TW201823997A - 記憶裝置 - Google Patents

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Abstract

一種記憶裝置，包括一主機板、一主控晶片、一第一記憶晶片單元、一第二記憶晶片單元以及一散熱器。該主機板包括一金手指連接部。主控晶片設於該主機板之上並對應該金手指連接部。第一記憶晶片單元耦接該主機板，並位於該主控晶片之一側，其中，該第一記憶晶片單元包括複數個第一記憶晶片。第二記憶晶片單元耦接該主機板，並位於該主控晶片之另一側，其中，該第二記憶晶片單元包括複數個第二記憶晶片。散熱器熱連接該主控晶片，該散熱器位於該第一記憶晶片單元與該第二記憶晶片單元之間。

Description

記憶裝置
本發明係有關於一種記憶裝置，特別係有關於一種固態記憶裝置。
在習知的固態記憶卡之中，主控晶片係偏設於整體固態記憶卡之一側，因此，主控晶片和金手指連接部之間的距離較遠，信號完整性弱。
本發明係為了欲解決習知技術之問題而提供之一種記憶裝置，包括一主機板、一主控晶片、一第一記憶晶片單元、一第二記憶晶片單元以及一散熱器。該主機板包括一金手指連接部。主控晶片設於該主機板之上並對應該金手指連接部。第一記憶晶片單元耦接該主機板，並位於該主控晶片之一側，其中，該第一記憶晶片單元包括複數個第一記憶晶片。第二記憶晶片單元耦接該主機板，並位於該主控晶片之另一側，其中，該第二記憶晶片單元包括複數個第二記憶晶片。散熱器熱連接該主控晶片，該散熱器位於該第一記憶晶片單元與該第二記憶晶片單元之間。
在一實施例中，該等第一記憶晶片的數量等於該等第二記憶晶片的數量。
在一實施例中，該等第一記憶晶片以及該等第二 記憶晶片係設於該主機板之上。
在一實施例中，該第一記憶晶片單元包括一第一子板，該第二記憶晶片單元包括一第二子板，該等第一記憶晶片係設於該第一子板之上，該等第二記憶晶片係設於該第二子板之上，該第一子板以及該第二子板分別耦接該主機板。
在一實施例中，該記憶裝置更包括一金屬板件，該主機板包括一第一表面以及一第二表面，該主控晶片設於該第一表面，該金屬板件被鎖固於該第二表面。
在一實施例中，該主機板包括一金屬夾層，該金屬板件熱連接該金屬夾層。
在一實施例中，該記憶裝置更包括一第一軟性電路板以及一第二軟性電路板，該第一子板透過該第一軟性電路板連接該主機板，該第二子板透過該第二軟性電路板連接該主機板。
在一實施例中，該主機板包括一第一連接器、一第二連接器、一第三連接器以及一第四連接器，該第一子板連接該第一連接器以及該第二連接器，該第二子板連接該第三連接器以及該第四連接器。
在一實施例中，該散熱器包括複數個鰭片，該等鰭片的延伸方向平行於該第一連接器、該第二連接器、該第三連接器以及該第四連接器的延伸方向。
在一實施例中，該記憶裝置更包括複數個第一鎖固件以及複數個第二鎖固件，其中，該第一子板包括複數個第一連接柱，該第二子板包括複數個第二連接柱，該第一鎖固件 穿過該金屬板件以及該主機板並鎖固連接該第一連接柱，該第二鎖固件穿過該金屬板件以及該主機板並鎖固連接該第二連接柱。
在一實施例中，該記憶裝置為一全高式外設組件互連標準記憶卡，該等第一記憶晶片依序包括一第一晶片列、一第二晶片列、一第三晶片列以及一第四晶片列，該第一連接器在空間上位於該第一晶片列與該第二晶片列之間，該第二連接器在空間上位於該第三晶片列與該第四晶片列之間。
在一實施例中，該記憶裝置為一半高式外設組件互連標準記憶卡，該等第一記憶晶片在空間上均位於該第一連接器與該第二連接器之間。
應用本發明之上述實施例，由於主控晶片4離金手指連接部55的距離近，因此走線距離較短，訊號較強，可以提高訊號的傳輸品質。
M1、M2、M3、M4、M5、M6‧‧‧記憶裝置
1‧‧‧第一記憶晶片單元
11‧‧‧第一記憶晶片
111‧‧‧第一晶片列
112‧‧‧第二晶片列
113‧‧‧第三晶片列
114‧‧‧第四晶片列
12‧‧‧第一子板
13‧‧‧第一連接柱
2‧‧‧第二記憶晶片單元
21‧‧‧第一記憶晶片
22‧‧‧第二子板
23‧‧‧第二連接柱
3‧‧‧散熱器
31‧‧‧鰭片
32‧‧‧扣件
4‧‧‧主控晶片
5‧‧‧主機板
51‧‧‧第一連接器
52‧‧‧第二連接器
53‧‧‧第三連接器
54‧‧‧第四連接器
55‧‧‧金手指連接部
561‧‧‧第一表面
562‧‧‧第二表面
6‧‧‧金屬板件
61‧‧‧開口
71‧‧‧第一鎖固件
72‧‧‧第二鎖固件
81‧‧‧第一軟性電路板
82‧‧‧第二軟性電路板
第1A圖係顯示本發明第一實施例之記憶裝置的爆炸圖。
第1B圖係顯示本發明第一實施例之記憶裝置的俯視圖。
第2A圖係顯示本發明第二實施例之記憶裝置的爆炸圖。
第2B圖係顯示本發明第二實施例之記憶裝置的組合圖。
第2C圖係顯示本發明第二實施例之記憶裝置的仰視圖。
第3圖係顯示本發明第三實施例之記憶裝置。
第4A圖係顯示本發明第四實施例之記憶裝置的俯視圖。
第4B圖係顯示本發明第四實施例之記憶裝置的仰視圖。
第5圖係顯示本發明第五實施例之記憶裝置。
第6圖係顯示本發明第六實施例之記憶裝置。
參照第1A、1B圖，其係顯示本發明第一實施例之一記憶裝置M1，包括一主機板5、一主控晶片4、一第一記憶晶片單元1、一第二記憶晶片單元2以及一散熱器3。該主機板5包括一金手指連接部55。主控晶片4設於該主機板5之上並對應該金手指連接部55。第一記憶晶片單元1耦接該主機板5，並位於該主控晶片4之一側，其中，該第一記憶晶片單元1包括複數個第一記憶晶片11。第二記憶晶片單元2耦接該主機板5，並位於該主控晶片4之另一側，其中，該第二記憶晶片單元2包括複數個第二記憶晶片21。散熱器3熱連接該主控晶片4，該散熱器位3於該第一記憶晶片單元1與該第二記憶晶片單元2之間。
在一實施例中，該主控晶片4可以為現場可程式化閘陣列(Field-programmable gate array，FPGA)晶片或或積體電路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)。
應用本發明之上述實施例，由於主控晶片4離金手指連接部55的距離近，因此走線距離較短，訊號較強，可以提高訊號的傳輸品質。
參照第1A、1B圖，在一實施例中，基於元件配置的對稱性，該等第一記憶晶片11的數量較佳等於該等第二記憶晶片21的數量。在一實施例中，該主控晶片4適於耦接相等數量之第一記憶晶片11以及第二記憶晶片21。當然，使用者可依據其需求而使第一記憶晶片11的數量不等於這些第二記憶晶 片21的數量。該第一記憶晶片11的容量可以不同於該第二記憶晶片21的容量。藉由搭配不同容量之記憶晶片，可視需求調整整體記憶裝置M1的容量。
參照第1A、1B圖，在一實施例中，該等第一記憶晶片11以及該等第二記憶晶片21係直接設於該主機板5之上。
參照第2A、2B圖，其係顯示本發明第二實施例之記憶裝置M2，其中，該第一記憶晶片單元1包括一第一子板12，該第二記憶晶片單元2包括一第二子板22，該等第一記憶晶片11係設於該第一子板12之上，該等第二記憶晶片21係設於該第二子板22之上，該第一子板12以及該第二子板22分別耦接該主機板5。記憶晶片透過子板連接主機板，可增加設計上的自由度。
參照第2A、2B圖，在第二實施例中，該主機板5包括一第一連接器51、一第二連接器52、一第三連接器53以及一第四連接器54，該第一子板12連接該第一連接器51以及該第二連接器52，該第二子板22連接該第三連接器53以及該第四連接器54。以連接器的方式連接子板以及主機板，可方便更換記憶晶片單元。
第2A、2B圖，在一實施例中，該散熱器3包括複數個鰭片31，該等鰭片31的延伸方向平行於該第一連接器51、該第二連接器52、該第三連接器53以及該第四連接器54的延伸方向。在一實施例中，該等記憶晶片的排列方向亦平行於該等鰭片31的延伸方向，藉此達到較佳的對流效果。在此實施例中，該記憶裝置M2為一全高式外設組件互連標準記憶卡，該等第 一記憶晶片11依序包括一第一晶片列111、一第二晶片列112、一第三晶片列113以及一第四晶片列114，該第一連接器51在空間上位於該第一晶片列111與該第二晶片列112之間，該第二連接器52在空間上位於該第三晶片列113與該第四晶片列114之間。在一實施例中，該等鰭片31的高度為8mm。此外，在一實施例中，該記憶裝置更包括一導熱墊，該導熱墊夾設於該散熱器3與該主控晶片4之間，該導熱墊的厚度為0.13mm。透過鰭片高度以及導熱墊厚度等設計，即使當主控晶片4在空間上與風扇距離稍遠，仍然可以獲得良好的散熱效果。
參照第2C圖，在一實施例中，該記憶裝置M2更包括一金屬板件6，該主機板5包括一第一表面561以及一第二表面562，該主控晶片4設於該第一表面561，該金屬板件6被鎖固於該第二表面562。該金屬板件6用於提高該記憶裝置M2整體結構的剛性，避免主機板5發生彎折。在一實施例中，金屬板件6可具有開口61，藉此節省材料並減輕重量。
參照第2C圖，在一實施例中，該記憶裝置更包括複數個第一鎖固件(例如，螺絲)71以及複數個第二鎖固件(例如，螺絲)72，其中，該第一子板12包括複數個第一連接柱13，該第二子板22包括複數個第二連接柱23，該第一鎖固件71穿過該金屬板件6以及該主機板5並鎖固連接該第一連接柱13，該第二鎖固件72穿過該金屬板件6以及該主機板5並鎖固連接該第二連接柱23。透過上述設計，可穩固的固定子板、主機板以及金屬板件。在一實施例中，該主機板5包括一金屬夾層(未顯示)，該金屬板件6透過第一鎖固件71以及第二鎖固件72熱連接 該金屬夾層，藉此增進散熱效果。在一實施例中，該散熱器3另透過扣件32連接該金屬板件6，扣件32可以為金屬，該金屬板件6可以亦熱連接該散熱器3。
在上述實施例中，連接柱可以鉚接、焊接或緊配等方式連接子板。該連接柱可預先連接子板，再被鎖固連接該金屬板件以及該主機板。或，該連接柱可預先鎖固連接該金屬板件以及該主機板，再以緊配等方式連接子板。在不同的設計中，例如，不具有金屬板的情況，連接柱亦可能被預先設於主機板之上，而鎖固件穿過子板並鎖入連接柱之中以固定子板。
參照第3圖，在第三實施例中，該記憶裝置M3為一半高式外設組件互連標準記憶卡，其中，該等第一記憶晶片11以及該等第二記憶晶片12係設於該主機板5之上。參照第4A、4B圖，在第四實施例中，該記憶裝置M4為一半高式外設組件互連標準記憶卡，相似於前述實施例，該第一記憶晶片單元1包括第一記憶晶片11以及第一子板12，該第二記憶晶片單元2包括第二記憶晶片21以及第二子板22。該主機板5包括第一連接器51、第二連接器52、第三連接器53以及第四連接器54。由於半高式外設組件互連標準記憶卡的空間有限，因此，在一實施例中，該等第一記憶晶片11在空間上均位於該第一連接器51與該第二連接器52之間。換言之，該第一連接器51與該第二連接器52連接於該第一子板12的邊緣部分。在一實施例中，基於空間的限制，該第一鎖固件71的數量可以僅為三個。
參照第5圖，其係顯示本發明第五實施例之記憶裝置M5，其中，該記憶裝置M5更包括一第一軟性電路板81以及 一第二軟性電路板82，該第一子板12透過該第一軟性電路板81連接該主機板5，該第二子板22透過該第二軟性電路板82連接該主機板5。透過軟性電路板的方式連接主機板以及子板，可以提高記憶裝置M5的可靠度。
參照第6圖，其是顯示本發明第六實施例的記憶裝置M6，其中，這些第一記憶晶片11同時設於該第一子板12以及該主機板5之上，這些第二記憶晶片21同時設於該第二子板22以及該主機板5之上。藉此，可進一步增加記憶晶片的設置數量。
在上述實施例中，全高式外設組件互連標準記憶卡係指107公釐×312公釐尺寸之外設組件互連標準記憶卡。全半式外設組件互連標準記憶卡係指106.68公釐×175.26公釐尺寸之外設組件互連標準記憶卡。然，上述揭露並未限制本發明，本發明之記憶裝置亦可以為其他形式或尺寸之記憶裝置。
雖然本發明已以具體之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此項技術者，在不脫離本發明之精神和範圍內，仍可作些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (12)

  1. 一種記憶裝置，包括：一主機板，其中，該主機板包括一金手指連接部；一主控晶片，設於該主機板之上並對應該金手指連接部；一第一記憶晶片單元，耦接該主機板，並位於該主控晶片之一側，其中，該第一記憶晶片單元包括複數個第一記憶晶片；一第二記憶晶片單元，耦接該主機板，並位於該主控晶片之另一側，其中，該第二記憶晶片單元包括複數個第二記憶晶片；以及一散熱器，熱連接該主控晶片，該散熱器位於該第一記憶晶片單元與該第二記憶晶片單元之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之記憶裝置，其中，該等第一記憶晶片的數量等於該等第二記憶晶片的數量。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之記憶裝置，其中，該等第一記憶晶片以及該等第二記憶晶片係設於該主機板之上。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之記憶裝置，其中，該第一記憶晶片單元包括一第一子板，該第二記憶晶片單元包括一第二子板，該等第一記憶晶片係設於該第一子板之上，該等第二記憶晶片係設於該第二子板之上，該第一子板以及該第二子板分別耦接該主機板。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之記憶裝置，其更包括一金屬板件，該主機板包括一第一表面以及一第二表面，該主控晶片設於該第一表面，該金屬板件被鎖固於該第二表面。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之記憶裝置，其中，該主機板包 括一金屬夾層，該金屬板件熱連接該金屬夾層。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之記憶裝置，其更包括一第一軟性電路板以及一第二軟性電路板，該第一子板透過該第一軟性電路板連接該主機板，該第二子板透過該第二軟性電路板連接該主機板。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之記憶裝置，其中，該主機板包括一第一連接器、一第二連接器、一第三連接器以及一第四連接器，該第一子板連接該第一連接器以及該第二連接器，該第二子板連接該第三連接器以及該第四連接器。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之記憶裝置，其中，該散熱器包括複數個鰭片，該等鰭片的延伸方向平行於該第一連接器、該第二連接器、該第三連接器以及該第四連接器的延伸方向。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之記憶裝置，其更包括複數個第一鎖固件以及複數個第二鎖固件，其中，該第一子板包括複數個第一連接柱，該第二子板包括複數個第二連接柱，該第一鎖固件穿過該金屬板件以及該主機板並鎖固連接該第一連接柱，該第二鎖固件穿過該金屬板件以及該主機板並鎖固連接該第二連接柱。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之記憶裝置，其中，該記憶裝置為一全高式外設組件互連標準記憶卡，該等第一記憶晶片依序包括一第一晶片列、一第二晶片列、一第三晶片列以及一第四晶片列，該第一連接器在空間上位於該第一晶片列與該第二晶片列之間，該第二連接器在空間上位於該 第三晶片列與該第四晶片列之間。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之記憶裝置，其中，該記憶裝置為一半高式外設組件互連標準記憶卡，該等第一記憶晶片在空間上均位於該第一連接器與該第二連接器之間。
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