TW201821503A - 薄膜用樹脂組成物、薄膜、附基材之薄膜、金屬／樹脂層合體、樹脂硬化物、半導體裝置、及薄膜製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明係提供使用於絕緣性及熱傳導性優異的薄膜之製作的薄膜用樹脂組成物。所提供之薄膜用樹脂組成物係包含熱硬化樹脂(A)，與六方晶氮化硼之二次凝聚粒子(B)。在此，前述六方晶氮化硼之二次凝聚粒子(B)係包含：具有7MPa以上之凝聚破壞強度的六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-1)，與具有3MPa以上、未達7MPa之凝聚破壞強度的六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-2)。

Description

薄膜用樹脂組成物、薄膜、附基材之薄膜、金屬/樹脂層合體、樹脂硬化物、半導體裝置、及薄膜製造方法

本發明係關於薄膜用樹脂組成物、薄膜、附基材之薄膜、金屬/樹脂層合體、樹脂硬化物、半導體裝置、及薄膜製造方法。

近年來，電子零件及電氣零件等之小型化及高輸出化發展。此等之散熱設計係重大技術課題之一。尤其，具有低熱傳導率之絕緣層的高熱傳導化係為重大課題。

作為絕緣層之高熱傳導化的手段，一般已知有於形成有絕緣層的樹脂中添加絕緣性之無機填充材。作為無機填充材，一般使用有氧化鋁等之金屬氧化物，及氮化鋁等之金屬氮化物。氮化硼之一次粒子一般係具有鱗片狀的形狀。因此，氮化硼之一次粒子係於平面方向具有高熱傳導率。因此，為了將朝此平面方向之高熱傳導率有效地導出，藉由使鱗片狀之一次粒子凝聚，而形成二次粒子的方式係為已知。藉由使用此二次粒子，相較於使用鱗片狀之 一次粒子的情況，可得到較高的熱傳導率(日本特開2010-157563號，日本再公表專利第2013-145961號等)。

於上述絕緣層之形成中係使用含有形成有絕緣層之樹脂材料，與絕緣性之無機填充材的樹脂組成物。但，就操作性良好程度而言，亦有採用使用樹脂組成物所製作之薄膜的情況。

一般認為，於上述薄膜用之樹脂組成物中添加氮化硼之二次粒子作為絕緣性之填充材者就熱傳導性之觀點而言為佳。但，得知以使用樹脂組成物製作之薄膜所形成的絕緣層係有無法發揮期望之熱傳導性的情況。

本發明之目的係為了解決上述之以往技術的問題點，而提供使用於絕緣性及熱傳導性優異的薄膜之製作的薄膜用樹脂組成物。

本發明者們為了達成上述目的而進行努力探討。其結果，得知由於氮化硼之二次粒子容易崩解，因此於薄膜用樹脂組成物中均勻分散時，二次粒子會崩解，因而，有使用樹脂組成物所製作之薄膜的熱傳導率降低的情況。另一方面，得知若二次粒子的破壞強度過高，則即使 將所製作的薄膜進行加壓硬化，薄膜亦不會被充分壓縮，因而，有無法得到具有高熱傳導率之硬化物的情況。

本發明係根據上述之見解而完成，提供一種薄膜用樹脂組成物，其係包含熱硬化樹脂(A)，與六方晶氮化硼之二次凝聚粒子(B)，前述六方晶氮化硼之二次凝聚粒子(B)係包含：具有7MPa以上之凝聚破壞強度的六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-1)，與具有3MPa以上、未達7MPa之凝聚破壞強度的六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-2)。

於本實施形態之薄膜用樹脂組成物中，較佳係前述六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-1)，與前述六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-2)之摻合比例(質量比)((B-1)/(B-2))為10~0.05。

本實施形態之薄膜用樹脂組成物亦可含有氧化鋁粒子(C)。

於本實施形態之薄膜用樹脂組成物中，較佳係前述氧化鋁粒子(C)，與前述六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B)之摻合比例(質量比)((C)/(B))為1以下。

本實施形態之薄膜用樹脂組成物，較佳係含有硬化劑(D)。

又，本發明係提供一種薄膜，其係藉由本實施形態之薄膜用樹脂組成物所形成。

又，本發明係提供一種附基材之薄膜，其係 具有形成於塑膠基材的至少一面之由本實施形態之薄膜用樹脂組成物所構成之層。

又，本發明係提供一種金屬/樹脂層合體，其係具有形成於金屬板或金屬箔的至少一面之由本實施形態之薄膜用樹脂組成物所構成之層。

又，本發明係提供一種樹脂硬化物，其係使本實施形態之薄膜用樹脂組成物硬化而成。

又，本發明係提供一種半導體裝置，其係使用有本實施形態之薄膜用樹脂組成物。

又，本發明係提供一種薄膜之製造方法，其係包含藉由將本實施形態之薄膜用樹脂組成物塗佈於塑膠基材、金屬板，或金屬箔的至少一面而形成薄膜。

依據本實施形態之薄膜用樹脂組成物，可形成絕緣性及熱傳導性優異的薄膜。絕緣性及熱傳導性優異之此薄膜可較佳使用作為半導體裝置等之層間接著劑。

以下，針對本實施形態詳細地進行說明。

本實施形態之薄膜用樹脂組成物係包含熱硬化樹脂(A)，與六方晶氮化硼之二次凝聚粒子(B)。針對本實施形態之薄膜用樹脂組成物的各成分係如以下記載。

(A)熱硬化樹脂

(A)成分之熱硬化樹脂並無特別限定。但，其硬化溫度，較佳為80℃以上、250℃以下，更佳為130℃以上、200℃以下。在硬化溫度為250℃以上的情況，恐有進行接著之構件變形，及薄膜中之樹脂流出而無法得到充分的接著性等之缺陷發生之虞。另一方面，在低於80℃的情況，在將薄膜進行塗佈並乾燥的步驟中硬化反應會發展。因此，恐有在將構件進行接著時無法得到充分的接著性之虞。

(A)成分之熱硬化樹脂係於分子內具有1個以上有助於硬化的官能基之化合物。藉由加熱使官能基進行反應，藉此而形成三維網狀構造。藉此，進行硬化。就硬化物特性之點而言，較佳係於1分子包含2個以上之官能基。作為(A)成分之熱硬化樹脂之例係可列舉：酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、不飽和聚酯樹脂、乙烯基酯樹脂、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、矽酮樹脂、及聚醯亞胺樹脂。其中，較佳係環氧樹脂。

作為環氧樹脂之例係可列舉：雙酚A、雙酚F、聯苯酚等之雙酚化合物及此等之衍生物(例如，伸烷基氧化物加成物)；氫化雙酚A、氫化雙酚F、氫化雙酚、環己烷二醇、環己烷二甲醇、及環己烷二乙醇等之具有脂環構造的二醇及此等之衍生物；丁二醇、己二醇、辛二醇、壬二醇、癸二醇等之脂肪族二醇及此等之衍生物；具有2個以上將茀或茀衍生物等環氧化所得之環氧丙基的 多官能性環氧樹脂；具有三羥苯基甲烷骨架或胺基酚骨架，且具有2個以上之環氧丙基之多官能性環氧樹脂；以及將酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、酚芳烷基樹脂、聯苯芳烷基樹脂、萘芳烷基樹脂等環氧化所得之多官能環氧樹脂。但，本實施形態所使用之環氧樹脂並不限定於此等之例。就高Tg化之觀點而言，較佳係具有茀骨架之環氧樹脂。又，就耐熱性之觀點而言，較佳係具有胺基酚骨架之環氧樹脂。

環氧樹脂係可為常溫下為固體之樹脂，亦可為常溫下為液狀之樹脂。亦可併用兩者。但，包含常溫下為液狀之樹脂的環氧樹脂係就薄膜成膜性之觀點而言為佳。

(A)成分之熱硬化樹脂，較佳係包含如苯氧基樹脂般之高分子成分。藉由包含高分子成分，可得到未硬化之薄膜形狀為安定，以及成膜時及硬化前之薄膜的操作成為容易等之優點。

作為(A)成分之熱硬化樹脂，在使用有苯氧基樹脂的情況，可使用雙酚A型苯氧基樹脂、雙酚F型苯氧基樹脂、及雙酚A-雙酚F共聚合型苯氧基樹脂等之各種苯氧基樹脂。

作為(A)成分之熱硬化樹脂，在使用有苯氧基樹脂的情況，該苯氧基樹脂之重量平均分子量(Mw)較佳為10,000~200,000。

作為(A)成分之熱硬化樹脂，在併用有環氧 樹脂與苯氧基樹脂的情況，兩者之摻合比例(環氧樹脂之質量)/(苯氧基樹脂之質量)，較佳為0.01~50，更佳為0.1~10，再更佳為0.2~5。

(B)六方晶氮化硼之二次凝聚粒子

六方晶氮化硼之二次凝聚粒子係在提高使用薄膜用樹脂組成物所製作之薄膜的熱傳導性之目的下添加。

於本實施形態之薄膜用樹脂組成物中，作為(B)成分之六方晶氮化硼之二次凝聚粒子係具有不同之凝聚破壞強度的2種粒子，具體而言係併用：具有7MPa以上之凝聚破壞強度的六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-1)，與具有3MPa以上、未達7MPa之凝聚破壞強度的六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-2)。

如後述之實施例所示般，在僅使用有具有7MPa以上之凝聚破壞強度的六方晶氮化硼二次凝聚粒子的情況，當將薄膜用樹脂組成物加熱加壓時，二次凝聚粒子不易崩解。因此，由於薄膜不會被充分壓縮，因此無法得到特定之熱傳導率。

另一方面，當僅使用有具有未達7MPa之凝聚破壞強度的六方晶氮化硼二次凝聚粒子時，在進行混合並分散等之塗佈液製作途中二次凝聚粒子的一部分會崩解。因此，於此情況中，亦無法得到特定之熱傳導率。

相對於此，於本實施形態之薄膜用樹脂組成物中係併用有：具有7MPa以上之凝聚破壞強度的六方晶 氮化硼二次凝聚粒子(B-1)，與具有3MPa以上、未達7MPa之凝聚破壞強度的六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-2)。藉此，在混合並分散等之塗佈液製作途中，即使具有3MPa以上、未達7MPa之凝聚破壞強度的二次凝聚粒子(B-2)之一部分崩解，具有7MPa以上之凝聚破壞強度的二次凝聚粒子(B-1)亦不易崩解，因此，於薄膜用樹脂組成物內存在充分量之凝聚粒子。並且，在進行加熱加壓時，藉由於薄膜內存在具有3MPa以上、未達7MPa之凝聚破壞強度的二次凝聚粒子(B-2)，薄膜容易被壓縮。因此，可得到特定之熱傳導率。

另外，如後述之實施例所示般，在併用有具有7MPa以上之凝聚破壞強度的六方晶氮化硼二次凝聚粒子，與具有未達3MPa之凝聚破壞強度的六方晶氮化硼二次凝聚粒子的情況，在混合並分散等之塗佈液的調製之過程中，具有未達3MPa之凝聚破壞強度的二次凝聚粒子會崩解。因此，於此情況中，亦無法得到特定之熱傳導率。

於本實施形態之薄膜用樹脂組成物中，六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-1)，與六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-2)之較佳摻合比例(質量比)((B-1)/(B-2))為10~0.05。在兩者之摻合比例(質量比)((B-1)/(B-2))大於10的情況，當將薄膜用樹脂組成物加熱加壓時，薄膜不會被充分壓縮。因此，恐有無法得到特定之熱傳導率之虞。在兩者之摻合比例(質量比)((B-1)/(B-2))低於0.05的情況，在混合並分散等 之塗佈液的調製之過程中，佔(B)成分之粒子的大部分之3MPa以上、未達7MPa之凝聚破壞強度的二次凝聚粒子(B-2)之一部分會崩解。因此，恐有無法得到特定之熱傳導率之虞。

兩者之摻合比例(質量比)((B-1)/(B-2))，較佳為1~0.1，更佳為0.7~0.2。

於本實施形態之薄膜用樹脂組成物中，較佳係以相對於薄膜用樹脂組成物之全成分的合計質量之質量%計，含有40~80質量%之(B)成分之六方晶氮化硼二次凝聚粒子。在此含量為未達40質量%的情況，由於薄膜內之熱傳導填料之量不充分，因此恐加熱加壓後有無法得到特定之熱傳導率之虞。在含量超過80質量%的情況，由於使用薄膜用樹脂組成物所製作之薄膜為脆，因此難以維持薄膜的形狀。因此，薄膜之操作成為困難。(B)成分之六方晶氮化硼二次凝聚粒子的含量，更佳為45~70質量%，再更佳為50~60質量%。

(C)氧化鋁粒子

本實施形態之薄膜用樹脂組成物亦可含有氧化鋁粒子(C)。作為(C)成分，藉由添加氧化鋁粒子，使用薄膜用樹脂組成物所製作的薄膜係具有大的比重。藉此，不僅是熱傳導率，成膜性亦提昇。作為其結果，絕緣破壞電壓亦提昇。

在本實施形態之薄膜用樹脂組成物含有氧化鋁粒子作 為(C)成分的情況，(C)成分與(B)成分之六方晶氮化硼二次凝聚粒子之摻合比例(質量比)((C)/(B))較佳為1以下。在(C)成分之氧化鋁粒子與(B)成分之摻合比例(質量比)((C)/(B))超過1的情況，恐有發生無法得到特定之熱傳導率等之缺陷之虞。上述摻合比例(質量比)((C)/(B))，更佳為0.6以下，再更佳為0.1~0.4。

在作為(C)成分而含有氧化鋁粒子的情況，其粒徑並無特別限制。但，較佳係使用具有比使用薄膜用樹脂組成物所製作之薄膜的膜厚更小之粒徑的氧化鋁粒子。在(C)成分之氧化鋁粒子的粒徑大於使用薄膜用樹脂組成物所製作的薄膜之膜厚的情況，恐有發生使用薄膜用樹脂組成物所製作之薄膜的絕緣破壞電壓降低等之缺陷之虞。

(C)成分之氧化鋁粒子，更佳係具有使用薄膜用樹脂組成物所製作的薄膜之厚度的1/2以下之粒徑。

(C)成分之氧化鋁粒子的形狀並無特別限定。可使用具有球狀、圓形、板狀、及纖維狀等之任意的形狀之氧化鋁粒子。

本實施形態之薄膜用樹脂組成物亦可進一步含有以下之成分作為任意成分。

(D)硬化劑

本實施形態之薄膜用樹脂組成物亦可含有(D)成分 作為(A)成分之熱硬化樹脂之硬化劑。在(A)成分之熱硬化樹脂為環氧樹脂的情況，作為可使用之硬化劑之(D)成分的例子係可列舉：酚系硬化劑、胺系硬化劑、咪唑系硬化劑、及酸酐系硬化劑。此等之中，咪唑系硬化劑係就對於環氧樹脂之硬化性及接著性的觀點而言為佳。

(其他成分)

於本實施形態之薄膜用樹脂組成物中，可在調整介電率、線膨脹係數、樹脂之流動性、難燃性等的目的下，添加(B)成分之六方晶氮化硼二次凝聚粒子、及(C)成分之氧化鋁粒子以外的無機填充材，例如，氧化矽、氧化鎂、氧化鋅、氫氧化鎂、氮化鋁、氮化矽、金剛石、或碳化矽等。

又，亦可添加以接著力之調整，或無機添加物之均勻分散等作為目的的矽烷化合物，或者以塗佈液之沉澱防止等作為目的的分散劑或流變控制劑等。

本實施形態之薄膜用樹脂組成物係藉由使原料溶解或分散於有機溶劑中而得到，該原料係包含上述(A)及(B)成分、因應需要而添加之(C)及(D)成分、以及其他成分。此等之原料的溶解或分散等的方法並無特別限定。但，較佳係原料在以行星式攪拌機等低速攪拌之後，以細管式之濕式分散裝置等分散。在原料係使用珠磨機或球磨機等來分散的情況時，恐有因二次凝聚粒子崩解，而無法得到特定之熱傳導率之虞。

本實施形態之薄膜係使用上述之薄膜用樹脂組成物所形成。具體而言，藉由在薄膜用樹脂組成物被塗佈於所期望之支撐體的至少一面之後，進行乾燥，而形成薄膜。支撐體之材質並無特別限定。作為如此之材質的例子，可列舉銅及鋁等之金屬板及金屬箔；及聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂等之塑膠基材等。此等之支撐體亦可以矽酮系化合物等進行脫模處理。

另外，藉由於塑膠基材之至少一面形成由本實施形態之樹脂組成物所構成的層，而可得到本實施形態之附基材之薄膜。

另一方面，藉由於金屬板或金屬箔之至少一面形成由本實施形態之樹脂組成物所構成的層，而可得到本實施形態之金屬/樹脂層合體。

將薄膜用樹脂組成物塗佈於支撐體的方法並無特別限定。但，就薄膜化及膜厚控制的點而言，較佳係微凹版印刷法、狹縫式塗佈法、或刮刀法。藉由狹縫式塗佈法，可得到厚度為例如5~500μm之薄膜。

乾燥條件係可因應於薄膜用樹脂組成物中使用的有機溶劑之種類及量、及塗佈之厚度等，而適當設定。例如，可以50~120℃，並以1~30分鐘左右進行乾燥。如此方式所得之薄膜係具有良好的保存安定性。另外，薄膜係可在所期望的時機，從支撐體剝離。

以上述程序所得之薄膜，例如，可以80℃以上、250℃以下，較佳為130℃以上、200℃以下之溫度， 進行30~180分鐘熱硬化。

以上述程序所得之薄膜的厚度，較佳為5μm以上、500μm以下。在薄膜之厚度為未達5μm的情況，恐有無法得到絕緣性等之所要求的薄膜特性之虞。若厚度超過500μm，則薄膜之熱傳導性會降低。因此，在薄膜被使用於半導體裝置等之層間接著的情況，恐有半導體裝置等之散熱性缺乏之虞。薄膜的厚度更佳為10μm以上、400μm以下，再更佳為50μm以上、300μm以下。

本實施形態之薄膜係於硬化後具有優異的熱傳導性。具體而言，本實施形態之薄膜係於硬化後具有較佳為9W/m‧K以上之熱傳導率。若熱傳導率為未達9W/m‧K，則在薄膜被使用於半導體裝置等之層間接著的情況，恐有半導體裝置等之散熱性缺乏之虞。更具體而言，本實施形態之薄膜係於硬化後具有較佳為11W/m‧K以上之熱傳導率。

本實施形態之薄膜係於硬化後具有優異的絕緣性。具體而言，本實施形態之薄膜係於硬化後具有較佳為5kV/100μm以上之絕緣破壞電壓。若絕緣破壞電壓為未達5kV/100μm，則恐有無法滿足半導體裝置等所要求的絕緣性之虞。更佳為，本實施形態之薄膜係於硬化後具有較佳為7kV/100μm以上之絕緣破壞電壓。

於本實施形態之半導體裝置的半導體裝置之構成要素之間的層間接著係使用有本實施形態之薄膜用樹脂組成物。具體而言，例如，於基板與散熱板之間的層間 接著、電子零件與基板之間的層間接著、或覆蓋電子零件的絕緣層等，使用本實施形態之薄膜用樹脂組成物。又，在包含電子零件的裝置內，使用有藉由本實施形態之薄膜用樹脂組成物所形成的薄膜、形成有由薄膜用樹脂組成物所構成的層之附基材之薄膜、或是形成有由薄膜用樹脂組成物所構成的層之金屬/樹脂層合體。

[實施例]

以下，藉由實施例，對於本實施形態詳細地進行說明。但，本實施形態並不限定於此等。

(實施例1~9、比較例1~3)

以表1所示之摻合，於行星式攪拌機中投入(A)成分之熱硬化樹脂、其他添加劑、以及作為有機溶劑之甲基乙基酮，進行30分鐘攪拌。其後，投入(B)成分之六方晶氮化硼二次凝聚粒子、及(C)成分之氧化鋁粒子，進行1小時攪拌。進而，添加(D)成分之硬化劑，進行10分鐘攪拌。將所得之混合液藉由濕式微粒化裝置(MN2-2000AR吉田機械興業股份有限公司製)進行分散，藉此可得到包含樹脂組成物之塗佈液。藉由將包含所得之樹脂組成物的塗佈液塗佈於塑膠基材(施行了脫模處理之PET薄膜)的單面，而製作厚度約100μm之薄膜。

使用於薄膜用樹脂組成物之調製時的成分係如以下所述。

(A)成分：熱硬化性樹脂

(A-1)：液狀環氧樹脂，品名630，三菱化學股份有限公司製

(A-2)：固形環氧樹脂，品名CG-500，Osaka Gas Chemicals股份有限公司製

(A-3)：苯氧基樹脂，品名YX7200，三菱化學股份有限公司製

(B)成分：六方晶氮化硼二次凝聚粒子

(B-1a)：品名FP-40(超高強度品)，Denka股份有限公司製，凝聚破壞強度8.2MPa

(B-1b)：品名FP-70(超高強度品)，Denka股份有限公司製，凝聚破壞強度7.7MPa

(B-2)：品名HP-40MF100，水島合金鐵股份有限公司製，凝聚破壞強度4.8MPa

(B')：品名FP-40(通常強度品)，Denka股份有限公司製，凝聚破壞強度1.3MPa

另外，(B)成分之六方晶氮化硼二次凝聚粒子的凝聚破壞強度係以下述所示之方法進行測定。

測定係使用微小壓縮試驗機(品名MCT-510，股份有限公司島津製作所製)。在以負荷速度0.8924mN/s使壓縮力上昇的過程，將位移大幅變化的點判斷為凝聚體破壞的試驗力。由該試驗力與粒子的大小藉由以下的式子算出粒子之凝聚破壞強度。

Cs(Pa)=2.48×P/πd²

Cs：凝聚破壞強度(Pa)

P：破壞點之試驗力(N)

d：測定到的粒子之測定徑(mm)

(D)成分：硬化劑

另外，每一品種之凝聚破壞強度係藉由對由同品種之六方晶氮化硼二次凝聚粒子隨機抽出之10個樣品的凝聚破壞強度進行測定而求出。該等10個測定值之平均值係作為該品種之凝聚破壞強度而求出。

(C)成分：氧化鋁粒子

(C-1)：品名DAW0735，Denka股份有限公司製(平均粒徑7μm)

(D)成分：硬化劑

(D-1)：品名EH-2021，咪唑系硬化劑，四國化成工業股份有限公司製

(D-2)：品名2PHZPW，咪唑系硬化劑，四國化成工業股份有限公司製

(E)成分：其他成分

(E-1)分散劑，品名ED216，楠本化成股份有限公司製

(E-2)矽烷偶合劑，品名KBM403，信越化學工業股份有限公司製

(E-3)：流變控制劑，品名BYK-401，BYK Japan股份有限公司製

以上述程序所調製及製作的塗佈液及附基材之薄膜的評估係藉由以下的方法實施。

<成膜性評估>

使用以上述程序所調製的塗佈液，以刀塗佈機，以線速度0.5m/分，將薄膜成膜。觀察藉由以90℃進行10分鐘乾燥所得到的未硬化薄膜之狀態。結果係以下述基準進行評估。

B：可完好地成膜

C：雖可成膜，但稍脆，操作時必須注意

D：無法成膜

<熱傳導率測定方法>

以使薄膜具有300~600μm之厚度的方式層合。藉由以180℃進行1小時真空加壓(加壓硬化時之壓力為5~10MPa)，而製作硬化薄膜。此薄膜之比重係以阿基米德法進行測定。將硬化薄膜切斷成10mm平方之後，使用熱傳導率測定裝置(NETZSCH Japan股份有限公司製)來測定熱擴散率。進而，使用另外求出的比熱，藉由下述式子，求出熱傳導率。

熱傳導率(W/m．K)=熱擴散率×比熱×比重

將所得到的結果以下述基準進行評估。

A：11(W/m．K)以上

B：9(W/m．K)以上

D：未達9(W/m．K)

<絕緣破壞電壓測定方法>

藉由將薄膜以180℃進行1小時真空加壓(加壓硬化時之壓力為5~10MPa)，而製作硬化薄膜。測定係使用絕緣破壞電壓測定裝置(品名DAC-WT-50，總研電機股份有限公司製)。在對夾有硬化薄膜之電極間以200V/s施加電壓的過程，測定絕緣層破壞時的電壓。另外，測定係進行5次。所得到的測定值之平均值係作為該組成物之絕緣破壞電壓而求出。

所得到的結果係藉由下述基準進行評估。

A：7(kV/100μm)以上

B：5(kV/100μm)以上、未達7(kV/100μm)

D：未達5(kV/100μm)

將結果顯示於下述表。

實施例1~9任一者皆顯示C以上之成膜性。進而，此等實施例任一者皆顯示B以上之熱傳導率及耐電壓。另外，於實施例2、3及5中，六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-1)及(B-2)之摻合比例係與實施例1不同。於實施例4中，具有7MPa以上之凝聚破壞強度的六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-1)之種類係與其他的實施例不同。於實施例6~9中係與其他的實施例不同，添加有氧化鋁粒子(C)。於僅添加有六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-1)的比較例1、僅添加有六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B- 2)的比較例2、及取代六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-2)而添加有具有未達3MPa之凝聚破壞強度的六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B')的比較例3中，任一例熱傳導率皆為D。

本發明之實施形態之薄膜用樹脂組成物亦可為以下之第1~5之薄膜用樹脂組成物。

上述第1薄膜用樹脂組成物係一種薄膜用樹脂組成物，該樹脂組成物係包含：熱硬化樹脂(A)，與六方晶氮化硼之二次凝聚粒子(B)的樹脂組成物，前述六方晶氮化硼之二次凝聚粒子(B)係包含：凝聚破壞強度為7MPa以上之六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-1)，與凝聚破壞強度為3MPa以上、未達7MPa之六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-2)。

上述第2薄膜用樹脂組成物係如上述第1薄膜用樹脂組成物，其中，前述六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-1)，與前述六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-2)之摻合比例(質量比)((B-1)/(B-2))為10~0.05。

上述第3薄膜用樹脂組成物係如上述第1或第2薄膜用樹脂組成物，其係進一步含有氧化鋁粒子(C)。

上述第4薄膜用樹脂組成物係如上述第3薄膜用樹脂組成物，其中，前述氧化鋁粒子(C)，與前述六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B)之摻合比例(質量比)((C)/(B))為1以下。

上述第5薄膜用樹脂組成物係如上述第1~4中任一 項之薄膜用樹脂組成物，其係進一步含有硬化劑(D)。

本發明之實施形態之薄膜，亦可為藉由如上述第1~5中任一項之薄膜用樹脂組成物所形成之薄膜。

本發明之實施形態之附基材之薄膜，亦可為於塑膠基材之至少一面形成有由如上述第1~5中任一項之薄膜用樹脂組成物所構成的層之附基材之薄膜。

本發明之實施形態之金屬/樹脂層合體，亦可為於金屬板或金屬箔之至少一面形成有由如上述第1~5中任一項之薄膜用樹脂組成物所構成的層之金屬/樹脂層合體。

本發明之實施形態之樹脂硬化物，亦可為使如上述第1~8中任一項之薄膜用樹脂組成物硬化而成之樹脂硬化物。

本發明之實施形態之半導體裝置，亦可為使用有如上述第1~5中任一項之薄膜用樹脂組成物之半導體裝置。

本發明之實施形態之薄膜之製造方法，亦可為藉由將如上述第1~5中任一項之薄膜用樹脂組成物，於塑膠基材，或是於金屬板或金屬箔的至少一面塗佈本發明之實施形態之薄膜用樹脂組成物而形成薄膜之薄膜之製造方法。

Claims (11)

1. 一種薄膜用樹脂組成物，其係包含熱硬化樹脂(A)，與六方晶氮化硼之二次凝聚粒子(B)，前述六方晶氮化硼之二次凝聚粒子(B)係包含：具有7MPa以上之凝聚破壞強度的六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-1)，與具有3MPa以上、未達7MPa之凝聚破壞強度的六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-2)。
2. 如請求項1之薄膜用樹脂組成物，其中，前述六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-1)，與前述六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B-2)之摻合比例(質量比)((B-1)/(B-2))為10~0.05。
3. 如請求項1或2之薄膜用樹脂組成物，其係含有氧化鋁粒子(C)。
4. 如請求項3之薄膜用樹脂組成物，其中，前述氧化鋁粒子(C)，與前述六方晶氮化硼二次凝聚粒子(B)之摻合比例(質量比)((C)/(B))為1以下。
5. 如請求項1~4中任一項之薄膜用樹脂組成物，其係含有硬化劑(D)。
6. 一種薄膜，其係藉由如請求項1~5中任一項之薄膜用樹脂組成物所形成。
7. 一種附基材之薄膜，其係具有形成於塑膠基材的至少一面之由如請求項1~5中任一項之薄膜用樹脂組成物所構成之層。
8. 一種金屬/樹脂層合體，其係具有形成於金屬板或金屬箔的至少一面之由如請求項1~5中任一項之薄膜用樹脂組成物所構成之層。
9. 一種樹脂硬化物，其係使如請求項1~5中任一項之薄膜用樹脂組成物硬化而成。
10. 一種半導體裝置，其係使用有如請求項1~5中任一項之薄膜用樹脂組成物。
11. 一種薄膜之製造方法，其係包含藉由將如請求項1~5中任一項之薄膜用樹脂組成物塗佈於塑膠基材、金屬板，或金屬箔的至少一面而形成薄膜。