TW201826438A - 裝置晶片、收容托盤及裝置晶片之收容方法 - Google Patents

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Abstract

[課題] 使朝收容托盤收容裝置晶片變得容易。 　　[解決手段] 具有倒錐台形狀，且在上面形成有裝置之裝置晶片。一種收容托盤，其係收容該裝置晶片之收容托盤，其具有能夠分別收容該裝置晶片之上面開口的複數凹部，該凹部係底面和側面所構成之角度為鈍角。一種裝置晶片之收容方法，其係將該裝置晶片收容在該收容托盤之裝置晶片之收容方法，其特徵在於，具備:裝置晶片供給步驟，其係將複數該裝置晶片供給至該收容托盤上；和收容步驟，其係在實施該裝置晶片供給步驟之後，藉由對該收容托盤賦予振動而使各個該裝置晶片落下至任一的凹部，而將該裝置晶片收容至凹部。

Description

裝置晶片、收容托盤及裝置晶片之收容方法
[0001] 本發明係關於裝置晶片及收容該裝置晶片之收容托盤。並且，關於將該裝置晶片收容至該收容托盤之方法。
[0002] 具有IC、LSI等之裝置的晶片(以下，稱為裝置晶片)係分割在表面形成複數裝置之略圓板形狀之晶圓而形成。該裝置被形成在藉由在該晶圓之表面被設定成格子狀之分割預定線而被區劃的複數區域之各區域上。 　　[0003] 裝置晶片被搭載在行動電話、個人電腦等之各種電子機器而被廣泛利用。對各種電子機器要求小型化越來越高，依此，也顯著要求裝置晶片之小型化，例如，也製造一邊為1mm以下之尺寸的裝置晶片。 　　[0004] 晶圓被分割而製造出之各個裝置晶片為了搬運等，被收容在收容托盤。被收容的裝置晶片分別以拾取器被拾取，被搬運至收容托盤而被收容。在專利文獻1揭示有拾取被製造的裝置晶片而收容於收容托盤之技術。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0005] 　　[專利文獻1] 日本特開2006-156777號公報
[發明所欲解決之課題] 　　[0006] 當裝置晶片之尺寸變小時，從一個晶圓製造的裝置晶片的數量增大。如此一來，需要一個一個地拾取該些而收容至收容托盤之作業的時間也增大。再者，必須將拾取裝置晶片之時所使用之拾取器所具備的收集器配合該裝置晶片之尺寸而形成較小。但是，要配合一邊為例如1mm以下之裝置晶片的尺寸而形成收集器並不容易。 　　[0007] 本發明係鑒於如此之問題而創作出，其目的在於提供容易收容至收容托盤之裝置晶片，及可以容易收容該裝置晶片之收容托盤。再者，提供效率佳地將該裝置晶片收容至該收容托盤之裝置晶片之收容方法。 [用以解決課題之手段] 　　[0008] 若藉由本發明之一態樣時，提供一種裝置晶片，其特徵在於，以具有倒錐台形狀，在上面形成裝置。再者，若藉由本發明之其他一態樣時，提供一種收容托盤，其係收容該裝置晶片之收容托盤，其特徵在於，具有分別能夠收容該裝置晶片之上面開口的複數凹部，該凹部係底面和側面所構成之角度為鈍角。 　　[0009] 並且，若藉由本發明之一態樣時，提供一種裝置晶片之收容方法，其係將該裝置晶片收容在該收容托盤之裝置晶片之收容方法，其特徵在於，具備:裝置晶片供給步驟，其係將複數該裝置晶片供給至該收容托盤上；和收容步驟，其係在實施該裝置晶片供給步驟之後，藉由對該收容托盤賦予振動而使各個該裝置晶片落下至任一的凹部，將該裝置晶片收容至凹部。 [發明效果] 　　[0010] 當藉由與本發明之一態樣有關之裝置晶片時，裝置晶片並非長方體形狀，被形成具有倒錐台形狀。而且，當藉由與本發明之一態樣有關之該裝置晶片之收容托盤時，該收容托盤具有的複數凹部係底面和側面所構成之角度並非直角而係鈍角，為與該裝置晶片之形狀對應的形狀。 　　[0011] 當對該收容托盤之上供給複數該裝置晶片，使該收容托盤振動時，複數該裝置晶片之各個落下至任一的凹部，而被收容至該凹部。此時，該裝置晶片就算在形成有裝置之面朝上以外之方向的狀態下落下至凹部，互相的形狀互相干涉而不被收容至凹部，裝置晶片藉由振動而被彈出。 　　[0012] 因此，因該裝置晶片及該凹部之各形狀，使得該裝置晶片在朝向特定方向之狀態下被收容至收容托盤。在以往之方法中，在拾取裝置晶片而收容至收容托盤之情況下，不僅搬運該裝置晶片，需要朝向正確方向之作業，費時和費工。另外，當藉由本發明之一態樣時，在複數裝置晶片朝向特定方向之狀態下，一次匯集而被收容至收容托盤。 　　[0013] 如上述般，藉由本發明之一態樣，提供可以容易朝收容托盤收容的裝置晶片，及可以容易收容該裝置晶片的收容托盤。再者，提供效率佳地將該裝置晶片收容至該收容托盤之裝置晶片之收容方法。
[0015] 針對與本發明有關之實施型態予以說明。與本實施型態有關之裝置晶片具有倒錐台形狀。在此，倒錐台係指使包含在與其底面平行之面切斷錐體之時的底面之側的立體亦即錐體成為上下顛倒之立體形狀。倒錐台係上面和下面互相平行，上面大於下面，上面和側面所構成之角度為銳角，下面和側面所構成之角度為鈍角。 　　[0016] 圖1(A)係具有在上面3a形成裝置之倒四角錐台形狀之裝置晶片1a的斜視圖。上面3a之面積大於下面5a之面積，上面3a、下面5a之間的4個側面7a係上面3a之側的邊比下面5a側之邊還長。 　　[0017] 圖1(B)係具有在上面3a形成裝置之倒圓錐台形狀之裝置晶片1b的斜視圖。上面3b之面積大於下面5b之面積，上面3b、下面5b之間的側面7b係上面3b側之的緣比下面5b側之緣還長。另外，裝置晶片所具有之倒錐台形狀並不限定於此，例如即使為逆六角錐台形狀亦可。 　　[0018] 在該裝置晶片之上面形成IC、LSI等之裝置。裝置晶片係例如藉由將具有在依據被設定成格子狀之分割預定線被區劃成各區域的各個上形成有裝置之表面的略圓板狀之晶圓，沿著該分割預定線予以分割而形成。 　　[0019] 例如，可以以旋轉之圓板狀之切削刀沿著該分割預定線而從晶圓之背面切削該晶圓而分割該晶圓。此時，當使該切削刀從晶圓之垂直方向傾斜時，以切削所形成之切削面也從相對於晶圓之表面及背面呈垂直之方向傾斜而形成。 　　[0020] 例如，使切削刀傾斜成上端接近以分割預定線而被區隔的兩個區域之一方側而沿著該分割預定線從背面切削該晶圓。接著，使切削刀傾斜成上端接近該兩個區域之另一方側，使切削刀偏移至該另一方側，同樣沿著分割預定線而同樣從背面切削晶圓。 　　[0021] 如此一來，藉由使切削刀傾斜至不同方向，沿著各分割預定線各兩次切削晶圓，分割晶圓而可以形成具有倒四角錐台形狀之各個裝置晶片。 　　[0022] 再者，例如在藉由分割預定線被區劃的各區域之晶圓之背面上，設置圓柱型、圓錐型或圓錐台型之光阻，藉由從該晶圓之背面側實施各向異性蝕刻，可以形成具有倒圓錐台形狀之裝置晶片。另外，當使設置在晶圓之背面上的光阻之形狀成為四角柱型、四角錐型或四角錐台型時，可以形成具有倒四角錐台形狀之裝置晶片。在此，該光阻使用藉由各向異性蝕刻後退、縮小之光阻。 　　[0023] 具體而言，首先，開始各向異性蝕刻，對不被晶圓之光阻覆蓋之部分進行蝕刻處理，同時藉由該蝕刻處理，使該光阻逐漸後退、縮小。如此一來，被光阻隱藏之部分逐漸變窄，新被蝕刻處理之區域逐漸變寬。當實施如此蝕刻處理時，晶圓之中不被除去而殘留的部分成為具有倒錐台形狀之裝置晶片。當適當設定光阻之形狀時，可以形成具有各種倒錐台形狀之裝置晶片。 　　[0024] 在此，該晶圓係由例如矽、藍寶石等之材料所構成之略圓板狀之晶圓，或玻璃、石英等之材料所構成之基板。在以半導體材料所構成之晶圓之情況下，例如使用該晶圓之一部分形成裝置。在晶圓不以半導體材料構成之情況下，例如在晶圓之表面設置半導體層，加工該半導體層而形成裝置。 　　[0025] 接著，針對與本實施型態有關之收容托盤予以說明。圖1(C)為示意性地說明該收容托盤之剖面圖。在該收容托盤2，形成上面4開口之複數凹部6，可以在該凹部6之各個上一個一個地收容上述裝置晶片1。該凹部6係底面8和側面10所構成之角度為鈍角。如此之凹部之形狀係與裝置晶片1之形狀對應的形狀。 　　[0026] 即是，該凹部具有倒錐台形狀之孔。例如，在欲收容具有倒圓錐台形狀之裝置晶片之情況下，形成具有該倒圓錐台形狀之形狀的孔而使成為凹部。再者，在欲收容具有倒四角錐台形狀之裝置晶片之情況下，形成具有該倒四角錐台形狀的孔而使成為凹部。 　　[0027] 收容托盤2係例如使具有流動性之樹脂材料成型特定形狀而予以固化而形成。收容托盤2之複數凹部6係藉由於排列具有設成在平板上掩埋該凹部6之形狀的複數錐台形狀之凸部的模具上，流入具有流動性之樹脂材料而成形，當固化該樹脂材料時，形成具有複數凹部6之收容托盤2。另外，該凹部6即使藉由將厚的板狀樹脂削取成特定形狀而形成亦可。 　　[0028] 在上面形成裝置之裝置晶片1具有倒錐台形狀，收容托盤2之凹部6為與該裝置晶片1之倒錐台形狀對應之形狀時，該裝置晶片1係在下面朝向該凹部6之底部，上面朝上之狀態下，被收容於收容托盤2。裝置晶片1即使以除此之外的方向收容於該收容托盤2，凹部6和裝置晶片1也干涉而無法收容。即是，方向被適當控制而該裝置晶片1被收容至該收容托盤2。 　　[0029] 當將複數裝置晶片收容至收容托盤而予以搬運之時，為了使在搬運目的地的操作容易，有使複數該裝置晶片之方向對齊於特定方向而予以收容之情況。當使用與本實施型態有關之收容托盤2時，僅在朝向特定之方向的狀態下，收容裝置晶片1。因此，即使不一個一個地拾取裝置晶片1而控制方向予以收容，亦可以藉由後述收容方法，在使裝置晶片1朝向特定方向之狀態下予以收容。 　　[0030] 接著，針對在上述收容托盤2收容複數上述裝置晶片1之與本實施型態有關之裝置晶片之收容方法，使用圖2(A)及圖2(B)予以說明。在本裝置晶片之收容方法中，首先，實施對收容托盤2上供給複數裝置晶片1的裝置晶片供給步驟。圖2(A)係示意性地說明該裝置晶片供給步驟之斜視圖。 　　[0031] 在該裝置晶片供給步驟中，如同圖2(A)所示般，對形成有上面4開口之複數凹部6的收容托盤2上，供給複數裝置晶片1。此時，無須一個一個地拾取複數裝置晶片1而予以供給，若如同圖2(A)所示般，同時匯集複數裝置晶片1而予以供給即可。 　　[0032] 於實施裝置晶片供給步驟之後，實施收容步驟。在該收容步驟中，對該收容托盤2賦予振動而使各個裝置晶片1落下至任一的凹部6而使裝置晶片1收容至凹部6。 　　[0033] 圖2(B)為示意性地說明該收容步驟之部分剖面圖。在該部分剖面圖中，為了方便說明，全部以相同大小及形狀表示複數裝置晶片1之剖面。實際上，也有當在一個面切斷被收容至凹部6之前的複數裝置晶片1時，出現在該面之裝置晶片1之剖面之大小或形狀不會成為圖2(B)所示之形狀的情形。 　　[0034] 首先，先將被供給複數裝置晶片1之收容托盤2載置在振動體14之上。然後，使該振動體14振動，而使該振動傳達至該收容托盤2。如此一來，該收容托盤2上之複數裝置晶片1藉由該振動分別被彈至收容托盤2，成為一面使方向變化一面在收容托盤2上移動。 　　[0035] 如此一來，抵達至某凹部6之上方的裝置晶片1之方向，不成為與該凹部6之形狀對應之方向之情況下，即使該裝置晶片1部分性地進入至該凹部6，亦不完全被收容在凹部6。如此之裝置晶片1藉由進一步的振動，從該凹部6被彈出，再次一面使方向自由地變化，一面在收容托盤2上移動。 　　[0036] 另外，當抵達至某凹部6之上方之裝置晶片1之方向，為與該凹部6之形狀對應的方向時，裝置晶片1落下至該凹部6而被收容至該凹部6。一旦被收容至凹部6之裝置晶片1只要在不越過該凹部6之側面般地被強力彈出，就原樣地持續收容在凹部6。在此，振動體14之振動強度設定成不彈出被收容在凹部6之裝置晶片1之程度的強度即可。 　　[0037] 當振動體14之振動持續時，終究所有被供給至收容托盤2上之複數該裝置晶片1各被收容至凹部6。另外，在空的凹部6變少，裝置晶片1之收容作業停滯之情況下，暫時停止振動，作業者使收容托盤2傾斜而將裝置晶片1誘導至空的凹部6之方向而再次開始振動。 　　[0038] 另外，即使收容托盤2之所有凹部6不一定要完全收容裝置晶片1亦可。當空的凹部6減少，收容作業之效率下降時，使收容托盤2傾斜等而去除剩下的裝置晶片1。被去除的裝置晶片1被供給至其他的收容托盤2之上。 　　[0039] 在與本實施型態有關之裝置晶片之收容方法中，由於收容托盤2之凹部6，和裝置晶片1之形狀，使得可以在匯集裝置晶片1而朝向特定之方向的狀態下，收容至收容托盤2。因此，可以極提高該收容作業的效率。 　　[0040] 另外，本發明並不限定於上述實施型態之記載，能夠做各種變更而加以實施。例如，在上述實施型態中，雖然針對在裝置晶片1之上面形成裝置之情況予以說明，但是即使該裝置被形成在具有倒錐台形狀之裝置晶片1之下面亦可。在此情況下，當裝置晶片1被收容至收容托盤2之時，因裝置之形成面不露出，故可以更確實地保護搬運中之裝置晶片1之裝置。 　　[0041] 其他，與上述實施型態有關之構造、方法等只要不脫離本發明之目的的範圍，可以做適當變更而加以實施。
[0042]
1、1a、1b‧‧‧裝置晶片
3a、3b‧‧‧上面
5a、5b‧‧‧下面
7a、7b‧‧‧側面
2‧‧‧收容托盤
4‧‧‧上面
6‧‧‧凹部
8‧‧‧底面
10‧‧‧側面
12‧‧‧角度
14‧‧‧振動體
[0014] 　　圖1(A)係表示裝置晶片之一例的斜視圖，圖1(B)係說明裝置晶片之其他一例的斜視圖，圖1(C)係示意性地說明收容托盤之剖面圖。 　　圖2(A)為示意性地說明裝置晶片供給步驟之斜視圖，圖2(B)為示意性地說明收容步驟之部分剖面圖。

Claims (3)

  1. 一種裝置晶片，其特徵在於， 　　具有倒錐台形狀， 　　在上面形成裝置。
  2. 一種收容托盤，其係收容請求項1所記載之裝置晶片的收容托盤，其特徵在於， 　　具有能夠分別收容該裝置晶片之上面開口的複數凹部， 　　該凹部係底面和側面所構成之角度為鈍角。
  3. 一種裝置晶片之收容方法，其係將請求項1所記載之裝置晶片收容至請求項2所記載之收容托盤的裝置晶片之收容方法，其特徵在於，具備: 　　裝置晶片供給步驟，其係對該收容托盤上供給複數該裝置晶片； 　　收容步驟，其係於實施該裝置晶片供給步驟之後，對該收容托盤賦予振動而使各個該裝置晶片落下至任一的凹部而將該裝置晶片先收容於凹部。
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