JP2018065953A - 接着剤組成物、及びその利用 - Google Patents
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Abstract
Description
基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、
上記接着層のガラス転移温度は160℃以上であり、当該接着層は、樹脂成分として、ガラス転移温度が160℃以上であるシクロオレフィンポリマーを含んでいることを特徴としている。
基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、
上記接着層は、樹脂成分として、ガラス転移温度が100℃以上であるシクロオレフィンポリマー、及び多官能型の硬化性モノマーを含んでおり、
当該多官能型の硬化性モノマーが重合することにより、上記接着層が硬化したときにおける当該ガラス転移温度は、160℃以上であることを特徴としている。
本発明の一実施形態(実施形態1)に係る接着剤組成物は、基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、上記接着層のガラス転移温度は160℃以上であり、当該接着層は、樹脂成分として、ガラス転移温度が160℃以上であるシクロオレフィンポリマーを含んでいる。
上記構成を備えた接着剤組成物を用いて形成された接着層は、封止基板(基板)を形成するために求められる高い耐熱性、及び高い耐薬品性を備えている。また、封止基板を形成した後における接着層の残渣を、溶剤によって好適に除去することができる接着層を形成することができる。
本発明の第一の実施形態に係る接着剤組成物は、ガラス転移温度が160℃以上でありシクロオレフィンポリマーを樹脂成分として含んでいる。ガラス転移温度が160℃以上であるシクロオレフィンポリマーを含んでいることにより、高い耐熱性、及び高い耐薬品性を備えつつも、溶剤を用いて好適に除去することができる接着層を形成することができる。
本発明において、接着剤組成物は熱重合禁止剤を含有していてもよい。熱重合禁止剤は、熱や光によるラジカル重合反応を防止する機能を有する。具体的には、熱重合禁止剤はラジカルに対して高い反応性を示すため、シクロオレフィンポリマーよりも優先的に反応して、シクロオレフィンポリマー同士が重合することを禁止する。このため、シクロオレフィンポリマーによって形成された接着層が加熱されることにより、当該接着層における洗浄液に対する溶解性が低下することを防止することができる。
熱重合禁止剤は、添加溶剤に溶解して接着剤組成物に配合することが好ましい。添加溶剤としては、特に限定されないが、接着剤組成物に含まれる成分を溶解する有機溶剤を用いることができる。
本発明の第一の実施形態に係る接着剤組成物に含まれる溶剤(主溶剤)は、シクロオレフィンポリマーを溶解する機能を有するものであればよく、例えば、非極性の炭化水素系溶剤、極性及び無極性の石油系溶剤等を用いることができる。好ましくは、溶液は、脂環式炭化水素、又は分岐状の炭化水素を含んでいる。
本発明に係る接着剤組成物は、上記実施形態(実施形態1)に限定されない。例えば、別の実施形態(実施形態2)に係る接着剤組成物は、基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、上記接着層は、樹脂成分として、ガラス転移温度が100℃以上であるシクロオレフィンポリマー、及び多官能型の硬化性モノマーを含んでおり、当該多官能型の硬化性モノマーが重合することにより、上記接着層が硬化したときにおける当該接着層のガラス転移温度は、160℃以上である。
本実施形態に係る接着剤組成物は、樹脂成分として、ガラス転移温度が100℃以上であるシクロオレフィンポリマーと、硬化性モノマーとを含んでいる。
本実施形態に係る接着剤組成物は、樹脂成分として、シクロオレフィンポリマーと相溶可能な多官能型の硬化性モノマーを含んでいる。これにより、ガラス転移温度が100℃以上であるシクロオレフィンポリマーを用いて、硬化性モノマーを重合させることによりガラス転移温度が160℃以上である接着層を形成することができる。硬化性モノマーは、ラジカル重合反応により高分子化するモノマーであることが好ましく、典型的には、多官能型の(メタ)アクリレートモノマーを挙げることができる。
本実施形態に係る接着剤組成物は、硬化性モノマーの重合反応を促進させる重合開始剤をさらに含んでいる。
光重合開始剤としては、具体的には、例えば、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−〔4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル〕−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、1−(4−ドデシルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、ビス(4−ジメチルアミノフェニル)ケトン、2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン、エタノン1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−1−(o−アセチルオキシム)、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、4−ベンゾイル−4’−メチルジメチルスルフィド、4−ジメチルアミノ安息香酸、4−ジメチルアミノ安息香酸メチル、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸ブチル、4−ジメチルアミノ−2−エチルヘキシル安息香酸、4−ジメチルアミノ−2−イソアミル安息香酸、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、ベンジルジメチルケタール、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、o−ベンゾイル安息香酸メチル、2,4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、1−クロロ−4−プロポキシチオキサントン、チオキサンテン、2−クロロチオキサンテン、2,4−ジエチルチオキサンテン、2−メチルチオキサンテン、2−イソプロピルチオキサンテン、2−エチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノン、アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルパーオキシド、クメンパーオキシド、2−メルカプトベンゾイミダール、2−メルカプトベンゾオキサゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(p−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体、ベンゾフェノン、2−クロロベンゾフェノン、4,4’−ビスジメチルアミノベンゾフェノン(即ち、ミヒラーズケトン)、4,4’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン(即ち、エチルミヒラーズケトン)、4,4’−ジクロロベンゾフェノン、3,3−ジメチル−4−メトキシベンゾフェノン、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン−n−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン−t−ブチルエーテル、アセトフェノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、p−ジメチルアセトフェノン、p−ジメチルアミノプロピオフェノン、ジクロロアセトフェノン、トリクロロアセトフェノン、p−t−ブチルアセトフェノン、p−ジメチルアミノアセトフェノン、p−t−ブチルトリクロロアセトフェノン、p−t−ブチルジクロロアセトフェノン、α,α−ジクロロ−4−フェノキシアセトフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、ジベンゾスベロン、ペンチル−4−ジメチルアミノベンゾエート、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス−(9−アクリジニル)ヘプタン、1,5−ビス−(9−アクリジニル)ペンタン、1,3−ビス−(9−アクリジニル)プロパン、p−メトキシトリアジン、2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−メチル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(5−メチルフラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(フラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(3,4−ジメトキシフェニル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−エトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−n−ブトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(3−ブロモ−4−メトキシ)フェニル−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(2−ブロモ−4−メトキシ)フェニル−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(3−ブロモ−4−メトキシ)スチリルフェニル−s−トリアジン及び2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(2−ブロモ−4−メトキシ)スチリルフェニル−s−トリアジン等が挙げられる。また、光重合開始剤として、市販品である「IRGACURE OXE02」、「IRGACURE OXE01」,「IRGACURE 369」、「IRGACURE 651」及び「IRGACURE 907」(商品名:何れもBASF社製)並びに「NCI−831」(商品名:ADEKA社製)等も用いることができる。
本発明の一実施形態(実施形態3)に係る接着フィルムは、フィルム上に、本発明の一実施形態に係る接着剤組成物からなる接着層が形成されている。このような、接着フィルムを用いることによって、支持体上に好適に接着層を形成することができる。よって、一実施形態に係る接着剤組成物を用いて形成した接着フィルムも本発明の範疇である。
積層体は、一実施形態に係る接着剤組成物を、支持体上に塗布することにより、高い耐熱性、高い薬品耐性、及び高い洗浄性を備えた接着層が形成されている。積層体は、接着層上において、封止材によって素子を封止した封止体と、封止体の一方の平面部に再配線層とを備えた封止基板が形成されている。すなわち、積層体は、素子に設けられた端子がチップエリア外に広がる再配線層に実装される、ファンアウト型技術に基づく、封止基板を製造する過程において作製される積層体である。
封止基板(基板)は、素子と、素子が実装される再配線層と、素子を封止する封止体とを備えている。封止基板は複数の素子を備えていることが好ましく、このような封止基板をダイシングすることにより、複数の電子部品を得ることができる。
再配線層は、RDL(Redistribution Layer:再配線層)とも呼ばれ、素子に接続する配線を構成する薄膜の配線体であり、単層又は複数層の構造を有し得る。一実施形態において、再配線層は、誘電体(例えば、酸化シリコン(SiOx)、感光性エポキシ等の感光性樹脂等)に、導電体(例えば、アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、金及び銀等の金属並びに銀−錫合金等の合金)によって配線が形成されたものであり得るが、これに限定されない。
素子(ベアチップ)は、半導体素子又はその他の素子であり、単層又は複数層の構造を有し得る。なお、素子が半導体素子である場合、封止基板をダイシングすることにより得られる電子部品は、半導体装置となる。
封止材としては、例えば、エポキシ系の樹脂及びシリコーン系の樹脂を含有する封止材等を用いることができる。封止材は、素子毎に設けられているものではなく、再配線層に実装された複数の素子の全てを一体的に封止しているものであることが好ましい。
支持体は、封止基板の形成時に、封止基板の各構成要素の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していればよい。また、支持体は、当該支持体上に形成された分離層を変質させることができる波長の光を透過させる材料によって形成されている。
接着層は、本発明の一実施形態に係る接着剤組成物により形成され、封止基板を支持体上に固定するための層である。接着層は、その表面に、封止材によって封止するための素子が配置され得る。また、接着層は、その表面に対して直接的に、例えば、フォトレジスト等を塗布して、露光することにより、感光性絶縁膜等のパターンが形成され得る。さらに、接着層は、分離層を保護するという機能も有している。
分離層は、光を照射することで変質する層である。支持体を介して分離層に光を照射して分離層を変質させることによって、支持体を封止基板から分離させることができる。
分離層は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。分離層を構成するフルオロカーボンは、プラズマCVD(化学気相堆積)法によって好適に成膜することができる。
分離層は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、(a)〜(d)の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、(e)によって表されるか、又は(f)の構造をその主鎖に含んでいる。
上記の“化1”に示されるベンゼン環、縮合環及び複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオリム、置換フルオリム、フルオリモン、置換フルオリモン、カルバゾール、置換カルバゾール、N−アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナントレン、置換フェナントレン、ピレン及び置換ピレンが挙げられる。例示した置換基がさらに置換基を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノ及びアリールアミノから選択される。
分離層は、無機物からなっていてもよい。分離層は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体1を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。
分離層は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記化学式(1)で表される繰り返し単位及び下記化学式(3)で表される繰り返し単位の共重合体であるt−ブチルスチレン(TBST)−ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記化学式(2)で表される繰り返し単位及び下記化学式(3)で表される繰り返し単位を1:1で含む、TBST−ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開2007−258663号公報(2007年10月4日公開)、特開2010−120901号公報(2010年6月3日公開)、特開2009−263316号公報(2009年11月12日公開)、及び特開2009−263596号公報(2009年11月12日公開)において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。
分離層は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。分離層は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。
分離層は、反応性ポリシルセスキオキサンを重合させることにより形成することができる。これにより、分離層は、高い耐薬品性と高い耐熱性とを備えている。
本発明の一実施形態(実施形態4)に係る積層体の製造方法は、素子が実装される再配線層と、上記素子を封止材によって封止した封止体とを備えている封止基板を、上記封止基板を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体の製造方法であって、上記支持体上に、上述の接着剤組成物を塗布することにより上記接着層を形成する接着層形成工程を包含している。また、本実施形態に係る積層体の製造方法において、支持体は、光を透過する材料からなる支持体であり、上記接着層形成工程前に、上記支持体上に光を照射することにより変質する分離層を形成する分離層形成工程を包含している。
図1の(a)に示すように、分離層形成工程では、光を透過する支持体1の一方の平面部1aに、例えば、化学気相成長(CVD)法等により、光を照射することで変質する分離層2を形成する。なお、「一方の平面部」とは、支持体1が有する平面部のうちの一つを指す。また、「平面部」は、実質的に平面と見なせる程度の微細な凹凸を有していてもよい。
図1の(b)に示すように、接着層形成工程では、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により上述の接着剤組成物を塗布し、加熱するか、又は、減圧環境下に置くことにより、接着剤組成物に含まれている希釈溶剤を除去する。その後、接着層が熱重合開始剤を含んでいる場合、加熱することにより、当該接着層が含んでいる硬化性モノマーを重合させるとよい。なお、接着層3を加熱する条件は、熱重合開始剤における1分間半減温度、及び、1時間半減温度に基づき、適宜設定すればよいが、例えば、50℃以上、300℃以下の範囲内の温度において、真空下又は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下にて行うことがより好ましい。
図1の(c)〜(f)に示すように、封止基板形成工程では、接着層3に、封止基板7を形成する。本実施形態における封止基板形成工程では、再配線層形成工程、実装工程、封止工程、及び薄化工程をこの順に行う。
図1の(c)に示すように、再配線層形成工程では、接着層3上に再配線層4を形成する。
図1の(h)に示すように、分離工程では、支持体1を介して、分離層2に光Lを照射することで、分離層2を変質させる。照射する光Lの種類及び波長は、支持体1の透過性及び分離層2の材質に応じて適宜選択すればよく、例えば、YAGレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、YVO4レーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、CO2レーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を用いることができる。これにより、分離層2を変質させて、支持体1と封止基板7とを容易に分離可能な状態とすることができる。
図1の(h)に示すように、除去工程では、支持体1が分離された封止基板7に残留している接着層3と分離層2とを除去する。例えば、有機溶剤を含んでいる洗浄液等によって接着層3及び分離層2の残渣を除去する除去工程を行う。接着層3は、洗浄液として、接着剤組成物に用いられる希釈溶剤、つまり、炭化水素系溶剤を好ましく用いることができ、特に、p−メンタン等のテルペン系溶剤、及びテトラヒドロナフタレン等の縮合環炭化水素を用いることがより好ましい。
本発明の別の実施形態(実施形態5)について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。実施形態2に係る積層体の製造方法、及び基板処理方法は、分離層形成工程、接着層形成工程、封止基板形成工程、分離工程、及び除去工程をこの順に実施し、封止基板形成工程では、接着層3上に素子を配置する。なお、図2の(a)に示すように、分離層形成工程は、実施形態1と同様であるため、その説明を省略する。
本実施形態に係る積層体の製造方法が包含している接着層形成工程は、支持体1上に一実施形態に係る接着剤組成物を塗布し、実施形態1と同様の条件にて、接着剤組成物に含まれている希釈溶剤を除去するが、さらなる加熱、又は露光により接着層の硬化は行わない。
図2の(c)〜(f)に示すように、封止基板形成工程では、接着層3上に、封止基板7を形成する。本実施形態における封止基板形成工程では、配置工程、封止工程、薄化工程、及び再配線層形成工程をこの順に行う。
本発明の実施形態6について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上述の実施形態1及び2にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。実施形態3に係る積層体の製造方法、及び封止基板の製造方法は、分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、接着層形成工程、封止基板形成工程、及び接着層除去工程をこの順に実施する。
図3の(a)に示すように、分離層形成工程は、実施形態1及び2と同様であるため、その説明を省略する。
図3の(b)に示すように、分離層周縁部分除去工程では、例えば、EBR(Edge Bead Removal)処理により、支持体1の周縁部分1b全周に形成された分離層2を除去する。周縁部分1bは、平面部1aの周縁部分である。これにより、図3の(b)に示すように、平面部1a上には、分離層2が除去された周縁部分1bに囲まれた部分に、分離層2が形成されている状態となる。EBR処理の詳細については後述する。
図3の(c)に示すように、接着層形成工程では、支持体1における周縁部分1b全周の分離層2を除去した側の面に、接着層3を形成する。これにより、支持体1上に形成された分離層2の全面を接着層3によって被覆する。なお、接着層3を形成する方法は、実施形態1と同じであるため、その説明を省略する。
図3の(d)〜(g)に示すように、封止基板形成工程では、接着層3上に、封止基板7’を形成する。本実施形態における封止基板形成工程では、再配線層形成工程、実装工程、封止工程、及び薄化工程をこの順に行う。
図3の(h)に示すように、接着層除去工程では、例えば、EBR処理により、支持体1の周縁部分1b全周に形成された接着層3を除去する。接着層3のうち、支持体1の周縁部分1b全周に形成された部分は、分離層2を介さずに、支持体1と封止基板7’とを接着しているため、当該部分を除去しておくことにより、分離層2を変質させたときに、支持体1と封止基板7’とを円滑に分離することができる。
図3の(i)〜(k)に示すように、実施形態1と同様に、分離工程、及び除去工程を行うことにより、封止基板7’を製造することができる。
上述の(A)分離層周縁部分除去工程において、支持体1の周縁部分1b全周に形成された分離層2を除去するためのEBR処理、及び、(B)接着層除去工程において、支持体1の周縁部分1b全周に形成された接着層3を除去するためのEBR処理は、例えば、(i)溶剤によって溶解して除去する方法、(ii)カッター又はブレードなどを用いて物理的に切断して除去する方法、(iii)大気圧下でのアッシングにより除去する方法などが挙げられる。この中でも、強度及び実用性の観点から、溶剤によって除去する方法が好ましい。
本発明の実施形態7について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上述の実施形態1〜3にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。実施形態4に係る積層体の製造方法、及び封止基板の製造方法は、分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、接着層形成工程、封止基板形成工程、及び接着層除去工程をこの順に実施する。
分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、及び、接着層形成工程は、実施形態2と同じであるため、その説明を省略する。
封止基板形成工程では、接着層3上に、素子5を配置して封止する。つまり、実施形態2と同じ工程によって、封止基板7’を形成する。その後、図4の(a)に示すように、封止基板7’の外周端部をトリミング処理により除去する。なお、封止基板7のトリミングには、グラインダ等の公知の手段によって研削することにより除去すればよい。これにより、後の工程において、積層体9’(図4)においてアミン処理を好適に行うことができる。
図4の(b)に示すように、実施形態3と同じく、実施形態4においても、封止基板7’の外周端部をトリミング処理することにより、分離層2の外周端部2aよりも外側に形成された接着層3を除去することができる。このため、分離層2を変質させたときに、支持体1と封止基板7’とをより円滑に分離することができる。
本発明に係る積層体の製造方法及び基板処理方法は、上述の各実施形態(実施形態4、実施形態5、実施形態6、実施形態7)に限定されない。例えば、別の実施形態に係る積層体の製造方法では、各実施形態に係る積層体の製造方法によって形成された積層体における封止基板を、別の接着層及び別の分離層を介して別の支持体に積層する積層体の製造方法である。これにより、封止基板を形成するために用いられた接着層側における支持体を分離し、別の支持体により、封止基板を支持した状態において、当該封止基板を好適に加工することができる。
実施例1の接着剤組成物として、85重量部のAPL6015(シクロオレフィンポリマー:三井化学株式会社製)と、硬化性モノマーとして15重量部のA−DCP(トリシクロデカンジメタノールジアクリレート:新中村化学株式会社製)とを、400重量部のデカヒドロナフタレンに溶解した。次に、100重量部の硬化性モノマーに対して、2重量部となるようにしてパーロイルTCP(熱重合開始剤:日本油脂株式会社製)を添加し、接着剤組成物を調製した。なお、パーロイルTCPは、10重量部の酢酸ブチル(添加溶剤)に溶解して、樹脂成分に添加した。
実施例2〜15として、実施例1と異なる組成及び組成比において、ベースポリマー、硬化性モノマー及び重合開始剤を配合し、接着剤組成物を調製した。続いて、実施例2〜15の接着層を、これら接着剤組成物を用いて形成した。
ガラス転移温度が低いシクロオレフィンポリマー、又は、熱可塑性エラストマーを用いた以外は、実施例1の接着剤組成物を調製した手順に従って、比較例1〜4の接着剤組成物を調製した。次いで、比較例1〜4の接着剤組成物の夫々を、実施例1と同じ手順に従って、分離層が形成されたガラス支持体にスピン塗布し、160℃の条件にて、5分間、予備加熱することにより、厚さ5μmの接着層を形成した。
・スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンのトリブロック共重合体(熱可塑性エラストマー):SEPS(株式会社クラレ製、「Septon2004(商品名)」、Tg=90℃、スチレン含有量18%、分子量90,000)
・以下の式(11)で示されるトリシクロデカンジメタノールジアクリレート(新中村化学株式会社製、「A−DCP(商品名)」)
実施例1の接着層における所定位置にベアチップを配置し、封止剤(封止材)を用いてベアチップを封止した。このときにおけるベアチップの位置ずれの程度を、圧縮型による封止(モールディング)に対する適応性として評価した。
評価1に用いた接着層と同様の手順に従って作成した実施例1〜15、及び比較例1〜4の接着層について、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価(評価2)を行なった。絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価においては、レジスト溶剤への耐薬品性、及び、パターン形成後の加熱処理に対する耐熱性を評価した。
まず、ポジ型レジストの評価について、各接着層に対して、絶縁膜形成用組成物PN−0379D(PGMEA含有、東京応化工業株式会社製)を1000rpmにてスピン塗布し、110℃、4分間の条件にて予備加熱することによって、5μmの乾燥被膜を形成した。次に、ORC社製の平行光露光機(ghi)を使用して、当該被膜に対してパターン露光を行なった。次に、露光後の被膜を2.38%TMAH水溶液に23℃、5分間浸漬させることにより、ポジ型レジストによる感光性絶縁膜を、100μm幅のラインパターンにて形成した。
次に、耐熱性の評価として、薬品耐性を評価した各積層体について、200℃、4時間、窒素雰囲気下で加熱処理した後、100μm幅に形成されたラインパターンに縮み(シュリンク)が発生しているか否かを評価した。耐熱性の評価は、光学顕微鏡を使用して、加熱処理後の100μm幅ラインパターンの幅を測定し、幅の増減が5μmより小さければ、耐熱性「○」と評価し、幅の増減が5μmより大きければ、耐熱性「×」と評価した。
評価1及び2において形成した、各積層体におけるガラス支持体側から分離に向かって、波長532nmのレーザ光を照射することにより、当該分離層を変質させた。次いで、各積層体からガラス支持体を分離して、接着層を露出させた。洗浄液としてp−メンタンを用い、5分間、スプレー洗浄を行うことによって、接着層が残存する封止基板を洗浄した。洗浄性の評価は、封止基板における接着層の残渣の有無を目視により確認し、残渣が全く見られなかった場合に、洗浄性を「○」と評価し、残渣が多く見られた場合には、洗浄性を「×」と評価した。
表2及び3に示すように、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価について、実施例1〜15の接着層はいずれも、配置されたベアチップの位置ずれが見られなかった(○)。これに対して、表4に示すように、比較例1〜4では、ベアチップの位置ずれが認められた(×)。これらの結果から、Tgが140℃以上のベースポリマーを用いることにより、接着層上に素子を封止して当該素子を好適に封止することができる接着剤組成物を得ることができることを確認することができた。
3 接着層
4 再配線層
5 ベアチップ(素子、封止体)
6 封止材(封止体)
7、7' 封止基板
8、8'、9、9' 積層体
Claims (12)
- 基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、
上記接着層のガラス転移温度は160℃以上であり、当該接着層は、樹脂成分として、ガラス転移温度が160℃以上であるシクロオレフィンポリマーを含んでいることを特徴とする接着剤組成物。 - 基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、
上記接着層は、樹脂成分として、ガラス転移温度が100℃以上であるシクロオレフィンポリマー、及び多官能型の硬化性モノマーを含んでおり、
当該多官能型の硬化性モノマーが重合することにより、上記接着層が硬化したときにおける当該接着層のガラス転移温度は、160℃以上であることを特徴とする接着剤組成物。 - 上記多官能型の硬化性モノマーは、多環式脂肪族構造を有していることを特徴とする請求項2に記載の接着剤組成物。
- 上記樹脂成分における上記多官能型の硬化性モノマーの含有量は、10重量%以上、40重量%以下の範囲内であることを特徴とする請求項2又は3に記載の接着剤組成物。
- 上記シクロオレフィンポリマーは、多環式脂肪族構造を有する構成単位と、エチレン単量体単位との付加重合体であることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の接着剤組成物。
- 上記樹脂成分を溶解する溶剤をさらに含んでおり、当該溶剤は、縮合多環式炭化水素、及び、分岐状炭化水素からなる群から選択される1つを含んでいることを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の接着剤組成物。
- フィルム上に、請求項1〜5の何れか一項に記載の接着剤組成物からなる接着層が形成されていることを特徴とする接着フィルム。
- 基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体を製造する積層体の製造方法であって、
上記基板上、又は、上記支持体上の少なくとも一方に、請求項1〜6の何れか一項に記載の接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する接着層形成工程を包含していることを特徴とする積層体の製造方法。 - 上記基板は、素子を封止材によって封止してなる封止体と、上記封止体の一方の平面部に設けられ、上記素子を実装する再配線層とを備えた封止基板であり、
上記支持体上に、上記接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する上記接着層形成工程と、
上記接着層の上に素子を配置する配置工程と、
上記配置工程の後に上記素子を封止材によって封止する封止工程とを包含していることを特徴とする請求項8に記載の積層体の製造方法。 - 上記基板は、素子を封止材によって封止してなる封止体と、上記封止体の一方の平面部に設けられ、上記素子を実装する再配線層とを備えた封止基板であり、
上記支持体上に、上記接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する上記接着層形成工程と、
上記接着層の上に上記再配線層を形成する再配線層形成工程とを包含していることを特徴とする請求項8に記載の積層体の製造方法。 - 上記支持体は、光を透過する材料からなる支持体であり、
上記接着層形成工程の前に、上記支持体上に、光を照射することにより変質する分離層を形成する分離層形成工程をさらに包含していることを特徴とする請求項8〜10の何れか一項に記載の積層体の製造方法。 - 請求項11に記載の積層体の製造方法と、
上記支持体を介して、上記分離層に光を照射することにより変質させ、上記積層体から上記基板を分離する分離工程と、
上記分離工程後、上記積層体から分離した上記基板上に残る上記接着層を洗浄液により除去する除去工程とを包含していることを特徴とする基板処理方法。
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