TW201814382A - 畫素結構 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種畫素結構，其包括掃描線、訊號線以及第一畫素。第一畫素包括開關元件以及畫素電極。開關元件的閘極電性連接於掃描線。畫素電極電性連接於開關元件，其中畫素電極包括複數個狹縫。訊號線包含第一部分以及第二部分，第一部分與畫素電極重疊設置，第二部分與掃描線重疊設置，而訊號線的第一部分至少包含一彎折部分，彎折部分沿狹縫的方向設置，且畫素電極覆蓋訊號線的彎折部分的邊緣。

Description

畫素結構
本發明係關於一種畫素結構，尤指一種具有沿畫素電極之狹縫方向設置之訊號線的畫素結構。
近年來，隨著使用者對顯示器的需求日漸提升而發展出大尺寸曲面電視，其透過固定曲率以提供觀看者更佳的觀看視角，其中觀看者能以較小的視角觀看畫面全景，並且可進一步透過影像處理以提供具有較佳景深的視覺效果。
然而，一般的曲面顯示器具有相同大小的上基板與下基板，且上基板與下基板之間具有一定的厚度，因此上基板與下基板無法以相同曲率進行彎曲，造成曲面顯示器內用以遮光的黑色矩陣(Black Matrix)發生錯位並造成漏光，進而造成畫面的亮度不均。一般而言，曲面顯示器之資料線之延伸方向大體上係與曲面顯示器彎曲的方向垂直，因此平行於資料線延伸方向的部分黑色矩陣發生錯位的情形較為嚴重，故已發展出將該部分的黑色矩陣移除的設計，而在陣列基板上以金屬遮蔽層取代該部分的黑色矩陣，並將資料線移入開口區，避免資料線與金屬遮蔽層重疊，同時藉由畫素電極將資料線的電壓訊號屏蔽住。然而，在一般的顯示器中之畫素電極具有狹縫(Slit)，其中資料線的延伸方向通常係與狹縫的方向交錯且不平行，因此電場會從狹縫竄出而影響周圍液晶的導向，進而衍伸出串音(crosstalk)問題。
本發明之目的之一在於提供一種具有沿畫素電極之狹縫方向設置之訊號線的畫素結構。
本發明之一實施例提供一種畫素結構，設置於基板上，其中畫素結構包括掃描線、訊號線以及第一畫素。掃描線沿著第一方向延伸設於基板上，而訊號線沿著第二方向延伸設置於基板上，其中第一方向與第二方向相交。第一畫素包括開關元件以及畫素電極。開關元件的閘極電性連接於掃描線。畫素電極電性連接於開關元件，其中畫素電極包括複數個狹縫。訊號線包含第一部分以及第二部分，訊號線的第一部分與畫素電極重疊設置，訊號線的第二部分與掃描線重疊設置，而訊號線的第一部分至少包含一彎折部分，訊號線的彎折部分沿狹縫的方向設置，且畫素電極覆蓋訊號線的彎折部分的邊緣。
為使熟悉本發明所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本發明，下文特列舉本發明之較佳實施例，並配合所附圖式，詳細說明本發明的構成內容及所欲達成之功效。
請參考第1A圖至第3圖，第1A圖繪示了本發明顯示面板的剖面示意圖，第1B圖繪示了第1A圖本發明顯示面板及其畫素結構之第一實施例的元件連接示意圖，第1C圖繪示了第1A圖顯示面板彎曲成曲面的剖面示意圖，第2圖繪示了本發明畫素結構之第一實施例的局部放大示意圖，以及第3圖係沿第2圖之剖線A-A’繪示之畫素結構的剖視圖。如第1A圖與第1B圖所示，本實施例介紹可作為曲面顯示面板的顯示面板10，在未彎曲情況下，其剖面示意圖如第1A圖所示。顯示面板10包含基板100、基板120與設置於基板100、120之間的顯示介質層130。本實施例係以顯示面板10為液晶顯示面板為例，而顯示介質層130為液晶層，但不以此為限。顯示面板10也可為其他類型之平面顯示面板或可製作成曲面面板的各種顯示面板，例如有機發光顯示面板，但不以此為限。在本實施例中，基板100為陣列基板，其上設置有呈陣列排列的畫素結構1，而基板120為對向基板，其表面可設置共用電極與黑色矩陣，但不以此為限，共用電極與黑色矩陣也可各自設置於基板100表面。基板100、120包括可撓式基板或可塑形式基板，例如塑膠基板，但不以此為限。再者，基板100包括顯示區100D以及設於顯示區100D外側的周邊區100P，且畫素結構1係位於顯示區100D內。請同時參考第1C圖，在彎曲成曲面顯示面板的情況下，本實施例顯示面板10在第一方向D1上具有彎曲曲面，顯示面板10具有沿著彎曲中心軸彎曲的顯示面，本實施例例如沿著第二方向D2作為彎曲中心軸Y，但不以此為限。畫素結構1包括多條掃描線GL與多條訊號線SL，掃描線GL沿著第一方向D1延伸設於基板100上，訊號線SL沿著第二方向D2延伸設置於基板100上，其中第一方向D1與第二方向D2相交，因此掃描線GL與訊號線SL於基板100上交織出網狀的結構。掃描線GL與訊號線SL可分別由兩不同的圖案化導電層所構成，但不以此為限。在本實施例，訊號線SL為資料線，分別電性連接於畫素中開關元件的源極，但不以此為限。畫素結構1包括多個畫素，以陣列方式設置於顯示區100D內，在多個畫素中包括至少一第一畫素PX1，其包括開關元件SW及畫素電極102，且開關元件SW與掃描線GL、訊號線SL及畫素電極102電性連接。開關元件SW可例如為薄膜電晶體，但不以此為限。此外，舉例而言，在畫素結構1內之同一行的第一畫素PX1中，奇數列之第一畫素PX1的開關元件SW電性連接於其左側相鄰的訊號線SL，而偶數列之第一畫素PX1的開關元件SW電性連接於其右側相鄰的另一訊號線SL，但不以此為限。
為了突顯本實施例之畫素結構1的特色，第2圖僅繪出掃描線GL、訊號線SL、畫素電極102及開關元件SW，其中四個第一畫素PX1排列成一個2*2陣列，第3圖僅繪出訊號線SL之彎折部分C、畫素電極102之電極分支BE及彩色濾光層116設置於基板100上，並省略基板100上的其他元件與膜層，例如開關元件SW，以突顯出訊號線SL之彎折部分C和畫素電極102之電極分支BE的相對設置關係。如第2圖所示，畫素電極102包括電極主幹ME以及複數條電極分支BE，其中電極主幹ME沿著第一方向D1與第二方向D2延伸而具有「十字」形狀，各電極分支BE的一端連接於電極主幹ME，且另一端朝向不平行於第一方向D1與第二方向D2的方向延伸而形成複數個配向區，在本實施例中，電極分支BE的延伸方向與第一方向D1的夾角可以為45度、135度、225度與315度，但不以此為限。另外，相鄰的電極分支BE之間具有狹縫S，狹縫S排列的延伸方向與第一方向D1分別具有一夾角。在本實施例中，狹縫S的延伸方向與第一方向D1的夾角可以為45度、135度、225度與315度，但不以此為限。舉例而言，雖然第2圖所示的各畫素電極102的電極分支BE由電極主幹ME往外延伸，呈現類似國字「米」的排列，但在其他變化實施例中，電極主幹ME不同側的電極分支BE也可彼此相接而形成菱形圖案。畫素電極102之材料可為透明導電材料例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或其它適合之導電材料。在本實施例中，狹縫S可以具有一致的寬度(亦即等寬度狹縫設計)，且各電極分支BE皆具有相同的寬度，但不以此為限，在其他實施例中，狹縫S或電極分支BE可具有不完全相同的寬度。
再者，訊號線SL包含第一部分P1以及第二部分P2，其中第一部分P1與畫素電極102重疊設置(垂直投影方向Z上重疊設置)，亦即設置在畫素電極102的開口區（或稱透光區），而第二部分P2與掃描線GL重疊設置(垂直投影方向Z上重疊設置)。訊號線SL的第一部分P1至少包含一彎折部分C，其中彎折部分C沿狹縫S的方向設置，而訊號線SL的第二部分P2則是例如具有直線圖案。整體而言，本實施例的訊號線SL係如第1圖所示沿著第二方向D2延伸，而在設有畫素電極102的區域內，訊號線SL之第一部分P1係沿著狹縫S的方向排列，另在設有掃描線GL的區域內或是未設有畫素電極102的區域內，訊號線SL的第二部分P2則平行於第二方向D2直線延伸，但不以此為限。此外，本實施例之第二部分P2設置於兩相鄰的第一部分P1之間，且第二部分P2的兩端分別連接於兩第一部分P1。此外，如第2圖與第3圖所示，畫素電極102覆蓋訊號線SL的彎折部分C的邊緣並凸出於彎折部分C的邊緣，其中覆蓋彎折部分C邊緣的部分電極分支BE凸出於彎折部分C邊緣的寬度為W1，寬度W1約為1倍至1/3倍的彎折部分C的寬度W2，即寬度W1為1/3 W2至W2。舉例而言，電極分支BE中凸出於彎折部分C邊緣的寬度W1為約1微米至約10微米，較佳為約4微米至8微米，但不以此為限。此外，本實施例的訊號線SL之彎折部分C上設有兩個電極分支BE，分別覆蓋彎折部分C的左右兩側邊緣，且此兩個電極分支BE之間的狹縫S暴露出部分的彎折部分C。
請繼續參考第2圖，本實施例的畫素電極102包括第一次畫素電極112與第二次畫素電極114，開關元件SW包含第一薄膜電晶體TFT1與第二薄膜電晶體TFT2，其中第一薄膜電晶體TFT1的第一汲極104電性連接於第一次畫素電極112，第二薄膜電晶體TFT2的第二汲極106電性連接於第二次畫素電極114，且第一薄膜電晶體TFT1與第二薄膜電晶體TFT2可具有共用的閘極108與源極110，其中閘極108電性連接於掃描線GL，而源極110電性連接於訊號線SL，且掃描線GL設置於第一次畫素電極112與第二次畫素電極114之間。第一次畫素電極112與第二次畫素電極114各自具有電極主幹ME以及電極分支BE，而在第一畫素PX1的區域內的訊號線SL包括兩個彎折部分C，分別與第一次畫素電極112以及第二次畫素電極114重疊設置，且兩個彎折部分C藉由訊號線SL的第二部分P2電性連接。
此外，畫素結構1可另包括黑色矩陣118（第2圖中以虛線標示出位置），其例如為設置於相對於基板100之基板120上。黑色矩陣118沿著第一方向D1設置，並且覆蓋掃描線GL與開關元件SW。因此，黑色矩陣118僅覆蓋訊號線SL的第二部分P2，並未沿著第二方向D2延伸而覆蓋訊號線SL的第一部分P1。由於本實施例的顯示面板10係以沿著第二方向D2之一假想線作為彎曲軸，而黑色矩陣118不具有沿著第二方向D2延伸的部分，因此可避免顯示面板10因彎曲而造成對向基板上的黑色矩陣118與基板100表面的第一畫素PX1錯位並發生漏光。再者，畫素結構1還可包括金屬遮蔽線，設於沿著第一方向D1並排的畫素電極102之間，以避免相鄰畫素之間發生跨越干擾或漏光問題。
如第3圖所示，本實施例的畫素結構1另包括彩色濾光層116設置於基板100上，位於訊號線SL與畫素電極102之間，但不以此為限。另外，開關元件SW(未於第3圖繪出)係設置於彩色濾光層116與基板100之間，換言之，本實施例的基板100可為顯示面板10的下基板或陣列基板，並可視為彩色濾光層116在陣列基板上(color filter on array，COA)。此外，畫素結構1另選擇性地包括金屬遮蔽線(圖未示)，沿著第二方向D2延伸設置於不同顏色之彩色濾光層116的交界或相鄰畫素之畫素電極102的交界處，並位於彩色濾光層116與基板100之間，可用以遮蔽光線，並進一步避免因位於彩色濾光層116之交界的液晶分子配向異常所造成的漏光。
以下進一步說明本發明畫素結構1之訊號線SL具有彎折部分C之優點。在其他條件都相同下，提供訊號線為傳統圖案之畫素結構作為對照實施例，亦即，在對照實施例之畫素結構中，訊號線僅具有直線圖案而不具有沿畫素電極之狹縫延伸的彎折部分。在垂直串音(vertical crosstalk)的模擬中，參考畫面亮度表示整面螢幕顯示預定灰階（例如最小灰階之全黑畫面）時的亮度值，測試畫面亮度則定義為：當螢幕的中央區域顯示最大灰階而其他區域顯示預定灰階時，與中央區域在垂直方向上相鄰的區域的實際亮度值。其中，參考畫面亮度與測試畫面亮度之間的亮度差異越小，則表示垂直串音問題越小。在經模擬後，對照實施例的亮度差異為1.63%，而本實施例的亮度差異為0.66%，可知本實施例畫素結構1的訊號線SL因具有彎折部分C且其兩側被畫素電極102所覆蓋，所以可顯著改善垂直串音問題，大幅提升顯示品質。根據本實施例，畫素結構1的畫素電極102覆蓋訊號線SL之彎折部分C的邊緣，藉此利用畫素電極102遮蔽訊號線SL的電場(例如訊號線SL與共通電極之間的電場)，可有效地抑制串音的現象。另外，由於訊號線SL具有沿畫素電極102之狹縫S的方向延伸之彎折部分C，因此訊號線SL的電場並不會破壞畫素電極102對液晶分子的配向效果，進而在不影響穿透率的情況下而可達到有效抑制串音現象的功效。
本發明之畫素結構並不以上述實施例為限。下文將依序介紹本發明之其它變化實施例及較佳實施例之畫素結構，且為了便於比較各實施例之相異處並簡化說明，在下文之各實施例中使用相同的符號標注相同的元件，且主要針對各實施例之相異處進行說明，而不再對重覆部分進行贅述。
請參考第4圖，其繪示了本發明畫素結構第一實施例之第一變化實施例的剖視圖。如第4圖所示，本變化實施例與第一實施例不同的地方在於，於訊號線SL之彎折部分C上對應設置有三個畫素電極102之電極分支BE，其中兩個電極分支BE設置於彎折部分C的邊緣附近，覆蓋彎折部分C的邊緣並凸出於彎折部分C的邊緣，而另一電極分支BE設置於彎折部分C中央的位置。在本變化實施例中，可藉由調整狹縫S的寬度或電極分支BE的寬度以於訊號線SL之彎折部分C上對應設置如第4圖之三個電極分支BE。
請參考第5圖，其繪示了本發明畫素結構第一實施例之第二變化實施例的剖視圖。如第5圖所示，本變化實施例與第一實施例不同之處在於，覆蓋彎折部分C邊緣的電極分支BE的寬度W3大於其他未覆蓋彎折部分C邊緣的電極分支BE的寬度W4，換言之，本變化實施例的各電極分支BE的寬度並不完全相同。
請參考第6圖，其繪示了本發明畫素結構第一實施例之第三變化實施例的剖視圖。如第6圖所示，本變化實施例與第二變化實施例不同的地方在於，訊號線SL之彎折部分C上僅對應設置一個電極分支BE，該電極分支BE的寬度W3大於訊號線SL的彎折部分C之寬度W2與其他電極分支BE的寬度W4，且該電極分支BE可完全覆蓋彎折部分C並凸出於彎折部分C的兩個邊緣。
請參考第7圖，其繪示了本發明畫素結構之第二實施例的局部示意圖。如第7圖所示，本實施例與第一實施例不同的地方在於，畫素結構2之訊號線SL的第一部分P1另包括直線部分T，其與畫素電極102重疊設置，並連接於彎折部分C。詳細而言，本實施例的第二次畫素電極114的面積比第一次畫素電極112的面積大，而在第二次畫素電極114的區域內，訊號線SL包括兩個沿第二方向D2延伸的直線部分T，其中一個直線部分T設置於第二部分P2與彎折部分C之間，並與第二部分P2及彎折部分C連接，而另一個直線部分T設置於彎折部分C與其下方另一個第一畫素PX1的彎折部分C之間，並與此兩個彎折部分C連接。在本實施例中，設置第一次畫素電極112的區域可例如為主畫素區，且其可具有較高的電位，而設置第二次畫素電極114的區域可例如為次畫素區，且其可具有較低的電位，但不以此為限。另舉例而言，在需要呈現低灰階的情況下，可僅驅動第一次畫素電極112的區域(主畫素區)顯示畫面，而關閉第二次畫素電極114的區域(次畫素區)。
請參考第8圖，其繪示了本發明畫素結構之第三實施例的局部示意圖。如第8圖所示，本實施例與第二實施例不同的地方在於，畫素結構3之第二次畫素電極114的區域內，訊號線SL並不具有彎折部分，而是為沿第二方向D2延伸之直線部分T，並且直線部分T係與第二次畫素電極114重疊設置。在本實施例中，直線部分T的一端可與訊號線SL的第二部分P2連接，而直線部分T的另一端可與在第二方向D2上相鄰之另一個第一畫素PX1的彎折部分C連接。根據本實施例，第一畫素PX1中設置第一次畫素電極112的區域當作主顯示區，而設置第二次畫素電極114的區域當作次顯示區，並且在顯示畫面時，主顯示區的電位會高於次顯示區。由於訊號線SL電場串出造成的垂直串音問題主要會顯現在低灰階畫面中，若顯示面板10在低灰階畫面時只有設計主顯示區會顯示畫面，則只需設計訊號線SL在主顯示區具有彎折部分C，以改善垂直串音問題，而訊號線SL在次顯示區具有直線部分T，不具有彎折部分C。在本實施例中，藉由設計訊號線SL在主顯示區具有彎折部分C，而在次顯示區具有直線部分T，可以改善垂直串音問題，也可減少彎折部分C之圖案對光線穿透度的影響。
請參考第9圖與第10圖，其中第9圖繪示了本發明畫素結構之第四實施例的局部示意圖，而第10圖繪示了第9圖所示第一畫素的等效電路示意圖。如第9圖與第10圖所示，本實施例與第二實施例不同的地方在於，畫素結構4另包括分壓元件TD，其中分壓元件TD舉例為一薄膜電晶體，與訊號線SL以及掃描線GL電性連接，分壓元件TD也另與開關元件SW電性連接。本實施例畫素結構4中位於同一直行(第二方向D2)的分壓元件TD皆電性連接於同一條訊號線SL，但不以此為限。再者，畫素結構4另包括資料線DL，其沿著第二方向D2延伸設置並電性連接於開關元件SW的源極110。資料線DL可由相同於訊號線SL之圖案化導電層所構成，但不以此為限。在本實施例，資料線DL的圖案與同一畫素中的訊號線SL大致呈鏡向對稱，同樣包含第一部分P1以及第二部分P2，其中第一部分P1與畫素電極102重疊設置(垂直投影方向Z上重疊設置)，設置在畫素電極102的開口區（透光區），而第二部分P2與掃描線GL重疊設置(垂直投影方向Z上重疊設置)。資料線DL的第一部分P1至少包含一彎折部分C，沿狹縫S的方向設置，並且畫素電極102覆蓋資料線DL的彎折部分C的邊緣並凸出於彎折部分C的邊緣，而資料線DL的第二部分P2例如具有直線圖案，但不以此為限。此外，畫素結構4中位於同一直行的開關元件SW皆電性連接於同一條資料線DL，但不以此為限。
本實施例的開關元件SW包括第一電晶體TFT1與第二電晶體TFT2，其中第一電晶體TFT1與第二電晶體TFT2可分別包括第一汲極104與第二汲極106，並共用閘極108與源極110。第一電晶體TFT1之第一汲極104電性連接於第一次畫素電極112，第二電晶體TFT2之第二汲極106電性連接於第二次畫素電極114，且分壓元件TD電性連接於第二電晶體TFT2之第二汲極106。另一方面，第一電晶體TFT1之第一汲極104電性連接於第一次畫素電極112，以藉由第一汲極104來驅動第一次畫素電極112，其中第一次畫素電極112、共通電極與液晶層（圖未示）形成液晶電容Clc，同樣的，第二電晶體TFT2之第二汲極106電性連接於第二次畫素電極114，而第二次畫素電極114、共通電極與液晶層也會形成另一液晶電容Clc。在本實施例中，分壓元件TD具有分配及調整電壓的功能，當與分壓元件TD連接的訊號線SL傳遞高電壓之訊號時，訊號線SL的電場較強會使畫素電極112與114具有不同的電壓，進而影響畫素電極112與114所對應之液晶分子的傾倒角方向與排列行為。本實施例利用畫素電極102覆蓋訊號線SL之邊緣，可屏蔽訊號線SL的電場，以減低訊號線SL對液晶分子排列的影響。另外，訊號線SL具有沿畫素電極102之狹縫S的方向延伸之彎折部分C，因此訊號線SL的電場並不會破壞畫素電極102對液晶分子的配向效果，在不影響穿透率的情況下而可達到有效抑制串音現象的功效。此外，本實施例的資料線DL之圖案設計亦可達到上述的功效。再者，在本實施例之變化實施例中，資料線DL也可以不具有彎折部分C而僅具有直線圖案。
請參考第11圖，其繪示了本發明畫素結構之第五實施例的局部示意圖。如第11圖所示，本實施例與第一實施例不同的地方在於，畫素結構5包含另一訊號線SL’以及與訊號線SL’電性連接的第二畫素PX2，在本實施例中，第一畫素PX1與第二畫素PX2皆僅具有單一畫素電極102，亦即單一畫素電極102沒有被閘極線GL區分為第一次畫素電極與第二次畫素電極，但不以此為限。其中，訊號線SL與訊號線SL’在第一方向D1上彼此相鄰並排，第一畫素PX1與第二畫素PX2在第二方向D2上彼此相鄰並排，其中第一畫素PX1之開關元件SW電性連接於訊號線SL，第二畫素PX2之開關元件SW電性連接於訊號線SL’，且開關元件SW設置於訊號線SL與訊號線SL’之間。訊號線SL’至少包含一彎折部分C，其沿著第一畫素PX1與第二畫素PX2的畫素電極102之狹縫S方向設置，且第一畫素PX1與第二畫素PX2之畫素電極102的電極分支BE同時覆蓋了訊號線SL與訊號線SL’的彎折部分C的邊緣，其覆蓋方式可參考第3圖，且可設計為如第4圖至第6圖之方式。此外，本實施例的各開關元件SW僅具有一個電晶體，分別電性連接於對應的訊號線SL或訊號線SL’，但不以此為限。
綜上所述，在本發明的畫素結構中，訊號線延伸經過設置畫素電極的區域內，在此區域內的訊號線具有至少一彎折部分沿著畫素電極狹縫的方向延伸，而畫素電極覆蓋訊號線之彎折部分的邊緣。在此設計下，畫素電極會遮蔽訊號線的邊緣電場，可有效地抑制串音的現象。另外，由於訊號線具有沿畫素電極狹縫的方向延伸之彎折部分，因此訊號線的電場並不會破壞畫素電極對液晶分子的配向效果，進而在不影響穿透率的情況下而可達到有效抑制串音現象的功效。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
1、2、3、4、5‧‧‧畫素結構
10‧‧‧顯示面板
100、120‧‧‧基板
100D‧‧‧顯示區
100P‧‧‧周邊區
102‧‧‧畫素電極
104‧‧‧第一汲極
106‧‧‧第二汲極
108‧‧‧閘極
110‧‧‧源極
112‧‧‧第一次畫素電極
114‧‧‧第二次畫素電極
116‧‧‧彩色濾光層
118‧‧‧黑色矩陣
130‧‧‧顯示介質層
BE‧‧‧電極分支
C‧‧‧彎折部分
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
DL‧‧‧資料線
ME‧‧‧電極主幹
GL‧‧‧掃描線
P1‧‧‧第一部分
P2‧‧‧第二部分
PX1‧‧‧第一畫素
PX2‧‧‧第二畫素
S‧‧‧狹縫
SL、SL’‧‧‧訊號線
SW‧‧‧開關元件
T‧‧‧直線部分
TD‧‧‧分壓元件
TFT1‧‧‧第一電晶體
TFT2‧‧‧第二電晶體
W1、W2、W3、W4‧‧‧寬度
Y‧‧‧彎曲中心軸
Z‧‧‧垂直投影方向
第1A圖繪示了本發明顯示面板的剖面示意圖。 第1B圖繪示了第1A圖本發明顯示面板與其畫素結構之第一實施例的元件連接示意圖。 第1C圖繪示了第1A圖顯示面板彎曲成曲面的剖面示意圖。 第2圖繪示了本發明畫素結構之第一實施例的局部放大示意圖。 第3圖係沿第2圖之剖線A-A’繪示之畫素結構的剖視圖。 第4圖繪示了本發明畫素結構第一實施例之第一變化實施例的剖視圖。 第5圖繪示了本發明畫素結構第一實施例之第二變化實施例的剖視圖。 第6圖繪示了本發明畫素結構第一實施例之第三變化實施例的剖視圖。 第7圖繪示了本發明畫素結構之第二實施例的局部示意圖。 第8圖繪示了本發明畫素結構之第三實施例的局部示意圖。 第9圖繪示了本發明畫素結構之第四實施例的局部示意圖。 第10圖繪示了第9圖所示第一畫素的等效電路示意圖。 第11圖繪示了本發明畫素結構之第五實施例的局部示意圖。

Claims (16)

  1. 一種畫素結構，設置於一基板上，其中該畫素結構包括： 一掃描線，沿著一第一方向延伸設於該基板上； 一訊號線，沿著一第二方向延伸設置於該基板上，其中該第一方向與該第二方向相交；以及 一第一畫素，其中該第一畫素包括： 一開關元件，該開關元件的一閘極電性連接於該掃描線；以及 一畫素電極，電性連接於該開關元件，其中該畫素電極包括複數個狹縫； 其中該訊號線包含一第一部分以及一第二部分，該訊號線的該第一部分與該畫素電極重疊設置，該訊號線的該第二部分與該掃描線重疊設置，而該訊號線的該第一部分至少包含一彎折部分，該訊號線的該彎折部分沿該等狹縫的方向設置，且該畫素電極覆蓋該訊號線的該彎折部分的邊緣。
  2. 如請求項1所述的畫素結構，其中該等狹縫的延伸方向與該第一方向分別具有一夾角。
  3. 如請求項1所述的畫素結構，其中該畫素電極包括複數個電極分支，而該等狹縫分別位於相鄰的該等電極分支之間，且部分該等電極分支覆蓋該彎折部分的邊緣並凸出於該彎折部分的邊緣。
  4. 如請求項3所述的畫素結構，其中覆蓋該彎折部分的邊緣的部分該等電極分支凸出於該彎折部分的邊緣1倍至約1/3倍的該彎折部分的寬度。
  5. 如請求項3所述的畫素結構，其中覆蓋該彎折部分的邊緣的該等電極分支的寬度大於其他未覆蓋該彎折部分的邊緣的該等電極分支的寬度。
  6. 如請求項1所述的畫素結構，其中該畫素電極包括複數個電極分支，該等狹縫分別位於相鄰的該等電極分支之間，該等電極分支的其中一者完全覆蓋該彎折部分並凸出於該彎折部分的兩側邊緣，且完全覆蓋該彎折部分的該電極分支的寬度大於其他未覆蓋該彎折部分的該等電極分支。
  7. 如請求項1所述的畫素結構，其中該畫素電極包括一第一次畫素電極與一第二次畫素電極，該訊號線包括兩個該彎折部分，分別與該第一次畫素電極以及該第二次畫素電極重疊設置。
  8. 如請求項7所述的畫素結構，其中該掃描線設置於該第一次畫素電極與該第二次畫素電極之間，該等彎折部分藉由該訊號線的該第二部分電性連接。
  9. 如請求項1所述的畫素結構，其中該畫素電極包括一第一次畫素電極與一第二次畫素電極，與該第一次畫素電極重疊設置的部分該訊號線具有該彎折部分，而與該第二次畫素電極重疊設置的部分該訊號線部分為一直線部分。
  10. 如請求項1所述的畫素結構，其中該訊號線另包括一直線部分，與該畫素結構重疊設置，並連接於該彎折部分。
  11. 如請求項1所述的畫素結構，其中該訊號線電性連接於該開關元件的一源極，以及該畫素電極電性連接於該開關元件的一汲極。
  12. 如請求項1所述的畫素結構，更包括一分壓元件，其中該分壓元件與該訊號線以及該掃描線電性連接。
  13. 如請求項12所述的畫素結構，另包括一資料線，沿著該第二方向延伸設置並電性連接於該開關元件的一源極。
  14. 如請求項12所述的畫素結構，另包括一資料線，沿著該第二方向延伸設置，其中該畫素電極包括一第一次畫素電極與一第二次畫素電極，該開關元件包括一第一電晶體與一第二電晶體，該第一電晶體與該第二電晶體電性連接於該資料線，該第一次畫素電極電性連接於該第一電晶體的一汲極，該第二次畫素電極與該第二電晶體的汲極電性連接，該分壓元件與該第二電晶體的汲極電性連接。
  15. 如請求項14所述的畫素結構，其中該資料線包含一第一部分以及一第二部分，該資料線的該第一部分與該畫素電極重疊設置，該資料線的該第二部分與該掃描線重疊設置，而該資料線的該第一部分至少包含一彎折部分，該資料線的該彎折部分沿該等狹縫的方向設置，且該畫素電極覆蓋該資料線的該彎折部分的邊緣。
  16. 如請求項1所述的畫素結構，更包含另一訊號線以及與該另一訊號線電性連接的一第二畫素，該訊號線與該另一訊號線彼此相鄰並排，且該開關元件設置於該訊號線與該另一訊號線之間，其中該另一訊號線至少包含一彎折部分，該另一訊號線的該彎折部分沿該第一畫素的該畫素電極的該等狹縫的方向設置，且該第一畫素的該畫素電極覆蓋該另一訊號線的該彎折部分的邊緣。
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