TW201817864A - 樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物 - Google Patents
樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201817864A TW201817864A TW106130077A TW106130077A TW201817864A TW 201817864 A TW201817864 A TW 201817864A TW 106130077 A TW106130077 A TW 106130077A TW 106130077 A TW106130077 A TW 106130077A TW 201817864 A TW201817864 A TW 201817864A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- detergent composition
- component
- mass
- resin mask
- less
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 221
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 123
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 123
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 title abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000003599 detergent Substances 0.000 claims description 205
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 32
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 30
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 14
- -1 nitrogen-containing compound Chemical class 0.000 claims description 14
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 12
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 9
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 31
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 17
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 1-phenoxypropan-2-ol Chemical compound CC(O)COC1=CC=CC=C1 IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- CUZKCNWZBXLAJX-UHFFFAOYSA-N 2-phenylmethoxyethanol Chemical compound OCCOCC1=CC=CC=C1 CUZKCNWZBXLAJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-ol Chemical compound CC1CCC(O)CC1 MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 6
- DYUQAZSOFZSPHD-UHFFFAOYSA-N Phenylpropanol Chemical compound CCC(O)C1=CC=CC=C1 DYUQAZSOFZSPHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 238000012851 eutrophication Methods 0.000 description 5
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- VTBOTOBFGSVRMA-UHFFFAOYSA-N 1-Methylcyclohexanol Chemical compound CC1(O)CCCCC1 VTBOTOBFGSVRMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RNDNSYIPLPAXAZ-UHFFFAOYSA-N 2-Phenyl-1-propanol Chemical compound OCC(C)C1=CC=CC=C1 RNDNSYIPLPAXAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethanol Chemical compound CCCCCCOCCO UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HTSABYAWKQAHBT-UHFFFAOYSA-N 3-methylcyclohexanol Chemical compound CC1CCCC(O)C1 HTSABYAWKQAHBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 4
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 4
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 4
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 4
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LHGVFZTZFXWLCP-UHFFFAOYSA-N guaiacol Chemical compound COC1=CC=CC=C1O LHGVFZTZFXWLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229940044613 1-propanol Drugs 0.000 description 2
- 241000282994 Cervidae Species 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229960005222 phenazone Drugs 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- ODCMOZLVFHHLMY-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethoxy)hexan-2-ol Chemical compound CCCCC(O)COCCO ODCMOZLVFHHLMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZQZXSHFWDHNOW-UHFFFAOYSA-N 1-phenylpropane-1,2-diol Chemical compound CC(O)C(O)C1=CC=CC=C1 MZQZXSHFWDHNOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHJYHAOODFPJOD-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethylhexoxy)ethanol Chemical compound CCCCC(CC)COCCO OHJYHAOODFPJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCTFMNIEFHGTDU-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropyl acetate Chemical compound COCCCOC(C)=O CCTFMNIEFHGTDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHWQMXKQJVAWKI-UHFFFAOYSA-N 3-phenylpropane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)CC1=CC=CC=C1 JHWQMXKQJVAWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGYBBZZTDDEGTC-UHFFFAOYSA-N 4-ethyloctane-1,2-diol Chemical compound CCCCC(CC)CC(O)CO HGYBBZZTDDEGTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N Metaphosphoric acid Chemical compound OP(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 229940088710 antibiotic agent Drugs 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N butane-2,3-diol Chemical compound CC(O)C(C)O OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229960001867 guaiacol Drugs 0.000 description 1
- VUVZASHBYYMLRC-UHFFFAOYSA-N heptane-2,3-diol Chemical compound CCCCC(O)C(C)O VUVZASHBYYMLRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHKSXSQHXQEMOK-UHFFFAOYSA-N hexane-1,2-diol Chemical compound CCCCC(O)CO FHKSXSQHXQEMOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002688 persistence Effects 0.000 description 1
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000137 polyphosphoric acid Polymers 0.000 description 1
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002964 rayon Substances 0.000 description 1
- 238000001223 reverse osmosis Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D17/00—Detergent materials or soaps characterised by their shape or physical properties
- C11D17/08—Liquid soap, e.g. for dispensers; capsuled
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本發明提供一種樹脂遮罩去除性優異且排水處理負荷較小之樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物。 本發明係關於一種樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物,其於一態樣中,含有無機鹼(成分A)、有機溶劑(成分B)及水(成分C),成分B之漢森溶解度參數之座標在以δd=17.5、δp=5.0、δh=11.5為中心的半徑1.5 MPa0.5
之球之範圍內,使用洗淨劑組合物時之成分C之含量為85質量%以上,成分A相對於成分B之質量比(A/B)為1以上且60以下。
Description
本發明係關於一種樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物、及使用該洗淨劑組合物之樹脂遮罩之去除方法及電子零件之製造方法。
近年來,於個人電腦或各種電子裝置中,低耗電化、處理速度之高速化、小型化不斷發展,搭載於該等中之封裝基板等之配線逐年微細化。此種微細配線以及柱或凸塊等連接端子之形成迄今為止主要使用金屬遮罩法,但由於通用性較低、或難以應對配線等之微細化,故而正逐步轉換為其他新方法。 作為新方法之一,已知將乾膜抗蝕劑代替金屬遮罩用作厚膜樹脂遮罩之方法。該樹脂遮罩最終將被剝離、去除,此時使用鹼性之剝離用洗淨劑。作為此種剝離用洗淨劑,例如專利文獻1中記載有一種用於製造電路基板之樹脂遮罩層用洗淨劑組合物,其於洗淨劑組合物100質量份中含有0.5質量份以上且3.0質量份以下之四級銨氫氧化物,含有3.0質量份以上且10.0質量份以下之水溶性胺,含有0.3質量份以上且2.5質量份以下之酸或其銨鹽,含有50.0質量份以上且95.0質量份以下之水。 專利文獻2中記載有一種用以去除膜抗蝕劑之組合物,其包含:組合物之總重量之約2~55重量%之至少一種烷醇胺、至少一種𠰌啉或該等之混合物、約20~94重量%之至少一種有機溶劑、及約0.5~60重量%之水。 專利文獻3中記載有一種抗蝕劑剝離液,其用以去除製造IC(Integrated Circuit,積體電路)或LSI(Large Scale Integration,大規模積體電路)等半導體元件或液晶面板元件時之蝕刻或灰化(ashing)後所產生之殘渣物,含有(a)氟化合物、(b)分子內具有醚鍵之二元醇化合物、(c)有機酸化合物、及(d)水而成。 專利文獻4中記載有一種剝離液作為所謂抗蝕劑用顯影液,其特徵在於:其係剝離環氧樹脂系光致阻焊劑之未感光部分者,且於鹼性溶液中添加有丙烯系二醇醚之添加劑。 專利文獻5中記載有一種抗蝕劑去除用稀釋劑組合物,其特徵在於:用以將塗佈於基板上之抗蝕劑膜之緣部或形成於基板之背面之無用之膜成分之抗蝕劑去除,防止裝備之腐蝕,包含:a)無機鹼性化合物0.1至5重量%、b)有機胺0.1至5重量%、c)有機溶劑0.1至30重量%、d)以1:5至25之重量比包含陰離子系界面活性劑及非離子系界面活性劑之界面活性劑0.01至5重量%、及e)水60至99重量%。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1:日本專利特開2015-79244號公報 專利文獻2:日本專利特開2014-78009號公報 專利文獻3:日本專利特開2004-157284號公報 專利文獻4:日本專利特開平7-140676號公報 專利文獻5:日本專利特表2005-509693號公報
[發明所欲解決之問題] 於印刷基板等形成微細配線後,為了減少樹脂遮罩之殘存、及微細配線或凸塊之形成所使用之焊料或鍍覆液等所包含之助劑等之殘存,對洗淨劑組合物要求較高之洗淨性。樹脂遮罩係使用因光或電子束等而對於顯影液之溶解性等物性發生變化之抗蝕劑而形成。並且,抗蝕劑根據與光或電子束之反應方法,大致分為負型及正型。負型抗蝕劑具有若曝光則對於顯影液之溶解性降低之特性,包含負型抗蝕劑之層(以下亦稱為「負型抗蝕劑層」)於曝光及顯影處理後將曝光部用作樹脂遮罩。正型抗蝕劑具有若曝光則對於顯影液之溶解性增大之特性,包含正型抗蝕劑之層(以下亦稱為「正型抗蝕劑層」)於曝光及顯影處理後將曝光部去除,將未曝光部用作樹脂遮罩。藉由使用具有此種特性之樹脂遮罩,可形成金屬配線、金屬柱或焊料凸塊等電路基板之微細連接部。但,因形成該等連接部時所使用之鍍覆處理或加熱處理等而樹脂遮罩之特性發生變化,於以下步驟之洗淨步驟中難以去除樹脂遮罩。尤其是,由於負型抗蝕劑有因與光或電子束之反應而硬化之特性,故而使用負型抗蝕劑而形成之樹脂遮罩因形成連接部時所使用之鍍覆處理或加熱處理等而超出需要地硬化,藉由洗淨步驟無法完全去除,或者去除所耗費之時間非常長,從而給基板或金屬表面帶來損害。如此由於經鍍覆處理及/或加熱處理之樹脂遮罩難以剝離,故而對洗淨劑組合物要求較高之樹脂遮罩去除性。 另一方面,於各領域中,電子化不斷發展,印刷基板等之生產量增加。進而,由於所使用之機器或裝置之小型化、處理速度之高速化、消耗電力減少,故而有配線微細化、多層化,剝離/洗淨步驟增加,洗淨劑組合物之使用量亦增加之傾向。由於伴隨該洗淨劑組合物之使用量之增加,洗淨劑組合物或洗滌水等廢液之排水處理負荷或因廢液流入所導致之湖沼之富營養化亦增大,故而強烈需要排水處理負荷較小、不含有導致湖沼之富營養化之氮及磷且可高效率地去除樹脂遮罩之洗淨劑組合物。但,根據上述專利文獻所記載之方法,難以兼備較高之樹脂遮罩去除性及較低之排水處理負荷。 因此,本發明提供一種樹脂遮罩去除性優異且排水處理負荷較小之樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物、及使用該洗淨劑組合物之樹脂遮罩之去除方法及基板之製造方法。 [解決問題之技術手段] 本發明係關於一種樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物,其於一態樣中,含有無機鹼(成分A)、有機溶劑(成分B)及水(成分C), 成分B之漢森溶解度參數之座標在以δd=17.5、δp=5.0、δh=11.5為中心的半徑1.5 MPa0.5
之球之範圍內, 使用洗淨劑組合物時之成分C之含量為85質量%以上, 成分A相對於成分B之質量比(A/B)為1以上且60以下。 本發明係關於一種樹脂遮罩之去除方法,其於一態樣中包括利用本發明之洗淨劑組合物對附著有樹脂遮罩之被洗淨物進行洗淨的步驟。 本發明係關於一種電子零件之製造方法,其於一態樣中包括利用本發明之洗淨劑組合物對附著有樹脂遮罩之被洗淨物進行洗淨的步驟。 本發明係關於一種本發明之洗淨劑組合物之用途,其於一態樣中用於電子零件之製造。 [發明之效果] 根據本發明,可提供一種樹脂遮罩去除性優異且排水處理負荷較小之樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物。並且,藉由使用本發明之洗淨劑組合物,可以較高之產率獲得高品質之電子零件。進而,藉由使用本發明之洗淨劑組合物,可高效率地製造具有微細之配線圖案之電子零件。
本發明係基於以下見解:藉由使用含有無機鹼(成分A)、具有特定之漢森溶解度參數之有機溶劑(成分B)及水(成分C),且成分C之含量、及成分A與成分B之質量比被特定之洗淨劑組合物,即便為較低之排水處理負荷,亦可高效率地去除樹脂遮罩,尤其是經鍍覆處理及/或加熱處理之樹脂遮罩。又,基於以下見解:藉由使洗淨劑組合物中不含有含氮化合物及含磷化合物,可抑制湖沼之富營養化。 即,本發明係關於一種樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物(以下亦稱為「本發明之洗淨劑組合物」),其於一態樣中,含有無機鹼(成分A)、有機溶劑(成分B)及水(成分C),成分B之漢森溶解度參數之座標在以δd=17.5、δp=5.0、δh=11.5為中心的半徑1.5 MPa0.5
之球之範圍內,使用洗淨劑組合物時之成分C之含量為85質量%以上,成分A相對於成分B之質量比(A/B)為1以上且60以下。根據本發明,可提供一種樹脂遮罩去除性優異且排水處理負荷較小之洗淨劑組合物。因此,即便為較低之排水處理負荷,本發明之洗淨劑組合物亦可高效率地去除樹脂遮罩,尤其是經鍍覆處理及/或加熱處理之樹脂遮罩。並且,藉由使用本發明之洗淨劑組合物,可以較高之產率獲得高品質之電子零件。進而,藉由使用本發明之洗淨劑組合物,可高效率地製造具有微細之配線圖案之電子零件。 本發明之洗淨劑組合物中之效果之詳細之作用機制有不明確之部分,但推定如下。 一般而言,認為樹脂遮罩之剝離起因於洗淨劑組合物之成分滲透於樹脂遮罩使樹脂遮罩膨潤所形成之界面應力。關於本發明之洗淨劑組合物,推定藉由使成分A(無機鹼)與成分C(水)滲透於樹脂遮罩而促進調配於樹脂遮罩之鹼可溶性樹脂之解離,進而藉由引起電荷排斥而促進樹脂遮罩之剝離。此時,具有特定之漢森溶解度參數之成分B(有機溶劑)於基板表面與樹脂遮罩之間發揮作用,藉此基板-樹脂間之密接力降低,進而促進樹脂遮罩之剝離,樹脂遮罩去除性明顯提高。 又,推定本發明之洗淨劑組合物藉由以特定之質量比(A/B=1~60)含有具有特定之漢森溶解度參數之成分B,成分B與樹脂遮罩之樹脂成分之相溶性變高,於樹脂遮罩與水之界面發揮有效之剝離作用,樹脂遮罩去除性進一步提高。 進而,推定由於使用本發明之洗淨劑組合物時之成分C之水之含量高達85質量%以上,故而可減少洗淨劑組合物中之有機物含量,可抑制排水處理負荷之增大。藉此,認為可高效率地且以較高之清潔度於基板上形成微細之電路(配線圖案)。 但,本發明並不限定於該機制進行解釋。 本發明中所謂樹脂遮罩係用以保護物質表面以免受到蝕刻、鍍覆、加熱等處理之影響之遮罩,即作為保護膜發揮作用之遮罩。作為樹脂遮罩,於一個或複數個實施形態中,可列舉:曝光或顯影步驟後之抗蝕劑層、經實施曝光及顯影之至少一種處理(以下亦稱為「經曝光及/或顯影處理」)之抗蝕劑層、或經硬化之抗蝕劑層。作為形成樹脂遮罩之樹脂材料,於一個或複數個實施形態中,可列舉:膜狀之感光性樹脂或抗蝕劑膜。抗蝕劑膜可使用通用者。 [成分A:無機鹼] 本發明之洗淨劑組合物包含無機鹼(成分A)。成分A可使用一種,或併用兩種以上。 作為成分A,例如可列舉選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰、氫氧化鈣、碳酸鈉、碳酸鉀、矽酸鈉及矽酸鉀中之一種或兩種以上之組合,就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言,較佳為選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉及碳酸鉀中之一種或兩種以上之組合,更佳為氫氧化鈉及氫氧化鉀之至少一者。 使用本發明之洗淨劑組合物時之成分A之含量就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言,較佳為0.1質量%以上,更佳為0.3質量%以上,進而較佳為0.5質量%以上,進而更佳為1質量%以上,進而更佳為2質量%以上,且就提高樹脂遮罩去除性及抑制金屬腐蝕之觀點而言,較佳為15質量%以下,更佳為10質量%以下,進而較佳為7質量%以下,進而更佳為5質量%以下。於成分A包含兩種以上之無機鹼之情形時,成分A之含量係指該等之合計含量。 本發明中所謂「使用洗淨劑組合物時之各成分之含量」,係指洗淨時,即,將洗淨劑組合物用於洗淨之時點之各成分之含量。 [成分B:有機溶劑] 本發明之洗淨劑組合物包含有機溶劑(成分B)。成分B可使用一種,或併用兩種以上。 於本發明中,成分B之漢森溶解度參數之座標在以δd=17.5、δp=5.0、δh=11.5為中心的半徑1.5 MPa0.5
之球之範圍內。於本發明之洗淨劑組合物包含兩種以上之有機溶劑(以下亦稱為「混合有機溶劑」)之情形時,混合有機溶劑整體之漢森溶解度參數不在上述範圍內亦可,只要混合有機溶劑中含有至少一種具有上述範圍內之漢森溶解度參數之有機溶劑,則能夠發揮本發明之效果。 此處,所謂漢森溶解度參數(Hansen solubility parameter)(以下亦稱為「HSP」),係由Charles M. Hansen於1967年發表之用於預測物質之溶解性的值,係基於「分子間之相互作用相似之兩種物質易相互溶解」之想法的參數。HSP係由以下三個參數(單位:MPa0.5
)所構成。 δd:分子間之分散力所形成之能量 δp:分子間之偶極相互作用所形成之能量 δh:分子間之氫鍵所形成之能量 該等三個參數可視為三維空間(漢森空間)中之座標,將兩種物質之HSP置於漢森空間內時,兩點間之距離越近,表示越容易相互溶解。化學工業2010年3月號(化學工業公司)等有詳細說明,藉由使用電腦用軟體「HSPiP:Hansen Solubility Parameters in Practice」等,可獲得各種物質之漢森溶解度參數。本發明使用利用該電腦用軟體「HSPiP:Hansen Solubility Parameters in Practice」所獲得之漢森溶解度參數。 本發明中之成分B之HSP之座標亦可表現如下。即,將成分B之HSP之座標設為(δdB
、δpB
、δhB
)時,可設為該成分B之HSP之座標(δdB
、δpB
、δhB
)與成分座標X(δd=17.5、δp=5.0、δh=11.5)之距離(單位:MPa0.5
)滿足下述式。 距離=[(δdB
-17.5)2
+(δpB
-5.0)2
+(δhB
-11.5)2
]0.5
≦1.5 MPa0.5
作為成分B,只要為成分B之HSP之座標與成分座標X之距離滿足上述式之有機溶劑,則亦可並無特別限定,例如可列舉:選自丙二醇苯醚(距離:0.32 MPa0.5
)、乙二醇單苄醚(距離:1.18 MPa0.5
)、乙二醇單正己醚(距離:1.50 MPa0.5
)等二醇醚;1-甲基環己醇(距離:1.19 MPa0.5
)、3-甲基環己醇(距離:1.08 MPa0.5
)、4-甲基環己醇(距離:0.59 MPa0.5
)等單烷基醇;1-苯基-1-丙醇(距離:1.39 MPa0.5
)、2-苯基-1-丙醇(距離:1.37 MPa0.5
)等芳香族醇等中之一種或兩種以上之組合。就持久性之觀點而言,較佳為選自丙二醇苯醚、乙二醇單苄醚、乙二醇單正己醚、1-苯基-1-丙醇及2-苯基-1-丙醇中之一種或兩種以上之組合,更佳為丙二醇苯醚及乙二醇單苄醚之至少一者。就洗淨劑組合物之濃縮物之保存穩定性之觀點而言,較佳為選自乙二醇單苄醚、乙二醇單正己醚、1-甲基環己醇、2-苯基-1-丙醇及1-苯基-1-丙醇中之一種或兩種以上之組合,更佳為選自乙二醇單苄醚、2-苯基-1-丙醇及1-苯基-1-丙醇中之一種或兩種以上之組合。括弧內之數值表示成分B之HSP之座標與成分座標X之距離(單位:MPa0.5
)。於本發明中,所謂持久性,係指即便長時間使用(循環洗淨)洗淨劑組合物,亦確保良好之洗淨性。 就減少著火所導致之火災風險及持久性之觀點而言,本發明中之成分B較佳為沸點較高,例如,成分B之沸點較佳為160℃以上,更佳為250℃以上。就濃縮性之觀點而言,本發明中成分B較佳為對水之溶解度較高,例如,較佳為成分B之對於水100 mL之溶解度為0.3 g以上。 就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言,使用本發明之洗淨劑組合物時之成分B之含量較佳為0.01質量%以上,更佳為0.05質量%以上,進而較佳為0.1質量%以上,就持久性之觀點而言,進而更佳為0.2質量%以上,並且就減少排水處理負荷之觀點而言,較佳為3質量%以下,更佳為2質量%以下,進而較佳為1質量%以下,進而更佳為0.5質量%以下。於成分B包含兩種以上之有機溶劑之情形時,成分B之含量係指該等之合計含量。 本發明之洗淨劑組合物中之成分A相對於成分B之質量比(A/B)為1以上且60以下,就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言,較佳為1.1以上,更佳為1.2以上,進而較佳為1.5以上,進而更佳為2以上,進而更佳為3以上,進而更佳為5以上,進而更佳為10以上,進而更佳為15以上,並且就保存穩定性及減少排水處理負荷之觀點而言,較佳為50以下,更佳為40以下,進而較佳為30以下,進而更佳為20以下。 [成分C:水] 本發明之洗淨劑組合物包含水(成分C)。作為成分C之水,可使用離子交換水、RO水(Reverse Osmosis water,逆滲透水)、蒸餾水、純水、超純水。水之含量根據本發明之洗淨劑組合物之使用態樣適當設定即可。 使用本發明之洗淨劑組合物時之成分C之含量為85質量%以上,就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言,較佳為90質量%以上,更佳為95質量%以上,並且就相同觀點而言,較佳為99質量%以下,更佳為98質量%以下,進而較佳為97質量%以下。 [任意成分] 本發明之洗淨劑組合物除上述成分A~C以外,可視需要含有任意成分。作為任意成分,可列舉能夠用於通常之洗淨劑之成分,例如可列舉:螯合劑、增黏劑、分散劑、防銹劑、鹼性物質、界面活性劑、高分子化合物、助溶劑、抗氧化劑、防腐劑、消泡劑、抗菌劑等。使用本發明之洗淨劑組合物時之任意成分之合計含量較佳為0質量%以上且2.0質量%以下,更佳為0質量%以上且1.5質量%以下,進而較佳為0質量%以上且1.3質量%以下,進而更佳為0質量%以上且1.0質量%以下。 就減少排水處理負荷之觀點而言,本發明之洗淨劑組合物中之成分B及源自任意成分之有機物的總含量較佳為3質量%以下,更佳為2質量%以下,進而較佳為1質量%以下,進而更佳為0.5質量%以下,並且就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言,較佳為0.01質量%以上,更佳為0.05質量%以上,進而較佳為0.1質量%以上。 就減少排水處理負荷,抑制排水區域之富營養化之觀點而言,較佳為本發明之洗淨劑組合物實質上不包含含氮化合物及含磷化合物。本發明中所謂「實質上不包含」,係指本發明之洗淨劑組合物中之含氮化合物及含磷化合物之合計含量未達0.1質量%。就減少排水處理負荷,抑制排水區域之富營養化之觀點而言,本發明之洗淨劑組合物中之含氮化合物及含磷化合物之合計含量較佳為0.05質量%以下,更佳為0.01質量%以下,進而較佳為0質量%。作為含氮化合物,可列舉洗淨劑組合物先前所廣泛使用之含氮化合物,例如可列舉選自胺及其鹽、氨、以及銨鹽中之至少一種或兩種以上之組合。作為上述胺,例如可列舉:單乙醇胺、二乙醇胺等胺基醇。作為上述銨鹽,例如可列舉:氫氧化四甲基銨(TMAH)等四級銨鹽。作為含磷化合物,可列舉洗淨劑組合物先前所廣泛使用之含磷化合物,例如可列舉選自磷酸及其鹽、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸等縮合磷酸及其鹽等無機磷酸、以及有機磷酸、磷酸酯中之至少一種或兩種以上之組合。 [洗淨劑組合物之製造方法] 本發明之洗淨劑組合物可藉由使用公知之方法調配上述成分A~C及視需要之上述任意成分而製造。例如,本發明之洗淨劑組合物可設為至少調配上述成分A~C而成者。因此,本發明係關於一種包括至少調配上述成分A~C之步驟之洗淨劑組合物之製造方法。本發明中所謂「調配」,包括將成分A~C及視需要之其他成分同時或按任意順序進行混合。本發明之洗淨劑組合物之製造方法中,各成分之較佳調配量可設為與上述本發明之洗淨劑組合物之各成分之較佳含量相同。 就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言,使用本發明之洗淨劑組合物時之pH值較佳為10.0以上,更佳為10.5以上,並且就抑制金屬腐蝕之觀點而言,較佳為14以下,更佳為13.9以下,進而較佳為13.7以下。pH值為25℃下之洗淨劑組合物之pH值,例如可使用pH值計(亞電波工業股份有限公司,HM-30G)進行測定。 本發明中,pH值視需要可藉由以所需量適當調配如下物質而調整:硝酸、硫酸等無機酸;羥基羧酸、多元羧酸、胺基多羧酸、胺基酸等有機酸;及該等之金屬鹽或銨鹽、氨、胺等成分A以外之鹼性物質。 本發明之洗淨劑組合物亦可製備成於不會引起分離或析出等而損害保存穩定性之範圍內減少成分C之水之量而成之濃縮物。洗淨劑組合物之濃縮物就運輸及儲存之觀點而言,較佳為設為稀釋倍率3倍以上之濃縮物,就保存穩定性之觀點而言,較佳為設為稀釋倍率10倍以下之濃縮物。洗淨劑組合物之濃縮物可以使用時成分A~C變成上述含量(即,洗淨時之含量)之方式用水稀釋而使用。進而,洗淨劑組合物之濃縮物亦可於使用時分別添加各成分而使用。本發明中所謂濃縮液之洗淨劑組合物之「使用時」或「洗淨時」,係指洗淨劑組合物之濃縮物經稀釋後之狀態。 於本發明之洗淨劑組合物為濃縮物之情形時,就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言,洗淨劑組合物之濃縮物中之成分A之含量較佳為1質量%以上,更佳為2質量%以上,進而較佳為5質量%以上,進而更佳為10質量%以上,並且就抑制金屬腐蝕及保存穩定性之觀點而言,較佳為40質量%以下,更佳為30質量%以下,進而較佳為20質量%以下,進而更佳為10質量%以下。 於本發明之洗淨劑組合物為濃縮物之情形時,就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言,洗淨劑組合物之濃縮物中之成分B之含量較佳為0.1質量%以上,更佳為0.2質量%以上,進而較佳為0.5質量%以上,進而更佳為1質量%以上,並且就保存穩定性及減少排水處理負荷之觀點而言,較佳為10質量%以下,更佳為5質量%以下,進而較佳為2質量%以下,進而更佳為1.5質量%以下。 於本發明之洗淨劑組合物為濃縮物之情形時,就提高樹脂遮罩去除性及使洗淨劑組合物穩定化之觀點而言,洗淨劑組合物之濃縮物中之成分C之含量較佳為50質量%以上,更佳為60質量%以上,進而較佳為70質量%以上,並且就相同觀點而言,較佳為95質量%以下,更佳為90質量%以下,進而較佳為85質量%以下。 就提高稀釋後之樹脂遮罩去除性之觀點而言,本發明之洗淨劑組合物之濃縮物之pH值較佳為10.0以上,更佳為10.5以上,並且就保存時及使用時之安全性之觀點而言,較佳為14以下。 [被洗淨物] 本發明之洗淨劑組合物於一個或複數個實施形態中,能夠用於洗淨附著有樹脂遮罩之被洗淨物。作為被洗淨物,例如可列舉:電子零件及其製造中間物。作為電子零件,例如可列舉選自印刷基板、晶圓、銅板及鋁板等金屬板中之至少一種零件。上述製造中間物為電子零件之製造步驟中之中間製造物,包括樹脂遮罩處理後之中間製造物。作為附著有樹脂遮罩之被洗淨物之具體例,例如可列舉:藉由經過進行使用樹脂遮罩之焊接或鍍覆處理(鍍銅、鍍鋁、鍍鎳等)等處理之步驟,而於基板表面形成配線或連接端子等之電子零件等。 本發明之洗淨劑組合物於一個或複數個實施形態中,就洗淨效果方面而言,能夠較佳地用於洗淨附著有樹脂遮罩、或者經鍍覆處理及/或加熱處理之樹脂遮罩之被洗淨物。作為樹脂遮罩,例如可為負型樹脂遮罩,亦可為正型樹脂遮罩,就易發揮本發明之效果方面而言,較佳為負型樹脂遮罩。作為負型樹脂遮罩,例如可列舉:經曝光及/或顯影處理之負型乾膜抗蝕劑。本發明中所謂負型樹脂遮罩,係使用負型抗蝕劑而形成者,例如可列舉:經曝光及/或顯影處理之負型抗蝕劑層。本發明中所謂正型樹脂遮罩,係使用正型抗蝕劑而形成者,例如可列舉:經曝光及/或顯影處理之正型抗蝕劑層。 [樹脂遮罩去除方法] 本發明係關於一種樹脂遮罩之去除方法(以下亦稱為本發明之去除方法),其於一態樣中,包括使附著有樹脂遮罩之被洗淨物與本發明之洗淨劑組合物接觸。本發明之去除方法具有藉由本發明之洗淨劑組合物將附著有樹脂遮罩之被洗淨物洗淨的步驟。作為被洗淨物,可列舉上述被洗淨物。作為使本發明之洗淨劑組合物與被洗淨物接觸之方法、或藉由本發明之洗淨劑組合物將被洗淨物洗淨之方法,例如可列舉:藉由於裝有洗淨劑組合物之洗淨浴槽內浸漬而使兩者接觸之方法、或將洗淨劑組合物以噴霧狀射出而使兩者接觸之方法(淋浴方式)、浸漬中進行超音波照射之超音波洗淨方法等。本發明之洗淨劑組合物可不進行稀釋而直接用於洗淨。較佳為本發明之去除方法包括於使被洗淨物與洗淨劑組合物接觸後用水洗滌並進行乾燥之步驟。依據本發明之去除方法,可高效率地去除樹脂遮罩,尤其是經鍍覆處理及/或加熱處理之樹脂遮罩。就易發揮本發明之洗淨劑組合物之洗淨能力方面而言,本發明之去除方法較佳為於本發明之洗淨劑組合物與被洗淨物接觸時照射超音波,更佳為該超音波之頻率相對較高。就相同觀點而言,上述超音波之照射條件例如較佳為26~72 kHz、80~1500 W,更佳為36~72 kHz、80~1500 W。 [電子零件之製造方法] 本發明之電子零件之製造方法於一態樣中,包括藉由本發明之洗淨劑組合物將附著有樹脂遮罩之被洗淨物洗淨的步驟。作為被洗淨物,可列舉上述被洗淨物。本發明之電子零件之製造方法藉由使用本發明之洗淨劑組合物進行洗淨,可一面抑制金屬之腐蝕,一面有效地去除附著於電子零件之樹脂遮罩,故而可製造可靠性較高之電子零件。進而,藉由進行本發明之去除方法,易去除附著於電子零件之樹脂遮罩,故而可縮短洗淨時間,可提高電子零件之製造效率。 [套組] 本發明係關於一種套組,其用於本發明之去除方法及本發明之電子零件之製造方法之任一者,於未與其他成分混合之狀態下包含構成本發明之洗淨劑組合物之上述成分A~C中之至少1種成分。根據本發明之套組,可獲得樹脂遮罩去除性優異且排水處理負荷較小之洗淨劑組合物。 作為本發明之套組,例如可列舉:於未相互混合之狀態下包含含有成分A之溶液(第1液)、及含有成分B之溶液(第2液),第1液及第2液之至少一者進而含有成分C,使用時將第1液及第2液混合之套組(2液型洗淨劑組合物)。第1液及第2液之各者亦可視需要包含上述任意成分。 本發明進而關於以下之洗淨劑組合物、去除方法、製造方法。 <1>一種樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物,其含有無機鹼(成分A)、有機溶劑(成分B)及水(成分C), 成分B之漢森溶解度參數之座標在以δd=17.5、δp=5.0、δh=11.5為中心的半徑1.5 MPa0.5
之球之範圍內, 使用洗淨劑組合物時之成分C之含量為85質量%以上, 成分A相對於成分B之質量比(A/B)為1以上且60以下。 <2>如<1>所記載之洗淨劑組合物,其中成分B為選自丙二醇苯醚、乙二醇單苄醚、乙二醇單正己醚、1-甲基環己醇、3-甲基環己醇、4-甲基環己醇、1-苯基-1-丙醇及2-苯基-1-丙醇中之一種或兩種以上之組合。 <3>如<1>或<2>所記載之洗淨劑組合物,其中使用洗淨劑組合物時之成分A之含量為0.1質量%以上且15質量%以下, 使用洗淨劑組合物時之成分B之含量為0.01質量%以上且3質量%以下。 <4>如<1>至<3>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中使用洗淨劑組合物時之成分A之含量較佳為0.1質量%以上,更佳為0.3質量%以上,進而較佳為0.5質量%以上,進而更佳為1質量%以上,進而更佳為2質量%以上。 <5>如<1>至<4>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中使用洗淨劑組合物時之成分A之含量較佳為15質量%以下,更佳為10質量%以下,進而較佳為7質量%以下,進而更佳為5質量%以下。 <6>如<1>至<5>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中成分B之沸點較佳為160℃以上,更佳為250℃以上。 <7>如<1>至<6>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中成分B之對於水100 mL之溶解度為0.3 g以上。 <8>如<1>至<7>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中使用洗淨劑組合物時之成分B之含量較佳為0.01質量%以上,更佳為0.05質量%以上,進而較佳為0.1質量%以上,進而更佳為0.2質量%以上。 <9>如<1>至<8>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中使用洗淨劑組合物時之成分B之含量較佳為3質量%以下,更佳為2質量%以下,進而較佳為1質量%以下,進而更佳為0.5質量%以下。 <10>如<1>至<9>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中洗淨劑組合物中之成分A相對於成分B之質量比(A/B)為1以上且60以下,較佳為1.1以上,更佳為1.2以上,進而較佳為1.5以上,進而更佳為2以上,進而更佳為3以上,進而更佳為5以上,進而更佳為10以上,進而更佳為15以上。 <11>如<1>至<10>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中洗淨劑組合物中之成分A相對於成分B之質量比(A/B)較佳為50以下,更佳為40以下,進而較佳為30以下,進而更佳為20以下。 <12>如<1>至<11>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中使用洗淨劑組合物時之成分C之含量較佳為90質量%以上,更佳為95質量%以上。 <13>如<1>至<12>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中使用洗淨劑組合物時之成分C之含量較佳為99質量%以下,更佳為98質量%以下,進而較佳為97質量%以下。 <14>如<1>至<13>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中使用洗淨劑組合物時之任意成分之合計含量較佳為0質量%以上且2.0質量%以下,更佳為0質量%以上且1.5質量%以下,進而較佳為0質量%以上且1.3質量%以下,進而更佳為0質量%以上且1.0質量%以下。 <15>如<1>至<14>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中洗淨劑組合物中之有機物之總含量較佳為3質量%以下,更佳為2質量%以下,進而較佳為1質量%以下,進而更佳為0.5質量%以下。 <16>如<1>至<15>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中洗淨劑組合物中之有機物之總含量較佳為0.01質量%以上,更佳為0.05質量%以上,進而較佳為0.1質量%以上。 <17>如<1>至<16>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其實質上不包含含氮化合物及含磷化合物。 <18>如<1>至<17>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中洗淨劑組合物中之含氮化合物及含磷化合物之合計含量未達0.1質量%,較佳為0.05質量%以下,更佳為0.01質量%以下,進而較佳為0質量%。 <19>如<1>至<18>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中使用洗淨劑組合物時之pH值較佳為10.0以上,更佳為10.5以上。 <20>如<1>至<19>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中使用洗淨劑組合物時之pH值較佳為14以下,更佳為13.9以下,進而較佳為13.7以下。 <21>如<1>至<20>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中於洗淨劑組合物為濃縮物之情形時,洗淨劑組合物之濃縮物中之成分A之含量較佳為1質量%以上,更佳為2質量%以上,進而較佳為5質量%以上,進而更佳為10質量%以上。 <22>如<1>至<21>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中於洗淨劑組合物為濃縮物之情形時,洗淨劑組合物之濃縮物中之成分A之含量較佳為40質量%以下,更佳為30質量%以下,進而較佳為20質量%以下,進而更佳為10質量%以下。 <23>如<1>至<22>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中於洗淨劑組合物為濃縮物之情形時,洗淨劑組合物之濃縮物中之成分B之含量較佳為0.1質量%以上,更佳為0.2質量%以上,進而較佳為0.5質量%以上,進而更佳為1質量%以上。 <24>如<1>至<23>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中於洗淨劑組合物為濃縮物之情形時,洗淨劑組合物之濃縮物中之成分B之含量較佳為10質量%以下,更佳為5質量%以下,進而較佳為2質量%以下,進而更佳為1.5質量%以下。 <25>如<1>至<24>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中於洗淨劑組合物為濃縮物之情形時,洗淨劑組合物之濃縮物中之成分C之含量較佳為50質量%以上,更佳為60質量%以上,進而較佳為70質量%以上。 <26>如<1>至<25>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中於洗淨劑組合物為濃縮物之情形時,洗淨劑組合物之濃縮物中之成分C之含量較佳為95質量%以下,更佳為90質量%以下,進而較佳為85質量%以下。 <27>如<1>至<26>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中於洗淨劑組合物為濃縮物之情形時,洗淨劑組合物之濃縮物之pH值較佳為10.0以上,更佳為10.5以上。 <28>如<1>至<27>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中於洗淨劑組合物為濃縮物之情形時,洗淨劑組合物之濃縮物之pH值較佳為14以下。 <29>如<1>至<28>中任一項所記載之洗淨劑組合物,其中樹脂遮罩為經實施曝光及顯影之至少一種處理之負型乾膜抗蝕劑。 <30>一種樹脂遮罩之去除方法,其包括:藉由如<1>至<29>中任一項所記載之洗淨劑組合物將附著有樹脂遮罩之被洗淨物洗淨之步驟。 <31>如<30>所記載之去除方法,其中被洗淨物為電子零件之製造中間物。 <32>一種電子零件之製造方法,其包括:藉由如<1>或<29>中任一項所記載之洗淨劑組合物將附著有樹脂遮罩之被洗淨物洗淨之步驟。 <33>一種如<1>至<29>中任一項所記載之洗淨劑組合物之用途,其用於電子零件之製造。 <34>一種套組,其用於如<30>或<31>之去除方法及如<32>所記載之電子零件之製造方法中任一者,於未與其他成分混合之狀態下包含構成如<1>至<29>中任一項所記載之洗淨劑組合物之成分A~C中之至少1種成分。 <35>如<34>所記載之套組,其於未相互混合之狀態下包含含有成分A之溶液(第1液)、及含有成分B之溶液(第2液),第1液及第2液之至少一者進而含有成分C,使用時將第1液及第2液混合。 <36>一種如<1>至<29>中任一項所記載之洗淨劑組合物之用途,其用於自被洗淨物將樹脂遮罩去除。 <37>一種如<1>至<29>中任一項所記載之洗淨劑組合物之用途,其用於洗淨電子零件。 [實施例] 以下藉由實施例對本發明進行具體說明,但本發明並未受該等實施例任何限定。 1.溶劑(成分B)之物性(HSP之座標及距離) 各溶劑B1~20之HSP之座標(δd1
、δp1
、δh1
)係利用電腦用軟體「HSPiP:Hansen Solubility Parameters in Practice」而算出。並且,利用下述式算出成分B之HSP之座標(δd1
、δp1
、δh1
)與成分座標X(δd=17.5、δp=5.0、δh=11.5)之距離。將算出結果示於表1。 距離=[(δd1
-17.5)2
+(δp1
-5.0)2
+(δh1
-11.5)2
]0.5
[表1]
2.洗淨劑組合物之製備(實施例1~29及比較例1~22) [實施例1~26及比較例1~19之洗淨劑組合物之製備] 於500 mL玻璃燒杯中,以有效成分換算計添加氫氧化鈉(成分A)17.5 g、丙二醇苯醚(成分B)1.0 g及水(成分C)481.5 g,進行攪拌使其等均勻混合,藉此製備實施例1之洗淨劑組合物。並且,藉由與實施例1相同之方法,以成為表2-1、表2-2及表3所示之有效成分之組成比製備實施例2~26及比較例1~19之洗淨劑組合物。將各洗淨劑組合物之各成分之含量(質量%)及質量比A/B示於表2-1、表2-2及表3。表2-1及表2-2中,作為混合有機溶劑之HSP之距離係使用「HSPiP:Hansen Solubility Parameters in Practice」之混合有機溶劑之HSP算出功能而算出。 [實施例27~29及比較例20~22之洗淨劑組合物] 於10 L不鏽鋼燒杯中,以有效成分換算計添加氫氧化鈉(成分A)175 g、丙二醇苯醚(成分B)10 g及水(成分C)4815 g,進行攪拌使其等均勻混合,藉此製備實施例27之洗淨劑組合物。並且,藉由與實施例27相同之方法,以成為表4所示之有效成分之組成比製備實施例28~29及比較例20~22之洗淨劑組合物。將各洗淨劑組合物之各成分之含量(質量%)示於表4。 作為實施例1~29及比較例1~22之洗淨劑組合物之成分,使用下述者。 ・氫氧化鈉(成分A)(關東化學股份有限公司製造,鹿特級,固形物成分48質量%) ・氫氧化鉀(成分A)(關東化學股份有限公司製造,鹿特級,固形物成分48質量%) ・氫氧化四甲基銨(非成分A)(昭和電工股份有限公司製造,TMAH(25%)) ・丙二醇苯醚(成分B)(日本乳化劑股份有限公司製造,苯基丙二醇(PhFG)) ・1-甲基環己醇(成分B)(東京化成工業股份有限公司製造) ・3-甲基環己醇(成分B)(Merck股份有限公司製造) ・4-甲基環己醇(成分B)(東京化成工業股份有限公司製造) ・乙二醇單苄醚(成分B)(日本乳化劑股份有限公司製造,苄基乙二醇(BzG)) ・1-苯基-1-丙醇(成分B)(東京化成工業股份有限公司製造) ・2-苯基-1-丙醇(成分B)(東京化成工業股份有限公司製造) ・乙二醇單正己醚(成分B)(日本乳化劑股份有限公司製造,己基乙二醇(HeG)) ・乙二醇單丁醚(非成分B)(日本乳化劑股份有限公司製造,丁基乙二醇(BG)) ・乙二醇單2-乙基己醚(非成分B)(日本乳化劑股份有限公司製造,2-乙基己基乙二醇(EHG)) ・鄰甲氧基苯酚(非成分B)(東京化成工業股份有限公司製造,愈創木酚) ・環己醇(非成分B)(和光純藥工業股份有限公司製造) ・二乙二醇單丁醚(非成分B)(日本乳化劑股份有限公司製造,丁基二乙二醇(BDG)) ・苄醇(非成分B)(Lanxess股份有限公司製造) ・2-苯氧基乙醇(非成分B)(東京化成工業股份有限公司製造) ・丙二醇單丁醚(非成分B)(日本乳化劑股份有限公司製造,丁基丙二醇(BFG)) ・單乙醇胺(非成分B)(日本觸媒股份有限公司製造) ・丙二醇單甲醚(非成分B)(日本乳化劑股份有限公司製造,甲基丙二醇(MFG)) ・丙二醇單甲醚乙酸酯(非成分B)(日本乳化劑股份有限公司製造,甲基丙二醇乙酸酯(MFG-AC)) ・二甲基亞碸(非成分B)(Nacalai Tesque股份有限公司製造) ・水(成分C)(藉由Organo股份有限公司製造之純水裝置G-10DSTSET所製造之1 μS/cm以下之純水) 3.洗淨劑組合物之評價 對所製備之實施例1~29及比較例1~22之洗淨劑組合物的樹脂遮罩去除性進行評價。 [試樣之製作] 將直接成像(直接刻寫)用感光性膜(日立化成股份有限公司製造,Photec RD-1215,負型乾膜抗蝕劑)於下述條件下層壓於玻璃環氧多層基板(日立化成股份有限公司製造,MCL-E-679FG)之表面,選擇性地進行曝光處理並使曝光部硬化後(曝光步驟),藉由顯影處理去除未曝光部(顯影步驟),獲得具有抗蝕圖案(下述3種圖案形狀之負型樹脂遮罩)之基板。並且,對藉由上述顯影處理去除未曝光部所得之區域進行鍍銅處理,藉此獲得試樣(4 cm×4.5 cm)。 (1)層壓:使用清潔輥(Rayon Industries股份有限公司製造,RY-505Z)及真空敷料器(Rohm and Haas公司製造,VA7024/HP5),於輥溫度50℃、輥壓1.4 Bar、處理時間30秒之條件下進行。 (2)曝光:使用印刷基板用直接刻寫裝置(SCREEN Graphic and Precision Solutions股份有限公司製造,Mercurex LI-9500),以曝光量15 mJ/cm2
進行曝光。 (3)圖案形狀:下述3種圖案 ・實心:具有30 μm×30 μm以上之面積之部分 ・條紋狀圖案1:線寬度L與線間隔S之比(L/S)=20 μm/20 μm之條紋狀圖案 ・條紋狀圖案2:L/S=15 μm/15 μm之條紋狀圖案 (4)顯影:使用基板用顯影裝置(揚博科技股份有限公司製造,LT-980366)、30℃之1%碳酸鈉水溶液,於噴霧壓0.2 MPa、47秒之條件下將未曝光部之樹脂遮罩去除。 [洗淨試驗1(浸漬洗淨)](實施例1~26及比較例1~19) 向100 mL玻璃燒杯中添加實施例1~26及比較例1~19之各洗淨劑組合物100 g並加熱至60℃,於使用轉子(氟樹脂(PTFE),f 8 mm×25 mm)以轉數400 rpm攪拌後之狀態下,將試樣浸漬3分鐘。然後,浸漬於向100 mL玻璃燒杯中添加水100 g而形成之沖洗槽中並沖洗後,自然乾燥。進而,對實施例18~26及比較例17~19之洗淨劑組合物進行將浸漬時間設為3分鐘、6分鐘、25分鐘、30分鐘之洗淨試驗。 [洗淨試驗2(噴霧洗淨)](實施例27~29及比較例20~22) 向10 L不鏽鋼燒杯中添加實施例27~29及比較例20~22之各洗淨劑組合物10 kg並加熱至60℃,使用安裝有一流體噴嘴(實心圓錐)JJXP030(IKEUCHI股份有限公司製造)作為噴霧嘴之箱型噴霧洗淨機,一面以流量3 L/min循環,一面對試樣噴霧3分鐘(壓力:0.2 MPa,噴霧距離:8 cm)。然後,浸漬於向100 mL玻璃燒杯中添加水100 g而形成之沖洗槽中並沖洗後,使用氮吹儀進行乾燥。 [樹脂遮罩去除性評價1](實施例1~17、27~29及比較例1~16、20~22) 對使用實施例1~17、27~29及比較例1~16、20~22之洗淨劑組合物洗淨後之試樣之樹脂遮罩去除性以下述條件進行評價。 使用光學顯微鏡「數位顯微鏡VHX-2000」(Keyence股份有限公司製造),擴大300倍以目視確認乾燥後之試樣之各部位有無殘存之樹脂遮罩,對樹脂遮罩去除性進行評價。可完全去除之情形設為「1」,少量殘存之情形設為「2」,將結果示於表2-1、表2-2及表4。 於表2-1、表2-2及表4中,所謂「實心之剝離性」,表示抗蝕圖案為實心之情形時之樹脂遮罩之剝離性,「條紋狀圖案1之剝離性」表示抗蝕圖案為條紋狀圖案1(L/S=20 μm/20 μm)之情形時之樹脂遮罩之剝離性,「條紋狀圖案2之剝離性」表示抗蝕圖案為條紋狀圖案2(L/S=15 μm/15 μm)之情形時之剝離性。 [樹脂遮罩去除性評價2](實施例1、4、8、18~26及比較例17~19) 對使用實施例1、4、8、18~26及比較例17~19之洗淨劑組合物洗淨後之試樣之樹脂遮罩去除性以下述條件進行評價。 使用光學顯微鏡「數位顯微鏡VHX-2000」(Keyence股份有限公司製造),擴大300倍以目視確認乾燥後之試樣之各部位有無殘存之樹脂遮罩,對樹脂遮罩去除性進行評價。如下述般對完全剝離樹脂遮罩所需之於洗淨劑組合物中之浸漬時間的最短時間進行評價,將結果示於表3。浸漬時間越短,表示樹脂遮罩去除性越高。 表3中,所謂「實心之剝離性」,表示抗蝕圖案為實心之情形時之樹脂遮罩之剝離性,「條紋狀圖案1之剝離性」表示抗蝕圖案為條紋狀圖案1(L/S=20 μm/20 μm)之情形時之樹脂遮罩之剝離性,「條紋狀圖案2之剝離性」表示抗蝕圖案為條紋狀圖案2(L/S=15 μm/15 μm)之情形時之剝離性。 <評價基準> 1:浸漬時間為3分鐘時達成完全剝離 2:浸漬時間為6分鐘時達成完全剝離 3:浸漬時間為25分鐘時達成完全剝離 4:即便浸漬時間為30分鐘仍殘留有剝離 [持久性評價](實施例1、3及4) 向300 mL玻璃燒杯中加入實施例1、3及4之各洗淨液組合物300 g,於60℃之水浴中進行保溫,使用轉子(氟樹脂(PTFE),f 8 mm×40 mm)以轉數300 rpm進行攪拌。藉由添加水而補充因蒸發而降低之液量,使用平沼總有機碳測定裝置TOC-2000(平沼產業股份有限公司製造)對5小時後之各洗淨劑組合物之總有機碳(TOC)進行測定,藉由下述式算出TOC之變化。殘存有機碳率越接近100%,則可評價為有效成分(成分B)之變化越少而持久性越佳。此處,所謂「有效成分之變化」,係指洗淨劑組合物之長時間使用中成分B發生飛散、揮發或蒸發,由此導致洗淨劑組合物中之成分B之含量減少。 殘存有機碳率(%)=試驗後之TOC÷試驗前之TOC×100 [濃縮性評價](實施例1~8) 向實施例1~8之各洗淨劑組合物之除水以外之成分添加水,以目視測定直至無渾濁或析出物而變得均勻透明為止之濃縮倍率。測定係自10倍濃縮開始。 <濃縮倍率之測定方法> 向100 mL燒杯(測定空重)中添加48%NaOH(7.29 g=有效成分3.50 g)及各溶劑(0.20 g),並向其中添加水直至變得均勻透明,測定重量(最終重量),算出濃縮倍率。 濃縮倍率=100÷(最終重量-燒杯空重) [表2-1]
[表2-2]
[表3]
[表4]
如上述表2-1、表2-2、表3及表4所示,實施例1~29之洗淨劑組合物與不包含特定之溶劑(成分B)之比較例1~16、及不包含無機鹼(成分A)之比較例17~22相比,可高效率地去除經鍍覆處理之樹脂遮罩。即,實施例1~29之洗淨劑組合物與比較例1~22相比,樹脂遮罩去除性優異。 [產業上之可利用性] 藉由使用本發明,可不增加排水處理負荷而高效率地去除樹脂遮罩。因此,本發明之洗淨劑組合物可用作電子零件之製造步驟中所使用之洗淨劑組合物,可縮短附著有樹脂遮罩之電子零件之洗淨步驟及提高所製造之電子零件之性能、可靠性,而可提高半導體裝置之生產性。
Claims (14)
- 一種樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物,其含有無機鹼(成分A)、有機溶劑(成分B)及水(成分C), 成分B之漢森溶解度參數之座標在以δd=17.5、δp=5.0、δh=11.5為中心的半徑1.5 MPa0.5 之球之範圍內, 使用洗淨劑組合物時之成分C之含量為85質量%以上, 成分A相對於成分B之質量比(A/B)為1以上且60以下。
- 如請求項1之洗淨劑組合物,其中使用洗淨劑組合物時之成分A之含量為0.1質量%以上且15質量%以下, 使用洗淨劑組合物時之成分B之含量為0.01質量%以上且3質量%以下。
- 如請求項1或2之洗淨劑組合物,其中成分B之沸點為160℃以上。
- 如請求項1或2之洗淨劑組合物,其中成分B之對於25℃之水100 mL之溶解度為0.3 g以上。
- 如請求項1或2之洗淨劑組合物,其中洗淨劑組合物中之有機物之總含量為3質量%以下。
- 如請求項1或2之洗淨劑組合物,其實質上不包含含氮化合物及含磷化合物。
- 如請求項1或2之洗淨劑組合物,其中樹脂遮罩為經實施曝光及顯影之至少一種處理之負型乾膜抗蝕劑。
- 一種樹脂遮罩之去除方法,其包括:藉由如請求項1至7中任一項之洗淨劑組合物將附著有樹脂遮罩之被洗淨物洗淨的步驟。
- 如請求項8之去除方法,其中被洗淨物為電子零件之製造中間物。
- 一種電子零件之製造方法,其包括:藉由如請求項1至7中任一項之洗淨劑組合物將附著有樹脂遮罩之被洗淨物洗淨的步驟。
- 一種如請求項1至7中任一項之洗淨劑組合物之用途,其用於電子零件之製造。
- 一種套組,其用於如請求項8或9之去除方法及如請求項10之電子零件之製造方法中任一者, 於未與其他成分混合之狀態下包含構成如請求項1至7中任一項之洗淨劑組合物之成分A~C中之至少1種成分。
- 一種如請求項1至7中任一項之洗淨劑組合物之用途,其用於自被洗淨物將樹脂遮罩去除。
- 一種如請求項1至7中任一項之洗淨劑組合物之用途,其用於洗淨電子零件。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016176651A JP6860276B2 (ja) | 2016-09-09 | 2016-09-09 | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
JP??2016-176651 | 2016-09-09 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201817864A true TW201817864A (zh) | 2018-05-16 |
Family
ID=61562305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106130077A TW201817864A (zh) | 2016-09-09 | 2017-09-04 | 樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6860276B2 (zh) |
KR (1) | KR102455657B1 (zh) |
CN (1) | CN109791377B (zh) |
TW (1) | TW201817864A (zh) |
WO (1) | WO2018047631A1 (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111448521A (zh) * | 2017-12-07 | 2020-07-24 | 株式会社杰希优 | 抗蚀剂的剥离液 |
JP7020905B2 (ja) * | 2017-12-27 | 2022-02-16 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
US12091040B2 (en) | 2018-03-07 | 2024-09-17 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Vehicle cleaner system |
KR20210021576A (ko) * | 2018-07-27 | 2021-02-26 | 카오카부시키가이샤 | 수지 마스크 박리용 세정제 조성물 |
JP7291704B2 (ja) * | 2018-07-27 | 2023-06-15 | 花王株式会社 | 洗浄方法 |
TW202235605A (zh) * | 2020-11-17 | 2022-09-16 | 日商東京應化工業股份有限公司 | 膜洗淨液及膜之洗淨方法 |
JP2022087052A (ja) * | 2020-11-30 | 2022-06-09 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
KR20240024847A (ko) * | 2021-06-24 | 2024-02-26 | 니치유 가부시키가이샤 | 회로 기판용 수지막의 박리제 및 회로 기판의 제조 방법 |
JP7290194B1 (ja) | 2022-10-19 | 2023-06-13 | Jsr株式会社 | 半導体処理用組成物及び処理方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0212254A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Mitsubishi Kasei Corp | 現像液組成物 |
JPH07140676A (ja) | 1993-11-16 | 1995-06-02 | Ibiden Co Ltd | エポキシ樹脂系フォトソルダーレジストの剥離液 |
KR100646793B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2006-11-17 | 삼성전자주식회사 | 씬너 조성물 |
EP1335016A1 (en) * | 2002-02-06 | 2003-08-13 | Shipley Company LLC | Cleaning composition |
US7098181B2 (en) * | 2002-05-22 | 2006-08-29 | Kao Corporation | Liquid detergent composition |
JP4104387B2 (ja) * | 2002-07-08 | 2008-06-18 | 花王株式会社 | 剥離剤組成物 |
JP2004157284A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト剥離液 |
JP4202859B2 (ja) * | 2003-08-05 | 2008-12-24 | 花王株式会社 | レジスト用剥離剤組成物 |
US8058219B2 (en) * | 2005-10-13 | 2011-11-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metals compatible post-etch photoresist remover and/or sacrificial antireflective coating etchant |
WO2007111694A2 (en) * | 2005-11-09 | 2007-10-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon |
JP2008214545A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Lion Corp | 液体洗浄剤組成物 |
JP5705969B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2015-04-22 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版の製版方法 |
US20140100151A1 (en) | 2012-10-08 | 2014-04-10 | Air Products And Chemicals Inc. | Stripping and Cleaning Compositions for Removal of Thick Film Resist |
FR3000235B1 (fr) * | 2012-12-21 | 2016-06-24 | Arkema France | Procede de fabrication de masques nanolithographiques |
SG11201509933QA (en) * | 2013-06-06 | 2016-01-28 | Advanced Tech Materials | Compositions and methods for selectively etching titanium nitride |
US10428271B2 (en) * | 2013-08-30 | 2019-10-01 | Entegris, Inc. | Compositions and methods for selectively etching titanium nitride |
JP6412377B2 (ja) | 2013-09-11 | 2018-10-24 | 花王株式会社 | 樹脂マスク層用洗浄剤組成物及び回路基板の製造方法 |
-
2016
- 2016-09-09 JP JP2016176651A patent/JP6860276B2/ja active Active
-
2017
- 2017-08-24 KR KR1020197006640A patent/KR102455657B1/ko active IP Right Grant
- 2017-08-24 WO PCT/JP2017/030352 patent/WO2018047631A1/ja active Application Filing
- 2017-08-24 CN CN201780054413.XA patent/CN109791377B/zh active Active
- 2017-09-04 TW TW106130077A patent/TW201817864A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102455657B1 (ko) | 2022-10-17 |
JP6860276B2 (ja) | 2021-04-14 |
WO2018047631A1 (ja) | 2018-03-15 |
JP2018041033A (ja) | 2018-03-15 |
KR20190051965A (ko) | 2019-05-15 |
CN109791377B (zh) | 2023-03-28 |
CN109791377A (zh) | 2019-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201817864A (zh) | 樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物 | |
TWI796397B (zh) | 樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物 | |
JP7291704B2 (ja) | 洗浄方法 | |
JP6670100B2 (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 | |
JP7132214B2 (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 | |
JP2019112498A (ja) | 樹脂マスク剥離洗浄方法 | |
JP7020905B2 (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 | |
TW202215172A (zh) | 基板之洗淨方法 | |
JP6824719B2 (ja) | ネガ型樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 | |
JP7490834B2 (ja) | 樹脂マスクの剥離方法 | |
JP7420664B2 (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 | |
KR20240144110A (ko) | 수지 마스크의 박리 방법 | |
TW202231863A (zh) | 樹脂遮罩層剝離用洗淨劑組合物 | |
JP2024085216A (ja) | 洗浄方法 | |
JP2022043812A (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 | |
JP2023097933A (ja) | 樹脂マスクの剥離方法 | |
JP2023097928A (ja) | 樹脂マスクの剥離方法 | |
JP2024049897A (ja) | 洗浄方法 |