2 결합을 포함하는 구조로서는, PH, PH2, P-CH3, P-CH2-, P-C6H5, A3 3-P-O (A3 은 지방족 또는 방향족), (A4O)3-P-O (A4 는 알킬), P-OCH3, P-OCH2CH3, P-OC6H5, P-O-P, P-OH, 및 O=P-OH 등을 들 수 있다.
상기 구조는, 그 종류의 선택에 따라, 원하는 범위의 파장을 가지고 있는 적외선을 흡수할 수 있다. 구체적으로는, 상기 구조가 흡수 가능한 적외선의 파장은, 예를 들어 1 ㎛ 이상, 20 ㎛ 이하의 범위 내이며, 2 ㎛ 이상, 15 ㎛ 이하의 범위 내를 보다 바람직하게 흡수할 수 있다. 또한, 상기 구조가 Si-O 결합, Si-C 결합 및 Ti-O 결합인 경우에는, 9 ㎛ 이상, 11 ㎛ 이하의 범위 내일 수 있다. 또한, 각 구조가 흡수할 수 있는 적외선의 파장은 당업자이면 용이하게 이해할 수 있다. 예를 들어, 각 구조에 있어서의 흡수대로서, 비특허문헌 ： SILVERSTEIN·BASSLER·MORRILL 저술 「유기 화합물의 스펙트럼에 의한 동정법 (제 5 판) -MS, IR, NMR, UV 의 병용-」 (1992 년 발행) 제 146 페이지 ∼ 제 151 페이지의 기재를 참조할 수 있다.
분리층의 형성에 사용되는, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물로서는, 상기 서술한 바와 같은 구조를 가지고 있는 화합물 중, 도포를 위해서 용매에 용해할 수 있고, 고화되어 고층을 형성할 수 있는 것이면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 그러나, 분리층에 있어서의 화합물을 효과적으로 변질시켜, 지지체와 봉지 기판의 분리를 용이하게 하려면, 분리층에 있어서의 적외선의 흡수가 큰 것, 즉, 분리층에 적외선을 조사했을 때의 적외선의 투과율이 낮은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 분리층에 있어서의 적외선의 투과율이 90 ％ 보다 낮은 것이 바람직하고, 적외선의 투과율이 80 ％ 보다 낮은 것이 보다 바람직하다.
일례를 들어 설명하면, 실록산 골격을 갖는 화합물로서는, 예를 들어 하기 화학식 (1) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (2) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 수지, 혹은 하기 화학식 (1) 로 나타내는 반복 단위 및 아크릴계 화합물 유래의 반복 단위의 공중합체인 수지를 사용할 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00003
(화학식 (2) 중, R6 은, 수소, 탄소수 10 이하의 알킬기, 또는 탄소수 10 이하의 알콕시기이다.)
그 중에서도, 실록산 골격을 갖는 화합물로서는, 상기 화학식 (1) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (3) 으로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 t-부틸스티렌 (TBST)-디메틸실록산 공중합체가 보다 바람직하고, 상기 화학식 (2) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (3) 으로 나타내는 반복 단위를 1 ： 1 로 포함하는, TBST-디메틸실록산 공중합체가 더욱 바람직하다.
[화학식 4]
Figure pat00004
또, 실세스퀴옥산 골격을 갖는 화합물로서는, 예를 들어 하기 화학식 (4) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (5) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 수지를 사용할 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00005
(화학식 (4) 중, R7 은, 수소 또는 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기이며, 화학식 (5) 중, R8 은, 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기, 또는 페닐기이다.)
실세스퀴옥산 골격을 갖는 화합물로서는, 이 밖에도, 일본 공개특허공보 2007-258663호 (2007 년 10 월 4 일 공개), 일본 공개특허공보 2010-120901호 (2010 년 6 월 3 일 공개), 일본 공개특허공보 2009-263316호 (2009 년 11 월 12 일 공개), 및 일본 공개특허공보 2009-263596호 (2009 년 11 월 12 일 공개) 에 있어서 개시되어 있는 각 실세스퀴옥산 수지를 바람직하게 이용할 수 있다.
그 중에서도, 실세스퀴옥산 골격을 갖는 화합물로서는, 하기 화학식 (6) 으로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (7) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체가 보다 바람직하고, 하기 화학식 (6) 으로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (7) 로 나타내는 반복 단위를 7 ： 3 으로 포함하는 공중합체가 더욱 바람직하다.
[화학식 6]
Figure pat00006
실세스퀴옥산 골격을 갖는 중합체로서는, 랜덤 구조, 래더 구조, 및 바구니형 구조가 있을 수 있지만, 어느 구조여도 된다.
또, Ti-O 결합을 포함하는 화합물로서는, 예를 들어 (i) 테트라-i-프로폭시티탄, 테트라-n-부톡시티탄, 테트라키스(2-에틸헥실옥시)티탄, 및 티타늄-i-프로폭시옥틸렌글리콜레이트 등의 알콕시티탄 ； (ii) 디-i-프로폭시·비스(아세틸아세토나토)티탄, 및 프로판디옥시티탄비스(에틸아세토아세테이트) 등의 킬레이트티탄 ； (iii) i-C3H7O-［-Ti(O-i-C3H7)2-O-］n-i-C3H7, 및 n-C4H9O-［-Ti(O-n-C4H9)2-O-］n-n-C4H9 등의 티탄 폴리머 ； (iv) 트리-n-부톡시티탄모노스테아레이트, 티타늄스테아레이트, 디-i-프로폭시티탄디이소스테아레이트, 및 (2-n-부톡시카르보닐벤조일옥시)트리부톡시티탄 등의 아실레이트티탄 ； (v) 디-n-부톡시·비스(트리에탄올아미나토)티탄 등의 수용성 티탄 화합물 등을 들 수 있다.
그 중에서도, Ti-O 결합을 포함하는 화합물로서는, 디-n-부톡시·비스(트리에탄올아미나토)티탄(Ti(OC4H9)2［OC2H4N(C2H4OH)2］2) 가 바람직하다.
상기 서술한 분리층은, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물을 함유하고 있지만, 분리층은 추가로 상기 화합물 이외의 성분을 포함할 수 있다. 그 성분으로서는, 필러, 가소제, 및 지지체의 박리성을 향상할 수 있는 성분 등을 들 수 있다. 이들의 성분은, 상기 구조에 의한 적외선의 흡수, 및 화합물의 변질을 방해하지 않거나, 또는 촉진하는, 종래 공지된 물질 또는 재료에서 적절히 선택된다.
(적외선 흡수 물질)
분리층은, 적외선 흡수 물질을 함유하고 있어도 된다. 분리층은, 적외선 흡수 물질을 함유하여 구성됨으로써, 광을 흡수함으로써 변질되게 되어 있고, 그 결과로서, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 상실한다. 따라서, 약간의 외력을 가함 (예를 들어, 지지체를 들어 올리는 등) 으로써, 분리층이 파괴되어, 지지체와 봉지 기판을 분리하기 쉽게 할 수 있다.
적외선 흡수 물질은, 적외선을 흡수함으로써 변질되는 구성이면 되고, 예를 들어 카본 블랙, 철 입자, 또는 알루미늄 입자를 바람직하게 사용할 수 있다. 적외선 흡수 물질은, 그 종류에 따라 고유의 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 분리층에 사용한 적외선 흡수 물질이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층에 조사함으로써, 적외선 흡수 물질을 바람직하게 변질시킬 수 있다.
(반응성 폴리실세스퀴옥산)
분리층은, 반응성 폴리실세스퀴옥산을 중합시킴으로써 형성할 수 있다. 이로써, 분리층은, 높은 내약품성과 높은 내열성을 구비하고 있다.
본 명세서 중에 있어서, 반응성 폴리실세스퀴옥산이란, 폴리실세스퀴옥산 골격의 말단에 실란올기, 또는 가수 분해함으로써 실란올기를 형성할 수 있는 관능기를 갖는 폴리실세스퀴옥산이며, 당해 실란올기 또는 실란올기를 형성할 수 있는 관능기를 축합함으로써, 서로 중합할 수 있는 것이다. 또, 반응성 폴리실세스퀴옥산은, 실란올기, 또는 실란올기를 형성할 수 있는 관능기를 구비하고 있으면, 랜덤 구조, 바구니형 구조, 래더 구조 등의 실세스퀴옥산 골격을 구비하고 있는 반응성 폴리실세스퀴옥산을 채용할 수 있다.
또, 반응성 폴리실세스퀴옥산은, 하기 화학식 (8) 로 나타내는 구조를 가지고 있는 것이 보다 바람직하다.
[화학식 7]
Figure pat00007
화학식 (8) 중, R" 는, 각각 독립적으로, 수소 및 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기로 이루어지는 군에서 선택되고, 수소 및 탄소수 1 이상, 5 이하의 알킬기로 이루어지는 군에서 선택되는 것이 보다 바람직하다. R" 가, 수소 또는 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기이면, 분리층 형성 공정에 있어서의 가열에 의해, 화학식 (8) 에 의해 나타내는 반응성 폴리실세스퀴옥산을 바람직하게 축합시킬 수 있다.
화학식 (8) 중, p 는, 1 이상, 100 이하의 정수인 것이 바람직하고, 1 이상, 50 이하의 정수인 것이 보다 바람직하다. 반응성 폴리실세스퀴옥산은, 화학식 (8) 로 나타내는 반복 단위를 구비함으로써, 다른 재료를 사용하여 형성하는 것보다도 Si-O 결합의 함유량이 높고, 적외선 (0.78 ㎛ 이상, 1,000 ㎛ 이하), 바람직하게는 원적외선 (3 ㎛ 이상, 1,000 ㎛ 이하), 더욱 바람직하게는 파장 9 ㎛ 이상, 11 ㎛ 이하에 있어서의 흡광도가 높은 분리층을 형성할 수 있다.
또, 화학식 (8) 중, R' 는, 각각 독립적으로, 서로 동일하거나, 또는 상이한 유기기이다. 여기서, R 은, 예를 들어 아릴기, 알킬기, 및 알케닐기 등이며, 이들의 유기기는 치환기를 가지고 있어도 된다.
R' 가 아릴기인 경우, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기 등을 들 수 있고, 페닐기인 것이 보다 바람직하다. 또, 아릴기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기를 개재하여 폴리실세스퀴옥산 골격에 결합하고 있어도 된다.
R' 가 알킬기인 경우, 알킬기로서는, 직사슬형, 분기 사슬형, 또는 고리형의 알킬기를 들 수 있다. 또, R 이 알킬기인 경우, 탄소수는 1 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 6 인 것이 보다 바람직하다. 또, R 이, 고리형의 알킬기인 경우, 단고리형 또는 2 ∼ 4 고리형의 구조를 한 알킬기여도 된다.
R' 가 알케닐기인 경우, 알킬기의 경우와 마찬가지로, 직사슬형, 분기 사슬형, 또는 고리형의 알케닐기를 들 수 있고, 알케닐기는, 탄소수가 2 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 6 인 것이 보다 바람직하다. 또, R 이, 고리형의 알케닐기인 경우, 단고리형 또는 2 ∼ 4 고리형의 구조를 한 알케닐기여도 된다. 알케닐기로서는, 예를 들어 비닐기, 및 알릴기 등을 들 수 있다.
또, R' 가 가질 수 있는 치환기로서는, 수산기 및 알콕시기 등을 들 수 있다. 치환기가 알콕시기인 경우, 직사슬형, 분기 사슬형, 또는 고리형의 알킬알콕시기를 들 수 있고, 알콕시기에 있어서의 탄소수는 1 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 10 인 것이 보다 바람직하다.
또, 하나의 관점에 있어서, 반응성 폴리실세스퀴옥산의 실록산 함유량은, 70 몰％ 이상, 99 몰％ 이하인 것이 바람직하고, 80 몰％ 이상, 99 몰％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 반응성 폴리실세스퀴옥산의 실록산 함유량이 70 몰％ 이상, 99 몰％ 이하이면, 적외선 (바람직하게는 원적외선, 더욱 바람직하게는 파장 9 ㎛ 이상, 11 ㎛ 이하의 광) 을 조사함으로써 바람직하게 변질시킬 수 있는 분리층을 형성할 수 있다.
또, 하나의 관점에 있어서, 반응성 폴리실세스퀴옥산의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 500 이상, 50,000 이하인 것이 바람직하고, 1,000 이상, 10,000 이하인 것이 보다 바람직하다. 반응성 폴리실세스퀴옥산의 중량 평균 분자량 (Mw) 이 500 이상, 50,000 이하이면, 용제에 바람직하게 용해시킬 수 있어, 서포트 플레이트 상에 바람직하게 도포할 수 있다.
반응성 폴리실세스퀴옥산으로서 사용할 수 있는 시판품으로서는, 예를 들어 코니시 화학 공업 주식회사 제조의 SR-13, SR-21, SR-23 및 SR-33 등을 들 수 있다.
＜적층체의 제조 방법, 및 기판 처리 방법＞
본 발명의 일 실시 형태 (실시 형태 4) 에 관련된 적층체의 제조 방법은, 소자가 실장되는 재배선층과, 상기 소자를 봉지재에 의해 봉지한 봉지체를 구비하고 있는 봉지 기판을, 상기 봉지 기판을 지지하는 지지체 상에 접착층을 개재하여 적층하여 이루어지는 적층체의 제조 방법으로서, 상기 지지체 상에, 상기 서술한 접착제 조성물을 도포함으로써 상기 접착층을 형성하는 접착층 형성 공정을 포함하고 있다. 또, 본 실시 형태에 관련된 적층체의 제조 방법에 있어서, 지지체는, 광을 투과하는 재료로 이루어지는 지지체이며, 상기 접착층 형성 공정 전에, 상기 지지체 상에 광을 조사함으로써 변질되는 분리층을 형성하는 분리층 형성 공정을 포함 하고 있다.
또, 본 실시 형태에 관련된 기판 처리 방법은, 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 적층체의 제조 방법에 의해, 상기 적층체를 제조한 후, 상기 지지체를 개재하여 광을 조사함으로써, 상기 분리층을 변질시킴으로써, 상기 적층체로부터 상기 지지체를 분리하는 분리 공정과, 분리 공정 후, 상기 봉지 기판측에 남는 상기 접착층의 잔류물을 세정액에 의해 제거하는 제거 공정을 포함하고 있다.
도 1 은, 본 발명의 실시 형태 1 에 관련된 적층체의 제조 방법, 및 기판 처리 방법에 있어서의 각 공정을 설명하는 도면이다. 본 실시 형태에 관련된 적층체의 제조 방법은, 분리층 형성 공정, 접착층 형성 공정, 및 봉지 기판 형성 공정을 이 순서로 실시한다.
［분리층 형성 공정］
도 1 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 분리층 형성 공정에서는, 광을 투과하는 지지체 (1) 의 일방의 평면부 (1a) 에, 예를 들어 화학 기상 성장 (CVD) 법 등에 의해, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층 (2) 을 형성한다. 또한, 「일방의 평면부」 란, 지지체 (1) 가 갖는 평면부 중 하나를 가리킨다. 또, 「평면부」 는, 실질적으로 평면이라고 볼 수 있는 정도의 미세한 요철을 가지고 있어도 된다.
［접착층 형성 공정］
도 1 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 접착층 형성 공정에서는, 예를 들어 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법에 의해 상기 서술한 접착제 조성물을 도포하여, 가열하거나, 또는 감압 환경하에 둠으로써, 접착제 조성물에 포함되어 있는 희석 용제를 제거한다. 그 후, 접착층이 열 중합 개시제를 포함하고 있는 경우, 가열함으로써, 당해 접착층이 포함하고 있는 경화성 모노머를 중합시키면 된다. 또한, 접착층 (3) 을 가열하는 조건은, 열 중합 개시제에 있어서의 1 분간 반감 온도, 및 1 시간 반감 온도에 기초하여, 적절히 설정하면 되지만, 예를 들어 50 ℃ 이상, 300 ℃ 이하의 범위 내의 온도에 있어서, 진공하 또는 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기하에서 실시하는 것이 바람직하고, 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기하에서 실시하는 것이 보다 바람직하다.
또, 접착층이 광 중합 개시제를 포함하고 있는 경우, 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기하에서 노광함으로써, 당해 접착층이 포함하고 있는 경화성 모노머를 중합시키면 된다. 또한, 노광하는 조건은, 광 중합 개시제의 종류 등에 따라 적절히 설정하면 된다.
또한, 접착층 (3) 이 경화성 모노머를 포함하지 않으면, 용제를 제거한 후 에 있어서, 반드시 가열, 또는 노광을 실시할 필요는 없다.
［봉지 기판 형성 공정］
도 1 의 (c) ∼ (f) 에 나타내는 바와 같이, 봉지 기판 형성 공정에서는, 접착층 (3) 에, 봉지 기판 (7) 을 형성한다. 본 실시 형태에 있어서의 봉지 기판 형성 공정에서는, 재배선층 형성 공정, 실장 공정, 봉지 공정, 및 박화 공정을 이 순서로 실시한다.
［재배선층 형성 공정］
도 1 의 (c) 에 나타내는 바와 같이, 재배선층 형성 공정에서는, 접착층 (3) 상에 재배선층 (4) 을 형성한다.
일 실시 형태에 있어서, 재배선층 (4) 의 형성 순서로서는, 먼저, 접착층 (3) 상에, 산화실리콘 (SiOx), 감광성 수지 등의 유전체층을 형성한다. 산화실리콘으로 이루어지는 유전체층은, 예를 들어 스퍼터법, 진공 증착법 등에 의해 형성할 수 있다. 감광성 수지로 이루어지는 유전체층은, 예를 들어 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포 및 슬릿 도포 등의 방법에 의해 감광성 수지를 도포함으로써 형성할 수 있다.
계속해서, 유전체층에, 금속 등의 도전체에 의해 배선을 형성한다. 배선의 형성 수법으로서는, 예를 들어 포토리소그래피 (레지스트 리소그래피) 등의 리소그래피 처리, 에칭 처리 등의 공지된 반도체 프로세스 수법을 사용할 수 있다. 이와 같은, 리소그래피 처리에는, 예를 들어 포지티브형 레지스트제를 사용한 리소그래피 처리, 및 네거티브형 레지스트제를 사용한 리소그래피 처리를 들 수 있다.
이와 같이, 포토리소그래피 처리, 및 에칭 처리 등을 실시할 때에 있어서, 접착층 (3) 은, 불화수소산 등의 산, 수산화테트라메틸암모늄 (TMAH) 등의 알칼리, 및 레지스트제를 용해하기 위한 레지스트 용제에 노출된다. 레지스트 용제로서는, PGMEA, 시클로펜타논, N-메틸-2-피롤리돈 (NMP), 및 시클로헥사논 등이 사용된다. 그러나, 접착층 (3) 은, 시클로올레핀 폴리머 중에 있어서 경화성 모노머를 중합시킴으로써 내약품성을 높이고 있다. 이 때문에, 산, 알칼리 뿐만 아니라, 이들 레지스트 용제에 노출됨으로써 접착층 (3) 이, 용해, 또는 박리되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 접착층 (3) 상에 레지스트제에 의해 정밀도가 높은 패턴을 형성할 수 있고, 재배선층 (4) 을 바람직하게 형성할 수 있다.
또, 재배선층 형성 공정에서는, 예를 들어 접착층 (3) 상에 형성된 레지스트제를 경화시키기 위해서, 200 ℃ 라는 고온 환경하, 4 시간 정도의 가열 처리를 실시한다. 이 때, 접착층 (3) 은, 높은 내열성을 구비하고 있기 때문에, 접착층에 크랙이 생기는 것을 방지할 수 있다. 또, 접착층 (3) 은, 높은 내열성을 구비하고 있기 때문에, 고온 환경하, 장시간 노출되었을 때에 있어서, 접착층 (3) 상에 형성된 레지스트 피막이 수축 (쉬링크) 하는 것을 바람직하게 방지할 수 있다. 따라서, 접착층 (3) 상에 재배선층 (4) 을 바람직하게 형성할 수 있다.
도 1 의 (d) 에 나타내는 바와 같이, 실장 공정에서는, 재배선층 (4) 상에 소자 (5) 를 실장한다. 재배선층 (4) 상에 대한 소자 (5) 의 실장은, 예를 들어 칩마운터 등을 사용하여 실시할 수 있다. 또한, 실장 공정에 있어서, 재배선층 (4) 상에 솔더 범프를 개재하여 소자 (5) 를 실장하고 있는 것이면, 소자 (5) 를 봉지하기 전에, 당해 솔더 범프를 언더 필에 의해 봉지해도 된다.
도 1 의 (e) 에 나타내는 바와 같이, 봉지 공정에서는, 소자 (5) 를 봉지재 (6) 에 의해 봉지한다. 특별히 한정되는 것이 아니고, 봉지재 (6) 는, 예를 들어 130 ℃ ∼ 170 ℃ 로 가열된 상태에서, 고점도 상태를 유지하면서, 성형형을 사용하여 압축 성형된다. 이 때문에, 소자 (5) 를 봉지재 (6) 에 의해 봉지할 때에, 접착층 (3) 은 소자 (5) 를 배치한 상태에 있어서, 130 ℃ ∼ 170 ℃ 의 온도에서 가압된다. 그러나, 접착층 (3) 은, 높은 내열성을 구비하고 있기 때문에, 130 ℃ ∼ 170 ℃ 의 온도에서 가압됨으로써, 소자 (5) 를 배치한 재배선층 (4) 이 뒤틀리는 것을 바람직하게 방지할 수 있다.
도 1 의 (f) 에 나타내는 바와 같이, 박화 공정에서는, 봉지재 (6) 를 박화한다. 봉지재 (6) 는, 예를 들어 소자 (5) 와 동등한 두께로까지 박화해도 된다.
또, 박화 공정 후에 봉지재 상에 대한 범프의 형성, 및 절연층의 형성 등의 처리를 추가로 실시해도 된다.
이상의 공정에 의해 얻어진 도 1 의 (g) 에 나타내는 적층체 (8) 는, 광을 투과하는 지지체 (1) 와, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층 (2) 과, 접착층 (3) 과, 봉지 기판 (7) 이 이 순서로 적층되어 이루어지고, 봉지 기판 (7) 은, 소자 (5) 를 봉지하는 봉지재 (6) 에 의해 봉지한 봉지체와, 당해 봉지재의 일방의 평면부에 형성된, 소자 (5) 를 배치하는 재배선층 (4) 을 구비하고 있다.
［분리 공정］
도 1 의 (h) 에 나타내는 바와 같이, 분리 공정에서는, 지지체 (1) 를 개재하여, 분리층 (2) 에 광 L 을 조사함으로써, 분리층 (2) 을 변질시킨다. 조사하는 광 L 의 종류 및 파장은, 지지체 (1) 의 투과성 및 분리층 (2) 의 재질에 따라 적절히 선택하면 되고, 예를 들어 YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저광, 또는 비레이저광을 사용할 수 있다. 이로써, 분리층 (2) 을 변질시켜, 지지체 (1) 와 봉지 기판 (7) 을 용이하게 분리 가능한 상태로 할 수 있다.
또, 레이저광을 조사하는 경우의 레이저광 조사 조건의 일례로서는, 이하의 조건을 들 수 있지만, 이것으로 한정되지 않는다 ： 레이저광의 평균 출력값은, 1.0 W 이상, 5.0 W 이하인 것이 바람직하고, 3.0 W 이상, 4.0 W 이하인 것이 보다 바람직하다 ； 레이저광의 반복 주파수는, 20 kHz 이상, 60 kHz 이하인 것이 바람직하고, 30 kHz 이상, 50 kHz 이하인 것이 보다 바람직하다 ； 레이저광의 주사 속도는, 100 mm/s 이상, 10,000 mm/s 이하인 것이 바람직하다.
그 후, 도 1 의 (i) 에 나타내는 바와 같이, 분리 공정에서는, 지지체 (1) 와 봉지 기판 (7) 을 분리한다. 예를 들어, 지지체 (1) 와 봉지 기판 (7) 이 서로 떨어지는 방향으로 힘을 가함으로써, 지지체 (1) 와 봉지 기판 (7) 을 분리한다. 예를 들어, 지지체 (1) 및 봉지 기판 (7) 의 일방을 스테이지에 고정한 상태로, 타방을 빌로우즈 패드 등의 흡착 패드를 구비한 분리 플레이트에 의해 흡착 유지하면서 들어 올림으로써, 지지체 (1) 와 봉지 기판 (7) 을 분리할 수 있다.
〔제거 공정〕
도 1 의 (h) 에 나타내는 바와 같이, 제거 공정에서는, 지지체 (1) 가 분리된 봉지 기판 (7) 에 잔류하고 있는 접착층 (3) 과 분리층 (2) 을 제거한다. 예를 들어, 유기 용제를 포함하고 있는 세정액 등에 의해 접착층 (3) 및 분리층 (2) 의 잔류물을 제거하는 제거 공정을 실시한다. 접착층 (3) 은, 세정액으로서 접착제 조성물에 사용되는 희석 용제, 요컨대, 탄화수소계 용제를 바람직하게 사용할 수 있고, 특히, p-멘탄 등의 테르펜계 용제, 및 테트라하이드로나프탈렌 등의 축합 고리 탄화수소를 사용하는 것이 보다 바람직하다.
이상에 의해, 단리된 봉지 기판 (7) 을 얻을 수 있다.
또, 추가로, 봉지 기판 (7) 에 대해, 솔더 볼 형성, 다이싱 처리, 및 산화막 형성 등의 처리를 실시해도 된다.
〔실시 형태 5〕
본 발명의 다른 실시 형태 (실시 형태 5) 에 대해 설명하면 이하와 같다. 또한, 설명의 편의 상, 상기 실시 형태에서 설명한 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는, 동일한 부호를 부기하고, 그 설명을 생략한다. 실시 형태 2 에 관련된 적층체의 제조 방법, 및 기판 처리 방법은, 분리층 형성 공정, 접착층 형성 공정, 봉지 기판 형성 공정, 분리 공정, 및 제거 공정을 이 순서로 실시하고, 봉지 기판 형성 공정에서는, 접착층 (3) 상에 소자를 배치한다. 또한, 도 2 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 분리층 형성 공정은, 실시 형태 1 과 동일하기 때문에, 그 설명을 생략한다.
［접착층 형성 공정］
본 실시 형태에 관련된 적층체의 제조 방법이 포함하고 있는 접착층 형성 공정은, 지지체 (1) 상에 일 실시 형태에 관련된 접착제 조성물을 도포하고, 실시 형태 1 과 동일한 조건에서, 접착제 조성물에 포함되어 있는 희석 용제를 제거하지만, 가일층의 가열, 또는 노광에 의해 접착층의 경화는 실시하지 않는다.
［봉지 기판 형성 공정］
도 2 의 (c) ∼ (f) 에 나타내는 바와 같이, 봉지 기판 형성 공정에서는, 접착층 (3) 상에, 봉지 기판 (7) 을 형성한다. 본 실시 형태에 있어서의 봉지 기판 형성 공정에서는, 배치 공정, 봉지 공정, 박화 공정, 및 재배선층 형성 공정을 이 순서로 실시한다.
도 2 의 (c) 에 나타내는 바와 같이, 배치 공정에서는, 접착층 (3) 상에 소자 (5) 를 배치한다. 보다 구체적으로는, 배치 공정에서는, 접착층 (3) 이 형성된 지지체 (1) 를, 100 ℃ 정도로 가열한 상태에 있어서, 예를 들어 다이본더 등에 의해, 소자 (5) 를 접착층 (3) 에 압착함으로써, 소자 (5) 를 접착층 (3) 상에 배치한다.
또한, 접착층이 열 중합 개시제를 포함하고 있는 경우, 배치 공정에 있어서, 접착층 (3) 상에 소자 (5) 를 배치한 후에, 접착층 (3) 을 가열함으로써, 당해 접착층 (3) 이 포함하고 있는 경화성 모노머를 중합시키면 된다. 또, 접착층이 광 중합 개시제를 포함하고 있는 경우, 접착층 (3) 을 노광함으로써 경화시키면 된다.
도 2 의 (d) 에 나타내는 바와 같이, 봉지 공정에서는, 소자 (5) 를 봉지재 (6) 에 의해 봉지한다. 봉지 공정에서는, 실시 형태 1 의 경우와 동일하게, 소자 (5) 를 봉지재 (6) 에 의해 봉지할 때에, 접착층 (3) 은 소자 (5) 를 배치한 상태에 있어서, 130 ℃ ∼ 170 ℃ 의 온도에서 가압된다. 그러나, 접착층 (3) 은, 높은 내열성을 구비하고 있기 때문에, 130 ℃ ∼ 170 ℃ 의 온도라는 온도 조건하, 봉지재 (6) 에 의해 가압됨으로써 생기는, 접착층 (3) 상에 있어서의 소자 (5) 의 위치 어긋남을 방지할 수 있다. 따라서, 접착층 (3) 상에 있어서, 소자 (5) 가 높은 정밀도로 배열된 봉지 기판 (7) 을 바람직하게 형성할 수 있다.
도 2 의 (e) 에 나타내는 바와 같이, 박화 공정에서는, 봉지재 (6) 를 박화한다. 봉지재 (6) 는, 예를 들어 소자 (5) 의 단자부가 봉지재 (6) 로부터 노출될 때까지 박화하면 된다.
도 2 의 (f) 에 나타내는 바와 같이, 재배선층 형성 공정에서는, 봉지체의 소자 (5) 가 노출된 평면부에 재배선층 (4) 을 형성한다.
본 실시 형태에 있어서, 재배선층 (4) 의 형성 순서로서는, 실시 형태 1 과 마찬가지로 실시할 수 있기 때문에, 그 설명을 생략한다.
이상의 공정에 의해, 실시 형태 1 과 마찬가지로, 적층체 (9) 를 얻을 수 있다.
그 후, 도 2 의 (g) 및 (h) 에 나타내는 바와 같이, 분리 공정에 있어서, 지지체 (1) 로부터 분리층 (2) 으로 향해 광을 조사함으로써, 분리층 (2) 을 변질시킴으로써 지지체 (1) 를 적층체 (9) 로부터 분리한다. 또, 그 후, 제거 공정에 있어서, 실시 형태 1 과 동일하게, 탄화수소계 용제를 사용하여 접착층 (3) 을 제거함으로써, 봉지 기판 (7) 을 얻을 수 있다 (도 2 의 (i)).
〔실시 형태 6〕
본 발명의 실시 형태 6 에 대해 설명하면 이하와 같다. 또한, 설명의 편의 상, 상기 서술한 실시 형태 1 및 2 에서 설명한 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는, 동일한 부호를 부기하고, 그 설명을 생략한다. 실시 형태 3 에 관련된 적층체의 제조 방법, 및 봉지 기판의 제조 방법은, 분리층 형성 공정, 분리층 주연 부분 제거 공정, 접착층 형성 공정, 봉지 기판 형성 공정, 및 접착층 제거 공정을 이 순서로 실시한다.
［분리층 형성 공정］
도 3 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 분리층 형성 공정은, 실시 형태 1 및 2 와 동일하기 때문에, 그 설명을 생략한다.
［분리층 주연 부분 제거 공정］
도 3 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 분리층 주연 부분 제거 공정에서는, 예를 들어 EBR (Edge Bead Removal) 처리에 의해, 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 전체 둘레에 형성된 분리층 (2) 을 제거한다. 주연 부분 (1b) 은, 평면부 (1a) 의 주연 부분이다. 이로써, 도 3 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 평면부 (1a) 상에는, 분리층 (2) 이 제거된 주연 부분 (1b) 에 둘러싸인 부분에, 분리층 (2) 이 형성되어 있는 상태가 된다. EBR 처리의 상세한 것에 대해서는 후술한다.
［접착층 형성 공정］
도 3 의 (c) 에 나타내는 바와 같이, 접착층 형성 공정에서는, 지지체 (1) 에 있어서의 주연 부분 (1b) 전체 둘레의 분리층 (2) 을 제거한 측의 면에, 접착층 (3) 을 형성한다. 이로써, 지지체 (1) 상에 형성된 분리층 (2) 의 전체면을 접착층 (3) 에 의해 피복한다. 또한, 접착층 (3) 을 형성하는 방법은, 실시 형태 1 과 동일하기 때문에, 그 설명을 생략한다.
［봉지 기판 형성 공정］
도 3 의 (d) ∼ (g) 에 나타내는 바와 같이, 봉지 기판 형성 공정에서는, 접착층 (3) 상에, 봉지 기판 (7') 을 형성한다. 본 실시 형태에 있어서의 봉지 기판 형성 공정에서는, 재배선층 형성 공정, 실장 공정, 봉지 공정, 및 박화 공정을 이 순서로 실시한다.
도 3 의 (d) 에 나타내는 바와 같이, 실시 형태 3 에서는, 재배선층 형성 공정에 있어서, 접착층 (3) 상에 형성된 재배선층 (4) 의 외주 단부를 트리밍 처리에 의해 제거한다. 또한, 재배선층 (4) 의 트리밍에는, 그라인더 등의 공지된 수단에 의해 연삭함으로써 제거하면 된다. 이로써, 후의 공정에 있어서, 적층체 (8') (도 3) 에 있어서 EBR 처리를 바람직하게 실시할 수 있다.
또한, 재배선층 (4) 을 형성하는 방법은, 실시 형태 1 과 동일하기 때문에, 그 설명을 생략한다.
도 3 의 (e) ∼ (g) 에 나타내는 바와 같이, 실시 형태 3 에 있어서도, 실장 공정, 봉지 공정, 및 박화 공정을 실시한다. 또한, 실시 형태 3 에 있어서의, 실장 공정, 봉지 공정, 및 박화 공정은, 실시 형태 1 과 마찬가지로 실시할 수 있기 때문에, 그 설명을 생략한다.
［접착층 제거 공정］
도 3 의 (h) 에 나타내는 바와 같이, 접착층 제거 공정에서는, 예를 들어 EBR 처리에 의해, 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 전체 둘레에 형성된 접착층 (3) 을 제거한다. 접착층 (3) 중, 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 전체 둘레에 형성된 부분은, 분리층 (2) 을 개재하지 않고, 지지체 (1) 와 봉지 기판 (7') 을 접착하고 있기 때문에, 당해 부분을 제거해 둠으로써, 분리층 (2) 을 변질시켰을 때에, 지지체 (1) 와 봉지 기판 (7') 을 원활하게 분리할 수 있다.
특히, 지지체 (1) 상에 형성되어 있는 분리층 (2) 의 외주 단부 (2a) 보다 외측에 형성된 접착층 (3) 을 제거해 둠으로써, 지지체 (1) 와 봉지 기판 (7') 이, 반드시 분리층 (2) 을 개재하여 접착되어 있는 상태로 할 수 있기 때문에, 분리층 (2) 을 변질시켰을 때에, 지지체 (1) 와 봉지 기판 (7') 을 보다 원활하게 분리할 수 있다.
［분리 공정 ∼ 제거 공정］
도 3 의 (i) ∼ (k) 에 나타내는 바와 같이, 실시 형태 1 과 마찬가지로, 분리 공정, 및 제거 공정을 실시함으로써, 봉지 기판 (7') 을 제조할 수 있다.
(EBR 처리)
상기 서술한 (A) 분리층 주연 부분 제거 공정에 있어서, 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 전체 둘레에 형성된 분리층 (2) 을 제거하기 위한 EBR 처리, 및 (B) 접착층 제거 공정에 있어서, 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 전체 둘레에 형성된 접착층 (3) 을 제거하기 위한 EBR 처리는, 예를 들어 (i) 용제에 의해 용해하여 제거하는 방법, (ii) 커터 또는 블레이드 등을 사용하여 물리적으로 절단하여 제거하는 방법, (iii) 대기압하에서의 애싱에 의해 제거하는 방법 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 강도 및 실용성의 관점에서, 용제에 의해 제거하는 방법이 바람직하다.
용제에 의해 제거하는 방법에 있어서 사용되는 용제로서는, 제거 대상이 되는 분리층 (2) 또는 접착층 (3) 을 용해할 수 있는 것이면 되고, 특별히 한정되지 않기 때문에, 당업자는, 제거 대상의 조성에 따라, 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 접착층 (3) 에 대해, 특히, p-멘탄 등의 테르펜계 용제, 및 테트라하이드로나프탈렌 등의 축합 고리 탄화수소 등을 사용할 수 있다. 또, 분리층 (2) 에 대해서는, 예를 들어 모노이소프로판올아민 (MIPA) 등의 제 1 급 지방족 아민, 2-(메틸아미노)에탄올 등의 제 2 급 지방족 아민, 트리에탄올아민 등의 제 3 급의 지방족 아민, 시클로헥실아민 등의 지환식 아민, 벤질아민 등의 방향족 아민 및 N-하이드록시에틸피페리딘 등의 복소 고리형 아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 아민류, 또는 그것들을 포함하는 용제 등을 사용할 수 있다. 또한, 용제에는, 상기 서술한 (첨가 용제) 의 난에 열거된 것 중, 테르펜 용제 이외의 유기 용제를 바람직하게 사용할 수 있다.
용제를 공급하는 방법으로서는, 예를 들어 용제의 분출에 의해, 제거 대상에 용제를 공급하는 방법, 제거 대상을 용제 중에 침지시키는 방법을 들 수 있다.
용제의 분출에 의해, 제거 대상에 용제를 공급하는 방법으로서는, 균일하게 용제를 공급하기 위해서, 지지체 (1) 를 회전시키면서, 제거 대상에 용제를 공급하는 방법이 바람직하다. 지지체 (1) 를 회전시키면서, 용제를 공급하는 방법으로서는, 예를 들어 용제를 분출하는 노즐을 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 의 바로 외측의 바로 위에 배치하고, 용제를 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 의 바로 외측에 적하하면서, 지지체 (1) 를, 스피너를 사용하여 회전시키는 방법을 들 수 있다. 이로써, 용제를 지지체 (1) 의 주연 부분 (1b) 의 전체 둘레의 바로 외측에 공급할 수 있다. 또한, 배치하는 노즐의 수에 제한은 없고, 1 개 이상이면 된다.
지지체 (1) 의 회전 및 용제의 분출을 수반하는 상기 방법에 있어서, 지지체 (1) 의 회전 속도, 용제를 노즐로부터 공급할 때의 용제의 유량, 및 용제의 공급 시간은, 제거 대상의 조성, 제거 대상의 두께, 사용하는 용제의 종류, 및 제거의 정도에 따라 다르게 얻는 것이지만, 당업자이면, 그 최적 조건을 곤란 없이 검토 및 결정할 수 있다.
또, 용제에 의한 제거 대상의 용해 후는, 지지체 (1) 등을 건조시키는 것이 바람직하다. 건조 공정을 거침으로써, 불필요한 용제, 제거 대상 부분이 아닌 분리층 (2) 또는 접착층 (3) 에 침입한 용제를 제거할 수 있다.
건조 방법으로서는, 스피너 등을 사용하여 지지체 (1) 를 회전시키는 것에 의한 털어냄 건조, 질소 가스 등의 분무에 의한 에어 블로우로의 건조, 베이크에 의한 건조, 및 감압에 의한 건조 등을 들 수 있다. 또한, 이들의 건조 방법으로서는, 어느 방법을 단독으로 사용하는 방법, 혹은 임의의 2 개 이상의 방법을 조합하여 사용하는 방법 모두 가능하다.
〔실시 형태 7〕
본 발명의 실시 형태 7 에 대해 설명하면 이하와 같다. 또한, 설명의 편의 상, 상기 서술한 실시 형태 1 ∼ 3 에서 설명한 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는, 동일한 부호를 부기하고, 그 설명을 생략한다. 실시 형태 4 에 관련된 적층체의 제조 방법, 및 봉지 기판의 제조 방법은, 분리층 형성 공정, 분리층 주연 부분 제거 공정, 접착층 형성 공정, 봉지 기판 형성 공정, 및 접착층 제거 공정을 이 순서로 실시한다.
［분리층 형성 공정 ∼ 접착층 형성 공정］
분리층 형성 공정, 분리층 주연 부분 제거 공정, 및 접착층 형성 공정은, 실시 형태 2 와 동일하기 때문에, 그 설명을 생략한다.
［봉지 기판 형성 공정］
봉지 기판 형성 공정에서는, 접착층 (3) 상에, 소자 (5) 를 배치하여 봉지한다. 요컨대, 실시 형태 2 와 동일한 공정에 의해, 봉지 기판 (7') 을 형성한다. 그 후, 도 4 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 봉지 기판 (7') 의 외주 단부를 트리밍 처리에 의해 제거한다. 또한, 봉지 기판 (7) 의 트리밍에는, 그라인더 등의 공지된 수단에 의해 연삭함으로써 제거하면 된다. 이로써, 후의 공정에 있어서, 적층체 (9') (도 4) 에 있어서 아민 처리를 바람직하게 실시할 수 있다.
［접착층 제거 공정］
도 4 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 실시 형태 3 과 마찬가지로, 실시 형태 4 에 있어서도, 봉지 기판 (7') 의 외주 단부를 트리밍 처리함으로써, 분리층 (2) 의 외주 단부 (2a) 보다 외측에 형성된 접착층 (3) 을 제거할 수 있다. 이 때문에, 분리층 (2) 을 변질시켰을 때에, 지지체 (1) 와 봉지 기판 (7') 을 보다 원활하게 분리할 수 있다.
그 후, 실시 형태 1 ∼ 3 과 마찬가지로, 접착층 (3) 을 탄화수소계 용제에 의해 제거함으로써, 봉지 기판 (7') 을 제조할 수 있다.
〔다른 실시 형태〕
본 발명에 관련된 적층체의 제조 방법 및 기판 처리 방법은, 상기 서술한 각 실시 형태 (실시 형태 4, 실시 형태 5, 실시 형태 6, 실시 형태 7) 로 한정되지 않는다. 예를 들어, 다른 실시 형태에 관련된 적층체의 제조 방법에서는, 각 실시 형태에 관련된 적층체의 제조 방법에 의해 형성된 적층체에 있어서의 봉지 기판을, 다른 접착층 및 다른 분리층을 개재하여 다른 지지체에 적층하는 적층체의 제조 방법이다. 이로써, 봉지 기판을 형성하기 위해서 이용된 접착층측에 있어서의 지지체를 분리하고, 다른 지지체에 의해, 봉지 기판을 지지한 상태에 있어서, 당해 봉지 기판을 바람직하게 가공할 수 있다.
또, 추가로 다른 실시 형태에 관련된 적층체의 제조 방법은, 기판, 접착층, 및 지지체를 이 순서로 적층하여 이루어지는 적층체를 제조하는 적층체의 제조 방법으로서, 상기 기판 상, 또는 상기 지지체 상의 적어도 일방에, 본원의 일 실시 형태에 관련된 접착제 조성물을 도포하여, 가열함으로써 상기 접착층을 형성하는 접착층 형성 공정을 포함하고 있다. 여기서, 기판에, 실리콘, 세라믹, 또는 폴리이미드 수지 등의 플렉시블 기판 등을 들 수 있고, 전형적으로는, 실리콘 인터포저일 수 있다.
상기의 구성에 의하면, 지지체 상에 있어서, 예를 들어 실리콘 인터포저를 바람직하게 가공하여, 관통 전극을 형성할 수 있다. 요컨대, 일 실시 형태에 관련된 접착제 조성물을 사용하여 접착층을 형성함으로써, 팬인형의 반도체 봉지 기술에 있어서도, 바람직하게 적층체를 형성할 수 있다.
본 발명은 상기 서술한 각 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 청구항에 나타낸 범위에서 여러 가지의 변경이 가능하고, 상이한 실시 형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시 형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
실시예
수지 성분으로서 베이스 폴리머와 경화성 모노머를 사용한, 실시예 1 ∼ 15 의 접착제 조성물을 조제했다. 아울러, 비교예 1 ∼ 4 의 접착제 조성물을 조제하고, 그 후, 실시예 1 ∼ 15, 및 비교예 1 ∼ 4 의 접착제 조성물을 사용하여 접착층을 형성하고, 각 접착층에 있어서의, 압축형에 의한 소자의 봉지에 대한 적응성 평가, 절연 패턴 형성 프로세스에 대한 적응성 평가를 실시했다.
〔접착제 조성물의 조제, 및 접착층의 형성〕
(실시예 1)
실시예 1 의 접착제 조성물로서, 85 중량부의 APL6015 (시클로올레핀 폴리머 ： 미츠이 화학 주식회사 제조) 와, 경화성 모노머로서 15 중량부의 A-DCP (트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트 ： 신나카무라 화학 주식회사 제조) 를, 400 중량부의 데카하이드로나프탈렌에 용해했다. 다음으로, 100 중량부의 경화성 모노머에 대해, 2 중량부가 되도록 하여 퍼로일 TCP (열 중합 개시제 ： 닛폰 유지 주식회사 제조) 를 첨가하여, 접착제 조성물을 조제했다. 또한, 퍼로일 TCP 는, 10 중량부의 아세트산부틸 (첨가 용제) 에 용해하여, 수지 성분에 첨가했다.
이어서, 유리 지지체 (10 cm × 10 cm, 두께 700 ㎛) 상에, 유량 400 sccm, 압력 700 mTorr, 고주파 전력 2500 W 및 성막 온도 240 ℃ 의 조건하에 있어서, 반응 가스로서 C4F8 을 사용한 CVD 법에 의해, 분리층인 플루오로카본막 (두께 1 ㎛) 을 형성했다.
이어서, 실시예 1 의 접착제 조성물을, 유리 지지체에 형성된 분리층 상에 스핀 코트법에 의해 1500 rpm 으로 회전시키면서 도포했다. 계속해서, 실시예 1 의 접착제 조성물을 도포한 유리 지지체를, 140 ℃ 에 있어서 5 분간, 예비 가열함으로써 실시예 1 의 접착층을 형성했다 (막두께 3 ㎛). 이 실시예 1 의 접착층을, 하기 평가 1 및 2 에 각각 사용했다.
(실시예 2 ∼ 15)
실시예 2 ∼ 15 로서, 실시예 1 과 다른 조성 및 조성비에 있어서, 베이스 폴리머, 경화성 모노머 및 중합 개시제를 배합하고, 접착제 조성물을 조제했다. 계속해서, 실시예 2 ∼ 15 의 접착층을, 이들 접착제 조성물을 사용하여 형성했다.
(비교예 1 ∼ 4)
유리 전이 온도가 낮은 시클로올레핀 폴리머, 또는 열가소성 엘라스토머를 사용한 것 이외는, 실시예 1 의 접착제 조성물을 조제한 순서에 따라, 비교예 1 ∼ 4 의 접착제 조성물을 조제했다. 이어서, 비교예 1 ∼ 4 의 접착제 조성물의 각각을, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 분리층이 형성된 유리 지지체에 스핀 도포하고, 160 ℃ 의 조건에서, 5 분간, 예비 가열함으로써, 두께 5 ㎛ 의 접착층을 형성했다.
또한, 실시예 1 ∼ 15, 및 비교예 1 ∼ 4 에 있어서 사용한 베이스 폴리머, 경화성 모노머는 이하에 나타내는 바와 같다. 또, 이하의 표 2 ∼ 4 에, 실시예 1 ∼ 15, 및 비교예 1 ∼ 4 의 조성을 나타낸다.
·이하의 식 (9) 로 나타내는 고리형 폴리올레핀 (미츠이 화학 주식회사 제조, 「APL6015 (상품명)」, Tg = 140, Mw = 80,000, Mw/Mn = 2.0, m ： n = 58 ： 42 (몰비))
[화학식 8]
Figure pat00008
·이하의 식 (10) 으로 나타내는 고리형 폴리올레핀 (폴리플라스틱 주식회사 제조, 「TOPAS6015 (상품명)」, Tg = 140, Mw = 80,000, Mw/Mn = 2.0, m ： n = 48 ： 52 (몰비))
[화학식 9]
Figure pat00009
·상기 식 (10) 으로 나타내는 고리형 폴리올레핀 (폴리플라스틱 주식회사 제조, 「TOPAS6017 (상품명)」, 노르보르넨 함량 82 중량％, Tg = 160, Mw = 80,000, Mw/Mn = 2.0, m ： n = 43 ： 57 (몰비))
·스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌의 트리블록 공중합체 (열가소성 엘라스토머) ： SEPS (주식회사 쿠라레 제조, 「Septon2004 (상품명)」, Tg = 90 ℃, 스티렌 함유량 18 ％, 분자량 90,000)
또한, 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 시클로올레핀 폴리머의 중량 평균 분자량, 및 동적 기계 분석 (DMA : Dynamic Mechanical Analysis) 에 의해 구한 유리 전이 온도 (Tg) 는 이하의 표 1 에 나타내는 바와 같다.
Figure pat00010
또한, 표 1 에 나타내는, 유리 전이 온도 (Tg (DMA)［℃］) 는, 동적 점탄성 측정 장치 Rheologel-E4000 (UBM 주식회사 제조) 을 사용하여, 주파수 1 Hz 의 조건에서, 5 ℃／분의 승온 속도로, 25 ℃ 에서 300 ℃ 까지 온도를 상승시킴으로써 측정한 점탄성의 변화에 기초하여 구했다.
후술하는 표 2 ∼ 4 에 있어서의, 실시예 1 ∼ 10, 12 ∼ 15 의 접착층의 유리 전이 온도 (Tg (DMA)［℃］) 는, 140 ℃, 5 분간의 예비 가열 처리를 실시하고, 이어서, 200 ℃, 1 시간, 질소 분위기하에 있어서의 가열 처리를 한 후에 측정한 것 이외는, 표 1 에 나타내는 유리 전이 온도의 측정과 동일한 조건에 의해 측정했다.
또, 실시예 11 의 접착층의 유리 전이 온도 (Tg (DMA)［℃］) 에 대해서는, 140 ℃, 5 분간의 예비 가열 처리를 실시하고, 이어서, 고압 수은 램프 UV 노광기 (ORC 주식회사 제조) 를 이용하여, 감압 진공하, 500 mJ/㎠ 의 조건에서 노광 처리를 실시한 후에 측정한 것 이외는, 표 1 에 나타내는 유리 전이 온도의 측정과 동일한 조건에 의해 측정했다.
비교예 1, 2, 4 의 접착층의 유리 전이 온도 (Tg (DMA)［℃］) 에 대해서는, 160 ℃, 5 분간의 예비 가열 처리를 실시한 것 이외는, 표 1 에 나타내는 유리 전이 온도의 측정과 동일한 조건에 의해 측정했다. 또, 비교예 3 의 접착층의 유리 전이 온도 (Tg (DMA)［℃］) 에 대해서는, 160 ℃, 5 분간의 예비 가열 처리를 실시한 것 이외는, 실시예 1 의 접착층과 동일한 조건에서 가열 처리하여, 유리 전이 온도를 측정했다.
〔경화성 모노머〕
·이하의 식 (11) 로 나타내는 트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트 (신나카무라 화학 주식회사 제조, 「A-DCP (상품명)」)
[화학식 10]
Figure pat00011
·이하의 식 (12) 로 나타내는 트리시클로데칸디메탄올디메타크릴레이트 (신나카무라 화학 주식회사 제조, 「DCP (상품명)」)
[화학식 11]
Figure pat00012
·이하의 식 (13) 으로 나타내는, 1,3-아다만탄디올디아크릴레이트 (미츠비시 가스 화학 주식회사 제조, 「ADDA (상품명)」)
[화학식 12]
Figure pat00013
·이하의 식 (14) 로 나타내는, 5-하이드록시-1,3-아다만탄디올디메타크릴레이트 (미츠비시 가스 화학 주식회사 제조, 「HADDM (상품명)」)
[화학식 13]
Figure pat00014
·이하의 식 (15) 로 나타내는, 1,3,5-아다만탄트리올트리메타크릴레이트 (미츠비시 가스 화학 주식회사 제조, 「ADTM (상품명)」)
[화학식 14]
Figure pat00015
〔평가 1 ： 압축형에 의한 소자의 봉지에 대한 적응성 평가〕
실시예 1 의 접착층에 있어서의 소정 위치에 베어 칩을 배치하고, 봉지제 (봉지재) 를 사용하여 베어 칩을 봉지했다. 이 때에 있어서의 베어 칩의 위치 어긋남의 정도를, 압축형에 의한 봉지 (몰딩) 에 대한 적응성으로서 평가했다.
베어 칩의 배치는, 다이본더 (TRESKY 사 제조) 를 사용하여 실시했다. 먼저, 다이본더의 플레이트를 150 ℃ 로 가열하고, 35 N 의 압력으로, 1 초간, 실시예 1 의 접착층 상에 가로 세로 2 mm 의 실리콘제의 베어 칩을 압착했다. 이로써, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 유리 지지체 (1) 에 형성된 접착층 (3) 에 있어서의, 네 모퉁이 주변부, 및 중앙부에 베어 칩 (소자) (5) 을 배치했다.
다음으로, 베어 칩을 배치한 실시예 1 의 접착층을, 200 ℃, 1 시간, 질소 분위기하에서 가열했다. 가열 후, 베어 칩을 배치한 상태에 있어서, 실시예 1 의 접착층을 형성한 유리 지지체를, 50 ℃ 로 가열한 플레이트 상에 재치하고, 12 g 의 에폭시 수지를 포함하는 봉지제를 올려놓고, 10 Pa 보다 낮은 감압 조건하, 첩부 장치를 사용하여, 130 ℃ 로 가열한 가압용 플레이트로 1 톤의 압력을 가하여, 5 분간 압축했다 (도 2 의 (c) 및 (d) 에 나타내는, 배치 공정에 해당한다). 이로써, 접착층 상에 배치된 베어 칩을 봉지재에 의해 봉지함으로써, 봉지 기판을 적층한 실시예 1 의 적층체를 얻었다.
실시예 1 의 적층체를, 광학 현미경을 사용하여 유리면측에서 관찰하고, 첩부를 실시한 베어 칩 (5) 의 위치 어긋남의 정도를 평가했다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, 접착층 (3) 상에 배치된 각 베어 칩 (5) 의 첩부했을 때의 위치로부터, X 방향, 및 Y 방향에 대한 이동 거리의 합을 구하여, 각 베어 칩의 이동 거리로 했다. 계속해서, 베어 칩 (5) 의 이동 거리의 평균치를 구하여, 이동 거리의 평가치로 했다.
압축형에 의한 봉지에 대한 적응성은, 베어 칩 (5) 의 이동 거리가 3 ㎛ 이하인 경우, 위치 어긋남 없음 「○」 로 평가하고, 베어 칩 (5) 의 이동 거리가 3 ㎛ 보다 큰 경우, 위치 어긋남 있음 「×」 로 평가했다.
또한, 실시예 2 ∼ 10, 12 ∼ 15, 및 비교예 3 의 접착층에 대해, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 접착층을 형성하고, 압축형에 의한 소자의 봉지에 대한 적응성 평가를 실시했다.
또, 비교예 1, 2 및 4 의 접착층에 대해서는, 베어 칩을 소정의 위치에 압착한 후에, 접착층의 가열을 실시하지 않는 것 이외는, 실시예 1 의 접착층의 평가에 있어서의 순서와 동일하게, 압축형에 의한 소자의 봉지에 대한 적응성 평가를 실시했다.
실시예 11 의 접착층에 대해서는, 다이본더를 사용하여 베어 칩을 압착한 후, 200 ℃, 1 시간, 질소 분위기하에 있어서의 가열 처리 대신에, 고압 수은 램프 UV 노광기 (ORC 주식회사 제조) 를 이용하여, 감압 진공하, 500 mJ/㎠ 의 조건에서 노광 처리를 실시한 것 이외는, 실시예 1 의 접착층의 평가에 있어서의 순서와 동일하게, 압축형에 의한 소자의 봉지에 대한 적응성 평가를 실시했다.
이하에 나타내는, 표 2 ∼ 4 에, 압축형에 의한 소자의 봉지에 대한 적응성 평가의 결과를 나타낸다.
〔평가 2 ： 절연 패턴 형성 프로세스에 대한 적응성 평가〕
평가 1 에 사용한 접착층과 동일한 순서에 따라 작성한 실시예 1 ∼ 15, 및 비교예 1 ∼ 4 의 접착층에 대해, 절연 패턴 형성 프로세스에 대한 적응성 평가 (평가 2) 를 실시했다. 절연 패턴 형성 프로세스에 대한 적응성 평가에 있어서는, 레지스트 용제에 대한 내약품성, 및 패턴 형성 후의 가열 처리에 대한 내열성을 평가했다.
또한, 실시예 1 ∼ 10, 12 ∼ 15 및 비교예 1 ∼ 4 에 대해, 절연 패턴 형성 프로세스에 대한 적응성 평가는, 각각, 200 ℃, 1 시간, 질소 분위기하에 있어서의 가열 처리를 실시한 후에 실시했다. 또, 실시예 11 의 접착층은, 평가 1 에 있어서의 노광 조건과 동일한 조건에서 노광한 후에, 절연 패턴 형성 프로세스에 대한 적응성 평가를 실시했다.
(약품 내성의 평가)
먼저, 포지티브형 레지스트의 평가에 대해, 각 접착층에 대해, 절연막 형성용 조성물 PN-0379D (PGMEA 함유, 토쿄 오카 공업 주식회사 제조) 를 1000 rpm 으로 스핀 도포하고, 110 ℃, 4 분간의 조건에서 예비 가열함으로써, 5 ㎛ 의 건조 피막을 형성했다. 다음으로, ORC 사 제조의 평행광 노광기 (ghi) 를 사용하여, 당해 피막에 대해 패턴 노광을 실시했다. 다음으로, 노광 후의 피막을 2.38 ％ TMAH 수용액에 23 ℃, 5 분간 침지시킴으로써, 포지티브형 레지스트에 의한 감광성 절연막을, 100 ㎛ 폭의 라인 패턴으로 형성했다.
또, 네거티브형 레지스트의 평가에 대해, 각 접착층에 대해, 네거티브형 레지스트인 BL301 (NMP 함유, 아사히 화성 주식회사 제조) 을 1000 rpm 으로 스핀 도포하고, 110 ℃, 4 분간의 조건에서 예비 가열함으로써, 5 ㎛ 의 접착층을 형성했다. 다음으로, ORC 사 제조의 평행광 노광기 (ghi) 를 사용하여 패턴 노광을 한 후, 시클로헥사논에 23 ℃, 5 분간 침지시켜, 네거티브형 레지스트에 의한 감광성 절연막을, 100 ㎛ 폭의 라인 패턴으로 형성했다.
약품 내성의 평가는, 상기에서 얻어진 패턴을, PGMEA, TMAH, NMP, 및 시클로헥사논에 23 ℃, 5 분간 각각 침지시켰을 때에 있어서의 각 접착층의 외관에 있어서의 변화를 육안으로 평가했다. 약품 내성의 평가는, 중량 및 외관에 변화가 보이지 않는 경우에는 「○」 로 하고, 중량 변화 또는 외관 변화 (라인 패턴의 들뜸이나, 접착층에 있어서의 크랙의 유무) 가 보인 경우에는 「×」 로 판정했다.
이하의 표 2 ∼ 4 에, 절연 패턴 형성 프로세스에 대한 적응성 평가에 있어서의 약품 내성의 평가 결과를 나타낸다.
(내열성의 평가)
다음으로, 내열성의 평가로서 약품 내성을 평가한 각 적층체에 대해, 200 ℃, 4 시간, 질소 분위기하에서 가열 처리한 후, 100 ㎛ 폭으로 형성된 라인 패턴에 수축 (쉬링크) 이 발생하고 있는지의 여부를 평가했다. 내열성의 평가는, 광학 현미경을 사용하여, 가열 처리 후의 100 ㎛ 폭 라인 패턴의 폭을 측정하고, 폭의 증감이 5 ㎛ 보다 작으면, 내열성 「○」 로 평가하고, 폭의 증감이 5 ㎛ 보다 크면, 내열성 「×」 로 평가했다.
이하의 표 2 ∼ 4 에, 절연 패턴 형성 프로세스에 대한 적응성 평가에 있어서의 내열성의 평가 결과를 나타낸다.
또한, 내열성의 평가를 실시한 후, 라인 패턴을 형성한 각 접착층 상에 베어 칩을 배치하고, 평가 1 과 동일한 조건에서, 당해 베어 칩을 에폭시 수지를 포함하는 봉지제에 의해 봉지함으로써, 봉지 기판을 적층한 적층체를 얻었다.
〔평가 3 ： 세정성의 평가〕
평가 1 및 2 에 있어서 형성한, 각 적층체에 있어서의 유리 지지체측으로부터 분리로 향해, 파장 532 nm 의 레이저광을 조사함으로써, 당해 분리층을 변질시켰다. 이어서, 각 적층체로부터 유리 지지체를 분리하여, 접착층을 노출시켰다. 세정액으로서 p-멘탄을 사용하여, 5 분간, 스프레이 세정을 실시함으로써, 접착층이 잔존하는 봉지 기판을 세정했다. 세정성의 평가는, 봉지 기판에 있어서의 접착층의 잔류물의 유무를 육안으로 확인하고, 잔류물이 전혀 보이지 않은 경우에, 세정성을 「○」 로 평가하고, 잔류물이 많이 보인 경우에는, 세정성을 「×」 로 평가했다.
이하의 표 2 에, 실시예 1 ∼ 6 의 접착제 조성물의 조성, 및 각 평가 결과를 나타낸다.
Figure pat00016
*1 : 100 중량부의 경화성 모노머에 대한 중합 개시제의 중량부이다.
*2 : 100 중량부의 주용제에 대한 첨가 용제의 중량부이다.
이하의 표 3 에, 실시예 7 ∼ 15 의 접착제 조성물의 조성, 및 각 평가 결과를 나타낸다.
Figure pat00017
*1 : 100 중량부의 경화성 모노머에 대한 중합 개시제의 중량부이다.
*2 : 100 중량부의 주용제에 대한 첨가 용제의 중량부이다.
이하의 표 4 에, 비교예 1 ∼ 4 의 접착제 조성물의 조성, 및 각 평가 결과를 나타낸다.
Figure pat00018
*1 : 100 중량부의 경화성 모노머에 대한 중합 개시제의 중량부이다.
*2 : 100 중량부의 베이스 폴리머에 대한 중합 금지제의 중량부이다.
*3 : 100 중량부의 주용제에 대한 첨가 용제의 중량부이다.
(각 평가 결과)
표 2 및 3 에 나타내는 바와 같이, 압축형에 의한 소자의 봉지에 대한 적응성 평가에 대해, 실시예 1 ∼ 15 의 접착층은 모두, 배치된 베어 칩의 위치 어긋남이 보이지 않았다 (○). 이에 대하여, 표 4 에 나타내는 바와 같이, 비교예 1 ∼ 4 에서는, 베어 칩의 위치 어긋남이 확인되었다 (×). 이들의 결과로부터, Tg 가 140 ℃ 이상의 베이스 폴리머를 사용함으로써, 접착층 상에 소자를 봉지하여 당해 소자를 바람직하게 봉지할 수 있는 접착제 조성물을 얻을 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 이하의 표 5 에, 실시예 7 의 접착층에 대해, 압축형에 의한 소자의 봉지에 대한 적응성 평가를, 가압용 프레스에 있어서의 가열 온도를 130 ℃ 에서, 150 ℃, 및 170 ℃ 로 변경하여 실시한 결과를 나타낸다.
Figure pat00019
또, 표 5 에 나타내는 바와 같이, 비교예 1 에서는 칩의 큰 이동 (535 ㎛) 이 보인 것에 대해, 실시예 7 에서는 봉지 시의 플레이트 온도를 170 ℃ 로 해도, 거의 칩의 위치 어긋남이 보이지 않았다 (≤ 3 ㎛).
또, 표 2 및 3 에 나타내는 바와 같이, 압축형에 의한 소자의 봉지에 대한 적응성 평가에 대해, 실시예 1 ∼ 15 의 접착층은 모두, 배치된 베어 칩의 위치 어긋남이 보이지 않았다(○). 이에 대하여, 표 4 에 나타내는 바와 같이, 비교예 1 ∼ 4 에서는, 베어 칩의 위치 어긋남이 확인되었다 (×). 특히, 비교예 3 의 접착층에서는, A-DCP 를 배합해도, 평가 1 및 평가 2 에 있어서 충분한 결과를 얻을 수 없었다. 이들 실시예 1 ∼ 15, 및 비교예 1 ∼ 4 의 결과로부터 Tg 가 100 ℃ 이상의 시클로올레핀 폴리머 및 경화성 모노머를 사용함으로써, 고온 환경하에 있어서 힘을 가해도 변형되는 것을 방지할 수 있는 접착층을 형성할 수 있는 것을 확인할 수 있었다. 또, 이 결과로부터, Tg 가 100 ℃ 이상의 시클로올레핀 폴리머 및 경화성 모노머를 사용함으로써, 접착층 상에 있어서 소자를 배치하고, 당해 소자를 바람직하게 봉지할 수 있는 접착제 조성물을 얻을 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
절연 패턴 형성 프로세스에 대한 적응성 평가에 있어서의 약품 내성에서는, 실시예 1 ∼ 15, 및 비교예 1 ∼ 4 중 어느 것에 있어서도, 각 레지스트 용제에 대해, 높은 약품 내성을 구비하고 있는 것을 확인했다. 그러나, 내열성의 평가에 있어서, 실시예 1 ∼ 15 의 접착층은, 200 ℃, 4 시간의 가열 조건에 있어서, 접착층 상에 형성된 레지스트 패턴의 수축이 대략 확인되지 않았다 (○). 이에 대하여, 비교예 1 ∼ 4 의 접착층에서는, 레지스트 패턴의 수축이 확인되었다 (×). 이들의 점에서, Tg 가 높은 시클로올레핀 폴리머와, 경화성 모노머를 병용함으로써, 레지스트 패턴의 수축을 방지할 수 있는 접착층을 형성할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
또, 실시예 7, 비교예 1 의 접착층 위에 형성한 라인 패턴과, 접착층을 형성하지 않고 직접 유리 지지체 상에 형성한 라인 패턴을, 평가 2 에 있어서의 내열성 평가와 동일한 조건에서 가열 처리하고, 그 라인 패턴의 폭의 증감, 및 변화량을 계측했다. 이하의 표 6 에 결과를 나타낸다.
Figure pat00020
표 6 에 나타내는 바와 같이, 레지스트에 의한 패턴 형성에 있어서의 가열 처리의 전후에 있어서, 실시예 7 의 접착층 상에 형성된 레지스트 패턴의 수축의 정도와, 유리 지지체 상에 직접 형성된 레지스트 패턴의 수축의 정도는, 대략 변함없는 것을 확인할 수 있었다.
이것에 더하여, 세정성의 평가 (평가 3) 에 있어서도, 실시예 1 ∼ 15 의 접착층은, 표 2 ∼ 4 에 나타내는 바와 같이, p-멘탄에 의한 세정 제거도 양호하게 실시할 수 있었다 (○).
이상의 결과로부터, Tg 가 100 ℃ 이상의 시클로올레핀 폴리머에 경화성 모노머를 배합함으로써, 절연 패턴 형성 프로세스에 대한 적응성, 및 절연 패턴 형성 프로세스에 대한 적응성이 높은 접착층을 형성할 수 있는 접착제 조성물을 얻을 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
산업상 이용가능성
본 발명은, 특히 팬아웃형 기술에 의한 반도체 장치의 제조에 있어서 바람직하게 이용할 수 있다.
1 : 지지체
3 : 접착층
4 : 재배선층
5 : 베어 칩 (소자, 봉지체)
6 : 봉지재 (봉지체)
7, 7' : 봉지 기판
8, 8', 9, 9' : 적층체

Claims (14)

  1. 기판, 접착층, 및 지지체를 이 순서로 적층하여 이루어지는 적층체에 있어서의 상기 접착층을 형성하기 위한 접착제 조성물로서,
    상기 접착층의 유리 전이 온도는 160 ℃ 이상이며, 당해 접착층은, 수지 성분으로서, 유리 전이 온도가 160 ℃ 이상인 시클로올레핀 폴리머를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  2. 기판, 접착층, 및 지지체를 이 순서로 적층하여 이루어지는 적층체에 있어서의 상기 접착층을 형성하기 위한 접착제 조성물로서,
    상기 접착층은, 수지 성분으로서, 유리 전이 온도가 100 ℃ 이상인 시클로올레핀 폴리머, 및 다관능형의 경화성 모노머를 포함하고 있고,
    당해 다관능형의 경화성 모노머가 중합됨으로써, 상기 접착층이 경화되었을 때에 있어서의 당해 접착층의 유리 전이 온도는, 160 ℃ 이상인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 다관능형의 경화성 모노머는, 다고리형 지방족 구조를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 수지 성분에 있어서의 상기 다관능형의 경화성 모노머의 함유량은, 10 중량％ 이상, 40 중량％ 이하의 범위 내인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 시클로올레핀 폴리머는, 다고리형 지방족 구조를 갖는 구성 단위와, 에틸렌 단량체 단위의 부가 중합체인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 시클로올레핀 폴리머는, 다고리형 지방족 구조를 갖는 구성 단위와, 에틸렌 단량체 단위의 부가 중합체인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지 성분을 용해하는 용제를 추가로 포함하고 있고, 당해 용제는, 축합 다고리형 탄화수소, 및 분기형 탄화수소로 이루어지는 군에서 선택되는 1 개를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 수지 성분을 용해하는 용제를 추가로 포함하고 있고, 당해 용제는, 축합 다고리형 탄화수소, 및 분기형 탄화수소로 이루어지는 군에서 선택되는 1 개를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  9. 필름 상에, 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 접착제 조성물로 이루어지는 접착층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 접착 필름.
  10. 기판, 접착층, 및 지지체를 이 순서로 적층하여 이루어지는 적층체를 제조하는 적층체의 제조 방법으로서,
    상기 기판 상, 또는 상기 지지체 상의 적어도 일방에, 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 접착제 조성물을 도포하여, 가열함으로써 상기 접착층을 형성하는 접착층 형성 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 적층체의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판은, 소자를 봉지재에 의해 봉지하여 이루어지는 봉지체와, 상기 봉지체의 일방의 평면부에 형성되고, 상기 소자를 실장하는 재배선층을 구비한 봉지 기판이며,
    상기 지지체 상에, 상기 접착제 조성물을 도포하여, 가열함으로써 상기 접착층을 형성하는 상기 접착층 형성 공정과,
    상기 접착층 상에 소자를 배치하는 배치 공정과,
    상기 배치 공정 후에 상기 소자를 봉지재에 의해 봉지하는 봉지 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 적층체의 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판은, 소자를 봉지재에 의해 봉지하여 이루어지는 봉지체와, 상기 봉지체의 일방의 평면부에 형성되고, 상기 소자를 실장하는 재배선층을 구비한 봉지 기판이며,
    상기 지지체 상에, 상기 접착제 조성물을 도포하여, 가열함으로써 상기 접착층을 형성하는 상기 접착층 형성 공정과,
    상기 접착층 상에 상기 재배선층을 형성하는 재배선층 형성 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 적층체의 제조 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 지지체는, 광을 투과하는 재료로 이루어지는 지지체이며,
    상기 접착층 형성 공정 전에, 상기 지지체 상에, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층을 형성하는 분리층 형성 공정을 추가로 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 적층체의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 기재된 적층체의 제조 방법과,
    상기 지지체를 개재하여, 상기 분리층에 광을 조사함으로써 변질시켜, 상기 적층체로부터 상기 기판을 분리하는 분리 공정과,
    상기 분리 공정 후, 상기 적층체로부터 분리한 상기 기판 상에 남는 상기 접착층을 세정액에 의해 제거하는 제거 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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