TW201825547A - 含有經取代之三芳胺結構單元的高分子量化合物 - Google Patents

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Abstract

本發明之高分子量化合物含有下列通式(1)表示之經取代之三芳胺結構單元；
Figure TW201825547A_A0001
式中， AR1、AR2及L各表示2價芳香族烴基或芳香族雜環基， n表示1~3之整數， Ar1及Ar2各表示芳基或雜芳基， R1、R2及R3各表示氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、碳數1至6之烷基或烷氧基、碳數5至10之環烷基或環烷氧基、碳數2至6之烯基、芳基、芳氧基、或雜芳基。

Description

含有經取代之三芳胺結構單元的高分子量化合物
本發明係關於適合各種顯示裝置之為自發光元件之有機電致發光元件(有機EL元件)的高分子量化合物、與該元件。
有機EL元件由於係自發光性元件，故比起液晶元件，較明亮且可見性優異，可為鮮明的顯示。所以已有人積極研究。
有機EL元件，具有有機化合物之薄膜(有機層)夾持在陽極與陰極的結構。薄膜之形成方法可大致區別為真空蒸鍍法與塗佈法。真空蒸鍍法，主要使用低分子化合物，係在真空中於基板上形成薄膜的方法，是已實用化的技術。另一方面，塗佈法，主要使用高分子化合物，係以噴墨、印刷等使用溶液在基板上形成薄膜的方法，材料的使用效率高，適合大面積化、高精細化，為今後之大面積有機EL顯示器不可欠缺的技術。
使用了低分子材料的真空蒸鍍法，材料的使用效率極低，若大型化，則掩蔽遮罩的撓曲增大，難以對於大型基板均勻的蒸鍍。又，也會遭遇製造成本提高的問題。
另一方面，高分子材料藉由塗佈溶於有機溶劑而得的溶液，即使是大型基板也能均勻成膜，可利用其而使用噴墨法、印刷法為代表的塗佈法。所以，能提高材料的使用效率，並可大幅減低元件製作時耗費的製造成本。
迄今已有人對於使用了高分子材料的有機EL元件進行了各種研究，但有發光效率、壽命等元件特性不一定令人滿意的問題(例如參照專利文獻1~專利文獻5)。
又，迄今為止，作為在有機EL元件用途使用的代表的高分子電洞輸送材料，已知有稱為TFB的茀聚合物(參照專利文獻6~專利文獻7)。但是TFB的電洞輸送性不足，且電子阻擋性不足，因此會有電子一部分會直接穿越發光層，而無法期待發光效率增進的問題。又，因為與相鄰層的膜的密接性低，故有無法期待元件壽命長的問題。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2005-272834號公報 ［專利文獻2］日本特開2007-119763號公報 ［專利文獻3］日本特開2007-162009號公報 ［專利文獻4］日本特開2007-177225號公報 ［專利文獻5］國際公開WO2005/049546 ［專利文獻6］日本專利第4375820號公報 ［專利文獻7］國際公開WO2005/059951
［發明欲解決之課題］ 本發明提供電洞之注入・輸送性能優異，有電子阻擋能力，且薄膜狀態之安定性高的高分子材料。 本發明之目的在於提供具有由上述高分子材料形成的有機層(薄膜)，發光效率高，壽命長的有機EL元件。 ［解決課題之方式］
本案發明人等著眼於經取代之三芳胺結構有高電洞注入・輸送能力，合成了各種有經取代之三芳胺結構的高分子化合物並研究，結果發現除了有電洞注入・輸送能力且有耐熱性與薄膜安定性的新穎結構的高分子量化合物，乃完成本發明。
依照本發明，提供含有下列通式(1)表示之經取代之三芳胺結構單元之高分子量化合物。 【化1】式中， AR1 、AR2 及L各表示2價芳香族烴基或芳香族雜環基， n表示1~3之整數， Ar1 及Ar2 各表示芳基或雜芳基， R1 、R2 及R3 各表示氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、碳數1至6之烷基或烷氧基、碳數5至10之環烷基或環烷氧基、碳數2至6之烯基、芳基、芳氧基、或雜芳基。
本發明之高分子量化合物中，宜為 (1)含有前述結構單元作為重複單元，且按聚苯乙烯換算具有10,000以上且未達1,000,000之重量平均分子量、 (2)前述通式(1)中，Ar1 及Ar2 各為芳基、 (3)Ar1 及Ar2 各為沒有取代基之芳基、或具有苯基作為取代基之芳基、 (4)Ar1 及Ar2 為苯基、聯苯基、萘基、菲基或茀基、 (5)前述通式(1)中，R1 及R3 各表示氫原子、或氘原子、 (6)前述通式(1)中，L為伸苯基，尤其1,4-伸苯基(對伸苯基)、 (7)係具有除了前述通式(1)表示之結構單元更具有具至少1個芳香族烴環之基或有三芳胺骨架之結構單元的共聚物。
依照本發明也提供一種有機EL元件，具有一對電極與夾持在該電極間之至少一層有機層，該有機層含有上述高分子量化合物。
本發明之有機EL元件中，前述有機層宜為電洞輸送層、電子阻擋層、電洞注入層或發光層。 ［發明之效果］
具有上述通式(1)表示之經取代之三芳胺結構體單元(2價基)之本發明之高分子量化合物，例如係具有該結構單元作為重複單元之聚合物，較佳為經GPC(凝膠滲透層析)測得的按聚苯乙烯換算的重量平均分子量為10,000以上且未達1,000,000之範圍。 該高分子量化合物具有下列特性： (1)電洞之注入特性良好、 (2)電洞之移動度大、 (3)電子阻擋能力優異、 (4)薄膜狀態安定、 (5)耐熱性優異。 於一對電極之間形成有由如此的高分子量化合物形成的有機層，例如：電洞輸送層、電子阻擋層、電洞注入層或發光層的有機EL元件，有下列優點： (1)發光效率及電力效率高、 (2)実用驅動電壓低、 (3)壽命長。
＜經取代之三芳胺結構單元＞ 本發明之高分子量化合物擁有之經取代之三芳胺結構單元為2價基，以下列通式(1)表示。 【化2】
前述通式(1)中，AR1 及AR2 各為2價芳香族烴基或芳香族雜環基，AR1 與AR2 可為彼此相同的基。 上述2價芳香族烴基擁有的芳香族環可為單環也可為縮合環。該芳香族環例如苯環、萘環、蒽環、菲環、茀環、茚環、芘環、苝環、1,2苯并苊(Fluoranthene)環、三亞苯環。又，該等芳香族環也可以有取代基。 又，2價芳香族雜環基擁有之雜環可為單環也可為縮合環。如此的雜環，例如吡啶環、嘧啶環、三環、喹啉環、異喹啉環、苯并呋喃環、苯并噻吩環、吲哚環、咔唑環、苯并唑環、苯并噻唑環、二苯并呋喃環、喹啉環、苯并咪唑環、吡唑環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、啶環、啡啉環、吖啶環、咔啉環等。又，該等芳香族雜環也可以有取代基。
上述芳香族環及芳香族雜環亦可擁有的取代基，除了氘原子、氰基、硝基等以外尚可列舉下列基。 鹵素原子，例如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子； 烷基，尤其碳數1~8者，例如：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、異己基、新己基、正庚基、異庚基、新庚基、正辛基、異辛基、新辛基； 烷氧基，尤其碳數1~8者，例如：甲氧基、乙氧基、丙氧基； 烯基，例如：乙烯基、烯丙基； 芳氧基，例如：苯氧基、甲苯氧基； 芳基，例如：苯基、聯苯基、聯三苯基、萘基、蒽基、菲基、茀基、茚基、芘基、苝基、丙二烯合茀基(Fluoranthenyl)、三亞苯基； 雜芳基，例如：吡啶基、嘧啶基、三基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、喹啉基、異喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、喹啉基、苯并咪唑基、吡唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔啉基； 芳基乙烯基，例如：苯乙烯基、萘基乙烯基； 醯基，例如：乙醯基、苯甲醯基；
又，該等取代基也可以進一步有上述例示之取代基。 再者，該等取代基宜各自獨立存在較佳，但該等取代基彼此也可以介隔單鍵、亦可有取代基之亞甲基、氧原子或硫原子而互相鍵結形成環。
本發明中，上述AR1 及AR2 宜為咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、萘基、菲基、苯基、及有取代基之茀基較佳。 又，茀基擁有之取代基宜為甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、苯基。
通式(1)中，L亦為2價芳香族烴基或芳香族雜環基，其例可列舉和針對上述AR1 及AR2 例示者為同樣的基。再者，該等芳香族烴基及芳香族雜環基亦可有取代基。該等取代基亦為和2價基AR1 及AR2 亦可擁有之取代基為同樣的基，該等取代基進一步亦可有取代基之點也和AR1 及AR2 亦可以擁有之取代基同樣。再者，該等取代基宜各自獨立而存在，但和AR1 及AR2 亦可以有的取代基同樣，也可互相鍵結並形成環。 又，n為1~3之整數，1較佳。 又，n為2或3時，多數個存在的L可相同或不同。
本發明之高分子量化合物中，上述L宜為2價芳香族烴基，更佳為伸苯基，1,4-伸苯基(對伸苯基)最理想。
又，通式(1)中，Ar1 及Ar2 為1價基，為芳基或雜芳基，它們可為彼此相同的基。 上述芳基，例如苯基、萘基、蒽基、菲基、茀基、茚基、芘基、苝基、丙二烯合茀基、三亞苯基等。 又，雜芳基，例如吡啶基、嘧啶基、三基、呋喃基、吡咯基、噻吩基、喹啉基、異喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、喹啉基、苯并咪唑基、吡唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、啶基、啡啉基、吖啶基、咔啉基等。
又，上述芳基、雜芳基也可以有取代基。該等取代基為和係2價基之AR1 及AR2 亦可以有之取代基為同樣的基，該等取代基亦更進一步有取代基之點也和AR1 及AR2 亦可以有之取代基同樣。 例如：上述芳基、雜芳基也可具有苯基作為取代基，此苯基也可進一步具有苯基作為取代基。亦即若取芳基為例，此芳基可為聯苯基、聯三苯基。
再者，上述芳基、雜芳基及各種取代基宜各自獨立存在，但是和AR1 及AR2 亦可以有的取代基同樣，亦可互相鍵結合形成環。
本發明之高分子量化合物中，上述Ar1 及Ar2 為芳基，更佳為沒有取代基之芳基、及具有苯基或甲基作為取代基之芳基。如此的理想基之具體例，可列舉苯基、聯苯基、萘基、菲基及具有甲基作為取代基之茀基。 又，通式(1)中之Ar1 與Ar2 為相同基的話，從合成上之觀點為較理想。
再者，通式(1)中，R1 、R2 及R3 可各自彼此相同，代表氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、碳數1至6之烷基或烷氧基、碳數5至10之環烷基或環烷氧基、碳數2至6之烯基、芳基、芳氧基、或雜芳基。
R1 ~R3 中，上述烷基、烷氧基、環烷基、環烷氧基、烯基、芳基、芳氧基及雜芳基，例如可列舉下列基。 烷基(C1 ~C6 )； 甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基等。 烷氧基(C1 ~C6 )； 甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、正己氧基等。 環烷基(C5 ~C10 )； 環戊基、環己基、1-金剛烷基、2-金剛烷基等。 環烷氧基(C5 ~C10 )； 環戊氧基、環己氧基、環庚氧基、環辛氧基、1-金剛烷氧基、2-金剛烷氧基等。 烯基(C2 ~C6 )； 乙烯基、烯丙基、異丙烯基、2-丁烯基等。 芳基； 苯基、萘基、蒽基、菲基、茀基、茚基、芘基、苝基、丙二烯合茀基(Fluoranthenyl)等。 芳氧基； 苯氧基、甲苯氧基等。 雜芳基； 吡啶基、嘧啶基、三基、呋喃基、吡咯基、噻吩基、喹啉基、異喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、喹啉基、苯并咪唑基、吡唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、啶基、啡啉基、吖啶基、咔啉基等。
又，上述基R1 ~R3 亦可有取代基。該等取代基亦為和2價基AR1 及AR2 亦可擁有之取代基為同樣的基，該等取代基進一步亦可有取代基之點也和AR1 及AR2 亦可以擁有之取代基同樣。 再者，上述R1 ~R3 、及各種取代基宜各自獨立存在，但和AR1 及AR2 也可以有之取代基同樣，也可以互相鍵結形成環。
本發明之高分子量化合物中，上述R1 ~R3 之中，R1 及R3 宜為氫原子及氘原子，就合成方面，氫原子最理想。 又，R2 宜為有取代或無取代之芳基較理想，苯基、聯苯基、萘基、菲基、茀基更佳，無取代之苯基更理想。在此，茀基之取代基宜為甲基較佳。
本發明中，上述通式(1)表示之經取代之三芳胺結構單元之具體例，以結構單元1~31示於圖1~圖11。 又，圖1~圖11表示之化學式中，破折線代表朝相鄰結構單元之原子鍵結，從環延伸的前端游離的實線，與通式(1)不同，代表其游離的前端為甲基。
＜高分子量化合物＞ 具有上述通式(1)表示之結構單元之本發明之高分子量化合物，如前所述，電洞之注入特性、電洞之移動度、電子阻擋能力、薄膜安定性、耐熱性等特性優良，但從為了更為提高該等特性且確保成膜性之觀點，宜為具有上述結構單元作為重複單元之聚合物較佳，例如：以GPC測得的按聚苯乙烯換算的重量平均分子量，為10,000以上且未達1,000,000，更佳為10,000以上且未達500,000，又更佳為10,000以上且未達200,000之範圍。
又，本發明之高分子量化合物也可為具有上述結構單元之均聚物，但為了確保例如利用塗佈形成有機EL元件中之有機層時的塗佈性、與其他層之密接性、耐久性，宜為與其他結構體單元之共聚物較佳。 如此的其他之結構單元，例如有為了增進對於有機溶劑之溶解性之結構單元、為了提高聚合物之熱交聯性之結構單元。
為了增進對於有機溶劑之溶解性之結構單元，係有至少一個芳香族烴環者，其具體例在圖12~圖15以式(2a)~(2u)表示。
又，上式(2a)~(2u)中，破折線代表朝相鄰結構單元之原子鍵結，從環延伸的前端游離的實線，代表其前端為甲基。 又，上式中，a~d為下列的數字。 a＝0，1或2 b＝0，1，2或3 c＝0，1，2，3或4 d＝0，1，2，3，4或5
又，式(2a)~(2u)中，R為氫原子、氘原子、氰基、硝基；氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等鹵素原子；各為碳數40以下(尤其3~40)的烷基、環烷基、烷氧基或硫烷氧基。 再者，Ar5 ~Ar8 可彼此相同或不同，表示1價或2價芳香族烴基或芳香族雜環基。該1價芳香族烴基及1價芳香族雜環基，可列舉和就通式(1)中之基Ar1 及Ar2 例示作為芳基或雜芳基的基為同樣的基。又，2價芳香族烴基及2價芳香族雜環基可列舉和就關於通式(1)之基AR1 及AR2 例示之基為同樣的基。 又，上述1價或2價芳香族烴基或芳香族雜環基也和基AR1 及AR2 同樣可以有取代基。
為了增進熱交聯性之結構單元，為和通式(1)表示之結構單元不同的有三芳胺骨架的結構單元，其具體例在圖16~圖21以式(3a)~(3x)表示。 該等式中，破折線、R及a~d皆和前述式(2a)~(2u)中為同樣含意。
本發明之高分子量化合物中，當通式(1)表示之結構單元1以A表示、為了增進對於有機溶劑之溶解性之結構單元以B表示、為了提高熱交聯性之結構單元以C以表示時，宜含有1莫耳%以上，尤其5莫耳%以上之結構單元A較佳，以如此的量含有結構單元A作為條件，含有1莫耳%以上，尤其30~90莫耳%之量之結構單元B，進而含有1莫耳%以上，尤其5~20莫耳%之量之結構單元C較佳，以符合如此的條件的方式含有結構單元A、B及C之3元共聚物，在形成有機EL元件之有機層方面最理想。
如此的本發明之高分子量化合物，可藉由鈴木聚合反應、HARTWIG-BUCHWALD聚合反應，各自形成C-C鍵或C-N鍵而將各結構單元予以連鎖而合成。 亦即準備具有各結構單元之單體化合物，將此單體化合物予以適當地硼酸酯化或鹵化，並使用適當觸媒進行縮聚反應，可以合成本發明之高分子量化合物。
例如：用以導入通式(1)之結構單元的化合物可使用下列通式(1a)表示之三芳胺衍生物。 【化3】上式中，X為氫原子或鹵素原子(尤其Br)，AR1 、AR2 、L、n、Ar1 、Ar2 及R1 ~R3 皆和通式(1)所示者的含意相同。
亦即上述通式(1a)中，X為氫原子者係用以導入通式(1)之結構單元之單體化合物，X為鹵素原子者係用以合成聚合物所使用之鹵化物。
製備將上述本發明之高分子量化合物溶解於苯、甲苯、二甲苯、苯甲醚等芳香族系有機溶劑的塗佈液，將此塗佈液塗佈在預定之基材上並加熱乾燥，可以形成電洞注入性、電洞輸送性、電子阻擋性等特性優異之薄膜。該薄膜的耐熱性亦良好，且與其他層之密接性亦良好。 例如：上述高分子量化合物可以作為有機EL元件之電洞注入層及/或電洞輸送層之構成材料使用。利用如此的高分子量化合物形成的電洞注入層或電洞輸送層，相較於以習知材料形成者，電洞之注入性較高、移動度較大、電子阻擋性高、能將於發光層內生成的激子予以幽禁，且進而可以提高電洞與電子再結合的機率，能獲得高發光效率，且能降低驅動電壓而達成有機EL元件之耐久性提高的好處。 又，具有如上述電特性之本發明之高分子量化合物，當然也適合使用在電子阻擋層、發光層之形成。
＜有機EL元件＞ 具備使用上述本發明之高分子量化合物形成之有機層之有機EL元件，例如有圖22所示之結構。 亦即在玻璃基板1(透明樹脂基板等只要是透明基板即可)之上，設置透明陽極2、電洞注入層3、電洞輸送層4、發光層5、電子輸送層6及陰極7。 當然，採用本發明之高分子量化合物之有機EL元件不限於上述層結構，可以於發光層5與電子輸送層6之間設置電洞阻擋層，也可以於電洞輸送層4與發光層5之間設置電子阻擋層等，進而也可以於陰極7與電子輸送層6之間設置電子注入層。再者，也可省略一些層。例如也可採取在基板1上設置陽極2、電洞輸送層4、發光層5、電子輸送層6及陰極7之簡化的層結構。又，也可成為重疊有相同功能之層的2層結構。
本發明之高分子量化合物，發揮其電洞注入性、電洞輸送性等特性，適合使用於作為在上述陽極2與陰極7之間設置之有機層(例如發光層5、電洞注入層3、電洞輸送層4、發光層5或未圖示之電洞阻擋層)之形成材料。
上述有機EL元件中，透明陽極2可以由其本身公知之電極材料形成，也可將如ITO、金之功函數大的電極材料蒸鍍在基板1(玻璃基板等透明基板)上以形成。
又，設置於透明陽極2上之電洞注入層3，可使用將本發明之高分子量化合物溶於例如甲苯、二甲苯、苯甲醚等芳香族系有機溶劑而得的塗佈液形成。亦即將此塗佈液利用旋塗、噴墨等方式塗佈在透明陽極2上，可形成電洞注入層3。
又，也可以不使用本發明之高分子量化合物，而使用以往公知之材料，例如以下之材料形成。 銅酞花青為代表的卟啉化合物； 光芒型之三苯胺衍生物； 具有以單鍵或不含雜原子之2價基連結之結構之芳胺(例如：三苯胺三聚物及四聚物)； 六氰基氮雜聯三苯之類之接受體性之雜環化合物； 塗佈型高分子材料，例如聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)(PEDOT)、聚(苯乙烯磺酸酯)(PSS)等。 使用如此的材料形成層(薄膜)時，可以利用蒸鍍法、旋塗法、噴墨法等所為之塗佈進行成膜。針對其他層亦同樣，可因應膜形成材料之種類，以蒸鍍法、塗佈法進行成膜。
設置在上述電洞注入層3之上的電洞輸送層4，亦和電洞注入層3同樣，可使用本發明之高分子量化合物，利用旋塗、噴墨等所為之塗佈形成。
又，也可使用以往公知之電洞輸送材料形成電洞輸送層4。如此的電洞輸送材料，代表者如下。 聯苯胺衍生物，例如： N,N’-二苯基-N,N’-二(間甲苯基)聯苯胺(以下簡稱為TPD)； N,N’-二苯基-N,N’-二(α-萘基)聯苯胺(以下簡稱為NPD)； N,N,N’,N’-四聯苯基聯苯胺； 胺系衍生物，例如： 1,1-雙[4-(二-4-甲苯胺基)苯基]環己烷(以下簡稱為TAPC)； 各種三苯胺三聚物及四聚物； 也可使用於作為電洞注入層用之塗佈型高分子材料。
上述電洞輸送層的化合物含有本發明之高分子量化合物，可分別單獨成膜，也可將2種以上混合成膜。又，也可使用上述化合物之1種或多種形成多數層，並將如此的層疊層而得的多層膜作為電洞輸送層。
又，也可製成兼作為電洞注入層3與電洞輸送層4的層，如此的電洞注入・輸送層，可使用PEDOT等高分子材料以塗佈形成。
又，電洞輸送層4(電洞注入層3亦同)中，可針對該層通常使用的材料進一步以P摻雜參溴苯胺六氯銻、軸烯衍生物(例如參照WO2014/009310)等。又，可以使用有TPD基本骨架之高分子化合物等形成電洞輸送層4(或電洞注入層3)。
再者，未圖示之電子阻擋層(可設置在電洞輸送層4與發光層5之間)，可使用有電子阻擋作用之公知之電子阻擋性化合物，例如：咔唑衍生物、有三苯基矽基且有三芳胺結構之化合物等形成。咔唑衍生物及有三芳胺結構之化合物之具體例如下。 咔唑衍生物之例 4,4’,4’’-三(N-咔唑基)三苯胺(以下簡稱TCTA)； 9,9-雙[4-(咔唑-9-基)苯基]茀； 1,3-雙(咔唑-9-基)苯(以下簡稱mCP)； 2,2-雙(4-咔唑-9-基苯基)金剛烷(以下簡稱Ad-Cz)； 有三芳胺結構之化合物之例 9-[4-(咔唑-9-基)苯基]-9-[4-(三苯基矽基)苯基]-9H-茀；
電子阻擋層，可使用如上述公知之電子阻擋性材料單獨1種或2種以上形成，但也可使用該等電子阻擋性材料之1種或多數種形成多數層，並將如此的層疊層而得的多層膜作為電子阻擋層。
有機EL元件之發光層5，可使用以Alq3 為主的喹啉酚衍生物之金屬錯合物，此外可使用鋅、鈹、鋁等各種金屬的錯合物、蒽衍生物、雙苯乙烯基苯衍生物、芘衍生物、唑衍生物、聚對伸苯基伸乙烯衍生物等發光材料形成。
又，發光層5也可由主體材料與摻雜物材料構成。 此時的主體材料除了可使用上述發光材料，也可使用噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、聚二烷基茀衍生物等，再者，也可使用前述本發明之高分子量化合物。 摻雜物材料可使用喹吖啶酮、香豆素、紅螢烯、苝及它們的衍生物、苯并哌喃衍生物、若丹明衍生物、胺基苯乙烯基衍生物等。
如此的發光層5可採用使用各發光材料之1種或2種以上的單層結構，也可採用多數層疊層而得的多層結構。
再者，可使用磷光發光材料作為發光材料而形成發光層5。 磷光發光材料可使用銥、鉑等金屬錯合物之磷光發光體。例如可以使用Ir(ppy)3 等綠色的磷光發光體、FIrpic、FIr6等藍色的磷光發光體、Btp2 Ir(acac)等紅色的磷光發光體等，該等磷光發光材料可以摻雜於電洞注入・輸送性之主體材料、電子輸送性之主體材料後使用。
電洞注入・輸送性之主體材料可以使用4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(以下簡稱CBP)、TCTA、mCP等咔唑衍生物等，再者，也可以使用本發明之高分子量化合物。 又，電子輸送性之主體材料可以使用對雙(三苯基矽基)苯(以下簡稱UGH2)、2,2’,2’’-(1,3,5-伸苯基)-參(1-苯基-1H-苯并咪唑)(以後下簡稱TPBI)等。
又，磷光性發光材料對於主體材料的摻雜，為避免濃度消光，宜於對於發光層全體為1~30重量%之範圍，以共蒸鍍進行摻雜較佳。
又，發光材料也可以使用PIC-TRZ、CC2TA、PXZ-TRZ、4CzIPN等CDCB衍生物等發射延遲螢光的材料。(參照Appl.Phys.Let.,98,083302(2011))。
藉由使本發明之高分子量化合物載持稱為摻雜物之螢光發光體、磷光發光體或發射延遲螢光之材料而形成發光層5，可以達成驅動電壓降低且發光效率改善的有機EL元件。
在發光層5與電子輸送層6之間設置之電洞阻擋層(未圖示)，可以使用其本身公知之具電洞阻擋作用之化合物形成。 如此的具電洞阻擋作用之公知化合物，例如下列所示。 浴銅靈(Bathocuproin)(以下稱為BCP)等啡啉衍生物； 雙(2-甲基-8-喹啉酚)-4-苯基酚酸鋁(III)(以下簡稱為BAlq)等喹啉酚衍生物之金屬錯合物； 各種稀土類錯合物； 三唑衍生物； 三衍生物； 二唑衍生物。 該等材料也可使用於以下所述電子輸送層6之形成，進而也可作為如此的電洞阻擋層與電子輸送層6使用。
如此的電洞阻擋層也可製成單層或多層之疊層結構，各層係使用上述有電洞阻擋作用化合物及本發明之高分子量化合物之1種或2種以上成膜。
電子輸送層6，除了可使用本發明之萘并三唑衍生物以外，也可使用其本身公知之電子輸送性的化合物，例如：Alq3 、BAlq為主的喹啉衍生物之金屬錯合物，此外可使用各種金屬錯合物、三唑衍生物、三衍生物、二唑衍生物、噻二唑衍生物、碳二亞胺衍生物、喹啉衍生物、啡啉衍生物、矽羅衍生物等形成。 此電子輸送層6亦可製成單層或多層之疊層結構，各層可使用上述電子輸送性化合物之1種或2種以上成膜。
再者，視需要設置之電子注入層(圖未顯示)，也可使用其本身公知者，例如使用氟化鋰、氟化銫等鹼金屬鹽、氟化鎂等鹼土類金屬鹽、氧化鋁等金屬氧化物等形成。
有機EL元件之陰極7可使用如鋁之功函數低之電極材料、如鎂銀合金、鎂銦合金、鋁鎂合金之功函數更低的合金作為電極材料。
本發明中，藉由使用具有前述通式(1)表示之經取代之三芳胺結構體之高分子量化合物來形成電洞注入層3、電洞輸送層4、發光層5、及未圖示之電子阻擋層中之至少任意層，可獲得發光效率及電力效率高、實用驅動電壓低、發光開始電壓低、有極優良的耐久性的有機EL元件。尤其，此有機EL元件有高發光效率，且驅動電壓降低，電流耐性改善，最大發光亮度提高。 ［實施例］
以下針對本發明依以下的實驗例説明。 又，以下之説明中，本發明之高分子量化合物擁有的以通式(1)表示之結構單元稱為「結構單元A」、為了增進對於有機溶劑之溶解性而導入之結構單元稱為「結構單元B」、為了增進熱交聯性而導入之結構單元稱為「結構單元C」。 又，合成之化合物之精製，依利用管柱層析所為之精製、利用溶劑所為之晶析法進行。化合物之鑑定利用NMR分析進行。
為了製造本發明之高分子量化合物，合成下列中間體1~5。
＜中間體1之合成＞ 【化4】中間體1，係為了導入增進對於有機溶劑之溶解性之結構單元B而使用的硼酸酯。
將下列成分添加到經氮氣取代的反應容器內，通入氮氣30分鐘。 2,7-二溴-9,9-二-正辛基茀　15g 雙(頻哪醇合)二硼(bis(pinacolato)diboron)　15.3g 乙酸鉀　8.0g 1,4-二烷　150ml 然後，加入｛1,1’-雙(二苯基膦基)二茂鐵｝鈀(II)二氯的二氯甲烷加成物0.67g並加熱，於90℃攪拌11.5小時。 冷卻到室溫後加入飽和食鹽水與甲苯，進行分液操作，以收集有機層。將此有機層以無水硫酸鎂脱水後，於減壓下濃縮，以獲得粗製物。將粗製物以甲醇分散洗淨，獲得中間體1之淡黃色粉體15.3g(產率88%)。
＜中間體2之合成＞ 【化5】中間體2，係為了導入使熱交聯性提高之結構單元C而使用的單體化合物。
將下列成分加入到經氮氣取代的反應容器內，通入氮氣30分鐘。 二苯胺　1.8g 4-溴苯并環丁烯　2.0g 第三丁醇鈉　1.5g 甲苯　20ml 然後加入乙酸鈀(II)0.05g及三第三丁基膦0.17g並加熱，於90℃攪拌2.5小時。 冷卻到室溫後加入甲苯並過濾，將濾液於減壓下濃縮，以獲得粗製物。將粗製物以管柱層析(正己烷)精製，獲得中間體2之無色透明油2.2g(產率77%)。
＜中間體3之合成＞ 【化6】此中間體3係將中間體2予以二溴化的化合物，係為了使中間體2聚合而使用。
將2.1g的先前獲得之中間體2及二甲基甲醯胺20ml加入到經氮氣取代的反應容器內並冰冷。 於內溫2℃添加N-溴琥珀醯亞胺2.8g，攪拌5小時。 然後加入水與甲苯，進行分液操作，以收集有機層。將有機層以無水硫酸鎂脱水後，於減壓下濃縮，以獲得粗製物。將粗製物以管柱層析(正己烷)精製，獲得中間體3之白色粉體2.8g(產率84%)。
＜中間體4之合成＞ 【化7】中間體4係為了導入本發明之高分子量化合物擁有之結構單元A而使用之單體化合物。
將下列成分加入到經氮氣取代的反應容器內，通入氮氣30分鐘。 2-溴-1,3,5-三苯基苯　14.0g 4-(二苯胺基)苯基硼酸　11.5g 1,4-二烷　140ml 2M-碳酸鉀水溶液　37ml 然後加入肆三苯基膦鈀1.26g並加熱，於85℃攪拌6.5小時。 冷卻到室溫後將析出的固體過濾以收集。將獲得之固體溶於四氫呋喃後過濾，將濾液於減壓下濃縮，加入甲醇並進行晶析精製，以獲得中間體4之類白色粉體18.1g(產率91%)。
＜中間體5之合成＞ 【化8】中間體5係將為了導入結構單元A之單體化合物中間體4予以聚合而使用，係將中間體4予以二溴化者。
將18.0g之先前合成的中間體4、及四氫呋喃650ml加入到經氮氣取代的反應容器內，於室溫加入N-溴琥珀醯亞胺11.6g，並攪拌5小時。 然後加入水500ml，將析出的固體過濾以收集。將獲得之固體以甲醇洗淨，獲得中間體5之白色粉體22.8g(產率99%)。
＜實施例1＞ 高分子量化合物A之合成； 將下列成分加入到經氮氣取代的反應容器，通入氮氣30分鐘。 中間體1：15.0g 中間體3：2.0g 中間體5：13.2g 磷酸三鉀：20.8g 甲苯：60ml 水：33ml 1,4-二烷：180ml 然後加入乙酸鈀(II)5.0mg、及三鄰甲苯基膦40.5mg，並加熱，於80℃攪拌7小時。 之後，加入0.27g之中間體1並攪拌1小時，然後加入溴苯0.73g並攪拌1小時。 冷卻到室溫後，加入甲苯500ml、5wt%N,N-二乙基二硫胺甲酸鈉水溶液200ml並加熱，於回流下攪拌2小時。
然後冷卻到室溫後，加入飽和食鹽水與甲苯，進行分液操作以收集有機層。將有機層以無水硫酸鎂脱水後，於減壓下濃縮以獲得粗聚合物。使粗聚合物溶於甲苯，通過矽膠管柱以精製。將獲得之溶液於減壓下濃縮，於乾固物加入四氫呋喃500ml使其溶解，滴加在冰冷的甲醇1000ml中並攪拌。之後，濾取獲得之沉澱物並使其乾燥，以獲得19.7g之高分子量化合物A。
針對獲得之淡黃色粉體實施NMR測定。1 H-NMR測定結果示於圖23。 又，高分子量化合物之以GPC測得的平均分子量、分散度及化學組成如下。 數量平均分子量Mn(聚苯乙烯換算)：62,000 重量平均分子量Mw(聚苯乙烯換算)：456,000 分散度(Mw/Mn)：7.4 化學組成： 【化9】(高分子量化合物A)
從上述化學組成可理解，此高分子量化合物A含有42莫耳%之通式(1)表示之結構單元A，47莫耳%之增進對於有機溶劑之溶解性之結構單元B，並以11莫耳%之量含有使熱交聯性提高的結構單元C。
＜實施例2＞ 使用實施例1合成的高分子量化合物A，在ITO基板之上製作膜厚100nm的蒸鍍膜，並以游離電位測定裝置(住友重機械工業(股)公司製、PYS-202型)測定功函數。其結果如下。 功函數 高分子量化合物A(聚合物)　　5.63eV
本發明之高分子量化合物A，相較於NPD、TPD等一般的電洞輸送材料所帶有的功函數5.4eV，顯示較理想的能量準位，可知有良好的電洞輸送能力。
＜實施例3＞ 有機EL元件之製作與評價； 依下列方法製作圖22所示層結構之有機EL元件。
將已形成膜厚50nm之ITO(透明陽極2)的玻璃基板1以有機溶劑洗淨後，以UV/臭氧處理清洗ITO表面。 以覆蓋於此玻璃基板1設置之透明陽極2(ITO)的方式，將下列結構式的化合物(Solvay製、AQ-1200)以旋塗法形成膜厚55nm之膜，於熱板上於170℃進行10分鐘乾燥，形成電洞注入層3。 【化10】
將實施例1獲得之高分子量化合物A以0.8重量%溶於苯甲醚，製備成塗佈液。 將如上述形成了電洞注入層3的基板，移到經乾燥氮氣取代的手套箱內，並於電洞注入層3之上使用上述塗佈液進行旋塗，以形成厚20nm的塗佈層，然後於熱板上於200℃進行10分鐘乾燥，形成電洞輸送層4。
將如上述形成了電洞輸送層4的基板，安裝在真空蒸鍍機內，減壓到0.001Pa以下。 於電洞輸送層4之上利用SFC公司製SBD2460(EMD-1)與SFC公司製ABH401(EMH-1)之二元蒸鍍，形成膜厚40nm的發光層5。 又，二元蒸鍍中，蒸鍍速度比設為EMD-1：EMH-1＝5：95。
準備下列結構式的化合物(ETM-1)及(ETM-2)作為電子輸送材料。 【化11】【化12】
在上述形成的發光層5之上，利用使用上述電子輸送材料(ETM-1)及(ETM-2)之二元蒸鍍，形成膜厚20nm之電子輸送層6。 又，二元蒸鍍係以蒸鍍速度比成為ETM-1：ETM-2＝50：50的速度進行。
最後蒸鍍鋁使膜厚成為100nm，形成陰極7。 將以此方式形成了透明陽極2、電洞注入層3、電洞輸送層4、發光層5、電子輸送層6及陰極7的玻璃基板移動到經乾燥氮氣取代的手套箱內，並使用UV硬化樹脂與密封用之另一玻璃基板貼合，製成有機EL元件。針對製作的有機EL元件，於大氣中，常溫實施特性測定。 又，測定對於製作的有機EL元件施加直流電壓時的發光特性。 上述測定結果示於表1。
＜實施例4＞ 將實施例3中之電洞輸送層4之形成使用之高分子量化合物A之塗佈液變更為使該高分子量化合物A以0.6重量%溶解於甲苯而得的塗佈液，利用使用此塗佈液之旋塗形成厚20nm之塗佈層，再於熱板上於200℃乾燥10分鐘，然後於150℃乾燥1小時，形成電洞輸送層4，除此以外與實施例3同樣進行，製作有機EL元件。 針對此有機EL元件，與實施例3同樣進行各種特性，其結果示於表1。
＜實施例5＞ 將實施例3中之電洞輸送層4之形成使用之高分子量化合物A之塗佈液變更為使該高分子量化合物A以0.8重量%溶解於鄰二甲苯而得的塗佈液，利用使用此塗佈液之旋塗形成厚20nm之塗佈層，再於熱板上於200℃乾燥10分鐘，然後於160℃乾燥1小時，形成電洞輸送層4，除此以外與實施例3同樣進行，製作有機EL元件。 針對此有機EL元件，與實施例3同樣進行各種特性，其結果示於表1。
＜比較例1＞ 不使用高分子量化合物A而使用改為將下列TFB(電洞輸送性聚合物)以0.8重量%溶解於苯甲醚而製備的塗佈液來形成電洞輸送層4，除此以外完全和實施例3同樣進行，製作有機EL元件。 【化13】聚[(9,9-二辛基茀基-2,7-二基)-co-(4,4’-(N-(4-第二丁基苯基))二苯胺] (American Dye Source公司製、Hole Transport Polymer ADS259BE) 針對此有機EL元件，與實施例3同樣地評價各種特性，其結果示於表1。
＜比較例2＞ 不使用高分子量化合物A而使用改為將上述TFB(電洞輸送性聚合物)以0.6重量%溶解於甲苯而製備的塗佈液來形成電洞輸送層4，除此以外完全和實施例4同樣進行，製作成有機EL元件。 針對此有機EL元件，與實施例3及實施例4同樣地進行各種特性評價，其結果示於表1。
＜比較例3＞ 不使用高分子量化合物A而使用改為將上述TFB(電洞輸送性聚合物)以0.8重量%溶解於鄰二甲苯而製備的塗佈液來形成電洞輸送層4，除此以外完全和實施例5同樣進行，製作成有機EL元件。 針對此有機EL元件，與實施例3~5同樣地進行各種特性評價，其結果示於表1。
又，各種特性之評價中，元件壽命，係測定設發光開始時之發光亮度(初始亮度)為700cd/m2 而以定電流驅動時，發光亮度衰減到490cd/m2 (相當於初始亮度為100%時之70%：70%衰減)為止的時間。
【表1】
如表1所示，針對流過電流密度10mA/cm2 之電流時之發光效率，比較例1為4.10cd/A，反觀實施例3為6.44cd/A，比較例2為5.42cd/A，反觀實施例4為7.63cd/A，比較例3為5.04cd/A，反觀實施例5為7.25cd/A，若以相同有機溶劑比較，使用本發明之高分子量化合物A形成電洞輸送層4之有機EL元件，皆為高效率。 又，針對元件壽命(70%衰減)，比較例1為76小時，反觀實施例3為436小時，比較例2為114小時，反觀實施例4為866小時，比較例3為132小時，反觀實施例5為745小時，若以相同溶劑比較，使用本發明之高分子量化合物A之有機EL元件，皆為長壽命。
如上可知，具備使用本發明之高分子量化合物形成之有機層之有機EL元件，相較於習知有機EL元件，可達成高發光效率、長壽命之有機EL元件。
＜實施例6＞ 殘膜率之測定與評價； 在玻璃基板上使用將實施例1合成之高分子量化合物A以0.6重量%溶解於甲苯而得的溶液，以旋塗法形成薄膜。 將獲得之膜移到經乾燥氮氣取代之手套箱內，於熱板上於200℃進行1小時烘烤、或於230℃進行10分鐘烘烤。 將烘烤好的膜冷卻到室溫後，使用分光光度計(U-3000：日立製作所製)測定針對波長300~700nm之光之吸收強度。 又，針對已測定吸收強度之膜，使用旋塗機以2000rpm、15秒之條件進行甲苯淋洗。使用分光光度計(U-3000：日立製作所製)測定經淋洗之膜之吸收強度。 從如上述測定之淋洗前後之吸收強度，依下式算出殘膜率，其結果示於表2。 殘膜率(%)＝(α/β)×100 式中， α為淋洗後之吸收強度(峰頂)， β為淋洗前之吸收強度(峰頂)。
＜比較例4＞ 將高分子量化合物A改為在比較例1~3使用之TFB，除此以外與實施例6同樣進行，算出殘膜率，其結果示於表2。
【表2】
如表2所示，高分子量化合物A於200℃/60分之烘烤顯示95.7%、於230℃/10分之烘烤顯示99.3%之高殘膜率，故可認為本發明之高分子量化合物有高硬化性(熱交聯性)。 ［產業利用性］
本發明之高分子量化合物，電洞輸送能力高，電子阻擋能力優異，熱交聯性良好，所以為優良的塗佈型有機EL元件用之化合物。藉由使用該化合物製作塗佈型有機EL元件，能獲得高發光效率及電力效率，且可改善耐久性。例如可開展在家庭電化製品、照明之用途。
1‧‧‧玻璃基板
2‧‧‧透明陽極
3‧‧‧電洞注入層
4‧‧‧電洞輸送層
5‧‧‧發光層
6‧‧‧電子輸送層
7‧‧‧陰極
［圖1］顯示本發明之高分子量化合物擁有之就經取代之三芳胺結構單元而言的理想結構單元1~3的化學結構。 ［圖2］顯示本發明之高分子量化合物擁有之就經取代之三芳胺結構單元而言的理想結構單元4~6的化學結構。 ［圖3］顯示本發明之高分子量化合物擁有之就經取代之三芳胺結構單元而言的理想結構單元7~9的化學結構。 ［圖4］顯示本發明之高分子量化合物擁有之就經取代之三芳胺結構單元而言的理想結構單元10~12的化學結構。 ［圖5］顯示本發明之高分子量化合物擁有之就經取代之三芳胺結構單元而言的理想結構單元13~15的化學結構。 ［圖6］顯示本發明之高分子量化合物擁有之就經取代之三芳胺結構單元而言的理想結構單元16~18的化學結構。 ［圖7］顯示本發明之高分子量化合物擁有之就經取代之三芳胺結構單元而言的理想結構單元19~21的化學結構。 ［圖8］顯示本發明之高分子量化合物擁有之就經取代之三芳胺結構單元而言的理想結構單元22~24的化學結構。 ［圖9］顯示本發明之高分子量化合物擁有之就經取代之三芳胺結構單元而言的理想結構單元25~27的化學結構。 ［圖10］顯示本發明之高分子量化合物擁有之就經取代之三芳胺結構單元而言的理想結構單元28~30的化學結構。 ［圖11］顯示本發明之高分子量化合物擁有之就經取代之三芳胺結構單元而言的理想結構單元31的化學結構。 ［圖12］顯示為了使對於有機溶劑之溶解性增進而導入之結構單元(2a)~(2f)的化學結構。 ［圖13］顯示為了使對於有機溶劑之溶解性增進而導入之結構單元(2g)~(2k)的化學結構。 ［圖14］顯示為了使對於有機溶劑之溶解性增進而導入之結構單元(2l)~(2p)的化學結構。 ［圖15］顯示為了使對於有機溶劑之溶解性增進而導入之結構單元(2q)~(2u)的化學結構。 ［圖16］顯示為了使熱交聯性增進而導入之結構單元(3a)~(3e)的化學結構。 ［圖17］顯示為了使熱交聯性增進而導入之結構單元(3f)~(3j)的化學結構。 ［圖18］顯示為了使熱交聯性增進而導入之結構單元(3k)~(3n)的化學結構。 ［圖19］顯示為了使熱交聯性增進而導入之結構單元(3o)~(3r)的化學結構。 ［圖20］顯示為了使熱交聯性增進而導入之結構單元(3s)~(3v)的化學結構。 ［圖21］顯示為了使熱交聯性增進而導入之結構單元(3w)及(3x)的化學結構。 ［圖22］顯示本發明之有機元件擁有之層結構之一例。 ［圖23］顯示實施例1合成之本發明之高分子量化合物(高分子量化合物A)之1 H-NMR圖表。

Claims (14)

  1. 一種高分子量化合物，含有下列通式(1)表示之經取代之三芳胺結構單元； ［化1］式中， AR1 、AR2 及L各表示2價芳香族烴基或芳香族雜環基， n表示1~3之整數， Ar1 及Ar2 各表示芳基或雜芳基， R1 、R2 及R3 各表示氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、碳數1至6之烷基或烷氧基、碳數5至10之環烷基或環烷氧基、碳數2至6之烯基、芳基、芳氧基、或雜芳基。
  2. 如申請專利範圍第1項之高分子量化合物，含有該結構單元作為重複單元，且具有按聚苯乙烯換算係10,000以上且未達1,000,000之重量平均分子量。
  3. 如申請專利範圍第1項之高分子量化合物，其中，該通式(1)中，Ar1 及Ar2 各為芳基。
  4. 如申請專利範圍第3項之高分子量化合物，其中，Ar1 及Ar2 各為沒有取代基之芳基或具有苯基作為取代基之芳基。
  5. 如申請專利範圍第4項之高分子量化合物，其中，Ar1 及Ar2 為苯基、聯苯基、萘基、菲基或茀基。
  6. 如申請專利範圍第1項之高分子量化合物，其中，該通式(1)中，R1 及R3 各為氫原子、或氘原子。
  7. 如申請專利範圍第1項之高分子量化合物，其中，該通式(1)中，L為伸苯基。
  8. 如申請專利範圍第7項之高分子量化合物，其中，L為1,4-伸苯基。
  9. 如申請專利範圍第1項之高分子量化合物，其係除了具有與該通式(1)表示之結構單元外尚具至少1個芳香族烴環之基或具三芳胺骨架之結構單元的共聚物。
  10. 一種有機EL元件，具有一對電極以及夾持在該電極間之至少一層有機層，該有機層含有如申請專利範圍第1項之高分子量化合物。
  11. 如申請專利範圍第10項之有機EL元件，其中，該有機層為電洞輸送層。
  12. 如申請專利範圍第10項之有機EL元件，其中，該有機層為電子阻擋層。
  13. 如申請專利範圍第10項之有機EL元件，其中，該有機層為電洞注入層。
  14. 如申請專利範圍第10項之有機EL元件，其中，該有機層為發光層。
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